CN101622098B - 切断方法及线锯装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成芯片状的方法，其特征在于：切断上述晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量，然后对应该测定的晶棒的轴方向的位移量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，以此，一边控制相对于在上述轴方向变化的晶棒的全长的上述钢线的相对位置，一边切断晶棒。以此，提供一种切断方法与线锯装置，控制晶棒的切断轨迹，可降低例如被切断后的芯片的弯曲度和翘曲度等，特别是可切断成平坦状。

Description

切断方法及线锯装置
技术领域
本发明涉及一种利用线锯装置从硅晶棒、化合物半导体等的晶棒切成多片芯片的切断方法与线锯装置。 
背景技术
近年，芯片有大型化的趋势，随着此大型化而使用专用于切断晶棒的线锯装置。 
线锯装置是使钢线(高张力钢线)高速行进，在此一边浇注浆液一边压抵晶棒(工件)而切断，同时切出多片芯片的装置(参照日本专利公开公报特开平9-262826号)。 
在此，图12是表示一般线锯装置的一例的概要。 
如图12(A)的整体图所示，线锯装置101主要是由用以切断晶棒的钢线102、卷取钢线的附凹沟滚筒103(导线器)、用以赋予钢线102张力的钢线张力赋予机构104、送出要被切断的晶棒的晶棒进给机构105以及于切断时供给浆液的浆液供给机构106所构成。 
钢线102从一侧的线卷盘(wire reel)107送出，经由移车台(traverser)108，再经过由磁粉离合器(定转矩马达109)或上下跳动滚筒(静重(dead weight))(未图示)等所组成的钢线张力赋予机构104，进入附凹沟滚筒103。钢线102卷绕于此附凹沟滚筒103约300～400次之后，经过另一侧的钢线张力赋予机构104’而被卷绕在线卷盘107’上。 
另外，附凹沟滚筒103，是在钢铁制圆筒的周围压入聚胺酯树脂(外壳部)，于其表面以一定的节距切出凹沟的滚筒，卷绕的钢线102可通过驱动用马达110以预定的周期往复方向地驱动。 
在此，进一步加以说明有关附凹沟滚筒103。作为先前使用的附凹沟滚筒103的一例，可如图13所示地举例。在附凹沟滚筒103的两端，配设用以支持附凹沟滚筒的轴120的轴承121、121’。例如轴承121是径向型式的 轴承，在此径向型式的轴承121侧，附凹沟滚筒3可向轴方向伸长；另一方面，轴承121’是止推型式的轴承，此止推型式的轴承121’侧是成为难以伸长的构造。即，附凹沟滚筒是仅可向轴方向的一方向延伸的构造。 
另外，亦有轴承121、121’两方皆为径向轴承，于轴方向可向前后延伸的构造。 
切断晶棒时，通过如图12(B)所示的晶棒进给机构105，将晶棒向卷绕于附凹沟滚筒103上的钢线102进送(馈送)。此晶棒进给机构105是由用以进给晶棒的晶棒进给平台111、线性导轨112、把持晶棒的晶棒夹器113、以及切片挡板114等所成，以计算机控制沿着线性导轨112驱动晶棒进给平台111，可依预先程序化的进给速度，将固定于前端的晶棒送出。 
而且，如图12(A)所示，在附凹沟滚筒103与卷绕的钢线102的附近设有喷嘴115，于切断时，可从浆液槽116供给例如将GC(碳化硅)磨粒分散于液体中而成的浆液至附凹沟滚筒103、钢线102。另外，浆液槽116可与浆液冷却器117接续，以调整供给浆液的温度。 
利用如此的线锯装置101，并利用钢线张力赋予机构104赋予钢线102适当的张力，且通过驱动用马达110使钢线102往复方向地行进，将晶棒切片。 
