CN102116835A - 探测装置以及衬底运送方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供探测装置以及探针装置中的衬底运送方法。探测装置包括:配置在直线上的多台探测检查室;以及具有衬底运送机构的装载室,其中衬底运送机构从配置在比探测检查室靠上的位置的收纳容器中取出被检查衬底,在将被检查衬底下降到探测检查室的运入运出口的高度之后,在探测检查室的列的前方与该列平行地移动,并将从收纳容器取出的被检查衬底运送到探测检查室内;并且在使衬底运送机构在探测检查室的列的前方与该列平行地移动的水平移动机构上设置有读取机构,该读取机构用于读取被衬底运送机构支承的被检查衬底上所记录的信息。
Description
相关申请的参考
本申请以2009年11月17日提出的日本专利申请2009-262082号、2009年11月6日提出的日本专利申请2009-255159号以及2009年11月6日提出的日本专利申请2009-255158为基础,并将它们的全部内容作为参考引用于此。
技术领域
本发明涉及探测装置以及探测装置中的衬底运送方法。
背景技术
以往,探测装置进行通过将探测卡的探针等探测器接触到半导体芯片的电极触点来检查电特性的探测测试。该探测装置包括:探测检查室,具有探测卡和载置台;以及装载室,设置有容纳晶片承载器(FOUP)的装载端口以及在探测检查室之间运送晶片的衬底运送机构。
并且,衬底运送机构从运入到装载端口内的晶片承载器中取出晶片,在通过装载室内的预校准机构或者设置在衬底运送机构上的预校准机构进行预校准之后,将该晶片运送到探测检查室内的载置台上。另外,还已知有在装载室内设置有读取机构(例如,光学字符读取机构(OCR机构))的探测装置:该读取机构光学地读取记录在由衬底运送机构支承的晶片上的信息、例如条形码或字符。
另外,还已知有对于装载室设置有多个探测检查室的探测装置。在这样的探测装置中,从减小洁净室内的运送机器人的运送高度以及占地面积的观点出发如图9所示那样构成,即:将FOUP(晶片承载器)20配置在比探测检查室21高的位置处,通过设置在装载室1内的衬底运送机构3将从FOUP 20取出的晶片下降到探测检查室21的运入运出口23的高度,之后沿水平方向运送晶片并经由各运入运出口23运入到探测检查室21内或从探测检查室21内运出。另外,在这样的探测装置的情况下,OCR机构60被设置在FOUP 20的载置部的下侧。
在该探测装置中,如图9中箭头所示,当向探测检查室21运入从FOUP 20取出的晶片运入时,首先使衬底运送机构3下降到OCR机构60的高度位置(图中的箭头A),并使衬底运送机构3暂且向OCR机构60侧沿水平方向移动(图中的箭头B)。然后,通过OCR机构60来读取记录在晶片上的字符,之后再使衬底运送机构3返回到原来的水平位置(图中的箭头C),并将衬底运送机构3再次下降到探测检查室21的运入运出口23的高度(图中的箭头D)。之后,将晶片水平运送到预定的探测检查室21的运入运出口23的前面(图中的箭头E)。
作为衬底运送机构,例如使用包括两个作为衬底支承部件的臂体的机构,在于探测检查室内进行晶片探测测试的期间,通过一个臂体取出接下来要进行检查的晶片,进行预校准,一旦探测检查室内的晶片的检查结束,就通过另一个臂体接收检查完的晶片,并将由一个臂体支承的未检查的晶片运送到载置台上。
另一方面,衬底运送机构的臂上所保持的晶片通过设置在探测检查室的正面的运入运出口被运送到位于探测检查室内的载置台。此时,衬底运送机构需要设置在各探测检查室的正面位置处。
另一方面,已知有包括一个衬底运送机构以及多个探测检查室的探测装置(例如,专利文献2)。在这样的探测装置中,衬底运送机构可在轨道上左右移动,轨道被设置在配置于直线上的多个探测检查室的前方。如图10所示,当向各探测检查室21运送晶片时,需要使衬底运送机构3移动到各探测检查室21的衬底运入运出口23的正面位置。在图10中,标号35、36是衬底运送机构3中用于支承晶片的第一、第二臂体。
