KR20120089873A - 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 - Google Patents

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, (a) 화학식 1로 표시되는 유리기 제거제 0.1 내지 10 중량%, (b) 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물 5 내지 30 중량%, (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매 55 내지 94 중량% 및 (d) 부식방지제 0.01 내지 5 중량% 를 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.

Description

레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 {Resist stripper composition and method of stripping resist using the same}
본 발명은 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법에 관한 것이다.
최근 평판표시장치의 고해상도 구현에 대한 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소도 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 건식 식각 공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력 및 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다.
상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 새로운 기술들이 공개되고 있다. 예컨대, 대한민국 공개특허 제10-2006-0028523호는 알코올아민, 글리콜에테르, N-메틸피롤리돈 및 킬레이트제를 포함하는 금속배선의 부식을 일으키지 않는 포토레지스트 박리제를 제안하고 있다. 그러나 상기 킬레이트제는, 레지스트의 박리가 이루어 지지 않은 경우에도, 그 자체의 특성에 의해 박리액의 색을 변화시키므로, 박리공정에서 레지스트의 용해 정도에 따르는 박리액의 색변화를 육안으로 확인할 수 없게 만드는 문제를 야기한다.
대한민국 공개특허 제10-2006-0024478호는 고리형 아민, 용제, 부식방지제 및 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 개시하고 있다. 상기 박리액 조성물은 이소프로필알콜(IPA) 린스 공정이 생략되어도 금속배선에 대한 추가적인 부식이 없으며, 특히 박리력을 크게 향상시키는 특징을 갖는다고 기술되어 있다. 그러나, 상기 박리액 조성물은 박리제로서 고리형 아민만을 사용함으로써 건식 식각 잔사와 같이 가혹한 조건에서 생성된 레지스트에 대한 박리력이 충분치 못한 단점을 갖는다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 레지스트 패턴 및 건식 및 습식 식각 잔사 제거 능력이 우수하며, 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식 방지력이 우수할 뿐만 아니라, 부식방지제에 의한 박리액의 색변화도 방지되며, 기판의 처리매수가 향상되는 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 레지스트의 박리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, (a) 하기 화학식 1로 표시되는 유리기 제거제 0.1 내지 10 중량%, (b) 하기 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물 5 내지 30 중량%, (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매 55 내지 94 중량% 및 (d) 부식방지제 0.01 내지 5 중량% 를 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 식에서,
R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환된 아미노기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이다.
상기 레지스트 박리액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 15 중량%의 탈이온수를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔존하는 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널용 기판의 레지스트를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조된 플랫 패널용 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 레지스트 패턴 및 건식 및 습식 식각 잔사 제거력이 우수하며, 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식 방지력이 뛰어나기 때문에 고해상도를 구현하기 위해 미세 패턴이 적용된 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조 공정 및 알루미늄 및/또는 구리 배선이 사용된 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조 공정에 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 부식방지제에 의한 박리액의 색변화가 방지되어 투명한 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이 가능하므로, 박리공정 중에 레지스트의 용액내 용해 정도를 육안으로 확인할 수 있어 박리액 탱크 별 레지스트 용해 정도 및 박리액 교체시기를 용이하게 판단할 수 있다. 또한, 많은 수의 기판을 처리하는 것이 가능하므로 원가 절감에 크게 기여한다.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, (a) 하기 화학식 1로 표시되는 유리기 제거제 0.1 내지 10 중량%, (b) 하기 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물 5 내지 30 중량%, (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매 55 내지 94 중량% 및 (d) 부식방지제 0.01 내지 5 중량% 를 포함하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다:
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이다.
[화학식 2]
Figure pat00004
상기 식에서,
R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환된 아미노기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이다.
상기 레지스트 박리액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 15 중량%의 탈이온수를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (a) 하기 화학식1로 표시되는 유리기 제거제(free radical scavenger)는 금속 배선의 부식을 억제할 뿐만 아니라, 알킬 갈레이트류와 같은 부식방지제가 박리액에 포함되어 박리공정 전에 산화에 의하여 박리액의 색을 변화시키는 것을 방지하는 역할을 한다. 따라서, 산화에 의해 박리액의 색을 변화시키는 부식방지제가 박리액에 포함되더라도, 그러한 반응에 의한 박리액의 색변화를 억제하기 때문에, 박리공정 중에 레지스트의 용액내 용해정도를 육안으로 용이하게 확인할 수 있게 한다.
