CN101501989B - 弹性表面波装置的制造方法 - Google Patents
弹性表面波装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101501989B CN101501989B CN2007800294215A CN200780029421A CN101501989B CN 101501989 B CN101501989 B CN 101501989B CN 2007800294215 A CN2007800294215 A CN 2007800294215A CN 200780029421 A CN200780029421 A CN 200780029421A CN 101501989 B CN101501989 B CN 101501989B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- framework
- wave apparatus
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/008—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having three acoustic tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
- H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/02—Forming enclosures or casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H2003/0071—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of bulk acoustic wave and surface acoustic wave elements in the same process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供一种弹性表面波装置的制造方法,能够降低电气特性的劣化,减少制造工序的工数。弹性表面波装置的制造方法具有:在压电基板的上表面形成IDT电极的工序;形成框体的工序,所述框体包围在所述压电基板上形成有所述IDT电极的形成区域;形成保护罩的工序,在所述框体的上表面载置薄膜状的盖体并和所述框体接合,由此覆盖所述形成区域并且在和所述形成区域之间设置密闭空间。
Description
技术领域
本发明涉及主要用于移动通信设备等无线通信电路的弹性表面波装置的制造方法,尤其是涉及能够使可表面安装的弹性表面波装置小型化,并且可用晶片工艺进行到封装的弹性表面波装置的制造方法。
背景技术
近年来,用于移动通信的便携终端装置,为了进一步的小型化、轻量化,并且与多个通信***对应的多频带化及便携终端装置的多功能化,内置的电路增加。因此,使用的电子部件为了提高其安装密度,而迫切希望制成可表面安装的小型部件。
另一方面,作为便携终端装置的键部件有弹性表面波装置。在弹性表面波装置中,在弹性表面波激励的电极面附近设置中空部,且在确保振动空间的同时,需要气密密封该振动空间。因此,例如,弹性表面波装置收容于陶瓷封装内。这种弹性表面波装置也要求具有低损失且优异的通过带域外的遮蔽特性,并且是可表面安装的小型的弹性表面波装置。
对于该小型化的要求,提案有WLP(Wafer Level Package)类型的表面安装构造的弹性表面波装置(例如,参照特开平9-172339号公报、特表2005-537661号公报)。
图9是说明现有的弹性表面波装置的制造方法的图。在现有的弹性表面波装置的制造方法中,首先,如图9(a)所示,以覆盖在压电基板961上形成的弹性表面波元件的电极图案962的表面、且使与电极图案962连接的电极焊盘968的至少一部分露出的方式,形成由多晶硅、非晶硅等构成的牺牲层963。接着,如图9(b)所示,以覆盖牺牲层963的方式形成保护罩964后,在保护罩964上形成使内部牺牲层963露出的贯通孔965。接着,如图9(c)所示,利用干式蚀刻法等通过贯通孔965除去牺牲层963,在电极图案962上形成中空部966,从而得到弹性表面波装置。
但是,如图9所示,在应用牺牲层963形成保护罩964的情况,在除去牺牲层963的工序中,存在的问题为,因在中空部966残留的蚀刻液及蚀刻生成物的影响,而劣化弹性表面波装置的电气特性。
另外,在用于形成中空部966的制造工序中存在的问题为工数多、制造工序复杂。
发明内容
本发明是为解决上述问题而开发的,其目的在于提供一种弹性表面波装置的制造方法,不使用牺牲层设置中空部,由此能够降低电气特性的劣化。另外,提供的弹性表面波装置的制造方法,能够减少用于制造中空部的制造工序的工数。
为解决本发明的上述课题,第一方面提供一种弹性表面波装置的制造方法,其具有:(a)在压电基板的上表面形成IDT电极的工序;(b)形成框体的工序,所述框体包围在所述压电基板的上表面形成IDT电极的形成区域;(c)形成保护罩的工序,该保护罩由所述框体和所述盖体构成,其用于通过在所述框体的上表面载置薄膜状的盖体并和所述框体接合,覆盖所述形成区域,并且在和所述形成区域之间设置密闭空间。
根据第一方面,不应用牺牲层而能够在形成区域和保护罩间形成密闭空间,因此能够制造降低了电气特性劣化的弹性表面波装置。
另外,不应用牺牲层而能够在第一区域和保护罩间形成密闭空间,因此,能够减少用于形成密闭空间的工数,能够提高生产性。
第二方面在第一方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,所述工序(b)具有:(b-1)将第一薄膜载置于所述压电基板之上的工序;(b-2)利用光刻法在对所述第一薄膜构图后进行固化而形成所述框体的工序。
根据第二方面,只载置第一薄膜就能够形成均匀厚度的框体,因此,可将盖体无间隙地载置于框体的上表面。因此,能够用简易的工序可靠地密封弹性表面波元件区域上的密闭空间。
第三方面在第二方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,所述框体和所述盖体是同一材质。
根据第三方面,在接合框体和盖体的情况下,能够将两者作为由同一材料构成的保护罩进行一体化。由此,能够提高两者的密接强度及保护罩的气密性,能够制造高可靠性的弹性表面波装置。
第四方面在第一方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,所述工序(c)具有:(c-1)将包括树脂层和杨氏模量比所述树脂层高的保持层的第二薄膜以使所述保持层为上侧的方式载置于所述框体的上表面的工序;(c-2)利用光刻法在对所述第二薄膜构图后进行固化而形成所述盖体的工序;(c-3)在将所述框体和所述盖体接合后,除去所述第二薄膜的所述保持层的工序。
根据第四方面,由于保持层保持树脂层,因此能够抑制第二薄膜的整体变形,能够可靠地形成密闭空间。
第五方面在第一方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其还具有:(d)工序,在所述工序(a)之后且所述工序(b)之前,形成由覆盖所述IDT电极的绝缘材料构成的保护膜的工序,在所述工序(b)中,在所述保护膜的上表面形成所述框体。
根据第五方面,能够提高向框体的被形成面的密接性,能够提高弹性表面波装置的可靠性。
第六方面在第一方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,弹性表面波装置还具有用于连接所述IDT电极和外部电路的连接线,所述连接线的一部分延伸向所述框体的外侧。
根据第六方面,在密封密闭空间的状态,能够自由决定与外部电路接合的连接线的位置。因此,能够制造通用性高的弹性表面波装置。
第七方面在第六方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,还具有:(e)形成镀敷用基底层的工序,该镀敷用基底层覆盖形成所述保护罩的一张晶片状的所述压电基板;(f)在所述镀敷用基底层上形成镀敷用抗蚀膜的工序,所述镀敷用抗蚀膜在位于所述保护罩的外侧的所述连接线上具有开口部;(g)在所述开口部的底部露出的所述镀敷用基底层上,通过镀敷法形成柱状电极的工序;(h)残留所述柱状电极,除去所述镀敷用抗蚀膜和所述镀敷用基底层的工序;(i)在所述压电基板上,形成覆盖所述保护罩和所述柱状电极的密封树脂膜的工序;(j)研磨所述密封树脂膜的上表面,露出所述柱状电极的工序。此外,在工序(j)之后,还包括(k)在所述柱状电极的上表面形成外部连接电极的工序。
根据第七方面,能够提供可表面安装的弹性表面波装置。另外,能够晶片水平地制造弹性表面波装置,因此能够不经由复杂的工序而提供弹性表面波装置。
第八方面在第七方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,还具有:(1)在所述压电基板的下表面,形成由热膨胀系数和所述密封树脂膜大致同样的材料构成的保护层的工序。
根据第八方面,能够提高制造时及制造后的弹性表面波装置的耐冲击性。因此,能够抑制弹性表面波装置的破裂、缺口等不良现象的发生,提高成品率,提高弹性表面波装置的可靠性。
第九方面在第七方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,经过所述工序(j)后,所述柱状电极的最上部的高度比所述保护罩的最上部的高度更高。
根据第九方面,能够充分确保保护罩的气密性。
第十方面在第七方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,在所述工序(f)中,通过多次重复操作抗蚀材料的涂敷及固化而形成所述镀敷用抗蚀膜。
根据第十方面,可使用考虑被覆盖性及操作性等而调整了的抗蚀材料来形成所希望的厚度的镀敷用抗蚀膜,因此,能够提高生产率。另外,能够形成所希望的厚度的镀敷用抗蚀膜,其结果是能够形成所希望的高度的柱状电极。
第十一方面在第六方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,弹性表面波装置具有多个所述IDT电极,并且,还具有与所述IDT电极连接的多个导体图案,所述多个导体图案具有:第一导体图案、绝缘层、隔着所述绝缘层与第一导体图案交差的第二导体图案。
根据第十一方面,能够提供使在压电基板上形成的IDT形成区域本身小型化,并且在安装形态也进一步小型化的弹性表面波装置。
第十二方面在第十一方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,所述绝缘层的材质是氧化硅或聚酰亚胺类树脂。
根据第十二方面,作为绝缘层能够容易地形成数μm厚度的膜,并且,能够高精度地进行加工。
第十三方面在第一方面的基础上,提供弹性表面波装置的制造方法,其中,在一张晶片状的所述压电基板上形成多个含有所述IDT电极的弹性表面波元件区域,且还具有,(m)将所述压电基板分离成各所述弹性表面波元件区域且形成多个弹性表面波装置的工序。
