CN102194959A - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明*** - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明***。发光器件包括：导电支撑衬底；导电支撑衬底上的第一反射层；第二反射层，其中其至少部分被设置在第一反射层的侧表面上；第一和第二反射层上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构上的电极。第二反射层肖特基接触发光结构。

Description

发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明***
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年3月10日提交的韩国专利申请No.10-2010-0021401的优先权，通过引用将其整体合并在此。
技术领域
实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。随着最近LED的照度被增加，LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED，可以实现发射高效的白光的LED。
为了提高LED的亮度和性能，可以尝试诸如改进光提取结构的方法、改进有源层的结构的方法、改进电流扩展的方法、改进电极结构的方法、以及改进发光二极管封装的结构的方法的各种方法。
发明内容
实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例还提供具有被提高的发光效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
在一个实施例中，一种发光器件包括：导电支撑衬底；导电支撑衬底上的第一反射层；第二反射层，其中该第二反射层的至少部分被设置在第一反射层的侧表面上；第一和第二反射层上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构上的电极，其中第二反射层接触发光结构以实现肖特基接触，其中第二反射层的部分被设置在第一反射层和导电支撑衬底之间。
在另一实施例中，一种发光器件封装，包括：封装主体；封装主体上的第一和第二电极；以及权利要求1至14中的任何一项所述的发光器件，发光器件被设置在封装主体上并且被电气地连接到第一和第二电极。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述、附图以及权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的截面图。
图2至图7是示出制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。
图8是根据另一实施例的发光器件的截面图。
图9至图15是示出制造根据另一实施例的发光器件的工艺的视图。
图16是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。
图17是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。
图18是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，它可以“直接”在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下，并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将基于附图来进行对关于各层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了描述的方便和清楚起见，各层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性绘制。而且，各个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
图1是根据实施例的发光器件100A的截面图。
参考图1，根据实施例的发光器件100A可以包括导电支撑衬底170、导电支撑衬底170上的第二反射层120、第二反射层120上的第一反射层110、第一和第二反射层110和120上的发光结构145、以及发光结构145上的电极160。
第一反射层110的至少部分接触发光结构145以实现欧姆接触。
第二反射层120的至少部分接触发光结构145以实现肖特基接触。在这里，其中在第二反射层120和发光结构145之间实现肖特基接触的区域的至少部分可以与电极160在垂直方向上重叠。
因此，在根据实施例的发光器件100A中，可以防止其中电流集中地流入电极160和导电支撑构件170之间的最短的距离的现象。因此，电流可以扩展到发光结构145的整个区域。
第一反射层110可以由具有高反射率的包含Ag的金属或者合金形成。第一反射层110可以反射从发光结构145入射的光，以提高发光效率。
而且，第二反射层120可以由具有高反射率的包含Ag的金属或者合金形成。第二反射层120可以反射从发光结构145入射的光，以提高发光效率。第一反射层和第二反射层可以由相同的材料形成。
即，第一反射层110被部分地设置在导电支撑衬底170上。而且，第一反射层110接触发光结构145。第二反射层120被部分地设置在导电支撑构件170上。而且，第二反射层120接触发光结构145。第一反射层110可以被设置在第二反射层120的至少部分的周围。第二反射层120的至少部分可以与第一反射层110齐平。
在当前实施例中，第二反射层120的一部分被设置在第一反射层110下面。即，第二反射层120的一部分可以被设置在第一反射层110和导电支撑衬底170之间。
而且，第二反射层120的一部分被设置在第一反射层110的侧表面上。即，第二反射层120可以在设置有发光结构145的方向上突出。
尽管在当前实施例中第二反射层120的一个部分接触发光结构145，但是第二反射层120的多个部分也可以接触发光结构145。
在下文中，将会详细地描述根据实施例的发光器件100A的各个组件。
导电支撑衬底170支撑发光器件100A。而且，导电支撑衬底170随同电极160一起可以向发光结构145提供电力。
导电支撑衬底170可以由Cu、Ni、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Pd、Pt、Si、Ge、GaAs、ZnO、以及SiC中的至少一个形成。
第二反射层120可以被设置在导电支撑衬底170上。
第二反射层120可以由具有高反射率的材料形成，其中从发光结构145入射的光被有效地反射并且接触发光结构145以实现肖特基接触。第二反射层120可以由导电材料形成并且包含金属材料。例如，第二反射层120可以由热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
通常，包含Ag的金属或者合金可以欧姆接触P型半导体层。然而，当在大约400℃至大约450℃的温度对包含Ag的金属或者合金进行热处理时，可以改变金属或者合金的物理性质以肖特基接触P型半导体层。因此，第二反射层120可以由热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
通过第一反射层110之间的间隙，第二反射层120的至少部分可以接触发光结构145。因此，当使用沉积或者镀工艺形成第二反射层120时，在与第一反射层110之间的间隙相对应的区域中，第二反射层120的底表面可以向上突出，但是其不限于此。
其中第二反射层120肖特基接触发光结构145的区域的至少部分可以与电极160在垂直方向上重叠。因此，它可以防止电流集中地流入电极160和导电支撑衬底170之间的最短的距离，以将电流扩展到发光结构145的整个区域。
用于提高在第二反射层120和导电支撑衬底170之间的界面的附着力的附着层可以进一步被设置在第二反射层120和导电支撑衬底170之间。例如，附着层可以包括包含Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、Ag-Cd、Au-Sb、Al-Zn、Al-Mg、Al-Ge、Pd-Pb、Ag-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、Ag-Cd-Cu、Cu-Sb、Cd-Cu、Al-Si-Cu、Ag-Cu、Ag-Zn、Ag-Cu-Zn、Ag-Cd-Cu-Zn、Au-Si、Au-Ge、Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu-Cu2O、Cu-Zn、Cu-P、Ni-P、Ni-Mn-Pd、Ni-P、以及Pd-Ni中的一个或者多个的层。
第一反射层110可以被设置在第二反射层120的顶表面的周边区域的周围。第一反射层110可以由导电材料形成。而且，第一反射层110可以包含金属。
第一反射层110可以由有效地反射从发光结构145发射的光的材料，例如，Ag、Al、Pd、以及Pt中的至少一个形成。
例如，第一反射层110可以由热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
通常，当在大约400℃至大约450℃的温度对包含Ag的金属或者合金进行热处理时，可以改变金属或者合金的物理特性以肖特基接触P型半导体层。因此，第一反射层110可以由热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
根据热处理温度，第一和第二反射层110和120可以欧姆接触或者肖特基接触P型半导体层。根据P型半导体层的薄膜特性，可以改变热处理温度。
第一反射层110可以欧姆接触发光结构145。当第一反射层110没有欧姆接触发光结构145时，单独的欧姆接触层(未示出)可以进一步被设置在第一反射层110和发光结构145之间。欧姆接触层可以具有单或者多层结构。例如，接触层可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO形成。
发光结构145可以被设置在第一和第二反射层110和120上。
在这里，发光结构145的第二导电类型半导体层150的至少部分接触第一反射层110，以实现欧姆接触。而且，第二导电类型半导体层150的至少部分接触第二反射层120，以实现肖特基接触。具体地，当肖特基接触部分与电极160在垂直方向上重叠时，通过电流扩展效应可以提高发光结构145的发光效率。
例如，发光结构145可以包括第一导电类型半导体层130、第一导电类型半导体层130下面的有源层140、以及有源层140下面的第二导电类型半导体层150。发光结构145可以具有倾斜的侧表面。
第一导电类型半导体层130可以仅包括包含第一导电类型杂质的半导体层或者可以在包含第一导电类型杂质的半导体层上进一步包括未掺杂的半导体层，但是其不限于此。
例如，第一导电类型半导体层130可以被实现为N型半导体层。N型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN中的一个形成。N型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的N型掺杂物。
由于导电类型掺杂物没有被掺杂到未掺杂的半导体层，所以未掺杂的半导体层是具有显著地低于第一和第二导电类型半导体层130和150的导电性的层。而且，未掺杂的半导体层是这样的层，该层被生长以提高第一导电类型半导体层130的结晶性。
有源层140可以被设置在第一导电类型半导体层130下面。有源层140是这样的层，在该层中通过第一导电类型半导体层130注入的电子(或者空穴)相遇通过第二导电类型半导体层150注入的电子(或者空穴)以通过取决于有源层140的形成材料的能带的带隙差发射光。
有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、或者量子线结构，但是其不限于此。
有源层140可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。当有源层140具有MQW结构时，多个阱层和多个阻挡层可以被堆叠以形成有源层140。例如，有源层140可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的循环。多个阱层中的每一个具有小于多个阻挡层中的每一个的能带隙。
其中N型或者P型掺杂物的包覆层(未示出)可以被设置在有源层140上/下面。包覆层(未示出)可以被实现为AlGaN层或者InAlGaN层。
例如，第二导电半导体层150可以被实现为P型半导体层。P型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、或者InN形成。而且，P型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的P型掺杂物。
不同于前述的描述，第一导电类型半导体层130可以包括P型半导体层，并且第二导电类型半导体层150可以包括N型半导体层。而且，包括N型或者P型半导体层的第三导电类型半导体层(未示出)可以被设置在第一导电类型半导体层130上。因此，发光结构145可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构、以及pnp结结构中的至少一个。而且，导电类型掺杂物可以被均匀地或者非均匀地分布在第一导电类型半导体层130和第二导电类型半导体层150内。即，发光结构145可以具有各种结构，但是其不限于此。
而且，用于提高光提取效率的粗糙部分131可以被设置在发光结构145的顶表面上。
第一反射层110的第一部分可以与粗糙部分131在垂直方向上重叠，并且第一反射层110的第二部分可以与发光结构145倾斜的侧表面在垂直方向上重叠。而且，第一反射层110的第三部分可以与发光结构145在垂直方向上不重叠。
电极160可以被设置在发光结构145上。电极160随同导电支撑衬底170一起向发光结构145提供电力。例如，电极160可以由Al、Ti、Cr、Ni、Cu、以及Au中的至少一个形成。而且，电极160可以具有多层结构，该多层结构包括由相互不同的材料形成的多个层。
在下文中，将会详细地描述制造根据实施例的发光器件100A的方法。将会省略与前述实施例重复的解释。
图2至图7是示出用于制造根据实施例的发光器件100A的工艺的视图。
参考图2，发光结构145可以被形成在生长衬底101上。
例如，生长衬底101可以由蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及SiGe中的至少一个形成，但是其不限于此。
第一导电类型半导体层130、有源层140、以及第二导电类型半导体层150可以被顺序地生长在生长衬底101上，以形成发光结构145。
例如，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、以及氢化物气相外延(HVPE)工艺中的一个，可以形成发光结构145，但是其不限于此。
参考图3，第一反射层110可以被形成在发光结构145的顶表面的周边区域上。即，第一反射层110可以被形成，以暴露发光结构145的顶表面的至少一部分。
使用沉积或者镀工艺可以形成第一反射层110，但是其不限于此。
例如，第一反射层可以由金属或者合金形成，所述金属或者合金包含Ag、Al、Pd、以及Pt中的至少一个。
例如，第一反射层110可以由在大约450℃至大约550℃的温度下热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
参考图4，第二反射层120可以被形成在发光结构145和第一反射层110上。
第一反射层110可以被设置在第二反射层120的至少部分的周围。第二反射层120的至少部分可以与第一反射层110齐平。
通过第一反射层110之间的间隙，第二反射层120可以接触发光结构145以实现肖特基接触。肖特基接触区域的至少部分可以与电极在垂直方向上重叠(稍后将会进行描述)。因此，第二反射层120可以将电流扩展到发光结构145。
而且，第二反射层120可以由有效地反射从发光结构145发射的光的材料形成。例如，第二反射层120可以由热处理的包含Ag的金属或者合金形成，但是其不限于此。
使用沉积或者镀工艺可以形成第二反射120，但是其不限于此。
例如，第二反射层120可以由在大约400℃至大约450℃的温度下热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
在第二反射层120的区域中，被形成在第一反射层110之间的区域可以向上突出。而且，第二反射层120不能被形成在第一反射层110的整个区域上，但是仅可以被形成在第一反射层110的一部分上，但是其不限于此。
参考图5，导电支撑衬底170可以被形成在第二反射层120上。
使用镀或者沉积工艺，可以形成导电支撑衬底170。可供选择地，单独的片可以被制备并且被结合以形成导电支撑衬底170。当单独的片被制备并且被结合时，用于加强在导电支撑衬底170和第二反射层120之间的界面的附着力的附着层(未示出)可以进一步被形成在导电支撑衬底170和第二反射层120之间。
参考图5和图6，生长衬底101被去除。
使用激光剥离(LLO)工艺和蚀刻工艺中的至少一个，可以去除生长衬底101，但是其不限于此。
随着生长衬底101被去除，发光结构145的第一导电类型半导体层130的底表面被暴露。
参考图7，对暴露的发光结构145可以进行隔离蚀刻工艺，通过该隔离蚀刻工艺，多个发光器件被划分为单独的器件单元。而且，用于提高光提取效率的粗糙部分131可以被形成在发光结构145的底表面上。
在这里，发光结构145可以具有倾斜的侧表面。可以将第一反射层110的一部分暴露给发光结构145的侧面，并且可以生成其中第一反射层110与发光结构145在垂直方向上不重叠的区域。因此，可以制造根据实施例的发光器件100A。
在下文中，将会详细地描述制造根据另一实施例的发光器件100B的方法。在另一实施例的描述中，将会省略与前述的实施例重复的解释。
图8是根据另一实施例的发光器件100B的截面图。除了第二反射层的形状之外，根据另一实施例的发光器件100B等于根据实施例的发光器件100A。
参考图8，根据另一实施例的发光器件100B可以包括导电支撑衬底170、导电支撑衬底170上的第一反射层110、第一反射层110内的第二反射层120a、第一和第二反射层110和120a上的发光结构145、以及发光结构145上的电极160。
第一反射层110可以被部分地设置在导电支撑衬底170上。第一反射层110可以被设置在第二反射层120a的周围。可供选择地，第二反射层120a可以与第一反射层110齐平。
尽管第二反射层120a被设置在另一实施例中的导电支撑衬底170的中心部分处，但是第二反射层120a可以被设置在导电支撑衬底170的多个部分上。尽管第二反射层120被设置在前述实施例中的第一反射层110下面，但是第二反射层120a可以被设置在第一反射层110的侧表面上，而没有被设置在第一反射层110下面。
第二反射层120a可以接触发光结构145以实现肖特基接触。肖特基接触区域的至少部分可以与电极160在垂直方向上重叠，以改进发光结构145内的电流扩展。而且，第二反射层120a可以由具有高反射率的材料形成，以提高发光器件100B的发光效率。
在这里，第二反射层120a可以具有不同于第一反射层110的厚度。即，如图8中所示，第二反射层120a可以具有大于或者小于第一反射层110的厚度。因此，第二反射层120a和第一反射层110之间可以具有高度差。
在制造第二反射层120a的工艺中，可以出现厚度差。即，由于使用分离沉积或者镀工艺来制造第一和第二反射层110和120a，所以可能出现第一和第二反射层110和120a的厚度差。可供选择地，第一和第二反射层110和120a可以具有彼此相同的厚度。
在下文中，将会描述制造根据另一实施例的发光器件100B的方法。
图9至图15是示出制造根据另一实施例的发光器件100B的工艺的视图。
参考图9，发光结构145可以被形成在生长衬底101上。
参考图10，第一反射层110可以被形成在发光结构145的顶表面的周边区域上。
参考图11，掩模层115可以被形成在第一反射层110上。
掩模层115可以被形成为对应于后续工艺中的第二反射层120a。例如，掩模层115可以被形成为光刻胶。而且，使用光刻工艺可以形成掩模层115，但是其不限于此。
参考图12，使用掩模层115作为掩模可以执行沉积或者镀工艺，以形成第二反射层120a。
因为使用掩模层115作为掩模来形成第二反射层120，所以第二反射层120a的厚度可以不同于第一反射层110的厚度。
参考图13，导电支撑衬底170可以被形成在第一和第二反射层110和120a上。
参考图13和图14，生长衬底101可以被去除。
参考图15，对发光结构145可以执行隔离蚀刻工艺，并且粗糙部分可以被形成在发光结构145的底表面上，以提供根据另一实施例的发光器件100B。
图16是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图16，根据实施例的发光器件封装600包括：封装主体300、设置在封装主体300上的第一和第二电极310和320、设置在封装主体300上并且电气地连接至第一和第二电极310和320的发光器件200、以及在封装主体300上包围发光器件200的成型构件500。
封装主体300可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。倾斜表面可以设置在发光器件200的周围。
第一电极310和第二电极320可以被彼此电隔离，以向发光器件200提供电力。而且，第一和第二电极310和320可以反射在发光器件200中产生的光，以提高光效率。此外，第一和第二电极310和320可以将在发光器件200中产生的热散发到外部。
发光器件200可以设置在封装主体300上，或者设置在第一电极310或者第二电极320上。
发光器件200可以通过线400电气地连接到第二电极320。
成型构件500可以包围发光器件200，以保护发光器件200。而且，荧光体可以被包含在成型构件500中，以改变从发光器件200发射的光的波长。
由于可以应用具有被提高的光效率的发光器件200，所以根据实施例的发光器件封装600可以具有优秀的光效率。
多个根据实施例的发光器件封装600可以被排列在基板上。诸如导光板、棱镜片、扩散片、以及荧光片的光学构件可以设置在从发光器件封装500发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以起背光单元或者照明单元的作用。例如，照明***可以包括背光单元、照明单元、指示器单元、灯、街灯等等。
图17是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。然而，图17的背光单元是照明***的示例，但是其不限于此。
参考图17，背光单元1100可以包括底框1140、设置在底框1140中的导光构件1120、以及设置在导光构件1120的至少一个表面或者下表面上的发光模块1110。而且，反射片1130可以设置在导光构件1120下。
底框1140可以具有向上开口的盒形状，以容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。而且，底框1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是其不限于此。
发光模块1110可以包括：基板700和安装在基板上的多个发光器件封装600。多个发光器件封装600可以向导光构件1120提供光。在根据实施例的发光模块1110中，尽管发光器件封装600被设置在基板700上，但是也可以直接设置根据实施例的发光器件200。
如图17中所示，可以将发光模块1110设置在底框1140的至少一个表面或者内侧表面上，因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个侧表面提供光。
可供选择地，发光模块1110可以被设置在底框1140的下表面上，以朝着导光构件1120的下表面提供光。可以根据BLU的设计进行各种变化，但是其不限于此。
导光构件1120可以被设置在底框1140内。导光构件1120可以接收由发光模块1110提供的光以产生平面光，然后将平面光导向液晶面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光板(LGP)。导光板可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
光学片1150可以被设置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片(1ight collection sheet)、亮度增强片、以及荧光片中至少一个。例如，扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片可以被堆叠以形成光学片。在这样的情况下，扩散片可以使从发光模块1110发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片向显示面板(未示出)聚集扩散光。在此，从聚光片发射的光是随机偏振的光。亮度增强片可以提高从聚光片发射的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是反射式偏光片(dual brightness enhancement film)。荧光片可以是包括荧光体的透光板或者膜。
反射片1130可以被设置在导光构件1120下。反射片1130将通过导光构件1120的下表面发射的光朝着导光构件1120的发光表面反射。
反射片1130可以由具有优秀反射率的材料，例如PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂形成，但是其不限于此。
图18是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。然而，图18的照明单元1200是照明***的示例，但是其不限于此。
参考图18，照明单元1200可以包括：壳体1210、设置在壳体1210上的发光模块1230、以及设置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有良好散热性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。在根据实施例的发光模块1230中，尽管发光器件封装600被设置在基板700上，但是也可以直接设置根据实施例发光器件200。
电路图案可以被印制在电介质上以形成基板700。例如，基板700可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
而且，基板700可以由有效反射的材料形成，或者具有在其上由其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装600可以被安装在基板700上。发光器件封装600可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的有色LED，和发射紫外(UV)线的UV LED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合以获得色感(colorimpression)和亮度。例如，可以彼此组合白光LED、红光LED、绿光LED，以确保高显色指数。而且，荧光片可以进一步被设置在从发光模块1230发射的光的路径上。荧光片改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄色荧光体。因此，从发光模块1230发射的光经过荧光片，以最终发射白光。
连接端子1220可以被电气地连接至发光模块1230，以向发光模块1230提供电力。参考图18，以插座形式将连接端子1220螺纹耦接到外部电源，但是其不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头的形状，并且因此，被***到外部电源中。可供选择地，连接端子1220可以通过线连接到外部电源。
如上所述，在照明单元中，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的至少一个可以被设置在从发光模块发射的光的路径上，以获得所想要的光学效应。
如上所述，由于照明***包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装，所以照明***可以具有优秀的光学特性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的许多其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
导电支撑衬底；
所述导电支撑衬底上的第一反射层；
第二反射层，其中该第二反射层的至少部分被设置在所述第一反射层的侧表面上；
所述第一和第二反射层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及
所述发光结构上的电极，
其中，所述第二反射层肖特基接触所述发光结构，
其中，所述第二反射层的一部分被设置在所述第一反射层和所述导电支撑衬底之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一反射层和所述第二反射层由相同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二反射层由在400℃至450℃的温度下热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一反射层由在450℃至550℃的温度下热处理的包含Ag的金属或者合金形成。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一反射层的厚度不同于所述第二反射层的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述第一反射层和所述第二反射层的底表面之间具有高度差。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二反射层的接触所述发光结构的区域在设置有所述发光结构的方向上突出。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二反射层肖特基接触所述发光结构的区域的至少部分与所述电极在垂直方向上重叠。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一反射层欧姆接触所述发光结构。
10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一反射层和所述发光结构之间的欧姆接触层。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一反射层由金属或者合金形成，所述金属或合金包含从由Ag、Al、Pd、以及Pt组成的组中选择的至少一个。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光结构具有倾斜的侧表面，并且所述第一导电类型半导体层具有粗糙部分。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一反射层的第一部分与所述粗糙部分在垂直方向上重叠，并且所述第一反射层的第二部分与所述发光结构的倾斜表面在垂直方向上重叠。
14.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一反射层的第三部分与所述发光结构在垂直方向上不重叠。
15.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
所述封装主体上的第一和第二电极；以及
权利要求1至14中的任何一项所述的发光器件，所述发光器件被设置在所述封装主体上并且被电气地连接到所述第一和第二电极。
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