DE112022003555T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Koichi Kitaguro
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Rohm Co Ltd
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Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist ein Halbleiterelement, ein mit dem Halbleiterelement verbundenes leitendes Element und ein Dichtungsharz auf, das das Halbleiterelement bedeckt. Das leitende Element weist auf: einen ersten Anschluss, der einen Montageabschnitt mit dem darauf montierten Halbleiterelement und einen ersten Terminal, der mit dem Montageabschnitt verbunden ist, aufweist; und einen zweiten Anschluss, der einen zweiten Terminal aufweist. Der erste Terminal und der zweite Terminal weisen einen Abschnitt auf, der aus dem Dichtungsharz in x-Richtung herausragt. Das Dichtungsharz weist eine Harz-Vorderfläche und eine Harz-Rückfläche auf, die in z-Richtung voneinander abgewandt sind. Das Dichtungsharz weist eine Harz-Endfläche auf, die mit der Harz-Vorderfläche und der Harz-Rückfläche verbunden ist und in die Richtung weist, in die der erste und der zweite Terminal vorstehen. An der Harz-Endfläche sind der erste Terminal und der zweite Terminal in y-Richtung und z-Richtung voneinander beabstandet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil.
  • STAND DER TECHNIK
  • Für Halbleiterbauteile mit Halbleiterelementen sind verschiedene Konfigurationen vorgeschlagen worden. Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel für ein herkömmliches Halbleiterbauteil. Das in dem Dokument offenbarte Halbleiterbauteil weist ein Halbleiterelement, eine Vielz30ahl von Anschlüssen und ein Dichtungsharz auf. Das Halbleiterelement ist an einem ersten Anschluss angebracht, und die Kollektorelektrode auf der Rückfläche des Halbleiterelements ist elektrisch mit dem ersten Anschluss verbunden. Die Emitterelektrode auf der Vorderfläche des Halbleiterelements ist elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden. Das Dichtungsharz bedeckt das Halbleiterelement und einen Abschnitt jedes Anschlusses. Der erste Anschluss weist einen ersten Terminal auf, das aus dem Dichtungsharz herausragt, und der dritte Anschluss weist einen dritten Terminal auf, der aus dem Dichtungsharz herausragt. Das Anlegen einer hohen Spannung (z.B. Tausende von Volt) zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal kann eine elektrische Entladung entlang der Oberfläche des Dichtungsharzes zwischen dem ersten Terminal und dem dritten Terminal verursachen, um den ersten Terminal und den dritten Terminal kurzzuschließen.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument1: JP-A-2018-14490
  • KURZZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll
  • Die vorliegende Offenbarung wird vor dem Hintergrund der vorgenannten Umstände vorgestellt, und ein Aufgabe davon kann sein, ein Halbleiterbauteil mit einer höheren Durchschlagsfestigkeit bereitzustellen.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung weist auf: ein Halbleiterelement, ein leitendes Element, das elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden ist, und ein Dichtungsharz, das das Halbleiterelement bedeckt, wobei das leitende Element aufweist: einen ersten Anschluss, der einen Montageabschnitt, auf dem das Halbleiterelement montiert ist, und einen ersten Terminal, der mit dem Montageabschnitt verbunden ist, aufweist; und einen zweiten Anschluss, der einen zweiten Terminal aufweist, wobei sowohl der erste Terminal als auch der zweite Terminal einen Abschnitt aufweist, der von dem Dichtungsharz in einer ersten Richtung orthogonal zu einer Dickenrichtung des Montageabschnitts vorsteht, wobei das Dichtungsharz aufweist: eine Harz-Vorderfläche und eine Harz-Rückfläche, die in der Dickenrichtung voneinander abgewandt sind; und eine Harz-Endfläche, die mit der Harz-Vorderfläche und der Harz-Rückfläche verbunden ist und einer Richtung zugewandt ist, in die der erste Terminal und der zweite Terminal vorstehen, und wobei an der Harz-Endfläche der erste Terminal und der zweite Terminal in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander beabstandet sind und in der Dickenrichtung voneinander beabstandet sind.
  • Vorteile der Erfindung
  • Mit den erfindungsgemäßen Halbleiterbauteilen können höhere Durchschlagsfestigkeiten erreicht werden.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden durch die nachstehende detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils, wobei ein Dichtungsharz als transparent dargestellt ist.
    • 3 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil, wobei das Dichtungsharz als transparent dargestellt ist.
