CN103424999A - 抗蚀剂剥离液组合物及使用其制造tft阵列基板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，包括(a)选自由以下化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种；(b)碱性化合物；以及(c)水溶性极性溶剂。[化学式1]

Description

抗蚀剂剥离液组合物及使用其制造TFT阵列基板的方法

技术领域

本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，当在平板显示器基板生产过程中制造TFT(薄膜晶体管)阵列基板时，在使用干式蚀刻/湿式蚀刻形成图案期间，所述抗蚀剂剥离液组合物具有良好的去除抗蚀剂残留物的能力，并且涉及一种使用该抗蚀剂剥离液组合物制造TFT阵列基板的方法。

背景技术

随着近来对具有高分辨率的平板显示器的需求增加，已进行了增加单位面积像素数目的尝试。相应地，需要减小配线宽度，因此包括引入干式蚀刻等的加工条件正变得更加苛刻。此外，为了生产具有大尺寸的平板显示器，需要增加配线上的信号速度，并且由此越来越将具有比铝(Al)更低电阻的铜(Cu)用作配线材料。为了与此保持步伐一致，在去除抗蚀剂的剥离过程中使用的剥离液的所需性能正在提高。具体地，包括去除干式蚀刻过程后产生的蚀刻残留物以及抑制金属配线腐蚀的能力的剥离性质应达到相当水平。特别是，剥离液不仅必须具有抑制Cu及Al腐蚀的能力，而且必须有利于盈利，例如增加处理基板的数量以确保价格竞争性。

取决于上述工业需求，新技术正在被公开。

例如，韩国未审查专利公开10-2006-0028523公开了一种包括醇胺、乙二醇醚、N-甲基吡咯烷酮和螯合剂的光致抗蚀剂剥离液以防止金属配线腐蚀。然而，根据上述发明，甚至当没有进行抗蚀剂剥离时，该螯合剂由于其固有的性质可能改变剥离液的颜色，不期望地使得不能用肉眼观察到取决于抗蚀剂在剥离过程中溶解程度的剥离液的颜色变化。

另外，韩国专利10-0429920公开了一种包括含氮有机羟基化合物、水溶性有机溶剂、水和苯并***类化合物的剥离液组合物。该发明在防止铜和铜合金的腐蚀方面是优异的，但在防止铝和铝合金的腐蚀方面是低劣的。

另外，韩国未审查专利公开10-2009-0045859公开了包括水、碱化剂、有机溶剂和硅烷类化合物的聚酰亚胺剥离液，以及韩国未审查专利公开10-2009-0045860公开了一种包括水、链烷醇胺、硅烷类化合物和水溶性有机溶剂的用于彩色抗蚀剂的剥离液。然而，上述现有的发明没有防止Cu和Ti-W腐蚀的能力，由于加入多元醇可能增加粘度，并且在漂洗过程中可能导致Al腐蚀。

[引文列表]

[专利文献]

(专利文件1)KR2006-0028523A

(专利文件2)KR0429920B

(专利文件3)KR2009-0045859A

(专利文献4)KR2009-0045860A

发明内容

因此，牢记在相关技术中存在的上述问题，已经作出了本发明，本发明的目的是提供一种抗蚀剂剥离液组合物，当在平板显示器基板生产过程中制造TFT阵列基板时，在使用干式蚀刻/湿式蚀刻形成图案期间，所述抗蚀剂剥离液组合物具有良好的去除抗蚀剂残留物的能力，并且不导致铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)以及包括它们的金属配线的腐蚀。

本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，包括(a)选自由以下化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种，(b)碱性化合物，以及(c)水溶性极性溶剂。

[化学式1]

在化学式1中，R1是具有3～15个碳的烷基、烯基或羟烷基。

此外，本发明提供一种制造TFT阵列基板的方法，所述方法包括使用上述抗蚀剂剥离液组合物漂洗基板。

此外，本发明提供了一种通过上述方法制造的TFT阵列基板。

当在制造TFT阵列基板时，在使用干式蚀刻/湿式蚀刻形成图案期间，根据本发明的抗蚀剂剥离液组合物能表现出良好的去除光致抗蚀剂残留物的能力，并且能防止Al、Cu、W、Mo、Ti以及包括它们的金属配线的腐蚀。

