CN107369536A - 线圈组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种线圈组件及其制造方法，所述线圈组件包括主体部、线圈部和电极部。所述主体部包含磁性材料，所述线圈部设置在所述主体部中，所述电极部设置在所述主体部上且电连接到所述线圈部。所述线圈部包括：第一线圈层，在所述第一线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；第二线圈层，在所述第二线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；第一突起，设置在所述第一线圈层与所述第二线圈层之间，以将所述第一线圈层与所述第二线圈层彼此电连接。所述第一线圈层与所述第二线圈层通过所述第一突起彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈。

Description

线圈组件及其制造方法
本申请要求于2016年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0058822号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件及其制造方法。
背景技术
根据诸如数字电视(TV)、移动电话和膝上型计算机等的电子装置的小型化和纤薄化，需要使在这样的电子装置中使用的线圈组件小型化和纤薄化。为了满足这样的需要，已经积极地对各种缠绕线圈组件、薄膜线圈组件和堆叠线圈组件进行了研究和开发。
关于线圈组件的小型化和纤薄化的主要问题是小型化和纤薄化的组件除了小型化和纤薄化之外是否能够提供与现有线圈组件的特性等同的特性。为了满足具有这样的特性的小型化和纤薄化的组件的需求，芯部可需要被设置为填充有磁性材料，并且具有足够尺寸和低直流(DC)阻抗Rdc。为此，线圈图案利用能够增大图案的高宽比和线圈的截面面积的技术来制造，例如各向异性镀覆技术。
同时，在利用各向异性镀覆技术制造线圈组件时，由于高宽比的增加而增大了由镀覆生长的均匀性下降导致出现缺陷的风险、线圈之间出现短路的风险等。此外，为了施加各向异性镀覆技术而使用的支撑构件应该具有预定的厚度，以保持支撑构件的刚性。因此，覆盖线圈的磁性材料的厚度不可避免地减小，使得可能在实现高磁导率(Ls)上存在限制。
发明内容
本公开的一方面可提供一种新型线圈组件及其制造方法，在所述线圈组件中，在可实现具有高的高宽比(AR)的图案的同时，可充分地确保覆盖线圈的磁性材料的厚度。
根据本公开的一方面，可提供一种线圈组件，在所述线圈组件中，形成堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体的多个线圈层，所述多个线圈层通过突起彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈，而不利用为了施加各向异性镀覆技术而使用的支撑构件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体部，包含磁性材料；线圈部，设置在所述主体部中；电极部，设置在所述主体部上且电连接到所述线圈部。所述线圈部包括：第一线圈层，在所述第一线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；第二线圈层，在所述第二线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；第一突起，设置在所述第一线圈层与所述第二线圈层之间，以将所述第一线圈层与所述第二线圈层彼此电连接。所述第一线圈层与所述第二线圈层通过所述第一突起彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈。
根据本公开的另一方面，一种制造线圈组件的方法可包括：在包含磁性材料的主体部中形成线圈部；在所述主体部上形成电极部，使所述电极部电连接到所述线圈部。形成线圈部的步骤包括：准备基板，所述基板包括支撑构件和设置在所述支撑构件的相对的表面上的一个或更多个金属层；在所述支撑构件的所述相对的表面中的每个上在所述金属层上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成图案，所述图案呈平面螺旋形状；在位于所述支撑构件的所述相对的表面中的每个上在通过形成在所述绝缘层中且呈平面螺旋形状的图案暴露的所述金属层上形成第一镀层；分别在所述第一镀层上形成树脂层；在所述树脂层中形成过孔，使所述过孔连接到所述第一镀层；在所述过孔中的至少一个中形成突起；将所述金属层中的至少一个与所述支撑构件分开；通过使所述树脂层彼此接触并堆叠所述树脂层以使各个过孔彼此连接来通过所述突起将各个第一镀层彼此电连接；去除残留在各个绝缘层上的金属层；分别在由于去除金属层而暴露的所述第一镀层上形成第二镀层。使通过所述突起而彼此连接的各个第一镀层与形成在各个第一镀层上的各个第二镀层彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：主体部，包含磁性材料；线圈部，设置在所述主体部中；电极部，设置在所述主体部上并电连接到所述线圈部。所述线圈部包括：第一线圈层，沿堆叠方向堆叠有第一导体和第二导体，其中，所述第一线圈层的第一导体和第二导体中的每个呈平面螺旋形状且具有0.8至1.5的高宽比；第二线圈层，沿所述堆叠方向堆叠有第一导体和第二导体，其中，所述第二线圈层的第一导体和第二导体中的每个呈平面螺旋形状且具有0.8至1.5的高宽比。所述第一线圈层和所述第二线圈层沿所述堆叠方向进行堆叠。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：主体部，包含磁性材料；线圈部，设置在所述主体部中；电极部，设置在所述主体部上并电连接到所述线圈部，其中，所述线圈部包括：第一线圈层，在所述第一线圈层中沿堆叠方向堆叠有第一导体、第二导体和第三导体，所述第一线圈层的绝缘层设置在所述第一导体的一部分与所述第二导体的一部分之间，所述第一线圈层的第三导体延伸穿过所述绝缘层，以将所述第一导体与所述第二导体电连接；第二线圈层，在所述第二线圈层中沿堆叠方向堆叠有第一导体、第二导体和第三导体，所述第二线圈层的绝缘层设置在所述第二线圈层的第一导体的一部分与第二导体的一部分之间，所述第二线圈层的第三导体延伸穿过所述第二线圈层的绝缘层，以将所述第二线圈层的第一导体与第二导体电连接；绝缘膜，设置在所述第一线圈层和所述第二线圈层的第二导体与所述主体部之间。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出在电子装置中使用的各种示例性线圈组件的示意图；
图2是示出线圈组件的示例的示意性透视图；
图3是图2的线圈组件的沿I-I′线截取的示意性截面图；
图4至图11是示出制造图2的线圈组件的示例性工艺的示意图；
图12是示出线圈组件的另一示例的示意性透视图；
图13是图12的线圈组件的沿II-II′线截取的示意性截面图；
图14至图23是示出制造图12的线圈组件的示例性工艺的示意图；
图24是示出线圈组件的另一示例的示意性透视图；
图25是图24的线圈组件的沿III-III′线截取的示意性截面图；
图26至图41是示出制造图24的线圈组件的示例性工艺的示意图；
图42是示出向其应用各向异性镀覆技术的线圈组件的示例的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，可放大组件的形状、尺寸等。
同时，在本公开中，一个组件与另一组件的“电连接”的意义包括一个组件物理地连接到另一组件的情况和一个组件非物理地连接到另一组件的情况。可以被理解的是，当元件以“第一”和“第二”相称时，所述元件不限于此。术语可仅用于将一个元件与其他元件相区分，并且可不限制元件的顺序或重要性。在某些情况下，在不脱离这里所阐述的权利要求的范围的情况下，第一元件可称作第二元件。类似地，第二元件也可称作第一元件。
此外，在本公开中使用的术语“示例”不意味着相同的示例性实施例，而是为了强调和描述不同的独特特征而提供。然而，一个示例的多个方面可被实施为与其他示例的特征相结合。例如，除非在此提供了相反或矛盾的描述，否则在特定的示例性实施例中描述的一个元件，即使在另一示例性实施例中没有描述，也可理解为可修改为与另一示例性实施例相结合。
此外，在本公开中使用的术语仅用于描述示例，而不限制本公开的范围。在此情况下，除非上下文另外说明，否则单数形式也包括复数形式。
电子装置
图1是示出在电子装置中使用的各种示例性线圈组件的示意图。
