CN108199003A - 一种三维大/介孔锑负极、制备方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种三维大/介孔锑负极、制备方法及其应用,以三维多孔铜为集流体,采用电沉积法沉积Zn‑Sb合金于所述集流体上,Zn‑Sb合金在所述三维多孔铜上的沉积量在0.5~2mg/cm2,再将所述Zn‑Sb合金中的Zn通过加热升华的方式去除,即得三维大/介孔锑负极。该三维大/介孔锑用作钠离子电池负极,可极大改善Sb的容量衰减问题,获得高比容量和循环稳定性,其在100mA·g‑1的电流密度下的首次放电容量可达到710.6mAh·g‑1,充放电5周后在电流增大到450mA·g‑1,经过155周后其充电比容量仍保持451mAh·g‑1,约为第1周的86%左右,约为第6周的94%左右。该制备方法工艺简单,可规模化生产,能耗低,环境友好。
Description
技术领域
本发明属于钠离子电池电极材料技术领域,主要涉及一种三维大/介孔锑负 极、制备方法及其应用。
背景技术
随着电子设备的发展,高能量密度的锂离子电池在生活中扮演的作用越来 越重要,其生产成本已经大幅度增加。钠离子电池因与锂离子电池具有相同的 离子脱嵌原理、低廉的原材料价格,在大规模储能方面备受关注。在众多钠离 子电池负极材料中,传统锂电负极材料石墨碳没有嵌钠容量,硬碳材料脱钠电 位(0.1V vs.Na/Na+)接近钠的沉积电位,枝晶生长造成的电池内短路,从而 引发电池胀气、鼓包,在大规模的储能方向上使用更是不堪设想,所以寻找合 适的钠离子电池负极材料是一个迫切需要解决的问题。
在已知的钠离子电池负极材料中,基于合金化反应的Sb具有高理论比容量(660mAh·g-1)和低平台电压(0.7V vs.S.H.E)等优点而备受关注,但是Sb 作为钠离子电池负极主要存在以下三个问题:(1)Sb合金化为Na3Sb后其体积 膨胀至之前的390%,活性材料在体积膨胀的过程中粉化脱落问题严重;(2)低 电子电导率和离子电导率,使得活性材料的容量很难接近其理论值;(3)体积 膨胀导致首次充放电后的SEI膜不稳定,在随后的充放电过程中,库伦效率一 直保持在93%~95%,每次都有不同程度的容量损耗。
针对以上问题,目前现有技术中的改善方法主要包括:合金化改善导电性、 构筑复合材料和调控微观形貌减缓体积膨胀,提高Sb的电化学性能。现有技术 的改善方式多存在高能耗、制备条件苛刻(真空熔炼环境、上千伏的电压、高 的过电位等),并改变了其充放电过程中原本的极化曲线和平台电位。Chan[1]等用AAO模板的方法制备Sb-NiSb-Ni阵列结构,在66mA·g-1的电流密度下循 环300圈后,容量仍有391mAh·g-1,相当于59.2%的理论比容量;Zhu等[2]用静 电纺丝法制备的Sb纳米纤维,在100mAh·g-1的电流密度下300次循环后仍保 持350mAh·g-1。
参考文献
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发明内容
针对现有技术中的缺陷和不足,本发明的第一个目的是提供一种三维大/介 孔锑负极,在三维多孔铜集流体上电沉积Zn-Sb合金,然后采用热处理的方式 制备出三维大/介孔锑负极,极大的提高了电极材料的比表面积,大/介孔结构 可提供钠离子快速传输通道,缓解Sb充放电过程中的体积变化。
本发明的第二个目的是提供一种三维大/介孔锑负极的制备方法,该方法工 艺简单,易规模化生产。
本发明的第三个目的是将本公开中的三维大/介孔锑负极用作锂离子电池 负极的应用,三维大/介孔锑负极在450mAh·g-1的电流密度下循环155周后, 仍保持451mAh·g-1的可逆容量,约为第1周的86%左右,约为第6周的94%左 右;5C的电流密度下仍保持550mAh·g-1的比容量。
为达到上述目的,本发明采取的技术方案包括:
遵从本发明的第一个目的,一种三维大/介孔锑负极,以三维多孔铜为集流 体,采用电沉积法沉积Zn-Sb合金于所述集流体上,Zn-Sb合金在所述三维多 孔铜上的沉积量在0.5~2mg/cm2,再将所述Zn-Sb合金中的Zn通过加热升华的 方式去除,即得三维大/介孔锑负极。
可选的,所述的三维多孔铜为使用化学镀的方法在铜片表面生长三维多孔 膜层形成。
遵从本发明的第二个目的,一种三维大/介孔锑负极的制备方法,以三维多 孔铜为集流体,采用电沉积法沉积Zn-Sb合金于所述集流体上,再将所述Zn-Sb 合金中的Zn去除。
可选的,所述三维多孔铜的制备方法为化学生长。
可选的,所述电沉积法沉积Zn-Sb合金中的锑源为Sb2O3或SbCl3,浓度为 0.01~0.05mol·L-1;锌源为ZnSO4或ZnCl2,浓度为0.1~0.5mol·L-1;
可选的,所述电沉积法沉积Zn-Sb合金包括:
配置Zn-Sb合金镀液:Zn-Sb合金镀液中含有浓度为0.1~0.5mol·L-1的 ZnSO4、浓度为0.01~0.05mol·L-1的Sb2O3、浓度为0.1mol·L-1的Na2SO4、浓度 为0.18mol·L-1的C6H8O7和浓度为0.05mol·L-1的H3BO3,调节Zn-Sb合金镀液 pH=3~4。
可选的,所述电沉积法使用的沉积电压为1.4~1.6V。
可选的,所述Zn去除的方法包括:将沉积有Zn-Sb合金的三维多孔铜置于 惰性气体中400~500℃加热4~6h去除Zn。
遵从本发明的第三个目的,所述的三维大/介孔锑负极作为钠/锂离子电池 负极的应用。
或者,所述的三维大/介孔锑负极的制备方法制备得到的三维大/介孔锑负 极作为钠离子电池负极的应用。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.采用电沉积和脱合金法制备三维大/介孔锑,工艺简单,易规模化。
2.通过改变三维多孔铜集流体的孔结构和控制电沉积工艺中参数可调控三 维大/介孔锑的孔结构。
3.三维大/介孔锑的大/介孔结构可提供钠离子快速传输通道,缓解Sb充放 电过程中的体积变化。
4.三维大/介孔锑其库伦效率经过五圈左右的活化后,其库伦效率保持在 98~99%。
5.三维大/介孔锑负极在450mAh·g-1的电流密度下循环155周后,仍保持451mAh·g-1的可逆容量,约为第1周的86%左右,约为第6周的94%左右;5C 的电流密度下仍保持550mAh·g-1的比容量。
附图说明
图1为按照本发明实施例1中所制得的钠离子电池负极材料的倍率性能示 意图,在100,200,400,660,1320,3300mA·g-1的电流密度下,其嵌钠比 容量分别为680.5,650,620,600,550mAh·g-1,当电流密度减小到100mA·g-1时其放电比容量仍能达到680mAh·g-1左右;
图2为按照本发明实施例2中所制得的钠离子电池负极材料的长循环性能 示意图,在450mA·g-1的电流密度下,其循环155周后其比容量仍为457mAh·g-1, 相当于其第6周完成活化后的96%;
图3为按照本发明实施例3中所制得的钠离子电池负极材料的充放电曲线 示意图,在450mA·g-1的电流密度下,循环155周后其极化曲线中脱钠平台电 位波动很小;
图4为按照本发明实施例5中所制得的钠离子电池负极材料的SEM照片 (a.2000倍下三维大/介孔锑SEM照片;b.10001倍下三维大/介孔锑SEM照片; c.500倍下三维大/介孔锑SEM横截面照片;d.10万1倍下三维大/介孔锑SEM 照片;e.20万倍下三维大/介孔锑SEM;f.50万倍状态下三维大/介孔锑SEM照 片);
图5为按照本发明实施例4,6,7中所制得的三维大/介孔锑的EDS分析。 (a,d,g.)电子扫描图像,(b,e,h.)Zn的元素分布,(c,f,i.Sb)的 元素分布;
图6为实施例8制备的三维多孔铜上的大/介孔Sb电极在100K,50K,20K 倍下的扫描电镜图片;
图7为实施例9制备的三维多孔铜上的大/介孔Sb电极在200K,50K,20K 倍下的扫描电镜图片;
图8为实施例10制备的三维多孔铜上的大/介孔Sb电极在200K,50K,20K 倍下的扫描电镜图片;
以下结合说明书附图和具体实施方式对本发明做具体说明。
具体实施方式
名词解释:
本公开所述的“三维多孔铜”指的是使用化学镀的方法在铜片表面生长的 三维多孔膜层。具体可引自“CN201710562980.8”、名称为“一种制备自支撑三 维多孔铜薄膜的方法及自支撑铜薄膜”中记载的自支撑铜薄膜。
本公开所述的“Zn-Sb合金”指的是使用恒压电沉积制备的Zn-Sb镀层材 料。
本发明的步骤如下:
1)制备三维多孔铜集流体;
2)配置Zn-Sb合金镀液:镀液含浓度为0.1~0.5mol·L-1的ZnSO4·7H2O、 浓度为0.01~0.05mol·L-1的SbCl3、浓度为0.1mol·L-1的Na2SO4、浓度为 0.18mol·L-1的C6H8O7·H2O、浓度为0.05mol·L-1的H3BO3;
3)用240g·L-1NaOH调节pH值到3~4;
4)以三维多孔铜为基底,恒压电沉积,获得Zn-Sb合金;
5)电沉积结束后用丙酮、去离子水、酒精清洗去除指甲油;
6)在Ar气中加热去除掉锌组分;
7)在真空状态下,110℃干燥12h。
将锑与锌通过电沉积的方法沉积在三维多孔铜集流体上,然后在Ar气中加 热去除金属锌组分,获得三维大/介孔锑材料。该三维大/介孔锑用作钠离子电 池负极,可极大改善Sb的容量衰减问题,获得高比容量和循环稳定性。该制备 方法工艺简单,可规模化生产,能耗低,环境友好。
以下仅以各原料和工艺条件的取值范围中的某个值举例给出本发明的具体 实施例,需要说明的是本发明并不局限于以下具体实施例,应当理解涵盖以上 的取值范围,并且凡在本申请技术方案基础上做的等同变换均落入本发明的保 护范围。
实施例1:
制备并使用三维多孔铜作为集流体;
配置Zn-Sb镀液,镀液含浓度为0.1mol·L-1的ZnSO4·7H2O、浓度为 0.01mol·L-1的Sb2O3、浓度为0.1mol·L-1的Na2SO4、浓度为0.18mol·L-1的 C6H8O7·H2O、浓度为0.05mol·L-1的H3BO3;
使用240g·L-1NaOH调节pH值为3;
以三维多孔铜为集流体,Ag+/AgCl电极为参比电极,1.3V恒电位沉积;
电沉积结束后用去离子水、丙酮、无水乙醇清洗;
在Ar气中400℃加热4h去除掉锌组分;
在真空状态下110℃热处理退火12h,获得三维大/介孔锑电极。
在半电池测试中,以三维大/介孔锑为正极,金属钠片为负极,1M NaClO4-EC-DEC为电解液,Whatman D/F为隔膜,组装成扣式电池,在Land CT2001A充放电仪上进行充放电测试。
从图1可以看出,实例1制备的Sb负极材料在100mA·g-1的电流密度下 可逆比容量为675mAh·g-1,当电流密度提高到3300mA·g-1下时仍有550 mAh·g-1的可逆比容量,相当于100mA·g-1下的81%,其表现出优越的倍率性 能。
实施例2:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤2中ZnSO4·7H2O的浓度为 0.5mol·L-1、Sb2O3的浓度为0.05mol·L-1。
采用与实施例1相同的组装方式以及测试条件进行性能测试。
从图2可以看出,实施例2制备的Sb负极材料在100mA·g-1的电流密度 下可逆比容量为525mAh·g-1,当电流密度在第六圈提高到330mA·g-1下时其 具有470mAh·g-1的可逆比容量,相当于100mA·g-1下的89%,相当于其理论 比容量的71%,循环200圈后其仍具有470mAh·g-1的可逆比容量,相当于其 第六圈的96%,其第一圈的89.5%,表现出优越的循环稳定性性。
实施例3:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤5中电沉积电压为1.5V(VS. Ag+/AgCl)。
采用与实施例1相同的组装方式以及测试条件进行性能测试。
从图3可以看出,实施例3制备的Sb负极材料在100mA·g-1的电流密度 下首次放电比容量约为710mAh·g-1,首次充电比容量约为550mAh·g-1,其表 现出来的首次库伦效率为77.4%,之后其在循环过程中均保持99-100%的库伦效 率,其在155个循环后其脱钠电位为0.75V(VS.Na),与其首次脱钠平台电位0.7V(VS.Na)相比仅提高0.05V,表现出优异的循环稳定性。
实施例4:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤5中电沉积电压为1.6V(VS. Ag+/AgCl)。
采用日立S4800冷场发射扫描电子显微镜进行观察,图4a,b,c为2K, 5K,500倍下三维多孔铜扫描电镜图片,从图中可以看出制备的三维多孔铜材料 具有立体的、相互连通的交互式孔,其孔径大小在2-10um之间;图d,e,f 为制备在三维多孔铜上的大/介孔Sb电极在50K,10K,20K倍下的扫描电镜图片, 从图f中可以明显看出其具有50-100nm左右大小的孔,且均匀的附着在三维多 孔铜材料上。
实施例5:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤3中pH调节为3.5,步骤7中 加热温度为450℃,时间为5h。
采用EMAX能谱仪对实施例5进行元素分析,从图5a,b,c可以看出电沉 积的Zn-Sb均匀的分布在集流体上,去除Zn后即可得到具有多孔结构的纯Sb 组元的电极材料。
实施例6:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤3中pH调节为3.5,步骤5中 电沉积电压为1.5V(VS.Ag+/AgCl2),步骤7中加热温度为450℃,时间为5h。
采用EMAX能谱仪对实施例6进行元素分析,从图5d,e,f可以看出电沉 积的Zn-Sb均匀的分布在集流体上,去除Zn后即可得到具有多孔结构的纯Sb 组元的电极材料。
实施例7:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤3中pH调节为3.5,步骤5中 电沉积电压为1.6V(VS.Ag+/AgCl),步骤7中加热温度为450℃,加热时间 为5h。
采用EMAX能谱仪对实施例7进行元素分析,从图5g,h,i可以看出电沉 积的Zn-Sb均匀的分布在集流体上,去除Zn后即可得到具有多孔结构的纯Sb 组元的电极材料。
实施例8:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤3中pH调节为4.0,步骤7中 加热温度为500℃,时间为6h。
采用日立S4800冷场发射扫描电子显微镜进行观察,图6为三维多孔 铜上的大/介孔Sb电极在100K,50K,20K倍下的扫描电镜图片,从图6中 可以明显看出其具有50-100nm左右大小的孔,且均匀的附着在三维多孔铜 材料上。
实施例9:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤3中pH调节为4.0,步骤5中 电沉积电压为1.5V(VS.Ag+/AgCl),步骤7中加热温度为500℃,时间为6h。
采用日立S4800冷场发射扫描电子显微镜进行观察,图7为三维多孔 铜上的大/介孔Sb电极在200K,50K,20K倍下的扫描电镜图片,从图7中 可以明显看出其具有50-150nm左右大小的孔,且均匀的附着在三维多孔铜 材料上。
实施例10:
本实施例步骤同实施例1,不同的是,步骤3中pH调节为4.0,步骤5中 电沉积电压为1.6V(VS.Ag+/AgCl2),步骤7中加热温度为500℃,时间为6h。
采用日立S4800冷场发射扫描电子显微镜进行观察,图8为三维多孔 铜上的大/介孔Sb电极在200K,50K,20K倍下的扫描电镜图片,从图8中 可以明显看出其具有50-150nm左右大小的孔,且均匀的附着在三维多孔铜 材料上。
尽管本发明已做了详细的说明并引证了一些最优的实施例,但对于本领域 的普通技术人员,显然可以按照上述说明做出多种修改或替代方案,如:改变 镀液中的主盐为同类盐;改变镀液中的添加剂为同类添加剂;改变镀液中的络 合剂为同类添加剂;改变镀液中各组分的浓度;改变镀液的pH值;改变电镀的 电压及三电极参比体系;改变加热温度、时间等。这些替代方案以及对本发明 的任何改进,都应包括在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种三维大/介孔锑负极,其特征在于,以三维多孔铜为集流体,采用电沉积法沉积Zn-Sb合金于所述集流体上,Zn-Sb合金在所述三维多孔铜上的沉积量在0.5~2mg/cm2,再将所述Zn-Sb合金中的Zn通过加热升华的方式去除,即得三维大/介孔锑负极。
2.根据权利要求1所述的三维大/介孔锑负极,其特征在于,所述的三维多孔铜为使用化学镀的方法在铜片表面生长的三维多孔膜层。
3.一种三维大/介孔锑负极的制备方法,其特征在于,以三维多孔铜为集流体,采用电沉积法沉积Zn-Sb合金于所述集流体上,再将所述Zn-Sb合金中的Zn去除。
4.根据权利要求3所述的三维大/介孔锑负极的制备方法,其特征在于,所述三维多孔铜的制备方法为化学生长。
5.根据权利要求3所述的三维大/介孔锑负极的制备方法,其特征在于,所述电沉积法沉积Zn-Sb合金中的锑源为Sb2O3或SbCl3,浓度为0.01~0.05mol·L-1;锌源为ZnSO4或ZnCl2,浓度为0.1~0.5mol·L-1。
6.根据权利要求3所述的三维大/介孔锑负极的制备方法,其特征在于,所述电沉积法沉积Zn-Sb合金包括:
配置Zn-Sb合金镀液:Zn-Sb合金镀液中含有浓度为0.1~0.5mol·L-1的ZnSO4、浓度为0.01~0.05mol·L-1的Sb2O3、浓度为0.1mol·L-1的Na2SO4、浓度为0.18mol·L-1的C6H8O7和浓度为0.05mol·L-1的H3BO3,调节Zn-Sb合金镀液pH=3~4。
7.根据权利要求3所述的三维大/介孔锑负极的制备方法,其特征在于,所述电沉积法使用的沉积电压为1.4~1.6V。
8.根据权利要求3所述的三维大/介孔锑负极的制备方法,其特征在于,所述Zn去除的方法包括:将沉积有Zn-Sb合金的三维多孔铜置于惰性气体中400~500℃加热4~6h去除Zn。
9.权利要求1或2所述的三维大/介孔锑负极作为钠/锂离子电池负极的应用。
10.权利要求3-8任一权利要求所述的三维大/介孔锑负极的制备方法制备得到的三维大/介孔锑负极作为钠离子电池负极的应用。
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