根据第十三方面,能够同时制造多个WLP弹性表面波装置,且实现大幅简化制造工序,能够提高批量生产性。
附图说明
图1是说明第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法的图;
图2是弹性表面波装置的平面透视图;
图3是说明第二实施方式的框体形成工序的图;
图4是说明第三实施方式的盖体形成工序的图;
图5是说明第四实施方式的电极形成方法的图;
图6是第五实施方式的弹性表面波装置的平面图;
图7是说明导体图案的形成方法的图;
图8是说明第六实施方式的弹性表面波装置的制造方法的图;
图9是说明现有的弹性表面波装置的制造方法的图。
具体实施方式
[第一实施方式]
第一实施方式涉及弹性表面波装置的制造方法。
图1是说明第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法的图。图1(a)~图1(d)是弹性表面波装置1的半成品的剖面图,图1(e)是弹性表面波装置1的剖面图。图1(a)~图1(e)是用于辅助弹性表面波装置1的半成品或弹性表面波装置1的各部的位置关系的理解的示意图。
如图1(e)所示,利用第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法制造的弹性表面波装置1具备:压电基板101、形成于压电基板101的一个主面的上表面的IDT(Inter Digital Transducer:叉指换能器)电极102及连接线103、形成于压电基板101的另一个主要面的下表面的背面电极104、形成于压电基板101的上表面且覆盖IDT电极102的保护膜105、形成于保护膜105的上表面且包围形成有IDT电极102的区域191的框体106、载置于框体106的上表面且覆盖区域191的盖体107。框体106和盖体107接合,成为保护罩117。
弹性表面波装置1可以是滤波器、共振器、延迟线、收集器等的任一个。另外,IDT电极102激励的弹性波也可以是瑞利波、SH波的任一种。另外,弹性表面波装置1是滤波器的情况下,弹性波表面装置1可以是共振型滤波器、横向型滤波器的任一种。
接着,按照顺序说明第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法。
{IDT电极形成工序}
在弹性表面波装置的制造中,首先,如图1(a)所示,在压电基板101的上表面的弹性表面波元件区域192形成IDT电极102及连接线103,在压电基板101的下表面的整个面上形成背面电极104。在此,所谓“弹性表面波元件区域”,意思是包括构成一个弹性表面波装置1所需要的IDT电极102及连接线103的区域。
压电基板101是压电材料的基板。作为压电材料,例如,可以使用钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、水晶(SiO2)、四硼酸锂(Li2B4O7)、氧化锌(ZnO)、铌酸钾(KNbO3)、硅酸镓镧(La3Ga3SiO14)等单结晶。
IDT电极102是导电材料的膜。作为导电材料,例如,可以使用以铝一铜合金(Al-Cu)为代表的铝(Al)合金,铝(Al)单体金属等。另外,IDT电极102也可以是将由不同种类的导电材料构成的多个层进行层叠而形成的膜。
IDT电极102的平面形状为使至少一对梳齿状电极121、122(参照图2)以电极指交互排列的方式相互啮合的平面形状。IDT电极102将与向一对梳状电极121、122施加的激励信号对应的弹性表面波作为在压电基板101的上表面激励的激励电极发挥功能。
另外,不必用单个IDT电极102构成弹性表面波装置1,也可以用串联连接和并联连接等的连接方式连接多个IDT电极102而构成弹性表面波装置。若连接这种多个IDT电极102,则能够构成梯形弹性表面波滤波器、晶格型弹性表面波滤波器、双层模式弹性表面波滤波器等。
连接线103也是导电材料的膜。作为导电材料,例如,可以使用以铝铜合金为代表的铝合金,铝单体金属等。另外,连接线103也可以是将由不同种类的导电材料构成的多层进行层叠而形成的膜。
连接线103与IDT电极102连接。连接线103是用于连接IDT电极102和外部电路而设置。
连接线103的线宽度没有特别的限定,但是,理想的是将未与IDT电极102连接的侧的端部制成宽幅。只要制成宽幅就容易和外部电路连接。
IDT电极102及连接线103可以通过如下方法得到,所述方法为将利用溅射法、蒸镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学蒸镀)法等薄膜形成法形成的膜通过应用缩小投影曝光机(逐次移动式曝光装置)和RIE(Reactive Ion Etching)装置的光刻法等进行构图而加工成所希望的形状。另外,利用该方法形成IDT电极102及连接线103的情况下,理想的是用同一种材料构成IDT电极102及连接线103并且在同一工序中形成。
背面电极104也是导电材料的膜。作为导电材料,例如,可以使用以铝铜合金为代表的铝合金,铝单体金属等。另外,背面电极104也可以是将由不同种类的导电材料构成的多层进行层叠而形成的膜。
背面电极104也可以利用溅射法、蒸镀法、CVD法等薄膜形成法形成。背面电极104不一定是必须的。但是,若设置背面电极104,则通过接地能够消除由于温度变化而在压电基板101的表面引起的焦电电荷,因此,能够降低电火花等引起的压电基板101的破裂和IDT电极102的电极指间及多个IDT电极102间的电火花的问题。
另外,为了关闭弹性表面波,也可以在压电基板101的上表面形成反射器电极。这种反射器电极从IDT电极102看在弹性表面波的两个传播方向形成。形成反射器电极的情况下,理想的是用同一种材料构成反射器电极及IDT电极102,并且在同一工序中形成。
{保护膜形成工序}
下面,如图1(b)所示,形成覆盖IDT电极102的全部及连接线103的一部分的保护膜105。
保护膜105是绝缘材料的膜。作为绝缘材料,例如,可以使用氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、硅(Si)等。
保护膜105可以通过利用光刻法除去利用CVD法、溅射法等薄膜形成法形成的膜的一部分而得到。在此,之所以除去一部分,是为了露出连接线103的一部分,能够使弹性表面波装置1与外部电路连接。
保护膜105保护IDT电极102及连接线103,降低IDT电极102及连接线的103的氧化。
{框体形成工序}
下面,如图1(c)所示,在弹性表面波元件区域192上形成包围形成有IDT电极102的区域191的框体106。框体106只要以至少包围IDT电极102的方式形成即可,但是,也可以形成为包围IDT电极102之外的含有连接线103及反射器电极等的区域。
框体106也可以通过对利用通常的膜形成方法在压电基板101上形成的膜进行构图而形成,也可以通过在压电基板101上贴合另一个框状体而形成。
通过前者方法形成框体106的情况下,例如,将由第一抗蚀剂构成的第一抗蚀膜利用光刻法在构图后固化,由此,可形成框体106。该情况下,作为第一抗蚀剂,例如,可以使用环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、BCB(苯环丁烷)类树脂、丙烯类树脂等树脂。由第一抗蚀剂构成的膜例如可以通过在弹性表面波元件区域192上利用旋涂法、印刷法等涂敷抗蚀液而形成。其中,理想的是通过旋涂法形成由第一抗蚀剂构成的膜。通过旋涂法形成由第一抗蚀剂构成的膜的情况下,即使在成为基底的构造上多少有台阶,也可以在成为基底的构造间没有间隙地形成由第一抗蚀剂构成的膜,可以形成密接性优异的框体106。由这样形成的第一抗蚀剂构成的膜经由曝光工序及显影工序,被加工成包围形成有该IDT电极102的区域191的框体106。
{盖体形成工序}
下面,在框体106的上表面载置薄膜状的盖体107,且将框体106和盖体107接合。由此,能够形成在与形成有IDT电极102的区域191间设置密闭的振动空间(密闭空间)193的保护罩117。
盖体107也可以通过将薄膜状的膜载置于框体106上后利用通常的光刻技术进行构图而形成,也可以通过在框体106的上表面载置分体的构图加工后的盖状体而形成。在此,所谓薄膜状是指,在包括具有感光性材料的情况下,减薄至相对于来自膜的厚度方向的光照射在厚度方向全体反应行进的程度。另外,下面,对在载置由第二抗蚀剂构成的薄膜状的成形体即第二薄膜115后通过构图而形成盖体107的例进行了说明。
用第二薄膜115形成盖体107时,首先,如图1(d)所示,将第二薄膜115载置于框体106的上表面且覆盖形成有IDT电极102的区域191。作为第二抗蚀剂,例如,可以使用环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、BCB类树脂、丙烯类树脂等树脂。第二薄膜115预先形成薄膜状,因此,能够只载置在框体106的上表面并在和压电基板101之间形成振动空间193。为在框体106的上表面载置第二薄膜115,只要一边进行温度管理,一边使用可用轧辊对薄膜加压且进行粘贴的粘贴机,适当地设定温度及压力,将第二薄膜115粘贴于框体106的上表面即可。
下面,如图1(e)所示,经过曝光工序及显影工序,除去载置的第二薄膜115的框体106更外侧的部分,加工成覆盖形成有IDT电极102区域191的盖体107。之后,接合框体106及盖体107,形成保护罩117。为了接合框体106和盖体107,只要根据抗蚀层材料,加热框体106及盖体107,或对框体106及盖体107照射光即可。例如,作为框体106及盖体107的材料使用环氧树脂时,只要将框体106及盖体107加热到100℃即可。根据这样形成的保护罩117,能够设置振动空间193,并且能够密封IDT电极102,因此,能够降低IDT电极102等的氧化等。
另外,这样在框体106形成后形成盖体107,在接合两者的情况下,框体106的剖面形状多成梯形状。这是因为在对框体106构图之后,即使剖面形状为长方形,由于在其上设置盖体107且将两者接合,从而因暂时施加热等而变形。
{弹性表面波装置的可靠性}
经过这些IDT电极形成工序、保护膜形成工序、框体形成工序及盖体形成工序,能够制造图1(e)所示的弹性表面波装置1。根据第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法,为形成振动空间193而不需要使用牺牲层,因此,不会发生如应用牺牲层的场合那样,在除去牺牲层时,在形成的中空构造的内部(振动空间193)残留腐蚀剂和蚀刻造成的残留生成物。因此,根据第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法,能够降低制造的弹性表面波装置1的电特性的劣化。即,可提高制造的弹性表面波装置1的可靠性。
{和外部电路的连接}
如图1(e)所示,为了将弹性表面波装置1和外部电路连接,将连接线103引出向保护罩117的外侧,在保护罩117的外侧,只要在连接线103上形成外部连接用电极,或在连接线103上接合外部连接用电线即可。
