CN102652394B - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

SAW装置(1)具有：基板(3)；设于基板(3)的第一主面(3a)的SAW元件(10)；设于第一主面(3a)且与SAW元件(10)连接的第一配线(中间配线(29)及输出侧配线(31))；层叠于第一配线的绝缘体(21)；层叠于绝缘体(21)并与第一配线构成立体配线部(39)的第二配线(第二接地配线(33b)及第三接地配线(33c))；密封SAW元件(10)及立体配线部(39)的盖体(5)。在第一主面(3a)与盖体(5)之间形成有不收容SAW元件(10)但收容立体配线部(39)的配线空间(53)。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及弹性表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)装置或压电薄膜共振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波装置。
背景技术
已知具有压电基板、设于压电基板的弹性波元件、密封弹性波元件的盖体的弹性波装置。在狭义的SAW装置中，在压电基板与盖体之间为了使弹性波元件的振动容易化而形成有收容弹性波元件的振动空间。专利文献1公开了形成有两个振动空间的弹性波装置。
在压电基板上还设有与弹性波元件连接的多个配线。多个配线中存在形成得比弹性波元件的厚度厚的部分。当在这样厚度比较厚的部分上层叠盖体时，有可能容易产生基板与盖体的间隙或发生盖体从基板的剥落。
因而，即便在配线上设有厚度厚的部分的情况下，也优选提供能够抑制盖体从基板剥落或盖体与基板产生间隙的可靠性高的弹性波装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006/106831号小册子
发明内容
作为本发明的一实施方式的弹性波装置具有：基板；位于所述基板的主面的弹性波元件；位于所述主面且与所述弹性波元件连接的第一配线；位于所述第一配线上的绝缘体；位于所述绝缘体上，且至少具有一个经由所述绝缘体而与所述第一配线立体交叉的立体配线部的第二配线；在与所述主面之间将所述弹性波元件及所述立体配线部密封的盖体，在所述主面与所述盖体之间配置有***述立体配线部的配线空间。
根据由所述的结构构成的弹性波装置，即便在设有厚度比弹性波元件更厚的立体配线部的情况下，由于在压电基板的主面与盖体之间形成有收容立体配线部的配线空间，因此，盖体不会层叠在厚度较厚的立体配线部上，从而能够抑制盖体从基板剥落或者基板与盖体之间产生间隙。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的SAW装置的外观立体图。
图2是将一部分切断所示的图1的SAW装置的概略立体图。
图3是表示图1的SAW装置中的配线结构的示意性俯视图。
图4是图3的IV-IV线的剖视图。
图5(a)至图5(d)是说明图1的SAW装置的制造方法的、相当于图4的剖视图。
图6(a)至图6(c)是表示图5(d)的后续的剖视图。
图7(a)至图7(c)是表示图6(c)的后续的剖视图。
图8是第二实施方式所涉及的SAW装置的示意性俯视图。
图9是第三实施方式所涉及的SAW装置的示意性俯视图。
图10是第四实施方式所涉及的SAW装置的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式所涉及的弹性表面波装置(SAW装置)进行说明。需要说明的是，在以下的说明中所采用的图为示意性的图，附图中的尺寸比例等未必与现实的结构一致。
另外，在第二实施方式以后，对于与已经说明的实施方式相同或类似的结构，标以与已经说明的实施方式相同的标号，而省略说明。
对于标号相同或类似的结构，如“第一端子7A～第六端子7F”等那样，标以大写字母的附加标号。另外，在这种情况下，也存在仅仅称为“端子7”等这样省略名称头的编号及所述的附加标号的情况。
<第一实施方式>
(SAW装置的结构)
图1是本发明的第一实施方式所涉及的SAW装置1的外观立体图。
SAW装置1由所谓的晶片级封装(WLP)形的SAW装置构成。SAW装置1具有基板3、固定于基板3的盖体5、从盖体5露出的第一端子7A～第六端子7F。
SAW装置1经由多个端子7中的任一个而输入信号。所输入的信号被SAW装置1过滤。并且，SAW装置1经由多个端子7中的任一个将过滤后的信号输出。SAW装置1例如在如下状态下被安装：在使盖体5侧的面与未图示的电路基板等的安装面对置并载置于该安装面的状态下进行树脂密封，由此将端子7连接于安装面上的端子。
基板3由压电基板构成。具体而言，例如，基板3是钽酸锂单晶、铌酸锂单晶等的具有压电性的长方体状的单晶基板。基板3具有第一主面3a和其背面侧的第二主面3b。基板3的平面形状可适当设定，例如是使规定方向(Y方向)为长边方向的矩形。基板3的尺寸可适当设定，例如是厚度为0.2mm～0.5mm、一边的长度为0.5mm～2mm。
盖体5设置成覆盖第一主面3a。盖体5的平面形状例如与基板3的平面形状相同，在本实施方式中是使Y方向为长边方向的矩形状。盖体5例如具有与第一主面3a大致同等的面积，覆盖第一主面3a的大致整个表面。
多个端子7从盖体5的上表面(与基板3相反侧的面)露出。多个端子7的数量及配置位置基于SAW装置1的内部的电路的结构而适当设定。在本实施方式中，六个端子7沿着盖体5的外周排列。
图2是将盖体5的一部分切断表示的SAW装置1的立体图。
盖体5具有：层叠于第一主面3a的框部15；层叠于框部15的盖部17。在框部15形成有多个开口。通过该开口由盖部17闭塞，由此在第一主面3a与盖体5之间形成有第一振动空间51A、第二振动空间51B、第一配线空间53A及第二配线空间53B。
框部15由大致恒定厚度的层构成。框部15的厚度(振动空间51或配线空间53的高度)例如是几μm～30μm。盖部17由大致恒定厚度的层构成。盖部17的厚度例如是几μm～30μm。
框部15及盖部17例如由感光性的树脂形成。感光性的树脂例如是通过丙烯基或者甲基丙烯基等的自由基聚合所固化而成的、聚氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、环氧丙烯酸酯系的树脂。
框部15及盖部17可以由相同的材料形成，也可以由互不相同的材料形成。在本申请中，为了便于说明，明示出框部15和盖部17的边界线，但在现实的产品中，框部15和盖部17可以由相同材料形成而一体形成。
端子7竖立设置在第一主面3a上，且经由形成于盖体5的贯通孔5h而露出在盖体5的上表面。端子7具有：被填充在贯通孔5h中的柱状部7a；从贯通孔5h露出的凸台7b。凸台7b具有层叠于盖体5的上表面的凸缘。
图3是表示基板3的第一主面3a中的配线结构的示意性俯视图。需要说明的是，在图3中由双点划线表示振动空间51及配线空间53的范围。
在第一主面3a设有用于过滤信号的SAW共振器10A及SAW过滤器10B(以下，称之为“SAW元件10”，往往对这些构件不进行区别)。
SAW共振器10A例如具有：IDT(InterDigital Transduce)电极11A；配置在IDT电极11A的、弹性表面波的传播方向(X方向)两侧上的两个反射器12A。
SAW过滤器10B例如由纵向耦合双模式SAW过滤器构成。即，SAW过滤器10B具有：多个(例如五个)IDT电极11B；配置在多个IDT电极11B的、弹性表面波的传播方向(X方向)两侧上的两个反射器12B。
IDT电极11由一对电极构成。该一对电极具有沿弹性表面波的传播方向(X方向)延伸的汇流条11a和从汇流条11a向与所述传播方向正交的方向(Y方向)伸展的多个电极指11b，且配置成电极指11b相互啮合。而且，图3是示意图，故电极指11b以比实际的数量少的数量示出。
另外，在第一主面3a设有与第一端子7A～第六端子7F连接的第一焊盘13A～第六焊盘13F。焊盘13设置在端子7的正下方。
进而，在第一主面3a设有用于将SAW元件10及焊盘13相互连接的多个配线(27等)。配线结构基于端子7或SAW元件10的位置及结构等而形成适当的结构。图3例示出以下构成的配线结构。
第四端子7D是被输入信号的端子，其通过输入侧配线27而与SAW共振器10A连接。SAW共振器10A与SAW过滤器10B通过三根中间配线29而相互连接。第三端子7C及第六端子7F是输出信号的端子，其通过两根输出侧配线31而与SAW过滤器10B连接。
第一端子7A、第二端子7B及第五端子7E例如是被赋予基准电位的端子，相互连接且与SAW过滤器10B连接。
具体而言，第一端子7A与第二端子7B通过第一接地配线33a而连接。第二端子7B与第五端子7E通过第二接地配线33b而连接。第二接地配线33b在两个部位分支，其分支部分与SAW过滤器10B连接。另外，第二端子7B与第五端子7E通过第三接地配线33c而连接。第三接地配线33c在三个部位分支，其分支部分与SAW过滤器10B连接。
此处，多个中间配线29与第二接地配线33b经由绝缘体21而立体交叉，构成多个第一立体配线部39A。同样地，多个输出侧配线31与第三接地配线33c经由绝缘体21立体交叉，构成多个第二立体配线部39B。立体配线部的厚度比SAW元件10的厚度大。
多个第一立体配线部39A相对于SAW共振器10A及SAW过滤器10B位于弹性波的传播方向的侧方(Y方向)，且沿着传播方向(X方向)设置多个。换而言之，多个第一立体配线部39A配置在相对于SAW共振器10A的弹性波的传播方向正交的方向侧的SAW共振器10A的旁边。同样地，多个第二立体配线部39B相对于SAW过滤器10B位于弹性波的传播方向的侧方，且沿着传播方向设置多个。
振动空间51收容SAW元件10但不收容立体配线部39。另外，配线空间53不收容SAW元件10但收容立体配线部39。即，振动空间51与配线空间53被隔离。换而言之，SAW元件10及立体配线部39分别被收容在独立的空间内。
具体而言，第一振动空间51A收容SAW共振器10A，第二振动空间51B收容SAW过滤器10B。第一配线空间53A收容全部多个第一立体配线部39A，第二配线空间53B收容全部多个第二立体配线部39B。
振动空间51例如形成为将SAW的传播方向(X方向)作为长边方向的长方形状。另外，振动空间51形成为六边形。配线空间53例如形成为将SAW的传播方向(X方向)作为长边方向的长方形状。另外，配线空间53形成为长圆(椭圆)。换而言之，配线空间53中长边方向的端部形成为半圆状。
第一振动空间51A、第一配线空间53A、第二振动空间51B及第二配线空间53B依次沿着与SAW的传播方向正交的方向(Y方向、盖体5的长边方向、各空间的短边方向)排列。
振动空间51和配线空间53被介于两空间之间的第一主分隔壁55A～第三主分隔壁55C(图2)分隔，且被气密遮断。换而言之，振动空间51及配线空间53被独立密闭。主分隔壁55沿着SAW的传播方向(X方向、盖体5的短边方向、各空间的长边方向)延伸。
图4是图3的IV-IV线中的剖视图。
在第一主面3a上，依次层叠有第一导电层19、保护层25、绝缘体21及第二导电层23。
第一导电层19是关于第一主面3a上的电路元件或配线等结构的基本层。具体而言，第一导电层19构成了SAW元件10、焊盘13、输入侧配线27、中间配线29、输出侧配线31及第一接地配线33a。第一导电层19例如通过Al-Cu合金等Al合金来形成，其厚度例如为100nm～200nm。
如上所述，绝缘体21是配置在立体交叉的配线间的结构。绝缘体21例如通过感光性的树脂(例如聚酰亚胺)来形成，其厚度例如为1μm～3μm。
第二导电层23是在被赋予不同电位的配线彼此不得不立体交叉的部位，经由绝缘体21而层叠形成在第一导电层19以构成配线的一部分的层。具体而言，第二导电层23构成了第二接地配线33b及第三接地配线33c。第二导电层23例如通过金、镍、铬来形成。第二导电层23以在由绝缘体21产生的台阶的作用下而不断线的方式例如形成为比第一导电层19厚，其厚度例如为1μm～2μm。
保护层25是有助于SAW元件10的氧化防止等的结构。保护层25例如通过具有绝缘性的材料来形成。例如，保护层25通过氧化硅(SiO2等)、氮化硅、硅等来形成。保护层25的厚度例如为第一导电层19的厚度的1/10左右(10nm～30nm)，或者为第一导电层19的厚度的同等以上(100nm～300nm)。
(SAW装置的制造方法)
图5(a)～图7(c)是说明SAW装置1的制造方法的、相当于图4的剖视图。制造工序从图5(a)至图7(c)依次进行。
以下说明的工序在所谓的晶片工艺中来实现。即，通过分割而将作为基板3的母基板作为对象，对其进行薄膜形成或光刻法等，之后，通过切割而并行形成多个SAW装置1。其中，在图5(a)～图7(c)中，仅图示出与一个SAW装置1对应的部分。另外，导电层或绝缘层等伴随工艺的进行而形状变化，但在变化的前后采用共同的标号。
如图5(a)所示，首先，在基板3的第一主面3a上形成第一导电层19。具体而言，首先，通过溅射法、蒸镀法或CVD(Chemical VaporDeposition)法等薄膜形成法，在第一主面3a上形成作为第一导电层19的金属层。接着，通过采用了缩小投影曝光机(步进曝光装置)和RIE(Reactive Ion Etching)装置的光刻法等，对金属层进行构图。通过构图而形成SAW元件10、焊盘13、输入侧配线27、中间配线29、输出侧配线31及第一接地配线33a。即，形成第一导电层19。
若形成第一导电层19，则如图5(b)所示，形成保护层25。具体而言，首先，通过CVD法或蒸镀法等薄膜形成法来形成作为保护层25的薄膜。接着，以使第一导电层19中的构成焊盘13的部分露出的方式，通过光刻法将薄膜的一部分除去。由此，形成保护层25。
若形成保护层25，则如图5(c)所示，形成绝缘体21。具体而言，首先，通过CVD法或蒸镀法等薄膜形成法来形成作为绝缘体21的薄膜。然后，保留作为立体配线部39的区域，通过光刻法将薄膜的一部分除去。
若形成绝缘体21，则如图5(d)所示，形成第二导电层23。具体而言，与第一导电层19同样地，进行金属层的形成及构图。由此，形成第二接地配线33b及第三接地配线33c。
若形成第二导电层23，则如图6(a)所示，形成作为框部15的薄膜。例如，通过贴附由感光性树脂形成的膜来形成薄膜，或者通过与保护层25同样的薄膜形成法来形成薄膜。
若形成作为框部15的薄膜，则如图6(b)所示，通过光刻法等将薄膜的一部分除去，而形成构成振动空间51及配线空间53的开口及贯通孔5h的下部。即，由薄膜形成框部15。
若形成框部15，则如图6(c)所示，形成作为盖部17的薄膜。例如通过贴附感光性树脂的膜来形成薄膜。然后，通过形成薄膜而将框部15的开口闭塞，从而构成振动空间51及配线空间53。
若形成作为盖部17的薄膜，则如图7(a)所示，通过光刻法等将薄膜的一部分除去，而形成贯通孔5h的上部。即，由薄膜形成盖部17。
若形成盖部17，则如图7(b)所示，依次形成镀敷衬底层35及抗蚀层41。镀敷衬底层35遍及盖体5的上表面及贯通孔5h的内部而形成。镀敷衬底层35例如由将Ti与Cu层叠的结构构成，通过溅射法来形成。
抗蚀层41以在贯通孔5h及其周围使镀敷衬底层35露出的方式形成。需要说明的是，例如，利用旋涂等形成感光性树脂的薄膜，并利用光刻对该薄膜进行构图，由此形成抗蚀层41。
若形成抗蚀层41，则如图7(c)所示，通过电镀处理在镀敷衬底层35的露出部分析出金属37。金属37例如为Cu。金属37析出得比盖体5的上表面高。
之后，将镀敷衬底层35的由抗蚀层41被覆的部分及抗蚀层41除去。由此，形成包括镀敷衬底层35及金属37的端子7。需要说明的是，在图4中，省略了镀敷衬底层35及金属37的图示。端子7的从盖体5的露出面也可以由镍及金等来构成。
根据以上的实施方式，SAW装置1具有：基板3；设于基板3的第一主面3a的SAW元件10；设于第一主面3a，并与SAW元件10连接的第一配线(中间配线29及输出侧配线31)；层叠于第一配线的绝缘体21；层叠于绝缘体21，并与第一配线构成立体配线部39的第二配线(第二接地配线33b及第三接地配线33c)；密封SAW元件10及立体配线部39的盖体5。在第一主面3a与盖体5之间形成有收容SAW元件10但不收容立体配线部39的振动空间51和不收容SAW元件10但收容立体配线部39的配线空间53。
因而，在形成有比较大的台阶的立体配线部39上不层叠盖体5，可抑制盖体5从第一主面3a的剥落或盖体5与第一主面3a的间隙的产生。
在仅考虑到盖体5从第一主面3a的剥落的抑制效果或者盖体5与第一主面3a的间隙的产生的抑制效果的情况下，也可以使配线空间和振动空间一体化而将SAW元件10及立体配线部39收容在一个空间内，不过，如实施方式所示的SAW装置1那样，只要将收容SAW元件10的振动空间51和收容立体配线部39的配线空间53隔离且独立地形成，就可减小各空间的平面的面积，抑制盖部17的挠曲变形。
另外，本申请发明者制作出将SAW元件10与立体配线部39收容在一个空间的SAW装置和将它们收容在不同的空间的SAW装置并进行了电气特性的比较，此时，确认到将SAW元件10与立体配线部39收容在不同的空间的SAW装置在电气特性上优越。如此电气特性显现出差别的原因在于，在立体配线部39的周边，与第一主面3a上的其他位置相比，容易聚集氯·硫磺等腐蚀性物质，在将SAW元件10与立体配线部39收容在相同的空间时，该腐蚀性物质对SAW元件影响很大，相对于此，在将SAW元件10与立体配线部39收容在不同的空间且将这些空间隔离时，将腐蚀性物质关入配线空间53中，从而能够抑制腐蚀性物质对SAW元件10的影响。
更具体而言，SAW元件10与配线相比形成为细微的图案，SAW元件10的腐蚀与第二配线(第二接地配线33b及第三接地配线33c)的腐蚀相比，对SAW装置1的电气特性的影响大。因而，可认为是，通过将腐蚀性物质关入配线空间53，而使SAW元件10的腐蚀抑制优先于第二配线的腐蚀抑制，从而使SAW装置1的电气特性稳定化。综上，优选振动空间51与配线空间53以气密遮断的方式隔离地形成。
需要说明的是，在立体配线部39的周边，氯·硫磺等腐蚀性物质容易聚集的理由并不明确，但是，例如可认为原因是，对第二导电层23进行构图时的光致抗蚀剂(硫磺)因立体配线部39的台阶未被完全除去而残留等。
配线空间53在第一主面3a的俯视下形成为大致椭圆状。尤其是，配线空间53的端部在主面3a的俯视下形成为大致半圆状。换而言之，配线空间53的端部朝向外侧呈凸状弯曲。通过将配线空间53形成为这样的形状，从而在构成配线空间的端部的盖体5的内壁难以产生应力集中，使盖体5的强度变得更高。
振动空间51形成为将SAW的传播方向(X方向)作为长边方向的长方形状，立体配线部39及配线空间53相对于振动空间51设置在传播方向的侧方(Y方向)。因而，空间整体的配置不会偏向单向而是均等化。其结果是，在盖部17中，特定的方向的强度极端变低的情况得到抑制。
需要说明的是，在以上的实施方式中，SAW装置1是本发明的弹性波装置的一例，SAW元件10是本发明的弹性波元件的一例，中间配线29及输出侧配线31是本发明的第一配线的一例，第二接地配线33b及第三接地配线33c是本发明的第二配线的一例。
<第二实施方式>
图8是表示本发明的第二实施方式所涉及的SAW装置101的配线结构的示意性俯视图(与图3相当的图)。需要说明的是，SAW装置101的框部115的平面形状与由基板3的外缘及振动空间及配线空间的外缘(双点划线)所表示的形状大致相同。对此，图8中也标以框部115的标号。
SAW装置101仅框部115的形状与第一实施方式的SAW装置1不同。具体而言，在SAW装置101中，对应于多个第一立体配线部39A的每一个而设有第一配线空间153A。多个第一配线空间153A被沿着与传播方向(X方向)交叉(正交)的方向延伸的第一副分隔壁157A分隔开。同样地，对应于多个第二立体配线部39B的每一个而设有第二配线空间153B，多个第二配线空间153B被沿着与传播方向交叉(正交)的方向延伸的第二副分隔壁157B分隔开。需要说明的是，配线空间153的平面形状例如是矩形。需要说明的是，矩形也可以是角部被倒角。
根据以上的第二实施方式，可获得与第一实施方式同样的效果。即，能够适宜密封设有立体交叉部的基板。
进而，在SAW装置101中，立体配线部39相对于SAW元件10位于弹性波的传播方向的侧方(Y方向)，且沿着传播方向(X方向)设置多个。配线空间153对应于多个立体配线部39的每一个而设置。振动空间51与多个配线空间153被沿着传播方向(X方向)延伸的主分隔壁155分隔开。多个第一配线空间153A被沿着与传播方向交叉的方向延伸的副分隔壁157分隔开。
因而，副分隔壁157设置在将SAW元件10沿着SAW的传播方向分割那样的位置上。这样的副分隔壁157设置在SAW元件10上(振动空间51)时，会阻碍SAW的传播。并且，通过副分隔壁157使SAW的传播方向上的盖部17的支承点增多，强度得到有效地提高。
<第三实施方式>
图9是表示本发明的第三实施方式所涉及的SAW装置201的配线结构的示意性俯视图(与图3相当的图)。需要说明的是，图9中与图8同样地也标以框部215的标号。
在SAW装置201中，在第一立体配线部239A，中间配线229及第二接地配线233b沿着相对于SAW的传播方向(X方向)倾斜的方向延伸。同样地，在第二立体配线部239B，输出侧配线231及第三接地配线233c沿着相对于SAW的传播方向倾斜的方向延伸。
与第二实施方式同样地，对应于多个第一立体配线部239A的每一个而设有第一配线空间253A。多个第一配线空间253A的内壁沿着中间配线229及第二接地配线233b所延伸的方向延伸。即，内壁相对于SAW的传播方向(X方向)倾斜。需要说明的是，由此，在第一主分隔壁255A形成有厚壁部与薄壁部。另外，第一副分隔壁257A相对于SAW的传播方向(X方向)倾斜地延伸。
与第一实施方式同样地，第二配线空间253B收容全部多个第二立体配线部239B。第二配线空间253B的内壁沿着输出侧配线231及第三接地配线233c所延伸的方向延伸。即，内壁相对于SAW的传播方向(X方向)倾斜。需要说明的是，由此，在第二主分隔壁255B形成有厚壁部与薄壁部。
根据以上的第三实施方式，可获得与第一实施方式同样的效果。即，能够适宜密封设有立体交叉部的基板。
进而，在立体配线部239中，配线沿着相对于SAW的传播方向(X方向)倾斜的方向延伸，构成配线空间253的内壁沿着该倾斜方向形成。因而，能够使向SAW的传播方向倾斜的方向上的盖体5的强度得到提高等。需要说明的是，构成配线空间253的内壁并不一定要相对于所述倾斜方向平行形成，也可以沿着从相对于所述倾斜方向平行的方向稍微偏离的方向来形成。振动空间大多形成为具有与SAW的传播方向平行的边的大致矩形。在这种情况下，向传播方向倾斜的方向成为振动空间的矩形的对角线，而使盖部17的支承点间的距离变长。不过，根据第二实施方式，能够使这样的方向上的强度提高，进而可适宜提高作为整体的强度。
另外，振动空间与配线空间接近的部分变少，因此，还具有使由于两者之间的主分隔壁的剥落而将振动空间与配线空间连通的可能性变低这样的优点。
<第四实施方式>
图10是本发明的第四实施方式所涉及的SAW装置301的剖视图(与图4相当的图)。
SAW装置301仅在盖体5的上表面设有金属层343这一方面与第一实施方式不同。金属层343设置在与振动空间51重叠且与配线空间53不重叠的范围内。需要说明的是，金属层343优选形成为与振动空间51的整体重叠。金属层343虽未特别图示，但其扩展至与基准电位连接的端子7(本实施方式中为第一端子7A、第二端子7B及第五端子7E)的位置处，而与这些端子7连接。
金属层343例如由Cu构成，且能够借助与形成端子7相同的工艺通过镀敷来制作。换而言之，金属层343可以由镀敷衬底层35及金属37构成。金属层343的厚度例如为1μm～50μm。
根据以上的第四实施方式，除了第一实施方式的效果以外，还获得由金属层343引起的盖部17的挠曲变形的抑制效果。金属层343与比配线空间53更要求气密性的振动空间51重叠且不与配线空间53重叠，故能够以较小的面积来有效地增强强度。其结果是，例如能够容易地确保端子7的凸台7b的面积大等。另外，在由树脂等传递模制SAW装置301的情况下等，当对盖部17施加较大的压力时，盖部17中的未设有金属层343的配线空间53上的部分比设有金属层343的振动空间51上的部分更容易挠曲。这样，通过使盖部17的配线空间53上的部分挠曲，配线空间53被一定程度地压溃。于是，也可期待抑制如下情况：对于位于配线空间53的旁边的振动空间51施加来自横方向的压力，而使振动空间51中盖体5与基板3之间的气压变高，从而使盖部17在振动空间51上挠曲。需要说明的是，即便配线空间53挠曲，对SAW装置301的特性也几乎没有影响。
本发明并不局限于以上的实施方式及变形例，可以以各种各样的方式来实施。
弹性波装置不限定于狭义的SAW装置。例如，弹性波装置也可以是压电薄膜共振器。另外，例如，弹性波装置也可以是弹性界面波装置(包含在广义的SAW装置中)。换而言之，也可以不设置振动空间。需要说明的是，在这种情况下，用于传播弹性界面波的压电基板上的介质层、或该介质层及其上根据需要所层叠的吸音层也可以视为本申请发明的盖体或者盖体的一部分。另外，实施方式记载的配线空间的各种形状在未设有振动空间的情况下显然也可以采用。广义的SAW装置不局限于所谓的双重模制型，也可以是阶梯型等。
在弹性波装置中，可以省略保护层25，相反，也可以形成其他的适当层等。例如，也可以设有介于焊盘13与端子7之间的连接强化层、形成在框部15和盖部17之间的导电层、层叠在基板的与盖体相反侧的主面上的电极或保护层。
振动空间与配线空间可以不气密遮断。例如，也可以在将振动空间与配线空间分隔的主分隔壁的一部分上设置连通孔。在这种情况下，既可获得强度增强的效果，又能够一定程度地抑制腐蚀性物质向振动空间的移动。
金属层不只是设置成与振动空间重叠，也可以设置成与配线空间整体重叠。另外，金属层也可以不与被赋予基准电位的端子连接，而是形成为电气性浮动状态。
标号说明
1……弹性表面波装置(弹性波装置)、3……基板、3a……第一主面(主面)、5……盖体、11……SAW元件、21……绝缘体、29……中间配线(第一配线)、33b……第二接地配线、39……立体配线部、51……振动空间、53……配线空间。

Claims (7)

1.一种弹性波装置，具有：
基板；
位于所述基板的主面的弹性波元件；
位于所述主面且与所述弹性波元件连接的第一配线；
位于所述第一配线上的绝缘体；
位于所述绝缘体上，且至少具有一个经由所述绝缘体而与所述第一配线立体交叉的立体配线部的第二配线；
在与所述主面之间将所述弹性波元件及所述立体配线部密封的盖体，
在所述主面与所述盖体之间配置有***述立体配线部的配线空间和***述弹性波元件的振动空间，
所述振动空间与所述配线空间被隔离。
2.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述振动空间形成为将弹性波的传播方向作为长边方向的长方形状，
所述立体配线部及所述配线空间相对于所述振动空间位于所述弹性波的传播路的侧方。
3.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述立体配线部相对于所述弹性波元件位于弹性波的传播路的侧方，且沿着所述传播路设置多个，
对应于所述多个立体配线部的每一个而设置有所述配线空间，
所述弹性波装置还具有：以将所述振动空间与所述多个配线空间分隔的方式介于两空间之间，且沿着所述传播方向延伸的主分隔壁；以将所述多个配线空间分隔的方式介于配线空间彼此之间，且沿着与所述传播方向交叉的方向延伸的副分隔壁。
4.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，
在所述立体配线部中，所述第一配线及所述第二配线沿着相对于弹性波的传播方向倾斜的方向延伸，
构成所述配线空间的内壁沿着所述倾斜的方向形成。
5.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，
还具有金属层，该金属层位于所述盖体上，且在俯视下设置在与所述振动空间重叠且与所述配线空间不重叠的范围内。
6.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述配线空间的端部在所述主面的俯视下朝向外侧呈凸状弯曲。
7.如权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述盖体具有将所述振动空间和所述配线空间隔离的主分隔壁，
所述主分隔壁在所述主面的俯视时的相互不同的位置具有厚壁部和壁的厚度比该厚壁部薄的薄壁部。
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