CN103098373B - 触发器、移位寄存器、驱动电路、显示装置 - Google Patents

触发器、移位寄存器、驱动电路、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103098373B
CN103098373B CN201180042280.7A CN201180042280A CN103098373B CN 103098373 B CN103098373 B CN 103098373B CN 201180042280 A CN201180042280 A CN 201180042280A CN 103098373 B CN103098373 B CN 103098373B
Authority
CN
China
Prior art keywords
terminal
efferent
transistor
initialization section
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180042280.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103098373A (zh
Inventor
佐佐木宁
村上祐一郎
山本悦雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN103098373A publication Critical patent/CN103098373A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103098373B publication Critical patent/CN103098373B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
    • G11C19/184Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

本触发器包括:输入及输出端子;第1及第2控制信号端子;第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子连接;第2输出部,该第2输出部与第1输出部及输出端子连接;第1输入部,该第1输入部与输入端子连接,并对自举电容进行充电;放电部,该放电部对自举电容进行放电;第2输入部,该第2输入部与输入端子相连接,并与第2输出部相连接;复位部,该复位部与第2控制信号端子相连接,并对放电部及第2输出部进行控制;第1初始化部,该第1初始化部控制第1输出部;第2初始化部,该第2初始化部控制第1输出部;以及第3初始化部,该第3初始化部对放电部及第2输出部进行控制。由此,能够实现在与时钟信号无关的情况下进行全导通动作的移位寄存器。

Description

触发器、移位寄存器、驱动电路、显示装置
技术领域
本发明涉及一种设置在例如显示装置的驱动电路中的触发器。
背景技术
专利文献1中揭示了一种设置在驱动电路的移位寄存器的各级中的触发器的结构(参照图19)及其驱动方法(图20)。如图20所示,在该触发器中,在将移位寄存器的各级输出均设为激活状态(下面,称作为全导通(ON)动作)的期间ta中,将AON信号设为高电位(High)(激活状态),将AONB信号设为低电位(Low)(激活状态),将CK1、CK2设为高电位(High),在全导通(ON)动作结束后的期间tb中,将第1初始信号AON信号设为低电位(Low)(非激活状态),将第2初始信号AONB信号设为高电位(High)(非激活状态),将第1及第2时钟信号CK1、CK2设为高电位(High),在紧跟着期间tb的期间tc中,将AON信号设为低电位(Low)(非激活状态),;将AONB信号设为高电位(High)(非激活状态),将CK1、CK2设为低电位(Low),从而转移至正常动作。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际专利公报WO2009-34749(国际公开日2009年3月19日)
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而,存在有如下问题:即,如图20所示,在上述触发器中,在期间ta(全导通(ON)动作期间)以及tb(全导通(ON)动作后的下一个期间)中,需要对第1及第2时钟信号CK1、CK2进行控制。
本发明提供一种用于实现在与时钟信号无关的情况下能够进行全导通动作的移位寄存器的触发器。
解决技术问题所采用的技术方案
本触发器包括:输入端子;输出端子;第1及第2控制信号端子;第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;第2输出部,该第2输出部与第1电源(与输入端子为非激活状态时的电位相对应的电源)及输出端子相连接;第1输入部,该第1输入部与上述输入端子及第2电源(与输入端子为激活状态时的电位相对应的电源)相连接,并对自举电容进行充电;放电部,该放电部使上述自举电容进行放电;第2输入部,该第2输入部与上述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;以及复位部,该复位部与上述第2控制信号端子相连接,并对上述放电部及第2输出部进行控制,在本触发器中,包括控制上述第1输出部的第1初始化部,控制上述第1输入部的第2初始化部,以及控制放电部及第2输出部的第3初始化部(也可以称作为第1初始化部控制输出端子的电位)。
根据本触发器,能够在全导通(ON)动作期间,利用第1及第2初始化部使输出端子变成激活状态,并且在全导通(ON)动作结束之后,利用第2及第3初始化部使输出变为非激活状态。因此,在使用本触发器的移位寄存器中,能够在与输入到第1及第2控制信号端子中的信号无关(例如,时钟信号)的情况下进行全导通(ON)动作。
本触发器采用如下结构:即,第1初始化部使第1输出部与第2电源电连接或断开;第2初始化部使第1输入部与第2电源电连接或断开;第3初始化部使放电部及第2输出部分别与第2电源电连接或断开。
