CN110739132A - 线圈组件及制造该线圈组件的方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种线圈组件和制造该线圈组件的方法,所述线圈组件包括:主体,包括线圈,所述线圈具有通过过孔彼此连接的顶部线圈和底部线圈;以及外电极,设置在所述主体的外表面上以连接到所述线圈。第一绝缘层设置在所述顶部线圈的表面上,并且第二绝缘层设置在所述底部线圈的表面上。所述第一绝缘层和第二绝缘层设置为在所述顶部线圈与所述底部线圈之间延伸。
Description
本申请要求于2018年7月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0083388号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件及制造该线圈组件的方法,并且更具体地,涉及一种功率电感器及制造功率电感器的方法。
背景技术
由于随着信息技术(IT)装置的发展,各种电子装置的小型化和纤薄化已经加速,因此电子装置中使用的电感器也需要小型化和纤薄化。
为了在保持相同性能水平的同时实现电感器的小型化,需要增加线圈图案的匝数并增加线圈的高宽比(AR)。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种线圈的厚度在有限的低轮廓芯片(low-profilechip)厚度内增加的电感器以及制造所述电感器的方法。
根据本公开的一方面,一种线圈组件包括:主体,包括线圈,所述线圈包括通过过孔彼此连接的顶部线圈和底部线圈;以及外电极,设置在所述主体的外表面上以连接到所述线圈。第一绝缘层设置在所述顶部线圈的表面上,并且第二绝缘层设置在所述底部线圈的表面上。所述第一绝缘层和第二绝缘层设置为在所述顶部线圈与所述底部线圈之间延伸。
所述第一绝缘层和第二绝缘层可在所述顶部线圈和所述底部线圈之间一体化为单个主体。
所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度中的一个或更多个可大于所述顶部线圈和所述底部线圈之间的距离的一半。
所述第一绝缘层和第二绝缘层可在所述顶部线圈与所述底部线圈之间形成边界,所述第一绝缘层和第二绝缘层在所述边界上彼此接触。
所述第一绝缘层的厚度可小于所述顶部线圈与所述底部线圈之间的距离的一半,并且所述第二绝缘层的厚度可小于所述顶部线圈与所述底部线圈之间的距离的一半。
孔可形成在所述边界上或所述边界的下方。
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个可具有5微米至15微米的厚度。
所述顶部线圈和所述底部线圈之间的空间可不包括除形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的绝缘材料之外的绝缘材料。
根据本公开的一方面,一种用于制造线圈组件的方法可包括:制备绝缘膜;加工穿透所述绝缘膜的通路孔;沿着所述绝缘膜的表面以及所述通路孔设置导电层,所述绝缘膜的所述表面包括所述绝缘膜的顶表面和底表面;在所述导电层上设置图案化的绝缘壁;利用镀层填充所述图案化的绝缘壁的开口;去除所述绝缘壁和设置在所述绝缘壁与所述绝缘膜之间的所述导电层;去除所述绝缘膜;以及形成绝缘层以覆盖整个暴露的表面。
所述绝缘膜可具有30微米或更小的厚度。
去除所述绝缘膜的步骤可包括使用溶剂溶解所述绝缘膜。
覆盖上镀层的表面的绝缘层可具有与覆盖下镀层的表面的绝缘层的厚度相同的厚度。
覆盖上镀层的表面的绝缘层和覆盖下镀层的表面的绝缘层在去除了所述绝缘膜的空隙中可一体化为单个主体。
所述绝缘膜可处于完成固化的状态。
可使用CO2激光执行去除所述绝缘壁。
所述方法还可包括:在形成所述绝缘层以覆盖整个暴露的表面之后,基于去除所述绝缘层的空隙分别将设置在上部的上镀层和设置在下部的下镀层朝向所述空隙压制。
根据本公开的一方面,一种线圈组件包括:主体,包括通过过孔彼此连接的顶部线圈和底部线圈;以及绝缘层,包括直接接触所述顶部线圈的底表面和侧表面的第一绝缘层,以及直接接触所述底部线圈的顶表面和侧表面的第二绝缘层。所述绝缘层从所述顶部线圈的所述底表面一体地延伸到所述底部线圈的所述顶表面。
所述顶部线圈可包括沿所述顶部线圈的所述底表面设置的种子层以及设置在所述顶部线圈的所述种子层上方的镀层。所述种子层可沿着所述过孔和所述底部线圈的顶表面一体地延伸。所述镀层可通过所述过孔一体地延伸到所述底部线圈并且延伸到所述底部线圈的所述种子层下方。
所述第一绝缘层可在所述顶部线圈的绕组之间一体地延伸,并且所述第二绝缘层可在所述底部线圈的绕组之间一体地延伸。
所述线圈组件还可包括:第一外电极和第二外电极,分别连接到所述顶部线圈和底部线圈中的相对应的一个;以及包封剂,包括磁性材料,设置在所述绝缘层与所述第一外电极和第二外电极之间。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的透视图;
图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图;
图3是根据图2的变型实施例的线圈组件的截面图;以及
图4A至图4I示出了根据本公开中的另一示例性实施例的用于制造线圈组件的方法的顺序步骤。
具体实施方式
在下文中,将参照附图如下描述本公开的示例。
然而,本公开可以以许多不同形式实施,并且不应该被解释为限于在此阐述的示例。更确切地,提供这些示例使得本公开将是彻底和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
在整个附图中,相同的附图标记用于表示相同的元件。在附图中,为了清楚起见,可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
将理解,当在此使用术语“包括”、“由……组成”、“包含”和/或“含有”时,列举存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
在下文中,将描述线圈组件及制造该线圈组件方法,但不限于此。
线圈组件
图1是根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的透视图,并且图2是沿图1中的线I-I′截取的截面图。
参照图1和图2,根据示例性实施例的线圈组件100包括主体1和设置在主体1的外表面上的外电极2。
外电极2包括以彼此相反的极性操作并且被设置为彼此相对的第一外电极21和第二外电极22。第一外电极21和第二外电极22在图1中以“C”形状实现,但不限于此。例如,第一外电极21和第二外电极22中的每个的形状可改变为“L”形、仅设置在底表面上的底部电极形状等。第一外电极21和第二外电极22中的每个可包括多个层,并且在多个层中可包括镍(Ni)层-锡(Sn)层、包含环氧树脂的层等。
主体1可形成线圈组件100的外观,并且可具有大体上的六面体形状,六面体形状具有设置为在长度方向L上彼此相对的第一端表面和第二端表面、设置为在宽度方向W上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面以及设置为在厚度方向T上彼此相对的顶表面和底表面。
主体1包括利用具有磁性质的磁性材料形成的包封剂11。磁性材料可以是例如铁氧体或者金属磁性颗粒填充在树脂中的材料。考虑到本领域技术人员所需的性能,可适当地组合金属磁性颗粒,并且可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、铝(Al)和(Ni)组成的组中选择的至少一种。
线圈12利用主体1的包封剂11填充。
线圈12具有螺旋形状,并且顶部线圈121和底部线圈122通过过孔123彼此连接。过孔123的厚度大体上与顶部线圈121和底部线圈122在厚度方向上彼此分开的间隔相同。例如,过孔123具有具体为30微米(μm)或更小的厚度。绝缘层可被填充为与过孔123共面,并且可通过绝缘层实现顶部线圈121和底部线圈122之间的绝缘。在本公开的情况下,除了设置为与过孔共面的绝缘层之外,不包括单独的支撑构件、单独的基板等。例如,区别于绝缘层的单独的支撑构件或单独的基板可以是诸如覆铜层叠板(CCL)基板、ABF(AjinomotoBuild-up Film)等的绝缘膜,并且可以是本领域技术人员统称为包括用以形成和支撑线圈的“构件”。
顶部线圈121连接到第一外电极21,底部线圈122连接(例如,直接连接)到第二外电极22。
基于线圈12的L-T平面的截面形状是大体上矩形形状。在这种情况下,大体上矩形形状可对应于线圈的顶表面是平坦的情况、线圈的顶表面是凸的或凹的情况等的全部情况。通过调节用于形成线圈的镀覆液的浓度、镀覆时间和镀覆速率,可容易地改变截面形状。与稍后将描述的方法相似,为了使线圈的截面形成为具有与矩形相似的形状,在图案化的绝缘壁被制备为具有开口之后执行用镀覆液填充开口的工艺时,线圈可生长为在厚度方向上具有均匀的截面形状。
顶部线圈121和底部线圈122分别包括第一金属层和第二金属层。顶部线圈121的第一金属层121a作为用于形成第二金属层121b的种子层,并且底部线圈122的第一金属层122a用作种子层以形成第二金属层122b。除了第一金属层和第二金属层之外,顶部线圈121和底部线圈122还可包括附加金属层,并且附加金属层可利用各向异性镀覆、各向同性镀覆等形成。
绝缘层13设置在线圈12的表面上。绝缘层包括:第一绝缘层131,设置为覆盖顶部线圈121的表面;以及第二绝缘层132,设置为覆盖底部线圈122的表面。具体地,第一绝缘层131和第二绝缘层132利用相同的材料形成。如稍后所述的,这是因为当第一绝缘层131和第二绝缘层132彼此接触以填充顶部线圈与底部线圈之间的空间G时,具有相同物理性质的材料之间的结合提高。此外,第一绝缘层131在顶部线圈的绕组之间一体地延伸,并且第二绝缘层132在底部线圈的绕组之间一体地延伸。具体地,第一绝缘层131具有5μm至15μm的厚度。类似地,第二绝缘层132具有5μm至15μm的厚度。
当第一绝缘层和第二绝缘层中的每个具有小于5μm的厚度时,在技术上难以形成均匀的绝缘层。当在一些部分中发生绝缘层的损耗时,可能发生短路。另一方面,当第一绝缘层和第二绝缘层中的每个具有大于15μm的厚度时,绝缘层的厚度可妨碍线圈的厚度在小型化芯片的尺寸内增加。
当第一绝缘层131和第二绝缘层132具有绝缘特性时,可不受限制地应用它们,而不必要包括单独的填充物。典型的环氧树脂或聚酰亚胺树脂可应用于第一绝缘层131和第二绝缘层132而不受限制。然而,当应用化学气相沉积(CVD)工艺来实现均匀且薄的绝缘膜时,二萘嵌苯树脂可能是合适的。
当第一绝缘层131设置在顶部线圈的表面上时,第一绝缘层131设置为延伸到顶部线圈与底部线圈之间的空间G。结果,第一绝缘层131具有覆盖顶部线圈中的最外侧线圈图案的外部下角部和覆盖顶部线圈中的最内侧线圈图案的内部下角部的形状。现有技术的线圈组件的区别在于:单独的支撑构件支撑顶部线圈中的最内侧线圈图案的下角部和最外侧线圈图案的下角部的底表面。
类似地,当第二绝缘层132设置在底部线圈的表面上时,第二绝缘层132设置为延伸到顶部线圈与底部线圈之间的空间G。结果,第二绝缘层132具有覆盖底部线圈中的最外侧线圈图案的外部上角部和覆盖底部线圈中的最内侧线圈图案的内部上角部的形状。
参照图2,第一绝缘层131和第二绝缘层132可一体化为顶部线圈与底部线圈之间的空间G中的单个主体。
第一绝缘层131和第二绝缘层132彼此一体化,使得它们之间的边界可不容易显而易见。
空间G的厚度等于间隔L1或顶部线圈与底部线圈之间的距离。
第一绝缘层131的厚度T1指的是从顶部线圈的顶表面到第一绝缘层的表面的直线距离,并且厚度T1大于间隔L1的一半。类似地,第二绝缘层132的厚度T2指的是从底部线圈的底表面到第二绝缘层的表面的直线距离,并且厚度T2大于间隔L1的一半。
当第一绝缘层131的厚度T1和第二绝缘层132的厚度T2以及间隔L1具有上述厚度范围时,第一绝缘层131和第二绝缘层132一体化为它们之间不具有边界的单个主体。
图3是根据图1和图2中的线圈组件100的变型实施例的线圈组件200的截面图。与图1和图2中示出的其中的第一绝缘层131和第二绝缘层132彼此一体化而在它们之间没有边界的线圈组件100相比,图3中示出的线圈组件200具有形成在第一绝缘层2131与第二绝缘层2132之间的边界B。为了便于描述,将仅描述与图1和图2的线圈组件100的内容不同的内容,并且将省略重复的描述。
参照图3,在顶部线圈2121与底部线圈2122之间的空间G'中,在第一绝缘层2131和第二绝缘层2132彼此接触的表面上形成边界。边界统称为能够将一种情况(第一绝缘层对应于覆盖顶部线圈的表面的绝缘层)与另一种情况(第二绝缘层对应于覆盖底部线圈的表面的绝缘层)区分开的表面。具体地,包括在第一绝缘层和第二绝缘层彼此接触的表面周围观察到孔的情况,例如,孔可形成在边界上或边界下方。
当在空间G'中形成边界B时,第一绝缘层2131的厚度T1'小于间隔L2(顶部线圈和底部线圈彼此分开的距离)的一半(例如,L2是顶部线圈和底部线圈之间的空间G'的厚度),并且第二绝缘层2132的厚度T2'小于间隔L2的一半。
图4A至图4I示出了根据本公开中的另一示例性实施例的用于制造线圈组件的方法。用于制造上述线圈组件100和200的方法不限于以下描述的制造方法,其仅是根据示例性实施例的用于制造线圈组件的方法的示例。
参照图4A,制备绝缘膜41。绝缘膜41具有利用绝缘材料形成的薄板形状。具体地,绝缘膜41具有约30μm的厚度。更具体地,取决于尺寸缩小的趋势,绝缘膜41具有30μm或更小的厚度。当在绝缘膜41上形成的线圈的匝数和厚度不大时,线圈的厚度可减小到约20μm。具体地,绝缘膜41处于其固化完成的状态。当在绝缘膜41上形成线圈时,绝缘膜41可由于固化而稳定地支撑线圈。当在固化之后使用溶剂溶解绝缘膜41时,可显著减少剩余的绝缘膜。
参照图4B,加工通路孔V。加工通路孔V的方式不受限制,并且可使用CO2激光器进行。通路孔V的详细截面形状可以是圆形、锥形等,其可由本领域技术人员适当地选择。
参照图4C,设置导电层42以覆盖包括通路孔V的表面的绝缘膜41的整个暴露表面。即,导电层可沿着绝缘膜41的上表面、通路孔V和绝缘膜41的下表面一体地延伸。设置导电层42的方式不受限制,并且可应用无电镀覆、溅射等而不受限制。当然,导电层包括导电材料,并且可根据其详细的形成方法来选择合适的金属材料。
参照图4D,图案化的绝缘壁43设置在导电层42上。绝缘壁43可用作镀覆生长的引导件,并且可调整绝缘壁43的开口的形状以控制最终线圈的截面形状。绝缘壁43需要形成为具有大于或等于线圈的计划厚度的厚度,使得线圈容易形成。绝缘壁43的材料不受限制,而是可使用各种材料,只要它们具有绝缘特性即可。
参照图4E,镀层44填充设置在图4D中的绝缘壁43的开口中。具体地,镀层是铜(Cu)镀层,并且镀层可生长为低于或等于绝缘壁43的顶表面的高度或厚度。
参照图4F,去除绝缘壁43并去除设置在绝缘壁43下方的导电层,以防止在相邻线圈之间发生短路。去除绝缘壁43的方式不受限制,并且可通过使用化学品的蚀刻或通过物理地使用CO2激光来去除绝缘壁43。此外,去除设置在绝缘壁43下方的导电层的方式不受限制。当导电层是铜(Cu)层时,导电层具有用于CO2激光加工的厚度,具体地,10μm或更小。当导电层是镍(Ni)层或铌(Nb)层时,导电层的厚度没有限制。
参照图4G,去除支撑线圈的绝缘膜41。通过选择可溶解绝缘膜41的溶剂,仅选择性地溶解固化的绝缘膜。由于去除了绝缘膜41,顶部线圈和底部线圈通过过孔彼此连接,但是与过孔共面的平面处于空的状态(例如,设置在顶部线圈和底部线圈之间并与过孔共面的平面没有任何材料)。
参照图4H,形成绝缘层45以覆盖诸如顶部线圈的表面、底部线圈的表面等的暴露表面。化学气相沉积(CVD)适合作为形成绝缘层45的方式。随着绝缘层45的厚度增加,通过去除图4G中的绝缘膜形成的空隙(例如,设置在顶部线圈和底部线圈之间并与过孔共面的空隙)可用绝缘层填充。例如,覆盖上镀层的表面的绝缘层和覆盖下镀层的表面的绝缘层一体化为单个主体以大体上填满该空隙。覆盖上镀层的表面的绝缘层可具有与覆盖下镀层的表面的绝缘层的厚度相同的厚度。
尽管未详细示出,但是当覆盖上镀层的绝缘层和覆盖下镀层的绝缘层不填满空隙时,可通过以压力压制上镀层和下镀层至过孔不被损坏的程度而将绝缘层集成为单个主体。
参照图4I,执行完成工艺(finishing process)以形成包封剂46来填充其中形成有绝缘层的线圈,并形成外电极47以将线圈电连接到外部组件。由于所述完成工艺与现有技术的完成工艺基本相同,因此将省略其详细描述。
除了以上描述之外,将省略根据示例性实施例的线圈组件的上述特征的重复描述。
本公开不限于上述实施例和附图。因此,在不脱离权利要求中描述的本发明的范围的情况下,本领域技术人员可进行各种形式的替换、修改和变形,并且这也将在本公开的范围内。
同时,本公开中使用的术语“示例”并不意味着相同的示例性实施例,而是被提供以用于强调和描述不同的独特特征。然而,在此提供的示例性实施例被认为能够通过彼此全部或部分组合来实现。例如,除非在其中提供相反或矛盾的描述,否则在特定示例性实施例中描述的一个元件即使未在另一示例性实施例中描述,也可被理解为与另一示例性实施例相关的描述。
同时,本公开中使用的术语仅用于描述示例而不限制本公开的范围。在这种情况下,除非在上下文中另有说明,否则单数形式包括复数形式。
根据示例性实施例,线圈组件及制造该线圈组件的方法的各种效果之一是通过移除顶部线圈和底部线圈之间的空间中的支撑构件来实现具有低轮廓的线圈组件。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例,但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,可进行修改和变型。
Claims (20)
1.一种线圈组件,包括:
主体,包括线圈,所述线圈包括通过过孔彼此连接的顶部线圈和底部线圈;以及
外电极,设置在所述主体的外表面上以连接到所述线圈,
其中,第一绝缘层设置在所述顶部线圈的表面上,并且第二绝缘层设置在所述底部线圈的表面上,并且
所述第一绝缘层和第二绝缘层设置为在所述顶部线圈与所述底部线圈之间延伸。
2.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层和第二绝缘层在所述顶部线圈和所述底部线圈之间一体化为单个主体。
3.根据权利要求2所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度中的一个或更多个大于所述顶部线圈和所述底部线圈之间的距离的一半。
4.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层和第二绝缘层在所述顶部线圈与所述底部线圈之间形成边界,所述第一绝缘层和第二绝缘层在所述边界上彼此接触。
5.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层的厚度小于所述顶部线圈与所述底部线圈之间的距离的一半,并且
所述第二绝缘层的厚度小于所述顶部线圈与所述底部线圈之间的距离的一半。
6.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,孔形成在所述边界上或所述边界下方。
7.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个具有5微米至15微米的厚度。
8.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述顶部线圈和所述底部线圈之间的空间不包括除形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的绝缘材料之外的绝缘材料。
9.一种用于制造线圈组件的方法,所述方法包括:
制备绝缘膜;
加工穿透所述绝缘膜的通路孔;
沿着所述绝缘膜的表面以及所述通路孔设置导电层,所述绝缘膜的所述表面包括所述绝缘膜的顶表面和底表面以及所述通路孔;
在所述导电层上设置图案化的绝缘壁;
利用镀层填充所述图案化的绝缘壁的开口;
去除所述绝缘壁和设置在所述绝缘壁与所述绝缘膜之间的所述导电层;
去除所述绝缘膜;以及
形成绝缘层以覆盖整个暴露的表面。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述绝缘膜具有30微米或更小的厚度。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,去除所述绝缘膜的步骤包括:
使用溶剂溶解所述绝缘膜。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,覆盖上镀层的表面的绝缘层具有与覆盖下镀层的表面的绝缘层的厚度相同的厚度。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,覆盖上镀层的表面的绝缘层和覆盖下镀层的表面的绝缘层在去除了所述绝缘膜的空隙中一体化为单个主体。
14.根据权利要求9所述的方法,其中,所述绝缘膜处于完成固化的状态。
15.根据权利要求9所述的方法,其中,使用CO2激光执行去除所述绝缘壁的步骤。
16.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:
在形成所述绝缘层以覆盖整个暴露的表面之后,基于去除所述绝缘层的空隙分别将设置在上部的上镀层和设置在下部的下镀层朝向所述空隙压制。
17.一种线圈组件,包括:
主体,包括通过过孔彼此连接的顶部线圈和底部线圈;以及
绝缘层,包括直接接触所述顶部线圈的底表面和侧表面的第一绝缘层,以及直接接触所述底部线圈的顶表面和侧表面的第二绝缘层,
其中,所述绝缘层从所述顶部线圈的所述底表面一体地延伸到所述底部线圈的所述顶表面。
18.根据权利要求17所述的线圈组件,其中,所述顶部线圈包括沿所述顶部线圈的所述底表面设置的种子层以及设置在所述顶部线圈的所述种子层上方的镀层,
所述种子层沿着所述过孔和所述底部线圈的顶表面一体地延伸,并且
所述镀层通过所述过孔一体地延伸到所述底部线圈并且延伸到所述底部线圈的所述种子层下方。
19.根据权利要求17所述的线圈组件,其中,所述第一绝缘层在所述顶部线圈的绕组之间一体地延伸,并且所述第二绝缘层在所述底部线圈的绕组之间一体地延伸。
20.根据权利要求17所述的线圈组件,所述线圈组件还包括:
第一外电极和第二外电极,分别连接到所述顶部线圈和底部线圈中的相对应的一个;以及
包封剂,包括磁性材料,设置在所述绝缘层与所述第一外电极和第二外电极之间。
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