CN101819348A - 水平电场模式彩膜基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种水平电场模式彩膜基板及其制造方法。水平电场模式彩膜基板包括形成在基板上的黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜，所述基板与取向膜之间还设置有用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形。制造方法为：在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤。本发明通过在基板与取向膜之间设置用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形，与现有技术相比，本发明有效改善了导电图形释放静电的能力，可以实现完全消除摩擦静电，提高了摩擦工艺的均一性，改善了液晶显示器的对比度，从而提高了液晶显示器的良品率。

Description

水平电场模式彩膜基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器彩膜基板及其制造方法，特别是一种水平电场模式彩膜基板及其制造方法。

背景技术

近年来，液晶显示器(LCD)产品发展十分迅猛，越来越多高品质的液晶显示器逐渐上市。随着液晶显示器应用领域的不断拓宽，特别是大尺寸液晶电视的应用，要求液晶显示器具有宽阔的视角范围。为了扩展液晶显示器的视角，现有技术提出了多种显示模式，包括多畴垂直排列(MVA)模式、像素电极图形化垂直排列(PVA)模式、平面驱动(In-Plane Switching，简称IPS)模式以及利用边缘场的平面驱动(Fringe Field Switching，简称FFS)模式等。其中，水平电场模式通过采用边缘电场驱动的方式实现了广视角的显示效果，成为广视角技术中的一个重要发展方向。与VA模式相比，水平电场模式液晶显示器具有更好的可视角度，更低的驱动电压，更小的色偏，因此在高端手机屏、笔记本电脑屏、平板电脑屏、电视等领域得到广泛应用。

水平电场模式液晶显示器包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其间设置液晶。水平电场模式(如FFS模式或IPS模式)液晶显示器中，液晶的初始排列方向为平行于基板表面，因此基板表面需要取向膜摩擦工艺实现液晶的初始排向。由于水平电场模式液晶显示器中的彩膜基板没有设置导电的公共电极，因此为避免在摩擦工艺中产生静电并改善彩膜基板在摩擦工艺中的静电释放能力，现有技术通常在彩膜基板的背面设置导电层。由于基板的厚度为0.5mm～1mm，使设置在彩膜基板背面的导电层与取向膜的距离较大，实际使用表明，现有技术水平电场模式的彩膜基板结构只能释放部分静电，未能完全消除摩擦静电。残留的静电不仅使摩擦工艺的均一性难于控制，降低液晶显示器的对比度，而且导致液晶显示器的良品率降低，在一定程度上制约了水平电场模式液晶显示器的应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种水平电场模式彩膜基板及其制造方法，有效解决现有水平电场模式彩膜基板结构不能完全消除摩擦静电的技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种水平电场模式彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜，所述基板与取向膜之间还设置有用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形。

所述导电图形设置在所述黑矩阵图形所在区域。

所述导电图形可以设置在所述保护层上。进一步地，所述导电图形的宽度小于黑矩阵图形的宽度。

所述导电图形也可以设置在所述基板与黑矩阵图形之间或所述黑矩阵图形之上。进一步地，所述导电图形与黑矩阵图形在同一次光刻工艺中形成。

在上述技术方案基础上，所述导电图形为一体结构。所述导电图形与阵列基板的公共电极连接。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种水平电场模式彩膜基板制造方法，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤。

其中，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤可以包括：

步骤11、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成保护层；

步骤13、在完成步骤12的基板上形成导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形所在区域；

步骤14、在完成步骤13的基板上形成取向膜。

所述步骤13包括：在完成步骤12的基板上采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形，导电图形位于黑矩阵图形所在区域，其宽度小于黑矩阵图形的宽度。

其中，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤也可以包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于基板与黑矩阵图形之间；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成彩色树脂图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成保护层；

步骤24、在完成步骤23的基板上形成取向膜。

所述步骤21包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积透明导电薄膜，然后涂覆树脂材料的黑矩阵材料层；采用普通掩模板对所述黑矩阵材料层进行曝光，使黑矩阵材料层形成完全保留区域和完全去除区域，完全保留区域对应于黑矩阵图形所在区域，完全去除区域对应于黑矩阵图形以外区域；显影处理后，完全去除区域的黑矩阵材料层被完全去除，完全保留区域的黑矩阵材料层全部保留；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉完全去除区域的透明导电薄膜，形成黑矩阵图形和导电图形，导电图形位于基板与黑矩阵图形之间，其宽度与黑矩阵图形的宽度相同。