本触发器也可以采用如下结构:即,上述第2初始化部还使第3初始化部、复位部以及放电部分别与第2输出部连接或断开。
本触发器也可以采用如下结构:即,第1初始化部还对上述第2输出部进行控制。
本触发器也可以采用如下结构:即包括反馈部,该反馈部与输出端子相连接、并对第2输出部进行控制。
本触发器也可以采用如下结构:即,第1输入部和第1输出部经由中继部相连接。
本触发器采用如下结构:即,第1输出部包括第1晶体管,第2输出部包括第2晶体管,第1输入部包括第3晶体管,放电部包括第4晶体管,第2输入部包括第5晶体管,复位部包括第6晶体管,第1初始化部包括第7晶体管,第2初始化部包括第8晶体管,第3初始化部包括第9晶体管,并且第1~第9晶体管都具有相同的导电类型。
本触发器也可以采用如下结构:即,进一步包括第1至第3初始化端子、以及第1至第3节点,第1晶体管的一个导通电极与第1控制信号端子相连接,该第1晶体管的控制端子和另一个导通电极经由上述自举电容相连接,且上述另一个导通电极与输出端子相连接,并且所述另一个导通电极经由第2晶体管与第1电源相连接,第3及第5晶体管的控制端子与输入端子相连接,第6晶体管的控制端子与第2控制信号端子相连接,第7晶体管的控制端子与第1初始化端子相连接,第8晶体管的控制端子与第2初始化端子相连接,第9晶体管的控制端子与第3初始化端子相连接,第1节点与第3晶体管的一个导通电极直接连接或经由电阻相连接,且经由第4晶体管与第1电源相连接,
第3晶体管的另一个导通电极经由第8晶体管与第2电源相连接,
第2节点与第2晶体管的控制端子相连接,并且经由第5晶体管与第1电源相连接,第3节点与第4晶体管的控制端子相连接,且经由第9晶体管与第2电源相连接,并且经由与上述电阻不同的其它电阻以及第6晶体管与第2电源相连接。
本触发器也可以采用如下结构:即,在第2初始化部中包括使控制端子与第2初始化端子相连接的第10晶体管,上述第2节点经由第10晶体管与第3节点相连接。
本触发器也可以采用如下结构:即,在第1初始化部中包括使控制端子与第1初始化端子相连接的第11晶体管,上述第2节点经由第11晶体管与第1电源相连接。
本触发器也可以采用如下结构:即,包括使控制端子与输出端子相连接的第12晶体管,上述第2节点经由第12晶体管与第1电源相连接。
本触发器也可以采用如下结构:即,包括使控制端子与第2电源相连接的第13晶体管,上述第1节点经由第13晶体管与第1晶体管的控制端子相连接。
本触发器也可以采用如下结构:即,上述各电阻的构成材料与各晶体管的沟道的构成材料相同。
本触发器也可以采用如下结构:即,在上述第1输出部中包括第1晶体管,并且上述自举电容是第1晶体管的寄生电容。
本移位寄存器在各级中包括上述触发器。
本移位寄存器也可以采用如下结构:即,本级的触发器的第2控制信号端子与下一级的触发器的输出端子相连接。
本驱动电路具有移位寄存器,该移位寄存器在各级中包含上述触发器,并且将激活期间互不重叠的时钟信号提供到移位寄存器各级中的触发器的第1及第2控制信号端子。
本驱动电路具有移位寄存器,该移位寄存器在各级中包含上述触发器,在该移位寄存器的各级的触发器中,将第1初始化信号输入到第1初始化端子,将第2初始化信号输入到第2初始化端子,将第3初始化信号输入到第3初始化端子。
本驱动电路也可以采用如下结构:即,使上述第1初始化信号的反向信号为第2初始化信号,上述第3初始化信号在上述第1初始化信号从激活状态变为非激活状态的时刻变成激活状态,在该时刻之后变为非激活状态。
本驱动电路也可以采用如下结构:即,使上述第3初始化信号与规定移位开始时刻的起始脉冲变为激活状态同步地变成非激活状态。
本显示装置包括上述触发器。
发明效果
如上所述,根据本发明,能够实现一种能够在与时钟信号无关的情况下进行全导通(ON)动作的移位寄存器。
附图说明
图1是表示触发器的结构的电路图。
图2是表示本液晶显示装置的结构的框图。
图3是表示本移位寄存器的结构示例的电路图。
图4是表示图3的移位寄存器的动作的时序图。
图5是第1~第3初始化信号的说明图。
图6是本液晶显示装置的驱动器所使用的反向器电路的电路图。
图7是本液晶显示装置的驱动器所使用的信号处理电路的电路图。
图8是图1的触发器的布局示例。
图9是图1的触发器的布局示例。
图10是图6的反向器电路的布局示例。
图11是图1所示的触发器的变形例。
图12是图1所示的触发器的另一个变形例。
图13是输入到图12的触发器中的第1~第3初始化信号的时序图。
图14是图1所示的触发器的其它一个变形例。
图15是图1所示的触发器的其它一个变形例。
图16是图1所示的触发器的其它一个变形例。
图17是具有包括图15的触发器的移位寄存器(双向移位)的结构示例的电路图。
图18是图16的移位寄存器所使用的移位方向确定电路的一个示例。
图19是现有的触发器的结构。
图20是表示图19所示的现有的移位寄存器的动作的时序图。
具体实施方式
基于图1~图18对本发明的实施方式进行如下说明。
图2是具有本发明所涉及的触发器的液晶显示装置的一个结构示例。图2的液晶显示装置包括:显示控制器、栅极驱动器GD、源极驱动器SD、液晶面板LCP、以及背光源BL(为光透过型的情况)。显示控制器对栅极驱动器GD及源极驱动器SD进行控制,例如,向栅极驱动器GD提供第1及第2时钟信号(CK1信号、CK2信号)、栅极起始脉冲信号(GSP信号)、第1初始化信号(INIT信号)、第2初始化信号(INITB信号)、以及第3初始化信号(INITKEEP信号)。栅极驱动器GD驱动液晶面板LCP的扫描信号线G1~Gn,源极驱动器SD驱动液晶面板LCP的数据信号线S1~Sn。栅极驱动器GD及源极驱动器SD也可与液晶面板LCP形成为单片。
栅极驱动器GD包括图3所示的移位寄存器。图3的移位寄存器包含纵向连接的多个触发器,各个触发器包括输入端子(IN端子)、输出端子(OUT端子)、第1及第2时钟信号端子(第1及第2控制信号端子)CKA、CKB、第1初始化端子(INIT端子)、第2初始化端子(INITB端子)、第3初始化端子(INITKEEP端子)、以及返回输入(back-in:返回输入)端子(BIN端子)。
