CN103022371A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

公开了一种OLED显示器及其制造方法。所述OLED显示器包括：界定在基板中且配置成显示图像的显示区域；界定成包括显示区域的周界且配置成将信号施加到显示区域内的像素的非显示区域；第一薄膜晶体管，形成在基板的非显示区域中；第二薄膜晶体管，形成在基板的显示区域内；平坦化膜，形成在第一和第二薄膜晶体管上方；第一电极，形成在非显示区域中的平坦化膜上且配置成包括至少一个第一开口；第二电极，形成在平坦化膜上且连接到第二薄膜晶体管的电极；堤岸图案，形成在第二电极和第一电极上且配置成暴露部分的第二电极，其中所述堤岸图案设置成与第一电极相邻；有机发光层，形成在第二电极上；和第三电极，形成在有机发光层上。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年9月20日提交的韩国专利申请No.10-2011-0094832的优先权，此处通过参考将其整体并入本文。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示器，更具体涉及适合于增强可靠性的有机发光二极管显示器及其制造方法。
背景技术
目前已经开发出能够替代沉重且体积大的阴极射线管（CRT）的各种类型平板显示器。平板显示器的实例是液晶显示器（LCD）、场发射显示器（FED）、等离子体显示面板（PDP）和发光二极管显示器。
根据发光层材料，发光二极管显示器分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管显示器（OLED）。由于发光二极管显示器为自发光，因此其具有良好特性，包括快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角。
OLED包括配置用于发光的有机发光化合物层、和彼此面对且其间具有有机发光化合物层的阳极和阴极。有机发光化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。
OLED使空穴和电子分别穿过阴极和阳极注入到发射层EML，并且能够使发射层通过激发过程中产生的激子的能量而发光，在激发过程中空穴和电子在发射层EML中彼此复合。据此，OLED显示器电性控制OLED的发射层EML中产生的光量并且显示图像。
OLED显示器包括薄膜晶体管TFT、以覆盖薄膜晶体管TFT的方式形成的平坦化膜、连接到薄膜晶体管TFT的阳极、形成在薄膜晶体管TFT和阳极上的堤岸图案（bank pattern）、形成在堤岸图案和阳极上的有机发光化合物层、和形成在有机发光化合物层上的阴极。
OLED显示器包括顺序形成在基板上的缓冲层、半导体有源图案、栅极绝缘膜、栅极金属图案、层间绝缘膜、源／漏金属图案和钝化膜。栅极金属图案包括薄膜晶体管TFT的栅极。源／漏金属图案包括薄膜晶体管TFT的源极和漏极。阳极通过穿过钝化膜的接触孔连接到薄膜晶体管的漏极。
可将OLED显示器界定出用于显示图像的显示区域和包围显示区域边缘的非显示区域。在非显示区域中，可形成电路部分和接地连接部分。电路部分用于将驱动电压施加到形成在显示区域中的多条驱动线。
与显示区域相似，在非显示区域的电路部分中形成另外的薄膜晶体管TFT、平坦化膜、阳极等。
但是，经过一段时间，在形成于非显示区域的电路部分中的平坦化膜内的剩余材料会出气（out-gassed）。出气的剩余材料影响形成在显示区域中的有机发光化合物层。由于此，有机发光化合物层劣化。
有机发光化合物层的劣化引起故障并且迫使OLED显示器的可靠性降低。
发明内容
因此，本实施例涉及一种基本避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题的OLED显示器及其制造方法。
本实施例的目的是提供一种OLED显示器及其制造方法，其适合于通过在电路部分内的阳极中形成孔，使来自非显示区域的电路部分的出气材料向显示区域的移动最小化，并且防止显示区域内的OLED劣化。