这样,在使连接线103的一部分延长以引出向保护罩117即框体106的外侧的情况下,在密封振动空间193的状态下,能够对准外部电路而自由决定连接线103的位置。因此,能够制造通用性高的弹性表面波装置1。但是,不是一定要将连接线103向保护罩117的外侧引出。例如,也可以在用保护罩117覆盖的内侧,在压电基板101上形成通孔,且在压电基板101的下表面和外部电路连接,也可以在保护罩117的框体106的部分和位于其上的盖体107的一部分设置贯通孔,并在保护罩117的上表面和外部电路连接。
{框体向保护膜的上表面的形成}
图2是弹性表面波装置1的平面透视图。上述的图1(e)为图2中A-A截面的弹性表面波装置1的剖面图。图2中,为了容易理解框体106的配置,在框体106的局部标注阴影线。如图2所示,保护膜105在形成有IDT电极102及连接线103的区域的一部分形成。
理想的是框体106在覆盖IDT102的保护膜105的上表面形成。虽然理由不清楚,但是,在保护膜105的上表面形成框体106时,能够提高与框体106的被形成面(在此是保护膜105的上表面)的密接性。例如,作为保护膜105的材料应用氧化硅,且作为第一抗蚀剂应用环氧树脂类时,能够提高与框体106的被形成面的密接性。这被认为是由于氧化硅和环氧树脂间的氢结合所导致的。
另外,将连接线103引出到保护罩117的外侧的情况下,框体106跨过连接线103,但是,若在保护膜105的上表面形成框体106,则保护膜105缓解连接线103产生的台阶差,因此,能够在大致平坦的被形成面形成框体106。因此,将连接线103引出到保护罩117的外侧的情况下,与在保护膜105的上表面以外形成框体106相比,在保护膜105的上表面形成框体106一方更能够在被形成面牢固地连接框体106。
但是,这不妨碍在保护膜105的上表面以外形成框体106。
{第一抗蚀剂及第二抗蚀剂的选择}
在框体形成工序及盖体形成工序中,若将第一抗蚀剂及第二抗蚀剂设定为同一材料,则在接合框体106和盖体107时可将两者一体化。另外,若将第一抗蚀剂和第二抗蚀剂设定为同一材料,则两者的接合面成为同一材料彼此的界面,因此,能够提高两者的密接强度及保护罩117的气密性。因此,能够制造高可靠性的弹性表面波装置1。尤其是,作为第一抗蚀剂及第二抗蚀剂使用环氧树脂,且在100℃~200℃的范围加热框体106和盖体107的情况下,能够促进进一步的重合,因此,能够提高两者的密接强度及保护罩117的气密性。
另外,若将第一抗蚀剂及第二抗蚀剂设定为同一材料时,则由此形成的框体106和盖体107成为同一材质,其结果能够一体化保护罩117。
[第二实施方式]
第二实施方式是关于可代替第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法的框体形成工序而采用的框体形成工序。
图3是说明第二实施方式的框体形成工序的图。图3(a)及图3(b)为弹性表面波装置1的半成品的剖面图。图3(a)及图3(b)是用于帮助理解弹性表面波装置1的半成品的各部的位置关系的示意图。
在第二实施方式的框体形成工序中,作为由第一抗蚀膜构成的膜应用薄膜状的成形体。即,首先,如图3(a)所示,在压电基板101上载置由第一抗蚀膜构成的第一薄膜219。之后,如图3(b)所示,通过光刻法对第一薄膜219进行构图后使其固化。
根据第二实施方式的框体形成工序,能够形成均匀厚度的框体106,因此,能够在框体106的上表面无间隙地载置第二薄膜115。因此,能够用简易的工序可靠地密封弹性表面波元件区域192上的振动空间193。
另外,根据第二实施方式的框体形成工序,可利用光刻法对第一薄膜219进行构图,因此,能够在所希望的部位高精度地形成数微米范围的微细图案。因此,能够将框体106高精度地形成所希望的图形。
[第三实施方式]
第三实施方式是关于可代替第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法的盖体形成工序而采用的盖体形成工序。
图4(a)~图4(d)是说明第三实施方式的盖体形成工序的图。图4(a)~图4(c)为弹性表面波装置1的半成品的剖面图。图4(d)是弹性表面波装置的剖面图。图4(a)~图4(d)是用于帮助理解弹性表面波装置1的半成品或弹性表面波装置1的各部的位置关系的示意图。
如图4(a)所示,在第三实施方式的盖体形成工序中使用的第二薄膜315是对树脂层315a和杨氏模量比树脂层315a的高的保持层315b这两层进行层叠而构成是。
具体而言,作为树脂层315a,优选具有感光性,且通过热而固化且机械强度及耐药性优异的树脂。例如,可以使用由环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、BCB类树脂、丙烯类树脂等构成的层。作为保持层315b应用PET(PolyEthylene Terephthalate)薄膜等、杨氏模量比树脂层315a的高、并且从树脂层315a的剥离性良好且热稳定的材料。另外,保持层315b设定为具有透光性的材料。用于通过保持层315b对树脂层315a进行曝光。另外,保持层315b要求具有即使在使树脂层315a固化的温度也不会变质的耐热性。
另外,例如,树脂层315a及保持层315b的杨氏模量只要以ISO规格(例如ISO14577)为基准的条件用如纳米压痕法那样用测定薄膜的杨氏模量的方法测定即可。
在该工序中形成的保护罩117的上表面即盖体107的上表面与下表面相比表面粗糙度增大。这是为了在固化树脂层315a后剥离保持层315b。
在第三实施方式的盖体形成工序中,首先,如图4(a)所示,按照保持层315b成为上侧的方式即树脂层315a和框体106接触的方式在框体106的上表面载置第二薄膜315。
接着,如图4(b)所示,将第二薄膜315通过光刻法进行构图。即,从保持层315b之上用掩膜(未图示)对第二薄膜315曝光后进行加热,将树脂层315a制成曝光部315c和未曝光部315d。在此,曝光部315c通过曝光后的加热固化而成为盖体107,且与此同时和框体106接合。
接着,如图4(c)所示,除去第二薄膜315的保持层315b。
接着,如图4(d)所示,通过显影工序除去位于框体106的外侧的树脂层315a(在该例中是未曝光部315d)且制成分离的盖体107后,再进行加热。由此,盖体107完全固化,并且框体106和盖体107完全一体化,得到保护罩117。
另外,也可以在显影后除去保持层315b。
根据第三实施方式的盖体形成方法,能够在框体106的上表面均匀地粘贴接合第二薄膜315。另外,在第二薄膜315固化前,由于杨氏模量率高的保持层315b抑制第二薄膜315的整体变形,因此,也能够与IDT电极102之间保持振动空间193。因此,在第二薄膜315的载置、曝光、加热期间振动空间193不破碎,而能够可靠地形成振动空间193。另外,通过保持层315b保持树脂层315a,容易进行第二薄膜315的操作。
另外,根据第三实施方式的盖体形成工序,能够利用光刻法对第二薄膜315进行构图,因此,能够在所希望的部位高精度地形成数微米范围的微细图形。因此,能够将盖体307高精度地形成所希望的图形。
[第四实施方式]
第四实施方式是关于接着第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法的IDT电极形成工序、保护膜形成工序、框体形成工序及盖体形成工序进行的电极形成方法。
图5(a)~图5(h)是说明第四实施方式的电极形成方法的图。图5(a)~图5(g)为弹性表面波装置4的半成品的剖面图,图5(h)是弹性表面波装置4的剖面图。另外,在图5(a)~图5(h)中,和图1(a)~图1(e)图示的构成要素同样的构成要素标注相同的参照符号。
如图5(h)所示,通过第四实施方式的电极形成方法形成用于和外部电路连接的电极的弹性表面波装置4,除一张晶片状的压电基板101、IDT电极102、连接线103、背面电极104、保护膜105、框体106及盖体107之外,还具备镀敷用基底层408的残存部408a、柱状电极410、密封树脂膜411、保护层412及外部连接电极413。
下面,对第四实施方式的电极形成方法按顺序进行说明。
{镀敷用基底层形成工序}
在形成用于和外部电路连接的电极时,首先,如图5(a)所示,从图1(e)所示的状态形成覆盖形成有保护罩117的压电基板101上的弹性表面波元件区域192的镀敷用基底层408。
镀敷用基底层408是为了用电学或化学方法析出构成后述的柱状电极410的金属而形成的。因此,镀敷用基底层408理想的是使用和柱状电极41同样的材料。另外,一般而言,可以使用铜(Cu)。在镀敷用基底层408上使用铜的情况下,考虑和形成连接线103的铝-铜(Al-Cu)合金的密接性时,理想的是将由铬(Cr)和钛(Ti)构成的密接层***由铝-铜合金构成的连接线103和镀敷用基底层408之间。
镀敷用基底层408理想是形成100nm以上的厚度。这是在用电镀法形成柱状电极410时,用于稳定地流过电流所必要的厚度。
镀敷用基底层408在包括形成柱状电极410区域的压电基板101的整个面上,例如用钛-铜(Ti-Cu)形成。通过形成这种镀敷用基底层408,可经由镀敷用基底层408,利用电镀法厚地形成铜等金属。
形成镀敷用基底层408的方法没有限制,但是,在利用薄镀法形成镀敷用基底层408的情况下,不必在用于形成镀层的部分形成用于流过电流的配线图案,因此,能够实现弹性表面波装置的小型化。另一方面,在通过薄镀法在含有保护罩117的构造体的整个面上形成镀敷用基底层408的情况下时,未形成镀层的部分可能在台阶部分产生。这是因为通过薄镀法形成的镀敷用基底层408非常薄,因此在大台阶部分阶梯覆盖不充分。因此,如图5(a)所示,理想的是在除去保护罩117的部分没有未形成镀敷底层408的部分产生的那种的阶梯差。具体而言,除去保护罩117部分的阶梯差优选设定为镀敷用基底层408的厚度的一半以下的阶梯差。例如,镀敷用基底层408的厚度为0.7μm时将阶梯差设定为0.35μm以下即可。由此,即使,在保护罩117的部分的台阶(例如,保护罩117的侧面部195)上有未形成镀层的部分,且未进行盖体107的上表面和形成有连接线103的面的导通,形成有形成柱上电极410的连接线103的面上的镀敷用基底层408也能够可靠地电连接。因此,在用电镀法形成柱状电极410时,在镀敷用基底层408上能够可靠地流过电流。
{镀敷用抗蚀膜形成工序}
接着,如图5(b)所示,在镀敷用基底层408上形成在位于保护罩117的外侧的连接线103上具有开口部416的镀敷用抗蚀膜409。
例如,镀敷用抗蚀膜409通过旋涂等方法在镀敷用基底层408上形成。另外,通过使用的抗蚀液的粘度及旋涂的涂敷次数,能够将镀敷用抗蚀膜409的厚度控制在数μm~数100μm之间。另外,镀敷用抗蚀膜409的开口部416理想的是通过一般的光刻法形成。
{柱状电极形成工序}
接着,如图5(c)所示,在开口部416的底露出的镀敷用基底层408上,通过镀敷法形成柱状电极410。
柱状电极410可以通过电镀法、无电解镀敷法、柱形球法等形成,但是,适于通过电镀法形成。根据电镀法,镀膜的成长速度快且容易厚地形成镀敷膜,因此,能够提高柱状电极410的高度的自由度。另外,根据电镀法,和镀敷用基底层408的密接性良好。另外,镀敷膜的厚度由镀敷处理时间决定,但是,在形成超过30μm厚度的镀敷膜时,优选通过成长速度快的电镀法形成。