此处,在奇数级的触发器(FF1、FF3等)中,将CK1信号提供给CKA端子,将CK2信号提供给CKB端子,在偶数级的触发器(FF2、FFn等)中,将CK2信号提供给CKA端子,将CK1信号提供给CKB端子。另外,将INIT信号、INITB信号及INITKEEP信号提供给各级的触发器(FF1~FFn)。另外,本级的IN端子与前级的OUT端子相连接,并且,本级的BIN端子与后级的OUT端子相连接。此外,CK1信号及CK2信号是激活期间(高电位期间)互不重叠的两个时钟信号。
在图3的移位寄存器的各级中,使用本发明所涉及的触发器。图1示出了本触发器的一个结构示例。图1的触发器包括:IN端子;OUT端子;CKA、CKB端子;第1输出部FO,该第1输出部FO包含自举电容Cv,并与CKA端子及OUT端子相连接;第2输出部SO,该第2输出部SO与第1电源VSS(低电位侧电源)及OUT端子相连接;第1输入部FI,该第1输入部FI与IN端子及第2电源VDD(高电位侧电源)相连接,并对自举电容Cv充电;放电部DC,该放电部DC使自举电容Cv放电;第2输入部SI,该第2输入部SI与IN端子及第1电源VSS相连接,并与第2输出部相连接;复位部RS,该复位部RS与CKB端子相连接,并控制放电部DC及第2输出部SO;第1初始化部FT,该第1初始化部FT控制第1输出部FO;第2初始化部SD,该第2初始化部SD控制第1输入部FI;第3初始化部TD,该第3初始化部TD控制放电部DC及第2输出部SO;反馈部FB,该反馈部FB与OUT端子相连接,并控制第2输出部SO;中继部RC,该中继部RC对第1输入部FI与第1输出部FO进行中继;以及误动作防止部SC,该误动作防止部SC防止在正常动作时本级与其它级同时变为激活状态。
更具体而言,在本触发器中,在第1输出部FO中包括晶体管Tr1(第1晶体管)及自举电容Cv,在第2输出部SO中包括第2晶体管Tr2(第2晶体管),在第1输入部FI中包括晶体管Tr3(第3晶体管)及电阻Ri,在放电部DC中包括晶体管Tr4(第4晶体管),在第2输入部SI中包括晶体管Tr5(第5晶体管),在复位部RS中包括晶体管Tr6(第6晶体管)及电阻Rr,在第1初始化部FT中包括晶体管Tr7(第7晶体管)及晶体管Tr11(第11晶体管),在第2初始化部中包括晶体管Tr8(第8晶体管)及晶体管Tr10(第10晶体管),在第3初始化部中包括Tr9(第9晶体管),在反馈部FB中包括晶体管Tr12(第12晶体管),在中继部RC中包括晶体管Tr13(第13晶体管),在误动作防止部SC中包括晶体管Tr14、Tr15。此外,Tr1~Tr15的导电类型(n沟道型)全部相同。
而且,Tr1的漏极电极与CKA端子相连接,且Tr1的栅极电极与Tr1的源极电极经由自举电容Cv相连接,而且,上述源极电极与OUT端子相连接,并经由Tr2与VSS相连接。
另外,Tr3、Tr5及Tr14的栅极端子与IN端子相连接,Tr6的栅极端子与CKB端子相连接,Tr7及Tr11的栅极端子与INIT端子相连接,Tr8及Tr10的栅极端子与INITB端子相连接,Tr9的栅极端子与INITKEEP端子相连接,Tr13的栅极端子与VDD相连接,Tr15的栅极端子与BIN端子相连接。
而且,与Tr1的栅极相连接的第1节点Na经由Tr13与电阻Ri的一端相连接,并经由Tr4与VSS相连接。电阻Ri的另一端经由Tr3及Tr8与VDD相连接(其中,Tr3在电阻Ri一侧,Tr8在VDD一侧)。
而且,与Tr2的栅极端子相连接的第2节点Nb经由Tr5与VSS相连接,且经由Tr11与VSS相连接,并且经由Tr12与VSS相连接。另外,与Tr4的栅极端子相连接的第3节点Nc经由Tr9与VDD相连接,且经由电阻Rr及Tr6与VDD相连接(其中,电阻Rr在第3节点Nc一侧,Tr6在VDD一侧),第2节点Nb与第3节点Nc经由Tr10相连接。另外,第3节点Nc经由Tr15、Tr14与VDD相连接(其中,Tr15在第3节点Nc一侧,Tr14在VDD一侧)。
图4示出了本移位寄存器的动作。在全导通期间,由于INIT信号变为激活状态(High:高电位),INITB信号变为激活状态(Low:低电位),INITKEEP信号变为激活状态(High:高电位),因此,自举电容Cv通过放电部DC进行放电(因为Tr9、Tr4导通,Tr1截止),第1输出部FO变为非激活状态,并且第2输出部SO也变为非激活状态(因为Tr11导通,Tr2截止)。因此,第1输出部FO的Tr1的源极电极通过第1初始化部FT与VDD相连接,VDD电位(High:高电位)被可靠地输出到OUT端子,而与CK1、CK2信号无关。此外,本结构中,由于在全导通期间,第2节点变为VSS,第3节点变为VDD,因此,通过利用INITB信号使Tr10截止(OFF),从而隔断两个节点。另一方面,从全导通期间结束直到GSP信号变为激活状态为止,由于INIT信号变为非激活状态(Low:低电位),INITB信号变为非激活状态(High:高电位),INITKEEP信号变为激活状态(High:高电位),因此,Tr10导通,第2输出部SO变为激活状态(Tr2导通)。因此,VSS电位(Low:低电位)被可靠地输出到OUT端子,而与CK1、CK2信号无关。
正常驱动时的动作如下所述。在正常驱动时,INIT信号变为非激活状态(Low:低电位),INITB信号变为非激活状态(High:高电位),INITKEEP信号变为非激活状态(Low:低电位)。此外,INITKEEP信号与GSP信号的激活状态同步地变为非激活状态(Low:低电位)(Tr8、Tr10导通,Tr7、Tr9截止)。
例如,在第1级的触发器FF1(参照图3)中,若IN端子变为激活状态(GSP信号变为激活状态),则自举电容Cv进行充电,将第1节点Na的电位预充电至VDD电位-Vth(Vth为晶体管的阈值电压)左右。此时,由于CK2为High(High:高电位)(CKB端子为激活状态),因此,Tr5及Tr6均导通,但由于电阻Rr对电流的限制使得Tr5的驱动能力变得比Tr6的驱动能力高,因此,第2节点Nb变为VSS电位。即使GSP信号变为非激活状态,也能维持该状态(因为Tr2、Tr12、Tr4保持截止状态)。