本实施例的另一目的是提供一种适合于增强可靠性的OLED显示器及其制造方法。
在下文描述中将列举实施例的其他特征和优势，且根据该描述其一部分是显而易见的，或者可通过实践本实施例得以获知。可通过所撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构实现并获得本实施例的优势。
根据本实施例的一总体方面，一种OLED显示器包括：界定在基板中且配置成显示图像的显示区域；界定成包括显示区域周界且配置成将信号施加到显示区域内的像素的非显示区域；形成在基板的非显示区域中的第一薄膜晶体管；形成在基板的显示区域中的第二薄膜晶体管；形成在第一和第二薄膜晶体管上方的平坦化膜；形成在非显示区域中的平坦化膜上且配置成包括至少一个第一开口的第一电极；形成在平坦化膜上且连接到第二薄膜晶体管的电极的第二电极；形成在第二电极和第一电极上且配置成暴露出部分的第二电极的堤岸图案，其中所述堤岸图案设置成与第一电极相邻；形成在第二电极上的有机发光层；和形成在有机发光层上的第三电极。
根据本实施例的另一总体方面，一种制造OLED显示器的方法包括：制备界定成显示区域和非显示区域的基板，所述显示区域配置成显示图像，所述非显示区域位于显示区域的外侧；在基板的非显示区域和显示区域中分别形成第一和第二薄膜晶体管；在提供有第一和第二薄膜晶体管的基板上形成平坦化膜，所述平坦化膜具有暴露出第二薄膜晶体管的一部分电极的第一接触孔；在提供有第一接触孔的平坦化膜上形成包括至少一个第一开口且面对第一薄膜晶体管的第一电极和连接到第二薄膜晶体管的电极的第二电极；在第一电极和第二电极上形成堤岸图案，所述堤岸图案中形成了暴露出一部分第二电极的开口；在第二电极上形成有机发光层；和在有机发光层上形成第三电极。
根据本实施例的另一总体方面，一种OLED显示器包括：界定在基板中且配置成显示图像的显示区域；界定成包括显示区域周界且配置成将信号施加至显示区域内的像素的非显示区域；形成在基板的非显示区域内的第一薄膜晶体管；形成在基板的显示区域内的第二薄膜晶体管；形成在第一和第二薄膜晶体管上方的平坦化膜；形成在基板的非显示区域中且配置成引导来自自平坦化膜的出气材料排出到堤岸图案的第一电极；形成在平坦化膜上且连接到第二薄膜晶体管的电极的第二电极；形成在第二电极和第一电极上且配置成暴露出部分的第二电极的堤岸图案，其中所述堤岸图案设置成与第一电极相邻；形成在第二电极上的有机发光层；和形成在有机发光层上的第三电极。
一旦查阅了下文的附图和具体描述，其他的***、方法、特征和优势将会或者将会变得对本领域技术人员显而易见。意指所有这种其他的***、方法、特征和优势将包括在本说明书内，在本公开的范围内，且受到下文权利要求的保护。本部分的任何内容都不作为对权利要求的限制。下文将结合实施例讨论其他方面和优势。将理解，本公开的上文一般描述和下文具体描述都是示意性和说明性的，且意在提供所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
本文包括附图以提供实施例的进一步理解，且附图结合到本文中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施例并与描述一起用于解释本公开。附图中：
图1是示意性示出根据本公开实施例的OLED显示器的平面图；
图2是示出图1中像素的电路结构的电路图；
图3是沿着图1中的线I-I'取得的OLED显示器的截面的截面图；
图4至10是示出制造图1的OLED显示器的工艺的截面图；
图11是示出沿着图1的线I-I'取得的根据本公开另一实施例的OLED显示器的截面的截面图。
具体实施方式
现在将具体参考本公开的实施例，附图中示出了其实例。
图1是示意性示出根据本公开实施例的OLED显示器的平面图，图2是示出图1中像素的电路结构的电路图。
如图1和2中所示，根据本公开实施例的OLED显示器1000包括基板190。基板190被界定出用于显示图像的显示区域AA和包围显示区域AA的边缘且装载有电路部分的非显示区域NDA。电路部分用于将驱动电压施加到显示区域AA。
