JPWO2011087018A1 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011087018A1 JPWO2011087018A1 JP2011549987A JP2011549987A JPWO2011087018A1 JP WO2011087018 A1 JPWO2011087018 A1 JP WO2011087018A1 JP 2011549987 A JP2011549987 A JP 2011549987A JP 2011549987 A JP2011549987 A JP 2011549987A JP WO2011087018 A1 JPWO2011087018 A1 JP WO2011087018A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- space
- saw
- main surface
- dimensional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 20
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 120
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02905—Measures for separating propagation paths on substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
- H03H9/0038—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１０と、第１主面３ａに設けられ、ＳＡＷ素子１０に接続された第１配線（中間配線２９および出力側配線３１）と、第１配線に積層された絶縁体２１と、絶縁体２１に積層され、第１配線と立体配線部３９を構成する第２配線（第２グランド配線３３ｂおよび第３グランド配線３３ｃ）と、ＳＡＷ素子１０および立体配線部３９を封止するカバー５とを有する。第１主面３ａとカバー５との間には、ＳＡＷ素子１０を収容せず、立体配線部３９を収容する配線空間５３が形成されている。
Description
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波装置に関する。
圧電基板と、圧電基板に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーとを有する弾性波装置が知られている。狭義のＳＡＷ装置においては、圧電基板とカバーとの間には、弾性波素子の振動を容易化するために、弾性波素子を収容する振動空間が形成される。特許文献１は、２つの振動空間が形成された弾性波装置を開示している。
圧電基板上には、弾性波素子に接続された複数の配線も設けられている。複数の配線には、弾性波素子の厚みよりも厚く形成される部分がある。このような比較的厚みの厚い部分にカバーを積層すると、基板とカバーとの隙間の発生やカバーの基板からの剥がれが生じやすくなるおそれがある。
従って、配線に厚みの厚い部分が設けられている場合であっても、カバーの基板からの剥がれやカバーと基板との隙間の発生を抑制することができる信頼性の高い弾性波装置が提供されることが好ましい。
本発明の一態様としての弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に位置する弾性波素子と、前記主面に位置し、前記弾性波素子に接続された第１配線と、前記第１配線上に位置する絶縁体と、前記絶縁体上に位置し、前記第１配線と前記絶縁体を介して立体的に交差する立体配線部を少なくとも１つ有する第２配線と、前記主面との間に前記弾性波素子および前記立体配線部を封止するカバーと、を有し、前記主面と前記カバーとの間には、前記立体配線部を収容する配線空間が位置している。
上記の構成からなる弾性波装置によれば、弾性波素子よりも厚みが厚くなる立体配線部が設けられている場合であっても、圧電基板の主面とカバーとの間には、立体配線部を収容する配線空間が形成されているため、カバーが厚みの厚い立体配線部に積層されることがなく、カバーの基板からの剥がれ、あるいは基板とカバーとの間の隙間の発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
また、第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と同一または類似する構成については、既に説明された実施形態と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。
符号は、同一または類似する構成のものについて、「第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ」などのように、大文字のアルファベットの付加符号を付すことがある。また、この場合において、単に「端子７」というなど、名称の頭の番号、および、上記の付加符号を省略することがあるものとする。
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。
ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆとを有している。
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、所定方向（Ｙ方向）を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形状である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。
複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。
図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
カバー５は、第１主面３ａに積層される枠部１５と、枠部１５に積層される蓋部１７とを有している。枠部１５には、複数の開口が形成されている。当該開口が蓋部１７により塞がれることにより、第１主面３ａとカバー５との間には、第１振動空間５１Ａ、第２振動空間５１Ｂ、第１配線空間５３Ａおよび第２配線空間５３Ｂが形成される。
枠部１５は、概ね一定の厚さの層により構成されている。枠部１５の厚さ（振動空間５１や配線空間５３の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１７は、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
枠部１５および蓋部１７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基もしくはメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
