WO2011155044A1 - Tftアレイ検査の電子線走査方法およびtftアレイ検査装置 - Google Patents
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- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
Definitions
- the present invention relates to a TFT array inspection performed in the manufacturing process of a liquid crystal substrate or the like, and more particularly to an electron beam scanning performed in the TFT array inspection.
- FIG. 6 (a) shows an example in which the number of electron beam irradiation points per pixel is four.
- the pixel pitch in the source direction (lateral direction in the drawing) of each pixel is Ps and the pixel pitch in the gate direction (vertical direction in the drawing) is Pg, in order to set the number of electron beam irradiation points per pixel to 4,
- the number of irradiation points and sampling points in one pixel can be reduced to two, and the bias of the irradiation position (sampling position) in the pixel can be reduced.
- the scanning in the source direction is shifted twice in the gate direction for each pixel row arranged in the source direction, and then the same scanning is performed on the pixel rows adjacent in the gate direction.
- the short arrow in the figure represents the scanning movement between the irradiation points, and the white long arrow represents the scanning direction in the pixel row in the source direction.
- the second irradiation position in the previous pixel and the first irradiation position in the next pixel are scanned in the scanning order. It is the form which makes it the same side with respect to the centerline of the pixel row to perform.
- one pixel is irradiated with an electron beam at two irradiation positions to obtain two detection signals, and each detection signal is detected from the previous irradiation position. Since it is within the afterglow time of the detection signal, it will be affected by the afterglow time. However, the influence of the detection signal detected from the second irradiation position in one pixel is one point within the same pixel. This detection signal is detected from the irradiation position of the eye and is not affected by the previous pixel, so even if there is a defect in the previous pixel, the second irradiation The influence on the detection signal detected from the position can be reduced.
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Abstract
Description
はじめに、第1の形態について図2、3を用いて説明する。図2では、TFTアレイのソース方向を走査方向とする場合について示し、二次元配置される複数のピクセルの内でソース方向に配列されるピクセル列の一列分の一部を示している。
はじめに、全てのピクセルに同電圧が印加されている場合について説明する。図2(a)に示すように、一ピクセル内の1点目の照射位置から検出される検出信号は、一つ前のピクセルの2点目の照射位置から検出される検出信号の残光時間の影響を受け、また、一ピクセル内の2点目の照射位置から検出される検出信号は、同じピクセルの1点目の照射位置から検出される検出信号の残光時間の影響を受けるが、1点目と2点目の照射位置が受ける残光時間による影響は、全てのピクセルが同電圧であるため何れの検出信号も同様に影響を受けることになる。
次に、ピクセルに交互に異なる電圧が印加されている場合について説明する。図2(c)に示すように、前記した全てのピクセルに同電圧が印加されている場合と同様に、一つ前の照射位置から検出される検出信号の残光時間の影響を受ける。このとき、1点目の照射位置から検出される検出信号は、印加電圧が異なる一つ前のピクセルの2点目の照射位置から検出される検出信号の残光時間の影響を受けるため、全ピクセルに同一の電圧が印加される場合よりも大きく影響を受ける。しかしながら、2点目の照射位置から検出される検出信号は、同じピクセルの1点目の照射位置から検出される検出信号の影響を受けるものであるため、正常ピクセルと欠陥ピクセルとの信号強度の差異によって欠陥検出を行う場合には、この残光時間による信号強度の変化による欠陥検出への影響は低減される。
次に、第2の形態について図4、5を用いて説明する。図4では、TFTアレイのソース方向を走査方向とする場合について示し、二次元配置される複数のピクセルの内でソース方向に配列されるピクセル列の一列分の一部を示している。
2 電子線源
3 二次電子検出器
4 検査信号生成部
5 信号処理部
6 欠陥検出部
7 ステージ
8 プローバ
9 走査制御部
10 基板
Ns サンプリングピッチ
Pg ピクセルピッチ
Ps ピクセルピッチ
Ts サンプリング時間
Δg オフセット量
Δs オフセット量
Claims (9)
- TFT基板のパネルに所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記パネル上に電子線を照射して走査し、当該電子線走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査において、
TFTアレイのソース方向に配列されるピクセル列、又はゲート方向に配列されるピクセル列に対して、前記ピクセル列の配列方向と同方向に電子線を走査すると共に、
走査するピクセル列中の各ピクセルにおいて、1点目の電子線の照射位置と2点目の電子線の照射位置を当該ピクセル内において対角線上においてピクセル列の中心線を挟んで対向する位置とし、
ピクセル列を一回走査する間に当該ピクセル列を二次元的に走査することを特徴とする、TFTアレイ検査の電子線走査方法。 - 各ピクセルにおける電子線の照射において、
電子線の走査方向に隣接するピクセル間において、走査順において前のピクセルにおける2点目の照射位置と次のピクセルにおける1点目の照射位置とは、走査を行うピクセル列の中心線に対して反対側にあることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ検査の電子線走査方法。 - 各ピクセルにおける電子線の照射において、
電子線の走査方向に隣接するピクセル間において、走査順において前のピクセルにおける2点目の照射位置と次のピクセルにおける1点目の照射位置とは、走査を行うピクセル列の中心線に対して同じ側にあることを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ検査の電子線走査方法。 - 各ピクセル内で照射する2点の照射位置において、走査方向の間隔は配列方向のピクセルピッチの1/2であり、走査方向と直交する方向の間隔は配列方向と直交する方向のピクセルピッチの1/2であることを特徴とする、請求項1から3の何れか一つに記載のTFTアレイ検査の電子線走査方法。
- TFT基板のパネルに所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記パネル上に電子線を照射して走査し、当該電子線走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、
前記電子線走査を制御する走査制御部を備え、
前記走査制御部は、TFTアレイのソース方向に配列されるピクセル列、又はゲート方向に配列されるピクセル列に対して、前記ピクセル列の配列方向と同方向に電子線を走査すると共に、
走査するピクセル列中の各ピクセルにおいて、1点目の電子線の照射位置と2点目の電子線の照射位置を当該ピクセル内において対角線上においてピクセル列の中心線を挟んで対向する位置とし、
ピクセル列を一回走査する間に当該ピクセル列を二次元的に走査することを特徴とする、TFTアレイ検査装置。 - 各ピクセルにおける電子線の照射において、
電子線の走査方向に隣接するピクセル間において、走査順において前のピクセルにおける2点目の照射位置と次のピクセルにおける1点目の照射位置とは、走査を行うピクセル列の中心線に対して反対側にあることを特徴とする、請求項5に記載のTFTアレイ検査装置。 - 各ピクセルにおける電子線の照射において、
電子線の走査方向に隣接するピクセル間において、走査順において前のピクセルにおける2点目の照射位置と次のピクセルにおける1点目の照射位置とは、走査を行うピクセル列の中心線に対して同じ側にあることを特徴とする、請求項5に記載のTFTアレイ検査装置。 - 各ピクセル内で照射する2点の照射位置において、走査方向の間隔は配列方向のピクセルピッチの1/2であり、走査方向と直交する方向の間隔は配列方向と直交する方向のピクセルピッチの1/2であることを特徴とする、請求項5から7の何れか一つに記載のTFTアレイ検査装置。
- 前記電子線を照射する電子線源と、TFT基板を載置すると共に、載置したTFT基板を移動するステージとを備え、
前記走査制御部は、前記電子線源が照射する電子線の照射方向を制御して前記ピクセル列を二次元的に走査し、前記ステージの移動を制御して前記電子線が照射するピクセル列を切り替えることを特徴とする、請求項5から8の何れか一つに記載のTFTアレイ検査装置。
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