[화학식 1]
Figure pat00005
상기 식에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이다.
상기에서 치환기에 포함된 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다.
상기 화학식1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기인 것이 바람직하며, 탄소수 1~5의 알킬기인 것이 더욱 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 대표적인 유리기 제거제로는 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민, 디부틸히드록실아민 등을 들 수 있다.
상기 유리기 제거제는 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.3 내지 5중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 다른 부식방지제를 도와 산화에 의한 금속배선의 방식을 효과적으로 수행할 수 있으며, 부식방지제의 산화에 의한 색변화를 효과적으로 차단할 수 있다. 상기 유리기 제거제가 0.1 중량% 미만으로 포함되면, 금속의 부식방지의 효과 및 색변화 방지의 효과를 얻기 힘들며 10 중량% 초과하면 증량에 따른 효과의 증가가 없으므로 경제적이지 못하며 염기성 화합물 및 극성용매의 상대적 감소로 인한 건식/습식 식각에 의한 잔사의 제거성이 저하되거나 처리매수가 감소될 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (b) 하기 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 한다. 이와 같은 염기성 화합물의 작용은 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.
[화학식 2]
Figure pat00006
상기 식에서,
R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환된 아미노기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이다.
상기에서 치환기에 포함된 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물로는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 일급 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2급 아민; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3급 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
특히, 모노에탄올아민, 트리에탄올아민, １-아미노-２-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N-메틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올 아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올이 바람직하다.
상기 (b) 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물은 조성물 총 중량에 대해 5 내지 30 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 7 내지 20 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상기와 같은 함량으로 포함되는 경우에 본 발명의 레지스트 박리액 조성물이 레지스트 박리효과의 미흡 문제나 알루미늄 및 구리 배선에 대한 부식 속도의 급격한 증가의 문제 없이 바람직한 박리특성을 발휘할 수 있다. 구체적으로, 상기 (b) 염기성 화합물이 5 중량% 미만으로 포함되면, 변질되거나 가교된 레지스트의 제거 성능이 떨어지며, 30 중량%를 초과하여 포함되면 금속배선의 부식을 유발시킬 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매는 상기 (b)염기성 화합물 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 DI 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 내에 용해된 레지스트의 재석출을 최소화하는 역할을 한다.
상기 양자성 극성용매의 구체적인 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 구체적인 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ?부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 술폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드화합물 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매는 조성물 총 중량에 대해 55~94 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 60-80 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 제거 성능의 발현에 유리하며 동시에 처리매수 증가 효과에 유리하다. 또한 상대적으로 염기성 화합물 함량이 너무 감소되는 문제를 피할 수 있다.
상기 (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 2:6 ~ 6:2의 중량비로 포함할 수 있으며, 2.5:5.5 ~ 4:4의 중량비로 포함되는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 (d) 부식방지제는 금속배선의 부식을 억제하는 역할을 한다.
상기 부식방지제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, Cu 배선에 대하여 부식 방지 효과를 제공하는, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계 화합물;
Al 배선 에 대하여 부식 방지 효과를 제공하는, 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논과 같은 퀴논계 화합물; 카테콜; 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산 같은 알킬 갈레이트류 화합물; 2-메틸-1,3-싸이클로헥사디온, 1,2-싸이클로펜타디온, 다이메돈(dimedone) 같은 사이클릭 다이케톤계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 부식방지제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
특히, 상기 부식방지제는 1종 이상의 Al 배선용 부식방지제와 1종 이상의 Cu 배선용 부식방지제를 포함하는 것이 금속 배선의 부식방지에 효과적이다. 즉, 상기와 같이 1종 이상의 Al 배선용 부식방지제와 1종 이상의 Cu 배선용 부식방지제가 포함되는 경우, 시너지 효과가 발휘되어 Al 배선 및 Cu 배선 모두에 대한 부식 방지 효과가 Al 배선용 부식방지제만을 포함한 경우 및 Cu 배선용 부식방지제만을 포함한 경우와 비교하여 향상된다. 즉, Cu 및 Al 배선 각각에 대한 방식 효과가 강화된다.
상기 Al 배선용 부식방지제와 1종 이상의 Cu 배선용 부식방지제는 2:8 ~ 8:2의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 (d) 부식방지제는 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.05 내지 4중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 0.01 중량% 미만으로 포함되면 박리 혹은 DI 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생 할 수 있으며, 5중량%를 초과할 경우 장시간의 박리 공정 중에 석출되어 2차 오염을 발생 시키거나 레지스트 박리액의 점도를 상승시켜 편리성을 저하시킬 수 있다.
