JP2008053679A - 基板洗浄装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 生産性の向上した基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ガス及び薬液を混合してミストを形成し、基板上にミストを噴射する噴射ノズル、噴射ノズルに薬液を供給する薬液供給部、噴射ノズルにガスを供給するガス供給部及びガス供給部と連結されてガスの温度を上昇させる加熱部を含む基板洗浄装置。
【選択図】 図３

Description

本発明は基板洗浄装置に関し、より詳しくは生産性の向上した基板洗浄装置に関する。
半導体メモリ素子の基板として使用されるウエハ、液晶ディスプレイ、またはプラズマディスプレイパネルとして使用される平板基板などは、薄膜と金属膜などを形成するさまざまな工程を経てメモリ素子やディスプレイ素子として製造される。このような各工程は外部と隔離された環境を提供する工程チェンバで進行される。すなわち、工程チェンバ内ではメモリ素子やディスプレイ素子を製造する塗布工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、洗浄工程、ストリップ工程などが進行し得る。
洗浄工程は各種の化学薬品（薬液）などを処理した後、ＥＬＤ、ＬＣＤ、ＰＤＰ及びＦＰＤ表面に吸着された汚染物質を除去する工程であって、汚染物質の除去は水または洗浄液を供給し、ブラシなどを使用して基板表面に吸着した汚染物質を除去する工程により進行し得る。
図１は従来技術の基板洗浄装置を概略的に示す図面であり、図２は従来技術の基板洗浄装置の一部を概略的に示す図面である。
図１及び図２を参照すれば、基板洗浄装置は噴射ノズル１１０、薬液供給部１２０及びガス供給部１３０を含む。
噴射ノズル１１０はガス及び薬液を混合してミストを形成し、基板Ｐ上にミストを噴射する。薬液供給部１２０は噴射ノズル１１０に薬液を供給し、ガス供給部１３０は噴射ノズル１１０にガスを供給する。
このとき薬液は加熱部１４０で加熱され、薬液供給ライン１５０を介して噴射ノズル１１０に供給される。すなわち、噴射ノズル１１０には高温の薬液と常温のガスが供給、混合されてミストが形成される。このように形成されたミストは基板Ｐ上に供給されて基板Ｐ表面を洗浄するようになる。
高温の薬液を供給するために、加熱部１４０で薬液を加熱するようになるが、このとき液体の薬液を加熱するのに大きなエネルギが消耗され、また、多くの時間がかかるようになる。すなわち、薬液を加熱するのに大きなエネルギが消耗され、多くの時間がかかることによって生産性が低下する。
本発明は、生産性の向上した基板洗浄装置を提供することを目的とする。
本発明は、前述した目的に制限されず、言及していないさらなる目的は下記により当業者に明確に理解できる。
前記課題を解決するための本発明の一実施形態による基板洗浄装置は、ガス及び薬液を混合してミストを形成し、基板Ｐ上に前記ミストを噴射する噴射ノズル、前記噴射ノズルに薬液を供給する薬液供給部、前記噴射ノズルにガスを供給するガス供給部及び前記ガス供給部と連結されて前記ガスの温度を上昇させる加熱部を含む。
本発明の一実施形態による基板洗浄装置によれば、次のような効果が１つ以上ある。
第一、少ないエネルギを使用して短時間で高温のミストを形成することによって、コストが低減されて生産性を向上させることができる。
第二、高温のミストを形成して基板を洗浄することによって、基板の洗浄力を高めることができる。
その他、実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面とともに詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下に開示される実施形態に限定されず、相異なる多様な形態で具現でき、単に本実施形態は本発明の開示を完全なものにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであって、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
また、本明細書において「及び／または」は、言及したアイテムのそれぞれ及び１つ以上のすべての組み合わせを含む。
本明細書で使用する用語は実施形態を説明するためのものであって、本発明を制限するためのものではない。本明細書において単数形は文句で特に言及しない限り、複数形も含む。また、明細書で使用する「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）及び／または含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、言及した構成要素、段階、動作及び／または素子は１つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／または素子を追加し得る。
以下、図３及び図４を参照して、本発明の一実施形態による基板洗浄装置についてさらに詳しく説明する。
図３は本発明の一実施形態による基板洗浄装置を概略的に示す図面であり、図４は本発明の一実施形態による基板洗浄装置の一部を概略的に示す図面である。
図３及び図４を参照すれば、本発明の一実施形態による基板洗浄装置は噴射ノズル２１０、薬液供給部２２０、ガス供給部２３０及び加熱部２４０を含む。
噴射ノズル２１０はガス及び薬液を混合してミストを形成し、基板Ｐ上にミストを噴射する。噴射ノズル２１０はガスが供給されるガス供給口と薬液が供給される薬液供給口及び内部で形成されたミストを噴射する噴射口を含むことができる。
