CN109309039A - 芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 - Google Patents

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 Download PDF

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Abstract

提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。

Description

芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造过程中能够使用的芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜、以及半导体装置制造方法。
背景技术
半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。
作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜的割断一同被割断而能单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使切割芯片接合薄膜的切割带扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜上的半导体晶圆的与芯片接合薄膜割断位置对应的位置处也产生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，在经过例如清洗工序后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同被拾取机构的销构件从切割带的下侧顶起，然后，从切割带上被拾取。如此，能够得到带芯片接合薄膜的半导体芯片。该带有芯片接合薄膜的半导体芯片借助其芯片接合薄膜，通过芯片接合而固定在安装基板等被粘物上。关于涉及例如像以上那样使用的切割芯片接合薄膜及其中包含的芯片接合薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1～3中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2012-23161号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于作为上述那样的割断用扩展工序中使用的切割芯片接合薄膜的一个构成要素的芯片接合薄膜，要求在该扩展工序中于割断预定位置被适当地割断。另外，存在芯片接合薄膜的厚度越大、越难以产生这样的割断的倾向。
上述那样的割断用扩展工序中，以往在切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜的没有贴合工件的区域，有时发生芯片接合薄膜片从切割带上的飞散。另外，有芯片接合薄膜的厚度越大、越容易发生该飞散的倾向。芯片接合薄膜片的这种飞散有时成为工件的污染原因，故不优选。
本发明是鉴于以上那样的情况想出的，其目的在于提供：适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置制造方法。
用于解决问题的方案
根据本发明的第1方案，提供芯片接合薄膜。该芯片接合薄膜的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度(达到屈服点所需的力)为15N以下，同试验中的断裂强度(使其断裂所需的力)为15N以下，且同试验中的断裂伸长率(断裂时的伸长部分的长度相对于伸长前的长度的比率)为40～400％。另外，本发明中，前述屈服强度优选12N以下、更优选10N以下，前述断裂强度优选12N以下、更优选10N以下，前述断裂伸长率优选40～350％、更优选40～300％。这种构成的芯片接合薄膜在密合于切割带的粘合剂层侧的形态下，能够用于在半导体装置的制造过程中得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。
半导体装置的制造过程中，如上所述，为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时实施使用切割芯片接合薄膜进行的割断用的扩展工序。本发明人等发现，对于作为切割芯片接合薄膜的一个构成要素的芯片接合薄膜而言，对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下、断裂强度为15N以下、且断裂伸长率为40～400％的上述构成即使在该芯片接合薄膜比较厚的情况下，对于处于扩展工序的芯片接合薄膜，也适于使该割断预定位置产生割断并抑制从切割带上的飞散。例如，如后述的实施例及比较例所示。
认为本芯片接合薄膜中的、上述拉伸试验中的断裂伸长率为40～400％、优选为40～350％、更优选为40～300％这样的上述构成适于在扩展工序中避免用于割断该芯片接合薄膜的拉伸长度变得过大且容易使该芯片接合薄膜产生韧性断裂而非脆性断裂。扩展工序中，越是容易产生韧性断裂的芯片接合薄膜，割断用应力越容易传导至该薄膜的割断预定位置，因此，容易在割断预定位置被割断。
认为本芯片接合薄膜中的、上述拉伸试验中的屈服强度为15N以下、优选12N以下、更优选10N以下、且断裂强度为15N以下、优选12N以下、更优选10N以下的上述构成适于抑制在割断用扩展工序中的芯片接合薄膜的伸长过程及断裂过程中蓄积在该薄膜内部的应变能。扩展工序中，越为伸长过程及断裂过程中的内部蓄积应变能小的芯片接合薄膜，越不易产生在该露出区域(没有被工件覆盖的区域)断裂而薄膜片飞散的现象。
如上所述，本发明的第1方案的芯片接合薄膜在以密合于切割带的粘合剂层侧的形态用于割断用扩展工序时，适于实现良好的割断并抑制飞散。
本芯片接合薄膜的厚度优选40μm以上、更优选60μm以上、更优选80μm以上。这种构成在使用本芯片接合薄膜作为将引线接合安装于安装基板上的第1半导体芯片与和该第1半导体芯片连接的接合线的整体或一部分一同包埋且在安装基板上接合第2半导体芯片的粘接剂层形成用的粘接薄膜(半导体芯片包埋用的厚粘接薄膜)的方面是适宜的。或者，与芯片接合薄膜的厚度有关的该构成在使用本芯片接合薄膜作为覆盖引线接合安装于安装基板上的第1半导体芯片的接合线连接位置而将该接合线的一部分包埋且在第1半导体芯片上接合第2半导体芯片的粘接剂层形成用的粘接薄膜(进行了接合线的部分包埋的半导体芯片间接合用的厚粘接薄膜)的方面是适宜的。或者，与芯片接合薄膜的厚度有关的该构成在使用本芯片接合薄膜作为将倒装芯片安装于安装基板上的第1半导体芯片包埋且在安装基板上接合第2半导体芯片的粘接剂层形成用的粘接薄膜(芯片包埋用的厚粘接薄膜)的方面是适宜的。另外，本芯片接合薄膜的厚度优选为200μm以下、更优选为160μm以下、更优选为120μm以下。这种构成在避免本芯片接合薄膜的屈服强度、断裂强度、断裂伸长率变得过大、实现上述拉伸试验中的屈服强度为15N以下、断裂强度为15N以下、且断裂伸长率为40～400％这样的上述构成的方面优选。
本芯片接合薄膜在未固化状态下的120℃时的粘度优选为300Pa·s以上、更优选为700Pa·s以上、更优选为1000Pa·s以上。本芯片接合薄膜在未固化状态下的120℃时的粘度优选为5000Pa·s以下、更优选为4500Pa·s以下、更优选为4000Pa·s以下。与芯片接合薄膜的粘度有关的这些构成在使用本芯片接合薄膜作为用于形成进行了半导体芯片、接合线的包埋的粘接剂层的上述各种厚粘接薄膜的方面是适宜的。
本芯片接合薄膜优选含有无机填料，本芯片接合薄膜中的无机填料的含量优选为10质量％以上、更优选为20质量％以上、更优选为30质量％以上。另外，本芯片接合薄膜含有无机填料时的无机填料含量优选为50质量％以下、更优选为45质量％以下、更优选为40质量％以下。粘接剂层形成用薄膜内的无机填料含量越增大，有该薄膜的断裂伸长率变得越小的倾向且屈服强度变得越大的倾向，但是，与本芯片接合薄膜中的无机填料含量有关的该构成在抑制在本芯片接合薄膜的露出区域(没有被工件覆盖的区域)断裂而薄膜片飞散这样的上述现象方面是适宜的。
本芯片接合薄膜优选含有有机填料，本芯片接合薄膜中的有机填料的含量优选2质量％以上、更优选5质量％以上、更优选8质量％以上。另外，本芯片接合薄膜含有有机填料时的有机填料含量优选为20质量％以下、更优选为17质量％以下、更优选为15质量％以下。与本芯片接合薄膜中的有机填料含量有关的该构成在将本芯片接合薄膜的屈服强度及断裂强度控制在适当范围的方面是适宜的。
本芯片接合薄膜优选含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。这种构成在实现本芯片接合薄膜在上述拉伸试验中的屈服强度为15N以下这样的上述构成方面是适宜的。
根据本发明的第2方案，提供切割芯片接合薄膜。该切割芯片接合薄膜具备：切割带和本发明的第1方案的上述芯片接合薄膜。切割带具有包含基材及粘合剂层的层叠结构。芯片接合薄膜以能剥离的方式与切割带的粘合剂层密合。具备本发明的第1方案的芯片接合薄膜的这种切割芯片接合薄膜在用于割断用扩展工序时，适于使芯片接合薄膜实现良好的割断且抑制飞散。
根据发明的第3方案，提供半导体装置制造方法。该半导体装置制造方法包括如下的第1工序和第2工序。第1工序中，在本发明的第2方案的切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜上贴合能单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆、或包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体。第2工序中，通过对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展，从而将芯片接合薄膜割断而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。包括使用具备本发明的第1方案的芯片接合薄膜的切割芯片接合薄膜进行的第2工序即割断用扩展工序的本半导体装置制造方法适于使该扩展工序中的芯片接合薄膜实现良好的割断且抑制飞散。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的截面示意图。
图2表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图3表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图4表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图5表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图6表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图7表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图8表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图9表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图10表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图11表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图12表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图13表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图14表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图15表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法中的一部分工序。
附图标记说明
X 切割芯片接合薄膜
10，11 芯片接合薄膜
20 切割带
21 基材
22 粘合剂层
W，30A，30C 半导体晶圆
30B 半导体晶圆分割体
30a 分割槽
30b 改性区域
31 半导体芯片
具体实施方式