또한, 상기에서 1종 이상의 Al 배선용 부식방지제와 1종 이상의 Cu 배선용 부식방지제를 포함하는 경우, Al 배선용 부식방지제와 Cu 배선용 부식방지제를 각각 1.0 중량% 이하로 포함하더라도 Cu 및 Al 배선 각각에 대한 우수한 방식 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 (e) 탈이온수를 더 포함할 수 있다. 탈이온수가 첨가되는 경우, 상기 (b) 염기성 화합물의 활성화를 향상시켜 레지스트의 제거 속도가 증가되며, 상기 (c) 탈이온수에 의한 린스 공정 시, 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 레지스트 박리액이 빠르고 완전하게 제거되며, 가혹한 조건의 건식 식각에 의해 형성된 잔사 제거력이 더욱 향상된다.
상기 (e) 탈이온수는 조성물 총 중량에 대해 3 내지 15 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 7 내지 12 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 3중량% 미만이면 건식/습식 식각 공정에 의해 가교되거나 변질된 레지스트의 제거력이 감소되고 15중량%를 초과하면 레지스트의 용해용량을 감소시켜 처리매수 감소의 영향을 주며 기판의 장시간 침적의 경우 금속 배선의 부식을 유발시킬 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리용 조성물은 상기에서 언급한 화합물을 일정량으로 유리하게 혼합하여 제조될 수 있다.
본 발명은 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 박리 방법을 제공한다. 상기의 레지스트의 박리 방법은,
(Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
(Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
(Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
(Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
(Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
(Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔존하는 레지스트를 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 박리 방법은, 마스크를 이용한 레지스트 패턴 형성 공정을 진행하지 않고, 에치백(etchback) 공정과 같은 건식 식각 공정 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행한 다음, 노출된 레지스트막을 본 발명의 박리액 조성물로 박리하는 방법을 포함한다.
상기 박리 방법에는 침적법, 분무법 또는 침적 및 분무법를 이용할 수 있다. 침적, 분무 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 15~100℃, 바람직하게는 30~70℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건으로 수정될 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물 및 이를 사용하는 박리 방법은 일반적인 레지스트의 제거에 이용될 뿐만 아니라 식각 가스 및 고온에 의해 변성 또는 경화된 레지스트 및 식각 잔사의 제거에 이용될 수 있다.
또한, 본 발명은
본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널용 기판의 레지스트를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조된 플랫 패널용 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치를 제공한다.
상기의 제조방법에 의하여 제조된 플랫 패널 디스플레이 장치는 제조과정에서 레지스트의 제거가 완벽하게 이루어지고, 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식도 거의 발생하지 않으므로 뛰어난 품질을 갖는다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1~17 및 비교예1 ~9: 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기의 표 1에 기재된 성분과 함량을 혼합하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 (a)
유리기
제거제		 (b)
염기성
화합물		 (c)
용매		 (d)
부식방지제		 (e)
탈이온수
실시예1 DEHA 2 MEA 15 NMP 50 BDG 29 MG 2
BTA 2
실시예2 DEHA 2 MEA 15 NMP 50 BDG 29 C.H.D 2
BTA 2
실시예3 DEHA 2 MEA 15 NMP 50 BDG 29 C.P.D 2
BTA 2
실시예4 DEHA 2 MEA 15 NMP 50 BDG 29 C.H.D 2
BZFG 2
실시예5 DEHA 2 MEA 15 NMP 50 BDG 29 C.P.D 2
BZFG 2
실시예6 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 29 MG 2 10
BTA 2
실시예7 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 29 Cat. 2 10
BTA 2
실시예8 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 29 MG 2 10
BZFG 2
실시예9 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 MDG 29 MG 2 10
BZFG 2
실시예10 DEHA 2 MEA 15 DMSO 40 BDG 29 MG 2 10
BZFG 2
실시예11 DEHA 2 DEA 15 NMP 40 BDG 29 MG 2 10
BZFG 2
실시예12 DEHA 2 MDEA 15 NMP 40 BDG 29 MG. 2 10
BZFG 2
실시예13 DEHA 2 HEP 15 NMP 40 BDG 29 MG 2 10
BZFG 2
실시예14 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 31 MG 2 10
- -
실시예15 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 32.5 MG 0.5 10
- -
실시예16 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 32.5 - - 10
BZFG 0.5
실시예17 DEHA 2 MEA 15 NMP 40 BDG 32 MG 0.5 10
BZFG 0.5
비교예1 - - MEA 15 NMP 40 BDG 31 MG 2 10
BZFG 2
비교예2 - - MEA 15 NMP 40 BDG 33 - - 10
BZFG 2
비교예3 - - MEA 15 NMP 40 BDG 33 MG 2 10
- -
비교예4 - - MEA 15 NMP 42 BDG 39 MG 2 -
BZFG 2
비교예5 - - MEA 15 NMP 71 - - MG 2 10
BZFG 2
비교예6 - - MEA 15 - - BDG 71 MG 2 10
BZFG 2
비교예7 - - - - NMP 50 BDG 36 MG 2 10
BZFG 2
비교예8 DEHA 12 HEP 15 NMP 35 BDG 24 MG 2 10
BZFG 2
비교예9 DEHA 4 HEP 15 NMP 35 BDG 24 MG 2 18
BZFG 2
단위: 중량%
주)) MEA: 모노에탄올아민
DEA: 디에탄올아민
MDEA: N-메틸디에탄올아민
HEP: 히드록시에틸 피페라진
DMSO: 디메틸술폭사이드
NMP: N-메틸피롤리돈
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
MG: 메틸 갈레이트
C.H.D : 2-메틸-1,3-싸이클로헥사디온
C.P.D : 1,2-싸이클로펜타디온
BTA: 벤조트리아졸
Cat.: 카테콜
BZFG: Cobratec BZ-FG (PMC社 제품)
DEHA: 디에틸 히드록실아민
시험예 1: 박리액의 색변화
레지스트 박리액 조성물의 색변화를 확인하기 위하여 상기의 실시예1~14 및 비교예1~9에서와 같은 조성으로 각각의 성분을 혼합한 후 박리액과 대기가 접하도록 개방한 상태에서 24시간 동안 용액내의 고형 시약이 완전히 용해될 때까지 교반기를 이용하여 50℃에서 교반 시키면서 색변화를 관찰 하였다. 관찰시 박리액의 색상의 진하기 정도에 따라 1부터 5까지 등급을 부여하여, 1은 투명에 가깝고 5로 갈수록 진한 붉은색임을 나타내도록 하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
구분 색변화 구분 색변화
실시예 1 1 비교예 1 5
실시예 2 1 비교예 2 1
실시예 3 1 비교예 3 5
실시예 4 1 비교예 4 4
실시예 5 1 비교예 5 5
실시예 6 1 비교예 6 4
실시예 7 2 비교예 7 3
실시예 8 1 비교예 8 1
실시예 9 1 비교예 9 1
실시예 10 1
실시예 11 1
실시예 12 1
실시예 13 1
실시예 14 1
상기 표 2에서 확인되는 바와 같이, 실시예 1~14 및 비교예 2(색변화를 야기하지 않는 부식방지제만 사용)와 비교예 8 및 비교예 9(유리기 제거제 포함)에서 색변화가 관찰되지 않았으며, 비교예 1, 비교예 3 및 비교예 4~7에서는 진한 정도의 차이는 있으나 색변화가 관찰되었다. 이러한 결과로부터 부식방지제로 사용되는 킬레이팅제(예: 알킬 갈레이트류)가 색을 변화시키는데 가장 큰 영향을 주며, 그러한 부식방지제가 사용되는 경우에도 유리기 제거제가 함유되면 색변화가 방지됨을 확인하였다.
실험예 2: 박리성능 및 처리매수 성능 평가
(1)박리성능 평가
레지스트 박리액 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/Mo-Ti층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 레지스트 박리용 조성물의 온도를 50?로 일정하게 유지시킨 후, 10분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 다음과 같이 나타내었다.
[매우 양호: ◎, 양호: ○, 보통: △, 불량: ×]
(2) 기판 처리매수 평가
레지스트 박리액 조성물의 기판 처리매수를 평가하기 위해 고형화된 포토레지스트(130℃에서 1일간 열처리를 통해 용매를 모두 제거시켜 고형화 시킨 포토레지스트) 1~5 중량%를 순차적으로 용해시킨 박리액 조성물에 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 Mo/Al, Cu/Mo-Ti 배선 기판을 온도를 50℃로 유지한 박리액 조성물에 10분간 침적시킨 후, 세정 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 잔사가 발행하는 시점을 확인하였다. 그 결과를 하기의 표 3에 다음과 같이 나타냈다.
[매우 양호: ◎, 양호: ○, 보통: △, 불량: ×]
구분 박리 성능 처리 매수 성능
(고형화 레지스트 농도)
습식
식각		 건식
식각		 1 중량% 2 중량% 3 중량% 4 중량% 5 중량%
실시예1 ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ○ △
실시예2 ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ○ △
실시예3 ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ○ △
실시예4 ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ○ △
실시예5 ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ○ △
실시예6 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
실시예7 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ △ X
실시예8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
실시예9 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
실시예10 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
실시예11 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ △ X
실시예12 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ △ X
실시예13 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ △ X
실시예14 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ △ X
비교예1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
비교예2 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
비교예3 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X
비교예4 ◎ △ ◎ △ △ △ X
비교예5 ◎ △ ○ △ △ X X
비교예6 ◎ △ ○ △ △ X X
비교예7 △ X △ X X X X
비교예8 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ X X
비교예9 ◎ ◎ ◎ ◎ △ X X
상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 1~14, 비교예 1~3 및 비교예 8~9의 레지스트 박리액 조성물은 습식 식각에 의한 레지스트 박리력이 뛰어날 뿐만 아니라 건식 식각을 거친 레지스트 및 식각 잔사 제거에 대해 모두 우수한 성능을 나타냈다. 그러나 염기성 화합물이 포함되지 않은 비교예 7의 박리액 조성물은 습식 또는 건식 식각을 거친 레지스트의 제거성능이 모두 불량하였으며, 탈이온수가 포함되지 않거나(비교예4) 양자성 극성용매 또는 비양자성 극성용매 중 어느 한쪽 용매만을 포함한(비교예5~6)의 박리액 조성물은 건식 식각으로 처리된 레지스트의 제거력이 실시예1~14의 박리액 조성물과 비교하여 매우 낮음을 알 수 있었다.
또한, 상기 표 3에 나타난 처리매수 성능 평가의 결과로부터, 실시예 1~14 및 비교예 1~3의 레지스트 박리액 조성물은 고형 레지스트 함량이 4중량% 이상인 경우에 기판에 잔사가 발생하기 시작하므로, 매우 우수한 처리매수 성능을 가짐을 확인할 수 있었다. 그러나, 비교예 4의 경우와 같이 탈이온수 및 유리기 제거제가 포함되지 않거나, 비교예 5~6에서와 같이 양자성 극성용매 또는 비양자성 극성용매 중 어느 한쪽 용매만을 포함한 경우는 고형 레지스트 함량이 2 중량%가 되면서부터 기판에 잔사가 발생하여, 처리매수 성능이 좋지 않음을 나타냈다. 또한 염기성 화합물이 포함되지 않은 비교예7의 박리액 조성물은 매우 불량한 처리매수 성능을 나타냈으며, 다른 성분(유리기 제거제, 탈이온수)의 함량증가에 따라, 극성용매의 함량이 감소된 비교예 8~9도 처리매수가 감소되는 결과를 나타냈다.
실험예 3: 금속 배선의 부식방지력 평가
레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력 평가는 Mo/Al과 Cu/Mo-Ti 배선이 노출된 기판을 사용하여 실시하였다.
상기 기판을 온도를 60℃로 일정하게 유지시킨 박리액 조성물에 30분간 침적시킨 후, 기판을 세정하고 건조시켜 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰하고, 그 결과를 하기의 표 4에 다음과 같이 나타내었다.
[매우 양호: ◎, 양호: ○, 보통: △, 불량: ×]
구분 금속 배선에 대한 방식력 구분 금속 배선에 대한 방식력
Mo/Al Cu/Mo-Ti Mo/Al Cu/Mo-Ti
실시예 1 ◎ ◎ 비교예 1 ◎ ○
실시예 2 ◎ ◎ 비교예 2 X ○
실시예 3 ◎ ◎ 비교예 3 ○ X
실시예 4 ◎ ◎ 비교예 4 ◎ ◎
실시예 5 ◎ ◎ 비교예 5 ◎ ○
실시예 6 ◎ ◎ 비교예 6 ◎ ○
실시예 7 ◎ ◎ 비교예 7 ◎ ◎
실시예 8 ◎ ◎ 비교예 8 ◎ ◎
실시예 9 ◎ ◎ 비교예 9 ◎ ◎
실시예 10 ◎ ◎
실시예 11 ◎ ◎
실시예 12 ◎ ◎
실시예 13 ◎ ◎
실시예 14 ◎ △
실시예 15 ○ ×
실시예 16 × ○
실시예 17 ◎ ◎
상기 표4의 결과로부터, 본 발명의 실시예1 내지 14의 박리액 조성물은 박리액 자체 혹은 린스 공정에서 금속배선에 대해 우수한 부식 방지 성능을 나타냄을 확인할 수 있었다. 한편, 비교예2 및 비교예3의 박리액 조성물은 실시예14와 비교하여 유리기 제거제가 포함되지 않는 경우로서, 부식방지력의 저하가 확인되었다. 반면, 실시예14의 박리액 조성물은 유리기 제거제가 함유됨으로써 부식 방지성능도 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 유리기 제거제가 포함되지 않은 비교예 1 내지 6의 박리액 조성물도 실시예1 내지 14의 박리액 조성물과 비교하여 금속배선의 부식방지능이 저하됨을 확인할 수 있었다.
한편, 상기 실시예15 내지 17의 박리액 조성물의 부식방지력 시험 결과로부터 Al 방식제와 Cu 방식제를 함께 하였을 때 나타나는 부식방지력에 대한 시너지 효과를 확인할 수 있었다. 즉, 소량의 Al 부식방지제 또는 Cu 부식방지제를 단독으로 사용한 실시예15 및 16의 박리액 조성물의 경우, 각각 Al 또는 Cu 배선에 대해서만 양호한 부식방지력을 나타냈으나, 소량의 Al 부식방지제 및 Cu 부식방지제를 함께 사용한 실시예17의 박리액 조성물의 경우 Al 및 Cu 배선 모두에 대해서 매우 양호한 부식방지력을 나타냈다.
한편, 비교예7은 염기성 화합물이 포함되지 않았기 때문에 금속 배선 부식의 문제는 발생하지 않았다.

Claims (12)

  1. 조성물 총 중량에 대하여, (a) 하기 화학식 1로 표시되는 유리기 제거제 0.1 내지 10 중량%, (b) 하기 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물 5 내지 30 중량%, (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매 55 내지 94 중량% 및 (d) 부식방지제 0.01 내지 5 중량%를 포함하는 레지스트 박리액 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00007

    상기 식에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 페닐기 또는 벤질기이다.
    [화학식 2]
    Figure pat00008

    상기 식에서,
    R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 아미노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환된 아미노기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 2~10의 알케닐기, 탄소수 1~10의 히드록시알킬기, 카르복실기, 히드록시기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1~10의 알콕시기로 치환된 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 아미노기, 페닐기, 또는 벤질기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 탈이온수를 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 15 중량%로 더 포함하는 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, (a) 화학식 1로 표시되는 유리기 제거제는 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민 및 디부틸히드록실아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 (b) 화학식 2로 표시되는 염기성 화합물은 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민, 메틸디프로필아민, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진 및 1-페닐 피페라진으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 (c) 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 포함하는 용매에 있어서, 양자성 극성 용매와 비양자성 극성용매는 2:6 ~ 6:2의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 양자성 극성용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것이며;
    상기 비양자성 극성용매는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, γ?부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, (d) 부식방지제는 아졸계 화합물, 퀴논계 화합물, 카테콜, 알킬 갈레이트류 화합물 및 사이클릭 다이케톤계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 (d) 부식방지제는 아졸계 화합물로부터 선택되는 1종 이상 및 퀴논계 화합물, 카테콜, 알킬 갈레이트류 화합물 및 사이클릭 다이케톤계 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리액 조성물은 알루미늄 또는 구리를 포함하는 금속배선이 형성되어 있는 플랫 패널용 기판의 레지스트 박리에 사용되는 것임을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  10. (Ⅰ) 플랫 패널 디스플레이 기판 상에 도전성 금속막을 증착하는 단계,
    (Ⅱ) 상기 도전성 금속막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
    (Ⅲ) 상기 레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계;
    (Ⅳ) 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (Ⅴ) 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막을 식각하는 단계; 및
    (Ⅵ) 상기 식각 공정 후, 잔류하는 레지스트를 청구항 1의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 박리하는 단계를 포함하는 레지스트의 박리방법.
  11. 청구항 1의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널용 기판의 레지스트를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 청구항 1의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 제조된 플랫 패널용 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 장치.
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