其中，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤还可以包括：

步骤31、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形之上；

步骤32、在完成步骤31的基板上形成彩色树脂图形；

步骤33、在完成步骤32的基板上形成保护层；

步骤34、在完成步骤33的基板上形成取向膜。

所述步骤31包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上依次沉积金属材料的黑矩阵材料层和透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形和黑矩阵图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形和黑矩阵图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和黑矩阵材料层，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形和黑矩阵图形，导电图形位于黑矩阵图形之上，其宽度与黑矩阵图形的宽度相同。

本发明提供了一种水平电场模式彩膜基板及其制造方法，通过在基板与取向膜之间设置用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形，使本发明有效提高了水平电场模式彩膜基板在摩擦工艺中的静电释放能力。本发明导电图形与取向膜的距离大大缩短，因此与摩擦取向膜的摩擦布的距离大大缩短，与在背面设置导电层的现有技术相比，本发明有效改善了导电图形释放静电的能力，可以实现完全消除摩擦静电，提高了摩擦工艺的均一性，改善了液晶显示器的对比度，从而提高了液晶显示器的良品率。进一步地，本发明导电图形还有利于改善液晶显示器的残像特性。在使用中，通过对本发明导电图形施加公共电压，使得液晶显示器内部积累的残余直流电压可以通过本发明导电图形不断得到释放，因此有效改善了液晶显示器的残像特性。本发明适用于FFS模式、IPS模式等水平电场显示模式的液晶显示器，具有广阔的应用前景。

附图说明

图1为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例的结构示意图；

图2为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成黑矩阵图形后的示意图；

图3为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成彩色树脂图形后的示意图；

图4为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成保护层后的示意图；

图5为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成导电图形后的示意图；

图6为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例的结构示意图；

图7为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成透明导电薄膜和黑矩阵材料层后的示意图；

图8为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例对黑矩阵材料层曝光显影后的示意图；

图9为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成黑矩阵图形和导电图形后的示意图；

图10为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成彩色树脂图形后的示意图；

图11为本发明水平电场模式彩膜基板制造方法第一实施例的流程图；

图12为本发明水平电场模式彩膜基板制造方法第二实施例的流程图；

图13为本发明水平电场模式彩膜基板制造方法第三实施例的流程图。

附图标记说明：

10-基板；          20-黑矩阵图形；30-彩色树脂图形；

40-保护层；        50-取向膜；    60-导电图形；

101-透明导电薄膜； 102-黑矩阵材料层。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图1为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例的结构示意图。如图1所示，本实施例水平电场模式彩膜基板包括基板10、黑矩阵图形20、彩色树脂图形30、保护层40、取向膜50和导电图形60，其中，彩色树脂图形30和黑矩阵图形20形成在基板10上，彩色树脂图形30包括三种颜色：红色树脂图形、蓝色树脂图形和绿色树脂图形，三种颜色的彩色树脂图形30依次形成在黑矩阵图形20之间；保护层40形成在黑矩阵图形20和彩色树脂图形30上并覆盖整个基板10；导电图形60形成在保护层40上并位于黑矩阵图形20所在区域，用于消除取向膜摩擦工艺中产生的静电，导电图形60的宽度小于黑矩阵图形20的宽度；取向膜50形成在导电图形60上并覆盖整个基板10。进一步地，在每个像素区域内，本实施例导电图形为环状，且所有像素区域的导电图形60为一体结构。该一体结构可以是每个像素区域的导电图形与所有相邻像素区域的导电图形60相互连接，也可以是每个像素区域行(或列)的导电图形相互连接，形成数个导电图形行(或导电图形列)，在周边区域，数个导电图形行(或导电图形列)通过连接线相互连接。

下面通过本实施例水平电场模式彩膜基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。

图2为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成黑矩阵图形后的示意图。首先在基板(如玻璃基板或石英基板)10上涂覆一层黑矩阵材料层，黑矩阵材料层可以采用遮光性较强的树脂，如在树脂中添加黑色颗粒，黑色颗粒可以是炭或TiO₂氧化物等。之后采用普通掩模板对黑矩阵材料层进行曝光，使黑矩阵材料层形成完全保留区域和完全去除区域，显影处理后，完全去除区域的黑矩阵材料层被完全去除，完全保留区域的黑矩阵材料层全部保留，烘烤处理后形成以阵列方式排列的黑矩阵图形20，如图2所示。

