TW201905995A - 切晶帶一體型接著性片材 - Google Patents

切晶帶一體型接著性片材

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Abstract

本發明提供一種切晶帶一體型接著性片材，其適於在為了藉由半導體晶圓之單片化獲得附接著性膜之半導體晶片而使用切晶帶一體型接著性片材進行之割斷用延伸步驟中實現接著性片材之良好之割斷。 本發明之切晶帶一體型接著性片材X具備切晶帶20及接著性片材。切晶帶20具有包含基材21與黏著劑層22之積層構造。接著性片材以能夠剝離之方式密接於切晶帶20之黏著劑層22。接著性片材例如為半導體晶片背面保護用膜10。接著性片材於在初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之接著性片材試片進行之拉伸試驗中之斷裂強度為1.2 N以下且斷裂伸長率為1.2%以下。

Description

切晶帶一體型接著性片材
本發明係關於一種可於半導體裝置之製造過程中使用之切晶帶一體型接著性片材。
於半導體裝置之製造過程中，有於對作為工件之半導體晶圓貼合與其對應之尺寸之切晶帶一體型接著性片材後，經由該半導體晶圓之單片化而獲得附接著性膜之半導體晶片之情形。作為切晶帶一體型接著性片材，可列舉切晶帶一體型背面保護膜、或所謂切晶黏晶膜等。切晶帶一體型背面保護膜具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及密接於其黏著劑層之背面保護膜，且係於獲得伴有半導體晶片背面保護用之與晶片相當之尺寸之接著性膜的半導體晶片之方面上使用。另一方面，切晶黏晶膜具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及密接於其黏著劑層之黏晶膜，且係於獲得伴有與晶片相當之尺寸之黏晶用接著膜的半導體晶片之方面上使用。關於與該等切晶帶一體型接著性片材相關之技術，例如記載於下述專利文獻1～4中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-2173號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-177401號公報 [專利文獻3]日本專利特開2011-151360號公報 [專利文獻4]日本專利特開2016-213244號公報
[發明所欲解決之問題]
作為使用切晶黏晶膜獲得附黏晶用接著膜之半導體晶片之方法之一，已知有經由用於將切晶黏晶膜中之切晶帶進行延伸而割斷黏晶膜之步驟的方法。於該方法中，首先，於切晶黏晶膜之黏晶膜上貼合作為工件之半導體晶圓。該半導體晶圓係例如以其後可隨著黏晶膜之割斷而被割斷從而單片化為複數個半導體晶片之方式被加工者。其次，為了以自切晶帶上之黏晶膜產生分別密接於半導體晶片之複數個接著膜小片之方式割斷該黏晶膜，將切晶黏晶膜之切晶帶進行延伸(割斷用延伸步驟)。於該延伸步驟中，於黏晶膜上之半導體晶圓之與黏晶膜割斷部位對應之部位亦產生割斷，於切晶黏晶膜或切晶帶上，半導體晶圓單片化為複數個半導體晶片。其次，於經過例如洗淨步驟後，各半導體晶片與密接於其之相當於晶片之尺寸之接著膜一併自切晶帶之下側由拾取機構之銷構件頂起後，自切晶帶上拾取。如此，可獲得附黏晶膜用接著膜之半導體晶片。該附接著膜之半導體晶片係經由該接著膜藉由黏晶固著於安裝基板。
於將切晶帶一體型接著性片材用於如上所述之割斷用延伸步驟之情形時，要求該切晶帶一體型接著性片材中之接著性片材於該延伸步驟中在割斷預定部位適當地被割斷。
本發明係基於如上情況而想出者，其目的在於提供一種切晶帶一體型接著性片材，該切晶帶一體型接著性片材適於在為了藉由半導體晶圓之單片化獲得附接著性膜之半導體晶片而使用切晶帶一體型接著性片材進行之割斷用延伸步驟中實現接著性片材之良好之割斷。 [解決問題之技術手段]
根據本發明，提供一種切晶帶一體型接著性片材。該切晶帶一體型接著性片材具備切晶帶及接著性片材。切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造。接著性片材以能夠剝離之方式密接於切晶帶中之黏著劑層。該接著性片材於在初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之接著性片材試片進行之拉伸試驗中之斷裂強度為1.2 N以下，較佳為1.1 N以下，更佳為1 N以下。與此同時，接著性片材於該拉伸試驗中之斷裂伸長率(斷裂時之擴展之長度相對於擴展前之長度之比率)為1.2%以下，較佳為1.1%以下，更佳為1%以下。此種構成之切晶帶一體型接著性片材可於半導體裝置之製造過程中使用。具體而言，本發明之切晶帶一體型接著性片材可作為對接著性片材採用所謂背面保護膜之構成而成之切晶帶一體型背面保護膜，於獲得伴有半導體晶片背面保護用之相當於晶片之尺寸之接著性膜的半導體晶片之方面使用。又，本發明之切晶帶一體型接著性片材可作為對接著性片材採用所謂黏晶膜之構成而成之切晶黏晶膜，於獲得伴有相當於晶片之尺寸之黏晶用接著膜之半導體晶片之方面使用。
關於本切晶帶一體型接著性片材中之接著性片材，如上所述，於初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之接著性片材試片進行之拉伸試驗中之斷裂強度為1.2 N以下，較佳為1.1 N以下，更佳為1 N以下。此種構成於半導體裝置之製造過程中在獲得附接著性膜之半導體晶片後使用本切晶帶一體型接著性片材實施割斷用延伸步驟之情形時，於抑制為了割斷切晶帶上之接著性片材而應作用於該接著性片材之割斷力之方面上較佳。
如上所述，關於本切晶帶一體型接著性片材中之接著性片材，於初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之接著性片材試片進行之拉伸試驗中之斷裂伸長率為1.2%以下，較佳為1.1%以下，更佳為1%以下。此種構成於半導體裝置之製造過程中在獲得附接著性膜之半導體晶片後使用本切晶帶一體型接著性片材實施割斷用延伸步驟之情形時，於抑制割斷切晶帶上之接著性片材所需之拉伸長度之方面上較佳。
如以上所述，本發明之切晶帶一體型接著性片材對於抑制為了隔斷切晶帶上之接著性片材而應作用於該接著性片材之割斷力較佳，並且對於抑制用於該割斷之接著性片材拉伸長度較佳。此種本切晶帶一體型接著性片材於用於藉由半導體晶圓之單片化而獲得附接著性膜之半導體晶片的割斷用延伸步驟中使用之情形時，適於實現接著性片材之良好之割斷。具體而言，如藉由下述實施例及比較例所揭示。
本切晶帶一體型接著性片材中之接著性片材較佳為具有包含以能夠剝離之方式密接於切晶帶之黏著劑層之第1層與該第1層上之第2層之積層構造。此種構成例如適於使接著性片材中切晶帶黏著劑層側表面所要求之特性及與該表面相反之工件貼合用表面所要求之特性個別地表現出來。又，就同時實現接著性片材之第1層及第2層所要求之功能之觀點而言，第1層之厚度相對於第2層之厚度之比的值較佳為0.2～4，更佳為0.2～1.5，更佳為0.3～1.3，更佳為0.6～1.1。
於本切晶帶一體型接著性片材中之接著性片材為背面保護膜之情形時，較佳為上述第1層具有熱硬化性且上述第2層具有熱塑性。於本發明中，第1層具有熱硬化性之構成於背面保護膜之第1層表面被實施利用雷射標記之刻印後經過所謂回焊步驟等高溫過程之情形時，適於確保刻印資訊之視認性。又，於本發明中，第1層具有熱硬化性且另一方面第2層顯示出熱塑性之構成較背面保護膜包含例如單一之熱硬化性層之構成，更適於在上述割斷用延伸步驟中實現背面保護膜之良好之割斷。即，背面保護膜中第1層具有熱硬化性且第2層顯示出熱塑性的上述構成於背面保護膜中，於兼顧刻印資訊之視認性之確保與良好之割斷性之實現之方面上較佳。
圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型接著性片材X之剖視模式圖。切晶帶一體型接著性片材X係可於半導體裝置之製造過程中使用者，具有包含作為接著性片材之膜10與切晶帶20之積層構造。於本實施形態中，膜10係貼合於作為工件之半導體晶圓等之電路非形成面即背面的背面保護膜。切晶帶20具有包含基材21與黏著劑層22之積層構造。黏著劑層22於膜10側具有黏著面22a。膜10以能夠剝離之方式密接於黏著劑層22或其黏著面22a。又，切晶帶一體型接著性片材X具有與作為工件之半導體晶圓等對應之尺寸之圓盤形狀。此種切晶帶一體型接著性片材X具體而言，係可作為切晶帶一體型背面保護膜而用於用以獲得伴有半導體晶片背面保護用之相當於晶片之尺寸之接著性膜的半導體晶片之例如如下所述之延伸步驟者。
作為背面保護膜之膜10具有包含雷射標記層11(第1層)與晶圓安裝層12(第2層)之積層構造。雷射標記層11於膜10中位於切晶帶20側且密接於切晶帶20。於半導體裝置之製造過程中對雷射標記層11之切晶帶20側之表面施以雷射標記。又，於本實施形態中，雷射標記層11含有熱硬化性成分而處於已熱硬化之狀態。晶圓安裝層12於膜10中位於供貼合半導體晶圓等工件之側，於本實施形態中處於未硬化狀態且顯示出熱塑性。
膜10中之雷射標記層11可具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有包含伴有可與硬化劑反應而產生鍵之熱硬化性官能基的熱塑性樹脂之組成。
作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。雷射標記層11可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂存在可能導致由膜10以下述方式形成之背面保護膜之保護對象即半導體晶片之腐蝕的離子性雜質等之含量較少之傾向，因此作為膜10之雷射標記層11中之熱硬化性樹脂較佳。又，作為用以使環氧樹脂表現出熱硬化性之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂。作為環氧樹脂，亦可列舉乙內醯脲型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯型環氧樹脂、及縮水甘油胺型環氧樹脂。又，雷射標記層11可含有一種環氧樹脂，亦可含有兩種以上之環氧樹脂。
酚樹脂係作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，作為此種酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂。又，作為該酚樹脂，亦可列舉：可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為雷射標記層11中之酚樹脂尤佳者為苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂。又，雷射標記層11可含有一種酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可含有兩種以上之酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑。
於雷射標記層11含有環氧樹脂及作為其硬化劑之酚樹脂之情形時，兩種樹脂係以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量、更佳為0.8～1.2當量的比率調配。此種構成於在雷射標記層11之硬化時使該環氧樹脂及酚樹脂之硬化反應充分進行之方面上較佳。
就使雷射標記層11適當地硬化之觀點而言，雷射標記層11中之熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。
