JP5398561B2 - 弾性波装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係るSAW装置1の外観斜視図である。
図4(a)〜図5(d)は、SAW装置1の製造方法を説明する図であり、図3に相当する断面図である。製造工程は、図4(a)から図5(d)まで順に進んでいく。
図4(a)に示すように、まず、基板3の第1主面3a上には、凹部6が形成される。具体的には、RIEなどのエッチングにより形成される。
基板3の第1主面3aに凹部6を形成した後、図4(b)に示すように、IDT電極2a、4aと立体交差部の下側に配置される中間配線29(第1配線の一態様)を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法等の薄膜形成法により、第1主面3a上にIDT電極2a、4a及び中間配線29となるAl−Cu合金などからなる金属層が形成される。このとき凹部6の内部にも金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われ、凹部6内に位置する第1領域29aを有する中間配線29及びIDT電極2a、4aが形成される。ここでIDT電極2a、4a、及び中間配線29を同一材料で形成することにより、これらを同時に形成することができ弾性波装置の生産効率を向上させることができる。
IDT電極2a、4a、及び中間配線29が形成されると、図4(c)に示すように絶縁体21が形成される。絶縁体21は、例えば、ポリイミドなどの感光性樹脂材料を用いてスピンコート法などにより成膜される。その後、凹部6の中に充填された部分を残して、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去されることにより絶縁体21が作製される。
絶縁体21が形成されると、図4(d)に示すように中間配線29の第1領域29aと絶縁体21を介して立体的に交差する第2領域33aを有する第2配線の一態様である第1グランド配線33が形成される。
第1グランド配線33を形成した後、図5(a)に示すように保護層25が形成される。具体的には、まず、CVD法または蒸着法等の薄膜形成法により保護層25となる薄膜が形成される。次に、第1導電層19のうちパッド13を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層25が形成される。
保護層25が形成されると、図5(b)に示すように、枠部15となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層25と同様の薄膜形成法により形成される。枠部15となる薄膜が形成された後、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、第1振動空間51及び第2振動空間52を構成する開口部が形成される。
蓋部17が形成されると、図5(d)に示すように、パッド13の直上領域に設けられたカバー5を貫通する孔の内壁にめっき下地層35が形成される。めっき下地層35は、例えば、TiとCuとを積層したものからなり、スパッタ法により形成される。その後、電気めっき処理により、めっき下地層35の露出部分に金属を析出させる。金属は、例えば、Cuである。これにより、端子7が形成され、図3に示されるSAW装置1が完成する。
図6は、上述した実施形態に係るSAW装置1の変形例を示す模式的な平面図である。上述した実施形態に係るSAW装置1は、3本の中間配線29のそれぞれに対応させて凹部6を3つ設けるようにしたが、これら3つの凹部6をつなげて図6に示す変形例のように1つの凹部6としてもよい。
2・・・SAW共振子
3・・・基板
3a・・・第1主面(主面)
4・・・SAWフィルタ
5・・・カバー
6・・・凹部
7・・・端子
11・・・SAW素子
21・・・絶縁体
29・・・中間配線(第1配線)
29a・・・第1領域
33・・・第1グランド配線(第2配線)
33a・・・第2領域
51・・・第1振動空間
52・・・第2振動空間
Claims (7)
- 主面に凹部を有する基板と、
前記基板の主面上に配置された励振電極と、
前記凹部内に位置する第1領域を有し、且つ前記励振電極と電気的に接続される第1配線と、
前記第1配線の前記第1領域を覆うようにして前記凹部内に設けられる絶縁体と、
前記第1配線の前記第1領域と前記絶縁体を介して立体的に交差する第2領域を有し、且つ前記励振電極と電気的に接続される第2配線と、
前記基板の主面上に配置され、前記励振電極を保護するカバーと、
を備える弾性波装置。 - 前記カバーは、前記第2領域の直上部に接する部分を有する請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記凹部は、縦断面視したときの形状が、凹部の底面側が凹部の開口側より狭い台形状である請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記励振電極は、複数の電極指を有する一対の櫛歯状電極同士を互いの電極指が噛み合うようにして配置することにより構成され、
前記カバーには、前記励振電極を収容する振動空間が設けられている請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性波装置。 - 前記第1配線の前記第1領域の厚みが、前記励振電極の厚みよりも大きい請求項1乃至4のいずれかに記載の弾性波装置。
- 基板の主面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記基板の主面に励振電極を形成する励振電極形成工程と、
前記凹部内に位置する第1領域を有し、且つ前記励振電極と電気的に接続される第1配線を形成する第1配線形成工程と、
前記第1配線の前記第1領域を覆うようにして前記凹部内に絶縁体を形成する絶縁体形成工程と、
前記第1配線の前記第1領域と前記絶縁体を介して立体的に交差する第2領域を有し、且つ前記励振電極と電気的に接続される第2配線を形成する第2配線形成工程と、
前記基板の主面上に配置され、前記励振電極を保護するカバーを形成するカバー形成工程と、
を備える弾性波装置の製造方法。 - 前記励振電極と前記第1配線とが同一材料からなるとともに、前記励振電極形成工程と前記第1配線形成工程とが同時に行われる請求項6に記載の弾性波装置の製造方法。
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