BR102012011304A2 - mÉtodo para produzir um màdulo de semicondutor e um màdulo de semicondutor - Google Patents

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BR102012011304A2
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BR
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semiconductor module
hole
substrate
producing
collective substrate
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BRBR102012011304-0A
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Takae Sakai
Masahiro Murakami
Masahiko Kushino
Yoshihisa Amano
Shinichi Tokuno
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Sharp Kk
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Abstract

MÉTODO PARA PRODUZIR UM MàDULO DE SEMICONDUTOR E UM MàDULO DE SEMICONDUTOR. A presente invenção refere-se ao modo de aterrar seguramante uma blindagem externa e reduzir a carga imposta sobreuma lâmina de corte e a blindagem externa, um método para produzir um módulo de semicondutor que compreende uma etapa de formação de furos de formar um furo (30) que estende de uma superfície superior de uma camada de resina de vedação (3) até uma fiação de terra (11) (112) provida em um substrato coletivo 100, uma etapa de formação de filme de formar um filme eletricamente condutivo feito de um material eletricamente condutivo de modo a cobrir pelo menos a superfície superior da camada de resina de vedação (3), uma superfície interna do furo (20), e a fiação de terra (111) (112), e uma etapa de separação de separar umas das outras pluraludade de seções de módulos individuais a qual a seção de módulo individual compreende.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "MÉTODO PARA PRODUZIR UM MÓDULO DE SEMICONDUTOR E UM MÓDULO DE SEMICONDUTOR".
Antecedentes da Invenção 5 Campo da Invenção
A presente invenção refere-se a um método para produzir um módulo de semicondutor vedado com resina e um módulo de semicondutor. Descrição da Técnica Relacionada
Os módulos de semicondutor para dispositivos eletrônicos tais 10 como os telefones móveis convencionalmente têm um circuito de alta frequência que inclui um dispositivo de semicondutor de alta frequência e um circuito periférico formado no mesmo. Isto requer um bloqueio (uma blindagem contra) um ruído de alta frequência e similares, e assim, os módulos de semicondutor são inteiramente cobertos com uma caixa de blindagem metá15 lica. Por outro lado, juntamente com a recente demanda crescente para dispositivos eletrônicos compactos, houve uma crescente demanda para módulos de semicondutor menores e mais finos.
No entanto, em módulos de semicondutor convencionais, fixações (apoios) para prender a caixa de blindagem metálica precisam ser providos sobre um substrato de módulo, o que é uma obstrução em conseguir módulos menores e mais finos.
De modo a superar a obstrução, foi proposto um módulo de semicondutor aperfeiçoado sem uma caixa de blindagem metálica (uma estrutura sem caixa de blindagem metálica. A seguir, uma descrição será dada do 25 módulo de semicondutor aperfeiçoado com referência aos desenhos acompanhantes. A figura 34 é uma vista em corte esquemática que ilustra um módulo de semicondutor convencional, e as figuras 35 a 39 são vistas em corte esquemáticas que ilustram um processo para produzir o módulo de semicondutor ilustrado na figura 34. Como ilustrado na figura 34, um módulo de 30 semicondutor G aperfeiçoado inclui um substrato de módulo 91, componentes eletrônicos 92 tal como um dispositivo de semicondutor, um capacitor, e um resistor os quais estão montados sobre uma superfície de topo (uma superfície de montagem de componentes) do substrato de módulo, uma camada de resina de vedação 93 a qual está formada de resina tal como uma resina epóxi e veda os componentes eletrônicos 92 e uma blindagem externa 94 a qual está formada sobre uma superfície da camada de resina de veda5 ção 93.
Condutores de sinal 911 estão formados sobre a superfície de montagem de componente do substrato de módulo 91, e os componentes eletrônicos 92 estão ou conectados nos condutores de sinal 911 através de fios de ligação Bw ou diretamente conectados nos condutores de sinal 911 10 através de seus terminais. Dentro do substrato de módulo, está formada uma linha de terra 913, a qual inclui uma parte exposta na sua superfície inferior. A blindagem externa 94 está formada de um material eletricamente condutivo para cobrir as superfícies superior e lateral da camada de resina de vedação 93. A blindagem externa 94 está em contato com a linha de terra 15 913 em partes de suas porções laterais que faceiam o substrato de módulo 91. A blindagem externa 94 é aterrada estando em contato com a linha de terra 913. Deste modo, é possível bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado, por exemplo, por um campo eletromagnético ou eletricidade estática.
O módulo de semicondutor aperfeiçoado é produzido no seguin
te processo. Uma etapa de montagem é executada para montar os componentes eletrônicos 92 sobre uma superfície superior de um substrato coletivo 910 antes deste ser cortado em substrato de módulo 91 (ver figura 35). Então, utilizando um método convencionalmente bem conhecido tal como um 25 método de impressão, uma etapa de vedação é executada para formar a camada de resina de vedação 93 a qual veda a superfície superior do substrato coletivo 910 com uma resina isolante tal como uma resina epóxi (ver figura 36). Aqui, o substrato coletivo 910 tem uma estrutura de modo que uma pluralidade de seções de módulo individuais (as quais devem ser corta30 das e divididas nos substratos de módulo 91) está ali disposta.
Então, uma primeira etapa de corte é executada para formar fendas na camada de resina de vedação 93 que correspondem aos limites entre as seções de módulos individuais do lado de superfície superior da camada de resina de vedação 93 utilizando uma lâmina de corte. Na primeira etapa de corte, as fendas são formadas na camada de resina de vedação 93, e ao mesmo tempo, parte do substrato coletivo 910 é cortada para expor 5 parte da linha de terra 913 formada dentro do substrato coletivo 910 para o lado de superfície superior (ver figura 37).
Pela utilização de um método convencionalmente bem conhecido tal como um método de impressão, uma pasta eletricamente condutiva é carregada dentro das fendas formadas na camada de resina de vedação 93 (uma etapa de carregamento). Neste momento, a pasta eletricamente condutiva carregada dentro das fendas está em contato com a linha de terra 913 do substrato coletivo 910. Mais ainda, uma superfície superior da camada de resina de vedação 93 onde as fendas formadas na mesma estão cheias com a pasta eletricamente condutiva é revestida com a pasta eletricamente condutiva (uma etapa de revestimento, ver figura 38). Como ilustrado na figura 38, a pasta eletricamente condutiva é aterrada sendo carregada dentro das fendas e aplicada para revestir a superfície superior da camada de resina de vedação 93 de modo a ficar em contato com a linha de terra 913. Nota-se que a camada de pasta eletricamente condutiva serve com a blindagem externa 94 do módulo de semicondutor G.
Uma segunda etapa de corte é executada para cortar o substrato coletivo 910 em partes limite entre os módulos, isto é, em uma parte central de cada uma das fendas, as quais estão cheia com a pasta eletricamente condutiva, utilizando uma lâmina de corte que é mais fina do que a largura 25 das fendas (uma lâmina de corte que é mais fina que a lâmina de corte utilizada na primeira etapa de corte) (ver figura 39). Assim, como a lâmina de corte utilizada na segunda etapa de corte é mais fina do que aquela que é utilizada na primeira etapa de corte, a blindagem externa 94 é formada sobre as superfícies laterais do módulo de semicondutor G completo (ver figura 34) 30 após a segunda etapa de corte, o que torna possível aterrar seguramente a blindagem externa 94 (ver JP-A-2004-172176).
A figura 40 é uma vista plana que ilustra o substrato coletivo antes de ser cortado nos módulos de semicondutor na segunda etapa de corte. Uma pluralidade de módulos de semicondutor G é produzida cortando o substrato coletivo 910, onde os módulos estão bidimensionalmente dispostos, utilizando uma lâmina de corte (uma segunda etapa de corte).
5 No entanto, na produção de módulos de semicondutor neste mé
todo, no qual as fendas formadas na primeira etapa de corte são cheias com a pasta eletricamente condutiva, a lâmina de corte e a pasta eletricamente condutiva contatam uma à outra sobre uma grande área na segunda etapa de corte. A pasta eletricamente condutiva carregada dentro das fendas con10 tém um componente metálico, e isto faz com que uma pesada carga seja imposta sobre a lâmina de corte em cortar a pasta eletricamente condutiva na segunda etapa de corte.
Além disso, isto leva a um alto risco de defeitos que resultam da lâmina de corte raspando ou cortando fora a blindagem externa, a qual é 15 feita da pasta eletricamente condutiva, sendo esfoliada ou cortada fora devido ao atrito com a lâmina de corte. Além disso, uma grande quantidade de pasta eletricamente condutiva é removida na segunda etapa de corte. Estas inconveniências tendem a resultar em baixa produtividade e alto custo. Sumário da Invenção 20 A presente invenção foi feita em vista do acima, e um objetivo
seu é prover um método para produzir um módulo de semicondutor o qual torna possível aterrar seguramente uma blindagem externa e reduzir uma carga imposta sobre uma lâmina de corte e uma vedação externa.
Outro objetivo da presente invenção é prover um módulo de semicondutor o qual é não somente compacto e fino mas também altamente produzível.
Para atingir os objetivos acima, de acordo com um aspecto da presente invenção, um método para produzir um módulo de semicondutor inclui: uma etapa de montagem de montar um componente eletrônico sobre 30 uma seção de módulo individual de uma superfície superior de um substrato coletivo; uma etapa de vedação de vedar a superfície superior sobre a qual o componente eletrônico está montado com uma camada de resina de vedação; uma etapa de formação de furos de formar um furo que estende de uma superfície superior da camada de resina de vedação até uma fiação de terra provida no substrato coletivo; uma etapa de formação de filme de formar um filme eletricamente condutivo feito de um material eletrica5 mente condutivo de modo a cobrir pelo menos a superfície superior da camada de resina de vedação, uma superfície interna do furo, e a fiação de terra; e uma etapa de separação de separar umas das outras uma pluralidade de seções de módulos individuais a qual a seção de módulo individual compreende.
Com esta disposição, é possível reduzir uma área sobre a qual o
filme eletricamente condutivo e um meio de corte tal como uma faca de corte contatem um ao outro, e isto leva a consequentemente diminuir a carga imposta sobre o meio de corte e consequentemente uma alta produtividade.
Mais ainda, formando o filme eletricamente condutivo simultane15 amente sobre a superfície superior da camada de resina de vedação e a superfície interna do furo na etapa de formação de filme, é possível aterrar seguramente o filme eletricamente condutivo, e isto leva a uma propriedade consequentemente aumentada (blindagem) de bloqueio de ondas eletromagnéticas e similares.
De acordo com uma modalidade preferida da presente invenção,
um substrato no qual a fiação de terra está disposta dentro da seção de módulo individual pode ser utilizado como o substrato coletivo.
Isto impede que uma lâmina de corte a qual corta o substrato e similares na etapa de separação contate a fiação de terra, a qual é feita de metal (e dura), e assim, é possível reduzir não somente a dispersão de pedaços metálicos mas também a carga imposta sobre a lâmina de corte.
De acordo com uma modalidade preferida da presente invenção, um substrato no qual uma pluralidade de fiações de terra está provida como a fiação de terra para cada uma das seções de módulo individuais pode ser 30 utilizado como o substrato coletivo, e etapa de formação de furos na modalidade preferida pode formar uma pluralidade de furos que alcançam as fiações de terra. Com esta disposição, o filme eletricamente condutivo do módulo de semicondutor está conectado no fio de terra em uma pluralidade posições. Isto torna possível aterrar seguramente o filme eletricamente condutivo.
De acordo com uma modalidade preferida da presente invenção,
um substrato no qual a fiação de terra está disposta em uma camada de fiação mais externa pode ser utilizado como o substrato coletivo.
De acordo com uma modalidade preferida da presente invenção, com substrato coletivo, um substrato no qual uma resistência á solda está formada sobre a fiação de terra pode ser utilizado como o substrato coletivo, e a camada de resina de vedação e a resistência à solda podem ser removidas do furo na etapa de formação de furos.
De acordo com uma modalidade preferida da presente invenção, um substrato no qual a fiação de terra está disposta em uma camada de fiação interna pode ser utilizando como um substrato coletivo.
De acordo com uma modalidade preferida da presente invenção, um substrato no qual nenhuma outra fiação está formada entre a fiação de terra e a camada de resina de vedação em uma área na qual o furo está formado pode ser utilizado como o substrato coletivo.