此处,若CK1信号上升,则第1节点Na的电位因自举效应而上升到VDD电位以上。由此,CK1信号(High:高电位)在电位未下降(所谓的阈值下降)的情况下从OUT端子(GO1)输出。若OUT端子变为高电位(High),则反馈部FB的Tr12导通,第2节点Nb可靠地变为VSS电位。此外,若CK1下降,则自举效应消失,第1节点Na的电位恢复到VDD电位-Vth。接下来,若CK2上升,则放电部DC的Tr4导通,使得自举电容Cv进行放电,并且Tr2导通,VSS(Low:低电位)从OUT端子(GO1)输出,从而完成触发器FF1的复位(自复位)。
另外,在图1的结构中,由于设有误动作防止部SC,因此,在正常动作中,前级(本级的前一级)及后级(本级的后一级)的输出均变为激活状态,在此情况下,Tr14、Tr15均被导通,使Tr2变为导通状态,从而能够强制性地使OUT端子变为VSS电位(Low:低电位)。另外,在图1的结构中,由于设有中继电路RC(Tr13),因此,若第1节点Na的电位因自举效应而变为一定值以上,则Tr13截止。由此,能够保护放电部DC的Tr4免受高电压的影响。
INIT信号的反向信号即INITB信号及INITKEEP信号由INIT信号来生成。即,如图5所示,反向电路INV利用INIT信号来输出INTB信号,信号处理电路SPC使用INIT信号来生成INITKEEP信号。此处,INITB信号是INIT信号的反向信号,INITKEEP信号在INIT信号从激活状态(High:高电位)变为非激活状态(Low:低电位)的时刻变为激活状态(High:高电位),在该时刻之后(例如,如图4所示,与GSP信号的激活状态同步)变为非激活状态(Low:低电位)。
图6是表示反向电路INV的结构的电路图。如图6所示,反向电路INV包括n沟道的晶体管Tr21~Tr24、电阻Ra、Rw、自举电容CV、IN端子、以及OUT端子。
Tr21的栅极电极与源极电极经由自举电容CV相连接,且Tr21的漏极电极与VDD相连接,而且,Tr21的源极电极与OUT端子相连接,Tr22、Tr23的栅极电极与IN端子相连接,Tr24的栅极电极与VDD相连接,与Tr21的栅极电极相连接的节点NA经由Tr24与节点NB相连接,节点NB经由电阻Ra与VDD相连接,并经由Tr23与VSS相连接,OUT端子经由电阻Rw与VDD相连接,并经由Tr22与VSS相连接。
在图6的反向电路INV中,若IN端子变为激活状态(High:高电位),则节点NA及节点NB变为VSS电位(Low:低电位),且使Tr21截止,此外,由于Tr22导通,因此,VSS电位(Low:低电位)被输出到OUT端子。若IN端子从该状态变为非激活状态(Low:低电位),则从VDD经由电阻Ra对自举电容CV进行充电(由此,Tr24截止),电流流过Tr21。由此,节点NA通过自举电容CV而上升,VDD电位(High:高电位)在未下降(阈值下降)的情况下从OUT端子被输出。此外,在图6的反向电路INV中,由于OUT端子经由电阻Rw与VDD相连接,因此,即使在自举效应消失之后,也能持续地将VDD电位(阈值未下降的电源电位)从OUT端子输出。而且,在图6的结构中设有Tr24,由于在节点NA因自举效应而变为高电位时,Tr24截止,因此,能够避免Tr23因节点NA上所产生高电位而发生劣化、破损的情况。
图7示出了信号处理电路SPC的一个结构示例。图7的信号处理电路SPC包括:IN1端子(第1输入端子)及IN2(第2输入端子);OUT端子(输出端子);节点na(第1节点)及节点nb(第2节点);第1信号生成部FS,该第1信号生成部FS与VDD(第1电源)及OUT端子相连接,并包含自举电容cv;以及第2信号生成部SS,该第2信号生成部SS与节点nb、VSS(第2电源)及OUT端子相连接,若IN1端子变为激活状态,则节点na变为激活状态(High:高电位),若IN2变为激活状态,则nb变为激活状态(High:高电位),OUT端子经由电阻Ry与VSS相连接。
具体而言,信号处理电路SPC包括设置在第1信号生成部FS中的晶体管Tr31;设置在第2信号生成部SS中的晶体管Tr32;以及晶体管Tr33~Tr39。此处,Tr31的漏极电极与VDD相连接,且Tr31的源极电极与栅极电极经由自举电容cv相连接,并且Tr31的源极电极与OUT端子相连接,Tr31的源极电极经由电阻Ry与VSS相连接,且经由Tr32与VSS相连接。另外,Tr32及Tr35的栅极电极与节点nb相连接,Tr34的栅极电极与节点na相连接,Tr36及Tr37的栅极电极与IN1端子相连接,Tr38及Tr39的栅极电极与IN2端子相连接。另外,与Tr31的栅极电极相连接的节点nc经由Tr33与节点na相连接,节点na与VSS经由Tr35相连接,并且,节点nb与VSS经由Tr34相连接,节点na与VDD经由Tr36相连接,节点na与VSS经由Tr39相连接,节点nb与VDD经由Tr38相连接,节点nb与VSS经由Tr37相连接。
在图7的信号处理电路SPC中,若IN2端子变为非激活状态(Low:低电位),IN1端子变为激活状态(High:高电位),则节点na变为激活状态(High:高电位),节点nb变为非激活状态(Low:低电位)(Tr36、Tr37导通),从而使自举电容cv进行充电,电流流过Tr31。由此,节点nc因自举电容cv而升高,VDD电位(High:高电位)在未下降(阈值下降)的情况下从OUT端子输出。接下来,若IN1端子变为非激活状态(Low:低电位)(IN2端子保持非激活状态),则由于节点nc、nb变为浮置状态(floating),因此,VDD电位(High:高电位)继续从OUT端子输出。接下来,若IN2端子变为激活状态(High:高电位),则节点nb变为激活状态(High:高电位),节点na变为非激活状态(Low:低电位)(Tr38、Tr39、Tr32导通),从而使VSS电位(Low:低电位)从OUT端子输出。因此,在图5的情况下,通过将INIT信号输入到IN1端子,将GSP信号输入到IN2端子,从而能够从OUT端子得到图5所示那样的INITKEEP信号。
此处,通过预先将电阻Ry的电阻值设为0.5~5.5兆欧姆的高电阻值,由此能够利用电阻Ry来确定OUT端子的初始值(直到IN1端子变为激活状态为止的Tr31的源极电位)。由此,当IN1端子变为激活状态(High:高电位)时,第1信号生成部FS的自举电路正常地工作。
图8、9是图1的布局示例。在本触发器中,从基板一侧依次设置有构成各个晶体管的沟道的层、栅极绝缘层、构成各个晶体管的栅极电极的层、层间绝缘层、信号布线(包括电源布线)。此处,可以利用构成各个晶体管的沟道的材料来形成复位部RS的电阻Rr(参照图8),或者也可以利用构成各个晶体管的沟道的材料来形成第1输入部FI(参照图9(a)),由此,可以减少接触孔、减小布局面积。另外,也可以利用下述的重叠部来形成第一输出部FO的自举电容Cv,该重叠部通过将利用构成各个晶体管的沟道的材料所形成的电极(经由接触孔与Tr1的源极电极相连接的电极)、晶体管Tr1的栅极电极、以及栅极绝缘膜重叠而构成,并且还能够使该重叠部与VH(VDD)布线重叠(参照图9(b))。在此情况下,也能够减小布局面积。
图10是图6的布局示例。在反向器电路INV中,从基板一侧依次设置有构成各个晶体管的沟道的层、栅极绝缘层、构成各个晶体管的栅极电极的层、层间绝缘层、信号布线(包括电源布线)。此处,如图10所示,可以利用构成各个晶体管的沟道的材料来形成电阻Ra及电阻Rw,由此,减少接触孔或减小布局面积。另外,也可以利用下述的重叠部来形成自举电容Cv,该重叠部通过将利用构成各个晶体管的沟道的材料所形成的电极(经由接触孔与Tr21的源极电极相连接的电极)、晶体管Tr21的栅极电极、以及栅极绝缘膜重叠而构成,在次情况下,也可以减少接触孔或减小布局面积。
本触发器也可以如图11所的那样具有如下结构:即,从图1的结构中除去中继电路RC以及误动作防止部SC(除去Tr13~Tr15),还可以除去第1初始化电路FT的Tr11。下面对图11的触发器的全导通动作进行说明。
在全导通期间,由于INIT信号变为激活状态(High:高电位),INITB信号变为激活状态(Low:低电位),INITKEEP信号变为激活状态(High:高电位),因此,放电部DC对自举电容Cv进行放电(因为Tr9、Tr4导通,Tr1截止),从而使第1输出部FO变为非激活状态,并且,虽然第2输出部SO变为浮置状态(因为Tr10截止),但是第1输出部FO的Tr1的源极电极(OUT端子)通过第1初始化部FT与VDD相连接,从而使VDD电位(High:高电位)被可靠地输出到OUT端子,而与CK1、CK2信号无关,同时,Nb通过Tr12变为非激活状态(Low:低电位),从而使第2输出部SO变为截止状态。另一方面,从全导通期间结束直到GSP信号变为激活状态为止,由于INIT信号变为非激活状态(Low:低电位),INITB信号变为非激活状态(High:高电位),INITKEEP信号变为激活状态(High:高电位),因此,Tr8、Tr10导通,第2输出部SO变为激活状态(Tr2导通)。因此,VSS电位(Low:低电位)被可靠被输出到OUT端子,而与CK1、CK2信号无关。
从图1的结构中除去了中继电路RC、反馈部FB及误动作防止部SC(除去Tr12~Tr15),再除去第1初始化电路FT的Tr11及第2初始化电路FT的Tr10,从而本触发器构成为如图12所示那样的结构,而且,也可以输入图13所示的INIT信号、INITB信号及INITKEEP信号。下面对图12、图13的情况下的全导通动作进行说明。
在全导通期间,由于INIT信号变为激活状态(High:高电位),INITB信号变为激活状态(Low:低电位),INITKEEP信号变为非激活状态(Low:低电位),因此,放电部DC对自举电容Cv进行放电(因为Tr4导通,Tr1、Tr8截止),从而使第1输出部FO变为非激活状态,并且第2输出部SO变为浮置状态(因为Tr5、Tr9截止)。因此,第1输出部FO的Tr1的源极电极(OUT端子)通过第1初始化部FT与VDD相连接,从而使VDD电位(High:高电位)被可靠地输出到OUT端子,而与CK1、CK2信号无关,同时,由于其它级的OUT与IN相连接,因此,IN变为激活状态(High:高电位),Tr5导通,从而使第2输出部SO截止。另一方面,从全导通期间结束直到GSP信号变为激活状态为止,由于INIT信号变为非激活状态(Low:低电位),INITB信号变为非激活状态(High:高电位),INITKEEP信号变为激活状态(High:高电位),因此,Tr9导通,第2输出部SO变为激活状态(Tr2导通)。因此,VSS电位(Low:低电位)被可靠地输出到OUT端子,而与CK1、CK2信号无关。
在图1的触发器中,在复位电路RS中,第3节点Nc经由电阻Rr及Tr6与VDD相连接(其中,Tr6在电阻Rr一侧,Tr6在VDD一侧),但并不仅限于此。如图14所示,也可以将第3节点Nc经由Tr6及电阻Rr与VDD相连接(其中,Tr6在第3节点一侧,Rr在VDD一侧)。
在图1的触发器中,在复位电路RS中设有电阻Rr,但并不仅限于此。也可以用进行二极管连接的晶体管TD来置换电阻Rr,从而得到如图15那样的结构。
另外,也可以从图1的结构中仅去除误动作防止部,从而得到如图16那样的结构。另外,也可以使用本触发器(例如,图16中的触发器)来构成图17所示的可双向移位的移位寄存器。在该情况下,在相邻的两级之间配置移位方向确定电路SEL,并输入UD信号及UDB信号。在顺接方向(下方)进行移位时,例如,SEL2将FF1的OUT端子与FF2的IN端子相连接。另一方面,在接反方向(上方)进行移位时,例如,SEL1将FF2的OUT端子与FF1的IN端子相连接。另外,如图18所示,移位方向确定电路SEL包括2个N沟道晶体管,对于其中的一个晶体管,栅极端子与UD端子连接,并且,源极电极及漏极电极与IX端子及O端子相连接,对于其中的另一个晶体管,栅极端子与UDB端子连接,并且,源极电极及漏极电极与IY端子及O端子连接。
本发明并不仅限于上述实施方式,还包括基于公知技术或技术常识对上述实施方式进行适当改变或将其组合而得到实施方式。另外,各实施方式中记载的作用效果等也仅是示例而已。
工业上的实用性
本发明的触发器特别适用于液晶显示装置的驱动电路。
标号说明
INIT第1初始化信号
INITB第2初始化信号
INITKEEP第3初始化信号
Na~Nc第1~第3节点
VDD高电位侧电源
VSS低电位侧电源
Tr1~Tr13第1~第13晶体管

Claims (21)

1.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
所述第1初始化部使第1输出部与第2电源电连接或断开;
第2初始化部使第1输入部与第2电源电连接或断开;
第3初始化部使放电部及第2输出部分别与第2电源电连接或断开。
2.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
所述第2初始化部还使第3初始化部、复位部以及放电部分别与第2输出部连接或断开。
3.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
所述第1初始化部还对第2输出部进行控制。
4.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
包括反馈部,该反馈部与输出端子相连接,并对第2输出部进行控制。
5.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
第1输入部与第1输出部经由中继部相连接。
6.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
第1输出部包括第1晶体管;
第2输出部包括第2晶体管;
第1输入部包括第3晶体管;
放电部包括第4晶体管;
第2输入部包括第5晶体管;
复位部包括第6晶体管;
第1初始化部包括第7晶体管;
第2初始化部包括第8晶体管;
第3初始化部包括第9晶体管,
第1至第9晶体管都具有相同的导电类型。
7.如权利要求6所述的触发器,其特征在于,
进一步包括第1至第3初始化端子、以及第1至第3节点,
第1晶体管的一个导通电极与第1控制信号端子相连接,该第1晶体管的控制端子和另一个导通电极经由所述自举电容相连接,且所述另一个导通电极与输出端子相连接,并且所述另一个导通电极经由第2晶体管与第1电源相连接,
第3及第5晶体管的控制端子与输入端子相连接,第6晶体管的控制端子与第2控制信号端子相连接,第7晶体管的控制端子与第1初始化端子相连接,第8晶体管的控制端子与第2初始化端子相连接,第9晶体管的控制端子与第3初始化端子相连接,
第1节点与第3晶体管的一个导通电极直接连接或经由电阻相连接,且经由第4晶体管与第1电源相连接,
第3晶体管的另一个导通电极经由第8晶体管与第2电源相连接,
第2节点与第2晶体管的控制端子相连接,并且经由第5晶体管与第1电源相连接,
第3节点与第4晶体管的控制端子相连接,且经由第9晶体管与第2电源相连接,并且经由与所述电阻不同的其它电阻以及第6晶体管与第2电源相连接。
8.如权利要求7所述的触发器,其特征在于,
在第2初始化部中包括使控制端子与第2初始化端子相连接的第10晶体管,
所述第2节点经由第10晶体管与第3节点相连接。
9.如权利要求7所述的触发器,其特征在于,
在第1初始化部中包括使控制端子与第1初始化端子相连接的第11晶体管,
所述第2节点经由第11晶体管与第1电源相连接。
10.如权利要求7所述的触发器,其特征在于,
包括使控制端子与输出端子相连接的第12晶体管,
所述第2节点经由第12晶体管与第1电源相连接。
11.如权利要求7所述的触发器,其特征在于,
包括使控制端子与第2电源相连接的第13晶体管,
所述第1节点经由第13晶体管与第1晶体管的控制端子相连接。
12.如权利要求7所述的触发器,其特征在于,
所述各电阻的构成材料与各晶体管的沟道的构成材料相同。
13.一种触发器,其特征在于,包括:
输入端子;
输出端子;
第1及第2控制信号端子;
第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子相连接;
第2输出部,该第2输出部与第1电源及输出端子相连接;
第1输入部,该第1输入部与所述输入端子及第2电源相连接,并对自举电容进行充电;
放电部,该放电部使所述自举电容进行放电;
第2输入部,该第2输入部与所述输入端子及第1电源相连接,并与第2输出部相连接;
复位部,该复位部与所述第2控制信号端子相连接,并对所述放电部及第2输出部进行控制;
第1初始化部,该第1初始化部控制所述第1输出部;
第2初始化部,该第2初始化部控制所述第1输入部;以及
第3初始化部,该第3初始化部控制放电部及第2输出部,
在所述第1输出部中包括第1晶体管,并且所述自举电容是第1晶体管的寄生电容。
14.一种移位寄存器,其特征在于,
所述移位寄存器的各级中都包括有如权利要求1至13中任一项所述的触发器。
15.如权利要求14所述的移位寄存器,其特征在于,
本级的触发器的第2控制信号端子与下一级的触发器的输出端子相连
接。
16.一种驱动电路,其特征在于,
所述驱动电路具有移位寄存器,该移位寄存器的各级包括权利要求1至13中任一项所述的触发器,
将激活期间互不重叠的时钟信号提供到移位寄存器各级中的触发器的第1及第2控制信号端子。
17.一种驱动电路,其特征在于,
所述驱动电路具有移位寄存器,该移位寄存器的各级包括权利要求7所述的触发器,在该移位寄存器的各级的触发器中,将第1初始化信号输入到第1初始化端子,将第2初始化信号输入到第2初始化端子,将第3初始化信号输入到第3初始化端子。
18.如权利要求17所述的驱动电路,其特征在于,
所述第1初始化信号的反向信号为第2初始化信号,
所述第3初始化信号在所述第1初始化信号从激活状态变为非激活状态的时刻变成激活状态,在该时刻之后变成非激活状态。
19.如权利要求18所述的驱动电路,其特征在于,
所述第3初始化信号与规定移位开始时刻的起始脉冲变为激活状态同步地变成非激活状态。
20.一种驱动电路,其特征在于,
包括权利要求1至13中任一项所述的触发器。
21.一种显示装置,其特征在于,
包括权利要求1至13中任一项所述的触发器。
CN201180042280.7A 2010-09-02 2011-08-31 触发器、移位寄存器、驱动电路、显示装置 Expired - Fee Related CN103098373B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010197203 2010-09-02
JP2010-197203 2010-09-02
PCT/JP2011/069827 WO2012029876A1 (ja) 2010-09-02 2011-08-31 フリップフロップ、シフトレジスタ、ドライバ回路、表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103098373A CN103098373A (zh) 2013-05-08
CN103098373B true CN103098373B (zh) 2016-04-27

Family

ID=45772953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180042280.7A Expired - Fee Related CN103098373B (zh) 2010-09-02 2011-08-31 触发器、移位寄存器、驱动电路、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8923472B2 (zh)
JP (1) JP5484584B2 (zh)
CN (1) CN103098373B (zh)
WO (1) WO2012029876A1 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8330702B2 (en) * 2009-02-12 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, display device, and electronic device
WO2012029871A1 (ja) * 2010-09-02 2012-03-08 シャープ株式会社 信号処理回路、ドライバ回路、表示装置
JP5919112B2 (ja) * 2012-06-29 2016-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、表示装置、及び電子機器
US9881688B2 (en) * 2012-10-05 2018-01-30 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register
WO2014073362A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 シャープ株式会社 パルス生成回路、シフトレジスタ回路、及び表示装置
JP6116665B2 (ja) * 2013-03-21 2017-04-19 シャープ株式会社 シフトレジスタ
US9715940B2 (en) * 2013-03-21 2017-07-25 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register
US9065431B2 (en) * 2013-04-11 2015-06-23 The Regent Of The University Of Michigan Static signal value storage circuitry using a single clock signal
JPWO2014208123A1 (ja) * 2013-06-28 2017-02-23 シャープ株式会社 単位シフトレジスタ回路、シフトレジスタ回路、単位シフトレジスタ回路の制御方法及び表示装置
WO2015012207A1 (ja) * 2013-07-25 2015-01-29 シャープ株式会社 シフトレジスタ及び表示装置
JP6521794B2 (ja) 2014-09-03 2019-05-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
CN107112051B (zh) * 2014-10-28 2020-08-04 夏普株式会社 单位移位寄存器电路、移位寄存器电路、单位移位寄存器电路的控制方法及显示装置
US10410597B2 (en) 2015-04-28 2019-09-10 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register
JP6320632B2 (ja) * 2015-04-28 2018-05-09 シャープ株式会社 シフトレジスタ
CN105139796B (zh) * 2015-09-23 2018-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种goa电路、显示装置和goa电路的驱动方法
CN206249868U (zh) * 2016-12-15 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路及显示面板
CN107248390B (zh) * 2017-07-27 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN107507553B (zh) * 2017-09-25 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、阵列基板和显示装置
CN108573673B (zh) * 2018-04-27 2021-07-30 厦门天马微电子有限公司 移位寄存器、驱动电路、显示装置
CN108766381B (zh) * 2018-06-01 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器电路、阵列基板和显示装置
US20230335061A1 (en) * 2020-10-02 2023-10-19 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning line drive circuit and display device provided with same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001273785A (ja) * 2000-03-29 2001-10-05 Casio Comput Co Ltd シフトレジスタ及び電子装置
WO2009034749A1 (ja) * 2007-09-12 2009-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha シフトレジスタ
WO2009084267A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha シフトレジスタおよび表示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4425547B2 (ja) * 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
JP4645047B2 (ja) * 2004-03-05 2011-03-09 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに駆動制御装置
KR20070013013A (ko) * 2005-07-25 2007-01-30 삼성전자주식회사 표시 장치
JP5538890B2 (ja) * 2007-09-12 2014-07-02 シャープ株式会社 シフトレジスタ
US8457272B2 (en) * 2007-12-27 2013-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register
JP5632001B2 (ja) * 2010-09-02 2014-11-26 シャープ株式会社 シフトレジスタ及び表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001273785A (ja) * 2000-03-29 2001-10-05 Casio Comput Co Ltd シフトレジスタ及び電子装置
WO2009034749A1 (ja) * 2007-09-12 2009-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha シフトレジスタ
CN101785065A (zh) * 2007-09-12 2010-07-21 夏普株式会社 移位寄存器
WO2009084267A1 (ja) * 2007-12-27 2009-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha シフトレジスタおよび表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5484584B2 (ja) 2014-05-07
CN103098373A (zh) 2013-05-08
US8923472B2 (en) 2014-12-30
WO2012029876A1 (ja) 2012-03-08
JPWO2012029876A1 (ja) 2013-10-31
US20130156148A1 (en) 2013-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103098373B (zh) 触发器、移位寄存器、驱动电路、显示装置
CN103081360B (zh) 驱动电路
CN103098376B (zh) 晶体管电路、触发器、信号处理电路、驱动电路以及显示装置
CN103155412B (zh) 信号处理电路、逆变器电路、缓冲电路、驱动器电路、电平移位器、显示装置
JP4876108B2 (ja) 電子回路のブートストラップポイント電圧を低下する方法、及びその方法を用いた装置
CN103081361B (zh) 信号处理电路、逆变器电路、缓冲电路、电平移位器、触发器、驱动电路、显示装置
KR100595797B1 (ko) 순방향 및 역방향 양쪽으로 펄스를 시프트하는 쌍방향시프트 레지스터
JP5308472B2 (ja) シフトレジスタ
KR102315888B1 (ko) 게이트 회로 및 이를 이용한 표시 장치
JP5419762B2 (ja) シフトレジスタ回路
EP2544186B1 (en) Bidirectional shifter register and method of driving same
JP2011238312A (ja) シフトレジスタ回路
KR20140094882A (ko) 게이트 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치
US8587572B2 (en) Storage capacitor line drive circuit and display device
KR20070082139A (ko) 쉬프트 레지스터와, 이를 갖는 스캔 구동 회로 및 표시장치
CN104137170A (zh) 显示装置
KR102420545B1 (ko) 게이트 구동회로를 포함하는 표시 장치
KR101287214B1 (ko) 쉬프트 레지스터
JP5457251B2 (ja) 電気光学装置
US11200862B2 (en) Shift register and display device provided with the same
KR20090014455A (ko) 노이즈 제거 방법, 이를 위한 스위칭 회로 및 이를포함하는 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160427

Termination date: 20200831