CN103839934A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光装置,具备表面上局部地形成有导电部件的单层结构的基板、以电连接于所述导电部件的方式直接搭载在基板表面上的多个发光元件、第一光反射树脂层、以包围可搭载所述多个发光元件的搭载区域的方式呈环状形成在基板表面上的第二光反射树脂层、以及,覆盖多个发光元件的封装树脂;形成在所述搭载区域的导电部件被所述第一光反射树脂层所覆盖,而形成在所述第二光反射层下方的导电部件,直接被所述第二光反射树脂层所覆盖,或者通过所述第一光反射树脂层被所述第二光反射树脂层所覆盖。由此,抑制光的吸收,从而能提供光取出率优异且可靠性高的发光装置。
Description
本申请是申请人夏普株式会社于2011年06月02日提出的申请号为201110157830.1的、发明名称为“发光装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种可利用在照明装置以及显示装置的光源中的发光装置,尤其涉及一种光取出率优异,同时可靠性高的发光装置。
背景技术
现有技术中,已开发出了多种将发光元件(也叫半导体发光元件)用作光源的照明装置以及显示装置,并研究出以提高光输出为目的的各种方法。例如,专利文献1中记载有如图11(a)以及图11(b)所示的发光装置950。图11(a)是表示现有技术中的发光装置950的概要结构的俯视图,图11(b)是表示发光装置950的制造工序的示意图。
现有技术中的一发光装置950的制造方法,包括:将发光元件969放置到形成在基板974上的导体配线965上,用电线976电连接发光元件969与导体配线965的工序;将反射来自发光元件969的光的光反射树脂960,以覆盖部分导体配线965且包围发光元件969的周围的形态形成在基板974上的工序;硬化光反射树脂960之后,形成封装部件(未图示)而覆盖发光元件969的工序。如图11(b)所示,光反射树脂960是用树脂吐出装置972来提供的。
(现有技术文献)
专利文献1:日本专利公报特开2009-182307号公报(2009年8月13日公开)
发明内容
然而,在现有技术中的发光装置950中,由于起因于发光装置950结构的光的吸收,出现了光取出率差的问题。
通常来说,实现发光装置的小型化较为困难,虽然能控制发光装置本身的大小,但是为了提高光输出,需要在小面积的基板上搭载多个发光元件。在现有技术中的发光装置950上搭载多个发光元件969时,导电体配线的引线变得复杂,会出现导电体配线形成在发光部的中心上,或者形成多根导电体配线的情况。因此,在发生导体配线965所引起的光的吸收的基础上,还发生导电体配線所引起的光的吸收,从而,会恶化光取出率。
并且,所述光的吸收会导致色度偏差、色度不均、光输出的降低以及发光不均等现象,因此存在可靠性低的问题。
鉴于以上问题,本发明的目的是提供一种可抑制光的吸收,且光取出率优异,同时可靠性也高的发光装置。
为了实现所述目的,本发明所提供的发光装置具备单层结构的基板、多个发光元件、第一光反射树脂层、第二光反射树脂层以及封装树脂;其中,所述基板的表面上局部地形成有导电部件;所述发光元件以与所述导电部件电连接的方式直接搭载在所述基板的表面;所述第一光反射树脂层由具有光反射特性的第一树脂所构成;所述第二光反射树脂层由具有光反射特性的第二树脂所构成,并以围搭载所述多个发光元件的搭载区域的方式呈环状设置在所述基板的表面;所述封装树脂用于覆盖所述多个发光元件;在所述导电部件中,形成在所述搭载区域的导电部件被所述第一光反射树脂层所覆盖,形成在所述第二光反射层下方的导电部件,通过所述第一光反射树脂层被所述第二光反射树脂层所覆盖,或者,直接被所述第二光反射树脂层所覆盖。
根据所述结构,发光元件可直接搭载在基板表面,由此能提高散热性。而且,形成在搭载区域上的导电部件被第一光反射树脂层所覆盖,因此第一光反射树脂层能用来防止导电部件之间的短路。
另外,在单层结构的基板上搭载多个发光元件的情况下,导电体配线的引线会变得复杂,例如,导电体配线会形成在发光部的中心,或者会形成多根导电体配线。而且,为了保护发光元件还会形成印制电阻。而所述导电体配线以及印制电阻等的导电部件会吸收光,因此会招来色度偏差、色度不均、光输出的降低以及发光不均等现象。
对此,根据本发明的所述结构,在导电体部件中,形成在搭载区域上的导电部件被第一光反射树脂层所覆盖。而且,形成在第二光反射树脂层下方的导电部件通过第一光反射树脂层被第二光反射树脂层所覆盖,或者直接被第二光反射树脂层所覆盖。
因此,能充分降低由导电部件引起的光的吸收。由此,能够抑制色度偏差、色度不均、光输出的降低以及发光不均等现象。从而,能够提供可抑制光的吸收,且光取出率优异,同时可靠性也高的发光装置。
尤其是,从外观上看印制电阻是黑色部件,因此作为导电部件形成印制电阻时,将印制电阻形成在第二光反射树脂层的下方,通过用第一光反射树脂层以及第二光反射树脂层两个层来进行覆盖,能够将印制电阻所引起的光吸收抑制到最小量。而且,通过用第一光反射树脂层以及第二光反射树脂层两个层来覆盖印制电阻,还能减少缝隙。由此,能够抑制封装树脂的外漏,而能稳定地形成封装树脂。
(发明的效果)
如以上所述,本发明的发光装置本发明所提供的发光装置具备单层结构的基板、多个发光元件、第一光反射树脂层、第二光反射树脂层以及封装树脂;其中,所述基板的表面上局部地形成有导电部件;所述发光元件以与所述导电部件电连接的方式直接搭载在所述基板的表面;所述第一光反射树脂层由具有光反射特性的第一树脂所构成;所述第二光反射树脂层由具有光反射特性的第二树脂所构成,该第二光反射树脂层呈环状设置在所述基板的表面,以致包围搭载所述多个发光元件的搭载区域;所述封装树脂用于覆盖所述多个发光元件;在所述导电部件中,形成在所述搭载区域的导电部件被所述第一光反射树脂层所覆盖,形成在所述第二光反射层下方的导电部件,通过所述第一光反射树脂层被所述第二光反射树脂层所覆盖,或者,直接被所述第二光反射树脂层所覆盖。