OLED显示器可包括设置在非显示区域NDA中的焊盘部分PA、引线部分WA和集成电路芯片IC。引线部分WA可包括多条引线，用于将经由焊盘部分PA自外部施加的多个信号和多个电压引导至显示区域AA。集成电路芯片IC经由形成在显示区域AA中的数据线电连接到形成在显示区域AA中的像素。
OLED显示器可进一步包括以面板内栅（gate in panel）（GIP）形态形成在基板的非显示区域NDA上的另一电路部分。另一电路部分经由扫描线将扫描信号施加到像素SP。
像素SP以矩阵形状设置在基板190的显示区域AA上。像素SP经由延伸至引线部分WA的数据线连接到集成电路芯片。而且，像素SP经由延伸至引线部分WA的扫描线连接到另一电路部分。而且，像素SP由穿过引线部分WA的电源线连接到电源。
每个像素SP都可具有2T1C（两个晶体管和一个电容器）结构。换句话说，像素可包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器和OLED。替换地，像素可配置成进一步包括另外的晶体管和另外的电容器。
包括在2T1C结构的像素中的元件可如图2中所示的彼此连接。
开关晶体管S1包括连接到扫描线SL的栅极，所述扫描线SL被施加扫描信号。开关晶体管S1还包括连接到数据线DL的源极和连接到第一节点N1的漏极，所述数据线DL被施加数据信号。
驱动晶体管T1包括连接到第一节点N1的栅极。驱动晶体管T1还包括连接到第一电源线VDD的源极和连接到OLED D的阳极的漏极，所述第一电源线VDD被施加高压。
电容器Cst包括连接到第一节点N1的一端和连接到第一电源线VDD的另一端。OLED D包括连接到驱动晶体管T1的漏极的阳极和连接到第二电源线GND的阴极，所述第二电源线GND被施加低压。
作为实例，已经解释了包括在像素SP中的上述晶体管S1和T1是P型晶体管。但是，本实施例不限于此。
经由第一电源线VDD施加的高压可高于经由第二电源线GND施加的低压。根据像素SP的驱动模式，经由第一和第二电源线VDD和GND施加的高压和低压可彼此互换。
可如下驱动上述像素SP。
当经由扫描线SL施加扫描信号时，开关晶体管S1开启。这样，经由开启的开关晶体管S1将数据线DL上的数据信号施加到第一节点N1，并将其作为数据电压存储在电容器Cst中。
当不将扫描信号施加至扫描线SL时，开关晶体管S1关闭。同时，经由存储在电容器Cst中的数据电压驱动所述驱动晶体管T1。
之后，第一电源线VDD上的高压使电流能够流向第二电源线。据此，OLED可发光。
上述方法作为实例提供。因此，本实施例不限于此。
焊盘部分PA设置在基板190的边缘中。焊盘部分PA通过各向异性导电膜或以其他方式连接到外部基板。而且，焊盘部分PA连接到引线部分WA。焊盘部分PA能传送自外部基板施加的各种驱动信号、电压等至显示区域AA、集成电路芯片、电路部分等。
引线部分WA用于传送自焊盘部分PA施加的各种驱动信号、电压等至显示区域AA、集成电路芯片、电路部分等。为此，引线部分WA可包括用于将数据信号传送至集成电路芯片IC的数据连接线、用于传送时钟信号等至电路部分的时钟线和用于传送高压和低压的电源线VDD和GND。以下，用于传送低压的电源线将称作接地线。
图3是示出沿着图1中的线I-I'取得的OLED显示器的截面的截面图。
如图1和3中所示，OLED显示器1000可界定出显示区域AA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可包括GIP区域和GND接触区域。
OLED显示器1000可包括顺序形成在基板100上的第一和第二薄膜晶体管TFT-1和TFT-2、钝化膜135、平坦化膜140、第一电极175和第二电极145、堤岸图案150、有机发光化合物层155和第三电极160。以覆盖第一和第二薄膜晶体管TFT-1和TFT-2的方式形成钝化膜135。第二和第三电极145和160可以是阳极或者阴极。如果第二电极145为阳极，则第三电极160为阴极，和如果第二电极145为阴极，则第三电极160为阳极。
第一薄膜晶体管TFT-1形成在非显示区域NDA的GIP区域中。第二薄膜晶体管TFT-2形成在显示区域AA中。
