CN109148350A - 切割带一体型粘接性片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种切割带一体型粘接性片，其适于在为了通过半导体晶圆的单片化得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而使用切割带一体型粘接性片进行的割断用扩展工序中实现粘接性片的良好割断。本发明的切割带一体型粘接性片(X)具备切割带(20)和粘接性片。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带(20)的粘合剂层(22)密合。粘接性片例如为半导体芯片背面保护用的薄膜(10)。粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、‑15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。

Description

切割带一体型粘接性片
技术领域
本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型粘接性片。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，有时会在对作为工件的半导体晶圆贴合与其对应大小的切割带一体型粘接性片的基础上，经过该半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片。作为切割带一体型粘接性片，可列举出切割带一体型背面保护薄膜、所谓的切割芯片接合薄膜等。切割带一体型背面保护薄膜具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的背面保护薄膜，用于得到伴有与半导体芯片背面保护用的芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片。另一方面，切割芯片接合薄膜具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的芯片接合薄膜，用于得到伴有与芯片大小相当的芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片。这些涉及切割带一体型粘接性片的技术记载于例如下述专利文献1～4。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2011-151360号公报
专利文献4：日本特开2016-213244号公报
发明内容
发明要解决的问题
作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知有经历用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展并将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆被加工为例如能够在之后的芯片接合薄膜的割断中被割断并单片化为多个半导体芯片。接着，为了以从切割带上的芯片接合薄膜上产生分别与半导体芯片密合的多个粘接性薄膜小片的方式割断该芯片接合薄膜，将切割芯片接合薄膜的切割带扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜上的半导体晶圆中的与芯片接合薄膜割断部位所对应的部位也产生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上将半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。接着，例如经过清洗工序后，各半导体芯片与在其上密合的相当于芯片大小的粘接薄膜一起从切割带的下侧通过拾取机构的销构件被顶起并从切割带上被拾取。如此，可以得到带有芯片接合薄膜用粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片隔着该粘接薄膜并通过芯片接合而固着于安装基板上。
切割带一体型粘接性片用于上述那样的割断用扩展工序时，对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片要求可在该扩展工序中在割断预定部位被适宜地割断。
本发明是基于以上那样的情况而考虑出的，其目的在于提供一种切割带一体型粘接性片，其适于为了通过半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而在使用切割带一体型粘接性片进行的割断用的扩展工序中实现粘接性片的良好割断。
用于解决问题的方案
根据本发明，可提供切割带一体型粘接性片。该切割带一体型粘接性片具备切割带和粘接性片。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带中的粘合剂层密合。该粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、优选为1.1N以下、更优选为1N以下。与此同时，粘接性片在相同拉伸试验中的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)为1.2％以下、优选为1.1％以下、更优选为1％以下。这种构成的切割带一体型粘接性片可以在半导体装置的制造过程中使用。具体而言，对于本发明的切割带一体型粘接性片，作为粘接性片采用了所谓的背面保护薄膜的构成的切割带一体型背面保护薄膜，可以用于得到伴有半导体芯片背面保护用的与芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片。另外，对于本发明的切割带一体型粘接性片，作为针对粘接性片采用了所谓的芯片接合薄膜的构成的切割芯片接合薄膜，可以用于得到伴有相当于芯片大小的芯片接合用粘接薄膜的半导体芯片。
对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片，如上所述，宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距离16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、优选为1.1N以下、更优选为1N以下。对于这种构成，在半导体装置的制造过程中得到带有粘接性薄膜的半导体芯片并使用该切割带一体型粘接性片实施割断用扩展工序的情况下，在抑制为了割断切割带上的粘接性片而要作用于该粘接性片的割断力方面是适宜的。
对于该切割带一体型粘接性片中的粘接性片，如上所述，宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为1.2％以下、优选为1.1％以下、更优选为1％以下。对于这种构成，在半导体装置的制造过程中得到带有粘接性薄膜的半导体芯片并使用该切割带一体型粘接性片来实施割断用扩展工序的情况下，在抑制使切割带上的粘接性片割断所需的拉伸长度方面是适宜的。
如上所述，对于本发明的切割带一体型粘接性片，在抑制为了割断切割带上的粘接性片而要作用于该粘接性片的割断力方面是适宜地，且适于抑制用于该割断的粘接性片拉伸长度。这样的该切割带一体型粘接性片在用于通过半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片的割断用扩展工序中的情况下，适于实现粘接性片的良好割断。具体而言，如后述实施例和比较例所示。
该切割带一体型粘接性片中的粘接性片优选具有层叠结构，所述层叠结构包含以能剥离的方式与切割带的粘合剂层密合的第1层和该第1层上的第2层。这种构成例如适于单独体现出粘接性片中对切割带粘合剂层侧表面所要求的特性、及对与该表面相对的工件贴附用表面所要求的特性。另外，从兼顾对粘接性片中的第1层和第2层所要求的功能这样的观点出发，第1层的厚度相对于第2层的厚度的比值优选为0.2～4、更优选为0.2～1.5、更优选为0.3～1.3、更优选为0.6～1.1。
该切割带一体型粘接性片中的粘接性片为背面保护薄膜时，优选上述第1层具有热固性且上述第2层显示出热塑性。对于本发明中第1层具有热固性这样的构成，在对背面保护薄膜的第1层表面实施通过激光标记进行的刻印后经过所谓的回流工序等高温过程的情况下，适于确保刻印信息的辨识性。另外，对于本发明中第1层具有热固性而第2层显示出热塑性这样的构成，与背面保护薄膜例如由单一的热固性层构成这样的构成相比，适于在上述割断用扩展工序中实现背面保护薄膜的良好割断。即，背面保护薄膜中第1层具有热固性且第2层显示出热塑性这样的上述构成在兼顾背面保护薄膜中刻印信息的辨识性的确保和良好割断性的实现方面是适宜的。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的切割带一体型粘接性片的截面示意图。
图2表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图3表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图4表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图5表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图6表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图7表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图8表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图9表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图10表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图11表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。
附图标记说明
X 切割带一体型粘接性片
10，10’ 薄膜(粘接性片)
20 切割带
21 基材
22 粘合剂层
W，30A，30B 半导体晶圆
30C 半导体晶圆分割体
30a 改性区域
30b 分割槽
31 半导体芯片
具体实施方式
图1是本发明的一个实施方式的切割带一体型粘接性片X的截面示意图。切割带一体型粘接性片X可用于半导体装置的制造过程中，具有包含作为粘接性片的薄膜10和切割带20的层叠结构。本实施方式中，薄膜10是贴合于作为工件的半导体晶圆等的电路非形成面即背面的背面保护薄膜。切割带20具有包含基材21和粘合剂层22的层叠结构。粘合剂层22在薄膜10侧具有粘合面22a。相对于粘合剂层22或其粘合面22a以能剥离的方式与薄膜10密合。另外，切割带一体型粘接性片X具有与作为工件的半导体晶圆等对应大小的圆盘形状。对于这样的切割带一体型粘接性片X，具体而言，作为切割带一体型背面保护薄膜，能够在用于得到伴有半导体芯片背面保护用的与芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片的、例如后述那样的扩展工序中使用。
作为背面保护薄膜的薄膜10具有包含激光标记层11(第1层)和晶圆固定层12(第2层)的层叠结构。激光标记层11在薄膜10中位于切割带20侧，与切割带20密合。在半导体装置的制造过程中对激光标记层11中的切割带20侧的表面实施激光标记。另外，本实施方式中，激光标记层11含有热固性成分且处于已经热固化的状态。晶圆固定层12在薄膜10中位于贴合半导体晶圆等工件的一侧，本实施方式中处于未固化的状态且显示出热塑性。
对于薄膜10中的激光标记层11，作为树脂成分可以具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成，也可以具有包含伴有能够与固化剂反应而产生键合的热固性官能团的热塑性树脂的组成。
作为激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂，例如可列举出：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂。激光标记层11可以含有一种热固性树脂，还可以含有两种以上的热固性树脂。从源自薄膜10的、会成为如后述那样形成的背面保护膜所保护对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向出发，环氧树脂优选作为薄膜10的激光标记层11中的热固性树脂。另外，作为用于使环氧树脂显示出热固性的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，例如可列举出：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂等双官能环氧树脂、多官能环氧树脂。作为环氧树脂，还可列举出：乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂和缩水甘油胺型环氧树脂。另外，激光标记层11可以含有一种环氧树脂，还可以含有两种以上的环氧树脂。
酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂发挥作用，作为这样的酚醛树脂，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂。另外，作为该酚醛树脂，还可列举出：甲阶酚醛型酚醛树脂和、聚对羟基苯乙烯等聚苯乙烯。作为激光标记层11中的酚醛树脂，特别优选的是：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。另外，激光标记层11作为环氧树脂的固化剂，可以含有一种酚醛树脂，还可以含有两种以上的酚醛树脂。
激光标记层11含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂时，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这种构成在激光标记层11固化时能够使该环氧树脂和酚醛树脂的固化反应充分地进行的方面优选。
从使激光标记层11适宜地固化这样的观点出发，激光标记层11中的热固性树脂的含有比例优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
激光标记层11中的热塑性树脂例如担负粘结剂功能，作为激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如可列举出：丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。激光标记层11可以含有一种热塑性树脂，还可以含有两种以上的热塑性树脂。从离子性杂质少且耐热性高的方面考虑，作为激光标记层11中的热塑性树脂，优选丙烯酸类树脂。
激光标记层11含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
作为用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸的甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、叔丁酯、仲丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯和二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸的环戊酯和环己酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯。作为丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，还可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，丙烯酸类树脂可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可列举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。
对于丙烯酸类树脂，例如为了其内聚力、耐热性的改性，还可以将能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其它单体作为构成单体。作为这样的单体，例如可列举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺和丙烯腈。作为含羧基单体，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸。作为酸酐单体，例如可列举出：马来酸酐和衣康酸酐。作为含羟基单体，例如可列举出：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含环氧基单体，例如可列举出：(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如可列举出：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如可列举出：2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。
激光标记层11中所含的丙烯酸类树脂优选为适宜地选自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸缩水甘油酯中的单体的共聚物。这种构成在作为背面保护薄膜的薄膜10中兼顾通过激光标记进行的刻印信息的辨识性和在割断用扩展工序中的后述的良好割断性方面优选。
激光标记层11具有包含伴有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如作为激光标记层11中所含有的丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用与上述同样的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可列举出：缩水甘油基、羧基、羟基和异氰酸酯基。其中，可以适宜地使用缩水甘油基和羧基。即，作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂，可以适宜地使用含缩水甘油基丙烯酸类树脂、含羧基丙烯酸类树脂。另外，根据含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团的种类来选择能与其发生反应的固化剂。在含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂，可以使用作为环氧树脂用固化剂的与上述同样的酚醛树脂。
用于形成激光标记层11的组合物优选含有热固化催化剂。在激光标记层11的固化时使树脂成分的固化反应充分地进行或提高固化反应速度的方面，优选向激光标记层形成用组合物中配混热固化催化剂。作为这样的热固化催化剂，例如可列举出：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物和三卤代硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如可列举出：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十五烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑和2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如可列举出：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻和苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物中还包括同时具有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出：四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻四对甲苯基硼酸酯、苄基三苯基鏻四苯基硼酸酯和三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如可列举出：单乙醇胺三氟硼酸盐和双氰胺。作为三卤代硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷。激光标记层形成用组合物可以含有一种热固化催化剂，还可以含有两种以上的热固化催化剂。
激光标记层11还可以含有填料。向激光标记层11中配混填料从调整激光标记层11的弹性模量、屈服强度、断裂伸长率等物性方面来看优选。作为填料，可列举出：无机填料和有机填料。作为无机填料的构成材料，例如可列举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、晶体二氧化硅和非晶质二氧化硅。作为无机填料的构成材料，还可列举出：铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、无定形碳、石墨等。作为有机填料的构成材料，例如可列举出：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺和聚酯酰亚胺。激光标记层11可以含有一种填料，还可以含有两种以上的填料。该填料还可以具有球状、针状、片状等各种形状。激光标记层11含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.05～1μm。该填料的平均粒径为10μm以下的这样的构成在激光标记层11中得到充分的填料添加效果且确保耐热性方面是适宜的。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布仪(商品名“LA-910”，株式会社堀场制作所制)求出。另外，激光标记层11含有填料时的该填料的含量优选为10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。同含量优选为50质量％以下、更优选为47质量％以下、更优选为45质量％以下。
激光标记层11在本实施方式中含有着色剂。着色剂可以是颜料、还可以是染料。作为着色剂，例如可列举出：黑色系着色剂、青色系着色剂、品红系着色剂和黄色系着色剂。在针对通过激光标记而刻印在激光标记层11的信息实现高辨识性方面，激光标记层11优选含有黑色系着色剂。作为黑色系着色剂，例如可列举出：炭黑、石墨(黑铅)、氧化铜、二氧化锰、偶氮甲碱偶氮黑等偶氮系颜料、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色染料和偶氮系有机黑色染料。作为炭黑，例如可列举出：炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂法炭黑和灯黑。作为黑色系着色剂，还可列举出：C.I.溶剂黑3、同7、同22、同27、同29、同34、同43和同70。作为黑色系着色剂，还可列举出：C.I.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51和同71。作为黑色系着色剂，还可列举出：C.I.酸性黑1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119和同154。作为黑色系着色剂，还可列举出：C.I.分散黑1、同3、同10和同24。作为黑色系着色剂，还可列举出：C.I.颜料黑1和同7。激光标记层11可以含有一种着色剂，还可以含有两种以上的着色剂。另外，激光标记层11中的着色剂的含量优选为0.5重量％以上、更优选为1重量％以上、更优选为2重量％以上。同含量优选为10重量％以下、更优选为8重量％以下、更优选为5重量％以下。有关着色剂含量的这些构成，在针对利用激光标记而刻印在激光标记层11的信息实现高辨识性的方面是优选的。
激光标记层11根据需要还可以含有一种或两种以上的其它成分。作为该其它成分，例如可列举出：阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕捉剂。作为阻燃剂，例如可列举出：三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如可列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕捉剂，例如可列举出：水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 600”)和硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 700”)。在与金属离子之间能形成络合物的化合物也可用作离子捕捉剂。作为这样的化合物，例如可列举出：***系化合物、四唑系化合物和联吡啶系化合物。其中，从在与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选***系化合物。作为这样的***系化合物，例如可列举出：1,2,3-苯并***、1-{N,N-双(2-乙基己酯)氨基甲基}苯并***、羧基苯并***、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二-叔丁基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二-叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并***、6-(2-苯并***基)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并***、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并***、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并***、2,4-二-叔戊基-6-{(H-苯并***-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并***、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并***-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并***、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二-叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二-叔丁基苯基)-5-氯苯并***、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并***-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、和甲基-3-[3-(2H-苯并***-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，醌醇化合物、羟基蒽醌化合物、多元酚化合物等规定的含羟基化合物也可用作离子捕捉剂。作为这样的含羟基化合物，具体而言可列举出：1,2-苯二酚、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯和连苯三酚。
薄膜10中的晶圆固定层12可以具有包含热固性树脂和热塑性树脂作为树脂成分的组成，还可以具有包含伴有能够与固化剂反应而产生键合的热固性官能团的热塑性树脂的组成。
作为晶圆固定层12具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂，例如可列举出：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂。晶圆固定层12可以含有一种热固性树脂，还可以含有两种以上的热固性树脂。从源自薄膜10的、成为如后述那样形成的背面保护膜所保护的保护对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向出发，环氧树脂优选作为薄膜10的晶圆固定层12中的热固性树脂。
作为晶圆固定层12中的环氧树脂，例如可列举出作为激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂的环氧树脂的上述物质。苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四苯基乙烷型环氧树脂从富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性优异的方面考虑，优选作为晶圆固定层12中的环氧树脂。
作为可作为晶圆固定层12中的环氧树脂的固化剂发挥作用的酚醛树脂，例如可列举出作为激光标记层11中的环氧树脂的固化剂的酚醛树脂的上述物质。对于晶圆固定层12，作为环氧树脂的固化剂，可以含有一种酚醛树脂，还可以含有两种以上的酚醛树脂。
晶圆固定层12含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂时，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这种构成在使晶圆固定层12固化时，使该环氧树脂和酚醛树脂的固化反应充分进行方面优选。
从使晶圆固定层12适宜地固化这样的观点出发，晶圆固定层12中的热固性树脂的含有比例优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
晶圆固定层12中的热塑性树脂例如担负粘结剂功能。作为晶圆固定层12具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如可列举出作为激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的热塑性树脂的上述物质。晶圆固定层12可以含有一种热塑性树脂，还可以含有两种以上的热塑性树脂。从离子性杂质少且耐热性高的方面考虑作为晶圆固定层12中的热塑性树脂，优选丙烯酸类树脂。
晶圆固定层12含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为用于形成这样的丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用作为激光标记层11含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂的构成单体的上述(甲基)丙烯酸酯。作为晶圆固定层12中的丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，还可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，例如为了其内聚力、耐热性的改性，该丙烯酸类树脂还可以将能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其它单体作为构成单体。作为这样的单体，例如可以使用作为能与用于形成激光标记层11中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的上述物质。
晶圆固定层12中所含的丙烯酸类树脂优选为适宜地选自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸缩水甘油酯中的单体的共聚物。这种构成在作为背面保护薄膜的薄膜10中兼顾相对于工件的粘接性及在割断用扩展工序中的后述良好割断性的方面优选。
晶圆固定层12具有包含伴有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与作为激光标记层11中所含有的丙烯酸类树脂的构成单体的上述物质同样的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可列举出：缩水甘油基、羧基、羟基和异氰酸酯基。其中，可以适宜地使用缩水甘油基和羧基。另外，根据含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团的种类来选择能与其发生反应的固化剂。含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂，可以使用与作为环氧树脂用固化剂的上述物质同样的酚醛树脂。
用于形成晶圆固定层12的组合物优选不含有热固化催化剂。在用于形成晶圆固定层12的组合物中配混热固化催化剂时，作为该热固化催化剂，例如可以使用作为可在激光标记层形成用组合物中配混的热固化催化剂的上述物质。
晶圆固定层12可以含有填料。从调整晶圆固定层12的弹性模量、屈服强度、断裂伸长率等物性方面，优选向晶圆固定层12中配混填料。作为晶圆固定层12中的填料，例如可列举出作为激光标记层11中的填料的上述物质。晶圆固定层12可以含有一种填料，还可以含有两种以上的填料。该填料还可以具有球状、针状、鳞片状等各种形状。晶圆固定层12含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.05～1μm。对于该填料的平均粒径为10μm以下这样的构成，在晶圆固定层12得到充分的填料添加效果且确保耐热性的方面是适宜的。另外，晶圆固定层12含有填料时的该填料的含量优选为10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。同含量优选为50质量％以下、更优选为47质量％以下、更优选为45质量％以下。
晶圆固定层12还可以含有着色剂。作为晶圆固定层12中的着色剂，例如，可列举出作为激光标记层11中的着色剂的上述物质。在确保薄膜10中的激光标记层11侧的利用激光标记进行的刻印部位和除此以外的部位之间的良好的对比度并可实现该刻印信息的高辨识性的方面，晶圆固定层12优选含有黑色系着色剂。晶圆固定层12可以含有一种着色剂，还可以含有两种以上的着色剂。另外，晶圆固定层12中的着色剂的含量优选为0.5重量％以上、更优选为1重量％以上、更优选为2重量％以上。同含量优选为10重量％以下、更优选为8重量％以下、更优选为5重量％以下。有关着色剂含量的这些构成在对于通过激光标记进行的刻印信息实现上述良好的辨识性方面是优选的。
晶圆固定层12根据需要还可以含有一种或两种以上的其它成分。作为该其它成分，例如可列举出涉及激光标记层11的上述具体的阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕捉剂。
具有包含激光标记层11和晶圆固定层12的层叠结构的薄膜10的厚度优选为8μm以上、更优选为10μm以上、且优选为20μm以下、更优选为15μm以下。此外，激光标记层11(第1层)的厚度相对于晶圆固定层12(第2层)的厚度的比值优选为0.2～4、更优选为0.2～1.5、更优选为0.3～1.3、更优选为0.6～1.1。
对于以上那样的薄膜10(作为背面保护薄膜的粘接性的片)，宽度2mm的薄膜试验片(粘接性片试验片)在初始卡盘间距16mm、-15℃和在载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、优选为1.1N以下、更优选为1N以下。与此同时，薄膜10在相同拉伸试验中的断裂伸长率(断裂时的拉伸部分的长度相对于拉伸前的长度的比例)为1.2％以下、优选为1.1％以下、更优选为1％以下。对于这些断裂强度和断裂伸长率，可以在使用TMA试验机(商品名“TMA Q400”，TA INSTRUMENT Co.,Ltd.制)进行的拉伸试验中测定。该测定中，从薄膜10上切出并设置于使用试验机的试验片在-15℃下经过5分钟的保持后，将该试验机的工作模式设为拉伸模式，如上所述在初始卡盘间距离16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行拉伸试验。薄膜10的断裂强度的调整和断裂伸长率的调整可以通过薄膜10内的各层中所含的丙烯酸类树脂等热塑性树脂的构成单体组成的调整、薄膜10内的各层的厚度的调整等来进行。
切割带一体型粘接性片X中的切割带20的基材21是在切割带20或切割带一体型粘接性片X中作为支撑体发挥作用的要素。基材21例如为塑料基材，作为该塑料基材可以适宜地使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如可列举出：聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、芳族聚酰胺、氟树脂、纤维素系树脂和有机硅树脂。作为聚烯烃，例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物和乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材21可以由一种材料构成，也可以由两种以上的材料构成。基材21可以具有单层结构，还可以具有多层结构。基材21上的粘合剂层22如下所述为紫外线固化性时，基材21优选具有紫外线透过性。基材21由塑料薄膜构成时，可以为无拉伸薄膜、可以为单向拉伸薄膜、还可以为双向拉伸薄膜。本实施方式中优选基材21为聚氯乙烯制基材或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物制基材。
在使用切割带一体型粘接性片X时，在例如通过局部加热而使切割带20或基材21收缩的情况下，基材21优选具有热收缩性。另外，基材21由塑料薄膜构成时，在对于切割带20或基材21实现各向同性的热收缩性方面，基材21优选为双向拉伸薄膜。切割带20或基材21在加热温度100℃和加热处理时间60秒的条件下进行的通过加热处理试验的热收缩率优选为2～30％、更优选为2～25％、更优选为3～20％、更优选为5～20％。该热收缩率是指所谓的MD方向的热收缩率和所谓的TD方向的热收缩率中至少一者的热收缩率。
对基材21中的粘合剂层22侧的表面可以实施用于提高与粘合剂层22的密合性的物理处理、化学处理或底涂处理。作为物理处理，例如可列举出：电晕处理、等离子体处理、喷砂处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理和离子化辐射线处理。作为化学性处理，例如可列举出铬酸处理。
从确保基材21用于发挥作为切割带20乃至切割带一体型粘接性片X中的支撑体的功能的强度这样的观点出发，基材21的厚度优选为40μm以上、更优选为50μm以上、更优选为60μm以上。另外，从切割带20或切割带一体型粘接性片X中实现适度的挠性这样的观点出发，基材21的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割带20的粘合剂层22含有粘合剂。该粘合剂可以是在使用切割带一体型粘接性片X的过程中能够通过来自外部作用而有意识地使粘合力降低的粘合剂(粘合力可降低型粘合剂)，也可以是在使用切割带一体型粘接性片X的过程中来自外部的作用使粘合力几乎或完全不降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)。对于使用粘合力可降低型粘合剂或者使用粘合力非降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂的情况，可以根据使用切割带一体型粘接性片X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等、切割带一体型粘接性片X的使用方式来进行适宜选择。
使用粘合力可降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂时，在使用切割带一体型粘接性片X的过程中，可以有区分地使用粘合剂层22显示出相对高的粘合力的状态和显示出相对低粘合力的状态。例如，在后述扩展工序中使用切割带一体型粘接性片X时，为了抑制·防止薄膜10自粘合剂层22上的浮起、剥离而利用粘合剂层22的高粘合力状态，另一方面，其后为了从切割带一体型粘接性片X的切割带20上拾取带有薄膜的半导体芯片的后述拾取工序中，为了容易从粘合剂层22上拾取带有薄膜的半导体芯片而可以利用粘合剂层22的低粘合力状态。
作为这样的粘合力可降低型粘合剂，例如可列举出：在使用切割带一体型粘接性片X的过程中能通过辐射线照射而固化的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力可降低型粘合剂、还可以使用两种以上的粘合力可降低型粘合剂。另外，可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，还可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22的一部分。例如，粘合剂层22具有单层结构时，可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，还可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22中的规定部位(例如，作为工件的贴附对象区域的中央区域)、由粘合力非降低型粘合剂形成其它部位(例如，作为环框的贴附对象区域的、位于中央区域的外侧的区域)。另外，粘合剂层22具有多层结构时，可以由粘合力可降低型粘合剂形成多层结构的所有层，还可以由粘合力可降低型粘合剂形成多层结构中的一部分层。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如可列举出通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线的照射进行固化的类型的粘合剂，可以特别适宜地使用通过紫外线照射进行固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如可列举出含有作为丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物；及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的添加型的辐射线固化性粘合剂。
上述丙烯酸类聚合物优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。对于用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯，更具体而言，可列举出与涉及薄膜10的激光标记层11中的丙烯酸类树脂的上述物质同样的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，还可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，优选列举出丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸月桂酯。另外，在利用粘合剂层22适宜地显示出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸类聚合物的全部构成单体中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
例如为了其内聚力、耐热性的改性，丙烯酸类聚合物还可以包含源自能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其它单体的单体单元。作为这样的单体，例如可列举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺和丙烯腈，更具体而言，可列举出作为能与用于形成薄膜10的激光标记层11中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的上述物质。
对于丙烯酸类聚合物，为了在其聚合物骨架中形成交联结构，还可以包含源自能与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如可列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，还可以使用两种以上的多官能性单体。在利用粘合剂层22适宜地显示出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
丙烯酸类聚合物可以通过将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可列举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。从使用切割带20或切割带一体型粘接性片X的半导体装置制造方法中的高度的清洁性的观点出发，切割带20或切割带一体型粘接性片X中的粘合剂层22中的低分子量物质优选少，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
为了提高丙烯酸类聚合物等基础聚合物的数均分子量，粘合剂层22或用于形成其的粘合剂例如还可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸类聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的外部交联剂，可列举出：多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮杂环丙烷化合物和三聚氰胺系交联剂。粘合剂层22或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份，优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如可列举出：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如，可以举出聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右的物质是适当的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量可在能适宜降低所形成的粘合剂层22的粘合力的范围内确定，相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，优选为5～500质量份、更优选为40～150质量份。另外，作为添加型辐射线固化性粘合剂，例如还可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的粘合剂。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如还可列举出含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型辐射线固化性粘合剂。这样的内在型辐射线固化性粘合剂在抑制由所形成的粘合剂层22内的低分子量成分的移动引起的粘合特性的非刻意性经时变化方面是适宜的。
作为内在型辐射线固化性粘合剂中所含有的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸类聚合物，可以采用上述丙烯酸类聚合物。作为向丙烯酸类聚合物中导入辐射线聚合性的碳-碳双键的方法，例如可列举出如下方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸类聚合物后，使具有能够与第1官能团之间发生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物以维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态与丙烯酸类聚合物发生缩合反应或加成反应。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如可列举出：羧基和环氧基、环氧基和羧基、羧基和氮丙啶基、氮丙啶基和羧基、羟基和异氰酸酯基、异氰酸酯基和羟基。这些组合中，从反应追踪容易度的观点出发，优选羟基和异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基和羟基的组合。另外，由于制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物技术难度较高，因此，从制作或获得丙烯酸类聚合物的容易度的观点出发，更优选丙烯酸类聚合物侧的上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况。此时，作为兼具辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即辐射线聚合性的含有不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦和酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如可列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如可列举出：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1。作为苯偶姻醚系化合物，例如可列举出：苯偶姻***、苯偶姻异丙醚和茴香偶姻甲醚。作为缩酮系化合物，例如可列举出：苄基二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可列举出：2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如可列举出：1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如可列举出：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸和3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如可列举出：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二异丙基噻吨酮。相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，粘合剂层22中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量例如为0.05～20质量份。
用于粘合剂层22的上述加热发泡型粘合剂是含有通过加热而发泡、膨胀的成分(发泡剂、热膨胀性微球等)的粘合剂。作为发泡剂，可列举出各种无机系发泡剂和有机系发泡剂。作为热膨胀性微球，例如可列举出在壳内封入有通过加热而容易地气体化并膨胀的物质的构成的微球。作为无机系发泡剂，例如可列举出：碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠和叠氮类。作为有机系发泡剂，例如可列举出：三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟化烷烃、偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物、对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧代双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰基酰肼)等肼系化合物、对甲苯磺酰基氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物、5-吗啉基-1,2,3,4-噻***等***系化合物、以及N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。作为用于形成上述那样的热膨胀性微球的、通过加热而容易气体化并膨胀的物质，例如可列举出：异丁烷、丙烷和戊烷。通过利用凝聚法、界面聚合法等将通过加热而容易气体化并膨胀的物质封入壳形成物质内，从而能够制作热膨胀性微球。作为壳形成物质，可以使用显示出热熔融性的物质、能通过封入物质的热膨胀的作用而破裂的物质。作为这样的物质，例如可列举出：偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯和聚砜。
作为上述粘合力非降低型粘合剂，例如，关于粘合力可降低型粘合剂可列举出预先对上述辐射线固化性粘合剂进行辐射线照射而使其固化的形态的粘合剂、所谓的压敏型粘合剂等。辐射线固化性粘合剂根据其含有聚合物成分的种类和含量不同，即使在经辐射线固化而使粘合力降低的情况下也能显示出起因于该聚合物成分的粘合性，能够以规定的使用方式发挥对于粘合保持被粘物可利用的粘合力。本实施方式的粘合剂层22中可以使用一种粘合力非降低型粘合剂，还可以使用两种以上的粘合力非降低型粘合剂。另外，可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，还可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22的一部分。例如，粘合剂层22具有单层结构时，可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，如上所述，还可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22中的规定部位(例如，作为环框的贴附对象区域的、位于晶圆的贴附对象区域的外侧的区域)、由粘合力可降低型粘合剂形成其它部位(例如，作为晶圆的贴附对象区域的中央区域)。另外，粘合剂层22具有多层结构时，可以由粘合力非降低型粘合剂形成构成多层结构的所有层，还可以由粘合力非降低型粘合剂形成多层结构中的一部分层。
另一方面，作为用于粘合剂层22的压敏型粘合剂，例如可以使用以丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层22含有丙烯酸类粘合剂作为压敏型粘合剂时，作为该丙烯酸类粘合剂的基础聚合物的丙烯酸类聚合物，优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为这样的丙烯酸类聚合物，例如可以举出涉及辐射线固化性粘合剂的上述丙烯酸类聚合物。
粘合剂层22或用于形成其的粘合剂除了上述各成分之外还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、染料等着色剂等。着色剂还可以是受到辐射线照射而进行着色的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出隐色染料。
粘合剂层22的厚度优选为2～20μm、更优选为3～17μm、更优选为5～15μm。这种构成例如在粘合剂层22包含辐射线固化性粘合剂时获得使该粘合剂层22于辐射线固化前后对薄膜10的粘接力平衡的方面是适宜的。
具有以上那样的构成的切割带一体型粘接性片X例如可以以如下方式制造。
对于切割带一体型粘接性片X中的薄膜10的制作，首先，单独制作形成激光标记层11的树脂薄膜(第1树脂薄膜)、及形成晶圆固定层12的树脂薄膜(第2树脂薄膜)。第1树脂薄膜可以通过如下方式制作：将激光标记层形成用的树脂组合物涂布于规定的隔离膜上并形成树脂组合物层后，通过对该组合物层进行加热并使其干燥和固化，从而制作。作为隔离膜，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及氟系剥离剂、利用长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为树脂组合物的涂布方法，例如可列举出：辊涂覆、丝网涂覆和凹版涂覆。在制作第1树脂薄膜时，加热温度例如为90～160℃，加热时间例如为2～4分钟。另一方面，第2树脂薄膜可以通过如下方式制作：将晶圆固定层形成用的树脂组合物涂布于规定的隔离膜上并形成树脂组合物层后，通过对该组合物层进行加热并使其干燥，从而制作。在制作第2树脂薄膜时，加热温度例如为90～150℃，加热时间例如为1～2分钟。如此，能够以分别伴有隔离膜的形态制作上述第1和第2树脂薄膜。然后，使这些第1和第2树脂薄膜的露出面彼此贴合。由此制作具有激光标记层11和晶圆固定层12的层叠结构的上述薄膜10。
对于切割带一体型粘接性片X的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以利用压延制膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。对于制膜后的薄膜或基材21，可根据需要实施规定的表面处理。对于粘合剂层22的形成，例如，在制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先，将该组合物涂布于基材21上或规定的隔离膜上并形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如可列举出：辊涂、丝网涂覆和凹版涂覆。接着，对于粘合剂组合物层，通过加热并根据需要使其干燥，另外，根据需要引发交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。在隔离膜上形成粘合剂层22的情况下，将伴有该隔离膜的粘合剂层22贴合于基材21上，然后剥离隔离膜。由此，制作具有基材21和粘合剂层22的层叠结构的上述切割带20。
对于切割带一体型粘接性片X的制作，接着，将薄膜10的激光标记层11侧贴合于切割带20的粘合剂层22侧。贴合温度例如为30～50℃，贴合压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm。在粘合剂层22包含上述那样的辐射线固化性粘合剂时，可以在该贴合之前对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，还可以在贴合之后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者，还可以在切割带一体型粘接性片X的制造过程中进行这样的辐射线照射(该情况下，可以在切割带一体型粘接性片X的使用过程中使粘合剂层22辐射线固化)。粘合剂层22为紫外线固化型时，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mJ/cm2。切割带一体型粘接性片X中可进行作为粘合剂层22的粘合力降低措置的照射的区域(照射区域R)例如如图1所示是粘合剂层22中的薄膜10贴合区域内的除了其周缘部以外的区域。
由此，能够制作切割带一体型粘接性片X。对于切割带一体型粘接性片X，还可以在薄膜10侧以至少覆盖薄膜10的形态设置隔离膜(省略图示)。与切割带20的粘合剂层22相比薄膜10为小尺寸、且在粘合剂层22中具有未贴合薄膜10的区域时，例如还可以以至少覆盖薄膜10和粘合剂层22的形态设置隔离膜。隔离膜是为了保护以使薄膜10、粘合剂层22不露出的要素，在使用切割带一体型粘接性片X时从该薄膜上被剥离。
图2至图7表示使用上述切割带一体型粘接性片X的半导体装置制造方法的一个例子。
对于该半导体装置制造方法，首先，如图2的(a)和图2的(b)所示，在半导体晶圆W上形成改性区域30a。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。已经在半导体晶圆W中的第1面Wa侧安装有各种半导体元件(省略图示)、且已经在第1面Wa上形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。该工序中，将具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1贴合于半导体晶圆W的第1面Wa侧后，在晶圆加工用带T1上保持有半导体晶圆W的状态下，对半导体晶圆W，从与晶圆加工用带T1的相反侧沿着其分割预定线照射聚焦点对准晶圆内部的激光，起因于由多光子吸收导致的烧蚀而在半导体晶圆W内形成改性区域30a。改性区域30a是用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。对于在半导体晶圆中通过激光照射在分割预定线上形成改性区域30a的方法，例如在日本特开2002-192370号公报进行了详述，本实施方式中的激光照射条件例如在以下条件的范围内适宜地调整。
〔激光照射条件〕
(A)激光
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下
接着，在晶圆加工用带T1上保持有半导体晶圆W的状态下通过从第2面Wb上的磨削加工对半导体晶圆W进行薄化直至为规定的厚度为止，由此，如图2的(c)所示，形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A(晶圆薄化工序)。半导体晶圆30A中，改性区域30a在第2面Wb侧露出。
接着，如图3的(a)所示，相对于切割带一体型粘接性片X的薄膜10或其晶圆固定层12贴合保持于晶圆加工用带T1的半导体晶圆30A。然后，如图3的(b)所示，从半导体晶圆30A上剥离晶圆加工用带T1。
然后，例如针对切割带一体型粘接性片X中的薄膜10的激光标记层11，从切割带20的基材21侧照射激光来进行激光标记(激光标记工序)。通过该激光标记，可对之后被单片化为半导体芯片的每个半导体元件赋予文字信息、图形信息等各种信息。该工序中，在一个激光标记工艺中，可以对半导体晶圆30A内的多个半导体元件一起有效地进行激光标记。作为该工序中使用的激光，例如可列举出气体激光和固体激光。作为气体激光，例如可列举出：二氧化碳气体激光(CO2激光)和准分子激光。作为固体激光，例如可列举出Nd：YAG激光。
切割带一体型粘接性片X中的粘合剂层22为辐射线固化性粘合剂层时，还可以代替在切割带一体型粘接性片X的制造过程中的上述辐射线照射，而在半导体晶圆30A贴合至薄膜10之后，从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2。切割带一体型粘接性片X中可进行作为粘合剂层22的粘合力降低措置的照射的区域(图1所示的照射区域R)例如是粘合剂层22中的薄膜10贴合区域内的除周缘部以外的区域。
接着，在切割带一体型粘接性片X中的粘合剂层22上粘贴环框41后，如图4的(a)所示，伴有半导体晶圆30A的该切割带一体型粘接性片X固定于扩展装置的保持件42。
接着，相对低温的条件下的第1扩展工序(冷扩展工序)如图4的(b)所示那样进行，在半导体晶圆30A被单片化为多个半导体芯片31的同时，切割带一体型粘接性片X的薄膜10被割断成小片的薄膜10’，从而得到带有薄膜的半导体芯片31。该工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割带一体型粘接性片X的图下侧抵接于切割带20而上升，对贴合有半导体晶圆30A的切割带一体型粘接性片X的切割带20以在包括径向和周向的二维方向上进行拉伸的方式进行扩展。对于切割带20，例如在产生1～100MPa的拉伸应力的条件下进行该扩展。该工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。该工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，该工序中的扩展量(顶起构件43上升的距离)例如为50～200mm。通过这样的冷扩展工序，将切割带一体型粘接性片X的薄膜10割断成小片的薄膜10’而可以得到带有薄膜的半导体芯片31。具体而言，该工序中，在半导体晶圆30A中脆弱的改性区域30a形成裂纹而产生向半导体芯片31的单片化。与此同时，该工序中，与所要扩展的切割带20的粘合剂层22密合的薄膜10中，在半导体晶圆30A的各半导体芯片31所密合的各区域抑制变形，另一方面，针对与晶圆的裂纹形成部位相对的部位，在不产生这样的变形抑制作用的状态下、在切割带20产生的拉伸应力发挥作用。其结果，薄膜10中与半导体芯片31之间的裂纹形成部位相对的部位被割断。该工序之后，如图4的(c)所示，使顶起构件43下降而解除切割带20中的扩展状态。
接着，相对高温的条件下的第2扩展工序如图5的(a)所示那样进行，使带有薄膜的半导体芯片31之间的距离(分离距离)扩大。该工序中，使扩展所具备装置的中空圆柱形状的顶起构件43再次上升，使切割带一体型粘接性片X的切割带20扩展。第2扩展工序中的温度条件例如为10℃以上、优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。通过后述拾取工序，以能从切割带20上适宜拾取带有薄膜的半导体芯片31的程度、在该工序中使带有薄膜的半导体芯片31的分离距离扩大。该工序之后，如图5的(b)所示，使顶起构件43下降而可解除切割带20中的扩展状态。从在扩展状态解除后抑制切割带20上的带有薄膜的半导体芯片31的分离距离变窄的方面出发，优选的是，在解除扩展状态之前，对与切割带20中的半导体芯片31保持区域相比靠近外侧的部分进行加热而使其收缩。
接着，根据需要经过使用水等清洗液对伴有带有薄膜的半导体芯片31的切割带20中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序，然后如图6所示，从切割带20上拾取带有薄膜的半导体芯片31(拾取工序)。例如，在切割带20的图中下侧使拾取机构的销构件44上升并隔着切割带20顶起作为拾取对象的带有薄膜的半导体芯片31，然后通过吸附夹具45进行吸附保持。拾取工序中，销构件44的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件44的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图7所示，相对于安装基板51对带有薄膜的半导体芯片31进行倒装芯片安装。作为安装基板51，例如可列举出：引线框、带式自动结合(TAB：Tape AutomatedBonding)薄膜和布线基板。借助凸块52使半导体芯片31与安装基板51电连接。具体而言，借助凸块52使半导体芯片31在其电路形成面侧具有的电极极板(省略图示)与安装基板51具有的端子部(省略图示)电连接。凸块52例如为焊接凸块。在半导体芯片31和安装基板51之间夹设有热固化的填充剂53。例如，可通过安装基板51在其上伴有带有薄膜的半导体芯片31的状态下经过所谓的回流工序，来实现该半导体芯片31相对于安装基板51的倒装安装。
如此，能够制造在半导体芯片31的背面设置有作为保护膜的薄膜10’的半导体装置。
对于该半导体装置制造方法，还可以代替半导体晶圆30A贴合于切割带一体型粘接性片X上这样的上述构成，将以如下方式制作的半导体晶圆30B贴合于切割带一体型粘接性片X上。
对于半导体晶圆30B的制作，首先，如图8的(a)和图8的(b)所示，在半导体晶圆W上形成分割槽30b(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。已经在半导体晶圆W中的第1面Wa侧安装有各种半导体元件(省略图示)、且已经在第1面Wa上形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。该工序中，具有粘合面T2a的晶圆加工用带T2被贴合于半导体晶圆W的第2面Wb侧后，在晶圆加工用带T2保持有半导体晶圆W的状态下，使用切割装置等旋转刀具在半导体晶圆W的第1面Wa侧形成规定深度的分割槽30b。分割槽30b是用于将半导体晶圆W分离成半导体芯片单位的空隙(图8和图9中，示意性地用粗线表示分割槽30b)。
接着，如图8的(c)所示，进行：具有粘合面T3a的晶圆加工用带T3向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合；及晶圆加工用带T2从半导体晶圆W上的剥离。
接着，如图8的(d)所示，在晶圆加工用带T3上保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第2面Wb上的磨削加工使半导体晶圆W薄化至规定的厚度(晶圆薄化工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置来进行。通过该晶圆薄化工序，本实施方式中，可形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30B。对于半导体晶圆30B，具体而言，在该晶圆中具有在第2面Wb侧将成为单片化为多个半导体芯片31的部位的部位连接的(连接部)。半导体晶圆30B中的连接部的厚度、即半导体晶圆30B的第2面Wb与分割槽30b的第2面Wb侧前端之间的距离例如为1～30μm。
图9的(a)和图9的(b)具体地表示在将半导体晶圆30B贴合于切割带一体型粘接性片X后进行的第1扩展工序(冷扩展工序)。该工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割带一体型粘接性片X的图中的下侧抵接于切割带20而上升，以在半导体晶圆30B的包括径向和周向的二维方向上使贴合有半导体晶圆30B的切割带一体型粘接性片X的切割带20拉伸的方式进行扩展。对于该扩展，切割带20中以例如产生15～32MPa的拉伸应力的条件进行。冷扩展工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。冷扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为0.1～100mm/秒。另外，冷扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。
该工序中，半导体晶圆30B在薄壁而容易断裂的部位发生割断而发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，在该工序中，在与要扩展的切割带20的粘合剂层22密合的薄膜10中各半导体芯片31密合的各区域变形得以抑制，另一方面，在与半导体芯片31之间的分割槽相对的部位，在不产生这样的变形抑制作用的状态下，产生于切割带20的拉伸应力起作用。其结果，与薄膜10中半导体芯片31之间的分割槽相对的部位被割断。对于由此得到的带有薄膜的半导体芯片31，参照图6并经过上述拾取工序后，供于半导体装置制造过程中的安装工序。
该半导体装置制造方法中，还可以代替参照图8的(d)并经过上述晶圆薄化工序，而进行图10所示的晶圆薄化工序。参照图8的(c)并经过上述过程后，在图10所示的晶圆薄化工序中，在晶圆加工用带T3上保持有半导体晶圆W的状态下，通过从第2面Wb上的磨削加工而使该晶圆薄化至规定的厚度，可形成包含多个半导体芯片31且保持于晶圆加工用带T3的半导体晶圆分割体30C。该工序中，可以采用磨削晶圆直至分割槽30b本身在第2面Wb侧露出的方法(第1方法)，还可以采用磨削晶圆直至从第2面Wb侧到达分割槽30b之前、然后通过从旋转磨石向晶圆的按压力的作用使分割槽30b与第2面Wb之间产生裂纹并形成半导体晶圆分割体30C的方法(第2方法)。根据所采用的方法不同，参照图8的(a)和图8的(b)可适宜确定如上述那样形成的分割槽30b的、距离第1面Wa的深度。图10中，对于经过第1方法的分割槽30b、或经过第2方法的分割槽30b和与其连接的裂纹，示意性地用粗线表示。还可以将如此制作的半导体晶圆分割体30C代替半导体晶圆30A贴合于切割带一体型粘接性片X，然后参照图3至图6进行上述各工序。
图11的(a)和图11的(b)具体地示出半导体晶圆分割体30C贴合于切割带一体型粘接性片X后进行的第1扩展工序(冷扩展工序)。在该工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割带一体型粘接性片X的图中下侧与切割带20抵接并上升，贴合有半导体晶圆分割体30C的切割带一体型粘接性片X的切割带20以在半导体晶圆分割体30C的包括径向和周向的二维方向上拉伸的方式进行扩展。该扩展在切割带20产生例如1～100MPa的拉伸应力的条件下进行。该工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。该工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，该工序中的扩展量例如为50～200mm。通过这样的冷扩展工序，从而将切割带一体型粘接性片X的薄膜10割断成小片的薄膜10’并得到带有薄膜的半导体芯片31。具体而言，该工序中，在与要扩展的切割带20的粘合剂层22密合的薄膜10中，半导体晶圆分割体30C的各半导体芯片31密合的各区域中变形得以抑制，另一方面，在与半导体芯片31之间的分割槽30b相对的部位，在不产生这样的变形抑制作用的状态下，产生于切割带20的拉伸应力起作用。其结果，在薄膜10中与半导体芯片31之间的分割槽30b相对的部位被割断。对于由此得到的带有薄膜的半导体芯片31，参照图6并经过上述拾取工序后，供于半导体装置制造过程中的安装工序。
对于例如可以用于以上那样的半导体装置制造过程中的切割带一体型粘接性片X中的薄膜10(作为背面保护薄膜的粘接性的片)，如上所述，宽度2mm的薄膜试验片(粘接性片试验片)在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、优选为1.1N以下、更优选为1N以下。这种构成例如在上述那样的半导体装置的制造过程中可以得到带有薄膜的半导体芯片31并使用切割带一体型粘接性片X来实施割断用扩展工序(上述第1扩展工序)的情况下，在抑制为了割断切割带20上的薄膜10而要作用于该薄膜10的割断力方面是适宜的。
对于切割带一体型粘接性片X中的薄膜10(作为背面保护薄膜的粘接性的片)，如上所述，宽度2mm的薄膜试验片(粘接性片试验片)在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂伸长率为1.2％以下、优选为1.1％以下、更优选为1％以下。这种构成例如在上述那样的半导体装置的制造过程中可以得到带有薄膜的半导体芯片31并使用切割带一体型粘接性片X来实施割断用扩展工序(上述第1扩展工序)的情况下，在抑制割断切割带20上的薄膜10所需的拉伸长度方面是适宜的。
如上所述，切割带一体型粘接性片X适于抑制为了割断切割带20上的薄膜10而要作用于该薄膜10的割断力，且适于抑制用于该割断的薄膜10拉伸长度。将这样的切割带一体型粘接性片X用于割断用扩展工序中时，适于实现薄膜10的良好割断。
对于切割带一体型粘接性片X中的薄膜10，如上所述具有层叠结构，所述层叠结构包含以能剥离的方式与切割带20的粘合剂层22密合的激光标记层11(第1层)和在其上的晶圆固定层12(第2层)。对于这种构成，适于单独体现出在薄膜10中对切割带粘合剂层侧表面所要求的特性、及对与该表面相反的工件贴附用表面所要求的特性。另外，激光标记层11的厚度相对于晶圆固定层12的厚度的比值如上所述优选为0.2～4、更优选为0.2～1.5、更优选为0.3～1.3、更优选为0.6～1.1。对于这种构成，在兼顾对薄膜10中的激光标记层11(第1层)和晶圆固定层12(第2层)所要求的功能方面优选。
本实施方式的切割带一体型粘接性片X是切割带一体型背面保护薄膜，如上所述，激光标记层11具有热固性且晶圆固定层12显示出热塑性。对于激光标记层11具有热固性的这种构成，对薄膜10的激光标记层11表面实施通过激光标记进行的刻印后经过所谓的回流工序等高温过程的情况下，适于确保刻印信息的辨识性。另外，激光标记层11具有热固性的同时晶圆固定层12显示热塑性的这种构成，适于在割断用扩展工序中实现薄膜10的良好割断。即，薄膜10中激光标记层11具有热固性而晶圆固定层12显示出热塑性这样的上述构成在薄膜10中兼顾刻印信息的辨识性的确保和良好割断性的实现方面是适宜的。
对于切割带一体型粘接性片X，如上所述，薄膜10的厚度优选为8μm以上、更优选为10μm以上、且优选为20μm以下、更优选为15μm以下。对于这种构成，在实现薄膜10中的上述良好割断性方面优选。
实施例
〔实施例1〕
〈背面保护薄膜的制作〉
切割带一体型粘接性片中的背面保护薄膜的制作中，首先，单独制作形成激光标记层(LM层)的第1树脂薄膜、及形成晶圆固定层(WM层)的第2树脂薄膜。
第1树脂薄膜的制作中，首先，将丙烯酸类树脂A1(商品名“Teisan Resin SG-P3”，重均分子量为85万，玻璃化转变温度Tg为12℃，Nagase ChemteX Corporation制)100质量份、环氧树脂B1(商品名“KI-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)51.5质量份、环氧树脂B2(商品名“JER YL980”，三菱化学株式会社制)22质量份、酚醛树脂C1(商品名“MEH7851-SS”，明和化成株式会社制)76.5质量份、填料(商品名“SO-25R”，二氧化硅，平均粒径为0.5μm，Admatechs Company制)187.5质量份、黑色系染料(商品名“OIL BLACK BS”，OrientChemical Industries Co.,Ltd.制)15质量份、和热固化催化剂Z1(商品名“CUREZOL 2PZ”，四国化成工业株式会社制)22质量份加入甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度36质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物并形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对组合物层进行2分钟的加热并使其干燥和热固化，在PET隔离膜上制作了厚度8μm的第1树脂薄膜(将要形成激光标记层的薄膜)。
第2树脂薄膜的制作中，首先，将丙烯酸类树脂A1(商品名“Teisan Resin SG-P3”，Nagase ChemteX Corporation制)100质量份、环氧树脂B3(商品名“EPPN-501HY”，日本化药株式会社制)65.5质量份、酚醛树脂C2(商品名“MEH7851-H”，明和化成株式会社制)84.5质量份、填料(商品名“SO-25R”，二氧化硅，平均粒径为0.5μm，Admatechs Company制)177质量份、和黑色系染料(商品名“OIL BLACK BS”，Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制)15质量份加入甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度36质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物并形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对该组合物层进行2分钟的加热并使其干燥，在PET隔离膜上制作了厚度7μm的未固化状态的第2树脂薄膜(将要形成晶圆固定层的薄膜)。
使用层压机对如上制作的PET隔离膜上的第1树脂薄膜和PET隔离膜上的第2树脂薄膜进行贴合。具体而言，在温度100℃和压力0.85MPa的条件下使第1和第2树脂薄膜的露出面彼此贴合。如此制作了实施例1的背面保护薄膜。将实施例1以及后述各实施例和各比较例中的激光标记层(LM层)和晶圆固定层(WM层)的组成示于表1、2(表1、2中，表示各层的组成的各数值的单位是该层内的相对的“质量份”)。
〈切割带的制作〉
在具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯100质量份、丙烯酸2-羟基乙酯19质量份、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.4质量份、和作为聚合溶剂的甲苯80质量份的混合物在60℃下、氮气气氛下搅拌10小时(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸类聚合物P1的聚合物溶液。接着，将含有该丙烯酸类聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、空气气氛下搅拌60小时(加成反应)。该反应溶液中，相对于上述丙烯酸类聚合物P1100质量份，MOI的配混量为12质量份，相对于丙烯酸类聚合物P1100质量份，二月桂酸二丁基锡的配混量为0.1质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸类聚合物P2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中，相对于丙烯酸类聚合物P2100质量份，加入2质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，TOSOHCORPORATION制)、2质量份的光聚合引发剂(商品名“IRGACURE 369”，BASF公司制)和甲苯并进行混合，得到固体成分浓度28质量％的粘合剂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物并形成了粘合剂组合物层。接着，对于组合物层在120℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离膜上形成了厚度5μm的粘合剂层。接着，使用层压机，在室温下将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“NRW#125”，厚度125μm，GUNZE LIMITED制)贴合于该粘合剂层的露出面上。然后，将该贴合体在23℃下进行72小时的保存。如此制作了切割带。
〈切割带一体型背面保护薄膜的制作〉
将伴有PET隔离膜的实施例1的上述背面保护薄膜冲切加工成直径330mm的圆形。将伴有PET隔离膜的上述的切割带冲切加工成直径370mm的圆形。然后，从该背面保护薄膜上剥离激光标记层侧的PET隔离膜，从该切割带上剥离PET隔离膜，然后使用层压机对在背面保护薄膜中露出的激光标记层侧、及在切割带中露出的粘合剂层侧进行贴合。在该贴合中，将贴合速度设为10mm/分钟，将温度条件设为40℃，将压力条件设为0.15MPa。另外，以切割带的中心与背面保护薄膜的中心一致的方式进行对位的同时来贴合。由此，制作了具有包含切割带和背面保护薄膜的层叠结构的实施例1的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例2〕
在制作第2树脂薄膜(将要形成晶圆固定层的树脂薄膜)时，使用了丙烯酸类树脂A2(商品名“Teisan Resin SG-N50”，重均分子量为45万，玻璃化转变温度Tg为0℃，NagaseChemteX Corporation制)100质量份代替丙烯酸类树脂A1100质量份；以及将填料(商品名“SO-25R”，Admatechs Company制)的含量设为217质量份代替177质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例2的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例3〕
在制作第2树脂薄膜(将要形成晶圆固定层的树脂薄膜)时，使用了丙烯酸类树脂A2(商品名“Teisan Resin SG-N50”，Nagase ChemteX Corporation制)100质量份代替丙烯酸类树脂A1100质量份；以及将填料(商品名“SO-25R”，Admatechs Company制)的含量设为265质量份代替177质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例3的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例4〕
在制作第2树脂薄膜(将要形成晶圆固定层的树脂薄膜)时，使用了丙烯酸类树脂A3(商品名“Teisan Resin SG-708-6”，重均分子量为70万，玻璃化转变温度Tg为4℃，Nagase ChemteX Corporation制)100质量份代替丙烯酸类树脂A1100质量份；以及将填料(商品名“SO-25R”，Admatechs Company制)的含量设为265质量份代替177质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例4的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例5〕
在制作第2树脂薄膜(将要形成晶圆固定层的树脂薄膜)时，使用了丙烯酸类树脂A4(商品名“Teisan Resin SG-70L”，Nagase ChemteX Corporation制)100质量份代替丙烯酸类树脂A1100质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例5的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例6〕
在制作背面保护薄膜时将激光标记层的厚度由8μm设为20μm，且将晶圆固定层的厚度由7μm设为5μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例6的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例7〕
在制作背面保护薄膜时将激光标记层的厚度由8μm设为5μm，且将晶圆固定层的厚度由7μm设为5μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例7的切割带一体型背面保护薄膜。
〔实施例8〕
在制作背面保护薄膜时将激光标记层的厚度由8μm设为10μm，且将晶圆固定层的厚度由7μm设为15μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例8的切割带一体型背面保护薄膜。
〔比较例1〕
将丙烯酸类树脂A1(商品名“Teisan Resin SG-P3”，Nagase ChemteXCorporation制)100质量份、环氧树脂B3(商品名“EPPN-501HY”，日本化药株式会社制)70质量份、酚醛树脂C2(商品名“MEH7851-SS”，明和化成株式会社制)80质量份、填料(商品名“SO-25R”，Admatechs Company制)175质量份、和黑色系染料(商品名“OIL BLACK BS”，Orient Chemical Industries Co.,Ltd.制)15质量份加入甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度30质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物并形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对该组合物层进行2分钟的加热并使其干燥，在PET隔离膜上制作了厚度25μm的背面保护薄膜。然后，使用比较例1的该背面保护薄膜代替实施例1中的上述背面保护薄膜，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了比较例1的切割带一体型背面保护薄膜。
〔比较例2〕
将丙烯酸类树脂A1(商品名“Teisan Resin SG-P3”，Nagase ChemteXCorporation制)100质量份、环氧树脂B1(商品名“KI-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)50质量份、环氧树脂B2(商品名“JER YL980”，三菱化学株式会社制)20质量份、酚醛树脂C1(商品名“MEH7851-SS”，明和化成株式会社制)75质量份、填料(商品名“SO-25R”，Admatechs Company制)175质量份、和黑色系染料(商品名“OIL BLACK BS”，OrientChemical Industries Co.,Ltd.制)15质量份加入甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度30质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物并形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对该组合物层进行2分钟的加热并使其干燥，在PET隔离膜上制作了厚度25μm的背面保护薄膜。然后，使用比较例2的该背面保护薄膜代替实施例1中的上述背面保护薄膜，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了比较例2的切割带一体型背面保护薄膜。
〔比较例3〕
在制作背面保护薄膜时将晶圆固定层的厚度由7μm设为17μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了比较例3的切割带一体型背面保护薄膜。
〈背面保护薄膜的断裂强度和断裂伸长率〉
对于从上实施例1～8和比较例1～3的上述背面保护薄膜切出的各薄膜试验片(宽度2mm×长度20mm)，测定了使用TMA试验机(商品名“TMA Q400”，TA INSTRUMENT Co.,Ltd.制)进行的拉伸试验中的断裂强度(N)和断裂伸长率(％)。用于测定的薄膜试验片在-15℃下经过5分钟的保持后，将该试验机的工作模式设为拉伸模式，在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行该拉伸试验。于使用的TMA试验机的载荷上限1.2N未断裂时，将断裂强度评价为“超过1.2”，对于断裂伸长率，评价为超过在载荷1.2N下的伸长率(％)。将这些结果示于表1、2。
〈背面保护薄膜的割断性〉
使用实施例1～8和比较例1～3的上述的各切割带一体型背面保护薄膜，进行了以下那样的贴合工序、用于割断的第1扩展工序(冷扩展工序)、和用于分离的第2扩展工序(常温扩展工序)。
贴合工序中，将保持于晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)的半导体晶圆分割体贴合于切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜，然后，从半导体晶圆分割体上剥离了晶圆加工用带。对于贴合，使用层压机，将温度条件设为80℃，将压力条件设为0.15MPa。另外，半导体晶圆分割体是以如下方式形成而准备的物质。首先，对于处于与环框一起保持于晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”，日东电工株式会社制)的状态的裸晶圆(直径12英寸，厚度780μm，东京化工株式会社制)，从其一侧的面使用切割装置(商品名“DFD6260”，Disco Corporation制)通过该旋转刀具形成了单片化用的分割槽(形成宽度25μm、深度330μm、一个分区0.8mm×0.8mm的格子状)。接着，在分割槽形成面贴合晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)后，从晶圆上剥离了上述晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”)。然后，使用背面研磨装置(商品名“DGP8760”，Disco Corporation制)，通过从晶圆另一侧的面(未形成分割槽的面)的磨削而将该晶圆薄化至厚度300μm。由此，形成了半导体晶圆分割体(处于保持于晶圆加工用带的状态)。该半导体晶圆分割体中包含多个半导体芯片(0.8mm×0.8mm)。
冷扩展工序使用模具分离装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DiscoCorporation制)，在该冷扩展单元中进行。具体而言，首先，在室温下、在伴有半导体晶圆分割体的上述切割带一体型背面保护薄膜中的切割带粘合剂层上粘贴直径12英寸的SUS制环框(Disco Corporation制)。接着，将该切割带一体型背面保护薄膜安装于装置内，在同装置的冷扩展单元中使伴有半导体晶圆分割体的切割带一体型背面保护薄膜的切割带扩展。在该冷扩展工序中，温度为-15℃，扩展速度(顶起速度)为100mm/秒，扩展量(顶起量)为15mm。
常温扩展工序使用模具分离装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DiscoCorporation制)在该常温扩展单元中进行。具体而言，使经过了上述冷扩展工序的伴有半导体晶圆分割体的切割带一体型背面保护薄膜的切割带在同装置的常温扩展单元中扩展。在该常温扩展工序中，温度为23℃，扩展速度为1mm/秒，扩展量为15mm。然后，对经过了常温扩展的切割带一体型背面保护薄膜的、比工件贴附区域更靠近外侧的周缘部实施了加热收缩处理。在该处理中，加热温度为200℃。
对于背面保护薄膜的割断性，在经过了使用切割带一体型背面保护薄膜进行的以上那样的过程后，将在背面保护薄膜的割断预定线全部区域中产生了割断的情况评价为优(◎)、将背面保护薄膜中产生的割断为割断预定线的90％以上且低于100％的情况评价为良(○)、将背面保护薄膜中产生的割断低于割断预定线的90％的情况评价为不良(×)。将该评价结果示于表1、2。
[评价]
根据实施例1～8的背面保护薄膜，在为了得到带有背面保护薄膜的半导体芯片而使用切割带一体型背面保护薄膜进行的扩晶工序中，能够实现良好割断。
[表1]
[表2]

Claims (7)

1.一种切割带一体型粘接性片，其具备：
具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；及
以能剥离的方式与所述切割带的所述粘合剂层密合的粘接性片，
所述粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、-15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。
2.根据权利要求1所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片具有包含与所述切割带的所述粘合剂层密合的第1层和该第1层上的第2层的层叠结构。
3.根据权利要求2所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述第1层的厚度相对于所述第2层的厚度的比值为0.2～4。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片为背面保护薄膜。
5.根据权利要求2或3所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片为背面保护薄膜，所述第1层具有热固性。
6.根据权利要求5所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述第2层显示出热塑性。
7.根据权利要求2或3所述的切割带一体型粘接性片，其中，所述粘接性片为背面保护薄膜，所述第2层显示出热塑性。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110028917A (zh) * 2017-12-14 2019-07-19 日东电工株式会社 粘接薄膜及带有切割带的粘接薄膜
CN111439213A (zh) * 2020-04-30 2020-07-24 吉林大学 一种用于自动驾驶防雨雪及保温作用的车体、粘结及涂层结构
CN112521878A (zh) * 2019-09-19 2021-03-19 日东电工株式会社 粘合带
CN113493662A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 琳得科株式会社 膜状粘合剂及切割固晶片
TWI845710B (zh) 2019-06-27 2024-06-21 日商日東電工股份有限公司 黏著片材、及黏著片材貼附品之製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102193721B1 (ko) * 2019-01-21 2020-12-21 주식회사 야스 점착척의 점착시트 보호 용 커버 필름
JP2020145392A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び接着フィルム付きダイシングテープ
JP7505921B2 (ja) 2019-06-27 2024-06-25 日東電工株式会社 粘着シート、および粘着シート貼付品の製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019962A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
US20060128065A1 (en) * 2003-06-06 2006-06-15 Teiichi Inada Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
CN1799126A (zh) * 2003-06-06 2006-07-05 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2007002173A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2010177401A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
CN101821833A (zh) * 2007-10-09 2010-09-01 日立化成工业株式会社 带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法
CN101821841A (zh) * 2007-11-08 2010-09-01 日立化成工业株式会社 半导体用粘接片及切割带一体型半导体用粘接片
WO2012157671A1 (ja) * 2011-05-17 2012-11-22 リンテック株式会社 フィルムおよび粘着シート
CN103620742A (zh) * 2011-07-01 2014-03-05 古河电气工业株式会社 粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法
JP2016008288A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 Dic株式会社 延伸剥離用両面粘着テープ及び電子機器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5456642B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019962A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
US20060128065A1 (en) * 2003-06-06 2006-06-15 Teiichi Inada Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
CN1799126A (zh) * 2003-06-06 2006-07-05 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2007002173A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN101821833A (zh) * 2007-10-09 2010-09-01 日立化成工业株式会社 带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法
CN101821841A (zh) * 2007-11-08 2010-09-01 日立化成工业株式会社 半导体用粘接片及切割带一体型半导体用粘接片
JP2010177401A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
WO2012157671A1 (ja) * 2011-05-17 2012-11-22 リンテック株式会社 フィルムおよび粘着シート
CN103620742A (zh) * 2011-07-01 2014-03-05 古河电气工业株式会社 粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法
JP2016008288A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 Dic株式会社 延伸剥離用両面粘着テープ及び電子機器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110028917A (zh) * 2017-12-14 2019-07-19 日东电工株式会社 粘接薄膜及带有切割带的粘接薄膜
TWI845710B (zh) 2019-06-27 2024-06-21 日商日東電工股份有限公司 黏著片材、及黏著片材貼附品之製造方法
CN112521878A (zh) * 2019-09-19 2021-03-19 日东电工株式会社 粘合带
CN113493662A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 琳得科株式会社 膜状粘合剂及切割固晶片
CN111439213A (zh) * 2020-04-30 2020-07-24 吉林大学 一种用于自动驾驶防雨雪及保温作用的车体、粘结及涂层结构

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Publication number Publication date
TW201905995A (zh) 2019-02-01
CN109148350B (zh) 2023-12-15
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JP2019009324A (ja) 2019-01-17

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