作为柱状电极410的材料,例如,可以使用焊锡、铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)。尤其是,在作为柱状电极410的材料使用焊锡及铜的情况下,可降低镀敷的材料费,因此能够降低弹性表面波装置4的价格。
{除去工序}
接着,如图5(d)所示,留下柱状电极410,除去镀敷用抗蚀膜409和镀敷用基底层408。
镀敷用抗蚀膜409能够用丙酮和异丙基乙醇(IPA)等有机溶剂及二甲基亚砜等的碱性有机溶剂除去。
镀敷用基底层408例如在由铜构成的情况下,可以用氯化铁的水溶液及磷酸和过氧化氢水的混合液除去。另一方面,镀敷用基底层408例如在由钛构成的情况下,可以用稀氟酸的水溶液及氨和过氧化氢水的混合液除去。其中,为了减少对在镀敷用基底层408下形成的氧化硅(SiO2)膜及由铝一铜合金等构成的连接线103的损害,理想的是用氨和过氧化氢水的混合液除去。
另外,如上所述,即使在除去镀敷用抗蚀膜409而露出柱状电极410后除去镀敷用基底层408,因为镀敷用基底层408薄,因此,位于柱状电极410下的镀敷用基底层408除去外缘部的一部分,但除此以外的残存部408a残留。因此,能够残留柱状电极410。
{密封树脂膜形成工序}
接着,如图5(e)所示,在压电基板1的弹性表面波元件区域192上,形成覆盖保护罩117和柱状电极410的密封树脂膜411。
作为密封树脂膜411的材料,适于可通过混入填充剂将热膨胀系数调整成和压电基板101大致相等,且耐药性也优异的环氧类树脂。尤其是,理想使用线膨胀系数与压电基板101接近的环氧类树脂,或使用弹性率低的环氧类树脂,减少在压电基板101上施加的应力。
另外,在密封树脂膜411中混入气泡时不能稳定地密封含有保护罩117的构造体,因此,也优选通过真空印刷法印刷密封树脂膜411。
另外,密封树脂膜411的厚度理想的是覆盖柱状电极410的范围。
{柱状电极露出工序}
接着,如图5(f)所示,研磨密封树脂膜411的上表面,露出柱状电极410。
具体而言,利用研磨机用研磨刃研磨密封树脂膜411的上表面,直至柱状电极410露出。为了良好地连接后述的外部连接电极413和柱状电极410,也可以另外通过抛光研磨等进行最终加工。
{外部连接电极形成工序}
接着,如图5(h)所示,在柱状电极410的上表面形成外部连接电极413。
外部连接电极413也可以是用铅锡(PbSn)焊锡、无铅(Pb)焊锡、金锡(AuSn)焊锡、金锗(AuGe)焊锡等焊锡形成的突块,也可以是通过用导电材料形成薄膜而形成的扁平的小块。例如,在柱状电极410的上部丝网印刷膏状焊锡并通过软熔而能够形成外部连接电极413。
{弹性表面波装置的安装}
经由这种镀敷用基底层形成工序、镀敷用抗蚀膜形成工序、柱状电极形成工序、除去工序、密封树脂膜形成工序、柱状电极露出工序、外部连接电极形成工序,能够提供表面可安装的弹性表面波装置4。另外,通过在密封树脂411的上表面露出的柱状电极410上形成外部连接电极413,能够进一步容易地安装弹性表面波装置。
根据第四实施方式的电极形成方法,能够晶片水平地制造弹性表面波装置4,因此,不经过复杂的工序就能够提供弹性表面波装置4。另外,根据第四实施方式的电极形成方法,能够根据安装弹性表面波装置4的安装基板选择形成外部连接电极413的材料,因此,能够提高弹性表面波装置4和安装基板的接合可靠性。
另外,将应用第四实施方式的电极形成方法制造的弹性表面波装置4使用于分波器的情况下,也可以将柱状电极410作为放热用电极使用。因此,通过在IDT电极102的发热部位的附近配置柱状电极410,能够提供放热性优异的弹性表面波装置4。IDT电极102的发热部位在使用频率、IDT电极102有多个的情况下,因其连接方法而不同,但是,弹性表面波装置4在为共振器的情况下在IDT电极102的中心部位附近。另外,通过设计该柱状电极410的配置、根数、直径,能够提高放热性。
{保护层形成工序}
在弹性表面波装置4的制造中,在压电基板101的下表面,也可以进一步设计形成保护层412的工序,该保护层412由和密封树脂膜411的热膨胀系数大致同样的材料构成。另外,图5(a)~图5(h)表示在柱状电极露出工序和外部连接用电极形成工序之间设置了这种保护层形成工序情况下的电极形成方法。
通过这种保护层形成工序,未形成有IDT电极102的压电基板101的下表面成为用保护层412保护的构造,因此,能够提高制造时及制造后的弹性表面波装置4的耐冲击性。因此,能够抑制弹性表面波装置4的破裂、缺口等不良现象的发生,可提高成品率,且可提高弹性表面波装置4的可靠性。
另外,在从压电基板101的下表面向侧面形成保护层412的情况下,压电基板101的下表面及侧面成为被保护的构造,因此,能够抑制从压电基板101和密封树脂411的界面浸入水分,能够实现提高了气密性、耐湿性的弹性表面波装置4。
另外,将和密封树脂膜411的热膨胀系数大致同样的材料用于压电基板101的下表面的保护层412,因此,可缓和制造工序的密封树脂膜411引起的应力,且可在压电基板101上不会发生弯曲地提高弹性表面波装置4的可靠性。
另外,这种保护层形成工序只要适当地加在自上述的IDT电极形成工序之前至外部连接电极形成工序后之间即可,但是,若设置于在压电基板101的上表面形成密封树脂膜411的密封树脂膜形成工序以后,则就能够在压电基板101的上表面和下表面消除因压电基板101和密封树脂膜411间的热膨胀系数的不同而对压电基板101施加的应力。尤其是,如图5(g)所示,将保护层形成工序设置于柱状电极露出工序和外部连接电极形成工序之间时,能够降低由压电基板101的弯曲导致的程序的不合格或压电基板101的应力(应力),能够提高弹性表面波装置4的可靠性。
保护层412的材料只要是和密封树脂膜411热膨胀系数大致相同就没有限定,但是,环氧类树脂适合。如果是环氧类树脂,就可以通过添加氧化硅(SiO2)等填充剂控制热膨胀系数,因此能够在压电基板101的上表面和下表面消除对压电基板101施加的应力。另外,若是环氧类树脂,则透湿性低,且吸水性高,因此能够控制向弹性表面波装置4的水分的浸入。
{柱状电极的高度}
在柱状电极形成工序中,如图5(d)所示,以比保护罩117更高的方式形成柱状电极410,在柱状电极露出工序中,如图5(f)所示,理想的是在保护罩117被密封树脂膜411覆盖的状态下,在密封树脂膜411的上表面露出柱状电极410。这样一来,在经过柱状电极露出工序后,柱状电极410最上部的高度能够比保护罩117的最上部的高度更高。在此,所谓柱状电极410及保护罩117的高度,叫做距离弹性表面波元件区域192的高度。由此,即使在柱状电极露出工序研磨密封树脂膜411,保护罩117的盖体107的部分也不会露出并被研磨,因此,能够充分确保用于确保弹性表面波装置4激励的弹性表面波的振动空间193的保护罩117的气密性。
{镀敷用抗蚀膜的形成}
在镀敷用抗蚀膜形成工序中,理想的是通过多次重复操作抗蚀材料的涂敷及固化来形成镀敷用抗蚀膜409。通过分成多次而形成镀敷用抗蚀膜409,使用考虑被覆盖性及操作性等而调整了的抗蚀材料,能够形成所希望的厚度的镀敷用抗蚀膜409。另外,能够形成所希望的厚度的镀敷用抗蚀膜409,其结果是能够形成所希望的高度的柱状电极410。尤其是,优选在进行抗蚀材料的涂敷及固化直到和保护罩117的最上部大致同样的高度,填埋保护罩117的大台阶而得到平坦面后,如果以得到所希望的厚度的方式再重复抗蚀材料的涂敷及固化,就能够将镀敷用抗蚀膜409的上表面制成平坦面。
[第五实施方式]
第五实施方式涉及可利用第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法及第二实施方式的电极形成方法制造的弹性表面波装置5。
图6是表示弹性表面波装置5的多个IDT电极520~525、530、多个导体图案522~538等配置的平面图。图6是用于帮助理解弹性表面波装置5的各部的位置关系的示意图。另外,图6中,在框体506的部分标注阴影。
如图6所示,弹性表面波装置5具备:压电基板501、IDT电极520~525、530、反射器电极526~529、第一导体图案533、538、第二导体图案534~537、绝缘层539~542、输入端子550、输出端子551、552、接地端子553、554、连接线571~575。
{弹性表面波元件}
在弹性表面波元件区域592形成有多个IDT电极520~525、530。
三个IDT电极520~522及配置于其两侧的两个反射器电极526、527构成弹性表面波元件531,三个IDT电极523~525及配置于其两侧的两个反射器电极528、529构成弹性表面波元件532。
在弹性表面波装置5中,在压电基板601上配置与IDT电极530并联连接的弹性表面波元件531、532。这些弹性表面波元件531、532成为纵结合共振器。
弹性表面波元件531、532经由IDT电极530与输入不平衡信号的输入端子550并联连接。与输入端子550连接的左右IDT电极520、522及左右IDT电极523、525在相互对向的一对梳状电极间施加电场,激励弹性表面波。这样激励的弹性表面波传播到中央的IDT电极521、524。另外,中央的IDT电极521的信号的相位相对于中央的IDT电极524的信号的相位为180°不同的相反相。因此,在弹性表面波装置5中,最终从中央的IDT电极521、524的各自一方的梳状电极向输出端子551、552传递信号,该信号成为平衡信号输出。在弹性表面波装置5中,根据这种构成实现平衡-不平衡转换功能。
{端子}
在输入端子550、输出端子551、552及接地端子553、554上,形成和弹性表面波装置4的柱状电极410同样的柱状电极(未图示),且和外部电路连接。
{框体}
框体506以包围IDT电极520~525、530及导体图案533~538的方式配置。和弹性表面波装置4同样,在框体506的上表面载置有盖体(未图示),且该盖体与框体506接合。框体506及该盖体形成密封用的保护罩。
{连接线}
连接线571~575被引出到框体506的外侧,分别与输入端子550、输出端子551、552及接地端子553、554连接。连接线571~573分别连接输入端子550及输出端子551、552和IDT电极530、521、524。连接线574、575经由第一导体图案533、538将IDT电极520~525接地。
连接线571~575为使IDT电极520~525、530和外部电路连接而与IDT电极520~525、530连接。在连接线571~575中,不仅包括:(i)如连接成为向外部电路的连接端子的输入端子550或输出端子551、552和IDT电极530、521、524的连接线571~573,与IDT电极530、521、524直接地连接的一组;而且还包括:(ii)如经由第一导体图案533、538连接成为向外部电路的连接端子的接地端子553、554和IDT电极520~525的连接线574、575,间接地连接IDT电极520~525和外部电路的一组。
{导体图案}
如图6所示,在弹性表面波元件区域592形成有与IDT电极520~525、530连接的多个导体图案533~538。多个导体图案533~538包括:第一导体图案533、538和第二导体图案534~537,第二导体图案534~537隔着绝缘层539~542与第一导体图案533、538交差。