参照附图，可领会的是，在电子装置中使用各种电子组件。例如，可使用应用处理器、DC(直流)-DC转换器、通信处理器、无线局域网(WLAN)、蓝牙(BT)、无线保真(WiFi)、调频(FM)、全球定位***(GPS)或近场通信(NFC)收发器、电源管理集成电路(PMIC)、电池、SMBC、液晶显示器(LCD)或有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器、音频编码解码器、通用串行总线(USB)2.0/3.0接口、高清晰度多媒体接口(HDMI)和CAM等。在此情况下，各种线圈组件可根据他们的为了去除噪声等的预期用途而适当地应用在这些电子组件之间的相互连接中。例如，可使用功率电感器1、高频(HF)电感器2、普通磁珠3、用于高频(GHz)应用的磁珠4和共模滤波器5等。
详细地，功率电感器1可用于以磁场形式存储电力，以保持输出电压，从而使电力稳定。此外，高频(HF)电感器2可用于执行阻抗匹配，以确保所需频率或阻断噪声和交流(AC)成分。此外，普通磁珠3可用于从电线和信号线去除噪声或者去除高频波纹。此外，用于高频(GHz)应用的磁珠4可用于从与音频有关的信号线和电线去除高频噪声。此外，共模滤波器5可用于使电流以差分模式通过并仅仅去除共模噪声。
电子装置可代表性地是智能手机，但不限于此。电子装置还可以是例如个人数字助理、数码摄影机、数字静态照相机、网络***、计算机、监视器、电视机、视频游戏控制台或智能手表。除了上述装置之外，电子装置还可以是本领域技术人员公知的各种其他类型的电子装置。
线圈组件
在下文中，将描述根据本公开的线圈组件，并且为了方便起见，将以示例的方式描述电感器(具体地，功率电感器)的结构。然而，根据本公开的线圈组件也可应用为用于各种目的的其他线圈组件类型。
同时，在下文中，为了方便起见，侧部指的是在第一方向或第二方向上的方向，为了方便起见，上部指的是在第三方向上的方向，为了方便起见，下部指的是与第三方向相反的方向。此外，短语“位于侧部、上部或下部”用于指其中目标组件位于相应的方向而不直接接触参考组件的情况，也用于指其中目标组件在相应的方向上直接接触参考组件的情况。
然而，这些方向是为了方便解释而限定，本公开的范围不受如上所限定的方向的限制。
图2是示出线圈组件100A的示例的示意性透视图。
图3是图2的线圈组件100A的沿I-I′线截取的示意性截面图。
参照附图，根据示例性实施例的线圈组件100A可包括主体部10、设置在主体部10中的线圈部20以及设置在主体部10上且电连接到线圈部20的电极部80。
主体部10可形成线圈组件100A的外型，并且可具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面。主体部10可呈六面体形状。然而，主体部10的形状不限于此。主体部10可包括磁性材料11。主体部10中包括的磁性材料11可覆盖线圈部20的上部和下部，并且填充形成在线圈部20的中央部分中的通孔，以改善线圈组件100A的运行特性(例如，电感、电阻等)。
磁性材料11不受限制，只要其具有磁性性质即可，例如可以是，纯铁粉末、Fe合金(诸如，Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Al基Fe合金粉末等)、非晶态合金(诸如Fe基非晶态合金、Co基非晶态合金等)、尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等)、六角晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)或石榴石铁氧体(诸如Y基铁氧体等)。
磁性材料11可包括金属磁性粉末颗粒11a、11b和11c以及树脂。金属磁性粉末颗粒11a、11b和11c可包含铁(Fe)、铬(Cr)或硅(Si)作为主要成分。例如，金属磁性粉末颗粒11a、11b和11c可包含铁(Fe)-镍(Ni)、铁(Fe)、铁(Fe)-铬(Cr)-硅(Si)等，但不限于此。树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等或他们的混合物，但不限于此。金属磁性粉末颗粒11a、11b和11c可分别具有平均粒径d1、d2和d3。在此情况下，具有不同尺寸的金属磁性粉末颗粒11a、11b和11c可一起使用并压缩为充分地填充在磁性树脂复合物中，从而使填充率增大。因此，可改善线圈组件100A的特性。
线圈部20可以用于实现线圈组件100A的运行特性，线圈组件100A可通过由线圈部20的线圈段(coil segment)实现的运行特性在电子装置中执行各种功能。例如，线圈组件100A可以是如上所述的功率电感器。在此情况下，线圈可用于以磁场形式存储电力，以保持输出电压，从而使电力稳定。线圈部20可包括多个线圈层21和22，多个线圈层21和22可彼此电连接，以形成在水平和竖直方向上匝数增加的单个线圈。各个线圈层21和22可具有呈平面螺旋形状的多个导体21a、21b和21c、22a、22b和22c堆叠的形式。例如，各个线圈层21和22可通过以平面螺旋形状形成图案而形成，这里，所述图案具有大体上呈哑铃形状的截面形状。
线圈部20可包括：第一线圈层21，其中堆叠有呈平面螺旋形状的第一导体21a、第二导体21b和第三导体21c；第二线圈层22，其中堆叠有呈平面螺旋形状的第一导体22a、第二导体22b和第三导体22c；第一突起31，设置在第一线圈层21与第二线圈层22之间，以使第一线圈层21与第二线圈层22彼此电连接；第一树脂层41，第一线圈层21的第一导体21a和第二线圈层22的第一导体22a嵌在其中；第一绝缘层51，设置在第一线圈层21的第一导体21a的一部分与第二导体21b的一部分之间；第二绝缘层52，设置在第二线圈层22的第一导体22a的一部分与第二导体22b的一部分之间；第一绝缘膜61，覆盖第一线圈层21的第二导体21b的表面；第二绝缘膜62，覆盖第二线圈层22的第二导体22b的表面。第一突起31可穿透在第一线圈层21的第一导体21a与第二线圈层22的第一导体22a之间的第一树脂层41，第一线圈层21的第三导体21c可穿透第一绝缘层51，第二线圈层22的第三导体22c可穿透第二绝缘层52。
第一线圈层21和第二线圈层22可分别包括第一导体21a和22a、第二导体21b和22b以及设置在第一导体21a和22a与第二导体21b和22b之间以使第一导体21a和22a与第二导体21b和22b彼此连接的第三导体21c和22c。第一导体21a、22a、第二导体21b、22b和第三导体21c、22c中的每个可呈平面螺旋形状。第一导体21a、22a和第二导体21b、22b的线宽可比第三导体21c和22c的线宽宽。例如，其中堆叠有第一导体21a、22a、第二导体21b、22b和第三导体21c、22c的第一线圈层21和第二线圈层22中的每个的截面形状可大体上呈哑铃形状，但不限于此。第一导体21a、22a、第二导体21b、22b和第三导体21c、22c的材料可以是诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或他们的合金的导电材料，但不限于此。其中第一导体21a、22a、第二导体21b、22b和第三导体21c、22c彼此连接的第一线圈层21和第二线圈层22中的每个在平面方向(即，图3所示方位中的水平方向)上可具有两个或更多个线圈匝。
第一导体21a和22a与第三导体21c和22c可通过同一工艺形成。因此，第一导体21a和22a与第三导体21c和22c可包含相同的材料，并且第一导体21a和22a与第三导体21c和22c之间可不存在分界。第二导体21b和22b与第三导体21c和22c可通过分开的工艺形成。因此，虽然第二导体21b和22b与第三导体21c和22c可包含相同的材料，但是在第二导体21b和22b与第三导体21c和22c之间可存在分界。第一线圈层21的第一导体21a和第三导体21c可通过施加各向异性镀覆而形成在第一绝缘层51的一侧上，第一线圈层21的第二导体21b可通过施加各向异性镀覆而形成在第一绝缘层51的另一侧上。第二线圈层22的第一导体22a和第三导体22c可通过施加各向异性镀覆而形成在第二绝缘层52的一侧上，第二线圈层22的第二导体22b可通过施加各向异性镀覆而形成在第二绝缘层52的另一侧上。如上所述，第一线圈层21和第二线圈层22可通过施加各向异性镀覆分别形成在绝缘层51和52的两侧上，使得第一线圈层21和第二线圈层22可具有诸如大体上呈哑铃形状的具有高的高宽比(AR)的截面形状，而没有诸如短路等的缺陷。在此情况下，在任意一个方向上通过各向异性镀覆形成的图案可具有约0.8至1.5的高宽比(AR)。
第一突起31可设置在第一线圈层21与第二线圈层22之间，以使第一线圈层21与第二线圈层22彼此电连接。第一突起31可通过电镀、膏印刷等形成，第一突起31的材料可以是例如锡(Sn)/铜(Cu)、锡(Sn)-银(Ag)/铜(Cu)、涂覆有银(Ag)/锡(Sn)的铜(Cu)、铜(Cu)/锡(Sn)-铋(Bi)等，但不限于此。第一突起31可包括金属间化合物(IMC)。金属间化合物(IMC)可在制造线圈组件100A的工艺中的高温真空压制工艺中形成。金属间化合物(IMC)可增大层间连接强度并降低传导电阻，以实现电子的平稳流动。第一线圈层21与第二线圈层22可通过第一突起31彼此电连接，从而形成具有在水平和竖直方向上彼此缠绕的大量匝的单个线圈。