图1为本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜X的截面示意图。切割芯片接合薄膜X具有包含本发明的一个实施方式的芯片接合薄膜10和切割带20的层叠结构。切割带20具有包含基材21和粘合剂层22的层叠结构。粘合剂层22在芯片接合薄膜10侧具有粘合面22a。芯片接合薄膜10以能剥离的方式密合于切割带20的粘合剂层22或其粘合面22a。切割芯片接合薄膜X在半导体装置的制造中可以用于得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的过程中的例如后述那样的扩展工序中。另外，切割芯片接合薄膜X具有尺寸与半导体装置的制造过程中的作为工件的半导体晶圆对应的圆板形状，其直径例如处于345～380mm的范围内(12英寸晶圆对应型)、245～280mm的范围内(8英寸晶圆对应型)、495～530mm的范围内(18英寸晶圆对应型)、或195～230mm的范围内(6英寸晶圆对应型)。
切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜10具有能够作为显示热固性的芯片接合用粘接剂发挥作用的构成。对于芯片接合薄膜10，作为树脂成分，可以具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成，也可以具有包含带有能与固化剂反应而产生键合的热固性官能团的热塑性树脂的组成。芯片接合薄膜10具有包含带有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，该芯片接合薄膜10没必要还包含热固性树脂。这种芯片接合薄膜10可以具有单层结构，也可以具有在相邻层间组成不同的多层结构。
作为芯片接合薄膜10具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂，例如可以举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固性聚酰亚胺树脂。芯片接合薄膜10可以含有一种热固性树脂，也可以含有两种以上热固性树脂。环氧树脂由于具有可能会成为作为芯片接合对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向，因此作为芯片接合薄膜10中的热固性树脂是优选的。另外，作为用于使环氧树脂显示出热固性的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，例如可以举出：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型和缩水甘油基胺型的环氧树脂。苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、和四羟苯基乙烷型环氧树脂富于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，并且耐热性优异，因此，作为芯片接合薄膜10中的环氧树脂是优选的。
作为能作为环氧树脂的固化剂发挥作用的酚醛树脂，例如可以列举出：酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂和聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如可以举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂。芯片接合薄膜10可以含有一种酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂，也可以含有两种以上的酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂在用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂时，具有能够提高该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此，作为芯片接合薄膜10中的环氧树脂用固化剂是优选的。
芯片接合薄膜10含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂时，以酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂中的环氧基1当量优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这种构成在芯片接合薄膜10的固化时使该环氧树脂及酚醛树脂的固化反应充分进行的方面是优选的。
对于芯片接合薄膜10中的热固性树脂的含有比例，从使芯片接合薄膜10适当表现出作为热固化型粘接剂的功能的观点出发，优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
芯片接合薄膜10中的热塑性树脂发挥例如粘结剂功能，作为芯片接合薄膜10具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如可以举出：丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。芯片接合薄膜10可以含有一种热塑性树脂，也可以含有两种以上的热塑性树脂。丙烯酸类树脂由于离子性杂质少且耐热性高，因此，作为芯片接合薄膜10中的热塑性树脂是优选的。
芯片接合薄膜10含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂中，优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的含量最多。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
对于用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以举出：(甲基)丙烯酸的甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊基酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如可以举出：(甲基)丙烯酸的环戊酯及环己酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可以举出(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作为丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，丙烯酸类树脂可以通过将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可以举出溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。
对于丙烯酸类树脂，例如为了改善其内聚力、耐热性，可以将能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体作为构成单体。作为这样的单体，例如可以举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈。作为含羧基单体，例如可以举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸。作为酸酐单体，例如可以举出：马来酸酐和衣康酸酐。作为含羟基单体，例如可以举出：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含环氧基单体，例如可以举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如可以举出：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如可以举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。
对于芯片接合薄膜10，从实现高内聚力的观点出发，芯片接合薄膜10中包含的丙烯酸类树脂优选为丙烯酸丁酯与丙烯酸乙酯与丙烯腈的共聚物。
芯片接合薄膜10具有包含带有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含热固性官能团丙烯酸类树脂。用于形成该含热固性官能团丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂中，优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的含量最多。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与作为芯片接合薄膜10中含有的丙烯酸类树脂的构成单体的上述(甲基)丙烯酸酯同样的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含热固性官能团丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可以举出缩水甘油基、羧基、羟基、及异氰酸酯基。其中，可以适宜使用缩水甘油基及羧基。即，作为含热固性官能团丙烯酸类树脂，可以适宜使用含缩水甘油基丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。另外，根据含热固性官能团丙烯酸类树脂中的热固性官能团的种类，选择能与其发生反应的固化剂。含热固性官能团丙烯酸类树脂的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂，可以使用与作为环氧树脂用固化剂的上述酚醛树脂同样的酚醛树脂。
对于为了芯片接合而进行固化前的芯片接合薄膜10，为了实现一定程度的交联度，例如，优选将能与芯片接合薄膜10中包含的上述树脂成分的分子链末端的官能团等反应而键合的多官能性化合物作为交联剂预先配混在芯片接合薄膜形成用树脂组合物中。这样的构成在使芯片接合薄膜10提高在高温下的粘接特性的方面、以及谋求耐热性的改善方面是适宜的。作为这样的交联剂，例如可以举出：多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，例如可以举出：甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、和多元醇与二异氰酸酯的加成物。对于芯片接合薄膜形成用树脂组合物中的交联剂含量，相对于具有能与该交联剂反应而键合的上述官能团的树脂100质量份，从提高所形成的芯片接合薄膜10的内聚力的观点出发，优选为0.05质量份以上，从提高所形成的芯片接合薄膜10的粘接力的观点出发，优选为7质量份以下。另外，作为芯片接合薄膜10中的交联剂，可以将环氧树脂等其他多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。
芯片接合薄膜10中配混的上述丙烯酸类树脂及上述含热固性官能团丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度优选为-40～10℃。关于聚合物的玻璃化转变温度，可以使用基于下述Fox式求出的玻璃化转变温度(理论值)。Fox式为聚合物的玻璃化转变温度Tg与该聚合物中的各构成单体的均聚物的玻璃化转变温度Tgi的关系式。下述Fox式中，Tg表示聚合物的玻璃化转变温度(℃)，Wi表示构成该聚合物的单体i的重量分率，Tgi表示单体i的均聚物的玻璃化转变温度(℃)。关于均聚物的玻璃化转变温度，可以使用文献值，例如“新高分子文库7涂料用合成树脂入门”(北冈协三著，高分子出版社，1995年)、“丙烯酸酯目录(1997年度版)”(三菱丽阳株式会社)中列举了各种均聚物的玻璃化转变温度。另一方面，关于单体的均聚物的玻璃化转变温度，也可以通过日本特开2007-51271号公报中具体记载的方法求出。
Fox式1/(273+Tg)＝Σ[Wi/(273+Tgi)]
芯片接合薄膜10可以含有填料。在芯片接合薄膜10中配混填料从调整芯片接合薄膜10的弹性模量、屈服强度、断裂伸长率等物性的方面是优选的。作为填料，可以举出无机填料及有机填料。填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。另外，芯片接合薄膜10可以含有一种填料，也可以含有两种以上的填料。