    • 4 ist eine Ansicht von unten auf das in 1 gezeigte Halbleiterbauteil.
    • 5 ist eine Vorderansicht des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
    • 6 ist eine Schnittdarstellung entlang der Linie VI-VI in 3.
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII in 3.
    • 8 ist eine Ansicht von unten auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Variante der ersten Ausführungsform.
    • 9 ist eine Schnittansicht des in 8 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 10 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Variante der ersten Ausführungsform.
    • ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Variante der ersten Ausführungsform.
    • 12 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer vierten Variante der ersten Ausführungsform.
    • 13 ist eine Schnittansicht des in 12 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 14 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer fünften Variante der ersten Ausführungsform.
    • ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer sechsten Variante der ersten Ausführungsform.
    • ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer siebten Variante der ersten Ausführungsform.
    • ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer achten Variante der ersten Ausführungsform, wobei ein Dichtungsharz als transparent dargestellt ist.
    • ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 19 ist eine Vorderansicht des in 18 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 20 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Variante der zweiten Ausführungsform.
    • 21 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 22 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 23 ist eine Vorderansicht des in 22 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 24 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIV-XXIV in 22.
    • 25 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 26 ist eine Vorderansicht des in 25 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 27 ist eine Vorderansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Variante der fünften Ausführungsform.
    • 28 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 29 ist eine Vorderansicht des in 28 gezeigten Halbleiterbauteils.
    • 30 ist eine Vorderansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Variante der sechsten Ausführungsform.
    • 31 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 32 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils aus 31.
  • MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben.
  • In der Beschreibung der vorliegenden Offenbarung implizieren die Ausdrücke „Ein Objekt A wird in einem Objekt B gebildet“ und „Ein Objekt A wird auf einem Objekt B gebildet“ die Situation, in der, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben, „das Objekt A direkt in oder auf dem Objekt B gebildet wird“ und „das Objekt A in oder auf dem Objekt B gebildet wird, wobei etwas anderes zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“. Ebenso implizieren die Ausdrücke „Ein Objekt A ist in einem Objekt B angeordnet“ und „Ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“ die Situation, in der, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben, „das Objekt A direkt in oder auf dem Objekt B angeordnet ist“ und „das Objekt A in oder auf dem Objekt B angeordnet ist, wobei etwas anderes zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“. Ferner impliziert der Ausdruck „Ein Objekt A befindet sich auf einem Objekt B“ die Situation, in der, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben, „das Objekt A sich auf dem Objekt B befindet und mit dem Objekt B in Kontakt steht“, und „das Objekt A befindet sich auf dem Objekt B, wobei etwas anderes zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“. Darüber hinaus impliziert der Ausdruck „Ein Objekt A überlappt mit einem Objekt B, wenn es in einer bestimmten Richtung betrachtet wird“ die Situation, in der, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben, „das Objekt A mit der Gesamtheit des Objekts B überlappt“, und „das Objekt A mit einem Teil des Objekts B überlappt“.
  • Erste Ausführungsform:
  • Unter Bezugnahme auf die 1 bis 7 wird ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Das Halbleiterbauteil A10 weist ein leitendes Element 5, ein Halbleiterelement 6, Drähte 71 und 72 und ein Dichtungsharz 8 auf.
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A10. 2 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterbauteils A10. Der Einfachheit halber zeigt 2 das Dichtungsharz 8 als transparent. 3 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A10. Der Einfachheit halber ist in 3 das Dichtungsharz 8 transparent dargestellt und der Umriss des Dichtungsharzes 8 mit einer gedachten Linie (Zweipunkt-Strichlinie) angedeutet. 4 ist eine Ansicht von unten auf das Halbleiterbauteil A10. 5 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A10. 6 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VI-VI in 3. 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII in 3.
  • Das in den Figuren gezeigte Halbleiterbauteil A10 ist zur Montage auf einer Leiterplatte verschiedener Geräte bestimmt. Die Verwendungen und Funktionen des Halbleiterbauteils A10 sind nicht spezifisch begrenzt. Das Halbleiterbauteil A10 ist in einem Single-Inline-Package (SIP) vorgesehen, aber das Gehäuse des Halbleiterbauteils A10 ist nicht auf SIP beschränkt. Das Halbleiterbauteil A10 hat einen mit dem Dichtungsharz 8 bedeckten Abschnitt, der in Dickenrichtung gesehen rechteckig ist. Der Einfachheit halber wird die Dickenrichtung (die Draufsichtsrichtung) des Halbleiterbauteils A10 als eine z-Richtung definiert, eine Richtung orthogonal zur z-Richtung, in der sich die Terminals (ein erster Anschluss 1, ein zweiter Anschluss 2 und ein dritter Anschluss 3) des Halbleiterbauteils A10 erstrecken (die vertikale Richtung in den 3 und 4), wird als eine x-Richtung definiert, und die Richtung orthogonal zur z-Richtung und zur x-Richtung (die horizontale Richtung in den 3 und 4) wird als eine y-Richtung definiert. Die x-Richtung ist ein Beispiel für eine „erste Richtung“, und die y-Richtung ist ein Beispiel für eine „zweite Richtung“. Die Abmessungen des Halbleiterbauteils A10 sind nicht speziell begrenzt.
  • Das leitende Element 5 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden, um einen Leitungspfad zwischen dem Halbleiterelement 6 und der Verdrahtung einer Leiterplatte herzustellen, wenn das Halbleiterbauteil A10 auf der Leiterplatte montiert ist. Das leitende Element 5 wird z. B. durch Stanzen und Biegen aus einer Metallplatte geformt. Das leitende Element 5 besteht aus Metall, und bevorzugte Beispiele schließen Cu, Ni, eine Cu- oder Ni-Legierung und die Legierung 42 mit ein. In der vorliegenden Ausführungsform besteht das leitende Element 5 beispielsweise aus Cu. Die Dicke des leitenden Elements 5 ist nicht speziell begrenzt. Das leitende Element 5 weist einen ersten Anschluss 1, einen zweiten Anschluss 2 und einen dritten Anschluss 3 auf.
  • Der erste Anschluss 1 trägt das Halbleiterelement 6 und ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Der erste Anschluss 1 weist einen Montageabschnitt 110 und einen ersten Terminal 120 auf.
  • Der Montageabschnitt 110 dient zur Aufnahme des Halbleiterelements 6 und hat in z-Richtung gesehen eine rechteckige (im Wesentlichen rechteckige) Form. Der Montageabschnitt 110 hat eine Montageabschnitt-Vorderfläche 111, eine Montageabschnitt-Rückfläche 112, eine Montageabschnitt-Endfläche 114 und ein Montageabschnitt-Durchgangsloch 113. Die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 und die Montageabschnitt-Rückfläche 112 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 ist der z2-Seite in z-Richtung zugewandt. Die Montageabschnitt-Vorderseite 111 ist die Stelle, an die das Halbleiterelement 6 gebondet wird. Die Montageabschnitt-Rückfläche 112 ist der zl-Seite in z-Richtung zugewandt. Die Montageabschnitt-Rückfläche 112 ist von dem Dichtungsharz 8 freigelegt und dient als Rückflächen-Terminal. Die Montageabschnitt-Endfläche 114 ist mit der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 und der Montageabschnitt-Rückfläche 112 verbunden und ist der xl-Seite in x-Richtung zugewandt. Das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113 erstreckt sich parallel zur z-Richtung von der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 bis zur/durch die Montageabschnitt-Rückfläche 112. Das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113 befindet sich in y-Richtung in der Mitte des Montageabschnitts 110 und in x-Richtung näher am Ende auf der x2-Seite (der obere Seite in den 3 und 4) und hat in z-Richtung gesehen eine kreisförmige Form. Die Lage und die Form des Montageabschnitt-Durchgangslochs 113 sind jedoch nicht spezifisch begrenzt.
  • Der erste Terminal 120 ist mit dem Montageabschnitt 110 verbunden und somit über den Montageabschnitt 110 elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Wie in 3 gezeigt, hat der erste Terminal 120 eine Breite (eine Länge in y-Richtung), die kleiner ist als die Breite (die Länge in y-Richtung) des Montageabschnitts 110. Wie in 6 gezeigt, weist der erste Terminal 120 außerdem eine Dicke (eine Länge in z-Richtung) auf, die kleiner ist als die Dicke (die Länge in z-Richtung) des Montageabschnitts 110. Umgekehrt gilt, dass der Montageabschnitt 110 dicker ist als der erste Terminal 120. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der erste Terminal 120 in der Mitte der Montageabschnitt-Endfläche 114 in y-Richtung, wie in 3 gezeigt, mit dem Ende der Montageabschnitt-Endfläche 114 auf der z2-Seite in z-Richtung, wie in 6 zu sehen, verbunden. Die Position des ersten Terminals 120 ist jedoch nicht speziell begrenzt. Der erste Terminal 120 erstreckt sich in x-Richtung und weist einen aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitt auf. Der erste Terminal 120 ist an einem Abschnitt, der sich von dem Montageabschnitt 110 bis zu einer Position etwas jenseits des Dichtungsharzes 8 erstreckt, breiter als der sich darüber hinaus erstreckende Spitzenabschnitt. Die Form des ersten Anschlusses 1 ist jedoch nicht auf die oben beschriebene Form beschränkt. So kann der Montageabschnitt 110 beispielsweise mit einer Rückflächen-Aussparung versehen sein, die von der Montageabschnitt-Rückfläche 112 in Richtung der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 entlang der Rändern der Montageabschnitt-Rückfläche 112 ausgespart ist. Das Abdecken der Rückflächen-Aussparung mit dem Dichtungsharz 8 verhindert ein Ablösen des ersten Anschlusses 1 von dem Dichtungsharz 8 zur zl-Seite in z-Richtung.
  • Der zweite Anschluss 2 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Der zweite Anschluss 2 ist von dem ersten Anschluss 1 beabstandet. Wie in 3 dargestellt, befindet sich der zweite Anschluss 2 auf der xl-Seite des Montageabschnitts 110 des ersten Anschlusses 1 in x-Richtung und auf der y1-Seite des ersten Terminals 120 in y-Richtung. In z-Richtung befindet sich der zweite Anschluss 2 auf der z2-Seite des ersten Anschlusses 1, wie in den 5 und 6 gezeigt. Der zweite Anschluss 2 weist einen zweiten Pad-Abschnitt 210 und einen zweiten Terminal 220 auf.
  • Der zweite Pad-Abschnitt 210 ist ein Abschnitt, an den der Draht 71 gebondet ist, und hat eine rechteckige (oder im Wesentlichen rechteckige) Form, die in der y-Richtung, gesehen in der z-Richtung, länglich ist. Wie in 7 gezeigt, weist der zweite Pad-Abschnitt 210 eine Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 211 und eine Zweiter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 212 auf. Die Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 211 und die Zweiter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 212 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Die Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 211 ist der z2-Seite in z-Richtung zugewandt. An die Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 211 ist der Draht 71 gebondet. Die Zweiter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 212 ist der zl-Seite in z-Richtung zugewandt. Der zweite Pad-Abschnitt 210 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt.
  • Der zweite Terminal 220 ist mit dem zweiten Pad-Abschnitt 210 verbunden und somit über den zweiten Pad-Abschnitt 210 und den Draht 71 elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Wie in 3 gezeigt, hat der zweite Terminal 220 eine Breite (eine Länge in y-Richtung), die kleiner ist als die Breite (die Länge in y-Richtung) des zweiten Pad-Abschnitts 210. Wie in 7 gezeigt, hat der zweite Terminal 220 außerdem eine Dicke (eine Länge in der z-Richtung), die der Dicke (der Länge in der z-Richtung) des zweiten Pad-Abschnitts 210 und auch der Dicke des ersten Terminals 120 entspricht. Wie in 3 dargestellt, befindet sich der zweite Terminal 220 auf der xl-Seite des zweiten Pad-Abschnitts 210 in x-Richtung und näher an der y1-Seite in y-Richtung. Obwohl die Position des zweiten Terminals 220 nicht darauf beschränkt ist, sind der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 in y-Richtung vorzugsweise voneinander beabstandet. Der zweite Terminal 220 erstreckt sich in x-Richtung und hat einen Abschnitt, der aus dem Dichtungsharz 8 herausragt. Der zweite Terminal 220 ist an einem Abschnitt, der sich vom zweiten Pad-Abschnitt 210 bis zu einer Position etwas jenseits des Dichtungsharzes 8 erstreckt, breiter als der darüber hinausgehende Spitzenabschnitt. Die Form des zweiten Anschlusses 2 ist jedoch nicht auf die oben beschriebene Form beschränkt.
  • Der dritte Anschluss 3 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Der dritte Anschluss 3 ist von dem ersten Anschluss 1 und dem zweiten Anschluss 2 beabstandet. Wie in 3 dargestellt, befindet sich der dritte Anschluss 3 auf der xl-Seite des Montageabschnitts 110 des ersten Anschlusses 1 in x-Richtung und auf der y2-Seite des ersten Terminals 120 in y-Richtung. In z-Richtung befindet sich der dritte Anschluss 3 auf der z2-Seite des ersten Anschlusses 1, wie in 5 gezeigt. In der vorliegenden Ausführungsform stimmen der zweite Anschluss 2 und der dritte Anschluss 3 in z-Richtung in ihrer Position überein. Der dritte Anschluss 3 weist einen dritten Pad-Abschnitt 310 und einen dritten Terminal 320 auf.
  • Der dritte Pad-Abschnitt 310 ist ein Abschnitt, an den der Draht 72 gebondet ist, und hat eine rechteckige (oder im Wesentlichen rechteckige) Form, die in der y-Richtung, gesehen in der z-Richtung, länglich ist. Der dritte Pad-Abschnitt 310 hat eine Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 und eine Dritter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 312. Die Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 und die Dritter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 312 weisen in z-Richtung voneinander weg. Die Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 ist der z2-Seite in z-Richtung zugewandt. Auf der Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 ist der Draht 72 befestigt. Die Dritter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 312 ist der zl-Seite in z-Richtung zugewandt. Der dritte Pad-Abschnitt 310 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt.
  • Der dritte Terminal 320 ist mit dem dritten Pad-Abschnitt 310 verbunden und somit über den dritten Pad-Abschnitt 310 und den Draht 72 elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Wie in 3 gezeigt, hat der dritte Terminal 320 eine Breite (eine Länge in y-Richtung), die kleiner ist als die Breite (die Länge in y-Richtung) des dritten Pad-Abschnitts 310. Darüber hinaus hat der dritte Terminal 320 eine Dicke (eine Länge in der z-Richtung), die der Dicke (der Länge in der z-Richtung) des dritten Pad-Abschnitts 310 und auch der Dicke des ersten Terminals 120 entspricht. Wie in 3 gezeigt, befindet sich der dritte Terminal 320 auf der xl-Seite des dritten Pad-Abschnitts 310 in x-Richtung und näher an der y2-Seite in y-Richtung. Obwohl die Position des dritten Terminals 320 nicht spezifisch begrenzt ist, sind der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 vorzugsweise in y-Richtung voneinander beabstandet. Der dritte Terminal 320 erstreckt sich in x-Richtung und hat einen Abschnitt, der aus dem Dichtungsharz 8 herausragt. Der dritte Terminal 320 ist an einem Abschnitt, der sich von dem dritten Pad-Abschnitt 310 bis zu einer Position etwas jenseits des Dichtungsharzes 8 erstreckt, breiter als der sich darüber hinaus erstreckende Spitzenabschnitt. Die Form des dritten Anschlusses 3 ist jedoch nicht auf die oben beschriebene Form beschränkt.
  • Die von dem Dichtungsharz 8 freiliegenden Abschnitte des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 weisen alle eine ähnliche Form auf. Die Spitze des ersten Terminals 120 (das Ende, das dem mit dem Montageabschnitt 110 verbundenen Ende gegenüberliegt), die Spitze des zweiten Terminals 220 (das Ende, das dem mit dem zweiten Pad-Abschnitt 210 verbundenen Ende gegenüberliegt) und die Spitze des dritten Terminals 320 (das Ende, das dem mit dem dritten Pad-Abschnitt 310 verbundenen Ende gegenüberliegt) befinden sich in x-Richtung an der gleichen Position.
  • Optional kann eine äußere Plattierungsschicht, die beispielsweise aus einer Sn-Basislegierung besteht, vorgesehen sein, um die von dem Dichtungsharz 8 freigelegten Abschnitte des ersten Anschlusses 1, des zweiten Anschlusses 2 und des dritten Anschlusses 3 abzudecken. Darüber hinaus kann eine innere Plattierungsschicht, z.B. aus Ag, vorgesehen sein, um den Bereich der Montageabschnitt-Vorderfläche 111, an den das Halbleiterelement 6 gebondet ist, den Bereich der Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 211, an den der Draht 71 gebondet ist, und den Bereich der Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311, an den der Draht 72 gebondet ist, abzudecken.
  • Das Halbleiterelement 6 ist ein Element, das eine elektrische Funktion des Halbleiterbauteils A10 ausübt. Das Halbleiterelement 6 muss nicht von einem bestimmten Typ sein. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Halbleiterelement 6 ein Transistor, beispielsweise ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Das Halbleiterelement 6 weist einen Elementkörper 60, eine erste Elektrode 63, eine zweite Elektrode 64 und eine dritte Elektrode 65 auf.
  • Der Elementkörper 60 hat die Form einer Platte, die in z-Richtung gesehen rechteckig ist. Der Elementkörper 60 besteht aus einem Halbleitermaterial, das in dieser Ausführungsform Silizium (Si) ist. Das Material des Elementkörpers 60 ist nicht auf Si beschränkt, es können auch andere Materialien verwendet werden, die Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) einschließen. Der Elementkörper 60 hat eine Element-Vorderfläche 61 und eine Element-Rückfläche 62. Die Element-Vorderfläche 61 und die Element-Rückfläche 62 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Die Element-Vorderfläche 61 ist der z2-Seite in z-Richtung zugewandt. Die Element-Rückfläche 62 ist der zl-Seite in z-Richtung zugewandt. Die zweite Elektrode 64 und die dritte Elektrode 65 sind auf der Element-Vorderfläche 61 angeordnet. Die erste Elektrode 63 ist auf der Element-Rückfläche 62 angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Elektrode 63 die Drain-Elektrode, die zweite Elektrode 64 ist die Source-Elektrode und die dritte Elektrode 65 ist die Gate-Elektrode.
  • Wie in 3 gezeigt, befindet sich das Halbleiterelement 6 in y-Richtung in der Mitte der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 und in x-Richtung näher am Ende der xl-Seite. Das Halbleiterelement 6 überlappt sich in z-Richtung gesehen nicht mit dem Montageabschnitt-Durchgangsloch 113. Wie in den 6 und 7 dargestellt, ist das Halbleiterelement 6 an die Element-Vorderfläche 111 über ein Bondmaterial 69 gebondet, wobei die Element-Rückfläche 62 der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 zugewandt ist. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Bondmaterial 69 ein leitendes Bondmaterial, in einem Beispiel Lötmittel. Alternativ kann das Bondmaterial 69 auch ein anderes leitendes Bondmaterial sein, das eine Silberpaste und ein Sintermetall-Bondmaterial aufweist. Somit ist die erste Elektrode 63 des Halbleiterelements 6, die über das Bondmaterial 69 mit der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 verbunden ist, elektrisch mit dem ersten Anschluss 1 verbunden.
  • Der Draht 71 ist an die zweiten Elektrode 64 des Halbleiterelements 6 und der Zweiter-Pad-Vorderfläche 211 des zweiten Anschlusses 2 gebondet. Dadurch wird die zweite Elektrode 64 des Halbleiterelements 6 elektrisch mit dem zweiten Anschluss 2 verbunden. Der Draht 72 ist mit der dritten Elektrode 65 des Halbleiterelements 6 und der Dritter-Pad-Vorderfläche 311 des dritten Anschlusses 3 verbunden. Dadurch wird die dritte Elektrode 65 des Halbleiterelements 6 elektrisch mit dem dritten Anschluss 3 verbunden. Es wird bemerkt, dass die Drähte 71 und 72 in Bezug auf das Material, die Dicke und die Anzahl der vorzusehenden Drähte nicht speziell beschränkt sind. Anstelle der Drähte 72 und 73 können auch andere leitende Verbindungselemente (wie Metallplatten oder Metallbänder) verwendet werden, um das Halbleiterelement 6 mit dem zweiten Anschluss 2 und dem dritten Anschluss 3 zu verbinden. Der erste Terminal 120 des ersten Anschlusses 1, der elektrisch mit der ersten Elektrode 63 verbunden ist, fungiert als Drain-Terminal des Halbleiterbauteils A10, der zweite Terminal 220 des zweiten Anschlusses 2, der elektrisch mit der zweiten Elektrode 64 verbunden ist, fungiert als Source-Terminal des Halbleiterbauteils A10, und der dritte Terminal 320 des dritten Anschlusses 3, der elektrisch mit der dritten Elektrode 65 verbunden ist, fungiert als Gate-Terminal des Halbleiterbauteils A10. Eine Hochspannung von einer externen Quelle wird zwischen dem ersten Terminal 120 (dem Drain-Terminal) und dem zweiten Terminal 220 (dem Source-Terminal) angelegt. Daraufhin vergrößert sich die Potentialdifferenz zwischen dem ersten Terminal 120 (dem Drain-Terminal) und dem dritten Terminal 320 (dem Gate-Terminal) in Abhängigkeit von der angelegten Hochspannung.