枠部１５および蓋部１７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１５と蓋部１７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。
端子７は、第１主面３ａに立てて設けられ、カバー５に形成された貫通孔５ｈを介してカバー５の上面に露出している。端子７は、貫通孔５ｈに充填された柱状部７ａと、貫通孔５ｈから露出するランド７ｂとを有している。ランド７ｂは、カバー５の上面に積層されるフランジを有している。
図３は、基板３の第１主面３ａにおける配線構造を示す模式的な平面図である。なお、図３においては、振動空間５１および配線空間５３の範囲を２点鎖線で示している。
第１主面３ａには、信号をフィルタリングするために、ＳＡＷ共振子１０ＡおよびＳＡＷフィルタ１０Ｂ（以下、「ＳＡＷ素子１０」といい、これらを区別しないことがある。）が設けられている。
ＳＡＷ共振子１０Ａは、例えば、ＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極１１Ａと、ＩＤＴ電極１１Ａの、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１２Ａとを有している。
ＳＡＷフィルタ１０Ｂは、例えば、縦結合ダブルモードＳＡＷフィルタにより構成されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１０Ｂは、複数（例えば５つ）のＩＤＴ電極１１Ｂと、複数のＩＤＴ電極１１Ｂの、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１２Ｂとを有している。
ＩＤＴ電極１１は、一対の電極から構成されている。この一対の電極は、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１１ａと、バスバー１１ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１１ｂとを有し、電極指１１ｂが互いに噛合うように配置されている。なお、図３は模式図であることから、電極指１１ｂは、実際の数よりも少ない数で示されている。
また、第１主面３ａには、第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆに接続される第１パッド１３Ａ〜第６パッド１３Ｆが設けられている。パッド１３は、端子７の直下に設けられている。
さらに、第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１０およびパッド１３を互いに接続するための複数の配線（２７等）が設けられている。配線構造は、端子７やＳＡＷ素子１０の位置および構造等に応じて適宜な構成とされてよい。図３は、以下のように構成されている配線構造を例示している。
第４端子７Ｄは、信号が入力される端子であり、入力側配線２７によりＳＡＷ共振子１０Ａに接続されている。ＳＡＷ共振子１０ＡとＳＡＷフィルタ１０Ｂとは、３本の中間配線２９により互いに接続されている。第３端子７Ｃおよび第６端子７Ｆは、信号を出力する端子であり、２本の出力側配線３１によりＳＡＷフィルタ１０Ｂに接続されている。
第１端子７Ａ、第２端子７Ｂおよび第５端子７Ｅは、例えば、基準電位が付与される端子であり、互いに接続されるとともに、ＳＡＷフィルタ１０Ｂに接続されている。
具体的には、第１端子７Ａと第２端子７Ｂとは、第１グランド配線３３ａにより接続されている。第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとは、第２グランド配線３３ｂにより接続されている。第２グランド配線３３ｂは、２ヶ所で分岐しており、その分岐部分はＳＡＷフィルタ１０Ｂに接続されている。また、第２端子７Ｂと第５端子７Ｅとは、第３グランド配線３３ｃにより接続されている。第３グランド配線３３ｃは、３ヶ所で分岐しており、その分岐部分はＳＡＷフィルタ１０Ｂに接続されている。
ここで、複数の中間配線２９と、第２グランド配線３３ｂとは、絶縁体２１を介して立体交差し、複数の第１立体配線部３９Ａを構成している。同様に、複数の出力側配線３１と第３グランド配線３３ｃとは、絶縁体２１を介して立体交差し、複数の第２立体配線部３９Ｂを構成している。立体配線部の厚みは、ＳＡＷ素子１０の厚みよりも大きくなる。
複数の第１立体配線部３９Ａは、ＳＡＷ共振子１０ＡおよびＳＡＷフィルタ１０Ｂに対して弾性波の伝搬方向の側方（Ｙ方向）に位置し、伝搬方向（Ｘ方向）に沿って複数設けられている。換言すれば、複数の第１立体配線部３９Ａは、ＳＡＷ共振子１０Ａの弾性波の伝搬方向に対し直交する方向側のＳＡＷ共振子１０Ａの横に配置されている。同様に、複数の第２立体配線部３９Ｂは、ＳＡＷフィルタ１０Ｂに対して弾性波の伝搬方向の側方に位置し、伝搬方向に沿って複数設けられている。
振動空間５１は、ＳＡＷ素子１０を収容し、立体配線部３９を収容していない。また、配線空間５３は、ＳＡＷ素子１０を収容しておらず、立体配線部３９を収容している。すなわち、振動空間５１と配線空間５３とは隔離されている。換言すれば、ＳＡＷ素子１０および立体配線部３９は、それぞれ別個の空間に収容されている。
具体的には、第１振動空間５１ＡはＳＡＷ共振子１０Ａを収容し、第２振動空間５１ＢはＳＡＷフィルタ１０Ｂを収容している。第１配線空間５３Ａは、複数の第１立体配線部３９Ａを共に収容し、第２配線空間５３Ｂは、複数の第２立体配線部３９Ｂを共に収容している。
振動空間５１は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）を長手方向とする長方形状に形成されている。また、振動空間５１は、６角形に形成されている。配線空間５３は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）を長手方向とする長方形状に形成されている。また、配線空間５３は、長円（楕円）に形成されている。換言すれば、配線空間５３は、長手方向の端部が半円状に形成されている。
第１振動空間５１Ａ、第１配線空間５３Ａ、第２振動空間５１Ｂおよび第２配線空間５３Ｂは、この順番で、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向、カバー５の長手方向、各空間の短手方向）に配列されている。
振動空間５１と配線空間５３とは、両空間の間に介在している第１主仕切壁５５Ａ〜第３主仕切壁５５Ｃ（図２）により仕切られ、気密に遮断されている。換言すれば、振動空間５１および配線空間５３は、個別に密閉されている。主仕切壁５５は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向、カバー５の短手方向、各空間の長手方向）に延びている。