专利文献1:日本专利文献特开2007-329458号公报;
专利文献2:日本专利文献特开平3-289152号公报。
上述的探测装置被要求进一步提高吞吐量(throughput),以能够高效地进行被检查衬底的检查。另外,在上述的探测装置中,被要求进一步减小占地面积,以减小洁净室内的占用面积。另外,还被要求将探测检查室内的气氛维持洁净,以便可在洁净气氛下进行被检查衬底的检查。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种能够提高吞吐量从而能够高效地进行被检查衬底的检查的探测装置。另外,本发明的目的在于提供一种能够减小占地面积的探测装置。另外,本发明的目的在于提供一种能够将探测检查室内的气氛维持洁净的探测装置。另外,本发明的目的在于提供一种衬底运送方法,该方法在包括多个探测检查室和在探测检查室的前方左右平行移动的运送机构的探测装置中能够提高衬底运送时的吞吐量,并能够使得装载室小型化。
根据本发明的探测装置包括:配置在直线上的多台探测检查室;以及具有衬底运送机构的装载室,其中所述衬底运送机构从配置在比所述探测检查室靠上的位置的收纳容器中取出被检查衬底,在将被检查衬底下降到所述探测检查室的运入运出口的高度之后,在所述探测检查室的列的前方与该列平行地移动,并将从收纳容器取出的被检查衬底运送到所述探测检查室内;并且所述探测装置通过使探测卡的探测器与载置在所述探测检查室内所设置的载置台上的被检查衬底上的电极触点接触,来测定所述被检查衬底的被检查芯片的电特性,所述探测装置的特征在于,在使所述衬底运送机构在所述探测检查室的列的前方与该列平行地移动的水平移动机构上设置有读取机构,所述读取机构用于读取被所述衬底运送机构支承的被检查衬底上所记录的信息。
根据本发明的探测装置包括:设置有载置台的探测检查室;以及具有运送机构的装载室,其中所述运送机构将从收纳容器中取出的被检查衬底运送到所述探测检查室内的载置台上;并且所述探测装置通过使探测卡的探测器与载置在所述载置台上的被检查衬底上的电极触点接触,来测定所述被检查衬底的被检查芯片的电特性,所述探测装置的特征在于,在所述探测检查室的壳体的侧壁上设置有从前面绕至侧面侧开口的具有弯折或弯曲的形状的运入运出口。
根据本发明的衬底运送方法是一种探测装置中的衬底运送方法,所述探测装置包括:配置在直线上的偶数台的探测检查室;以及具有运送机构的装载室,其中所述运送机构在所述探测检查室的列的前方与该列平行地移动,并将从收纳容器取出的被检查衬底运送到所述探测检查室内;并且所述探测装置通过使探测卡的探测器与载置在所述探测检查室内所设置的载置台上的被检查衬底上的电极触点接触,来测定所述被检查衬底的被检查芯片的电特性,所述衬底运送方法的特征在于,使所述运送机构移动,并使所述运送机构停止在相邻的两个所述探测检查室的大致中央的正面位置,通过所述运送机构向两个所述探测检查室运入被检查衬底或者从两个所述探测检查室运出被检查衬底。
根据本发明的探测装置,能够提高吞吐量,能够高效地进行被检查衬底的检查。另外,可从探测检查室的斜前方向内部运入晶片或从内部运出晶片,能够以占地面积最小的方式构成整个装置。另外,通过设置打开或关闭弯折或弯曲的开口部的闸门部件来密闭各探测检查室内以阻断外部气体,能够防止尘埃侵入,或能够得到内部的绝热效果。
根据本发明的衬底运送方法,通过使衬底运送机构停止在两台相邻的探测检查室的大致中央的正面,并在与两台探测检查室之间进行晶片的运入或运出,能够缩短衬底运送机构的移动距离,从而能够提高衬底运送时的吞吐量。另外,能够缩短衬底运送机构在左右方向上的移动范围,能够使装载室小型化。