现在，一般是采用线宽0.13～0.18mm的钢线，施以2.5～3.0kgf的张力，以400～600m/min的平均速度，1～2c/min(30～60s/c)的循环周期，使其往复方向行进来切片。 
发明内容
以往，是利用上述一般的线锯装置来进行晶棒的切断，但是实际调查切断的芯片的形状，发现会发生弯曲、翘曲。此弯曲度、翘曲度是半导体芯片的切断中的重要质量考虑因素之一，随着对于制品的质量要求越高，而更希望能降低。 
因此，本发明者对于利用线锯装置来切断晶棒的方法进行努力研究，发现上述弯曲、翘曲的发生原因，大致区分，是因为： 
·附凹沟滚筒与晶棒的热膨胀； 
·工件进给的直度(真直度)；以及 
·切断中的(向芯片面外方的)钢线的挠度 
的影响互相重叠所造成。再者，其中，特别是附凹沟滚筒与晶棒的热膨胀所造成的影响甚大，如将此改善，则可获得最大的弯曲或翘曲的改善效果。 
以下详述附凹沟滚筒与晶棒的热膨胀所造成的对于弯曲度、翘曲度的影响。 
首先叙述在切断中晶棒维持一定的温度，仅附凹沟滚筒热膨胀的情况。附凹沟滚筒是因来自晶棒的切断发热而产生的浆液温度的上升、或者经由来自钢线的热传导而热膨胀。依照如上述的附凹沟滚筒的支持轴承的种类的和组合，如图14(A)所示，有仅向轴方向的一方向热膨胀的情况；以及如图14(B)所示，向轴方向的两方向(前后方向)均等地热膨胀的情况。因此，晶棒中的切断轨迹，有仅向轴方向的一方向位移(变位)的情况(图14(A))、以及向轴方向的两方向(前后方向)形状对称地位移的情况(图14(B))。 
其次，考虑切断中非附凹沟滚筒的热膨胀而仅晶棒热膨胀的情况。若将切断中例如使用热电偶测定的晶棒的温度换算成热膨胀量，则如图14(C)所示，晶棒向轴方向的两方向，对应各时段的切断负荷，于切断当初为热膨胀，于切断结束附近时则发生热收缩。 
而且，上述的附凹沟滚筒的热膨胀以及晶棒的热膨胀、收缩，同时作用(影响)晶棒时的切断轨迹表示于图15(A)、图15(B)。 
图15(A)是对应附凹沟滚筒仅向轴方向的单一方向热膨胀时的切断轨迹，图15(B)是对应附凹沟滚筒向轴方向的两方向(前后方向)均等地热膨胀时的切断轨迹。 
如此，利用习用的切断方法与线锯装置，将成为图15(A)、图15(B)所示的切断轨迹，被切断的芯片几乎全会形成弯曲、翘曲。 
本发明是有鉴于如此的问题而开发出来，其目的是提供一种切断方法以及线锯装置，控制晶棒的切断轨迹，可降低例如切断后的晶棒的弯曲度、翘曲度，特别是可切断成平坦状。 
为了解决上述课题，本发明是提供一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成芯片状的方法，其特征在于：切断上述晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量，然后对应该测定的晶棒的轴方向的位移 量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，以此，一边控制相对于在上述轴方向变化的晶棒的全长的上述钢线的相对位置，一边切断晶棒。 
因为晶棒的热膨胀、收缩本身的控制困难，本发明的切断方法中，首先，于切断晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量。对应所测定的晶棒的轴方向的位移量，控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量。以此，可一边控制相对于在轴方向变化的晶棒的全长的钢线的相对位置，一边切断晶棒，而能够将晶棒中的切断轨迹调整成所希望者。例如，可使切断轨迹平坦，显著降低切断后的各芯片中的弯曲度和翘曲度等。 
此时，可在上述附凹沟滚筒的轴中，流通冷却水，通过调节该冷却水的温度及/或流量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量。 
如此，在附凹沟滚筒的轴中流通冷却水，通过调节冷却水的温度及/或流量，可简单且正确地控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量。 
而且，上述晶棒的轴方向的位移量的测定，可利用热电偶或差动式位移计来进行。 
如此，晶棒的轴方向的位移量的测定，可利用热电偶或差动式位移计的简单的方法来进行。 
另外，较佳是：根据上述测得的晶棒的轴方向的位移量，做成相对于切入深度的晶棒的轴方向的位移量的曲线，然后基于该做成的曲线，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量。 
如此，若根据上述测得的晶棒的轴方向的位移量，做成相对于切入深度的晶棒的轴方向的位移量的曲线，基于该做成的曲线，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，则实际上简便，可不麻烦地进行附凹沟滚筒的轴方向的位移量的控制。 
另外，本发明提供一种线锯装置，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成芯片状的线锯装置，其特征在于至少具备：一晶棒位移量测定机构，测定上述要被切断的晶棒的轴方向的位移量；以及一附凹沟滚筒位移量控制机构，对应通过该晶棒位移量测定机构所测得的晶棒的轴方向的位移量，反馈在附凹沟滚筒的轴中流通的冷却水的温度及/或流量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量。 
如此，本发明的线锯装置中，因具备用以测定要被切断的晶棒的轴方向的位移量的晶棒位移量测定机构，所以可测定晶棒的轴方向的位移量；而且，因具备对应通过晶棒位移量测定机构所测得的晶棒的轴方向的位移量，反馈在附凹沟滚筒的轴中流通的冷却水的温度及/或流量，来控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量的附凹沟滚筒位移量控制机构，所以可对应晶棒的轴方向的位移量，来控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量。而且，由于其控制是以反馈在附凹沟滚筒的轴中流通的冷却水的温度及/或流量的方式来进行，所以可简单且正确地进行控制。 
若为本发明的切断方法、线锯装置，在切断中，可对应难以控制的晶棒的轴方向的位移量，来控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量，因此，可控制相对于晶棒的全长的卷绕于附凹沟滚筒上的钢线的相对位置。即，可控制切断轨迹，特别是可使切断轨迹平坦，降低弯曲度和翘曲度等。 
本发明的切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成芯片状的方法，其特征在于：切断上述晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量，然后根据该测定出来的晶棒的轴方向的位移量，做成相对于切入深度的晶棒的轴方向的位移量的曲线，然后基于该做成的曲线，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，以此，一边控制相对于在上述轴方向变化的晶棒的全长的上述钢线的相对位置，一边切断晶棒。 
本发明的线锯装置，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成芯片状的线锯装置，其特征在于，至少具备：一晶棒位移量测定机构，用以测定上述要被切断的晶棒的轴方向的位移量；以及一附凹沟滚筒位移量控制机构，其基于根据该晶棒位移量测定机构所测得的晶棒的轴方向的位移量而做成的，相对于切入深度的晶棒的轴方向的位移量的曲线，反馈在附凹沟滚筒的轴中流通的冷却水的温度及/或流量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量 
附图说明
图1是表示本发明的线锯装置的一例的概略图。 
图2(A)是表示贴附有热电偶的晶棒的一例的说明图，(B)是表示配设有差动式位移计的晶棒的一例的说明图，(C)是表示配设有涡电流感应器的附凹沟滚筒的一例的说明图。 
图3是表示附凹沟滚筒的剖面的一例的说明图。 
图4是表示本发明的切断方法中的晶棒与附凹沟滚筒的轴方向的变化的关系的说明图。 
图5是表示考虑依照本发明来切断晶棒时的附凹沟滚筒的热膨胀(前后方向)与晶棒的热膨胀、收缩时的切断轨迹的一例的说明图。 
图6是表示利用热电偶来测定时的相对于切入深度的晶棒的温度的一例的图表。 
图7是表示根据预备试验所得到的冷却水的温度与附凹沟滚筒3的位移量的关系的一例的图表。 
图8是表示在实施例中切出的芯片的弯曲度、翘曲度的测定结果的图表。 
图9是表示在比较例1中切出的芯片的弯曲度、翘曲度的测定结果的图表。 
图10是表示在比较例2中切出的芯片的弯曲度、翘曲度的测定结果的图表。 
图11是表示在比较例3中切出的芯片的弯曲度、翘曲度的测定结果的图表。 
图12是表示习用的切断方法所使用的线锯装置的一例的概略图，(A)是整体图，(B)是晶棒进给机构的概略图。 
图13是表示附凹沟滚筒的构造的一例的概略平面图。 
图14(A)是表示晶棒切断时的附凹沟滚筒的热膨胀(一方向)与切断轨迹的一例的说明图，(B)是表示晶棒切断时的附凹沟滚筒的热膨胀(前后方向)与切断轨迹的一例的说明图，(C)是表示晶棒切断时的晶棒的热膨胀、收缩与切断轨迹的一例的说明图。 
图15(A)是表示考虑晶棒切断时的附凹沟滚筒的热膨胀(一方向)与晶棒的热膨胀、收缩时的切断轨迹的一例的说明图，(B)是表示考虑晶棒切断时的附凹沟滚筒的热膨胀(前后方向)与晶棒的热膨胀、收缩时的切断轨迹的一例的说明图。 
具体实施方式
以下说明本发明的实施形态，但本发明并不限定于此形态。 
如上所述，利用习用的切断方法、线锯装置来切断晶棒时，特别是因附凹沟滚筒和晶棒等的轴方向的热膨胀，切断轨迹是如图15般地于轴方向变化，被切断的芯片(切出来的芯片)发生大的弯曲度、翘曲度。对此，为消除切断轨迹的轴方向的变化，进行了切断方法的研究，例如，通过将浆液浇注于晶棒等之上，来抑制晶棒和附凹沟滚筒等的轴方向的变化的切断方法等。 
但是，本发明人发现，特别是要抑制晶棒的轴方向的变化是困难的，即使如上所述地浇注浆液来进行控制，实际上亦有略微变化，因此，并不足以作为弯曲度等的防止对策。 
因此，本发明人考虑，若附凹沟滚筒、晶棒两者于轴方向的变化既然无法消除，则相反地，使双方相同地于轴方向变化，藉以调整切断轨迹，来降低弯曲度等。而且，特别是晶棒的轴方向的变化的控制困难，因此而发现如可对应此晶棒的轴方向的位移量，来控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量，藉 此，只要在切断中适当地调整相对于晶棒的全长的钢线的相对位置即可，进而完成本发明。 