Para atingir os objetos acima, de acordo com outro aspecto da
presente invenção, um método para produzir um módulo de semicondutor inclui: uma etapa de montagem de montar um componente eletrônico sobre uma seção de módulo individual de uma superfície superior de um substrato coletivo; uma etapa de vedação de vedar a superfície superior sobre a qual o 25 componente eletrônico está montado com uma camada de resina de vedação; uma etapa de formação de furos de formar um furo que penetra no substrato coletivo e na camada de resina de vedação; uma etapa de formação de filme de formar um filme eletricamente condutivo feito de um material eletricamente condutivo de modo a cobrir uma superfície superior da cama30 da de resina de vedação e uma superfície interna do furo; e uma etapa de separação de separar umas das outras uma pluralidade de seções de módulos individuais a qual a seção de módulo individual compreende. De acordo com uma modalidade preferida da invenção, a etapa de formação de furos pode formar o furo de modo que o furo penetre uma parte do substrato coletivo onde nenhuma fiação está formada.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, a etapa de formação de furos pode formar uma pluralidade de furos como o furo de modo que pelo menos um da pluralidade de furos seja formado sobre uma borda da seção de módulo individual.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, a seção de módulo individual pode ter uma forma retangular, e a etapa de formação de furos pode formar pelo menos um da pluralidade de furo em um canto da seção de módulo individual.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, a etapa de formação de furos pode formar pelo menos um da pluralidade de furos através de duas ou mais da pluralidade de seções de módulo individuais.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, a etapa
de formação de filme pode formar um filme eletricamente condutivo sobre a superfície interna do furo de tal modo que o material eletricamente condutivo não preencha o furo.
Com esta disposição, é possível reduzir a área sobre a qual o meio de corte tal como uma lâmina de corte utilizada na etapa de separação e o filme eletricamente condutivo contatam um ao outro, e reduzir a dispersão de fragmentos do material eletricamente condutivo. É também possível reduzir a dispersão de fragmentos dos fios.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, pode ser adicionalmente incluída uma etapa de formação de ranhuras de formar na camada de resina de vedação uma ranhura que tem uma profundidade que não alcança o substrato coletivo, a etapa de formação de ranhuras sendo executada após a etapa de vedação, mas antes da etapa de formação de filme.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, pode ser adicionalmente incluída uma etapa de formação de ranhuras de formar na camada de resina de vedação uma ranhura que é tão profunda de modo a cortar parte do substrato coletivo, a etapa de formação de ranhuras sendo executada após a etapa de vedação, mas antes da etapa de formação de filme.
De acordo com uma modalidade preferida da invenção, a etapa de formação de filme pode formar o filme eletricamente condutivo sobre uma superfície interna da ranhura assim como de tal modo que o material eletricamente condutivo não preencha a ranhura.
Com esta disposição é possível reduzir a área sobre a qual o meio de corte tal como uma lâmina de corte utilizada na etapa de separação e o filme eletricamente condutivo contatam um ao outro, e reduzir a dispersão de fragmentos do material eletricamente condutivo. É também possível reduzir a dispersão de fragmentos dos fios.
Com esta disposição, o filme eletricamente condutivo também funciona para reduzir o influxo de umidade na camada de resina de vedação, e ainda, pela formação do filme eletricamente condutivo tão profundo de 15 modo a cortar parte do substrato, é possível obter o efeito de intrusão de água na forma de umidade ou similar. Isto ajuda a reduzir o risco de rachaduras e similares da resina que ocorre em soldagem de refluxo.
Com esta disposição é possível reduzir a área sobre a qual o meio de corte tal como uma lâmina de corte utilizada na etapa de separação e o filme eletricamente condutivo contatam um ao outro, e reduzir a dispersão de fragmentos do material eletricamente condutivo. É também possível reduzir a dispersão de fragmentos dos fios.
Exemplos do módulo de semicondutor produzido pela utilização dos métodos acima descritos incluem um que está provido com uma pluralidade de porções de módulo que operam independentemente.
Breve Descrição dos Desenhos
Figura 1 é uma vista em perspectiva de um exemplo de um módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção;
figura 2 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 1, feita ao longo da linha Il-Il da figura 1;
figura 3 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 1, feita ao longo da linha Ill-Ill da figura 1; figura 4 é uma vista plana que ilustra um estado onde os componentes eletrônicos estão montados sobre um substrato coletivo.
figura 5 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 4 feita ao longo da linha V-V da figura 4;
figura 6 é uma vista plana que ilustra um substrato coletivo após
uma etapa de vedação;
figura 7 é uma vista em corte do substrato coletivo da figura 6 feita ao longo da linha Vll-Vll da figura 6;
figura 8 é uma vista em corte do substrato coletivo da figura 6 feita ao longo da linha VIII-VIII da figura 6;
figura 9 é uma vista plana que ilustra esquematicamente uma etapa de formação de furos;
figura 10 é uma vista em corte do substrato coletivo após a etapa de formação de furos ilustrada na figura 9;
figura 11 é uma vista plana de um substrato coletivo em um es
tado onde um filme metálico é formado em uma etapa de formação de filme;
figura 12 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 11 feita ao longo da linha Xll-Xll da figura 11;
figura 13 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 11 feita ao longo da linha Xl I I-Xl 11 da figura 11;
figura 14 é uma vista plana que ilustra um substrato coletivo cortado em uma etapa de corte:
figura 15 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 14 feita ao longo da linha XV-XV da figura 14;
figura 16 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na
figura 14 feita ao longo da linha XVI-XVI da figura 14;
figura 17 é uma vista em perspectiva de outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção;
figura 18 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 17 feita ao longo da linha XVIII-XVIII da figura 17;
figura 19 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 17 feita ao longo da linha XIX-XIX da figura 17; figura 20 é uma vista plana de um substrato coletivo no qual ranhuras são formadas em uma superfície de um resina de vedação após a etapa de vedação.
figura 21 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 20 feita ao longo da linha XXI-XXI da figura 20;
figura 22 é uma vista plana que ilustra esquematicamente uma etapa de formação de furos.
figura 23 é uma vista em corte de um substrato coletivo após a etapa de formação de furos ilustrada na figura 22;
figura 24 é uma vista plana de um substrato coletivo após um
filme ser formado sobre o mesmo;
figura 25 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 24 feita ao longo da linha XXV-XXV da figura 24;
figura 26 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 24 feita ao longo da linha XXVI-XXVI da figura 24;
figura 27 é uma vista em corte que ilustra um substrato coletivo cortado em uma etapa de corte;
figura 28 é uma vista em perspectiva de ainda outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção;
figura 29 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilus
trado na figura 28 feita ao longo da linha XXIX-XXIX da figura 28;
figura 30 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 28 feita ao longo da linha XXX-XXX da figura 28;
figura 31 é uma vista em perspectiva de ainda outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção;
figura 32 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 31;
figura 33 é uma vista em corte que ilustra um estado onde o módulo de semicondutor ilustrado na figura 32 está montado sobre um substrato de montagem;
figura 34 é uma vista em corte esquemática de uma versão aperfeiçoada de um módulo de semicondutor convencional; figura 35 é uma vista em corte esquemática que ilustra uma etapa de montagem executada na produção de um módulo de semicondutor convencional;
figura 36 é uma vista em corte esquemática que ilustra uma etapa de vedação executada na produção do módulo de semicondutor convencional;
figura 37 é um diagrama esquemático que mostra uma primeira etapa de corte executada na produção do módulo de semicondutor convencional;
figura 38 é uma vista em corte esquemática que ilustra uma eta
pa de carregamento executada na produção do módulo de semicondutor convencional;
figura 39 é um diagrama esquemático que ilustra uma segunda etapa de corte executada na produção do módulo de semicondutor convencional;
figura 40 é uma vista plana esquemática que ilustra um substrato coletivo convencional;
figura 41 é uma vista em perspectiva de ainda outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção;
figura 42 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilus
trado na figura 41, feita ao longo da linha XLII-XLII da figura 41;
figura 43 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 41, feita ao longo da linha XLIII-XLIII da figura 41;
figura 44 é uma vista plana de um substrato coletivo no qual furos são formados em uma superfície de uma resina de vedação após uma etapa de vedação;
figura 45 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 44, feita ao longo da linha XLV-XLV da figura 44;
figura 46 é uma vista plana que ilustra esquematicamente uma etapa de formação de ranhuras;
figura 47 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 46, feita ao longo da linha XLVII-XLVII da figura 46; figura 48 é uma vista plana de um substrato coletivo após um filme ser formado sobre este;
figura 49 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 48, feita ao longo da linha XLIX-XLIX da figura 48;
figura 50 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na
figura 48, feita ao longo da linha L-L da figura 48;
figura 51 é uma vista em corte que ilustra um substrato coletivo após ser cortado em uma etapa de corte;
figura 52 é uma vista em perspectiva de ainda outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção;
figura 53 é uma vista em corte do módulo semicondutor ilustrado na figura 52, feita ao longo da linha LI I I-Ll 11 da figura 52;
figura 54 é uma vista em corte do módulo semicondutor ilustrado na figura 52, feita ao longo da linha LIV-LIV da figura 52;
figura 55 é uma vista plana de um substrato coletivo no qual ra
nhuras são formadas em uma superfície de uma resina de vedação após uma etapa de vedação;
figura 56 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 55, feita ao longo da linha LVI-LVI da figura 55;
figura 57 é uma vista plana que ilustra esquematicamente uma
etapa de formação de furos;
figura 58 é uma vista em corte de um substrato coletivo após a etapa de formação de furos ilustrada na figura 57;
figura 59 é uma vista plana de um substrato coletivo após um filme ser formado sobre o mesmo;
figura 60 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 59, feita ao longo da linha LX-LX da figura 59;
figura 61 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 59, feita ao longo da linha LXI-LXI da figura 59; e figura 62 é uma vista em corte que ilustra um substrato coletivo
após ser cortado em uma etapa de corte. Descrição das Modalidades Preferidas
As modalidades da presente invenção serão abaixo descritas com referência aos desenhos acompanhantes. Os símbolos de referência para os membros e (ou) hachuras podem algumas vezes ser omitidos para 5 facilidade de descrição, e em tal caso, um desenho diferente deve ser referido.
Primeira Modalidade
A figura 1 é uma vista em perspectiva esquemática de um exemplo de um módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção, 10 a figura 2 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 1, feita ao longo da linha Il-Il da figura 1, e a figura 3 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 1, feita ao longo da linha Ill-Ill da figura 1. Primeiro, com referência às figuras 1 a 3 uma descrição será dada de uma configuração de um módulo de semicondutor A de acordo com 15 a presente invenção.
Como ilustrados nas figuras 1 a 3, o módulo de semicondutor A de acordo com a presente invenção tem uma forma quadrada como visto por cima (em vista plana). O módulo de semicondutor A inclui um substrato de módulo 1, uma pluralidade de componentes eletrônicos 2 montada sobre 20 uma superfície superior (uma superfície principal; pode daqui em diante ser denominada uma superfície de montagem de componentes) do substrato de módulo 1, uma camada de resina de vedação 3 a qual veda uma superfície superior do substrato de módulo 1 que inclui os componentes eletrônicos, uma blindagem externa 4 a qual cobre uma superfície superior da camada 25 de resina de vedação 3, e seções de conexão 5 as quais estão integralmente formadas com a blindagem externa 4. O substrato de módulo 1 é um exemplo de um "substrato" da presente invenção e é obtido cortando um substrato coletivo 100 posteriormente descrito. Incidentalmente, no processo de produção real, o substrato coletivo 100 é cortado após os componentes 30 eletrônicos serem montados e a camada de resina de vedação 3, a blindagem externa 4, as seções de conexão 5, e similares serem formadas, e o detalhe do substrato coletivo 100 será posteriormente descrito. O substrato de módulo 1 é um substrato de múltiplas camadas que tem uma espessura predeterminada, e este tem uma forma quadrada em vista plana. Sobre uma superfície superior do substrato de módulo 1, está formada uma fiação de superfície superior 11a qual é um filme eletri5 camente condutivo formado em um padrão predeterminado para ser eletricamente conectada a terminais dos componentes eletrônicos 2. Mais ainda, sobre uma superfície inferior do substrato de módulo 1, está formada uma fiação de superfície inferior 12 a qual é também um filme eletricamente condutivo formado em um padrão predeterminado. Mais ainda, o substrato de 10 módulo 1, o qual inclui uma pluralidade de camadas também tem uma fiação de camada 13 formada entre as camadas. Aqui, a fiação de superfície superior 11, a fiação de superfície superior 12, e a fiação de camada interna 13 são, cada uma, formadas de um filme fino de metal de baixa resistência tal como o cobre.
A fiação de superfície superior 11 inclui uma fiação de terra de
superfície superior 111a qual está conectada nos terminais de terra dos componentes eletrônicos 2. Do mesmo modo, a fiação de superfície inferior 12 inclui uma fiação de terra de superfície inferior 121; quando o módulo de semicondutor A está montado sobre um substrato de montagem não ilustra20 do, a fiação de terra de superfície inferior 121 está conectada a uma linha de terra do substrato de montagem. A fiação de terra de superfície superior 111 e a fiação de terra de superfície inferior 121 estão conectadas uma na outra através de um furo de via 14; assim, quando o módulo de semicondutor A está montado sobre o substrato de montagem, a fiação de terra de superfície 25 inferior 121 está aterrada e a fiação de terra de superfície superior 111 está também aterrada.