雷射標記層11中之熱塑性樹脂係例如承擔黏合劑功能者，作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。雷射標記層11可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為雷射標記層11中之熱塑性樹脂較佳。
雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。
作為用以構成丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系樹脂之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，丙烯酸系樹脂可使用於形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。
關於丙烯酸系樹脂，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可將能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可列舉含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈。作為含羧基單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含環氧基單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基單體，例如可列舉2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。
雷射標記層11中所含之丙烯酸系樹脂較佳為自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯、及丙烯酸縮水甘油酯中適當選擇之單體之共聚物。此種構成於作為背面保護膜之膜10中，在同時實現利用雷射標記之刻印資訊之視認性與割斷用延伸步驟中之下述良好之割斷性之方面上較佳。
於雷射標記層11具有包含伴有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以構成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與上文中作為雷射標記層11中含有之丙烯酸系樹脂之構成單體敍述者相同之(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為用以構成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。於該等中，可適宜地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可適宜地使用含有縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含有羧基之丙烯酸系樹脂。又，對應於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用與上文中作為環氧樹脂用硬化劑敍述者相同之酚樹脂。
用以形成雷射標記層11之組合物較佳為含有熱硬化觸媒。對雷射標記層形成用組合物調配熱硬化觸媒於在雷射標記層11之硬化時使樹脂成分之硬化反應充分進行、或提高硬化反應速度之方面上較佳。作為此種熱硬化觸媒，例如可列舉咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵代硼烷系化合物。作為咪唑系化合物，例如可列舉：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基均三異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、及2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑。作為三苯基膦系化合物，例如可列舉：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、溴化四苯基鏻、溴化甲基三苯基鏻、氯化甲基三苯基鏻、氯化甲氧基甲基三苯基鏻、及氯化苄基三苯基鏻。三苯基膦系化合物亦包含一併具有三苯基膦結構與三苯基硼烷結構之化合物。作為此種化合物，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻四對甲苯基硼酸酯、苄基三苯基鏻四苯基硼酸酯、及三苯基膦三苯基硼烷。作為胺系化合物，例如可列舉：單乙醇胺三氟硼酸酯及二氰基二醯胺。作為三鹵代硼烷系化合物，例如可列舉三氯硼烷。雷射標記層形成用組合物可含有一種熱硬化觸媒，亦可含有兩種以上之熱硬化觸媒。
雷射標記層11亦可含有填料。對雷射標記層11調配填料於調整雷射標記層11之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面上較佳。作為填料，可列舉無機填料及有機填料。作為無機填料之構成材料，例如可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、及非晶質二氧化矽。作為無機填料之構成材料，亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等單質金屬、或合金、非晶形碳、石墨等。作為有機填料之構成材料，例如可列舉：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、及聚酯醯亞胺。雷射標記層11可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、片狀等各種形狀。雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.05～1 μm。該填料之平均粒徑為10 μm以下之構成於在雷射標記層11中獲得充分之填料添加效果並且確保耐熱性之方面上較佳。填料之平均粒徑例如可使用光度式粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)求出。又，雷射標記層11含有填料之情形時之該填料之含量較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。該含量較佳為50質量%以下，更佳為47質量%以下，更佳為45質量%以下。
雷射標記層11於本實施形態中含有著色劑。著色劑可為顏料，亦可為染料。作為著色劑，例如可列舉黑系著色劑、青色系著色劑、洋紅系著色劑、及黃色系著色劑。就實現藉由雷射標記刻印於雷射標記層11之資訊之較高之視認性之方面，雷射標記層11較佳為含有黑系著色劑。作為黑系著色劑，例如可列舉：碳黑、石墨(black lead)、氧化銅、二氧化錳、偶氮甲鹼偶氮黑等偶氮系顏料、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色染料、及偶氮系有機黑色染料。作為碳黑，例如可列舉：爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑、及燈黑。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、及C.I.溶劑黑70。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、及C.I.直接黑71。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、及C.I.酸性黑154。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、及C.I.分散黑24。作為黑系著色劑，亦可列舉C.I.顏料黑1及C.I.顏料黑7。雷射標記層11可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，雷射標記層11中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成於實現藉由雷射標記刻印於雷射標記層11之資訊之較高之視認性之方面上較佳。
雷射標記層11亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。作為阻燃劑，例如可列舉三氧化銻、五氧化銻、及溴化環氧樹脂。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。作為離子捕捉劑，例如可列舉：鋁碳酸鎂類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 600」)、及矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 700」)。於金屬離子之間可形成錯合物之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉***系化合物、四唑系化合物、及聯吡啶系化合物。於該等中，就於金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為***系化合物。作為此種***系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并***、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并***、羧基苯并***、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并***、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并***、6-(2-苯并***基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2,3-二羥基丙基)苯并***、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并***、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并***、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并***-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并***、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸辛酯、2-乙基己基-3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并***-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并***-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并***-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并***、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并***、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并***、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并***、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并***、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并***-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并***、及3-[3-(2H-苯并***-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯。又，氫醌化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、及鄰苯三酚。
