CN103286091B - 一种基板的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及清洗技术领域，特别涉及一种基板的清洗方法。该基板的清洗方法，包括：对基板进行预加热处理；采用清洗剂对预处理过的基板进行溶解清洗；对清洗后的基板进行二次冲洗。本发明提供的基板的清洗方法，通过加热基板同时采用清洗剂对基板进行溶解清洗，可有效增大有机异物的分子活性，促进清洗剂与有机异物的溶解度，进而有效去除细小的有机异物，提高清洗基板的洁净度，进而提升产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及清洗技术领域，特别涉及一种基板的清洗方法。
背景技术
随着科技的发展，液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-LCD（Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器）以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置，同样，近几年兴起的基于OLED（有机发光二极管OrganicLight-EmittingDiode）的显示技术也日益成熟，其具有构造简单，厚度薄，响应速度快，丰富色彩等优势。
在LCD和OLED的工艺过程中，涉及多种高分子材料，基板经过一系列的光刻、湿法刻蚀、剥离等工艺，往往会产生有机异物，为了不影响后续产品的生产质量，现有技术中通常采用常温水清洗基板，已达到去除有机异物的目的。
但在实际操作中发现，有机物异物在常温水的作用下很难彻底去除，基板上仍然残留一定的细小异物，而这些细小异物很容易诱发产品不良，极大地降低了产品的良率。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是提供一种基板的清洗方法，以克服现有技术中的清洗方法难以去除基板表面的细小异物导致诱发产品不良，造成产品良率低下的缺陷。
（二）技术方案
为解决上述技术问题，本发明提供一种基板的清洗方法，包括：
对基板进行预加热处理；
采用清洗剂对预处理过的基板进行溶解清洗；
对清洗后的基板进行二次冲洗。
优选地，所述预加热处理具体包括：
采用热气源、热水源、红外热源对基板进行加热处理。
优选地，所述基板预热的温度为40～120℃。
优选地，所述基板预热的温度为100～120℃。
优选地，所述清洗剂为可溶解基板表面的有机异物的醇类洗剂、苯类洗剂、醚类或脂类中的一种。
优选地，所述醇类洗剂为异丙醇。
优选地，所述清洗剂为可溶解基板表面的有机异物的无机溶剂。
优选地，所述无机溶剂为氨水和水素水的混合溶液，所述氨水与水素水的体积比为：1:3～2:1。
优选地，所述氨水与水素水的体积比为：1：1。
优选地，所述对清洗后的基板进行二次冲洗具体包括：
采用高压纯水或高压水汽二流体对基板进行冲洗。
优选地，采用清洗剂对基板进行清洗的过程中，还包括对基板进行二次加热。
（三）有益效果
本发明提供的基板清洗方法，通过加热基板同时采用清洗剂对基板进行溶解清洗，可有效增大有机异物的分子活性，促进清洗剂与有机异物的溶解度，进而有效去除细小的有机异物，提高清洗基板的洁净度，进而提升产品的良率。
附图说明
图1为本发明实施例基板的清洗方法流程图；
图2为本发明实施例中常温状态下基板表面有机杂质分子活性示意图；
图3为本发明实施例中加热状态下基板表面有机杂质分子活性示 意图；
图4为本发明实施例基板的清洗装置结构示意图；
图5为本发明实施例基板的清洗装置结构另一示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，本实施例提供的基板清洗方法，具体包括如下步骤：
步骤S101、对基板进行预加热处理。
具体的，采用热气源、热水源、红外热源等热源对基板进行加热处理。其中热水源的加热温度为80-100℃，采用热气源或红外热源基板加热温度可以为100-120℃。
基板预热的温度为25～120℃，优选的，将基板预加热至40～120℃，较佳的，将基板预加热至100～120℃。在本发明实施例中，基板的预加热温度可以根据清洗工艺的需要来调整，例如，可以将基板加热至40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或120℃。基板的加热温度越高，有机异物的分子活性越高，越容易被清洗剂溶解。
参考图2（图中箭头长短表示其分子活性强弱），常温状态下，基板表面存在的有机异物（杂质）的分子活性较弱，不容易与清洗剂进行溶解；
参考图3，采用上述手段对基板进行预加热处理，可以极大地增加有机高分子异物的分子活性，促进有机异物与清洗剂的溶解，并可降低在清洗过程中对基板表面造成的温度差，进一步促进后续清洗效果。
步骤S102、采用清洗剂对预处理过的基板进行溶解清洗。
具体的，对已经过预热处理的基板喷洒清洗剂，利用清洗剂溶解基板表面的有机异物，将附着在基板上的有机异物彻底去除。
其中，该清洗剂选用与基板上的有机异物可相似相溶的洗剂，可以为可溶解基板表面的有机异物的有机溶剂，其中，有机溶剂为醇类洗剂、苯类洗剂、醚类或脂类中的一种。优选的，该醇类洗剂优选为异丙醇；或者可以为可溶解基板表面的有机异物的无机溶剂。
其中，无机溶剂优选氨水和水素水的混合溶液来对基板表面上的有机异物进行清洗。该混合溶液中，所述氨水与水素水的体积比为：1:3～2:1，优选的，氨水与水素水的体积比为：1：1。
当然，本实施例中的清洗剂包括但并不局限于选用上述所列出的溶液，也可选用其他能够与有机异物相溶解的溶液。
利用清洗剂与有机异物可进行的相溶解的化学反应，进而将基板表面上的有机异物去除掉。