图3为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成彩色树脂图形后的示意图。在完成上述图形的基板10上，首先涂覆一层红色树脂材料层，之后采用普通掩模板对红色树脂材料层进行曝光，使红色树脂材料层形成完全保留区域和完全去除区域，显影处理后，完全去除区域的红色树脂材料层被完全去除，完全保留区域的红色树脂材料层全部保留，烘烤处理后形成红色树脂图形。采用相同方法，依次形成蓝色和绿色树脂图形，并由红色、蓝色和绿色树脂图形组成彩色树脂图形30，彩色树脂图形30位于相邻的黑矩阵图形20之间，如图3所示。实际上，形成三种颜色树脂图形可以采用任意次序。

图4为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成保护层后的示意图。在完成上述图形的基板10上，涂覆一层保护层，形成表面平整的保护层表面，如图4所示。保护层可以采用丙稀类树脂。

图5为本发明水平电场模式彩膜基板第一实施例形成导电图形后的示意图。在完成上述图形的基板10上，首先采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积一层透明导电薄膜，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料，也可以采用其它金属及金属氧化物。然后在透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形以外区域。显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化。通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形60，导电图形60位于黑矩阵图形20所在区域，其宽度小于黑矩阵图形20的宽度，如图5所示。

最后，在完成上述图形的基板10上，涂覆取向膜50，完成本实施例水平电场模式彩膜基板的制备，如图1所示。

实际应用中，可以采用先形成彩色树脂图形30后形成黑矩阵图形20的流程。此外，前述技术方案中还可以包括形成柱形隔垫物(PS)的流程，柱形隔垫物用于保持对盒后阵列基板和彩膜基板之间的距离，柱形隔垫物的结构和制备过程已为本领域技术人员所熟知，这里不再赘述。

此外，本实施例导电图形还有利于改善液晶显示器的残像特性。通过将本实施例导电图形与阵列基板的公共电极建立连接，可以使本实施例导电图形在液晶显示器工作时具有公共电压。由于本实施例导电图形位于黑矩阵图形所在区域，即导电图形位于显示区域之外，因此具有公共电压的导电图形并不会影响液晶显示器的正常工作，但具有公共电压的导电图形可以改善液晶显示器内部的电场稳定性，液晶显示器内部积累的残余直流电压可以通过导电图形不断得到释放，因此有效改善了液晶显示器的残像特性。实际应用中，由于阵列基板的周边区域形成有阵列基板PAD区域，水平电场模式彩膜基板的周边区域形成有水平电场模式彩膜基板PAD区域，阵列基板PAD区域的公共电极和水平电场模式彩膜基板PAD区域的导电图形可以通过封框胶内的金球实现电连接。

本实施例提供了一种水平电场模式彩膜基板，通过在基板与取向膜之间设置用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形，使本实施例有效提高了水平电场模式彩膜基板在摩擦工艺中的静电释放能力。本实施例导电图形与取向膜的距离大大缩短，因此与摩擦取向膜的摩擦布的距离大大缩短，与在背面设置导电层的现有技术相比，本发明有效改善了导电图形释放静电的能力，可以实现完全消除摩擦静电，提高了摩擦工艺的均一性，改善了液晶显示器的对比度，从而提高了液晶显示器的良品率。本发明适用于FFS模式、IPS模式等水平电场显示模式的液晶显示器，具有广阔的应用前景。

图6为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例的结构示意图。如图6所示，本实施例水平电场模式彩膜基板的主体结构与前述第一实施例基本相同，包括基板10、黑矩阵图形20、彩色树脂图形30、保护层40、取向膜50和导电图形60，与前述第一实施例不同的是，本实施例的导电图形60形成在基板10与黑矩阵图形20之间，其宽度与黑矩阵图形20的宽度相同，并在同一次光刻工艺中形成。此外，彩色树脂图形30包括三种颜色：红色树脂图形、蓝色树脂图形和绿色树脂图形，三种颜色的彩色树脂图形30依次形成在黑矩阵图形20之间；保护层40形成在彩色树脂图形30和黑矩阵图形20上并覆盖整个基板10；取向膜50形成在保护层40上。

图7～图9为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成黑矩阵图形和导电图形的示意图。图7为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成透明导电薄膜和黑矩阵材料层后的示意图。首先采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板(如玻璃基板或石英基板)10上沉积一层透明导电薄膜101，然后涂覆一层黑矩阵材料层102，如图7所示。透明导电薄膜101可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料，也可以采用其它金属及金属氧化物，黑矩阵材料层102可以采用遮光性较强的树脂。图8为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例对黑矩阵材料层曝光显影后的示意图。采用普通掩模板对黑矩阵材料层102进行曝光，使黑矩阵材料层102形成完全保留区域A和完全去除区域B，显影处理后，完全去除区域B的黑矩阵材料层102被去除，完全保留区域A的黑矩阵材料层102全部保留，如图8所示。图9为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成黑矩阵图形和导电图形后的示意图。通过刻蚀工艺完全刻蚀掉完全去除区域B的透明导电薄膜，形成黑矩阵图形20和导电图形60，导电图形60位于基板10与黑矩阵图形20之间，其宽度与黑矩阵图形20的宽度相同，如图9所示。图10为本发明水平电场模式彩膜基板第二实施例形成彩色树脂图形后的示意图。在完成上述图形的基板10上，首先涂覆一层蓝色树脂材料层，之后采用普通掩模板对蓝色树脂材料层进行曝光，使蓝色树脂材料层形成完全保留区域和完全去除区域，显影处理后，完全去除区域的蓝色树脂材料层被完全去除，完全保留区域的蓝色树脂材料层全部保留，烘烤处理后形成蓝色树脂图形。采用相同的方法，依次形成红色树脂图形和绿色树脂图形，并由红色树脂图形、蓝色树脂图形和绿色树脂图形组成彩色树脂图形30，彩色树脂图形30位于相邻的黑矩阵图形20之间，如图10所示。实际应用中，形成三种颜色的树脂图形可以采用任意次序。最后，在完成上述图形的基板10上，依次涂覆保护层40和取向膜50，完成本实施例水平电场模式彩膜基板的制备，如图6所示。

从上述制备过程可以看出，本实施例较前述第一实施例减少了一次光刻工艺，简化了制备工艺，缩短了制备时间，提高了生产效率。虽然本实施例水平电场模式彩膜基板导电图形与取向膜的距离较前述第一实施例大，但仍然小于现有技术的结构，因此也改善了导电图形释放静电的能力，可以确保完全消除摩擦静电，提高了摩擦工艺的均一性，改善了液晶显示器的对比度，从而提高了液晶显示器的良品率。

需要说明的是，在前述实施例的基础上，本发明水平电场模式彩膜基板还可以形成多个扩展结构。例如，本发明导电图形可以形成在黑矩阵与保护层之间，同样较前述第一实施例减少了一次光刻工艺，可以简化了制备工艺，缩短了制备时间，提高了生产效率。具体为：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上依次沉积金属材料的黑矩阵材料层和透明导电薄膜，在透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形和黑矩阵图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形和黑矩阵图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和黑矩阵材料层，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形和黑矩阵图形，导电图形位于黑矩阵图形之上，其宽度与黑矩阵图形宽度相同。

本发明还提供了一种水平电场模式彩膜基板制造方法，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤。

图11为本发明水平电场模式彩膜基板制造方法第一实施例的流程图，包括：

步骤11、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成保护层；

步骤13、在完成步骤12的基板上形成导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形所在区域；

步骤14、在完成步骤13的基板上形成取向膜。

本实施例中，既可以采用先形成黑矩阵图形、之后形成三种颜色的彩色树脂图形的次序，也可以采用先形成三种颜色的彩色树脂图形、之后形成黑矩阵图形的次序。形成保护层后，在保护层上形成导电图形，具体为：采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积一层透明导电薄膜，在透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形，导电图形位于黑矩阵图形所在区域，其宽度小于黑矩阵图形的宽度。最后形成取向膜，完成本实施例水平电场模式彩膜基板的制备。上述过程已在前述图1～图5所示方案中详细介绍，这里不再赘述。

图12为本发明水平电场模式彩膜基板制造方法第二实施例的流程图，包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于基板与黑矩阵图形之间；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成彩色树脂图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成保护层；

步骤24、在完成步骤23的基板上形成取向膜。

本实施例中，导电图形与黑矩阵图形是在同一次工艺中同时形成，具体为：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积一层透明导电薄膜，然后涂覆一层树脂材料的黑矩阵材料层；采用普通掩模板对黑矩阵材料层进行曝光，使黑矩阵材料层形成完全保留区域和完全去除区域；显影处理后，完全去除区域的黑矩阵材料层被完全去除，完全保留区域的黑矩阵材料层全部保留；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉完全去除区域的透明导电薄膜，形成黑矩阵图形和导电图形，导电图形位于基板与黑矩阵图形之间，宽度等于黑矩阵图形宽度。之后，依次形成彩色树脂图形、保护层和取向膜，完成本实施例水平电场模式彩膜基板的制备。上述过程已在前述图6～图10所示方案中详细介绍，这里不再赘述。

图13为本发明水平电场模式彩膜基板制造方法第三实施例的流程图，包括：

步骤31、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形之上；

步骤32、在完成步骤31的基板上形成彩色树脂图形；

步骤33、在完成步骤32的基板上形成保护层；

步骤34、在完成步骤33的基板上形成取向膜。

本实施例中，导电图形与黑矩阵图形是在同一次工艺中同时形成，具体为：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上依次沉积金属材料的黑矩阵材料层和透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形和黑矩阵图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形和黑矩阵图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和黑矩阵材料层，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形和黑矩阵图形，导电图形位于黑矩阵图形之上，其宽度与黑矩阵图形的宽度相同。之后，依次形成彩色树脂图形、保护层和取向膜，完成本实施例水平电场模式彩膜基板的制备。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (15)

1.一种水平电场模式彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜，其特征在于，所述基板与取向膜之间还设置有用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形。

2.根据权利要求1所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形设置在所述黑矩阵图形所在区域。

3.根据权利要求1所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形设置在所述保护层上。

4.根据权利要求3所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形的宽度小于黑矩阵图形的宽度。

5.根据权利要求1所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形设置在所述基板与黑矩阵图形之间或所述黑矩阵图形之上。

6.根据权利要求5所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形与黑矩阵图形在同一次光刻工艺中形成。

7.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形为一体结构。

8.根据权利要求1-6中任一权利要求所述的水平电场模式彩膜基板，其特征在于，所述导电图形与阵列基板的公共电极连接。

9.一种水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤。

10.根据权利要求9所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤包括：

步骤11、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成保护层；

步骤13、在完成步骤12的基板上形成导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形所在区域；

步骤14、在完成步骤13的基板上形成取向膜。

11.根据权利要求10所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，所述步骤13包括：在完成步骤12的基板上采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形，导电图形位于黑矩阵图形所在区域，其宽度小于黑矩阵图形的宽度。

12.根据权利要求9所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于基板与黑矩阵图形之间；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成彩色树脂图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成保护层；

步骤24、在完成步骤23的基板上形成取向膜。

13.根据权利要求12所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，所述步骤21包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积透明导电薄膜，然后涂覆树脂材料的黑矩阵材料层；采用普通掩模板对所述黑矩阵材料层进行曝光，使黑矩阵材料层形成完全保留区域和完全去除区域，完全保留区域对应于黑矩阵图形所在区域，完全去除区域对应于黑矩阵图形以外区域；显影处理后，完全去除区域的黑矩阵材料层被完全去除，完全保留区域的黑矩阵材料层全部保留；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉完全去除区域的透明导电薄膜，形成黑矩阵图形和导电图形，导电图形位于基板与黑矩阵图形之间，其宽度与黑矩阵图形的宽度相同。

14.根据权利要求9所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，在基板上形成黑矩阵图形、彩色树脂图形、保护层和取向膜的步骤中还包括在所述基板与取向膜之间形成用于消除取向膜摩擦工艺中产生静电的导电图形的步骤包括：

步骤31、在基板上形成黑矩阵图形和导电图形，所述导电图形位于黑矩阵图形之上；

步骤32、在完成步骤31的基板上形成彩色树脂图形；

步骤33、在完成步骤32的基板上形成保护层；

步骤34、在完成步骤33的基板上形成取向膜。

15.根据权利要求14所述的水平电场模式彩膜基板制造方法，其特征在于，所述步骤31包括：采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板上依次沉积金属材料的黑矩阵材料层和透明导电薄膜，在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于导电图形和黑矩阵图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于导电图形和黑矩阵图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶完全保留区域的光刻胶没有变化；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和黑矩阵材料层，剥离剩余的光刻胶后形成导电图形和黑矩阵图形，导电图形位于黑矩阵图形之上，其宽度与黑矩阵图形的宽度相同。

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