膜10中之晶圓安裝層12可具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂作為樹脂成分之組成，亦可具有包含伴有可與硬化劑反應而產生鍵之熱硬化性官能基的熱塑性樹脂之組成。
作為晶圓安裝層12具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。晶圓安裝層12可含有一種熱硬化性樹脂，亦可含有兩種以上之熱硬化性樹脂。環氧樹脂具有可能導致由膜10以下述方式形成之背面保護膜之保護對象即半導體晶片之腐蝕的離子性雜質等之含量較少之傾向，因此作為膜10之晶圓安裝層12中之熱硬化性樹脂較佳。
作為晶圓安裝層12中之環氧樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱硬化性樹脂即環氧樹脂敍述者。苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂由於與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充分且耐熱性優異，故而作為晶圓安裝層12中之環氧樹脂較佳。
作為可用作晶圓安裝層12中之環氧樹脂之硬化劑之酚樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之環氧樹脂之硬化劑即酚樹脂敍述者。晶圓安裝層12可含有一種酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑，亦可含有兩種以上之酚樹脂作為環氧樹脂之硬化劑。
於晶圓安裝層12含有環氧樹脂及作為其硬化劑之酚樹脂之情形時，兩種樹脂係以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量，更佳為0.8～1.2當量的比率調配。此種構成於在使晶圓安裝層12硬化之情形時使該環氧樹脂及酚樹脂之硬化反應充分進行之方面上較佳。
就使晶圓安裝層12適當硬化之觀點而言，晶圓安裝層12中之熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。
晶圓安裝層12中之熱塑性樹脂係例如承擔黏合劑功能者。作為晶圓安裝層12具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之該熱塑性樹脂，例如可列舉上文中作為雷射標記層11具有含有熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之組成之情形時之熱塑性樹脂敍述者。晶圓安裝層12可含有一種熱塑性樹脂，亦可含有兩種以上之熱塑性樹脂。丙烯酸系樹脂由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故而作為晶圓安裝層12中之熱塑性樹脂較佳。
晶圓安裝層12含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以構成此種丙烯酸系樹脂之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可使用上文中作為雷射標記層11含有丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂之情形時之該丙烯酸系樹脂之構成單體敍述之(甲基)丙烯酸酯。作為晶圓安裝層12中之丙烯酸系樹脂之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。又，關於該丙烯酸系樹脂，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可將能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體作為構成單體。作為此種單體，例如可使用上文中作為能夠與用以構成雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體敍述者。
晶圓安裝層12中所含之丙烯酸系樹脂較佳為自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯、及丙烯酸縮水甘油酯中適當選擇之單體之共聚物。此種構成於作為背面保護膜之膜10中在同時實現對工件之接著性與割斷用延伸步驟中之下述良好之割斷性之方面上較佳。
於晶圓安裝層12具有包含伴有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以構成該含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與上文中作為雷射標記層11中所含有之丙烯酸系樹脂之構成單體敍述者相同之(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為用以構成含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。於該等中，可適宜地使用縮水甘油基及羧基。又，對應於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基之種類，選擇可與其反應之硬化劑。於含有熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可使用與上文中作為環氧樹脂用硬化劑敍述者相同之酚樹脂。
用以形成晶圓安裝層12之組合物較佳為不含有熱硬化觸媒。於在用以形成晶圓安裝層12之組合物中調配熱硬化觸媒之情形時，作為該熱硬化觸媒，例如可使用上文中作為可調配於雷射標記層形成用組合物中之熱硬化觸媒敍述者。
晶圓安裝層12亦可含有填料。對晶圓安裝層12調配填料於調整晶圓安裝層12之彈性模數、或降伏點強度、斷裂伸長率等物性之方面上較佳。作為晶圓安裝層12中之填料，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之填料敍述者。晶圓安裝層12可含有一種填料，亦可含有兩種以上之填料。該填料可具有球狀、針狀、片狀等各種形狀。晶圓安裝層12含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.05～1 μm。該填料之平均粒徑為10 μm以下之構成於在晶圓安裝層12中獲得充分之填料添加效果並且確保耐熱性之方面上較佳。又，晶圓安裝層12含有填料之情形時之該填料之含量較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，更佳為20質量%以上。該含量較佳為50質量%以下，更佳為47質量%以下，更佳為45質量%以下。
晶圓安裝層12亦可含有著色劑。作為晶圓安裝層12中之著色劑，例如可列舉上文中作為雷射標記層11中之著色劑敍述者。就於膜10中之雷射標記層11側之利用雷射標記所形成之刻印部位與其以外之部位之間確保較高之對比度而實現該刻印資訊之良好之視認性之方面而言，晶圓安裝層12較佳為含有黑系著色劑。晶圓安裝層12可含有一種著色劑，亦可含有兩種以上之著色劑。又，晶圓安裝層12中之著色劑之含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上。該含量較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，更佳為5重量%以下。關於著色劑含量之該等構成於實現利用雷射標記所形成之刻印資訊之上述良好之視認性之方面上較佳。
晶圓安裝層12亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉上文關於雷射標記層11具體地敍述之阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。
具有包含雷射標記層11及晶圓安裝層12之積層構造之膜10之厚度較佳為8 μm以上，更佳為10 μm以上，且較佳為20 μm以下，更佳為15 μm以下。而且，雷射標記層11(第1層)之厚度相對於晶圓安裝層12(第2層)之厚度之比的值較佳為0.2～4，更佳為0.2～1.5，更佳為0.3～1.3，更佳為0.6～1.1。
如上之膜10(作為背面保護膜之接著性片材)於在初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之膜試片(接著性片材試片)進行之拉伸試驗中之斷裂強度為1.2 N以下，較佳為1.1 N以下，更佳為1 N以下。與此同時，膜10於該拉伸試驗中之斷裂伸長率(斷裂時之擴展之長度相對於擴展前之長度之比率)為1.2%以下，較佳為1.1%以下，更佳為1%以下。關於該等斷裂強度及斷裂伸長率，可於使用TMA試驗機(商品名「TMA Q400」，TA Instruments公司製造)進行之拉伸試驗中測定。於本測定中，針對自膜10切出並設置於使用試驗機之試片，於在-15℃下經過5分鐘之保持後，將該試驗機之作動模式設為拉伸模式，如上所述於初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下進行拉伸試驗。膜10之斷裂強度之調整及斷裂伸長率之調整可藉由膜10內之各層所含之丙烯酸系樹脂等熱塑性樹脂之構成單體組成之調整、或膜10內之各層之厚度之調整等而進行。
切晶帶一體型接著性片材X中之切晶帶20之基材21係於切晶帶20或切晶帶一體型接著性片材X中作為支持體發揮功能之要素。基材21例如為塑膠基材，作為該塑膠基材，可適宜地使用塑膠膜。作為塑膠基材之構成材料，例如可列舉聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯。基材21可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材21可具有單層構造，亦可具有多層構造。於基材21上之黏著劑層22如下述般為紫外線硬化性之情形時，較佳為基材21具有紫外線透過性。於基材21包含塑膠膜之情形時，可為未延伸膜，可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。於本實施形態中，較佳為基材21為聚氯乙烯製基材或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物製基材。
於在使用切晶帶一體型接著性片材X時藉由例如局部加熱使切晶帶20或基材21收縮之情形時，較佳為基材21具有熱收縮性。又，於基材21包含塑膠膜之情形時，就可使切晶帶20或基材21實現各向同性熱收縮性之方面而言，基材21較佳為雙軸延伸膜。切晶帶20或基材21於在加熱溫度100℃及加熱處理時間60秒之條件下進行加熱處理試驗所得之熱收縮率較佳為2～30%，更佳為2～25%，更佳為3～20%，更佳為5～20%。該熱收縮率係指所謂MD(Machine Direction，縱向)方向之熱收縮率及所謂TD(Transverse Direction，橫向)方向之熱收縮率之至少一種熱收縮率。
