CN105144273A - 图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明以提供即使不使用高价的亮度传感器等，也可以高精度地补正在低亮度侧对画质劣化影响大的发光开始电压移动的劣化预测值(估算值)的偏差的图像信号处理电路、图像信号处理方法、以及具有该图像信号处理电路的显示装置为目的。图像信号处理电路具备：显示面板(13)，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素(17)；电流检测单元(32)，检测第1伪像素(17)的电流变化；修正处理单元(30)，根据电流检测单元(32)检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及补正处理单元(20)，根据由修正处理单元(30)修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。

Description

图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置
技术领域
本公开涉及一种图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置。
背景技术
在显示装置(更具体地说是平板型(平面型)的显示装置)中，关于显示面板的经时亮度劣化，根据从像素信号的信息和显示面板的代表性的劣化特性预测的劣化值(劣化预测值)进行补正。但是，因为每个显示面板的劣化特性会有偏差，所以仅根据代表性的劣化预测值(估算值)不能进行充分的劣化补正。
作为其对策，提出了如下技术(例如，参照专利文献1)：使用伪像素通过亮度传感器测定每个显示面板的亮度实际劣化状态，并且根据该测定结果定期修正劣化预测值(估算值)以使其适合实际劣化状态，来保证补正精度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-187761号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是，如上述以往的技术那样，在通过亮度传感器进行实际劣化状态的测定中，在低亮度侧很难高精度地检测出对画质劣化影响大的亮度变化、即发光开始点的电压移动(发光开始电压移动/偏移)。
可是，使用亮度传感器不是不可能高精度地检测发光开始电压移动(阶调劣化)。但是，因为下列因素：需要使用受光灵敏度高的大面积亮度传感器、测定需要很长时间等、作为亮度传感器需要具有与高价的测定器同等的性能，所以导致成本上涨、调整工时的增加，并且给用户使用时的便利性带来限制等的影响变大。
本公开以提供一种即使不使用高价的亮度传感器等，也可以高精度地补正在低亮度侧对画质劣化影响大的发光开始电压移动的劣化预测值(估算值)的偏差的图像信号处理电路、图像信号处理方法、以及具有该图像信号处理电路的显示装置为目的。
解决技术问题的手段
用于达成上述目的的本公开的图像信号处理电路的构造具备：显示面板，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素；电流检测单元，检测第1伪像素的电流变化；修正处理单元，根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及补正处理单元，根据由修正处理单元修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
另外，用于达成上述目的的本公开的图像信号处理方法的构成是：检测配置在显示面板的有效像素区域之外的第1伪像素的电流变化；根据检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；根据修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
另外，用于达成上述目的的本公开的显示装置的构造具有图像信号处理电路。该图像信号处理电路具备：显示面板，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素；电流检测单元，检测第1伪像素的电流变化；修正处理单元，根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及补正处理单元，根据由修正处理单元修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
作为显示面板的经时亮度劣化的要素，为有效像素的发光单元的发光效率的降低，再加上驱动发光单元的晶体管的特性的劣化(降低)。在显示面板的有效像素区域之外设置伪像素，并且检测该伪像素的电流的实际劣化量，由此能够检测出驱动发光单元的晶体管的特性的劣化份。于是，对用于对驱动有效像素的图像信号进行补正的预先决定的劣化预测值，根据伪像素的电流的实际劣化量进行修正，并且使用该修正后的劣化预测值进行补正处理，由此能够补正考虑过晶体管特性的劣化份的亮度劣化。
发明的效果
根据本公开，因为即使不使用高价的亮度传感器等，也能够高精度地补正在低亮度侧对画质劣化影响大的发光开始电压移动的劣化预测值(估算值)的偏差，所以能够提高显示面板的经时亮度劣化的补正精度。
此外，本说明书所记载的效果只是例示，并不限于此，另外也可以具有附加效果。
附图说明
[图1]图1是表示本公开的实施方式的显示装置的***构造的方框图。
[图2]图2是有关在补正处理单元执行的烧屏补正的想法的说明图。
[图3]图3A是表示初期处理步骤的处理程序的流程图，图3B是表示通常处理的通常动作模式的处理程序的流程图。
[图4]图4是表示通常处理的测定/LUT修正模式的处理程序的流程图。
[图5]图5A是方格图案结构的检测图案(Pattern)的模式图，图5B是竖条图案结构的检测图案的模式图。
[图6]图6是有关劣化量计算方法的说明图。
[图7]图7A是表示在测定亮度劣化的情况下的初期测定时的V-L特性的图，图7B是表示在测定亮度劣化的情况下的通常测定时的V-L特性的图。
[图8]图8A是表示在测定阶调劣化的情况下的初期测定时的V-L特性的图，图8B是表示在测定阶调劣化的情况下的通常测定时的V-L特性的图。
[图9]图9是表示亮度劣化曲线特性的图。
[图10]图10是表示有效像素的具体的电路构造的一例的电路图。
[图11]图11是表示电流传感器(电流检测电路)的构造的一例的电路图。
[图12]图12是表示用于检测阶调劣化测定用伪像素的电流的电源线的配线引出的一例的配线图。
[图13]图13是表示电流传感器的2个开关的动作例的图。
[图14]图14是表示适用于阶调劣化测定用伪像素、用于检测电流变化的检测图案的一例的图。
[图15]图15是表示适用于阶调劣化测定用伪像素、用于检测电流变化的检测图案的其他例的图。
[图16]图16是表示变形例的伪像素的电路构造的电路图。
具体实施方式
在下文中利用附图对用于实施本公开的技术的方式(在下文中称为“实施方式”)进行详细说明。本公开不限定于实施方式，实施方式的各种数值为例示。在以下的说明中，对同一要素或具有同一功能的要素使用相同的符号，省略重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。