図４は図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
第１主面３ａにおいては、第１導電層１９、保護層２５、絶縁体２１および第２導電層２３が、当該順番で積層されている。
第１導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、第１導電層１９は、ＳＡＷ素子１０、パッド１３、入力側配線２７、中間配線２９、出力側配線３１、および、第１グランド配線３３ａを構成している。第１導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
絶縁体２１は、上述のように、立体交差する配線間に配置されるものである。絶縁体２１は、例えば、感光性の樹脂（例えばポリイミド）により形成されており、その厚さは、例えば、１μｍ〜３μｍである。
第２導電層２３は、異なる電位が付与される配線同士が立体交差せざるを得ない場所において、絶縁体２１を介して第１導電層１９に積層して形成され、配線の一部を構成する層である。具体的には、第２導電層２３は第２グランド配線３３ｂおよび第３グランド配線３３ｃを構成している。第２導電層２３は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。第２導電層２３は、絶縁体２１によって生じる段差により断線しないように、例えば、第１導電層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１μｍ〜２μｍである。
保護層２５は、ＳＡＷ素子１０の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、絶縁性を有する材料により形成される。例えば、保護層２５は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、第１導電層１９の厚さの１／１０程度（１０ｎｍ〜３０ｎｍ）、または、第１導電層１９の厚さと同等以上（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）である。
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図５（ａ）〜図７（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４に相当する断面図である。製造工程は、図５（ａ）から図７（ｃ）まで順に進んでいく。
図５（ａ）〜図７（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４に相当する断面図である。製造工程は、図５（ａ）から図７（ｃ）まで順に進んでいく。
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図７（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層などは、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
図５（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、第１導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に第１導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、ＳＡＷ素子１０、パッド１３、入力側配線２７、中間配線２９、出力側配線３１、および第１グランド配線３３ａが形成される。すなわち、第１導電層１９が形成される。
第１導電層１９が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。次に、第１導電層１９のうちパッド１３を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。
保護層２５が形成されると、図５（ｃ）に示すように、絶縁体２１が形成される。具体的には、まず、絶縁体２１となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。そして、立体配線部３９となる領域を残して、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。
絶縁体２１が形成されると、図５（ｄ）に示すように、第２導電層２３が形成される。具体的には、第１導電層１９と同様に、金属層の形成およびパターニングが行われる。これにより、第２グランド配線３３ｂおよび第３グランド配線３３ｃが形成される。
第２導電層２３が形成されると、図６（ａ）に示すように、枠部１５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、または保護層２５と同様の薄膜形成法により形成される。
枠部１５となる薄膜が形成されると、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間５１および配線空間５３を構成する開口、および貫通孔５ｈの下部が形成される。すなわち、薄膜から枠部１５が形成される。
枠部１５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、蓋部１７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることにより形成される。そして、薄膜が形成されることにより、枠部１５の開口が塞がれて、振動空間５１および配線空間５３が構成される。
蓋部１７となる薄膜が形成されると、図７（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、貫通孔５ｈの上部が形成される。すなわち、薄膜から蓋部１７が形成される。
蓋部１７が形成されると、図７（ｂ）に示すように、めっき下地層３５およびレジスト層４１が順に形成される。めっき下地層３５は、カバー５の上面および貫通孔５ｈの内部に亘って形成される。めっき下地層３５は、例えば、ＴｉとＣｕとを積層したものからなり、スパッタリング法により形成される。
レジスト層４１は、貫通孔５ｈおよびその周囲において、めっき下地層３５が露出するように形成される。なお、レジスト層４１は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。
レジスト層４１が形成されると、図７（ｃ）に示すように、電気めっき処理により、めっき下地層３５の露出部分に金属３７を析出させる。金属３７は、例えば、Ｃｕである。金属３７はカバー５の上面よりも高く析出される。
その後、めっき下地層３５のレジスト層４１に被覆されていた部分およびレジスト層４１が除去される。これにより、めっき下地層３５および金属３７からなる端子７が形成される。なお、図４においては、めっき下地層３５および金属３７の図示は省略している。端子７のカバー５からの露出面は、ニッケルおよび金などにより構成されてもよい。