基材21中之黏著劑層22側之表面亦可實施用於提高與黏著劑層22之密接性之物理處理、化學處理、或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉電暈處理、電漿處理、噴砂消光加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉鉻酸處理。
關於基材21之厚度，就確保用以使基材21作為切晶帶20或切晶帶一體型接著性片材X中之支持體發揮功能之強度的觀點而言，較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，更佳為60 μm以上。又，就於切晶帶20或切晶帶一體型接著性片材X中實現適度之可撓性之觀點而言，基材21之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。
切晶帶20之黏著劑層22含有黏著劑。該黏著劑可為於切晶帶一體型接著性片材X之使用過程中能夠藉由來自外部之作用而刻意地使黏著力降低之黏著劑(黏著力可降低型黏著劑)，亦可為於切晶帶一體型接著性片材X之使用過程中黏著力幾乎不會因來自外部之作用而降低或完全不會降低之黏著劑(黏著力不降低型黏著劑)。關於使用黏著力可降低型黏著劑亦或使用黏著力不降低型黏著劑作為黏著劑層22中之黏著劑，可視使用切晶帶一體型接著性片材X進行單片化之半導體晶片之單片化之方法或條件等切晶帶一體型接著性片材X之使用態樣而適當選擇。
於使用黏著力可降低型黏著劑作為黏著劑層22中之黏著劑之情形時，於切晶帶一體型接著性片材X之使用過程中，可分開使用黏著劑層22顯示出相對較高之黏著力之狀態與顯示出相對較低之黏著力之狀態。例如，於將切晶帶一體型接著性片材X用於下述延伸步驟時，為了抑制、防止膜10自黏著劑層22***或剝離而利用黏著劑層22之高黏著力狀態，另一方面，其後於用以自切晶帶一體型接著性片材X之切晶帶20拾取附膜之半導體晶片之下述拾取步驟中，為了容易自黏著劑層22拾取附膜之半導體晶片而利用黏著劑層22之低黏著力狀態。
作為此種黏著力可降低型黏著劑，例如可列舉於切晶帶一體型接著性片材X之使用過程中能夠藉由放射線照射而硬化之黏著劑(放射線硬化性黏著劑)或加熱發泡型黏著劑等。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力可降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力可降低型黏著劑。又，可為黏著劑層22之整體由黏著力可降低型黏著劑所形成，亦可為黏著劑層22之一部分由黏著力可降低型黏著劑所形成。例如於黏著劑層22具有單層構造之情形時，可為黏著劑層22之整體由黏著力可降低型黏著劑所形成，亦可為黏著劑層22之特定部位(例如作為工件之貼合對象區域之中央區域)由黏著力可降低型黏著劑所形成，且其他部位(例如為環狀框之貼合對象區域且位於中央區域之外側之區域)由黏著力不降低型黏著劑所形成。又，於黏著劑層22具有多層構造之情形時，可為構成多層構造之所有層由黏著力可降低型黏著劑所形成，亦可為多層構造中之一部分層由黏著力可降低型黏著劑所形成。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤其適宜地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如可列舉含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性單體成分或低聚物成分的添加型放射線硬化性黏著劑。
上述丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為用以構成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯、即作為丙烯酸系聚合物之構成單體之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯，更具體而言，可列舉與上文關於膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂所敍述者相同之(甲基)丙烯酸酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，較佳可列舉丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸月桂酯。又，就使黏著劑層22適當地表現出依存於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之全部構成單體中之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。
關於丙烯酸系聚合物，例如為了改善其凝聚力或耐熱性，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚之一種或兩種以上之其他單體的單體單元。作為此種單體，例如可列舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含環氧基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、及丙烯腈，更具體而言，可列舉上文中作為能夠與用以構成膜10之雷射標記層11中之丙烯酸系樹脂的(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體敍述者。
關於丙烯酸系聚合物，為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸酯」及/或「甲基丙烯酸酯」。作為丙烯酸系聚合物之構成單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就使黏著劑層22適當地表現出依存於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，丙烯酸系聚合物之全部構成單體中之多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。
丙烯酸系聚合物可使用於形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。就使用切晶帶20或切晶帶一體型接著性片材X之半導體裝置製造方法中之高度之清潔性之觀點而言，較佳為切晶帶20或切晶帶一體型接著性片材X中之黏著劑層22中之低分子量物質較少，因此丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。
為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，黏著劑層22或用以構成其之黏著劑例如亦可含有外部交聯劑。作為用於與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物進行反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層22或用以構成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份以下，更佳為0.1～5質量份。
作為用以構成放射線硬化性黏著劑之上述放射線聚合性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以構成放射線硬化性黏著劑之上述放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，適宜為分子量100～30000左右者。放射線硬化性黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可使要形成之黏著劑層22之黏著力適當降低之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，較佳為5～500質量份，更佳為40～150質量份。又，作為添加型放射線硬化性黏著劑，例如亦可使用日本專利特開昭60-196956號公報所揭示者。
作為用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑，例如亦可列舉含有在聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型放射線硬化性黏著劑。此種內在型放射線硬化性黏著劑於抑制因所要形成之黏著劑層22內之低分子量成分之移動所產生之黏著特性之非意圖之經時變化的方面較佳。
作為內在型放射線硬化性黏著劑中所含有之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為構成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述丙烯酸系聚合物。作為放射線聚合性之碳-碳雙鍵對丙烯酸系聚合物之導入方法，例如可列舉如下方法，即，於使包含具有特定之官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與第1官能基之間產生反應而進行鍵結之特定之官能基(第2官能基)與放射線聚合性碳-碳雙鍵的化合物於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。於該等組合中，就追蹤反應之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、或異氰酸基與羥基之組合。又，由於製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物於技術上難度較高，故而就丙烯酸系聚合物之製作或獲取之容易性之觀點而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於此情形時，作為一併具有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物、即含有放射線聚合性之不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。
用於黏著劑層22之放射線硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香***、安息香異丙醚、及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、及2,4-二異丙基9-氧硫。黏著劑層22中之放射線硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。