第一线圈层21的第一导体21a和第二线圈层22的第一导体22a可嵌在第一树脂层41中。第一树脂层41可通过由匹配堆叠而将其中嵌有第一线圈层21的第一导体21a的树脂层与其中嵌有第二线圈层22的第一导体22a的树脂层彼此结合来形成。这些树脂层之间的分界可能明显或可能不明显。已知的绝缘材料可用作第一树脂层41的材料，并且如果必要的话，则感光介质(PID)可另外地或可选地用作第一树脂层41的材料。然而，第一树脂层41的材料不限于此。第一突起31可穿透在第一线圈层21的第一导体21a与第二线圈层22的第一导体22a之间的第一树脂层41。在此情况下，当感光介质(PID)用作第一树脂层41的材料时，用于形成第一突起31的过孔可通过已知的曝光和显影方法(诸如光刻法)来形成。因此，过孔可更薄且更纤细地形成，使得电流流过的线圈的厚度可以是恒定的。如果必要的话，则磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化绝缘材料)也可用作第一树脂层41的材料。在此情况下，可增大线圈组件100A的磁密度。在使用包含磁性填充物的可固化绝缘材料的情况下，用于形成第一突起31的过孔可利用激光钻孔等形成。
第一绝缘层51和第二绝缘层52可分别设置在第一线圈层21的第一导体21a与第二导体21b之间和第二线圈层22的第一导体22a与第二导体22b之间。其中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体21a、22a、21b、22b、21c和22c的第一线圈层21和第二线圈层22可通过施加各向异性镀覆技术分别形成在第一绝缘层51和第二绝缘层52的两侧上。因此，第一线圈层21和第二线圈层22可实现为具有诸如大体上呈哑铃形状的具有高的高宽比(AR)的截面形状，而不出现诸如短路等的缺陷。已知的绝缘材料可用作第一绝缘层51和第二绝缘层52的材料。具体来说，感光介质(PID)可用作第一绝缘层51和第二绝缘层52的材料。然而，第一绝缘层51和第二绝缘层52的材料不限于此。第一线圈层21的第三导体21c和第二线圈层22的第三导体22c可分别穿透第一绝缘层51和第二绝缘层52。在感光介质(PID)用作第一绝缘层51和第二绝缘层52的材料的情况下，用于形成第一线圈层21第三导体21c和第二线圈层22的第三导体22c的呈平面螺旋形状的图案可通过已知的曝光和显影方法(诸如光刻法)形成。因此，所述图案可更容易且精确地形成。
第一树脂层41可具有比第一绝缘层51和第二绝缘层52的厚度大的厚度。也就是说，第一绝缘层51和第二绝缘层52可具有非常小的厚度。此外，由于容易调节第一线圈层21和第二线圈层22中的每个的图案之间的绝缘厚度，因此可显著地减小第一树脂层41、第一绝缘层51和第二绝缘层52的厚度。因此，可减小线圈部20的总厚度。从而，可增大覆盖线圈部20的上部和下部的磁性材料11的厚度(例如，在不增大线圈组件100A的总尺寸的情况下)，从而可提高线圈组件100A的磁导率。
第一绝缘膜61和第二绝缘膜62可分别覆盖第一线圈层21的第二导体21b的表面和第二线圈层22的第二导体22b的表面。如果必要的话，第一绝缘膜61和第二绝缘膜62可形成为使第一线圈层21的第二导体21b和第二线圈层22的第二导体22b的图案之间绝缘、具有流动性、填充5μm至10μm的电极且通过利用具有绝缘性质的聚合物基绝缘材料(例如二萘嵌苯等)进行绝缘涂覆来形成。
电极部80可用于在将线圈组件100A安装在电子装置中时将线圈组件100A与电子装置彼此电连接。电极部80可包括设置在主体部10上彼此分开的第一电极81和第二电极82。第一电极81和第二电极82可分别覆盖主体部10的在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，并且可延伸到主体部10的连接到主体部10的第一表面和第二表面的第三表面至第六表面。第一电极81和第二电极82可分别电连接到在主体部10的第一表面和第二表面上的线圈部20的第一引线端子和第二引线端子(未通过标号表示)。然而，第一电极81和第二电极82的设置形式不限于此。第一电极81和第二电极82可分别包括例如导电树脂层和形成在导电树脂层上的导体层。导电树脂层可包含从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的一种或更多种导电金属和热固性树脂。导体层可包含从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的一种或更多种。例如，镍(Ni)层和锡(Sn)层可顺序地形成在导体层中。然而，导电树脂层和导体层不限于此。
图4至图11是示出制造图2的线圈组件100A的示例性工艺的示意图。
参照图4，首先，可准备基板200。基板200可包括支撑构件201、设置在支撑构件201的两个相对的表面上的第一金属层202和203、分别设置在第一金属层202和203上的第二金属层204和205。在某些情况下，可在支撑构件201的仅一个表面上形成第一金属层202或203和第二金属层204或205，和/或可在支撑构件201的两个相对的表面上设置仅第二金属层204和205。支撑构件201可以是由绝缘树脂形成的绝缘基板。绝缘树脂可以是诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂、使诸如玻璃纤维或无机填充物的增强材料浸渍在热固性树脂和热塑性树脂中的树脂(例如，半固化片、ABF(Ajinomoto Build upFilm)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)等)。第一金属层202和203以及第二金属层204和205一般可为薄铜箔，但不限于此。也就是说，第一金属层202和203以及第二金属层204和205可包含其他金属。作为非限制性的示例，基板200可以是覆铜层压板(CCL)。接下来，可分别在设置在基板200的相对侧上的第二金属层204和205上形成第一绝缘层51和第二绝缘层52。可通过以预定厚度(诸如约10μm至20μm)层压上述绝缘材料(诸如感光介质(PID))的方法形成第一绝缘层51和第二绝缘层52。接下来，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52中形成呈平面螺旋形状的图案51p和52p。在第一绝缘层51和第二绝缘层52的材料是感光介质(PID)的情况下，可通过已知的光刻法(即，诸如曝光、显影、干燥等的工艺)形成呈平面螺旋形状的图案51p和52p。当形成呈平面螺旋形状的图案51p和52p时，可向外地暴露设置在基板200的相对侧上的第二金属层204和205，以在镀覆工艺(后面的工艺)中用作种子层。
参照图5，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52上形成干膜210和220。形成干膜210和220的方法也不受具体限制。例如，可通过由已知的方法层压具有预定厚度(诸如约80μm至150μm)的干膜210和220的材料形成干膜210和220。接下来，可通过已知的光刻法分别在干膜210和220中形成用于执行镀覆工艺的坝(dam)210p和220p。例如，坝210p和220p可用于各向异性镀覆，但不限于此。接下来，可分别在通过形成在第一绝缘层51和第二绝缘层52中且呈平面螺旋形状的图案暴露并且设置在基板200的两个相对侧上的第二金属层204和205上形成第一镀层21A和22A。可利用作为种子层的暴露的第二金属层204和205通过已知的镀覆方法(诸如各向异性电镀)形成第一镀层21A和22A。第一镀层21A和22A可包括填充形成在第一绝缘层51和第二绝缘层52中且呈平面螺旋形状的图案的第三导体21c和22c以及分别形成在第三导体21c和22c上的第一导体21a和22a，在第一导体21a和22a与第三导体21c和22c之间可不特别地存在分界。第一镀层21A和22A的第一导体21a和22a的线宽可为约80μm至120μm，第一镀层21A和22A的第一导体21a和22a的厚度可为约80μm至120μm，第一镀层21A和22A的第一导体21a和22a的线之间的间距可为约2μm至5μm，第一镀层21A和22A的第一导体21a和22a的图案的高宽比(AR)(按照沿第三方向测量的高度除以沿第一方向测量的宽度的比来测量)可为约0.8至1.5，但不限于此。
参照图6，可剥离干膜210和220。可通过已知的蚀刻法剥离干膜210和220，但本公开不限于此。在此情况下，如果必要的话，则可通过绝缘涂覆在第一镀层21A和22A的第一导体21a和22a的表面上形成绝缘膜(未示出)，以防止图案之间存在未填充处。接下来，可分别在第一镀层21A和22A上形成树脂层41a和41b。树脂层41a和41b可分别将第一镀层21A和22A的第一导体21a和22a填埋在其中，使得第一导体21a和22a被完全地包裹在树脂层中。也可通过以预定厚度(诸如约80μm至150μm)层压绝缘材料(诸如感光介质(PID))的方法形成树脂层41a和41b。可选地，也可以通过层压具有预定厚度(诸如约80μm至150μm)的磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化膜)的方法形成树脂层41a和41b。接下来，可分别在树脂层41a和41b中形成连接到(或延伸到)第一镀层21A和22A的过孔41ah和41bh。在树脂层41a和41b包括感光介质(PID)的情况下，可通过已知的光刻法形成过孔41ah和41bh，而在树脂层41a和41b包括可固化绝缘材料的情况下，通过已知的激光钻孔方法等形成过孔41ah和41bh。