这样,通过使第一导体图案533、538和第二导体图案534~537交差,能够提高导体图案533~538的配线的自由度,因此,能够缩小IDT电极530和IDT电极520~525的间距(间隔),将两者近接配置。由此,能够使形成IDT电极520~525、530的区域所占据的面积最小化,且能够实现小型的弹性表面波装置5。
另外,第一导体图案533、538和第二导体图案534~547交差的导体图案交差部经由绝缘层539~542在导体即第一导体图案533、538和第二导体图案534~547之间构成。因此,在导体图案交差部可以设置在第一导体图案533、538和第二导体图案534~547之间保持电容的电容形成部543~546。电容形成部543~546考虑在因IDT电极520~525、530和导体图案534~538的配置而发生寄生电容时,有产生向输出平衡信号的输出端子551、552传递的信号的振幅相互不同,或相位偏离逆相而使平衡度劣化的现象而设计。即,通过形成于IDT电极530和第一及第二弹性表面波元件531、532之间的电容形成部543~546,以消除寄生电容带来的影响的方式,在弹性表面波元件531、532中能够调整等价电路上导入的容量,且能够提高振幅平衡度及相位平衡度。因此,通过电容形成部543~546能够提高弹性表面波装置5的电气特性。另外,通过适当选择电容形成部543~546的电容和柱状电极及导体图案533~538的电感,能够增加弹性表面波装置5的通带外衰减量,或能够提高弹性表面波装置5的电气特性。
另外,通过将连接IDT电极520~525、530彼此的导体图案533~538的配线形成如图6所示的那样,即使在将构成IDT电极520~525的梳状电极中位于间隔侧一方接地的情况下,也能够可靠地将该梳状电极与用于和外部电路连接的连接线574、575连接,并将其可靠地引出到保护罩的外侧。因此,即使用一个保护罩密封多个IDT电极520~525、530,也能够确保和外部电路的连接,因此,与分别用保护罩覆盖各IDT电极520~525、530的情况相比,能够大幅减少弹性表面波元件区域592的面积。另外,在密封振动空间的状态下能够确保和外部电路的连接,因此,能够提供不劣化电气特性的弹性表面波装置5。
{导体图案的形成}
图7是说明导体图案533~538的形成方法的图。图7(a)及图7(b)为形成中的导体图案交差部的剖面图,图7(c)为形成后的导体图案交差部的剖面图。图7(a)~图7(c)是用于帮助理解导体图案交差部的各部的位置关系的示意图。
在导体图案形成时,首先,如图7(a)所示,在IDT电极形成工序中,在形成连接线571~575时的同时,形成位于下部的第二导体图案534~537。接着,如图7(b)所示,在弹性表面波元件区域592上,作为绝缘材料使用氧化硅、聚酰亚胺类树脂、BCB树脂、SOG(Spin On Grass)等,通过旋涂法形成膜,用通常的蚀刻处理进行构图,形成绝缘层539~542。接着,如图7(c)所示,以跨过绝缘层539~542上的方式形成第一导体图案533、538。另外,第一导体图案533、538及第二导体图案534~537如果用和上述连接线103同样的材料、同样的工序形成即可。在上述的绝缘层539~542材料中,氧化硅及聚酰亚胺类树脂即使在300℃以上的温度也是稳定的。因此,在用绝缘层539~542材质制造它们时,在安装弹性表面波装置5时即使成为高热状态,也能够稳定地确保第一导体图案533、538和第二导体图案534~537的电绝缘状态,因此,理想的是能够提供可靠性高的弹性表面波装置5。
[第六实施方式]
第六实施方式涉及弹性表面波装置的制造方法。
图8是说明第六实施方式的弹性表面波装置的制造方法的图。图8(a)为弹性表面波装置4的半成品的剖面图,图8(b)是弹性表面波装置4的剖面图。图8(a)及图8(b)是用于帮助理解弹性表面波装置4的半成品或弹性表面波装置4的各部的位置关系的示意图。
在第六实施方式的的弹性表面波装置的制造方法中,首先如图8(a)所示,经由和第一实施方式的弹性表面波装置的制造方法的各工序及第四实施方式的电极形成方法的各工序同样的工序,在一张晶片状的压电基板101上形成多个弹性表面波元件区域192。接着,如图8(b)所示,将压电基板101分离成各弹性表面波元件区域192并且形成多个弹性表面波装置1。由此,能够同时制造多个WLP类型的弹性表面波装置4,不需要如目前那样对每个弹性表面波装置准备封装(保护框体),经由切割工序个别地组装片状化的弹性表面波元件。因此,不需要处理能力小的芯片焊接机、接缝焊接机等组装装置,能够实现制造工序的大幅的简化,能够提高批量生产性。
另外,分离成这种各个弹性表面波元件区域191的工序,优选设置于形成弹性表面波装置4的最后。由此,在对每个各弹性表面波元件区域192进行分离的时刻,能够制造多个表面可安装的弹性表面波装置4。
另外,在压电基板101上形成多个弹性表面波元件区域192时,在经由形成盖体107的工序的时刻,成为台阶部的保护罩117是孤立的,除此以外的面大致成为没有台阶的面。因此,在形成镀敷用基底层408的工序中,形成柱状电极410位置的镀敷用基底层408能够在形成于压电基板101的多个弹性表面波元件区域192的每一个上联系起来。其结果是,在多个弹性表面波元件区域192的整个面上能够可靠地层叠柱状电极410,能够提高生产性。
根据该第六实施方式的弹性表面波装置的制造方法,能够实现小型并且薄型化了的弹性表面波装置4,且能够实现耐冲击性也优异的可靠性高的弹性表面波装置4。
[其它]
另外,本发明不限于上述的实施方式,可以在不脱离本发明宗旨的范围内进行种种的变更。
例如,在实施方式中,对在一个弹性表面波装置内设置一个保护罩的例进行了说明,但是,也可以在一个弹性表面波装置内设置多个保护罩。若以图6所示的弹性表面波元件区域592为例,则也可以用IDT电极530和弹性表面波元件31、32另外制成保护罩。
Claims (13)
1.一种弹性表面波装置的制造方法,其包括:
(a)在压电基板的上表面形成IDT电极以及连接所述IDT电极和外部电路的连接线的工序;
(b)形成框体的工序,所述框体包围在所述压电基板上形成有所述IDT电极的形成区域,所述框体跨过所述连接线;
(c)通过在所述框体的上表面载置薄膜状的盖体并与所述框体接合而形成由所述框体和所述盖体构成的保护罩的工序,该保护罩用于覆盖所述形成区域,并且在所述保护罩和所述形成区域之间设置密闭空间;
(d)在所述工序(a)之后且在所述工序(b)之前,通过在所述压电基板的上表面利用CVD法或溅射法形成由氧化硅或氮化硅构成的膜后、再利用光刻法除去所述膜的一部分而形成覆盖所述IDT电极的全部以及所述连接线一部分的保护膜的工序,
在所述工序(b)中,通过在所述保护膜的上表面形成所述框体而由所述保护膜缓解所述连接线产生的台阶差。
2.如权利要求1所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,所述工序(b)包括:
(b-1)将第一薄膜载置于所述压电基板之上的工序;
(b-2)利用光刻法对所述第一薄膜进行构图之后,使所述第一薄膜固化而形成所述框体的工序。
3.如权利要求2所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
所述框体和所述盖体是同一材质。
4.如权利要求1所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,所述工序(c)包括:
(c-1)将包括树脂层和杨氏模量比所述树脂层高的保持层的第二薄膜以使所述保持层为上侧的方式载置于所述框体的上表面的工序;
(c-2)利用光刻法对所述第二薄膜进行构图之后,使所述第二薄膜固化而形成所述盖体的工序;
(c-3)在使所述框体和所述盖体接合后,除去所述第二薄膜的所述保持层的工序。
5.如权利要求1所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
所述框体由环氧类树脂构成,所述保护膜由氧化硅构成。
6.如权利要求1所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
所述工序(c)包括:
(c-1)在所述框体上载置平面形状比所述框体大且感光性材料构成的薄膜状膜的工序;和
(c-2)对所述膜进行曝光、显影,除去该膜的所述框体更外侧的部分,加工成盖体的工序。
7.如权利要求6所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,还包括:
(e)形成镀敷用基底层的工序,该镀敷用基底层覆盖形成有所述保护罩的一张晶片状的所述压电基板;
(f)在所述镀敷用基底层上形成镀敷用抗蚀膜的工序,所述镀敷用抗蚀膜在位于所述保护罩的外侧的所述连接线上具有开口部;
(g)在所述开口部的底部露出的所述镀敷用基底层上,通过镀敷法形成柱状电极的工序;
(h)残留所述柱状电极,除去所述镀敷用抗蚀膜和所述镀敷用基底层的工序;
(i)在所述压电基板上,形成覆盖所述保护罩和所述柱状电极的密封树脂膜的工序;
(j)研磨所述密封树脂膜的上表面而使所述柱状电极露出的工序。
8.如权利要求7所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,还包括:
(l)在所述压电基板的下表面,形成由热膨胀系数与所述密封树脂膜大致同样的材料构成的保护层的工序。
9.如权利要求7所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
经过所述工序(j)后,所述柱状电极的最上部的高度比所述保护罩的最上部的高度更高。
10.如权利要求7所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
在所述工序(f)中,通过多次重复操作抗蚀材料的涂敷及固化而形成所述镀敷用抗蚀膜。
11.如权利要求6所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
弹性表面波装置具有多个所述IDT电极,并且,
还具有与所述IDT电极连接的多个导体图案,
所述多个导体图案具有:
第一导体图案、
绝缘层、
隔着所述绝缘层与所述第一导体图案交差的第二导体图案。
12.如权利要求11所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
所述绝缘层的材质是氧化硅或聚酰亚胺类树脂。
13.如权利要求1所述的弹性表面波装置的制造方法,其中,
在一张晶片状的所述压电基板上形成多个包含所述IDT电极的弹性表面波元件区域,且还包括,
(m)将所述压电基板分离成各个所述弹性表面波元件区域且形成多个弹性表面波装置的工序。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006214162 | 2006-08-07 | ||
JP214162/2006 | 2006-08-07 | ||
