CN103744213A - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于显示领域，其可解决现有技术中由于有机膜层较厚在有机膜层上开过孔会造成其上方的开口区域较深，从而导致后续各个功能层的段差较大，液晶取向不良的问题。本发明的阵列基板，所述的阵列基板包括设置在基板上的有机膜层，所述的有机膜层具有第一过孔区域，在所述的第一过孔区域的远离基板的方向上具有开口区域，所述的开口区域设有第一金属层。由于第一金属层填充了开口区域，整个取向层会在开口区域具有较小的段差，更有利于避免液晶取向不良。同时，第一金属层完全覆盖下方的第三金属层，可以使第三金属层免于裸露在阵列基板的外面、接触到潮湿的空气发生腐蚀。

Description

一种阵列基板及其制备方法

技术领域

本发明属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

如图1所示，现有技术中的阵列基板制备工艺中，由于有机膜层4较厚（较厚的有机膜的能够减小电容，降低基板负载，从而降低功耗），在有机膜层4开设第一过孔区域9时，该第一过孔区域9的深度较大，导致后续沉积的各功能层的段差较大。例如，第三金属层6（例如ITO层）、钝化层5（例如PVX层）都造成了较大的段差。同时，第三金属层6的上方形成了较深的开口区域11，若后续工艺在第三金属层6上涂覆取向层，整个取向层会在开口区域11具有较大的段差，更易造成液晶取向不良。同时，第三金属层6裸露在阵列基板的外面、接触到潮湿的空气发生腐蚀。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中由于有机膜层较厚在有机膜层上开过孔会造成上方的开口区域较深，从而导致后续各个功能层的段差较大，液晶取向不良的问题，提供一种将上述开口区域填充的阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括设置在基板上的功能层，所述的功能层具有第一过孔区域，在所述的第一过孔区域的远离基板的方向上具有开口区域，其特征在于，所述的开口区域设有第一金属层。

由于第一金属层填充了上述的开口区域，若后续工艺在上述的第一金属层上涂覆取向层，整个取向层会在上述的开口区域具有较小的段差，更有利于避免液晶取向不良。同时，第一金属层完全覆盖下方的第三金属层，可以使第三金属层免于裸露在阵列基板的外面、接触到潮湿的空气发生腐蚀。

优选的是，所述的功能层为有机膜层。

优选的是，所述的功能层的第一过孔区域靠近基板的一侧设有第二金属层。

进一步优选的是，所述的第二金属层为源漏金属层。

优选的是，所述的第二金属层和所述的第一金属层之间设有第三金属层，所述的第三金属层和第二金属层通过设置在两者之间的绝缘层的第二过孔连接。

优选的是，所述的第一金属层的材料为氧化铟锡、金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、导电合金中的任意一种。

本发明的另一个目的是提供一种上述阵列基板的制备方法，包括通过构图工艺在所述的开口区域形成第一金属层的步骤。

优选的是，在形成第一金属层的步骤之前还包括以下步骤：

S1.通过构图工艺在有机膜层与第二金属层相对应的部分形成第一过孔区域；

S2.在有机膜层及第一过孔区域沉积绝缘层；

S3.通过构图工艺在绝缘层与第一过孔区域相对应的部分开设第二过孔；

S4.在绝缘层及第二过孔形成第三金属层。

进一步优选的是，形成第一金属层采用负型光刻胶，形成第一过孔区域采用正型光刻胶，形成第一金属层和形成第一过孔区域的步骤中使用同一掩膜板。

本发明的阵列基板由于将上述的开口区域填充，后续的涂覆取向层时，取向层整体段差得到降低，能将避免造成取向层的液晶取向不良。同时，第一金属层完全覆盖下方的第三金属层，可以使第三金属层免于裸露在阵列基板的外面、接触到潮湿的空气发生腐蚀。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的截面示意图。

图2为本发明实施例1中具有第一金属层的阵列基板的截面示意图。

图3为本发明实施例2中形成了绝缘层和第二金属层的阵列基板的截面示意图。

图4为本发明实施例2中形成了第一过孔区域的阵列基板的截面示意图。

图5为本发明实施例2中形成了第二过孔的阵列基板的截面示意图。

图6为本发明实施例2中形成了第三金属层的阵列基板的截面示意图。

图7为本发明实施例2中形成了第一金属层的阵列基板的截面示意图。

其中：1.基板；2.绝缘层；3.第二金属层；4.有机膜层；5.钝化层；6.第三金属层；7.第一金属层；8.掩膜板；9.第一过孔区域；10.第二过孔；11.开口区域。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1