用於黏著劑層22之上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而進行發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微小球等)之黏著劑。作為發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑。作為熱膨脹性微小球，例如可列舉將藉由加熱容易氣化而膨脹之物質封入至殼內而成之構成之微小球。作為無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、氫化硼鈉、及疊氮類。作為有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟烷烴、偶氮二異丁腈或偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物、對甲苯磺醯肼或二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物、對甲苯磺醯胺基脲或4,4'-氧基雙(苯磺醯胺基脲)等胺基脲系化合物、5-啉基-1,2,3,4-硫代***等***系化合物、以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。作為用以構成如上所述之熱膨脹性微小球之藉由加熱容易氣化而膨脹之物質，例如可列舉異丁烷、丙烷、及戊烷。藉由利用凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱容易氣化而膨脹之物質封入至殼形成物質內，可製作熱膨脹性微小球。作為殼形成物質，可使用顯示出熱熔融性之物質、或可藉由封入物質之熱膨脹之作用而破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、及聚碸。
作為上述黏著力不降低型黏著劑，例如可列舉預先藉由放射線照射使上文關於黏著力可降低型黏著劑所敍述之放射線硬化性黏著劑硬化之形態之黏著劑、或所謂感壓型黏著劑等。放射線硬化性黏著劑根據其含有之聚合物成分之種類及含量，即便於經放射線硬化而降低了黏著力之情形時，亦可顯示出由該聚合物成分所產生之黏著性，而能夠於特定之使用態樣中發揮能夠用於黏著保持被著體之黏著力。於本實施形態之黏著劑層22中，可使用一種黏著力不降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力不降低型黏著劑。又，可為黏著劑層22之整體由黏著力不降低型黏著劑所形成，亦可為黏著劑層22之一部分由黏著力不降低型黏著劑所形成。例如於黏著劑層22具有單層構造之情形時，可為黏著劑層22之整體由黏著力不降低型黏著劑所形成，亦可為如上所述，黏著劑層22之特定部位(例如環狀框之貼合對象區域且位於晶圓之貼合對象區域之外側之區域)由黏著力不降低型黏著劑形成，且其他部位(例如作為晶圓之貼合對象區域之中央區域)由黏著力可降低型黏著劑所形成。又，於黏著劑層22具有多層構造之情形時，可為構成多層構造之所有層由黏著力不降低型黏著劑所形成，亦可為多層構造中之一部分層由黏著力不降低型黏著劑所形成。
另一方面，作為用於黏著劑層22之感壓型黏著劑，例如可使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層22含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物較佳為以質量比率計含有最多之源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可列舉上文關於放射線硬化性黏著劑所敍述之丙烯酸系聚合物。
黏著劑層22或用以構成其之黏著劑除含有上述各成分以外，亦可含有交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、顏料或染料等著色劑等。著色劑亦可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。
黏著劑層22之厚度較佳為2～20 μm，更佳為3～17 μm，更佳為5～15 μm。此種構成例如於在黏著劑層22含有放射線硬化性黏著劑之情形時取得該黏著劑層22在放射線硬化前後對膜10之接著力之平衡之方面上較佳。
具有如上構成之切晶帶一體型接著性片材X例如可藉由以下方式進行製造。
於切晶帶一體型接著性片材X中之膜10之製作中，首先，分別製作構成雷射標記層11之樹脂膜(第1樹脂膜)與構成晶圓安裝層12之樹脂膜(第2樹脂膜)。第1樹脂膜可藉由如下方式製作，即，於將雷射標記層形成用樹脂組合物塗佈於特定之隔離件上而形成樹脂組合物層後，藉由加熱使該組合物層乾燥及硬化。作為隔離件，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、以及藉由氟系剝離劑或長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙類等。作為樹脂組合物之塗佈方法，例如可列舉滾筒塗敷、網版塗敷、及凹版塗敷。於第1樹脂膜之製作中，加熱溫度例如為90～160℃，加熱時間例如為2～4分鐘。另一方面，第2樹脂膜可藉由如下方式製作，即，於將晶圓安裝層形成用樹脂組合物塗佈於特定之隔離件上而形成樹脂組合物層後，藉由加熱使該組合物層乾燥。於第2樹脂膜之製作中，加熱溫度例如為90～150℃，加熱時間例如為1～2分鐘。藉由以上方式，可以分別伴有隔離件之形態製作上述第1及第2樹脂膜。然後，將該等第1及第2樹脂膜之露出面彼此貼合。藉此，製作具有雷射標記層11與晶圓安裝層12之積層構造之上述膜10。
關於切晶帶一體型接著性片材X之切晶帶20，可藉由在所準備之基材21上設置黏著劑層22而製作。例如樹脂製基材21可藉由軋光機製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠壓法、T模擠壓法、共擠壓法、乾式層壓法等製膜方法而製作。視需要對製膜後之膜或基材21實施特定之表面處理。於黏著劑層22之形成時，例如於製備黏著劑層形成用黏著劑組合物後，首先，將該組合物塗佈於基材21上或特定之隔離件上而形成黏著劑組合物層。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉滾筒塗敷、網版塗敷、及凹版塗敷。其次，於該黏著劑組合物層中，視需要藉由加熱使其乾燥，又，視需要使其產生交聯反應。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於在隔離件上形成黏著劑層22之情形時，將伴有該隔離件之黏著劑層22貼合於基材21，其後將隔離件剝離。藉此，製作具有基材21與黏著劑層22之積層構造之上述切晶帶20。
於切晶帶一體型接著性片材X之製作中，其次，將膜10之雷射標記層11側貼合於切晶帶20之黏著劑層22側。貼合溫度例如為30～50℃，貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm。於黏著劑層22含有如上所述之放射線硬化性黏著劑之情形時，可於該貼合前對黏著劑層22照射紫外線等放射線，亦可於該貼合後自基材21之側對黏著劑層22照射紫外線等放射線。或者，於切晶帶一體型接著性片材X之製造過程中，亦可不進行此種放射線照射(於此情形時，可於切晶帶一體型接著性片材X之使用過程中使黏著劑層22放射線硬化)。於黏著劑層22為紫外線硬化型之情形時，用於使黏著劑層22硬化之紫外線照射量例如為50～500 mJ/cm2 。切晶帶一體型接著性片材X中進行作為黏著劑層22之黏著力降低措施之照射之區域(照射區域R)係如例如圖1所示般黏著劑層22之貼合膜10之區域內之除其周緣部以外之區域。
藉由以上方式，可製作切晶帶一體型接著性片材X。於切晶帶一體型接著性片材X中，亦可於膜10側以至少被覆膜10之形態設置有隔離件(省略圖示)。於膜10之尺寸小於切晶帶20之黏著劑層22且於黏著劑層22存在未貼合膜10之區域之情形時，例如隔離件亦可以至少被覆膜10及黏著劑層22之形態設置。隔離件係用於保護膜10或黏著劑層22避免其露出之要素，於使用切晶帶一體型接著性片材X時自該膜剝離。
圖2至圖7表示使用上述切晶帶一體型接著性片材X之半導體裝置製造方法之一例。
於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖2(a)及圖2(b)所示，於半導體晶圓W形成改質區域30a。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W之第1面Wa側已製作各種半導體元件(省略圖示)，且於第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)。本步驟中，於將具有黏著面T1a之晶圓加工用帶T1貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於在晶圓加工用帶T1保持有半導體晶圓W之狀態下，自與晶圓加工用帶T1相反之側對半導體晶圓W沿其分割預定線照射聚光點對準晶圓內部之雷射光，因利用多光子吸收之剝蝕而於半導體晶圓W內形成改質區域30a。改質區域30a係用以使半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之脆弱化區域。關於在半導體晶圓中藉由雷射光照射而於分割預定線上形成改質區域30a之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中進行有詳細敍述，因此本實施形態中之雷射光照射條件例如於以下之條件之範圍內適當調整。
[雷射光照射條件] (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG(Neodymium-doped Yttrium Aluminium Garnet，摻釹釔鋁石榴石)雷射 波長 1064 nm 雷射光斑截面積 3.14×10-8 cm2 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz以下 脈衝寬度 1 μs以下 輸出 1 mJ以下 雷射光品質 TEM00 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 100倍以下 NA 0.55 對於雷射光波長之透過率 100%以下 (C)載置半導體基板之載置台之移動速度 280 mm/秒以下
其次，於在晶圓加工用帶T1保持有半導體晶圓W之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工將半導體晶圓W薄化至特定之厚度，藉此，如圖2(c)所示，形成可單片化為複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A(晶圓薄化步驟)。於半導體晶圓30A中，改質區域30a於第2面Wb側露出。
其次，如圖3(a)所示，將保持於晶圓加工用帶T1之半導體晶圓30A貼合於切晶帶一體型接著性片材X之膜10或其晶圓安裝層12。其後，如圖3(b)所示，自半導體晶圓30A剝離晶圓加工用帶T1。
例如其後，自切晶帶20之基材21之側對切晶帶一體型接著性片材X中之膜10之雷射標記層11照射雷射而進行雷射標記(雷射標記步驟)。藉由該雷射標記，對其後單片化為半導體晶片之每個半導體元件賦予文字資訊或圖形資訊等各種資訊。於本步驟中，可於一個雷射標記製程中對半導體晶圓30A內之多個半導體元件一併高效率地進行雷射標記。作為本步驟中使用之雷射，例如可列舉氣體雷射及固體雷射。作為氣體雷射，例如可列舉二氧化碳雷射(CO2 雷射)及準分子雷射。作為固體雷射，例如可列舉Nd：YAG雷射。
於切晶帶一體型接著性片材X中之黏著劑層22為放射線硬化性黏著劑層之情形時，亦可代替切晶帶一體型接著性片材X之製造過程中之上述放射線照射，而於將半導體晶圓30A貼合於膜10後，自基材21之側對黏著劑層22照射紫外線等放射線。照射量例如為50～500 mJ/cm2 。切晶帶一體型接著性片材X中進行作為黏著劑層22之黏著力降低措施之照射之區域(圖1所示之照射區域R)例如為黏著劑層22之貼合膜10之區域內之除其周緣部以外之區域。