Nota-se que a fiação de camada interna 13 também inclui uma fiação de terra (não ilustrada). É preferível que a fiação de terra seja incluída na fiação de camada interna 13 a ser formada sobre uma área tão ampla 30 quanto possível da camada onde esta está formada. Formando uma grande fiação de terra na fiação de camada interna 13 deste modo, é possível bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência causado por um campo eletromagnético) eletricidade estática, ou similar, vindo do lado de superfície inferior do substrato de módulo 1.
A fiação de superfície superior 11, a fiação de superfície inferior 5 12, e a fiação de camada interna 13 também funcionam como fiações para transmitir sinais elétricos. Quando o módulo de semicondutor A está montado sobre o substrato de montagem, a transmissão e recepção de sinais entre um dispositivo fora do módulo de semicondutor A e os componentes eletrônicos 2 montados sobre o módulo de semicondutor A são executadas a10 través da fiação de superfície superior 11, da fiação de superfície inferior 12, e da fiação de camada interna 13.
Como ilustrado na figura 2, a pluralidade de componentes eletrônicos montada sobre a superfície superior do substrato de módulo 1 inclui, por exemplo, um dispositivo de semicondutor 21 e componentes passivos 22 15 tal como um resistor, um indutor, e um capacitor. A pluralidade de componentes eletrônicos 2 é apropriadamente selecionada de acordo com as funções visadas, e montada sobre a superfície de montagem de componentes do substrato de módulo 1. Por exemplo, em um caso no qual o módulo de semicondutor A é utilizado como um módulo de transmissão/recepção de 20 rádio para um telefone móvel, um RF-IC (Circuito Integrado de Frequência de Rádio) ou similar é utilizado como o dispositivo de semicondutor 21.
Os componentes passivos 22 são componentes eletrônicos do tipo de chip (componentes de chip). Os componentes passivos 22 estão configurados de modo que os eletrodos de terminal externos sejam formados em ambos os lados de um corpo o qual é formado de, por exemplo, cerâmica queimada.
A pluralidade de componentes eletrônicos 2 acima descrita está cada um montado em uma posição predeterminada sobre a superfície superior do substrato de módulo 1, e por meio disto, estes estão conectados uns 30 nos outros ou aterrados através da fiação de superfície superior 11 (ver figura 2) do substrato de módulo 1. Deste modo, um circuito integrado é formado dentro do módulo de semicondutor A. Incidentalmente, no módulo de semicondutor A, o dispositivo de semicondutor 21 o qual está montado sobre a superfície superior do substrato de módulo 1 é um IC formado em um WLCSP (Pacote de Tamanho de Chip de Nível de Pastilha). Mais ainda, em alguns casos, um componente tal como um BPF (Filtro de Passagem de 5 Banda) ou um oscilador de cristal está também montado sobre o substrato de módulo 1 conforme necessário.
A superfície superior do substrato de módulo 1 sobre a qual os componentes eletrônicos 2 estão montados, está, como já acima descrito, coberta com a camada de resina de vedação 3, juntamente com os componentes eletrônicos 2. A camada de resina de vedação 3, a qual veda os componentes eletrônicos 2 e serve como uma camada isolante, está formada para cobrir a superfície superior inteira do substrato de módulo 1. A camada de resina de vedação 3 protege os componentes eletrônicos 2 e a fiação de superfície superior 11 de tensão externa, umidade, e contaminantes. A camada de resina de vedação 3 está formada de uma resina isolante tal como uma resina epóxi. Nota-se que isto não limita a composição da camada de resina de vedação 3, e um material pode ser adotado de uma ampla variedade de resinas ou similares desde que este seja capaz de vedar a superfície superior do substrato de módulo 1 e os componentes eletrônicos 2. No módulo de semicondutor A, estão formadas ranhuras Cg, cada uma sendo em forma de setor em seção, em quatro cantos do módulo de semicondutor A, as ranhuras Cg estendendo de uma superfície superior até uma superfície inferior do módulo de semicondutor A. As ranhuras Cg, iniciando da superfície superior do módulo de semicondutor A, penetram a camada de resina de vedação 3, e alcançam a superfície superior do substrato de módulo 1.
E, uma blindagem externa 4 está formada de modo a cobrir a superfície superior da camada de resina de vedação 3. A blindagem externa
4 é um filme metálico eletricamente condutivo de, por exemplo, cobre, níquel, ou similares. No módulo de semicondutor A, a blindagem externa 4 cobre completamente a superfície superior da camada de resina de vedação
3, e está firmemente fixa na camada de resina de vedação 3. Mais ainda, seções de conexão 5 estão providas dentro das ranhuras Cg; as seções de conexão 5 são formadas do mesmo filme metálico que a blindagem externa
4 para serem integrais (eletricamente conectadas) com a blindagem externa
4.
Cada uma das seções de conexão 5 inclui uma porção de cir5 cunferência interna 51 a qual está disposta de modo a cobrir uma superfície de circunferência interna de uma correspondente das ranhuras Cg1 e uma porção de contato 52 a qual está formada em uma extremidade de uma parte de circunferência interna que está oposta de outra extremidade da parte de circunferência interna no lado da blindagem externa 4 e a qual está eletri
camente conectada a uma fiação de terra de superfície superior 111 formada sobre a superfície superior do substrato de módulo 1. Como uma seção de conexão 5 está eletricamente conectada na fiação de terra de superfície superior 111, a blindagem externa 4 que está formada integral com as seções de conexão 5 (as porções de circunferência interna 51) está também eletri15 camente conectada na fiação de terra de superfície superior 111. Aqui, como ilustrado na figura 3, a fiação de terra de superfície superior 111 está conectada, através de um furo de via 14, a uma fiação de terra de superfície inferior 121 formada sobre a superfície inferior do substrato de módulo 1. E, pela fiação de terra de superfície inferior 121 sendo aterrada (por exemplo, sendo 20 conectada a uma linha de terra do substrato de montagem), a blindagem externa 4 está também aterrada.
Isto permite que a blindagem externa 4 funcione como uma blindagem eletromagnética para bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado por um campo 25 eletromagnético ou eletricidade estática. Aqui, as superfícies laterais do módulo de semicondutor A não estão cobertas com a blindagem externa 4, mas o módulo de semicondutor A é fino o bastante para a blindagem externa 4 (a qual não cobre as superfícies laterais) exercer um efeito de blindagem satisfatório.
Além disso, no módulo de semicondutor A, uma das porções de
contato 52 está em contato com a fiação de terra de superfície superior 111 disposta sobre a superfície superior do substrato de módulo 1. A fiação de terra de superfície superior 111 e a porção de contato 52 são ambas formadas em uma forma plana, e isto permite que a fiação de terra de superfície superior 111 e a porção de contato 52 fiquem em contato uma com a outra sobre uma grande área. Isto torna possível assegurar o aterramento da blindagem externa 4.
Uma fiação de terra de superfície superior pode ser formada para ser posicionada para dentro de uma borda do substrato de módulo 1, como uma fiação de terra de superfície superior 112 a qual está conectada em outra seção de conexão 5 no lado direito da figura 3. As características rela10 cionadas com a, e os efeitos da, fiação de terra de superfície superior 112 serão tratados nas descrições de método de produção os quais serão posteriormente fornecidos. Nota-se que, apesar do módulo de semicondutor A ter as seções de conexão 5 formadas em seus quatro cantos, isto não significa uma limitação e as seções de conexão 5 podem ser formadas em qualquer 15 lugar e em qualquer modo desde que a blindagem externa 4 possa ser seguramente blindada. Por exemplo, as seções de conexão 5 podem ser formadas em pelo menos um dos quatro cantos, ou podem ser formadas em uma posição ou posições outras que os quatro cantos.
A seguir, uma descrição será dada de um método para produzir o módulo de semicondutor A da presente invenção, com referência aos desenhos apropriados. As figuras 4-16 são diagramas que ilustram esquematicamente as etapas executadas na produção do módulo de semicondutor A.
A figura 4 é uma vista plana que ilustra um estado onde os componentes eletrônicos estão montados sobre um substrato coletivo, e a figura 5 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 4. Apesar da fiação de superfície superior 11, a qual é um padrão de fiação, não ser ilustrada na figura 4, é realmente assumido que a fiação de superfície superior
11 está igualmente formada em cada uma das porções do substrato coletivo
100 as quais cada uma é um substrato de módulo 1. Na figura 4, uma direção horizontal será denominada direção X, e uma direção perpendicular à direção N na folha será denominada direção Y. Também, no substrato coletivo 100 na figura 4, entre as fiações de superfície superior 11, somente as fiações de terra de superfície superior utilizadas como linhas de terra estão ilustradas para o bem da conveniência.
Primeiro, o substrato coletivo 100, que tem uma forma onde os substratos de módulo 1 estão dispostos e combinados, é preparada, o subs5 trato coletivo 100 é um substrato de múltiplas camadas, e o substrato coletivo 100 inclui uma pluralidade de seções de módulo individuais 101 as quais são equivalentes em forma e tamanho. Aqui, a figura 4, de modo a definir cada uma das seções de módulo individuais 101, os limites estão indicadas por linhas de traço e ponto alternados (linhas de limite); no entanto, no subs10 trato coletivo 100 real, nenhuma linha de limite está formada entre as seções de módulo individuais 101.
Aqui, as seções de módulo individuais 101 são porções a serem separadas umas das outras nos substratos de módulo 1, e quadradas na forma. Posteriormente, uma etapa de corte, o substrato coletivo 100 é dividido ao longo de linha de corte (não ilustradas) providas entre as seções de módulo individuais 101 nas direções X e Y, as seções de módulo individuais
101 são separadas umas das outras nos substratos de módulo 1. Nota-se que as linhas de corte podem ser realmente formadas sobre o substrato coletivo 100 ou podem ser linhas virtuais armazenadas em uma seção de controle de um cortador como informações posicionais (de coordenadas, comprimento, e similares).
O substrato coletivo 100 inclui as fiações de superfície superior
11, as fiações de superfície inferior 12 e as fiações de superfície interna 13. Aqui, as fiações de superfície superior 11, as fiações de superfície inferior 12 e as fiações de superfície interna 13 são respectivamente comuns em forma e tamanho em todas as seções de módulo individuais 101.
Como ilustrado nas figuras 4 e 5, sobre a superfície superior (a superfície de montagem de componentes) do substrato coletivo 100, o qual tem uma forma de modo que os substratos de módulo 1 estão dispostos e 30 combinados, a pluralidade de componentes eletrônicos 2 tal como os dispositivos de semicondutor 21 e os componentes passivos 22 está montada por soldagem (uma etapa de montagem). As fiações de superfície superior 11 estão formadas de uma pluralidade de padrões de fiação, e os terminais da pluralidade de componentes eletrônicos 2 estão montados para serem cada um conectados a uma predeterminada das fiações de superfície superior 11. As fiações de terra de superfície superior 111 estão formadas para sobrepor 5 parcialmente as seções de módulo individuais 101. Uma descrição detalhada será agora dada das fiações de terra de superfície superior 111.
Como ilustrado na figura 4, as fiações de terra de superfície superior 111 são circulares em forma em vista plana, e as fiações de terra de superfície superior 111 estão dispostas de modo que exista uma fiação de terra de superfície superior 111 em cada canto das seções de módulo individuais 101. No substrato coletivo 100, as seções de módulo individuais 101 estão bidimensionalmente dispostas e uniformemente espaçadas umas das outras, e assim, as fiações de terra de superfície superior 111 estão formadas sobre cada uma das posições onde os cantos das seções de módulo individuais 101 se encontram. Aqui, cada parte onde uma fiação de terra de superfície superior 111 e uma seção de módulo individual 101 sobrepõe uma à outra tem uma forma de setor. O substrato coletivo 100 é cortado, na etapa de corte posteriormente descrita, em um estado no qual as fiações de terra de superfície superior 111 estão dispostas no mesmo, deixando as fiações de terra de superfície superior 111 que tem uma forma de um setor em vista plana nos quatro cantos de cada um dos substratos de módulo.
Entre as fiações de terra de superfície superior dispostas sobre o substrato coletivo 100, a segunda da direita na fila central na figura pode ser substituída por fiações de terra de superfície superior 112 as quais são cada 25 uma separadamente formadas dentro de um canto de uma correspondente das seções de módulo individuais 101. Nota-se que o substrato coletivo 100 pode incluir tanto as fiações de terra de superfície superior 111 quanto as fiações de terra de superfície superior 112 como ilustrado na figura 4, ou ao invés, o substrato coletivo 100 pode incluir somente ou as fiações de terra de 30 superfície superior 111 ou as fiações de terra de superfície superior 112.
No módulo de semicondutor A, onde os componentes eletrônicos 2 estão montados na superfície, os componentes eletrônicos são montados no seguinte procedimento, por exemplo. Primeiro, utilizando um método de impressão, uma solda de pasta é aplicada nas fiações de superfície superior 11 formadas na superfície superior do substrato coletivo 100. Então, utilizando um montador, a pluralidade de componentes eletrônicos 2 (os dispositivos de semicondutor 21 os componentes passivos 22) é disposta de modo que cada seu terminal seja conectado a uma predeterminada das fiações de superfície superior 11. Então, o substrato coletivo 100 onde os componentes eletrônicos 2 estão dispostos é aquecido em um forno de refluxo para fundir a solda, e por meio disto, os componentes eletrônicos 2 são fixos nas fiações de superfície superior 11. Aqui, uma resistência à solda pode ser formada nas fiações de terra de superfície superior 111 e 112 de modo a reduzir as fiações de terra de superfície superior 111 ou as fiações de terra de superfície superior 112 de serem oxidadas no processo de soldagem de refluxo. O mesmo efeito pode também ser adquirido colocando fiações de terra em uma camada interna.
A camada de resina de vedação 3, a qual é formada de resina isolante, está formada sobre a superfície superior do substrato coletivo 100, onde a pluralidade de componentes eletrônicos 2 está montada na etapa de montagem (uma etapa de vedação). A figura 6 é uma vista plana que ilustra 20 o substrato coletivo após a etapa de vedação, a figura 7 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 6 feita ao longo da linha Vll-Vll da figura 6, e a figura 8 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 6 feita ao longo da linha VIII-VIII da figura 6.
Como ilustrado na figura 6, sobre a superfície superior do subs25 trato coletivo 100 os componentes eletrônicos 2 estão montados, a camada de resina de vedação 3 de uma resina isolante está formada, por exemplo, por um método de molde de transferência. Um exemplo da resina isolante utilizada na etapa de vedação é a resina epóxi. A resina epóxi, a qual é uma resina termoestável, é colocada para cobrir a superfície superior do substra30 to coletivo 100, e então é aquecida para estabilizar. Em alguns casos, uma carga inorgânica é adicionada para ajustar a fluidez (viscosidade) da resina epóxi. Como ilustrado na figura 6, a camada de resina de vedação 3 cobre completamente a superfície superior do substrato coletivo 100. No método de molde de transferência, uma matriz (por exemplo, de metal ou carbono, é presa no substrato coletivo 100, e a resina epóxi é carregada dentro da matriz. Aplicando calor na matriz neste estado, a resina epóxi é aquecida. A 5 resina epóxi, a qual é uma resina termoestável, é estabilizada recebendo o calor da matriz.
Após a etapa de vedação, furos 30, os quais são cada um de forma circular em seção, são formados na camada de resina de vedação 3 do substrato coletivo 100 (uma etapa de formação de furos). A figura 9 é uma vista plana que ilustra esquematicamente a etapa de formação de furos, e a figura 10 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo após a etapa de formação de furos ilustrada na figura 9. Na etapa de formação de furos, uma Iuz de laser Ls é aplicada a partes predeterminadas para por meio disto formar os furos 30 em posições na camada de resina de vedação 3 sobre as fiações de terra de superfície superior 111 e as fiações de terra de superfície superior 112. Aqui, uma máquina de processamento não ilustrada forma os furos 30 aplicando a Iuz de laser Ls a partes da camada de resina de vedação 3 sobre as fiações de terra de superfície superior 111 com base em valores de coordenadas XeY das posições onde os furos 30 devem ser formados (onde a Iuz de laser Ls deve ser aplicada).
Nota-se que os furos 30 são furos de forma cilíndrica que têm um diâmetro interno que é menor do que o diâmetro externo das fiações de terra de superfície superior 111 de forma circular, e as extremidades inferiores dos furos 30 alcançam as fiações de terra de superfície superior 111. Isto 25 é, formando os furos 30, partes da camada de resina de vedação 3 sobre as fiações de terra de superfície superior 111 são removidas. Os furos 30 são formados pela utilização da Iuz de laser Ls, mas isto não pretende ser uma limitação, e os furos 30 podem ser mecanicamente formados utilizando uma máquina tal como uma broca, ou podem ser executados utilizando, por e30 xemplo, um método de corrosão. Qualquer método outro que estes métodos pode ser adotado desde que os furos 30 possam ser formados precisamente. Um dos furos 30 que é formado sobre as fiações de terra de superfície superior 112 está formado e dimensionado de modo que este caiba dentro de um quadrado formado por lados externos das quatro fiações de terra de superfície superior 112.
Em um caso no qual uma resistência à solda está formada nas 5 fiações de terra de superfície superior 111 e nas fiações de terra de superfície superior 112, é possível assegurar uma conexão elétrica entre as fiações de terra de superfície superior 111 e as porções de contato 52 das seções de conexão 5 removendo a resistência à solda após a camada de resina de vedação 3 ser formada na etapa de vedação. Quanto a como remover a re10 sistência à solda, é possível remover a resistência à solda simultaneamente conforme a camada de resina de vedação 3 é removida utilizando a Iuz de laser na etapa de formação de furos.
Como ilustrado na figura 9, os furos 30 são formados em posições onde os cantos das seções de módulo individuais 101 estão Iocaliza15 dos, isto é, partes onde as linhas de corte cruzam umas às outras. Assim, formando um furo 30, uma ranhura Cg pode ser formada em um canto de cada uma de quatro seções de módulo individuais 101, e isto ajuda a conseguir uma alta de eficiência de produção. Deve ser notado que os furos 30 não necessariamente precisam ser formados nas posições onde as linhas de 20 corte cruzam umas às outras, mas ao contrário, estes podem cada um ser formados para ficar dentro de uma correspondente das seções de módulo individuais 101, ou alternativamente, estes podem cada um ser formados para ficar através de um limite entre duas correspondentes das seções de módulo individuais 101. Deve também ser notado que, apesar dos furos 30 25 serem assumidos serem circulares em seção aqui, isto não significa ser uma limitação, e este podem ser ovais em seção, ou alternativamente, estes podem ser poligonais, por exemplo, quadrados, rômbicos ou similares, em seção.
Após os furos 30 serem formados na etapa de formação de furos, um filme metálico é formado sobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3 (uma etapa de formação de filme). A figura 11 é uma vista plana que ilustra o substrato coletivo após o filme metálico ser formado sobre o mesmo na etapa de formação de filme, a figura 12 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 11 feita ao longo da linha Xll-Xll da figura 11, e a figura 13 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 11 feita ao longo da linha Xlll-Xfll da 5 figura 11. Como ilustrado nas figuras 11 a 13, sobre a superfície superior do substrato coletivo 100 onde a camada de resina de vedação 3 está formada e então os furos 30 são formados, isto é, sobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3, o filme metálico é formado por um método de deposição. O filme metálico formado na etapa de formação de filme cobre 10 completamente a superfície superior da camada de resina de vedação 3 em um modo uniforme ou substancialmente uniforme.
Na etapa de formação de filme, o filme metálico é formado não somente sobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3 mas também sobre as superfícies de circunferência interna dos furos 30 (ver figu15 ra 13). Mais ainda, o filme metálico é formado sobre as superfícies inferiores dos furos 30 também. Isto é, algumas partes do filme metálico formado na etapa de formação de filme estão sobre as superfícies inferior e de circunferência interna dos furos 30, e as partes do filme metálico sobre as superfícies inferiores dos furos 30 estão em contato com as fiações de terra de su20 perfície superior 111 e 112. O filme metálico formado na etapa de formação de filme forma a blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 ilustradas, por exemplo, nas figuras 1 e 3.
Como ilustrado nas figuras 12 e 13, a blindagem externa 4 cobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3, isto é, as superfí25 cies superiores dos substratos de módulo 1 (ou o substrato coletivo 100 antes da etapa de corte) sobre a qual os componentes eletrônicos 2 estão montados. E, a blindagem externa 4 está eletricamente conectada nas fiações de terra de superfície superior 111 e 112 através das porções de circunferência interna 51 e as porções de contato 52 das seções de conexão 5 30 formadas dentro dos furos 30. As fiações de terra de superfície superior 111 e 112 estão eletricamente conectadas nas fiações de terra de superfície inferior 121 através dos furos 14, e assim, por exemplo, quando o módulo de semicondutor A individual está montado sobre o substrato de montagem, as fiações de terra de superfície inferior 121 são aterradas, e a fiações de terra de superfície superior 111a qual está conectada nas fiações de terra de superfície inferior 121, e a blindagem externa 4 a qual está conectada nas fia5 ções de terra de superfície superior 112 são também aterradas. De preferência, a blindagem externa 4 é formada de um metal de baixa resistência tal como o cobre.
O substrato coletivo 100 onde a blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 são formadas na etapa de formação de filme é cortado e 10 separado (uma etapa de corte: uma etapa de separação). A figura 14 é uma vista plana que ilustra o substrato coletivo cortado na etapa de corte, a figura 15 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 14 feita ao longo da linha XV-XV da figura 14, e a figura 16 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 14 feita ao longo da linha XVI-XVI da 15 figura 14. Na etapa de corte, movendo uma lâmina de corte Db, a qual gira em uma alta velocidade, ao longo de linhas de corte formadas nas partes limite entre as seções de módulo individuais 101, as seções de módulo individuais 101 são dividias e separadas umas das outras como a módulos de semicondutor A.
Especificamente na etapa de corte, uma pluralidade de fiações
de terra de superfície superior 111 circulares formadas sobre a superfície superior do substrato coletivo 100 está cada uma dividida em quatro partes iguais. Para este propósito, linhas (as linhas de corte) ao longo das quais a lâmina de corte Db move na etapa de corte são cada uma ajustadas para 25 estender ou na direção X ou na direção Y para passar pelo centro entre duas fiações de terra de superfície superior 111 adjacentes. Ajustando as linhas de corte deste movo e movendo a lâmina de corte rotativa Db ao longo das linhas de corte, é possível obter os módulos de semicondutor A individuais, cada uma tendo uma fiação de terra de superfície superior 111 formada em 30 forma de setor em vista plana em cada um de seus quatros cantos.
Em cada um dos módulos de semicondutor A formados através da pluralidade de etapas, as superfícies laterais são superfícies de corte que resultam de serem cortadas pela lâmina de corte Db. Assim, na etapa de corte, é possível reduzir uma área sobre a qual o filme metálico (a blindagem externa 3) e a lâmina de corte contatam um com o outro. Isto torna possível reduzir o risco de inconveniência tal como abrasão e fragmentação da blin5 dagem externa ocorrer devido ao atrito entre o filme metálico e a lâmina de corte. Mais ainda reduzindo a área sobre a qual o filme metálico (a blindagem externa 4) e a lâmina de corte contatam um com o outro, é possível reduzir um risco de uma pesada carga ser imposta sobre a lâmina de corte, e assim prolongar a vida da lâmina de corte, o que consequentemente ajuda a 10 melhorar a produtividade na produção dos módulos de semicondutor.
Mais ainda, as fiações de terra de superfície superior 112 estão dispostas dentro das seções de módulo individuais 101, e assim não são cortadas pela lâmina de corte Db na etapa de corte. Isto ajuda a reduzir a carga imposta sobre a lâmina de corte Db.
Além disso, como as seções de conexão 5 são formadas dentro
das ranhuras Cg, as quais são formadas nas superfícies laterais da camada de resina de vedação 3, e a blindagem externa 4 está conectada através das seções de conexão 5 nas fiações de terra de superfície superior 111 ou nas fiações de terra de superfície superior 112 do substrato de módulo 1, é possí20 vel conseguir módulos de semicondutor mais finos e mais compactos em comparação com aqueles onde uma caixa é utilizada. Além disso, as porções de contato 52 das seções de conexão 5 estão cada uma em contato de superfície com uma correspondente das fiações de terra de superfície superior 111, o contato é impedido de tornar-se instável. Mais ainda, como as seções de 25 conexão 5 estão formadas em todos os quatro cantos de cada uma das seções de módulo individuais 101, é possível assegurar o aterramento da blindagem externa 4, e assim melhorar o efeito de bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado por um campo eletromagnético, eletricidade estática, e similares.
Assim, o módulo de semicondutor A da presente invenção, o
qual é compacto e fino e também pode ser produzido com menos material, pode ser produzido com alta produtividade. Segunda Modalidade
Uma descrição será dada de outro exemplo do módulo de semicondutor da presente invenção, com referência aos desenhos acompanhantes. A figura 17 é uma vista em perspectiva de outro exemplo do módulo de 5 semicondutor de acordo com a presente invenção, a figura 18 é uma vista em corte que ilustra o módulo de semicondutor ilustrado na figura 17 feita ao longo da linha XVIII-XVIII da figura 17, e a figura 19 é uma vista em corte que ilustra o módulo de semicondutor ilustrado na figura 17 feita ao longo da linha XIX-XIX da figura 17. Nota-se que o módulo de semicondutor B ilustra10 do nas figuras tem a mesma configuração que o módulo de semicondutor A exceto que uma blindagem externa 4b e uma seção de conexão 5 que está ilustrada no lado direito da figura 19 está conectada a uma fiação de terra (fiação de terra de camada interna 131) incluída nas fiações internas 13 formada em um substrato de módulo 1. Entre as partes que formam o módulo 15 de semicondutor B, aquelas substancialmente as mesmas que as suas contrapartes que formam o módulo de semicondutor A são identificadas com símbolos comuns e suas descrições detalhadas serão omitidas.
Como ilustrado na figura 17, a blindagem externa 4b inclui uma blindagem de superfície superior 41b a qual cobre uma superfície superior de uma camada de resina de vedação 3 e blindagens de superfície lateral 42b as quais cobrem as superfícies laterais da camada de resina de vedação 3. Em mais detalhes, a blindagem de superfície superior 41b tem a mesma forma que a blindagem externa 4 do módulo de semicondutor A, isto é, a blindagem de superfície superior 41b é um membro de placa de forma quadrada que tem cortes em forma de setor formados em seus quatro cantos. Como ilustrado nas figuras, as blindagens de superfície lateral 42b são membros de placa retangulares formados para cobrir as superfícies laterais da camada de resina de vedação 3 de modo que duas suas extremidades na sua direção de comprimento estão cada uma conectadas a uma correspondente das seções de conexão 5. As blindagens de superfície lateral 42b estão também conectadas na blindagem de superfície superior 41b em um de seus lados longos (ver figuras 17 e 18). Aqui, a blindagem externa 4b ilustrada nas figuras, a blindagem de superfície superior 41b e as blindagens de superfície lateral 42b estão integralmente formadas umas com as outras. Do mesmo modo, as blindagens de superfície lateral 42b e as seções de conexão 5 estão também integralmente formadas umas com as outras.
No módulo de semicondutor B, como no módulo de semicondu
tor A, as seções de conexão 5 estão eletricamente conectadas nas fiações de terra de superfície superior 111 formadas sobre uma superfície superior de um substrato de módulo 1. Por meio disto, a blindagem externa 4b é aterrada, isto é, a blindagem de superfície superior 41b e as blindagens de su10 perfície lateral 42b são aterradas. Isto torna possível aperfeiçoar o efeito da blindagem externa 4b bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado por um campo eletromagnético ou eletricidade estática. Mais ainda, como a camada de resina de vedação 3 feita de uma camada isolante está disposta entre o substrato de 15 módulo 1 e as blindagens de superfície lateral 42b, é possível, na soldagem do módulo de semicondutor a um substrato de montagem (não ilustrado), impedir que a solda entre em contato com as blindagens de superfície lateral 42b, e assim reduzir o curto-circuito de circuitos.
Também, como ilustrado na figura 19, as seções de conexão 5 20 estão conectadas a uma fiação aterrada (uma fiação de terra de camada interna 131) incluída nas fiações de camada interna 13 do substrato de módulo 1. Os substratos de múltiplas camadas típicos frequentemente incluem uma fiação de terra de camada interna 131 de grande área. Conectando uma seção de conexão 5 na fiação de terra de camada interna 131, a blin25 dagem externa 4 pode ser conectada a uma fiação de terra de grande área com a distância mais curta entre estas, e isto ajuda a melhorar o efeito de blindagem da blindagem externa 4b. Mais ainda, como é também possível omitir uma fiação de terra de superfície superior 111, é possível reduzir o tamanho do módulo de semicondutor B.
Incidentalmente, na figura 19, somente a seção de conexão 5 à
direita está conectada na fiação de terra de camada interna 131, mas isto não significa uma limitação, e as seções de conexão 5 em todos os quatro cantos podem estar conectadas na fiação de terra de camada interna 131, ou, as seções de conexão 5 de todos os quatro cantos podem estar conectadas na fiação de terra de superfície superior 111. Alternativamente, pode ser provida pelo menos uma seção de conexão 5 que está conectada na 5 fiação de terra de camada interna 131 e pelo menos uma seção de conexão 5 que está conectada na fiação de terra de superfície superior 111. Ainda alternativamente, uma seção de conexão 5 que está conectada na fiação de terra de superfície inferior 121.
A seguir, uma descrição será dada de um processo para produ10 zir o módulo de semicondutor B ilustrado na figura 17, com referência a desenhos apropriados. As figuras 20 a 26 são diagramas que ilustram esquematicamente parte do processo para produzir um módulo de semicondutor ilustrado na figura 12. As etapas no processo para produzir o módulo de semicondutor B são as mesmas que aquelas para produzir o módulo de semi15 condutor A até a etapa de montagem e a etapa de vedação. Isto é, uma pluralidade de componentes eletrônicos 2 é montada sobre uma superfície superior de um substrato coletivo 100, e então a superfície superior de um substrato coletivo 100 é vedada com uma resina isolante.
A figura 20 é uma vista plana de um substrato coletivo no qual 20 ranhuras são formadas em uma superfície de uma resina de vedação após a etapa de vedação, e a figura 21 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 20 feita ao longo da linha XXI-XXI da figura 20. Após uma camada de resina de vedação 3 ser formada sobre a superfície superior do substrato coletivo 100 na etapa de vedação (ver figura 6), ranhu
ras lineares 31 são formadas em uma superfície superior da camada de resina de vedação 3 para serem dispostas através de fiações de terra de superfície superior 111 adjacentes. Como ilustrado na figura 21, uma profundidade das ranhuras 31 não é maior do que uma espessura da camada de resina de vedação 3 em uma direção de cima para baixo, isto é, a profundi30 dade é ajustada de modo que as superfícies inferiores das ranhuras 31 não alcancem o substrato coletivo 100. Com esta configuração, é possível impedir que as fiações de superfície superior 11 formadas sobre a superfície superior do substrato coletivo 100 sejam expostas das ranhuras 31. Isto ajuda a impedir que um filme metálico formado em uma etapa de formação de filme posteriormente descrita seja eletricamente conectado nas fiações de superfície superior 11.
Após as ranhuras 31 serem formadas na etapa de formação de
ranhuras, os furos 30 são formados em áreas onde as ranhuras 31 cruzam umas com as outras, isto é, sobre as fiações de terra de superfície superior 111 (uma etapa de formação de furo). A figura 22 é uma vista plana que ilustra esquematicamente uma etapa de formação de furos, e a figura 23 é uma 10 vista em corte que ilustra um substrato coletivo após a etapa de formação de furos ilustrada na figura 22. Na etapa de formação de furos, uma Iuz de laser Ls é aplicada a partes da camada de resina de vedação 3 que estão sobre as fiações de terra de superfície superior 111, para por meio disto formar os furos 30 (ver figura 23). Os furos 30 são formados mais profundamente do 15 que as ranhuras 31, de modo que os furos 30 alcancem as fiações de terra de superfície superior 111 (ver figura 23).
Após os furos 30 serem formados na etapa de formação de furos, um filme metálico é formado para cobrir a superfície superior do substrato coletivo 100 incluindo a camada de resina de vedação 3. A figura 24 é 20 uma vista plana de um substrato coletivo após o filme ser formado sobre o mesmo, a figura 25 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 24 feita ao longo da linha XXV-XXV da figura 24, e a figura
26 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 24 feita ao longo da linha XXVI-XXVI da figura 24.
Um filme metálico eletricamente condutivo está formado sobre a
superfície superior da camada de resina de vedação 3 na qual os furos 30 e as ranhuras 31 estão formados (uma etapa de formação de filme). Nota-se que a etapa de formação de filme aqui adota o mesmo método de formação de filme como adotado na etapa de formação de filme executada no proces
so de produzir o módulo de semicondutor A. Na etapa de formação de filme, o filme metálico é formado não somente sobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3, mas também sobre as superfícies inferiores e de parede interna tanto dos furos 30 quanto das ranhuras 31 (ver figuras 24- 25 e 26). Partes do filme metálico que são formadas sobre as superfícies inferiores dos furos 30 estão em contato com as fiações de terra de superfície superior 111.0 filme metálico formado na etapa de formação de filme 5 aqui forma uma blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 ilustradas, por exemplo, nas figuras 17, 18 e 19.
O substrato coletivo 100 é, após a blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 serem formadas sobre o mesmo, cortado e separado (uma etapa de corte). A figura 27 é uma vista em corte que ilustra o substra10 to coletivo após ser dividido na etapa de corte. A etapa de corte é equivalente a uma etapa de obter os módulos de semicondutor A individuais. As linhas de corte sobre as quais uma lâmina de corte Db move estendem em partes médias das superfícies inferiores das ranhuras 31, e a lâmina de corte Db corta as superfícies inferiores das ranhuras 31 e aquelas dos furos 30.
Na etapa de corte, na qual as superfícies inferiores das ranhuras
31 e as superfícies inferiores dos furos 30 são cortadas, uma superfície de contato entre a lâmina de corte Db e o filme metálico (a blindagem externa 4b) é meramente uma superfície que corresponde à espessura do filme metálico (a blindagem externa 4b). Assim, na etapa de corte, uma área de con20 tato entre o filme metálico (a blindagem externa 4b) e a lâmina de corte pode ser reduzida, e isto ajuda a reduzir a ocorrência de inconveniências tal como abrasão e fragmentos da blindagem externa devido ao atrito entre o filme metálico e a lâmina de corte. Mais ainda, reduzindo a área de contato entre o filme metálico (a blindagem externa 4b) e a lâmina de corte, é possível im25 pedir que uma pesada carga seja imposta sobre a lâmina de corte, e assim prolongue a vida da lâmina de corte, o que consequentemente ajuda a melhorar a produtividade na produção dos módulos de semicondutor.
Mais ainda, como as ranhuras 31 são formadas de modo a não alcançar o substrato coletivo 100 na etapa de formação de ranhuras, a ca
mada de resina de vedação 3 permanece entre as partes do filme metálico que são formadas sobre as superfícies inferiores das ranhuras 31 e do substrato coletivo 100. E, como a lâmina de corte Db corta através das partes do filme metálico que são formadas sobre as superfícies inferiores da ranhura
31 na etapa de corte, a camada de resina de vedação 3 fica exposta entre cada uma das blindagens de superfície lateral 42b e o substrato de módulo 1 em parte médias de superfícies laterais do módulo de semicondutor B, as 5 quais são superfícies de extremidade cortadas. Com a camada de resina de vedação 3 exposta deste modo, é possível, como acima descrito, impedir a inconveniência da blindagem externa 4b ser conectada a uma linha de sinal outra que a linha de terra por uma solda indesejavelmente aderindo a uma superfície lateral do módulo de semicondutor B quando o módulo de semi10 condutor B está montado sobre o, e soldado no, substrato de montagem (não ilustrado).
As outras vantagens da segunda modalidade são as mesmas que aquelas da primeira modalidade acima descrita.
Terceira Modalidade
Uma descrição será dada de ainda outro exemplo do módulo de
semicondutor da presente invenção, com referência aos desenhos apropriados. A figura 28 é uma vista em perspectiva de ainda outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção, a figura 29 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 28 feita ao Ion20 go da linha XXIX-XXIX da figura 28, e a figura 30 é uma vista em corte do módulo de semicondutor ilustrado na figura 28 feita ao longo da linha XXXXXX da figura 28. Um módulo de semicondutor C ilustrado nas figuras 28, 29 e 30 é um módulo combinado que inclui uma primeira porção de módulo C1 e uma segunda porção de módulo C2. O módulo de semicondutor C tem a 25 mesma configuração que o módulo de semicondutor B da segunda modalidade exceto por uma blindagem externa 4c e seções de conexão 5, e tais partes são substancialmente as mesmas que as suas contrapartes no módulo de semicondutor B, são identificadas com símbolos comuns, e suas descrições detalhadas serão omitidas.
Como ilustrado na figura 28 o módulo de semicondutor C é re
tangular em vista plana e tem as seções de conexão 5c formadas uma em cada um de seus quatro cantos. O módulo de semicondutor C inclui a primeira porção de módulo C1 e a segunda porção de módulo C2, com uma seção de ranhura 6 formada entre as primeira e segunda porções de módulo C1 e C2. Em uma parte média da seção de ranhura 6, está formada uma seção de conexão em forma de cilindro 7. Isto é no módulo de semicondutor C, as 5 seções de conexão 5c e 7 são formadas em um total de cinco posições, a saber nos quatro cantos e na sua parte média. As seções de conexão 5c e 7 asseguram o aterramento da blindagem externa 4c. Mais ainda, formando a seção de conexão 7 na parte média, é possível melhorar a propriedade de bloqueio da blindagem externa 4c.
Como ilustrado nas figuras 29 e 30, sobre uma superfície inferior
e uma parede interna da seção de ranhura 6, um filme metálico (parte da blindagem externa 4c) está formado para bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado, por exemplo, por um campo eletromagnético, eletricidade estática, ou simila15 res dos componentes eletrônicos 2 montados sobre a primeira porção de módulo C1, para por meio disto reduzir um mau funcionamento dos componentes eletrônicos 2 montados sobre a segunda porção de módulo C2. E ao contrário, é possível bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado por um campo eletro20 magnético, eletricidade estática, ou similares dos componentes eletrônicos 2 montados sobre a segunda porção de módulo C2, para por meio disto reduzir um mau funcionamento dos componentes eletrônicos 2 montados sobre a primeira porção de módulo C1. Integrando uma pluralidade de funções em um módulo deste modo, é possível aperfeiçoar a compacidade em compara25 ção com um caso onde uma pluralidade de funções é separadamente formada. Mais ainda, o módulo de semicondutor C pode ser produzido em um número reduzido de etapas, e isto ajuda a conseguir um tempo de discernimento mais curto e consequentemente uma produtividade mais alta.
O método de produção adotado nesta modalidade é o mesmo que aquele adotado na segunda modalidade. Isto é, os componentes eletrônicos são montados sobre áreas de um substrato coletivo em cada uma das quais a primeira porção de módulo C1 deve ser formada e sobre partes do substrato coletivo em cada uma das quais a segunda porção de módulo C2 deve ser formada, uma vedação de resina é aplicada a estas e então ranhuras 31 são formadas sobre linhas de corte. Neste tempo, uma ranhura 31 é formada também em um limite entre a primeira porção de módulo C1 e a segunda porção de módulo C2. Então, após um filme metálico ser formado no topo da vedação com resina, uma lâmina de corte é movida ao longo das linhas de corte para separar os módulos de semicondutor C uns dos outros. Produzindo os módulos de semicondutor C individuais deste modo, como ilustrado na figura 28, em cada módulo de semicondutor C, a superfície superior é blindada por uma blindagem de superfície superior 41c, as superfícies laterais são blindadas por blindagens de superfície lateral 42c, e uma parte de limite entre as primeira e segunda porções de módulo C1 e C2 é blindada pela parte do filme metálico formado dentro da seção de ranhura 6, e isto ajuda a assegurar a operação da primeira porção de módulo C1 e da segunda porção de módulo C2.
Incidentalmente, apesar do módulo de semicondutor C ilustrado na figura 28 incluir uma seção de conexão em forma de cilindro 7 formada no meio da parte de limite entre a primeira e a segunda porções de módulo C1 e C2, se o aterramento da blindagem externa 4c for assegurado pelas 20 seções de conexão 5c formadas nos quatro cantos do módulo de semicondutor C, a seção de conexão 7 pode ser omitida. Além disso, é possível produzir o módulo de semicondutor C cortando o substrato coletivo 100 ilustrado na figura 24 nas ranhuras 31 exceto aquelas entre as seções de módulo individuais adjacentes. Mais ainda, esta modalidade lida com um 25 módulo de semicondutor provido com duas porções de módulo que operam independentemente com um exemplo, mas isto não significa uma limitação, e três ou mais porções de módulo podem ser providas. Aqui, as seções de ranhura 6 podem ser formadas em todos os limites entre as porções de módulo adjacentes como na presente modalidade a serem blindadas, ou
alternativamente, as seções de ranhura 6 podem ser formadas somente no limite entre tais porções de módulo que afetam uma à outra para serem blindadas. As outras vantagens da terceira modalidade são as mesmas que aquelas das primeira e segunda modalidades acima descritas.
Quarta Modalidade
Uma descrição será dada de ainda outro exemplo do módulo 5 de semicondutor da presente invenção, com referência aos desenhos acompanhantes. A figura 31 é uma vista em perspectiva de ainda outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção, a figura 32 é uma vista em corte que ilustra o módulo de semicondutor ilustrado na figura 31, e a figura 33 é uma vista em corte que ilustra um estado 10 onde o módulo de semicondutor ilustrado na figura 32 está montado sobre uma placa de montagem. Um módulo de semicondutor D ilustrado na figura
31 tem a mesma configuração que o módulo de semicondutor A da primeira modalidade exceto por uma seção de conexão 5d, e entre as partes do módulo de semicondutor D, aquelas substancialmente as mesmas que su15 as contrapartes no módulo de semicondutor A estão identificadas com símbolos comuns e suas descrições detalhadas serão omitidas. Mais ainda, o módulo de semicondutor D é produzido em um processo de produção similar ao módulo de semicondutor A exceto que um furo vazado é formado em uma etapa de formação de furos, e assim uma sua descrição detalhada 20 será omitida.
Como ilustrado nas figuras 31 e 32, o módulo de semicondutor D inclui ranhuras Cgd que estendem de uma superfície superior através de uma superfície inferior do módulo de semicondutor D, e sobre as paredes laterais das ranhuras Cgd, seções de conexão 5d estão formadas do mesmo 25 filme metálico que a blindagem externa 4. E, como ilustrado na figura 33 as seções de conexão 5d são diretamente soldadas a uma fiação de terra Pe de um substrato de montagem Tb. Isto torna possível omitir uma fiação de terra de superfície superior 111 de uma superfície superior de um substrato de módulo 1, omitir uma fiação de terra de superfície inferior 121 de uma 30 superfície inferior do substrato de módulo 1, e omitir um furo de via 14 que conecta a fiação de terra de superfície superior 111 e a fiação de terra de superfície inferior 121. Assim, como a fiação de terra de superfície superior 111 e(ou) a fiação de terra de superfície inferior 121 não são(é) provida(s), o substrato de módulo 1 pode ser feito compacto e simples. Mais ainda, no processo de produção, como furos vazados são formados na etapa de formação de furos, 5 não há necessidade de controlar a profundidade dos furos, o que consequentemente resulta em uma produção mais fácil. Mais ainda, como não há necessidade de formar uma superfície inferior plana, a etapa de formação de furo pode ser executada utilizando uma broca.
As outras vantagens da quarta modalidade são as mesmas que aquelas da primeira até a terceira modalidades acima descritas.
Quinta Modalidade
Uma descrição será dada de outro exemplo do módulo de semicondutor da presente invenção, com referência aos desenhos acompanhantes. A figura 41 é uma vista em perspectiva de outro exemplo do módulo de 15 semicondutor de acordo com a presente invenção, a figura 42 é uma vista em corte que ilustra o módulo de semicondutor ilustrado na figura 41, feita ao longo da linha XLII-XLll da figura 41, e a figura 43 é uma vista em corte que ilustra o módulo de semicondutor ilustrado na figura 41, feita ao longo da linha XLIII-XLIII da figura 41. Nota-se que o módulo de semicondutor E ilus20 trado nas figuras tem a mesma configuração que o módulo de semicondutor A exceto que uma blindagem externa 4e e uma seção de conexão 5 ilustrada no lado direito da figura 43 está conectada a uma fiação de terra (uma fiação de terra de camada interna 131) incluída em fiações internas 13 formadas em um substrato de módulo 1. Entre as partes que formam o módulo 25 de semicondutor E, aquelas substancialmente as mesmas que as suas contrapartes que formam o módulo de semicondutor A estão identificadas com símbolos comuns e suas descrições detalhadas serão omitidas.
Como ilustrado na figura 41, a blindagem externa 4e inclui uma blindagem de superfície inferior 41 e a qual cobre uma superfície superior de uma camada de resina de vedação 3 e blindagens de superfície lateral 42e as quais cobrem as superfícies laterais da camada de resina de vedação 3. Em mais detalhes, a blindagem de superfície superior 41 e tem a mesma forma que a blindagem externa 4 do módulo de semicondutor A, isto é, a blindagem de superfície inferior 41 e é um membro de placa quadrada que tem cortes em forma de setor formados em seus quatro cantos. Como ilustrado nas figuras, as blindagens de superfície lateral 42e são membros de placa retangulares 5 formados para cobrir as superfícies laterais da camada de resina de vedação 3 de modo que duas suas extremidades na sua direção longitudinal estão cada uma conectadas a uma correspondente das seções de conexão 5. As blindagens de superfície lateral 42e estão também conectadas na blindagem de superfície superior 41e em um de seus lados longos (ver figuras 41 e 42). A10 qui, na blindagem externa 4e ilustrada nas figuras, a blindagem de superfície superior 41e e as blindagens de superfície lateral 42e estão integralmente formadas umas com as outras. As blindagens de superfície lateral 42e e as seções de conexão 5 são também integralmente formadas umas com as outras. E, as blindagens de superfície lateral 42e cada uma tem uma seção de 15 extremidade inferior de blindagem 421e formada ao longo do outro dos seus lados longos. A seção de extremidade inferior de blindagem 421 e projeta para fora e está conectada no substrato de módulo 1.
No módulo de semicondutor E, como no módulo de semicondutor A, as seções de conexão 5 estão eletricamente conectadas nas fiações de terra de superfície superior 111 formadas sobre uma superfície superior de um substrato de módulo 1. Por meio disto, a blindagem externa 4e é aterrada, isto é, a blindagem de superfície superior 41 e e as blindagens de superfície lateral 42e são aterradas. Isto torna possível aperfeiçoar o efeito da blindagem externa 4e de bloquear (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado por um campo eletromagnético ou eletricidade estática. Mais ainda, formando as blindagens de superfície lateral 42e para estender para dentro de parte do substrato de módulo 1, é possível reduzir a intrusão de água em uma camada de resina de vedação 3 na forma de umidade, por exemplo, e assim reduzir o risco de rachaduras e similares ocorrerem na camada de resina de vedação no momento de soldagem de refluxo. Nota-se que os resultados de experimentos de um teste de prateleira conduzido sob uma condição de 30°C/60% RH/192 H mostraram que o aumento de peso após o teste de prateleira foi reduzido de 0,083% para 0,017% formando as blindagens de superfície lateral 42e dentro de parte do substrato de módulo 1.
Também, como ilustrado na figura 43, uma seção de conexão 5 es5 tá conectada a uma fiação aterrada (fiação de terra de camada interna 131) incluída em fiações de camada interna 13 do substrato de módulo 1. Os substratos de múltiplas camadas típicos frequentemente incluem uma fiação de terra de camada interna 131 de grande área. Conectando as seções de conexão 5 na fiação de terra de camada interna 131, a blindagem externa 4 pode ser co10 nectada a uma fiação de terra de área grande com uma distância mínima entre estas. Isto torna possível melhorar o efeito de blindagem da blindagem externa 4e. Isto também torna possível omitir a fiação de terra de superfície superior 111, e assim tornar o módulo de semicondutor E compacto.
Deve ser notado que, apesar de uma das seções de conexão 5 15 localizada no lado direito na figura 43 sozinha está conectada na fiação de terra de camada interna 131, isto não significa uma limitação. Por exemplo, as seções de conexão 5 em todos os quatro cantos podem estar conectadas na fiação de terra de camada interna 131, ou, as seções de conexão 5 em todos os quatro cantos podem estar conectadas na fiação de terra de superfície su20 perior 111. Alternativamente, pode ser provida pelo menos uma seção de conexão 5 que está conectada na fiação de terra de camada interna 131 e pelo menos uma seção de conexão 5 que está conectada na fiação de terra de superfície superior 111. Ainda alternativamente, as seções de conexão 5 podem estar conectadas na fiação de terra de superfície inferior 121.
A seguir, uma descrição será dada de um processo para produ
zir o módulo de semicondutor E ilustrado na figura 41, com referência às figuras apropriadas. As figuras 44 a 50 são diagramas que ilustram esquematicamente parte do processo para produzir um módulo de semicondutor ilustrado na figura 41. O processo para produzir o módulo de semicondutor E é 30 o mesmo que aquele de produzir o módulo de semicondutor A até a etapa de montagem e a etapa de vedação. Isto é , uma pluralidade de componentes eletrônicos 2 está montada sobre uma superfície superior de um substrato coletivo 100, e então a superfície superior do substrato coletivo 100 é vedada com uma resina isolante.
A figura 44 é uma vista plana de um substrato coletivo no qual furos circulares estão formados em uma superfície de uma resina de vedação após uma etapa de vedação, e a figura 45 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 44, feita ao longo da linha XLVXLV da figura 44. Após a etapa de vedação (ver figura 6), furos 30, os quais são de forma circular em seção, são formados em uma superfície superior do substrato coletivo 100 onde uma camada de resina de vedação 3 está formada (etapa de formação de furo). Na etapa de formação de furo, uma Iuz de laser Ls é aplicada a partes de uma superfície superior da camada de resina de vedação 3 sob a qual ranhuras 31 (indicadas por linhas de cadeias de dois pontos) as quais são formadas em uma etapa de formação de ranhuras posteriormente descrita cruzam às outras. Nas partes da superfície superior do substrato coletivo 100 onde as ranhuras cruzam umas às outras, estão dispostas fiações de terra de superfície superior 111 (ver figura 44), e pela aplicação da Iuz de laser Ls, os furos 30 são formados para alcançar as fiações de terra de superfície superior 111 (ver figura 45). Incidentalmente, em um caso no qual uma seção de conexão 5 está diretamente conectada na fiação de terra de camada interna 131, na etapa de formação de furos, os furos 30 são formados para alcançar a fiação de terra de camada interna 131. Mais ainda, em um caso no qual as seções de conexão 5 estão diretamente conectadas na fiação de terra de superfície inferior 121, na etapa de formação de furos, os furos 30 são formados para alcançar a fiação de terra de superfície inferior 121.
A figura 46 é uma vista plana que ilustra esquematicamente a etapa de formação de ranhuras, e a figura 47 é uma vista em corte que ilustra o substrato coletivo ilustrado na figura 46, feita ao longo da linha XLVIIXLVII da figura 46. Após os furos 30 serem formados na camada de resina 30 de vedação 3 na etapa de formação de furos (ver figuras 44 e 45), as ranhuras lineares 31 são formadas para serem dispostas através de umas adjacentes das fiações de terra de superfície superior 111 e os furos 30. Como ilustrado na figura 47, uma superfície inferior de cada uma das ranhuras 31 alcança o (o interior do) substrato coletivo 100. Nota-se que o processo de produção do módulo de semicondutor E é diferente daquele do módulo de semicondutor B pelo fato de que a etapa de formação e furos 5 e etapa de formação de ranhuras são executadas em uma ordem inversa. Uma razão para executar a etapa de formação de furos e a etapa de formação ranhuras na ordem inversa é como segue.
Assuma que as ranhuras 31 sejam formadas antes dos furos 31. As ranhuras 31 são formadas para serem dispostas através das fiações de terra de superfície superior 111 como acima descrito, de modo que as ranhuras 31 são formadas na fiação de terra de superfície superior 111 também. Na etapa de formação de furos, a Iuz de laser Ls de um diâmetro de radiação igual a um diâmetro interno dos furos 30 é aplicada para por meio disto formar os furos 30 para alcançar as fiações de terra de superfície superior 111. Então, nas áreas nas quais a Iuz de laser Ls deve ser aplicada, a camada de resina de vedação 3 é mais fina em suas partes onde as ranhuras 31 foram formadas do que nas outras partes, e assim em tais partes, uma distância que a Iuz de laser Ls precisa ser deslocar para alcançar as fiações de terra de superfície superior é mais curta do que as outras partes onde nenhuma ranhura 31 foi formada. Se a Iuz de laser Ls for aplicada e os furos 30 forem formados neste estado, existe um risco dos furos 30 penetrarem através do substrato coletivo 100 nas partes onde as ranhuras 31 foram formadas.
Se a Iuz de laser Ls formar qualquer um dos furos 30 para penetrar de tal modo, quando um método de deposição molhado é utilizado em 25 uma etapa de formação de filme posteriormente descrita, a solução de deposição alcança uma superfície traseira do substrato coletivo 100 e contamina a superfície traseira, o que é desvantajoso. Para impedir tal contaminação da superfície traseira, nesta modalidade, a etapa de formação de furos é executada antes da etapa de formação de ranhuras.
E, após as ranhuras 31 serem formadas na etapa de formação
de ranhuras, um filme metálico é formado (formação de filme) para cobrir a superfície superior do substrato coletivo 100 incluindo a camada de resina de vedação 3. A figura 48 é uma vista plana de um substrato coletivo após um filme ser formado sobre este, a figura 49 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 48, feita ao longo da linha XLIX-XLIX da figura 48, e a figura 50 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na 5 figura 48, feita ao longo da linha L-L da figura 48.
Um filme eletricamente condutivo é formado sobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3 na qual os furos 30 e as ranhuras 31 estão formados (etapa de formação de filme). Nota-se que o método para formar o filme metálico adotado na etapa de formação de filme é o 10 mesmo que o método adotado na etapa de formação de filme executada no processo para produzir o módulo de semicondutor A. Na etapa de formação de filme, o filme metálico é formado não somente sobre a superfície superior da camada de resina de vedação, mas também sobre as superfícies inferiores e as superfícies de parede interna dos furos 30 e das ranhuras 31 (ver 15 figuras 48, 49, e 50). As partes do filme metálico formadas sobre as superfícies inferiores dos furos 30 estão em contato com as fiações de terra de superfície superior 111. Nota-se que o filme metálico formado na etapa de formação de filme forma a blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 ilustradas nos desenhos tal como as figuras 41, 42, e 43.
O substrato coletivo 100 é, após a blindagem externa 4 e as se
ções de conexão 5 serem formadas no mesmo, cortado e separado (etapa de corte). A figura 51 é uma vista em corte que ilustra um substrato coletivo o qual é cortado na etapa de corte. A etapa de corte é equivalente à etapa de obter os módulos de semicondutor A individuais. As linhas de corte sobre 25 as quais uma lâmina de corte Db move estão em partes médias das superfícies inferiores das ranhuras 31, e a lâmina de corte Db corta as superfícies inferiores das ranhuras 31 e aquelas dos furos 30.
Na etapa de corte, na qual as superfícies inferiores das ranhuras
31 e dos furos 30 são cortadas, uma superfície de contato entre a lâmina de corte Db e o filme metálico (a blindagem externa 4e) é meramente uma superfície que corresponde à espessura do filme metálico (a blindagem externa 4e). Assim, na etapa de corte, uma área de contato entre o filme metálico (a blindagem externa 4e) e a lâmina de corte pode ser reduzida, e isto ajuda a reduzir a ocorrência de inconveniências tal como abrasão e fragmentos da blindagem externa devido ao atrito entre o filme metálico e a lâmina de corte. Mais ainda, reduzindo a área de contato entre o filme metálico (a blindagem 5 externa 4e) e a lâmina de corte, é possível impedir que uma pesada carga seja imposta sobre a lâmina de corte, e assim prolongue a vida da lâmina de corte, o que consequentemente ajuda a melhorar a produtividade com a qual os módulos de semicondutor são produzidos. Estas características ajudam a melhorar a produtividade na produção do módulo de semicondutor E.
Formando as ranhuras 31 para estenderem parcialmente para
dentro do substrato coletivo 100 na etapa de formação de ranhuras, o filme metálico eletricamente condutivo também funciona para reduzir a intrusão de água na camada de resina de vedação 3 na forma de umidade ou similares. Mais ainda, cortando fora uma parte de substrato para formar o filme metáli15 co, as partes de limite entre o substrato de módulo 1 e a camada de resina de vedação 3 sobre as superfícies lateral do módulo de semicondutor E são cobertas com o filme metálico. Isto ajuda a melhorar o efeito de redução de intrusão de água e assim é possível impedir que o risco de rachaduras e similares ocorra na soldagem de refluxo.
As outras vantagens da quinta modalidade são as mesmas que
aquelas da primeira modalidade acima descrita.
Sexta Modalidade
Uma descrição será dada de outro exemplo do módulo de semicondutor da presente invenção, com referência aos desenhos acompanhan25 tes. A figura 52 é uma vista em perspectiva de outro exemplo do módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção, a figura 53 é uma vista em corte do módulo semicondutor ilustrado na figura 52, feita ao longo da linha LMI-LIII da figura 52, e a figura 54 é uma vista em corte do módulo semicondutor ilustrado na figura 52, feita ao longo da linha LIV-LIV da figura 30 52. Nota-se que o módulo de semicondutor F ilustrado nas figuras tem a mesma configuração que o módulo de semicondutor E. Entre as partes que formam o módulo de semicondutor F, aquelas substancialmente as mesmas que as contrapartes que formam o módulo de semicondutor E estão identificadas com símbolos comuns e suas descrições detalhadas serão omitidas.
Como ilustrado na figura 52, uma blindagem externa 4e inclui uma blindagem de superfície superior 41e a qual cobre uma superfície supe5 rior de uma camada de resina de vedação 3 e blindagens de superfície lateral 42e as quais cobrem as superfícies laterais da camada de resina de vedação 3. O módulo de semicondutor F tem uma configuração similar à do módulo de semicondutor E, e assim a sua descrição detalhada será omitida.
No módulo de semicondutor F, como no módulo de semicondutor E, as seções de conexão 5 estão eletricamente conectadas nas fiações de terra de superfície superior 111 formadas sobre uma superfície superior de um substrato de módulo 1. Por meio disto, a blindagem externa 4e é aterrada, isto é, a blindagem de superfície superior 41 e e as blindagens de superfície lateral 42e estão aterradas. Isto torna possível aperfeiçoar o efeito da blindagem externa 4e do que a (prover uma blindagem contra) um efeito adverso (tal como um ruído de alta frequência) causado por um campo eletromagnético ou eletricidade estática. Mais ainda, formando as blindagens de superfície lateral 42e em parte do substrato de módulo 1, é possível reduzir a intrusão de água em uma camada de resina de vedação 3 na forma de umidade ou similar, e assim reduzir o risco de rachaduras e similares da camada de resina de vedação 3 ocorrerem na soldagem de refluxo. Nota-se que os resultados de experimentos de um teste de prateleira conduzido sob uma condição de 30°C/60% RH/192 H mostraram que o aumento de peso após o teste de prateleira foi reduzido de 0,083% para 0,017% formando as blindagens de superfície lateral 42e dentro de parte do substrato de módulo 1.
Também, como ilustrado na figura 54, uma seção de conexão 5 está conectada a uma fiação aterrada (uma fiação de terra de camada interna 131) incluída em fiações de camada interna 13 do substrato de módulo 1. Os substratos de múltiplas camadas típicos frequentemente incluem uma fiação de 30 terra de camada interna 131 de grande área. Conectando uma seção de conexão 5 na fiação de terra de camada interna 131, a blindagem externa 4 pode ser conectada a uma fiação de terra de área grande com uma distância mínima entre estas. Isto torna possível melhorar o efeito de blindagem da blindagem externa 4e. Isto também torna possível omitir a fiação de terra de superfície superior 111, e assim tornar o módulo de semicondutor E compacto.
Deve ser notado que, apesar de uma das seções de conexão 5
localizada no lado direito na figura 54 sozinha está conectada na fiação de terra de camada interna 131, isto não significa uma limitação. Por exemplo, as seções de conexão 5 em todos os quatro cantos podem estar conectadas na fiação de terra de camada interna 131, ou, as seções de conexão 5 em todos os quatro cantos podem estar conectadas na fiação de terra de super10 fície superior 111. Alternativamente, pode ser provida pelo menos uma seção de conexão 5 que está conectada na fiação de terra de camada interna 131 e pelo menos uma seção de conexão 5 que está conectada na fiação de terra de superfície superior 111. Ainda alternativamente, as seções de conexão 5 podem estar conectadas na fiação de terra de superfície inferior 121.
A seguir, uma descrição será dada de um processo para produ
zir o módulo de semicondutor E ilustrado na figura 52, com referência a desenhos apropriados. As figuras 55 a 61 são diagramas que ilustram esquematicamente parte do processo para produzir um módulo de semicondutor ilustrado na figura 52. O processo para produzir o módulo de semicondutor F 20 é o mesmo que aquele de produzir o módulo de semicondutor E até a etapa de montagem e a etapa de vedação. Isto é, uma pluralidade de componentes eletrônicos 2 está montada sobre uma superfície superior de um substrato coletivo 100, e então a superfície superior do substrato coletivo 100 é vedada com uma resina isolante.
A figura 55 é uma vista plana de um substrato coletivo no qual
ranhuras são formadas em uma superfície de uma resina de vedação após uma etapa de vedação, e a figura 56 é uma vista em corte do substrato coletivo ilustrado na figura 55, feita ao longo da linha LVI-LVI da figura 55. Após uma camada de resina de vedação 3 ser formada sobre a superfície superior 30 do substrato coletivo 100 na etapa de vedação (ver figura 6), ranhuras lineares 31 são formadas em uma superfície superior da camada de resina de vedação 3 para conectar as fiações de terra de superfície superior 111 adjacentes e serem dispostas sobre as fiações de terra de superfície superior
111. Como ilustrado na figura 56, uma superfície inferior de cada uma das ranhuras 31 alcança o substrato coletivo 100.
Após as ranhuras 31 serem formadas na etapa de formação de
ranhuras, os furos 30 são formados em áreas onde as ranhuras 31 cruzam umas com as outras, isto é, sobre as fiações de terra de superfície superior
111 (uma etapa de formação de furo). A figura 57 é uma vista plana que ilustra esquematicamente a etapa de formação de furos, e a figura 58 é uma vista em corte que ilustra um substrato coletivo após a etapa de formação de 10 furos ilustrada na figura 22. Na etapa de formação de furos, uma Iuz de laser Ls deve ser aplicada a partes da camada de resina de vedação 3 que estão sobre as fiações de terra de superfície superior 111, para por meio disto formar os furos 30 (ver figura 58). Aqui, os furos 30 são formados para alcançar as fiações de terra de superfície superior 111, aplicando a Iuz de laser Ls de 15 um pequeno diâmetro de feixe a partes em forma de setor da camada de resina de vedação 3 de modo que a Iuz de laser Ls não seja aplicada nas ranhuras 31 (ver figura 58). Incidentalmente, em um caso no qual as seções de conexão 5 estão em contato com a fiação de terra de camada interna 131, na etapa de formação de furos, os furos 30 são formados para alcançar 20 a fiação de terra de camada interna 131. Mais ainda, em um caso no qual as seções de conexão 5 estão diretamente conectadas na fiação de terra de superfície inferior 121, na etapa de formação de furos, os furos são formados para alcançar a fiação de terra de superfície inferior 121.
A forma dos furos formados na etapa de formação de furos no 25 processo de produção do módulo de semicondutor F é diferente da forma dos furos formados na etapa de formação de furos no processo de produção do módulo de semicondutor B; especificamente, os furos formados na etapa de formação de furos no processo de produção do módulo de semicondutor F são em forma de setor. Formando os furos em uma forma de setor, é pos30 sível reduzir uma quantidade de Iuz de laser que alcança as partes das ranhuras 31 que sobrepõem as fiações de terra de superfície superior 111, e assim reduzir uma quantidade pela qual as partes das ranhuras 31 que sobrepõem as fiações de terra de superfície superior 111 são cavadas mais profundamente. Isto é, é possível reduzir o risco dos furos 30 sendo formados pela Iuz de laser Ls em partes das fiações de terra de superfície superior 111 que sobrepõem as ranhuras 31 de modo que os furos 30 penetrem o 5 substrato coletivo 100. Isto torna possível, em um caso onde o método de deposição molhado é utilizado na etapa de formação de filme posteriormente descrita, para reduzir o risco da solução de deposição alcançar uma superfície traseira do substrato coletivo 100 para contaminar a superfície traseira, o que é desvantajoso.
Após as ranhuras 31 serem formadas na etapa de formação de
ranhuras, um filme metálico é formado para cobrir a superfície superior do substrato coletivo 100 incluindo a camada de resina de vedação 3. A figura 59 é uma vista plana do substrato coletivo após um filme ser formado sobre o mesmo, a figura 60 é uma vista em corte do substrato coletivo 100 ilustra15 do na figura 59, feita ao longo da linha LX-LX da figura 59, e a figura 61 é uma vista em corte do substrato coletivo 100 ilustrado na figura 59, feita ao longo da linha LXI-LXI da figura 59.
Um filme metálico eletricamente condutivo está formado sobre a superfície superior da camada de resina de vedação 3 na qual os furos 30 e 20 as ranhuras 31 estão formados (uma etapa de formação de filme). Nota-se que o método para formar o filme metálico adotado na etapa de formação de filme é o mesmo que o método adotado na etapa de formação de filme executada no processo de produzir o módulo de semicondutor A. Na etapa de formação de filme, o filme metálico é formado não somente sobre a superfí25 cie superior da camada de resina de vedação 3, mas também sobre as superfícies inferiores e as superfícies de parede interna tanto dos furos 30 quanto e aquelas das ranhuras 31 (ver figuras 59, 60, e 61). As partes do filme metálico são formadas sobre as superfícies inferiores dos furos 30 estão em contato com as fiações de terra de superfície superior 111. Nota-se
que o filme metálico formado na etapa de formação de filme forma uma blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 ilustradas em desenhos tais como as figuras 52, 53 e 54. O substrato coletivo 100 é, após a blindagem externa 4 e as seções de conexão 5 serem formadas sobre o mesmo, cortado e separado (uma etapa de corte). A figura 62 é uma vista em corte que ilustra um substrato coletivo cortado na etapa de corte. A etapa de corte é equivalente à 5 etapa de corte do processo para produzir os módulos de semicondutor A individuais. As linhas de corte sobre as quais uma lâmina de corte Db move estão nas partes médias das superfícies inferiores das ranhuras 31, e a lâmina de corte Db corta as superfícies inferiores das ranhuras 31 e aquelas dos furos 30.
Na etapa de corte, na qual as superfícies inferiores das ranhuras
31 e dos furos 30 são cortadas, uma superfície de contato entre a lâmina de corte Db e o filme metálico (uma blindagem externa 4e) é meramente uma superfície que corresponde à espessura do filme metálico (a blindagem externa 4e). Assim, na etapa de corte, uma área de contato entre o filme me15 tálico (a blindagem externa 4e) e a lâmina de corte pode ser reduzida, e isto ajuda a reduzir a ocorrência de inconveniências tal como abrasão e fragmentos da blindagem externa devido ao atrito entre o filme metálico e a lâmina de corte. Mais ainda, reduzindo a área de contato entre o filme metálico (a blindagem externa 4e) e a lâmina de corte, é possível impedir que uma 20 pesada carga seja imposta sobre a lâmina de corte, e assim prolongue a vida da lâmina de corte, o que consequentemente ajuda a melhorar a produtividade na produção dos módulos de semicondutor.
Formando as ranhuras 31 para estenderem parcialmente para dentro do substrato coletivo 100 na etapa de formação de ranhuras, o filme 25 metálico eletricamente condutivo também funciona para reduzir a intrusão de água na camada de resina de vedação 3 na forma de umidade ou similares. Mais ainda, cortando fora uma parte de substrato para formar o filme metálico, as partes de limite entre o substrato de módulo 1 e a camada de resina de vedação 3 sobre as superfícies laterais do módulo de semicondutor E são
cobertas com o filme metálico. Isto ajuda a melhorar o efeito de redução de intrusão de água e assim é possível impedir que o risco de rachaduras e similares ocorra na soldagem de refluxo. A sexta modalidade é diferente da quinta modalidade pelo fato de que a etapa de formação de ranhuras é executada antes da etapa de formação de furos. Na sexta modalidade, como as ranhuras 31 são formadas para estenderem parcialmente para dentro do substrato coletivo 100 na 5 etapa de formação de ranhuras, as ranhuras 31 são formadas em partes que sobrepõem as fiações de terra de superfície superior 111. Se, posteriormente, a Iuz de laser Ls cujo diâmetro de ponto é igual ao diâmetro dos furos 30 for aplicada, a Iuz de laser Ls também alcança algumas partes dos furos 30 que sobrepõem as ranhuras 31. Neste estado, se a etapa de formação de 10 furos for executada até partes dos furos 30 que não sobrepõem as ranhuras
31 alcançarem a fiação de terra de superfície superior 111, existe um risco que as partes dos furos 30 que sobrepõem as ranhuras 31 possam penetrar no substrato coletivo 100. Para impedir isto, na sexta modalidade, na etapa de formação de furo, o alcance de irradiação de Iuz de laser é limitado utili15 zando uma Iuz de laser Ls de um pequeno diâmetro de ponto, de modo que as ranhuras 31 não sejam irradiadas com a Iuz de laser Ls. Nota-se que, na quinta modalidade, como acima descrito, a inconveniência acima é impedida de ocorrer executando a etapa de formação de furos antes da etapa de formação de ranhuras.
As outras vantagens da sexta modalidade são as mesmas que
aquelas da primeira modalidade acima descrita.
As modalidades da presente invenção descritas até aqui não pretendem limitar a presente invenção. Além das modalidades acima descritas, muitas modificações e variações são possíveis dentro do espírito da presente invenção.
O módulo de semicondutor de acordo com a presente invenção é aplicável a aparelhos eletrônicos tais como um dispositivo de navegação, um terminal de telefone celular, uma câmara digital, e um assistente digital pessoal.

Claims (21)

1. Método para produzir um módulo de semicondutor, que compreende: uma etapa de montagem de montar um componente eletrônico sobre uma seção de módulo individual de uma superfície superior de um substrato coletivo; uma etapa de vedação de vedar a superfície superior sobre a qual o componente eletrônico está montado com uma camada de resina de vedação isolante; uma etapa de formação de furos de formar um furo que estende de uma superfície superior da camada de resina de vedação até uma fiação de terra provida no substrato coletivo; uma etapa de formação de filme de formar um filme eletricamente condutivo feito de um material eletricamente condutivo de modo a cobrir pelo menos a superfície superior da camada de resina de vedação, uma superfície interna do furo, e a fiação de terra; e uma etapa de separação de separar umas das outras uma pluralidade de seções de módulos individuais a qual a seção de módulo individual compreende.
2. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 1, em que um substrato no qual a fiação de terra está disposta dentro da seção de módulo individual é utilizado como o substrato coletivo.
3. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 1 ou 2, em que um substrato no qual uma pluralidade de fiações de terra está provida como a fiação de terra para cada uma das seções de módulo individuais é utilizado como o substrato coletivo; e a etapa de formação de furos na modalidade preferida forma uma pluralidade de furos que alcançam as fiações de terra.
4. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, em que um substrato no qual a fiação de terra está disposta em uma camada de fiação mais externa é utilizado como o substrato coletivo.
5. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 4, em que um substrato no qual uma resistência à solda está formada sobre a fiação de terra é utilizado como o substrato coletivo; e a camada de resina de vedação e a resistência à solda são removidas do furo na etapa de formação de furos.
6. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, em que um substrato no qual a fiação de terra está disposto em uma camada de fiação interna é utilizando como um substrato coletivo.
7. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 6, em que um substrato no qual nenhuma outra fiação está formada entre a fiação de terra e a camada de resina de vedação em uma área na qual o furo está formado é utilizado como o substrato coletivo.
8. Método para produzir um módulo de semicondutor, que compreende: uma etapa de montagem de montar um componente eletrônico sobre uma seção de módulo individual de uma superfície superior de um substrato coletivo; uma etapa de vedação de vedar a superfície superior sobre a qual o componente eletrônico está montado com uma camada de resina de vedação; uma etapa de formação de furos de formar um furo que penetra no substrato coletivo e na camada de resina de vedação; uma etapa de formação de filme de formar um filme eletricamente condutivo feito de um material eletricamente condutivo de modo a cobrir uma superfície superior da camada de resina de vedação e uma superfície interna do furo; e uma etapa de separação de separar umas das outras uma pluraIidade de seções de módulos individuais a qual a seção de módulo individual compreende.
9. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 8, em que a etapa de formação de furos pode formar o furo de modo que o furo penetre uma parte do substrato coletivo onde nenhuma fiação está formada.
10. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 9, em que a etapa de formação de furos forma uma pluralidade de furos como o furo de modo que pelo menos um da pluralidade de furos seja formado sobre uma borda da seção de módulo individual.
11. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 10, em que a seção de módulo individual tem uma forma retangular, e a etapa de formação de furos forma pelo menos um da pluralidade de furo em um canto da seção de módulo individual.
12. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 10 ou 11, em que a etapa de formação de furos forma pelo menos um da pluralidade de furos através de duas ou mais da pluralidade de seções de módulo individuais.
13. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 12, ainda compreendendo uma etapa de formação de ranhuras de formar na camada de resina de vedação uma ranhura que tem uma profundidade que não alcança o substrato coletivo, a etapa de formação de ranhuras sendo executada após a etapa de vedação mas antes da etapa de formação de filme.
14. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 12, ainda compreendendo uma etapa de formação de ranhuras de formar na camada de resina de vedação uma ranhura que tem uma profundidade que alcança dentro do substrato coletivo, a etapa de formação de ranhuras sendo executada após a etapa de vedação mas antes da etapa de formação de filme.
15. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com a reivindicação 13 ou 14, em que a etapa de formação de furos forma uma pluralidade de furos como o furo de modo que pelo menos um da pluralidade de furos seja formado em um canto da seção de módulo individual evitando a ranhura a qual está formada na camada de resina de vedação e no substrato coletivo.
16. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 13 a 15, em que a etapa de formação de filme forma o filme eletricamente condutivo sobre uma superfície interna da ranhura assim como de tal modo que o material eletricamente condutivo não preencha a ranhura.
17. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 13 a 16, em que a etapa de formação de filme forma o filme eletricamente condutivo sobre a superfície interna do furo de tal modo que o material eletricamente condutivo não preencha o furo.
18. Método para produzir um módulo de semicondutor de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 12, em que a etapa de formação de filme forma o filme eletricamente condutivo sobre a superfície interna do furo de tal modo que o material eletricamente condutivo não preencha o furo.
19. Módulo de semicondutor produzido utilizando o método para produzir um módulo de semicondutor como definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 18.
20. Módulo de semicondutor produzido utilizando o método para produzir um módulo de semicondutor como definido em qualquer uma das reivindicações 13 a 17, em que uma blindagem externa é formada sobre as superfícies superior e laterais da camada de resina de vedação.
21. Módulo de semicondutor produzido utilizando o método para produzir um módulo de semicondutor como definido em qualquer uma das reivindicações 13 a 17, o módulo de semicondutor compreendendo uma pluralidade de porções de módulo que operam independentemente umas das outras com a ranhura como um limite entre estas.
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