以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１０と、第１主面３ａに設けられ、ＳＡＷ素子１０に接続された第１配線（中間配線２９および出力側配線３１）と、第１配線に積層された絶縁体２１と、絶縁体２１に積層され、第１配線と立体配線部３９を構成する第２配線（第２グランド配線３３ｂおよび第３グランド配線３３ｃ）と、ＳＡＷ素子１０および立体配線部３９を封止するカバー５とを有する。第１主面３ａとカバー５との間には、ＳＡＷ素子１０を収容し、立体配線部３９を収容しない振動空間５１と、ＳＡＷ素子１０を収容せず、立体配線部３９を収容する配線空間５３とが形成されている。
従って、比較的大きな段差が形成される立体配線部３９にカバー５は積層されず、カバー５の第１主面３ａからの剥がれやカバー５と第１主面３ａとの隙間の発生が抑制される。
カバー５の第１主面３ａからの剥がれの抑制効果、あるいはカバー５と第１主面３ａとの隙間の発生の抑制効果のみを考慮した場合は、配線空間と振動空間とを一体化してＳＡＷ素子１０および立体配線部３９を１つの空間内に収容するようにしてもよいが、実施形態に示したＳＡＷ装置１のように、ＳＡＷ素子１０を収容する振動空間５１と立体配線部３９を収容する配線空間５３とを隔離して別個に形成すれば、各空間の平面の面積が小さくなり、蓋部１７の撓み変形が抑制される。
また本願発明者がＳＡＷ素子１０と立体配線部３９とを１つの空間に収容したＳＡＷ装置と、それらを別の空間に収容したＳＡＷ装置とを作製し、電気特性の比較を行ったところ、ＳＡＷ素子１０と立体配線部３９とを別の空間に収容したＳＡＷ装置の方が電気特性に優れていることが確かめられた。このように電気特性に差が現れるのは、立体配線部３９の周辺においては、第１主面３ａ上の他の位置に比較して、塩素・硫黄等の腐食性物質が集まり易く、ＳＡＷ素子１０と立体配線部３９とが同じ空間に収容されている場合は、その腐食性物質がＳＡＷ素子に大きく影響を与えるのに対し、ＳＡＷ素子１０と立体配線部３９とが別の空間に収容され、それらの空間が隔離されている場合は、腐食性物質が配線空間５３に閉じ込められ、腐食性物質のＳＡＷ素子１０への影響を抑えることができるためと考えられる。
より具体的には、ＳＡＷ素子１０は、配線に比較して微細なパターンに形成されており、ＳＡＷ素子１０の腐食は、第２配線（第２グランド配線３３ｂおよび第３グランド配線３３ｃ）の腐食に比較してＳＡＷ装置１の電気的な特性に及ぼす影響が大きい。従って、腐食性物質を配線空間５３に閉じ込め、ＳＡＷ素子１０の腐食抑制を第２配線の腐食抑制に優先させることにより、ＳＡＷ装置１の電気的な特性が安定化したものと考えられる。以上のことから、振動空間５１と配線空間５３とは気密に遮断されるように隔離して形成されることが好ましい。
なお、立体配線部３９の周辺において、塩素・硫黄等の腐食性物質が集まり易い理由は必ずしも明らかではないが、例えば、第２導電層２３をパターニングするときのフォトレジスト（硫黄）が、立体配線部３９の段差に起因して完全に除去されずに残ることなどが考えられる。
配線空間５３は、第１主面３ａの平面視において概ね楕円状に形成されている。特に、配線空間５３の端部は、主面３ａの平面視において概ね半円状に形成されている。換言すれば、配線空間５３の端部は外方に向かって凸状に湾曲している。このような形状に配線空間５３を形成することによって、配線空間の端部を構成するカバー５の内壁に応力集中が生じにくく、カバー５の強度がより高くなる。
振動空間５１は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）を長手方向とする長方形状に形成されており、立体配線部３９および配線空間５３は、振動空間５１に対して伝搬方向の側方（Ｙ方向）に設けられている。従って、空間全体の配置が一方向に偏ることなく均等化される。その結果、蓋部１７において、特定の方向の強度が極端に低くなるということが抑制される。
なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１０は本発明の弾性波素子の一例であり、中間配線２９および出力側配線３１は本発明の第１配線の一例であり、第２グランド配線３３ｂおよび第３グランド配線３３ｃは本発明の第２配線の一例である。
＜第２の実施形態＞
図８は、本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ装置１０１の配線構造を示す模式的な平面図（図３に相当する図）である。なお、ＳＡＷ装置１０１の枠部１１５の平面形状は、基板３の外縁、ならびに振動空間および配線空間の外縁（２点鎖線）で表わされる形状と概ね同じである。そこで、図８では、枠部１１５の符号も付している。
図８は、本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ装置１０１の配線構造を示す模式的な平面図（図３に相当する図）である。なお、ＳＡＷ装置１０１の枠部１１５の平面形状は、基板３の外縁、ならびに振動空間および配線空間の外縁（２点鎖線）で表わされる形状と概ね同じである。そこで、図８では、枠部１１５の符号も付している。
ＳＡＷ装置１０１は、枠部１１５の形状のみが第１の実施形態のＳＡＷ装置１と相違する。具体的には、ＳＡＷ装置１０１においては、第１配線空間１５３Ａは、複数の第１立体配線部３９Ａ毎に設けられている。複数の第１配線空間１５３Ａは、伝搬方向（Ｘ方向）に交差（直交）する方向に延びる第１副仕切壁１５７Ａにより仕切られている。同様に、第２配線空間１５３Ｂは、複数の第２立体配線部３９Ｂ毎に設けられ、複数の第２配線空間１５３Ｂは、伝搬方向に交差（直交）する方向に延びる第２副仕切壁１５７Ｂにより仕切られている。なお、配線空間１５３の平面形状は、例えば、矩形である。なお、矩形は、角部が面取りされていてもよい。
以上の第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、立体交差部が設けられた基板を好適に封止できる。
さらに、ＳＡＷ装置１０１において、立体配線部３９は、ＳＡＷ素子１０に対して弾性波の伝搬方向の側方（Ｙ方向）に位置し、伝搬方向（Ｘ方向）に沿って複数設けられている。配線空間１５３は、複数の立体配線部３９毎に設けられている。振動空間５１と複数の配線空間１５３とは、伝搬方向（Ｘ方向）に延びる主仕切壁１５５により仕切られている。複数の第１配線空間１５３Ａは、伝搬方向に交差する方向に延びる副仕切壁１５７により仕切られている。
従って、ＳＡＷ素子１０をＳＡＷの伝搬方向において分割するような位置に副仕切壁１５７が設けられることになる。このような副仕切壁１５７は、ＳＡＷ素子１０上（振動空間５１）に設けられると、ＳＡＷの伝搬を阻害してしまうものである。そして、副仕切壁１５７により、ＳＡＷの伝搬方向における蓋部１７の支持点が増え、効果的に強度が向上する。
＜第３の実施形態＞
