CN103035640A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板，涉及显示技术领域，该阵列基板包括：绝缘基板和位于所述绝缘基板上方的像素阵列，还包括：位于所述绝缘基板和所述像素阵列之间的彩色滤光层。还公开了一种制作上述阵列基板的方法及包括上述阵列基板的显示装置。本发明的阵列基板中将彩色滤光层设置在像素阵列的下方，避免了由于树脂（Resin）材料的性质导致的与阵列基板最上部的ITO电极及过孔之间的接触效果不好的问题及其它彩色滤光层对位于其下方的阵列基板的影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
现有技术中，为了在阵列基板（Array）上集成彩色滤光层（ColorFilter，C/F），从而在Array工序结束之后，在TFT阵列上形成C/F。其称之为COA（Color Filter On Array），对于COA类型的阵列基板，由于树脂（Resin）材料的性质，导致与最上部的ITO电极及过孔之间的接触效果不好。
由于树脂的材料，其无法忍耐高温的性质，以及与其下部ITO电极之间的接触及粘附效果不佳，而且位于Array上部的图形层（Patterning）还是会受到下部彩色滤光层的影响，并且C/F位于Array上部的话，还存在对液晶盒厚（Cell Gap）所造成厚度不一的问题，会对显示效果有不良影响。因此需要对彩色滤光层进行改善。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：如何设置彩色滤光层以避免彩色滤光层对Array上位于该彩色滤光层以下的层造成的不良影响。
（二）技术方案
为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：基板和位于所述基板上方的像素阵列，还包括：位于所述基板和所述像素阵列之间的彩色滤光层。
其中，所述彩色滤光层位于所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的下方。
其中，所述彩色滤光层位于所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的表面上。
其中，所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的下方具有容纳所述彩色滤光层的空间，所述彩色滤光层位于所述空间中。
其中，所述彩色滤光层与所述像素阵列之间还设置有透明的缓冲层。
其中，所述像素阵列的公共电极位于所述彩色滤光层和基板之间，所述像素阵列的像素电极位于彩色滤光层上方。
其中，所述像素阵列的像素电极位于所述彩色滤光层和基板之间，所述像素阵列的公共电极位于彩色滤光层上方。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，在基板上形成彩色滤光层图形，在形成所述彩色滤光层图形后的基板上形成像素阵列。
其中，在所述基板上形成彩色滤光层图形的方式包括：在所述基板的表面上对应像素阵列的像素区域形成所述彩色滤光层图形。
其中，在所述基板上形成彩色滤光层图形的方式包括：采用构图工艺对所述基板上对应像素阵列的像素区域进行刻蚀，以形成容纳所述彩色滤光层的空间，在所述空间中形成所述彩色滤光层图形。
其中，在制作所述彩色滤光层后的基板上制作像素阵列之前还包括在基板上形成一层缓冲层。
其中，在基板上制作彩色滤光层之前还包括：通过构图工艺在所述基板上对应像素阵列的像素区域形成空间；然后通过构图工艺在对应公共电极对应的区域形成公共电极图形；在所述空间中的所述公共电极上形成所述彩色滤光层图形；在形成有所述彩色滤光层的基板上形成所述像素电极，并保留公共电极图形与所述像素阵列连接的区域；在形成所述像素阵列时使得所述彩色滤光层图形位于所述公共电极图形和像素阵列中的像素电极图形之间。
其中，在基板上制作彩色滤光层之前还包括：通过构图工艺在所述基板上对应像素阵列的像素区域形成空间，然后通过构图工艺在对应像素电极的区域形成像素电极图形；在形成有像素电极的基板上对应所述空间上形成彩色滤光层图形；在形成有所述彩色滤光层图形的基板上形成公共电极的图形，并保留像素电极图形与所述像素阵列连接的区域，在形成所述像素阵列时使得所述彩色滤光层图形位于所述像素电极图形和像素阵列中的公共电极图形之间。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
（三）有益效果
本发明的阵列基板中将彩色滤光层设置在像素阵列的下方，避免了由于树脂（Resin）材料的性质导致的与阵列基板最上部的ITO电极及过孔之间的接触效果不好的问题及其它彩色滤光层对位于其下方的阵列基板的影响。
附图说明
图1是本发明实施例1的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本发明实施例2的一种阵列基板的结构示意图；
图3是制作实施例2中阵列基板时刻蚀基板之前对光刻胶曝光显影后的示意图；
图4是制作实施例2中阵列基板时在基板上刻蚀出容纳彩色滤光层的空间的示意图；
图5是制作实施例2中阵列基板时在基板上的容纳彩色滤光层的空间中填充彩色滤光层后的示意图；