为了进一步提高有机异物的分子活性，使得清洗剂可溶解地更快，在清洗剂对基板进行清洗的过程中，还包括对基板进行二次加热。其中，对基板进行二次加热的温度为25～120℃，具体温度可以为25℃、30℃、35℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或120℃。
步骤S103、对清洗后的基板进行二次冲洗。
具体的，可采用纯水冲洗或水汽二流体混合冲洗两种方式，通过高压水流或高压水汽二流体的冲击力，或气体气泡***的冲击力，将洗剂及其他杂质一并冲洗干净，进而进一步提高基板表面的清洁度，减少杂质的残留量，对后续产品加工提供清洁保障。本步骤中的纯水冲洗或水汽二流体冲洗可以采用加热后的纯水或水汽二流体也可以采用不加热的纯水或水汽二流体，采用加热的效果会优于采用不加热的效果，这样可以增加洗剂的挥发，从而提高清洗的效果。
本发明提供一种基板的清洗方法，通过对基板进行预热，之后采用清洗剂对基板进行溶解清洗，可有效增大有机异物的分子活性，促进有机异物在清洗剂中的溶解度，进而有效去除细小的有机异物，提 高清洗基板的洁净度，进而提升产品的良率。
另外，如图4所示，本发明还提供一种基板的清洗装置，包括：
一次加热单元10，其用于对基板进行预加热处理；
清洗单元20，其用于向预处理过的基板喷洒清洗剂，对基板进行溶解清洗；
冲洗单元30，其用于对清洗后的基板进行二次冲洗。
具体的，参考图5，该一次加热单元10包括第一底板11，所述第一底板11上设置至少一个第一喷头12，所述第一喷头12连接热水源或热气源，通过第一喷头向基板喷洒热水或热气，对基板50进行预热处理；
或者，一次加热单元10也可以采用红外线加热子单元，对基板进行红外线加热。
一次加热单元10还包括热水箱，将常温水加热后通过高压泵和管道传输到第一喷头12，由第一喷头12喷出，对基板进行预热。
上述手段对基板50进行预加热处理，可以极大地增加有机高分子异物的分子活性，促进有机异物与清洗剂的溶解，并可降低在清洗过程中对基板表面造成的温度差，进一步促进后续清洗效果。
其中，清洗单元20包括第二底板，所述第二底板上间隔设置至少一个第二喷头，通过第二喷头向基板50喷洒清洗剂。
具体的，对已经过预热处理的基板喷洒清洗剂，使得清洗剂与基板表面的有机异物利用相似相溶原理，将附着在基板上的有机异物彻底去除。
其中，该清洗剂选用与基板上的有机异物可相似相溶的洗剂，其具体可以为有机洗剂，也可以为无机洗剂。其中，有机洗剂优选异丙醇（IPA）溶液。
无机溶剂优选氨水和水素水的混合溶液来对基板表面上的有机异物进行清洗。
当然，本实施例中的清洗剂包括但并不局限于选用上述所列出的溶液，也可选用其他能够与有机异物相溶解的溶液。
利用有机异物可溶解于清洗剂，进而将基板表面上的有机异物去除掉。
其中，冲洗单元30包括第三底板，所述第三底板上设置至少一个第三喷头，通过第三喷头向基板50喷洒纯水或水汽二流体。
其中，冲洗单元30还可以连接高压泵，用于形成高压纯水或高压水汽二流体。
采用纯水冲洗或水汽二流体混合冲洗两种方式，通过高压水流或高压水汽二流体的冲击力，或气体气泡***的冲击力，将洗剂及其他杂质一并冲洗干净，进而进一步提高基板表面的清洁度，减少杂质的残留量，对后续产品加工提供清洁保障。
具体的，冲洗单元30还包括热水箱，将常温水加热后通过高压泵和管道传输到第一喷头12，由第一喷头12喷出，对基板进行二次冲洗。
在实际装置中，该第一底板、第二底板和第三底板可以为同一部件，该第一喷头、第二喷头和第三喷头也可以为同一部件，采用同一喷头对基板进行不同介质的处理。当然，上述部件也可以不为同一部件。
另外，该清洗装置还可以包括二次加热单元，该一次加热单元位于基板的一侧，而二次加热单元位于基板的另一侧，用于在清洗单元对基板进行清洗的过程中，对基板进行二次加热，便于进一步加强基板表面的有机异物溶解于清洗剂中，加快清洗速度。
本发明提供一种基板的清洗装置，通过加热基板同时采用清洗剂对基板进行溶解清洗，可有效增大有机异物的分子活性，促进清洗剂与有机异物的溶解度，进而有效去除细小的有机异物，提高清洗基板的洁净度，进而提升产品的良率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种基板的清洗方法，其特征在于，包括：
对基板进行预加热处理；
采用清洗剂对预处理过的基板进行溶解清洗，
具体地，对己经过预热处理的基板喷洒清洗剂，利用清洗剂溶解基板表面的有机异物，将附着在基板上的有机异物彻底去除，其中，该清洗剂选用与基板上的有机异物可相似相溶的清洗剂；
对清洗后的基板进行二次冲洗，
其中，所述对清洗后的基板进行二次冲洗具体包括：采用高压纯水或高压水汽二流体对基板进行冲洗，
所述清洗剂为可溶解基板表面的有机异物的无机溶剂，所述无机溶剂为氨水和水素水的混合溶液，所述氨水与水素水的体积比为：1:3～2:1。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述预加热处理具体包括：
采用热气源、热水源或红外热源对基板进行加热处理。
3.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述基板预热的温度为40～120℃。
4.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述基板预热的温度为100～120℃。
5.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述氨水与水素水的体积比为：1：1。
6.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，采用清洗剂对基板进行清洗的过程中，还包括对基板进行二次加热。
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