其次，於在切晶帶一體型接著性片材X中之黏著劑層22上貼附環狀框41後，如圖4(a)所示，將伴有半導體晶圓30A之該切晶帶一體型接著性片材X固定於延伸裝置之保持器42。
其次，如圖4(b)所示般進行相對低溫之條件下之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)，將半導體晶圓30A單片化為複數個半導體晶片31，並且將切晶帶一體型接著性片材X之膜10割斷為小片之膜10'，獲得附膜之半導體晶片31。本步驟中，將延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶帶一體型接著性片材X之圖中下側抵接於切晶帶20並上升，將貼合有半導體晶圓30A之切晶帶一體型接著性片材X之切晶帶20以沿包含半導體晶圓30A之徑向及圓周方向之二維方向拉伸之方式延伸。該延伸係於在切晶帶20中產生例如1～100 MPa之拉伸應力之條件下進行。本步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。本步驟中之延伸速度(頂起構件43上升之速度)例如為1～500 mm/秒。又，本步驟中之延伸量(頂起構件43上升之距離)例如為50～200 mm。藉由此種冷卻延伸步驟，將切晶帶一體型接著性片材X之膜10割斷成小片之膜10'而獲得附膜之半導體晶片31。具體而言，本步驟中，於半導體晶圓30A中在脆弱之改質區域30a形成裂縫而產生向半導體晶片31之單片化。與此同時，於本步驟中，於密接於要延伸之切晶帶20之黏著劑層22之膜10中，半導體晶圓30A之密接有各半導體晶片31之各區域係變形得到抑制，另一方面，在與晶圓之裂縫形成部位對向之部位，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，於切晶帶20中產生之拉伸應力發揮作用。其結果為，膜10中與半導體晶片31間之裂縫形成部位對向之部位被割斷。於本步驟後，如圖4(c)所示，頂起構件43下降而解除切晶帶20之延伸狀態。
其次，如圖5(a)所示般進行相對高溫之條件下之第2延伸步驟，附膜之半導體晶片31間之距離(相隔距離)擴大。本步驟中，延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升，將切晶帶一體型接著性片材X之切晶帶20進行延伸。第2延伸步驟中之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15～30℃。第2延伸步驟中之延伸速度(頂起構件43上升之速度)例如為0.1～10 mm/秒。又，第2延伸步驟中之延伸量例如為3～16 mm。本步驟中，附膜之半導體晶片31之相隔距離擴大至下述拾取步驟中能夠自切晶帶20適當地拾取附膜之半導體晶片31之程度。於本步驟後，如圖5(b)所示，頂起構件43下降而解除切晶帶20之延伸狀態。就抑制於延伸狀態解除後切晶帶20上之附膜之半導體晶片31之相隔距離變窄之方面而言，較佳為於解除延伸狀態之前，對切晶帶20之較半導體晶片31保持區域靠外側之部分進行加熱而使其收縮。
其次，視需要經過使用水等洗淨液將伴有附膜之半導體晶片31之切晶帶20之半導體晶片31側洗淨之清洗步驟後，如圖6所示，自切晶帶20拾取附膜之半導體晶片31(拾取步驟)。例如，關於拾取對象之附膜之半導體晶片31，係於切晶帶20之圖中下側使拾取機構之銷構件44上升而介隔切晶帶20頂起後，由吸附治具45吸附保持。於拾取步驟中，銷構件44之頂起速度例如為1～100 mm/秒，銷構件44之頂起量例如為50～3000 μm。
其次，如圖7所示，將附膜之半導體晶片31覆晶安裝於安裝基板51。作為安裝基板51，例如可列舉引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、及配線基板。半導體晶片31係經由凸塊52電性連接於安裝基板51。具體而言，半導體晶片31其電路形成面側所具有之電極墊(省略圖示)與安裝基板51所具有之端子部(省略圖示)係經由凸塊52電性連接。凸塊52例如為焊料凸塊。於半導體晶片31與安裝基板51之間介置有經熱硬化之底部填充劑53。例如，藉由在安裝基板51於其上伴有附膜之半導體晶片31之狀態下經由所謂回焊步驟，而實現該半導體晶片31對安裝基板51之覆晶安裝。
藉由以上方式，可製造於半導體晶片31之背面設置有作為保護膜之膜10'的半導體裝置。
於本半導體裝置製造方法中，亦可代替將半導體晶圓30A貼合於切晶帶一體型接著性片材X之上述構成，而將以如下方式製作之半導體晶圓30B貼合於切晶帶一體型接著性片材X。
於半導體晶圓30B之製作中，首先，如圖8(a)及圖8(b)所示，於半導體晶圓W形成分割槽30b(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W之第1面Wa之側已製作各種半導體元件(省略圖示)，且於第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(省略圖示)。本步驟中，於將具有黏著面T2a之晶圓加工用帶T2貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於在晶圓加工用帶T2保持有半導體晶圓W之狀態下，使用切晶裝置等旋轉刀片於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30b。分割槽30b係用於使半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之空隙(圖8及圖9中將分割槽30b模式性地以粗線表示)。
其次，如圖8(c)所示，進行具有黏著面T3a之晶圓加工用帶T3對半導體晶圓W之第1面Wa側之貼合與晶圓加工用帶T2自半導體晶圓W之剝離。
其次，如圖8(d)所示，於在晶圓加工用帶T3保持有半導體晶圓W之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工將半導體晶圓W薄化至特定之厚度(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中，形成可單片化為複數個半導體晶片31之半導體晶圓30B。具體而言，半導體晶圓30B具有將該晶圓中單片化為複數個半導體晶片31之部位於第2面Wb側連結之部位(連結部)。半導體晶圓30B之連結部之厚度、即半導體晶圓30B之第2面Wb與分割槽30b之第2面Wb側前端之間之距離例如為1～30 μm。
圖9(a)及圖9(b)具體地表示將半導體晶圓30B貼合於切晶帶一體型接著性片材X後進行之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)。本步驟中，延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶帶一體型接著性片材X之圖中下側抵接於切晶帶20並上升，將貼合有半導體晶圓30B之切晶帶一體型接著性片材X之切晶帶20以沿包含半導體晶圓30B之徑向及圓周方向之二維方向拉伸之方式延伸。該延伸係於在切晶帶20中產生例如15～32 MPa之拉伸應力之條件下進行。冷卻延伸步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷卻延伸步驟中之延伸速度(頂起構件43上升之速度)例如為0.1～100 mm/秒。又，冷卻延伸步驟中之延伸量例如為3～16 mm。
本步驟中，於半導體晶圓30B中在薄壁且容易破裂之部位產生割斷而產生向半導體晶片31之單片化。與此同時，本步驟中，於密接於要延伸之切晶帶20之黏著劑層22之膜10中，密接有各半導體晶片31之各區域係變形得到抑制，另一方面，在與半導體晶片31間之分割槽對向之部位，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，於切晶帶20中產生之拉伸應力發揮作用。其結果為，膜10中與半導體晶片31間之分割槽對向之部位被割斷。如此獲得之附膜之半導體晶片31係於經過上文參照圖6敍述之拾取步驟後，供於半導體裝置製造過程中之安裝步驟。
於本半導體裝置製造方法中，亦可代替上文參照圖8(d)敍述之晶圓薄化步驟而進行圖10所示之晶圓薄化步驟。於經過上文參照圖8(c)敍述之過程後，於圖10所示之晶圓薄化步驟中，於在晶圓加工用帶T3保持有半導體晶圓W之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工將該晶圓薄化至特定之厚度，而形成包含複數個半導體晶片31且保持於晶圓加工用帶T3之半導體晶圓分割體30C。本步驟中，可採用如下方法(第1方法)，即，將晶圓研削至分割槽30b其自身於第2面Wb側露出為止，亦可採用如下方法(第2方法)，即，自第2面Wb側研削晶圓至分割槽30b之前方，其後，藉由自旋轉磨石對晶圓之擠壓力之作用使分割槽30b與第2面Wb之間產生裂縫而形成半導體晶圓分割體30C。視所採用之方法，適當決定如上文參照圖8(a)及圖8(b)敍述般形成之分割槽30b距第1面Wa之深度。圖10中，關於經過第1方法之分割槽30b、或經過第2方法之分割槽30b及與其相連之裂縫，模式性地以粗線表示。亦可於將以此方式製作之半導體晶圓分割體30C代替半導體晶圓30A而貼合於切晶帶一體型接著性片材X後，進行上文參照圖3至圖6敍述之各步驟。
圖11(a)及圖11(b)具體地表示將半導體晶圓分割體30C貼合於切晶帶一體型接著性片材X後進行之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)。本步驟中，延伸裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶帶一體型接著性片材X之圖中下側抵接於切晶帶20並上升，而將貼合有半導體晶圓分割體30C之切晶帶一體型接著性片材X之切晶帶20以於包含半導體晶圓分割體30C之徑向及圓周方向之二維方向上拉伸之方式延伸。該延伸係於在切晶帶20中產生例如1～100 MPa之拉伸應力之條件下進行。本步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。本步驟中之延伸速度(頂起構件43上升之速度)例如為1～500 mm/秒。又，本步驟中之延伸量例如為50～200 mm。藉由此種冷卻延伸步驟，將切晶帶一體型接著性片材X之膜10割斷為小片之膜10'而獲得附膜之半導體晶片31。具體而言，本步驟中，於密接於要延伸之切晶帶20之黏著劑層22之膜10中，半導體晶圓分割體30C之密接有各半導體晶片31之各區域係變形得到抑制，另一方面，在與半導體晶片31間之分割槽30b對向之部位，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，於切晶帶20中產生之拉伸應力發揮作用。其結果為，膜10中與半導體晶片31間之分割槽30b對向之部位被割斷。如此獲得之附膜之半導體晶片31於經過上文參照圖6敍述之拾取步驟後，供於半導體裝置製造過程中之安裝步驟。
關於例如可於如上之半導體裝置製造過程中使用之切晶帶一體型接著性片材X中之膜10(作為背面保護膜之接著性片材)，如上所述，於初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之膜試片(接著性片材試片)進行之拉伸試驗中之斷裂強度為1.2 N以下，較佳為1.1 N以下，更佳為1 N以下。此種構成例如於在如上所述之半導體裝置之製造過程中獲得附膜之半導體晶片31後使用切晶帶一體型接著性片材X實施割斷用延伸步驟(上述第1延伸步驟)之情形時，於抑制為了使切晶帶20上之膜10割斷而應作用於該膜10之割斷力之方面上較佳。
關於切晶帶一體型接著性片材X中之膜10(作為背面保護膜之接著性片材)，如上所述，於初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之膜試片(接著性片材試片)進行之拉伸試驗中之斷裂伸長率為1.2%以下，較佳為1.1%以下，更佳為1%以下。此種構成例如於在如上所述之半導體裝置之製造過程中獲得附膜之半導體晶片31後使用切晶帶一體型接著性片材X實施割斷用延伸步驟(上述第1延伸步驟)之情形時，於抑制割斷切晶帶20上之膜10所需之拉伸長度之方面上較佳。
如以上所述，切晶帶一體型接著性片材X對於抑制為了使切晶帶20上之膜10割斷而應作用於該膜10之割斷力較佳，並且對於抑制該用於割斷之膜10之拉伸長度較佳。此種切晶帶一體型接著性片材X於用於割斷用延伸步驟之情形時適於實現膜10之良好之割斷。
如上所述，切晶帶一體型接著性片材X中之膜10具有包含以能夠剝離之方式密接於切晶帶20之黏著劑層22之雷射標記層11(第1層)與其上之晶圓安裝層12(第2層)之積層構造。此種構成適於使膜10中切晶帶黏著劑層側表面所要求之特性、及與該表面相反之工件貼合用表面所要求之特性個別地表現出來。又，如上所述，雷射標記層11之厚度相對於晶圓安裝層12之厚度之比的值較佳為0.2～4，更佳為0.2～1.5，更佳為0.3～1.3，更佳為0.6～1.1。此種構成於同時實現膜10中之雷射標記層11(第1層)及晶圓安裝層12(第2層)所要求之功能之方面上較佳。
本實施形態之切晶帶一體型接著性片材X為切晶帶一體型背面保護膜，如上所述，雷射標記層11具有熱硬化性且晶圓安裝層12顯示出熱塑性。雷射標記層11具有熱硬化性之構成於在膜10之雷射標記層11表面被實施利用雷射標記之刻印後經過所謂回焊步驟等高溫過程之情形時，適於確保刻印資訊之視認性。又，雷射標記層11具有熱硬化性且另一方面晶圓安裝層12顯示出熱塑性之構成適於在割斷用延伸步驟中實現膜10之良好之割斷。即，膜10中雷射標記層11具有熱硬化性且晶圓安裝層12顯示出熱塑性之上述構成於膜10中在兼顧刻印資訊之視認性之確保與良好之割斷性之實現之方面上較佳。
於切晶帶一體型接著性片材X中，膜10之厚度如上所述較佳為8 μm以上，更佳為10 μm以上，且較佳為20 μm以下，更佳為15 μm以下。此種構成於實現膜10之上述良好之割斷性之方面上較佳。 [實施例]
[實施例1] ＜背面保護膜之製作＞ 於切晶帶一體型接著性片材中之背面保護膜之製作中，首先，分別製作構成雷射標記層(LM層)之第1樹脂膜與構成晶圓安裝層(WM層)之第2樹脂膜。
於第1樹脂膜之製作中，首先，將丙烯酸系樹脂A1 (商品名「Teisan Resin SG-P3」，重量平均分子量為85萬，玻璃轉移溫度Tg為12℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂B1 (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學公司製造)51.5質量份、環氧樹脂B2 (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)22質量份、酚樹脂C1 (商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)76.5質量份、填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)187.5質量份、黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份、及熱硬化觸媒(商品名「Curezol 2PZ」，四國化成工業股份有限公司製造)22質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度36質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘之加熱而使其乾燥及熱硬化，於PET隔離件上製作厚度8 μm之第1樹脂膜(構成雷射標記層之膜)。
於第2樹脂膜之製作中，首先，將丙烯酸系樹脂A1 (商品名「Teisan Resin SG-P3」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂B3 (商品名「EPPN-501HY」，日本化藥股份有限公司製造)65.5質量份、酚樹脂C2 (商品名「MEH7851-H」，明和化成股份有限公司製造)84.5質量份、填料(商品名「SO-25R」，二氧化矽，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)177質量份、及黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度36質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘之加熱而使其乾燥，於PET隔離件上製作厚度7 μm之未硬化狀態之第2樹脂膜(構成晶圓安裝層之膜)。
使用貼合機將以上述方式製作之PET隔離件上之第1樹脂膜與PET隔離件上之第2樹脂膜貼合。具體而言，於溫度100℃及壓力0.85 MPa之條件下將第1及第2樹脂膜之露出面彼此貼合。藉由以上方式，製作實施例1之背面保護膜。將實施例1及下述各實施例及各比較例中之雷射標記層(LM層)與晶圓安裝層(WM層)之組成示於表1、2(於表1、2中，表示各層之組成之各數值之單位為該層內之相對之“質量份”)。
＜切晶帶之製作＞ 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯100質量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質量份、作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯0.4質量份、及作為聚合溶劑之甲苯80質量份之混合物於60℃下在氮氣環境下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液。其次，將包含該含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫之混合物於50℃下在空氣環境下攪拌60小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸系聚合物P1 100質量份為12質量份，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P1 100質量份為0.1質量份。藉由該加成反應，獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P2 之聚合物溶液。其次，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P2 100質量份為2質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)、2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 369」，BASF公司製造)、及甲苯并加以混合，獲得固形物成分濃度28質量%之黏著劑組合物。其次，使用施料器於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈黏著劑組合物而形成黏著劑組合物層。其次，針對該組合物層於120℃下進行2分鐘之加熱乾燥，於PET隔離件上形成厚度5 μm之黏著劑層。其次，使用貼合機，將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「NRW#125」，厚度125 μm，Gunze股份有限公司製造)於室溫下貼合於該黏著劑層之露出面。繼而，關於該貼合體，於23℃下進行72小時之保存。藉由以上方式製作切晶帶。
＜切晶帶一體型背面保護膜之製作＞ 將伴有PET隔離件之實施例1之上述背面保護膜沖切加工成直徑330 mm之圓形。將伴有PET隔離件之上述切晶帶沖切加工成直徑370 mm之圓形。繼而，將雷射標記層側之PET隔離件自該背面保護膜剝離，將PET隔離件自該切晶帶剝離後，使用貼合機將於背面保護膜露出之雷射標記層側與於切晶帶露出之黏著劑層側貼合。於該貼合中，將貼合速度設為10 mm/min，將溫度條件設為40℃，將壓力條件設為0.15 MPa。又，貼合係一面以切晶帶之中心與背面保護膜之中心一致之方式進行位置對準一面進行。藉由以上方式，製作具有包含切晶帶與背面保護膜之積層構造之實施例1之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例2] 於第2樹脂膜(構成晶圓安裝層之樹脂膜)之製作中，使用丙烯酸系樹脂A2 (商品名「Teisan Resin SG-N50」，重量平均分子量為45萬，玻璃轉移溫度Tg為0℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份代替丙烯酸系樹脂A1 100質量份，且將填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)之含量設為217質量份代替177質量份，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式製作實施例2之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例3] 於第2樹脂膜(構成晶圓安裝層之樹脂膜)之製作中，使用丙烯酸系樹脂A2 (商品名「Teisan Resin SG-N50」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份代替丙烯酸系樹脂A1 100質量份，且將填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)之含量設為265質量份代替177質量份，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例3之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例4] 於第2樹脂膜(構成晶圓安裝層之樹脂膜)之製作中，使用丙烯酸系樹脂A3 (商品名「Teisan Resin SG-708-6」，重量平均分子量為70萬，玻璃轉移溫度Tg為4℃，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份代替丙烯酸系樹脂A1 100質量份，且將填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)之含量設為265質量份代替177質量份，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例4之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例5] 於第2樹脂膜(構成晶圓安裝層を之樹脂膜)之製作中，使用丙烯酸系樹脂A4 (商品名「Teisan Resin SG-70L」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份代替丙烯酸系樹脂A1 100質量份，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例5之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例6] 於背面保護膜之製作中，將雷射標記層之厚度自8 μm設為20 μm，且將晶圓安裝層之厚度自7 μm設為5 μm，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例6之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例7] 於背面保護膜之製作中，將雷射標記層之厚度自8 μm設為5 μm，且將晶圓安裝層之厚度自7 μm設為5 μm，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例7之切晶帶一體型背面保護膜。
[實施例8] 於背面保護膜之製作中，將雷射標記層之厚度自8 μm設為10 μm，且將晶圓安裝層之厚度自7 μm設為15 μm，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作實施例8之切晶帶一體型背面保護膜。
[比較例1] 將丙烯酸系樹脂A1 (商品名「Teisan Resin SG-P3」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂B3 (商品名「EPPN-501HY」，日本化藥股份有限公司製造)70質量份、酚樹脂C2 (商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)80質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)175質量份、及黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度30質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘加熱而使其乾燥，於PET隔離件上製作厚度25 μm之背面保護膜。繼而，使用比較例1之該背面保護膜代替實施例1之上述背面保護膜，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作比較例1之切晶帶一體型背面保護膜。
[比較例2] 將丙烯酸系樹脂A1 (商品名「Teisan Resin SG-P3」，Nagase chemteX股份有限公司製造)100質量份、環氧樹脂B1 (商品名「KI-3000-4」，新日鐵住金化學公司製造)50質量份、環氧樹脂B2 (商品名「JER YL980」，三菱化學股份有限公司製造)20質量份、酚樹脂C1 (商品名「MEH7851-SS」，明和化成股份有限公司製造)75質量份、填料(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造)175質量份、及黑系染料(商品名「OIL BLACK BS」，Orient Chemical Industries股份有限公司製造)15質量份添加至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度30質量%之樹脂組合物。其次，使用施料器將該樹脂組合物塗佈於具有經實施聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度50 μm)之聚矽氧脫模處理面上而形成樹脂組合物層。其次，針對該組合物層於130℃下進行2分鐘加熱而使其乾燥，於PET隔離件上製作厚度25 μm之背面保護膜。繼而，使用比較例2之該背面保護膜代替實施例1之上述背面保護膜，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作比較例2之切晶帶一體型背面保護膜。
[比較例3] 於背面保護膜之製作中，將晶圓安裝層之厚度自7 μm設為17 μm，除此以外，藉由與實施例1之切晶帶一體型背面保護膜相同之方式，製作比較例3之切晶帶一體型背面保護膜。
＜背面保護膜之斷裂強度及斷裂伸長率＞ 針對自實施例1～8及比較例1～3之上述背面保護膜切出之各膜試片(寬度2 mm×長度20 mm)，測定使用TMA試驗機(商品名「TMA Q400」，TA Instruments公司製造)進行之拉伸試驗中之斷裂強度(N)及斷裂伸長率(%)。本拉伸試驗係針對供於測定之膜試片，於在-15℃下經過5分鐘之保持後，將該試驗機之作動模式設為拉伸模式，於初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下進行。於在所使用之TMA試驗機之荷重上限1.2 N下未斷裂之情形時，將斷裂強度評價為「超過1.2」，將斷裂伸長率評價為超過荷重1.2 N下之伸長率(%)者。將該等結果示於表1、2。
＜背面保護膜之割斷性＞ 使用實施例1～8及比較例1～3之上述各切晶帶一體型背面保護膜，進行如下之貼合步驟、用於割斷之第1延伸步驟(冷卻延伸步驟)、及用於分離之第2延伸步驟(常溫延伸步驟)。
於貼合步驟中，將保持於晶圓加工用帶(商品名「UB-3083D」，日東電工股份有限公司製造)之半導體晶圓分割體貼合於切晶帶一體型背面保護膜之背面保護膜，其後，將晶圓加工用帶自半導體晶圓分割體剝離。於貼合中，使用貼合機，將溫度條件設為80℃，將壓力條件設為0.15 MPa。又，半導體晶圓分割體係以如下方式形成而準備。首先，針對處於與環狀框一併保持於晶圓加工用帶(商品名「V12S-R2-P」，日東電工股份有限公司製造)之狀態的裸晶圓(直徑12英吋，厚度780 μm，東京化工股份有限公司製造)，自其一面之側，使用切晶裝置(商品名「DFD6260」，Disco股份有限公司製造)藉由其旋轉刀片形成單片化用分割槽(寬度25 μm，深度330 μm，構成一區塊0.8 mm×0.8 mm之格子狀)。其次，於分割槽形成面貼合晶圓加工用帶(商品名「UB-3083D」，日東電工股份有限公司製造)後，將上述晶圓加工用帶(商品名「V12S-R2-P」)自晶圓剝離。其後，使用背面研磨裝置(商品名「DGP8760」，Disco股份有限公司製造)，藉由自晶圓之另一面(未形成分割槽之面)之側之研削將該晶圓薄化至厚度300 μm。藉由以上方式，形成半導體晶圓分割體(處於保持於晶圓加工用帶之狀態)。該半導體晶圓分割體包含複數個半導體晶片(0.8 mm×0.8 mm)。
冷卻延伸步驟係使用晶片隔離裝置(商品名「晶片隔離件DDS2300」，Disco股份有限公司製造)，於其冷卻延伸單元中進行。具體而言，首先，將直徑12英吋之SUS製環狀框(Disco股份有限公司製造)於室溫下貼附於伴有半導體晶圓分割體之上述切晶帶一體型背面保護膜中之切晶帶黏著劑層。其次，將該切晶帶一體型背面保護膜設置於裝置內，於該裝置之冷卻延伸單元中將伴有半導體晶圓分割體之切晶帶一體型背面保護膜之切晶帶進行延伸。於該冷卻延伸步驟中，溫度為-15℃，延伸速度(頂起速度)為100 mm/秒，延伸量(頂起量)為15 mm。
常溫延伸步驟係使用晶片隔離裝置(商品名「晶片隔離件DDS2300」，Disco股份有限公司製造)，於其常溫延伸單元中進行。具體而言，將經過上述冷卻延伸步驟之伴有半導體晶圓分割體之切晶帶一體型背面保護膜之切晶帶於該裝置之常溫延伸單元中進行延伸。於該常溫延伸步驟中，溫度為23℃，延伸速度為1 mm/秒，延伸量為15 mm。其後，對經過常溫延伸之切晶帶一體型背面保護膜之較工件貼合區域靠外側之周緣部實施加熱收縮處理。於本處理中，加熱溫度為200℃。
關於背面保護膜之割斷性，於經過使用切晶帶一體型背面保護膜進行之如上過程後，將於背面保護膜之割斷預定線全域產生割斷之情形評價為優(◎)，將於背面保護膜產生之割斷為割斷預定線之90%以上且未達100%之情形評價為良(○)，將於背面保護膜產生之割斷未達割斷預定線之90%之情形評價為不良(×)。將該評價結果示於表1、2。
[評價] 根據實施例1～8之背面保護膜，於為了獲得附背面保護膜之半導體晶片而使用切晶帶一體型背面保護膜進行之延伸步驟中，可實現良好之割斷。
[表1]
[表2]
10‧‧‧膜(接著性片材)
10'‧‧‧膜(接著性片材)
11‧‧‧雷射標記層
12‧‧‧晶圓安裝層
20‧‧‧切晶帶
21‧‧‧基材
22‧‧‧黏著劑層
22a‧‧‧黏著面
30a‧‧‧改質區域
30b‧‧‧分割槽
30A‧‧‧半導體晶圓
30B‧‧‧半導體晶圓
30C‧‧‧半導體晶圓分割體
31‧‧‧半導體晶片
41‧‧‧環狀框
42‧‧‧保持器
43‧‧‧頂起構件
44‧‧‧銷構件
45‧‧‧吸附治具
51‧‧‧安裝基板
52‧‧‧凸塊
53‧‧‧底部填充劑
R‧‧‧照射區域
T1‧‧‧晶圓加工用帶
T1a‧‧‧黏著面
T2‧‧‧晶圓加工用帶
T2a‧‧‧黏著面
T3‧‧‧晶圓加工用帶
T3a‧‧‧黏著面
W‧‧‧半導體晶圓
Wa‧‧‧第1面
Wb‧‧‧第2面
X‧‧‧切晶帶一體型接著性片材
圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型接著性片材之剖視模式圖。 圖2表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖3表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖4表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖5表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖6表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖7表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖8表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖9表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖10表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。 圖11表示使用圖1所示之切晶帶一體型接著性片材之半導體裝置製造方法中之一部分步驟。

Claims (7)

  1. 一種切晶帶一體型接著性片材，其具備：切晶帶，其具有包含基材與黏著劑層之積層構造；及 接著性片材，其以能夠剝離之方式密接於上述切晶帶之上述黏著劑層；且 上述接著性片材於在初期夾頭間距離16 mm、-15℃、及荷重增加速度1.2 N/min之條件下對寬度2 mm之接著性片材試片進行之拉伸試驗中之斷裂強度為1.2 N以下且斷裂伸長率為1.2%以下。
  2. 如請求項1之切晶帶一體型接著性片材，其中上述接著性片材具有包含密接於上述切晶帶之上述黏著劑層之第1層與該第1層上之第2層的積層構造。
  3. 如請求項2之切晶帶一體型接著性片材，其中上述第1層之厚度相對於上述第2層之厚度之比的值為0.2～4。
  4. 如請求項1至3中任一項之切晶帶一體型接著性片材，其中上述接著性片材為背面保護膜。
  5. 如請求項2或3之切晶帶一體型接著性片材，其中上述接著性片材為背面保護膜，上述第1層具有熱硬化性。
  6. 如請求項5之切晶帶一體型接著性片材，其中上述第2層顯示出熱塑性。
  7. 如請求項2或3之切晶帶一體型接著性片材，其中上述接著性片材為背面保護膜，上述第2層顯示出熱塑性。
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