作为上述无机填料的构成材料，例如可以举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、晶体二氧化硅、及无定形二氧化硅。作为无机填料的构成材料，也可以举出铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、无定形炭、石墨等。芯片接合薄膜10含有无机填料时的该无机填料的含量优选10质量％以上、更优选20质量％以上、更优选30质量％以上。另外，该含量优选50质量％以下、更优选45质量％以下、更优选40质量％以下。
作为上述有机填料的构成材料，例如可以举出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、及聚酯酰亚胺。芯片接合薄膜10含有有机填料时的该有机填料的含量优选2质量％以上、更优选5质量％以上、更优选8质量％以上。另外，该含量优选20质量％以下、更优选17质量％以下、更优选15质量％以下。
芯片接合薄膜10含有填料时的该填料的平均粒径优选0.005～10μm、更优选0.05～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上这样的构成在使芯片接合薄膜10实现对于半导体晶圆等被粘物的高润湿性、粘接性的方面是适宜的。该填料的平均粒径为10μm以下这样的构成在使芯片接合薄膜10获得充分的填料添加效果并且确保耐热性的方面是适宜的。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”，株式会社堀场制作所制)求出。
芯片接合薄膜10可以含有热固化催化剂。在芯片接合薄膜10中配混热固化催化剂对于在芯片接合薄膜10的固化时使树脂成分的固化反应充分进行、提高固化反应速度是优选的。作为这样的热固化催化剂，例如可以举出：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物及三卤代硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如可以举出：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如可以举出：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻及苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物中还包括同时具有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如可以举出：四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻四对甲苯基硼酸酯、苄基三苯基鏻四苯基硼酸酯及三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如可以举出单乙醇胺三氟硼酸酯及双氰胺。作为三卤代硼烷系化合物，例如可以举出三氯硼烷。芯片接合薄膜10可以含有一种热固化催化剂，也可以含有两种以上的热固化催化剂。
芯片接合薄膜10可以根据需要含有一种或两种以上的其他成分。作为该其他成分，例如可以举出阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。作为阻燃剂，例如可以举出三氧化锑、五氧化锑、及溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如可以举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷及γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕捉剂，例如可以举出：水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 600”)及硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“KYOWAAD 700”)。与金属离子之间可以形成络合物的化合物也可以用作离子捕捉剂。作为这样的化合物，例如可以举出：***系化合物、四唑系化合物及联吡啶系化合物。其中，从与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选***系化合物。作为这样的***系化合物，例如可以举出：1,2,3-苯并***、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并***、羧基苯并***、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并***、6-(2-苯并***)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并***、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并***、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并***、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并***-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并***、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并***-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并***、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并***、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并***、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并***-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、(2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、及甲基-3-[3-(2H-苯并***-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，对苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等特定的含羟基化合物也可以用作离子捕捉剂。作为这样的含羟基化合物，具体而言，可以举出：1,2-苯二酚、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯和连苯三酚。
芯片接合薄膜10的厚度优选40μm以上、更优选60μm以上、更优选80μm以上。另外，本芯片接合薄膜的厚度优选200μm以下、更优选160μm以下、更优选120μm以下。
对于芯片接合薄膜10而言，对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下、优选12N以下、更优选10N以下。与此同时，芯片接合薄膜10在同试验中的断裂强度为15N以下、优选12N以下、更优选10N以下。与此同时，芯片接合薄膜10在同试验中的断裂伸长率为40～400％、优选40～350％、更优选40～300％。关于所述屈服强度、断裂强度及断裂伸长率，可以使用拉伸试验机(商品名“Autograph AGS-J”，株式会社岛津制作所制)来测定。另外，芯片接合薄膜10的屈服强度、断裂强度及断裂伸长率的调整可以通过芯片接合薄膜10中的无机填料和/或有机填料的配混量的控制、芯片接合薄膜10中的上述丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度的控制等来进行。
芯片接合薄膜10的未固化状态下的120℃时的粘度优选为300Pa·s以上、更优选为700Pa·s以上、更优选为1000Pa·s以上。另外，芯片接合薄膜10的未固化状态下的120℃时的粘度优选为5000Pa·s以下、更优选为4500Pa·s以下、更优选为4000Pa·s以下。
以上那样的芯片接合薄膜10在温度23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中，相对于SUS平面显示出例如0.3～20N/10mm的180°剥离粘合力。这种构成在确保基于切割芯片接合薄膜X和/或其芯片接合薄膜10的工件的保持方面是适宜的。
切割芯片接合薄膜X中的切割带20的基材21是在切割带20和/或切割芯片接合薄膜X中作为支撑体发挥作用的要素。基材21例如为塑料基材，作为该塑料基材，可以适宜使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如可以举出：聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、芳族聚酰胺、氟树脂、纤维素系树脂及有机硅树脂。作为聚烯烃，例如可以举出：低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物及乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材21可以由一种材料形成，也可以由两种以上的材料形成。基材21可以具有单层结构，也可以具有多层结构。在基材21上的粘合剂层22如后述那样为紫外线固化性时，基材21优选具有紫外线透过性。另外，基材21由塑料薄膜构成时，可以为无拉伸薄膜，也可以为单轴拉伸薄膜，也可以为双轴拉伸薄膜。
在使用切割芯片接合薄膜X时使切割带20和/或基材21通过例如局部加热而收缩的情况下，基材21优选具有热收缩性。另外，在基材21由塑料薄膜构成时，从使切割带20和/或基材21实现各向同性的热收缩性的方面考虑，基材21优选为双轴拉伸薄膜。切割带20和/或基材21在加热温度100℃和加热处理时间60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为2～30％、更优选为2～25％、更优选为3～20％、更优选为5～20％。该热收缩率是指所谓的MD方向的热收缩率和所谓的TD方向的热收缩率中的至少一者。
基材21中的粘合剂层22侧的表面可以实施用于提高与粘合剂层22的密合性的物理处理、化学处理、或底涂处理。作为物理处理，例如可以举出：电晕处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理和离子化辐射线处理。作为化学处理，例如可以举出铬酸处理。
从确保用于使基材21发挥作为切割带20和/或切割芯片接合薄膜X中的支撑体的功能的强度这样的观点出发，基材21的厚度优选为40μm以上、更优选为50μm以上、更优选为55μm以上、更优选为60μm以上。另外，从使切割带20和/或切割芯片接合薄膜X实现适度的挠性这样的观点出发，基材21的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。
切割带20的粘合剂层22含有粘合剂。该粘合剂可以是在切割芯片接合薄膜X的使用过程中能通过来自外部的作用而有意地降低粘合力的粘合剂(粘合力可降低型粘合剂)，也可以是在切割芯片接合薄膜X的使用过程中粘合力几乎或完全不因来自外部的作用而降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)。对于使用粘合力可降低型粘合剂还是粘合力非降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂，可以根据使用切割芯片接合薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等切割芯片接合薄膜X的使用方式来适宜选择。
使用粘合力可降低型粘合剂作为粘合剂层22中的粘合剂时，在切割芯片接合薄膜X的使用过程中，可以有区分地使用粘合剂层22显示出相对高粘合力的状态和显示出相对低粘合力的状态。例如，将切割芯片接合薄膜X用于后述的扩展工序中时，为了抑制/防止芯片接合薄膜10自粘合剂层22的浮起、剥离而利用粘合剂层22的高粘合力状态，另一方面，在其之后，在用于从切割芯片接合薄膜X的切割带20拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片的后述拾取工序中，为了易于从粘合剂层22拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片，可以利用粘合剂层22的低粘合力状态。