附图说明
图1是示出本发明第一实施方式的探测装置的概要的立体图;
图2是示出第一实施方式的探测装置的概要的平面图;
图3a和图3b是示出第一实施方式的探测装置的概要的侧面图;
图4是示出第一实施方式的探测装置的晶片运送臂的概要的立体图;
图5是示出第一实施方式的探测装置的探测检查室内部的概要的立体图;
图6是示出第一实施方式的探测装置的运入运出口的外观的立体图;
图7a和图7b是示出第一实施方式的探测装置中的衬底运送方法的说明图;
图8是示出第二实施方式的探测装置的概要的平面图。
图9是示出现有探测装置的结构的图;
图10是示出现有的衬底运送方法的说明图。
具体实施方式
以下,参考图1至图7b,对本发明一个实施方式的探测装置进行说明。
如图1所示,探测装置包括:装载室1,用于进行晶片W的交接,该晶片W是排列有多个被检查芯片的衬底;以及探测装置主体2,对晶片W进行探测。首先,对装载室1和探测装置主体2的整体布局进行说明。
装载室1包括:装载端口11和装载端口12,FOUP 20被运入装载端口11或装载端口12,该装载端口11和装载端口12彼此在Y方向(图中左右方向)隔开并相对配置,FOUP 20是收纳有多个晶片W的密闭型运送容器;以及运送室10,被配置在所述装载端口11和所述装载端口12之间。
装载端口11、12分别包括盒体13、14,FOUP 20从装载端口11、12的设置在图中X方向上的运入口15、16被运入到盒体13、14内。被运入的FOUP 20的盖体通过设置在装载端口11、12上的图中没有示出的盖体开闭单元被卸下,盖体被保持在装载端口11、12的侧壁上,被取下了盖体的FOUP 20被旋转,其开口部朝向运送室10侧。
如图2所示,装载室1中设置有控制探测装置的控制部5。控制部5例如由计算机构成,并具有由存储器、CPU构成的数据处理部,探测程序50等控制程序被输入到该控制部5中。在探测程序50中编有晶片W的运送进度表和用于控制一系列的各部分的动作的步骤群,晶片W的运送进度表包括FOUP 20被运入到装载端口11、12中,晶片W从FOUP 20运入到探测装置主体2中并被进行探测,之后晶片W被送回到FOUP 20,直到FOUP 20被运出。并且,探测程序5还包含与处理参数的输入操作和显示有关的程序,例如被存储在软盘、光盘、MO(光磁盘)、硬盘等存储介质中并被安装在控制部5上。
探测装置主体2包括在Y轴方向上排列的多台(例如四台)探测检查室21,多个探测检查室21与该装载室1相邻配置,以便与装载室1在图示X轴方向上并排。另外,在各探测检查室21的上方安装有图中没有示出的用于检查的测试头。
如图3a和图3b所示,探测检查室21包括壳体22,在壳体22的内部设置有台单元24以及上侧摄像部9。台单元24可在X、Y、Z(上下)轴向上自由移动,即可在水平面上自由纵横地移动且在高度方向上自由移动,并且其上部可绕铅垂轴旋转。在该台单元24的上部设置有具有真空吸附功能的晶片卡盘(wafer chuck)4,该晶片卡盘4是用于载置晶片W的载置台。并且,在台单元24的侧部设置有下侧摄像部8,该下侧摄像部8包括用于拍摄探测卡6的微型照相机等。
如图3a和图3b所示,上侧摄像部9包括用于拍摄载置在晶片卡盘4上的晶片W的微型照相机等。在晶片卡盘4和上侧摄像部9的移动区域的上方设置有构成壳体22的顶棚部的头板25,探测卡6被安装在该头板25上并由该头板25保持。
在探测卡6的顶面侧安装有图中没有示出的测试头,探测卡6和测试头经由图中没有示出的弹簧针(pogo pin)单元电连接。另外,在探测卡6的底面侧的例如在探测卡6的整个表面上,与晶片W的电极触点的排列相对应地设置有分别与顶面侧的电极群电连接的探针7。
如图3a和图3b所示,在运送室10内设置有运送晶片W的衬底运送机构3。衬底运送机构3被设置在运送基台30上,并包括可进退的第一臂体35和第二臂体36这两个臂体,所述运送基台30可绕铅垂轴自由旋转、可自由升降以及可在图示Y方向上自由移动。图3a和图3b示出了沿着在Y方向延长的轨道19移动的基台移动部33、相对于基台移动部33而升降的基台升降部32以及设置在基台升降部32上的旋转部31。
另外,在沿轨道19在Y方向上移动的基台移动部33设置有光学字符读取机构(OCR机构)60,作为用于读取记录在晶片W上的信息的读取机构。该COR机构60通过支承部件61被支承于基台移动部33上,并被设置在与探测检查室21的运入运出口23大致相同的高度位置。并且,当将晶片W下降到探测检查室21的运入运出口23的高度并在Y方向上运送时,使得晶片W不在高度方向的中途位置临时停止,并在下降到运入运出口23的高度的位置处通过OCR机构60进行字符的读取。即,在本实施方式中,如图3b中虚线的箭头A、B所示,晶片W的运送动作只包括两个阶段的动作,即:将从FOUP 20取出的晶片W下降到探测检查室21的运入运出口23的高度处的下降动作(A)、以及将所述下降了的晶片W水平运送到预定的运入运出口23的前面的水平运送动作(B),通过OCR机构60的字符读取能够通过运送基台30在下降了的位置处的旋转动作和第一臂体35或第二臂体36的伸缩动作等来进行。
这样,在本实施方式中,由于OCR机构60设置在沿者轨道19在Y方向上移动的基台移动部33上,因此与图9所示的现有探测装置的情况相比,能够缩短通过衬底运送机构3从FOUP 20取出晶片W并运送到探测检查室21的晶片卡盘4为止的时间。即,如图9所示,当从FOUP 20取出晶片W并使其下降时,与临时停止下降动作、在水平方向上移动并由OCR机构60进行读取的情况(进行图9所示的箭头A→B→C→D→E的运送的情况)相比,能够将衬底运送机构3的运送动作简化为图3b所示的A→B的运送,能够缩短运送路径,能够通过减少运送的临时停止次数来提高运送效率,由此能够提高吞吐量。
另外,如图4所示,在第一臂体35和第二臂体36的前端侧形成有U字形的缺口部55、56。并且,在运送基台30的顶面上的臂体的左右两端平行地设置有一对导轨37,第一臂体35和第二臂体36分别经由臂引向件38、39沿着所述导轨37前后移动。
另外,在运送基台30上设置有预校准机构40,该预校准机构40用于对载置在第一臂体35或第二臂体36上的晶片W进行预校准。如图4所示,该预校准机构40包括卡盘部41、传感器桥42、受光传感器43、光通过部44,在第一臂体35、第二臂体36的下方设置有图中没有示出的发光部。
卡盘部41是使晶片W旋转的旋转台,卡盘部41的旋转中心设置于与在运送基台30上后退了的第一臂体35、第二臂体36上的晶片W的中心对应的位置处。该卡盘部41包括在图示Z轴方向上升降的升降部,从而当处于不进行预校准的等待状态时,卡盘部41下降并停止在不干扰第一臂体35、第二臂体36进退的位置处。并且,当进行预校准时,卡盘部41上升以能够从第一臂体35或第二臂体36上稍稍托起晶片W进行旋转。
在运送基台30的顶面设置有不与被第一臂体35、第二臂体36支承的晶片W干扰的传感器桥42,在该传感器桥42上安装有受光传感器43,该受光传感器43接受从图中没有示出的发光部照射并通过晶片W的光。并且,在第一臂体35、第二臂体36上形成有在图示X轴方向延伸的光透过部44,来自发光部的光通过透过部44从下方向包含被卡盘部41从第一臂体35或第二臂体36托起的晶片W的周缘部(端部)的区域照射。