图6是本发明实施例3的一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例4的一种阵列基板的结构示意图；
图8是制作实施例4中阵列基板时在基板上刻蚀出容纳彩色滤光层的空间的示意图；
图9是在图8的基板上沉积金属薄膜并涂覆光刻胶曝光显影后的示意图；
图10是图9的基板上的基础上刻蚀金属薄膜，在容纳彩色滤光层的空间中形成公共电极的示意图；
图11是在图10基板的基础上在空间中填充彩色滤光层，并在彩色滤光层上形成像素电极的示意图；
图12是本发明实施例4的另一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本实施例的阵列基板如图1所示，包括：基板1（也可以是石英等材料的透明绝缘基板）、位于基板1之上的彩色滤光层3、位于彩色滤光层3上方的像素阵列4，本实施例中为扭曲向列显示（TwistedNematic，TN）的像素阵列。像素阵列4包括薄膜晶体管TFT区域A和像素区域B，本实施例中的彩色滤光层3位于基板1上对应像素区域B的位置。为了使像素阵列4的下方表面平整，优选地，在彩色滤光层3和像素阵列4之间还形成透明的缓冲层5。
本实施例的阵列基板的制作过程如下：
通过沉积、曝光、显影、刻蚀及剥离等一系列构图工艺在基板1上对应像素阵列4的像素区域B形成彩色滤光层3，再在彩色滤光层3上依次形成像素阵列4的各层。优选地，在形成彩色滤光层3的基板1上形成透明的缓冲层5，为制备像素阵列4提供平整的表面。当然彩色滤光层3可以是红色树脂层，也可以是绿色树脂，或者蓝色树脂，黄色树脂，以上选则为本领域技术人员可以根据具体的产品设计而进行组合配置，从而实现色彩显示的目的。
本实施例的阵列基板中由于彩色滤光层3位于像素阵列4的下方，避免了彩色滤光层在像素阵列上方时由于彩色滤光层树脂（Resin）材料的性质导致的与阵列基板最上部的ITO及过孔之间的接触效果不好的问题；而且彩色滤光层3不会对像素阵列4的各层次产生不好的影响；从而降低了树脂层对液晶盒厚度（Cell Gap）的影响，因而提高了显示效果。
其中像素阵列4可以是扭曲向列显示（Twisted Nematic，TN）、面内开关模式（In-Plane Switching，IPS）、多维电场ADS（ADvanced SuperDimension Switch）等模式的像素阵列。
实施例2
本实施例的阵列基板如图2所示，与实施例1的阵列基板结构基本相同，不同的是基板1上设有容纳彩色滤光层3的空间2，彩色滤光层3形成于空间2中。
本实施例的阵列基板制作过程如下：
如图3所示，通过在基板1通过构图工艺形成空间2，即在基板1上涂覆光刻胶100，并对其曝光显影，显影掉基板1上对应像素阵列4的像素区域B的光刻胶100，并刻蚀基板1，形成如图4所示的空间2。然后在空间2中填充彩色滤光层3，形成如图5所示的基板。在图5的基板上依次形成缓冲层5和像素阵列4，或直接在图5的基板上形成像素阵列4。
由于彩色滤光层3形成于空间2中，相对于实施例1的阵列基板，本实施例的阵列基板的厚度变薄，从而使得产品轻薄化。优选地，彩色滤光层3填满整个空间2，且使基板1的表面平整，从而去掉缓冲层5，像素阵列4直接形成在基板1上，使得整个阵列基板的厚度变的更薄。
其中本实施例中的像素阵列4也可以是TN、IPS、ADS等模式的像素阵列。
实施例3
ADS是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch），可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。高级超维场转换技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。本实施例提供了一种ADS模式的阵列基板，具体是对实施例1中的ADS模式阵列基板的改进。对于ADS模式的阵列基板，像素电极和公共电极都位于阵列基板上，两者之间间隔有绝缘层，在本实施例的阵列基板中利用彩色滤光层作为该绝缘层。具体结构如图6所示，包括：基板1、彩色滤光层3、ADS模式的像素阵列6。ADS模式的像素阵列6包括TFT区域A和像素区域B。ADS模式的像素阵列6的公共电极61位于基板1之上的像素区域B的位置，彩色滤光层3形成于公共电极61之上，像素电极62及ADS模式的像素阵列6的其它层次结构位于彩色滤光层3的上方。为了使ADS模式的像素阵列6的下方表面平整，优选地，在彩色滤光层3和像素阵列6之间还形成透明的缓冲层5。
本实施例的阵列基板的制作过程如下：
通过成膜、曝光、显影、刻蚀及剥离等一系列构图工艺在基板1上对应ADS模式像素阵列6的像素区域B形成公共电极61，然后在公共电极61上形成彩色滤光层3，再在彩色滤光层3上依次形成像素阵列6的各层。优选地，在形成彩色滤光层3的基板1上形成透明的缓冲层5，为制备像素阵列6提供平整的表面。
本实施例的ADS模式的阵列基板中像素电极62为狭缝状，公共电极61为块状，在实际应用中本领域技术人员应该可以理解，像素电极可以为板状或者狭缝状，公共电极也是如此，像素电极和公共电极的上下顺序可颠倒，但是在上的电极必须是狭缝状的，在下的电极是板状的。优选的，本实施例中像素阵列6的TFT区域A为顶栅结构，像素电极62与TFT的漏极直接搭接，当然TFT区域也可以是底栅结构，像素电极62与漏极同层搭接或者通过漏极过孔进行连接。上述结构及制作方法与图6的阵列基板结构及制作方法类似，此处不再赘述。
本实施例的ADS模式的阵列基板利用彩色滤光层作为公共电极和像素电极的层间间隔，不需要额外的材料，相对于实施例1节省了成本和制作工艺。
实施例4
本实施例提供了一种ADS模式的阵列基板，具体是对实施例2中的ADS模式阵列基板的改进。对于ADS模式的阵列基板，像素电极和公共电极都位于阵列基板上，两者之间间隔有绝缘层，在本实施例的阵列基板中利用彩色滤光层作为该绝缘层。本实施例以彩色滤光层形成在基板被刻蚀的空间中，且公共电极位于像素电极下方的ADS阵列基板为例来说，具体结构如图7所示，包括：基板1、彩色滤光层3、ADS模式的像素阵列6。ADS模式的像素阵列6包括TFT区域A和像素区域B，基板1上对应像素区域B的位置设置有容纳彩色滤光层3的空间2，ADS模式的像素阵列6的公共电极61形成在空间2中彩色滤光层3的下层（其中公共电极61的区域C为与公共电极线连接的部分），像素电极62位于彩色滤光层3之上。
本实施例的阵列基板制作过程如下：
如图8所示，通过在基板1上涂覆光刻胶，并对其曝光显影，显影掉基板1上对应ADS模式像素阵列6的像素区域B的光刻胶，并刻蚀基板1，形成空间2。如图9所示，然后形成透明金属薄膜，并在透明金属薄膜上涂覆光刻胶，对光刻胶曝光显影去掉TFT区域A的光刻胶，并刻蚀掉暴露出的透明金属薄膜，去掉剩余的光刻胶，形成了公共电极61，如图10所示。之后在空间2中形成彩色滤光层3，使彩色滤光层3的表面与基板1的表面齐平（可选地，在形成彩色滤光层3之后的基板表面形成缓冲层，以保持基板1表面平整），接着形成透明金属薄膜，并涂覆光刻胶，对光刻胶曝光显影，并对暴露出的区域进行刻蚀，去掉剩余的光刻胶，形成狭缝状的像素电极62，如图11所示。在图11的基板上形成ADS模式像素阵列6的其它层次结构。
对于像素电极位于公共电极下方的ADS阵列基板，其结构如图12所示。制作时在基板1上刻蚀出空间2之后，先形成像素电极62，再形成彩色滤光层3，形成彩色滤光层3后再形成公共电极61及像素阵列6的其他层次结构。
本实施例的ADS模式的阵列基板中像素电极62为板状，公共电极61为狭缝状，在实际应用中本领域技术人员应该可以理解，像素电极可以为板状或者狭缝状，公共电极也是如此，像素电极和公共电极的上下顺序可颠倒，但是在上的电极必须是狭缝状的，在下的电极是板状的，其结构及制作方法与图7和图12的阵列基板结构及制作方法类似，此处不再赘述。
本实施例的ADS模式的阵列基板利用彩色滤光层作为公共电极和像素电极的层间间隔，不需要额外的材料，相对于实施例2节省了成本和制作工艺。
实施例5
本实施例中提供了一种显示装置，包括实施例1~4中任一的阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (14)
1.一种阵列基板，包括：基板和位于所述基板上方的像素阵列，其特征在于，还包括：位于所述基板和所述像素阵列之间的彩色滤光层。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩色滤光层位于所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的下方。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述彩色滤光层位于所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的表面上。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述基板上对应所述像素阵列中像素区域的下方具有容纳所述彩色滤光层的空间，所述彩色滤光层位于所述空间中。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩色滤光层与所述像素阵列之间还设置有透明的缓冲层。
6.如权利要求1~5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素阵列的公共电极位于所述彩色滤光层和基板之间，所述像素阵列的像素电极位于彩色滤光层上方。
7.如权利要求1~5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素阵列的像素电极位于所述彩色滤光层和基板之间，所述像素阵列的公共电极位于彩色滤光层上方。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成彩色滤光层图形，在形成所述彩色滤光层图形后的基板上形成像素阵列。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成彩色滤光层图形的方式包括：在所述基板的表面上对应像素阵列的像素区域形成所述彩色滤光层图形。
10.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成彩色滤光层图形的方式包括：采用构图工艺对所述基板上对应像素阵列的像素区域进行刻蚀，以形成容纳所述彩色滤光层的空间，在所述空间中形成所述彩色滤光层图形。
11.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在制作所述彩色滤光层后的基板上制作像素阵列之前还包括在基板上形成一层缓冲层。
12.如权利要求8~11中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上制作彩色滤光层之前还包括：通过构图工艺在所述基板上对应像素阵列的像素区域形成空间；然后通过构图工艺在对应公共电极对应的区域形成公共电极图形；在所述空间中的所述公共电极上形成所述彩色滤光层图形；在形成有所述彩色滤光层的基板上形成所述像素电极，并保留公共电极图形与所述像素阵列连接的区域；在形成所述像素阵列时使得所述彩色滤光层图形位于所述公共电极图形和像素阵列中的像素电极图形之间。
13.如权利要求8~11中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上制作彩色滤光层之前还包括：通过构图工艺在所述基板上对应像素阵列的像素区域形成空间，然后通过构图工艺在对应像素电极的区域形成像素电极图形；在形成有像素电极的基板上对应所述空间上形成彩色滤光层图形；在形成有所述彩色滤光层图形的基板上形成公共电极的图形，并保留像素电极图形与所述像素阵列连接的区域，在形成所述像素阵列时使得所述彩色滤光层图形位于所述像素电极图形和像素阵列中的公共电极图形之间。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1~7中任一项所述的阵列基板。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018094805A1 (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型液晶面板的制作方法及coa型液晶面板 |
| CN113485039A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-10-08 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101435961A (zh) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd彩膜/阵列基板、液晶显示面板及其制造方法 |
| CN101819348A (zh) * | 2009-02-26 | 2010-09-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 水平电场模式彩膜基板及其制造方法 |
| JP2011017878A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US20110309397A1 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Au Optronics Corporation | Pixel structure and manufacturing method thereof |
-
2012
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101435961A (zh) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd彩膜/阵列基板、液晶显示面板及其制造方法 |
| CN101819348A (zh) * | 2009-02-26 | 2010-09-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 水平电场模式彩膜基板及其制造方法 |
| JP2011017878A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| US20110309397A1 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Au Optronics Corporation | Pixel structure and manufacturing method thereof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018094805A1 (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型液晶面板的制作方法及coa型液晶面板 |
| CN113485039A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-10-08 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103035640B (zh) | 2016-05-04 |
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