CN110729325A - 显示装置 - Google Patents

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许智惠
王淳祯
李恩朱
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Abstract

本公开涉及显示装置，显示装置包括：基板、晶体管层、多个分隔壁、发光元件以及间隔件，基板具有显示区域和位于显示区域的***处的非显示区域；晶体管层设置在基板上；多个分隔壁设置在显示区域中的晶体管层上；发光元件设置在分隔壁之间；并且间隔件配置为设置在基板的非显示区域中，其中，间隔件可包括设置在与分隔壁相同的层上并且设置在晶体管层的至少一部分上的间隔件主体。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月17日提交的第10-2018-0082807号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在本文中被充分地阐述一样。
技术领域
发明的示例性实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及能够在使用掩模的制造工艺期间防止显示装置损伤的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器的像素包括两个电极和***它们之间的有机发射层，其中，从作为两个电极之一的阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机发射层中复合以生成激子，并且所生成的激子释放能量以发光。
在制造工艺期间可通过使用掩模形成OLED显示器的有机发射层。然而，在定位掩模的工艺中显示装置和掩模彼此接触。这种接触导致显示装置被损伤。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，并因此，其可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施方式构造的显示装置能够通过使显示区域中的分隔壁间隔件和非显示区域中的间隔件之间的高度差最小化和/或调节显示区域中的分隔壁间隔件的密度相对于非显示区域中的间隔件的密度以防止诸如有机发光二极管的显示器在制造工艺期间被损伤。
发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可通过对发明构思的实践而习得。
根据发明的一个方面，显示装置包括：基板、晶体管层、多个分隔壁、发光元件以及间隔件，基板具有显示区域和位于显示区域的***处的非显示区域；晶体管层设置在基板上；多个分隔壁设置在显示区域中的晶体管层上；发光元件设置在分隔壁之间；并且间隔件设置在基板的非显示区域中，其中，间隔件可包括设置在与分隔壁相同的层上并且设置在晶体管层的至少一部分上的间隔件主体。
晶体管层可包括源电极和漏电极，并且间隔件可包括设置在与源电极和漏电极相同的层中的虚设电极。
晶体管层还可包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层，并且间隔件可包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层。
晶体管层还可包括涂覆源电极和漏电极的涂层，并且间隔件还可包括设置在虚设电极上的涂层。
晶体管层可包括设置在不同的层上的两个或更多个数据导体，并且间隔件可包括设置在不同的层上的两个或更多个数据导体。
在多个分隔壁中的一些分隔壁上可设置多个分隔壁间隔件。
多个分隔壁和多个分隔壁间隔件中的每个可由相同的材料形成并且彼此连接。
在所有分隔壁之中的设置分隔壁间隔件的分隔壁的比率可以是约10％至约20％。
间隔件的高度与分隔壁和分隔壁间隔件的高度之和的比率可以是约0.7至约1。
间隔件的高度可以是约3μm至约6μm。
间隔件可设置为与显示区域的边缘分开约150μm至约200μm。
间隔件主体可包括与分隔壁的材料相同的材料。
显示装置还可包括设置在非显示区域中的坝，并且间隔件可设置在坝和显示区域之间。
根据发明的另一方面，显示装置包括：基板、晶体管层、多个分隔壁、多个分隔壁间隔件、发光元件以及间隔件，基板具有显示区域和位于显示区域的***处的非显示区域；晶体管层设置在基板上；多个分隔壁设置在显示区域中的晶体管层上；多个分隔壁间隔件设置在多个分隔壁中的一些分隔壁上；发光元件设置在分隔壁之间；并且间隔件设置在基板的非显示区域中，其中，设置在非显示区域中的间隔件可以以高于布置设置在显示区域中的分隔壁间隔件的密度的密度布置。
设置在显示区域中的所有分隔壁之中的设置有分隔壁间隔件的分隔壁的比率可以是约10％至约20％。
设置在非显示区域中的间隔件的布置密度可以是设置在显示区域中的分隔壁间隔件的布置密度的约1.5至约3倍。
分隔壁和分隔壁间隔件可包括相同的材料，并且可彼此连接。
间隔件可包括设置在与分隔壁相同的层上并且设置在晶体管层的至少一部分上的间隔件主体。
晶体管层可包括源电极和漏电极，并且间隔件可包括设置在与源电极和漏电极相同的层中的虚设电极。
晶体管层还可包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层，并且间隔件还可包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层。
间隔件的高度与分隔壁和分隔壁间隔件的高度之和的比率可以是约0.5至约1。