図９は、本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ装置２０１の配線構造を示す模式的な平面図（図３に相当する図）である。なお、図９では、図８と同様に、枠部２１５の符号も付している。
図９は、本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ装置２０１の配線構造を示す模式的な平面図（図３に相当する図）である。なお、図９では、図８と同様に、枠部２１５の符号も付している。
ＳＡＷ装置２０１では、第１立体配線部２３９Ａにおいて、中間配線２２９および第２グランド配線２３３ｂは、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に対して傾斜する方向に延びている。同様に、第２立体配線部２３９Ｂにおいて、出力側配線２３１および第３グランド配線２３３ｃは、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜する方向に延びている。
第１配線空間２５３Ａは、第２の実施形態と同様に、複数の第１立体配線部２３９Ａ毎に設けられている。複数の第１配線空間２５３Ａの内壁は、中間配線２２９および第２グランド配線２３３ｂの延びる方向に沿って延びている。すなわち、内壁は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に対して傾斜している。なお、これにより、第１主仕切壁２５５Ａには、厚肉部と薄肉部とが形成されている。また、第１副仕切壁２５７Ａは、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に対して傾斜して延びている。
第２配線空間２５３Ｂは、第１の実施形態と同様に、複数の第２立体配線部２３９Ｂを共に収容している。第２配線空間２５３Ｂの内壁は、出力側配線２３１および第３グランド配線２３３ｃの延びる方向に沿って延びている。すなわち、内壁は、ＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に対して傾斜している。なお、これにより、第２主仕切壁２５５Ｂには、厚肉部と薄肉部とが形成されている。
以上の第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、立体交差部が設けられた基板を好適に封止できる。
さらに、立体配線部２３９において、配線はＳＡＷの伝搬方向（Ｘ方向）に対して傾斜する方向に延びており、配線空間２５３を構成する内壁は、その傾斜方向に沿って形成されている。従って、ＳＡＷの伝搬方向に傾斜する方向におけるカバー５の強度を向上させることなどが可能となる。なお、配線空間２５３を構成する内壁は、前記傾斜方向に対し、必ずしも平行に形成されていなくてもよく、前記傾斜方向に対し平行な方向から若干ずれた方法に沿って形成されていてもよい。振動空間は、ＳＡＷの伝搬方向に平行な辺を有する概ね矩形に形成されることが多い。このような場合には、伝搬方向に傾斜する方向が振動空間の矩形の対角線となり、蓋部１７の支持点間の距離が長くなる。しかし、第２の実施形態によれば、そのような方向における強度を向上させることができ、ひいては全体としての強度向上が好適に図られる。
また、振動空間と配線空間とが近接する部分が少なくなるため、両者の間の主仕切壁の剥がれによって振動空間と配線空間とが連通する可能性が低くなるという利点もある。
また、振動空間と配線空間とが近接する部分が少なくなるため、両者の間の主仕切壁の剥がれによって振動空間と配線空間とが連通する可能性が低くなるという利点もある。
＜第４の実施形態＞
図１０は、本発明の第４の実施形態に係るＳＡＷ装置３０１の断面図（図４に相当する図）である。
図１０は、本発明の第４の実施形態に係るＳＡＷ装置３０１の断面図（図４に相当する図）である。
ＳＡＷ装置３０１は、カバー５の上面に金属層３４３が設けられている点のみが第１の実施形態と相違する。金属層３４３は、振動空間５１に重なり、配線空間５３に重ならない範囲に設けられている。なお、金属層３４３は、振動空間５１の全体に重なるように形成されていることが好ましい。金属層３４３は、特に図示しないが、基準電位に接続される端子７（本実施形態では第１端子７Ａ、第２端子７Ｂおよび第５端子７Ｅ）の位置まで広がり、これらの端子７に接続されている。
金属層３４３は、例えばＣｕからなり、端子７を形成するのと同じプロセスでめっきにより作製することができる。換言すれば、金属層３４３は、めっき下地層３５および金属３７により構成されてよい。金属層３４３の厚さは、例えば、１μｍ〜５０μｍである。
以上の第４の実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加え、金属層３４３による蓋部１７の撓み変形の抑制効果が得られる。金属層３４３は、配線空間５３よりも気密性が要求される振動空間５１に重なり、配線空間５３には重ならないことから、小さい面積で効果的に強度を補強できる。その結果、例えば、端子７のランド７ｂの面積を広く確保することなどが容易化される。また、ＳＡＷ装置３０１を樹脂などでトランスファーモールドする場合などに蓋部１７に大きな圧力が印加されると、蓋部１７のうち金属層３４３が設けられていない配線空間５３上の部分は、金属層３４３が設けられている振動空間５１上の部分よりも撓みやすい。このように蓋部１７の配線空間５３上の部分が撓むことにより配線空間５３が若干押し潰される。そうすると、配線空間５３の隣に位置する振動空間５１に対して横方向からの圧力が印加され、振動空間５１においてカバー５と基板３との間の気圧が高くなり、蓋部１７が振動空間５１上において撓むことも抑制されることが期待される。なお、配線空間５３は撓んでもＳＡＷ装置３０１の特性には殆ど影響がない。
本発明は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
弾性波装置は、狭義のＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。また、例えば、弾性波装置は、弾性境界波装置（広義のＳＡＷ装置に含まれる。）であってもよい。換言すれば、振動空間は設けられなくてもよい。なお、この場合、弾性境界波を伝搬させるための圧電基板上の媒体層、または、当該媒体層およびその上に必要に応じて積層される吸音層が、本願発明のカバーもしくはカバーの一部とみなされてもよい。また、実施形態に記載の配線空間の種々の形状は、振動空間が設けられない場合においても当然に採用されてよい。広義のＳＡＷ装置は、いわゆる２重モード型のものに限定されず、ラダー型のものなどであってもよい。
弾性波装置において、保護層２５は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、パッド１３と端子７との間に介在する接続強化層、枠部１５と蓋部１７との間に形成される導電層、基板のカバーとは反対側の主面に積層される電極または保護層が設けられてもよい。