1.关于本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置、整体的说明
2.关于实施方式的说明
3.变形例
<关于本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置、整体的说明>
本公开的图像信号处理电路或者图像信号处理方法适用于：有助于图像显示的有效像素的发光单元由根据电流的强度(大小)控制发光的电流驱动型发光元件构成的显示装置。作为电流驱动型发光元件，例如能够使用有机电致发光元件(以下记述为“有机EL元件”)，该有机EL元件利用“若向有机薄膜施加电场则发光”的现象。作为电流驱动型发光元件，除了有机EL元件之外，能够列举无机EL元件、LED元件、半导体激光元件等。
使用有机EL元件作为像素发光单元的有机EL显示装置具有如下优点。也就是说，因为有机EL元件在10V以下的外加电压下能够驱动，所以有机EL显示装置是低耗电。因为有机EL元件是自发光元件，所以有机EL显示装置与同样的平面型显示装置液晶显示装置相比，图像的视认性高，而且因为不需要背照灯等照明构件，所以能够容易地实现轻量化和薄型化。进一步说，因为有机EL元件的应答速度为数微秒(μsec)左右、非常高速，所以有机EL显示装置不发生动画显示时的残像。
在本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够将电流检测单元检测出的电流作为流过晶体管的电流，该晶体管驱动第1伪像素的发光单元。因此，能够检测出显示面板的经时亮度劣化的要素之一、即驱动发光单元的晶体管的特性的劣化(降低)。
在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：在有效像素区域之外设置第2伪像素，并且具备检测该第2伪像素的亮度变化的亮度检测单元。因此，就能够检测出显示面板的经时亮度劣化的另一个要素、即有效像素的发光单元的发光效率的降低份。这时，修正处理单元能够采用如下构造：根据检测出的电流的实际劣化量及检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：第1伪像素及第2伪像素具有与有效像素相同的构造，并且动作条件也与有效像素相同。另外，能够采用如下构造：在有效像素区域之外设置有1行以上的第1伪像素及第2伪像素。在这里，能够采用如下构造：第1伪像素及第2伪像素由共同的像素构成。或者另外，能够采用如下构造：第1伪像素及第2伪像素具有遮光构造。
另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：电流检测单元具有检测电阻和检测放大器。在这里，检测电阻连接在驱动第1伪像素的驱动器的输出端与对第1伪像素供给电源电压的电源线之间。检测放大器检测在检测电阻的两端产生的电压值。
另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，在从左右两侧对显示面板供给电源电压的构造的情况下，能够采用如下构造：电流检测单元具有在检测出电流变化时，从显示面板的一侧遮断电源电压的供给的开关。另外，能够采用如下构造：电流检测单元具有选择性地使检测电阻的两端之间短路的开关。或者另外，能够采用如下构造：电流检测单元在第1伪像素的发光电流成为脉冲状应答的情况下，与脉冲状应答的发光电流同步检测电流变化。
另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：用于检测电流变化的检测图案的1行被分成多个像素块，由亮度条件不同的1种以上的常亮像素块与不亮像素块构成。或者另外，能够采用如下构造：用于检测电流变化的检测图案由1种以上亮度条件的常亮像素与不亮像素的组合构成，并且在1行内周期性地配置多个该检测图案的图块。
另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：第1伪像素不具有发光单元。也就是说，采用如下构造：有效像素至少具有发光单元和驱动该发光单元的晶体管，另一方面，第1伪像素不存在发光单元。因此，在配置第1伪像素的区域中不需要遮光构造。
<关于实施方式的说明>
图1是表示本公开的实施方式的显示装置的***构造的方框图。
在本实施方式中，举例说明：有助于图像显示的有效像素的发光单元由根据电流的强度(大小)控制发光的电流驱动型发光元件(电光元件)、例如有机EL元件构成的有源矩阵型有机EL显示装置。
有源矩阵型有机EL显示装置是通过与有机EL元件设置在相同像素内的有源元件(例如，绝缘栅型场效应晶体管)来控制流向该有机EL元件的电流的显示装置。作为绝缘栅型场效应晶体管，典型地，能够使用TFT(ThinFilmTransistor、薄膜晶体管)。本实施方式的有机EL显示装置1由显示面板模块(有机EL面板模块)10、补正处理单元20以及修正处理单元30构成。
在显示面板模块10中，构成显示面板的发光元件(在本例中为有机EL元件)具有与其发光量和发光时间成比例地劣化的特性。另一方面，由显示面板显示的图像的内容不一样。因此，特定的显示区域的发光元件的劣化容易发展。于是，劣化发展了的特定的显示区域的发光元件的亮度与其他显示区域的发光元件的亮度相比相对下降。像这样，显示面板部分地发生亮度劣化的现象一般被称为“烧屏”。
在本实施方式中，成为该显示面板的烧屏的原因的亮度劣化的补正处理由补正处理单元20及修正处理单元30进行。于是，补正处理单元20及修正处理单元30成为本公开所说的图像信号处理电路。另外，利用补正处理单元20及修正处理单元30的处理方法成为本公开所说的图像信号处理方法。补正处理单元20根据预先决定的劣化预测值(估算值)，进行包括显示面板(有机EL面板)的亮度劣化的各种补正处理。修正处理单元30例如由CPU(中央处理器)构成，使用后述的各种传感器的控制、各种传感器获得所需的测定结果，并且根据该获得的结果，进行修正预先决定的劣化预测值(估算值)的处理。
[显示面板模块的构造]
显示面板模块10具有：包含数据驱动器11和栅极扫描驱动器12的有机EL面板13、以及驱动数据驱动器11和栅极扫描驱动器12等的时序控制器14。
有机EL面板13除了具有有助于图像显示的有效像素以二维行列式配置形成的有效像素区域15之外，还具有配置在该有效像素区域15附近的亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17。亮度劣化测定用伪像素群16的伪像素是用于显示亮度劣化的像素(第2伪像素)，并不有助于图像显示。阶调劣化测定用伪像素群17是用于显示阶调劣化的像素(第1伪像素)，并不有助于图像显示。例如，亮度劣化测定用伪像素群16被配置在有效像素区域15的下侧，阶调劣化测定用伪像素群17被配置在有效像素区域15的上侧。但是，对于亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17的配置，并不限定于这种配置例。
亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17的各伪像素具有与有效像素区域15的有效像素相同的构造(关于其详细内容将在后面叙述)，在有效像素区域15的附近设置有1行以上。另外，亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17的各伪像素在驱动电压、驱动时机等动作条件(驱动条件)方面，也与有效像素区域15的有效像素相同。于是，亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17的各伪像素也与有效像素区域15的有效像素一样，由栅极扫描驱动器12驱动。
[补正处理单元的构造]
在补正处理单元20中，除了由信号处理单元21进行各种信号处理之外，还实施为本公开的重要功能的烧屏(亮度劣化)的补正处理。进行该补正处理的烧屏补正单元22由用于补正亮度劣化的增益(Gain)补正单元23、与用于补正阶调劣化的偏移补正单元24构成。在这里，如果将亮度劣化的主要原因分为在高亮度侧的对画质劣化影响大的亮度变化(高亮度侧变化)、与在低亮度侧的对画质劣化影响大的亮度变化(低亮度侧变化)2个因素，那么增益补正单元23进行对高亮度侧变化的补正，偏移补正单元24进行对低亮度侧变化的补正。
增益补正单元23由亮度劣化预测LUT231、劣化履历累计单元232以及亮度增益处理单元233构成。亮度劣化预测LUT231是存储通过图像信号电平(level)预测亮度劣化的劣化预测值(估算值)的表格(Table)(查表(Look-uptable))。偏移补正单元24由阶调劣化预测LUT241、劣化履历累计单元242以及阶调偏移处理单元243构成。阶调劣化预测LUT241是存储通过图像信号电平预测阶调劣化的劣化预测值的表格(查表)。
补正处理单元20除了具备信号处理单元21及烧屏补正单元22(增益补正单元23及偏移补正单元24)之外，还具备伪像素图案(Pattern)生成单元25及信号输出单元26。伪像素图案生成单元25生成图案信号，该图案信号用于在亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17的各测定用伪像素区域内显示“发光”(Aging)图案、测定图案。信号输出单元26将经过烧屏补正单元22的图像信号与由伪像素图案生成单元25提供的图案信号适当混合、切换。
(烧屏补正的想法)。
在这里，对有关在补正处理单元20执行的烧屏补正的想法，使用图2进行说明。
通过有机EL面板13的有效像素的点亮亮度条件和点亮时间，根据表示单位时间内的亮度劣化的亮度劣化预测LUT231，按照下式(1)预测亮度劣化量△L。
△L＝Σ△Ln···(1)
关于阶调劣化(电压移动)，也可以根据表示单位时间内的阶调劣化的阶调劣化预测LUT241，以相同的方法算出劣化量。
根据如此算出的劣化预测值，对输入图像信号进行烧屏增益及偏移补正。具体地说，对输入图像信号执行补正系数值的乘算及加减演算处理。亮度劣化预测LUT231大多是根据预先使用多个产品投产前的评价专用面板、测试元件等，在特定亮度条件、环境时间下测得的结果的平均值制作的。因此，在面板特性的偏差大的情况下，会发生不能获得充分的补正效果的情况。
在本公开的技术中，提供对于亮度劣化、阶调劣化，即使在个别面板上发生特性偏差，也能够获得补正精度充分的补正效果的方法。以下对该手法进行说明。
关于烧屏补正，可以个别分离成亮度劣化成分和阶调劣化成分来执行。亮度劣化是由作为主要原因的有机EL元件材料本身的发光效率的劣化而引起的。阶调劣化是由用于驱动有机EL元件的晶体管的特性(发光开始电压移动)的劣化(降低)而引起的。因为这些劣化最终作为亮度变化显现出来，所以也可以测定发光像素的亮度变化。但是，因为晶体管的特性的劣化为低亮度侧的亮度变化，所以仅测定亮度变化不能进行有效的补正。
在本公开的技术中，通过将亮度劣化和阶调劣化分别以亮度变化、电流变化的形式进行测定，来测定实际像素的劣化，并且根据该测定结果适当地自动更新各劣化预测LUT231、241。由此，能够降低每个面板的特性偏差。进行这种劣化预测LUT231、241的修正的部分是以下说明的修正处理单元30。
[修正处理单元的构造]
修正处理单元30由亮度传感器31、电流传感器32、伪像素传感器控制单元33、传感器信号处理单元34、初期特性保持单元35、亮度/阶调劣化计算单元36、劣化量预测LUT保持单元37、伪像素劣化履历累计单元38、以及劣化量预测LUT修正值计算单元39构成。
亮度传感器31是检测亮度劣化测定用伪像素群16的伪像素的亮度变化的亮度检测单元的一例。电流传感器32是检测阶调劣化测定用伪像素群17的伪像素的电流变化的电流检测单元(电流检测电路)的一例。伪像素传感器控制部33用于控制亮度传感器31和电流传感器32的动作、以及伪像素的发光。传感器信号处理单元34用于进行将亮度传感器31和电流传感器32的输出信号平均化的处理。
初期特性保持单元35用于保持在检测劣化量时作为基准的初期测定结果。亮度/阶调劣化计算单元36用于根据“发光”后的亮度变化及电流变化的测定结果计算劣化量。在这里，“发光”是指在用户的使用期间中使伪像素以一定的亮度发光。劣化量预测LUT保持单元37用于从伪像素的发光值来预测各劣化量。伪像素劣化履历累计单元38用于累计进行了劣化量的预测的伪像素的劣化量的履历。劣化量预测LUT修正值计算单元39用于根据由履历累计结果和实际像素的测定结果求得的亮度/阶调劣化量进行劣化预测LUT的修正。
(劣化预测LUT的修正处理的概要)。
对具有上述构造的修正处理单元30的利用劣化测定用伪像素的亮度劣化预测LUT及阶调劣化预测LUT的修正处理的概要进行说明。
劣化预测LUT的修正处理由初期处理步骤、与在用户使用的状态下进行的通常处理步骤2个步骤执行。关于初期处理，优选在显示面板模块10的出货前实施。但是，并不限于出货前的实施，在成为商品的形态后，用户也可以在使用之前的初期设定时实施。
关于初期处理步骤的处理程序，使用图3A的流程图进行说明。首先，将伪像素的初期特性作为基准数据由亮度传感器31及电流传感器32进行测定(步骤S11)，该伪像素的初期特性也就是作为用于计算劣化测定用伪像素的劣化量的基准的“发光”开始前的发光电压特性(V-L)和发光电流特性(I-L)。其次，将该测得的伪像素的初期特性经由传感器信号处理单元分34保存在初期特性保持单元35(步骤S12)。
在用户使用的状态下进行的通常处理由通常动作模式与测定/LUT修正模式构成。
关于通常处理的通常动作模式的处理程序，使用图3B的流程图进行说明。首先，使劣化测定用伪像素以预定的亮度发光而处于“发光”状态，与此同时，根据“发光”像素的阶调由劣化预测LUT计算伪像素的劣化量履历(步骤S21)。
其次，将进行是否经过了一定期间的判定(步骤S22)。在这里，作为一定期间(一定时间)，例如，被设定为1显示帧(frame)周期。然后，反复执行步骤S21的处理、即“发光”像素点亮&劣化量履历计算的处理，直到判定为在步骤S22中经过了一定时间为止。因此，每隔一定期间、即每隔1显示帧周期劣化量履历被累计。然后，定期保存劣化履历累计量(步骤S23)。该通常动作模式的处理是伪像素劣化履历累计单元38的处理。
接着，对通常处理的测定/LUT修正模式的处理程序，使用图4的流程图进行说明。首先，对仅经过预定时间t的“发光”后的劣化测定用伪像素的发光电压特性和发光电流特性进行测定(即取得劣化数据)、保存(步骤S31)。其次，根据初期处理时测定的发光电压特性及发光电流特性(即基准数据)、与“发光”后测定的发光电压特性及发光电流特性(即劣化数据)，计算亮度劣化量(增益劣化量)△Ld(步骤S32)。该亮度劣化量△Ld的计算处理是亮度/阶调劣化计算单元36的处理。