作为这样的粘合力可降低型粘合剂，例如可以举出在切割芯片接合薄膜X的使用过程中能通过辐射线照射使其固化的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力可降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力可降低型粘合剂。另外，可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，还可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22的一部分。例如，在粘合剂层22具有单层结构时，可以由粘合力可降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，也可以由粘合力可降低型粘合剂形成合剂层22中的规定部位(例如，作为工件的贴附对象区域的中央区域)、由粘合力非降低型粘合剂形成其他部位(例如，为环形框的贴附对象区域且位于中央区域的外侧的区域)。另外，在粘合剂层22具有多层结构时，可以由粘合力可降低型粘合剂形成多层结构的所有层，也可以由粘合力可降低型粘合剂形成多层结构中的一部分层。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如可以举出通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可以特别适宜地使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如可以举出含有作为丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的添加型的辐射线固化性粘合剂。
对于上述丙烯酸类聚合物，优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的含量最多。作为用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可以举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具体而言，可以举出与涉及用于芯片接合薄膜10的丙烯酸类树脂的上述(甲基)丙烯酸酯同样的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，也可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，优选可以举出丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸月桂酯。另外，从使粘合剂层22适宜地显示出(甲基)丙烯酸酯所带来的粘合性等基本特性的方面出发，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
丙烯酸类聚合物为了改善例如其内聚力、耐热性，构成单体中还可以包含能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其他单体。作为这样的单体，例如可以举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺及丙烯腈，更具体而言，可以举出与涉及用于芯片接合薄膜10的丙烯酸类树脂的上述单体同样的共聚性单体。
丙烯酸类聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自能与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如可以举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，也可以使用两种以上的多官能性单体。在使粘合剂层22适宜地表现出由(甲基)丙烯酸酯带来的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
丙烯酸类聚合物可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可以举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合及悬浮聚合。从使用切割带20和/或切割芯片接合薄膜X的半导体装置制造方法中的高度的清洁性的观点出发，优选切割带20和/或切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层22中的低分子量物质较少，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂为了提高丙烯酸类聚合物等基础聚合物的数均分子量，例如可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸类聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的外部交联剂，可以举出：多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物和三聚氰胺系交联剂。粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如可以举出：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如可以举出：氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右的物质是适合的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量在能使所形成的粘合剂层22的粘合力适当降低的范围内来决定，相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，优选为5～500质量份、更优选为40～150质量份。另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，例如可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。
作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如还可以举出含有基础聚合物的内在型辐射线固化性粘合剂，所述基础聚合物在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团。这样的内在型的辐射线固化性粘合剂在抑制所形成的粘合剂层22内的由低分子量成分的移动引起的粘合特性不希望发生的经时变化的方面是适宜的。
作为内在型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选将丙烯酸类聚合物作为基本骨架。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸类聚合物，可以采用上述丙烯酸类聚合物。作为向丙烯酸类聚合物导入辐射线聚合性的碳-碳双键的方法，例如可以举出如下方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸类聚合物后，使具有能与第1官能团之间发生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸类聚合物进行缩合反应或加成反应。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如可以举出：羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合中，从反应追踪的容易性的观点出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。另外，由于制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度高，因此从丙烯酸类聚合物的制作或获得的容易程度的观点出发，更优选丙烯酸类聚合物侧的上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况。该情况下，作为同时具有辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即含有辐射线聚合性的不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如可以举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦和酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如可以举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如可以举出：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1。作为苯偶姻醚系化合物，例如可以举出：苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚及茴香偶姻甲基醚。作为缩酮系化合物，例如可以举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可以举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如可以举出例如、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如可以举出：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸及3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如可以举出：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮及2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层22中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
用于粘合剂层22的上述加热发泡型粘合剂为含有通过加热而进行发泡、膨胀的成分(发泡剂、热膨胀性微球等)的粘合剂。作为发泡剂，可以举出各种无机系发泡剂及有机系发泡剂。作为热膨胀性微球，例如可以举出在壳内封入有通过加热而容易气化并膨胀的物质的构成的微球。作为无机系发泡剂，例如可以举出：碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠和叠氮化物类。作为有机系发泡剂，例如可以举出：三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟化烷烃、偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二羧酸钡等偶氮系化合物、对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧基双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物、对甲苯磺酰基氨基脲、4,4’-氧基双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物、5-吗啉基-1,2,3,4-硫代***等***系化合物、以及N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。作为用于形成上述那样的热膨胀性微球的、通过加热而容易地气化并膨胀的物质，例如可以举出：异丁烷、丙烷和戊烷。通过利用凝聚法、界面聚合法等使通过加热而容易地气化并膨胀的物质封入壳形成物质内来制作热膨胀性微球。作为壳形成物质，可以使用显示出热熔融性的物质、能因封入物质的热膨胀的作用而破裂的物质。作为这样的物质，例如可以举出：偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯和聚砜。