而且，OLED显示器1000可包括形成在基板100上的缓冲层105、半导体有源图案110a和110b、栅极绝缘膜127、栅极金属图案、层间绝缘膜130、源／漏金属图案和钝化膜135。
栅极金属图案可包括第一和第二薄膜晶体管TFT-1和TFT-2的栅极115a和115b。源／漏金属图案可包括薄膜晶体管TFT-1和TFT-2的第四和第五电极120a和120b、第六和第七电极125a和125b以及导电图案170。第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b可为漏极或者源极。如果第四电极120a是源极，则第六电极125a是漏极，和如果第四电极120a是漏极，则第六电极125a是源极。如果第五电极120b是源极，则第七电极125b是漏极，和如果第五电极120b是漏极，则第七电极125b是源极。
第二电极145经由第一接触孔H1电连接到第二薄膜晶体管TFT-2的第七电极125b。以穿过显示区域AA内的平坦化膜140和钝化膜135的方式形成第一接触孔H1。如果第二电极145是阳极，则第七电极125b是漏极，和如果第二电极145是阴极，则第七电极125b是源极。
第一薄膜晶体管TFT-1可包括形成在缓冲层105上的第一半导体有源图案110a、形成在第一半导体有源图案110a上的第一栅极115a、和形成在第一栅极115a上的第四和第六电极120a和125a，第一半导体有源图案110a与第一栅极115a之间具有栅极绝缘膜127，第一栅极115a与第四和第六电极120a和125a之间具有层间绝缘膜130。第四和第六电极120a和125a彼此间隔固定距离。
第二薄膜晶体管TFT-2可包括形成在缓冲层105上的第二半导体有源图案110b、形成在第二半导体有源图案110b上的第二栅极115b、和形成在第二栅极115b上的第五和第七电极120b和125b，第二半导体有源图案110b与第二栅极115b之间具有栅极绝缘膜127，第二栅极115b与第五和第七电极120b和125b之间具有层间绝缘膜130。第五和第七电极120b和125b彼此间隔固定距离。
第一电极175形成在非显示区域NDA上。第一电极175经由第二接触孔H2电连接到GND接触区域内的导电图案170。至少一个第一开口H3形成在非显示区域NDA的GIP区域内的第一电极175中。如果多个第一开口H3形成在GIP区域内的第一电极175中，则其彼此间隔固定间距。
设置在显示区域AA内的第二电极145由与第一电极175相同的材料形成且经由相同工艺形成。但是，第二电极145并不电连接至第一电极175。
形成在GIP区域内的第一电极中的第一开口H3能引导来自GIP区域内的平坦化膜140的出气材料排出至堤岸图案150。这样，能够最小化来自GIP区域内的平坦化膜140的出气材料施加到有机发光化合物层155的影响。据此，能够防止有机发光化合物层155劣化。结果，根据本实施例的OLED显示器能够增强可靠性。第一电极的上述结构是配置成引导来自GIP区域内的平坦化膜140的出气材料排出至堤岸图案150的第一电极175的一个实例。
图4至10是示出制造图1的OLED显示器的工艺的截面图。
如图4中所示，执行在基板100上形成第一和第二薄膜晶体管TFT-1和TFT-2的工艺。
首先，通过使用化学气相沉积（CVD）技术在基板100上沉积氧化硅SiO2或者氮化硅SiNx，在基板100上形成缓冲层105。之后，在缓冲层105上形成第一和第二半导体有源图案110a和110b。可通过在缓冲层105上形成第一和第二多晶硅图案，和将p+离子掺杂到第一和第二多晶硅图案中，从而制备第一和第二半导体有源图案110a和110b。也可通过使用CVD技术在缓冲层105上沉积n+-p氢化非晶硅（a-Si:H），将沉积的n+-p氢化非晶硅（a-Si:H）结晶为多晶硅层，和图案化该多晶硅层，从而形成该第一和第二半导体有源图案110a和110b。
以覆盖第一和第二半导体有源图案110a和110b的方式在缓冲层105上形成栅极绝缘膜127。通过在提供有第一和第二半导体有源图案110a和110b的缓冲层105上沉积氧化硅SiO2或者氮化硅SiNx，从而制备栅极绝缘膜127。
随后，将第一和第二栅极115a和115b形成在栅极绝缘膜127上。可通过使用溅射技术在栅极绝缘膜127上沉积金属膜，和通过第一光刻工艺图案化沉积的金属膜，从而制备第一和第二栅极115a和115b。金属膜可由铝Al、铝钕AlNd和钼或者其合金中的至少一种形成。
以覆盖第一和第二栅极115a和115b的方式在栅极绝缘膜127上形成层间绝缘膜130。可通过在提供有第一和第二栅极115a和115b的栅极绝缘膜127上沉积氧化硅SiO2或者氮化硅SiNx，从而制备层间绝缘膜130。
接着，在层间绝缘膜130和栅极绝缘膜127中形成部分暴露出第一和第二半导体有源图案110a和110b的接触孔。可经由第二光刻工艺，通过持续蚀刻层间绝缘膜130和栅极绝缘膜127来形成接触孔，所述接触孔对应于其中将要形成第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b的位置。
之后，在层间绝缘膜130上形成经由接触孔连接到第一和第二半导体有源图案110a和110b的第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b。通过使用CVD技术在层间绝缘膜130上沉积源／漏金属膜，和经由第三光刻工艺图案化所沉积的源／漏金属膜，从而形成第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b。源／漏金属膜可形成为单层或者叠层结构，可由钼Mo、铬Cr、铜Cu、其合金等形成。
同时，导电图案170形成在非显示区域NDA的GND接触区域内的层间绝缘膜130上。导电图案170将要电连接到外部接地源。
接着，以覆盖第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b的方式在层间绝缘膜130上形成钝化膜135。通过使用CVD技术在提供有第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b的层间绝缘膜130上沉积氧化硅SiO2和氮化硅SiNx中的一种，从而形成钝化膜135。替换地，可通过在提供有第四、第五、第六和第七电极120a、120b、125a和125b的层间绝缘膜130上涂覆有机材料来形成钝化膜135。
而且，经由第四光刻工艺通过图案化钝化膜135来形成第一和第二接触孔H1和H2。第一接触孔H1暴露出第七电极125b。第二接触孔H2暴露出形成在非显示区域NDA的GND接触区域内的导电图案170的一部分。
如图5中所示，平坦化膜140形成在钝化膜135上。可通过在钝化膜135上旋涂有机液体材料，诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂、丙烯酸酯或其他，并固化旋涂的有机材料，从而形成平坦化膜140。图案化所述平坦化膜140以暴露出与第一接触孔H1对应的第七电极125b。
随后，如图6中所示，在提供有平坦化膜140的基板100的整个表面上形成透明导电膜200。可使用溅射技术，通过在提供有平坦化膜140的基板100的整个表面上沉积透明导电材料，从而制备透明导电膜200。而且，透明导电膜200可由选自以下材料组中的一种材料形成，所述材料组包括氧化铟锡ITO、氧化锡TO、氧化铟锌IZO、氧化铟锡锌ITZO等。而且，可在覆盖有透明导电膜200的基板100上顺序形成图中未示出的银层和次级透明导电材料。
如图7中所示，经由第五光刻工艺，将透明导电膜200、银层和次级透明膜图案化为第二电极145和第一电极175。第二电极145设置在显示区域AA中，第一电极175设置在非显示区域NDA中。
第二电极145和第一电极175被形成为三层结构。
形成在显示区域AA中的第二电极145经由第一接触孔H1电连接到第七电极125b。
形成在非显示区域NDA内的第一电极175具有通过第五光刻工艺形成的至少一个第一开口H3。所述至少一个第一开口H3可包括彼此间隔固定间距的多个第一开口。
所述至少一个第一开口H3可形成为环形、菱形、和矩形中的一种形状，但是其不限于此。第一开口H3的尺寸取决于第一开口H3之间的距离。