振動空間と配線空間とは気密に遮断されていなくてもよい。例えば、振動空間と配線空間とを仕切る主仕切壁の一部に連通孔が設けられていてもよい。この場合であっても、強度補強の効果は得られるし、腐食性物質の振動空間への移動もある程度は抑制可能である。
金属層は、振動空間だけでなく、配線空間全体に重なるように設けられていてもよい。また、金属層は、基準電位が付与される端子に接続されず、電気的に浮遊状態となっていていてもよい。
１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、１１…ＳＡＷ素子、２１…絶縁体、２９…中間配線（第１配線）、３３ｂ…第２グランド配線、３９…立体配線部、５１…振動空間、５３…配線空間。
Claims (8)
- 基板と、
前記基板の主面に位置する弾性波素子と、
前記主面に位置し、前記弾性波素子に接続された第１配線と、
前記第１配線上に位置する絶縁体と、
前記絶縁体上に位置し、前記第１配線と前記絶縁体を介して立体的に交差する立体配線部を少なくとも１つ有する第２配線と、
前記主面との間に前記弾性波素子および前記立体配線部を封止するカバーと、
を有し、
前記主面と前記カバーとの間には、前記立体配線部を収容する配線空間が位置している
弾性波装置。 - 前記主面と前記カバーとの間には、前記弾性波素子を収容する振動空間がさらに位置している
請求項１に記載の弾性波装置。 - 前記振動空間と前記配線空間とは隔離されている
請求項２に記載の弾性波装置。 - 前記振動空間は、弾性波の伝搬方向を長手方向とする長方形状であり、
前記立体配線部および前記配線空間は、前記振動空間に対して前記弾性波の伝搬路の側方に位置している
請求項２または３に記載の弾性波装置。 - 前記立体配線部は、前記弾性波素子に対して弾性波の伝搬路の側方に位置し、前記伝搬路に沿って複数設けられ、
前記配線空間は、前記複数の立体配線部毎に設けられており、
前記振動空間と前記複数の配線空間とを仕切るようにして両空間の間に介在している、前記伝搬方向に延びる主仕切壁と、前記複数の配線空間を仕切るようにして配線空間同士の間に介在している、前記伝搬方向に交差する方向に延びる副仕切壁と、をさらに有する
請求項２〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記立体配線部において、前記第１配線および前記第２配線は、弾性波の伝搬方向に対して傾斜する方向に延びており、
前記配線空間を構成する内壁は、前記傾斜する方向に沿って形成されている
請求項２〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記カバー上に位置し、平面視において前記振動空間に重なり、前記配線空間に重ならない範囲に設けられた金属層をさらに有する
請求項２〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記配線空間の端部は、前記主面の平面視において外方に向かって凸状に湾曲している
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011549987A JP5497795B2 (ja) | 2010-01-12 | 2011-01-12 | 弾性波装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010003855 | 2010-01-12 | ||
| JP2010003855 | 2010-01-12 | ||
| PCT/JP2011/050351 WO2011087018A1 (ja) | 2010-01-12 | 2011-01-12 | 弾性波装置 |
| JP2011549987A JP5497795B2 (ja) | 2010-01-12 | 2011-01-12 | 弾性波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2011087018A1 true JPWO2011087018A1 (ja) | 2013-05-20 |
| JP5497795B2 JP5497795B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=44304291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011549987A Active JP5497795B2 (ja) | 2010-01-12 | 2011-01-12 | 弾性波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9397633B2 (ja) |
| JP (1) | JP5497795B2 (ja) |
| CN (1) | CN102652394B (ja) |
| WO (1) | WO2011087018A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011087018A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| WO2014171036A1 (ja) | 2013-04-18 | 2014-10-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| KR102126033B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2020-06-23 | 삼성전자주식회사 | 초음파 변환기 및 이를 채용한 초음파 진단장치 |
| US9331669B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-05-03 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave duplexer |
| US9077312B1 (en) * | 2014-07-25 | 2015-07-07 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave filter |
| US10056878B2 (en) * | 2014-12-12 | 2018-08-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of fabricating the same |
| CN107210728B (zh) * | 2015-03-16 | 2020-11-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| JP6758779B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2020-09-23 | 京セラ株式会社 | 検体液センサおよび検体液の測定方法 |