作为上述粘合力非降低型粘合剂，例如可以举出：预先通过辐射线照射使涉及粘合力可降低型粘合剂的上述辐射线固化性粘合剂固化的形态的粘合剂、压敏型粘合剂等。对于辐射线固化性粘合剂，根据其含有聚合物成分的种类和含量，即使在经辐射线固化而降低了粘合力的情况下也能显示起因于该聚合物成分的粘合性，可以发挥能用于以规定的使用方式粘合保持被粘物的粘合力。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种粘合力非降低型粘合剂，也可以使用两种以上的粘合力非降低型粘合剂。另外，可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，还可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22的一部分。例如，粘合剂层22具有单层结构时，可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22的整体，如上所述，还可以由粘合力非降低型粘合剂形成粘合剂层22中的规定部位(例如，为环形框的贴附对象区域、且处于晶圆的贴附对象区域的外侧的区域)，由粘合力可降低型粘合剂形成其他部位(例如，作为晶圆的贴附对象区域的中央区域)。另外，粘合剂层22具有多层结构时，可以由粘合力非降低型粘合剂形成多层结构的所有层，还可以由粘合力非降低型粘合剂形成多层结构中的一部分层。
另一方面，作为用于粘合剂层22的压敏型粘合剂，例如可以使用将丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层22含有丙烯酸类粘合剂作为压敏型粘合剂时，作为该丙烯酸类粘合剂的基础聚合物的丙烯酸类聚合物中，优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的含量最多。作为这样的丙烯酸类聚合物，例如可以举出涉及辐射线固化性粘合剂的上述丙烯酸类聚合物。
粘合剂层22和/或用于形成其的粘合剂中，除了上述各成分之外，还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、染料等着色剂等。着色剂可以是受到辐射线照射而着色的化合物。作为这样的化合物，例如可以列举出隐色染料。
粘合剂层22的厚度优选为1～50μm、更优选为2～30μm、更优选为5～25μm。这样的构成在例如粘合剂层22包含辐射线固化性粘合剂时获得该粘合剂层22在辐射线固化前后相对于芯片接合薄膜10的粘接力的平衡方面是适宜的。
具有以上那样的构成的切割芯片接合薄膜X例如可以如下制造。
切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10的制作中，首先，制备芯片接合薄膜10形成用的粘接剂组合物后，在规定的隔离体上涂布该组合物而形成粘接剂组合物层。作为隔离体，例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及用氟系剥离剂或长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为粘接剂组合物的涂布方法，例如可以举出：辊涂覆、丝网涂覆和凹版涂覆。接着，对于该粘接剂组合物层，通过加热根据需要使其干燥，另外，根据需要发生交联反应。加热温度例如为70～160℃，加热时间例如为1～5分钟。如上操作，可以以带有隔离体的形态制作上述芯片接合薄膜10。
关于切割芯片接合薄膜X的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以通过压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系内的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。对制膜后的薄膜和/或基材21根据需要实施规定的表面处理。粘合剂层22的形成中，例如制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先在基材21上或规定的隔离体上涂布该组合物而形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如可以举出辊涂覆、丝网涂覆及凹版涂覆。接着，对于该粘合剂组合物层通过加热根据需要使其干燥，另外，根据需要发生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。在隔离体上形成有粘合剂层22时，将该带有隔离体的粘合剂层22贴合在基材21上，之后剥离隔离体。由此，制作具有基材21和粘合剂层22的层叠结构的上述切割带20。
切割芯片接合薄膜X的制作中，接着，在切割带20的粘合剂层22侧例如压接并贴合芯片接合薄膜10。贴合温度例如为30～50℃，优选为35～45℃。贴合压力(线压力)例如为0.1～20kgf/cm，优选为1～10kgf/cm。粘合剂层22包含上述那样的辐射线固化性粘合剂的情况下，可以在该贴合前对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，也可以在该贴合后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者，切割芯片接合薄膜X的制造过程中，可以不进行这种辐射线照射(该情况下，在切割芯片接合薄膜X的使用过程中能够使粘合剂层22辐射线固化)。粘合剂层22为紫外线固化型粘合剂层时，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mJ/cm2，优选为100～300mJ/cm2。切割芯片接合薄膜X中要进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(照射区域R)例如如图1所示，是粘合剂层22中的芯片接合薄膜贴合区域内的除其周缘部以外的区域。
如以上那样操作，可以制作切割芯片接合薄膜X。对于切割芯片接合薄膜X，可以在芯片接合薄膜10侧以至少覆盖芯片接合薄膜10的形态设置隔离体(省略图示)。与切割带20的粘合剂层22相比芯片接合薄膜10为小尺寸且粘合剂层22中存在未贴合芯片接合薄膜10的区域时，例如，还可以以至少覆盖芯片接合薄膜10及粘合剂层22的形态设置隔离体。隔离体是用于进行保护以使芯片接合薄膜10、粘合剂层22不会露出的要素，在使用切割芯片接合薄膜X时从该薄膜上被剥离。
图2至图8表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法。
本半导体装置制造方法中，首先，如图2的(a)及图2的(b)所示，在半导体晶圆W上形成分割槽30a(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)、并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。本工序中，在将具有粘合面T1a的晶圆加工用带T1贴合在半导体晶圆W的第2面Wb侧之后，在晶圆加工用带T1上保持有半导体晶圆W的状态下、在半导体晶圆W的第1面Wa侧使用切割装置等旋转刀片形成规定深度的分割槽30a。分割槽30a为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的空隙(图2至图4中用粗线示意性表示分割槽30a)。
接着，如图2的(c)所示，进行具有粘合面T2a的晶圆加工用带T2向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合和晶圆加工用带T1自半导体晶圆W的剥离。
接着，如图2的(d)所示，在晶圆加工用带T2上保持有半导体晶圆W的状态下通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W减薄至规定的厚度(晶圆减薄工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置来进行。通过该晶圆减薄工序，本实施方式中形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A。半导体晶圆30A具体而言在该晶圆中具有在第2面Wb侧将会被单片化为多个半导体芯片31的部位连接的部位(连接部)。半导体晶圆30A中的连接部的厚度、即半导体晶圆30A的第2面Wb与分割槽30a的第2面Wb侧前端之间的距离例如为1～30μm、优选为3～20μm。
接着，如图3的(a)所示，对切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10贴合被晶圆加工用带T2保持的半导体晶圆30A。之后，如图3的(b)所示，从半导体晶圆30A将晶圆加工用带T2剥离。切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层22为辐射线固化性粘合剂层的情况下，可以代替切割芯片接合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射，在半导体晶圆30A向芯片接合薄膜10的贴合之后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mJ/cm2、优选为100～300mJ/cm2。切割芯片接合薄膜X中要进行作为粘合剂层22的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的的照射区域R)为例如粘合剂层22中的芯片接合薄膜10贴合区域内的除其周缘部以外的区域。
接着，在切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜10上粘贴环形框41之后，如图4的(a)所示，将带有半导体晶圆30A的该切割芯片接合薄膜X固定于扩展装置的保持工具42。
接着，如图4的(b)所示进行相对低温的条件下的第1扩展工序(冷却扩展工序)，将半导体晶圆30A单片化为多个半导体芯片31，并且将切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10隔断为小片的芯片接合薄膜11，得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，按照沿着包括半导体晶圆30A的径向和周向的二维方向对贴合有半导体晶圆30A的切割芯片接合薄膜X的切割带20进行拉伸的方式进行扩展。该扩展以使切割带20中产生例如15～32Mpa的拉伸应力的条件来进行。冷却扩展工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。冷却扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为0.1～100mm/秒。另外，冷却扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。
本工序中，在半导体晶圆30A中较薄而容易破裂的部位发生割断，产生向半导体芯片31的单片化。与此同时，本工序中，与要进行扩展的切割带20的粘合剂层22密合的芯片接合薄膜10中在各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽相对的位置处，不产生这样的变形抑制作用，在这样的状态下，切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在芯片接合薄膜10中与半导体芯片31间的分割槽相对的位置被割断。本工序之后，如图4的(c)所示，使顶起构件43下降而解除切割带20的扩展状态。
接着，如图5的(a)所示进行相对高温的条件下的第2扩展工序，使带有芯片接合薄膜的半导体芯片31间的距离(分离距离)拓宽。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43再次上升而扩展切割芯片接合薄膜X的切割带20。第2扩展工序中的温度条件例如为10℃以上、优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量例如为3～16mm。本工序中使带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的分离距离拓宽至能够通过后述的拾取工序适宜地从切割带20拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的程度。本工序之后，如图5的(b)所示，使顶起构件43下降，解除切割带20的扩展状态。在抑制扩展状态解除后切割带20上的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的分离距离变窄的方面，优选在解除扩展状态之前对切割带20中的与半导体芯片31保持区域相比靠外侧的部分进行加热、使其收缩。