以下，一边参照附图一边详细地说明本发明的线锯装置、切断方法，但是本发明不限定于此。 
图1表示本发明的线锯装置的一例。 
本发明的线锯装置1，首先，作为本体部，是与习用的线锯装置101相同地，具有用以切断晶棒的钢线2、卷取钢线的附凹沟滚筒3(导线器)、赋予钢线2张力的钢线张力赋予机构4、进给要被切断的晶棒的晶棒进给机构5以及于切断时供给浆液的浆液供给机构6。 
钢线2、钢线张力赋予机构4、晶棒进给机构5以及浆液供给机构6，可为与图12的习用的切断方法中所使用的线锯装置101相同。 
又，本发明中，为了对应在轴方向中向两方向(前后方向)变化的晶棒的位移量，来控制附凹沟滚筒3的轴方向的位移量，附凹沟滚筒3两侧的轴承为径向轴承，做成可于轴方向向前后延伸的构造。 
而且，本发明的线锯装置1中，还具备：一晶棒位移量测定机构11，用以测定切断时晶棒的轴方向的位移量；以及一附凹沟滚筒位移量控制机构12，对应由晶棒位移量测定机构11所测定的晶棒的轴方向的位移量，反馈在附凹沟滚筒的轴中流通的冷却水的温度及/或流量，来控制附凹沟滚筒的轴方向的位移量。 
作为此晶棒位移量测定机构11，例如可为采用热电偶13者。即，可举例如：配设一计算机18，于晶棒轴方向的前侧与后侧，将热电偶13贴附于晶棒，将通过此热电偶13所测得的晶棒的温度换算成为热膨胀量，并算出、处理晶棒的轴方向的位移量。图2(A)中表示将热电偶13贴附在晶棒上的情况的一例。 
另外，也可不采用热电偶13而采用差动式位移计14。即，也可以先在难以热膨胀处(例如线锯装置1的本体)等，装设位移计的支持部，将计测部配置于晶棒的轴方向的两侧，来测定晶棒的轴方向的位移量。差动式位移计14接续于计算机18，可处理测定的数据。图2(B)中表示相对于晶棒设置差动式位移计的情况的一例。 
此晶棒位移量测定机构11并无特别限定，只要切断时可正确且快速地 测定晶棒的轴方向的位移量即可。若为利用上述热电偶13或差动式位移计14的机构，测定可简单、正确地进行而较佳。 
其次，叙述有关附凹沟滚筒位移量控制机构12。 
此附凹沟滚筒位移量控制机构12，大致是由：用以测定附凹沟滚筒3的轴方向的位移量的附凹沟滚筒位移量测定部15、以及用以调节在附凹沟滚筒3的轴中流通的冷却水的温度、流量的冷却水调节部16所构成。 
首先，附凹沟滚筒位移量测定部15，可做成：例如通过将涡电流感应器17配设在附凹沟滚筒3的轴方向的两侧附近，可测定轴方向的位移量。图2(C)中表示将涡电流感应器17配设于附凹沟滚筒3的情况的一例。附凹沟滚筒3的轴方向的位移量的测定装置，当然不限定于此，但是若采用涡电流感应器，则能以非接触的方式，高精度地进行测定而较佳。 
另外，冷却水调节部16配设热交换器、泵，可调节在附凹沟滚筒3的轴中流通的冷却水的温度、流量。 
在此，利用图3所示的附凹沟滚筒3的剖面图，来说明有关冷却水调节部16。附凹沟滚筒3是以具有卷绕钢线2的沟的树脂部(外壳)作为最外层地形成，其内侧具有外壳导件，更内侧则为具有轴心的构造。用于本发明的线锯装置1的附凹沟滚筒3，其轴心部是成为可流通已通过冷却水调节部16而被调节温度、流量后的冷却水的构造。 
而且，在此附凹沟滚筒位移量控制机构12中，具备一计算机，可基于根据附凹沟滚筒位移量测定部15所测定的附凹沟滚筒3的轴方向的位移量的数据，反馈处理这些数据，而可以通过冷却水调节部16来调节冷却水的温度、流量。再者，此冷却水的温度、流量的调节，亦考虑到根据晶棒位移量测定机构11所测定的晶棒的轴方向的位移量，最终，编写程序以对应此晶棒的位移量，来控制附凹沟滚筒3的轴方向的位移量。 
又，计算机18与晶棒位移量测定机构11中的热电偶13或差动式位移计14接续，同时也与附凹沟滚筒位移量控制机构12中的滚筒位移量测定部15、冷却水调节部16接续。如此，可统合处理晶棒和附凹沟滚筒3的相关资料，简便且有效率，与区分各机构11、12地设置相较，不占空间，可节省空间。 
计算机的台数等只要对应个别的处理能力、空间等适当地决定即可。 
若是如此的本发明的线锯装置1，切断中，可使附凹沟滚筒3的变化与晶棒的变化同步。即，例如，切断晶棒时，即使因热膨胀而向轴方向的两侧延伸，通过冷却水的调节，可使附凹沟滚筒3向轴方向的两侧延伸，以此，可将切断晶棒的各钢线的位置，向附凹沟滚筒3的轴方向的两侧偏移。此时，若以使各钢线的位置仅偏移与晶棒的各切断位置中的轴方向的位移量相同的位移量的方式，来编写可控制附凹沟滚筒3的轴方向的位移量的程序，则相对于晶棒的全长，钢线的相对位置被调整为一定，于是切断轨迹变得平坦。其结果，可获得降低弯曲度等优良的芯片。 
接着，描述利用上述线锯装置1来实施本发明的切断方法的步骤。又，以下是描述有关使切断轨迹平坦的附凹沟滚筒3的轴方向的位移量的控制方法，但是不限定于此方法而可适当地变更，使其成为预定的切断轨迹。 
首先，通过晶棒进给机构5，以预定速度将所把持的晶棒向下方送出，且驱动附凹沟滚筒3，并使通过钢线张力赋予机构4而被赋予张力的钢线2向往复方向行进。又，可适当地设定赋予此时的钢线2的张力的大小、钢线2的行进速度等。例如，可施以2.5～3.0kgf的张力，以400～600m/min的平均速度，1～2c/min(30～60s/c)的循环周期，使其向往复方向行进。只要配合切断的晶棒等来决定即可。 
另外，向附凹沟滚筒3与钢线2开始喷射切断用浆液，来进行晶棒的切断。 
如依此进行切断，则因切断产生的摩擦热和浆液等的影响，会发生热膨胀、收缩，在晶棒本身，成为形成有例如图14(C)所示的轴方向变化以及切断轨迹。 
另一方面，附凹沟滚筒3中还是会发生热膨胀，引起例如图14(B)所示的轴方向变化，对于晶棒的切断轨迹造成影响。 
因此，综合这些变化，成为图15(B)所示的切断轨迹，所得的芯片中会产生弯曲等。 
因此，为了使切断轨迹平坦，如本发明的切断方法，如图4表示的晶棒与附凹沟滚筒轴方向变化的关系，对应晶棒的轴方向的位移量，来控制附凹沟滚筒3的轴方向的位移量。即，配合晶棒的热膨胀，亦使附凹沟滚筒3相同地热膨胀，晶棒收缩时亦使附凹沟滚筒3相同地收缩。此时，通过附凹沟 滚筒3的位移量的控制，调整相对于晶棒的全长的钢线的相对位置，使其成为一定。上述晶棒的热膨胀所造成的对于切断轨迹的影响，与附凹沟滚筒3的控制(附凹沟滚筒3的热膨胀的影响)的结果，最终所得到的切断轨迹是如图5所示，可使其平坦，降低弯曲度等。 
以下，更具体地描述有关上述的切断中的晶棒、附凹沟滚筒3的轴方向的变化、控制。 
首先，通过晶棒位移量测定机构11，测定切断中的晶棒的轴方向的位移量。此测定是可利用热电偶13、差动式位移计14等的测定方法。只要可正确且快速地测定晶棒的位移量即可。 
又，图6中表示利用热电偶13测定时的相对于切入深度的晶棒的温度变化的一例。由此可知，至切入深度到达约一半(150mm)为止，温度逐渐上升，之后渐渐冷却，最后是急冷(即，由图14(C)所示可知，热膨胀之后即收缩)。可利用如此的温度数据与晶棒的材料的线膨胀系数，计算在该切入深度的晶棒的轴方向的位移量。 
以计算机18处理依此热电偶13，或者差动式位移计14等所测定的资料。 
另一方面，附凹沟滚筒3的方面，通过附凹沟滚筒位移量控制机构12的附凹沟滚筒位移量测定部15，例如，利用涡电流感应器17，测定附凹沟滚筒3的轴方向的位移量。此测定数据亦以计算机18处理。 
而且，通过计算机18来决定所控制的附凹沟滚筒3的轴方向的位移量，以对应晶棒的轴方向的位移量。即，此时，为了使切断轨迹平坦，以使卷绕在附凹沟滚筒3上的各钢线的位置分别向轴方向偏移方式，使其偏移量仅与晶棒的各阶段位置的轴方向的位移量相同，来决定附凹沟滚筒3的轴方向的位移量。即，相对于会变化的晶棒的全长，以钢线的相对位置可以被调整成一定的方式，来推导出附凹沟滚筒3的位移量。 
基于决定出来的轴方向的位移量，通过冷却水调节部16，进行实际的附凹沟滚筒3的位移量的控制。通过冷却水调节部16来调节流通附凹沟滚筒3的轴中(轴心)的冷却水的温度、流量，可调整附凹沟滚筒3的温度，控制轴方向的位移量。 
又，冷却水的温度以及流量、与附凹沟滚筒3的轴方向的位移量的关系，可预先进行实验来求取。 
图7中表示根据预备试验所得到的冷却水的温度与附凹沟滚筒3的位移量之间的关系的图表。图7的上部线是附凹沟滚筒3向后方的延伸量，下部线是向前方的延伸量。由此可知，随着冷却水的温度上升，附凹沟滚筒3向前方与后方的两侧的延伸量增加。亦即，如欲向附凹沟滚筒3两侧方向更延伸时，可提高冷却水的温度，如欲收缩时，降低冷却水的温度即可。 
关于冷却水的流量，亦只要相同地预先进行适当的实验，调查流量变化与附凹沟滚筒3的轴方向的位移量之间的关系即可。 
再者，不仅是仅改变冷却水的温度，或者仅改变流量的情况，亦可进行这些变化的组合时的附凹沟滚筒3的变化的预备试验。 
而且，基于这些预备试验的结果，来决定对应附凹沟滚筒3的预定的位移量的冷却水的温度、流量。 
如此，将附凹沟滚筒3的轴方向的位移量反馈至冷却水调节部16，通过调节冷却水的温度、流量来进行控制。 
如以上所述，可对应因热膨胀所导致的晶棒的轴方向时时刻刻的变化，来控制附凹沟滚筒3的轴方向的位移量。 
但是，晶棒的热膨胀量，对应切断条件与晶棒的尺寸的再现性极高，考虑此点，亦可相对于晶棒的切入深度，制作依上述方法所测得的晶棒的轴方向的位移量的曲线(profile)，以计算机18等记忆，然后基于此曲线，来控制附凹沟滚筒3的轴方向的位移量。若是如此的控制方法，即可极简便地进行附凹沟滚筒3的控制，能谋求提高效率。 
以下，通过实施例更详细地说明本发明，但本发明不限定于此实施例。 
(实施例) 
利用图1所示的本发明的线锯装置1，实施本发明的切断方法。依照以下第1表所示的切断条件，浇注浆液至钢线与附凹沟滚筒，来切断直径300mm的硅晶棒。 
晶棒的热膨胀量的测定，是如图2(A)所示，以环氧树脂为接着剂固定热电偶于晶棒两端的切入深度285mm的位置，测定晶棒的温度，乘以硅的线热膨胀系数2.3×10-6/℃来求取。 
又，切断中的晶棒的切入深度的温度变化，几乎与图6相同。 
而且，切断中，通过调节在附凹沟滚筒3的轴中流通的冷却水的温度， 于各切入深度中，依照与上述测定方法所得到的晶棒的轴方向的位移量的相同比例，使附凹沟滚筒3于轴方向位移(变位)。即，配合于轴方向变化的晶棒的位移量，钢线的位置亦向附凹沟滚筒3的轴方向偏移相当的量，使切断轨迹平坦，一边以使相对于晶棒的全长的钢线的相对位置成为一定的方式来进行控制，一边进行切断。 
又，通过预备试验所得到的冷却水的温度与附凹沟滚筒3的位移量之间的关系，几乎与图7所示的关系相同。 
[第1表] 
Figure G2008800061169D00121
图8中表示对于实施例中切出的芯片的全数实际进行形状测定，其弯曲度测定的结果(图8的下方的图表)。又，图8的上方的图表是表示于晶棒的轴方向的前、中、后的位置切出的芯片的弯曲度/翘曲度形状的典型例。由图8所示可知，芯片的弯曲度集中于-2～+2μm的范围。如此，与下述的比较例相较，实施例是可切出极小弯曲度的芯片。由图8的上方的图表亦可知，依本发明的线锯装置与切断方法，可使切断轨迹比较平坦。 
(比较例1) 
利用习用的线锯装置(可向轴方向的前后伸长的型式)，切断中，不测定晶棒、附凹沟滚筒的热膨胀量，且不考虑这些，使冷却水的温度、流量一定，流通附凹沟滚筒，此外，与实施例1相同地进行晶棒的切断。 
图9中表示对于比较例1中切出的芯片的全数实际进行形状测定，其弯曲度测定的结果。由图9所示可知，芯片的弯曲度集中于-5～+6μm的范围，弯曲度数值的绝对值成为实施例(-2～+2μm)三倍以上。 
(比较例2) 
利用习用的线锯装置(仅轴方向的单一方向可伸长的型式)，此外，与比较例1相同地进行晶棒的切断。 
图10中表示对于比较例2中切出的芯片的全数实际进行形状测定，其弯曲度测定的结果。由图10所示可知，芯片的弯曲度集中于-2～+8μm的范围，与实施例(-2～+2μm)相较，还是较广的范围，绝对值较大。又，因附凹沟滚筒的型式的相异，成为弯度偏向正值侧的结果。 
(比较例3) 
利用习用的线锯装置(仅轴方向的单一方向可伸长的型式)，为了抑制晶棒的轴方向的位移，切断中，亦浇注浆液至晶棒，此外，与比较例1相同地进行晶棒的切断。又，浇注至晶棒的浆液的温度为一定的23℃。 
图11中表示对于比较例3中切出的芯片的全数实际进行形状测定，其弯曲度测定的结果。由图11所示可知，芯片的弯曲度集中于-2～+4μm的范围，与实施例(-2～+2μm)相较，得到范围较广的结果。浇注浆液于晶棒虽可略降低因热膨胀所造成的晶棒的轴方向的变化，但无法完全使此变化成为乌有，其结果，仅改善部分的切出芯片的弯曲度等。 
又，本发明不限定于上述实施形态。上述实施形态仅为例示。凡是与本发明的申请专利范围中记载的技术思想实质上具有相同的构成、可产生相同的效果的内容，不论为如何的形态，皆应包含于本发明的技术范围内。 

Claims (5)

1.一种切断方法，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成芯片状的方法，其特征在于：
切断上述晶棒时，测定于轴方向变化的晶棒的位移量，然后根据该测定出来的晶棒的轴方向的位移量，做成相对于切入深度的晶棒的轴方向的位移量的曲线，
然后基于该做成的曲线，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量，
以此，一边控制相对于在上述轴方向变化的晶棒的全长的上述钢线的相对位置，一边切断晶棒。
2.如权利要求1所述的切断方法，其中在上述附凹沟滚筒的轴中，流通冷却水，通过调节该冷却水的温度及/或流量来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量。
3.如权利要求1所述的切断方法，其中上述晶棒的轴方向的位移量的测定是利用热电偶或差动式位移计来进行。
4.如权利要求2所述的切断方法，其中上述晶棒的轴方向的位移量的测定是利用热电偶或差动式位移计来进行。
5.一种线锯装置，是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将其切断成芯片状的线锯装置，其特征在于，至少具备：
一晶棒位移量测定机构，用以测定上述要被切断的晶棒的轴方向的位移量；以及
一附凹沟滚筒位移量控制机构，其基于根据该晶棒位移量测定机构所测得的晶棒的轴方向的位移量而做成的，相对于切入深度的晶棒的轴方向的位移量的曲线，反馈在附凹沟滚筒的轴中流通的冷却水的温度及/或流量，来控制上述附凹沟滚筒的轴方向的位移量。
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