PCT/JP2007/065435 WO2008018452A1 (fr) | 2006-08-07 | 2007-08-07 | Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101501989A CN101501989A (zh) | 2009-08-05 |
CN101501989B true CN101501989B (zh) | 2012-06-27 |
Family
ID=39032982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007800294215A Active CN101501989B (zh) | 2006-08-07 | 2007-08-07 | 弹性表面波装置的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9021669B2 (zh) |
JP (4) | JP5258566B2 (zh) |
CN (1) | CN101501989B (zh) |
WO (1) | WO2008018452A1 (zh) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9021669B2 (en) * | 2006-08-07 | 2015-05-05 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus |
JP4910953B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2012-04-04 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージ構造 |
US9720501B2 (en) | 2008-01-04 | 2017-08-01 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US9367132B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-06-14 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
US9274612B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-03-01 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
US9612659B2 (en) | 2008-01-04 | 2017-04-04 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
US9760172B2 (en) | 2008-01-04 | 2017-09-12 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US9430074B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-08-30 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US9298261B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-03-29 | Tactus Technology, Inc. | Method for actuating a tactile interface layer |
US9552065B2 (en) | 2008-01-04 | 2017-01-24 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US8154527B2 (en) | 2008-01-04 | 2012-04-10 | Tactus Technology | User interface system |
US9557915B2 (en) | 2008-01-04 | 2017-01-31 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US9063627B2 (en) | 2008-01-04 | 2015-06-23 | Tactus Technology, Inc. | User interface and methods |
US8928621B2 (en) | 2008-01-04 | 2015-01-06 | Tactus Technology, Inc. | User interface system and method |
US9128525B2 (en) | 2008-01-04 | 2015-09-08 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US9280224B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-03-08 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface and methods |
US8947383B2 (en) | 2008-01-04 | 2015-02-03 | Tactus Technology, Inc. | User interface system and method |
US8922510B2 (en) | 2008-01-04 | 2014-12-30 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
US8547339B2 (en) | 2008-01-04 | 2013-10-01 | Tactus Technology, Inc. | System and methods for raised touch screens |
US8456438B2 (en) | 2008-01-04 | 2013-06-04 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
US9588683B2 (en) | 2008-01-04 | 2017-03-07 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US9052790B2 (en) | 2008-01-04 | 2015-06-09 | Tactus Technology, Inc. | User interface and methods |
US9423875B2 (en) | 2008-01-04 | 2016-08-23 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface with exhibiting optical dispersion characteristics |
US8570295B2 (en) | 2008-01-04 | 2013-10-29 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
US8243038B2 (en) | 2009-07-03 | 2012-08-14 | Tactus Technologies | Method for adjusting the user interface of a device |
US8553005B2 (en) | 2008-01-04 | 2013-10-08 | Tactus Technology, Inc. | User interface system |
JP5077714B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2012-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP5104392B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP5176603B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2013-04-03 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP5106633B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
US9588684B2 (en) | 2009-01-05 | 2017-03-07 | Tactus Technology, Inc. | Tactile interface for a computing device |
JP5446338B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2014-03-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子 |
JP5532685B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-06-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2010278971A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
CN105260110A (zh) | 2009-07-03 | 2016-01-20 | 泰克图斯科技公司 | 用户界面增强*** |
CN102782617B (zh) | 2009-12-21 | 2015-10-07 | 泰克图斯科技公司 | 用户接口*** |
WO2011087816A1 (en) | 2009-12-21 | 2011-07-21 | Tactus Technology | User interface system |
US9239623B2 (en) | 2010-01-05 | 2016-01-19 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface |
US8619035B2 (en) | 2010-02-10 | 2013-12-31 | Tactus Technology, Inc. | Method for assisting user input to a device |
US20120314390A1 (en) * | 2010-03-03 | 2012-12-13 | Mutual-Tek Industries Co., Ltd. | Multilayer circuit board |
JP5468940B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2014-04-09 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法 |
WO2011133604A1 (en) | 2010-04-19 | 2011-10-27 | Tactus Technology | User interface system |
KR20130141344A (ko) | 2010-04-19 | 2013-12-26 | 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. | 촉각 인터페이스층의 구동 방법 |
WO2011142143A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR20140037011A (ko) | 2010-10-20 | 2014-03-26 | 택투스 테크놀로지, 아이엔씨. | 사용자 인터페이스 시스템 |
WO2013018700A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置を有する電子部品 |
US20130155630A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Esat Yilmaz | Touch Sensor with Passive Electrical Components |
JP5955095B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-07-20 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性波装置 |
US9405417B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-08-02 | Tactus Technology, Inc. | Dynamic tactile interface and methods |
DE102013102217B4 (de) | 2013-03-06 | 2015-11-12 | Epcos Ag | Mikroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
US9557813B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-01-31 | Tactus Technology, Inc. | Method for reducing perceived optical distortion |
WO2015041153A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
US10964529B2 (en) * | 2014-04-17 | 2021-03-30 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Method for cleaning lanthanum gallium silicate wafer |
JP6327355B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2018-05-23 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
CN206790453U (zh) | 2014-12-04 | 2017-12-22 | 株式会社村田制作所 | 一种弹性波装置 |
KR101979141B1 (ko) * | 2015-05-18 | 2019-05-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치, 고주파 모듈 및 탄성 표면파 장치의 제조 방법 |
DE102016114566A1 (de) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | Bürkert Werke GmbH | Folienwandler und Aktorstreifen für einen Folienwandler |
US10447411B2 (en) * | 2015-08-25 | 2019-10-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
WO2017073317A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法 |
WO2018003283A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び電子部品 |
JP6298861B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-20 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ及びモジュール |
US10483942B2 (en) * | 2017-01-24 | 2019-11-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with acoustically separated multi-channel feedback |
WO2018198952A1 (ja) | 2017-04-24 | 2018-11-01 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置およびその製造方法 |
CN110771037B (zh) * | 2017-06-23 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、前端电路以及通信装置 |
WO2019004205A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR102064380B1 (ko) | 2018-06-22 | 2020-01-10 | (주)와이솔 | 표면 탄성파 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
CN109088614A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-12-25 | 深圳华远微电科技有限公司 | 声表面波滤波器及其封装方法和电子设备 |
IT201900002481A1 (it) * | 2019-02-20 | 2020-08-20 | Ask Ind Spa | Metodo di realizzazione di un sensore microfonico piezoelettrico con struttura a pilastri. |
CN111081861A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-04-28 | 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 | 基于环氧树脂膜抗热失配的晶圆级封装芯片及其制备方法 |
CN111384923A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-07 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种小型化格型晶体滤波器 |
CN112055468B (zh) * | 2020-09-14 | 2021-08-06 | 珠海市晶昊电子科技有限公司 | 一种电路板上覆盖膜的处理方法 |
US20230066822A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Packaged surface acoustic wave device with conductive roof supporting structure |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0794616A2 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An electronic part and a method of production thereof |
JP2004282707A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-10-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ、通信機 |
JP2005038980A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4218532A (en) * | 1977-10-13 | 1980-08-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Photolithographic technique for depositing thin films |
JPS57118419A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Fujitsu Ltd | Flat pack type oscillating circuit parts |
JP2756184B2 (ja) * | 1990-11-27 | 1998-05-25 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の表面実装構造 |
JPH0590872A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
JPH07303023A (ja) | 1994-05-07 | 1995-11-14 | Toko Inc | 表面弾性波共振器 |
JPH09172339A (ja) | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JPH10270975A (ja) | 1996-03-08 | 1998-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
JP3783299B2 (ja) * | 1996-10-08 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP3352352B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2002-12-03 | 新光電気工業株式会社 | めっき装置、めっき方法およびバンプの形成方法 |
JP3225906B2 (ja) | 1997-11-14 | 2001-11-05 | 日本電気株式会社 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
JPH11233691A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP3677409B2 (ja) | 1999-03-05 | 2005-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2001244786A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2001308546A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 電子部品用多層配線基板及びその製造方法 |
JP2002261582A (ja) | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
JP2002184698A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP4691787B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-06-01 | パナソニック株式会社 | Sawデバイス |
JP3520853B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2004-04-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
KR20050044799A (ko) | 2002-08-28 | 2005-05-12 | 실리콘 라이트 머신즈 코포레이션 | 비실리콘계 소자용 웨이퍼 레벨의 시일 |
JP2004096255A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
JP2004253937A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波フィルタとその製造方法 |
JP2004274574A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波装置とその製造方法 |
JP2005033689A (ja) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2005085898A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Toyota Motor Corp | プリント配線基板の製造方法 |
JP4576849B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 集積回路装置 |
JP2005295363A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波体 |
EP1737126A4 (en) | 2004-04-16 | 2008-01-16 | Epson Toyocom Corp | SURFACE WAVE FILTER OF BALANCED TYPE |
US7389570B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-06-24 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment |
KR100680511B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2007-02-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 디바이스 |
JP2006101082A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置および通信装置 |
JP2006108993A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 表面弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2006179972A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
JP2006203788A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
JP2007081613A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
US9021669B2 (en) * | 2006-08-07 | 2015-05-05 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus |
JP4997928B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2012-08-15 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-08-07 US US12/376,546 patent/US9021669B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-07 CN CN2007800294215A patent/CN101501989B/zh active Active
- 2007-08-07 WO PCT/JP2007/065435 patent/WO2008018452A1/ja active Application Filing
- 2007-08-07 JP JP2008528827A patent/JP5258566B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-24 JP JP2013091140A patent/JP2013141330A/ja active Pending
- 2013-11-26 JP JP2013243560A patent/JP2014039338A/ja active Pending
-
2014
- 2014-04-25 JP JP2014090968A patent/JP5865944B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-05 US US14/704,716 patent/US9882540B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0794616A2 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An electronic part and a method of production thereof |
JP2004282707A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-10-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ、通信機 |
JP2005038980A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9882540B2 (en) | 2018-01-30 |
JP5258566B2 (ja) | 2013-08-07 |
JP5865944B2 (ja) | 2016-02-17 |
US20150236665A1 (en) | 2015-08-20 |
JP2014039338A (ja) | 2014-02-27 |
JP2014161095A (ja) | 2014-09-04 |
WO2008018452A1 (fr) | 2008-02-14 |
US20100043189A1 (en) | 2010-02-25 |
JP2013141330A (ja) | 2013-07-18 |
US9021669B2 (en) | 2015-05-05 |
JPWO2008018452A1 (ja) | 2009-12-24 |
CN101501989A (zh) | 2009-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101501989B (zh) | 弹性表面波装置的制造方法 | |
CN101924531B (zh) | 压电部件及其制造方法 | |
CN101803189B (zh) | 弹性波装置 | |
CN101573868B (zh) | 弹性表面波装置及其制造方法 | |
US8018120B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same | |
EP2267895B1 (en) | Electronic component, circuit board, electronic apparatus, and method for manufacturing the electronic component | |
CN101997511B (zh) | 压电部件及其制造方法 | |
US20100045145A1 (en) | Piezoelectric component and manufacturing method thereof | |
US9264016B2 (en) | Piezoelectric component having a cover layer including resin that contains translucent filler | |
CN101335508A (zh) | 压电部件及其制造方法 | |
JP5206377B2 (ja) | 電子部品モジュール | |
JP4795891B2 (ja) | 立体配線を有する実装構造体 | |
JP4906557B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
KR100891418B1 (ko) | 탄성파 디바이스 및 그 제조 방법 | |
JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
US11159143B2 (en) | Filter device and method for manufacturing the same | |
CN110495098B (zh) | 电子部件及具备该电子部件的模块 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |