CN102034450A - 液晶显示设备 - Google Patents

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Abstract

在此公开了一种液晶显示设备，其具有相互面对布置的第一和第二基底，以便在其间保持液晶层，并且在所述第一基底上形成用于输出选择电势和非选择电势的栅极电势创建电路；扫描线；信号线；形成以便分别对应于所述扫描线和所述信号线之间的交叉部分的薄膜晶体管；分别电连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及栅极控制电路，用于将从所述栅极电势创建电路提供的选择电势和非选择电势相互切换，从而通过所述扫描线中的相应扫描线的将选择电势和非选择电势的一个提供到所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管；以及在所述第一基底或所述第二基底上形成的公共电极。

Description

液晶显示设备
技术领域
本发明涉及液晶显示设备，并且更具体地涉及这样的液晶显示设备，其用在移动设备等中，并且其中即使当导致如电池掉出(coming-off)的突然的电源切断状态时，像素电极中剩余的电荷也可以可靠地放电，并且因此几乎不导致烧灼(burn-in)现象和再驱动阶段的闪烁(flicker)。
背景技术
因为液晶设备与阴极射线管(CRT)的情况相比具有重量轻、薄和低功耗的特征，所以液晶显示设备用作许多电子装置中的显示设备。已知利用纵向电场***的方法和利用横向电场***的方法作为横跨液晶显示设备的液晶层施加电场的方法。利用纵向电场***的液晶显示设备使得电极分别提供在布置的成对透明基底上，以便将液晶层夹在它们之间，并且近似朝向列方向的电场通过该对电极施加到液晶分子。已知具有扭曲向列(TN)模式的液晶显示设备、具有垂直对准(VA)模式的液晶显示设备、具有多域垂直对准(MVA)模式的液晶显示设备等作为利用纵向电场***的液晶显示设备。
另一方面，利用横向电场***的液晶显示设备使得一对电极以绝缘方式仅提供在布置的成对基底之一的内表面侧上，以便将液晶层夹在它们之间，并且近似朝向横向方向的电场施加到液晶分子。已知具有平面内切换(IPS)模式的液晶显示设备和具有边缘场切换(FFS)模式的液晶显示设备作为利用横向电场***的液晶显示设备，在IPS模式中成对电极在平面视图方面不相互重叠，在FFS模式中成对电极在平面视图方面相互重叠。
在那些液晶显示设备的任何中，在阵列基底的显示区域中形成像素电极和公共电极，其用于形成用于改变液晶分子的取向的电场，以及用于改变每个像素的像素电极的电压的扫描线和信号线。在此情况下，像素以矩阵布置。预定信号从驱动IC施加到扫描线和信号线，从而显示预定图像。
另一方面，尽管结合作为驱动电源的电池使用便携式液晶显示设备，但是在一些情况下在某种触发下电池掉出(come-off)(下文中称为“电池掉出”)。此时，当液晶显示设备处于驱动状态并且因此电场施加到液晶时，驱动IC瞬间变为电源切断状态。因此，在像素电极和公共电极之间剩余电荷，因此电场保持施加到液晶。结果，导致烧灼现象。以这样的方式配置普通液晶显示设备，使得驱动IC一变为电源截止状态，公共电极的电势就变为地电平。然而，如稍后将描述的，以这样的方式配置普通液晶显示设备，使得像素电极中的电荷几乎不放电。结果，在公共电极和像素电极之间生成电势差，因此电场保持施加到液晶。此外，当电场已经以这样的方式保持施加到液晶之后电源再次正常连接时，导致如闪烁的显示故障。这样的现象特别在利用横向电场***并且具有FFS模式的液晶显示设备等的情况下显著出现。
在便携式液晶显示设备中，当没有采取措施来处理电池掉出时，当已经导致电池掉出时电荷的放电取决于用于驱动像素电极的薄膜晶体管(TFT)的截止泄漏特性(IDS特性)。然而，在低温多晶硅(LTPS)-TFT的情况下，基本不导致像素电极中的电荷改变，因为漏电流几乎为零。
例如，在图9中示出一般N沟道LTPS-TFT的电子特性的示例。注意到，图9示出栅极-源极电压Vg以及当漏极电压Vd＝+10V和漏极电压Vd＝+0.1V时导致在漏极电极和源极电极之间流动的电流Ids的值。LTPS-TFT具有截止区域、上升区域和饱和区域，在截止区域中，当栅极-源极电压Vg等于或小于阈值电压Vth时，基本不导致电流流动，在上升区域中，当栅极-源极电压Vg等于或大于阈值电压Vth时，Ids随着栅极-源极电压Vg的增加而突然增加，在饱和区域中，即使栅极-源极电压Vg增加，电流Ids的值也变得大约恒定。
如从图9的曲线图可见，在一般N沟道LTPS-TFT中栅极-源极电压是0V的情况下，即使当源极电极的电势是0V时，在漏极电压Vd＝+10V的情况和漏极电压Vd＝+0.1V的情况的任何中，电流Ids的值也等于或小于10-12A，并且因此仅仅导致非常小的漏电流流动。为此，特别地，在具有边缘场切换(FFS)模式和使用LTPS-TFT作为用于驱动像素电极的TFT的液晶显示设备中，因为容易导致烧灼现象，所以需要在突然的电源截止状态的阶段等采取一些种类的措施。
关于采取来处理那些问题的措施，希望检测到电池掉出，并且因此驱动显示关闭(display-OFF)序列等。然而，因为瞬间导致电池掉出，所以难以充分地开动显示关闭序列。然后，在日本专利No.3884229(下文中称为专利文献1)中公开的液晶显示设备中，关注于用于驱动像素电极的TFT的IDS特性取决于VGS电势的事实。也就是说，在电池掉出阶段中的VGS电势增加，从而迅速地放电像素电极中的电荷。这里，将参照图10和11描述在专利文献1中公开的用于增加液晶显示设备的VGS电势的电路。
注意到，图10是专利文献1中公开的液晶显示设备的栅极截止电压控制电路的电路图。图11是示出栅极截止电压控制电路中的电压的改变的曲线图表示。当来自液晶显示设备的电源的功率供应停止时，栅极截止电压控制电路通过使用对应于正常状态下的栅极导通电压的在端子VH的电势(20V)、在端子VCOM的电势(7V)和在端子VEE的电势(-12V)的三个电势，将施加到扫描线的电压VL从正常电势切换到用于泄漏的电势，使得电源电压的绝对值开始停止。
在正常操作中，在电压供应截止时间T1处和之前，通过在端子VEE和端子VL之间提供的二极管TD1，提供在端子VL处的电势作为大于VEE的给定电压的电势。在图10中，因为9V产品用作二极管TD1，所以大于在端子VEE处的电势的9V的电压提供到端子VL。在该状态期间，***在端子VCOM和端子VEE之间的晶体管元件TR1保持在截止状态。
接下来，当电源在T1切断时，也如图11所示，在端子VH的电势开始向GND电势下降。此时，因为在电容器C1的连接点P1侧的电势也降低，以便跟随在端子VH的电势的下降，所以在连接点P1的电势变为阈值电压或更低于在连接点P2处的电势。结果，晶体管元件TR1变为导通状态，使得连接点P2和连接点P3短路。结果，在端子VEE处(在连接点P3处)出现的电压和在端子VCOM处(在连接点P2处)出现的电压相互抵消，以迅速转向GND电势。这同时意味着在连接点P5处的电压值(＝在连接点P3处的电势)迅速从负电势向GND电势增加。为此，由于二极管TD1的存在，在端子VL处(在连接点P4处)的电势(＝在连接点P6处的电势)迅速上升，如图11所示。
最终，当在连接点P5处的电势在作为电压VL最大的时间点的时间T2达到GND电势时，在连接点P4处的电势也达到最大值。在时间T2处和之后，在连接点P4处的电势(即，电势VL)逐渐向GND电势下降。此时，电容器C2连接在连接点P5和连接点P6之间。为此的原因是因为从电势VL达到最大值的时间点T2到电势VL下降到GND电势的时间点的时间段可以延长。
如图11所示，在端子VL处的电势示出反V字形特性，其中在时间点T1处和之后，在端子VL处的电势在该操作的阶段临时上升到端子VL处的电势和端子VH处的电势之间的电势，并且很快到达GND电势。因此，可能实现这样的配置，其中当切断来自电源的功率供应时，在端子VL处的电势供应到扫描线的相应一条(多条)，从而泄漏像素电极中的电荷。
发明内容
专利文献1中公开的液晶显示设备的栅极截止电压控制电路基于当切断来自电源的功率供应之后的电压下降来操作，以便形成不同于正常操作状态下的用于泄漏的电势。然而，基于在当切断来自电源的功率供应时的时间点、在电路中剩余的或在液晶显示设备的电路中累积的电荷，构成用于泄漏的电势。为此，因为在专利文献1中公开的液晶显示设备的栅极截止电压控制电路可以以其液晶显示设备中的配置完成，所以栅极截止电压控制电路具有大的优点是专利文献1中公开的液晶显示设备可以容易地用现有液晶显示设备代替。
然而，专利文献1中公开的液晶显示设备使用晶体管元件TR1，并且还提出采用来通过二极管处理比电势VGS和比电势VGS更低的电势之间的正常非选择电势更大的电压的措施作为增加电势VGS的方法。因此，设备的配置变得复杂。此外，因为通过电阻器R2执行充电电荷到电容器C2和从电容器C2放电电荷，所以遇到这样的问题，即在来自电源的功率供应切断的阶段中，到达用于泄漏的预定电势所需的时间段变长。
为了解决如上所述的问题，本申请的发明人已经发现通过选择电势VDD和非选择电势VBB之间的短路，当导致电池掉出等时，对于短时间段可以增加电势VGS，结果，对于短时间段可以放电像素电极中充电的电荷。然而，当在驱动器电路中形成由CMOS电路构成的栅极电势创建电路时，非选择电势VBB在许多情况下变为驱动器IC中的最低电势。因此，通常，为了避免导致锁闭(latch up)的目的，在地电势VSS和非选择电势VBB之间***肖特基二极管。
也就是说，在CMOS电路中，在配置方面在设备内部配置双极寄生晶体管电路，并且具有与晶闸管(thyristor)的配置相同的配置。结果，当用外来冲击触发晶闸管时，晶闸管导通，并且因此连续导致过度的电流流动。为了避免导致这种锁闭，肖特基二极管在地电势VSS和非选择电势VBB之间的位置***。在此情况下，已经发现即使当在导致电池掉出等的情况下简单短路选择电势VDD和非选择电势VBB时，由于肖特基二极管的影响，非选择电势VBB也不变得等于或大于肖特基二极管的电压VF(前向电压)。
本申请的发明人已经不同地执行了一系列研究，以便在导致电池掉出等的情况下，即使当选择电势VDD和非选择电势VBB以如上所述的方式短路时，对于短时间段，非选择电势VBB可以可靠地变为等于或大于地电势VSS。结果，本申请的发明人已经发现TFT***非选择电势VBB的供应侧，并且当导致电池掉出等时，切断来自栅极电势创建电路的非选择电势VBB的供应，使得TFT变为截止状态，从而使得可能达到上述希望。因此，本申请的发明人完成本发明。
已经进行本发明以便解决上述问题，并且因此希望提供一种液晶显示设备，其中即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，用于驱动像素电极的TFT也以这样的方式可靠地导通，使得对于短时间段非选择电势VBB可靠地变为等于或大于地电势VSS，并且因此通过完美地放电像素电极中剩余的电荷，几乎不导致烧灼现象和再驱动的阶段的闪烁的每个。
为了达到上述希望，根据本发明的实施例，提供一种液晶显示设备，其具有相互面对布置的第一基底和第二基底，以便在第一基底和第二基底之间保持液晶层，并且在第一基底上形成用于输出选择电势和非选择电势的栅极电势创建电路；扫描线；信号线；形成以便分别对应于扫描线和信号线之间的交叉部分的薄膜晶体管；分别电连接到薄膜晶体管的像素电极；以及栅极控制电路，用于将从栅极电势创建电路提供的选择电势和非选择电势相互切换，从而通过扫描线中的相应扫描线的将选择电势和非选择电势的一个提供到薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管；以及
在第一基底或第二基底上形成的公共电极；其中
电压控制电路连接在栅极电势创建电路和栅极控制电路之间，电压控制电路用于根据电源切断信号将非选择电势改变为薄膜晶体管的上升区域中的电势；
电压控制电路包括连接在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和地电势之间的二极管、连接在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和栅极控制电路的非选择电势的输入端子之间的第一开关元件、以及连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的短路元件；
第一开关元件根据电源切断信号在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和栅极控制电路的非选择电势的输入端子之间切断；并且
短路元件根据电源切断信号在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间充分(substantially)短路。
在根据本发明实施例的液晶显示设备中，电压控制电路包括连接在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和地电势之间的二极管、连接在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和栅极控制电路的非选择电势的输入端子之间的第一开关元件、以及连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的短路元件。此外，第一开关元件根据电源切断信号在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和栅极控制电路的非选择电势的输入端子之间切断。短路元件根据电源切断信号在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间充分短路。通过采用上述配置，在电源切断的阶段中，在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和栅极控制电路的非选择电势的输入端子之间进行切断。此外，充分短路栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子。
为此，在电源切断的阶段中，非选择电势不从栅极电势创建电路提供到栅极控制电路。此外，在电压控制电路的非选择电势的输入端子的电势基本变为与提供到选择电势的输入端子的电势相同的电势。因此，在根据本发明实施例的液晶显示设备的情况下，非选择电势可以可靠地变为薄膜晶体管的上升区域中的电势。因此，即使当导致如电池掉出的突然电压切断时，对于短时间段像素电极中剩余的电荷放电，在像素电极和公共电极之间不生成电势差，因此变得难以导致烧灼现象和重启之后的闪烁。
注意到，本发明中的用语“充分短路”不必意味着以电阻值变为“零”的方式执行短路。因此，本发明中的用语“充分短路”意味着其带来的是即使当短路元件具有一定程度的电阻值时，该情况被认为类似于正常操作的阶段中的情况，短路元件等价于不存在，因此该情况被认为类似于当导致电源切断时的情况，短路元件的电阻值等价于“零”。此外，提供连接在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和地电势之间的二极管，以便避免导致栅极电势创建电路的锁闭。此外，本实施例中的上升区域代表这样的区域，其中当薄膜晶体管的栅极-源极电压Vg等于或大于阈值电压Vth时，栅极-源极电压Vg和导致在漏极电极和源极电极之间流动的电流值Ids突然增加。此外，本实施例中的上升区域中的电势用作这样的含义，其不但包含上升区域中的电势，而且包含饱和区域中的电势。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，电源切断信号是在正常操作的阶段中保持在H电平并且在电源切断的阶段中保持在L电平的信号，并且第一开关元件由N沟道薄膜晶体管构成。
当电源切断信号是在正常操作的阶段中保持在H电平并且在电源切断的阶段中保持在L电平的信号时，像移动设备，即使在电池驱动的液晶显示设备中，与相反的情况相比容易生成电源切断信号。此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，因为第一开关元件由N沟道薄膜晶体管构成，所以第一开关元件根据电源切断信号对于每个短时间段可靠地截止。因此，满意地提供上述效果。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，稳定电容器分别连接在栅极电势创建电路的选择电势的提供端子和地电势之间，以及在栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和地电势之间。
当导致如电池掉出的突然电源切断时，栅极电势创建电路具有高阻抗，因为栅极电势创建电路通常由如电荷泵的升压电路和电压反转(inverting)电路构成。结果，不能从栅极电势创建电路获得电流输出。然而，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，稳定电容器分别连接在从栅极电势创建电路延伸的选择电势提供线和地电势之间，以及在从栅极电势创建电路延伸的非选择电势提供线和地电势之间。因此，当导致如电池掉出的突然电源切断时，连接在从栅极电势创建电路延伸的选择电势提供线和地电势之间的稳定电容器中充电的电荷直接提供到栅极控制电路的选择电势的输入端子，并且还通过短路元件提供到栅极控制电路的非选择电势的输入端子。为此，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，来自栅极控制电路的输出电势对于一定时间也保持在上升区域中下降的电势中。因此，可以可靠地放电在像素电极中剩余的电荷。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，放电电阻器分别与稳定电容器并联连接，并且放电电阻器的电阻值相互相同。
在仅提供稳定电容器的情况下，当导致如电池掉出的突然电源切断时，稳定电容器中充电的电荷没有放电，并且保持原样。结果，在重启的阶段中，选择电势和非选择电势分别变为异常值，其对显示图像的质量施加坏的影响。然而，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，因为具有相同电阻值的放电电阻器分别与稳定电容器并联连接，所以即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，各个稳定电容器中充电的电荷也通过各个放电电阻器放电。结果，在重启的阶段，分别避免选择电势和非选择电势变为异常值，因此避免对显示图像的质量施加坏的影响。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，非选择电势稳定电容器连接在栅极控制电路的非选择电势的输入端子和地电势之间。
在根据本发明实施例的液晶显示设备中，从以下状态导致生成的噪声可以被非选择电势稳定电容器吸收，在所述状态中，在电源切断的阶段中，第一开关元件截止，并且因此非选择电势没有从栅极电势创建电路提供到栅极控制电路。为此，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，在电源切断的阶段中在像素电极中剩余的电荷可以更可靠地放电。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，建立以下关系：
Cd≥C1
其中Cd是连接到栅极电势创建电路的选择电势的提供端子的稳定电容器的电容值，并且C1是非选择电势稳定电容器的电容值。
当导致如电池掉出的突然电源切断时，在具有电容值Cd并且连接到栅极电势创建电路的选择电势的提供端子的稳定电容器中充电的电荷通过短路元件提供到栅极控制电路的非选择电势的输入端子。然而，因为那些电荷用于在具有电容值C1的非选择电势稳定电容器中充电的电荷的中和以及进一步充电，所以在栅极控制电路的非选择电势的输入端子的电势与选择电势的情况相比大大地降低。在根据本发明实施例的液晶显示设备中，连接到栅极电势创建电路的选择电势的提供端子的稳定电容器的电容值Cd设为大于非选择电势稳定电容器的电容值C1(Cd≥C1)。因此，即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，也可以充分地使得栅极控制电路的非选择电势的输入端子的电势为在薄膜晶体管的上升区域中下降的电势。结果，可以更可靠地放电在像素电极中剩余的电荷。注意到，更优选地，连接到栅极电势创建电路的选择电势的提供端子的稳定电容器的电容值Cd和非选择电势稳定电容器的电容值C1满足以下关系：
Cd≥2C1
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，短路元件由连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的电阻器构成。
在根据本发明实施例的液晶显示设备中，因为短路元件由连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的电阻器构成，所以电路配置非常简单和便宜。其带来的是作为短路元件的电阻器的电阻值可以被认为类似于正常操作的阶段中短路元件等价于不存在的情况，并且可以被认为类似于当导致电源切断时电阻值等价于“零”的情况。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，电阻器的电阻值等于或大于50kΩ，并且等于或小于500kΩ。
当连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的电阻器的电阻值小于50kΩ时，栅极电势创建电路的功耗变得太大。另一方面，当电阻器的电阻值超过500kΩ时，花费太多时间直到从栅极控制电路输出的电压切换到在上升区域中下降的电势，因此对于该时间段施加到各个电路的电压被消耗。结果，在像素电极中剩余的电荷不能充分放电。这不是优选的。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，电阻器从与薄膜晶体管的半导体层的膜相同的膜形成。
在根据本发明实施例的液晶显示设备中，因为电阻器可以从与薄膜晶体管的半导体层的膜相同的膜形成，所以可以容易地在第一基底上形成电阻器。此外，当导致如电池掉出的突然电源切断时，可以容易地放电在像素电极中剩余的电荷。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，短路元件由连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的第二开关元件构成，并且第二开关元件适于根据电源切断信号导通。
在根据本发明实施例的液晶显示设备中，电压控制电路由连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间的第二开关元件构成，并且第二开关元件适于根据电源切断信号导通。因此，电路配置非常简单，并且此外选择电势提供线和非选择电势提供线对于非常短的时间段可以可靠地短路。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，电源切断信号是在正常操作的阶段中保持在H电平并且在电源切断的阶段中保持在L电平的信号，并且第二开关元件由P沟道薄膜晶体管构成。
当电源切断信号是在正常操作的阶段中保持在H电平并且在电源切断的阶段中保持在L电平的信号时，像移动设备，即使在电池驱动的液晶显示设备中，与相反的情况相比容易生成电源切断信号。此外，P沟道TFT在栅极电势变为L电平时导通，并且在栅极电势变为H电平时截止。为此，因为当在电源切断的阶段中变为L电平的信号提供到P沟道TFT的栅极电极，所以P沟道TFT导通，并且因此栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子短路。此外，因为P沟道TFT的导通电阻小，并且其运行速度高，所以满意地提供本发明的效果。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，来自栅极控制电路的输入信号的电势具有反V字形特性，其中在生成电源切断信号之后，来自栅极控制电路的输入信号的电势临时上升到在上升区域中下降的电势，然后会聚到地电势。
在根据本发明实施例的液晶显示设备中，当操作状态变为电源切断状态时，最终，各个部分的每个电势会聚到地电势。因此，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，在像素电极中剩余的电荷可以可靠地放电，同时来自栅极控制电路的输入信号的电势临时上升到在上升区域中下降的电势。注意到，这通过将电压控制电路连接在栅极控制电路的选择电势的输入端子和非选择电势的输入端子之间来获得，来自栅极控制电路的输入信号的电势具有反V字形特性，其中在生成电源切断信号之后来自栅极控制电路的输入信号的电势临时上升到在上升区域中下降的电势，然后会聚到地电势。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，来自栅极控制电路的输入信号的电势到达在上升区域中下降的电势所需的时间段设为等于或短于1秒。
在液晶设备中，在已经导致电源切断状态之后，花费几秒直到各部分的每个电势会聚到地电势。然而，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，在操作状态已经变为电源切断状态之后，来自栅极控制电路的输入信号的电势到达在上升区域中下降的电势所需的时间段设为等于或短于1秒。因此，即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，也可以可靠地放电在像素电极中剩余的电荷。
此外，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，优选地，在第一基底的显示区域的外部***部分形成栅极电势创建电路和栅极控制电路的每一个，并且半导体层包括由多晶硅制成的晶体管。
当分别在与第一基底和第二基底不同的每个部分中形成栅极电势创建电路和栅极控制电路时，柔性印刷布线板需要连接在栅极电势创建电路和栅极控制电路以及第一基底或第二基底之间。然而，在此情况下，由于柔性印刷布线板中的信号延迟，所以不可能缩短来自栅极控制电路的输出的电势到达在上升区域中下降的电势所需的时间段。然而，在根据本发明实施例的液晶显示设备中，因为在第一基底的外部***部分形成栅极电势创建电路和栅极控制电路的每一个，所以可能缩短来自栅极控制电路的输出信号的电势到达在上升区域中下降的电势所需的时间段。因此，可以有效地提供上述效果。此外，因为半导体层包括由多晶硅制成的晶体管，所以半导体层可以以与连接到像素电极的薄膜晶体管的工艺相同的工艺形成。
附图说明
图1是部分地以电路示出对根据本发明的第一和第二实施例的液晶显示设备通用的、根据本发明的实施例模式的液晶显示设备的布局的方块图；
图2是示出在图1中示出的液晶显示设备中使用的水平控制电路的配置的电路图；
图3是示出在图1中示出的液晶显示设备中使用的栅极控制电路的配置的电路图；
图4是示出在图1中示出的实施例模式的液晶显示设备中使用的栅极电势创建电路的配置的示意性电路图；
图5A和5B分别是示出基于外部重置信号的电源切断信号生成电路的配置的方块图、以及部分地以电路示出基于电源电压的降低的电源切断信号生成电路的配置的方块图；
图6是部分地以方块示出在根据本发明的第一实施例的液晶显示设备中使用的电压控制电路的配置的电路图；
图7是示出在根据本发明的第一实施例的液晶显示设备中使用的电压控制电路中，从电源切断状态的时间点起选择电势供应线和栅极控制电路的非选择电势输入端子的电势中的改变的曲线图；
图8是部分地以方块示出在根据本发明的第二实施例的液晶显示设备中使用的电压控制电路的配置的电路图；
图9是示出一般LTPS-TFT的电特性的示例的曲线图；
图10是示出现有液晶显示设备的栅极截止电压控制电路的配置的电路图；以及
图11是示出图10中示出的栅极截止电压控制电路中的电压改变的图形表示。
具体实施方式
下面将参照附图详细描述本发明的优选实施例。然而，下面将描述的实施例仅仅示例用于体现本发明的技术思想的液晶显示设备，并且不旨在将本发明指定为该液晶显示设备。因此，本发明同样适用于其它实施例，并且包含在权利要求中。
首先，将参照图1到图5A和5B描述对本发明的第一和第二实施例通用的、根据本发明的实施例模式的具有FFS模式的液晶显示设备的具体配置。在液晶显示设备10中，在阵列基底AR侧在玻璃基底11上形成水平驱动电路12和栅极控制电路13。此外，在像素部分14中以矩阵布置多个像素(图1中示出4个像素)。
如图2所示，水平驱动电路12包括多个移位寄存器SRH和多个水平开关HSW。在此情况下，多个移位寄存器SRH与水平传送时钟CKH和水平传送时钟CKH的反向时钟XCKH同步，连续传送水平启动信号STH。此外，根据来自移位寄存器SRH的输出信号，导通多个水平开关HSW。每个水平开关HSW由薄膜晶体管(TFT)构成。来自移位寄存器SRH的输出信号分别施加到水平开关HSW的栅极电极，视频信号Vsig施加到水平开关HSW的每个源极电极，并且数据线(信号线)DL分别连接到水平开关HSW的漏极电极。也就是说，导通水平开关HSW，以便根据来自各个移位寄存器SRH的输出信号来采样视频信号Vsig，从而将如此采样的视频信号Vsig输出到各个数据线DL。
如图3所示，栅极控制电路13包括移位寄存器SRV和垂直开关电路VSW。在此情况下，移位寄存器SRV与垂直传送时钟CKV同步传送垂直启动信号STV。此外，垂直开关电路VSW根据来自各个移位寄存器SRV的输出信号将栅极信号Vgate提供到各个栅极线(扫描线)GL。像素的每个像素晶体管GT由TFT构成。像素晶体管GT的源极电极连接到各个数据线DL，并且像素晶体管GT的栅极电极连接到各个栅极线GL，使得控制像素晶体管GT以便根据各个栅极信号Vgate导通或截止。此外，像素晶体管GT的漏极电极连接到各个像素电极15。每个栅极信号Vgate由根据其导通相应一个的像素晶体管GT的电势(选择电势)VDD和根据其截止相应一个的像素晶体管GT的电压(选择电势)VBB构成。此外，栅极信号Vgate通过垂直开关电路VSW切换和提供。移位寄存器SRH、SRV和开关电路HSW、VSW的TFT以与用于形成像素晶体管GT的工艺相同的工艺形成，并且每个TFT的半导体层例如由多晶硅制成。
此外，在液晶显示设备10中，形成公共电极16以便通过电极间绝缘膜(未示出)在平面图方面重叠像素电极15。在电极间绝缘膜的(液晶侧)表面上形成的像素电极15和公共电极16之一中，每个像素形成多个缝状(slit-like)开口。此外，提供滤色器基底CF的玻璃基底17，以便面对阵列基底AR的玻璃基底11。此外，在玻璃基底17上提供具有多种颜色的滤色器层(未示出)，以便分别面对像素电极15。
此外，在阵列基底AR的玻璃基底11和滤色器基底CF的玻璃基底17之间密封液晶LC。在具有FFS模式并且具有这样的结构的液晶显示设备10中，通过近似横向电势驱动液晶LC，所述近似横向电势通过在像素电极15和公共电极16之一中形成的缝状开口横跨像素电极15和公共电极16施加。
注意到，对于线反向驱动，在每一个水平时间段重复地保持在H电平和L电平的公共电极信号VCOM从液晶显示设备10的外部或从液晶显示设备的阵列基底AR的玻璃基底11上提供的驱动IC施加到公共电极16。在像素晶体管GT是N沟道的情况下，当栅极信号变为H电平时，像素晶体管GT导通。结果，视频信号Vsig通过像素晶体管GT从数据线DL施加到像素电极15，以便控制液晶LC的取向，从而执行显示。注意到，在像素晶体管GT世P沟道的情况下，P沟道像素晶体管GT类似于N沟道像素晶体管GT的情况操作，除了当栅极信号变为L电平时，像素晶体管GT导通。然而，在下文中，将对于像素晶体管GT是N沟道的情况给出描述。
因为公共电极信号VCOM以上述方式重复地保持在H电平和L电平，所以通过液晶LC经由电容耦合改变像素电极15的电势。然后，为了导通像素晶体管GT的目的，栅极信号的H电平设为升压的正选择电势VDD。另一方面，为了截止像素晶体管GT的目的，栅极信号的L电势设为负的非选择电势VBB。为了创建这样的栅极信号，在驱动器IC中形成栅极电势创建电路18，其包括用于创建升压的正电势的正电压生成电路18a和用于创建负电势的负电压生成电路18b。此外，电压控制电路19连接在栅极电势创建电路18和栅极控制电路13之间。在此情况下，在从电源到液晶显示设备10的功率供应切断之后，电压控制电路19将来自栅极控制电路13的输出电势从正常驱动状态下的电势切换到在上升区域中下降的电势。在阵列基底AR的玻璃基底11上与栅极控制电路13一起形成电压控制电路19。注意到，在构成电压控制电路19的晶体管、电阻器、电容器和二极管中，优选地不在阵列基底AR的玻璃基底11上形成每个要求精度的电容器和二极管，而是外部元件分别用作电容器和二极管。
如图4所示，栅极电势创建电路18包括用于创建输入参考电势VVG的参考电压创建电路18c，该输入参考电势VVG用于根据公共参考电压VREF创建栅极电势。在此情况下，在液晶显示设备10中形成参考电压创建电路18c。例如，正电压生成电路18a由双倍升压电路构成，该双倍升压电路用于将输入参考电势VVG升压双倍，并且生成升压的正选择电势VDD＝2VVG。此外，例如，负电压生成电路18b由-1倍(-1-fold)升压电路构成，该-1折升压电路用于将输入参考电势VVG乘以-1，并且生成非选择电势VBB＝-VVG。
注意到，如图4所示，电源切断信号DISCHARGE提供到栅极电势创建电路18，从而重置参考电压创建电路18c的操作。如图5A或图5B所示，电源切断信号DISCHARGE由***重置电路24或由功率供应电压降低检测电路25生成。如图5A所示，***重置电路24是这样的电路，其用于通过电压转换电路26A将从外部输入到其的***重置信号RESET转换为处于L电平(VBB或VSS)或处于H电平(VVG)的信号，从而输出电源切断信号DISCHARGE。
此外，如图5B所示，功率供应电压降低检测电路25是这样的电路，其用于在稳定的基础上在比较器27中将电源电压VIN与参考电压VREF比较，并且通过电压转换电路26B将来自比较器27的输出信号转换为处于L电平(VBB或VSS)或处于H电平(VVG)的信号，从而输出电源切断信号DISCHARGE。在根据本发明的实施例模式的液晶显示设备10中，通过功率供应电压降低检测电路25检测如电池掉出的突然的电源切断状态。应该注意，因为电压转换电路26A和26B是公知的，所以为了简单在此省略其详细描述。
第一实施例
接下来，将参照图6描述在根据本发明的第一实施例的液晶显示设备10A中使用的电压控制电路19A的具体电路配置。选择电势VDD通过选择电势供应线28从栅极电势创建电路18的选择电势供应端子18d提供到栅极控制电路13。此外，非选择电势VBB通过非选择电势供应线29从栅极电势创建电路18的非选择电势供应端子18e提供到栅极控制电路13。此外，电压控制电路19A布置在栅极电势创建电路18和栅极控制电路13之间。在电压控制电路19A中，兼作选择电势VDD的平滑的选择电势稳定电容器Cd和选择电势放电电阻器Rd并联连接在栅极电势创建电路18的选择电势供应端子18d和地电势VSS之间。此外，兼作非选择电势VBB的平滑的非选择电势供应侧稳定电容器Cb和非选择电势放电电阻器Rb并联连接在栅极电势创建电路18的非选择电势供应端子18e和地电势VSS之间。
此外，作为短路元件的短路电阻器Rs连接在栅极控制电路13的选择输入端子13a和非选择电势输入端子13b之间。短路电阻器Rs的电阻值应该从以下范围适当地选择，其中在正常操作的阶段，在栅极控制电路13的选择输入端子13a的电势可以维持选择电势VDD，并且在非选择电势输入端子13b的电势可以维持非选择电势VBB，而在电源切断的阶段，在栅极控制电路13的选择输入端子13a的电势变为大于地电势VSS的电压，并且用其可以根据栅极电势创建电路18的选择电势VDD的供应当前值和栅极电势创建电路18的非选择电势VBB的供应当前值，将连接到像素电极15的薄膜晶体管TFT维持在导通状态。注意到，尽管短路电阻器Rs可以是外部电阻器，但是可替代地，短路电阻器Rs可以由在像素晶体管GT的半导体层中使用的多晶硅制成，以便形成在阵列基底AR侧的玻璃基底11上。
此外，在第一实施例的液晶显示设备10A中使用的电压控制电路19A中，N沟道薄膜晶体管NTFT(对应于本发明的第一开关元件)连接在栅极电势创建电路18的非选择电势供应端子18e和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b之间，此外，电源切断信号DISCHARGE输入N沟道薄膜晶体管NTFT的栅极电极。因为电源切断信号DISCHARGE在正常操作的阶段变为H电平(VVG)，所以N沟道薄膜晶体管NTFT变为导通状态，同时因为电源切断信号DISCHARGE在电源切断的阶段变为L电平(VBB或VSS)，所以N沟道薄膜晶体管NTFT变为截止状态。此外，在此情况下，非选择电势稳定电容器C1连接在栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b和地电势之间。
在正常操作的阶段，选择电势稳定电容器Cd和非选择电势供应侧稳定电容器Cb的每一个用作平滑电容器。此外，选择电势放电电阻器Rd、非选择电势放电电阻器Rb和短路电阻器Rs的存在对选择电势供应线28的电势和非选择电势供应线29的电势的每一个不施加影响。当来自电源的功率供应由于电池掉出等而停止时，电源切断信号DISCHARGE也变为L电平(VBB或VSS)以变为重置状态。当处于L电平(VSS＝0V)的信号输入到栅极电势创建电路18作为电源切断信号DISCHARGE时，栅极电势创建电路18变为高阻抗状态。因此，停止到选择电势供应线28和非选择电势供应线29的每一个的电荷的供应。因为N沟道薄膜晶体管NTFT与电荷的供应的停止同时截止，所以切断栅极电势创建电路18的非选择电势供应端子18e和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b之间的电连接。此时，生成的噪声可以由非选择电势稳定电容器C1吸收。
根据在第一实施例的液晶显示设备10A中使用的电压控制电路19A，当栅极电势创建电路18变为高阻抗状态时，短路电阻器Rs变为有效，使得N沟道薄膜晶体管NTFT截止。因此，执行电荷的重新分布，以便获得对应于选择电势稳定电容器Cd和非选择电势稳定电容器C1之间的电容比率的电势。例如，当VDD＝10.0V、VBB＝-5.0V、Cd＝1.0μF、Cb＝1.0μF和C1＝0.47μF时，在非选择电势VBB作为参考的情况下获得(VDD-VBB)×(Cd/(Cd+C1))＝10.0V。因此，导致输出信号以这样的方式的变化，使得在栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的电势变为(VBB+10.0V)＝5.0V。这里，图7示出从当Rd＝Rs＝1MΩ和Rs＝100kΩ时导致电源截止状态的时间点开始，选择电势供应线28和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的电势的改变。
如图7所示，当导致电源截止状态时，选择电势供应线28的电压由于通过选择电势放电电阻器Rd的漏电流逐渐降低到地电势VSS(＝0V)。然而，在大约150毫秒过去之后，在栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的电势上升到接近作为最大电势的大约+1.5V，然后逐渐降低到地电势VSS(＝0V)。应该注意到，栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的电势没有到达上面计算的+5.0V的值的原因是因为选择电势放电电阻器Rd和短路电阻器Rs的存在。此外，在第一实施例的液晶显示设备10A中，选择电势VDD和非选择电势VBB分别是阵列基底AR的玻璃基底11中的最大电压和最小电压。因此，在选择电势供应线28和非选择电势供应线29以及通过其经由薄膜晶体管从外部输入信号的信号线之间形成静电保护二极管。因为该静电保护二极管的定向偏压的导通电势(薄膜晶体管的阈值电压)是1.5V，所以电源切断之后栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的最大电势变为大约1.5V。如上所述，非选择电势供应线29的电势具有反V字形特性，其中在从电源到液晶显示设备10A的功率供应切断之后，非选择电势供应线29的电势暂时上升到在上升区域中下降的电势，然后会聚到地电势。
关于到栅极控制电路13的输出端子G1到Gn(参照图6)的输出电压，在正常操作的阶段中，在非选择状态的阶段中输出像素晶体管GT根据其截止的非选择电势VBB。此外，在选择状态的阶段中输出像素晶体管GT根据其导通的选择电势VDD。当导致电源切断状态时，施加到保持在选择状态中的像素晶体管GT的电势逐渐从选择电势VDD降低到地电势VSS(＝0V)。然而，像素电极15和公共电极16(参照图1)之间充电的电荷在施加到保持在选择状态中的像素晶体管GT的电势降低到地电势VSS(＝0V)的同时极好地放电。此外，在大约150毫秒(msec)过去之后，施加到保持在非选择状态中的像素晶体管GT的电势从非选择电势VBB上升到接近作为最大电势的大约+1.5V的电势，然后逐渐降低到地电势VSS(＝0V)。如从参照图9给出的描述显而易见的，即使在LTPS-TFT的情况下，+1.5V的电势充分地是在上升区域中下降的电势。因此，可以充分地放电在像素电极15中充电的所有电荷。注意到，通过数据线DL放电在像素电极15中充电的电荷，数据线DL的电势在导致电源切断的同时变为0V。此外，为了抑制像素电极15和公共电极16之间电势差的生成的目的，数据线DL和公共电极16可以与导致电源切断同时地相互连接，从而放电在像素电极15中充电的电荷。
如上所述，根据第一实施例的液晶显示设备10A，即使当导致如电池掉出的突然电源切断时，用于驱动连接到栅极控制电路13的像素电极15的像素晶体管GT维持在导通状态一定时间。因此，因为像素电极15和公共电极16之间剩余的电荷放电短时间段，所以难以导致烧灼现象和重启之后的闪烁。此外，因为N沟道薄膜晶体管NTFT根据电源切断信号DISCHARGE可靠地截止短时间段，所以像素电极15和公共电极16之间剩余的电荷可以可靠地放电短时间段。
如上所述，当导致电源切断状态时，停止从栅极电势创建电路18到选择电势供应线28和非选择电势供应线29的每一个的电荷供应。因此，分别在选择电势稳定电容器Cd和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的非选择电势稳定电容器C1中充电的电荷通过电压控制电路19的短路电阻器Rs重新分布，以便获得对应于选择电势稳定电容器Cd和非选择电势稳定电容器C1之间的电容比率的电势。在第一实施例的液晶显示设备10A中，通过电荷的重新分布获得的电压值需要落入像素晶体管GT的上升区域。为了可靠地放电像素电极中充电的电荷的目的，即使考虑像素晶体管GT的特性的分散，栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的电势需要变为至少1.0V或更大。为此，优选地，使得栅极电势创建电路18的选择电势稳定电容器Cd的电容值等于或大于栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的非选择电势稳定电容器C1的电容值，也就是说，建立以下关系：
Cd/C1≥1
注意到，尽管即使选择电势稳定电容器Cd、非选择电势供应侧稳定电容器Cb和非选择电势稳定电容器C1的每个最佳电容值依赖于短路电阻器Rs的电阻值改变，但是实际上，其等于或大于0.47μF并且等于或小于4μF。选择电势放电电阻器Rd和非选择电势放电电阻器Rb导致在正常操作的阶段中栅极电势创建电路18的功耗的增加，并且考虑当选择电势稳定电容器Cd和非选择电势供应侧稳定电容器Cb相互结合时的时间常数，它们的每个电阻值优选地等于或大于500kΩ并且等于或小于2MΩ。此外，当考虑电压控制电路19的设计的容易性时，优选地，建立关系Rd＝Rb和Cd＝Cb。此外，即使当省略连接到栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的非选择电势稳定电容器C1时，也提供希望的效果。然而，优选地，使用非选择电势稳定电容器C1，因为可能抑制当导致电源切断时由于N沟道薄膜晶体管NTFT的启动导致的噪声的不良影响。
此外，为了极好地放电像素电极15中充电的电荷的目的，需要使得非选择电势供应线29的电势落入像素晶体管GT的上升区域中的电势，同时选择电势供应线28的电势和非选择电势供应线29之间的电势差保持在高于其中可以操作栅极控制电路13的电势范围的电势。为了实现此目的，最好使得通过选择电势VDD和非选择电势VBB的重新分布而获得的电势为在大约1秒内在像素晶体管GT的上升区域中下降的电势，选择电势VDD和非选择电势VBB分别基于在选择电势稳定电容器Cd和连接到栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的非选择电势稳定电容器C1中充电的电荷。
可以通过减小短路电阻器Rs的电阻值增加选择电势VDD和非选择电势VBB的重新分布的速度。然而，短路电阻器Rs的电阻值的减小存在限制，因为短路电阻器Rs的电阻值的减小以正常操作的阶段中栅极电势创建电路18的功耗的增加的形式出现。为此，优选地，短路电阻器Rs的电阻值等于或大于50kΩ并且等于或小于500kΩ。当短路电阻器的电阻值小于50kΩ时，栅极电势创建电路18的功耗变得太大。此外，当短路电阻器的电阻值超过500kΩ时，花费太多时间直到从栅极控制电路13输出的电压转换到在上升区域中下降的电势。因此，因为对于该时间段施加到各个电路的电压消失，所以不可能充分地放电像素电极15和公共电极16之间剩余的电荷。
第二实施例
接下来，将参照图8描述在根据本发明的第二实施例的液晶显示设备10B中使用的电压控制电路19B的具体电路配置。然而，在第二实施例的液晶显示设备10B中使用的电压控制电路19B中，与第一实施例的液晶显示设备10A中使用的电压控制电路19A中那些构成元件相同的构成元件分别由相同的参考数字指定，并且为了简化在此省略其详细描述。
在第二实施例的液晶显示设备10B中使用的电压控制电路19B与第一实施例的液晶显示设备10A中使用的电压控制电路19A不同在于：在第一实施例的液晶显示设备10A中使用的电压控制电路19A中，在选择电势供应线28和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b之间连接的短路元件是短路电阻器Rs，而在第二实施例的液晶显示设备10B中使用的电压控制电路19B中，短路元件是P沟道薄膜晶体管PTFT(对应于本发明的第二开关元件)。更具地体，P沟道薄膜晶体管PTFT的漏极电极和源极电极分别连接到选择电势供应线28和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b，并且电源切断信号DISCHARGE提供到P沟道薄膜晶体管PTFT的栅极电极。
当施加到其栅极电极的电压变为L电平时，作为短路元件的P沟道薄膜晶体管PTFT导通，并且当施加到其栅极电极的电压变为H电平时，作为短路元件的P沟道薄膜晶体管PTFT截止。此外，在第二实施例的液晶显示设备10B中采用的电源切断信号是这样的信号：类似于第一实施例的情况，在正常操作的阶段中该信号保持在H电平，并且在电源切断的阶段中该信号保持在L电平。因此，在电源切断的阶段中，P沟道薄膜晶体管PTFT保持在导通状态，从而使得可能在选择电势供应线28和栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b之间短路。此外，P沟道薄膜晶体管PTFT的导通电阻小，并且P沟道薄膜晶体管PTFT的操作速度高。因此，对于短时间段，可以可靠地使得在栅极控制电路13的非选择电势输入端子13b的电势落入用于驱动像素电极的像素晶体管GT的上升区域中的电势。因此，可能可靠地放电在像素电极15和公共电极16之间剩余的电荷。结果，可能提供这样的液晶显示设备，其中尽管可以便宜地制造简单配置，但是几乎不导致烧灼现象和重启阶段中的闪烁。
注意到，尽管在第一和第二实施例的液晶显示设备10A和10B的每个中，已经示例了N沟道LTPS-TFT的情况，但是当考虑电压或电势的极性时，在半导体层方面可以照原样采用使用P沟道LTPS-TFT的情况。此外，尽管在第一和第二实施例的液晶显示设备10A和10B的每个中，已经描述了在半导体层中使用多晶硅的情况，但是本发明可以类似地应用于在半导体层中使用非晶硅的情况。
本申请包含涉及于2009年9月28日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-222095中公开的主题，在此通过引用并入其全部内容。
本领域技术人员应当理解，依赖于设计需求和其他因素可以出现各种修改、组合、子组合和更改，只要它们在权利要求或其等效物的范围内。

Claims (14)

1.一种液晶显示设备，其具有相互面对布置的第一基底和第二基底，以便在所述第一基底和所述第二基底之间保持液晶层，并且在所述第一基底上形成用于输出选择电势和非选择电势的栅极电势创建电路；扫描线；信号线；形成以便分别对应于所述扫描线和所述信号线之间的交叉部分的薄膜晶体管；分别电连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及栅极控制电路，用于将从所述栅极电势创建电路提供的选择电势和非选择电势相互切换，从而通过所述扫描线中的相应扫描线将选择电势和非选择电势之一提供到所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管；以及
在所述第一基底或所述第二基底上形成的公共电极，其中
电压控制电路连接在所述栅极电势创建电路和所述栅极控制电路之间，所述电压控制电路用于根据电源切断信号将非选择电势改变为所述薄膜晶体管的上升区域中的电势，
所述电压控制电路包括连接在所述栅极电势创建电路的非选择电势的提供端子和地电势之间的二极管、连接在所述栅极电势创建电路的所述非选择电势的所述提供端子和所述栅极控制电路的非选择电势的输入端子之间的第一开关元件、以及连接在所述栅极控制电路的选择电势的输入端子和所述非选择电势的输入端子之间的短路元件，
所述第一开关元件根据电源切断信号在所述栅极电势创建电路的所述非选择电势的提供端子和所述栅极控制电路的所述非选择电势的输入端子之间切断，并且
所述短路元件根据电源切断信号在所述栅极控制电路的所述选择电势的输入端子和所述非选择电势的输入端子之间充分短路。
2.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中电源切断信号是在正常操作的阶段中保持在H电平并且在电源切断的阶段中保持在L电平的信号，并且所述第一开关元件由N沟道薄膜晶体管构成。
3.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中稳定电容器分别连接在所述栅极电势创建电路的所述选择电势的提供端子和地电势之间，以及在所述栅极电势创建电路的所述非选择电势的提供端子和地电势之间。
4.根据权利要求3所述的液晶显示设备，其中放电电阻器分别与所述稳定电容器并联连接，并且所述放电电阻器的电阻值相互相同。
5.根据权利要求4所述的液晶显示设备，其中建立以下关系：
Cd≥C1
其中Cd是连接到所述栅极电势创建电路的所述选择电势的提供端子的所述稳定电容器的电容值，并且C1是所述非选择电势稳定电容器的电容值。
6.根据权利要求3所述的液晶显示设备，其中非选择电势稳定电容器连接在所述栅极控制电路的所述非选择电势的输入端子和地电势之间。
7.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述短路元件由连接在所述栅极控制电路的所述选择电势的输入端子和所述非选择电势的输入端子之间的电阻器构成。
8.根据权利要求7所述的液晶显示设备，其中所述电阻器的电阻值等于或大于50kΩ，并且等于或小于500kΩ。
9.根据权利要求7所述的液晶显示设备，其中所述电阻器从与所述薄膜晶体管的半导体层的膜相同的膜形成。
10.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中所述短路元件由连接在所述栅极控制电路的所述选择电势的输入端子和所述非选择电势的输入端子之间的第二开关元件构成，并且所述第二开关元件适于根据电源切断信号导通。
11.根据权利要求10所述的液晶显示设备，其中电源切断信号是在正常操作的阶段中保持在H电平并且在电源切断的阶段中保持在L电平的信号，并且所述第二开关元件由P沟道薄膜晶体管构成。
12.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中来自所述栅极控制电路的输入信号的电势具有反V字形特性，其中在生成电源切断信号之后，来自所述栅极控制电路的输入信号的电势临时上升到在上升区域中下降的电势，然后会聚到地电势。
13.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中来自所述栅极控制电路的输入信号的电势到达在上升区域中下降的电势所需的时间段设为等于或短于1秒。
14.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中在所述第一基底的显示区域的外部***部分形成所述栅极电势创建电路和所述栅极控制电路的每一个，并且半导体层包括由多晶硅制成的晶体管。
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