其次，读取各“发光”条件的劣化履历累积量△Lm(步骤S33)，接着，根据由上述测定结果算出的亮度劣化量△Ld、与在通常动作模式下累计的劣化履历累计值△Ld，来计算补正系数(步骤S34)。然后，根据该算出的补正系数更新、保存劣化预测LUT(步骤S35)。该劣化预测LUT的更新&保存处理是劣化量预测LUT保持单元37及劣化量预测LUT修正值计算单元39的处理。
通过进行以上的处理，完成由一系列伪像素进行的劣化预测LUT的更新处理。更新处理完成后再转换到通常动作模式，重新开始“发光”。以后，定期反复交替通常动作模式与测定/LUT修正模式，并且适当更新劣化预测LUT。通常动作模式与测定/LUT修正模式并不限于定期的(设定间隔)反复，例如，也可以采用在每个驱动模式进行实施的构成。
以上虽然举例说明了亮度劣化预测LUT的修正处理，但是关于阶调劣化预测LUT的修正处理，也基本上与亮度劣化预测LUT的修正处理相同。
(关于检测图案、传感器测定方法及劣化量计算方法)
在这里，对用于检测各劣化量的检测图案、由使用该检测图案的亮度传感器31进行测定的方法、以及劣化量计算方法进行说明。
本实施方式的显示面板模块(有机EL面板模块)10具有：用于显示亮度劣化的亮度劣化测定用伪像素群16、以及用于显示阶调劣化(电流劣化)的阶调劣化测定用伪像素群17。
首先，对亮度劣化测定用伪像素群16进行说明。用于检测劣化量的检测图案是指亮度劣化测定用伪像素群16中的发光像素和非发光像素的配置图案。作为检测图案，使用发光像素(亮像素)与非发光像素(不亮像素)混在一起的图案。例如使用下列图案结构的检测图案：图5A所示的发光像素与非发光像素以方格形状反复配置而成的方格图案结构、图5B所示的发光像素与非发光像素以竖条纹状反复配置而成的竖条(条纹)图案结构。
然后，在“发光”状态下，将发光像素以预定的亮度条件连续点亮。关于非发光像素，在“发光”时也不点亮。如图5A所示的方格图案结构、图5B所示的竖条图案结构，使发光像素与非发光像素混在一起的原因是因为通过非发光像素能够检测出除去由发光引起的劣化份的变动份。
关于检测图案的尺寸，根据亮度传感器31的受光灵敏度、像素大小选择最合适的图案尺寸。在图5A中，用二点锁线表示亮度传感器31的俯视图的尺寸。如图5A所示，检测图案被设定为比亮度传感器31的俯视图的尺寸大的尺寸(区域)。检测图案适用于进行“发光”的所有颜色。另外，检测图案优选以邻接图案不影响测定的方式，间隔配置数量等于劣化预测LUT的亮度条件数的图案。
下面以举使用图5B所示的竖条图案结构的检测图案的情况为例，对利用亮度传感器31的测定方法及劣化量计算方法进行说明。
在竖条图案结构的检测图案中，例如，将奇数列的伪像素作为亮(“发光”)像素，将偶数列的伪像素作为不亮(非“发光”)像素。然后，在测定时，利用伪像素图案生成单元25使显示图案信号Vsig与亮像素、不亮像素一起在预定的显示阶调范围内可变，并且利用亮度传感器31测定阶调-亮度的关系。
其次，从不亮像素的阶调-亮度的初期测定的测定结果、与不亮像素的阶调-亮度的经过预定时间t后的测定结果，计算出随时间及环境变动的变动量Gain_ref/Offset_ref。接着，根据随时间及环境变动的变动量Gain_ref/Offset_ref，补正“发光”后的亮像素的阶调-亮度的测定值的随时间及环境变动的变动份。然后，从随时间及环境变动的变动份的补正结果、与作为劣化量算出基准值的在初期测定完毕的阶调-亮度的测定结果，计算点亮、经过“发光”后的各亮度/阶调劣化量。
关于具体的计算方法，如下所述。也就是说，如图6所示，在所有的测定点求得初期测定时(初期特性)的亮度与“发光”后的亮度相等时的阶调，并且导出“发光”后阶调(劣化后阶调)-初期阶调(劣化前阶调)的关系。图6所示的公式是有机EL面板13的发光特性在例如γ＝2.2时的情况，在该式中，y为亮度，x为阶调，a(a1、a2、···)为亮度劣化系数，b(b1、b2、···)为阶调劣化系数。
然后，可以通过根据该导出结果使用最小二乘法的回归演算，计算出亮度劣化量(增益成分)和阶调劣化量(偏移成分)。更具体地说，计算与非“发光”的某个测定点(阶调)具有相同阶调时的“发光”的亮度相当于非“发光”的第几阶调(测定点间为直线插值)，并且通过回归计算算出亮度劣化量和阶调劣化量。
在利用亮度传感器31测定阶调-亮度的关系时的测定阶调范围和测定步骤如下所述。在图7A中，表示在测定亮度劣化的情况下的初期测定时的V-L特性(电压-亮度)，在图7B中，表示在测定亮度劣化的情况下的通常测定时的V-L特性(电压-电流)。在初期测定时，因为初期的测定结果将成为基准，所以相对地在细分的步骤中进行详细的测定。另一方面，在通常测定时，因为是用户使用的时候，所以相对地在粗分的步骤中进行大致的测定。关于测定步骤，基本上设定为均等，也可以设定为不均等。关于测定时的步骤的方向，可以任意变更。因为步骤的方向可以变更，所以例如能够在两方向上测定并取其平均值。
在图8A中，表示在测定阶调劣化的情况下的初期测定时的V-L特性，在图8B中，表示在测定阶调劣化的情况下的通常测定时的V-L特性。关于测定步骤的想法，基本上与测定亮度劣化的情况相同。此外，在测定阶调劣化的情况下，因为是检测发光开始电压移动，所以测定范围也可以限定在低阶调侧。
虽然从如上述的亮度传感器31的测定结果也可以计算出阶调劣化量(偏移分量)，但是在本实施方式中，以有关亮度传感器31仅使用于亮度劣化量(增益成分)的补正为特点。
(关于亮度劣化预测LUT的补正)
其次，对亮度劣化预测LUT231的补正的具体处理方法进行说明。
根据从前述的“发光”像素的亮度变化的测定结果算出的亮度劣化量(增益成分)、在通常动作时以预定亮度点亮的时间、以及从亮度劣化预测LUT231算出的劣化履历累计值，来计算补正系数。关于劣化履历累计值，在用CPU进行点亮时间的累计时，能够通过亮度劣化预测LUT231和时间累计值，由下述程序来计算。
将点亮累计时间T定义为如下式(2)。
T＝Tm···(2)
其次，在图9所示的亮度劣化曲线特性中，根据下式(3)计算针对各变化率ai的时间△ti。
△ti＝△L/ai···(3)
通过上述的公式(2)及公式(3)，计算满足下式(4)的Td及i。
Td＝Tm-Σ△ti<0···(4)
然后，将满足式(4)的i定义为n(即i＝n)。
根据从上述的公式(4)求得的Td及n，由下式(5)计算履历累计值Lm。
Td＝△L×n+an+1×△Td···(5)
如此从图9所示的亮度劣化曲线特性将劣化程度作为履历累计值m算出。
关于补正系数，根据各伪像素的劣化量履历累计结果△L_master、以及由伪像素的传感器检测结果算出的劣化量△L_dummy，由下式(6)计算各亮度的LUT补正系数Cof。
【数式1】
Cof＝(△L_dummy_tn-△L_dummy_tn-1)/(△L_master_tn-△L_master_tn-1)···(6)
像这样，补正系数Cof被作为各个亮度劣化量的差与劣化履历累计值的差的比从上回的亮度劣化量(增益成分)的信息和上回的劣化累计值算出。更新的亮度劣化预测LUT231由最新的劣化预测LUT乘以该补正系数Cof生成。通过适当地反复进行以上的处理，预先设定在有机EL显示装置1中的亮度劣化预测LUT231被不断更新。关于有效像素的劣化履历，使用补正系数Cof的平均值来进行修正。
(有效像素的像素电路)
在这里，对构成有机EL面板13的有效像素区域15的有效像素的具体电路构造，使用图10进行说明。图10是表示有效像素的具体电路构造的一例的电路图。有效像素50的发光单元由有机EL元件51构成，该有机EL元件51是根据流过器件的电流值来改变发光亮度的电流驱动型发光元件(电光元件)。
如图10所示，有效像素50由有机EL元件51、以及通过对有机EL元件51提供电流来驱动该有机EL元件51的驱动电路构成。在有机EL元件51中，阴极电极连接到与所有的像素50公共接线的公共电源线64。
驱动有机EL元件51的驱动电路由驱动晶体管52、采样晶体管(写入晶体管)53、储存电容器54以及辅助电容器55构成。也就是说，在这里例示的驱动电路的构造是由2个晶体管(22、23)以及2个电容元件(24、25)构成的2Tr/2C型电路。
作为驱动晶体管52及采样晶体管53，例如能够使用N沟道型TFT。但是，此处所说明的驱动晶体管52及采样晶体管53的导电类型的组合仅仅是一例，本公开并不限于这些组合。也就是说，作为驱动晶体管52及采样晶体管53中的一个或两个，也能够使用P沟道型TFT。
在具有上述电路构造的驱动电路中，如后文所述，通过切换提供给驱动晶体管52的电源电压来控制有机EL元件51的发光/非发光(发光时间)。为此，在具有本像素电路的有机EL面板13中，作为驱动有效像素50的垂直驱动单元(扫描驱动器)，除了设置有栅极扫描驱动器12之外，还设置有电源扫描驱动器18。
另外，在有效像素区域15中，扫描线61与电源线62沿行列状的有效像素50的行方向(像素行的像素的排列方向/水平方向)布线于各个像素行。此外，信号线63沿列方向(像素列的像素的排列方向/垂直方向)布线于各个像素列。扫描线61连接到栅极扫描驱动器12的相应行的输出端。电源线62连接到电源扫描驱动器18的相应行的输出端。信号线63连接到数据驱动器11的相应列的输出端。
数据驱动器11选择性地输出与从信号供应源(未图示)提供的亮度信息对应的图像信号的信号电压Vsig与基准电压Vofs。在此，基准电压Vofs是被作为图像信号的信号电压Vsig的基准的电压(例如，相当于图像信号的黑电平(Blacklevel)的电压)，用于周知的阈值电压(Vth)的补正处理等。
在将图像信号的信号电压写入到有效像素50期间，栅极扫描驱动器12通过对扫描线61依次提供写入扫描信号WS，来以行为单位按顺序扫描有效像素区域15的各像素50，进行所谓的线序扫描(Linesequentialscanning)。
电源扫描驱动器18以与栅极扫描驱动器12的线序扫描同步的方式为电源线62提供电源电压DS，该电源电压DS可以在第1电源电压VccH与比该第1电源电压VccH低的第2电源电压VccL之间转换。通过由电源扫描驱动器18对电源电压DS的VccH/VccL的转换，进行对有效像素50的发光/非发光(熄灭)的控制。
驱动晶体管52的一方电极(源/漏电极)连接到有机EL元件51的阳极，另一方电极(源/漏电极)连接到电源线62。采样晶体管53的一方电极(源/漏电极)连接到信号线63，另一方电极(源/漏电极)连接到驱动晶体管52的栅电极。另外，采样晶体管53的栅电极连接到扫描线61。
在驱动晶体管52及采样晶体管53中，一方电极是指与一方的源/漏区域电连接的金属配线，并且另一方电极是指与另一方的源/漏区域电连接的金属配线。另外，由于一方电极与另一方电极之间的电位关系，一方电极能够成为源电极或漏电极，并且另一方电极能够成为漏电极或源电极。
储存电容器54的一方电极连接到驱动晶体管52的栅电极，并且另一方电极连接到驱动晶体管52的另一方电极以及有机EL元件51的阳极。辅助电容器55的一方电极连接到有机EL元件51的阳极，并且另一方电极连接到具有固定电位的节点(在本例中，为公共电源线64/有机EL元件51的阴极)。辅助电容器55例如为了弥补有机EL元件51的电容量的不足、并且增进图像信号对储存电容器54的写入增益而设置。但是，辅助电容器55不是必须的构成要素。也就是说，在不需要弥补有机EL元件51的电容量上的不足的情况下，则不需要辅助电容器55。
在具有上述构造的有效像素50中，采样晶体管53处于导通状态，该状态对应于从栅极扫描驱动器12经由扫描线61印加到栅电极的高有效写入扫描信号WS。因此，采样晶体管53对对应于亮度信息并且经由信号线63从数据驱动器11以不同时机提供的图像信号的信号电压Vsig或基准电压Vofs进行采样，并将其写入像素50内。由采样晶体管53写入的信号电压Vsig或基准电压Vofs印加到驱动晶体管52的栅电极并且被存储在储存电容器54中。
当电源线62的电源电压DS处于第1电源电压VccH时，驱动晶体管52在一方电极为漏电极、且另一方电极为源电极的饱和区域工作。由此驱动晶体管52接收到来自电源线62的电流供给，并且利用电流驱动来执行有机EL元件51的发光驱动。更具体地说，驱动晶体管52通过在饱和区域工作，将对应于存储在储存电容器54中的信号电压Vsig的电压值的电流值的驱动电流提供给有机EL元件51，使该有机EL元件51通过电流驱动而发光。
此外，当电源电压DS从第1电源电压VccH切换到第2电源电压VccL时，驱动晶体管52的一方电极变为源电极、另一方电极变为漏电极，并且驱动晶体管52作为开关晶体管工作。由此，驱动晶体管52停止对有机EL元件51的驱动电流供给，并且将有机EL元件51设定成非发光状态。也就是说，在切换电源电压DS(VccH/VccL)的情况下，驱动晶体管52还具有作为控制有机EL元件51的发光时间(发光/非发光)的晶体管的附加功能。
在上述有机EL面板13中，虽然采用了在有效像素区域15的左右方向的两侧分别配置栅极扫描驱动器12或电源扫描驱动器18、即所谓的单侧驱动构造，但并不限于此。也就是说，也可以采用在有效像素区域15的左右方向的两侧都配置栅极扫描驱动器12及电源扫描驱动器18、即所谓的两侧驱动构造。通过采用这种两侧驱动构造，能够消除起因于扫描线61及电源线62的配线电阻、配线电容(寄生电容)的传播延迟的问题。
(发光电流变化的检测原理及电流传感器的构造)
其次，对检测阶调劣化测定用伪像素的发光电流Ids的变化的原理以及电流传感器(电流检测单元/电流检测电路)32的构造进行以下的说明。
在有效像素区域15之外，设置有1条扫描线(1行)以上的阶调劣化测定用伪像素(电流变化检测用专用像素)。关于发光电流Ids的变化，如图11所示，利用检测电阻71的两端产生的电压值进行检测，该检测电阻71***在关于该扫描线的栅极扫描驱动器12(12A、12B)的输出端、与为面板发光电源用配线的电源线62之间。关于用于检测发光电流Ids的电流传感器32的具体构造将在后面叙述。
此外，在上述像素构造中，在通过电源电压DS的切换来控制有机EL元件51的发光时间的情况等时，流过有机EL元件51的发光电流Ids为脉冲状应答。在这样的情况下，与脉冲状应答的发光电流同步，更具体地说，与发光时间的控制同步检测有效发光期间的发光电流Ids的电流变化。
另外，在能够进行彩色显示的显示装置中，作为彩色图像形成单位的单个像素(单位像素/像素)由多个子像素(副像素)构成。于是，单个像素例如由发出红色(Red、R)光的子像素、发出绿色(Green、G)光的子像素以及发出蓝色(Blue、B)光的子像素这三个子像素构成。那时，关于检测电流变化的像素，可以将所有颜色的像素作为对象进行“发光”及劣化检测，也可以将特定颜色(代表色)作为对象进行“发光”及劣化检测。
在图11中，对阶调劣化测定用伪像素群17的第1条线(行)的2个伪像素17A的像素电路进行了图示。从图10与图11的对比可以明显得知，伪像素17A具有与有效像素50相同的构造。也就是说，伪像素17A由有机EL元件51、驱动晶体管52、采样晶体管53、储存电容器54以及辅助电容器55构成。更进一步说，关于伪像素17A的驱动电压、驱动时机等动作条件也与有效像素50相同。关于亮度劣化测定用伪像素群16的伪像素也一样。
图12是表示用于阶调劣化测定用伪像素的电流检测的电源线62的配线引出的一例的配线图。在图12中，为了便于理解，用虚线表示扫描线61，并且用一点锁线表示电源线62。在本例中，将门No.1～4的电源线62作为用于检测伪像素的电流的配线，并且使用门No.1和No.3的配线进行电流检测。
如图12所示，连接于检测电阻71的电源线62通过装有数据驱动器11的数据COF(ChipOnFilm)41(或装有栅极扫描驱动器12的栅极COF42)被引到中继基板43(或中继基板44)。然后，被引到中继基板43(或中继基板44)的电源线62连接于配置在该中继基板43(或中继基板44)上的检测电阻71。
此外，用于检测电流变化的阶调劣化测定用伪像素群(区域)17被黑色掩膜等遮光构造所覆盖，以便使伪像素17A发出的光***露到外部。
在图11中，电流传感器32除了具有用于检测发光电流Ids的检测电阻71之外，还具有放大微弱的检测电压的差动放大电路72、以及将指针式(Analog)电压变换成数值的AD转换器73，并且被配置在中继基板43(或中继基板44)上。差动放大电路72是检测在检测电阻71的两端之间产生的微弱的检测电压的检测放大器的一例。从AD转换器73输出的、关于发光电流Ids的检测电压的数值被提供给传感器控制单元(伪像素传感器控制单元)33。传感器控制单元33进行对电流传感器32的各种设定、转换触发以及测定值的读取。
电流传感器32进一步具有在通常动作时用于绕过(短路)检测电阻71的开关74、以及在两侧驱动(两侧电源供给)的情况下用于仅在检测时切换成单侧驱动(单侧电源供给)的开关75。这些开关74、75是为了减少“发光”时的由检测电阻71引起的电压下降的影响，并且，有效地检测测定时的微弱的电流而设法设置的。
1行的检测电流是微弱的。在这样的情况下，如果包含电源扫描驱动器18的栅极扫描驱动器12A、12B夹着有效像素区域15存在于其左右两侧，并且从面板的两侧供给电源电压DS，那么有时电流的流动分散而不能均等地测定，会降低检测精度。开关75作为其对策，也就是说，是为了不使电流的流动分散，谋求检测精度的提高而设置的。
开关74、75的动作例如图13所示。作为电流变化检测用专用像素的阶调劣化测定用伪像素17A的模式，对“发光”模式·启动时的模式1、单侧驱动“发光”时的模式2、Ids/2的电流测定时的模式3、以及电流测定模式的模式4的4种模式进行说明。
在“发光”模式·启动时的模式1中，检测电阻71侧的开关74及切断门侧的开关75都为关闭(Close)状态。在单侧驱动“发光”时的模式2中，开关74为关闭状态，开关75为开放(Open)状态。在Ids/2的电流测定时的模式3中，开关74为开放状态，开关75为关闭状态。在电流测定模式的模式4中，开关74、75都为开放状态。
(电流变化检测用检测图案)
用图14表示适用于阶调劣化测定用伪像素、用于检测电流变化的检测图案的一例。检测图案采用如下构造：1条线(1行)被分成多个像素块，由亮度条件不同的1种以上的“发光”像素区域(常亮像素块)与非“发光”像素单元(不亮像素块)构成。为了校正电流传感器32的偏差、经时劣化，在各条线上***黑图案(非“发光”像素单元)。在测定时，测定0[nit]的特性，并且与初期值进行比较，由此能够校正电流传感器32的偏差、经时劣化。
另外，也可以采用以降低起因于“发光”时及测定时的面板位置的特性偏差为目的的检测图案。具体地说，如图15所示，也可以采用如下构造：在1行内周期性地配置多个由1种以上亮度条件的常亮像素(“发光”像素)与不亮像素(非“发光”像素)的组合构成的检测图案的图块。与亮度劣化测定用伪像素时一样，在“发光”状态下，发光像素以规定的亮度条件连续点亮。非发光像素在“发光”中也不点亮。
在测定时(初期动作及通常动作)，与发光、非发光像素一起在规定的显示阶调范围内改变显示图案信号Vsig(显示阶调)，将显示阶调-发光电流的关系作为检测电阻71的两端之间产生的电压值进行测定。关于发光电流劣化，因为检测发光开始电压是重要的，所以特别是通过重点提高低亮度侧的测定灵敏度的检测电路构造及采样，可以进行更高精度的检测。
关于以后的阶调劣化预测LUT的更新处理，执行与通过亮度劣化测定用伪像素和亮度传感器31进行的亮度劣化预测LUT的更新处理相同的处理。但是，在阶调劣化预测LUT的更新中，以仅将算出的偏移分量(阶调劣化)用于补正为特点。
通过执行所有以上说明的处理，对于亮度劣化及阶调劣化即使个别面板的特性发生偏差，也能够获得补正精度充分的补正效果。特别是，即使不使用灵敏度高、价格昂贵的亮度传感器等，也能够高精度地补正在低亮度侧对画质劣化影响大的发光开始电压移动的劣化预测值(估算值)的偏差。关于亮度传感器31，也可以通过优先高亮度侧的测定，缩短测定时间。另外，因为可以降低起因于亮度传感器31本身的灵敏度的劣化、安装位置的经时偏离的测定误差的影响，所以补正精度得到提高。
<变形例>
以上虽然利用实施方式对本公开的技术进行了说明，但是本公开的技术不限定于上述实施方式所记载的范围。也就是说，在不脱离本公开的技术要旨的范围内，可以对上述实施方式进行多种多样的变更或者改良，进行如此变更或者改良后的方式也包含在本公开的技术的技术范围内。
例如，在上述实施方式中，虽然采用了将亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17个别配置的构造，但是也可以采用共用(使用共同的像素)的构造。因为通过将亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17作为公共的伪像素群，能够削减配置测定用伪像素的区域，所以可以将由于设置测定用伪像素而增加的有机EL面板13的边框抑制到必要的最低限度。
另外，在上述实施方式中，虽然举例说明了亮度劣化测定用伪像素群16及阶调劣化测定用伪像素群17的各伪像素都使用与有效像素50相同的像素构造的情况，但是并不限于此。阶调劣化是由于驱动晶体管52的晶体管特性(发光开始电压移动)的劣化(降低)，从而引起发光电流Ids的变化而产生的。因此，在着眼于该发光电流Ids的变化的情况下，即使检测仅流过驱动晶体管52的电流变化，也可以测定阶调劣化。
在此，关于阶调劣化测定用伪像素群17的伪像素17B，如图16所示，采用与有效像素50的像素电路构造(例如，TFT构造)相同、并且、没有连接有机EL元件51(不具有有机EL元件51)的像素构造。更具体地说，将驱动晶体管52的一方电极(源极/漏极电极)直接连接于公共电源线64，并且通过检测流过驱动晶体管52的电流变化来测定阶调劣化。
