KR20130139482A - 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

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KR20130139482A
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고경준
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 (a) 화학식 1로 표시되는 유기인산류: (b) 알카리계 화합물 및 (c) 수용성 극성용매를 포함하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.

Description

레지스트 박리액 조성물{A RESIST STRIPPER COMPOSITION}
본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수한 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
최근 플랫패널디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 건식 식각공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력 및 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다.
상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 새로운 기술이 공개되고 있다.
예컨대, 대한민국 공개특허 10-2006-0028523은 알코올아민, 글리콜에테르, N-메틸피롤리돈 및 킬레이트제를 포함하는 금속배선의 부식을 일으키지 않는 포토레지스트 박리제를 제공하고 있다. 그러나 상기 발명에 의하면, 킬레이트제가 레지스트의 박리가 이루어 지지 않은 경우에도, 그 자체의 특성에 의해 박리액의 색을 변화시키므로, 박리공정에서 레지스트의 용해 정도에 따르는 박리액의 색변화를 육안으로 확인할 수 없게 만드는 문제를 야기한다.
또한, 대한민국 등록특허 10-0429920은 질소함유 유기히드록시 화합물, 수용성 유기용매, 물, 및 벤조트리아졸계 화합물을 포함하는 박리액 조성물을 제공하고 있다. 그러나, 상기 발명에 의하며, 구리 및 구리 합금의 방식 성능은 우수하나, 알루미늄 및 알루미늄 합금에 대한 방식 성능이 저하되는 문제점이 있다.
KR 2006-0028523 A KR 0429920 B
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정 중 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, Cu, Al 동시 방식 가능한 레지스트 박리액 조성물을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 유기 인산류: (b) 알카리계 화합물 및 (c) 수용성 극성용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 3 이상의 알킬, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이다.
또한, 본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수할 뿐만 아니라, Cu 및 Al에 대하여 동시 방식성을 갖게 된다. 또한, 본 발명은 색변화를 유발하는 킬레이트 화합물을 사용하지 않아, 박리액의 색 변화 및 장시간 사용에 의한 석출 문제를 일으키지 않는다.
또한 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 경우, 플랫 패널 디스플레이 장치의 불량률을 감소시켜 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 유기 인산류: (b) 알카리계 화합물; (c) 수용성 극성용매를 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 3이상의 알킬, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 (d) 하기 화학식 2로 표시되는 부식방지제를 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00003
상기 화학식 2에서 R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기, 아릴기, 아미노기, 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, 알킬메르캅토기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 카르복실기, 카르복시알킬기, 아실기, 알콕시기 또는 복소고리를 갖는 1가의 기를 나타낸다.
이하, 각 성분을 상세히 설명한다.
(a) 유기인산류
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 포함되는 하기 화학식 1로 표시되는 유기 인산류로는 바람직하게는 프로필포스포닉산, 뷰틸포스포닉산, t- 뷰틸포스포닉산, 펜틸포스포닉산, 헥실포스포닉산, 헵틸포스포닉산, 옥틸포스포닉산, n-도데실포스포닉산류 등을 들을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00004
상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 3이상의 알킬, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이다.
상기 화학식 1의 화합물은 알루미늄 및/또는 구리를 포함하는 금속배선의 부식을 방지하는 역할을 하는 것으로 특히 물 및 극성용매에 대한 용해성이 뛰어나 기판 표면에 잔류하지 않으면서도, 종래의 기술에서 사용하는 킬레이트제와 달리 박리액 조성물의 색변화를 야기시키지 않는다.
상기 화학식 1의 화합물은 조성물 총량에 대하여 0.01 중량% 내지 3 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 화학식 1의 화합물이 상기 조성물 총 중량에 대하여 0.01 중량% 미만으로 포함될 경우, 금속 방식 능력 저하가 발생하고, 3 중량% 초과하여 포함하는 경우 금속 배선 표면에 코팅이 잔류하는 문제를 발생시킬 수 있다.
(b) 알카리계 화합물
본 발명에 있어서, 알카리계 화합물은 바람직하게는 수산화칼륨(potassium hydroxide), 수산화나트륨(sodium hydroxide), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethyl ammonium hydroxide), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류(예를 들어, 알킬아민, 알릴아민, 알칸올아민, 알콕시아민 및 고리형아민) 등을 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 아민류에는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있다.
상기 알카리계 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며. 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.
상기 알카리계 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 2 중량% 내지 20 중량%가 바람직하고, 5 중량% 내지 15 중량%가 더욱 바람직하다. 상기 알카리계 화합물이 조성물 총량에 대하여 2 중량% 미만이면 레지스트 박리력 저하 문제가 발생하고, 20중량%를 초과하면 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 대한 급격한 부식 속도 향상을 유발시킨다.
(c) 수용성 극성용매
본 발명에 있어서, 수용성 극성용매로는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 수용성 극성용매는 상기 알카리계 화합물 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화한다. 상기 수용성 극성용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다.
상기 수용성 극성용매는 조성물 총량에 대하여 50 중량% 내지 97 중량%인 것이 바람직하고, 60 중량% 내지 90 중량%가 더욱 바람직하다. 상기와 같은 함량 범위로 포함되는 경우에는 처리매수 증가 효과 발현에 유리하다.
(d) 부식방지제
본 발명에 있어서, 부식방지제는 금속배선의 부식을 억제하는 역할을 한다. 금속의 부식방지 성능을 향상시키기 위해 하기 화학식 2로 표시되는 벤조트리아졸 유도체가 추가로 첨가될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00005
상기 화학식 2에서 R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기, 아릴기, 아미노기, 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, 알킬메르캅토기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 카르복실기, 카르복시알킬기, 아실기, 알콕시기 또는 복소고리을 갖는 1가의 기를 나타낸다.
상기 벤조트리아졸 유도체의 구체적인 예로는 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 등을 들 수 있다.
상기 화학식 2의 부식방지제는 조성물 총 중량에 대해 0.01 중량% 내지 3 중량%로 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 2 중량%로 포함될 수 있다. 0.01 중량% 미만이면 박리 혹은 탈이온수 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생할 수 있으며, 3중량%를 초과할 경우 금속배선 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다.
본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 레지스트를 제거하는 방법으로는 침지법이 일반적이지만 기타의 방법, 예를 들면 분무법에 의한 방법을 사용할 수도 있다. 본 발명에 의한 조성물로 처리한 후의 세정제로는 알코올과 같은 유기용제를 사용할 필요가 없고 물로 세정하는 것만으로도 충분하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 또는 전자제품, 특히 플랫 패널 디스플레이용 레지스트의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6. 레지스트 박리액 조성물 제조
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6의 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
유기인산류(a) 알카리계 화합물(b) 수용성 극성용매 (c) 부식방지제 (d)
종류 성분 (중량%) 종류 성분 (중량%) 종류 성분 (중량%) 종류 성분 (중량%)
실시예1 OPA 1.0 MEA 10 NMP
BDG		 59
30		 d-1 -
실시예2 OPA 2.0 DEA 10 NMP
BDG		 67
20		 d-1 1.0
실시예3 OPA 3.0 DEA 10 NMP
BDG		 66
20		 d-1 1.0
실시예4 OPA 1.0 MDEA 10 NMP
BDG		 48
40		 d-1 1.0
실시예5 OPA 1.0 HEP 10 NMP
EDG		 69
20		 d-1 -
실시예6 OPA 1.0 HEP 10 NMP
EDG		 58
30		 d-1 1.0
실시예7 HPA 1.0 MEA 10 NMP
EDG		 59
30		 d-1 -
실시예8 HPA 1.0 MEA 10 NMP
EDG		 58
30		 d-1 1.0
비교예1 OPA - MEA 10 NMP
BDG		 60
30		 d-1 -
비교예2 OPA 1.0 - NMP
BDG		 58
40		 d-1 1.0
비교예3 OPA 20 DEA 70 NMP
BDG		 - d-1 10
비교예4 HEDP 2.0 DEA 10 NMP
BDG		 58
30		 d-1 -
비교예5 HPA 1.0 MEA - NMP
EDG		 64
35		 d-1 -
비교예6 HPA - MEA 10 NMP
EDG		 59
30		 d-1 1.0
OPA : 옥틸포스포닉산
HPA : 헥실포스포닉산
HEDP : 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산
MEA: 모노에탄올아민
DEA: 디에탄올아민
MDEA: N-메틸디에탄올아민
HEP : 히드록시에틸 피페라진
NMP : N-메틸피롤리돈
BDG : 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
EDG : 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르
d-1 : 2,2’-[[[에틸-1H -벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올
실험예 : 레지스트 박리액 조성물의 특성 평가
실험예 1. 박리액의 박리력 평가
레지스트 박리용 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/Ti층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 레지스트 박리용 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 10분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 불량은 ×로 표시하였다.
실험예 2. 박리액 금속 배선 방식력 평가
레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력을 평가는 Mo/Al과 Cu/Ti 배선이 노출된 기판을 사용하였으며 박리액 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시키고 상기 기판을 30분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 불량은 ×로 표시하였다.
구분 박리력 방식력
Al Cu
실시예1 ◎ ◎ ○
실시예2 ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ◎
실시예4 ○ ◎ ◎
실시예5 ○ ◎ ○
실시예6 ○ ◎ ◎
실시예7 ◎ ◎ ○
실시예8 ◎ ◎ ◎
비교예1 ○ X X
비교예2 X ○ ◎
비교예3 X ○ ○
비교예4 ○ X X
비교예5 X ◎ ○
비교예6 ○ X ○
상기 표 2의 실험 결과로부터, 본 발명의 박리액 조성물인 실시예 1 내지8 의 조성물은 비교예 1 내지 6의 조성물과 비교하여, 레지스트 제거력이 우수할 뿐만 아니라, 알루미늄 및 구리에 대한 방식성도 모두 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.

Claims (9)

  1. (a) 하기 화학식 1로 표시되는 유기 인산류:
    (b) 알카리계 화합물; 및
    (c) 수용성 극성용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00006

    (상기 화학식 1에서, R1은 탄소수 3 이상의 알킬기, 알케닐기 또는 히드록시알킬기이다.)
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트 박리액 조성물은 (d) 하기 화학식 2로 표시되는 부식방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
    [화학식 2]
    Figure pat00007

    상기 화학식 2에서 R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기, 아릴기, 아미노기, 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, 알킬메르캅토기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 카르복실기, 카르복시알킬기, 아실기, 알콕시기 또는 복소고리를 갖는 1가의 기를 나타낸다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 조성물 총 중량에 대하여,
    (a) 상기 화학식 1로 표시되는 유기 인산류 0.01 중량% 내지 3중량%;
    (b) 알카리계 화합물 2 중량% 내지 20 중량%; 및
    (c) 수용성 극성용매 50 중량% 내지 97 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 조성물 총량에 대하여, (d) 상기 화학식 2로 표시되는 부식방지제 0.01 중량% 내지 3 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 (a) 유기 인산류는 프로필포스포닉산, 뷰틸포스포닉산, t- 뷰틸포스포닉산, 펜틸포스포닉산, 헥실포스포닉산, 헵틸포스포닉산, 옥틸포스포닉산, n-도데실포스포닉산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 (b) 알카리계 화합물은 수산화칼륨(potassium hydroxide), 수산화나트륨(sodium hydroxide), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethyl ammonium hydroxide), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아, 알킬아민, 알릴아민, 알칸올아민, 알콕시아민 및 고리형아민으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 (c) 수용성 극성용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올, N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논, γ―부티로락톤 , 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물 인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 (d) 부식방지제는 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법.
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