因此,通过采用能有效地反射来自发光元件的光的第一光反射树脂层以及第二光反射树脂层,来覆盖吸收光的导电部件,能充分降低导电部件所引起的光的吸收。由此,能够抑制色度偏差、色度不均、光输出的降低以及发光不均等现象。从而,能够提供可抑制光的吸收,且光取出率优异,同时可靠性也高的发光装置。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的发光装置的一实施方式的平面图。
图2是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示形成了导电体配线以及印制电阻时的结构的平面图。
图3是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示形成了第一光反射树脂层时的结构的平面图。
图4是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示搭载了发光元件时的结构的平面图。
图5(a)是沿图2中的A-A线的截面图。
图5(b)是沿图3中的B-B线的截面图。
图5(c)是沿图4中的C-C线的截面图。
图6是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示形成了第二光反射树脂层时的结构的平面图。
图7(a)是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是沿图6中的D-D线的截面图。
图7(b)是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示形成了封装树脂时的结构的截面图。
图8(a)是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是沿图6中的E-E线的截面图。
图8(b)是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示形成了封装树脂时的结构的截面图。
图9是表示图1中的发光装置的制造工序的图,具体是表示在进行单片化之前的制造工序中形成第二光反射树脂层的形态的平面图。
图10是表示树脂吐出装置中的喷嘴的开口部的一个结构例的立体图。
图11(a)是表示现有技术中的发光装置的概要结构的俯视图。
图11(b)是表示图11(a)中的发光装置的制造工序的示意图。
图12是表示与图1所示的发光装置中的印制电阻与发光元件之间的配设间隔相对应的相对光束的表。
图13是表示图12中示出的印制电阻与发光元件之间的配置关系的图表。
(符号说明)
具体实施方式
以下参照附图来说明本发明的一实施方式。本发明所涉及的发光装置可用作照明装置以及显示装置等的光源。另外,在以下说明中,将图1中的左右方向称作x方向(第一方向),将图1中的上下方向称作y方向(第二方向)。而且,将图1中的平面视图作为俯视图。
(发光装置的结构)
图1是表示本实施方式中的发光装置100的一结构例的俯视图。图2~图8(b)表示发光装置100的制造工序。具体地说,图2表示形成了导电体配线106以及印制电阻104时的结构;图3表示形成了第一光反射树脂层108时的结构;图4表示搭载了发光元件110时的结构;图5(a)是沿图2中的A-A线的截面图,图5(b)是沿图3中的B-B线的截面图,图5(c)是沿图4中的C-C线的截面图;图6表示形成了第二光反射树脂层120时的结构;图7(a)是沿图6中的D-D线的截面图,图7(b)表示形成了封装树脂时的结构;图8(a)是沿图6中的E-E线的截面图,图8(b)表示形成了封装树脂时的结构。
本实施方式中的发光装置100是使用了发光元件(也叫半导体发光元件)的发光装置。如图1~图8(b)所示,本实施方式中的发光装置100具备基板102、印制电阻104、发光元件110、第一光反射树脂层108、第二光反射树脂层120以及封装树脂122。
基板102是由陶瓷所形成的陶瓷基板,具有单层结构。基板102具有俯视下呈矩形的外形。基板102的一侧的面(以下称作表面)上设有发光元件110、第一光反射树脂层108、第二光反射树脂层120以及封装树脂122。而且,如图2所明示,基板102的表面上直接形成有印制电阻104、导电体配线106、正电极114以及负电极116。
导电体配线106是通过引线接合与发光元件110电连接的电极,而且是为了实现电连接而引出的配线。导电体配线106由金(Au)所形成。作为导电体配线106,形成有导电体配线106a~106e。导电体配线106a是非引线接合的配线。当然,作为导电体配线106并不局限于导电体配线106a~106e,只要能根据发光元件110的电路结构局部地形成导电体配线106即可。以下,统称导电体配线106a~106e时,用导电体配线106来表示。
正电极114以及负电极116是给发光元件110提供电源的电极,可连接发光装置100的外部电源。正电极114以及负电极116例如由银(Ag)-白金(Pt)所形成。而且,正电极114以及负电极116配设在基板102的表面的对角线上的各角部附近(图2中的右上部以及左下部)。
印制电阻104是煅烧被印制的糊状电阻成分并固定而成的电阻元件。局部地形成了印制电阻104(印制电阻104a以及印制电阻104b),以致其与由多个发光元件110串联连接而成的电路并联连接。通过印制电阻104与由多个发光元件110串联连接而成的电路并联连接的电路结构,能在静电耐压中保护发光元件110。在以下说明中,统称印制电阻104a与印制电阻104b时,用印制电阻104来表示。
发光元件110是发光峰值波长为450nm左右的蓝色发光元件,但并不局限于此。作为发光元件110,例如可以使用发光峰值波长为390nm~420nm的紫外线(接近紫外线)发光元件,由此能进一步提高发光效率。如图4所明示,多个(本实施方式中是60个)发光元件110搭载在基板102的表面的,满足规定发光量的规定位置上。发光元件110的电连接是通过引线接合,用电线112来实现的。电线112例如由金所形成。
第一光反射树脂层108用于反射发光元件110发出的光,同时用于防止导电体配线106以及印制电阻104所引起的光的吸收。第一光反射树脂层108是白色绝缘体,也称作白色保护层。第一光反射树脂层108的主成分是树脂以及作为光扩散剂的氧化锆(ZrO2),但并不局限于此,也可以使用具有光反射特性的绝缘性树脂(第一树脂)。形成第一光反射树脂层108时,使其覆盖导电体配线106a以及印制电阻104。
第二光反射树脂层120用于反射发光元件110发出的光,同时用于防止导电体配线106以及印制电阻104所引起的光的吸收。第二光反射树脂层120由含氧化铝填充剂的硅树脂所形成,但并不局限于此,也可以使用具有光反射特性的绝缘性树脂(第二树脂)。第二光反射树脂层120设置成俯视下呈角部带有圆度的长方形的环状,以致包围搭载有发光元件110的整个搭载区域。当然,第二光反射树脂层120的环状结构并不局限于此。
封装树脂122是由透光性树脂构成的封装树脂层,其中含有荧光体。封装树脂122是填充由第二光反射树脂层120所包围的区域而成的。即,封装树脂122形成在发光元件110的搭载区域上,并覆盖发光元件110、电线112以及第一光反射树脂层108。
作为所述荧光体,使用的是能被发光元件110发出的一次光所激发而发出波长大于一次光波长的光的荧光体,可根据所期望的白色色度来适当选择。例如,作为自然白色或白炽灯色的组合,有YAG黄色荧光体与(Sr、Ca)AlSiN3:Eu红色荧光体的组合,或者有YAG黄色荧光体与CaAlSiN3:Eu红色荧光体的组合;作为高演色的组合,有(Sr、Ca)AlSiN3:Eu红色荧光体与Ca3(Sc、Mg)2Si3O12:Ce绿色荧光体的组合等。当然,也不局限于此,也可以采用其他荧光体的组合,作为拟似白色也可以采用只含有YAG黄色荧光体的构成。
(发光装置的制造方法)
接下来,对具有所述结构的发光装置100的制造方法进行说明。另外,发光装置100形成为由多个发光装置群所构成的一体结构,在制造工序的最后通过切割来分割各个发光装置的周围(四方),以此形成各个发光装置。为了便于说明,以下适当选择1个发光装置来进行说明以及图示。
<导电体配线形成工序>
首先,如图2所示,在基板102上形成导电体配线106、正电极114以及负电极116。这些部件可通过如印刷方法等来形成。
导电体配线106a(第五导电体配线)连接到导电体配线106c以及导电体配线106d上,沿y方向延伸而设。导电体配线106b(第一导电体配线)沿x方向延伸而设。导电体配线106c(第二导电体配线)沿着y方向与导电体配线106b相对置,且沿x方向延伸而设。导电体配线106d(第三导电体配线)在导电体配线106b的延长线上沿x方向延伸而设。而且,导电体配线106d未与导电体配线106b连接。导电体配线106e(第四导电体配线)沿着y方向与导电体配线106d相对置,且在导电体配线106c的延长线上沿x方向延伸而设。而且,导电体配线106e未与导电体配线106c连接。导电体配线106a配设在发光部的大致中心的位置上。即,导电体配线106a在发光元件110的搭载区域中,配设在俯视下将该搭载区域一分为二的位置上。导电体配线106b~106e在发光元件110的搭载区域的外侧,且位于第二光反射树脂层120的下方。而且,导电体配线106b连接正电极114,导电体配线106e连接负电极116。
而且,优选将用以肉眼识别正电极114是正极用电极的正电极标记115形成在正电极114的附近。同样地,优选将用以肉眼识别负电极116是负极用电极的负电极标记117形成在负电极116的附近。
<印制电阻形成工序>
接着,如图2所示,在基板102上形成印制电阻104。具体是通过包含(1)印刷、(2)煅烧的制造工序来形成印制电阻104。在印刷工序中,将含电阻成分的糊状物,以重合在导电体配线106的端部的方式(部分接触到导电体配线106上)丝网印刷到规定位置上。所述糊状物由二氧化钌(RuO2;导电粉末的材料是钌),凝结剂、树脂以及溶剂所构成。之后在煅烧工序中,将基板102在电炉中进行煅烧而使糊状物硬化固定,以此形成印制电阻104。另外,作为导电粉末,并不局限于钌,可以是在煅烧温度以下的环境下不会被软化的金属或者氧化物。
由此形成沿y方向延伸而接触到导电体配线106b以及导电体配线106c的印制电阻104a(第一印制电阻),以及形成沿y方向延伸而接触到导电体配线106d以及导电体配线106e的印制电阻104b(第二印制电阻)。印制电阻104a与印制电阻104b大致相平行而设。印制电阻104a架设并电连接在导电体配线106b的端部与导电体配线106c的端部上。印制电阻104b架设并电连接在导电体配线106d的端部与导电体配线106e的端部上。印制电阻104a以及印制电阻104b配设在发光元件110的搭载区域外侧的,第二光反射树脂层120的下方。
形成印制电阻104之后的截面的形态如图5(a)所示。从图5(a)可知,基板102的表面上形成有印制电阻104与导电体配线106a。而且,印制电阻104与导电体配线106a大致相平行而设。另外,印制电阻104的高度例如是8μm。
<第一光反射树脂层形成工序>
接着,如图3所示,以覆盖导电体配线106a以及印制电阻104的形态形成第一光反射树脂层108。第一光反射树脂层108例如可通过印刷方法来形成。另外,通过印刷方法形成第一光反射树脂层108之后,在800℃的温度中进行10分钟的加热处理。
形成第一光反射树脂层108之后的截面的形态如图5(b)所示。从图5(b)可知,印制电阻104以及导电体配线106a被第一光反射树脂层108所覆盖。第一光反射树脂层108能防止导电体配线106之间发生短路。
而且,覆盖导电体配线106a的第一光反射树脂层108的优选的高度是5μm~50μm。由此,即使第二光反射树脂层120所包围的区域的中心位置,即发光元件110的搭载区域的中心位置上形成有导电体配线106a以及第一光反射树脂层108的层压体,也不会影响色度、光输出以及发光均匀性。
<发光元件搭载工序>
接着,如图4所示,在基板102上安装发光元件110。具体地说,首先,例如用硅树脂等的粘接树脂对发光元件110进行芯片接合。在由导电体配线106a、106b、106c以及印制电阻104a所包围而成的区域,以及由导电体配线106a、106d、106e以及印制电阻104b所包围而成的区域这两个区域中,分别配设30个发光元件110。即,共配设60个发光元件110。
发光元件110是具有俯视下呈长方形外形的芯片,其厚度例如是100~180μm。在发光元件110的长方形的上表面,用于正极以及负极的2个芯片电极在长边方向上对置而设。
发光元件110排列为列状,每个发光元件列具有俯视下发光元件110的长边方向沿y方向(列方向)而设的配置结构。而且,在相邻配设的发光元件列之间,发光元件110的长边方向的侧面互不相向而设,即,某一发光元件列的发光元件110配设在相邻的发光元件列的发光元件110之间的中间位置上。也就是说,发光元件110具有所谓的交错式配置。优选的是,从基板102的上面观察时,比起发光元件110的短边之间相对且邻接的第一发光元件间隔,发光元件110的长边之间的斜向相对且邻接的第二发光元件间隔更大。
接着,使用电线112进行引线接合。此时,对于相邻于导电体配线106而设的发光元件110,在其导电体配线106与芯片电极之间进行引线接合。对于未夹设有导电体配线106而相邻的发光元件110,通过引线接合来直接连接两者的芯片电极。由此,在正电极114与负电极116之间,并联连接有3个各由20个发光元件110串联连接而成的串联电路部。
搭载发光元件110之后的截面的形态如图5(c)所示。从图5(c)可知,形成有被第一光反射树脂层108覆盖的印制电阻104以及导电体配线106的同时,还搭载有用电线112相连接的发光元件110。发光元件110直接搭载在基板102的表面,由此能提高散热性。
在此,印制电阻104与最接近印制电阻104的发光元件110之间的配设间隔m(印制电阻104的端部到发光元件110的端部为止的距离),优选为0.55mm。
在图12中示出了根据印制电阻104与发光元件110之间的配设间隔而设的相对光束,图13示出了印制电阻104与发光元件110之间的配置关系的图表。从图12以及图13可知,印制电阻104与发光元件110之间的配设间隔不满0.55mm时,发光装置100的相对光束即光输出会急剧下降。由此,印制电阻104与发光元件110之间的配设间隔是0.55mm以上为好,优选的是处于0.55mm~0.92mm的范围内,更优选的是0.55mm。
而且,同样地,导电体配线106a与最接近导电体配线106a的发光元件110之间的配设间隔k(导电体配线106a的端部到发光元件110的端部为止的距离,位于左右两处),优选为0.55mm。并且,在相邻的发光元件列之间,相邻的发光元件110的长边方向的侧面之间的配设间隔n,优选为0.55mm。如本实施方式所示,安装60个或超过此数量的发光元件110时,最适合的所述配设间隔是0.55mm,但是少于此数量时不限于此间隔量。考虑此点来看,配设间隔k以及配设间隔n优选为0.65mm以上。
<第二光反射树脂层形成工序>
接着,如图6所示,以覆盖第一光反射树脂层108的形态形成第二光反射树脂层120,其中第一光反射树脂层108覆盖着导电体配线106b~106e以及印制电阻104。具体地说,例如用树脂吐出装置(未图示),从其具有圆形开口部的喷嘴吐出液体状的含氧化铝填充剂的硅树脂,并将其描绘到规定位置上。之后在硬化温度为120℃、硬化时间为1小时的条件下进行加热硬化处理,由此形成第二光反射树脂层120。另外,所述的硬化温度以及硬化时间仅为多种方案中的一例,并不局限于此。
形成第二光反射树脂层120之后的截面形态如图7(a)以及图8(a)所示。例如,第二光反射树脂层120的宽度是0.9mm。第二光反射树脂层120的最顶部的高度,比发光元件110的上表面的高度要高,且比连接发光元件110之间的电线112(电线线圈)的高度也要高。而且,第二光反射树脂层120的最顶部的高度,比覆盖导电体配线106a的第一光反射树脂层108的高度还要高。由此,能形成不会使发光元件110、电线112以及覆盖导电体配线106a的第一光反射树脂层108露出的封装树脂122,从而能保护这些部件。
还有,连接到导电体配线106b~106e的电线112,其至少一部分被第二光反射树脂层120所覆盖。由此,能减少电线剥落,或者能防止电线剥落。
从图7(a)可知,形成在第二光反射树脂层120下方的印制电阻104,是通过第一光反射树脂层108而被第二光反射树脂层120覆盖的。即,印制电阻104、第一光反射树脂层108以及第二光反射树脂120被层压而设。另外,第二光反射树脂层120不干涉发光元件110。
而且,在第二光反射树脂层120内,与第二光反射树脂层120的截面中心相比,印制电阻104配设在距发光元件110较远的一侧。即,相对于第二光反射树脂层120的内侧端与外侧端之间的中间位置,印制电阻104配设在远离发光元件110的方向上。
如上所述,印制电阻104的位置满足所述配设间隔,并形成在离发光元件110较远的一侧为优选。即,通过第二光反射树脂层120靠近内侧而设的结构,能够实现基板102的小面积化以及发光部的均匀化。
从图8(a)可知,形成在第二光反射树脂层120下方的导电体配线106b~106e,是直接被第二光反射树脂层120覆盖的。即,导电体配线106b~106e分别与第二光反射树脂层120层压而设。另外,第二光反射树脂层120不干涉发光元件110。
而且,在第二光反射树脂层120内,与第二光反射树脂层120的截面中心相比,导电体配线106b~106e配设在距发光元件110较远的一侧。即,相对于第二光反射树脂层120的内侧端与外侧端之间的中间位置,导电体配线106b~106e配设在远离发光元件110的方向上。
如上所述,形成在第二光反射树脂层120的下方的导电体配线106b~106e,其位于离发光元件110较远的一侧为优选。即,通过第二光反射树脂层120靠近内侧而设的结构,能够实现基板102的小面积化以及发光部的均匀化。
在此,图9示出了在单片化之前的制造工序中形成第二光反射树脂层120的形态。如图9所示,发光装置连续形成在一张较大的基板102a上,最后,沿着设定在发光装置周围(四方)的分割线160来进行分割,以此形成单个的发光装置100。
在图9的右上部示出了在发光元件110的搭载工序之后的第二光反射树脂层120的形成工序中的,形成了第二光反射树脂层120时的制造过程中的形态。而且,第二光反射树脂层120将被依次形成。并由此可知,第二光反射树脂层120是形成在第一光反射树脂层108与印制电阻104的层压体上,以及导电体配线106b~106e上的。第一光反射树脂层108与导电体配线106a的层压体,在环状的第二光反射树脂层120的大致中心的位置,沿y方向(从上到下)延伸而设。
另外,在树脂吐出装置中使用了具有圆形开口部的喷嘴,但并不局限于此,例如,还可使用如图10所示的具有矩形环状开口部710的喷嘴700。在喷嘴700中,可从开口部710一次性地吐出树脂,因此能在短时间内形成无接头的环状的第二光反射树脂层120。由此,接头部的膨胀被抑制,能够形成可减少封装树脂122的泄漏的第二光反射树脂层120。
<封装树脂形成工序>
接着,在基板102上形成封装树脂122。具体地说,将在液体状的透光性树脂中分散荧光体而成的含荧光体树脂,注入到由第二光反射树脂层120所包围的区域中。注入含荧光体树脂之后,以规定温度以及时间对其进行硬化。由此形成封装树脂122。
形成封装树脂122之后的截面的形态如图7(b)以及图8(b)所示。从图7(b)以及图8(b)可知,导电体配线106a上的第一光反射树脂层108、发光元件110以及电线112被封装树脂112所覆盖。
<基板分割工序>
最后,沿着图9中示出的分割线160,分割出单个的发光装置100。作为分割方法,有使用分割刀片在形成于基板102a背面的分割槽(未图示)的上方,从表面侧沿着分割线160进行剪切的方法。根据此方法,基板102a会沿着分割槽被分离,从而能容易地进行分割。通过分割,如图1所示,可制得完成了单片化的发光装置100。
如上所述,发光装置100具有如下结构,即:形成在发光元件110的搭载区域上的导电体配线106a被第一光反射树脂层108所覆盖,形成在第二光反射树脂层120的下方的导电体配线106b~106e直接被第二光反射树脂层所覆盖,或者形成在第二光反射树脂层120的下方的印制电阻104通过第一光反射树脂层108被该第二光反射树脂层120所覆盖。
通常,在发光装置中,在单层结构的基板上搭载多个发光元件时,导电体配线的引线会变得复杂,导电体配线会形成在发光部的中心,或者会形成多根导电体配线。而且,为了保护发光元件还会形成印制电阻。而所述导电体配线以及印制电阻等导电部件会吸收光,因此会招来色度偏差、色度不均、光输出的降低以及发光不均等现象。
对此,根据发光装置100的结构,导电体配线106以及印制电阻104被能有效反射来自发光元件110的光的第一光反射树脂层108以及第二光反射树脂层120所覆盖,因此,能充分降低导电体配线106以及印制电阻104的光吸收。并由此能够抑制色度偏差、色度不均、光输出的降低以及发光不均。从而能够提供一种抑制光的吸收,具有优异的光取出率,高可靠性的发光装置100。
尤其是,印制电阻104的外观呈黑色,因此,通过将印制电阻104形成在第二光反射树脂层120的下方,并用第一光反射树脂层108来覆盖印制电阻104的所有区域,同时尽可能用第二光反射树脂层120进行覆盖,便能够将印制电阻所引起的光吸收抑制到最小量。从而,能够防止发光装置100的光输出的降低。而且,通过用第一光反射树脂层108以及第二光反射树脂层120两个层来覆盖印制电阻104,还能减少缝隙。由此,能够抑制封装树脂122的外漏,而能稳定地形成封装树脂122。
另外,在所述发光装置100中,发光元件110的个数不局限于60个,可搭载多个,并能提供光取出率优异且光输出高的发光装置。而且,发光元件110的电连接(电路结构)也不局限于以上所述的实施方式。也可以采用在正电极114与负电极116之间并联连接2个以上的串联电路部的结构,其中,串联电路部是由2个以上的发光元件110串联连接而成的。
而且,在以上所述的实施方式中,在以导电体配线106a为界的左右区域配设了发光元件110,但也可以通过追加导电体配线106,从而在沿x方向排列的3个以上的区域配设发光元件110,并进行串并联连接。此时,对于如导电体配线106a这样的被形成在发光元件110的搭载区域上的导电体配线,用第一光反射树脂层108覆盖即可。
因此,至少在3处形成第一光反射树脂层108为佳。即,第一光反射树脂层108至少形成在两处的印制电阻104a、104b上,以及一处的导电体配线106a上即可,还可以形成在根据结构需要而设的吸收光的其他导电部件上。
而且,在发光装置100中,作为发光元件110,搭载了形状完全一样的元件,但不局限于此,也可以搭载不同形状的元件。例如,作为发光元件110,可适当使用俯视下的外形呈正方形的元件。
另外,印制电阻104是为了保护发光元件110而形成的,但是,发光装置100并非一定要具备印制电阻104。印制电阻104的大小或者电路设置,可根据搭载的发光元件110的数量,或者使用环境(可能会施加到发光元件110上的静电耐压值的大小等)来决定。
在发光装置100中,导电体配线106以及印制电阻104等这些吸收光的导电部件局部地形成在基板102上时,在这些导电部件中,对于形成在发光元件110的搭载区域上的导电部件,用第一光反射树脂层108覆盖,以及,对于形成在该第二光反射树脂层120下方的导电部件,通过第一光反射树脂层108用第二光反射树脂层120覆盖,或者用第二光反射树脂层120直接覆盖即可。
应该理解,本发明的范围不局限于上述实施方式,适当组合在本发明的精神和权利要求的范围内进行各种变更后的技术方案而得到的实施方式,也包含在本发明的技术范围之内。
本发明的技术方案还可以用以下表述来说明。
本发明提供的发光装置,具备单层结构的基板、多个发光元件、第一光反射树脂层、第二光反射树脂层以及封装树脂;其中,所述基板的表面局部地形成有导电部件;所述发光元件直接搭载在所述基板的表面,以此使所述发光元件与所述导电部件电连接;所述第一光反射树脂层由具有光反射特性的第一树脂所构成;所述第二光反射树脂层由具有光反射特性的第二树脂所构成,并以环状设置在所述基板的表面,以致包围搭载所述多个发光元件的搭载区域;所述封装树脂用于覆盖所述多个发光元件;在所述导电部件中,形成在所述搭载区域的导电部件被所述第一光反射树脂层所覆盖,形成在所述第二光反射层下方的导电部件,通过所述第一光反射树脂层被所述第二光反射树脂层所覆盖,或者直接被所述第二光反射树脂层所覆盖。
在本发明提供的发光装置中,优选地,形成在所述第二光反射树脂层下方的导电部件,相对所述第二光反射树脂层的内侧端与外侧端的中间位置,配设在远离所述发光元件的方向上。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述导电部件至少具备第一导电体配线、第二导电体配线、第三导电体配线、第四导电体配线、第五导电体配线、第一印制电阻以及第二印制电阻;其中,所述第一导电体配线沿着处于所述基板的表面内的第一方向延伸而设;所述第二导电体配线沿着正交于所述第一方向的第二方向与所述第一导电体配线对置,并沿着所述第一方向延伸而设;所述第三导电体配线在所述第一导电体配线的延长线上沿着所述第一方向延伸而设;所述第四导电体配线沿着所述第二方向与所述第三导电体配线对置,并在所述第二导电体配线的延长线上沿着所述第一方向延伸而设;所述第五导电体配线与所述第二导电体配线以及所述第三导电体配线相连接,并沿着所述第二方向延伸而设;所述第一印制电阻沿着所述第二方向延伸而设,以致与所述第一导电体配线以及第二导电体配线相接触;所述第二印制电阻沿着所述第二方向延伸而设,以致与所述第三导电体配线以及第四导电体配线相接触;而且,所述第五导电体配线配设在所述搭载区域上;所述第一导电体配线、所述第二导电体配线、所述第三导电体配线、所述第四导电体配线、所述第一印制电阻以及所述第二印制电阻配设在所述第二光反射树脂层的下方。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述第五导电体配线配设在俯视下至少将所述搭载区域一分为二的位置上。
在单层结构的基板上搭载多个发光元件时,导电体配线的引线最好采用如第五导电体配线那种配置。由此,能抑制发光不均匀的现象。
在本发明提供的发光装置中,优选地,至少3处以上的位置上形成有所述第一光反射树脂层。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述第一光反射层形成为覆盖所述第一印制电阻与所述第二印制电阻的形态。
在本发明提供的发光装置中,优选地,覆盖所述第五导电体配线的第一光反射层树脂层的高度是5μm~50μm。
根据所述结构,即使发光元件的搭载区域上形成有第五导电体配线以及第一光反射树脂层的层压体,也能防止对色度、光输出以及发光均匀性带来影响。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述多个发光元件分别以多个数量配设在由所述第一导电体配线、所述第二导电体配线、所述第五导电体配线以及所述第一印制电阻所包围的区域,与由所述第三导电体配线、所述第四导电体配线、所述第五导电体配线以及所述第二印制电阻所包围的区域中;所述第一导电体配线与所述第二导电体配线之间并联连接有2个以上的串联电路部,各串联电路部中串联连接有2个以上的发光元件,所述第三导电体配线与所述第四导电体配线之间并联连接有2个以上的串联电路部,各串联电路部中串联连接有2个以上的发光元件。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述第一印制电阻与最接近该第一印制电阻的发光元件之间的配设间隔、所述第二印制电阻与最接近该第二印制电阻的发光元件之间的配设间隔,以及所述第五导电体配线与最接近该第五导电体配线的发光元件之间的配设间隔均为0.55mm以上。
在本发明提供的发光装置中,优选地,分别在所述第一导电体配线与所述第二导电体配线之间,以及所述第三导电体配线与所述第四道题配线之间,相邻于所述第一方向的发光元件之间的配设间隔为0.65mm以上。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述多个发光元件分别具有俯视下呈长方形的外形,所述发光元件的长边方向沿着所述第二方向而设。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述基板是由陶瓷所构成的陶瓷基板。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述封装树脂与所述基板的表面相接触。由此,能提高基板与封装树脂之间的密接性。
在本发明提供的发光装置中,优选地,覆盖了形成在所述搭载区域上的导电部件的所述第一光反射树脂层,被所述封装树脂所覆盖。
在本发明提供的发光装置中,优选地,所述封装树脂由包含有荧光体的透光性树脂所形成。
本发明不仅适用在使用发光元件的发光装置相关的领域中,还能适用在发光装置的制造方法相关的领域中,而且,也广泛应用在具备发光装置的,如照明装置以及显示装置等电子设备的相关领域中。
Claims (1)
1.一种发光装置,其特征在于:
具备单层结构的基板、多个发光元件、第一光反射树脂层、第二光反射树脂层以及封装树脂,其中,
所述基板的表面上局部地形成有导电部件,
所述发光元件以与所述导电部件电连接的方式直接搭载在所述基板的表面,
所述第一光反射树脂层由具有光反射特性的第一树脂所形成,
所述第二光反射树脂层由具有光反射特性的第二树脂所形成,并以包围搭载所述多个发光元件的搭载区域的方式环状设置在所述基板的表面,
所述封装树脂用于覆盖所述多个发光元件,
在所述导电部件中,
在所述搭载区域所形成的导电部件被所述第一光反射树脂层所覆盖,
在所述搭载区域的周边所形成的导电部件被所述第二光反射树脂层所覆盖,
连接到所述导电部件的电线的至少一部分被所述第二光反射树脂层所覆盖。
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DE102012103983A1 (de) * | 2012-05-07 | 2013-11-07 | Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg | Leuchtdiodenanordnung insbesondere zu Beleuchtungszwecken und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiodenanordnung |
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JP2015153844A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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KR20160063514A (ko) * | 2014-11-26 | 2016-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 표시장치 |
USD772181S1 (en) * | 2015-04-02 | 2016-11-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode package substrate |
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JP7343220B2 (ja) * | 2020-01-20 | 2023-09-12 | 岡本硝子株式会社 | レジストインク |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051620A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN1534355A (zh) * | 2003-04-01 | 2004-10-06 | ������������ʽ���� | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
CN101252165A (zh) * | 2007-02-22 | 2008-08-27 | 夏普株式会社 | 表面安装型发光二极管及其制造方法 |
JP2008282754A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Akita Denshi Systems:Kk | 照明装置及びその製造方法 |
JP2009094207A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Sharp Corp | 発光装置 |
US20090166657A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4450461A (en) * | 1981-07-24 | 1984-05-22 | General Electric Company | Low cost high isolation voltage optocoupler with improved light transmissivity |
JPH0593059U (ja) * | 1992-05-23 | 1993-12-17 | 株式会社小糸製作所 | 線状発光装置 |
US6474836B1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-11-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light source and original reading device |
US7064424B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-06-20 | Wilson Robert E | Optical surface mount technology package |
KR200373718Y1 (ko) * | 2004-09-20 | 2005-01-21 | 주식회사 티씨오 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 |
JP2006147330A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Alps Electric Co Ltd | ランプモジュール及びランプユニット |
EP1750309A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-29 | Samsung Electro-mechanics Co., Ltd | Light emitting device having protection element |
US7521728B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-04-21 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same |
EP2002478B1 (en) * | 2006-03-23 | 2016-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electrically enhanced wirebond package |
JP2007324205A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2008103200A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Harison Toshiba Lighting Corp | バックライト装置及びバックライト装置の駆動方法 |
JP5084324B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-11-28 | シャープ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP2009026708A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Hitachi Lighting Ltd | 光源装置 |
JP5169263B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP5119917B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2009231397A (ja) * | 2008-03-20 | 2009-10-08 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
CN102751272B (zh) * | 2008-03-26 | 2016-04-20 | 岛根县 | 半导体发光组件及其制造方法 |
JP5390516B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
JP5220487B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-06-26 | 昭和電工株式会社 | 発光装置及びそれを備えた照明システム |
JP2010027645A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Ushio Inc | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2011023557A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 発光装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051620A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN1534355A (zh) * | 2003-04-01 | 2004-10-06 | ������������ʽ���� | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
CN101252165A (zh) * | 2007-02-22 | 2008-08-27 | 夏普株式会社 | 表面安装型发光二极管及其制造方法 |
JP2008282754A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Akita Denshi Systems:Kk | 照明装置及びその製造方法 |
JP2009094207A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Sharp Corp | 発光装置 |
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