设置在非显示区域NDA内的第一电极175经由第二接触孔H2电连接到非显示区域NDA的GND接触区域内的导电图案170。因此，第一电极175可用于传送接地电压GND。
如图8中所示，在提供有第二电极145和第一电极175的基板100上形成堤岸图案150。可通过在提供有第二电极145和第一电极175的基板100的整个表面上涂覆有机光阻材料，诸如聚酰亚胺、光刻胶或其他，和经由第六光刻工艺图案化涂覆的有机光阻材料，从而形成堤岸图案150。所述堤岸图案150用于界定发光单元。
之后，如图9中所示，在提供有堤岸图案150的基板100上顺序形成衬垫料（spacer）165和有机发光化合物层155。衬垫料165可由氧化硅SiO2或者氮化硅SiNx形成。有机发光化合物层155可形成在提供有衬垫料165的基板100上。而且，有机发光化合物层155包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。有机发光化合物层155设置在显示区域AA内的第二电极145上。
接下来，如图10中所示，在提供有有机发光化合物层155的基板100上形成第三电极160。可通过在提供有有机发光化合物层155的基板上完全沉积金属，诸如铝或其他，和通过第七光刻工艺图案化所沉积的金属，从而形成第三电极160。
第三电极160电连接到非显示区域NDA中的第一电极175。而且，第三电极160设置在显示区域AA内的有机发光化合物层155上。
以这种方式，本实施例的OLED显示器允许在非显示区域NDA中形成至少一个第一开口H3。这样，经由第一开口H3，来自非显示区域NDA中的平坦化膜140的出气材料能排出到非显示区域NDA内的堤岸图案150。
因此，本实施例的OLED显示器能够防止来自非显示区域NDA的出气材料移动向显示区域AA。因此，能够防止有机发光化合物层155劣化。结果，根据本实施例的OLED显示器能够增强可靠性。
图11是沿着图1中的线I-I'取得的根据本公开的另一实施例的OLED显示器的截面的截面图。图11的OLED显示器与上述显示器相似。这样，图11的OLED显示器与上述显示器相同的部件将用相同数字标记。而且，将省略图11的OLED显示器与上述显示器相同的部件的描述。
如图1和11中所示，另一实施例的OLED显示器被界定出用于显示图像的显示区域AA和包围显示区域AA的边缘的非显示区域NDA。
第一电极275形成在非显示区域AA中。而且，至少一个第一开口H3形成在第一电极275中。
此外，第二开口H4进一步形成在非显示区域NDA内。更具体地，第二开口H4形成在显示区域AA内的外部像素SP的第二电极145和非显示区域NDA内的第一电极275之间。
第二开口H4使第一电极275能够与显示区域AA内的外部像素的第二电极145分开固定距离A，例如分开至少一个像素。
以这种方式，在非显示区域NDA内形成第一开口H3和第二开口H4。这样，经由第一开口H3和第二开口H4，来自非显示区域NDA内的平坦化膜140的出气材料能够排出到非显示区域NDA内的堤岸图案150。
因此，另一实施例的OLED显示器能够防止来自非显示区域NDA的出气材料移动向显示区域AA。因此，能够防止有机发光化合物层155劣化。结果，根据本实施例的OLED显示器能够增强可靠性。
根据本公开的OLED显示器的结构不限于上述实施例。换句话说，根据本公开的OLED显示器可以包括在非显示区域内具有孔的任意阵列结构。
本领域技术人员应理解，在不脱离本公开的技术精神或实质特征的情况下可对本公开作出各种变化和修改。这样，本领域技术人员应当理解，上述实施例作为本公开的实例提供，但是本公开不限于这些实施例。因此，本公开的范围应当仅由所附的权利要求及其等价物限定。而且，应当认为源自限定在权利要求中的含义、范围及其等价概念的替换使用包括在本公开的范围内。

Claims (12)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
显示区域，界定在基板中且配置成显示图像；
非显示区域，界定成包括显示区域周界且配置成将信号施加到显示区域内的像素；