接着,对根据本实施方式的晶片运入运出口的结构进行说明。如图5所示,晶片卡盘4设置在X、Y台上,从而能够在用于进行晶片W的交接的交接位置、晶片W表面的摄像位置、以及将晶片W与探测卡6的探针7接触的检查位置之间自由移动。在构成容纳X、Y台和晶片卡盘4的壳体22的侧壁中位于运送室10侧(前面侧)的侧壁22a与相邻的探测检查室21相接的区域形成有倒角形状的角部27。即,该角部27以对连接前面侧的侧壁22a和与相邻的探测检查室21之间的侧壁的角部的部分进行倒角的方式形成。并且,在壳体22的侧壁上从壳体22的前面的侧壁22a经过角部27形成有运入运出口23,该运入运出口23以从前面绕到侧面侧的方式开口,并形成为弯折的形状。运送室10的内部和壳体22的内部经由该运入运出口23连接。
如图6所示,在形成为弯折的形状的运入运出口23中设置有闸门部件17,该闸门部件17形成为与运入运出口23相同弯折的形状。该闸门部件17通过作动筒(cylinder)18而升降,以进行运入运出口23的开闭。除晶片W运入运出的时候以外,运入运出口23被闸门部件17封闭,从而探测检查室21的内部被维持为密闭状态。当向壳体22内的晶片卡盘4上运送晶片W时,作动筒18动作,闸门部件17下降,从而运入运出口23被敞开。
接着,对在该探测装置中进行的探测测试的一系列流程进行说明。首先,通过衬底运送机构3将晶片W从载置在装载端口11、12中的FOUP20运出,并如前面详细说明的那样通过与衬底运送机构3组合设置的预校准机构40进行预校准。
接着,使晶片W下降到运入运出口23的高度,首先通过OCR机构60来识别晶片W上记载的字符,之后沿水平方向运送到预定的探测检查室21的运入运出口23。之后,闸门部件17下降,运入运出口23敞开,将晶片W经由运入运出口23运送到探测检查室21的晶片卡盘4上。在这样的从FOUP 20到探测检查室21的晶片卡盘4的晶片W的运入动作中,如上所述,在本实施方式中由于OCR机构60设置在沿轨道19在Y方向上移动的基台移动部33上,因此与图9所示的现有探测装置的情况相比能够缩短运送晶片W所需的时间。
这里,在完成晶片W的运入后,通过关闭闸门部件17,能够使探测检查室21的内部成为气密状态。由此,能够减轻晶片运送时的热量或露点的恶化。
如图7a所示,通过在相邻的探测检查室21之间靠近形成晶片W的运入运出口23,能够使衬底运送机构3对两个探测检查室21的晶片装载位置成为两个台的大致中央的一处。
另外,如图7b所示,通过将隔着壳体侧壁(遮蔽板)相邻的两个探测检查室21的角部27形成为彼此相向的倒角形状,能够通过固定在一处的衬底运送机构3更容易运入运出晶片W。即,当从中央的装载位置向两个探测检查室21的晶片卡盘4运送晶片W时,在前面的运入运出口,如图7a所示,需要确保足够的运入运出口的宽度,并且也需要确保足够的臂的行程。但是,通过将运入运出口23形成为图7b所示的形状,能够以最短的臂行程在避免运送臂和运入运出口23发生干扰的情况下将晶片W运送到两个探测检查室21内。
这样,通过从一处向两个晶片卡盘4运送晶片W,能够缩小衬底运送机构3的移动距离,改善吞吐量,并且还能够减小衬底运送机构3的尺寸。
通过重复上述动作,向所有探测检查室21运送晶片W,并在各探测检查室21内进行探测测试。在此期间,衬底运送机构3通过第一臂体35运出接下来要进行检查的晶片W,并进行预校准,在运送室10内进行等待。
在运入了晶片W的第一探测检查室21内,通过下侧摄像部8拍摄探测卡6,并且通过上侧摄像部9拍摄晶片卡盘4上的晶片W,获取探针7的顶端位置和晶片W表面上的图中没有示出的电极触点的位置的摄像数据,基于该摄像数据来求出使探针7和电极触点接触的接触座标,并将晶片W移动到该接触座标上。
并且,在使探针7和电极触点接触并完成了探测测试后,晶片卡盘4移动到运入运出口23的附近。此时,衬底运送机构3的第二臂体36未承载晶片W,因此通过第二臂体36接受检查完的晶片W,并且将由第一臂体35支承的未检查的晶片W交到晶片卡盘4上。之后,衬底运送机构3将检查完的晶片W送回到FOUP 20,并且在FOUP 20中还收纳有未检查的晶片W的情况下,运出接下来要检查的晶片W。