如上述实施方式一样，在测定时使用使有机EL元件51发光的伪像素17A的情况下，有必要设法使该发光的影响不波及到有效像素区域15。具体地说，以一定程度远离有效像素区域15的方式配置阶调劣化测定用伪像素群17，或者需要上述遮光构造。对此，如本变形的伪像素17B的电路构造一样，在不具有有机EL元件51的像素构造的情况下，因为没有在有效像素区域15之外配置伪像素17B的制约，并且不需要遮光构造，所以能够更加提高面板设计的自由度。例如，与具有有机EL元件51的像素构造的情况相比，因为能够谋求面板的窄边框化，所以能够扩大画面尺寸。
另外，在上述实施方式中，虽然将构成电流检测单元(电流传感器)32的检测电阻71及差动放大电路72等配置在中继基板43(或者，中继基板44)上，但是也可以内置于有机EL面板13上、或者数据驱动器11或栅极扫描驱动器12。在这种情况下，也能够通过数据COF41(或者，栅极COF42)向中继基板44(或者，中继基板45)传送检测电压。
另外，在上述实施方式中，虽然将由2个晶体管(52、53)以及2个电容元件(54、55)构成的2Tr/2C型电路作为驱动有机EL元件51的驱动电路，但是并不限于此。例如，驱动有机EL元件51的驱动电路也能够采用如下构造：追加有开关晶体管的电路，该开关晶体管将基准电压Vofs选择性地提供给驱动晶体管52；或者根据需要进一步追加有1个或多个晶体管的电路。
更进一步说，在上述实施方式中，作为有效像素50的发光元件，虽然举例说明了应用于使用有机EL元件的有机EL显示装置的情况，但是本公开并不限定于该应用例。具体地说，本公开可以应用于使用无机EL元件、LED元件以及半导体激光元件等根据流过器件的电流值来改变发光亮度的电流驱动型发光元件的所有显示装置。
另外，本公开也能够采用以下构造。
[1]一种图像信号处理电路，其中，具备：
显示面板，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素；
电流检测单元，检测第1伪像素的电流变化；
修正处理单元，根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及
补正处理单元，根据由修正处理单元修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
[2]上述[1]所述的图像信号处理电路，其中，电流检测单元检测出的电流是流过驱动第1伪像素的发光单元的晶体管的电流。
[3]上述[1]或上述[2]所述的图像信号处理电路，其中，具备亮度检测单元，
显示面板具有配置在有效像素区域之外的第2伪像素，
亮度检测单元检测第2伪像素的亮度变化，
修正处理单元根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量、以及亮度检测单元检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
[4]上述[1]至上述[3]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素及第2伪像素具有与有效像素相同的构造，并且动作条件也与有效像素相同。
[5]上述[1]至上述[4]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，在有效像素区域之外设置有1行以上的第1伪像素及第2伪像素。
[6]上述[1]至上述[5]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素及第2伪像素由共同的像素构成。
[7]上述[1]至上述[6]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素及第2伪像素具有遮光构造。
[8]上述[1]至上述[7]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，
电流检测单元具有：
检测电阻，连接在驱动第1伪像素的驱动器的输出端与对第1伪像素供给电源电压的电源线之间；以及
检测放大器，检测在检测电阻的两端之间产生的电压值。
[9]上述[8]所述的图像信号处理电路，其中，
显示面板具有从左右两侧供给电源电压的构造，
电流检测单元具有在检测出电流变化时，从显示面板的一侧遮断电源电压的供给的开关。
[10]上述[8]或上述[9]所述的图像信号处理电路，其中，电流检测单元具有选择性地使检测电阻的两端之间短路的开关。
[11]上述[1]至上述[10]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，电流检测单元在第1伪像素的发光电流成为脉冲状应答的情况下，与脉冲状应答的发光电流同步检测电流变化。
[12]上述[1]至上述[11]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，用于检测电流变化的检测图案的1行被分成多个像素块，由亮度条件不同的1种以上的常亮像素块与不亮像素块构成。
[13]上述[1]至上述[12]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，用于检测电流变化的检测图案由1种以上亮度条件的常亮像素与不亮像素的组合构成，并且在1行内周期性地配置多个该检测图案的图块。
[14]上述[1]至上述[13]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素的构造不具有发光单元。
[15]上述[1]至上述[14]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，有效像素及伪像素的发光单元由根据电流的强度来控制发光的电流驱动型发光元件构成。
[16]上述[15]所述的图像信号处理电路，其中，电流驱动型发光元件是有机电致发光元件。
[17]一种图像信号处理方法，其中，
检测配置在显示面板的有效像素区域之外的第1伪像素的电流变化，
根据检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值，
根据修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
[18]上述[17]所述的图像信号处理方法，其中，
检测配置在显示面板的有效像素区域之外的第2伪像素的电流变化，
根据检测出的电流的实际劣化量以及检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
[19]一种显示装置，其中，具有图像信号处理电路，
该图像信号处理电路具备：
显示面板，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素；
电流检测单元，检测第1伪像素的电流变化；
修正处理单元，根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及
补正处理单元，根据由修正处理单元修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
[20]上述[19]所述的显示装置，其中，具备亮度检测单元，
显示面板具有配置在有效像素区域之外的第2伪像素，
亮度检测单元检测第2伪像素的亮度变化，
修正处理单元根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量、以及亮度检测单元检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
符号的说明
1有机EL显示装置
10显示面板模块(有机EL面板模块)
11数据驱动器
12(12A,12B)栅极扫描驱动器
13有机EL面板
14时序控制器
15有效像素区域
16亮度劣化测定用伪像素群
17阶调劣化测定用伪像素群
17A,17B伪像素
18电源扫描驱动器
20补正处理单元
21信号处理单元
22烧屏补正单元
23增益补正单元
24偏移补正单元
25伪像素图案生成单元
26信号输出单元
30修正处理单元
31亮度传感器
32电流传感器
33伪像素传感器控制单元
34传感器信号处理单元
35初期特性保持单元
36亮度/阶调劣化计算单元
37劣化量预测LUT保持单元
38伪像素劣化履历累计单元
39劣化量预测LUT修正值计算单元
41数据COF
42栅极COF
43,44中继基板
50有效像素
51有机EL元件
52驱动晶体管
53采样晶体管
54储存电容器
55辅助电容器
61扫描线
62电源线
63信号线
64公共电源线
71检测电阻
72差动放大电路
73AD转换器
74、75开关

Claims (20)

1.一种图像信号处理电路，其中，具备：
显示面板，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素；
电流检测单元，检测第1伪像素的电流变化；
修正处理单元，根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及
补正处理单元，根据由修正处理单元修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
2.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，电流检测单元检测出的电流是流过驱动第1伪像素的发光单元的晶体管的电流。
3.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，具备亮度检测单元，
显示面板具有配置在有效像素区域之外的第2伪像素，
亮度检测单元检测第2伪像素的亮度变化，
修正处理单元根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量、以及亮度检测单元检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
4.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素及第2伪像素具有与有效像素相同的构造，并且动作条件也与有效像素相同。
5.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，在有效像素区域之外设置有1行以上的第1伪像素及第2伪像素。
6.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素及第2伪像素由共同的像素构成。
7.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素及第2伪像素具有遮光构造。
8.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，
电流检测单元具有：
检测电阻，连接在驱动第1伪像素的驱动器的输出端与对第1伪像素供给电源电压的电源线之间；以及
检测放大器，检测在检测电阻的两端之间产生的电压值。
9.根据权利要求8所述的图像信号处理电路，其中，
显示面板具有从左右两侧供给电源电压的构造，
电流检测单元具有在检测出电流变化时，从显示面板的一侧遮断电源电压的供给的开关。
10.根据权利要求8所述的图像信号处理电路，其中，电流检测单元具有选择性地使检测电阻的两端之间短路的开关。
11.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，电流检测单元在第1伪像素的发光电流成为脉冲状应答的情况下，与脉冲状应答的发光电流同步检测电流变化。
12.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，用于检测电流变化的检测图案的1行被分成多个像素块，由亮度条件不同的1种以上的常亮像素块与不亮像素块构成。
13.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，用于检测电流变化的检测图案由1种以上亮度条件的常亮像素与不亮像素的组合构成，并且在1行内周期性地配置多个该检测图案的图块。
14.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，第1伪像素的构造不具有发光单元。
15.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，有效像素及伪像素的发光单元由根据电流的强度来控制发光的电流驱动型发光元件构成。
16.根据权利要求15所述的图像信号处理电路，其中，电流驱动型发光元件是有机电致发光元件。
17.一种图像信号处理方法，其中，
检测配置在显示面板的有效像素区域之外的第1伪像素的电流变化，
根据检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值，
根据修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
18.根据权利要求17所述的图像信号处理方法，其中，
检测配置在显示面板的有效像素区域之外的第2伪像素的电流变化，
根据检测出的电流的实际劣化量以及检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
19.一种显示装置，其中，具有图像信号处理电路，
图像信号处理电路具备：
显示面板，具有配置在有效像素区域之外的第1伪像素；
电流检测单元，检测第1伪像素的电流变化；
修正处理单元，根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值；以及
补正处理单元，根据由修正处理单元修正后的劣化预测值，补正驱动有效像素的图像信号。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，具备亮度检测单元，
显示面板具有配置在有效像素区域之外的第2伪像素，
亮度检测单元检测第2伪像素的亮度变化，
修正处理单元根据电流检测单元检测出的电流的实际劣化量、以及亮度检测单元检测出的亮度的实际劣化量，修正预先决定的劣化预测值。
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