参照图7，可在形成在树脂层41a和41b中的过孔41ah和41bh中的至少一个中形成第一突起31。可通过诸如电镀、膏印刷等的已知方法形成第一突起31。同时，第一突起31可从树脂层41a或41b的表面突出，第一突起31的从树脂层41a或41b的表面突出的厚度可为约5μm至10μm。接下来，可分别在树脂层41a和41b上形成黑色掩膜230和240，以保护第一突起31。黑色掩膜230和240也可通过已知的层压法形成。接下来，可将第二金属层204和205与支撑构件201分开。将第二金属层204和205与支撑构件201分开的方法不受具体限制。例如，可通过由已知的方法将设置在支撑构件201的两侧上的第一金属层202和203与第二金属层204和205彼此分开而将第二金属层204和205与支撑构件201分开。
参照图8，可去除黑色掩膜230和240，使得各个树脂层41a和41b可彼此匹配并堆叠，从而使形成在各个树脂层41a和41b中的过孔41ah和41bh彼此连接。在此情况下，也可将形成在过孔41ah和41bh中的任一个中的第一突起31设置在过孔41ah和41bh中的另一个中，使得各个第一镀层21A和22A可通过第一突起31彼此电连接。可通过高温压缩将各个树脂层41a和41b彼此粘附，以形成第一树脂层41。在此情况下，可在第一突起31与第一镀层21A和22A之间形成金属间化合物(IMC)。因此，可增大层间连接强度，并且可降低传导电阻，从而实现电子的平稳流动。接下来，可去除残留在第一绝缘层51和第二绝缘层52上的第二金属层204和205。可使用已知的蚀刻法作为去除第二金属层204和205的方法。接下来，可在已去除第二金属层204和205的部分上形成干膜250和260。可通过以预定厚度(诸如80μm至150μm)层压干膜250和260的材料形成干膜250和260。
参照图9，可通过已知的光刻法分别在干膜250和260中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝250p和260p。例如，坝250p和260p可用于各向异性镀覆，但不限于此。接下来，可分别在第一镀层21A和22A的通过坝250p和260p暴露的第三导体21c和22c上形成第二镀层21B和22B。可利用第一镀层21A和22A的暴露的第三导体21c和22c作为种子层通过诸如各向异性电镀的已知的镀覆方法形成第二镀层21B和22B。第二镀层21B和22B可分别包括第二导体21b和22b，第二导体21b和22b与第三导体21c和22c之间也可存在分界。第二镀层21B和22B的第二导体21b和22b的线宽可为约80μm至120μm，第二镀层21B和22B的第二导体21b和22b的厚度可为约80μm至120μm，第二镀层21B和22B的第二导体21b和22b的线之间的间距可为约2μm至5μm，第二镀层21B和22B的第二导体21b和22b的图案的高宽比(按照沿第三方向测量的高度除以沿第一方向测量的宽度的比来测量)可为约0.8至1.5，但不限于此。可将第一镀层21A和22A分别与第二镀层21B和22B彼此连接，以形成第一线圈层21和第二线圈层22。可通过第一突起31将第一线圈层21和第二线圈层22彼此电连接，从而形成具有在水平和竖直方向上彼此缠绕的大量匝的单个线圈。接下来，可剥离干膜250和260。可通过已知的蚀刻法剥离干膜250和260，但本公开不限于此。在此情况下，如果必要的话，则可通过绝缘涂覆在第二镀层21B和22B的第二导体21b和22b的表面上形成绝缘膜(未示出)，以防止图案之间出现未填充处。
参照图10，可形成穿透第一树脂层41、第一绝缘层51和第二绝缘层52的中央部分的通孔。形成通孔的区域可以是线圈部20的芯(core)区域20c。可通过光刻法、激光钻孔法、机械钻孔法、蚀刻法等形成通孔。接下来，可形成分别覆盖第一线圈层21和第二线圈层22的第二导体21b和22b的表面的第一绝缘膜61和第二绝缘膜62。可通过已知的绝缘涂覆法形成第一绝缘膜61和第二绝缘膜62。可通过一系列工艺形成线圈部20。接下来，磁性材料11可覆盖线圈部20的上部和下部并填充形成在中央部分中的通孔。磁性材料11覆盖线圈部20的上部和下部并填充通孔的方法可以是在线圈部20的上部和下部上层压多个磁性片的方法，但不限于此。可通过一系列工艺形成主体部10。
参照图11，可将主体部10切成具有期望尺寸并进行抛光。可通过对主体部10进行切块和抛光使线圈部20的第一引线端子和第二引线端子(未通过标号表示)暴露到主体部10的在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面。接下来，可形成至少覆盖主体部10的第一表面和第二表面以分别连接到线圈部20的第一引线端子和第二引线端子(未通过标号表示)的第一电极81和第二电极82。可通过例如形成导电树脂层、然后在导电树脂层上形成导体层的方法形成第一电极81和第二电极82。可利用膏印刷形成导电树脂层。可利用已知的镀覆方法等形成导体层。然而，导电树脂层和导体层不限于此。可通过一系列工艺形成电极部80。
同时，根据示例性实施例的制造线圈组件的工艺不必限于上述顺序。也就是说，如果必要的话，第二描述的工艺可首先执行，首先描述的工艺可作为第二工艺来执行。
图12是示出线圈组件100B的另一示例的示意性透视图。
图13是图12的线圈组件100B的沿II-II′线截取的示意性截面图。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的线圈组件100B，但将省略与上面所述的内容重复的内容的描述，并且将主要描述与上面所述的内容不同的内容。
参照附图，在根据另一示例性实施例的线圈组件100B中，线圈部20的第一线圈层21和第二线圈层22还可分别包括设置在第二导体21b和22b上且直接连接到第二导体21b和22b的第四导体21d和22d。此外，线圈部20还可包括：第二树脂层42，第一线圈层21的第二导体21b嵌在其中；第三树脂层43，第二线圈层22的第二导体22b嵌在其中；第一绝缘层51，设置在第一树脂层41与第二树脂层42之间；第二绝缘层52，设置在第一树脂层41与第三树脂层43之间。第一绝缘膜61和第二绝缘膜62可分别覆盖第一线圈层21的第四导体21d的表面和第二线圈层22的第四导体22d的表面。
第一线圈层21和第二线圈层22还可分别包括第四导体21d和22d，并因此具有高的高宽比(AR)。第四导体21d和22d的材料可以是诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或他们的合金的导电材料，但不限于此。也就是说，在根据另一示例性实施例的线圈组件100B中，第一线圈层21和第二线圈层22可分别具有堆叠有呈平面螺旋形状的第一导体21a、22a、第二导体21b、22b、第三导体21c、22c和第四导体21d、22d的形式。第一线圈层21和第二线圈层22的第四导体21d和22d与第一线圈层21和第二线圈层22的第二导体21b和22b可通过分开的工艺形成。因此，即使在第二导体21b和22b与第四导体21d和22d包含相同的材料的情况下，在第二导体21b和22b与第四导体21d和22d之间也可存在分界。
第一线圈层21的第二导体21b和第二线圈层22的第二导体22b可分别嵌在第二树脂层42和第三树脂层43中。第二树脂层42和第三树脂层43可分别具有至少与第一线圈层21的第二导体21b和第二线圈层22的第二导体22b的厚度一样大的厚度(在第三方向上测量)。已知的绝缘材料可用作第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料，如果必要的话，感光介质(PID)可用作第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料。然而，第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料不限于此。如果必要的话，磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化绝缘材料)也可用作第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料。在此情况下，可增大线圈组件100B的磁密度。第二树脂层42和第三树脂层43可具有比第一绝缘层51和第二绝缘层52的厚度大的厚度。
图14至图23是示出制造图12的线圈组件的示例性工艺的示意图。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的制造线圈组件的方法，但将省略与上面所述的内容重复的内容的描述，并且将主要描述与上面所述的内容不同的内容。
参照图14，首先可准备基板200。接下来，可分别在设置在基板200的两侧上的第二金属层204和205上形成第一绝缘层51和第二绝缘层52。接下来，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52中形成呈平面螺旋形状的图案51p和52p。
参照图15，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52上形成干膜210和220。接下来，可通过已知的光刻法分别在干膜210和220中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝210p和220p。接下来，可分别在通过形成在第一绝缘层51和第二绝缘层52中且呈平面螺旋形状的图案暴露且设置在基板200的两侧上的第二金属层204和205上形成第一镀层21A和22A。
参照图16，可剥离干膜210和220。接下来，可分别在第一镀层21A和22A上形成树脂层41a和41b。接下来，可分别在树脂层41a和41b中形成连接到第一镀层21A和22A的过孔41ah和41bh。
参照图17，可在形成在树脂层41a和41b中的过孔41ah和41bh中的至少一个中形成第一突起31。接下来，可分别在树脂层41a和41b上形成黑色掩膜230和240，以保护第一突起31。接下来，可将第二金属层204和205与支撑构件201分开。
参照图18，可将各个树脂层41a和41b彼此匹配并堆叠，使得形成在各个树脂层41a和41b中的过孔41ah和41bh彼此连接。接下来，可去除残留在第一绝缘层51和第二绝缘层52上的第二金属层204和205。接下来，可在已去除第二金属层204和205的部分上形成干膜250和260。
参照图19，可通过已知的光刻法分别在干膜250和260中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝250p和260p。接下来，可分别在第一镀层21A和22A的通过坝250p和260p暴露的第三导体21c和22c上形成第二镀层21B和22B。接下来，可剥离干膜250和260。
参照图20，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52上形成其中分别包埋第一线圈层21的第二导体21b和第二线圈层22的第二导体22b的第二树脂层42和第三树脂层43。可通过以预定厚度(诸如约80μm至150μm)层压绝缘材料(诸如感光介质(PID))的方法形成第二树脂层42和第三树脂层43。可选地，也可通过层压具有预定厚度(诸如约80μm至150μm)的磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化膜)的方法形成第二树脂层42和第三树脂层43。接下来，可通过已知的方法使第二树脂层42和第三树脂层43的表面平坦化，以暴露第二镀层21B和22B的第二导体21b和22b。接下来，可分别在第二树脂层42和第三树脂层43上形成干膜270和280。形成干膜270和280的方法也不受具体限制。例如，可通过由已知的方法层压具有预定厚度(诸如约80μm至150μm)的干膜270和280的材料形成干膜270和280。
参照图21，可通过已知的光刻法分别在干膜270和280中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝270p和280p。例如，可通过各向异性镀覆形成坝270p和280p，但不限于此。接下来，可利用暴露的第二导体21b和22b作为种子层通过已知的镀覆方法(诸如各向异性电镀)分别在第二镀层21B和22B的暴露的第二导体21b和22b上形成第三镀层21C和22C。第三镀层21C和22C可分别包括第四导体21d和22d。第三镀层21C和22C的第四导体21d和22d的线宽可为约80μm至120μm，第三镀层21C和22C的第四导体21d和22d的厚度可为约80μm至120μm，第三镀层21C和22C的第四导体21d和22d的线之间的间距可为约2μm至5μm，第三镀层21C和22C的第四导体21d和22d的图案的高宽比(按照沿第三方向测量的高度除以沿第一方向测量的宽度的比来测量)可为约0.8至1.5，但不限于此。第一镀层21A、22A、第二镀层21B、22B和第三镀层21C、22C可分别彼此连接，以形成第一线圈层21和第二线圈层22。接下来，可剥离干膜270和280。可通过已知的蚀刻法剥离干膜270和280，但本公开不限于此。
参照图22，可形成穿透第一树脂层41、第二树脂层42和第三树脂层43以及第一绝缘层51和第二绝缘层52的中央部分的通孔。其中形成有通孔的区域可以是线圈部20的芯区域20c。接下来，可形成分别覆盖第一线圈层21和第二线圈层22的第四导体21d和22d的表面的第一绝缘膜61和第二绝缘膜62。接下来，磁性材料11可覆盖线圈部20的上部和下部并填充形成在中央部分中的通孔。
参照图23，可将主体部10切成期望尺寸并进行抛光。接下来，可形成至少覆盖主体部10的第一表面和第二表面以分别连接到线圈部20的第一引线端子和第二引线端子(未通过标号示出)的第一电极81和第二电极82。可通过一系列工艺形成电极部80。
图24是示出线圈组件的另一示例的示意性透视图。
图25是图24的线圈组件的沿III-III′线截取的示意性截面图。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的线圈组件，但将省略与上面所述的内容重复的内容的描述，并且将主要描述与上面所述的内容不同的内容。
参照附图，在根据另一示例性实施例的线圈组件100C中，线圈部20还可包括：第三线圈层23，其中堆叠有分别呈平面螺旋形状的第一导体23a、第二导体23b和第三导体23c；第四线圈层24，其中堆叠有分别呈平面螺旋形状的第一导体24a、第二导体24b和第三导体24c；第二突起32，设置在第三线圈层23与第四线圈层24之间，以将第三线圈层23与第四线圈层24彼此电连接；第三突起33，设置在第一线圈层21与第三线圈层23之间，以将第一线圈层21与第三线圈层23彼此电连接。此外，线圈部20还可包括：第二树脂层42，第三线圈层23的第一导体23a和第四线圈层24的第一导体24a嵌在其中；第三树脂层43，第一线圈层21的第二导体21b和第三线圈层23的第二导体23b嵌在其中；第三绝缘层53，设置在第三线圈层23的第一导体23a与第二导体23b之间；第四绝缘层54，设置在第四线圈层24的第一导体24a与第二导体24b之间。第一绝缘膜61和第二绝缘膜62可分别覆盖第二线圈层22的第二导体22b的表面和第四线圈层24的第二导体24b的表面。
与第一线圈层21和第二线圈层22类似，第三线圈层23和第四线圈层24也可分别具有其中堆叠有呈平面螺旋形状的第一导体23a、24a、第二导体23b、24b和第三导体23c、24c的形式，第三线圈层23和第四线圈层24的具体构造可与第一线圈层21和第二线圈层22的具体构造相同。第一线圈层21、第二线圈层22、第三线圈层23和第四线圈层24可通过第一突起31、第二突起32和第三突起33彼此电连接，从而形成在水平和竖直方向上匝数增加的单个线圈。线圈可包括更多的线圈层21、22、23和24，从而可实现更大的电感。
与第一突起31类似，第二突起32和第三突起33也可通过电镀、膏印刷等形成，第二突起32和第三突起33的材料可以是例如，锡(Sn)/铜(Cu)、锡(Sn)-银(Ag)/铜(Cu)、涂覆有银(Ag)/锡(Sn)的铜(Cu)、铜(Cu)/锡(Sn)-铋(Bi)等，但不限于此。第二突起32和第三突起33也可包含金属间化合物(IMC)。金属间化合物(IMC)可在制造线圈组件100C的工艺中的高温真空压制工艺中形成。金属间化合物(IMC)可增大层间连接强度并降低传导电阻，以实现电子的平稳流动。第二突起32可穿透第三线圈层23的第一导体23a与第四线圈层24的第一导体24a之间的第二树脂层42，第三突起33可穿透第一线圈层21的第二导体21b与第三线圈层23的第二导体23b之间的第三树脂层43。
已知的绝缘材料可用作第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料，如果必要的话，感光介质(PID)可用作第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料。然而，第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料不限于此。如果必要的话，磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化绝缘材料)也可用作第二树脂层42和第三树脂层43中的每个的材料。在此情况下，可增大线圈组件100C的磁密度。第二树脂层42和第三树脂层43可具有比第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54的厚度大的厚度。
其中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体23a、23b、23c、24a、24b和24c的第三线圈层23和第四线圈层24可分别通过施加各向异性镀覆技术形成在第三绝缘层53和第四绝缘层54的两侧上。因此，第三线圈层23和第四线圈层24可实施为具有诸如大体上呈哑铃形状的具有高的高宽比(AR)的截面形状，而不出现诸如短路等的缺陷。已知的绝缘材料可用作第三绝缘层53和第四绝缘层54的材料。具体来说，感光介质(PID)可用作第三绝缘层53和第四绝缘层54的材料。然而，第三绝缘层53和第四绝缘层54的材料不限于此。第三线圈层23的第三导体23c和第四线圈层24的第三导体24c可分别穿透第三绝缘层53和第四绝缘层54。在感光介质(PID)用作第三绝缘层53和第四绝缘层54的材料的情况下，用于形成第三线圈层23的第三导体23c和第四线圈层24的第三导体24c的呈平面螺旋形状的图案可通过已知的曝光和显影方法(即，光刻法)形成。因此，所述图案可更容易且精确地形成。第三线圈层23的第三导体23c可穿透第三绝缘层53，第四线圈层24的第三导体24c可穿透第四绝缘层54。
图26至图41是示出制造图24的线圈组件的示例性工艺的示意图。
在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的制造线圈组件的方法，但将省略与上面所述的内容重复的内容的描述，并且将主要描述与上面所述的内容不同的内容。
参照图26，首先可准备基板200。接下来，可分别在设置在基板200的两侧上的第二金属层204和205上形成第一绝缘层51和第二绝缘层52。接下来，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52中形成呈平面螺旋形状的图案51p和52p。
参照图27，可分别在第一绝缘层51和第二绝缘层52上形成干膜210和220。接下来，可利用已知的光刻法分别在干膜210和220中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝210p和220p。接下来，可分别在通过形成在第一绝缘层51和第二绝缘层52中且呈平面螺旋形状的图案暴露且设置在基板200的两侧上的第二金属层204和205上形成第一镀层21A和22A。
参照图28，可剥离干膜210和220。接下来，可分别在第一镀层21A和22A上形成树脂层41a和41b。接下来，可分别在树脂层41a和41b中形成连接到第一镀层21A和22A的过孔41ah和41bh。
参照图29，可在形成在树脂层41a和41b中的过孔41ah和41bh中的至少一个中形成第一突起31。接下来，可分别在树脂层41a和41b上形成黑色掩膜230和240，以保护第一突起31。接下来，可将第二金属层204和205与支撑构件201分开。
参照图30，可将各个树脂层41a和41b彼此匹配并堆叠，使得形成在各个树脂层41a和41b中的过孔41ah和41bh彼此连接。接下来，可去除残留在第一绝缘层51和第二绝缘层52上的第二金属层204和205。接下来，可在已去除第二金属层204和205的部分上形成干膜250和260。
参照图31，可通过已知的光刻法分别在干膜250和260中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝250p和260p。接下来，可分别在第一镀层21A和22A的通过坝250p和260p暴露的第三导体21c和22c上形成第二镀层21B和22B。接下来，可剥离干膜250和260。
参照图32，可准备基板200′。接下来，可分别在设置在位于基板200′的支撑构件201′的两侧上的第一金属层202′和203′上的第二金属层204′和205′上形成第三绝缘层53和第四绝缘层54。可通过以预定厚度(诸如约10μm至20μm)层压上述绝缘材料(诸如感光介质(PID))的方法形成第三绝缘层53和第四绝缘层54。接下来，可分别在第三绝缘层53和第四绝缘层54中形成呈平面螺旋形状的图案53p和54p。在第三绝缘层53和第四绝缘层54的材料是感光介质(PID)的情况下，可通过已知的光刻法(即，诸如曝光、显影、干燥等的工艺)形成呈平面螺旋形状的图案53p和54p。当形成呈平面螺旋形状的图案53p和54p时，可使设置在基板200′的两侧上的第二金属层204′和205′向外地暴露，以在镀覆工艺(后面的工艺)中用作种子层。
参照图33，可分别在第三绝缘层53和第四绝缘层54上形成干膜210′和220′。接下来，可通过已知的光刻法分别在干膜210′和220′中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝210′p和220′p。接下来，可分别在通过形成在第三绝缘层53和第四绝缘层54中且呈平面螺旋形状的图案暴露且设置在基板200′的两侧上的第二金属层204′和205′上形成第一镀层23A和24A。可利用暴露的第二金属层204′和205′作为种子层通过已知的镀覆方法(诸如各向异性电镀)形成第一镀层23A和24A。第一镀层23A和24A可包括：第三导体23c和24c，填充形成在第三绝缘层53和第四绝缘层54中且呈平面螺旋形状的图案；第一导体23a和24a，分别形成在第三导体23c和24c上，并且第一导体23a和24a与第三导体23c和24c之间可不特别地存在分界。第一镀层23A和24A的第一导体23a和24a的线宽可为约80μm至120μm，第一镀层23A和24A的第一导体23a和24a的厚度可为约80μm至120μm，第一镀层23A和24A的第一导体23a和24a的线之间的间距可为约2μm至5μm，第一镀层23A和24A的第一导体23a和24a的图案的高宽比可为约0.8至1.5，但不限于此。
参照图34，可剥离干膜210′和220′。接下来，可分别在第一镀层23A和24A上形成树脂层42a和42b。树脂层42a和42b可分别将第一镀层23A和24A的第一导体23a和24a填埋在其中。也可通过以预定厚度(诸如约80μm至150μm)层压绝缘材料(诸如感光介质(PID))的方法形成树脂层42a和42b。可选地，也可通过层压具有预定厚度(诸如约80μm至150μm)的磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化膜)的方法形成树脂层42a和42b。接下来，可分别在树脂层42a和42b中形成连接到第一镀层23A和24A的过孔42ah和42bh。在树脂层42a和42b包含感光介质(PID)的情况下，可通过已知的光刻法形成过孔42ah和42bh，在树脂层42a和42b包含可固化绝缘材料的情况下，可通过已知的激光钻孔法等形成过孔42ah和42bh。
参照图35，可在形成在树脂层42a和42b中的过孔42ah和42bh中的至少一个中形成第二突起32。可通过已知的方法(诸如电镀、膏印刷等)形成第二突起32。同时，第二突起32可从树脂层42a和42b的表面突出，第二突起32的从树脂层42a和42b的表面突出的厚度可为约5μm至10μm。接下来，可分别在树脂层42a和42b上形成黑色掩膜230′和240′，以保护第二突起32。接下来，可将第二金属层204′和205′与支撑构件201′分开。
参照图36，可将各个树脂层42a和42b彼此匹配并堆叠，使得形成在各个树脂层42a和42b中的过孔42ah和42bh彼此连接。在此情况下，也可将形成在过孔42ah和42bh中的任一个中的第二突起32设置在过孔42ah和42bh中的另一个中，使得各个第一镀层23A和24A可通过第二突起32彼此电连接。可通过高温压缩将各个树脂层42a和42b彼此粘附，以形成第二树脂层42。在此情况下，可在第二突起32与第一镀层23A和24A之间形成金属间化合物(IMC)。因此，可增大层间连接强度，可降低传导电阻，从而实现电子的平稳流动。接下来，可去除残留在第三绝缘层53和第四绝缘层54上的第二金属层204′和205′。接下来，可在已去除第二金属层204′和205′的部分上形成干膜250′和260′。
参照图37，可通过已知的光刻法分别在干膜250′和260′中形成用于镀覆工艺(后面的工艺)的坝250′p和260′p。接下来，可分别在第一镀层23A和24A的通过坝250′p和260′p暴露的第三导体23c和24c上形成第二镀层23B和24B。可利用第一镀层23A和24A的暴露的第三导体23c和24c作为种子层通过已知的镀覆方法(诸如各向异性电镀)形成第二镀层23B和24B。第二镀层23B和24B可分别包括第二导体23b和24b，在第二导体23b和24b与第三导体23c和24c之间还可存在分界。第二镀层23B和24B的第二导体23b和24b的线宽可为约80μm至120μm，第二镀层23B和24B的第二导体23b和24b的厚度可为约80μm至120μm，第二镀层23B和24B的第二导体23b和24b的线之间的间距可为约2μm至5μm，第二镀层23B和24B的第二导体23b和24b的图案的高宽比可为约0.8至1.5，但不限于此。第一镀层23A、24A可分别与第二镀层23B、24B彼此连接，以形成第三线圈层23和第四线圈层24。接下来，可剥离干膜250′和260′。