上述一系列的工序在其它的第二~第四探测检查室21中也同样进行。经过以上工序,本实施方式的探测装置通过一个衬底运送机构3依次向四台探测检查室21运送晶片W,进行探测测试。控制部5基于探测程序50控制各单元,由此进行上述的探测测试。另外,在本实施方式中,设置了四台探测检查室21,但可以是任意的偶数台。
接着,参考图8对第二实施方式进行说明。根据本实施方式的探测装置包括:装载室1,具有容纳FOUP 20的容纳部和衬底运送机构3;以及一个探测检查室21。在探测检查室21的壳体22的前面角部27设置有与第一实施方式相同地弯折形成的运入运出口23。
设置在探测检查室21的斜前方的衬底运送机构3被构成为:不在横向上移动,通过θ旋转和第一臂体35、第二臂体36的伸缩来将从FOUP20取出的晶片W通过运入运出口23运送到探测检查室21的内部或从探测检查室21的内部运出。关于其他结构,与第一实施方式相同,省略说明。
通过在探测检查室21上设置如上弯折的形状的运入运出口23,可自由地配置探测检查室21、衬底运送机构3以及FOUP 20的容纳部,能够使装置整体的占地面积最小。
另外,在上述的第一和第二实施方式中,探测检查室21的运入运出口23形成为弯折形状,但也可以是弯曲形状。另外,闸门部件17的开闭驱动机构使用了作动筒18,但也可以使用马达或其他的驱动机构。另外,也可以使通过闸门部件17密闭的探测检查室21内充满干燥的空气,来防止内部结露。
Claims (13)
1.一种探测装置,包括:配置在直线上的多台探测检查室;以及具有衬底运送机构的装载室,其中所述衬底运送机构从配置在比所述探测检查室靠上的位置的收纳容器中取出被检查衬底,在将被检查衬底下降到所述探测检查室的运入运出口的高度之后,在所述探测检查室的列的前方与该列平行地移动,并将从收纳容器取出的被检查衬底运送到所述探测检查室内;并且所述探测装置通过使探测卡的探测器与载置在所述探测检查室内所设置的载置台上的被检查衬底上的电极触点接触,来测定所述被检查衬底的被检查芯片的电特性,所述探测装置的特征在于,
在使所述衬底运送机构在所述探测检查室的列的前方与该列平行地移动的水平移动机构上设置有读取机构,所述读取机构用于读取被所述衬底运送机构支承的被检查衬底上所记录的信息。
2.如权利要求1所述的探测装置,其特征在于,
所述水平移动机构在所述探测检查室的列的前方具有与所述列平行地设置的轨道以及沿所述轨道移动并设置有所述衬底运送机构的基台移动部,所述读取机构被固定在所述基台移动部上。
3.如权利要求1所述的探测装置,其特征在于,
所述探测装置被构成为:在使所述衬底运送机构位于与向所述探测检查室的运入运出口运入被检查衬底或者从该运入运出口运出被检查衬底时的高度相同的高度的状态下,通过所述读取机构来读取被检查衬底上所记录的信息。
4.如权利要求1所述的探测装置,其特征在于,
所述探测装置被构成为:在通过所述衬底运送机构向所述探测检查室的运入运出口运入被检查衬底的步骤中途,通过所述读取机构来读取被检查衬底上所记录的信息。
5.如权利要求1所述的探测装置,其特征在于,
所述读取机构是读取被检查衬底上所记载的字符的光学字符读取机构。
6.一种探测装置,包括:设置有载置台的探测检查室;以及具有运送机构的装载室,其中所述运送机构将从收纳容器中取出的被检查衬底运送到所述探测检查室内的载置台上;并且所述探测装置通过使探测卡的探测器与载置在所述载置台上的被检查衬底上的电极触点接触,来测定所述被检查衬底的被检查芯片的电特性,所述探测装置的特征在于,
在所述探测检查室的壳体的侧壁上设置有从前面绕至侧面侧开口的具有弯折或弯曲的形状的运入运出口。
7.如权利要求6所述的探测装置,其特征在于,
设置有闸门部件,所述闸门部件具有与所述运入运出口相同地弯折或弯曲的形状,用于打开或关闭所述运入运出口。
