CN102074625A - 发光器件、发光器件封装以及照明*** - Google Patents

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Abstract

本发明公开发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。发光器件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被***在第一和第二导电半导体层之间的有源层。第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层包括铝。第二导电半导体层具有高于第一导电半导体层的铝含量的铝含量。第一导电半导体层具有高于有源层的铝含量的铝含量。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明***
技术领域
实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。最近，LED的亮度增加，使得LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用磷光体或者组合具有各种颜色的LED来表现具有优异的光效率的白色。
取决于诸如有源层的结构、足以将光有效地提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片尺寸、以及包围LED的成型构件的类型的各种条件来确定LED的亮度。
发明内容
实施例提供能够减少泄漏电流的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例提供具有优异的电流扩展效应的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例提供具有优异的结晶性(crystalline)的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例提供具有改进的内量子效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例提供具有减少的压电效应的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
根据实施例，发光器件包括：第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被***在第一和第二导电半导体层之间的有源层。第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层包括铝。第二导电半导体层的铝含量高于第一导电半导体层的铝含量。第一导电半导体层的铝含量高于有源层的铝含量。
根据实施例，发光器件封装包括：封装主体；第一和第二电极层，该第一和第二电极层被安装在封装主体上；发光器件，该发光器件被设置在封装主体上并且被电气地连接到第一和第二电极层。发光器件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被***在第一和第二导电半导体层之间的有源层。第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层包括铝，第二导电半导体层的铝含量高于第一导电半导体层的铝含量，并且第一导电半导体层的铝含量高于有源层的铝含量。
根据实施例，照明***包括：基板；和发光模块，该发光模块包括被设置在基板上的发光器件。发光器件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被***在第一和第二导电半导体层之间的有源层。第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层包括铝，第二导电半导体层的铝含量高于第一导电半导体层的铝含量，并且第一导电半导体层的铝含量高于有源层的铝含量。
根据实施例，制造发光器件的方法包括：形成包括铝的第一导电半导体层；在第一导电半导体层上形成包括铝的有源层；在第一导电半导体层上形成包括铝的有源层；以及在有源层上形成包括铝的第二导电半导体层。第二导电半导体层的铝含量高于第一导电半导体层的铝含量，并且第一导电半导体层的铝含量高于有源层的铝含量。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的视图；
图2是示出基于图1的发光器件100制造的横向型发光器件的截面图；
图3是示出基于图1的发光器件制造的垂直型发光器件的截面图；
图4是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；
图5是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图；以及
图6是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明***的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将参考附图描述根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。
图1是示出根据实施例的发光器件100的视图。
参考图1，发光器件100可以包括基板110、缓冲层115、未掺杂的半导体层120、第一导电半导体层130、有源层140、以及第二导电半导体层150。
可以通过化学气相沉积(CVD)方案、分子束外延方案(MBE)、溅射方案、或者氢化物气相外延(HVPE)方案在基板110上形成缓冲层115、未掺杂的半导体层120、第一导电半导体层130、有源层140、以及第二导电半导体层150，但是实施例不限于此。
基板110可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、或者Ge中的至少一个。
缓冲层115可以形成在基板110上。可以形成缓冲层115以减少基板110和第一导电半导体层130之间的晶格常数差。
缓冲层115可以包括铝(Al)。例如，缓冲层115可以具有AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)的组成式，其中x处于0.5至1的范围内，并且，优选地，为大约0.8。缓冲层115包括具有大于或者等于Ga的组成比率的组成比率的A1。然而，缓冲层115可以具有各种材料。
缓冲层115具有处于大约1000℃至大约1200℃的范围内的生长温度。优选地，缓冲层115可以具有大约1000℃的生长温度。生长温度高于包括GaN而不具有铝的缓冲层的温度。
由于缓冲层115中，Al具有高于Ga的组成比率的组成比率，并且缓冲层115具有处于大约1000℃至大约1200℃范围内的高生长温度，所以缓冲层115可以生长有优异的结晶性。因此，能够有效地减少缓冲层115和基板110之间的晶格常数差，并且能够减少缓冲层115的缺陷或位错。
例如，缓冲层115可以具有处于108个/cm2至3×108个/cm2范围内的位错密度。不同于具有大约7×109个/cm2的位错密度的传统的缓冲层，缓冲层115具有较低的位错密度。
未掺杂的缓冲层120可以形成在缓冲层115上。未掺杂的半导体层120没有被掺杂有N型或者P型掺杂物，使得未掺杂的半导体层120具有显著地低于第一和第二导电半导体层130和150的导电性。例如，未掺杂的半导体层可以包括具有AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)的组成式的层，其中x处于0至0.05的范围内，并且，优选地，可以为大约0.03。然而，实施例不限于此，并且未掺杂的半导体层120可以不包括铝。
未掺杂的半导体层120具有处于大约1050℃至大约1150℃的范围内的生长温度。优选地，未掺杂的半导体层120可以具有大约1080℃的生长温度。
未掺杂的半导体层120具有第一厚度以具有足够的结晶性使得能够在没有缺陷和位错的情况下生长第一和第二导电半导体层130和150以及有源层140。
未掺杂的半导体层120包括铝，并且形成在具有优异的结晶性的缓冲层115上。因此，与形成在传统的缓冲层上并且具有大约2μm的厚度的未掺杂的半导体层120相比较，未掺杂的半导体层120的第一厚度可以处于大约0.5μm至大约1μm的范围内。
由于未掺杂的半导体层120具有第一厚度，所以能够减少发光器件100的制造成本，并且能够减少发光器件100的厚度。
同时，可以形成缓冲层115或者未掺杂的半导体层120中的至少一个，或者可以不形成缓冲层115和未掺杂的半导体层120。
发光结构形成在未掺杂的半导体层120上，并且包括第一导电半导体层130、有源层140、以及第二导电半导体层150。发光结构包括铝。第二导电半导体层150的铝含量高于第一导电半导体层130的铝含量，并且第一导电半导体层130的铝含量高于有源层140的铝含量。在下文中，将会详细地描述发光结构。
第一导电半导体层130可以形成在未掺杂的半导体层120上。例如，第一导电半导体层130可以包括N型半导体层，并且包括具有AlxGa1-xN(0.02≤x≤0.08)的组成式的材料。另外，第一导电半导体层130被掺杂有诸如Si、Ge、以及Sn的N型掺杂物。x具有处于大约0.02至大约0.08的范围内的值，并且，优选地，可以具有大约0.05的值。第一导电半导体层130可以具有各种材料。
第一导电半导体层130的生长温度处于大约1000℃至大约1200℃的范围内，并且，优选地，可以为大约1100℃。
由于第一导电半导体层130包括铝，所以与不具有铝的GaN层的相比较，第一导电半导体层130可以具有更高的带隙和更高的电子迁移率。
因此，电荷能够在第一导电半导体层120的整个区域上有效地扩展，使得能够表现优异的电流扩展。因此，能够提高发光器件100的发光效率。
另外，由于第一导电半导体层130具有高带隙，所以能够减少发光器件100的泄漏电流。
有源层140可以形成在第一导电半导体层130上。在有源层140处通过第一导电半导体层130注入的电子(或者空穴)与通过第二导电半导体层150注入的空穴(或者电子)复合，使得有源层140发射基于根据有源层140的材料的能带的带隙差的光。
有源层140可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。尽管描述了其中有源层140具有多量子阱结构的实施例，但是实施例不限于此。
有源层140可以包括多个阻挡层140a、140c、以及140e，并且多个量子阱层140b和140d***在阱层140a、140c、以及140e当中的相邻的阱层之间。有源层140可以具有各种堆叠结构。
量子阱层140b和140d可以具有AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤0.005，0.1≤y≤0.3)的组成式。量子阱层140b和140d的生长温度可以处于大约680℃至大约750℃的范围内，并且，优选地，可以为大约720℃。在组成式中，x处于大约0至大约0.005的范围内，并且，优选地，可以为大约0.001。另外，y处于大约0.1至大约0.3的范围内，并且，优选地，可以为大约0.2。
调整量子阱层140b和140d中的铟(In)和Al的组成比率，使得能够调整In的集聚程度(conglomeration degree)。换言之，必须集聚预定量的In以用于发光。因此，在量子阱层140b和140d中调整Al和In的组成比率，使得能够调整In的集聚程度。因此，增加了实际上用于发光的In的量，使得能够提高发光器件100的内量子效率。
每个阱层140b或者140d可以具有多层的堆叠结构。例如，每个量子阱层140b或者140d可以包括包含铝的第一层140ba或者140da和第一层140ba或者140da上的不具有铝的第二层140bb或者140db。
换言之，第一层140ba或者140da可以包括AlInGaN，并且第二层140bb和140db可以包括InGaN层。在这样的情况下，第一层140ba或者140da具有大约
Figure BSA00000325298700071
的厚度，并且第二层140bb和140db可以具有大约
Figure BSA00000325298700072
的厚度，但是实施例不限于此。
