CN101577079A - 显示装置的检查方法和检查装置、显示装置用基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示装置的检查方法和检查装置、显示装置用基板和显示装置，上述显示装置的检查方法和检查装置能够高效且高精度地检查具有非矩形显示区域的显示装置。用具有非矩形显示区域的显示装置的设计信息，指定检查区域及分析区域。并且用设计信息求出寄生电容等，对检查数据或进行优劣判断的阈值进行加权运算而进行检查。

Description

显示装置的检查方法和检查装置、显示装置用基板和显示装置

技术领域

本发明涉及到一种显示装置用基板的检查技术，尤其涉及到具有非矩形显示区域的显示装置中使用的显示装置用基板的检查方法、检查装置及显示装置用基板。

背景技术

使用将薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下称为TFT)等开关元件排列在阵列上的TFT基板的液晶显示器等平板显示器(Flat PanelDisplay，以下称为FPD)已经实用化。

在液晶显示器中，一般情况下，TFT、像素电极、相对电极及与它们连接的布线设置在TFT基板或与TFT基板相对的相对基板上，在上述两个基板之间夹持液晶。相对电极设置在TFT基板一侧还是设置在相对基板一侧，取决于所使用的液晶、显示模式。TFT基板通常在玻璃基板等平坦的基板上具有TFT和像素电极，并根据需要具有存储电容、将相对电极配置在阵列上的矩形显示区域，并且具有一个或多个面板，该面板包括显示区域，并具有矩形的外形。

图28是表示专利文献1中公开的典型的TFT  FPD的概要图。在单一的玻璃基板40上，用平板印刷术和半导体制造工艺形成多个TFT面板50(图28(a))。各TFT面板50由排列成阵列状的像素电极构成。像素51如图28(b)、图28(c)所示排列为纵行和横列的矩阵状。

在图28(c)中，对各像素51的横列Lr和纵行Lc的选择信号进行选址，从而进行TFT面板50的显示操作。

图29是表示专利文献3中公开的显示器用TFT的一个构成示例的图。由薄膜晶体管(TFT)a、像素电极b、奇数数据线e、偶数数据线f、奇数栅极线c、偶数栅极线d、公用线g构成。其中，数据线e、f和栅极线c、d交叉，但并不电连接。各TFT a分别与数据线e、f、和栅极线c、d连接。此外，也存在不具有公用线g的TFT阵列，此时像素电极b经由电容与相邻的栅极线连接。

为了使显示器工作，必须向像素电极施加电压，以使各TFT正常发挥作用，显示出图像。调查是否向像素电极正常施加了电压，可利用将带电粒子照射到像素电极时产生的二次电子的动能根据像素电极的电压而变化的现象。

图30是表示专利文献1中公开的构成的图。如图30所示，显示装置的阵列基板5上具有照射电子线EB的电子线源11，通过照射电子而产生的二次电子放出SE由电子检测器DE(二次电子检测器)检测。二次电子放出SE与放出二次电子的基板的像素6的电压成比例。电子检测器DE的输出表示检查对象的像素的电压，传送到信号发生器及信号分析器8并进行分析。提供到各像素的TFT的端子的驱动信号由信号发生器及信号分析器8生成，通过线路61、62提供到像素6。该驱动信号的扫描与箭头S所示的电子线EB的扫描同步进行(参照专利文献1、2等)。该带电粒子的电压对比技术(也称为“电子束检查技术”)是非接触地判断基板上各TFT的状态的方法，和使用现有的机械式探测器的检查方法相比，成本较低，并且和光学检查方法相比，具有检查速度快的优点。

以下根据专利文献3的记载，说明基于二次电子检测量的电压对比技术的原理。

从TFT基板的各像素电极放出并到达电子检测器DE的二次电子的量取决于像素电极的电压极性。例如，当像素电极为正电位(正)时，通过向该像素电极照射带电粒子而产生的二次电子具有负电位(负)的电荷，因此吸入到该像素电极。其结果是，到达电子检测器DE的二次电子的量减少。

另一方面，当像素电极为负电位(负)时，产生的二次电子由于具有负电位的电荷，因此背离该像素电极。其结果是，产生的二次电子不会减少地到达电子检测器DE。

因此，利用像素电极的电压极性(负、正、无电压施加等)影响从该像素电极产生的二次电子的检测量的现象，可测定和像素电极的电压波形对应的二次电子波形。

即，可间接地获知像素电极的电压波形，通过与***的二次电子波形的比较，可调查是否向像素电极正常施加了电压。

TFT阵列的像素电极的形状通常是长方形或多边形，大小是从数十微米到数百微米。

像素电极的大小取决于作为成品的显示器的大小和分辨率。因此，通过一个TFT阵列检查装置检查大小、分辨率不同的TFT阵列时，需要分别检查大小不同的像素电极。

另一方面，使用现有的带电粒子束的TFT阵列检查装置在TFT基板上扫描固定口径的带电粒子束径，以预定时序检测二次电子，从而取得二次电子波形。

图31是用于说明带电粒子束的扫描及二次电子的检测的图。其中，表示了在一个像素电极上获得的检测点为4点的情况。并且，通过由α、β、γ表示各像素电极的横向坐标和时序检测二次电子。

图31(a)表示坐标位置(α1)的像素电极上的第1点的检测点α1-1的位置。

图31(b)表示第2点的检测点α1-2的位置。

接着，带电粒子束移动到相邻的坐标位置(β1)的像素电极，检测出像素电极上的第1点的检测点β1-1(图31(c))。

带电粒子束在TFT基板的第1行的扫描结束后，进行第2行的扫描，同样检测像素电极上的检测点的二次电子(图31(d)、图31(e))。

通过反复该扫描和预定时序下的二次电子信号的检测，在像素电极上进行4点检测(在图31(e)中是内部画了阴影线的圆)。

专利文献1：日本特开2000-003142号公报

专利文献2：美国专利第5,982,190号说明书

专利文献3：日本特开2005-217239号公报

以下分析本发明的相关技术。

第1问题点是，在现有的检查方法及检查装置中，无法高效地检查具有非矩形的显示区域的显示装置(尤其是有源矩阵型显示装置)的阵列基板。

其原因在于，现有的显示装置具有矩形的显示区域，具有非矩形显示区域的有源矩阵型显示装置基本上不存在，因此不存在检查具有非矩形显示区域的有源矩阵型显示装置的必要性。因不存在必要性，所以在现有的检查方法及检查装置中，无法高效检查非矩形的显示装置。

尤其是将检查矩形显示区域的检查装置适用于具有非矩形显示区域的显示装置时，出现显示区域以外的部分也成为检查对象的情况。

进一步，检查结果也无法通过装置本身的功能进行自动判断，需要将结果取出到检查装置外部，从检查出的区域的检查结果信息中取出和非矩形的显示区域对应的信息，对取出的信息进行优劣判断。

因此需要如下极其低效的检查：

·因矩形显示区域和非矩形显示区域的不同，本来无需检查的区域成为检查对象

·指定含有所有非矩形区域的矩形区域的结果是，需要将像素以外的部分作为检查对象的不必要的检查及不必要的数据存储。

·需要从存储数据中选出本来应检查的对象的作业。

·所选出的本来应检查的对象的优劣判断需要在和平常不一样的环境(检查装置外部)下进行。

并且，由于来自本来应检查的对象的区域的测定数据和来自检查对象外的区域的测定数据混在一起，因此在优劣判断中会产生错误。

第2问题点是，在现有的检查方法和检查装置中，在具有非矩形显示区域的显示装置(尤其是有源矩阵型显示装置)的阵列基板的检查中，正常像素和异常像素的误认较多。

其原因在于，在具有非矩形显示区域的显示装置(尤其是有源矩阵型显示装置)中，与具有矩形显示区域的显示装置不同，附属于各布线的像素数量不同。

即，附属于各布线的像素(即直接连接的像素或不直接连接而作为寄生电容而提供的像素)的数量因显示区域形状的不同而在各布线上不同。

关于这一点，参照图27进行说明。图27表示具有心型显示区域的显示装置的显示区域内部的布线271～274。

图27中，在此关注布线271和272。从该图可知，布线271和布线272中，布线的长度完全不同。当然，与布线连接的像素的数量也大为不同。

在图27中，布线272的长度基本是布线271的长度的3倍。像素以相同间距排列时，与这些布线直接连接的像素的数量方面，布线272也基本是布线271的3倍。

进一步，布线271和布线272中，与各布线的下侧相邻的布线是虚线所示的布线273和274。布线273和274基本为相同长度，与它们直接连接的像素的数量也基本相同。

其结果是，在布线271和布线272中，布线的长度、直接连接的像素数量是1∶3的关系，与各布线的下侧相邻、作为寄生电容而提供的像素是1∶1的关系。

因此，当附属的像素数量不同时，对各布线的充电及各布线中的信号传播的方式变得不同。其结果是，在写入相同信号的条件下，写入到各像素的电压也变得不同。当各像素的电压不同时，在正常像素和异常像素的判断中产生混乱。

进一步，在具有矩形显示区域的显示装置中，对存在于某像素周围、并作为提供到该像素的寄生电容的像素的数量而言，仅在最外周部分的各边及四角的像素的周边像素的数量不同。

例如，当正交地配置正方形像素时，对于中央部的大部分像素的周围像素为8个，对于最外周的边的像素为5个，对于4角的像素为3个。

另一方面，在具有非矩形显示区域的显示装置中，其周围像素的数量具有多种变化，与具有矩形显示区域的显示装置相比形态大为不同。例如，和上述一样正交地配置正方形像素时，各像素的周边像素的数量可存在从1到8的所有变化。

这种周边像素的不同改变了对上述布线的寄生电容，影响正常像素和异常像素的判断。

进一步，在照射电子线时，可以想到寄生电容不同对2次电子放出产生不少影响。这种效果也是导致通过现有的检查装置检测具有非矩形显示区域的显示装置时正常像素和异常像素的误认较多的原因。

作为第2问题点的其他例子，包括检查显示区域的外周部上设置了虚拟像素的显示装置时产生的问题。

虚拟像素为了防止显示区域的外周部分可能产生的各种问题而设置，例如：

·显示介质的特性混乱

·加工工艺无法平均，像素电极的大小、形状、布线的粗细与像素阵列的中心部分不同，特性改变

这些问题因外周部分的显示区域一侧像素密集、在外周部分的显示区域外不存在像素这样的结构不均性而产生。

因此使用如下构成：配置虚拟像素，使各种问题仅在该虚拟像素部分产生，或不进入到比虚拟像素靠近内侧的显示区域，从而在显示区域内不产生问题(参照图33)。

例如如图33所示，在该虚拟像素750中，未设置TFT 701等有源元件。或者即使设置TFT等有源元件，也不使该有源元件与数据线、栅极线等布线连接。

在虚拟像素750中，未设置TFT 701等有源元件时，使像素电极702与数据线704、栅极线703等布线直接连接，或者使像素电极702不与布线连接而浮动。在图33的例子中，虚拟像素750的像素电极702浮动。

使虚拟像素750的像素电极702浮动时，无法通过数据线704、栅极线703控制像素电极702的电位。因此，在各虚拟像素750的像素电极702中，通过因某些原因而存储的电荷等确定虚拟像素750的像素电极702的电位。

并且，在检查中，向虚拟像素750照射电子束等时，存储电荷的值易变化，像素电极702的电位变化。因此，虚拟像素750被判断为缺陷像素还是正常像素是不一定的(例如存在判断缺陷像素被判断为良好(PASS)的情况，也存在正常像素被判断为不良(FAIL)的情况)。其结果是，在现有的检查方法中，难于区别通常的像素和虚拟像素。

尤其是，当具有非矩形显示区域时，判断通常的像素和虚拟像素存在于哪里是特别困难的。

另一方面，使虚拟像素的像素电极与数据线、栅极线直接连接时，虚拟像素部不进行经由有源元件的控制，因此无法电分离数据线或栅极线与像素电极。因此，通常在像素部的检查中，根据输入到数据线、栅极线的信号，虚拟像素的像素电极的电位变动。其结果是，在检查中，判断为异常像素还是正常像素，取决于测定时的信号。

进一步，虚拟像素也存在与通常的像素相同构成的情况。即，存在设置TFT等有源元件，并将数据线和栅极线与有源元件连接的构成。这种情况下，时常进行将输入到数据线的数据限定为特定数据的情况。因此，在虚拟像素部分也是和通常像素部分相同的构造时，尤其难于识别虚拟像素的通常像素。

如上所述，无论在何种情况下，都难于将虚拟像素正确判断为虚拟像素，显示基板检查的简易化遇到障碍。

进一步，即使将虚拟像素部分作为虚拟像素来正确进行其良好/不良的判断，为了进行该判断，检查所需的时间、存储器容量也增大，除了导致测试成本的增大，还产生将判断的虚拟像素部分的信息从产品显示区域的检查信息中删除的额外动作等。

第3问题点是，在现有的检查方法及检查装置中，在具有非矩形显示区域的显示装置(尤其是有源矩阵型显示装置)的阵列基板的检查中，尤其在显示区域外周部的像素检查中产生较多问题。

其原因在于，在具有非矩形显示区域的显示装置中，显示区域外周部的像素的像素电极的形状和尺寸时常不同。

在现有的具有矩形显示区域的显示装置中，像素阵列通常由以一个像素或由多个(通常是与三原色对应的三个)像素构成的像素组构成的矩形区域为单位的重复图案形成。

在称为德耳塔(Δ，Delta)排列的像素排列中，由不同颜色的三个像素构成的像素组构成凸状(各像素的重心为三角形)，其成为重复图案。

该重复图案存在向上的凸状和向下的凸状二种，原则上不使用这二种以外的图案。

另一方面，在具有非矩形形状的显示区域的显示装置中，与矩形显示区域不同，时常优先显示区域整体为非矩形的形状，在显示区域外周部，像素的形状、尺寸不同。

这是因为，在非矩形显示区域的外周部使用矩形像素时，显示区域外周的形状和像素的形状不匹配，因此能观察到不匹配的像素排列导致的锯齿状，例如由多个正交的直线近似曲线的状态。

该锯齿感会明显降低具有非矩形显示区域的显示装置的非矩形所能获得的外观效果。

并且，该锯齿部与本来应显示的内容中希望得到关注的关注区域同样得到关注，降低了信息的提示效果。

其结果是，在具有非矩形显示区域的显示装置的外周部中，使像素的形状及尺寸变形为沿着外周部形状的形态。

其结果是，对外周部的像素照射与中央部的像素同样的电子线时，发生以下现象：

·二次电子的发生量不同

·照射电子线的次数(点数量)不同

·有时完全不照射电子线

其结果是，正常像素和异常像素的判断无法顺利进行，或完全无法检查。

第4问题点是，在现有的检查方法及检查装置中，在具有非矩形显示区域的显示装置(尤其是有源矩阵型显示装置)的阵列基板中，与现有的具有矩形显示区域的显示装置相比，像素的重复图案不同时，无法进行检查。

在具有矩形显示区域的现有的显示装置中，像素沿着正交的两个轴在各个轴上等间隔地配置。在德尔塔配置时，存在向上的凸状和向下的凸状的重复图案，但配置的轴沿着正交的两个轴及使该两个轴的位置平行移动的其他正交的两个轴配置。

因此，在像素检查、即用电子线检查时，电子线的照射、二次电子的读取、测定结果的判断和解释是根据正交的坐标进行。

另一方面，在具有非矩形显示区域的显示装置中，存在将像素排列为易实现非矩形显示区域下的外观效果的情况。例如，沿着不正交的两个或三个轴，排列由几个非矩形的像素构成的重复图案。并且，例如使非矩形的像素以某条线为中心线对称地配置。这种情况下，在中心线的左右，非矩形的像素也镜面翻转，因此不时变成平行移动、旋转操作下不重叠的不同的像素形状。

同样，也可以以某点为中心点对称地排列。进一步，可以以某点为中心在旋转轴上排列。再进一步也可完全随机地排列。

这些种类的排列在现有的检查装置中没有想到，并无法检查。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于提供一种检查方法及检查装置，能够检查具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，并且能够提高检查效率。

根据本发明，为了解决上述课题，大致提供以下构成的装置、方法。

在本发明的一个方面，使用具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板(阵列基板)的设计信息，设定作为检查对象的非矩形的区域。并且，使用具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板上的设计信息，设定分析检查结果的区域。

并且，在本发明的其他方面，使用具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板的设计信息，对检查对象的各像素、连接有检查对象的各像素的各布线进行加权运算。例如，对检查对象的各像素生成加权信息，对该加权信息和检查时的检测信号进行运算。通过比较该加权后的检测信号和优劣判断的阈值，进行检测对象的像素的优劣判断。

在本发明的其他方面，使用具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板的设计信息，对确定检查对象的各像素的优劣判断的阈值进行加权运算。例如，对检查对象的各像素生成加权信息，通过对该加权信息和确定检测对象的像素的优劣判断的阈值进行运算，对进行优劣判断的阈值进行加权。通过比较检查时的检测信号与进行了加权的阈值，进行检测对象的像素的优劣判断。

在本发明的其他方面，通过与通常检查时不同的束强度、或不同的束角度、或不同的束尺寸，对具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板进行扫描，从而获得阵列基板上的显示区域的形状及像素的配置信息。

并且，使用获得的阵列基板上的显示区域的形状及像素的配置信息，设定进行缺陷检查的非矩形的区域。

并且，使用获得的阵列基板的显示区域的形状及像素的配置信息，设定分析检查结果的区域。进一步，使用获得的阵列基板的显示区域的形状及像素的配置信息，设定检查束的扫描方法，即设定扫描方向、束尺寸、束形状等。

在本发明的其他方面，将上述设计信息变换为至少包括以下信息之一的信息并存储：

该非矩形的显示区域的外形信息

重复的基本单位即像素单位的形状信息和连接信息

重复的方向

原点的位置。

根据本发明，能够高效地检查具有非矩形显示区域的显示装置。其原因在于，能够利用设计信息指定检查的区域。

根据本发明，由于利用设计信息指定分析的区域，因此能够高效地分析检查结果，进一步提高检查效率。

附图说明

图1是说明本发明的第1实施例的框图。

图2是表示在比较例中检查非矩形显示装置时的束的动作一例的图。

图3是表示在本发明的第1实施例中检查非矩形显示装置时的束的动作一例的图。

图4是说明本发明的第2实施例的框图。

图5是通过电阻和电容表示布线及附属于该布线的像素电极等的寄生电容的示意图。

图6是通过电阻和电容表示布线及附属于该布线的像素电极等的寄生电容的示意图。

图7是表示非矩形显示区域的端部的布线及像素的图。

图8是表示显示装置用基板中的布线和像素电极的配置的图。

图9是图8的A-A’的剖视图。

图10是表示显示装置用基板中的布线和像素电极的配置的图。

图11是图10的B-B’的剖视图。

图12是说明本发明的第4实施例的框图。

图13是表示非矩形显示区域端部的布线及像素的图。

图14是表示图13中的检查用电子束点的形态的图。

图15是放大了非矩形显示区域的外周部的图。

图16是表示图15中的电子束点的配置的一例的图。

图17是用于说明本发明的第7实施例的检查装置中的检查步骤的流程图。

图18是表示本发明的第7实施例的检查装置中的运算部及测定部的图。

图19是表示本发明的第8实施例的检查装置中的检查步骤的流程图。

图20是表示本发明的第8实施例的检查装置中的运算部及测定部的图。

图21是表示本发明的第7及第8实施例的检查装置的构成的概要图。

图22是表示本发明中的、对中心像素和其周围的8个像素的电容进行加权的具体示例的图。

图23是表示图22中的数值的一例的图。

图24是表示本发明中的、对中心像素和其周围的8个像素的电容进行加权的具体示例的图。

图25是表示图24的数值的一例的图。

图26是表示在本发明中5×6像素阵列中检测出的数据的图。

图27是表示具有非矩形显示区域的显示装置的一例的图。

图28是表示现有的典型的TFT平板显示器的概要的图。

图29是现有的显示器用薄膜晶体管(TFT)的一个构成例。

图30是表示现有的检查平板显示器的一个构成例的概要图。

图31是用于说明现有的TFT阵列检查装置中的、带电粒子束的扫描及二次电子的检测的图。

图32是表示在本发明的第5’实施例中使用的、非矩形显示区域端部的布线及像素的图。

图33是表示在本发明的第9实施例中使用的、非矩形显示区域端部的布线及像素的图。

图34是表示作为设计信息的GDSII流的程序库的构造的图。

图35是表示作为设计信息的GDSII流的程序库的层次构造和引用构造的概念示意图。

图36是说明本发明的第11实施例的框图。

图37是用于说明本发明的第11实施例的检查装置中的检查步骤的流程图。

具体实施方式

接着，参照附图详细说明本发明的实施方式。在本发明的一个方式中，使用具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板(阵列基板)的设计信息，设定作为检查对象的非矩形的区域。因此，能够高效检查具有非矩形显示区域的显示装置。并且，保存检查数据的存储区域的容量较小即可。进一步，向显示区域以外的部分照射检查用的电子线时不会产生问题。

并且，在本发明的其他方式中，设计信息包括虚拟像素的配置信息，利用虚拟像素的配置信息，虚拟像素设定为虚拟像素区域。虚拟像素区域不作为缺陷检查的非矩形区域，只要不特别需要虚拟像素本身的性能，则从检查区域排除虚拟像素。

并且，在本发明的一个方式中，使用具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板上的设计信息，设定分析检查结果的区域。利用设计信息指定分析的区域，因此能够高效分析具有非矩形显示区域的显示装置的检查结果。并且，保存分析数据的存储区域容量较小即可。这是因为，利用设计信息指定分析的区域。

在本发明的一个方式中，使用具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板的设计信息，设定检查束的扫描方法，即设定扫描方向、束尺寸、束形状等。并且，保存检查数据的存储区域容量较小即可。进一步，向显示区域以外的部分照射检查用电子线时不会产生问题。

在本发明的一个方式中，考虑与各布线连接的像素的寄生电容、与各像素相邻的像素的寄生电容而进行加权，从而能够大幅降低具有非矩形显示区域的显示装置的检查中的优劣误判。其结果是，能够提高生产效率，并且大幅降低制造成本。

在本发明中，使用具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板的设计信息，对确定检查对象的各像素的优劣的阈值进行加权运算。例如，对检查对象的各像素生成加权信息，通过计算该加权信息和确定检测对象的像素的优劣判断的阈值，对进行优劣判断的阈值进行加权。通过比较检查时的检测信号和进行了加权的阈值，进行检测对象的像素的优劣判断。

对显示区域的外周部生成加权信息时，还利用相邻的虚拟像素的信息。

在本发明的其他方式中，在检查具有非矩形显示区域的显示装置的阵列基板的设计信息时，将设计信息变换为以下信息。即：

检查对象的非矩形显示区域的外形信息

以特定的重复间距重复的像素单位的形状信息和连接信息

重复的方向或角度

用于重复的任意的原点

和原点相关的镜面翻转的信息

等。

如上所述，根据本发明，能够实现检查的高速化、检查结果用存储器的容量削减、检查所需装置的种类的减少等。并且，能够明显提高检查的操作性。

并且，根据本发明，能够减少检查非矩形显示装置的阵列基板时的正常、异常的误判。防止再检查引起的返工，提高生产效率，并且不会使次品流向下一工序而造成下一工序中的相关材料、制造和检查时间的浪费，实现资源、能源的削减及生产率的提高。

根据本发明，能够正确检查非矩形显示装置的阵列基板的显示区域外周部。即使在显示区域外周部的像素的形状、尺寸大幅不同时，也能够进行检查，其结果能够提高检查性能。

根据本发明，提供一种检查方法及检查装置、适用了上述方法及装置的阵列基板、显示装置，在非矩形显示装置的阵列基板中，即使像素组的重复图案与现有的矩形显示装置不同时，也能够进行检查。因此，能够提供一种能够检查各种像素配置图案的显示装置的、适用范围广的检查装置等。

根据本发明，由于利用虚拟像素的配置信息，所以能够将虚拟像素作为虚拟像素来处理，能够将虚拟像素从检查对象排除。其结果是，无需从检查结果中排除虚拟像素部分的信息等处理。并且，根据本发明，利用虚拟像素的配置信息确定外周部的加权时，能够正确地进行外周部的检查。进一步，根据本发明，在设计信息的存储方面，能够大幅减少所需的存储容量，并且在具有非矩形显示区域的显示装置中，能够以和特有的像素构造对应的数据构造保存检查结果。以下参照实施例进行说明。

(实施例1)

图1是用于说明本发明的第1实施例的检查装置的构成的图。在图1中表示了检查装置的运算部10和测定部20的构成。在本实施例中，使用具有非矩形显示区域的显示装置的设计信息。运算部10取入具有非矩形显示区域的显示装置的设计信息，将该设计信息存储到设计数据库(设计DB)101。

运算部10具有：检查对象区域指定部102，根据设计DB 101的信息，指定检查对象区域；和指定分析对象区域的分析对象区域指定部103。

在本实施例中，通过检查对象区域指定部102指定检查对象区域，因此无需对检查对象以外的区域进行检查。并且，通过分析对象区域指定部103指定分析对象区域，因此无需对分析对象以外的区域进行分析。

作为一例，说明控制图1所示的电子线的束并检查所指定的检查区域的例子。

测定部20接收来自运算部10的数据，进行实际测定，将测定数据返回给运算部10。

运算部10读入设计信息，并存储到设计DB 101。

运算部10用设计DB 101指定检查对象区域。

由运算部10的检查对象区域指定部102指定的检查对象区域的信息发送到测定部20的束控制部202、平台控制部203。

测定部20的束控制部202进行电子线源201的扫描、束方向、束尺寸、束形状等的控制。

并且，测定部20的平台控制部203控制搭载有检查对象的基板的平台206在(主要是)XY方向上的移动。

平台控制部203根据需要还控制XY面内的旋转角度方向(θ方向)、调节电子线源201和平台206的距离的Z方向、调节电子线源201和平台206的角度的角度方向(φ方向)等。

参照图2及图3表示束扫描方向和平台的XY方向的移动控制的例子。

图2是比较例，是表示用现有的检查装置检查具有心型显示区域的非矩形显示装置时的束的动作的一例的图。

图3是表示用本实施例的检查装置检查具有心型显示区域的非矩形显示装置时的束的动作的一例的图。

如图2所示，在现有的检查装置中，使束照射的开始位置和显示区域的位置一致，用束扫描比显示区域大的区域。因此，在束扫描区域中，在大于三分之一的区域内不存在像素。

其结果，例如产生以下(A)至(E)的问题。(A)检查时间大幅增加。(B)需要将保存检测数据的存储区域确保得较大。(C)在区分存在像素的区域和不存在的区域时只利用检测出的信号，区分像素有无耗费时间。(D)像素本身有无的判断和像素有无缺陷的判断时常错误，在不存在像素的区域内判断成存在缺陷像素，或在缺陷像素的部分判断为不存在像素。(E)在不存在像素的区域、且照射了束的区域中形成有显示装置所需的电路等时，该电路可能因束而受到不良影响(例如电应力造成的动作点偏移等)。

而在本实施例的检查装置中，如图3所示，束仅扫描显示区域。这样一来，上述现有检查装置的问题点全部消除。

并且，在现有的检查装置中，或者不指定分析对象的区域，或者即使指定也是矩形的区域。因此，在检查具有非矩形显示区域的显示装置时，产生下述(F)、(G)的问题。

(F)作为分析对象而进行数据处理的区域是矩形区域，因此对具有非矩形显示区域的显示装置，需要使用包含整个非矩形显示区域的矩形区域，或者需要分割为可用多个块覆盖非矩形显示区域的多个矩形块。因此，实际上需要分析到不存在像素的区域，数据的处理量增加，分析耗费时间。

(G)需要增大保存分析用数据及分析后数据的存储区域，导致成本增加。

而在本实施例中，根据设计信息指定分析对象区域。即，可使分析对象区域沿着非矩形显示区域，分析数据数量大幅减少，可缩短分析时间，并且可减少分析数据所需的存储空间，大幅降低成本。

(实施例2)

图4是表示本发明的第2实施例的检查装置的构成的图。在本实施例中和上述实施例同样，使用具有非矩形显示区域的显示装置的设计信息。参照图4，在本实施例中，加权运算部105根据设计信息对测定结果(保存在测定结果DB 104中)的数据进行加权运算。在加权运算中，作为设计信息，例如用具有非矩形显示区域的显示装置的各布线上所连接的像素的数量。以下使用图5至图7说明本发明的实施例的加权。

图5和图6是通过电阻和电容表示布线及附属于该布线的像素电极等的寄生电容的示意图。

在图5、图6中，电阻R_fix和电容C_fix与连接的像素数量无关，是所有布线共同存在的电阻和电容(实际上，由于到各布线的像素为止的缠绕布线的长度不同等原因，不是完全相同的值的情况较多，但在此作为相同值对待)。从电阻R_fix的一端输入信号。并且，为了简化，连接的像素为同一尺寸、形状，以固定的间距排列。设与像素的排列间距对应的布线长度所对应的电阻为R_par、附属于该长度的像素产生的寄生电容为C_par。

图5的布线上连接6个像素，图6的布线上连接3个像素。图5、图6中的布线的电阻的电容在进行单纯计算时，

在图5中，电阻为R_fix+6×R_par，电容为C_fix+6×C_par，

在图6中，电阻为R_fix+3×R_par，电容为C_fix+6×C_par。

以下调查输入的信号在图5的节点E1(第6像素的寄生电容的端子电压)及在图6的节点E2(第3像素的寄生电容的端子电压)的延迟。

通常情况下，信号的延迟用电阻和电容的积表示。例如在图5中是

(R_fix+6×R_par)×(C_fix+6×C_par)。

一般设连接的像素数为n时为

(R_fix+n×R_par)×(C_fix+n×C_par)。

但是，如图5、图6所示，由多个电阻和电容形成的电路中，为了正确处理输入的信号的延迟，需要将该电路作为分布常数电路来处理。

即，需要使用图5和图6所示的分布电阻(R_par)和分布电容(C_par)，作为传送线来处理。

对于和像素数量相关的部分进行作为分布常数电路的处理时，设像素数量为n，则作为近似的信号延迟，获得以下关系：

$\frac{1}{2}\·n(n+1)\·R_{\mathrm{par}}\·C_{\mathrm{par}}......\left(1\right)$

即，是单纯的累积电阻·累积电容的约一半。

在本实施例中，例如使用公式(1)，考虑具有非矩形显示区域的显示装置的各布线的长度及像素数量所对应的信号延迟，进行加权运算。

此外，在图5和图6中，为了简化，使与像素的间距对应而产生的电容恒定。但在具有非矩形显示区域的显示装置中，产生该寄生电容不恒定的情况。图7表示该示例。

图7是放大表示显示区域的端部的放大图，表示布线及像素。在图7中，为了简化，纵横均以恒定间距排列像素而成为正方形矩阵。此外，未图示存储电容电极及存储电容电极线。

参照图7，各像素排列在栅极线703和数据线704的交叉部，具有薄膜晶体管(TFT)701、像素电极702。TFT 701的栅极与栅极线703连接，漏极、源极中的一个与数据线704连接，漏极、源极中的另一个与像素电极702连接。在图7中，对栅极线加上G1到G7的号码。P24、P43、P55是用于指定各像素电极的号码，P24对应于第2个栅极线G2和第4个数据线的交叉部的像素电极。

注意栅极线G4，在图7中，栅极连接到栅极线G4下侧的TFT上连接的像素电极存在6个，在栅极线G4的上侧，通过TFT而与栅极线G3连接的像素的像素电极存在6个。

其结果是，作为栅极线G4的寄生电容，至少存在：

栅极连接到栅极线G4的6个TFT的电容、

与6个TFT连接的6个像素电极的电容、

与栅极线G3连接的6个像素电极的电容。

此时，按照各像素间距将布线分开时，存在：

1个TFT的电容C_tft、

与该TFT连接的1个像素电极的电容C_gp1、

该TFT连接的栅极线的上方邻接的栅极线上所连接的1个像素电极的电容C_gp2。

即，与每个像素的长度对应的寄生电容C_par可由下述公式(2)表示。

C_par＝C_tft+C_gp1+C_gp2                ……(2)

注意栅极线G3，在栅极线G3的下侧存在6个TFT和6个像素电极，在栅极线G3的上侧存在与栅极线G2连接的4个像素电极。此时，与栅极线G3连接的6个像素中，左侧的4个像素的寄生电容C_par为公式(2)，对于右侧的2个像素的C_par，由于不存在与栅极线G2连接的像素电极，因此是：

C_par＝C_tft+C_gp1                     ……(3)

注意栅极线G6，在栅极线G6的下侧存在3个TFT和3个像素电极，在栅极线G6的上侧的栅极线G5上存在经由TFT连接的5个像素电极。此时，栅极线G6的左侧的3个像素的寄生电容C_par为公式(2)，和栅极线G6的右侧的2个像素(相邻的栅极线G5的5个像素中，右侧的2个像素)对应的寄生电容C_par为：

C_par＝C_tft+C_gp2                     ……(4)

因此，作为每单位像素长度的寄生电容C_par，至少存在公式(2)到公式(4)所示的三种电容。

在本实施例中，考虑到这一点，进行加权运算。各布线长度引起的电阻的不同、寄生电容的不同可通过与各布线(及相邻布线)连接的像素数量来表示。这样一来，可根据设计信息推测由电阻及电容规定的布线延迟。通过根据推测的延迟信息进行加权，可进行排除了各布线的延迟不同的影响的检查。其结果是，可排除非矩形显示区域造成的各布线的延迟不同的影响。

以上，仅表示了与栅极布线相关的寄生电容，但对于数据布线也可以同样进行加权处理。

通过对栅极布线、数据布线、存储电容布线等全部进行相同的处理，可进一步排除非矩形显示区域造成的各布线的延迟不同的影响。

在图4中，由运算部10的检查对象区域指定部102指定的检查区域的信息发送到测定部20。

并且，测定部20的测定结果发送到运算部10，用于加权运算。在运算部10中，加权运算后的结果发送到进行优劣判断的分析部(未图示)等。

(实施例3)

接着说明本发明的第3实施例。在本发明的第3实施例中，和上述第2实施例同样地用设计信息进行加权运算。在本实施例中，在加权运算中，作为设计信息，使用具有非矩形显示区域的显示装置的各像素周围的像素数量、所在的位置。

以下，首先参照图8到图11概要说明与像素电极的配置相关的基本信息。

图8是表示普通的显示装置用基板中的布线和像素电极802的配置的图。为了简化，未图示薄膜晶体管等开关元件。并且，是纵横相同的正方形配置的形式。参照图8，一个像素由栅极线801、数据线803及像素电极802构成。

图9是表示图8的A-A’线的截面的示意图。参照图9，显示装置用基板的截面中，在由玻璃等构成的基板804上形成有绝缘膜805。进一步，形成栅极线801，在其上再覆盖绝缘膜806。像素电极802配置在与栅极线在垂直方向上不重叠的位置。

在图8及图9所示的构成中，来自像素电极802的电场基本全部流向栅极线801及未图示的相对电极。因此，在像素电极802之间基本不产生寄生电容。

图10是表示和图8略有不同的构成的显示装置用基本中的布线和像素电极1002的配置的图。在图10中，和图8相比，各布线的线宽变细。并且，像素电极1002的大小变大，产生与各布线(栅极布线1001、数据布线1003)重叠的部分。

图11是表示图10的B-B’线的截面的示意图。图11的构成和图9的构成的明显的不同点在于，栅极线1001上的绝缘膜1006在图11中较厚。根据该构成，栅极线1001和像素电极1002之间的寄生电容变小，因此可成为使栅极线1001和像素电极1002在垂直方向上重叠的构造。

在图10及图11所示的构成中，来自像素电极1002的电场不仅流入到栅极线1001、未图示的相对电极，而且流入到像素电极1002之间。因此，在像素电极1002之间产生寄生电容。在像素电极之间的寄生电容较大的构成中，周边像素对测定对象的像素的特性产生较大影响。

在本实施例中，将该周边像素的信息用于加权，减轻周边像素的影响。为了如上述第2实施例那样适用于布线，在本实施例中，相邻像素存在与否的信息也可用于加权运算。这仅是将周边像素的数量用于加权。

(实施例4)

接着说明本发明的第4实施例。本发明的第4实施例和上述第2及第3实施例同样使用设计信息进行加权运算。但在本实施例中，进行加权运算的对象不是测定结果，而是判断测定结果优劣的阈值。

图12是表示本发明的第4实施例的检查装置中的运算部的构成的图。参照图12，运算部10将设计信息取入到设计DB 101。该设计信息用于在检查对象区域指定部102中指定检查对象区域。

阈值设定部107从外部输入判断检查结果的优劣的基准即阈值。

在加权运算部105中，对该阈值进行与设计信息的加权运算。进行了加权的阈值作为加权阈值DB 108而保存。

需要对检查对象的所有区域及所有判断条件产生该加权阈值。因此，数据量增加。但在实际检查结果的判断阶段，无需经常进行上述实施例那样的加权运算。

即，仅通过比较预先进行了加权运算的阈值与检查结果的数据，就可判断优劣。

该预先的加权运算处理在提供了设计信息后可立刻进行处理。

另一方面，在检查中测定各测定点时，也可并行地进行各测定点的加权运算。其结果是，进行优劣判断时无需加权运算，因此可提高优劣判断的速度。

作为阈值，例如使用在比较值为其值之上或之下时判断为缺陷(或良好)的值。或者，作为其他阈值，例如使用在比较值位于中心值或其前后某一范围时判断为缺陷(或良好)的值。

(实施例5)

接着说明本发明的第5实施例。以下，作为第5实施例说明以下例子：将本发明适用于具有非矩形显示区域的显示装置中外周部的像素的面积、形状、尺寸不同的显示装置。

在图7中，示例了均为正方形的像素的例子，而在具有非矩形显示区域的显示装置中，为了改善显示区域外周部的外观，也可采用图13所示的像素形状。

图13和图7同样是放大了显示区域端部的放大图。在图13中，表示布线及像素，特别是在显示区域的外周部存在像素形状不是正方形的像素的例子。与图7相比，在图13中，显示区域外形平滑地变化。在这种像素构成中，通过改变外周部寄生电容的值，也可以使以上分析成立。

并且，外周部的像素、例如P24、P55中，将像素电极变小且变形的情况作为设计信息考虑，并进行检查。即，不仅指定检查区域，而且考虑外周部的像素的面积及形状，照射检查用的电子束。

图14表示在图13的像素构成中，照射检查用电子束时的电子束的点的配置的一例。图14是表示和图13相同的像素配置的图，为了简化未图示布线及TFT。

如图14所示，例如在P43的像素中，四个束点大致平均配置。

并且，在P24的像素中，上侧的两个点的位置向左侧偏移。

并且，在P55的像素中，全部四个点配置在一条线上。

通过进行这种束点配置，在所有像素中，可配置四个束点。

并且，所有束点配置在扫描线上。

根据该构成，可良好地进行具有显示区域外形平滑的非矩形显示区域的显示装置的检查。

在本实施例中，将各像素的束点配置在同一扫描线上，但根据像素的形状，当难以这样配置时，也可设定其他扫描线。

并且，在以上说明中，向像素照射的束的数量在所有像素中相同，当因像素形状无法使数量相同时，也可根据像素改变束点数量。这种情况下，使束点数量不同这一信息与设计信息一起保存，从而可反映到之后的优劣判断中。

因此，通过利用设计信息，可进行和非矩形显示区域对应的灵活的测定及数据处理。

(实施例5’)

接着说明本发明的第5’实施例。以下，作为本发明的第5’实施例说明以下示例：将本发明适用在像素形状不是正方形或矩形而是非矩形形状的显示装置中。

图32和图7同样是放大显示区域的端部而进行显示的放大俯视图。图32中显示了布线和像素，每个像素的形状为梯形。组合两个梯形的像素(梯形像素电极1302的长边之间分离而相对配置)而形成大致六角形的像素对。并且，栅极线1303、数据线1304也不是直线，对应于六角形的像素对的边而设置。本发明无特别限定，但在图32的例子中，栅极线1303在梯形的短边彼此相对邻接的像素之间与该短边平行配置，与短边之间相对邻接的像素的短边的角(角部附近)的TFT1301的栅极电极连接。数据线1304在相邻像素对之间沿着梯形的斜边弯曲(锯齿状)地配置，与梯形短边的角的TFT的第1扩散层(源极或漏极)连接，TFT的第2扩散层(漏极或源极)与梯形的像素电极1302连接。

与图7相比，图32的构成中，显示区域的外形平滑地变化。在这种像素构成中，在外周部，通过改变寄生电容的值，上述分离也成立。即，单独的像素形状为梯形，通过两个梯形像素的组合，形成六角形的像素对，通过六角形的像素对，形成像素阵列，即使是上述复杂的形状，由于利用像素阵列部分的设计信息进行检查，所以也可良好地进行检查。并且，在外周部也根据非矩形的外周部的设计信息进行检查，因此可良好地进行检查。

(实施例6)

接着说明本发明的第6实施例。以下，作为第6实施例说明以下示例中的检查：在具有非矩形显示区域的显示装置中，像素形状也不是正方形或矩形，且多个像素的像素组的排列不在正交的轴上。

参照图15说明本发明的第6实施例。图15是放大了具有非矩形显示区域的显示装置的显示区域的外周部的图。在图15中，为了简化而未图示布线、TFT、像素电极，用虚线表示仅一个像素占据的区域。在图15中，像素1503不是矩形，而是非矩形，具体而言是三角形。多个像素1503聚集，形成作为重复图案的基础的像素组1504。

在图15中，像素组1504重叠三角形的两个像素1503而构成。并且，在显示区域的外形1501附近，存在从重复图案即像素组1504孤立的像素1505，显示区域外形为平滑的形状。像素1503不是直角三角形，三角形的三个内角中角度最大的部分的角度为85度。

这种配置下，像素组1504沿着形成85度角的两个轴配置。并且，该轴与水平轴、垂直轴成角度地配置。

对于图15所示的构成，如图16所示，可配置照射检查用电子束时的电子束的点1502。电子束的扫描方向不是垂直方向或水平方向，而是具有一定角度的方向。

这样，在本实施例中，根据设计信息确定检查区域，所以可根据检查对象的像素配置等，设定包括检查束的角度在内的扫描方向。并且，所有束点1502设定为抵达像素1503的重心。

在现有的检查装置中，只可对应水平方向及垂直方向，无法对应图15所示的像素配置。

并且，向与各像素重心不同的位置照射，或抵达位置因像素不同而变化，根据不同的情况，有时仅向像素电极的一小部分照射。因此，测定结果的可靠性差。

(实施例7)

接着说明本发明的第7实施例。作为本发明的第7实施例，表示检查具有非矩形显示区域的显示装置的检查装置的一例。在本实施例中，适用上述第1和第2实施例的检查方法。图17是说明本实施例的检查方法的动作的流程图。

取入设计信息(步骤S1)。

根据在步骤S1中取入的设计信息，设定检查对象的区域(步骤S2)。该设定可在观察显示设计信息的画面的同时用手动设定，或者自动分析设计信息并自动设定，还可并用自动设定和手动设定。

根据在步骤S1中取入的设计信息，计算适用于测定数据的加权信息(步骤S3)。

进行测定，并保存作为测定结果的测定数据(步骤S4)。步骤S3、S4的顺序也可相反，并且也可并行处理。

运算在步骤S3中计算的加权信息及在步骤S4中测定并保存的测定数据，生成加权测定数据(步骤S5)。

设定用于判断优劣的阈值(步骤S6)。此外，步骤S6也可在步骤S1至S5的任意一个之前进行。由于设想了调整阈值的情况，所以在该步骤中执行。

比较在步骤S5中运算的结果的加权测定数据及在步骤S6中设定的阈值，进行优劣判断(步骤S7)。

进行步骤S7的判断结果中是否产生误判等的判断(步骤S8)。

在步骤S8的判断中，确认有误判，当通过改变阈值的设定可消除误判时，返回到步骤S6，变更阈值的设定。

步骤S8的判断如下所示有几种方法。

例如可采用与预先通过其他检查方法检查的数据进行比较的方法。

并且，也可采用反复进行多次测定、比较测定之间的差异的方法。尤其是改变束角度、或改变束点的大小、或改变束点的位置及数量而进行多次测定，从而可易于确认误判的发生。

进一步，通过与同一设定条件及试验条件下制造的过去的样本的优劣分布结果进行比较的方法，适用试验条件下的优劣分布的趋势，也可确认误判的发生。

图18是表示根据参照图17说明的步骤进行检查的检查装置的构成的图。

参照图17，运算部10将设计信息取入到设计DB 101(图17的步骤S1)。

运算部10的检查对象区域指定部102根据设计DB 101指定检查对象区域(图17的步骤S2)。

从设计DB 101经过加权运算部105的处理，生成加权信息1(109)(图17的步骤S3)。

根据指定的检查对象区域，在测定部20中进行控制电子线源201的束控制、控制承载样本的平台206的平台控制。

用检测器(DE)205检测出照射到样本的电子束引起的二次电子。检测控制部204控制检测器(DE)205的检测。

来自检测控制部204的检查结果的数据传送到运算部10的测定结果DB 104。完成图17中步骤S4的测定及测定数据的保存。

运算单元110使用测定结果DB 104和加权信息1(109)的数据库进行运算，生成加权结果DB 106(图17的步骤S5)。该数据传送到分析部(下述图21的142)，进行步骤S6～S8的处理。

在本实施例中，可良好地检查具有非矩形显示区域的显示装置用基板。

图21是表示在本实施例中使用的检查装置的构成的概要图。具有真空控制部153、传感部154，并根据需要具有加载/卸载器156、电源155、控制器150等，并具有存储部151、运算部10、测定部20、分析部142、输入输出部152。并且，根据需要具有网络连接单元(未图示)。

输入输出部152从外部输入设计信息。设计信息、加权的各种数据根据需要存储到存储部151。

运算部10进行加权运算等运算处理。

测定部20根据设计信息控制测定区域、束方向等。

分析部142使用设计信息、测定数据、加权的各种数据分析测定结果。

(实施例8)

接着参照图19和图20说明本发明的第8实施例。以下表示检查具有非矩形显示区域的显示装置的检查装置的其他例子。本实施例中的检查装置整体构成与上述第7实施例相同，如图21所示。

图19是表示本发明的第8实施例的检查方法的步骤的图。在本实施例中，适用上述第1实施例和第4实施例。即，参照图19，按照以下步骤进行检查。步骤S1、S2、S4、S8和图17中对应的步骤相同。

在步骤S3A中，根据在步骤S1中取入的设计信息，计算适用于默认指定好的阈值的加权信息。步骤S3A和步骤S4的顺序也可颠倒，并且也可并行处理。

在步骤S5A中，设定用于判断的阈值。不变更默认值时，在此不作任何动作。

运算步骤S3A的加权信息及在步骤S5A中设定的阈值(在步骤S5A中未设定时为默认的阈值)，生成加权的阈值信息(步骤S6A)。

在步骤S7A中，比较步骤S4的测定数据和在步骤S6A中运算的加权阈值，判断优劣。

在步骤S8中，判断优劣判断结果中有无误判，确认有误判时返回到步骤S5A，重设阈值。

图20是表示执行图19的步骤的检查装置的运算部10和测定部20的构成的图。

在图20中，将设计信息取入到运算部10的设计DB 101(图19的步骤S1)。根据设计DB 101指定检查对象区域(步骤S2)。

从设计DB 101经过加权运算(105)，生成加权信息2(111)的数据库(步骤S3A)。

在图20中，根据指定的检查对象区域，在测定部20中，进行控制电子线源201的束控制、控制承载样本的平台206的平台控制，并且进行测定。用检测器(DE)205检测出照射到样本的电子束引起的二次电子。该检测通过检测控制来控制。来自检测控制的检查结果数据传送到运算部10的测定结果DB 104。从而完成测定及测定数据的保存(图19的步骤S4)。

在本实施例中，测定结果DB 104及加权信息2(111)传送到图21的分析部142，进行步骤S5A～S8的处理。

即，图19的步骤S5A的阈值设定通过分析部142进行。但不限于本发明所述构成，根据需要也可像图12那样由运算部10进行阈值设定。

在本实施例的检查装置中，可良好地检查具有非矩形显示区域的显示装置用基板。

(实施例9)

接着说明本发明的第9实施例。图33是用于说明本发明的第9实施例的图。作为本发明的第9实施例，以下表示在用于显示的显示区域的外侧周边配置不用于显示的虚拟像素的情况的检查示例。图33中，放大表示显示区域的端部的布线及像素。图33中，表示虚拟像素750附加到图7的像素排列中的像素排列。

虚拟像素在外周部设置多少是任意的，在图33的例子中，为了简化，示例了外周部设置一个虚拟像素的例子。在该例中，晶体管(TFT)701未设定在虚拟像素上，且虚拟像素浮动(Floating)。

在本实施例中，作为设计信息提前提供虚拟像素的信息。因此，例如在图17的检查方法中，可从步骤S2的检查对象区域中去除虚拟像素区域。其结果是，可提高检查效率。尤其是由于没有由虚拟像素导致的异常像素的错误检测等，因此可提高检查精度，提高检查效率。

(实施例10)

接着说明本发明的第10实施例。在本实施例中，表示在用于显示的显示区域外侧的周边配置了不用于显示的虚拟像素时的检查中的加权的一例。作为加权步骤，和上述第2实施方式同样地进行。

在本实施例中，在上述第2实施方式的说明中参照的图4中，加权运算部105根据设计信息对测定结果(测定结果DB 104中保存的结果)的数据进行加权运算。参照上述第9实施例的说明中使用的图33对该例进行如下说明。

注意栅极线G4，在图33中，栅极连接到栅极线G4下侧(G5一侧)的TFT所连接的像素电极(P43等)存在6个，未设置TFT并与栅极线不连接的虚拟像素电极存在1个，在栅极线G4的上侧(G3一侧)，经由TFT而与栅极线G3连接的像素的像素电极存在6个，未设置TFT并与栅极线不连接的虚拟像素电极存在1个。其结果是，栅极线G4的寄生电容至少存在：

栅极与栅极线G4连接的6个TFT的电容、

与6个TFT连接的6个像素电极的电容、

与栅极线G4不连接的1个虚拟像素电极的电容、

与栅极线G3连接的6个像素电极的电容、

与栅极线G3不连接的1个虚拟像素电极的电容。

可考虑虚拟像素电极而求出与在上述第2实施例中所考虑的情况相同的电容及电阻。

在本实施例中，考虑该虚拟像素对上述第2实施例的加权运算进行加权运算。其结果是，可排除虚拟像素造成的影响。

(实施例11)

接着说明本发明的第11实施例。在本实施例中，在检查具有非矩形显示区域的显示装置用基板时，将设计信息变换为高效的形状。

作为显示装置用基板的设计信息，现在最广泛使用的方式是GDSII流(GDSII格式)的方式。其原因在于，GDSII流的形式对半导体掩模图案的记述而言为事实标准(de facto standard)。用掩模做成情况较多的显示装置用基板本身的设计信息，在是和该掩模的设计信息相同的格式时较好，GDSII流被广泛应用。

因此在该实施例中，作为一例表示了GDSII流的设计信息，但对该例以外的形式的设计信息也有效。

GDSII流的数据整体的构造是图34所示的构造，称为“程序库(Library)构造”。此外，在图34中，省略了与发明主题不直接相关的数据。

在表示版本名称的VERSION的后面，以BGNLIB记述程序库数据，通过ENDLIB结束记述。程序库数据包括：由表示程序库名称的LIBNAME、表示单位的UNITS等构成的头部；作为实际数据的核心的由多个单元(Cell)排列而成的单元组。即，程序库构造中，表示形状、配置等的部分位于单元组。

程序库构造具有复杂的层次构造和引用构造。图35是表示程序库构造的概念图，概念性地示意了GDSII流的构造。即，概念性地表示了GDSII程序库910是怎样的层次构造，是怎样的引用关系。

在图35中，单元920由其单元名称、称为元素(Element)930的图形等构成要素排列多个而成的元素组构成。作为元素930包括：表示无宽度的布线的PATH(宽度由元素内的记述WIDTH指定)、表示涂黑的多边形(多角形)的BOUNDARY、表示文本的TEXT、表示矩形的BOX等图形的构成要素；表示电连接中的节点的NODE；引用其他单元时使用的几个元素等。

在引用其他单元的元素中，存在称为AREF(阵列参照元素)931的元素，其引用单元为XY的矩阵形状的XY阵列。在现有的普通显示装置用基板中，从某一单元(假设名称为“DISPLAY”)925在该AREF参照像素单位的单元(假设名称为“PIXEL”)926，从而构成像素阵列。

即，在DISPLAY 925的单元构造中的一个元素中，存在通过AREF参照像素阵列的单元PIXEL 926的元素。在该AREF元素中，指定X方向、Y方向的重复间距、重复数量。

并且，在该AREF元素、TEXT元素中，可指定表示数据方向的标记STRANS。在该标记STRANS中，可指定镜面翻转、旋转角度，将图形、文字配置在希望的方向上。

另一方面，像素单位的单元PIXEL 926也由多个元素构成，通过组合PATH、BOX、BOUNDARY等，记述像素电极、有源元件、布线。该单元PIXEL也时常参照表示像素电极的其他单元(假设称为“ELPIX”)927。

在表示该像素电极的ELPIX 927中，存在表示像素电极的形状的元素935。

作为显示装置用基板的设计信息，

·除了像素阵列以外，

·还有记述用于与外部连接的衬垫(Pad)的单元、记述在显示装置基板内的布线缠绕的单元，

·还存在记述在各工艺、检查中使用的标记类的单元

等，构造复杂。并且，数据数量也多。

在检查中，对各像素电极进行各种检查，检查结束时保存结果。在该过程中，在开始检查时，需要以下信息：

(A)用于掌握检查对象基板内的检查对象区域配置的信息，

(B)区域内的像素和布线等的连接信息，

(C)各像素的配置和形状。

并且，在检查结束时，各像素电极的检查结果非常重要。即，与上述设计信息的复杂性相比，检查中实际需要的信息十分少。

作为检查中所需的信息，参照图35，包括：

·表示参照DISPLAY单元925中的像素的元素内的重复间距等信息和数据方向的标记(STRANS)，

·表示参照表示像素的PIXEL单元926中的像素电极的元素内的数据方向的标记(及像素内为重复构成时的重复间距等信息)，

·表示对像素电极进行表示的ELPIX单元927内的像素电极的形状的元素935

等。因为根据这些信息可获得像素电极的配置信息。

并且，可根据相同信息做成检查对象的显示区域的外形形状的信息。

进一步，根据参照表示像素的PIXEL单元926的像素电极单元的元素与记述或参照其他布线及晶体管的元素的关系，可掌握像素内的连接信息。

检查中需要的信息包括：

·显示区域的外形信息，

·作为重复单位的像素，或作为像素集合的像素组的形状信息和连接信息

·重复、镜面翻转、旋转的原点，重复的间距，镜面翻转的有无、旋转的角度

等。

在具有重复单位、间距等不同的多个重复构造时，对每一个都需要上述设计信息。

在本实施例中，将设计信息变换为这些检查所需的信息。在该变换中，可采用几种方法。即，

第1方法为，根据设计信息全部进行软件晕眩，从而变换为检查所需的信息。

第1方法当前被广泛采用。其似乎与从布局(Layout)信息中提取连接信息、并变换为连接关系的信息即变换为网表的处理类似，但不仅包括连接信息(网表)，而且包括各像素的形状信息的信息，在这一点上大为不同。

进一步，与现有的提取方法及其他现有方法即对比布局信息和网表的方法不同，具有重复信息等的配置信息及显示区域整体的外形信息。

其次，第2方法是，除了设计信息以外，另外准备支持变换中的分析的信息(分析支持信息)并进行处理。该分析支持信息可利用各种信息。例如，表示连接关系的数据。只要可获得从现有的布局信息提取出连接信息的数据即网表和布局的对比信息，则可直接使用。并且，在分析支持信息的其他例子中，指定以下信息：

·重复的单位构造、

·重复方向、

·重复间距

等信息。

存在以下情况：比设计信息所指定的重复构造(例如一个像素)大的单位中的重复构造(例如6个像素等)成为重复的基本单位。此时，为了缩短根据设计信息全部进行软件分析的时间，将与重复构造相关的信息作为分析支持信息来指定。

并且，现有技术中，在GDSII格式中，仅支持XY上的重复，不记述任意角度方向上的重复。

因此，图15的构造中，通过分析支持信息提供角度方向等时，可高速地处理变换。

图36是表示将第2方法添加到图12的框图时的构成的框图。

输入分析支持信息，和存储设计信息的设计DB 101进行运算。这样一来，实现设计信息的变换121。

其结果保存到变换DB 120中。之后的处理中，替代设计DB 101，而用该变换DB 120来实施。

在图36中，表示了利用设计DB 101的构成，但也可不利用设计DB 101，而根据设计信息和分析支持信息直接实施设计信息的变换121。

图37是表示在图17的检查流程中适用了第2方法时的检查流程的图。

添加了分析支持信息的取入(步骤S2)、设计信息的变换(步骤S3)的处理步骤，并且用于检查对象区域的计算(步骤S4)、加权信息的计算(步骤S5)等的信息从设计信息变更为变换后的信息。

通过这些方法，可减少数据量，并且加快对检查所需信息的访问，能够实现检查的高效化。

(具体例1)

作为具体例，以下表示在上述第3实施例中根据上述记载实施高度加权的例子。作为较高度的加权，和图像处理的低通滤波器同样，表示对周边像素考虑了影响的权重的加权示例。即，利用周边像素存在于哪一位置的信息，考虑取决于该存在位置的影响。图22表示其一例。

图22表示对中心像素及其周围8个像素的电容的加权例子。该例子是用图中所示的权重对测定对象的像素的电容及相邻像素的寄生电容进行计算的加权运算。

在图22中，c/n是对中心像素的加权系数。对中心像素的上下左右存在的像素的加权系数，使用彼此基本相等的数b₁₂、b₂₁、b₂₃、b₃₂，为b₁₂/n、b₂₁/n、b₂₃/n、b₃₂/n。

并且，对中心像素的倾斜方向上存在的像素的加权系数，使用彼此基本相等的数a₁₁、a₁₃、a₃₁、a₃₃，为a₁₁/n、a₁₃/n、a₃₁/n、a₃₃/n。

此外，n由下述公式(5)表示。

n＝a₁₁+a₁₃+a₃₁+a₃₃+b₁₂+b₂₁+b₂₃+b₃₂+c        ……(5)

累加图22的所有9个系数结果为1。因此，可进行考虑到了相邻寄生电容的影响大小的加权运算。

当缺少相邻的像素时，去除该像素的系数，使加权的分母在所有像素的累加为1。例如，不存在图22右侧的3个像素时，加权中使用的系数的分母为：

n＝a₁₁+a₃₁+b₁₂+b₂₁+b₃₂+c                    ……(6)

在图22中，检查对象的像素的系数保持c/n，但分母n从公式(5)变为公式(6)。

在中心像素和其上下左右的像素及斜方向的像素中，对寄生电容产生的影响是不同的，因此各系数通常为：

0≤a₁₁≈a₁₃≈a₃₁≈a₃₃＜b₁₂≈b₂₁≈b₂₃≈b₃₂＜c    ……(7)

因像素的布局不同，斜方向的像素的系数之间(a₁₁、a₁₃、a₃₁、a₃₃)、上下左右方向的像素的系数之间(b₁₂、b₂₁、b₂₃、b₃₂)的值不同。

但是，在最简单的例子中，在各方向内可视作相同。作为一例，图23表示a₁₁＝a₁₃＝a₃₁＝a₃₃＝1、b₁₂＝b₂₁＝b₂₃＝b₃₂＝2、c＝4的加权示例。此时，n＝16。

并且，图23右侧的3个像素不存在时，根据公式(6)，n＝12，例如中央的检查对象的像素的系数为4/12。通过利用这种加权，可考虑到周边像素的寄生电容的影响。

(具体例2)

作为其他例子，表示在本发明的第3实施例中进行和上述具体例1不同的加权的例子。其中，作为突出发生缺陷的像素并排除相邻像素的影响的方法，使用与图像处理的高通滤波器同样的方法，即采取取加权的对象像素的测定数据和加权的周边像素的测定数据的差分的方法。

即，利用周边像素存在于哪一位置的信息，对测定数据本身进行加权差分，从而排除周边像素的存在位置产生的影响。图24表示其一例。

图24表示对中心像素和其周围的8个像素的加权示例。如图24所示，在检查对象的中心像素和周围像素中，系数的正负符号不同。

其中，m是对中心像素的加权系数。

对中心像素的上下左右的像素的加权系数为彼此基本相等的系数l₁₂、l₂₁、l₂₃、l₃₂。

并且，对中心像素的斜方向上存在的像素的加权系数是彼此基本相等的系数k₁₁、k₁₃、k₃₁、k₃₃。

此外，各系数之间存在以下关系：

m＝k₁₁+k₁₃+k₃₁+k₃₃+l₁₂+l₂₁+l₂₃+l₃₂+1            ……(8)

0≤k₁₁≈k₁₃≈k₃₁≈k₃₃＜l₁₂≈l₂₁≈l₂₃≈l₃₂＜m    ……(9)

根据公式(8)，累加图24的全部9个系数结果为1。因此，使用各像素的测定数据，可进行考虑了相邻像素的影响大小的加权运算。

在该例中，进行用图中所示的权重对测定对象的像素的测定数据及相邻像素的测定数据计算的加权运算，将其和作为测定对象的加权后的测定数据。

并且，在该方法中，当缺少相邻像素时，去除该像素的系数，使中心像素的加权的系数是周边像素的系数和加1。例如，图24的右侧的3个像素不存在时，检查对象的像素的系数通过下述公式(10)获得。

m＝k₁₁+k₃₁+l₁₂+l₂₁+l₃₂+1                        ……(10)

因像素的布局不同，斜方向的像素的系数之间(k₁₁、k₁₃、k₃₁、k₃₃)、上下左右方向的像素的系数之间(l₁₂、l₂₁、l₂₃、l₃₂)的值不同。

但是在最简单的例子中，在各方向内可视作相同。例如图25表示k₁₁＝k₁₃＝k₃₁＝k₃₃＝0、l₁₂＝l₂₁＝l₂₃＝l₃₂＝1的示例。此时，m＝5。

并且，图25右侧的3个像素不存在时，根据公式(10)，m＝4。在该方法中，可灵敏地检测出发生缺陷时的判断。以下说明这一点。

为了简化，以检查对象周围的8个像素全部存在的图24的状态为例进行说明。在所有像素中写入相同数据X，所有像素中不存在缺陷时，对8个周边像素的测定数据(理想状态下周边的所有像素中检测出X)乘以图24的加权系数进行累加，则是：

-(k₁₁+k₁₃+k₃₁+k₃₃+l₁₂+l₂₁+l₂₃+l₃₂)·X            ……(11)

将公式(8)适用于公式(11)时，公式(11)变为极简单的形式，(1-m)X。

X还写入到检查对象的中心像素，乘以对应系数时，变为mX。

累加周边像素和中心像素的加权后的值，则：

(1-m)X+mX＝X。

即，可检测出本来应测定的X。

接着考虑如下情况：中心像素中存在缺陷，因该缺陷的存在，中心像素的数据变为Y。此时，加权后的和是：

mY-(m-1)X。

由于m＞m-1，因此和中央像素中存在的缺陷相关的信息(Y)比不存在缺陷的周边像素的信息(X)处理得较大，易于检测出缺陷。

另一方面，考虑在上下左右方向上相邻的像素中的一个(例如图24的中心像素的右邻像素)中存在缺陷的情况。

此时，加权后的和是：

mX-(m-1-123)X-123Y

＝(123+1)X-123Y。

此时，123+1＞123，和与周边像素的缺陷相关的信息(Y)相比，中心像素没有缺陷的信息(X)处理得较大。因此，可不受缺陷存在的影响而检测无缺陷像素。

通过图25的系数具体说明以上说明的内容。

当中央存在缺陷时，是5Y-4X。

和缺陷信息(Y)相关的系数是5，比无缺陷的信息(X)的系数4大，因此可灵敏地检测出缺陷信息(Y)。

而当中央的右邻存在缺陷时，是2X-Y。

由于作为无缺陷的信息(X)相关的系数较大，因此不受存在缺陷的影响。

(具体例3)

作为具体例3，表示在本发明的第3实施例中进行和上述具体例2相同的加权、且减轻与缺陷相关的信息的影响的例子。

在该具体例3中，减去与周边像素的缺陷相关的信息，因此即使在实际的中心像素的数据受到周围缺陷的影响时，也可减少其影响。用图26详细说明这一点。

图26表示5×6的像素阵列中检测出的数据，假设存在一个缺陷像素，除此以外的所有像素是正常像素。由于γ所示的像素存在缺陷，因此其周围的像素受到与图22所示的情况相同的权重造成的影响。

在该具体例中，没有周围像素影响时在无缺陷的正常的像素中应检测出的数据设为X，没有周围像素影响时在有缺陷的像素中应检测出的数据设为Y。其结果是，测定各像素时检测出的数据是图26所示的数据。

α₁₁、α₁₃、α₃₁、α₃₃及β₁₂、β₂₁、β₂₃、β₃₂所示的像素与存在缺陷的γ所示的像素的数据，通过例如图26的系数和X、Y可记述如下。

${\mathrm{\α}}_{11}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-a_{33})X+a_{33}Y}{n}......\left(12\right)$

${\mathrm{\α}}_{13}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-a_{31})X+a_{31}Y}{n}......\left(13\right)$

${\mathrm{\α}}_{31}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-a_{13})X+a_{13}Y}{n}......\left(14\right)$

${\mathrm{\α}}_{33}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-a_{11})X+a_{11}Y}{n}......\left(15\right)$

${\mathrm{\β}}_{12}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-b_{32})X+b_{32}Y}{n}......\left(16\right)$

${\mathrm{\β}}_{21}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-b_{23})X+b_{23}Y}{n}......\left(17\right)$

${\mathrm{\β}}_{23}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-b_{21})X+b_{21}Y}{n}......\left(18\right)$

${\mathrm{\β}}_{32}=(1-\mathrm{\ρ})X+\mathrm{\ρ}\frac{(n-b_{12})X+b_{12}Y}{n}......\left(19\right)$

$\mathrm{\γ}=(1-\mathrm{\ρ})Y+\mathrm{\ρ}\frac{(n-c)X+\mathrm{cY}}{n}......\left(20\right)$

其中，ρ是对想测定的像素的测定数据表示周围像素的寄生电容的影响的比例，取从0到1的值(0＜ρ＜1)。

在公式(12)到公式(20)中，加入了各像素的寄生电容的影响，表示测定的数据通过寄生电容受到了影响的值。

周围像素不存在缺陷时，这些公式(12)到公式(20)的值全部为X。

此外，公式(20)的γ的公式以像素中存在缺陷为前提，因此处理不同，但像素没有缺陷而周围也全部正常时为X。

在图26中，测定附加了γ的像素的左邻像素而获得的数据受到寄生电容的影响，成为公式(17)所示的β₂₁。

接着，对该像素的测定数据(β₂₁)进行图24的加权运算。即，在图26中，对附加了β₂₁的像素和其周围的3×3的9个像素实施图24的加权，成为以下公式(21)。

$\frac{(n\·i-\mathrm{\ρ}\·j)X+\mathrm{\ρ}\·\mathrm{jY}}{n}-l_{23}(1-\mathrm{\ρ})Y......\left(21\right)$

其中，i、j分别由下述公式(22)、(23)表示。

i＝m-k₁₁-k₃₁-l₂₁-k₁₃-k₃₃-l₁₂-l₃₂-l₂₃              ……(22)

j＝mb₂₃-k₁₃b₃₂-k₃₃b₁₂-l₁₂a₃₃-l₃₂a₁₃-l₂₃c          ……(23)

比较公式(17)的β₂₁和公式(21)的加权后的数据，则在加权后的数据中，明显减去了缺陷的信息(即Y相关的项)。

从而可减少缺陷的影响，突出缺陷以外的像素的信息(X相关的项)，即使存在寄生电容的影响，也容易获得正确的结果。

另一方面，在图26中，测定存在缺陷的像素而获得的数据因寄生电容的影响而成为公式(20)所示的γ。接着，对该像素的测定数据进行图24的加权运算。即，对图26的像素(γ)及其周围3×3的9个像素进行图24的加权，成为下述公式(24)。

$[\frac{n-h}{n}\mathrm{\ρ}+(1-m)(1-\mathrm{\ρ})]X+[\frac{h}{n}\mathrm{\ρ}+m(1-\mathrm{\ρ})]Y......\left(24\right)$

其中，h由以下公式表示。

h＝mc-k₁₁a₃₃-k₁₃a₃₁-k₃₁a₁₃-k₃₃a₁₁-l₁₂b₃₂-l₂₁b₂₃-l₂₃b₂₁-l₃₂b₁₂ ……(25)

比较公式(20)的γ和公式(24)的加权后的数据，在加权后的数据中，缺陷产生的信息(Y)因系数m而放大。但m根据公式(8)和公式(9)，只要系数k、l具有有限的大小，则必然是m＞1。

从而在存在缺陷的像素中，缺陷信息放大，易于识别。

以下参照图23及图25的系数具体说明以上说明的内容。替代上述从公式(12)到公式(25)的导出中使用的图22及图24，而使用具体的数值即图23及图25的系数。其结果是，可使用数学式具体表示图26的各像素的值。

在此，考虑如下情况：测定附加了图26的β₂₁的像素，进行上述加权运算。

在公式(21)中使用图23及图25的系数进行计算，则如公式(26)所示。

$(1-\frac{1}{4}\mathrm{\ρ})X+(-1+\frac{3}{4}\mathrm{\ρ})Y......\left(26\right)$

而直接测定的值β₂₁则如公式(27)所示。

$(1-\frac{1}{8}\mathrm{\ρ})X+\frac{1}{8}\mathrm{\ρ}\·Y......\left(27\right)$

在直接测定的公式(27)中，加上了缺陷的影响，但在进行加权运算的公式(26)中，减去了缺陷的影响。

因此，根据本实施例，从正常像素中排除了缺陷的影响。

另一方面，测定作为缺陷像素的γ，进行上述加权运算时，根据公式(24)获得以下值。

$(Y+\frac{16-17\mathrm{\ρ}}{4})(Y-X)......\left(28\right)$

在公式(28)中，在缺陷信息(Y)上加上了与缺陷信息和无缺陷信息(X)的差分(Y-X)相关的值。

即，强调缺陷信息，来自正常像素的影响被减去、排除。因此，根据本发明，容易进行正常像素和缺陷像素的选择。

另一方面，直接测定的值γ如下述公式(29)。

$(Y-\frac{3\mathrm{\ρ}}{4})(Y-X)......\left(29\right)$

在该直接测定的结果(公式(29))中，缺陷信息(Y)中，减去了与缺陷信息和无缺陷信息(X)的差分(Y-X)相关的值。

即，在缺陷信息上加上来自正常像素的影响。因此，只检测出比周围全部是缺陷像素时所期待的值(Y)少量的缺陷信息(Y)的提供，所以难以进行缺陷像素的判断。

因此，当存在周边像素的影响时，缺陷信息的识别变得困难。而如公式(28)所示，在本发明的方法中，由于强调了缺陷信息，所以容易识别缺陷。

在目前为止的说明中，为了简化，示例了纵横以相同间距按正方形排列像素的例子。但纵向和横向的间距也可以不同。

进一步，不需要由像素、TFT及周围布线形成的一个像素单位是矩形，可以是和各种形状。可以全部为相同形状的像素单位，也可以使用各种形状的像素单位组合而成的像素单位组。

进一步，所有像素的形状也可以不同。

其中，作为这种像素单位的形状的多样化的一例，可以是图15所示的构成，并且也可以是一个像素单位构成为由6个三角形的像素构成的六角形的像素组。

本发明在显示区域的中央部分和周边部分的像素单位的形状及配置密度不同时也可适用。

作为设计信息，使用像素的形状、排列信息。因此，可获得如下显著的效果：

(1)在检查某个像素时，不会错误地向相邻的其他像素也施加检测用信号，例如电子线。

(2)不会向显示区域的外部不存在像素的区域施加检测用信号，例如电子线。

本发明的检查装置能够检查具有非矩形显示区域的显示装置，并且也能够良好地检查具有矩形显示区域的显示装置。对于具有矩形显示区域的显示装置，也可利用设计信息进行检查范围或分析范围的设定及考虑到了显示区域外形部等的寄生电容的影响的加权运算。其结果是，在检查现有的具有矩形显示区域的显示装置时，也能够提高检查效率，并提高检查结果的分析精度。

在本发明的检查方法及检查装置中，由于利用设计信息，所以能够对应特殊的像素构造。不仅能够检查上述形状及尺寸不同的像素，而且能够检查平面转换(IPS)方式这样相对电极在像素内的构造。

并且，即使在像素内设置了用于控制取向、间隙的突起时，也能够进行检查。

进一步，即使在像素内设置有不直接由TFT控制、而是经由电容来控制的电极时，也能够进行检查。

并且，即使在像素内存在多个TFT及像素电极时也能够进行检查。进一步，即使在像素内设有存储显示数据的存储器的像素构造中也能够进行检查。

并且，例如日本专利第3042493号公报所示，在像素内设有放大器等电路的像素构造中也能够进行检查。

并且，即使在为了驱动OLED(有机EL)等发光元件而在像素内设置有多个TFT的像素构造中也能够进行检查。

即，在本发明中检查的显示装置用基板用于液晶显示装置、有机EL显示装置、电子纸等，而与构造无关。进一步，不仅是显示装置用基板，而且也能够检查具有非矩形的传感区域的X线传感器、红外传感器等传感器中使用的基板、及具有非矩形感应部的指纹读取用基板。并且，也可适用于生物芯片等中使用的基板。

上述说明以取入设计信息为前提，当未提供设计信息时，也可通过测定样本上的显示区域形状及像素配置而获得设计信息。该测定也可用其他光学测定装置等实施。并且，在本发明的检查装置中，在步骤1的阶段，变更通常检查中使用的束、束的角度及强度，或变更电子线束点的形状、尺寸而进行扫描，测定显示区域的形状、像素配置。

通过适用本发明，提供一种能够高效地检查具有非矩形显示区域的显示装置的检查装置。并且提供一种使用能够高效地检查具有非矩形显示区域的显示装置的检查装置所检查的、具有非矩形显示区域或矩形显示区域的显示装置用基板及显示装置。进一步，还提供一种不仅在显示装置中使用、而且还在具有像素构造且具有非矩形有源区域的传感器等中使用的基板的检查装置及使用了所检查的基板的传感器等装置。

通过适用本发明，能够将虚拟像素从检查对象中排除，无需根据检查结果排除虚拟像素部分的信息等的步骤。并且，利用虚拟像素的配置信息确定外周部的加权的构成中，能够正确地进行外周部的检查。进一步，在存储设计信息时，能够大幅减少所需的存储容量，并且在具有非矩形显示区域的显示装置中能够通过与特有的像素构造对应的数据构造保存检查结果。

此外，上述专利文献的公开内容引用到本说明书中。在本发明的全部公开内容(包括权利要求的范围)的范围内，可进一步根据其基本技术思想进行实施方式及实施例的变更、调整。并且，在本发明的权利要求范围内，可进行各种公开要素的多种组合及选择。即，本发明当然包括包含权利要求范围在内的所有公开内容及本领域技术人员可根据其技术思想获得的各种变形、修改。

Claims (35)

1.一种检查方法，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，

根据上述显示装置的设计信息，设定检查对象区域和分析对象区域中的至少一方。

2.根据权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

根据上述设计信息，对检测结果进行加权运算。

3.根据权利要求2所述的检查方法，其特征在于，

使用上述设计信息中与上述显示装置用基板的布线连接的像素的数量。

4.根据权利要求2所述的检查方法，其特征在于，

使用上述设计信息中上述像素周围的像素的数量或存在位置。

5.根据权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

根据上述设计信息，对判断检查对象优劣的阈值进行加权运算。

6.一种检查方法，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，具有以下步骤：

运算部输入上述显示装置的设计信息；

上述运算部根据上述设计信息设定检查对象区域；

上述运算部根据上述设计信息生成对检查所产生的检测信号的加权信息；

上述运算部保存测定部对检查对象所进行的检查测定的检测信号；

上述运算部对上述保存的检测信号和上述加权信息进行运算；

上述运算部设定进行上述检查对象的优劣判断的阈值；以及

上述运算部根据通过上述保存的检测信号和上述加权信息的运算所获得的加权检测信号及上述阈值，判断上述检查对象的优劣。

7.一种检查方法，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，具有以下步骤：

运算部输入上述显示装置的设计信息；

上述运算部根据上述设计信息设定检查对象区域；

上述运算部根据上述设计信息生成对判断检查对象的优劣的阈值的加权信息；

上述运算部保存测定部对检查对象所进行的检查测定的检测信号；

上述运算部设定进行上述检查对象的优劣判断的阈值；

上述运算部对上述阈值和上述加权信息进行运算；以及

上述运算部根据通过上述阈值和上述加权信息的运算所获得的加权阈值及上述检测信号，判断该检查对象的优劣。

8.根据权利要求6或7所述的检查方法，其特征在于，

向上述显示装置基板的检查对象区域照射电子束，通过检测器检测来自上述显示装置基板的二次电子，获得上述检查测定的检测信号。

9.根据权利要求8所述的检查方法，其特征在于，

根据上述设计信息，对应于上述显示装置基板外周部的像素及形状，控制向上述显示装置基板的像素照射的电子束点的配置及/或点数量。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的检查方法，其特征在于，

通过上述显示装置基板的一个像素和其周边像素所相关的二维加权，将与上述一个像素中存在的缺陷相关的信息处理得比不存在缺陷的周边像素的信息大，缺陷检测变得容易。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的检查方法，其特征在于，

通过上述显示装置基板的一个像素和其周边像素所相关的二维加权，与和上述一个像素的周边像素的缺陷相关的信息相比，将上述一个像素没有缺陷的信息处理得大，能够不受周边像素存在缺陷的影响地检测无缺陷像素。

12.根据权利要求6至11中任一项所述的检查方法，其特征在于，

通过上述显示装置基板的一个像素和其周边像素所相关的二维加权，排除与上述一个像素的周边像素的缺陷相关的信息，减少上述一个像素没有缺陷的信息受到有缺陷的周围像素的影响。

13.根据权利要求12所述的检查方法，其特征在于，

强调与上述一个像素的缺陷相关的信息，减少来自正常像素的影响。

14.一种检查装置，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，

根据上述显示装置的设计信息，设定检查对象区域和分析对象区域中的至少一方。

15.根据权利要求14所述的检查装置，其特征在于，

根据上述设计信息，对检测结果进行加权运算。

16.根据权利要求15所述的检查装置，其特征在于，

使用上述设计信息中与上述显示装置用基板的布线连接的像素的数量。

17.根据权利要求15所述的检查装置，其特征在于，

使用上述设计信息中上述像素周围的像素的数量或存在位置。

18.根据权利要求14所述的检查装置，其特征在于，

根据上述设计信息，对判断检查对象的优劣的阈值进行加权运算。

19.一种检查装置，具有运算部和测定部，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，

上述运算部具有：

输入上述显示装置的设计信息的单元；

根据上述设计信息设定检查对象区域的单元；

根据上述设计信息生成对检查所产生的检测信号的加权信息的单元；

保存上述测定部对检查对象所进行的检查测定的检测信号的单元；

对上述保存的检测信号和上述加权信息进行运算的单元；

设定进行上述检查对象的优劣判断的阈值的单元；以及

根据通过上述保存的检测信号和上述加权信息的运算所获得的加权检测信号及上述阈值，判断上述检查对象的优劣的单元。

20.一种检查装置，具有运算部和测定部，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，

运算部具有：

输入上述显示装置的设计信息的单元；

根据上述设计信息设定检查对象区域的单元；

根据上述设计信息生成对判断检查对象优劣的阈值的加权信息的单元；

保存上述测定部对检查对象所进行的检查测定的检测信号的单元；

设定进行上述检查对象的优劣判断的阈值的单元；

对上述阈值和上述加权信息进行运算的单元；以及

根据通过上述阈值和上述加权信息的运算所获得的加权阈值及上述检测信号，判断上述检查对象的优劣的单元。

21.根据权利要求19或20所述的检查装置，其特征在于，

上述测定部向上述显示装置基板的检查对象区域照射电子束，通过检测器检测来自上述显示装置基板的二次电子，获得上述检查测定的检测信号。

22.根据权利要求21所述的检查装置，其特征在于，

上述测定部根据上述设计信息，对应于外周部的像素及形状，控制向上述显示装置基板的像素照射的电子束点的配置及/或点数量。

23.一种通过权利要求1至13中任一项所述的检查方法检查的显示装置用基板。

24.一种包括权利要求23所述的显示装置用基板的显示装置。

25.一种显示装置的显示装置用基板的制造方法，该显示装置具有多个像素，并具有非矩形的显示区域，上述制造方法的特征在于，

在制造步骤中包括以下步骤：使用权利要求1至13中任一项所述的检查方法检查上述显示装置的显示装置用基板，并进行优劣判断。

26.根据权利要求1所述的检查方法，其特征在于，

上述设计信息包括虚拟像素的配置信息，将上述虚拟像素区域从检查对象区域排除。

27.根据权利要求2或5所述的检查方法，其特征在于，

使用与检查对象区域的像素相邻的虚拟像素的信息进行上述加权。

28.根据权利要求6或7所述的检查方法，其特征在于，

在生成上述加权信息时，使用与检查对象区域的像素相邻的虚拟像素的信息。

29.根据权利要求1至13中任一项所述的检查方法，其特征在于，

包括将上述设计信息变换为以下信息中的至少一方的步骤：

上述非矩形显示区域的外形信息；

以重复间距重复的像素单位的形状信息和连接信息；以及

重复的方向、用于重复的原点。

30.根据权利要求14所述的检查装置，其特征在于，

上述设计信息包括虚拟像素的配置信息，将上述虚拟像素区域从检查对象区域排除。

31.根据权利要求15或18所述的检查装置，其特征在于，

使用与检查对象区域的像素相邻的虚拟像素的信息进行上述加权。

32.根据权利要求19或20所述的检查装置，其特征在于，

在生成上述加权信息时，使用与检查对象区域的像素相邻的虚拟像素的信息。

33.根据权利要求14至22中任一项所述的检查装置，其特征在于，

将上述设计信息变换为含有以下信息中的至少一方的信息并存储：上述非矩形显示区域的外形信息；重复的基本单位即像素单位的形状信息和连接信息；以及重复的方向、原点位置的信息。

34.一种检查方法，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，

根据上述显示装置的设计信息，设定检查对象区域和分析对象区域中的至少一方，

上述设计信息包括上述显示区域内的虚拟像素的配置信息，

根据上述设计信息，确定是否将上述虚拟像素区域包含到检查对象区域中。

35.一种检查装置，检查具有多个像素且具有非矩形显示区域的显示装置的显示装置用基板，其特征在于，

根据上述显示装置的设计信息，设定检查对象区域和分析对象区域中的至少一方，

上述设计信息包括上述显示区域内的虚拟像素的配置信息，

根据上述设计信息，确定是否将上述虚拟像素区域包含到检查对象区域中。

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