8.如权利要求7所述的探测装置,其特征在于,
所述闸门部件通过作动筒而被打开或关闭。
9.如权利要求6所述的探测装置,其特征在于,
所述壳体被形成为在所述壳体的所述侧壁的前面和侧面的连接部存在角部的形状,所述角部以对所述连接部进行倒角的方式连接所述前面和所述侧面,所述运入运出口形成为从所述壳体的前面到所述角部开口。
10.一种衬底运送方法,是探测装置中的衬底运送方法,所述探测装置包括:配置在直线上的偶数台的探测检查室;以及具有运送机构的装载室,其中所述运送机构在所述探测检查室的列的前方与该列平行地移动,并将从收纳容器取出的被检查衬底运送到所述探测检查室内;并且所述探测装置通过使探测卡的探测器与载置在所述探测检查室内所设置的载置台上的被检查衬底上的电极触点接触,来测定所述被检查衬底的被检查芯片的电特性,所述衬底运送方法的特征在于,
使所述运送机构移动,并使所述运送机构停止在相邻的两个所述探测检查室的大致中央的正面位置,通过所述运送机构向两个所述探测检查室运入被检查衬底或者从两个所述探测检查室运出被检查衬底。
11.如权利要求10所述的衬底运送方法,其特征在于,
设置有衬底运入运出口,所述衬底运入运出口在相邻的两个所述探测检查室的壳体的前面侧壁的彼此接近的位置处开口,
经由所述衬底运入运出口运入或运出被检查衬底。
12.如权利要求10所述的衬底运送方法,其特征在于,
在相邻的两个所述探测检查室的壳体的侧壁的彼此接近的位置处设置运入运出口,所述运入运出口从前面侧绕到侧面侧开口,并具有弯折或弯曲的形状,
经由所述运入运出口运入或运出被检查衬底。
13.如权利要求11所述的衬底运送方法,其特征在于,
设置用于打开或关闭所述运入运出口的闸门部件,除运入或运出被检查衬底的时候之外,通过闸门部件关闭所述运入运出口。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-255159 | 2009-11-06 | ||
JP2009255158A JP4910033B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | プローブ装置 |
JP2009255159A JP4913201B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 基板搬送方法 |
JP2009-255158 | 2009-11-06 | ||
JP2009262082A JP4949454B2 (ja) | 2009-11-17 | 2009-11-17 | プローブ装置 |
JP2009-262082 | 2009-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102116835A true CN102116835A (zh) | 2011-07-06 |
CN102116835B CN102116835B (zh) | 2014-12-03 |
Family
ID=43973139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010532051.0A Active CN102116835B (zh) | 2009-11-06 | 2010-10-27 | 探测装置以及衬底运送方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8726748B2 (zh) |
KR (1) | KR101147787B1 (zh) |
CN (1) | CN102116835B (zh) |
TW (1) | TWI412767B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |