WO2023021938A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2023021938A1
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resin
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lead
mounting portion
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弘一 北黒
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ローム株式会社
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    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in the document includes a semiconductor element, multiple leads, and sealing resin.
  • the semiconductor element is mounted on the first lead, and the collector electrode on the back surface is electrically connected to the first lead.
  • the emitter electrode on the main surface of the semiconductor element is electrically connected to the third lead.
  • the sealing resin covers part of each of the plurality of leads and the semiconductor element.
  • the first lead has a first terminal protruding from the sealing resin
  • the third lead has a third terminal protruding from the sealing resin.
  • the first terminal and the third terminal When a high voltage (for example, several thousand volts) is applied between the first terminal and the third terminal of the semiconductor device, discharge occurs on the surface of the sealing resin between the first terminal and the third terminal. , the first terminal and the third terminal may be short-circuited.
  • a high voltage for example, several thousand volts
  • the present disclosure has been conceived under the circumstances described above, and one of its objectives is to provide a semiconductor device capable of achieving a high withstand voltage.
  • a semiconductor device provided by the present disclosure includes a semiconductor element, a conductive member that conducts to the semiconductor element, and a sealing resin that covers the semiconductor element, and the conductive member is a mounting portion on which the semiconductor element is mounted. and a first terminal connected to the mounting portion, and a second lead having a second terminal, wherein the first terminal and the second terminal are perpendicular to the thickness direction of the mounting portion.
  • the sealing resin has a resin main surface and a resin back surface that face opposite sides in the thickness direction, and a resin main surface and a resin back surface that are opposite to each other in the thickness direction.
  • first terminal and the second terminal are arranged in the thickness direction and the first direction on the resin end surface; are spaced apart from each other in a second direction orthogonal to and spaced from each other in the thickness direction.
  • a semiconductor device according to the present disclosure can achieve a high withstand voltage.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor device shown in FIG. 1, and is a view through a sealing resin.
  • FIG. 3 is a plan view of the semiconductor device shown in FIG. 1, and is a view through the sealing resin.
  • 4 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. 5 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 3.
  • FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view along line VII-VII of FIG. 8 is a bottom view of a semiconductor device according to a first modification of the first embodiment;
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 8.
  • FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a third modification of the first embodiment
  • FIG. 12 is a bottom view of a semiconductor device according to a fourth modification of the first embodiment
  • 13 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG. 12.
  • FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fifth modification of the first embodiment
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a sixth modification of the first embodiment
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a seventh modification of the first embodiment
  • FIG. 17 is a plan view showing a semiconductor device according to an eighth modification of the first embodiment, and is a view through a sealing resin.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure
  • 19 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 18.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a first modification of the second embodiment
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure
  • FIG. 22 is a plan view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 23 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 22.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view along line XXIV-XXIV of FIG. 22.
  • FIG. 25 is a plan view showing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 26 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 25.
  • FIG. FIG. 27 is a front view showing a semiconductor device according to a first modification of the fifth embodiment;
  • 28 is a plan view showing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 29 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 28.
  • FIG. 30 is a front view showing a semiconductor device according to a first modified example of the sixth embodiment; 31 is a plan view showing a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present disclosure; FIG. 32 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 31.
  • FIG. 31 is a plan view showing a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 32 is a front view of the semiconductor device shown in FIG. 31.
  • a certain entity A is formed on a certain entity B” and “a certain entity A is formed on a certain entity B” mean “a certain entity A is formed on a certain entity B”. It includes "being directly formed in entity B” and “being formed in entity B while another entity is interposed between entity A and entity B”.
  • ⁇ an entity A is placed on an entity B'' and ⁇ an entity A is located on an entity B'' mean ⁇ an entity A is located on an entity B.'' It includes "directly placed on B” and "some entity A is placed on an entity B while another entity is interposed between an entity A and an entity B.”
  • ⁇ an object A is located on an object B'' means ⁇ an object A is adjacent to an object B and an object A is positioned on an object B. and "the thing A is positioned on the thing B while another thing is interposed between the thing A and the thing B".
  • ⁇ an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction'' means ⁇ an object A overlaps all of an object B'' and ⁇ an object A overlaps an object B.'' It includes "overlapping a part of a certain thing B".
  • FIG. 1 A semiconductor device A10 according to the first embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 1 to 7.
  • FIG. The semiconductor device A10 includes a conductive member 5, a semiconductor element 6, wires 71 and 72, and a sealing resin 8. As shown in FIG.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor device A10.
  • the sealing resin 8 is transparent for convenience of understanding.
  • FIG. 3 is a plan view of the semiconductor device A10.
  • the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (chain double-dashed line) through the sealing resin 8.
  • FIG. 4 is a bottom view of the semiconductor device A10.
  • FIG. 5 is a front view of the semiconductor device A10. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 3.
  • FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view along line VII-VII of FIG.
  • the semiconductor device A10 shown in these figures is a device mounted on circuit boards of various devices.
  • the application and function of the semiconductor device A10 are not limited.
  • the package format of the semiconductor device A10 is SIP (Single Inline Package). Note that the package format of the semiconductor device A10 is not limited to SIP.
  • a portion of the semiconductor device A10 covered with the sealing resin 8 has a rectangular shape when viewed in the thickness direction.
  • the thickness direction (planar view direction) of the semiconductor device A10 is assumed to be the z direction, and the terminals (first lead 1, second lead 2, and third lead 3) of the semiconductor device A10 orthogonal to the z direction extend. Let the direction (vertical direction in FIGS.
  • Each dimension of the semiconductor device A10 is not particularly limited.
  • the conductive member 5 is electrically connected to the semiconductor element 6, and constitutes a conductive path between the semiconductor element 6 and the circuit wiring when the semiconductor device A10 is mounted on the circuit board.
  • the conductive member 5 is formed, for example, by punching or bending a metal plate.
  • the conductive member 5 is made of metal, preferably Cu or Ni, or an alloy thereof, 42 alloy, or the like. In this embodiment, the case where the conductive member 5 is made of Cu will be described as an example.
  • the thickness of the conductive member 5 is not particularly limited.
  • Conductive member 5 includes first lead 1 , second lead 2 and third lead 3 .
  • the first lead 1 supports the semiconductor element 6 and is electrically connected to the semiconductor element 6 .
  • the first lead 1 has a mounting portion 110 and a first terminal 120 .
  • the mounting portion 110 is a portion on which the semiconductor element 6 is mounted, and has a rectangular shape (or a substantially rectangular shape) when viewed in the z direction.
  • the mounting portion 110 includes a mounting portion main surface 111 , a mounting portion rear surface 112 , a mounting portion end surface 114 , and a mounting portion through hole 113 .
  • the mounting portion main surface 111 and the mounting portion back surface 112 face opposite sides in the z-direction.
  • the mounting portion main surface 111 faces the z-direction z2 side.
  • the semiconductor element 6 is bonded to the main surface 111 of the mounting portion.
  • the mounting portion back surface 112 faces the z-direction z1 side.
  • the rear surface 112 of the mounting portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a rear surface terminal.
  • the mounting portion end surface 114 is a surface that is connected to the mounting portion main surface 111 and the mounting portion back surface 112 and faces the x direction x1 side.
  • the mounting portion through-hole 113 is a hole penetrating from the main surface 111 of the mounting portion to the rear surface 112 of the mounting portion in parallel with the z-direction.
  • the mounting portion through-hole 113 is arranged in the center of the mounting portion 110 in the y direction and closer to the x2 side in the x direction (upper side in FIGS. 3 and 4), and has a circular shape when viewed in the z direction.
  • the position and shape of mounting portion through-hole 113 are not limited.
  • the first terminal 120 is connected to the mounting portion 110 and electrically connected to the semiconductor element 6 via the mounting portion 110 .
  • the width dimension (dimension in the y direction) of the first terminal 120 is smaller than the width dimension (dimension in the y direction) of the mounting portion 110 .
  • the thickness dimension (dimension in the z direction) of the first terminal 120 is smaller than the thickness dimension (dimension in the z direction) of the mounting portion 110 .
  • the thickness dimension of the mounting portion 110 is larger than the thickness dimension of the first terminal 120 .
  • the first terminal 120 is connected to the center of the mounting portion end surface 114 in the y direction as shown in FIG.
  • the position of the first terminal 120 is not limited.
  • the first terminal 120 extends in the x direction and includes a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the width dimension of the first terminal 120 from the position connected to the mounting portion 110 to the portion slightly exposed from the sealing resin 8 is larger than that of the tip side portion.
  • the shape of the first lead 1 is not limited to the one described above.
  • the mounting portion 110 is provided with a A recess on the back side that is recessed and covered with the sealing resin 8 may be formed.
  • the second lead 2 is electrically connected to the semiconductor element 6.
  • the second lead 2 is arranged apart from the first lead 1 .
  • the second lead 2 is arranged on the x-direction x1 side of the mounting portion 110 of the first lead 1 and on the y-direction y1 side of the first terminal 120, as shown in FIG.
  • the second lead 2 is arranged on the z-direction z2 side with respect to the first lead 1, as shown in FIGS.
  • the second lead 2 has a second pad portion 210 and a second terminal 220 .
  • the second pad portion 210 is a portion to which the wire 71 is bonded, and has a rectangular shape (or substantially rectangular shape) elongated in the y direction when viewed in the z direction. As shown in FIG. 7, the second pad section 210 has a second pad section main surface 211 and a second pad section rear surface 212 . The second pad portion main surface 211 and the second pad portion back surface 212 face opposite sides in the z direction. The second pad portion main surface 211 faces the z-direction z2 side.
  • the wire 71 is joined to the second pad portion main surface 211 .
  • the second pad portion back surface 212 faces the z-direction z1 side.
  • the second pad portion 210 is entirely covered with the sealing resin 8 .
  • the second terminal 220 is connected to the second pad portion 210 and electrically connected to the semiconductor element 6 via the second pad portion 210 and the wire 71 .
  • the width dimension (dimension in the y direction) of the second terminal 220 is smaller than the width dimension (dimension in the y direction) of the second pad portion 210 .
  • the thickness dimension (z-direction dimension) of the second terminal 220 is the same as the thickness dimension (z-direction dimension) of the second pad section 210, and the thickness dimension (z-direction dimension) of the first terminal 120 is Same as thickness dimension. As shown in FIG.
  • the second terminal 220 is arranged on the x1 side of the second pad portion 210 in the x direction and closer to the y1 side in the y direction.
  • the position of the second terminal 220 is not limited. However, it is desirable that the first terminal 120 and the second terminal 220 are separated in the y direction.
  • the second terminal 220 extends in the x direction and includes a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the width of the second terminal 220 from the position connected to the second pad portion 210 to the portion slightly exposed from the sealing resin 8 is larger than the portion on the tip side.
  • the shape of the second lead 2 is not limited to the one described above.
  • the third lead 3 is electrically connected to the semiconductor element 6.
  • the third lead 3 is arranged apart from the first lead 1 and the second lead 2 .
  • the third lead 3 is arranged on the x-direction x1 side of the mounting portion 110 of the first lead 1 and on the y-direction y2 side of the first terminal 120, as shown in FIG.
  • the third lead 3 is arranged on the z-direction z2 side with respect to the first lead 1, as shown in FIG. In this embodiment, the positions of the second lead 2 and the third lead 3 in the z-direction are the same.
  • the third lead 3 has a third pad portion 310 and a third terminal 320 .
  • the third pad portion 310 is a portion to which the wire 72 is bonded, and has a rectangular shape (or substantially rectangular shape) elongated in the y direction when viewed in the z direction.
  • the third pad portion 310 has a third pad portion main surface 311 and a third pad portion rear surface 312 .
  • the third pad portion main surface 311 and the third pad portion back surface 312 face opposite sides in the z direction.
  • the third pad portion main surface 311 faces the z-direction z2 side.
  • the wire 72 is joined to the third pad portion main surface 311 .
  • the third pad portion back surface 312 faces the z-direction z1 side.
  • the third pad portion 310 is entirely covered with the sealing resin 8 .
  • the third terminal 320 is connected to the third pad portion 310 and electrically connected to the semiconductor element 6 via the third pad portion 310 and the wire 72 .
  • the width dimension (dimension in the y direction) of the third terminal 320 is smaller than the width dimension (dimension in the y direction) of the third pad portion 310 .
  • the thickness dimension (z-direction dimension) of the third terminal 320 is the same as the thickness dimension (z-direction dimension) of the third pad section 310, and is the same as the thickness dimension of the first terminal 120.
  • the third terminal 320 is arranged on the x1 side of the third pad portion 310 in the x direction and closer to the y2 side in the y direction.
  • the position of the third terminal 320 is not limited. However, it is desirable that the first terminal 120 and the third terminal 320 are separated in the y direction.
  • the third terminal 320 extends in the x direction and includes a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the width of the third terminal 320 from the position connected to the third pad portion 310 to the portion slightly exposed from the sealing resin 8 is larger than the portion on the tip side.
  • the shape of the third lead 3 is not limited to the one described above.
  • the portions of the first terminal 120, the second terminal 220, and the third terminal 320 exposed from the sealing resin 8 have the same shape.
  • the tip of the first terminal 120 (the end opposite to the portion connected to the mounting portion 110), the tip of the second terminal 220 (the end opposite to the portion connected to the second pad portion 210), and the third terminal
  • the tip of 320 (the end opposite to the portion connected to the third pad section 310) is at the same position in the x direction.
  • An outer plated layer made of an alloy containing Sn as a main component may be formed on the portions of the first lead 1, the second lead 2, and the third lead 3 exposed from the sealing resin 8. Further, the region of the mounting portion main surface 111 of the first lead 1 to which the semiconductor element 6 is bonded, the region of the second pad portion main surface 211 of the second lead 2 to which the wire 71 is bonded, and the third lead An inner layer plating layer made of Ag, for example, may be formed in a region of the third pad portion main surface 311 of 3 to which the wire 72 is bonded.
  • the semiconductor element 6 is an element that exerts electrical functions of the semiconductor device A10.
  • the type of semiconductor element 6 is not particularly limited.
  • the semiconductor element 6 is a transistor such as a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
  • the semiconductor element 6 has an element body 60 , a first electrode 63 , a second electrode 64 and a third electrode 65 .
  • the element body 60 has a rectangular plate shape when viewed in the z direction.
  • the element body 60 is made of a semiconductor material, and is made of Si (silicon) in this embodiment.
  • the material of element body 60 is not limited, and may be other materials such as SiC (silicon carbide) and GaN (gallium nitride).
  • the element body 60 has an element main surface 61 and an element back surface 62 .
  • the element main surface 61 and the element back surface 62 face opposite to each other in the z direction.
  • the element main surface 61 faces the z-direction z2 side.
  • the element back surface 62 faces the z-direction z1 side.
  • the second electrode 64 and the third electrode 65 are arranged on the element main surface 61 .
  • the first electrode 63 is arranged on the element back surface 62 . In this embodiment, the first electrode 63 is the drain electrode, the second electrode 64 is the source electrode, and the third electrode 65 is the gate electrode.
  • the semiconductor element 6 is mounted at the center of the main surface 111 of the mounting portion in the y direction and closer to the x1 side in the x direction.
  • the semiconductor element 6 is arranged at a position not overlapping the mounting portion through-hole 113 when viewed in the z direction.
  • the semiconductor element 6 is bonded to the mounting portion main surface 111 via the bonding material 69 with the element back surface 62 facing the mounting portion main surface 111 .
  • the bonding material 69 is a conductive bonding material such as solder.
  • the bonding material 69 may be other conductive bonding materials such as silver paste and sintered silver bonding material.
  • the wire 71 is joined to the second electrode 64 of the semiconductor element 6 and the second pad portion main surface 211 of the second lead 2 . Thereby, the second electrode 64 of the semiconductor element 6 is electrically connected to the second lead 2 .
  • the wire 72 is joined to the third electrode 65 of the semiconductor element 6 and the third pad portion main surface 311 of the third lead 3 . Thereby, the third electrode 65 of the semiconductor element 6 is electrically connected to the third lead 3 .
  • the material, thickness, and number of wires 71 and 72 are not limited. Also, semiconductor element 6 and second lead 2 and third lead 3 may be connected by a conductive connection member (for example, a metal plate, a metal ribbon, or the like) other than wires 72 and 73 .
  • the first terminal 120 of the first lead 1 electrically connected to the first electrode 63 functions as the drain terminal of the semiconductor device A10
  • the second terminal 220 of the second lead 2 electrically connected to the second electrode 64 functions as the source terminal of the semiconductor device A10.
  • the third terminal 320 of the third lead 3 electrically connected to the third electrode 65 functions as the gate terminal of the semiconductor device A10.
  • a high voltage is applied from the outside between the first terminal 120 (drain terminal) and the second terminal 220 (source terminal).
  • the potential difference between the first terminal 120 (drain terminal) and the third terminal 320 (gate terminal) also increases according to the applied high voltage.
  • the sealing resin 8 partially covers the first lead 1, the second lead 2, and the third lead 3, as well as the semiconductor element 6 and the wires 71 and 72 as a whole.
  • Sealing resin 8 is made of, for example, black epoxy resin.
  • the material of the sealing resin 8 is not limited.
  • the sealing resin 8 is formed, for example, by transfer molding using a mold.
  • the sealing resin 8 has a resin main surface 81 , a resin back surface 82 , a resin end surface 83 , a resin first side surface 84 , a resin second side surface 85 and a resin third side surface 86 .
  • the resin main surface 81 and the resin back surface 82 face opposite sides in the z-direction.
  • the resin main surface 81 faces the z-direction z2 side
  • the resin back surface 82 faces the z-direction z1 side.
  • the mounting portion back surface 112 of the first lead 1 is entirely exposed from the resin back surface 82, and the resin back surface 82 and the mounting portion back surface 112 are flush with each other. It has become.
  • the resin end surface 83 and the resin first side surface 84 are surfaces connected to the resin main surface 81 and the resin back surface 82, respectively.
  • the resin end surface 83 and the resin first side surface 84 face opposite sides in the x direction.
  • the resin end surface 83 is a surface that is arranged on the x-direction x1 side and faces the x-direction x1 side.
  • the resin first side surface 84 is a surface that is arranged on the x-direction x2 side and faces the x-direction x2 side.
  • the second resin side surface 85 and the third resin side surface 86 are surfaces connected to the resin main surface 81, the resin rear surface 82, the resin end surface 83, and the resin first side surface 84, respectively.
  • the resin second side surface 85 and the resin third side surface 86 face opposite sides in the y direction.
  • the second resin side surface 85 is a surface that is arranged on the y-direction y1 side and faces the y-direction y1 side.
  • the resin third side surface 86 is a surface arranged on the y-direction y2 side and facing the y-direction y2 side.
  • the resin end face 83 , the resin first side face 84 , the resin second side face 85 , and the resin third side face 86 each have surfaces connected to the resin main surface 81 and inclined so as to approach each other toward the resin main surface 81 .
  • the portion of the sealing resin 8 connected to the resin main surface 81 and surrounded by the inclined surfaces has a tapered shape in which the cross-sectional area in the xy plane becomes smaller toward the resin main surface 81 .
  • the resin end surface 83, the resin first side surface 84, the resin second side surface 85, and the resin third side surface 86 each have surfaces connected to the resin back surface 82 and inclined so as to approach each other toward the resin back surface 82.
  • the portion of the sealing resin 8 connected to the resin main surface 81 and surrounded by the inclined surfaces has a tapered shape in which the cross-sectional area in the xy plane becomes smaller toward the resin back surface 82 .
  • the shapes of the resin end surface 83, the first resin side surface 84, the second resin side surface 85, and the third resin side surface 86 are not limited.
  • the resin end surface 83 is a surface facing the direction in which the first terminal 120, the second terminal 220, and the third terminal 320 protrude. That is, the first terminal 120 , the second terminal 220 and the third terminal 320 protrude from the resin end surface 83 .
  • the second terminal 220, the first terminal 120, and the third terminal 320 are separated from each other in the y direction on the resin end face 83 and are arranged in this order from the y1 side to the y2 side in the y direction. . That is, the third terminal 320 is positioned on the resin end surface 83 on the opposite side of the first terminal 120 from the second terminal 220 in the y direction.
  • first terminal 120 , the second terminal 220 and the third terminal 320 are separated from each other in the z-direction on the resin end surface 83 .
  • the second terminal 220 and the third terminal 320 are arranged at the same position in the z direction on the resin end surface 83 .
  • the first terminal 120 is located on the resin end face 83 on the resin back surface 82 side (z direction z2 side) in the z direction with respect to the second terminal 220 and the third terminal 320 .
  • the shortest distance (creeping distance) D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is such that the first terminal 120 and the second terminal 220 are arranged at the same position in the z direction. Larger than if it were.
  • Dy be the separation distance in the y direction
  • Dz be the separation distance in the z direction between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 .
  • the creepage distance between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is the separation distance Dy.
  • the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 is also greater than when the first terminal 120 and the third terminal 320 are arranged at the same position in the z direction. .
  • the conductive member 5 is exposed only from the resin back surface 82 and the resin end surface 83, and is not exposed from the resin main surface 81, the resin first side surface 84, the resin second side surface 85, and the resin third side surface 86.
  • the sealing resin 8 has resin through-holes 88 .
  • the resin through hole 88 is a through hole penetrating from the resin main surface 81 to the resin back surface 82 in parallel with the z direction.
  • the resin through-hole 88 is arranged in the center of the sealing resin 8 in the y direction and closer to the x2 side in the x direction (closer to the upper side in FIG. 3), and has a circular shape when viewed in the z direction.
  • the center of the resin through-hole 88 is the same as the center of the mounting portion through-hole 113 .
  • the diameter of the resin through-hole 88 is smaller than the diameter of the mounting portion through-hole 113 . Therefore, as shown in FIGS.
  • the resin through hole 88 is positioned inside the mounting portion through hole 113, and the hole walls of the resin through hole 88 are all formed of the sealing resin 8. there is That is, the mounting portion 110 is not exposed from the hole wall of the resin through hole 88 .
  • the resin through-holes 88 are used for inserting fastening members such as screws to attach a heat dissipation member to the semiconductor device A10.
  • the first lead 1 has the first terminal 120 projecting from the resin end surface 83 .
  • the second lead 2 also has a second terminal 220 projecting from the resin end surface 83 .
  • the first terminal 120 and the second terminal 220 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end face 83 is greater than when the first terminal 120 and the second terminal 220 are arranged at the same position in the z direction. .
  • the semiconductor device A10 can suppress discharge at the resin end face 83.
  • the third lead 3 also has a third terminal 320 projecting from the resin end surface 83 .
  • the first terminal 120 and the third terminal 320 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creeping distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end face 83 is greater than when the first terminal 120 and the third terminal 320 are arranged at the same position in the z direction.
  • the semiconductor device A10 can suppress discharge at the resin end surface 83 even when the potential difference between the first terminal 120 and the third terminal 320 increases. As described above, the semiconductor device A10 can achieve a high withstand voltage.
  • the second pad portion back surface 212 is exposed from the resin back surface 82 . Therefore, the semiconductor device A10 can radiate the heat radiated by the semiconductor element 6 by connecting the heat radiating member to the back surface 212 of the second pad portion.
  • the sealing resin 8 has a resin through-hole 88 penetrating in parallel in the z-direction. Therefore, the semiconductor device A10 can be easily attached with a heat radiating member by inserting a fastening member such as a screw into the resin through hole 88 .
  • the center of the resin through-hole 88 is the same as the center of the mounting portion through-hole 113 , and the diameter of the resin through-hole 88 is smaller than the diameter of the mounting portion through-hole 113 .
  • the resin through-hole 88 is positioned inside the mounting portion through-hole 113 , and the hole walls of the resin through-hole 88 are all formed of the sealing resin 8 . That is, the mounting portion 110 is not exposed from the hole wall of the resin through hole 88 . Thereby, the mounting portion 110 and the fastening member are insulated. Moreover, according to the present embodiment, the thickness dimension of the mounting portion 110 is larger than the thickness dimension of the first terminal 120 , the second lead 2 , and the third lead 3 . Therefore, the semiconductor device A10 can efficiently absorb the heat emitted by the semiconductor element 6 in the mounting portion 110 .
  • the mounting portion 110 has the mounting portion through-hole 113 and the sealing resin 8 has the resin through-hole 88 has been described, but the present invention is not limited to this.
  • the mounting portion 110 may not have the mounting portion through-hole 113
  • the sealing resin 8 may not have the resin through-hole 88 .
  • FIG. 8 and 9 are diagrams for explaining the semiconductor device A11 according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a bottom view of the semiconductor device A11, corresponding to FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device A11, corresponding to FIG.
  • the mounting portion back surface 112 is not exposed from the resin back surface 82 and is covered with the sealing resin 8.
  • FIG. 8 is a bottom view of the semiconductor device A11, corresponding to FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device A11, corresponding to FIG.
  • the mounting portion back surface 112 is not exposed from the resin back surface 82 and is covered with the sealing resin 8.
  • FIG. 8 and 9 are diagrams for explaining the semiconductor device A11 according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a bottom view of the semiconductor device A11, corresponding to FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device A11, corresponding to FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a semiconductor device A12 according to a second modification of the first embodiment, and corresponds to FIG.
  • the semiconductor device A12 differs from the semiconductor device A10 in the shape of the first terminal 120 .
  • the first terminal 120 has a first straight portion 123 and a first connecting portion 124.
  • the first straight portion 123 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the first connecting portion 124 is a portion that connects the first direct portion 123 and the mounting portion 110 and is connected to the first direct portion 123 and the mounting portion 110 .
  • the first connecting portion 124 is entirely covered with the sealing resin 8 and inclined with respect to the mounting portion 110 and the first straight portion 123 .
  • a surface of the first orthogonal portion 123 facing the same side as the mounting portion main surface 111 (a surface facing the z direction z2 side) is located on the z direction z1 side of the mounting portion main surface 111 . Therefore, the first connecting portion 124 is inclined such that the x-direction x1 side is positioned closer to the z-direction z1 side.
  • the position where the first terminal 120 protrudes from the resin end surface 83 is on the z-direction z1 side compared to the semiconductor device A10. Therefore, in the semiconductor device A12, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 and the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 are reduced to We can make it big.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a semiconductor device A13 according to a third modification of the first embodiment, and corresponds to FIG.
  • the semiconductor device A13 differs from the semiconductor device A10 in the position where the first terminal 120 is connected to the mounting portion 110 .
  • the first terminal 120 is connected to the center of the mounting portion end surface 114 in the y direction and, as shown in FIG. 11, to the center position of the mounting portion end surface 114 in the z direction.
  • the position where the first terminal 120 protrudes from the resin end surface 83 is on the z-direction z1 side compared to the semiconductor device A10. Therefore, in the semiconductor device A13, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 and the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end face 83 are reduced to We can make it big.
  • FIG. 12 is a bottom view of the semiconductor device A14, corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the semiconductor device A14, corresponding to FIG.
  • the semiconductor device A14 differs from the semiconductor device A10 in the position where the first terminal 120 is connected to the mounting portion 110 .
  • the first terminal 120 is connected to the center of the mounting portion end surface 114 in the y direction as shown in FIG. 12 and the end portion of the mounting portion end surface 114 in the z direction z1 side as shown in FIG.
  • the first terminal back surface 125 of the first terminal 120 facing the same side as the mounting portion back surface 112 (the surface facing the z-direction z1 side) is flush with the mounting portion back surface 112. It is exposed from the resin back surface 82 .
  • the mounting portion 110 is recessed from the mounting portion rear surface 112 toward the mounting portion main surface 111 side around the mounting portion rear surface 112 and is covered with the sealing resin 8 .
  • a recess 115 is formed.
  • the mounting portion 110 does not have to be formed with the recessed portion 115 on the back side, but the recessed portion 115 on the back side is formed in order to prevent the first lead 1 from falling out of the sealing resin 8 in the z direction z1.
  • the position where the first terminal 120 protrudes from the resin end surface 83 is on the z-direction z1 side compared to the semiconductor device A10. Therefore, in the semiconductor device A14, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 and the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end face 83 are reduced to We can make it big.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a semiconductor device A15 according to a fifth modification of the first embodiment, and corresponds to FIG.
  • the semiconductor device A15 differs from the semiconductor device A10 in the thickness dimension of the mounting portion 110 .
  • the thickness dimension of the mounting portion 110 is the same as the thickness dimension of the first terminal 120.
  • the position of the mounting portion main surface 111 in the z direction is the same as in the case of the semiconductor device A10.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a semiconductor device A16 according to a sixth modification of the first embodiment, and corresponds to FIG.
  • the semiconductor device A16 differs from the semiconductor device A15 in the arrangement position of the first lead 1 in the z direction.
  • the thickness dimension of the mounting portion 110 is the same as the thickness dimension of the first terminal 120.
  • the mounting portion back surface 112 is exposed from the resin back surface 82, and the positions of the mounting portion main surface 111 and the positions of the first terminals 120 in the z-direction are different from those of the semiconductor device A15.
  • the first terminal back surface 125 is flush with the mounting portion back surface 112 and is exposed from the resin back surface 82 . Therefore, in this modified example, similarly to the case of the fourth modified example (see FIG. 12), it is desirable that the mounting portion 110 is formed with a rear surface side concave portion 115 around the mounting portion rear surface 112 . According to this modification, the position where the first terminal 120 protrudes from the resin end surface 83 is on the z-direction z1 side compared to the semiconductor device A10. Therefore, in the semiconductor device A16, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 and the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 are reduced to We can make it big.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a semiconductor device A17 according to the seventh modification of the first embodiment, and corresponds to FIG.
  • the semiconductor device A17 differs from the semiconductor device A16 in the shape of the first terminal 120 .
  • the thickness dimension of the mounting portion 110 is the same as the thickness dimension of the first terminal 120.
  • the mounting portion back surface 112 is exposed from the resin back surface 82 .
  • the first terminal 120 has a first straight portion 123 and a first connecting portion 124 .
  • the first straight portion 123 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the first connecting portion 124 is a portion that connects the first direct portion 123 and the mounting portion 110 and is connected to the first direct portion 123 and the mounting portion 110 .
  • the first connecting portion 124 is entirely covered with the sealing resin 8 and inclined with respect to the mounting portion 110 and the first straight portion 123 .
  • the first orthogonal portion 123 is positioned on the z-direction z2 side with respect to the mounting portion 110 . Therefore, the first connecting portion 124 is inclined such that the x-direction x1 side is positioned closer to the z-direction z2 side.
  • the mounting portion rear surface 112 is exposed from the resin rear surface 82 , but the first connecting portion 124 and the first straight portion 123 are partially covered with the sealing resin 8 . Therefore, in the first lead 1 in which the thickness dimension of the mounting portion 110 is the same as the thickness dimension of the first terminal 120, both heat dissipation and prevention of falling off can be achieved.
  • FIG. 17 is a plan view showing a semiconductor device A18 according to an eighth modification of the first embodiment, and corresponds to FIG.
  • the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (chain double-dashed line) through the sealing resin 8 .
  • the semiconductor device A18 differs from the semiconductor device A10 in the shapes of the first terminal 120, the second terminal 220, and the second terminal 320.
  • FIG. In the semiconductor device A18, the first terminal 120, the second terminal 220, and the second terminal 320 do not have a portion with a large width dimension. Therefore, the width dimension is uniform over the entire portions of the first terminal 120, the second terminal 220, and the second terminal 320 protruding from the sealing resin 8.
  • the shapes of the first terminal 120, the second terminal 220, and the second terminal 320 are the same as those of the semiconductor device A10, and the width dimensions of the first terminal 120, the second terminal 220, and the second terminal 320 are increased.
  • the entire portion in which it is located may be covered with the sealing resin 8 .
  • the width dimension is uniform over the entire portions of the first terminal 120, the second terminal 220, and the second terminal 320 protruding from the sealing resin 8, the external appearance of the semiconductor device A10 is similar to that of the semiconductor device A10. become a shape.
  • FIG. 18 and 19 are diagrams for explaining the semiconductor device A20 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A20, corresponding to FIG.
  • FIG. 19 is a front view of the semiconductor device A20, corresponding to FIG.
  • the semiconductor device A20 according to the present embodiment differs from the semiconductor device A10 according to the first embodiment in the shapes of portions of the first terminal 120, the second terminal 220, and the third terminal 320 protruding from the sealing resin 8.
  • FIG. The configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment.
  • each part of each modification of said 1st Embodiment may be combined arbitrarily.
  • the first terminal 120 has a first straight portion 123 , a first bent portion 121 and a first tip portion 122 .
  • the first straight portion 123 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the first bent portion 121 is a bent portion connected to the end portion of the first orthogonal portion 123 on the x-direction x1 side.
  • the first tip portion 122 is a portion that connects to the end portion of the first bent portion 121 on the x-direction x1 side and extends straight along the x-direction.
  • the first bent portion 121 and the first tip portion 122 are exposed from the sealing resin 8 .
  • the first bent portion 121 includes an inclined portion that is inclined with respect to the first tip portion 122 and the first straight portion 123 . Since the first tip portion 122 is positioned on the z-direction z2 side with respect to the first orthogonal portion 123, the inclined portion of the first bent portion 121 is positioned on the z-direction z2 side more on the x-direction x1 side. It is slanted.
  • the second terminal 220 has a second straight portion 223 , a second bent portion 221 and a second tip portion 222 .
  • the second straight portion 223 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the second bent portion 221 is a bent portion connected to the end of the second orthogonal portion 223 on the x-direction x1 side.
  • the second tip portion 222 is a portion that connects to the end portion of the second bent portion 221 on the x-direction x1 side and extends straight along the x-direction.
  • the second bent portion 221 and the second tip portion 222 are exposed from the sealing resin 8 .
  • the second bent portion 221 includes an inclined portion that is inclined with respect to the second tip portion 222 and the second straight portion 223 . Since the second tip portion 222 is positioned on the z-direction z1 side with respect to the second orthogonal portion 223, the inclined portion of the second bent portion 221 on the x-direction x1 side is positioned closer to the z-direction z1 side. It is slanted.
  • the third terminal 320 has a third straight portion 323 , a third bent portion 321 and a third tip portion 322 .
  • the third straight portion 323 is a portion that extends straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8.
  • the third bent portion 321 is a bent portion connected to the end portion of the third orthogonal portion 323 on the x-direction x1 side.
  • the third tip portion 322 is a portion that connects to the end portion of the third bent portion 321 on the x-direction x1 side and extends straight along the x-direction.
  • the third bent portion 321 and the third tip portion 322 are exposed from the sealing resin 8 .
  • the third bent portion 321 includes an inclined portion that is inclined with respect to the third tip portion 322 and the third straight portion 323 . Since the third tip portion 322 is positioned on the z-direction z1 side with respect to the third orthogonal portion 323, the inclined portion of the third bent portion 321 is positioned on the z-direction z1 side more on the x-direction x1 side. It is slanted.
  • the first straight portion 123, the second straight portion 223 and the third straight portion 323 are separated in the z direction, but the first tip portion 122, the second tip portion 222 and the third straight portion 323 are separated from each other.
  • the three tips 322 are at the same position in the z-direction.
  • the first terminal 120 (first straight portion 123) and the second terminal 220 (second straight portion 223) are separated from each other in the y direction and are separated from each other in the z direction on the resin end surface 83. away. Therefore, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction. Also, the first terminal 120 (first straight portion 123) and the third terminal 320 (third straight portion 323) are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end face 83. .
  • the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction.
  • the semiconductor device A20 can have a high withstand voltage.
  • the semiconductor device A20 has the same effect as the semiconductor device A10 due to the configuration common to the semiconductor device A10.
  • the first tip 122, the second tip 222, and the third tip 322 are at the same position in the z-direction, the first lead 1, the second lead 2, and the third lead 3 can be used interchangeably with conventional semiconductor devices in the same position in the z-direction.
  • the first bent portion 121 includes an inclined portion that is inclined with respect to the first distal end portion 122 and the first straight portion 123 has been described, but the present invention is not limited to this.
  • the first bent portion 121 may include a portion orthogonal to the first tip portion 122 and the first straight portion 123 . That is, the first lead 1 may be formed in a crank shape at the first bent portion 121 . Also, the first lead 1 may be formed in an S shape at the first bent portion 121 . The same applies to the second lead 2 and the third lead 3 as well.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing a semiconductor device A21 according to the first modification of the second embodiment, and corresponds to FIG.
  • the first tip portion 122 is positioned on the z-direction z1 side with respect to the first orthogonal portion 123
  • the second tip portion 222 is positioned on the z-direction z2 side with respect to the second orthogonal portion 223
  • the second The third tip portion 322 is positioned on the z-direction z2 side with respect to the third orthogonal portion 323 .
  • the first tip portion 122 and the second tip portion 222 and the third tip portion 322 are spaced further apart than the positional relationship on the resin end surface 83 in the z direction.
  • FIG. 21 is a diagram for explaining the semiconductor device A30 according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A30, corresponding to FIG.
  • the semiconductor device A30 according to this embodiment differs from the semiconductor device A10 according to the first embodiment in the shape of the portions of the second terminals 220 and the third terminals 320 covered with the sealing resin 8 .
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first and second embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the second terminal 220 has a second straight portion 223 and a second connecting portion 224 .
  • the second straight portion 223 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the second connecting portion 224 is a portion that connects the second direct portion 223 and the second pad portion 210 and is connected to the second direct portion 223 and the second pad portion 210 .
  • the second connecting portion 224 is entirely covered with the sealing resin 8 and is inclined with respect to the second pad portion 210 and the second straight portion 223 .
  • the second pad portion 210 is located on the resin back surface 82 side (the z-direction z1 side) with respect to the second straight portion 223 . Therefore, the second connecting portion 224 is inclined such that the x-direction x1 side is positioned closer to the z-direction z2 side.
  • the third terminal 320 includes a third direct portion 323 and a third connecting portion 324.
  • the third straight portion 323 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the third connecting portion 324 is a portion that connects the third direct portion 323 and the third pad portion 310 and is connected to the third direct portion 323 and the third pad portion 310 .
  • the third connecting portion 324 is entirely covered with the sealing resin 8 and inclined with respect to the third pad portion 310 and the third straight portion 323 .
  • the third pad portion 310 is located on the resin back surface 82 side (the z-direction z1 side) with respect to the third straight portion 323 . Therefore, the third connecting portion 324 is inclined such that the x-direction x1 side is positioned closer to the z-direction z2 side.
  • the first terminal 120 and the second terminal 220 are separated from each other in the y-direction and in the z-direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction.
  • the first terminal 120 and the third terminal 320 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction.
  • the semiconductor device A30 can have a high withstand voltage. Further, the semiconductor device A30 has the same effect as the semiconductor device A10 due to the configuration common to the semiconductor device A10.
  • the second pad portion 210 is located on the resin back surface 82 side (z direction z1 side) with respect to the second orthogonal portion 223 . Therefore, the second pad portion main surface 211 is located on the z-direction z1 side compared to the case of the semiconductor device A10. As a result, the vertex position of the wire 71 bonded to the second pad portion main surface 211 is located on the z-direction z1 side compared to the case of the semiconductor device A10. Also, the third pad portion 310 is positioned on the resin back surface 82 side (the z-direction z1 side) with respect to the third straight portion 323 .
  • the third pad portion main surface 311 is located on the z-direction z1 side compared to the case of the semiconductor device A10.
  • the vertex position of the wire 72 bonded to the third pad portion main surface 311 is located on the z-direction z1 side compared to the case of the semiconductor device A10. Therefore, it is possible to prevent the wires 71 and 72 from being exposed from the sealing resin 8 .
  • FIG. 22 to 24 are diagrams for explaining the semiconductor device A40 according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 22 is a plan view showing the semiconductor device A40, corresponding to FIG. In FIG. 22 , for convenience of understanding, the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (chain double-dashed line) through the sealing resin 8 .
  • FIG. 23 is a front view of the semiconductor device A40, corresponding to FIG. 24 is a cross-sectional view along line XXIV-XXIV of FIG. 22.
  • the semiconductor device A40 according to the present embodiment differs from the semiconductor device A10 according to the first embodiment in the positions of the first terminal 120, the second terminal 220, and the third terminal 320 on the resin end face 83 in the z direction.
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to third embodiments and modifications may be arbitrarily combined.
  • the first terminal 120 has a first straight portion 123 and a first connecting portion 124 .
  • the first straight portion 123 is a portion extending straight along the x-direction, and includes a portion covered with the sealing resin 8 and a portion protruding from the sealing resin 8 .
  • the first connecting portion 124 is a portion that connects the first direct portion 123 and the mounting portion 110 and is connected to the first direct portion 123 and the mounting portion 110 .
  • the first connecting portion 124 is entirely covered with the sealing resin 8 and inclined with respect to the mounting portion 110 and the first straight portion 123 .
  • the position of the first orthogonal portion 123 in the z-direction is the same position as the second terminal 220 and the third terminal 320 of the semiconductor device A10 according to the first embodiment.
  • the first connecting portion 124 is inclined such that the x-direction x1 side is positioned closer to the z-direction z2 side. Further, in this embodiment, the positions of the second lead 2 (second terminal 220) and the third lead 3 (third terminal 320) in the z-direction are the same as those of the first terminal 120 of the semiconductor device A10 according to the first embodiment. are in the same position. Therefore, on the resin end surface 83 , the first terminal 120 (first straight portion 123 ) is located on the resin main surface 81 side (z direction z2 side) in the z direction with respect to the second terminal 220 and the third terminal 320 .
  • the first terminals 120 (first straight portions 123) and the second terminals 220 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83. Therefore, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction.
  • the first terminal 120 (first straight portion 123) and the third terminal 320 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction.
  • the semiconductor device A40 can have a high withstand voltage.
  • the semiconductor device A40 has the same effect as the semiconductor device A10 due to the configuration common to the semiconductor device A10.
  • the second lead 2 (the second pad portion 210) is positioned closer to the resin back surface 82 side (the z-direction z1 side) than in the case of the semiconductor device A10 according to the first embodiment. are doing.
  • the vertex position of the wire 71 bonded to the second pad portion main surface 211 is located on the z-direction z1 side compared to the case of the semiconductor device A10.
  • the third lead 3 (third pad portion 310) is positioned closer to the resin back surface 82 side (the z-direction z1 side) than in the case of the semiconductor device A10 according to the first embodiment.
  • the vertex position of the wire 72 bonded to the third pad portion main surface 311 is located on the z-direction z1 side compared to the case of the semiconductor device A10. Therefore, it is possible to prevent the wires 71 and 72 from being exposed from the sealing resin 8 . In addition, it is possible to reduce the pressure dimension (dimension in the z direction) of the sealing resin 8 as compared with the case of the semiconductor device A10.
  • FIG. 25 and 26 are diagrams for explaining the semiconductor device A50 according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 25 is a plan view showing the semiconductor device A50, corresponding to FIG. In FIG. 25, for convenience of understanding, the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (double-dot chain line) through the sealing resin 8 .
  • FIG. 26 is a front view of the semiconductor device A50, corresponding to FIG.
  • the semiconductor device A50 according to this embodiment differs from the semiconductor device A10 according to the first embodiment in the positions of the first terminals 120 and the second terminals 220 in the y direction.
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to fourth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the first terminal 120 is connected to the end of the mounting portion end surface 114 on the y-direction y1 side.
  • the second lead 2 is arranged on the y-direction y2 side of the first terminal 120, as shown in FIG.
  • the semiconductor device A50 has the first terminal 120 and the second terminal 220 arranged in the y direction interchanged with respect to the semiconductor device A10.
  • the first terminal 120 and the second terminal 220 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction. As a result, the semiconductor device A50 can have a high withstand voltage.
  • the third terminal 320 is largely separated from the first terminal 120 on the resin end surface 83 . Therefore, the creeping distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end face 83 is sufficiently large, so that there is no problem.
  • the semiconductor device A50 has the same effect as the semiconductor device A10 due to the configuration common to the semiconductor device A10.
  • FIG. 27 is a front view showing a semiconductor device A51 according to the first modification of the fifth embodiment, which corresponds to FIG.
  • the third lead 3 is arranged at the same position as the first terminal 120 in the z direction.
  • the third terminal 320 is largely separated from the first terminal 120 on the resin end face 83, and the creeping distance is sufficiently large, so the position of the third lead 3 in the z direction can be freely set.
  • FIG. 28 and 29 are diagrams for explaining the semiconductor device A60 according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 28 is a plan view showing the semiconductor device A60, corresponding to FIG. In FIG. 28, for convenience of understanding, the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (double-dot chain line) through the sealing resin 8 .
  • FIG. 29 is a front view of the semiconductor device A60, corresponding to FIG.
  • the semiconductor device A60 according to this embodiment is different from the semiconductor device A50 according to the fifth embodiment in that the fourth lead 4 is further provided.
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the fifth embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to fifth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the semiconductor device A60 further includes a fourth lead 4 and a wire 73.
  • the fourth lead 4 is electrically connected to the semiconductor element 6 .
  • the fourth lead 4 is arranged apart from the first lead 1, the second lead 2 and the third lead 3, as shown in FIG.
  • the fourth lead 4 is arranged on the x-direction x1 side of the mounting portion 110 of the first lead 1 and between the second lead 2 and the third lead 3 in the y-direction.
  • the fourth lead 4 is arranged on the z-direction z2 side with respect to the first lead 1, as shown in FIG. In this embodiment, the position of the fourth lead 4 in the z-direction is the same as that of the second lead 2 and the third lead 3 .
  • the fourth lead 4 has a fourth pad portion 410 and a fourth terminal 420 .
  • the fourth pad portion 410 is a portion to which the wire 73 is bonded, and has a rectangular shape (or substantially rectangular shape) elongated in the y direction when viewed in the z direction.
  • the fourth pad portion 410 has a fourth pad portion main surface 411 .
  • the fourth pad portion main surface 411 faces the z-direction z2 side, and the wire 73 is joined thereto.
  • the material, thickness, and number of wires 73 are not limited.
  • the fourth pad portion 410 is entirely covered with the sealing resin 8 .
  • the fourth terminal 420 is connected to the fourth pad portion 410 and electrically connected to the second electrode 64 (source electrode) of the semiconductor element 6 via the fourth pad portion 410 and the wire 73 .
  • the fourth terminal 420 functions as a source sense terminal of the semiconductor device A60.
  • the width dimension (dimension in the y direction) of the fourth terminal 420 is smaller than the width dimension (dimension in the y direction) of the fourth pad portion 410 .
  • the thickness dimension (z-direction dimension) of the fourth terminal 420 is the same as the thickness dimension (z-direction dimension) of the fourth pad section 410, and is the same as the thickness dimension of the first terminal 120. . As shown in FIG.
  • the fourth terminal 420 is arranged in the center of the y direction on the x1 side of the fourth pad portion 410 . Note that the position of the fourth terminal 420 is not limited.
  • the fourth terminal 420 extends in the x direction and includes a portion protruding from the sealing resin 8 . Note that the shape of the fourth lead 4 is not limited to the one described above.
  • the first terminal 120, the second terminal 220, the fourth terminal 420, and the third terminal 320 are spaced apart from each other in the y direction on the resin end face 83, and are connected in this order from the y1 side to the y2 side in the y direction. side by side. Also, the first terminal 120, the second terminal 220, the third terminal 320, and the fourth terminal 420 are separated from each other in the z direction on the resin end surface 83. As shown in FIG. The second terminal 220 , the third terminal 320 , and the fourth terminal 420 are arranged at the same position in the z direction on the resin end surface 83 .
  • the first terminal 120 is located on the resin end face 83 on the resin back surface 82 side (z direction z2 side) in the z direction with respect to the second terminal 220, the third terminal 320, and the fourth terminal 420.
  • FIG. 29 the first terminal 120, the second terminal 220, the fourth terminal 420, and the third terminal 320 are spaced apart from each other in
  • the first terminal 120 and the second terminal 220 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance D between the first terminal 120 and the second terminal 220 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction.
  • the semiconductor device A60 can have a high withstand voltage.
  • the third terminal 320 and the fourth terminal 420 are largely separated from the first terminal 120 on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distances between the first terminal 120 and the third terminal 320 and the fourth terminal 420 on the resin end face 83 are sufficiently large, so that there is no problem.
  • the semiconductor device A60 has the same effect as the semiconductor device A10 due to the configuration common to the semiconductor device A10.
  • FIG. 30 is a front view showing a semiconductor device A61 according to the first modification of the sixth embodiment, which corresponds to FIG.
  • the fourth lead 4 is arranged at the same position as the first terminal 120 in the z direction.
  • the fourth terminal 420 is largely separated from the first terminal 120 on the resin end face 83, and the creeping distance is sufficiently large, so that the position of the fourth lead 4 in the z direction can be freely set.
  • first terminal 120, the second terminal 220, the fourth terminal 420, and the third terminal 320 are arranged in this order from the y1 side to the y2 side. is not limited to For example, first terminal 120 may be positioned between second terminal 220 and fourth terminal 420 in the y-direction.
  • FIG. 31 and 32 are diagrams for explaining a semiconductor device A70 according to the seventh embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 31 is a plan view showing the semiconductor device A70, corresponding to FIG. In FIG. 31, for convenience of understanding, the outer shape of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (chain double-dashed line) through the sealing resin 8 .
  • FIG. 32 is a front view of the semiconductor device A70, corresponding to FIG.
  • the semiconductor device A70 according to this embodiment differs from the semiconductor device A10 according to the first embodiment in that the type of the semiconductor element 6 is different and that the second lead 2 is not provided.
  • the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to sixth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
  • the semiconductor element 6 is a diode.
  • the semiconductor element 6 does not have the third electrode 65 on the main surface 61 of the element.
  • the first electrode 63 is the cathode electrode and the second electrode 64 is the anode electrode.
  • the first lead 1 has the same shape as the semiconductor device A50 according to the fifth embodiment, and the first terminal 120 is located at the end of the mounting portion end surface 114 on the y-direction y1 side. linked.
  • the semiconductor device A70 does not have the second lead 2 .
  • a first electrode 63 of the semiconductor element 6 is bonded to the main surface 111 of the mounting portion by a bonding material 69 and electrically connected to the first lead 1 .
  • the wire 72 is joined to the second electrode 64 of the semiconductor element 6 and the third pad portion main surface 311 of the third lead 3 .
  • the second electrode 64 of the semiconductor element 6 is electrically connected to the third lead 3 .
  • the first terminal 120 of the first lead 1 electrically connected to the first electrode 63 functions as the cathode terminal of the semiconductor device A70
  • the third terminal 320 of the third lead 3 electrically connected to the second electrode 64 functions as the anode terminal of the semiconductor device A70.
  • the first terminal 120 and the third terminal 320 are separated from each other in the y direction and in the z direction on the resin end surface 83 . Therefore, the creepage distance between the first terminal 120 and the third terminal 320 on the resin end surface 83 is greater than when they are arranged at the same position in the z direction. As a result, the semiconductor device A70 can have a high withstand voltage. Moreover, the semiconductor device A70 has the same effect as the semiconductor device A10 due to the configuration common to the semiconductor device A10.
  • the semiconductor element 6 is a transistor
  • the semiconductor element 6 is a diode
  • the present invention is not limited to this.
  • the type of semiconductor element 6 is not limited, and other semiconductor elements such as integrated circuits may be used.
  • the cases where two to four terminals are arranged have been described, but the present invention is not limited to this.
  • the number of terminals to be arranged is not limited, and is appropriately set according to the number and arrangement of electrodes arranged on the element main surface 61 of the semiconductor element 6 .
  • each terminal protrudes only from the resin end surface 83
  • the present invention is not limited to this.
  • a terminal may protrude from any one of the first resin side surface 84 , the second resin side surface 85 , and the third resin side surface 86 .
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be modified in various ways.
  • the present disclosure includes embodiments described in the appendices below.
  • Appendix 1 a semiconductor element (6); a conductive member (5) electrically connected to the semiconductor element; a sealing resin (8) covering the semiconductor element; with
  • the conductive member is a first lead (1) having a mounting portion (110) on which the semiconductor element is mounted and a first terminal (120) connected to the mounting portion; a second lead (2) having a second terminal (220); with each of the first terminal and the second terminal includes a portion protruding from the sealing resin in a first direction orthogonal to a thickness direction of the mounting portion;
  • the sealing resin is a resin main surface (81) and a resin back surface (82) facing opposite to each other in the thickness direction; a resin end surface (83) connected to the resin main surface and the resin back surface and facing the direction in which the first terminal and the second terminal protrude; with The semiconductor device, wherein the first terminal and the second terminal are separated from each other in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction and are separated from each other in the thickness direction on the resin end face.
  • Appendix 2. The semiconductor device according to appendix 1, wherein the first terminal is located on the resin back surface side in the thickness direction with respect to the second terminal on the resin end surface.
  • Appendix 3. (Second embodiment, FIG. 18) The first terminal includes a first bent portion (121) exposed from the sealing resin and bent, and a first tip portion (122) connected to the first bent portion and extending in the first direction. and The second terminal includes a second bent portion (221) exposed from the sealing resin and bent, and a second tip portion (222) connected to the second bent portion and extending in the first direction. and 3.
  • the semiconductor device according to appendix 1 or 2 wherein the first tip portion and the second tip portion are located at the same position in the thickness direction.
  • Appendix 4. (Third embodiment, FIG.
  • the second lead includes a pad portion (210) connected to the second terminal and covered with the sealing resin;
  • the second terminal includes a second orthogonal portion (223) extending in the first direction and a second connecting portion (224) connected to the pad portion and the second orthogonal portion, the second connecting portion is covered with the sealing resin and inclined with respect to the pad portion and the second orthogonal portion; 4.
  • Appendix 5 The semiconductor device according to appendix 4, further comprising a connecting member (71) that is joined to the semiconductor element and the pad portion.
  • Appendix 6. First Embodiment Second Modified Example_Fig.
  • the first terminal includes a first straight portion (123) extending in the first direction and a first connecting portion (124) connected to the mounting portion and the first straight portion, 6.
  • the mounting portion includes a mounting portion main surface (111) to which the semiconductor element is bonded, and a mounting portion back surface (112) facing the opposite side of the mounting portion main surface in the thickness direction, 7.
  • the sealing resin is a resin first side surface (84) connected to the resin main surface and the resin back surface and facing away from the resin end surface; a resin second side surface (85) and a resin third side surface (86) connected to the resin main surface, the resin back surface, the resin end surface, and the resin first side surface; with 9.
  • the semiconductor device according to claim 1. Appendix 11. 11. The third terminal according to appendix 10, wherein, on the resin end face, the third terminal is spaced from the first terminal in the thickness direction and positioned on the same side as the second terminal in the thickness direction. semiconductor device.
  • Appendix 12. 12 The semiconductor device according to appendix 10 or 11, wherein the third terminal is located on the resin end surface on the side opposite to the second terminal in the second direction with respect to the first terminal.
  • Appendix 13. (Sixth embodiment_Fig.
  • said conductive member comprising a fourth lead (4) having a fourth terminal (420); 13. Any one of Appendices 10 to 12, wherein the fourth terminal includes a portion protruding from the resin end surface and is spaced apart in the second direction from the first terminal to the third terminal on the resin end surface.
  • the semiconductor element includes an element main surface (61) and an element back surface (62) facing opposite sides in the thickness direction, a first electrode (63) arranged on the element back surface, and arranged on the element main surface. a second electrode (64); The first electrode is joined to the mounting portion, 14.

Landscapes

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Abstract

半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に導通する導電部材と、前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備える。前記導電部材は、前記半導体素子が搭載された搭載部と前記搭載部につながる第１端子とを有する第１リード、および、第２端子を有する第２リードを備える。前記第１端子および前記第２端子は、ｘ方向に前記封止樹脂から突出する部分をそれぞれ含む。前記封止樹脂は、ｚ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面を備える。また前記封止樹脂は、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が突出する方向を向く樹脂端面を備える。前記樹脂端面において、前記第１端子および前記第２端子は、ｙ方向およびｚ方向に互いに離間する。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、複数のリード、および封止樹脂を備えている。半導体素子は、第１リードに搭載され、裏面のコレクタ電極が第１リードに導通している。また、半導体素子の主面のエミッタ電極が第３リードに導通している。封止樹脂は、複数のリードの一部ずつと半導体素子とを覆っている。第１リードは封止樹脂から突出する第１端子を備え、第３リードは封止樹脂から突出する第３端子を備えている。当該半導体装置の第１端子と第３端子との間に高電圧（たとえば数千Ｖ）が印加されると、第１端子と第３端子との間の封止樹脂の表面上で放電が起こり、第１端子と第３端子とが短絡する場合がある。
特開２０１８－１４４９０号公報
　本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高耐電圧化を図ることができる半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に導通する導電部材と、前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備え、前記導電部材は、前記半導体素子が搭載された搭載部と、前記搭載部につながる第１端子とを有する第１リードと、第２端子を有する第２リードとを備え、前記第１端子および前記第２端子は、前記搭載部の厚さ方向に直交する第１方向に前記封止樹脂から突出する部分をそれぞれ含み、前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が突出する方向を向く樹脂端面とを備え、前記第１端子および前記第２端子は、前記樹脂端面において、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに離間し、かつ、前記厚さ方向において互いに離間する。
　本開示にかかる半導体装置は、高耐電圧化を図ることができる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。 図２は、図１に示す半導体装置の斜視図であり、封止樹脂を透過した図である。 図３は、図１に示す半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過した図である。 図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。 図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す底面図である。 図９は、図８に示す半導体装置の断面図である。 図１０は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置を示す断面図である。 図１１は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置を示す断面図である。 図１２は、第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置を示す底面図である。 図１３は、図１２に示す半導体装置の断面図である。 図１４は、第１実施形態の第５変形例にかかる半導体装置を示す断面図である。 図１５は、第１実施形態の第６変形例にかかる半導体装置を示す断面図である。 図１６は、第１実施形態の第７変形例にかかる半導体装置を示す断面図である。 図１７は、第１実施形態の第８変形例にかかる半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。 図１８は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。 図１９は、図１８に示す半導体装置の正面図である。 図２０は、第２実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す断面図である。 図２１は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。 図２２は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図２３は、図２２に示す半導体装置の正面図である。 図２４は、図２２のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図２５は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図２６は、図２５に示す半導体装置の正面図である。 図２７は、第５実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す正面図である。 図２８は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図２９は、図２８に示す半導体装置の正面図である。 図３０は、第６実施形態の第１変形例にかかる半導体装置を示す正面図である。 図３１は、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図３２は、図３１に示す半導体装置の正面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
　第１実施形態：
　図１～図７に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、導電部材５、半導体素子６、ワイヤ７１，７２、および封止樹脂８を備えている。
　図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０の斜視図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過している。図３は、半導体装置Ａ１０の平面図である。図３においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図４は、半導体装置Ａ１０の底面図である。図５は、半導体装置Ａ１０の正面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
　これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に実装される装置である。なお、半導体装置Ａ１０の用途や機能は限定されない。半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＩＰ（Single Inline Package）である。なお、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＩＰに限定されない。半導体装置Ａ１０の封止樹脂８に覆われた部分の厚さ方向視の形状は矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１０の端子（第１リード１、第２リード２、および第３リード３）の延びる方向（図３および図４における上下方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図３および図４における左右方向）をｙ方向とする。ｘ方向は「第１方向」の一例であり、ｙ方向は「第２方向」の一例である。半導体装置Ａ１０の各寸法は特に限定されない。
　導電部材５は、半導体素子６と導通し、半導体装置Ａ１０が回路基板に実装されたときに、半導体素子６と回路配線との導通経路を構成する。導電部材５は、たとえば、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されている。導電部材５は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、導電部材５が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。導電部材５の厚さは特に限定されない。導電部材５は、第１リード１、第２リード２、および第３リード３を備えている。
　第１リード１は、半導体素子６を支持するとともに、半導体素子６と導通している。第１リード１は、搭載部１１０および第１端子１２０を備えている。
　搭載部１１０は、半導体素子６を搭載する部分であり、ｚ方向視矩形状（あるいは略矩形状）である。搭載部１１０は、搭載部主面１１１、搭載部裏面１１２、搭載部端面１１４、および搭載部貫通孔１１３を備えている。搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載部主面１１１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。搭載部主面１１１は、半導体素子６が接合されている。搭載部裏面１１２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。搭載部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。搭載部端面１１４は、搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２につながり、ｘ方向ｘ１側を向く面である。搭載部貫通孔１１３は、搭載部主面１１１から搭載部裏面１１２までｚ方向に平行に貫通する孔である。搭載部貫通孔１１３は、搭載部１１０のｙ方向中央で、かつ、ｘ方向ｘ２側寄り（図３および図４においては上側寄り）に配置され、ｚ方向視円形状である。なお、搭載部貫通孔１１３の位置および形状は限定されない。
　第１端子１２０は、搭載部１１０につながっており、搭載部１１０を介して、半導体素子６に導通している。図３に示すように、第１端子１２０の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、搭載部１１０の幅寸法（ｙ方向の寸法）より小さい。また、図６に示すように、第１端子１２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、搭載部１１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）より小さい。逆に言うと、搭載部１１０の厚さ寸法は、第１端子１２０の厚さ寸法より大きい。第１端子１２０は、本実施形態では、図３に示すように搭載部端面１１４のｙ方向中央で、かつ、図６に示すように搭載部端面１１４のｚ方向ｚ２側の端部につながっている。なお、第１端子１２０の位置は限定されない。第１端子１２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８から突出する部分を含んでいる。第１端子１２０は、搭載部１１０につながった位置から封止樹脂８より少し露出した部分まで、先端側の部分より幅寸法が大きくなっている。なお、第１リード１の形状は上記したものに限定されない。たとえば、搭載部１１０は、第１リード１が封止樹脂８からｚ方向ｚ１側に抜け落ちることを防止するために、搭載部裏面１１２の周囲に、搭載部裏面１１２から搭載部主面１１１側に凹んで封止樹脂８に覆われる裏面側凹部が形成されてもよい。
　第２リード２は、半導体素子６と導通している。第２リード２は、第１リード１から離間して配置されている。第２リード２は、図３に示すように、第１リード１の搭載部１１０のｘ方向ｘ１側で、第１端子１２０のｙ方向ｙ１側に配置されている。また、第２リード２は、図５および図６に示すように、第１リード１に対して、ｚ方向ｚ２側に配置されている。第２リード２は、第２パッド部２１０および第２端子２２０を備えている。
　第２パッド部２１０は、ワイヤ７１がボンディングされる部分であり、ｚ方向視においてｙ方向に長い矩形状（あるいは略矩形状）である。図７に示すように、第２パッド部２１０は、第２パッド部主面２１１および第２パッド部裏面２１２を有する。第２パッド部主面２１１および第２パッド部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第２パッド部主面２１１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。第２パッド部主面２１１は、ワイヤ７１が接合されている。第２パッド部裏面２１２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。第２パッド部２１０は、全体にわたって封止樹脂８に覆われている。
　第２端子２２０は、第２パッド部２１０につながっており、第２パッド部２１０およびワイヤ７１を介して、半導体素子６に導通している。図３に示すように、第２端子２２０の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第２パッド部２１０の幅寸法（ｙ方向の寸法）より小さい。また、図７に示すように、第２端子２２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、第２パッド部２１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）と同じであり、第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。第２端子２２０は、図３に示すように、第２パッド部２１０のｘ方向ｘ１側で、ｙ方向ｙ１側寄りに配置されている。なお、第２端子２２０の位置は限定されない。ただし、第１端子１２０と第２端子２２０とは、ｙ方向において離れている方が望ましい。第２端子２２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８から突出する部分を含んでいる。第２端子２２０は、第２パッド部２１０につながった位置から封止樹脂８より少し露出した部分まで、先端側の部分より幅寸法が大きくなっている。なお、第２リード２の形状は上記したものに限定されない。
　第３リード３は、半導体素子６と導通している。第３リード３は、第１リード１および第２リード２から離間して配置されている。第３リード３は、図３に示すように、第１リード１の搭載部１１０のｘ方向ｘ１側で、第１端子１２０のｙ方向ｙ２側に配置されている。また、第３リード３は、図５に示すように、第１リード１に対して、ｚ方向ｚ２側に配置されている。本実施形態では、第２リード２および第３リード３のｚ方向における位置は同じである。第３リード３は、第３パッド部３１０および第３端子３２０を備えている。
　第３パッド部３１０は、ワイヤ７２がボンディングされる部分であり、ｚ方向視においてｙ方向に長い矩形状（あるいは略矩形状）である。第３パッド部３１０は、第３パッド部主面３１１および第３パッド部裏面３１２を有する。第３パッド部主面３１１および第３パッド部裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第３パッド部主面３１１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。第３パッド部主面３１１は、ワイヤ７２が接合されている。第３パッド部裏面３１２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。第３パッド部３１０は、全体にわたって封止樹脂８に覆われている。
　第３端子３２０は、第３パッド部３１０につながっており、第３パッド部３１０およびワイヤ７２を介して、半導体素子６に導通している。図３に示すように、第３端子３２０の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第３パッド部３１０の幅寸法（ｙ方向の寸法）より小さい。また、第３端子３２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、第３パッド部３１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）と同じであり、第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。第３端子３２０は、図３に示すように、第３パッド部３１０のｘ方向ｘ１側で、ｙ方向ｙ２側寄りに配置されている。なお、第３端子３２０の位置は限定されない。ただし、第１端子１２０と第３端子３２０とは、ｙ方向において離れている方が望ましい。第３端子３２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８から突出する部分を含んでいる。第３端子３２０は、第３パッド部３１０につながった位置から封止樹脂８より少し露出した部分まで、先端側の部分より幅寸法が大きくなっている。なお、第３リード３の形状は上記したものに限定されない。
　第１端子１２０、第２端子２２０、および第３端子３２０の封止樹脂８から露出した部分は、同様の形状になっている。第１端子１２０の先端（搭載部１１０につながる部分とは反対側の端部）、第２端子２２０の先端（第２パッド部２１０につながる部分とは反対側の端部）、および第３端子３２０の先端（第３パッド部３１０につながる部分とは反対側の端部）は、ｘ方向において同様の位置にある。
　第１リード１、第２リード２、および第３リード３の封止樹脂８から露出した部分には、たとえばＳｎを主成分とする合金からなる外層めっき層が形成されてもよい。また、第１リード１の搭載部主面１１１のうち半導体素子６が接合される領域、第２リード２の第２パッド部主面２１１のうちワイヤ７１が接合される領域、および、第３リード３の第３パッド部主面３１１のうちワイヤ７２が接合される領域には、たとえばＡｇからなる内層めっき層が形成されてもよい。
　半導体素子６は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子６の種類は特に限定さない。本実施形態では、半導体素子６は、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）などのトランジスタである。半導体素子６は、素子本体６０、第１電極６３、第２電極６４、および第３電極６５を備えている。
　素子本体６０は、ｚ方向視矩形状の板状である。素子本体６０は、半導体材料からなり、本実施形態では、Ｓｉ（シリコン）からなる。なお、素子本体６０の材料は限定されず、たとえばＳｉＣ（シリコンカーバイド）やＧａＮ(ガリウムナイトライド)などの他の材料であってもよい。素子本体６０は、素子主面６１および素子裏面６２を有する。素子主面６１および素子裏面６２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。素子裏面６２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。第２電極６４および第３電極６５は、素子主面６１に配置されている。第１電極６３は、素子裏面６２に配置されている。本実施形態においては、第１電極６３はドレイン電極であり、第２電極６４はソース電極であり、第３電極６５はゲート電極である。
　図３に示すように、半導体素子６は、搭載部主面１１１のｙ方向中央で、ｘ方向ｘ１側寄りに搭載されている。半導体素子６は、ｚ方向視において搭載部貫通孔１１３にかからない位置に配置されている。図６および図７に示すように、半導体素子６は、素子裏面６２を搭載部主面１１１に向けて、接合材６９を介して、搭載部主面１１１に接合されている。本実施形態では、接合材６９は、導電性の接合材であり、たとえばはんだである。なお、接合材６９は、銀ペーストおよび焼結銀接合材などの他の導電性接合材であってもよい。これにより、半導体素子６の第１電極６３は、接合材６９によって搭載部主面１１１に接合され、第１リード１に電気的に接続されている。
　ワイヤ７１は、半導体素子６の第２電極６４と、第２リード２の第２パッド部主面２１１とに接合されている。これにより、半導体素子６の第２電極６４は、第２リード２に電気的に接続されている。ワイヤ７２は、半導体素子６の第３電極６５と、第３リード３の第３パッド部主面３１１とに接合されている。これにより、半導体素子６の第３電極６５は、第３リード３に電気的に接続されている。なお、ワイヤ７１，７２の材料や太さ、数は限定されない。また、半導体素子６と第２リード２および第３リード３とは、ワイヤ７２，７３以外の導電性を有する接続部材（たとえば金属板および金属リボンなど）によって接続されてもよい。第１電極６３に導通する第１リード１の第１端子１２０が半導体装置Ａ１０のドレイン端子として機能し、第２電極６４に導通する第２リード２の第２端子２２０が半導体装置Ａ１０のソース端子として機能し、第３電極６５に導通する第３リード３の第３端子３２０が半導体装置Ａ１０のゲート端子として機能する。第１端子１２０（ドレイン端子）と第２端子２２０（ソース端子）との間には、外部から高電圧が印加される。また、第１端子１２０（ドレイン端子）と第３端子３２０（ゲート端子）との間の電位差も、印加された高電圧に応じて大きくなる。
　封止樹脂８は、第１リード１、第２リード２、および第３リード３の一部ずつと、半導体素子６およびワイヤ７１，７２の全体とを覆っている。封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。なお、封止樹脂８の材料は限定されない。封止樹脂８は、たとえば金型を用いたトランスファ成形により形成される。
　封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６を備えている。樹脂主面８１と樹脂裏面８２とは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１はｚ方向ｚ２側を向いており、樹脂裏面８２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。図４、図６、および図７に示すように、第１リード１の搭載部裏面１１２は、全体にわたって、樹脂裏面８２から露出しており、樹脂裏面８２と搭載部裏面１１２とは互いに面一になっている。
　樹脂端面８３および樹脂第１側面８４は、それぞれ、樹脂主面８１および樹脂裏面８２につながる面である。樹脂端面８３および樹脂第１側面８４は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。樹脂端面８３は、ｘ方向ｘ１側に配置されてｘ方向ｘ１側を向く面である。樹脂第１側面８４は、ｘ方向ｘ２側に配置されてｘ方向ｘ２側を向く面である。樹脂第２側面８５および樹脂第３側面８６は、それぞれ、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、樹脂端面８３、および樹脂第１側面８４につながる面である。樹脂第２側面８５および樹脂第３側面８６は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。樹脂第２側面８５は、ｙ方向ｙ１側に配置されてｙ方向ｙ１側を向く面である。樹脂第３側面８６は、ｙ方向ｙ２側に配置されてｙ方向ｙ２側を向く面である。
　樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６は、それぞれ、樹脂主面８１につながり、樹脂主面８１に向かうほど互いに近づくように傾斜する面を備えている。つまり、封止樹脂８のうち、これらの樹脂主面８１につながり傾斜する面に囲まれる部分は、ｘｙ平面での断面積が樹脂主面８１に向かうほど小さくなるテーパ形状である。また、樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６は、それぞれ、樹脂裏面８２につながり、樹脂裏面８２に向かうほど互いに近づくように傾斜する面を備えている。つまり、封止樹脂８のうち、これらの樹脂主面８１につながり傾斜する面に囲まれる部分は、ｘｙ平面での断面積が樹脂裏面８２に向かうほど小さくなるテーパ形状である。なお、樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６の形状は限定されない。
　樹脂端面８３は、第１端子１２０、第２端子２２０、および第３端子３２０が突出する方向を向く面である。つまり、第１端子１２０、第２端子２２０、および第３端子３２０は、樹脂端面８３から突出している。図５に示すように、第２端子２２０、第１端子１２０、および第３端子３２０は、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、この順でｙ方向ｙ１側からｙ２側に並んでいる。つまり、第３端子３２０は、樹脂端面８３において、第１端子１２０に対して、ｙ方向における第２端子２２０とは反対側に位置する。また、第１端子１２０と、第２端子２２０および第３端子３２０とは、樹脂端面８３において、ｚ方向において互いに離間している。第２端子２２０および第３端子３２０は、樹脂端面８３において、ｚ方向における同じ位置に配置されている。第１端子１２０は、樹脂端面８３において、第２端子２２０および第３端子３２０に対して、ｚ方向における樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ２側）に位置する。
　図５に示すように、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との最短距離（沿面距離）Ｄは、第１端子１２０と第２端子２２０とがｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０とのｙ方向での離間距離をＤｙとし、ｚ方向での離間距離をＤｚとする。第１端子１２０と第２端子２２０とがｚ方向における同じ位置に配置されている場合、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、離間距離Ｄｙになる。一方、沿面距離Ｄは、Ｄ＝√（Ｄｙ2＋Ｄｚ2）となる。同様に、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離も、第１端子１２０と第３端子３２０とがｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。
　導電部材５は、樹脂裏面８２および樹脂端面８３からのみ露出しており、樹脂主面８１、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６からは露出していない。
　また、本実施形態では、封止樹脂８は、樹脂貫通孔８８を備えている。樹脂貫通孔８８は、樹脂主面８１から樹脂裏面８２までｚ方向に平行に貫通する貫通孔である。樹脂貫通孔８８は、封止樹脂８のｙ方向中央で、かつ、ｘ方向ｘ２側寄り（図３においては上側寄り）に配置され、ｚ方向視円形状である。本実施形態においては、樹脂貫通孔８８の中心は、搭載部貫通孔１１３の中心と同一である。また、樹脂貫通孔８８の直径は、搭載部貫通孔１１３の直径よりも小さい。したがって、図３、図４、および図６に示すように、樹脂貫通孔８８は搭載部貫通孔１１３の内側に位置し、樹脂貫通孔８８の孔壁は、全て封止樹脂８によって形成されている。つまり、樹脂貫通孔８８の孔壁からは搭載部１１０が露出しない。樹脂貫通孔８８は、ねじなどの締結部材を挿通させて、半導体装置Ａ１０に放熱部材を取り付けるためなどに用いられる。搭載部裏面１１２が、電気絶縁シートなどを介して、放熱部材に接続されることで、半導体素子６から発生した熱が搭載部１１０および放熱部材を介して放出される。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
　本実施形態によると、第１リード１は、樹脂端面８３から突出する第１端子１２０を備えている。また、第２リード２は、樹脂端面８３から突出する第２端子２２０を備えている。第１端子１２０と第２端子２２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄは、第１端子１２０と第２端子２２０とがｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ１０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、樹脂端面８３での放電を抑制できる。また、第３リード３は、樹脂端面８３から突出する第３端子３２０を備えている。第１端子１２０と第３端子３２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、第１端子１２０と第３端子３２０とがｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ１０は、第１端子１２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、樹脂端面８３での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ１０は、高耐電圧化を図ることができる。
　また、本実施形態によると、第２パッド部裏面２１２は、樹脂裏面８２から露出している。したがって、半導体装置Ａ１０は、第２パッド部裏面２１２に放熱部材を接続して、半導体素子６が放出する熱を放出できる。また、封止樹脂８は、ｚ方向に平行に貫通する樹脂貫通孔８８を備えている。したがって、半導体装置Ａ１０は、ねじなどの締結部材を樹脂貫通孔８８に挿通させることで、容易に放熱部材を取り付けられる。また、樹脂貫通孔８８の中心は搭載部貫通孔１１３の中心と同一であり、樹脂貫通孔８８の直径は搭載部貫通孔１１３の直径よりも小さい。したがって、樹脂貫通孔８８は搭載部貫通孔１１３の内側に位置し、樹脂貫通孔８８の孔壁は、全て封止樹脂８によって形成されている。つまり、樹脂貫通孔８８の孔壁からは搭載部１１０が露出しない。これにより、搭載部１１０と締結部材とが絶縁される。また、本実施形態によると、搭載部１１０の厚さ寸法は、第１端子１２０、第２リード２、および第３リード３の厚さ寸法より大きい。したがって、半導体装置Ａ１０は、半導体素子６が放出する熱を効率よく搭載部１１０に吸収できる。
　なお、本実施形態においては、搭載部１１０が搭載部貫通孔１１３を備え、封止樹脂８が樹脂貫通孔８８を備えている場合について説明したが、これに限られない。搭載部１１０は搭載部貫通孔１１３を備えなくてもよいし、封止樹脂８は樹脂貫通孔８８を備えなくてもよい。後述する他の実施形態および変形例においても同様である。
　図８～図１６は、第１実施形態にかかる第１リード１の変形例を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　第１変形例：
　図８および図９は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１を説明するための図である。図８は、半導体装置Ａ１１の底面図であり、図４に対応する図である。図９は、半導体装置Ａ１１の断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１１は、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出しておらず、封止樹脂８によって覆われている。
　第２変形例：
　図１０は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ１２を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１２は、第１端子１２０の形状が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１２では、第１端子１２０が第１直行部１２３および第１連結部１２４を備えている。第１直行部１２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第１連結部１２４は、第１直行部１２３と搭載部１１０とを連結する部分であり、第１直行部１２３および搭載部１１０につながっている。第１連結部１２４は、全体が封止樹脂８に覆われており、搭載部１１０および第１直行部１２３に対して傾斜している。第１直行部１２３は、搭載部主面１１１と同じ側を向く面（ｚ方向ｚ２側を向く面）が、搭載部主面１１１に対して、ｚ方向ｚ１側に位置している。したがって、第１連結部１２４は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ１側に位置する傾斜になっている。本変形例によると、樹脂端面８３において第１端子１２０が突出する位置が、半導体装置Ａ１０と比較して、ｚ方向ｚ１側にある。したがって、半導体装置Ａ１２は、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄ、および、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離を、半導体装置Ａ１０の場合より大きくできる。
　第３変形例：
　図１１は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ１３を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１３は、第１端子１２０が搭載部１１０につながる位置が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１３では、第１端子１２０は、搭載部端面１１４のｙ方向中央で、かつ、図１１に示すように搭載部端面１１４のｚ方向の中央の位置につながっている。本変形例によると、樹脂端面８３において第１端子１２０が突出する位置が、半導体装置Ａ１０と比較して、ｚ方向ｚ１側にある。したがって、半導体装置Ａ１３は、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄ、および、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離を、半導体装置Ａ１０の場合より大きくできる。
　第４変形例：
　図１２および図１３は、第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置Ａ１４を説明するための図である。図１２は、半導体装置Ａ１４の底面図であり、図４に対応する図である。図１３は、半導体装置Ａ１４の断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１４は、第１端子１２０が搭載部１１０につながる位置が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１４では、第１端子１２０は、図１２に示すように搭載部端面１１４のｙ方向中央で、かつ、図１３に示すように搭載部端面１１４のｚ方向ｚ１側の端部につながっている。本変形例では、第１端子１２０の搭載部裏面１１２と同じ側を向く面（ｚ方向ｚ１側を向く面）である第１端子裏面１２５が、搭載部裏面１１２と面一になっており、樹脂裏面８２から露出している。また、本変形例では、図１２に示すように、搭載部１１０は、搭載部裏面１１２の周囲に、搭載部裏面１１２から搭載部主面１１１側に凹んで封止樹脂８に覆われる裏面側凹部１１５が形成されている。なお、搭載部１１０は、裏面側凹部１１５が形成されなくてもよいが、第１リード１が封止樹脂８からｚ方向ｚ１側に抜け落ちることを防止するために、裏面側凹部１１５が形成されるのが望ましい。本変形例によると、図１３に示すように、樹脂端面８３において第１端子１２０が突出する位置が、半導体装置Ａ１０と比較して、ｚ方向ｚ１側にある。したがって、半導体装置Ａ１４は、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄ、および、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離を、半導体装置Ａ１０の場合より大きくできる。
　第５変形例：
　図１４は、第１実施形態の第５変形例にかかる半導体装置Ａ１５を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１５は、搭載部１１０の厚さ寸法が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１５では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。なお、本変形例では、ｚ方向における搭載部主面１１１の位置は、半導体装置Ａ１０の場合と同様である。
　第６変形例：
　図１５は、第１実施形態の第６変形例にかかる半導体装置Ａ１６を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１６は、ｚ方向における第１リード１の配置位置が半導体装置Ａ１５とは異なる。半導体装置Ａ１６では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。また、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出しており、ｚ方向における搭載部主面１１１の位置および第１端子１２０の位置が、半導体装置Ａ１５とは異なる。半導体装置Ａ１６では、第１端子裏面１２５が、搭載部裏面１１２と面一になっており、樹脂裏面８２から露出している。したがって、本変形例では、第４変形例の場合（図１２参照）と同様に、搭載部１１０は、搭載部裏面１１２の周囲に裏面側凹部１１５が形成されるのが望ましい。本変形例によると、樹脂端面８３において第１端子１２０が突出する位置が、半導体装置Ａ１０と比較して、ｚ方向ｚ１側にある。したがって、半導体装置Ａ１６は、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄ、および、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離を、半導体装置Ａ１０の場合より大きくできる。
　第７変形例：
　図１６は、第１実施形態の第７変形例にかかる半導体装置Ａ１７を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１７は、第１端子１２０の形状が半導体装置Ａ１６とは異なる。半導体装置Ａ１７では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。また、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出している。さらに、第１端子１２０が第１直行部１２３および第１連結部１２４を備えている。第１直行部１２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第１連結部１２４は、第１直行部１２３と搭載部１１０とを連結する部分であり、第１直行部１２３および搭載部１１０につながっている。第１連結部１２４は、全体が封止樹脂８に覆われており、搭載部１１０および第１直行部１２３に対して傾斜している。第１直行部１２３は、搭載部１１０に対して、ｚ方向ｚ２側に位置している。したがって、第１連結部１２４は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。本変形例によると、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出するが、第１連結部１２４および第１直行部１２３の一部が封止樹脂８に覆われている。したがって、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである第１リード１において、放熱と抜け落ち防止とを両立できる。
　第８変形例：
　図１７は、第１実施形態の第８変形例にかかる半導体装置Ａ１８を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１７においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。半導体装置Ａ１８は、第１端子１２０、第２端子２２０、および第２端子３２０の形状が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１８では、第１端子１２０、第２端子２２０、および第２端子３２０は、幅寸法が大きくなっている部分を備えていない。したがって、第１端子１２０、第２端子２２０、および第２端子３２０の封止樹脂８から突出する部分の全体において、幅寸法が均一になっている。なお、第１端子１２０、第２端子２２０、および第２端子３２０の形状が半導体装置Ａ１０と同様であり、第１端子１２０、第２端子２２０、および第２端子３２０の幅寸法が大きくなっている部分の全体が封止樹脂８によって覆われてもよい。この場合も、第１端子１２０、第２端子２２０、および第２端子３２０の封止樹脂８から突出する部分の全体において、幅寸法が均一になるので、外観上は、半導体装置Ａ１０と同様の形状になる。
　図１８～図３２は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　第２実施形態：
　図１８および図１９は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０を説明するための図である。図１８は、半導体装置Ａ２０を示す断面図であり、図６に対応する図である。図１９は、半導体装置Ａ２０を示す正面図であり、図５に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、第１端子１２０、第２端子２２０、および第３端子３２０の封止樹脂８から突出した部分の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態の各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、第１端子１２０は、第１直行部１２３、第１屈曲部１２１、および第１先端部１２２を備えている。図１８に示すように、第１直行部１２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第１屈曲部１２１は、第１直行部１２３のｘ方向ｘ１側の端部につながり、屈曲する部分である。第１先端部１２２は、第１屈曲部１２１のｘ方向ｘ１側の端部につながり、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分である。第１屈曲部１２１および第１先端部１２２は、封止樹脂８から露出している。本実施形態では、第１屈曲部１２１は、第１先端部１２２および第１直行部１２３に対して傾斜する傾斜部分を含んでいる。第１先端部１２２が第１直行部１２３に対してｚ方向ｚ２側に位置しているので、第１屈曲部１２１の傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。
　また、第２端子２２０は、第２直行部２２３、第２屈曲部２２１、および第２先端部２２２を備えている。図１８に示すように、第２直行部２２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第２屈曲部２２１は、第２直行部２２３のｘ方向ｘ１側の端部につながり、屈曲する部分である。第２先端部２２２は、第２屈曲部２２１のｘ方向ｘ１側の端部につながり、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分である。第２屈曲部２２１および第２先端部２２２は、封止樹脂８から露出している。本実施形態では、第２屈曲部２２１は、第２先端部２２２および第２直行部２２３に対して傾斜する傾斜部分を含んでいる。第２先端部２２２が第２直行部２２３に対してｚ方向ｚ１側に位置しているので、第２屈曲部２２１の傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ１側に位置する傾斜になっている。
　また、第３端子３２０は、第３直行部３２３、第３屈曲部３２１、および第３先端部３２２を備えている。図１８には表れていないが、第３直行部３２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第３屈曲部３２１は、第３直行部３２３のｘ方向ｘ１側の端部につながり、屈曲する部分である。第３先端部３２２は、第３屈曲部３２１のｘ方向ｘ１側の端部につながり、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分である。第３屈曲部３２１および第３先端部３２２は、封止樹脂８から露出している。本実施形態では、第３屈曲部３２１は、第３先端部３２２および第３直行部３２３に対して傾斜する傾斜部分を含んでいる。第３先端部３２２が第３直行部３２３に対してｚ方向ｚ１側に位置しているので、第３屈曲部３２１の傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ１側に位置する傾斜になっている。
　図１９に示すように、第１直行部１２３と第２直行部２２３および第３直行部３２３とは、ｚ方向において離間しているが、第１先端部１２２、第２先端部２２２、および第３先端部３２２は、ｚ方向において同じ位置にある。
　本実施形態においても、第１端子１２０（第１直行部１２３）と第２端子２２０（第２直行部２２３）とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄは、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。また、第１端子１２０（第１直行部１２３）と第３端子３２０（第３直行部３２３）とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これらにより、半導体装置Ａ２０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、第１先端部１２２、第２先端部２２２、および第３先端部３２２がｚ方向において同じ位置にあるので、第１リード１、第２リード２、および第３リード３がｚ方向において同じ位置にある従来の半導体装置と互換性を有して使用可能である。
　なお、本実施形態においては、第１屈曲部１２１が、第１先端部１２２および第１直行部１２３に対して傾斜する傾斜部分を含んでいる場合について説明したが、これに限られない。第１屈曲部１２１は、第１先端部１２２および第１直行部１２３に対して直交する部分を含んでいてもよい。つまり、第１リード１が、第１屈曲部１２１において、クランク形状に形成されてもよい。また、第１リード１が、第１屈曲部１２１において、Ｓ 字形状に形成されてもよい。なお、第２リード２および第３リード３も同様である。
　第１変形例：
　図２０は、第２実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ２１を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ２１では、第１先端部１２２が第１直行部１２３に対してｚ方向ｚ１側に位置し、第２先端部２２２が第２直行部２２３に対してｚ方向ｚ２側に位置し、第３先端部３２２が第３直行部３２３に対してｚ方向ｚ２側に位置している。つまり、第１先端部１２２と、第２先端部２２２および第３先端部３２２とは、ｚ方向において、樹脂端面８３での位置関係よりさらに離間している。
　第３実施形態：
　図２１は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０を説明するための図である。図２１は、半導体装置Ａ３０を示す断面図であり、図７に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、第２端子２２０および第３端子３２０の封止樹脂８に覆われている部分の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、第２端子２２０は、第２直行部２２３および第２連結部２２４を備えている。第２直行部２２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第２連結部２２４は、第２直行部２２３と第２パッド部２１０とを連結する部分であり、第２直行部２２３および第２パッド部２１０につながっている。第２連結部２２４は、全体が封止樹脂８に覆われており、第２パッド部２１０および第２直行部２２３に対して傾斜している。本実施形態では、第２パッド部２１０が、第２直行部２２３に対して、樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ１側）に位置している。したがって、第２連結部２２４は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。
　また、図２１には表れていないが、第３端子３２０は、第３直行部３２３および第３連結部３２４を備えている。第３直行部３２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第３連結部３２４は、第３直行部３２３と第３パッド部３１０とを連結する部分であり、第３直行部３２３および第３パッド部３１０につながっている。第３連結部３２４は、全体が封止樹脂８に覆われており、第３パッド部３１０および第３直行部３２３に対して傾斜している。本実施形態では、第３パッド部３１０が、第３直行部３２３に対して、樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ１側）に位置している。したがって、第３連結部３２４は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。
　本実施形態においても、第１端子１２０と第２端子２２０（第２直行部２２３）とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄは、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。また、第１端子１２０と第３端子３２０（第３直行部３２３）とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これらにより、半導体装置Ａ３０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　さらに、本実施形態によると、第２パッド部２１０が、第２直行部２２３に対して、樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ１側）に位置している。したがって、第２パッド部主面２１１が、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、ｚ方向ｚ１側に位置する。これにより、第２パッド部主面２１１に接合されたワイヤ７１の頂点位置が、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、ｚ方向ｚ１側に位置する。また、第３パッド部３１０が、第３直行部３２３に対して、樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ１側）に位置している。したがって、第３パッド部主面３１１が、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、ｚ方向ｚ１側に位置する。これにより、第３パッド部主面３１１に接合されたワイヤ７２の頂点位置が、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、ｚ方向ｚ１側に位置する。したがって、封止樹脂８からワイヤ７１，７２が露出することを抑制できる。また、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、封止樹脂８の圧さ寸法（ｚ方向の寸法）を小さくすることも可能である。
　第４実施形態：
　図２２～図２４は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０を説明するための図である。図２２は、半導体装置Ａ４０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２３は、半導体装置Ａ４０を示す正面図であり、図５に対応する図である。図２４は、図２２のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ４０は、樹脂端面８３における、第１端子１２０、第２端子２２０、および第３端子３２０のｚ方向での位置が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、第１端子１２０が第１直行部１２３および第１連結部１２４を備えている。第１直行部１２３は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第１連結部１２４は、第１直行部１２３と搭載部１１０とを連結する部分であり、第１直行部１２３および搭載部１１０につながっている。第１連結部１２４は、全体が封止樹脂８に覆われており、搭載部１１０および第１直行部１２３に対して傾斜している。第１直行部１２３のｚ方向における位置は、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０の第２端子２２０および第３端子３２０と同じ位置になっている。したがって、第１連結部１２４は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。また、本実施形態では、第２リード２（第２端子２２０）および第３リード３（第３端子３２０）のｚ方向における位置は、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０の第１端子１２０と同じ位置になっている。したがって、樹脂端面８３において、第１端子１２０（第１直行部１２３）が、第２端子２２０および第３端子３２０に対してｚ方向における樹脂主面８１側（ｚ方向ｚ２側）に位置する。
　本実施形態においても、第１端子１２０（第１直行部１２３）と第２端子２２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄは、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。また、第１端子１２０（第１直行部１２３）と第３端子３２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これらにより、半導体装置Ａ４０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　さらに、本実施形態によると、第２リード２（第２パッド部２１０）が、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０の場合と比較して、より樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ１側）に位置している。これにより、第２パッド部主面２１１に接合されたワイヤ７１の頂点位置が、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、ｚ方向ｚ１側に位置する。また、第３リード３（第３パッド部３１０）が、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０の場合と比較して、より樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ１側）に位置している。これにより、第３パッド部主面３１１に接合されたワイヤ７２の頂点位置が、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、ｚ方向ｚ１側に位置する。したがって、封止樹脂８からワイヤ７１，７２が露出することを抑制できる。また、半導体装置Ａ１０の場合と比較して、封止樹脂８の圧さ寸法（ｚ方向の寸法）を小さくすることも可能である。
　第５実施形態：
　図２５～図２６は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０を説明するための図である。図２５は、半導体装置Ａ５０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２５においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２６は、半導体装置Ａ５０を示す正面図であり、図５に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ５０は、第１端子１２０および第２端子２２０のｙ方向における位置が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、第１端子１２０は、図２５に示すように、搭載部端面１１４のｙ方向ｙ１側の端部につながっている。また、第２リード２は、図２５に示すように、第１端子１２０のｙ方向ｙ２側に配置されている。つまり、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０に対して、第１端子１２０および第２端子２２０のｙ方向での配置が入れ替わった状態になっている。
　本実施形態においても、第１端子１２０と第２端子２２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄは、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ５０は、高耐電圧化を図ることができる。なお、第３端子３２０は、樹脂端面８３において、第１端子１２０から大きく離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は十分大きいので、問題にならない。また、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　第１変形例：
　図２７は、第５実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ５１を示す正面図であり、図５に対応する図である。半導体装置Ａ５１は、第３リード３が、ｚ方向において第１端子１２０と同じ位置に配置されている。このように、樹脂端面８３において、第３端子３２０が第１端子１２０から大きく離間して、沿面距離が十分大きくなるので、第３リード３のｚ方向における位置は自由に設定できる。
　第６実施形態：
　図２８～図２９は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６０を説明するための図である。図２８は、半導体装置Ａ６０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２８においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２９は、半導体装置Ａ６０を示す正面図であり、図５に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ６０は、第４リード４をさらに備えている点で、第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第５実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、半導体装置Ａ６０は、第４リード４およびワイヤ７３をさらに備えている。第４リード４は、半導体素子６と導通している。第４リード４は、図２８に示すように、第１リード１、第２リード２、および第３リード３から離間して配置されている。第４リード４は、第１リード１の搭載部１１０のｘ方向ｘ１側で、ｙ方向において第２リード２と第３リード３との間に配置されている。また、第４リード４は、図２９に示すように、第１リード１に対して、ｚ方向ｚ２側に配置されている。本実施形態では、第４リード４のｚ方向における位置は、第２リード２および第３リード３と同じである。第４リード４は、第４パッド部４１０および第４端子４２０を備えている。
　第４パッド部４１０は、ワイヤ７３がボンディングされる部分であり、ｚ方向視においてｙ方向に長い矩形状（あるいは略矩形状）である。第４パッド部４１０は、第４パッド部主面４１１を有する。第４パッド部主面４１１は、ｚ方向ｚ２側を向いており、ワイヤ７３が接合されている。なお、ワイヤ７３の材料や太さ、数は限定されない。第４パッド部４１０は、全体にわたって封止樹脂８に覆われている。
　第４端子４２０は、第４パッド部４１０につながっており、第４パッド部４１０およびワイヤ７３を介して、半導体素子６の第２電極６４（ソース電極）に導通している。第４端子４２０は、半導体装置Ａ６０のソースセンス端子として機能する。第４端子４２０の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第４パッド部４１０の幅寸法（ｙ方向の寸法）より小さい。また、第４端子４２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、第４パッド部４１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）と同じであり、第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。第４端子４２０は、図２８に示すように、第４パッド部４１０のｘ方向ｘ１側で、ｙ方向中央に配置されている。なお、第４端子４２０の位置は限定されない。第４端子４２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８から突出する部分を含んでいる。なお、第４リード４の形状は上記したものに限定されない。
　図２９に示すように、第１端子１２０、第２端子２２０、第４端子４２０、および第３端子３２０は、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、この順でｙ方向ｙ１側からｙ２側に並んでいる。また、第１端子１２０と、第２端子２２０、第３端子３２０、および第４端子４２０とは、樹脂端面８３において、ｚ方向において互いに離間している。第２端子２２０、第３端子３２０、および第４端子４２０は、樹脂端面８３において、ｚ方向における同じ位置に配置されている。第１端子１２０は、樹脂端面８３において、第２端子２２０、第３端子３２０、および第４端子４２０に対して、ｚ方向における樹脂裏面８２側（ｚ方向ｚ２側）に位置する。
　本実施形態においても、第１端子１２０と第２端子２２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離Ｄは、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ６０は、高耐電圧化を図ることができる。なお、第３端子３２０および第４端子４２０は、樹脂端面８３において、第１端子１２０から大きく離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０および第４端子４２０との沿面距離は十分大きいので、問題にならない。また、半導体装置Ａ６０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　第１変形例：
　図３０は、第６実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ６１を示す正面図であり、図５に対応する図である。半導体装置Ａ６１は、第４リード４が、ｚ方向において第１端子１２０と同じ位置に配置されている。このように、樹脂端面８３において、第４端子４２０が第１端子１２０から大きく離間して、沿面距離が十分大きくなるので、第４リード４のｚ方向における位置は自由に設定できる。
　なお、本実施形態では、第１端子１２０、第２端子２２０、第４端子４２０、および第３端子３２０が、この順でｙ方向ｙ１側からｙ２側に並んでいる場合について説明したが、これに限られない。たとえば、第１端子１２０が、ｙ方向において、第２端子２２０と第４端子４２０との間に配置されてもよい。
　第７実施形態：
　図３１～図３２は、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７０を説明するための図である。図３１は、半導体装置Ａ７０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図３１においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図３２は、半導体装置Ａ７０を示す正面図であり、図５に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ７０は、半導体素子６の種類が異なる点と、第２リード２を備えていない点とで、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～６実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、半導体素子６は、ダイオードである。半導体素子６は、素子主面６１に第３電極６５を備えていない。本実施形態においては、第１電極６３はカソード電極であり、第２電極６４はアノード電極である。また、本実施形態では、第１リード１は、第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０の場合と同様の形状であり、第１端子１２０が、搭載部端面１１４のｙ方向ｙ１側の端部につながっている。また、半導体装置Ａ７０は、第２リード２を備えていない。半導体素子６の第１電極６３は、接合材６９によって搭載部主面１１１に接合され、第１リード１に電気的に接続されている。ワイヤ７２は、半導体素子６の第２電極６４と、第３リード３の第３パッド部主面３１１とに接合されている。これにより、半導体素子６の第２電極６４は、第３リード３に電気的に接続されている。第１電極６３に導通する第１リード１の第１端子１２０が半導体装置Ａ７０のカソード端子として機能し、第２電極６４に導通する第３リード３の第３端子３２０が半導体装置Ａ７０のアノード端子として機能する。
　本実施形態においても、第１端子１２０と第３端子３２０とは、樹脂端面８３において、ｙ方向において互いに離間し、かつ、ｚ方向において互いに離間している。したがって、樹脂端面８３における、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、ｚ方向における同じ位置に配置されている場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ７０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ７０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　なお、上記第１～６実施形態では半導体素子６がトランジスタである例を説明し、上記第７実施形態では半導体素子６がダイオードである例を説明したが、これに限られない。半導体素子６の種類は限定されず、集積回路などの他の半導体素子であってもよい。また、上記第１～７実施形態では、２～４個の端子が配置された場合について説明したが、これに限られない。配置される端子の数は限定されず、半導体素子６の素子主面６１に配置された電極の数および配置に応じて、適宜設定される。また、上記第１～７実施形態では、各端子が樹脂端面８３からのみ突出する場合について説明したが、これに限られない。樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６のいずれかからも端子が突出してもよい。
　本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかるおよび半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子（６）と、
　前記半導体素子に導通する導電部材（５）と、
　前記半導体素子を覆う封止樹脂（８）と、
を備え、
　前記導電部材は、
　前記半導体素子が搭載された搭載部（１１０）と、前記搭載部につながる第１端子（１２０）と、を有する第１リード（１）と、
　第２端子（２２０）を有する第２リード（２）と、
を備え、
　前記第１端子および前記第２端子は、前記搭載部の厚さ方向に直交する第１方向に前記封止樹脂から突出する部分をそれぞれ含み、
　前記封止樹脂は、
　前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面（８１）および樹脂裏面（８２）と、
　前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が突出する方向を向く樹脂端面（８３）と、
を備え、
　前記第１端子および前記第２端子は、前記樹脂端面において、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに離間し、かつ、前記厚さ方向において互いに離間する、半導体装置。
　付記２．
　前記第１端子は、前記樹脂端面において、前記第２端子に対して、前記厚さ方向において前記樹脂裏面側に位置する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．（第２実施形態、図１８）
　前記第１端子は、前記封止樹脂から露出し、かつ、屈曲する第１屈曲部（１２１）と、前記第１屈曲部につながり、かつ、前記第１方向に延びる第１先端部（１２２）と、を備え、
　前記第２端子は、前記封止樹脂から露出し、かつ、屈曲する第２屈曲部（２２１）と、前記第２屈曲部につながり、かつ、前記第１方向に延びる第２先端部（２２２）と、を備え、
　前記第１先端部と前記第２先端部とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記１または２に記載の半導体装置。
　付記４．（第３実施形態、図２１）
　前記第２リードは、前記第２端子につながり、かつ、前記封止樹脂に覆われているパッド部（２１０）を備え、
　前記第２端子は、前記第１方向に延びる第２直行部（２２３）と、前記パッド部および前記第２直行部につながる第２連結部（２２４）と、を備え、
　前記第２連結部は、前記封止樹脂に覆われ、かつ、前記パッド部および前記第２直行部に対して傾斜し、
　前記パッド部は、前記第２直行部に対して、前記厚さ方向において前記樹脂裏面側に位置する、付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記５．
　前記半導体素子と前記パッド部とに接合される接続部材（７１）をさらに備えている、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．（第１実施形態第２変形例＿図１０、第４実施形態＿図２４）
　前記第１端子は、前記第１方向に延びる第１直行部（１２３）と、前記搭載部および前記第１直行部につながる第１連結部（１２４）と、を備え、
　前記第１連結部は、前記封止樹脂に覆われ、かつ、前記搭載部および前記第１直行部に対して傾斜している、付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記７．
　前記搭載部は、前記半導体素子が接合される搭載部主面（１１１）と、前記厚さ方向において前記搭載部主面とは反対側を向く搭載部裏面（１１２）と、を備え、
　前記搭載部裏面は、前記樹脂裏面から露出している、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．
　前記搭載部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１端子の前記厚さ方向の寸法より大きい、付記１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記９．
　前記封止樹脂は、
　前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記樹脂端面とは反対側を向く樹脂第１側面（８４）と、
　前記樹脂主面、前記樹脂裏面、前記樹脂端面、および前記樹脂第１側面につながる樹脂第２側面（８５）および樹脂第３側面（８６）と、
を備え、
　前記導電部材は、前記樹脂第１側面、前記樹脂第２側面、および前記樹脂第３側面から露出しない、付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記導電部材は、第３端子（３２０）を有する第３リード（３）を備え、
　前記第３端子は、前記樹脂端面から突出する部分を含み、かつ、前記樹脂端面において、前記第１端子および前記第２端子に対して、前記第２方向に離間する、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第３端子は、前記樹脂端面において、前記第１端子に対して、前記厚さ方向において離間し、かつ、前記厚さ方向において前記第２端子と同じ側に位置する、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第３端子は、前記樹脂端面において、前記第１端子に対して、前記第２方向において前記第２端子とは反対側に位置する、付記１０または１１に記載の半導体装置。
　付記１３．（第６実施形態＿図２８）
　前記導電部材は、第４端子（４２０）を有する第４リード（４）を備え、
　前記第４端子は、前記樹脂端面から突出する部分を含み、かつ、前記樹脂端面において、前記第１端子ないし前記第３端子に対して、前記第２方向に離間する、付記１０ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面（６１）および素子裏面（６２）と、前記素子裏面に配置された第１電極（６３）と、前記素子主面に配置された第２電極（６４）と、を備え、
　前記第１電極は、前記搭載部に接合され、
　前記第２電極は、前記第２リードに導通接続される、付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１０～Ａ１７，Ａ２０，Ａ２１，Ａ３０，Ａ４０：半導体装置
Ａ５０，Ａ５１，Ａ６０，Ａ６１，Ａ７０：半導体装置
５：導電支持部材　　　１：第１リード　　　１１０：搭載部
１１１：搭載部主面　　　１１２：搭載部裏面
１１３：搭載部貫通孔　　　１１４：搭載部端面
１１５：裏面側凹部　　　１２０：第１端子　　　１２１：第１屈曲部
１２２：第１先端部　　　１２３：第１直行部　　　１２４：第１連結部
１２５：第１端子裏面　　　２：第２リード　　　２１０：第２パッド部
２１１：第２パッド部主面　　　２１２：第２パッド部裏面
２２０：第２端子　　　２２１：第２屈曲部　　　２２２：第２先端部
２２３：第２直行部　　　２２４：第２連結部　　　３：第３リード
３１０：第３パッド部　　　３１１：第３パッド部主面
３１２：第３パッド部裏面　　　３２０：第３端子　　　３２１：第３屈曲部
３２２：第３先端部　　　３２３：第３直行部　　　３２４：第３連結部
４：第４リード　　　４１０：第４パッド部
４１１：第４パッド部主面　　　４２０：第４端子　　　
６：半導体素子　　　６０：素子本体
６１：素子主面　　　６２：素子裏面　　　６３：第１電極
６４：第２電極　　　６５：第３電極　　　６９：接合材
７１，７２，７３：ワイヤ　　　８：封止樹脂　　　８１：樹脂主面
８２：樹脂裏面　　　８３：樹脂端面　　　８４：樹脂第１側面
８５：樹脂第２側面　　　８６：樹脂第３側面　　　８８：樹脂貫通孔

Claims (14)

  1. 　半導体素子と、
    　前記半導体素子に導通する導電部材と、
    　前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
    を備え、
    　前記導電部材は、
    　前記半導体素子が搭載された搭載部と、前記搭載部につながる第１端子と、を有する第１リードと、
    　第２端子を有する第２リードと、
    を備え、
    　前記第１端子および前記第２端子は、前記搭載部の厚さ方向に直交する第１方向に前記封止樹脂から突出する部分をそれぞれ含み、
    　前記封止樹脂は、
    　前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、
    　前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記第１端子および前記第２端子が突出する方向を向く樹脂端面と、
    を備え、
    　前記第１端子および前記第２端子は、前記樹脂端面において、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において互いに離間し、かつ、前記厚さ方向において互いに離間する、半導体装置。
  2. 　前記第１端子は、前記樹脂端面において、前記第２端子に対して、前記厚さ方向において前記樹脂裏面側に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１端子は、前記封止樹脂から露出し、かつ、屈曲する第１屈曲部と、前記第１屈曲部につながり、かつ、前記第１方向に延びる第１先端部と、を備え、
    　前記第２端子は、前記封止樹脂から露出し、かつ、屈曲する第２屈曲部と、前記第２屈曲部につながり、かつ、前記第１方向に延びる第２先端部と、を備え、
    　前記第１先端部と前記第２先端部とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第２リードは、前記第２端子につながり、かつ、前記封止樹脂に覆われているパッド部を備え、
    　前記第２端子は、前記第１方向に延びる第２直行部と、前記パッド部および前記第２直行部につながる第２連結部と、を備え、
    　前記第２連結部は、前記封止樹脂に覆われ、かつ、前記パッド部および前記第２直行部に対して傾斜し、
    　前記パッド部は、前記第２直行部に対して、前記厚さ方向において前記樹脂裏面側に位置する、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記半導体素子と前記パッド部とに接合される接続部材をさらに備えている、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１端子は、前記第１方向に延びる第１直行部と、前記搭載部および前記第１直行部につながる第１連結部と、を備え、
    　前記第１連結部は、前記封止樹脂に覆われ、かつ、前記搭載部および前記第１直行部に対して傾斜している、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 　前記搭載部は、前記半導体素子が接合される搭載部主面と、前記厚さ方向において前記搭載部主面とは反対側を向く搭載部裏面と、を備え、
    　前記搭載部裏面は、前記樹脂裏面から露出している、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　前記搭載部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１端子の前記厚さ方向の寸法より大きい、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 　前記封止樹脂は、
    　前記樹脂主面および前記樹脂裏面につながり、かつ、前記樹脂端面とは反対側を向く樹脂第１側面と、
    　前記樹脂主面、前記樹脂裏面、前記樹脂端面、および前記樹脂第１側面につながる樹脂第２側面および樹脂第３側面と、
    を備え、
    　前記導電部材は、前記樹脂第１側面、前記樹脂第２側面、および前記樹脂第３側面から露出しない、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記導電部材は、第３端子を有する第３リードを備え、
    　前記第３端子は、前記樹脂端面から突出する部分を含み、かつ、前記樹脂端面において、前記第１端子および前記第２端子に対して、前記第２方向に離間する、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　前記第３端子は、前記樹脂端面において、前記第１端子に対して、前記厚さ方向において離間し、かつ、前記厚さ方向において前記第２端子と同じ側に位置する、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記第３端子は、前記樹脂端面において、前記第１端子に対して、前記第２方向において前記第２端子とは反対側に位置する、請求項１０または１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記導電部材は、第４端子を有する第４リードを備え、
    　前記第４端子は、前記樹脂端面から突出する部分を含み、かつ、前記樹脂端面において、前記第１端子ないし前記第３端子に対して、前記第２方向に離間する、請求項１０ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 　前記半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された第１電極と、前記素子主面に配置された第２電極と、を備え、
    　前記第１電極は、前記搭載部に接合され、
    　前記第２電極は、前記第２リードに導通接続される、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
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