参照图38，可在第一绝缘层51上形成将第一线圈层21的第二导体21b填埋在其中的树脂层43a。此外，可在第三绝缘层53上形成将第三线圈层23的第二导体23b填埋在其中的树脂层43b。也可通过以预定厚度(诸如约80μm至150μm)层压绝缘材料(诸如感光介质(PID))的方法形成树脂层43a和43b。可选地，也可通过层压具有预定厚度(诸如约80μm至150μm)的磁性膜(例如，包含磁性填充物的可固化膜)的方法形成树脂层43a和43b。接下来，可分别在树脂层43a和43b中形成连接到第二镀层21B和23B的过孔43ah和43bh。在树脂层43a和43b包含感光介质(PID)的情况下，可通过已知的光刻法形成过孔43ah和43bh，在树脂层43a和43b包含可固化绝缘材料的情况下，可通过已知的激光钻孔法等形成过孔43ah和43bh。
参照图39，可在形成在树脂层43a和43b中的过孔43ah和43bh中的至少一个中形成第三突起33。可通过已知的方法(诸如电镀、膏印刷等)形成第三突起33。同时，第三突起33可从树脂层43a和43b的表面突出，第三突起33的从树脂层43a和43b的表面突出的厚度可为约5μm至10μm。接下来，可将各个树脂层43a和43b彼此匹配并堆叠，使得形成在各个树脂层43a和43b中的过孔43ah和43bh彼此连接。在此情况下，也可将形成在过孔43ah和43bh中的任一个中的第三突起33设置在过孔43ah和43bh中的另一个中，使得各个第二镀层21B和23B可通过第三突起33彼此电连接。可通过高温压缩将各个树脂层43a和43b彼此粘附，以形成第三树脂层43。在此情况下，可在第三突起33与第二镀层21B和23B之间形成金属间化合物(IMC)。因此，可增大层间连接强度，可降低传导电阻，从而实现电子的平稳流动。
参照图40，可形成穿透第一树脂层41、第二树脂层42和第三树脂层43以及第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54的中央部分的通孔。其中形成有通孔的区域可以是线圈部20的芯区域20c。接下来，可形成分别覆盖第二线圈层22和第四线圈层24的第二导体22b和24b的表面的第一绝缘膜61和第二绝缘膜62。可通过已知的绝缘涂覆方法形成第一绝缘膜61和第二绝缘膜62。可通过一系列工艺形成线圈部20。接下来，磁性材料11可覆盖线圈部20的上部和下部并填充形成在中央部分中的通孔。可通过一系列工艺形成主体部10。
参照图41，可将主体部10切成期望尺寸并进行抛光。接下来，可形成至少覆盖主体部10的第一表面和第二表面以分别连接到线圈部20的第一引线端子和第二引线端子(未通过标号示出)的第一电极81和第二电极82。可通过一系列工艺形成电极部80。
图42是示出向其施加各向异性镀覆技术的线圈组件的示例的示意图。
参照附图，可通过以下步骤制造向其施加各向异性镀覆技术的线圈组件：通过各向异性镀覆技术在支撑构件201″的两个表面上形成呈平面螺旋形状的图案21a″、21b″、21c″、22a″、22b″和22c″并在支撑构件201″中形成的通孔(未通过标号表示)；利用磁性材料填埋图案21a″、21b″、21c″、22a″、22b″和22c″以及通孔，以形成主体10″；在主体10″的外表面上形成电连接到图案21a″、21b″、21c″、22a″、22b″和22c″的外电极81″和82″。然而，在应用各向异性镀覆技术的情况下，可实现高的高宽比，但由于在高宽比上的增大而可能导致镀覆生长不均匀，并且镀覆厚度的分布宽，使得图案之间可能容易出现短路。此外，可领会的是，支撑构件201″的厚度h3相当大，使得设置在图案21a″、21b″、21c″、22a″、22b″和22c″之上和之下的磁性材料的厚度hd存在限制。
如上所阐述的，根据本公开的示例性实施例，可提供一种新型线圈组件及其制造方法，在所述线圈组件中，可改善根据现有技术的在施加各向异性镀覆技术时出现的诸如短路等问题，可充分地保证覆盖线圈的磁性材料的厚度，并可实现具有高的高宽比(AR)的图案。
虽然已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域普通技术人员显而易见的是，在不脱离由所附的权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出变型和改变。

Claims (29)

1.一种线圈组件，包括：
主体部，包含磁性材料；
线圈部，设置在所述主体部中；
电极部，设置在所述主体部上且电连接到所述线圈部，
其中，所述线圈部包括：
第一线圈层，在所述第一线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；
第二线圈层，在所述第二线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；
第一突起，设置在所述第一线圈层与所述第二线圈层之间，以将所述第一线圈层与所述第二线圈层彼此电连接，
所述第一线圈层与所述第二线圈层通过所述第一突起彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层分别包括各自的第一导体、各自的第二导体和设置在各自的第一导体与各自的第二导体之间以将各自的第一导体与各自的第二导体彼此连接的各自的第三导体，
所述第一导体和所述第二导体的线宽比所述第三导体的线宽宽。
3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层的所述第一导体、所述第二导体和所述第三导体中的每个呈平面螺旋形状。
4.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：
第一树脂层，所述第一线圈层的第一导体与所述第二线圈层的第一导体嵌在所述第一树脂层中；
第一绝缘层，设置在所述第一线圈层的第一导体与第二导体之间；
第二绝缘层，设置在所述第二线圈层的第一导体与第二导体之间，
所述第一突起延伸穿过在所述第一线圈层的第一导体与所述第二线圈层的第一导体之间的第一树脂层，
所述第一线圈层的第三导体延伸穿过所述第一绝缘层，
所述第二线圈层的第三导体延伸穿过所述第二绝缘层。
5.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述第一树脂层的厚度比所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的厚度大。
6.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述第一树脂层包括感光介质或包含磁性填充物的可固化绝缘材料。
7.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层都包含感光介质。
8.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述第一突起包含金属间化合物。
9.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层分别包括各自的第一导体、各自的第二导体、设置在各自的第一导体与各自的第二导体之间以将各自的第一导体与各自的第二导体彼此连接的各自的第三导体以及设置在各自的第二导体上且直接连接到第二导体的各自的第四导体，
所述第一导体和所述第二导体的线宽比所述第三导体的线宽宽。
10.根据权利要求9所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：
第一树脂层，所述第一线圈层的第一导体和所述第二线圈层的第一导体嵌在所述第一树脂层中；
第二树脂层，所述第一线圈层的第二导体嵌在所述第二树脂层中；
第三树脂层，所述第二线圈层的第二导体嵌在所述第三树脂层中；
第一绝缘层，设置在所述第一树脂层与所述第二树脂层之间；
第二绝缘层，设置在所述第一树脂层与所述第三树脂层之间，
所述第一突起延伸穿过所述第一线圈层的第一导体与所述第二线圈层的第一导体之间的所述第一树脂层，
所述第一线圈层的第三导体延伸穿过所述第一绝缘层，
所述第二线圈层的第三导体延伸穿过所述第二绝缘层。
11.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：
第三线圈层，在所述第三线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；
第四线圈层，在所述第四线圈层中堆叠有呈平面螺旋形状的多个导体；
第二突起，设置在所述第三线圈层与所述第四线圈层之间，以将所述第三线圈层与所述第四线圈层彼此电连接；
第三突起，设置在所述第一线圈层与所述第三线圈层之间，以将所述第一线圈层与所述第三线圈层彼此电连接，
所述第一线圈层、所述第二线圈层、所述第三线圈层和所述第四线圈层通过所述第一突起、所述第二突起和所述第三突起彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈。
12.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层、所述第二线圈层、所述第三线圈层和所述第四线圈层分别包括各自的第一导体、各自的第二导体和设置在各自的第一导体与各自的第二导体之间以将各自的第一导体与各自的第二导体彼此连接的各自的第三导体，
所述第一导体和所述第二导体的线宽比所述第三导体的线宽宽。
13.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：
第一树脂层，所述第一线圈层的第一导体和所述第二线圈层的第一导体嵌在所述第一树脂层中；
第二树脂层，所述第三线圈层的第一导体和所述第四线圈层的第一导体嵌在所述第二树脂层中；
第三树脂层，所述第一线圈层的第二导体和所述第三线圈层的第二导体嵌在所述第三树脂层中；
第一绝缘层，设置在所述第一线圈层的第一导体与第二导体之间；
第二绝缘层，设置在所述第二线圈层的第一导体与第二导体之间；
第三绝缘层，设置在所述第三线圈层的第一导体与第二导体之间；
第四绝缘层，设置在所述第四线圈层的第一导体与第二导体之间，
所述第一突起延伸穿过在所述第一线圈层的第一导体与所述第二线圈层的第一导体之间的所述第一树脂层，
所述第二突起延伸穿过在所述第三线圈层的第一导体与所述第四线圈层的第一导体之间的所述第二树脂层，
所述第三突起延伸穿过在所述第一线圈层的第二导体与所述第三线圈层的第二导体之间的所述第三树脂层，
所述第一线圈层的第三导体延伸穿过所述第一绝缘层，
所述第二线圈层的第三导体延伸穿过所述第二绝缘层，
所述第三线圈层的第三导体延伸穿过所述第三绝缘层，
所述第四线圈层的第三导体延伸穿过所述第四绝缘层。
14.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述主体部的磁性材料覆盖所述线圈部的上部和下部并填充形成在所述线圈部的中央部分中的通孔。
15.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述电极部包括：
第一电极，至少覆盖所述主体部的第一表面并电连接到所述线圈部的在所述第一表面上的第一引线端子；
第二电极，至少覆盖所述主体部的第二表面并电连接到所述线圈部的在所述第二表面上的第二引线端子，
所述第一表面和所述第二表面彼此相对地设置。
16.一种制造线圈组件的方法，包括：
在包含磁性材料的主体部中形成线圈部；
在所述主体部上形成电极部，使所述电极部电连接到所述线圈部，
其中，形成线圈部的步骤包括：
准备基板，所述基板包括支撑构件和设置在所述支撑构件的相对的表面上的一个或更多个金属层；
在所述支撑构件的所述相对的表面中的每个上在所述金属层上形成绝缘层；
在所述绝缘层中形成图案，所述图案呈平面螺旋形状；
在位于所述支撑构件的所述相对的表面中的每个上在通过形成在所述绝缘层中且呈平面螺旋形状的图案暴露的所述金属层上形成第一镀层；
分别在所述第一镀层上形成树脂层；
在所述树脂层中形成过孔，使所述过孔连接到所述第一镀层；
在所述过孔中的至少一个中形成突起；
将所述金属层中的至少一个与所述支撑构件分开；
通过使所述树脂层彼此接触并堆叠所述树脂层以使各个过孔彼此连接来通过所述突起将各个第一镀层彼此电连接；
去除残留在各个绝缘层上的金属层；
分别在由于去除金属层而暴露的所述第一镀层上形成第二镀层，
其中，使通过所述突起而彼此连接的各个第一镀层与形成在各个第一镀层上的各个第二镀层彼此电连接，以形成具有在水平和竖直方向上彼此相邻的线圈匝的单个线圈。
17.根据权利要求16所述的制造线圈组件的方法，其中，将每个第一镀层形成为包括具有彼此不同的线宽的第一导体和第三导体，
将每个第二镀层形成为包括连接到所述第三导体的第二导体，
所述第一导体和所述第二导体的线宽比所述第三导体的线宽宽。
18.一种线圈组件，包括：
主体部，包含磁性材料；
线圈部，设置在所述主体部中；
电极部，设置在所述主体部上并电连接到所述线圈部，
其中，所述线圈部包括：
第一线圈层，沿堆叠方向堆叠有第一导体和第二导体，其中，所述第一线圈层的第一导体和第二导体中的每个呈平面螺旋形状且具有0.8至1.5的高宽比；
第二线圈层，沿所述堆叠方向堆叠有第一导体和第二导体，其中，所述第二线圈层的第一导体和第二导体中的每个呈平面螺旋形状且具有0.8至1.5的高宽比；
所述第一线圈层和所述第二线圈层沿所述堆叠方向进行堆叠。
19.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层的平面螺旋形状图案的一端电连接到所述第二线圈层的平面螺旋形状图案的一端，以形成单个线圈。
20.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，所述线圈部包括：
树脂层，所述第一线圈层和所述第二线圈层的第一导体嵌在所述树脂层中，
其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层的第二导体分别沿所述堆叠方向延伸到所述树脂层的上表面之上或下表面之下。
21.根据权利要求20所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：
绝缘膜，设置在所述第一线圈层和所述第二线圈层的第二导体的表面上。
22.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层还包括沿所述堆叠方向堆叠在所述第一线圈层的第二导体上的第三导体，其中，所述第一线圈层的第三导体呈平面螺旋形状且具有0.8至1.5的高宽比，
所述第二线圈层还包括沿所述堆叠方向堆叠在所述第二线圈层的第二导体上的第三导体，其中，所述第二线圈层的第三导体呈平面螺旋形状且具有0.8至1.5的高宽比。
23.根据权利要求22所述的线圈组件，其中，所述线圈部包括：
一个或更多个树脂层，所述第一线圈层和所述第二线圈层的第一导体和第二导体嵌在所述一个或更多个树脂层中，
其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层的第三导体分别沿所述堆叠方向延伸到所述一个或更多个树脂层的上表面之上或下表面之下。
24.一种线圈组件，包括：
主体部，包含磁性材料；
线圈部，设置在所述主体部中；
电极部，设置在所述主体部上并电连接到所述线圈部，
其中，所述线圈部包括：
第一线圈层，在所述第一线圈层中沿堆叠方向堆叠有第一导体、第二导体和第三导体，所述第一线圈层的绝缘层设置在所述第一导体的一部分与所述第二导体的一部分之间，所述第一线圈层的第三导体延伸穿过所述绝缘层，以将所述第一导体与所述第二导体电连接；
第二线圈层，在所述第二线圈层中沿堆叠方向堆叠有第一导体、第二导体和第三导体，所述第二线圈层的绝缘层设置在所述第二线圈层的第一导体的一部分与第二导体的一部分之间，所述第二线圈层的第三导体延伸穿过所述第二线圈层的绝缘层，以将所述第二线圈层的第一导体与第二导体电连接；
绝缘膜，设置在所述第一线圈层和所述第二线圈层的第二导体与所述主体部之间。
25.根据权利要求24所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层的第一导体、第二导体和第三导体中的每个呈平面螺旋形状，
所述第二线圈层的第一导体、第二导体和第三导体中的每个呈平面螺旋形状。
26.根据权利要求24所述的线圈组件，其中，每个绝缘膜设置为接触在所述每个绝缘膜的一侧上的包含所述磁性材料的所述主体部，并接触在所述每个绝缘膜的另一侧上的所述第一线圈层和所述第二线圈层中的一个的第二导体。
27.根据权利要求24所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层的第三导体延伸穿过在所述第一线圈层的绝缘层中的平面螺旋形状的开口，
所述第二线圈层的第三导体延伸穿过在所述第二线圈层的绝缘层中的平面螺旋形状的开口。
28.根据权利要求24所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层中的每个的第二导体呈平面螺旋形状，
所述绝缘膜在所述第一线圈层和所述第二线圈层的呈螺旋形状的第二导体的相邻的绕组之间延伸。
29.根据权利要求28所述的线圈组件，其中，所述第一线圈层和所述第二线圈层中的每个的第一导体呈平面螺旋形状，
树脂层在所述第一线圈层和所述第二线圈层的呈螺旋形状的第一导体的相邻的绕组之间延伸。
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