薬液供給部２２０は噴射ノズル２１０に薬液を供給し、高圧ポンプと連結されて薬液を高圧で噴射ノズル２１０に供給することもできる。このとき薬液は、例えば純水（ＤＩ）であり得る。
ガス供給部２３０は前記噴射ノズル２１０にガスを供給するが、このとき供給されるガスは、例えばＮ２であり得る。噴射ノズル２１０にガスを供給するときは、加熱部２４０を通過させてガスを高温に加熱して高温のガスを供給する。例えばガス供給ライン２５０を加熱部２４０に通過させつつガスを高温に加熱することができる。また、噴射ノズル２１０に供給するガスは高圧に圧縮して供給することもできる。このとき供給するガスの温度は薬液と混合されて形成されるミストの温度を考慮して制御部２６０で制御することができる。
ここで、加熱部２４０の発熱手段としては、例えば抵抗線などに電流を流して発生するジュール熱を直接利用することもでき、可視光線または赤外線で熱を発生させて利用することもできる。または、放電により発生するアーク熱を利用したり、高周波の電磁気場を利用することもできる。ガス供給部２３０から供給されるガスを高圧に圧縮させつつ温度を上昇させることもできる。
以下、図３及び図４を参照して、本発明の一実施形態による基板洗浄装置の洗浄工程について説明する。
工程チェンバ内に基板Ｐを積載させて洗浄工程を進行する準備をする。次いで、薬液供給部２２０及びガス供給部２３０から噴射ノズル２１０に薬液及びガスを供給する。このとき噴射ノズル２１０に供給される薬液及びガスの流量は制御部２６０で制御することができる。また、薬液は高圧ポンプを介して高圧で供給することができ、ガスも高圧に圧縮されて供給し得る。
一方、ガスは加熱部２４０で高温に加熱されて供給されるが、加熱部２４０では抵抗線などに電流を流して発生するジュール熱を直接利用したり、可視光線または赤外線で熱を発生させることができる。または、放電により発生するアーク熱を利用したり、高周波の電磁気場を利用することもできる。一方、ガス供給部２３０から供給されるガスを高圧に圧縮させつつ温度を上昇させることもできる。
高温のガス及び薬液が噴射ノズル２１０に供給されれば、噴射ノズル２１０では高温のガス及び薬液を混合してミストを形成し、基板Ｐ上に噴射する。このとき噴射ノズル２１０ではミストを所望する大きさに調整することができる。噴射ノズル２１０で高温のガスと薬液が混合されて形成されるミストの温度は常温より高い温度を有するようになる。
噴射ノズル２１０から供給される高温のミストは基板Ｐに当たるようになり、基板Ｐ表面はミストの打力により物理的に洗浄される。このときミストが常温より高い温度を維持するため、常温のミストを供給するものより高い洗浄効果が現れる。
本発明の一実施形態による基板洗浄装置によれば、常温の薬液と高温のガスを供給して高温のミストを形成する。このときガスを高温に加熱して供給するため、薬液を高温に加熱して供給するものより少ないエネルギが消耗される。また、ガスを加熱するのにかかる時間は薬液を加熱するのにかかる時間より少なくなる。従って、より少ないエネルギで少ない時間を使用して高温のミストを形成することができる。これにより、コストが低減されて生産性を向上させることができる。また、高温のミストを形成して基板Ｐを洗浄することによって、常温のミストを使用するものより基板Ｐの洗浄力を高めることができる。
以上、添付した図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変更せずに他の具体的な形態によって実施できることを理解することができる。したがって前述した実施形態はすべての面で例示的なものであって、限定的なものではないことを理解しなければならない。
従来技術の基板洗浄装置を概略的に示す図面である。 従来技術の基板洗浄装置の一部を概略的に示す図面である。 本発明の一実施形態による基板洗浄装置を概略的に示す図面である。 本発明の一実施形態による基板洗浄装置の一部を概略的に示す図面である。
符号の説明
Ｐ 基板
２１０ 噴射ノズル
２２０ 薬液供給部
２３０ ガス供給部
２４０ 加熱部
２５０ ガス供給ライン
２６０ 制御部

Claims (6)

  1. ガス及び薬液を混合してミストを形成し、基板上に前記ミストを噴射する噴射ノズルと、
    前記噴射ノズルに薬液を供給する薬液供給部と、
    前記噴射ノズルにガスを供給するガス供給部と、
    前記ガス供給部と連結されて前記ガスの温度を上昇させる加熱部と、を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
  2. 前記加熱部の温度を制御する温度制御部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
  3. 前記薬液供給部と連結され、前記薬液を前記噴射ノズルに高圧で供給する高圧ポンプをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
  4. 前記噴射ノズルでは薬液と高温のガスを混合することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
  5. 前記薬液は純水（ＤＩ）であることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
  6. 前記ガスはＮ２であることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
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