此外，根据本发明的抗蚀剂剥离液组合物是非常有用的，因为可同时防止Cu和Al配线腐蚀，并且还因为没有使用产生颜色变化的螯合化合物，因此不产生由于长期使用造成的剥离液的颜色变化问题和沉积问题。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明的上述和其他目的、特征和优点，其中：

图1示出在根据本发明实施例9的抗蚀剂剥离液组合物中浸泡后的Ti-W/Al基板；

图2示出在根据本发明比较例7的抗蚀剂剥离液组合物中浸泡后的Ti-W/Al基板。

具体实施方式

本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物，包括(a)选自由以下化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种，(b)碱性化合物，以及(c)水溶性极性溶剂。

[化学式1]

在化学式1中，R1是具有3～15个碳的烷基、烯基或羟烷基。

下面是上述组合物的单个组分的描述。

(a)选自由化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种

有机磷酸

由化学式1表示的有机磷酸起防止包括Al和/或Cu的金属配线腐蚀的作用。具体地，与在相关技术中使用的螯合剂不同，该组分在水和极性溶剂中具有高的溶解性，因此不残留在基板的表面上并且不引起剥离液组合物的颜色变化。

由化学式1表示的有机磷酸的实例可包括丙基磷酸、丁基磷酸、叔丁基磷酸、戊基磷酸、己基磷酸、庚基磷酸、辛基磷酸、正十二烷基磷酸等，其可单独使用或以两种或更多种组合使用。

硅烷醇化合物

在本发明中使用的硅烷醇化合物由以下化学式2表示的化合物例示。

[化学式2]

在化学式2中，R₁、R₂、R₃、R₅和R₆独立地是氢原子、羟基，或具有1～5个碳的烷基，其中，R₁、R₂和R₃中至少一个是羟基；以及R₄是具有1～5个碳的亚烷基。

由化学式2表示的化合物的实例可包括3-氨基丙基(甲基)硅烷二醇、3-氨基丙基硅烷三醇等，其可单独使用或以两种或更多种组合使用。

在光致抗蚀剂的剥离过程中，硅烷醇化合物具有良好的防止金属腐蚀的能力，并且在防止Al、Mo、Ti、W和包括它们的金属膜的腐蚀方面特别优异。

基于组合物的总重量，(a)选自由化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种以0.01～5wt％，优选以0.05～3wt％的量使用。如果(a)组分的量小于0.01wt％，在剥离或用去离子水漂洗时，可能腐蚀Al、Mo、W、Ti和包括它们的金属配线。相反，如果其量超过5wt％，可能增加该组合物的粘度，并且该组分可能留在金属配线的表面上。

(b)碱性化合物

在本发明中，碱性化合物的实例可包括氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、碳酸盐、磷酸盐、氨以及胺(例如烷基胺、烯丙基胺、链烷醇胺、烷氧基胺和环胺)，其可单独使用或以两种或更多种组合使用。

胺的实例可包括伯胺，其包括甲胺、乙胺、单异丙胺、正丁胺、仲丁胺、异丁胺、叔丁胺、戊胺等；仲胺，其包括二甲胺、二乙胺、二丙胺、二异丙胺、二丁胺、二异丁胺、甲基乙基胺、甲基丙基胺、甲基异丙基胺、甲基丁基胺、甲基异丁基胺等；叔胺，其包括二乙基羟胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙基胺、甲基二乙基胺、甲基二丙基胺等；链烷醇胺，其包括胆碱、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、单丙醇胺、2-氨基乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(甲基氨基)乙醇、N-甲基二乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙氨基乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、二丁醇胺等；烷氧基胺，其包括(丁氧基甲基)二乙胺、(甲氧基甲基)二乙胺、(甲氧基甲基)二甲胺、(丁氧基甲基)二甲胺、(异丁氧基甲基)二甲胺、(甲氧基甲基)二乙醇胺、(羟乙氧基甲基)二乙胺、甲基(甲氧基甲基)氨基乙烷、甲基(甲氧基甲基)氨基乙醇、甲基(丁氧基甲基)氨基乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇等；以及环胺，其包括1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟乙基)甲基哌嗪、N-(3-氨基丙基)吗啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、1-氨基-4-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪、1-苯基哌嗪、N-甲基吗啉、4-乙基吗啉、N-甲酰基吗啉、N-(2-羟乙基)吗啉、N-(3-羟丙基)吗啉等。