接着，根据需要经过利用水等清洗液对具有带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的切割带20中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序之后，如图6所示，从切割带20拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31(拾取工序)。例如，对于作为拾取对象的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31，在切割带20的图中下侧使拾取机构的销构件44上升而隔着切割带20顶起之后，利用吸附夹具45进行吸附保持。拾取工序中，销构件44的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件44的顶起量例如为50～3000μm。
接着，如图7的(a)及图7的(b)所示，进行带有芯片接合薄膜的半导体芯片31在安装基板51上的暂时固定。该暂时固定以安装基板51上的半导体芯片31’等被埋入半导体芯片31带有的芯片接合薄膜11的方式进行。作为安装基板51，例如可以举出引线框、TAB(带式自动接合；Tape Automated Bonding)薄膜、及布线基板。半导体芯片31’借助粘接剂层52固定在安装基板51上。半导体芯片31’的电极极板(省略图示)与安装基板51具有的端子部(省略图示)借助接合线53进行电连接。作为接合线53，例如可以使用金线、铝线、或铜线。本工序中，如此进行了引线接合安装的半导体芯片31’与和其连接的接合线53的整体被埋入半导体芯片31带有的芯片接合薄膜11内。另外，本工序中，为了形成半导体芯片31’及接合线53容易挤入芯片接合薄膜11内的状态，可以将芯片接合薄膜11加热使其软化。加热温度为芯片接合薄膜11未达到完全热固化状态的温度，例如为80～140℃。
接着，如图7的(c)，通过加热使芯片接合薄膜11固化(热固化工序)。本工序中，加热温度例如为100～200℃，加热时间例如为0.5～10小时。通过经过本工序，形成芯片接合薄膜11热固化而成的粘接剂层。该粘接剂层将引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’(第1半导体芯片)和与其连接的接合线53的整体一同包埋，并且将半导体芯片31与安装基板51接合。
接着，如图8的(a)所示，半导体芯片31的电极极板(省略图示)和安装基板51具有的端子部(省略图示)借助接合线53进行电连接(引线接合工序)。半导体芯片31的电极极板与接合线53的接线、及安装基板51的端子部与接合线53的接线通过伴有加热的超声波焊接来实现。引线接合中的引线加热温度例如为80～250℃，其加热时间例如为数秒～数分钟。这样的引线接合工序可以在上述热固化工序之前进行。
接着，如图8的(b)所示，形成用于将安装基板51上的半导体芯片31等密封的密封树脂54(密封工序)。本工序中，例如通过使用模具进行的传递成型技术来形成密封树脂54。作为密封树脂54的构成材料，例如可以列举出环氧系树脂。本工序中，用于形成密封树脂54的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～数分钟。当在本工序中密封树脂54的固化未充分进行时，在本工序之后进行用于通过进一步的加热处理使密封树脂54完全固化的后固化工序。后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。即使在参照图7的(c)的上述工序中芯片接合薄膜11未完全热固化的情况下，也可以在密封工序、后固化工序中与密封树脂54一起实现芯片接合薄膜11的完全热固化。
如以上那样操作，可以制造多级安装有多个半导体芯片的半导体装置。本实施方式中，半导体芯片31’和与其连接的接合线52的整体被埋入芯片接合薄膜11固化而成的粘接剂层内。相对于此，也可以是半导体芯片31’和与其连接的接合线52中的半导体芯片31’侧的一部分被埋入芯片接合薄膜11固化而成的粘接剂层内。另外，本实施方式中，可以代替引线接合安装的半导体芯片31’，例如如图9所示，采用倒装芯片安装的半导体芯片31’。图9所示的半导体芯片31’借助凸块55与安装基板51电连接，在该半导体芯片31’与安装基板51之间填充有底部填充剂56并热固化。图9所示的半导体装置中，芯片接合薄膜11热固化而成的粘接剂层将倒装芯片安装于安装基板51的半导体芯片31’(第1半导体芯片)包埋并将半导体芯片31(第2半导体芯片)与安装基板51接合。
图10及图11表示本发明的半导体装置制造方法的其他实施方式中的一部分工序。本实施方式中，首先，如图10的(a)及图10的(b)所示，进行带有芯片接合薄膜的半导体芯片31向引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’上的暂时固定。半导体芯片31’借助粘接剂层52被固定于安装基板51。半导体芯片31’的电极极板(省略图示)与安装基板51具有的端子部(省略图示)借助接合线53进行电连接。本工序中，芯片接合薄膜11覆盖如此进行了引线接合安装的半导体芯片31’的接合线53连接部位，接合线53的一部分被埋入该芯片接合薄膜11内。另外，本工序中，为了使接合线53为容易挤入芯片接合薄膜11内的状态，可以对芯片接合薄膜11进行加热使其软化。加热温度为芯片接合薄膜11未达到完全热固化状态的温度，例如为80～140℃。
接着，如图10的(c)所示，通过加热将芯片接合薄膜11固化(热固化工序)。本工序中，加热温度例如为100～200℃，加热时间例如为0.5～10小时。通过经过本工序，形成芯片接合薄膜11热固化而成的粘接剂层。该粘接剂层覆盖引线接合安装于安装基板51的半导体芯片31’的接合线53连接部位而包埋接合线53的一部分，并且将半导体芯片31(第2半导体芯片)与半导体芯片31’(第1半导体芯片)接合。
接着，如图11的(a)所示，半导体芯片31的电极极板(省略图示)与安装基板51具有的端子部(省略图示)借助接合线53电连接(引线接合工序)。半导体芯片31的电极极板与接合线53的接线、及安装基板51的端子部与接合线53的接线通过伴有加热的超声波焊接而实现。引线接合中的引线加热温度例如为80～250℃，其加热时间例如为数秒～数分钟。这种引线接合工序可以在本实施方式中的上述热固化工序之前进行。
接着，如图11的(b)所示，形成用于将安装基板51上的半导体芯片31、31’及接合线53密封的密封树脂54(密封工序)。本工序中，用于形成密封树脂54的加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为60秒～数分钟。本工序中，密封树脂54的固化未充分进行的情况下，在本工序之后进行通过进一步的加热处理使密封树脂54完全固化的后固化工序。后固化工序中，加热温度例如为165～185℃，加热时间例如为0.5～8小时。即使参照图10的(c)的上述工序中芯片接合薄膜11未完全热固化的情况下，也能够在密封工序、后固化工序中与密封树脂54一起实现芯片接合薄膜11的完全热固化。
如以上那样操作，能够制造多级安装有多个半导体芯片的半导体装置。
本发明的半导体装置制造方法中，可以代替参照图2的(d)的上述晶圆减薄工序，进行图12所示的晶圆减薄工序。经过参照图2的(c)的上述过程后，在图12所示的晶圆减薄工序中，在晶圆加工用带T2上保持有半导体晶圆W的状态下，通过自第2面Wb的磨削加工将该晶圆减薄至规定厚度，形成包含多个半导体芯片31且被保持于晶圆加工用带T2的半导体晶圆分割体30B。本工序中，可以采用将晶圆磨削至分割槽30a其自身在第2面Wb侧露出为止的方法(第1方法)，也可以采用如下方法：从第2面Wb侧起磨削晶圆至即将到达分割槽30a，然后利用旋转磨石对晶圆的挤压力作用使分割槽30a与第2面Wb之间产生裂纹，从而形成半导体晶圆分割体30B的方法(第2方法)。根据所采用的方法适宜确定参照图2的(a)及图2的(b)的如上形成的分割槽30a的、自第1面Wa起的深度。图12中，用粗线示意性示出经由第1方法而成的分割槽30a、或经由第2方法而成的分割槽30a以及与其相连的裂纹。可以代替半导体晶圆30A而将如此制作的半导体晶圆分割体30B贴合于切割芯片接合薄膜X，然后进行参照图3～图6的上述各工序。
图13的(a)及图13的(b)具体示出将半导体晶圆分割体30B贴合于切割芯片接合薄膜X后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿着包括半导体晶圆分割体30B的径向和周向的二维方向对贴合有半导体晶圆分割体30B的切割芯片接合薄膜X的切割带20进行拉伸的方式进行扩展。该扩展以在切割带20中产生例如1～100Mpa的拉伸应力的条件来进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量例如为50～200mm。通过这样的冷却扩展工序，切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10被割断为小片的芯片接合薄膜11，从而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，本工序中，与要进行扩展的切割带20的粘合剂层22密合的芯片接合薄膜10在半导体晶圆分割体30B的各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽30a相对的位置处不产生这种变形抑制作用，在该状态下切割带20上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，芯片接合薄膜10中与半导体芯片31间的分割槽30a相对的位置被割断。如此得到的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31经过参照图6的上述拾取工序后被供于半导体装置制造过程的安装工序中。
本发明的半导体装置制造方法中，也可以代替半导体晶圆30A或半导体晶圆分割体30B贴合在切割芯片接合薄膜X的上述构成，而使如下操作制作的半导体晶圆30C贴合在切割芯片接合薄膜X。
半导体晶圆30C的制作中，首先，如图14的(a)及图14的(b)所示，在半导体晶圆W形成改性区域30b。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。本工序中，将具有粘合面T3a的晶圆加工用带T3贴合在半导体晶圆W的第1面Wa侧之后，以在晶圆加工用带T3上保持有半导体晶圆W的状态，从与晶圆加工用带T3相反的一侧对半导体晶圆W沿其预分割线照射聚光点对准晶圆内部的激光，利用由多光子吸收引起的消融在半导体晶圆W内形成改性区域30b。改性区域30b为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。关于通过激光照射在半导体晶圆中在预分割线上形成改性区域30b的方法，例如在日本特开2002-192370号公报中有详细记载，本实施方式中的激光照射条件例如在以下条件的范围内适宜调整。
<激光照射条件>
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透射率 100％以下
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下
接着，在晶圆加工用带T3保持有半导体晶圆W的状态下，通过自第2面Wb的磨削加工将半导体晶圆W减薄至规定的厚度，由此，如图14的(c)所示，形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30C(晶圆减薄工序)。可以代替半导体晶圆30A而将如上操作制作的半导体晶圆30C贴合在切割芯片接合薄膜X，并进行参照图3～图6的上述各工序。
