CN109407869A - 触控结构及其制备方法、显示装置 - Google Patents

触控结构及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

一种触控结构及其制备方法、显示装置。该触控结构的制备方法包括提供一薄膜基材；提供一衬底基板，并将所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上；在所述薄膜基材上形成用于实现触控功能的叠层结构；将其上形成有所述叠层结构的所述薄膜基材从所述衬底基板上移除。该触控结构的制备方法可以使触控结构的功能层分布在薄膜基材的同一侧，在弯曲时所受应力相同，从而可以降低断裂风险，同时该制备方法还可以提高对位精度。

Description

触控结构及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种触控结构及其制备方法、显示装置。
背景技术
近年来柔性显示技术发展势头迅猛，为厂商提供了很多创新空间。在将柔性显示产品应用于高端手机或新一代穿戴显示设备时，要求其产品同时具有触控功能。目前在针对柔性显示产品的触控结构的制备工艺中，较为主流的均采用Roll To Roll(卷对卷)工艺，用于信号传输的功能层分别设置在薄膜基材的两侧，这就使得功能层在弯曲时所受应力大小不同，从而使得采用Roll To Roll工艺制造的产品在应对小曲率半径时容易发生断裂，从而可能无法满足小曲率或者折叠产品的设计要求。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种触控结构及其制备方法、显示装置。该触控结构的制备方法可以使触控结构的功能层分布在薄膜基材的同一侧，在弯曲时所受应力相同，从而可以降低断裂风险，同时该制备方法还可以提高对位精度。
本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，包括：提供一薄膜基材；提供一衬底基板，并将所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上；在所述薄膜基材上形成用于实现触控功能的叠层结构；以及将其上形成有所述叠层结构的所述薄膜基材从所述衬底基板上移除。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，在所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上之前，在所述薄膜基材上形成第一导电层以覆盖所述薄膜基材，然后将所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上，或者在所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上之后，形成第一导电层以覆盖所述薄膜基材；以及在所述第一导电层上形成用于实现对位功能的对位标记。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，所述触控结构划分为触控区域和非触控区域，且形成所述叠层结构包括：对所述第一导电层执行构图工艺以形成多个电极图案，所述多个电极图案包括设置在所述触控区域中的多个第一触控电极和多个第二触控电极，以及设置在所述非触控区域中的多条第一导电走线，每一所述第一触控电极包括多个第一子电极；在所述多条第一导电走线上形成多条金属走线，所述多条金属走线每条包括靠近所述触控区域的边缘的搭接电极，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极通过所述搭接电极与所述多条金属走线对应连接。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，形成所述叠层结构还包括：在所述薄膜基材上形成第一绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极，且在第一绝缘层中形成多个过孔以暴露所述多个第一子电极。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，形成所述叠层结构还包括：在所述薄膜基材上通过构图工艺形成第二导电层；所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及设置在所述非触控区域中的多条第二导电走线，每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极连接，所述多条第二导电走线形成在所述多条金属走线上，且覆盖所述多条金属走线。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，形成所述叠层结构还包括：在形成有所述第二导电层的所述薄膜基材上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材的整个触控区域。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，所述第一绝缘层还覆盖所述多条金属走线每条中除了邦定区域外的其他部分。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，形成所述叠层结构还包括：在所述薄膜基材上通过构图工艺形成第二导电层；所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及设置在所述非触控区域中的多个邦定电极，每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极连接，所述多个邦定电极覆盖所述多条金属走线每条中位于所述邦定区域的部分。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，形成所述叠层结构还包括：在形成有所述第二导电层的所述薄膜基材上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材上除了所述邦定区域外的其他区域。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，所述薄膜基材包括环烯烃聚合物薄膜或聚酰亚胺薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，所述第一导电层的材料包括氧化铟锡、氧化锡或氧化铟锌。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构的制备方法中，所述第二导电层的材料包括氧化铟锡、氧化锡或氧化铟锌。
本公开至少一实施例还提供一种触控结构，划分为触控区域和非触控区域，包括：薄膜基材；设置在所述薄膜基材上的第一导电层，所述第一导电层包括设置在所述触控区域中的多个第一触控电极和多个第二触控电极，以及设置在所述非触控区域中的多条第一导电走线，每一所述第一触控电极包括多个第一子电极；设置在所述第一导电层上用于实现对位功能的对位标记；设置在所述多条第一导电走线上的多条金属走线，所述多条金属走线每条包括靠近所述触控区域的边缘的搭接电极，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极通过所述搭接电极与所述多条金属走线对应连接。
例如，本公开一实施例提供的触控结构还包括：覆盖所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的第一绝缘层；所述第一绝缘层具有暴露所述多个第一子电极的过孔。
例如，本公开一实施例提供的触控结构还包括：设置在所述薄膜基材上的第二导电层；所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及设置在所述多条金属走线上且覆盖所述多条金属走线的多条第二导电走线，每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极电连接。
例如，本公开一实施例提供的触控结构还包括：设置在所述第二导电层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材的整个触控区域。
例如，在本公开一实施例提供的触控结构中，所述第一绝缘层还覆盖所述多条金属走线每条中除了邦定区域外的其他部分。
例如，本公开一实施例提供的触控结构还包括：设置在所述薄膜基材上的第二导电层；所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及覆盖所述多条金属走线每条中位于所述邦定区域的部分的多个邦定电极，每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极连接。
例如，本公开一实施例提供的触控结构还包括：设置在所述第二导电层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材上除了所述邦定区域外的其他区域。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括本公开任一实施例所述的触控结构。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例中一个示例提供的一种触控结构的制备方法的示意图；
图2为本公开一实施例中另一个示例提供的一种触控结构的制备方法的示意图；
图3A为本公开一实施例中一个示例提供的形成叠层结构中步骤S301和步骤S302的示意图；
图3B为沿图3A中A-A'线的剖视图；
图3C为沿图3A中B-B'线的剖视图；
图4A为本公开一实施例中一个示例提供的形成叠层结构中步骤S303的示意图；
图4B为沿图4A中C-C'线的剖视图；
图5A为本公开一实施例中一个示例提供的形成叠层结构中步骤S304的示意图；
图5B为沿图5A中D-D'线的剖视图；
图5C为沿图5A中E-E'线的剖视图；图5D为沿图5A中F-F'线的剖视图；
图6A为本公开一实施例中一个示例提供的形成叠层结构中步骤S305的示意图；
图6B为沿图6A中G-G'线的剖视图；
图7A为本公开一实施例中另一个示例提供的形成叠层结构中步骤S303'的示意图；
图7B为沿图7A中H-H'线的剖视图；
图7C为沿图7A中I-I'线的剖视图；
图8A为本公开一实施例中另一个示例提供的形成叠层结构中步骤S304'的示意图；
图8B为沿图8A中J-J'线的剖视图；
图9A为本公开一实施例中另一个示例提供的形成叠层结构中步骤S305'的示意图；
图9B为沿图9A中K-K'线的剖视图；
图9C为沿图9A中L-L'线的剖视图。
附图标记：
10-触控结构； 100-薄膜基材；
200-第一导电层； 300-其他叠层结构；
400-叠层结构； 500-对位标记；
600-衬底基板； 101-触控区域；
102-非触控区域； 210-第一触控电极；
211-第一子电极； 220-第二触控电极；
230-第一导电走线； 310-金属走线；
315-搭接电极； 410-第一绝缘层；
420-第二绝缘层； 411-过孔；
511-桥接电极； 512-第二导电走线；
515-邦定电极
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，包括：提供一薄膜基材；提供一衬底基板，并将薄膜基材贴附在衬底基板上；在薄膜基材上形成用于实现触控功能的叠层结构；以及将其上形成有叠层结构的薄膜基材从衬底基板上移除。本公开至少一实施例还提供对应于上述触控结构制备方法的触控结构及显示装置。
该触控结构的制备方法可以使触控结构的功能层分布在薄膜基材的同一侧，在弯曲时所受应力相同，从而可以降低断裂风险，同时该制备方法还可提高对位精度。
在本公开的实施例中，构图工艺可以是光刻构图工艺，其例如包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶，光刻胶的涂覆可以采用旋涂、刮涂或者辊涂的方式；接着使用掩膜板对光刻胶层进行曝光，对曝光的光刻胶层进行显影以得到光刻胶图案；然后使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻，以形成需要的图案结构；最后可选地去除光刻胶图案。
下面通过几个实施例进行说明。
实施例一
本实施例的一个示例提供一种触控结构，如图3A所示，该触控结构10可以划分为触控区域101和非触控区域102(例如为周边区域)。例如触控区域101为设置触控电极的区域，非触控区域102为设置与触控电极连接的走线(例如金属走线)的区域。
例如，还如图1和图2所示，触控结构10包括：薄膜基材100；设置在薄膜基材100上的第一导电层200；以及设置在第一导电层200上用于实现对位功能的对位标记500。
例如，薄膜基材100采用具有高透过率的薄膜材料，特别是具有柔性的薄膜材料。例如，薄膜基材100可以采用环烯烃聚合物(COP)薄膜或聚酰亚胺(PI)薄膜等。又例如，当触控结构用于柔性产品时，薄膜基材可以采用拉伸强度较好的聚酰亚胺薄膜。
例如，对位标记500可以设置在第一导电层上周边的四个角，用于与其他制程对位，例如用于曝光制程时的对位，对位标记500可以提高对位精度。需要说明的是，这里对位标记500只是为了在制备触控结构的过程中用于对位，在触控结构制备完成后，可以把对位标记500所在的部分切除掉，也就是说最后形成的产品可不包括对位标记500。另外，图1和图2中示出的对位标记500的形状是十字型的，本公开对此不作限定。例如，对位标记500的形状还可以是矩形、圆形等其他形状。
例如，在薄膜基材和第一导电层之间还可以设置有中间层，例如消影层(Index-Matching Layer，IML)，且使得其折射率与第一导电层的折射率相接近，从而实现消影的效果。
例如，如图3A、图3B和图3C所示(图3B是沿图3A中A-A'线的剖视图，图3C是沿图3A中B-B'线的剖视图)，第一导电层包括设置在触控区域101中的多个第一触控电极210和多个第二触控电极220，以及设置在非触控区域102中的多条第一导电走线230(图3A中未示出，参见图3B)，每个第一触控电极210包括多个第一子电极211。
需要说明的是，为了表示清楚，图3A中仅示例性的示出了部分第一触控电极210和部分第二触控电极220，本领域技术人员可以理解，为了达到相应的触控效果，第一触控电极和第二触控电极在保持彼此绝缘的情况下，应尽可能地填充满触控区域101。以下各实施例与此相同。
另外，图3A中每个第一触控电极210仅示例性的示出了包括4个第一子电极211，本公开的实施例包括但不限于此，第一子电极的数量可以根据需要进行设置，以下各实施例与此相同。
容易理解，也可以将第一触控电极设置成不间断的电极图案，而将第二触控电极设置成间断的电极图案，本公开对此不作限定，以下各实施例与此相同。
例如，如图3A和图3B所示，触控结构10还包括设置在多条第一导电走线230上的多条金属走线310。需要说明的是，由于金属走线310的覆盖，所以在图3A中无法示出第一导电走线230，金属走线310和第一导电走线230的关系可参考图3B所示。另外，图3B中示出的金属走线310的宽度仅是示意性的，例如，金属走线310的宽度还可以和第一导电走线230的宽度一致，本公开的实施例对此不作限定。
例如，金属走线的材料可以包括铜、铜合金、铝、铝合金、金、金合金、银、银合金等的一种或组合。设置金属走线并采用延展性较好的金属材料(例如铜或铜合金等)，可以有效降低通道阻抗，同时提升走线在弯折区域的延展性，进而保证边缘弯折区域的功能性。
例如，如图3A和图3C所示，每条金属走线310均包括靠近触控区域101边缘的搭接电极315，多个第一触控电极210(第一子电极211)和多个第二触控电极220通过搭接电极315与多条金属走线310对应连接。例如，第一触控电极210(第一子电极211)和第二触控电极220处于触控区域101边缘的部分可以向非触控区域102延伸，以便于更好地和搭接电极315实现电连接。从图3C可以看出，搭接电极315覆盖第一子电极211延伸至非触控区域102的部分。
设置搭接电极315是为了使第一触控电极210和第二触控电极220更便于与金属走线310实现电连接。需要说明的是，图3A所示的搭接电极315仅是示意性的，其形状及尺寸不代表真实比例。例如，搭接电极315的宽度可以大于金属走线310其余部分的宽度；又例如，搭接电极315可以与金属走线310其余部分等宽。
在本公开的实施例中，第一导电走线230可以作为形成在其上的金属走线310的缓冲层，可以提高金属走线310对薄膜基材100的附着力，进而保证边缘弯折区域的功能性。
例如，如图4A和图4B所示(图4B是沿图4A中C-C'线的剖视图)，触控结构10还包括覆盖多个第一触控电极210和多个第二触控电极220的第一绝缘层410，第一绝缘层410具有暴露多个第一子电极211的过孔411。例如，第一绝缘层410覆盖整个触控区域101，第一绝缘层410使相邻的第一触控电极210和第二触控电极220彼此绝缘。过孔411是为了使后续形成的桥接电极可以通过过孔411使相邻的第一子电极211彼此电连接。
例如，如图5A所示，触控结构10还包括设置在薄膜基材100上的第二导电层。第二导电层包括设置在触控区域101中的多个桥接电极511以及设置在多条金属走线310上且覆盖多条金属走线310的多条第二导电走线512。
例如，如图5D所示(图5D是沿图5A中F-F'线的剖视图)，每一个桥接电极511覆盖两个过孔411，桥接电极511通过过孔411与第一子电极211直接接触，相邻的第一子电极211之间通过桥接电极511实现电连接。
例如，如图5B和图5C所示(图5B是沿图5A中D-D'线的剖视图，图5C是沿图5A中E-E'线的剖视图)，第二导电走线512覆盖金属走线310(包括搭接电极315)。
在本示例中，第二导电走线512可以作为金属走线310的保护层，防止金属走线310直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
例如，如图6A和图6B所示(图6B是沿图6A中G-G'线的剖视图)，触控结构10还可以包括设置在第二导电层上的第二绝缘层420，第二绝缘层420覆盖薄膜基材100的整个触控区域101。如图6B所示，第二绝缘层420覆盖桥接电极511，可以用来保护桥接电极511。
本实施例的另一个示例也提供一种触控结构，本示例与上一示例的区别在于第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层的设置不同。
例如，如图7A、图7B和图7C所示(图7B是沿图7A中H-H'线的剖视图，图7C是沿图7A中I-I'线的剖视图)，本示例提供的触控结构与上一示例(如图4A所示)的区别在于，第一绝缘层410还覆盖多条金属走线310每条中除了邦定区域105外的其他部分。例如，第一绝缘层410除了覆盖触控区域101外，还覆盖非触控区域102中除了绑定区域105外的其他部分。因为金属走线310要在邦定区域105中和其他结构实现电连接(例如，和触控侦测芯片电连接)，所以第一绝缘层410不能覆盖处于邦定区域105中的金属走线。关于第一绝缘层410中过孔411的设置可参考上一示例中相应描述，这里不再赘述。
在本示例中，第一绝缘层410可以作为金属走线310的保护层(不包括绑定区域的金属走线)，防止金属走线310直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
例如，如图8A所示，本示例提供的触控结构10还包括设置在薄膜基材100上的第二导电层。第二导电层包括设置在触控区域101中的多个桥接电极511，每一桥接电极511覆盖两个过孔，相邻的第一子电极之间通过桥接电极连接。关于此部分结构与上一示例一致，可参考图5D所示，这里不再赘述。
例如，如图8A和图8B所示(图8B是沿图8A中J-J'线的剖视图)，第二导电层还包括覆盖多条金属走线310每条中位于邦定区域105部分的多个邦定电极515。
在本示例中，邦定电极515覆盖位于绑定区域105中的金属走线，可以防止这部分金属走线直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
例如，如图9A、图9B和图9C所示(图9B是沿图9A中K-K'线的剖视图，图9C是沿图9A中L-L'线的剖视图)，本示例提供的触控结构10还包括设置在第二导电层上的第二绝缘层420，第二绝缘层420覆盖薄膜基材上除了邦定区域105外的其他区域。例如，在触控区域101中，第二绝缘层420覆盖桥接电极511，可以用来保护桥接电极511，关于此部分可参考图6B所示。
需要注意的是，因为金属走线310要在邦定区域105中和其他结构实现电连接(例如，和触控侦测芯片电连接)，所以第二绝缘层420不能覆盖处于邦定区域105中的金属走线。
在本实施例提供的触控结构中，触控结构的功能层即第一导电层设置在薄膜基材的同一侧，在弯曲时所受应力相同，从而可以降低断裂风险。
在本实施例提供的触控结构中，第一导电走线可以作为形成在其上的金属走线的缓冲层，可以提高金属走线的附着力，进而保证边缘弯折区域的功能性。
在本实施例提供的触控结构中，第二导电走线或第一绝缘层可以作为金属走线的保护层，防止金属走线直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
在本实施例提供的触控结构中，第二绝缘层可以作为桥接电极的保护层，对桥接电极加以保护。
在本公开的实施例中，第一导电层的材料可以采用透明导电材料，例如，第一导电层的材料可以是ITO(氧化铟锡)、SnO2(氧化锡)等，又例如，第一导电层的材料还可以是IZO(氧化铟锌)。本公开的实施例包括但不限于此，以下各实施例与此相同。
相同的，在本公开的实施例中，第二导电层的材料可以采用透明导电材料，例如，第二导电层的材料可以是ITO(氧化铟锡)、SnO2(氧化锡)等，又例如，第二导电层的材料还可以是IZO(氧化铟锌)。本公开的实施例包括但不限于此，以下各实施例与此相同。
实施例二
本实施例提供一种显示装置，包括实施例一中任一所述的触控结构。
本实施例提供的显示装置还可以包括显示屏。需要说明的是，本实施例不限定触控结构和显示屏的结合方式。
例如，显示屏包括阵列基板以及与阵列基板对盒的对置基板(例如彩膜基板)。
例如，触控结构可以设置在保护盖板上，保护盖板用于盖合在显示屏上对显示屏进行保护，且保护盖板的形成有触控结构的一侧朝向显示屏。即该触控结构与显示屏的结合方式为OGS(One Glass Solution)方式。
又例如，触控结构可以设置在对置基板的背对阵列基板的一侧，且触控结构的背对对置基板的一侧还可以设置有偏光片。即该触控结构与显示屏的结合方式为On-Cell(外置式)方式。
再例如，触控结构还可以设置在对置基板的朝向阵列基板的一侧。即该触控结构与显示屏的结合方式为In-Cell(内嵌式)方式。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：液晶面板、液晶电视、显示器、OLED面板、OLED电视、电子纸、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有触控显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示装置的技术效果可参考上述实施例一中的相应描述，在此不再赘述。
实施例三
本实施例的一个示例提供一种触控结构的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下操作。
步骤S10：提供一薄膜基材100；
步骤S20：提供一衬底基板600，并将薄膜基材100贴附在衬底基板600上；
步骤S30：在薄膜基材100上形成用于实现触控功能的叠层结构400；以及
步骤S40：将其上形成有叠层结构400的薄膜基材100从衬底基板600上移除。
在步骤S10和步骤S20中，例如，如图1中1A所示，提供一薄膜基材100以及一衬底基板600，并将薄膜基材100贴附在衬底基板600上。例如，可以采用贴膜制程将薄膜基材100平整的贴附在衬底基板600上。例如，可以采用OCA(Optically Clear Adhesive，光学胶)将薄膜基材100粘附在衬底基板600上。
例如，薄膜基材100可以采用环烯烃聚合物(COP)薄膜，又例如，薄膜基材100还可以采用酰亚胺(PI)薄膜。例如，衬底基板600可以采用玻璃基板。本公开对此不作限定。
在步骤S30中，例如，如图1中1B和1C所示，形成叠层结构400的一个示例包括如下操作。
步骤S310：在薄膜基材100上形成第一导电层200以覆盖薄膜基材100；
步骤S320：在第一导电层200上形成用于实现对位功能的对位标记500；
步骤S330：在第一导电层200上形成其它叠层结构300。
在步骤S310中，例如，如图1中1B所示，可以采用溅射工艺在薄膜基材100上形成第一导电层200薄膜，以全面覆盖薄膜基材100。本公开的实施例对形成第一导电薄膜的工艺不作限定，例如，还可以采用CVD(化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)工艺等，以下各实施例与此相同，不再赘述。
在步骤S320中，例如，如图1中1B所示，对位标记500可以设置在第一导电层上周边的四个角，用于与其他制程对位，例如用于曝光制程时的对位，对位标记500可以提高对位精度。例如，对位标记可以采用涂覆光刻胶、曝光、显影等工艺制备。
需要说明的是，对位标记500只是为了在制备触控结构的过程中用于对位，在触控结构制备完成后，可以把对位标记500所在的部分切除掉，也就是说最后形成的产品不包括对位标记500。另外，图1中1B示出的对位标记500的形状是十字型的，本公开对此不作限定。例如，对位标记500的形状还可以是矩形、圆形等其他形状。
在步骤S330中，例如，如图1中1C所示，在第一导电层200上形成其它叠层结构300。例如，其它叠层结构300包括下文中描述的金属走线、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层。需要说明的是，在本实施例中为了更清楚的描述制备方法，将实现触控功能的叠层结构400中除了第一导电层200外的叠层结构称之为其他叠层结构300。也就是说，叠层结构400包括第一导电层200和其他叠层结构300。
在步骤S40中，例如，如图1中1D所示，将其上形成有叠层结构400的薄膜基材100从衬底基板600上移除。例如，可以采用撕膜制程将其上形成有叠层结构400的薄膜基材100从衬底基板600上移除。
采用上述贴膜制程和撕膜制程完成后的衬底基板(例如玻璃基板)可以再回收利用，从而可以降低损耗。
本实施例的另一个示例也提供一种触控结构的制备方法，如图2所示，本示例与上一示例的区别在于在将薄膜基材100贴附在衬底基板600上之前，在薄膜基材100上先形成第一导电层200以覆盖薄膜基材100。
例如，如图2中2A所示，可以采用溅射工艺在薄膜基材100上形成第一导电层200薄膜，以全面覆盖薄膜基材100。
例如，如图2中2B所示，将其上形成有第一导电层200的薄膜基材100贴附在衬底基板600上。例如，可以采用与上一示例相同的贴膜制程将薄膜基材100平整的贴附在衬底基板600上。例如，可以采用OCA(Optically Clear Adhesive，光学胶)将薄膜基材100粘附在衬底基板600上。
本示例提供的制备方法还包括如下操作。在第一导电层200上形成用于实现对位功能的对位标记500(如图2中2B所示)；在第一导电层200上形成其他叠层结构300(如图2中2C所示)；将其上形成有叠层结构400的薄膜基材100从衬底基板600上移除(如图2中2D所示)。这些步骤与上一示例中的相应描述相同，这里不再赘述。
需要说明的是，在薄膜基材和第一导电层之间还可以形成中间层，例如消影层，使其折射率与第一导电层的折射率相接近，从而实现消影的效果。
在本实施例提供的触控结构的制备方法中，触控结构的功能层即第一导电层设置在薄膜基材的同一侧，在弯曲时所受应力相同，从而可以降低断裂风险。
同时，将薄膜基材贴附在衬底基板表面后，再在薄膜基材上进行其他制程操作以形成触控结构，采用这种方式可以利用衬底基板保持薄膜基材表面的平整度，从而可以支持高精度的工艺制程，例如可以提高光刻精度。下面分别用两个示例描述上述触控结构的制备方法中叠层结构的制备步骤。
例如，在形成叠层结构的一个示例中，如图3A所示，该触控结构10划分为触控区域101和非触控区域102(例如为周边区域)。例如触控区域101为设置触控电极的区域，非触控区域102为设置与触控电极连接的金属走线的区域。
形成叠层结构的示例可以包括如下操作。
步骤S301：对第一导电层执行构图工艺以形成多个电极图案；
步骤S302：在多条第一导电走线上形成多条金属走线。
在步骤S301中，例如，如图3A、图3B和图3C所示(图3B是沿图3A中A-A'线的剖视图，图3C是沿图3A中B-B'线的剖视图)，多个电极图案包括设置在触控区域101中的多个第一触控电极210和多个第二触控电极220，以及设置在非触控区域102中的多条第一导电走线230(图3A中未示出)，每个第一触控电极210包括多个第一子电极211。关于第一触控电极、第二触控电极以及第一子电极的设置方式可参考实施例一中相应描述，这里不再赘述。
例如，构图工艺可以是光刻工艺，其例如包括：涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀以及剥离等工艺。
在步骤S302中，例如，如图3A和图3B所示，在多条第一导电走线230上形成多条金属走线310。例如，形成金属走线的示例包括：溅射镀膜、涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀以及剥离等工艺。
需要说明的是，由于金属走线310的覆盖，所以在图3A中无法示出第一导电走线230，金属走线310和第一导电走线230的关系可参见图3B所示。另外，图3B中示出的金属走线310的宽度仅是示意性的，例如，金属走线310的宽度还可以和第一导电走线230的宽度一致，本公开对此不作限定。
例如，如图3A和图3C所示，每条金属走线310均包括靠近触控区域101边缘的搭接电极315，多个第一触控电极210(第一子电极211)和多个第二触控电极220通过搭接电极315与多条金属走线310对应连接。例如，第一触控电极210(第一子电极211)和第二触控220处于触控区域101边缘的部分可以向非触控区域102延伸，以便于更好地和搭接电极315实现电连接。从图3C可以看出，搭接电极315覆盖第一子电极211延伸至非触控区域102的部分。
设置搭接电极315是为了使第一触控电极210和第二触控电极220更便于与金属走线310实现电连接。需要说明的是，图3A所示的搭接电极315仅是示意性的，其形状及尺寸不代表真实比例。例如，搭接电极315的宽度可以大于金属走线310其余部分的宽度；又例如，搭接电极315可以与金属走线310其余部分等宽。
在本公开的实施例中，第一导电走线230可以作为形成在其上的金属走线310的缓冲层，可以提高金属走线310的附着力，进而保证边缘弯折区域的功能性。
例如，如图4A和图4B所示(图4B是沿图4A中C-C'线的剖视图)，形成叠层结构的示例还可以包括如下操作。
步骤S303：在薄膜基材100上形成第一绝缘层410。
例如，如图4A所示，第一绝缘层410覆盖多个第一触控电极210和多个第二触控电极220，且在第一绝缘层410中形成多个过孔411以暴露多个第一子电极211。例如，第一绝缘层410的材料可以采用光阻材料，形成第一绝缘层410的示例可以包括涂覆光刻胶、曝光以及显影等工艺。
例如，第一绝缘层410覆盖整个触控区域101，第一绝缘层410使相邻的第一触控电极210和第二触控电极220彼此绝缘。过孔411是为了使后续形成的桥接电极可以通过过孔411使相邻的第一子电极211彼此电连接。
例如，如图5A所示，形成叠层结构的示例还可以包括如下操作。
步骤S304：在薄膜基材100上通过构图工艺形成第二导电层。
例如，如图5A所示，第二导电层包括设置在触控区域101中的多个桥接电极511以及设置在非触控区域102中的多条第二导电走线512。
例如，形成第二导电层的示例可以包括溅射镀膜、涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀以及剥离等工艺。
例如，如图5D所示(图5D是沿图5A中F-F'线的剖视图)，每一个桥接电极511覆盖两个过孔411，桥接电极511通过过孔411与第一子电极211直接接触，相邻的第一子电极211之间通过桥接电极511实现电连接。
例如，如图5B和图5C所示(图5B是沿图5A中D-D'线的剖视图，图5C是沿图5A中E-E'线的剖视图)，多条第二导电走线形成在多条金属走线310(包括搭接电极315)上，且覆盖多条金属走线310。
在本示例中，第二导电走线512可以作为金属走线310的保护层，防止金属走线310直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
例如，如图6A所示，形成叠层结构的示例还可以包括如下操作。
步骤S305：在形成有第二导电层的薄膜基材100上形成第二绝缘层420。
例如，如图6A和图6B所示(图6B是沿图6A中G-G'线的剖视图)，第二绝缘层420覆盖薄膜基材100的整个触控区域101。第二绝缘层420覆盖桥接电极511，用来保护桥接电极511。
例如，第二绝缘层420的材料可以采用光阻材料，形成第二绝缘层420的示例可以包括涂覆光刻胶、曝光以及显影等工艺。
例如，在形成叠层结构的另一个示例中，本示例与上一示例的区别在于形成第一绝缘层、第二导电层和第二绝缘层的制备步骤不同。
在本示例中，形成叠层结构除了包括步骤S310和步骤S320外，还可以包括如下操作。
步骤S303'：在薄膜基材100上形成第一绝缘层410。
例如，如图7A、图7B和图7C所示(图7B是沿图7A中H-H'线的剖视图，图7C是沿图7A中I-I'线的剖视图)，本示例中形成的第一绝缘层410与上一示例的区别在于，形成的第一绝缘层410还覆盖多条金属走线310每条中除了邦定区域105外的其他部分。例如，第一绝缘层410除了覆盖触控区域101外，还覆盖非触控区域102中除了绑定区域105外的其他部分。因为金属走线310要在邦定区域105中和其他结构实现电连接(例如，和触控侦测芯片电连接)，所以第一绝缘层410不能覆盖处于邦定区域105中的金属走线。关于第一绝缘层410中过孔411的设置可参考上一示例中相应描述，这里不再赘述。
在本示例中，第一绝缘层410可以作为金属走线310的保护层(不包括绑定区域的金属走线)，防止金属走线310直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
例如，本示例提供的形成叠层结构的制备步骤还可以包括如下操作。
步骤S304'：在薄膜基材100上通过构图工艺形成第二导电层。
例如，如图8A所示，第二导电层包括设置在触控区域101中的多个桥接电极511，每一桥接电极511覆盖两个过孔，相邻的第一子电极之间通过桥接电极连接。关于此部分结构与上一示例一致，可参考图5D所示，这里不再赘述。
例如，如图8A和图8B所示(图8B是沿图8A中J-J'线的剖视图)，本示例与上一示例的区别在于第二导电层还包括覆盖多条金属走线310每条中位于邦定区域105部分的多个邦定电极515。
在本示例中，邦定电极515覆盖位于绑定区域105中的金属走线，可以防止这部分金属走线直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
例如，本示例提供的形成叠层结构的制备步骤还可以包括如下操作。
步骤S305'：在形成有第二导电层的薄膜基材100上形成第二绝缘层420。
例如，如图9A、图9B和图9C所示(图9B是沿图9A中K-K'线的剖视图，图9C是沿图9A中L-L'线的剖视图)，本示例与上一示例的区别在于第二绝缘层420覆盖薄膜基材上除了邦定区域105外的其他区域。例如，在触控区域101中，第二绝缘层420覆盖桥接电极511，可以用来保护桥接电极511，关于此部分可参考图6B所示。
需要注意的是，因为金属走线310要在邦定区域105中和其他结构实现电连接(例如，和触控侦测芯片电连接)，所以第二绝缘层420不能覆盖处于邦定区域105中的金属走线。
综上所述，本公开实施例提供的触控结构及其制备方法、显示装置，具有以下至少一项有益效果。
(1)在至少一个实施例中，触控结构的功能层设置在薄膜基材的同一侧，在弯曲时所受应力相同，从而可以降低断裂风险。
(2)在至少一个实施例中，将薄膜基材贴附在衬底基板表面后，再在薄膜基材上进行其他制程操作以形成触控结构，采用这种方式可以利用衬底基板保持薄膜基材表面的平整度，从而可以支持高精度的工艺制程。
(3)在至少一个实施例中，第一导电走线可以作为形成在其上的金属走线的缓冲层，可以提高金属走线对薄膜基材的附着力，进而保证边缘弯折区域的功能性。
(4)在至少一个实施例中，第二导电走线可以作为金属走线的保护层，防止金属走线直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
(5)在至少一个实施例中，第一绝缘层可以作为金属走线的保护层(不包括绑定区域的金属走线)，防止金属走线直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
(6)在至少一个实施例中，第二绝缘层可以作为桥接电极的保护层，对桥接电极加以保护。
(7)在至少一个实施例中，邦定电极覆盖位于绑定区域中的金属走线，可以防止这部分金属走线直接暴露在空气中，从而可以避免金属走线氧化问题。
(8)在至少一个实施例中，采用贴膜制程和撕膜制程完成后的衬底基板(例如玻璃基板)可以再回收利用，从而可以降低损耗。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种触控结构的制备方法，包括：
提供一薄膜基材；
提供一衬底基板，并将所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上；
在所述薄膜基材上形成用于实现触控功能的叠层结构；以及
将其上形成有所述叠层结构的所述薄膜基材从所述衬底基板上移除。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，
在所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上之前，在所述薄膜基材上形成第一导电层以覆盖所述薄膜基材，然后将所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上，或者在所述薄膜基材贴附在所述衬底基板上之后，形成第一导电层以覆盖所述薄膜基材；以及
在所述第一导电层上形成用于实现对位功能的对位标记。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述触控结构划分为触控区域和非触控区域，且形成所述叠层结构包括：
对所述第一导电层执行构图工艺以形成多个电极图案，其中，所述多个电极图案包括设置在所述触控区域中的多个第一触控电极和多个第二触控电极，以及设置在所述非触控区域中的多条第一导电走线，每一所述第一触控电极包括多个第一子电极；
在所述多条第一导电走线上形成多条金属走线，其中，所述多条金属走线每条包括靠近所述触控区域的边缘的搭接电极，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极通过所述搭接电极与所述多条金属走线对应连接。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，形成所述叠层结构还包括：
在所述薄膜基材上形成第一绝缘层；其中，
所述第一绝缘层覆盖所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极，且在第一绝缘层中形成多个过孔以暴露所述多个第一子电极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，形成所述叠层结构还包括：
在所述薄膜基材上通过构图工艺形成第二导电层；其中，
所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及设置在所述非触控区域中的多条第二导电走线，
每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极连接，
所述多条第二导电走线形成在所述多条金属走线上，且覆盖所述多条金属走线。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，形成所述叠层结构还包括：
在形成有所述第二导电层的所述薄膜基材上形成第二绝缘层；其中，
所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材的整个触控区域。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述第一绝缘层还覆盖所述多条金属走线每条中除了邦定区域外的其他部分。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，形成所述叠层结构还包括：
在所述薄膜基材上通过构图工艺形成第二导电层；其中，
所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及设置在所述非触控区域中的多个邦定电极，
每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极连接，
所述多个邦定电极覆盖所述多条金属走线每条中位于所述邦定区域的部分。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，形成所述叠层结构还包括：
在形成有所述第二导电层的所述薄膜基材上形成第二绝缘层；其中，
所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材上除了所述邦定区域外的其他区域。
10.根据权利要求1-9任一所述的制备方法，其中，所述薄膜基材包括环烯烃聚合物薄膜或聚酰亚胺薄膜。
11.根据权利要求2-9任一所述的制备方法，其中，所述第一导电层的材料包括氧化铟锡、氧化锡或氧化铟锌。
12.根据权利要求5、6、8、9任一所述的制备方法，其中，所述第二导电层的材料包括氧化铟锡、氧化锡或氧化铟锌。
13.一种触控结构，划分为触控区域和非触控区域，包括：
薄膜基材；
设置在所述薄膜基材上的第一导电层，其中，所述第一导电层包括设置在所述触控区域中的多个第一触控电极和多个第二触控电极，以及设置在所述非触控区域中的多条第一导电走线，每一所述第一触控电极包括多个第一子电极；
设置在所述第一导电层上用于实现对位功能的对位标记；设置在所述多条第一导电走线上的多条金属走线，其中，所述多条金属走线每条包括靠近所述触控区域的边缘的搭接电极，所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极通过所述搭接电极与所述多条金属走线对应连接。
14.根据权利要求13所述的触控结构，还包括：
覆盖所述多个第一触控电极和所述多个第二触控电极的第一绝缘层；其中，
所述第一绝缘层具有暴露所述多个第一子电极的过孔。
15.根据权利要求14所述的触控结构，还包括：
设置在所述薄膜基材上的第二导电层；其中，
所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及设置在所述多条金属走线上且覆盖所述多条金属走线的多条第二导电走线，
每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极电连接。
16.根据权利要求15所述的触控结构，还包括：
设置在所述第二导电层上的第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材的整个触控区域。
17.根据权利要求14所述的触控结构，其中，所述第一绝缘层还覆盖所述多条金属走线每条中除了邦定区域外的其他部分。
18.根据权利要求17所述的触控结构，还包括：
设置在所述薄膜基材上的第二导电层；其中，
所述第二导电层包括设置在所述触控区域中的多个桥接电极以及覆盖所述多条金属走线每条中位于所述邦定区域的部分的多个邦定电极，
每一所述桥接电极覆盖两个所述过孔，相邻的所述第一子电极之间通过所述桥接电极连接。
19.根据权利要求18所述的触控结构，还包括：
设置在所述第二导电层上的第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层覆盖所述薄膜基材上除了所述邦定区域外的其他区域。
20.一种显示装置，包括权利要求13-19任一所述的触控结构。
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