| JP6414629B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-10-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
| CN107852143B (zh) * | 2015-07-28 | 2021-02-26 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| JP6350510B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-07-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP2018019024A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | キヤノン株式会社 | 振動を発生させる振動部品が実装されるプリント基板 |
| CN111052607B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-10-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置以及具备该弹性波装置的弹性波模块 |
| CN111527697B (zh) | 2017-12-26 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置以及弹性波模块 |
| CN108880502B (zh) * | 2018-09-19 | 2023-11-14 | 刘月 | 一种高性能表面波滤波器 |
| CN109474254B (zh) | 2018-10-31 | 2020-12-08 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种声波器件及其制作方法 |
| US10833036B2 (en) | 2018-12-27 | 2020-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Interconnect for electronic device |
| CN111384907B (zh) * | 2018-12-29 | 2023-07-18 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器 |
| JP7075148B1 (ja) | 2021-06-29 | 2022-05-25 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP7048128B1 (ja) | 2021-06-29 | 2022-04-05 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| WO2023191089A1 (ja) * | 2022-04-01 | 2023-10-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710682B2 (en) * | 2000-10-04 | 2004-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same |
| JP2004129223A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2004147220A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Ｓａｗチップの構造、その製造方法、表面実装型ｓａｗデバイス、及びその製造方法 |
| JP2004336671A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| US7385463B2 (en) * | 2003-12-24 | 2008-06-10 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and electronic circuit device |
| JP2005210475A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2005223432A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP4403819B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-01-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| EP1768256B1 (en) * | 2004-07-14 | 2017-01-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JP2006203788A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| CN101151802B (zh) | 2005-04-01 | 2010-08-25 | 松下电器产业株式会社 | 弹性表面波装置及其制造方法 |
| JP2006333130A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| CN101107776B (zh) * | 2005-06-16 | 2010-05-19 | 株式会社村田制作所 | 压电器件及其制作方法 |
| DE112006002957B4 (de) | 2005-11-14 | 2010-12-16 | Murata Manufacturing Co. Ltd., Nagaokakyo-shi | Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements und Oberflächenwellenbauelement |
| CN101356727B (zh) * | 2006-01-11 | 2011-12-14 | 株式会社村田制作所 | 声表面波装置的制造方法及声表面波装置 |
| JP5052172B2 (ja) | 2006-04-03 | 2012-10-17 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置および通信装置 |
| US7579928B2 (en) | 2006-04-03 | 2009-08-25 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and communication device |
| JP2008028826A (ja) | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及び通信装置 |
| JP4889426B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-03-07 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置、フィルタ装置および通信装置 |
| KR101027593B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2011-04-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 분파기 |
| JP5110611B2 (ja) | 2007-07-26 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及び通信装置 |
| JP4937883B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2012-05-23 | Ｈｏｙａ株式会社 | 光学要素位置制御機構 |
| JP2009206688A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Fujitsu Media Device Kk | バランスフィルタ |
| CN101965683B (zh) | 2008-03-19 | 2014-01-29 | 株式会社村田制作所 | 表面声波装置 |
| WO2009150786A1 (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| WO2011087018A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
-
2011
- 2011-01-12 WO PCT/JP2011/050351 patent/WO2011087018A1/ja active Application Filing
- 2011-01-12 JP JP2011549987A patent/JP5497795B2/ja active Active
- 2011-01-12 CN CN201180004898.4A patent/CN102652394B/zh active Active
- 2011-01-12 US US13/521,816 patent/US9397633B2/en active Active
-
2016
- 2016-07-18 US US15/212,830 patent/US10050600B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9397633B2 (en) | 2016-07-19 |
| US20120319802A1 (en) | 2012-12-20 |
| CN102652394A (zh) | 2012-08-29 |
| US20160329878A1 (en) | 2016-11-10 |
| WO2011087018A1 (ja) | 2011-07-21 |
| JP5497795B2 (ja) | 2014-05-21 |
| CN102652394B (zh) | 2015-05-13 |
| US10050600B2 (en) | 2018-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5497795B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP5282141B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP5514898B2 (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
| JP5323637B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP5398561B2 (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
| JP6311836B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP5815365B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
| JP5501792B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP5546203B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP2012029134A (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP5537096B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
| JP5865698B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
| JP5662052B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP5596970B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP5886911B2 (ja) | 弾性波装置および実装体 | |
| JP2014112921A (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
| JP5317912B2 (ja) | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 | |
| JP6608882B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
| JP5514478B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP2012080188A (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
| JP6189901B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140114 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140306 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5497795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |