JP2007081613A - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 小型、薄型の弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】 弾性表面波デバイス１０は、圧電基板２０の主面に形成されたＩＤＴ電極５０と、ＩＤＴ電極５０から引き出した取出し電極４５，４６と、圧電基板２０の主面の外周に沿って形成された金属接合部４０とを有する弾性表面波チップ１５と、絶縁性材料からなり、取出し電極４５、４６と接続される接続電極７３，７４と、外部電極７７，７８と接続電極７３，７４と外部電極７７，７８とを接続する貫通電極７５，７６とを有するカバー基板３０と、弾性表面波チップ１５とカバー基板３０とが接合されることによって形成される空間の内部に、ＩＤＴ電極５０と取出し電極４５，４６とが気密封止され、圧電基板２０またはカバー基板３０が変形しても、カバー基板３０がＩＤＴ電極５０に接触しない程度の高さを有する補助部７０が圧電基板２０の主面に形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に関し、詳しくは、ＩＤＴ電極とカバー基板の接触を防止する補助部を備える弾性表面波デバイスと、その製造方法に関する。

従来、弾性表面波チップが、圧電基板上にＩＤＴ電極と取出し電極及びこれらを取り囲むように配設した陽極接合部とで構成され、絶縁性のカバー基板が、ガラス板に空隙部と貫通孔を形成し、貫通孔とその周辺部に設けた外部電極と、外部電極に添設した印刷電極とで構成され、弾性表面波チップの取出し電極をカバー基板の外部電極と接合し、且つ、陽極接合部をカバー基板に接合してＩＤＴ電極を封止した弾性表面波デバイスというものが知られている。

また、上述のカバー基板に空隙部を設けずに、カバー基板と、弾性表面波チップの取出し電極と陽極接合部の膜厚を前述の膜厚よりも約３μｍ増加させた弾性表面波チップと、を備える構成とし、取出し電極と陽極接合部によって、ＩＤＴ電極とカバー基板との間に空隙部を設けた弾性表面波デバイスというものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平８−２１３８７４号公報（第３〜５頁、図１，３，８）

このような特許文献１のカバー基板に空隙を設ける構造では、ＩＤＴ電極とカバー基板とが、外部の力によって歪んでも接触しないだけの空隙部をカバー基板に設けている。そのために、カバー基板の強度を確保するためにはカバー基板全体を厚くしなければならず、弾性表面波デバイスの薄型化には不利な構造である。

また、取出し電極と陽極接合部を厚くして、ＩＤＴ電極とカバー基板との空隙を確保する構造では、例えば、カバー基板の中央部に歪みが発生した場合には、カバー基板とＩＤＴ電極とが接触してしまうということが考えられる。さらに、この構造では、ＩＤＴ電極の表面波の進行方向両端に取出し電極を配設しているため、一般の弾性表面波チップにおいて設けられる反射器または反射壁を配設することができず、正確な共振周波数が得られないということが予測される。

本発明の目的は、前述した課題を解決することを要旨とし、小型、薄型の弾性表面波デバイスを実現しながら、圧電基板及びカバー基板が歪んでもＩＤＴ電極とカバー基板とが接触しない構造の弾性表面波デバイスと、その製造方法を提供することである。

本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板の主面に形成されたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出した取出し電極と、前記圧電基板の主面の外周に沿って形成された金属接合部とを有する弾性表面波チップと、絶縁性材料からなり、一方の主面に設けられる前記取出し電極と接続する接続電極と、他方の主面に設けられる外部電極と、前記接続電極と前記外部電極とを接続する貫通電極とを有するカバー基板と、前記弾性表面波チップと前記カバー基板とが前記金属接合部において接合されることによって形成される空間の内部に、前記ＩＤＴ電極と前記取出し電極とが気密封止され、前記空間の内部において、前記圧電基板または前記カバー基板が変形しても、前記カバー基板が前記ＩＤＴ電極に接触しない程度の高さを有する補助部が前記圧電基板の主面に形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、ＩＤＴ電極と取出し電極とが気密封止される空間内部に設けられており、空間内部に、圧電基板またはカバー基板が変形しても、カバー基板がＩＤＴ電極に接触しない程度の高さを有する補助部を配設している。この補助部は、空間の高さよりも低く、ＩＤＴ電極の厚さよりも高く設定しているため、カバー基板とＩＤＴ電極を接触させないために、空間の高さをその余裕分だけ高く設定する必要がなく、また、カバー基板の強度を確保するためにカバー基板を厚くする必要もなく、薄型の弾性表面波デバイスが実現でき、ＩＤＴ電極とカバー基板との接触により共振周波数が不安定になることを防止することができるという効果を有する。

また、この補助部は、空間内部のＩＤＴ電極及び取出し電極の余裕スペースに配設することができるため、圧電基板及びカバー基板の平面サイズを大きくする必要がなく、小型の弾性表面波デバイスを実現することができる。

また、前記補助部が、前記ＩＤＴ電極の近傍の離間した位置に、前記ＩＤＴ電極の長手方向に沿って形成された金属膜であることが好ましい。

このように、金属膜からなる補助部をＩＤＴ電極の近傍、且つＩＤＴ電極に沿って配設することにより、カバー基板とＩＤＴ電極との接触を防止しながら、小型化、薄型化を実現することができる。また、詳しくは後述する実施の形態で説明するが、補助部が金属膜で形成されることから、ＩＤＴ電極または取出し電極の形成工程の一貫で容易に形成することができる。

前記取出し電極が、前記ＩＤＴ電極の長手方向に沿って概ね前記ＩＤＴ電極の形成領域の範囲に設けられ、前記圧電基板と前記カバー基板とを接合した際に、前記空間の高さと同じ厚さで形成され、前記補助部を兼用していることが好ましい。

このように取出し電極を形成することで、取出し電極を本来の外部電極との接続機能に加え、補助部としての機能を持たせることにより、補助部をあらためて形成することなく、前述した効果を奏することができる。この取出し電極は、本来の取出し電極としての機能を有するために設けられる平面の大きさと空きスペース領域範囲に形成することができるので、弾性表面波デバイスのサイズが大きくなることはない。

また、前記補助部が、前記ＩＤＴ電極を構成するバスバーの表面に形成されていることが好ましい。

バスバーは、交差指電極とともにＩＤＴ電極を構成するが、このバスバーの表面に補助部を配設しても共振周波数には影響をしない。従って、バスバーの表面に補助部を配設すれば、ＩＤＴ電極に最も近接した場所に配設することになるため、補助部の高さを低く抑えても、本発明の目的を達成することができる。また、補助部の占有領域もＩＤＴ電極の範囲内となり、補助部のための専用スペースを必要としない。

また、本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板の主面に設けたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出した取出し電極と、前記圧電基板の主面の外周に沿って形成された金属接合部と、補助部と、を有する弾性表面波チップを形成する工程と、一方の主面に設けられる前記取出し電極と接続する接続電極と、他方の主面に設けられる外部電極と、前記接続電極と前記外部電極とを接続する貫通電極とを有するカバー基板を形成する工程と、前記弾性表面波チップと前記カバー基板とを前記金属接合部において接合する工程と、貫通電極を気密封止する工程と、を含み、前記補助部を、前記圧電基板または前記カバー基板が変形しても、前記カバー基板が前記ＩＤＴ電極に接触しない程度の高さに形成することを特徴とする。

前述した補助部は、取出し電極またはＩＤＴ電極の形成工程の範疇で形成することが可能で、補助部を設けることによる大幅な工程増加を伴わず製造することができる。
また、取出し電極は、カバー基板に設けられる貫通電極を介して外部電極に接続しているため、接合電極を横切ることがないため、空間の気密性を保持することができる。

また、前記補助部の形成工程が、前記取出し電極または前記金属接合部の形成工程において、前記ＩＤＴ電極及び前記取出し電極とは離間した位置に、前記取出し電極と同じ材料で第１層を形成した後、前記補助部を所定の厚さに積層する工程を含むことが好ましい。
ここで、補助部は、取出し電極または金属接合部のそれぞれ電気的に独立した同一材料の金属膜によって形成される。

従って、取出し電極または金属接合部を形成する工程で補助部を形成し、さらに、所定の厚さにする工程を加えることにより、要求される補助部の厚さに対応して、さらに１層または複数層の金属膜を積層して補助部を形成することができる。

また、前記取出し電極の形成工程において、前記取出し電極を、前記ＩＤＴ電極の長手方向に沿って概ね前記ＩＤＴ電極の形成領域の範囲に形成し、前記弾性表面波チップと前記カバー基板とを接合した際に、前記取出し電極を前記カバー基板の内面に一致する厚さに形成することが好ましい。

このようにすれば、取出し電極がカバー基板に接する厚さで形成され、しかもＩＤＴ電極に沿っているため、カバー基板の内面高さを取出し電極によって規制することができる。つまり、この取出し電極は、前述した補助部の機能を兼ね備えることになる。従って、補助電極を形成する工程が不要となり、弾性表面波チップの製造工程を簡素化することを可能にする。

また、前記補助部の形成工程が、前記ＩＤＴ電極の形成工程において、前記ＩＤＴ電極の近傍に、前記ＩＤＴ電極と同じ工程で第１層を形成した後、さらに、前記補助部を所定の厚さに積層する工程を含むことが好ましい。

このように補助部の第１層は、ＩＤＴ電極と同じ材質、同じ厚さで形成され、さらに所定の厚さになるように積層して補助部を形成するため、補助部は、ＩＤＴ電極近傍において、必ずＩＤＴ電極よりも厚く形成されることになるため、カバー基板との接触を確実に防止することができる。

また、前記補助部を、前記ＩＤＴ電極の形成工程及び前記取出し電極の形成工程とは別の補助部形成工程で、所定の厚さに形成することが好ましい。

このようにすれば、補助部は、ＩＤＴ電極または取出し電極とは異なる材質及び製造工程を任意に選択して形成することができる。

また、前記補助部を、前記ＩＤＴ電極の形成工程後に、前記ＩＤＴ電極を構成するバスバーの表面に、前記ＩＤＴ電極と同じ材料で所定の厚さに積層することが望ましい。

このように、バスバーの表面に補助部を配設すれば、ＩＤＴ電極に最も近接した場所に配設することになるため、補助部の高さを低く抑えても、本発明の目的を達成することができる。また、補助部の占有領域もＩＤＴ電極の範囲内となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、弾性表面波デバイスを本発明を適用した共振子の好適な実施の形態として例示している。
図１〜図４は本発明の実施形態１に係る弾性表面波デバイスの構造及び製造方法を示し、図５は実施形態１の変形例１、図６は実施形態１の変形例２、図７は実施形態２を示している。
（実施形態１）

図１〜図４は実施形態１に係る弾性表面波デバイスの構造及び製造方法を示す。
図１は、本実施形態に係る弾性表面波デバイス１０を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断面を示す断面図である。図２は、弾性表面波チップ１５の平面図、図３は、カバー基板３０の平面図である。図１、図２、図３において、弾性表面波デバイス１０は、ＩＤＴ電極５０（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を有する弾性表面波チップ１５と、その上面に積層し直接接合されるカバー基板３０とから構成されている。

弾性表面波チップ１５は、矩形の圧電基板２０からなり、その主面としての表面２２の略中央に、１対の交差指電極とそれぞれのバスバー５１，５２からなるＩＤＴ電極５０が形成され、その長手方向（表面波の進行方向）の両端側に反射器６０，６１が形成されている。なお、ＩＤＴ電極５０と反射器６０，６１の詳細な形状は図示を省略している。

上述した１対の交差指電極の一方は、バスバー５１から垂直にリード電極４５Ａが引き出され、その端部に圧電基板２０の長手方向に沿って取出し電極４５が形成されている。交差指電極の他方は、バスバー５２からリード電極４５Ａの逆方向にリード電極４６Ａが引き出され、その端部に取出し電極４５とは対角な位置に取出し電極４６が形成されている。また、圧電基板２０の表面２２の外周の周縁には全周にわたって金属接合部４０が形成されている。

さらに、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の離間した近傍には、ＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１の長手方向両側に沿って（つまり、長手方向が表面波の進行方向の場合には、幅方向両側に）島状の複数の補助部７０が形成されている。この補助部７０は、ＩＤＴ電極５０の厚さよりも厚く、カバー基板３０の裏面３３に接触しない範囲で形成される。すなわち、補助部７０の厚さは、圧電基板２０（弾性表面波チップ１５）あるいはカバー基板３０が歪んだ場合でも、ＩＤＴ電極５０（反射器６０，６１も含む）とカバー基板３０の裏面３３が接触しない範囲に適切に設定されている。

なお、図２では、補助部７０は、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の両側それぞれに６個ずつ配設しているが、補助部７０の数はこれに限定されず５個より増減することができる。また、配設位置についても、図２に限定されず、本発明の目的を達成する範囲で、適宜選択した位置に配設することができる。従って、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の片側に配設することもできる。

本実施形態では、圧電基板２０は水晶で形成されているが、その他に、リチウムタンタレート、リチウムニオベートなどの圧電材料を採用することもできる。また、ＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１及びリード電極４５Ａ，４６Ａは、電気特性、加工特性及びコストの面からＡｌ膜で形成されているが、その他にアルミニウム合金などの導電性金属材料を使用することもできる。取出し電極４５，４６、補助部７０及び金属接合部４０は、Ｃｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で同じ厚さに形成されている。

カバー基板３０は、矩形のガラス基板からなり、その表面３２から裏面３３に向けてテーパ状の貫通孔３４，３５が開設されている。貫通孔３４，３５は、それぞれ上述した圧電基板２０に設けられる取出し電極４５，４６に対応して対角方向に配置されている。

カバー基板３０の裏面３３には、取出し電極４５，４６に対応する形状の接続電極７３，７４が、それぞれ前述した貫通孔３４，３５の開口周縁の全周にわたって形成されている。さらに、カバー基板３０の裏面３３には、その外周の周縁には全周にわたって金属接合部４１が形成されている。

各貫通孔３４，３５及びそれに連続する接続電極７３，７４の内周面は、導電性金属材料からなる貫通電極７５，７６によって被覆されている。また、カバー基板３０の表面３２には、貫通孔３４，３５の周縁にそれぞれ外部電極７７，７８が形成されている。そして、外部電極７７，７８は、貫通孔３４，３５に設けられた貫通電極７５，７６を介して、接続電極７３，７４と電気的に接続されている。

本実施形態では、カバー基板３０は、圧電基板２０を構成する水晶に近い熱膨張率を有するソーダガラスで形成されている。また、接続電極７３，７４及び金属接合部４１は、Ｃｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で同じ厚さに形成されている。貫通電極７５，７６及び外部電極７７，７８は、同様にＣｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で形成されている。

カバー基板３０は、ソーダガラスの他に、水晶と同程度または近似した熱膨張率を有する他のガラス材料や絶縁材料、または圧電基板２０と同じ水晶で形成することができる。また、圧電基板２０を水晶以外の圧電材料で形成した場合、その圧電材料と同程度または近似した熱膨張率を有する絶縁性材料の薄板でカバー基板３０を形成することもできる。

弾性表面波チップ１５とカバー基板３０とは、金属接合部４０と金属接合部４１、取出し電極４５，４６と接続電極７３，７４とが熱圧着されることにより一体化され、弾性表面波チップ１５とカバー基板３０との間に形成される空間の内部にＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１、取出し電極４５，４６とが気密に封止される。本実施形態では、取出し電極４５，４６、と接続電極７３，７４、及び金属接合部４０と金属接合部４１の厚さを、それらを接合した状態でＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１のＡｌ膜よりも厚くなるように設定している。
また、補助部７０は、ＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１のＡｌ膜よりも厚くし、前述の空間の高さよりも薄く設定されている。

弾性表面波チップ１５とカバー基板３０との接合手段としては、取出し電極４５，４６、金属接合部４０の上面にＡｕＳｎ合金膜を形成し、熱圧着または共晶接合によって接合する構造も採用することができる。

従って、前述した実施形態１による弾性表面波デバイス１０は、補助部７０が、前述した空間の高さよりも低く、ＩＤＴ電極５０の厚さよりも高く設定されているため、圧電基板２０またはカバー基板３０が外部からの力等により歪みが発生したとしても、補助部７０によってカバー基板３０が保持されるため、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１にはカバー基板３０が接触しないので、予め期待される弾性表面波デバイスの励振、受信動作を確保、維持することができる。

また、この補助部７０は、空間内部に配設され、図２に示すように、長手方向はＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の領域の範囲、幅方向は取出し電極４５または取出し電極４６が形成される範囲に形成されるため、補助部７０を設けても平面サイズが大きくなることはない。

さらに、補助部７０の厚さも、金属接合部４０，４１を加えた厚さ（つまり接合した際に形成される空間の高さ）の範囲内にあるため、総厚さも厚くなることはない。
また、前述した従来技術のように、カバー基板３０に窪み状の空隙を設ける必要がないことから、カバー基板３０の構造的強度が高く、薄く形成することが可能となり、このことから小型、薄型の弾性表面波デバイスを提供することができる。
（実施形態１による弾性表面波デバイスの製造方法）

次に、本実施形態による弾性表面波デバイスの製造方法について図面を参照して説明する。
図４（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態による弾性表面波デバイス１０の製造工程の１例を示す断面図である。まず、図２に表す圧電基板２０を縦及び横方向に連続して配列した大判の水晶ウエハ２１を準備する。図４（ａ）において、水晶ウエハ２１の表面２２に、所定の厚さのＣｒ／Ａｕ膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて取出し電極４５，４６及び金属接合部４０と、補助部７０の第１層７０Ａを所望の形状に形成する。

続いて、水晶ウエハ２１の表面２２に所定の厚さのＡｌ膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１、リード電極４５Ａ，４６Ａ（図２、参照）を所望の形状に、且つリード電極４５Ａ，４６Ａを取出し電極４５，４６に電気的に接続させるように形成する。

ここで、補助部７０の形成工程をさらに詳しく説明すると、補助部７０の第１層７０Ａの厚さは、金属接合部４０、取出し電極４５，４６と同じであるため、金属接合部４０及び取出し電極４５，４６、補助部７０の第１層７０Ａの形成工程の後に、さらに補助部本来の厚さになるように補助部７０の第１層７０Ａの表面にＣｒ／Ａｕ膜（取出し電極４５，４６と同じ材質）を積層し、補助部７０を形成する（図４（ｂ）、参照）。

続いて、カバー基板３０の製造工程について説明する。図４（ｃ）を参照して説明する。
まず、図３に表すカバー基板３０を縦及び横方向に連続して配列した大判のガラス基板３１を準備する。ガラス基板３１には、カバー基板３０の貫通孔３４，３５をサンドブラスト加工またはエッチングにより間接する。特にサンドブラスト加工では、貫通孔３４，３５を所望のテーパ状に容易に加工することができる。

次に、ガラス基板３１の裏面３３（接合したときのカバー基板の内面）に所定の厚さのＣｒ／Ａｕ膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて接続電極７３，７４及び金属接合部４１を所望の形状に形成する。
上述したように形成されたカバー基板３０（この状態ではガラス基板３１）と、圧電基板２０（水晶ウエハ２１）とを接合する。

図４（ｄ）を参照して接合工程を説明する。水晶ウエハ２１とガラス基板３１とは、図４（ｄ）に示すように上下に位置合わせをして、金属接合部４０と金属接合部４１、取出し電極４５，４６と接続電極７３，７４と、を接触した状態で重ねあわせる。この状態で、接合装置を用いて加圧しながら加熱する熱圧着法により一体に接合する。

この状態において、弾性表面波チップ１５とカバー基板３０との間に形成される空間内にＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１（図１（ａ）、参照）、取出し電極４５，５６とが収容される。

次に、ガラス基板３１の表面３２にＣｒ／Ａｕ膜（または、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜）からなる外部電極７７，７８を所望の形状に形成し、続いて貫通電極７５，７６を形成する。
図４（ｅ）を参照して説明する。接合された積層体は、洗浄した後、貫通孔３４，３５及び接続電極７３，７４の内周面にスパッタリング等でＣｒ膜及びＡｕ膜（または、Ｃｒ膜、Ｎｉ膜及びＡｕ膜）を成膜することにより貫通電極７５，７６を形成する。貫通孔３４，３５はテーパ状に形成されているので、ガラス基板３１の上面からスパッタリング等により容易に形成することができる。
なお、貫通電極７５，７６は薄膜であるため、中央には貫通孔３６，３７が形成される。

次に、貫通孔３６，３７に導電材料を充填して封止材８０を形成する。図１（ｂ）を参照して説明する。貫通孔３６，３７の内面は、先に金属膜の貫通電極７５，７６が形成され濡れ性が向上しているため、封止材８０は充填が容易にできる。これにより、接続電極７３，７４及び取出し電極４５，４６を介してＩＤＴ電極５０の各交差指電極と対応する外部電極７７，７８との間における導通、貫通孔３６，３７における気密性をより確実で信頼性の高いものにしている。

最後に、ガラス基板３１と水晶ウエハ２１の積層体を縦横に直交する外郭線９０に沿ってダイシングすることにより、図１に示す単体の弾性表面波デバイス１０が完成する。

なお、補助部７０は、前述の製造方法では、まず、金属接合部４０及び取出し電極４５，４６と同じ厚さの第１層７０Ａを形成した後、さらに、同じ材質の金属膜を所望の厚さまで積層しているが、金属接合部４０及び取出し電極４５，４６がＩＤＴ電極５０よりも厚く、補助部７０の機能を果たすのに必要な厚さであれば、さらなる積層工程は不要である。

従って、前述した実施形態１の弾性表面波デバイスの製造方法によれば、補助部７０は、取出し電極４５，４６形成工程の範疇で形成することが可能で、補助部７０を設けることによる大幅な工程増加を伴わず製造することができる。
また、取出し電極４５，４６のそれぞれは、カバー基板３０に設けられる貫通電極７５，７６を介して外部電極７７，７８に接続しているため、金属接合部４０を横切ることがないため、空間内の気密性を保持することができる。

さらに、取出し電極４５，４６を形成する工程で補助部７０の第１層７０Ａを形成し、さらに、所定の厚さにする積層工程を加えることにより、要求される補助部７０の厚さに対応して、さらに１層または複数層の金属膜を積層して自在に所望の厚さの補助部７０を形成することができる。
（実施形態１の変形例１）

補助部７０は、前述した実施形態１（図１，２、参照）では、複数の島状の形状を配列しているが、補助部７０の形状は島状に限らず、様々な形状を提案することができる。
図５は、実施形態１の変形例１に係る弾性表面波チップ１５を示す平面図である。前述した実施形態（図１〜図３、参照）と共通部分には同じ符号を附している。また、断面関係は実施形態１と同じであるため図示を省略する。補助部は、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の両側に沿って、リード電極４５Ａまたはリード電極４６Ａを跨いで形成される補助部７１，７２から構成されている。

なお、この補助部７１，７２は、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の長手方向の範囲にわたって設けられているが、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１及び金属接合部４０の内側領域の寸法関係から、本発明の目的を達成する範囲において、ＩＤＴ電極５０の範囲（両側）だけでも、またＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の片側だけに設けてもよい。
このように形成しても、前述した実施形態１と同様な効果を奏することができる。
（実施形態１の変形例２）

図６に実施形態１の他の変形例の弾性表面波チップ１５を示す。変形例２は、取出し電極４５，４６を大きくして補助部の機能を兼用するように形成したものである。
取出し電極４５，４６は、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の長手方向（表面波の進行方向）の両側に沿って、長手方向はＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１の形成領域の範囲、幅方向は実施形態１（図１（ａ）、参照）に表される取出し電極４５，４６の範囲内に形成される。

この変形例２の取出し電極４５，４６の厚さは、前述した空間の高さと一致する厚さとされる。つまり、金属接合部４０と金属接合部４１とを接合した高さに等しい。この際、実施形態１において、カバー基板３０の裏面３３に形成されている接続電極７３，７４は不要である。このように、取出し電極４５，４６は、補助部としての機能を併せ持つことになる。

接合方法としては、前述した実施形態１の製造方法に準ずるが、金属接合部４０と金属接合部４１との間において、熱圧着法によって行うことができる。

この変形例２のように取出し電極４５，４６を形成する場合には、他の接合方法を採用することができる。例えば、ガラスからなるカバー基板３０と金属接合部４０及び取出し電極４５，４６との間で陽極接合する方法である。ここで、カバー基板３０と金属接合部４０とを直接接合するために、前述した実施形態１（図１（ｂ）、参照）に示すカバー基板３０に設けられる金属接合部４１は形成しない。また、金属接合部４０と取出し電極４５，４６の厚さは、前述した実施形態１に示す空間の高さ、つまり金属接合部４０，４１を合わせた厚さにする。こうすることで、カバー基板３０と弾性表面波チップ１５との接合を補助部として必要な高さの空間を有して行うことができる。

このようにすれば、図６に示す形状の取出し電極４５，４６を形成することで、取出し電極を補助部としての機能を持たせることができ、補助部をあらためて形成することなく、前述した効果を奏することができる。この取出し電極は、本来の取出し電極としての機能を有するために設けられる平面の大きさの範囲に形成することができるので、弾性表面波デバイスのサイズが大きくなることはない。

なお、図６では、貫通孔３４，３５は、実施形態１（図１（ａ）、参照）と同じ対角位置に設けているが、これらの位置は、例えば、取出し電極４５，４６の中心位置（ＩＤＴ電極５０の長手方向中心位置）など、自在に選択して設けることができ、図示しない外部回路との接続レイアウトの自由度が増すというような効果もある。
（実施形態１の変形例３）

次に、実施形態１の変形例３について説明する。この変形例３は、補助部をＩＤＴ電極５０の形成時に、ＩＤＴ電極５０と同じＡｌを用いて形成し、補助部の形状は、前述した実施形態１（図２、参照）と、その変形例１（図５、参照）と同じにすることが可能なため、図は省略する。

この変形例３は、ＩＤＴ電極５０（反射器６０，６１、リード電極４５Ａ，４６Ａ含む）の形成工程で、補助部の第１層を形成した後、続いて、この第１層の表面にＡｌ層を所定の補助部の厚さになるように積層するものである。
従って、このような変形例３では、前述した実施形態１及び変形例１と同様な効果を奏することができる。
（実施形態２）

続いて、本発明の実施形態２について図面を参照して説明する。実施形態２は、補助部をＩＤＴ電極及び反射器を構成するバスバーの表面に形成したところに特徴を有している。
図７は、実施形態２に係る弾性表面波チップ１５を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ切断面を示す断面図である。図７（ａ）、（ｂ）において、弾性表面波チップ１５は、圧電基板２０の表面２２にＩＤＴ電極５０、取出し電極４５，４６、金属接合部４０とが、前述した実施形態１の製造方法で形成されている。

ここで、ＩＤＴ電極５０を構成する交差指電極を連続するバスバー５１，５２（反射器６０，６１のバスバーも含む）の表面に、ＩＤＴ電極５０（反射器６０，６１含む）形成後、総厚さが、前述した補助部７０（図１（ｂ）、参照）と同じになるように補助部としての補助電極５３，５４が積層されている。補助電極５３，５４は、ＩＤＴ電極５０と同じＡｌからなる。

このバスバー５１，５２の表面に補助電極５３，５４を配設しても励振、受信特性には影響しないことは知られている。従って、バスバー５１，５２の上面に補助部としての補助電極５３，５４を配設すれば、ＩＤＴ電極５０及び反射器６０，６１に最も近接した場所に配設することになるため、補助電極５３，５４の高さを低く抑えても、本発明の目的を達成することができる。また、補助電極５３，５４の占有領域もＩＤＴ電極５０、反射器６０，６１の範囲内となり、弾性表面波デバイス１０の小型化に寄与する。

なお、補助電極５３，５４は、バスバー５１，５２に対して、交差指電極に接触しない範囲の幅で形成されている。これは、補助電極５３，５４を積層形成する際に、製造上のばらつきがあっても、交差指電極の領域に、補助電極５３，５４がかからないようにするためであり、このようにしても、本発明の目的を達成するための妨げにはならない。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、且つ、説明しているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲に逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、材質、組み合わせ、その他の詳細な構成、及び製造工程間の加工方法において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。

従って、上記に開示した形状、材質、製造工程などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものでないから、それらの形状、材質、組み合わせなどの限定の一部もしくは全部の限定をはずした部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。

例えば、前述の実施形態１では、圧電基板２０に補助部７０を取出し電極４５，４６と同じ材質の金属膜で形成しているが、補助部７０はそれらと異なる材料で、補助部単体として圧電基板２０の表面に設ける構造としてもよい。

また、カバー基板３０に補助部を形成することもできる。この場合ＩＤＴ電極５０や、反射器６０，６１に接触しない近傍の領域に、例えば、金属接合部４１または接続電極７３，７４の形成工程に連続して実施形態１による補助部７０とカバー基板３０との寸法関係と同様に、カバー基板３０に設ける補助部と弾性表面波チップ１５との寸法関係を等しく形成することができる。このような構造にしても、本発明の目的を達成することを可能にする。

従って、前述の実施形態１〜実施形態２によれば、小型、薄型の弾性表面波デバイスを実現しながら、外力によって圧電基板及びカバー基板が歪んでもＩＤＴ電極とカバー基板とが接触しない構造の弾性表面波デバイスと、その製造方法を簡素な工程で実現することができる。

本発明の実施形態１に係る弾性表面波デバイスを示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態１に係る弾性表面波チップの平面図。 本発明の実施形態１に係るカバー基板の平面図。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施形態１による弾性表面波デバイスの製造工程の１例を示す断面図。 本発明の実施形態１の変形例１に係る弾性表面波チップを示す平面図。 本発明の実施形態１の変形例２に係る弾性表面波チップを示す平面図。 本発明の実施形態２に係る弾性表面波チップを示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ切断面を示す断面図。

符号の説明

１０…弾性表面波デバイス、１５…弾性表面波チップ、２０…圧電基板、３０…カバー基板、４０…金属接合部、４５，４６…取出し電極、５０…ＩＤＴ電極、６０，６１…反射器、７０…補助部、７３，７４…接続電極、７７，７８…外部電極。

Claims (10)

1. 圧電基板の主面に形成されたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出した取出し電極と、前記圧電基板の主面の外周に沿って形成された金属接合部とを有する弾性表面波チップと、
   絶縁性材料からなり、一方の主面に設けられる前記取出し電極と接続する接続電極と、他方の主面に設けられる外部電極と、前記接続電極と前記外部電極とを接続する貫通電極とを有するカバー基板と、
   前記弾性表面波チップと前記カバー基板とが前記金属接合部において接合されることによって形成される空間の内部に、前記ＩＤＴ電極と前記取出し電極とが気密封止され、
   前記空間の内部において、前記圧電基板または前記カバー基板が変形しても、前記カバー基板が前記ＩＤＴ電極に接触しない程度の高さを有する補助部が前記圧電基板の主面に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
2. 請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
   前記補助部が、前記ＩＤＴ電極の近傍の離間した位置に、前記ＩＤＴ電極の長手方向に沿って形成された金属膜であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
3. 請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
   前記取出し電極が、前記ＩＤＴ電極の長手方向に沿って概ね前記ＩＤＴ電極の形成領域の範囲に設けられ、前記圧電基板と前記カバー基板とを接合した際に、前記空間の高さと同じ厚さで形成され、前記補助部を兼用していることを特徴とする弾性表面波デバイス。
4. 請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
   前記補助部が、前記ＩＤＴ電極を構成するバスバーの表面に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
5. 圧電基板の主面に設けたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出した取出し電極と、前記圧電基板の主面の外周に沿って形成された金属接合部と、補助部と、を有する弾性表面波チップを形成する工程と、
   一方の主面に設けられる前記取出し電極と接続する接続電極と、他方の主面に設けられる外部電極と、前記接続電極と前記外部電極とを接続する貫通電極とを有するカバー基板を形成する工程と、
   前記弾性表面波チップと前記カバー基板とを前記金属接合部において接合する工程と、前記貫通電極を気密封止する工程と、を含み、
   前記補助部を前記圧電基板または前記カバー基板が変形しても、前記カバー基板が前記ＩＤＴ電極に接触しない程度の高さに形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
6. 請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記補助部の形成工程が、前記取出し電極または前記金属接合部の形成工程において、前記ＩＤＴ電極及び前記取出し電極とは離間した位置に、前記取出し電極と同じ材料で第１層を形成した後、前記補助部を所定の厚さに積層する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
7. 請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記取出し電極の形成工程において、前記取出し電極を、前記ＩＤＴ電極の長手方向に沿って概ね前記ＩＤＴ電極の形成領域の範囲に形成し、前記弾性表面波チップと前記カバー基板とを接合した際に、前記取出し電極を前記カバー基板の内面に一致する厚さに形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
8. 請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記補助部の形成工程が、前記ＩＤＴ電極の形成工程において、前記ＩＤＴ電極の近傍に、前記ＩＤＴ電極と同じ工程で第１層を形成した後、さらに、前記補助部を所定の厚さに積層する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
9. 請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記補助部を、前記ＩＤＴ電極の形成工程及び前記取出し電極の形成工程とは別の補助部形成工程で、所定の厚さに形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
10. 請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
    前記補助部を、前記ＩＤＴ電極の形成工程後に、前記ＩＤＴ電極を構成するバスバーの表面に、前記ＩＤＴ電極と同じ材料で所定の厚さに積層することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
    

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