上述碱性化合物可深入渗透在包括干式蚀刻或湿式蚀刻、灰化(ashing)或离子植入处理(ion implant processing)等多种加工条件下退化(degenerate)或交联的抗蚀剂的聚合物基体，从而破环分子内或分子间的键合。进一步，该组分能够在残留在基板上的抗蚀剂的结构薄弱部分中形成中空空间，从而将抗蚀剂转变为无定形聚合物凝胶块，因此有利于从基板的上表面去除上述抗蚀剂。

基于本发明的总重量，上述碱性化合物可以1～40wt％，优选2～20wt％，并且更优选3～15wt％的量使用。基于组合物的总重量，如果碱性化合物的量小于1wt％，可能降低抗蚀剂剥离性。相反，如果其量超过40wt％，可能急剧增加Al、Cu、W、Mo、Ti和包括它们的金属配线的腐蚀速率。

(c)水溶性极性溶剂

在本发明中，水溶性极性溶剂可包括质子极性溶剂和非质子极性溶剂，其可单独使用或组合使用。质子极性溶剂的优选实例可包括亚烷基二醇单烷基醚，例如乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单异丙基醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单***、三乙二醇单异丙基醚、三乙二醇单丁醚、聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚等，丙二醇单甲醚醋酸酯和四氢糠醇，其可单独使用或以两种或更多种组合使用。

非质子极性溶剂的优选实例可包括吡咯烷酮化合物，其包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-乙基吡咯烷酮等；咪唑啉酮化合物，其包括1，3-二甲基-2-咪唑啉酮等，1，3-二丙基-2-咪唑啉酮等；内酯化合物，其包括γ-丁内酯等；亚砜化合物，其包括二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等；磷酸酯化合物，其包括磷酸三乙酯、磷酸三丁酯等；碳酸酯化合物，其包括碳酸二甲酯、碳酸亚乙酯等；以及酰胺化合物，其包括甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-(2-羟乙基)乙酰胺、3-甲氧基-N，N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己氧基)-N，N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N，N-二甲基丙酰胺等，其可单独使用或以两种或更多种组合使用。

本发明中使用的(c)水溶性极性溶剂优选不包括多元醇。使用多元醇的情况可增加组合物的粘度，不期望地降低组合物加工过程中的简易性(ease)，并且也相对地降低除多元醇外的水溶性极性溶剂的量，从而降低溶解的光致抗蚀剂的量，不期望地减少处理基板的数量。

(c)水溶性极性溶剂起溶解由(b)碱性化合物凝胶化的光致抗蚀剂聚合物的作用，并且有利于在剥离光致抗蚀剂后在去离子水漂洗过程中用水去除剥离液，由此最小化剥离液和溶解的光致抗蚀剂的再吸附/再附着。

基于组合物的总重量，(c)水溶性极性溶剂优选以55～97wt％的量使用。该组分的量落于上述范围内的情况在去除由于蚀刻等而退化或交联的光致抗蚀剂聚合物和增加处理基板的数量方面是有利的。如果水溶性极性溶剂的量小于55wt％，可能降低光致抗蚀剂溶解度，不期望地减少处理基板的数量，并使得不能达到在用去离子水漂洗时完全去除杂质的效果。相反，如果水溶性极性溶剂的量超过97wt％，可能相对地过度降低碱性化合物的量，从而降低交联或退化光致抗蚀剂的去除效率。

(d)腐蚀抑制剂

根据本发明的抗蚀剂剥离液组合物可进一步包括腐蚀抑制剂以增加抑制金属配线腐蚀的效果。该腐蚀抑制剂可包括由以下化学式3表示的苯并***衍生物。

[化学式3]

在化学式3中，R2、R3和R4独立地是氢原子、卤原子、烷基、环烷基、烯丙基、芳基、氨基、烷氨基、硝基、氰基、巯基、烷巯基、羟基、羟烷基、羧基、羧烷基、酰基、烷氧基或杂环单价基(heterocyclic monovalent group)。

苯并***衍生物的具体实例可包括2，2’-[[[苯并***]甲基]亚氨基]双乙醇、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双甲醇、2，2’-[[[乙基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双羧酸、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双甲胺、2，2’-[[[胺-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇等。