如图2所示，本实施例提供一种阵列基板，包括基板1，和基板1上设置的绝缘层2，在绝缘层2上设置图形化的第二金属层3，第二金属层3设置在有机膜层4的第一过孔区域9；接着依次设置图形化的钝化层5、图形化的第三金属层6，第二金属层3通过钝化层5的位于第一过孔区域9内的第二过孔10和第三金属层6连接；第三金属层6位于第一过孔区域9内的远离基板1的方向上具有开口区域11（图中与第一金属层7重合），开口区域11内设有图形化的第一金属层7。

由于第一金属层7填充了开口区域11，若后续工艺在第一金属层7上涂覆取向层，整个取向层会在开口区域11具有较小的段差，更有利于避免液晶取向不良。

如图2所示，优选的，第二金属层3为源漏金属层；优选的，第一金属层7的材料为氧化铟锡、金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、导电合金中的任意一种。第一金属层7完全覆盖下方的第三金属层6，可以使第三金属层6免于裸露在阵列基板的外面、接触到潮湿的空气发生腐蚀。

实施例2

如图3-7所示，本实施例提供一种上述阵列基板的制备方法，包括以下步骤:

A.如图3所示，在基板1上依次沉积绝缘层2和第二金属层3，沉积方法是现有技术范畴，例如，可以采用气相沉积法。基板1可以玻璃基板、塑料基板等；绝缘层2的材料可以是二氧化硅或氮化硅；第二金属层3可以是源漏金属层，源漏金属层的材料选择为现有技术范畴。接着对第二金属层3进行图形化，图形化工艺包括掩膜曝光、显影、刻蚀等步骤，是现有技术的范畴，在此不再一一赘述。

B.如图4所示，在基板1上形成有机膜层4，铺满整个基板1。有机膜层4的材料为本领域技术人员公知的材料，形成方法可以旋涂、喷涂等。有机膜层4可以防止上下两层导电层串扰等；但有机膜层4的厚度比采用沉积方法制备的其它功能层的厚度较大。将有机膜层4与第一金属层7相对应的部分通过图形化工艺形成第一过孔区域9。优选的，有机膜层4的图形化工艺中采用正型光刻胶。

C.如图5所示，接着在有机膜层4和第一过孔区域9沉积钝化层5，钝化层5的制备方法可以与绝缘层2的制备方法相同。接着对钝化层5进行图形化，在钝化层5与第一过孔区域9相对应的部分开设第二过孔10。其中，图形化工艺包括掩膜曝光、显影、刻蚀等步骤，是现有技术的范畴，在此不再一一赘述。

D.如图6所示，在钝化层5及第二过孔10区域沉积第三金属层6，第三金属层6的制备方法可以与第二金属层3的制备方法相同。

E.如图7所示，在第二金属层3上沉积第一金属层7，其中，第一金属层7的制备方法可以与第二金属层3的制备方法相同。优选的，图形化工艺形成第一金属层7采用负型光刻胶，图形化工艺形成第一金属层7采用的掩膜板8可以是步骤B中的掩膜板8。采用相同掩膜8更能简化工艺，节省成本。

可以理解的是，本发明的功能层也可以是阵列基板中任意的一层，只要该功能层比较厚，在该功能层开过孔时，形成的开口区域比较深，影响到后续的功能层都属于本发明的保护范围；本发明所述的“填充”是指只要将上述的开口区域的深度降低，不影响后续功能层的使用都属于本发明的保护范围。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括设置在基板上的功能层，所述的功能层具有第一过孔区域，在所述的第一过孔区域的远离基板的方向上具有开口区域，其特征在于，所述的开口区域设有第一金属层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述的功能层为有机膜层。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述的功能层的第一过孔区域靠近基板的一侧设有第二金属层。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述的第二金属层为源漏金属层。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述的第二金属层和所述的第一金属层之间设有第三金属层，所述的第三金属层和第二金属层通过设置在两者之间的绝缘层的第二过孔连接。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述的第一金属层的材料为氧化铟锡、金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、导电合金中的任意一种。

7.一种如权利要求1-6任一所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括通过构图工艺在所述的开口区域形成第一金属层的步骤。

8.一种如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第一金属层的步骤之前还包括以下步骤：

S1.通过构图工艺在有机膜层与第二金属层相对应的部分形成第一过孔区域；

S2.在有机膜层及第一过孔区域沉积绝缘层；

S3.通过构图工艺在绝缘层与第一过孔区域相对应的部分开设第二过孔；

S4.在绝缘层及第二过孔形成第三金属层。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成第一金属层采用负型光刻胶，形成第一过孔区域采用正型光刻胶，形成第一金属层和形成第一过孔区域的步骤中使用同一掩膜板。

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