第一薄膜晶体管，形成在基板的非显示区域内；
第二薄膜晶体管，形成在基板的显示区域内；
平坦化膜，形成在第一和第二薄膜晶体管上方；
第一电极，形成在非显示区域中的平坦化膜上且配置成包括至少一个第一开口；
第二电极，形成在平坦化膜上且连接到第二薄膜晶体管的电极；
堤岸图案，形成在第二电极和第一电极上且配置成暴露出部分的第二电极，其中所述堤岸图案设置成与第一电极相邻；
有机发光层，形成在第二电极上；和
第三电极，形成在有机发光层上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述显示区域内的外部像素的第二电极借助于第二开口与所述非显示区域内的第一电极间隔一定距离。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述距离是单个像素宽度。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二电极和所述第一电极由相同材料形成且经由相同工艺形成。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二电极和所述第一电极的每一个包括：由氧化铟锡ITO、氧化锡TO、氧化铟锌IZO和氧化铟锡锌ITZO中的一种形成的透明电极；形成在透明电极上的银层；和形成在银层上的次级透明电极。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述非显示区域包括：其中形成了第一薄膜晶体管的电路区域；和位于电路区域外侧且用于接地连接的接地接触区域。
7.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
制备被界定成显示区域和非显示区域的基板，所述显示区域配制成显示图像，所述非显示区域位于显示区域外侧；
在基板的非显示区域和显示区域中分别形成第一和第二薄膜晶体管；
在提供有第一和第二薄膜晶体管的基板上形成平坦化膜，所述平坦化膜具有暴露出第二薄膜晶体管的一部分电极的第一接触孔；
在提供有第一接触孔的平坦化膜上形成第一电极和第二电极，所述第一电极包括至少一个第一开口且面对第一薄膜晶体管，所述第二电极连接到第二薄膜晶体管的电极；
在第一电极和第二电极上形成堤岸图案，所述堤岸图案中形成了暴露出部分的第二电极的开口，其中所述堤岸图案设置成与第一电极相邻；
在第二电极上形成有机发光层；和
在有机发光层上形成第三电极。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述显示区域内的外部像素的第二电极借助于第二开口与所述非显示区域内的第一电极间隔一定距离。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述距离是单个像素宽度。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述第二开口与第一开口同时形成。
11.如权利要求7所述的方法，其中所述第二电极和所述第一电极的每一个包括：由氧化铟锡ITO、氧化锡TO、氧化铟锌IZO和氧化铟锡锌ITZO中的一种形成的透明电极；形成在透明电极上的银层；和形成在银层上的次级透明电极。
12.一种有机发光二极管显示器，包括：
显示区域，界定在基板中且配置成显示图像；
非显示区域，界定成包括显示区域的周界且配制成将信号施加给显示区域内的像素；
第一薄膜晶体管，形成在基板的非显示区域内；
第二薄膜晶体管，形成在基板的显示区域内；
平坦化膜，形成在第一和第二薄膜晶体管上方；
第一电极，形成在非显示区域中的平坦化膜上且配置成引导来自平坦化膜的出气材料排出至堤岸图案；
第二电极，形成在平坦化膜上且连接到第二薄膜晶体管的电极；
堤岸图案，形成在第二电极和第一电极上且配置成暴露部分的第二电极，其中所述堤岸图案设置成与第一电极相邻；
有机发光层，形成在第二电极上；和
第三电极，形成在有机发光层上。
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