CN104007610A - 掩模版的清洗方法及装置 - Google Patents
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Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 38
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 19
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 claims description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 101100493710 Caenorhabditis elegans bath-40 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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Abstract
本发明提供一种掩模版的清洗方法及装置，所述方法包括以下步骤：步骤1、提供待清洗掩模版，该掩模版由金属制成，其上附有有机材料膜层；步骤2、对该待清洗的掩模版进行微波加热，使附着在掩模版的有机材料膜层破碎；步骤3、停止微波加热,对微波加热过的掩模版喷淋药液，将破碎的有机材料膜层冲洗脱离掩模版；步骤4、使用药液对掩模版上剩余的有机材料膜层进行清洗；步骤5、对清洗过的掩模版进行漂洗，以洗掉残留在掩模版上的药液；步骤6、使用微波对掩模版进行干燥处理。本发明提供的一种掩模版的清洗方法及装置，大大缩短了掩模版的清洗周期，提高了清洗产能，并降低了材料残留的几率。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器件制作领域，尤其涉及一种掩模版的清洗方法和装置。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
有机电致发光器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。从使用的有机电致发光材料的分子量来看，有机电致发光器件分为小分子有机电致发光器件(OLED)和高分子电致发光器件(PLED)，由于分子量的不同，有机电致发光器件的制程也有很大的区别，OLED主要通过热蒸镀方式制备，PLED通过旋涂或者喷墨打印方式制备。
OLED通常包括：基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂***。
目前OLED制作的主要方式是加热蒸发镀膜,掩模版一般都是选用金属制作的掩模版,经过一段时间的蒸镀之后需要对金属掩模版进行清洗,以保证掩模版不会因材料附着而发生精度变化,传统的掩模版清洗采用湿式药液浸泡清洗，存在清洗时间长,药液纯度要求高,有材料残留的等缺点。
图1为现有的掩模版的清洗装置的结构示意图，包括药液湿式清洗槽500、药液湿式洗涤槽600及干燥槽700。200为待清洗的OLED金属掩模版。该方法首先将待清洗的OLED金属掩模版200置于装有药液的药液湿式清洗槽500中对OLED金属掩模版表面的有机材料进行清洗，然后将清洗后的OLED金属掩模版置于装有洗涤剂的药液湿式洗涤槽600中，对前一道工序中带出的药液进行漂洗，最后把漂洗后的OLED金属掩模版置于干燥槽700中进行干燥处理。该方法具有清洗时间长，药液纯度要求高，有材料残留等缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩模版的清洗方法，克服了传统药液浸泡清洗时间长、效率低的问题，大大缩短了清洗周期，提高了清洗产能，并降低材料残留的几率。
本发明的另一目的在于提供一种掩模版的清洗装置，结构简单，操作方便，功能实用，有效提高了掩模版的清洗效率。
为实现上述目的，本发明供一种掩模版的清洗方法，包括以下步骤：
步骤1、提供待清洗掩模版，该掩模版由金属制成，其上附有有机材料膜层；
步骤2、对该待清洗的掩模版进行微波加热，使附着在掩模版的有机材料膜层破碎；
步骤3、停止微波加热,对微波加热过的掩模版喷淋药液，将破碎的有机材料膜层冲洗脱离掩模版；
步骤4、使用药液对掩模版上剩余的有机材料膜层进行清洗；
步骤5、对清洗过的掩模版进行漂洗，以洗掉残留在掩模版上的药液；
步骤6、使用微波对掩模版进行干燥处理。
所述掩模版用于OLED的蒸镀制程。
所述步骤2与步骤3在一微波干式清洗槽里进行，所述微波干式清洗槽包括槽体、设于槽体底部的微波发生装置、及设于槽体顶部的药液喷淋头，通过微波发生装置对掩模版进行微波加热，通过药液喷淋头对掩模版喷淋药液。
在所述步骤2与3中，所述待清洗掩模版倾斜放置于微波干式清洗槽内，所述有机材料膜层朝上，且所述药液喷淋头为低速药液喷淋头。
所述步骤4在一药液湿式清洗槽中进行清洗，所述药液湿式清洗槽装有药液，所述掩模版浸没于药液中。
所述步骤5在一药液湿式洗涤槽中进行漂洗，所述药液湿式洗涤槽装有洗涤液，所述掩模版浸没于洗涤液中。
所述步骤6在所述微波干式清洗槽里进行。
本发明还提供一种掩模版的清洗装置，包括一微波干式清洗槽、一药液湿式清洗槽及一药液湿式洗涤槽，所述微波干式清洗槽包括槽体、设于槽体底部的微波发生装置、及设于槽体顶部的低速药液喷淋头。
所述微波干式清洗槽、药液湿式清洗槽及药液湿式洗涤槽依次相邻放置。
所述药液湿式清洗槽中装有药液，所述药液湿式洗涤槽中装有洗涤液，所述掩模版由金属制成，用于OLED的蒸镀制程。
本发明的有益效果：本发明提供的一种掩模版的清洗方法及装置，通过引入微波干式清洗方法和装置，对进入药液湿式清洗槽之前的掩模版做前期的微波处理，使进入药液湿式清洗槽之前掩模版上附着的有机材料大大减少，从而提高掩模版的清洗效果及清洗效率，大大缩短了清洗周期，提高了清洗产能，并有利于整体提升OLED显示器的产能。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有掩模版的清洗装置的结构示意图；
图2为本发明掩模版的清洗装置的结构示意图；
图3为本发明掩模版的清洗方法的流程图；
图4为本发明掩模版的清洗方法步骤2的操作示意图；
图5为所述步骤2中掩模版经微波处理前后的变化示意图；
图6为本发明掩模版的清洗方法步骤3的操作示意图；
图7为本发明掩模版的清洗方法步骤4的操作示意图；
图8为本发明掩模版的清洗方法步骤5的操作示意图；
图9为本发明掩模版的清洗方法步骤6的操作示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2-9，本发明提供一种掩模版的清洗装置10，用于清洗一待清洗的掩模版20，包括一微波干式清洗槽40、一药液湿式清洗槽50及一药液湿式洗涤槽60，所述微波干式清洗槽40包括槽体41、设于槽体底部的微波发生装置45、及设于槽体顶部的低速药液喷淋头43。
所述微波干式清洗槽40、药液湿式清洗槽50及药液湿式洗涤槽60依次相邻放置。
所述低速药液喷淋头43工作时对掩模版20喷淋药液432。
所述药液湿式清洗槽50中装有药液432，所述药液湿式洗涤槽60中装有洗涤液62，所述掩模版20由金属制成，用于OLED的蒸镀制程。
本发明还提供一种掩模版的清洗方法，包括以下步骤：
步骤1、提供待清洗的掩模版20，该掩模版20由金属制成，其上附有有机材料膜层21。
所述掩模版20用于OLED的蒸镀制程。
步骤2、对该待清洗的掩模版20进行微波加热，使附着在掩模版20的有机材料膜层21破碎。
如图4所示，所述步骤2在微波干式清洗槽40里进行，所述微波干式清洗槽40包括槽体41、设于槽体底部的微波发生装置45、及设于槽体顶部的药液喷淋头43，通过微波发生装置45对掩模版20进行微波加热，所述待清洗掩模版20倾斜放置于微波干式清洗槽40内，所述有机材料膜层21朝上。
如图5所示，掩模版20上的有机材料膜层21经过微波的极化偏转摩擦，由内及外发生破裂，变成小块碎片。
步骤3、停止微波加热,对微波加热过的掩模版20喷淋药液432，将破碎的有机材料膜层21冲洗脱离掩模版20。
如图6所示，所述步骤3在微波干式清洗槽40里进行，所述待清洗掩模版20倾斜放置于微波干式清洗槽40内，所述有机材料膜层21朝上，通过药液喷淋头43对掩模版20喷淋药液432，且所述药液喷淋头43为低速药液喷淋头。
经过一段时间的冲洗，有机材料膜层21的大部分已经从掩模版20上去除掉，剩下的是部分黏附牢固的有机材料。
步骤4、使用药液432对掩模版20上剩余的有机材料膜层21进行清洗。
如图7所示，所述步骤4在药液湿式清洗槽50中进行清洗，所述药液湿式清洗槽50装有药液432，所述掩模版20浸没于药液432中。
通过药液432的浸泡使得剩余的有机材料膜层21被药液432浸泡清洗掉。
步骤5、对清洗过的掩模版20进行漂洗，以洗掉残留在掩模版20上的药液。
如图8所示，所述步骤5在药液湿式洗涤槽60中进行漂洗，所述药液湿式洗涤槽60装有洗涤液62，所述掩模版20浸没于洗涤液62中。
步骤6、使用微波对掩模版20进行干燥处理。
如图9所示，所述步骤6在微波干式清洗槽40里进行，通过微波发生装置45对掩模版20进行微波加热，所述掩模版20倾斜放置于微波干式清洗槽40内。
综上所述，本发明提供的一种掩模版的清洗方法及装置，通过引入微波干式清洗方法和装置，对进入药液湿式清洗槽之前的掩模版做前期的微波处理，使进入药液湿式清洗槽之前掩模版上附着的有机材料大大减少，从而提高掩模版的清洗效果及清洗效率，大大缩短了清洗周期，提高了清洗产能，并有利于整体提升OLED显示器的产能。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩模版的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供待清洗掩模版，该掩模版由金属制成，其上附有有机材料膜层；
步骤2、对该待清洗的掩模版进行微波加热，使附着在掩模版的有机材料膜层破碎；
步骤3、停止微波加热,对微波加热过的掩模版喷淋药液，将破碎的有机材料膜层冲洗脱离掩模版；
步骤4、使用药液对掩模版上剩余的有机材料膜层进行清洗；
步骤5、对清洗过的掩模版进行漂洗，以洗掉残留在掩模版上的药液；
步骤6、使用微波对掩模版进行干燥处理。
2.如权利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述掩模版用于OLED的蒸镀制程。
3.如权利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步骤2与步骤3在一微波干式清洗槽里进行，所述微波干式清洗槽包括槽体、设于槽体底部的微波发生装置、及设于槽体顶部的药液喷淋头，通过微波发生装置对掩模版进行微波加热，通过药液喷淋头对掩模版喷淋药液。
4.如权利要求3所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，在所述步骤2与3中，所述待清洗掩模版倾斜放置于微波干式清洗槽内，所述有机材料膜层朝上，且所述药液喷淋头为低速药液喷淋头。
5.如权利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步骤4在一药液湿式清洗槽中进行清洗，所述药液湿式清洗槽装有药液，所述掩模版浸没于药液中。
6.如权利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步骤5在一药液湿式洗涤槽中进行漂洗，所述药液湿式洗涤槽装有洗涤液，所述掩模版浸没于洗涤液中。
7.如权利要求3所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步骤6在所述微波干式清洗槽里进行。
8.一种掩模版的清洗装置，其特征在于，包括一微波干式清洗槽、一药液湿式清洗槽及一药液湿式洗涤槽，所述微波干式清洗槽包括槽体、设于槽体底部的微波发生装置、及设于槽体顶部的低速药液喷淋头。
9.如权利要求8所述的掩模版的清洗装置，其特征在于，所述微波干式清洗槽、药液湿式清洗槽及药液湿式洗涤槽依次相邻放置。
10.如权利要求8所述的掩模版的清洗装置，其特征在于，所述药液湿式清洗槽中装有药液，所述药液湿式洗涤槽中装有洗涤液，所述掩模版由金属制成，用于OLED的蒸镀制程。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410263585.6A CN104007610B (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 掩模版的清洗方法及装置 |
| PCT/CN2014/081443 WO2015188416A1 (zh) | 2014-06-12 | 2014-07-02 | 掩模版的清洗方法及装置 |
| US14/378,612 US9724735B2 (en) | 2014-06-12 | 2014-07-02 | Cleaning method and cleaning apparatus for a mask |
| US15/614,802 US20170266699A1 (en) | 2014-06-12 | 2017-06-06 | Cleaning method and cleaning apparatus for a mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410263585.6A CN104007610B (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 掩模版的清洗方法及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104007610A true CN104007610A (zh) | 2014-08-27 |
| CN104007610B CN104007610B (zh) | 2018-03-06 |
Family
ID=51368338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410263585.6A Expired - Fee Related CN104007610B (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 掩模版的清洗方法及装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9724735B2 (zh) |
| CN (1) | CN104007610B (zh) |
| WO (1) | WO2015188416A1 (zh) |
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- 2014-06-12 CN CN201410263585.6A patent/CN104007610B/zh not_active Expired - Fee Related
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- 2014-07-02 WO PCT/CN2014/081443 patent/WO2015188416A1/zh active Application Filing
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| CN113351583A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-07 | 江苏高光半导体材料有限公司 | 一种掩膜版清洗装置及其清洗方法 |
| CN113351583B (zh) * | 2021-05-31 | 2023-03-10 | 江苏高光半导体材料有限公司 | 一种掩膜版清洗装置及其清洗方法 |
| CN114995052A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-02 | 上海图灵智算量子科技有限公司 | 光罩版清洁装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015188416A1 (zh) | 2015-12-17 |
| US20170266699A1 (en) | 2017-09-21 |
| US9724735B2 (en) | 2017-08-08 |
| CN104007610B (zh) | 2018-03-06 |
| US20160228926A1 (en) | 2016-08-11 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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