阻挡层140a、140c、以及140e可以具有AlxGa1-xN(0.01≤x≤0.03)的组成式。阻挡层140a、140c、以及140e的生长温度处于大约820℃至大约880℃的范围内，并且，优选地，可以为850℃。在组成式中，x处于0.01至0.03的范围内，并且，优选地，可以是0.02。
调整阻挡层140a、140c、以及140e中的Al的组成比率以改变带隙，使得能够调整工作电压。另外，能够提高发光器件100的低电流特性，使得能够减少泄漏电流。
另外，由于多个量子阱层140b和140d和多个阻挡层140a、140c、以及140e的堆叠结构包括铝，使得能够减少由压电效应引起的光损耗。
同时，包覆层可以形成在有源层140的上和/或下面。
第二导电半导体层150形成在有源层140上。第二导电半导体层150可以包括P型半导体，并且可以包括具有AlxGa1-xN(0.1≤x≤0.3)的组成式的材料。另外，第二导电半导体层150掺杂有诸如Mg和Ba的P型掺杂物。在组成式中，x具有处于大约0.1至大约0.3的范围内的值，并且，优选地，可以具有大约0.2的值。然而，第二导电半导体层150可以具有各种材料。
第二导电半导体层150的生长温度处于大约900℃至大约1050℃的范围内，并且，优选地，可以为大约960℃。
由于第二导电半导体层150包括铝，所以第二导电半导体层150可以具有优异的结晶性。
同时，第二导电半导体层150具有多层的堆叠结构。例如，第二导电半导体层150包括有源层140上不具有铝的第一层150a、放置在第一层150a上并且包括铝的第二层150b、以及放置在第二层150b上不具有铝的第三层150c。
第二层150b可以包括AlGaN层，并且第一和第三层150a和150c可以包括GaN层。在这样的情况下，第二层150b可以具有处于大约
Figure BSA00000325298700091
至大约
Figure BSA00000325298700092
的范围内的厚度，并且，优选地，可以具有大约的厚度。第一和第三层150a和150c可以具有处于大约
Figure BSA00000325298700094
至大约
Figure BSA00000325298700095
范围内的厚度，并且，优选地，可以具有大约
Figure BSA00000325298700096
的厚度。
如上所述，如果第二导电半导体层150包括多层，则由于AlGaN层具有优异的结晶性，因此即使形成在AlGaN层上的GaN层也具有优异的结晶性。因此，当与仅包括GaN层的第二导电半导体层相比较时，第二导电半导体层150可以具有优异的结晶性。
另外，由于第二导电半导体层150具有优异的结晶性，因此对于第二导电半导体层150来说能够容易地执行掺杂。
相反地，第一导电半导体层130可以掺杂有P型掺杂物，并且第二导电半导体层150可以掺杂有N型掺杂物。另外，掺杂有N型掺杂物或者P型掺杂物的第三导电半导体层(未示出)可以额外地形成在第二导电半导体层150上。因此，发光结构可以具有N-P、P-N、N-P-N、以及P-N-P结结构中的至少一个，但是实施例不限于此。
图2是示出基于图1的发光器件100制造的横向型发光器件100A的截面图。
参考图1和图2，通过对于图1的发光器件100执行台面蚀刻形成横向型发光器件100A以暴露第一导电半导体层130的一部分。其后，第一电极180可以形成在第一导电半导体层130上。
透明电极层160可以形成在第二导电半导体层150上。透明电极层160包括ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、或者Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个，但是实施例不限于此。透明电极160允许第二导电半导体层150欧姆接触第二电极170。
可以形成反射电极层来替代透明电极160，并且反射电极可以包括具有高反射率的Ag、Ag的合金、Al、或者Al的合金中的至少一个。
第二电极170可以形成在透明电极层160上以将电力提供给横向型发光器件100A和第一电极180。
图3是示出基于发光器件100制造的垂直型发光器件100B的截面图。
参考图1和图3，通过在图1的发光器件100的第二导电半导体层150下面形成反射层260和导电支撑构件270，并且移除基板110可以形成垂直型发光器件100B。
反射层260可以形成在第二导电半导体层150下面。
反射层260可以包括Ag、Ag的合金、Al、、Al的合金、Pt、或Pt的合金中的至少一个。
导电支撑构件270可以形成在反射层260上以将电力提供给垂直型发光器件100B。
导电支撑构件270可以包括Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、或者被注入有杂质的半导体基板中的至少一个。
同时，粘性层(未示出)可以额外地形成在导电支撑构件270和反射层160之间以提高两个层之间的界面粘附强度。另外，欧姆层(未示出)可以额外地形成在第二导电半导体层150和反射层260之间以允许第二导电半导体层150欧姆接触反射层260。
通过激光剥离(LLO)工艺或者蚀刻工艺可以移除基板110，但是实施例不限于此。
在已经移除基板110之后，通过诸如电感耦合等离子体/反应离子蚀刻(ICP/RIE)工艺的蚀刻工艺可以移除第一导电半导体层130、未掺杂的半导体层120、缓冲层115的部分，但是实施例不限于此。
在基板110已经被移除之后，第一电极280可以形成在暴露的第一导电半导体层130、缓冲层115、以及未掺杂的半导体层120中的一个上。根据实施例，在缓冲层115和未掺杂的半导体层120都已经被移除之后，第一电极层形成在第一导电半导体层130上。第一电极280将电力提供给垂直型发光器件100B和导电支撑构件270。
实施例能够提供能够减少泄漏电流的发光器件。
实施例能够提供具有优异的电流扩展效应的发光器件。
实施例能够提供具有优异的结晶性的发光器件。
实施例能够提供具有改进的内量子效率的发光器件。
实施例能够提供具有减少的压电效应的发光器件。
图4是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图4，根据实施例的发光器件封装包括主体10；形成在主体10上的第一和第二电极层31和32；发光器件100B，该发光器件100B被设置在主体10上并且被电气地连接到第一和第二电极层31和32；以及成型构件40，该成型构件40包围发光器件100B。
主体10可以是包括硅、合成树脂、或者金属材料的导电基板，并且可以具有倾斜横表面的腔体。
第一和第二电极层31和32被相互电气地隔开以将电力提供给发光器件100B。另外，第一和第二电极层31和32反射从发光器件100B发射的光以提高光效率并且将从发光器件100B生成的热散发到外部。
发光器件100B能够被安装在主体10上或者第一或者第二电极层31或者32上。
通过引线键合方案、倒装芯片安装方案、或者贴片方案中的一种将发光器件100B电气地连接到第一和第二电极层31和32。根据实施例，在发光器件100B中，第一电极280通过电线电气地连接到第一电极层31，并且直接地接触第二电极层32以连接到第二电极32，但是实施例不限于此。
成型构件40包围发光器件100B以保护发光器件100B。另外，成型构件40可以包括磷光体以改变从发光器件100B发射的光的波长。
根据实施例的多个发光器件封装被排列在基板上，并且形成光学构件的导光板、棱镜片、漫射片、以及荧光片可以被提供在从发光器件封装发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以组成背光单元或者照明***。例如，照明***可以包括背光单元、照明***、指示器、灯、以及街灯。
图5是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元1100的视图。
参考图5，背光单元1100包括底盖1140、安装在底盖1140中的导光构件1120、以及安装在导光构件1120的底表面上或者一侧的发光模块1110。另外，反射片1130被布置在导光构件1120的下面。
底盖1140具有盒形状，该盒形状具有开口以在其中容纳导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130的顶表面。另外，底盖1140可以包括金属材料或者树脂材料，但是实施例不限于此。
发光模块1110可以包括基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。发光器件封装600将光提供给导光构件1120。根据实施例，尽管发光模块1110包括被提供在基板700上的发光器件封装600，但是根据实施例的发光器件可以被直接安装在发光模块1110中。
如图5中所示，发光模块1110安装在底盖1140的至少一个内侧以将光提供给导光构件1120的至少一侧。
另外，发光模块1110能够被提供在底盖1140的下面以朝着导光构件1120的底表面提供光。能够根据背光单元1100的设计对该布置进行各种修改，并且实施例不限于此。
导光构件1120被安装在底盖1140中。导光构件1120将从发光模块1110发射的光转化为表面光以朝着显示面板(未示出)引导表面光。
导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC或者聚邻苯二甲酸酯(PEN)树脂能够制造导光板。
光学片1150可以被提供在导光构件1120的上方。
光学片1150可以包括漫射片、聚光片、亮度增强片、或者荧光片中至少一种。例如，光学片1150具有漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片的堆叠结构。在这样的情况下，漫射片均匀地漫射从发光模块1110发射的光从而能够通过聚光片将漫射光聚集在显示面板(未示出)上。从聚光片输出的光被任意地偏振并且亮度增强片增加从聚光片输出的光的偏振的程度。聚光片可以包括水平的和/或竖直的棱镜片。另外，亮度增强片可以包括双亮度增强膜并且荧光片可以包括包含磷光体的透射膜或者透射板。
反射板1130能够被布置在导光构件1120的下方。反射片1130将通过导光构件1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。
反射片1130可以包括诸如PET、PC或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但是实施例不限于此。
图6是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明***1200的透视图。图6中所示的照明***1200是照明***的示例并且实施例不限于此。
参考图6，照明***1200包括壳体1210、安装在壳体1210中的发光模块1230、以及安装在壳体1210中以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
优选地，壳体1210包括具有优异的散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1230可以包括基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。根据实施例，尽管发光模块1110包括安装在基板700上的发光器件封装600，但是根据实施例的发光器件100B可以直接安装在发光模块1110中。
基板700包括印有电路图案的绝缘构件。例如，基板700包括PCB(印刷电路板)、MC(金属核)PCB、F(柔性)PCB、或者陶瓷PCB。
另外，基板700可以包括有效地反射光的材料。基板700的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色，以有效地反射光。
至少一个根据实施例的发光器件封装600能够安装在基板700上。每个发光器件封装600可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括发射具有红、绿、蓝或者白色的光的彩色LED和发射UV光的UV(紫外线)LED。
可以不同地布置发光模块1230的LED以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白色LED、红色LED以及绿色LED以实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够被提供在从发光模块1230发射的光的路径中以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄色磷光体。在这样的情况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片从而光被视为白光。
连接端子1220电气地连接至发光模块1230以将电力提供给发光模块1230。参考图6，连接端子1220具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以***外部电源或者通过布线连接至外部电源的插头的形式制备连接端子1220。
根据如上所述的照明***，导光构件、漫射片、聚光片、亮度增强片或荧光片中的至少一种被提供在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现想要的光学效果。
如上所述，照明***包括具有减少的工作电压和提高的光效率的发光器件或者发光器件封装，从而获得优异的光效率和可靠性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
第一导电半导体层；
第二导电半导体层；以及
被***在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层，
其中所述第一导电半导体层、所述有源层、以及所述第二导电半导体层包括铝，
其中所述第二导电半导体层的铝含量高于所述第一导电半导体层的铝含量，并且
其中所述第一导电半导体层具有高于所述有源层的铝含量的铝含量。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层具有AlxGa1-xN(0.02≤x≤0.08)的组成式。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述有源层包括多个量子阱层和多个阻挡层，并且
其中所述量子阱层的铝含量低于所述阻挡层的铝含量。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述量子阱层具有AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤0.005，0.1≤y≤0.3)的组成式，并且所述量子阻挡层具有AlxGa1-xN(0.01≤x≤0.03)的组成式。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述量子阱层包括包含铝的第一层和所述第一层上的不具有铝的第二层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层具有AlxGa1-xN(0.1≤x≤0.3)的组成式。
7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第一导电半导体层下的缓冲层，其中所述缓冲层具有AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)的组成式。
8.根据权利要求7所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电半导体层和所述缓冲层之间的未掺杂的半导体层，其中所述未掺杂的半导体层具有AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)的组成式。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述未掺杂的半导体层具有处于大约0.5μm至大约1μm的范围内的第一厚度。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层包括所述有源层上的不具有铝的第一层、所述第一层上的包括铝的第二层、以及所述第二层上的不具有铝的第三层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二层具有大约
Figure FSA00000325298600021
至大约
Figure FSA00000325298600022
的厚度，并且所述第一和第三层具有
Figure FSA00000325298600023
至
Figure FSA00000325298600024
Figure FSA00000325298600025
的厚度。
12.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
所述第二导电半导体层上的第二电极；和
所述第一导电半导体层上的第一电极。
13.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
所述第二导电半导体层上的导电支撑构件；以及
所述第一导电半导体层上的电极。
14.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
第一和第二电极层，所述第一和第二电极层被安装在所述封装主体上；
发光器件，所述发光器件被设置在所述封装主体上，并且被电气地连接到所述第一和第二电极层，
其中所述发光器件包括：
第一导电半导体层；
第二导电半导体层；以及
被***在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层，
其中所述第一导电半导体层、所述有源层、以及所述第二导电半导体层包括铝，所述第二导电半导体层具有高于所述第一导电半导体层的铝含量的铝含量，并且所述第一导电半导体层具有高于所述有源层的铝含量的铝含量。
15.一种照明***，包括：
基板；和
发光模块，所述发光模块包括被设置在所述基板上的发光器件，
其中所述发光器件包括：
第一导电半导体层；
第二导电半导体层；以及
被***在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层，
其中所述第一导电半导体层、所述有源层、以及所述第二导电半导体层包括铝，所述第二导电半导体层具有高于所述第一导电半导体层的铝含量的铝含量，并且所述第一导电半导体层具有高于所述有源层的铝含量的铝含量。
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