图15的(a)及图15的(b)具体示出在将半导体晶圆30C贴合切割芯片接合薄膜X之后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带20并上升，以沿着包含半导体晶圆30C的径向和周向的二维方向对贴合有半导体晶圆30C的切割芯片接合薄膜X的切割带20进行拉伸的方式进行扩展。该扩展以使切割带20中产生例如1～100Mpa的拉伸应力的条件来进行。本工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量例如为50～200mm。通过这样的冷却扩展工序，切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜10被割断为小片的芯片接合薄膜11，从而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，本工序中，在半导体晶圆30C中脆弱的改性区域30b处形成裂纹，发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，本工序中，与要进行扩展的切割带20的粘合剂层22密合的芯片接合薄膜10中在半导体晶圆30C的各半导体芯片31所密合的各区域中，变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成位置相对的位置处不产生这种变形抑制作用，在该状态下切割带20中产生的拉伸应力发挥作用。其结果，芯片接合薄膜10中与半导体芯片31间的裂纹形成位置相对的位置被割断。如此得到的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31经过参照图6的上述拾取工序之后被供于半导体装置制造过程中的安装工序。
本发明人等发现：对于例如以上那样的半导体装置制造过程中可以使用的切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜10，针对宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下、断裂强度为15N以下、并且断裂伸长率为40～400％的上述构成即使在该芯片接合薄膜10比较厚的情况下也适合于使处于扩展工序的芯片接合薄膜10在其割断预定位置发生割断、并且抑制从切割带20上的飞散。例如，如后述的实施例及比较例所示。
对于芯片接合薄膜10的上述拉伸试验中的断裂伸长率为40～400％、优选为40～350％、更优选为40～300％的上述构成，认为在避免割断用的扩展工序中用于割断芯片接合薄膜10的拉伸长度变得过大且使该芯片接合薄膜10容易产生韧性断裂而非脆性断裂的方面是优选的。越是容易产生韧性断裂的芯片接合薄膜，在割断用扩展工序中割断用应力越容易传导至该薄膜的割断预定位置，因此，容易在割断预定位置被割断。
对于芯片接合薄膜10的上述拉伸试验中的屈服强度为15N以下、优选为12N以下、更优选为10N以下，且同一拉伸试验中的断裂强度为15N以下、优选为12N以下、更优选为10N以下的上述构成，认为在抑制割断用扩展工序中的芯片接合薄膜10的伸长过程及断裂过程中在该薄膜内部蓄积的应变能的方面是优选的。割断用扩展工序中，越是伸长过程及断裂过程中的内部蓄积应变能小的芯片接合薄膜，越不易产生在其露出区域(未被工件覆盖的区域)断裂而薄膜片飞散的现象。
如上所述，芯片接合薄膜10在以密合于切割带20的粘合剂层22侧的形态用于割断用扩展工序时，适于实现良好的割断且抑制飞散。另外，切割芯片接合薄膜X用于割断用扩展工序时，适于使芯片接合薄膜10实现良好的割断且抑制飞散。
芯片接合薄膜10的厚度如上所述优选为40μm以上、更优选为60μm以上、更优选为80μm以上。这种构成在使用芯片接合薄膜10作为半导体芯片包埋用的粘接薄膜、进行了接合线的部分包埋的半导体芯片间接合用的粘接薄膜的方面是适宜的。另外，芯片接合薄膜10的厚度优选为200μm以下、更优选为160μm以下、更优选为120μm以下。这种构成在避免芯片接合薄膜10的屈服强度、断裂强度、断裂伸长率变得过大而实现上述拉伸试验中的屈服强度为15N以下、断裂强度为15N以下、且断裂伸长率为40～400％的上述构成方面是优选的。
芯片接合薄膜10的未固化状态下的120℃时的粘度如上所述优选为300Pa·s以上、更优选为700Pa·s以上、更优选为1000Pa·s以上。芯片接合薄膜10的未固化状态下的120℃时的粘度优选为5000Pa·s以下、更优选为4500Pa·s以下、更优选为4000Pa·s以下。关于芯片接合薄膜10的未固化状态下的粘度和/或柔软度的这些构成在使用芯片接合薄膜10作为半导体芯片包埋用的粘接薄膜、进行了接合线的部分包埋的半导体芯片间接合用的粘接薄膜的方面是适宜的。
芯片接合薄膜10含有无机填料时的该无机填料含量如上所述优选为10质量％以上、更优选为20质量％以上、更优选为30质量％以上。另外，该含量优选为50质量％以下、更优选为45质量％以下、更优选为40质量％以下。有粘接剂层形成用薄膜内的无机填料含量越增大、该薄膜的断裂伸长率变得越小的倾向，并且有屈服强度变得越大的倾向，但是与芯片接合薄膜10中的无机填料含量有关的该构成对于抑制在芯片接合薄膜10的露出区域(未被工件覆盖的区域)中发生断裂而薄膜片飞散的上述现象是适宜的。
芯片接合薄膜10优选含有有机填料，芯片接合薄膜10中的有机填料的含量优选为2质量％以上、更优选为5质量％以上、更优选为8质量％以上。另外，芯片接合薄膜10含有有机填料时的该含量优选为20质量％以下、更优选为17质量％以下、更优选为15质量％以下。与芯片接合薄膜10中的有机填料含量有关的该构成在将芯片接合薄膜10的屈服强度及断裂强度控制在适当范围的方面是适宜的。
芯片接合薄膜10优选含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。这种构成在使芯片接合薄膜10实现上述拉伸试验中的屈服强度为15N以下的上述构成的方面是适宜的。
[实施例]
〔实施例1〕
〈芯片接合薄膜(DAF)的制作〉
将丙烯酸类树脂A1(商品名“Teisan Resin SG-708-6”，重均分子量为70万，玻璃化转变温度Tg为4℃，Nagase ChemteX Corporation制)18质量份、环氧树脂(商品名“KI-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)28质量份、酚醛树脂(商品名“LVR8210-DL”，群荣化学工业株式会社制)14质量份、无机填料(商品名“SE-2050MC”，二氧化硅，平均粒径为0.5μm，Admatechs Company制)40质量份、和作为固化催化剂的有机催化剂(商品名“TPP-MK”，北兴化学株式会社制)0.1质量份加入到甲乙酮中进行混合，得到粘接剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘接剂组合物，形成粘接剂组合物层。接着，在130℃下对该组合物层进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上制作了厚度100μm的实施例1的芯片接合薄膜。将实施例1以及后述的各实施例及各比较例中的芯片接合薄膜的组成记载于表1(表1中，表示芯片接合薄膜的组成的各数值的单位为该组成内的相对的“质量份”)。
〈切割带的制作〉
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯86.4质量份、丙烯酸2-羟基乙酯13.6质量份、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2质量份、和作为聚合溶剂的甲苯65质量份的混合物在61℃、氮气气氛下搅拌6小时(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸类聚合物P1的聚合物溶液。接着，将包含该含有丙烯酸类聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃、空气气氛下搅拌48小时(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量相对于上述丙烯酸类聚合物P1100质量份为14.6质量份，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸类聚合物P1100质量份为0.5质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸类聚合物P2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中，加入相对于丙烯酸类聚合物P2100质量份为2质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”，TOSOHCORPORATION制)、5质量份的光聚合引发剂(商品名“IRGACURE 651”，BASF公司制)并混合，得到粘合剂组合物。接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物，形成粘合剂组合物层。接着，在120℃下对该组合物层进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压机，在室温下对该粘合剂层的露出面贴合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“FUNCRARE NRB#115”，厚度115μm，GUNZE LIMITED制)。如以上那样制作切割带。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
将带有PET隔离体的实施例1的上述芯片接合薄膜冲切加工成直径330mm的圆形。接着，从该芯片接合薄膜剥离PET隔离体且从上述切割带剥离PET隔离体后，使用辊层压机将该切割带中露出的粘合剂层和芯片接合薄膜中由于PET隔离体的剥离而露出的面贴合。该贴合中，将贴合速度设为10mm/分钟、温度条件设为40℃、压力条件设为0.15MPa。接着，以切割带的中心与芯片接合薄膜的中心一致的方式，将如上操作与芯片接合薄膜贴合的切割带冲切加工成直径390mm的圆形。接着，对切割带的粘合剂层从EVA基材侧照射紫外线。紫外线照射中，使用高压汞灯，将照射累积光量设为400mJ/cm2。以上那样操作，制作了具有包含切割带和芯片接合薄膜的层叠结构的实施例1的切割芯片接合薄膜。
〔实施例2〕
使用丙烯酸类树脂A2(商品名“Teisan Resin SG-70L”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度Tg为-13℃，Nagase ChemteX Corporation制)18质量份代替丙烯酸类树脂A118质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例2的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该实施例2的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例2的切割芯片接合薄膜。
〔实施例3〕
使用丙烯酸类树脂A3(商品名“Teisan Resin SG-280”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度Tg为-29℃，Nagase ChemteX Corporation制)18质量份代替丙烯酸类树脂A118质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例3的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该实施例3的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例3的切割芯片接合薄膜。
〔实施例4〕
使用丙烯酸类树脂A2(商品名“Teisan Resin SG-70L”，Nagase ChemteXCorporation制)18质量份代替丙烯酸类树脂A118质量份，将环氧树脂(商品名“KI-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)的配混量设为22质量份来代替28质量份，将酚醛树脂(商品名“LVR8210-DL”，群荣化学工业株式会社制)的配混量设为10质量份来代替14质量份，以及将无机填料(商品名“SE-2050MC”，Admatechs Company制)的配混量设为50质量份来代替40质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例4的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该实施例4的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例4的切割芯片接合薄膜。
〔实施例5〕
将无机填料(商品名“SE-2050MC”，Admatechs Company制)的配混量设为30质量份来代替40质量份，以及进一步配混有机填料(商品名“Art Pearl J-4PY”，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，根上工业株式会社制)10质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例5的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该实施例5的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例5的切割芯片接合薄膜。
〔实施例6〕
使用丙烯酸类树脂A3(商品名“Teisan Resin SG-280”，Nagase ChemteXCorporation制)18质量份代替丙烯酸类树脂A118质量份，将无机填料(商品名“SE-2050MC”，Admatechs Company制)的配混量设为30质量份来代替40质量份，以及进一步配混有机填料(商品名“Art Pearl J-4PY”，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，根上工业株式会社制)10质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例6的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该实施例6的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例6的切割芯片接合薄膜。
〔实施例7〕
使用丙烯酸类树脂A3(商品名“Teisan Resin SG-280”，Nagase ChemteXCorporation制)18质量份代替丙烯酸类树脂A118质量份，将无机填料(商品名“SE-2050MC”，Admatechs Company制)的配混量设为30质量份来代替40质量份，进一步配混有机填料(商品名“Art Pearl J-4PY”，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，根上工业株式会社制)10质量份，以及将厚度设为200μm来代替100μm，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例7的芯片接合薄膜。另外，使用该实施例7的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了实施例7的切割芯片接合薄膜。
〔比较例1〕
将环氧树脂(商品名“KI-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)的配混量设为22质量份来代替28质量份，将酚醛树脂(商品名“LVR8210-DL”，群荣化学工业株式会社制)的配混量设为10质量份来代替14质量份，以及将无机填料(商品名“SE-2050MC”，AdmatechsCompany制)的配混量设为50质量份来代替40质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了比较例1的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该比较例1的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了比较例1的切割芯片接合薄膜。
〔比较例2〕
使用丙烯酸类树脂A2(商品名“Teisan Resin SG-70L”，Nagase ChemteXCorporation制)24质量份代替丙烯酸类树脂A118质量份，将环氧树脂(商品名“KI-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)的配混量设为24质量份来代替28质量份，以及将酚醛树脂(商品名“LVR8210-DL”，群荣化学工业株式会社制)的配混量设为12质量份来代替14质量份，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了比较例2的芯片接合薄膜(厚度100μm)。另外，使用该比较例2的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了比较例2的切割芯片接合薄膜。
〔比较例3〕
将厚度设为200μm来代替100μm，除此之外，与实施例1的芯片接合薄膜同样地操作，制作了比较例3的芯片接合薄膜。另外，使用该比较例3的芯片接合薄膜代替实施例1的上述芯片接合薄膜，除此之外，与实施例1的切割芯片接合薄膜同样地操作，制作了比较例3的切割芯片接合薄膜。
〈芯片接合薄膜的拉伸试验〉
针对从实施例1～7及比较例1～3的上述芯片接合薄膜切出的各芯片接合薄膜试验片(宽度10mm×长度30mm)，使用拉伸试验机(商品名“Autograph AGS-J”，株式会社岛津制作所制)进行拉伸试验，测定屈服强度、断裂强度及断裂伸长率。该拉伸试验中，初始卡盘间距为10mm，温度条件为23℃，拉伸速度为300mm/分钟。将测得的屈服强度(N)、断裂强度(N)及断裂伸长率(％)的各值记载于表1。
〈芯片接合薄膜的粘度测定〉
针对实施例1～7及比较例1～3的上述各芯片接合薄膜，测定未固化状态下的120℃时的粘度。具体而言，将从芯片接合薄膜采集的0.1g试样投入作为测定板的平行板(直径20mm)，使用流变仪(商品名“RS-1”，HAAKE公司制)、利用平行板法测定该试样的熔融粘度(Pa·s)。本测定中，平行板间的间隙为0.1mm，应变速度为5/秒，升温速度为10℃/分钟，测定温度范围为90～150℃。将测定结果记载于表1。
〈芯片接合薄膜的割断性和飞散的评价〉
使用实施例1～7及比较例1～3的上述各切割芯片接合薄膜，进行以下那样的贴合工序、用于割断的第1扩展工序(冷却扩展工序)、及用于分离的第2扩展工序(常温扩展工序)。
贴合工序中，将保持于晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)的半导体晶圆分割体贴合于切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜，然后，从半导体晶圆分割体剥离晶圆加工用带。贴合中，使用层压机，将贴合速度设为10mm/秒、温度条件设为50～80℃、压力条件设为0.15MPa。另外，半导体晶圆分割体是如下形成而准备的。首先，针对处于与环形框一同保持于晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”，日东电工株式会社制)的状态的裸晶圆(直径12英寸，厚度780μm，东京化工株式会社制)，使用切割装置(商品名“DFD6361”，DISCO Corporation制)利用其旋转刀片从裸晶圆的一面侧形成单片化用的分割槽(形成宽度25μm、深度50μm、一个分区6mm×12mm的格子状)。接着，将晶圆加工用带(商品名“UB-3083D”，日东电工株式会社制)贴合在分割槽形成面上后，从晶圆剥离上述晶圆加工用带(商品名“V12S-R2-P”)。然后，使用背面研磨装置(商品名“DGP8760”，DISCO Corporation制)，通过从晶圆的另一面(未形成分割槽的面)侧起的磨削将该晶圆减薄至厚度20μm，接着，通过使用同一装置进行的干法抛光对该磨削面实施镜面精加工。如以上那样操作，形成半导体晶圆分割体(处于保持于晶圆加工用带的状态)。该半导体晶圆分割体包含多个半导体芯片(6mm×12mm)。
冷却扩展工序使用芯片分离装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DISCOCorporation制)，通过其冷却扩展单元来进行。具体而言，首先，在室温下，在带有半导体晶圆分割体的上述切割芯片接合薄膜中的切割带粘合剂层上贴附直径12英寸的SUS制环形框(DISCO Corporation制)。然后，将该切割芯片接合薄膜设置于装置内，利用同一装置的冷却扩展单元，对带有半导体晶圆分割体的切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展。该冷却扩展工序中，温度为-15℃，扩展速度为300mm/秒，扩展量为10mm。
常温扩展工序使用芯片分离装置(商品名“Die Separator DDS2300”，DISCOCorporation制)，通过其常温扩展单元进行。具体而言，利用同一装置的常温扩展单元扩展经过了上述冷却扩展工序的带有半导体晶圆分割体的切割芯片接合薄膜的切割带。该常温扩展工序中，温度为23℃，扩展速度为1mm/秒，扩展量为10mm。然后，对于经过了常温扩展的切割芯片接合薄膜中的、比工件贴附区域靠外侧的周缘部实施加热收缩处理。
对于芯片接合薄膜的割断性，经过使用切割芯片接合薄膜进行的以上那样的过程之后，将割断预定线全部区域发生割断的情况评价为良(○)，否则评价为不良(×)。关于芯片接合薄膜的飞散，经过使用切割芯片接合薄膜进行的以上那样的过程之后，将从切割带上剥离而在半导体晶圆上确认到飞散的芯片接合薄膜片的情况评价为不良(×)，否则评价为良(○)。将这些评价结果记载于表1。
[评价]
利用实施例1～7的芯片接合薄膜时，在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中，能够实现良好的割断且抑制飞散。
[表1]

Claims (12)

1.一种芯片接合薄膜，其中，对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距离10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
2.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其具有40～200μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其在120℃下的粘度为300～5000Pa·s。
4.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，以10～50质量％的比例含有无机填料。
5.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，以2～20质量％的比例含有有机填料。
6.根据权利要求4所述的芯片接合薄膜，其中，以2～20质量％的比例含有有机填料。
7.根据权利要求1所述的芯片接合薄膜，其中，含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板上的第1半导体芯片和连接于该第1半导体芯片的接合线的整体或一部分一起包埋、且将第2半导体芯片与所述安装基板接合。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板上的第1半导体芯片的接合线连接部位覆盖并将该接合线的一部分包埋、且将第2半导体芯片与所述第1半导体芯片接合。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片接合薄膜，其用于形成粘接剂层，所述粘接剂层将倒装芯片安装于安装基板上的第1半导体芯片包埋、且将第2半导体芯片与所述安装基板接合。
11.一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和，
以能剥离的方式与所述切割带中的所述粘合剂层密合的、权利要求1至10中任一项所述的芯片接合薄膜。
12.一种半导体装置制造方法，其包括如下工序：
第1工序，在权利要求11记载的切割芯片接合薄膜中的所述芯片接合薄膜上贴合能单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆、或包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体；和，
第2工序，通过对所述切割芯片接合薄膜中的所述切割带进行扩展，从而将所述芯片接合薄膜割断而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。
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