根据发明的又一方面，显示装置包括：基板、晶体管层、多个分隔壁、多个分隔壁间隔件、发光元件以及多个间隔件，基板具有显示区域和位于显示区域的***处的非显示区域；晶体管层设置在基板上；多个分隔壁设置在显示区域中的晶体管层上；多个分隔壁间隔件设置在多个分隔壁中的一些分隔壁上；发光元件设置在分隔壁之间；并且多个间隔件设置在基板的非显示区域中，其中，间隔件可包括设置在与分隔壁相同的层上并且设置在晶体管层的至少一部分上的间隔件主体，并且间隔件以高于设置在显示区域中的分隔壁间隔件的密度的密度设置在非显示区域中。
设置在非显示区域中的间隔件的布置密度可以是设置在显示区域中的分隔壁间隔件的布置密度的约1.5至约3倍。
晶体管层可包括源电极和漏电极，并且间隔件可包括设置在与源电极和漏电极相同的层中的虚设电极。
间隔件的高度与分隔壁和分隔壁间隔件的高度之和的比率可以是约0.7至约1。
应理解，前面的一般性描述和下面的详细描述均是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
将附图包括在内以提供对发明的进一步理解，并且将附图并入且构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思。
图1是根据发明的原理所构造的显示装置的示例性实施例的示意性剖面图。
图2是根据发明的原理所构造的显示装置的另一示例性实施例的示意性剖面图。
图3是根据发明的原理所构造的显示装置的又一示例性实施例的示意性剖面图。
图4至图7是示出根据比较示例的当将掩模定位在显示装置中时分隔壁间隔件如何被损伤的图像和剖面图。具体地，图4是示出显示装置的显示区域的一部分的平面图的图像，图5是沿着图4的线A–A’截取的示意性剖面图，图6是示出显示装置的显示区域和非显示区域的一部分的平面图的图像，并且图7是沿着图6的线B–B’截取的示意性剖面图。
图8是实际被损伤的分隔壁间隔件的图像。
图9是根据图1的示例性实施例的显示装置中设置有掩模的结构的剖面图。
图10是根据图2的示例性实施例的显示装置中设置有掩模的结构的剖面图。
图11是根据比较示例的显示装置的图像。
图12是根据图2的示例性实施例的显示装置的图像。
图13是根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
图14是根据示例性实施例的显示装置的一个代表性像素的等效电路图。
图15是沿着图13的线XV-XV截取的示意性剖面图。
图16是示出根据比较示例的间隔件的堆叠结构的示意性剖面图。
图17至图19是根据示例性实施例的间隔件的各种堆叠结构的示意性剖面图。
图20是根据另一示例性实施例的显示装置中的与图15的剖面图类似的剖面图。
图21是根据另一示例性实施例的显示装置中的与图15的剖面图类似的剖面图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底的理解。如文中所使用的，“实施例”和“实施方式”是采用文中公开的一种或更多种发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，显而易见的，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实施各种示例性实施例。在其它情况下，为了避免不必要地混淆各种示例性实施例，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、配置和特性可在另一示例性实施例中使用或实施。
除非另有说明，否则所示出的示例性实施例将被理解为提供可事实上实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供为使相邻元件之间的边界清楚。因此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为“在”另一元件或层“上(on)”、“连接到(connected to)”或“联接到(coupled to)”另一元件或层时，该元件可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上(directly on)”、“直接连接到(directly connected to)”或“直接联接到(directly coupled to)”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为此目的，术语“连接(connected)”可指的是具有或不具有中间元件的物理的、电气的和/或流体的连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于诸如X轴、Y轴和Z轴的直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例的X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的，术语“和/或”包括所列相关项中的一个或更多个的任何和所有组合。
尽管文中可以使用术语“第一(first)”、“第二(second)”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
为了描述的目的，在文中可以使用诸如“在……之下(beneath)”、“在……下方(below)”、“在……下面(under)”、“下(lower)”、“在……上方(above)”、“上(upper)”、“在……之上(over)”、“更高的(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)等的空间相对术语，从而描述如图中所示的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方(below)”或“之下(beneath)”的元件将随后被取向为“在”其它元件或特征“上方(above)”。因此，示例性术语“在……下方(below)”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外取向(例如，旋转90度或者在其它方位处)，并因此，相应地解释文中使用的空间相对描述语。
文中使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而非旨在限制性的。如文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”、“所述(the)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含有(including)”时，指示存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的集群，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的集群。还注意的是，如文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”和其它类似术语用作近似术语而非程度术语，并因此，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
下文中，将参照附图详细描述根据发明的示例性实施例的显示装置。
图1是根据发明的原理所构造的显示装置的示例性实施例的示意性剖面图。参照图1，根据示例性实施例的显示装置包括显示区域DA和非显示区域NDA。为了方便，虽然示例性实施例将显示装置描述为有机发光二极管(OLED)显示器，但是发明的原理可适用于本领域技术人员将认识到的其它类型的显示装置。
显示区域DA包括：晶体管层TFT，晶体管层TFT设置在基板100上；多个发光元件，诸如有机发光元件70的多个发光元件设置在晶体管层TFT上；以及分隔壁190。在图1中，为了更好地理解和易于描述，晶体管层TFT被简单地示出为单层，但是如本领域中已知的，晶体管层TFT可以是包括栅电极、半导体层、源电极、漏电极、绝缘层等的多层结构。稍后将参照图15、图20和图21描述晶体管层TFT的具体示例性结构。类似地，图1的有机发光元件70包括像素电极、有机发射层和公共电极。稍后将参照图15、图20和图21描述有机发光元件70的具体示例性结构。
参照图1，分隔壁190设置在多个有机发光元件70之间。分隔壁间隔件195设置在分隔壁190的诸如顶部的一部分处。分隔壁间隔件195可由与分隔壁的材料相同的材料制成，并且当形成分隔壁190时，分隔壁间隔件195可通过使用半色调掩模(halftone mask)等通过单个工艺形成。即，分隔壁的一部分可向外突出以形成分隔壁间隔件195。
分隔壁间隔件195接触在形成有机发光元件70的有机发射层的工艺中使用的掩模。即，分隔壁间隔件195防止分隔壁190和掩模彼此直接接触。当分隔壁190和掩模彼此直接接触时，它们之间的接触面积为宽的，因此掩模和分隔壁190不容易分离，并且包括分隔壁190的各个层可在掩模分离工艺期间被分层。然而，通过将分隔壁间隔件195设置在分隔壁190中的一些分隔壁190处并且使分隔壁间隔件195和掩模直接接触，可减小分隔壁间隔件195和掩模之间的接触面积，从而促进掩模的分离。
分隔壁间隔件195仅设置在多个分隔壁190中的一些分隔壁190上。例如，分隔壁间隔件195可仅设置在十个分隔壁中的一个或两个分隔壁上。即，在显示区域DA中的分隔壁间隔件195的布置密度可以是10％至20％。在所示出的示例性实施例中，布置密度是通过将具有分隔壁间隔件195的分隔壁的数量除以所有分隔壁的数量所获得的值。
参照图1，间隔件SP设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA的间隔件SP以与显示区域DA的分隔壁间隔件195相同的方式接触掩模。
在发明的一些示例性实施例中，间隔件SP包括晶体管层TFT的至少一部分。即，间隔件SP包括通过与用于分隔壁190的工艺相同的工艺形成的间隔件主体193和晶体管层TFT，以便间隔件SP的高度大体上匹配分隔壁间隔件195的高度。
在比较示例的情况下，间隔件SP仅包括通过与用于分隔壁190的工艺相同的工艺形成的间隔件主体193。在此情况下，晶体管层TFT设置在分隔壁190的下部上，但是晶体管层TFT不设置在非显示区域NDA的间隔件SP的下部上。因此，显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度与非显示区域NDA的间隔件SP的高度不同。在所示出的示例性实施例中，分隔壁间隔件195的高度意指分隔壁间隔件195的最远突出部和基板100之间的最短距离。同样地，间隔件SP的高度意指间隔件SP的最远突出部和基板100之间的最短距离。
当显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度和非显示区域NDA的间隔件SP的高度不同时，在设置有用于形成有机发射层的掩模的工艺中，掩模被不平坦地设置。因此，应力集中设置在显示区域DA的边缘处的分隔壁间隔件195上。由于应力，设置在显示区域DA的边缘处的分隔壁间隔件195被按压或被损伤。对分隔壁间隔件195的损伤可导致设置在分隔壁间隔件195的下部处的另一层的分层(delamination)。
然而，参照图1，在根据示例性实施例的显示装置中，设置在非显示区域NDA中的间隔件SP包括形成在晶体管层TFT上的间隔件主体193。即，当绝缘层、数据线等设置在间隔件SP的下部上时，使得显示区域DA的分隔壁间隔件195和非显示区域NDA的间隔件SP之间的高度差最小化。间隔件SP可包括形成设置在显示区域DA中的晶体管层TFT的所有层，或者可仅包括晶体管层TFT中的一些晶体管层TFT。例如，间隔件SP可仅包括在其下部处的数据线。另外，间隔件SP可包括数据线和绝缘层，并且可包括形成显示区域的另一导电层，例如，栅极线或半导体层。例如，当显示区域DA包括设置在不同的层中的两个或更多个数据导体时，间隔件SP也可包括设置在不同的层中的两个或更多个数据导体。这可由本领域技术人员在使得显示区域DA的分隔壁间隔件195和非显示区域NDA的间隔件SP之间的高度差最小化的范围内适当地选择。
例如，非显示区域NDA的间隔件SP的高度可以是显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度的70％至100％。非显示区域NDA的间隔件SP的高度可以是约3μm至约6μm。
图2是根据发明的原理所构造的显示装置的另一示例性实施例的示意性剖面图。参照图2，在根据图2的示例性实施例的显示装置中，显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度和非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度是不同的。即，设置在非显示区域NDA的间隔件SP处的密度高于设置在显示区域DA的分隔壁间隔件195处的密度。非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度以与显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度相同的方式来定义。即，将非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度定义为在非显示区域NDA的总面积中形成间隔件SP的单位面积的比率。这里，单位面积可以是与显示区域DA的一个发光区域对应的面积。
例如，非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度可以是显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度的1.5倍至3倍。
在图2的示例性实施例中，间隔件SP不包括晶体管层TFT。间隔件SP仅包括间隔件主体193，使得非显示区域NDA的间隔件SP的高度和显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度是不同的。
例如，非显示区域NDA的间隔件SP的高度可以是显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度的50％至100％。
然而，在根据所示出的示例性实施例的显示装置中，当将掩模施加到其时出现的应力通过以具有高布置密度的配置设置在非显示区域NDA中的间隔件SP来分散。因此，可最小化或者防止设置在非显示区域NDA的边缘处的分隔壁间隔件195被损伤。
图3是根据发明的原理所构造的显示装置的又一示例性实施例的示意性剖面图。参照图3，根据所示出的示例性实施例的显示装置包括根据图1的示例性实施例的特征和根据图2的示例性实施例的特征。即，在根据图3的示例性实施例的显示装置中，非显示区域NDA的间隔件SP包括在其下部处的晶体管层TFT，并且具有高于显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度的布置密度。在此情况下，由于非显示区域NDA的间隔件SP的高度和显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度彼此类似，因此当施加掩模时，可使施加到设置在显示区域DA的边缘处的分隔壁间隔件195的应力最小化。另外，由于非显示区域NDA的间隔件SP以高于显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度的布置密度来设置，因此施加到显示区域DA的分隔壁间隔件195的应力被分散。因此，可有效防止由掩模对分隔壁间隔件195的损伤。
图4至图7是示出根据比较示例的当将掩模800定位在显示装置中时分隔壁间隔件195如何被损伤的图像和剖面图。具体地，图4是示出显示装置的显示区域的一部分的平面图的图像，图5是沿着图4的线A–A’截取的示意性剖面图，图6是示出显示装置的显示区域和非显示区域的一部分的平面图的图像，并且图7是沿着图6的线B–B’截取的示意性剖面图。
图4示出了显示装置的显示区域的图像，并且图5示出了由图4中的虚线指示的一部分的剖面图。参照图5，在显示区域DA中，分隔壁间隔件195设置在分隔壁190的一部分处。由于在显示区域DA中分隔壁间隔件195的高度基本上相同，因此稳定地设置掩模800。
图6示出了示出显示装置的显示区域和非显示区域两者的图像。在图6中，由明亮的菱形指示的部分是显示区域，并且由黑暗的菱形指示的部分是非显示区域。在图6中，将间隔件示出为黑色圆圈。图7示出了由图6中的虚线指示的部分的剖面图。
参照图7，非显示区域NDA的间隔件SP的高度低于显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度。这是因为诸如数据线的晶体管层的结构没有设置在非显示区域NDA下面。因此，如图7中所示，掩模800为倾斜角度的。在此情况下，应力集中在显示区域DA和非显示区域NDA之间的边界上，即，集中在设置在显示区域DA的边缘处的分隔壁间隔件195上。因此，分隔壁间隔件195受到压力的应力并且被损伤。
图8示出了实际被损伤的分隔壁间隔件195的图像。参照图8，能够看出，损伤的分隔壁间隔件195显得黑暗。当分隔壁间隔件195被损伤时，在分隔壁间隔件195下面的另一层被分层的可能性高。因此，如图8中所示，它被视为暗斑(dark spot)，其导致显示装置的故障。如图8中能够看出，分隔壁间隔件195的损伤主要出现在显示区域DA的边缘处，即，与非显示区域NDA相邻的部分处。这是因为由于显示区域DA的分隔壁间隔件195和非显示区域NDA的间隔件SP之间的高度差导致的应力集中在显示区域DA的边缘上。
然而，在如图1中所示的根据示例性实施例的显示装置中，非显示区域NDA的间隔件SP包括在其下部处的晶体管层TFT的至少一部分，并因此，非显示区域NDA的间隔件SP的高度和显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度类似。因此，没有出现由于分隔壁间隔件195和间隔件SP之间的高度差导致的应力，从而可防止在显示区域DA中对分隔壁间隔件195的损伤和下层的分层。
图9是在根据图1的示例性实施例的显示装置中设置有掩模800的结构的剖面图。参照图9，由于分隔壁间隔件195的高度和非显示区域NDA的间隔件SP的高度类似，因此由于掩模800导致的应力不集中在任何一点上。因此，可防止分隔壁间隔件195被损伤。
图10是在根据图2的示例性实施例的显示装置中设置有掩模800的结构的剖面图。参照图10，在所示出的示例性实施例中，分隔壁间隔件195的高度和间隔件SP的高度不同。这里，因为将间隔件SP以高布置密度密集地设置在非显示区域NDA中，所以由于分隔壁间隔件195和间隔件SP之间的高度差导致的应力被分散。因此，应力不集中在分隔壁间隔件195上，从而减小或防止损伤。
图11示出了根据比较示例的显示装置的图像，并且图12示出根据图2的示例性实施例的显示装置的图像。将图11与图12相比较，如与图11相比较的，图12示出将间隔件SP以高布置密度设置在非显示区域NDA中。如上所述，当在非显示区域中增加间隔件SP的布置密度时，因为将应力分散，所以可减小或防止显示区域DA的分隔壁间隔件195被损伤。
在下文中，将参照图13至图15描述根据示例性实施例的显示装置的具体结构。图13示出了根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图，并且图14示出了根据示例性实施例的显示装置的一个代表性像素的等效电路图。图15是沿着图13的线XV-XV截取的示意性剖面图。
参照图13，根据所示出的示例性实施例的显示装置包括用于显示图像的显示区域DA和位于显示区域的***处的非显示区域NDA。
非显示区域NDA包括其中设置有用于将信号传输到显示区域DA的驱动器600的驱动区域PA。在非显示区域NDA中设置有用于传输公共电压的公共电压传输线400以及用于传输驱动电压的驱动电压传输线500a和500b。然而，图13中所示的公共电压传输线400和驱动电压传输线500a和500b的布置仅是示例，但是本发明不限于此。
将参照图14和图15描述显示区域DA和非显示区域NDA的结构。
参照图14，根据示例性实施例的显示装置的显示区域DA包括多个信号线121、171和172，以及连接到多个信号线121、171和172的多个像素，并且多个像素以近似矩阵的形式布置。代表性像素PX被称为由图14中的多个信号线121、171和172划分的区域，并且是用于显示图像的最小单位。显示装置通过使用多个像素显示图像。
信号线包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的多个栅极线121、用于传输数据信号的多个数据线171以及用于传输驱动电压ELVDD的多个驱动电压线172。数据线171、驱动电压线172、数据导体以及栅极线121被称为栅极导体。
栅极线121基本上在行方向上延伸并且基本上彼此平行，并且数据线171和驱动电压线172的部分基本上在列方向上延伸并且基本上彼此平行。
像素PX包括开关薄膜晶体管Qs、驱动薄膜晶体管Qd、存储电容器Cst以及有机发光二极管(OLED)LD。一个像素PX还可包括薄膜晶体管和电容器，以补偿供应到有机发光二极管LD的电流。
开关薄膜晶体管Qs响应于施加到栅极线121的扫描信号以将施加到数据线171的数据信号传输到驱动薄膜晶体管Qd。驱动薄膜晶体管Qd输出根据施加在控制端和输出端之间的电压可变的输出电流ILD。电容器Cst对施加到驱动薄膜晶体管Qd的控制端的数据信号充电，并且当开关薄膜晶体管Qs关断时保持它。
有机发光二极管LD包括连接到驱动薄膜晶体管Qd的输出端的阳极和连接到公共电压ELVSS的阴极。有机发光二极管LD根据驱动薄膜晶体管Qd的输出电流ILD改变强度并发光，从而显示图像。
现在，将参照图15描述显示装置的层间结构(inter-layer structure)。
如上所述，显示装置包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示装置包括基板100，并且基板100是柔性的并且可包括彼此重叠的第一绝缘层100a和第二绝缘层100b。第一绝缘层100a和第二绝缘层100b可包括聚酰亚胺。然而，第一绝缘层100a和第二绝缘层100b不限于此，并且可包括耐热的、耐化学品的、耐磨的和柔性的其它材料。
基板100还可包括设置在第一绝缘层100a和第二绝缘层100b之间的第一屏障膜(barrier film)100c。第一屏障膜100c防止外部湿气和气体在第一绝缘层100a和第二绝缘层100b之间流入，并且防止第一绝缘层100a和第二绝缘层100b的变形。
基板100包括彼此重叠的第一绝缘层100a和第二绝缘层100b，因而即使与外部接触的第一绝缘层100a被损伤，也可防止基板100劣化。然而，基板100的结构仅是示例，并且基板100可以是包括柔性材料的单层。
在基板100上设置有缓冲层120。缓冲层120可包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的单层或者多层，并且防止诸如杂质或湿气的不必要的成分的渗透。
在第二绝缘层100b和缓冲层120之间可设置有第二屏障膜。
在显示区域DA的缓冲层120上设置有第一半导体层135。第一半导体层135可包括多晶硅或氧化物半导体。
第一半导体层135包括第一沟道区1355以及设置在第一沟道区1355的各自侧处的第一源区1356和第一漏区1357。第一半导体层135的第一沟道区1355可以是不掺杂杂质的区域，并且第一半导体层135的第一源区1356和第一漏区1357可以是掺杂导电杂质的区域。
在第一半导体层135上设置有栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以是包括硅酸四乙酯(TEOS)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者氮氧化硅(SiON)的单层，或者可以是包括上述材料的多层。
在栅极绝缘层140上设置有第一栅电极155。第一栅电极155与第一沟道区1355重叠。
第一栅电极155可以是单层或者多层，包括诸如铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、铜(Cu)、镍(Ni)或者它们的合金的低电阻材料，或者具有强的耐腐蚀性的材料。
在第一栅电极155上设置有第一层间绝缘层160。第一层间绝缘层160可以是包括原硅酸四乙酯(TEOS)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或者氮氧化硅(SiON)的单层，或者包括上述材料的多层。
第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140具有分别与第一源区1356和第一漏区1357重叠的第一源极接触孔166和第一漏极接触孔167。
在第一层间绝缘层160上设置有第一源电极173和第一漏电极175。另外，在非显示区域NDA的第一层间绝缘层160上设置有虚设电极177。虚设电极177可在与用于第一源电极173和第一漏电极175的工艺相同的工艺中形成，并且可具有与第一源电极173和第一漏电极175相同的厚度。另外，公共电压传输线400设置在非显示区域NDA的第一层间绝缘层160上。虚设电极177可设置在显示区域DA和公共电压传输线400之间。
虚设电极177可设置为与显示区域DA的边缘分开150μm至200μm。
第一源电极173和第一漏电极175分别通过第一源极接触孔166和第一漏极接触孔167连接到第一半导体层135的第一源区1356和第一漏区1357。
第一源电极173和第一漏电极175可由包括低电阻材料或强耐腐蚀性材料的单层或多层制成，该低电阻材料或强耐腐蚀性材料是诸如铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、铜(Cu)、镍(Ni)或它们的合金。虚设电极177和公共电压传输线400可以用与第一源电极173和第一漏电极175相同的层同时形成。
显示区域DA的第一半导体层135、第一栅电极155、第一源电极173以及第一漏电极175形成图14中所示的像素PX的驱动薄膜晶体管Qd。另外，包括在栅极驱动器等中的薄膜晶体管可设置在非显示区域NDA中。
在第一源电极173和第一漏电极175上设置有第二层间绝缘层180。类似于第一层间绝缘层160，第二层间绝缘层180可以是包括硅酸四乙酯(TEOS)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的单层，或者包括上述材料的多层。
第二层间绝缘层180设置与第一漏电极175重叠的接触孔82。在与公共电压传输线400重叠的区域处去除第二层间绝缘层180，使得大部分公共电压传输线400不与第二层间绝缘层180重叠，并且仅公共电压传输线400的一部分边缘可与第二层间绝缘层180重叠。然而，所有公共电压传输线400可不与第二层间绝缘层180重叠。
在第二层间绝缘层180上设置有像素电极710。像素电极710可以是图14的有机发光二极管的阳极。在所示出的示例性实施例中，第二层间绝缘层180设置在像素电极710和第一漏电极175之间，然而，它可设置在与像素电极710和第一漏电极175相同的层上，并且可与第一漏电极175一体形成。
在像素电极710上形成有分隔壁190。分隔壁190设置有与像素电极710重叠的开口197。分隔壁190可包括聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、硅基无机材料等。分隔壁190的一部分向上突出以形成分隔壁间隔件195。对分隔壁间隔件195的描述与以上所述基本相同。将省略对于相同构成元件的详细描述以避免重复。即，分隔壁间隔件195可在与用于分隔壁190的工艺相同的工艺中形成，并且可通过使用半色调掩模等以具有比分隔壁190更突出的高度。分隔壁间隔件195形成在分隔壁190的一部分上，因而可减小或防止当定位掩模时分隔壁190被损伤。
通过与用于分隔壁190的工艺相同的工艺形成的间隔件主体193设置在非显示区域NDA中。间隔件主体193通过与用于分隔壁190的工艺相同的工艺形成，因而它可包括与分隔壁190相同的材料。间隔件主体193的厚度(即，高度)可与分隔壁190和分隔壁间隔件195的厚度(即，高度)之和相同。
间隔件主体193可设置为与虚设电极177重叠。如在图15中能够看出，间隔件主体193、虚设电极177、第二层间绝缘层180、第一层间绝缘层160、栅极绝缘层140、缓冲层120等可形成间隔件SP。
由于间隔件SP在其下部处包括虚设电极177，因此它具有与显示区域DA的分隔壁间隔件195类似的高度。即，由于与设置在显示区域DA的分隔壁间隔件195下面的第一源电极173和第一漏电极175对应的虚设电极177设置在间隔件SP下面，因此可使显示区域DA的分隔壁间隔件195和非显示区域NDA的间隔件SP之间的高度差最小化。
间隔件SP可设置在显示区域DA和公共电压传输线400之间。间隔件SP可设置为与显示区域的边缘分开约150μm至约200μm。
在分隔壁190的开口197中设置有有机发射层720。
有机发射层720可由多个层制成，多个层包括发射层以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的一个或更多个。在有机发射层720包括所有层的情况下，空穴注入层设置在作为阳极的像素电极710上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层以及电子注入层可依次堆叠在空穴注入层上。
在分隔壁190和有机发射层720上设置有公共电极730。公共电极730可以是有机发光元件的阴极。因此，像素电极710、有机发射层720以及公共电极730形成有机发光元件70。
有机发光二极管显示器可根据有机发光元件70发光的方向而具有正面显示型、背面显示型和双面显示型之中的任何一种结构。
公共电极730可设置在包括显示区域DA和非显示区域NDA的基板100的整个表面上，并且接触非显示区域NDA的公共电压传输线400以接收公共电压。
在非显示区域NDA的公共电压传输线400外部设置有坝(dam)D1。坝D1可由绝缘层和附加绝缘层199形成，绝缘层由与设置在显示区域DA中的第二层间绝缘层180和分隔壁190相同的层形成。通过附加绝缘层199，坝D1可具有高的高度，这可防止有机材料在形成有机封装层等的工艺期间流动。坝D1设置为比间隔件SP距离显示区域DA更远，并且坝D1的高度可高于间隔件SP的高度。即，由于坝D1和间隔件SP均包括由与第一层间绝缘层160、第二层间绝缘层180和分隔壁190相同的层所形成的层，因此它们的结构有些类似，但是它们的功能是不同的。即，间隔件SP具有与显示区域DA的分隔壁间隔件195类似的高度，并且在该工艺中支撑掩模。然而，坝D1具有高于显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度，并且防止有机材料流动。
在公共电极730上设置有封装层80。封装层80可通过交替堆叠至少一个无机层和至少一个有机层来形成，并且可提供多个无机层或者多个有机层。
在所示出的示例性实施例中，封装层80包括第一无机封装层810和第二无机封装层820以及设置在第一无机封装层810和第二无机封装层820之间的有机封装层830。
在封装层80上设置有诸如触摸部、偏振器等的附加板90，并且在封装层80和附加板90之间可设置有粘合层900。
虽然在图15中仅将虚设电极177示出为设置在间隔件SP下面，但是还可将设置在显示区域DA的晶体管中的另一结构包括在间隔件SP下面。即，还可包括半导体层135、栅电极155等。另外，当显示区域DA包括设置在不同的层中的两个或更多个源电极时，可将设置在不同的层中的两个或更多个源电极包括在非显示区域NDA的间隔件SP下面。
图16是示出根据比较示例的间隔件SP的堆叠结构的示意性剖面图。
图17至图19是根据示例性实施例的间隔件SP的各种堆叠结构的示意性剖面图。
参照图16，根据比较示例的间隔件SP包括第一层间绝缘层160、第二层间绝缘层180以及间隔件主体193。即，由于在间隔件SP的下部中不包括虚设电极177或任何其它晶体管层的结构，因此显示区域DA的分隔壁间隔件195的高度和非显示区域NDA的间隔件SP的高度彼此不同。
图17至图19是根据各种示例性实施例的间隔件SP的堆叠结构的剖面图。
参照图17，根据示例性实施例的间隔件SP可包括第一层间绝缘层160、虚设电极177、第二层间绝缘层180以及间隔件主体193。另外，间隔件SP还可包括在第一层间绝缘层160下面的缓冲层120、栅极绝缘层140等。
参照图18，根据示例性实施例的间隔件SP可包括虚设电极177、涂覆显示区域的源电极的侧表面和漏电极的侧表面的涂层181、第一层间绝缘层160、第二层间绝缘层180以及间隔件主体193。参照图18，虚设电极177设置在间隔件SP的下部处，并且第一层间绝缘层160和第二层间绝缘层180设置为与虚设电极177重叠。在非显示区域NDA的间隔件SP中，虚设电极177、第一层间绝缘层160以及第二层间绝缘层180的堆叠顺序可根据显示区域DA的堆叠顺序而改变。即，当源电极等设置在显示区域DA中的第一层间绝缘层160下面时，虚设电极177可设置在非显示区域NDA的间隔件SP中的第一层间绝缘层160下面。
涂层181是围绕显示区域DA中的源电极和漏电极的层。涂层181可涂覆源电极的侧表面和漏电极的侧表面。非显示区域NDA的间隔件SP可包括涂层181。
图19示出根据另一示例性实施例的间隔件SP。参照图19，根据所示出的示例性实施例的间隔件SP包括设置在不同的层处的虚设电极177和辅助虚设电极176。即，参照图19，虚设电极177、涂层181、第一层间绝缘层160、辅助虚设电极176、第二层间绝缘层180以及间隔件主体193依次堆叠。辅助虚设电极176可设置在与显示区域DA中的ELVDD线相同的层上。即，当堆叠显示区域DA的ELVDD线时，辅助虚设电极176可通过与用于ELVDD线的工艺相同的工艺形成。
图17至图19的示例性实施例仅是示例，并且间隔件SP的堆叠结构不限于此。即，间隔件SP可适当地包括显示区域DA的全部或一部分堆叠结构。
在下文中，将参照附图描述根据另一示例性实施例的显示装置。
图20是在根据另一示例性实施例的显示装置中的与图15的剖面图类似的剖面图。参照图20，除了间隔件SP的堆叠结构和布置密度之外，根据所示出的示例性实施例的显示装置与图15的示例性实施例的显示装置基本上相同。将省略对于相同构成元件的详细描述以避免重复。
参照图20，在根据所示出的示例性实施例的显示装置中，虚设电极不设置在间隔件SP的下部处。然而，在根据所示出的示例性实施例的显示装置中，显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度低于非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度。即，显示区域DA的分隔壁间隔件195设置在十个分隔壁190中的一个或两个上，而非显示区域NDA的间隔件SP可以以更高的布置密度来设置。例如，非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度可以是显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度的1.5至3倍。
当非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度高时，可防止应力集中在如图10中所示的显示区域DA的边缘的分隔壁间隔件195上。
图21是在根据另一示例性实施例的显示装置中的与图15的剖面图类似的剖面图。参照图21，除了间隔件SP的布置密度之外，根据所示出的示例性实施例的显示装置与图15的示例性实施例的显示装置基本上相同。将省略对于相同构成元件的详细描述以避免重复。
参照图21，根据所示出的示例性实施例的显示装置的间隔件SP包括间隔件主体193和与间隔件主体193重叠的虚设电极177。在此情况下，非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度高于显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度。即，根据图21的示例性实施例的显示装置是图15的显示装置和图20的显示装置的结合。即，根据图3的示例性实施例的显示装置的具体结构对应于图21的显示装置。参照图21，由于根据所示出的示例性实施例的显示装置包括设置在间隔件SP的下部处的虚设电极177，因此使间隔件SP和分隔壁间隔件195之间的台阶最小化。另外，由于非显示区域NDA的间隔件SP的布置密度高于显示区域DA的间隔件SP的布置密度，因此可防止应力集中在设置在显示区域DA的边缘处的分隔壁间隔件195上。
如上所述，在根据示例性实施例的显示装置中，在非显示区域NDA的间隔件SP的下部中包括晶体管层TFT的一部分或全部结构。因此，可使显示区域DA的分隔壁间隔件195和非显示区域NDA的间隔件SP之间的台阶最小化，并且使施加到显示区域DA的分隔壁间隔件195的应力最小化。另外，在根据一些示例性实施例的显示装置中，以高于显示区域DA的分隔壁间隔件195的布置密度密集地设置非显示区域NDA的间隔件SP。因此，可使施加到显示区域DA的分隔壁间隔件195的应力分散。
尽管文中已经描述了特定示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和修改从该描述中将是显而易见的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求的更宽范围以及对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板具有显示区域和位于所述显示区域的***处的非显示区域；
晶体管层，所述晶体管层设置在所述基板上；
多个分隔壁，所述多个分隔壁设置在所述显示区域中的所述晶体管层上；
发光元件，所述发光元件设置在所述分隔壁之间；以及
间隔件，所述间隔件设置在所述基板的所述非显示区域中，
其中，所述间隔件包括设置在与所述分隔壁相同的层上并且设置在所述晶体管层的至少一部分上的间隔件主体。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述晶体管层包括源电极和漏电极，并且
所述间隔件包括设置在与所述源电极和所述漏电极相同的层中的虚设电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述晶体管层还包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层，
所述间隔件还包括所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层，
所述晶体管层还包括涂覆所述源电极和所述漏电极的涂层，并且
所述间隔件还包括设置在所述虚设电极上的所述涂层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述晶体管层包括设置在不同的层上的两个或更多个数据导体，并且
所述间隔件包括设置在不同的层上的两个或更多个数据导体。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述多个分隔壁中的一些分隔壁上设置多个分隔壁间隔件，并且
所述多个分隔壁和所述多个分隔壁间隔件中的每个由相同的材料形成并且彼此连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
在所有所述分隔壁之中的设置有所述分隔壁间隔件的所述分隔壁的比率是10％至20％。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述间隔件的高度与所述分隔壁和所述分隔壁间隔件的高度之和的比率是0.7至1。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述间隔件的所述高度是3μm至6μm。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述间隔件设置为与所述显示区域的边缘分开150μm至200μm。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述间隔件主体包括与所述分隔壁的材料相同的材料。
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