JP5578441B2 - Tftアレイ検査装置およびtftアレイ検査方法 - Google Patents
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Description
本発明のTFTアレイ検査方法の態様は、TFT基板のピクセルに対して異なる大きさの所定電圧の検査信号を二次元的に交互に印加してアレイを駆動し、このパネル上に荷電ビームを照射して走査し、荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査方法であり、荷電ビームの照射によってパネル上の各ピクセルのサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出工程と、サンプリング点の信号強度を用いて各ピクセルについて欠陥検出用の信号強度を選出する信号強度選出工程と、欠陥検出用の信号強度に基づいてピクセルの欠陥を判定する欠陥判定工程とを備える。
本発明のTFTアレイ検査装置の態様は、TFT基板のピクセルに対して異なる大きさの所定電圧の検査信号を二次元的に交互に印加してアレイを駆動し、パネル上に荷電ビームを照射して走査し、荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査装置であり、荷電ビームの照射によってパネル上の各ピクセルのサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出部と、サンプリング点の信号強度を用いて各ピクセルについて欠陥検出用の信号強度を選出する信号強度選出部と、欠陥検出用の信号強度に基づいてピクセルの欠陥を判定する欠陥判定部とを備える。
(1行分のサンプリング点が欠如している場合)
図4は4×4点のピクセルにおいて1行分のサンプリング行が欠如した例を示し、サンプリング点の信号強度のレベルを白と黒で表示している。
図5は4×4点のピクセルにおいて2行分のサンプリング行が欠如した例を示し、サンプリング点の信号強度のレベルを白と黒で表示している。
図6は4×4点のピクセルにおいて3行分のサンプリング行が欠如した例を示し、サンプリング点の信号強度のレベルを白と黒で表示している。
前記した適用例は、ピクセルサイズが等しく均等間隔に配置されている場合である。本願発明は、ピクセルサイズが異なる場合であっても適用することができる。
図8は、4×2点のピクセルPbにおいて1行分のサンプリング行が欠如した例を示し、サンプリング点の信号強度のレベルを白と黒で表示している。
図9は、4×3点のピクセルPcにおいて1行分のサンプリング行が欠如した例を示し、サンプリング点の信号強度のレベルを白と黒で表示している。
図11は、4×4点のピクセルPaにおいて1行分のサンプリング行が欠如した例を示し、サンプリング点の信号強度のレベルを白と黒で表示している。
A2 第2の領域
A3 第3の領域
B 判定ピクセル領域
O 重心
P1〜P3 ピクセル
Pa〜Pd ピクセル
1 アレイ検査装置
2 ステージ
3 電子銃
4 検出器
5 電子線走査制御部
6 ステージ駆動制御部
7 制御部
10 信号処理部
11 信号強度検出部
12 記憶部
13 信号強度選出部
13a 重心検出部
13b 領域設定部
13c 信号強度抽出部
14 欠陥判定部
100 基板
101 パネル
Claims (6)
- TFT基板のピクセルに対して異なる大きさの所定電圧の検査信号を二次元的に交互に印加してアレイを駆動し、前記パネル上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査方法において、
前記荷電ビームの照射によってパネル上の各ピクセルのサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出工程と、
前記サンプリング点の信号強度を用いて各ピクセルについて欠陥検出用の信号強度を選出する信号強度選出工程と、
前記欠陥検出用の信号強度に基づいてピクセルの欠陥を判定する欠陥判定工程とを備え、
前記信号強度選出工程は、
ピクセル中の複数のサンプリング点の重心を求める重心検出工程と、
前記重心を含みピクセルより小さい領域を第1の領域として設定し、前記第1の領域に対してy方向に隣接するピクセルのサンプリング点を含むようにずれた第2の領域を設定し、前記第1の領域に対してy方向に前記第2の領域と反対方向に隣接するピクセルのサンプリング点を含むようにずれた第3の領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定で設定した各領域におけるサンプリング点の信号強度から欠陥検出用の信号強度を抽出する信号強度抽出工程とを備え、
前記欠陥判定工程は、
前記信号強度選出工程で選出した前記第1〜3の領域内のサンプリング点の信号強度を、前記検査信号の電圧に基づいて得られる信号強度レベルを判定条件としてピクセルの欠陥を判定し、当該欠陥検出で検出された欠陥ピクセルに対応するアレイを欠陥アレイとして検出し、
前記判定条件は、第1〜3の領域内のサンプリング点の信号強度において、検査信号の電圧に基づいて得られる2種類の信号強度レベルを含む場合には当該ピクセルは正常ピクセルと判定し、前記2種類の信号強度レベルの何れか一方の種類の信号強度レベルのみを含む場合には当該ピクセルは欠陥ピクセルと判定することを特徴とする、TFTアレイ検査方法。 - 前記各ピクセルは4×4点の計16点のサンプリング点を有し、前記第1〜第3の領域は、それぞれ2×2点の計4点のサンプリング点を含み、
前記判定条件は、
各領域の4点のサンプリング点からなる全12点のサンプリング点の信号強度について、少なくとも1つのサンプリング点の信号強度の信号強度レベルが他のサンプリング点の信号強度の信号強度レベルと異なる場合には当該ピクセルは正常ピクセルと判定し、
各領域の4点のサンプリング点からなる全12点のサンプリング点の信号強度について、全ての信号強度のレベルが前記2種類の信号強度レベルの何れか一方の種類の信号強度レベルである場合には当該ピクセルは欠陥ピクセルと判定することを特徴とする、請求項1に記載のTFTアレイ検査方法。 - 前記領域設定工程において、
前記第1〜第3の領域は、サンプリング点を同じ配置で備える領域であり、
前記第2の領域は、第1の領域に対してy方向に1サンプリング点分だけずれたサンプリング点を有し、
前記第3の領域は、第1の領域に対してy方向に前記第2の領域と反対方向に1サンプリング点分だけずれたサンプリング点を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載のTFTアレイ検査方法。 - TFT基板のピクセルに対して異なる大きさの所定電圧の検査信号を二次元的に交互に印加してアレイを駆動し、前記パネル上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で検出される検出信号に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFTアレイ検査装置において、
前記荷電ビームの照射によってパネル上の各ピクセルのサンプリング点の信号強度を検出する信号強度検出部と、
前記サンプリング点の信号強度を用いて各ピクセルについて欠陥検出用の信号強度を選出する信号強度選出部と、
前記欠陥検出用の信号強度に基づいてピクセルの欠陥を判定する欠陥判定部とを備え、
前記信号強度選出部は、
ピクセル中の複数のサンプリング点の重心を求める重心検出部と、
前記重心を含みピクセルより小さい領域を第1の領域として設定し、
前記第1の領域に対してy方向に隣接するピクセルのサンプリング点を含むようにずれた第2の領域を設定し、前記第1の領域に対してy方向に前記第2の領域と反対方向に隣接するピクセルのサンプリング点を含むようにずれた第3の領域を設定する領域設定部と、
前記領域設定で設定した各領域におけるサンプリング点の信号強度から欠陥検出用の信号強度を抽出する信号強度抽出部とを備え、
前記欠陥判定部は、
前記信号強度選出部で選出した前記第1〜3の領域内のサンプリング点の信号強度を、前記検査信号の電圧に基づいて得られる信号強度レベルを判定条件としてピクセルの欠陥を判定し、当該欠陥検出で検出された欠陥ピクセルに対応するアレイを欠陥アレイとして検出し、前記判定条件は、第1〜3の領域内のサンプリング点の信号強度において、検査信号の電圧に基づいて得られる2種類の信号強度レベルを含む場合には当該ピクセルは正常ピクセルと判定し、前記2種類の信号強度レベルの何れか一方の種類の信号強度レベルのみを含む場合には当該ピクセルは欠陥ピクセルと判定することを特徴とする、TFTアレイ検査装置。 - 前記各ピクセルは4×4点の計16点のサンプリング点を有し、前記第1〜第3の領域は、それぞれ2×2点の計4点のサンプリング点を含み、
前記判定条件は、
各領域の4点のサンプリング点からなる全12点のサンプリング点の信号強度について、少なくとも1つのサンプリング点の信号強度の信号強度レベルが他のサンプリング点の信号強度の信号強度レベルと異なる場合には当該ピクセルは正常ピクセルと判定し、
各領域の4点のサンプリング点からなる全12点のサンプリング点の信号強度について、全ての信号強度のレベルが前記2種類の信号強度レベルの何れか一方の種類の信号強度レベルである場合には当該ピクセルは欠陥ピクセルと判定することを特徴とする、請求項4に記載のTFTアレイ検査装置。 - 前記領域設定部において、
前記第1〜第3の領域は、サンプリング点を同じ配置で備える領域であり、
前記第2の領域は、第1の領域に対してy方向に1サンプリング点分だけずれたサンプリング点を有し、
前記第3の領域は、第1の領域に対してy方向に1サンプリング点分だけ前記第2の領域と反対方向にずれたサンプリング点を有することを特徴とする、請求項4又は5に記載のTFTアレイ検査装置。
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