基于组合物的总重量，腐蚀抑制剂优选以0.01～5wt％，并且更优选0.03～3wt％的量使用。如果腐蚀抑制剂的量小于0.01wt％，在剥离或用去离子水漂洗时，可能腐蚀Al、Cu、W、Mo、Ti以及包括它们的金属配线。相反，如果其量超过5wt％，该组分可能吸附到金属配线的表面上，不期望地造成二次污染并降低剥离性。

(e)去离子水

根据本发明的抗蚀剂剥离液组合物可进一步包括(e)去离子水。(e)去离子水可增加碱性化合物(b)的活性，从而增加剥离抗蚀剂的速率，并且该组分与(c)水溶性极性溶剂混合，从而在用去离子水漂洗时迅速并彻底地去除留在基板上的有机污染物和抗蚀剂剥离液。

基于组合物的总重量，(e)去离子水优选以5～40wt％的量使用。与不包含去离子水的组合物相比，如果去离子水的量小于5wt％，去除由于干式蚀刻/湿式蚀刻过程而交联或退化的光致抗蚀剂的能力可能变得微不足道。相反，如果其量超过40wt％，可能降低溶解的光致抗蚀剂的量，不期望地减少处理基板的数量。当基板长时间浸泡在剥离液中时，可能腐蚀金属配线。

一种使用根据本发明的用于平板显示器的抗蚀剂剥离液组合物去除抗蚀剂的方法通常可包括浸泡过程，但可进行其他过程，例如喷洒(spray)过程。使用本发明组合物处理的基板可仅用水充分地漂洗，而无需使用诸如醇等有机溶剂。

本发明的抗蚀剂剥离液组合物可有效地用于去除用于半导体或电子产品，特别是平板显示器的抗蚀剂。

被列出以示例而不解释为限制本发明的下述实施例可提供本发明更好的理解，并且可由本领域技术人员在本发明范围内适当修改或改变。

实施例1～8和比较例1～6：抗蚀剂剥离液组合物的制备

通过混合以下表1中示出的量的各组分制备实施例1～8和比较例1～6的用于平板显示器的抗蚀剂剥离液组合物。

[表1]

OPA：辛基磷酸

HPA：己基磷酸

HEDP：1-羟基亚乙基-1，1-二磷酸

MEA：单乙醇胺

DEA：二乙醇胺

MDEA：N-甲基二乙醇胺

HEP：羟乙基哌嗪

NMP：N-甲基吡咯烷酮

BDG：二乙二醇单丁醚

EDG：二乙二醇单***

d-1：2，2′-[[[乙基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇

实施例9～17和比较例7～14：抗蚀剂剥离液组合物的制备

通过混合以下表2中示出的量的各组分制备实施例9～17和比较例7～14的用于平板显示器的抗蚀剂剥离液组合物。

[表2]

APSO：(3-氨基丙基)硅烷三醇

MEA：单乙醇胺

AEE：2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇

MDEA：N-甲基二乙醇胺

NMP：N-甲基吡咯烷酮

BDG：二乙二醇单丁醚

MDG：二乙二醇单甲醚

NMF：N-甲基甲酰胺

DMSO：二甲亚砜

BTA：苯并***

AEAPTMS：r-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷

测试例：抗蚀剂剥离液组合物性能评价

测试例1：实施例1～8和比较例1～6的抗蚀剂剥离液组合物的剥离性评价

为了评价抗蚀剂剥离液组合物的剥离效果，用常规方式制备基板，其中使用薄膜溅射法将Mo/Al和Cu/Ti以层的方式布置在玻璃基板上，形成光致抗蚀剂图案，并使用湿式蚀刻法和干式蚀刻法蚀刻金属膜。将抗蚀剂剥离液组合物的温度保持在50℃的恒温，将基板浸泡在抗蚀剂剥离液组合物中10分钟，并评价剥离性。然后，用去离子水漂洗基板1分钟以从基板上去除剥离液残留物，之后，用氮气将漂洗后的基板彻底干燥以从基板上去除去离子水残留物。使用扫描电子显微镜(SEM，日立S-4700)观察从基板上去除退化或固化的抗蚀剂和干式蚀刻残留物的性能。结果示于以下表3中，其中，◎表示非常好，○表示良好，以及×表示差。

测试例2：实施例1～8和比较例1～6的抗蚀剂剥离液组合物的金属配线腐蚀抑制能力评价

为了评价抗蚀剂剥离液组合物的金属配线腐蚀抑制能力，使用Mo/Al和Cu/Ti配线从中暴露的基板，剥离液组合物的温度保持在50℃的恒温，并且将上述基板浸泡在剥离液组合物中30分钟，漂洗，干燥，并用SEM(日立S-4700)观察。结果示于以下表3中，其中，◎表示非常好，○表示良好，以及×表示差。

[表3]

从表3的测试结果明显看出，与比较例1～6的组合物相比，对应于本发明剥离液组合物的实施例1～8的组合物在抗蚀剂去除性以及Al和Cu的腐蚀抑制能力方面优异。

测试例3：实施例9～17和比较例7～14的抗蚀剂剥离液组合物的剥离性能评价

1)剥离性评价

为了评价光致抗蚀剂剥离液组合物的剥离效果，根据常规方法，将光致抗蚀剂(DWG-520：DongWoo Finechem)以预定厚度(2μm)涂布在玻璃基板上，然后在170℃下固化10分钟。如上述实施例和比较例制备光致抗蚀剂剥离液组合物，并将抗蚀剂剥离液组合物保持在50℃的恒温，之后，将其上涂布有光致抗蚀剂的尺寸为3cm×3cm的玻璃基板浸泡在剥离液组合物中并评价剥离性。之后，用去离子水漂洗基板1分钟以从基板上去除剥离液残留物，然后用氮气彻底干燥漂洗过的基板以从基板上去除去离子水残留物。根据上述方法进行取决于时间的测量，并因此测定彻底去除光致抗蚀剂需要的时间。

用肉眼观察从基板上去除固化的光致抗蚀剂的性能。去除光致抗蚀剂需要的时间示于以下表4中。

2)金属配线腐蚀抑制能力评价

为了评价上述抗蚀剂剥离液组合物的金属配线腐蚀抑制能力，用常规方式制备了基板，其中使用薄膜溅射法将Mo/Al、Cu/Ti和Ti-W/Al以层的方式布置在玻璃基板上，使用光致抗蚀剂形成图案，并使用湿式蚀刻法和干式蚀刻法蚀刻金属膜。使用Mo/Al、Cu/Ti和Ti-W/Al配线从中暴露的基板，将剥离液组合物的温度保持在50℃的恒温，并且将上述基板浸泡在剥离液组合物中30分钟，漂洗，干燥，并用SEM(日立S-4700)观察。结果示于以下表4中，其中，◎表示非常好，○表示良好，△表示一般，以及×表示差。

3)处理基板的数量评价

在评价光致抗蚀剂剥离液的性能中，可从基板上剥离的经涂布的光致抗蚀剂的量被称为处理基板的数量/处理能力(processing capacity)。为了评价该性能，在处理预定数量的经光致抗蚀剂涂布的基板的情况下，测定溶解的光致抗蚀剂的量，从而绝对地(arbitrarily)评价使用光致抗蚀剂剥离液组合物溶解后从基板上去除残留物和杂质的程度。在基板上未观察到残留物和杂质的情况下，其中光致抗蚀剂的浓度高，可表明通过剥离液处理基板的数量大。

为了评价通过光致抗蚀剂剥离液组合物处理基板的数量，在50℃下，将具有Mo/Al、Cu/Ti和Ti-W/Al配线的基板(其中在形成光致抗蚀剂图案后使用湿式蚀刻法和干式蚀刻法蚀刻金属膜)浸泡在剥离液组合物中10分钟，其中1～5wt％固体化的光致抗蚀剂(通过在130℃下热处理一天完全去除溶剂产生的)连续溶解，之后漂洗上述基板并干燥，并使用SEM(日立S-4700)观察去除残留物和杂质的程度。结果示于下表4中，其中◎表示非常好，○表示良好，△表示一般，以及×表示差。

[表4]

4)易用性评价

通常采用喷洒法施用光致抗蚀剂剥离液组合物。为了便于使用，使用具有低粘度的光致抗蚀剂剥离液组合物。在25℃下使用旋转粘度计(TV-30)测量实施例15和比较例13的组合物的粘度。实施例15的粘度测定为5.12mPas，以及比较例13的粘度测定为15.53mPas。

从表4的测试结果明显看出，与比较例7～14的组合物相比，对应于本发明抗蚀剂剥离液组合物的实施例9～17的组合物在剥离性，Al、Cu和Ti-W的腐蚀抑制能力以及处理基板的数量/处理能力方面优异。

此外，如图1和图2中看出，与比较例7的组合物相比，实施例9的组合物去除残留物和杂质的程度优异。

Claims (13)

1.一种抗蚀剂剥离液组合物，包括：

(a)选自由以下化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种；

(b)碱性化合物：以及

(c)水溶性极性溶剂：

[化学式1]

其中，R1是具有3～15个碳的烷基、烯基或羟烷基。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，(a)的所述硅烷醇化合物由以下化学式2表示：

[化学式2]

其中，R₁、R₂、R₃、R₅和R₆独立地是氢原子、羟基，或具有1～5个碳的烷基，并且R₁、R₂和R₃中至少一个是羟基；以及R₄是具有1～5个碳的亚烷基。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，(a)的所述有机磷酸是选自由丙基磷酸、丁基磷酸、叔丁基磷酸、戊基磷酸、己基磷酸、庚基磷酸、辛基磷酸、正十二烷基磷酸及它们的混合物组成的组中的一种。

4.根据权利要求2所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述硅烷醇化合物是选自由3-氨基丙基(甲基)硅烷二醇、3-氨基丙基硅烷三醇及它们的混合物组成的组中的一种。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述组合物的总重量，包括：

(a)0.01～5wt％的所述选自由化学式1表示的有机磷酸和硅烷醇化合物组成的组中的至少一种；

(b)1～40wt％的所述碱性化合物；以及

(c)55～97wt％的所述水溶性极性溶剂。

6.根据权利要求5所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述组合物的总重量，进一步包括0.01～5wt％的由以下化学式3表示的(d)腐蚀抑制剂，

[化学式3]

其中，R2、R3和R4独立地是氢原子、卤原子、烷基、环烷基、烯丙基、芳基、氨基、烷氨基、硝基、氰基、巯基、烷巯基、羟基、羟烷基、羧基、羧烷基、酰基、烷氧基或杂环单价基。

7.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离液组合物，基于所述组合物的总重量，进一步包括5～40wt％的(e)去离子水。

8.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述(b)碱性化合物是选自由氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、碳酸盐、磷酸盐、氨、烷基胺、烯丙基胺、链烷醇胺、烷氧基胺、环胺及它们的混合物组成的组中的一种。

9.根据权利要求8所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述链烷醇胺是选自由以下化合物组成的组中的一种：胆碱、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、单丙醇胺、2-氨基乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(甲基氨基)乙醇、N-甲基二乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙氨基乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丙醇、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、二丁醇胺、(甲氧基甲基)二乙醇胺、(羟乙氧基甲基)二乙胺、甲基(甲氧基甲基)氨基乙醇、甲基(丁氧基甲基)氨基乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-羟乙基)甲基哌嗪、N-(2-羟乙基)吗啉、N-(3-羟丙基)吗啉及它们的混合物。

10.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述(c)水溶性极性溶剂是选自由以下化合物组成的组中的一种：乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单异丙基醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单***、三乙二醇单异丙基醚、三乙二醇单丁醚、聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯、四氢糠醇、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、1，3-二丙基-2-咪唑啉酮、γ-丁内酯、二甲基亚砜、环丁砜、磷酸三乙酯、磷酸三丁酯、碳酸二甲酯、碳酸亚乙酯、甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-(2-羟乙基)乙酰胺、3-甲氧基-N，N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己氧基)-N，N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N，N-二甲基丙酰胺及它们的混合物。

11.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离液组合物，其中，所述(d)腐蚀抑制剂是选自由2，2’-[[[苯并***]甲基]亚氨基]双乙醇、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双甲醇、2，2’-[[[乙基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双羧酸、2，2’-[[[甲基-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双甲胺、2，2’-[[[胺-1H-苯并***-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇及它们的混合物组成的组中的一种。

12.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述方法包括使用根据权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂剥离液组合物漂洗基板。

13.一种通过权利要求12所述的方法制造的薄膜晶体管阵列基板。

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