  • Das Dichtungsharz 8 bedeckt teilweise den ersten Anschluss 1, den zweiten Anschluss 2 und den dritten Anschluss 3 und bedeckt vollständig das Halbleiterelement 6 und die Drähte 71 und 72. Das Dichtungsharz 8 besteht z. B. aus einem schwarzen Epoxidharz. Das Material des Dichtungsharzes 8 ist nicht speziell begrenzt. Das Dichtungsharz 8 kann z. B. durch Spritzgießen mit einer Form hergestellt werden.
  • Das Dichtungsharz 8 hat eine Harz-Vorderfläche 81, eine Harz-Rückfläche 82, eine Harz-Endfläche 83, eine erste Harz-Seitenfläche 84, eine zweite Harz-Seitenfläche 85, und eine dritte Harz-Seitenfläche 86. Die Harz-Vorderfläche 81 und die Harz-Rückfläche 82 sind in z-Richtung voneinander abgewandt. Die Harz-Vorderfläche 81 ist der z2-Seite in z-Richtung zugewandt, und die Harz-Rückfläche 82 ist der zl-Seite in z-Richtung zugewandt. Wie in den 4, 6 und 7 gezeigt, ist der gesamte Bereich der Montageabschnitt-Rückfläche 112 des ersten Anschlusses 1 von der Harz-Rückfläche 82 freigelegt. Die Montageabschnitt-Rückfläche 112 und die Harz-Rückfläche 82 sind bündig zueinander.
  • Die Harz-Endfläche 83 und die erste Harz-Seitenfläche 84 sind jeweils mit der Harz-Vorderfläche 81 und der Harz-Rückfläche 82 verbunden. Die Harz-Endfläche 83 und die erste Harz-Seitenfläche 84 wenden sich in x-Richtung voneinander ab. Die Harz-Endfläche 83 befindet sich auf der xl-Seite in x-Richtung und ist der x1-Seite in x-Richtung zugewandt. Die erste Harz-Seitenfläche 84 befindet sich auf der x2-Seite in der x-Richtung und ist der x2-Seite in der x-Richtung zugewandt. Jede der zweiten Harz-Seitenfläche 85 und der dritten Harz-Seitenfläche 86 sind jeweils mit der Harz-Vorderfläche 81, der Harz-Rückfläche 82, der Harz-Endfläche 83 und der ersten Harz-Seitenfläche 84 verbunden. Die zweite Harz-Seitenfläche 85 und die dritte Harz-Seitenfläche 86 sind in y-Richtung voneinander abgewandt. Die zweite Harz-Seitenfläche 85 befindet sich auf der y1-Seite in y-Richtung und ist der y1-Seite in y-Richtung zugewandt. Die dritte Harz-Seitenfläche 86 befindet sich auf der y2-Seite in y-Richtung und ist der y2-Seite in y-Richtung zugewandt.
  • Jede der Harz-Endfläche 83, der ersten Harz-Seitenfläche 84, der zweiten Harz-Seitenfläche 85 und der dritten Harz-Seitenfläche 86 weist einen Bereich auf, der mit der Harz-Vorderfläche 81 verbunden ist und nach innen in Richtung/zur Harz-Vorderfläche 81 hin geneigt bzw. schräg ist. Das heißt, dass der Abschnitt des Dichtungsharzes 8, der von den geneigten Bereichen umgeben ist, die mit der Harz-Vorderfläche 81 verbunden sind, sich verjüngt, so dass der Querschnitt entlang der x-y-Ebene bei Annäherung an die Harz-Vorderfläche 81 allmählich kleiner wird. Jede der Harz-Endfläche 83, der ersten Harz-Seitenfläche 84, der zweiten Harz-Seitenfläche 85 und der dritten Harz-Seitenfläche 86 hat zusätzlich einen Bereich, der mit der Harz-Rückfläche 82 verbunden ist und nach innen zur Harz-Rückfläche 82 hin geneigt ist. Das heißt, dass der Abschnitt des Dichtungsharzes 8, der von den geneigten Bereichen umgeben ist, die mit der Harz-Rückfläche 82 verbunden sind, sich verjüngt, so dass der Querschnitt entlang der x-y-Ebene bei Annäherung an die Harz-Rückfläche 82 allmählich kleiner wird. Die Formen der Harz-Endfläche 83, der ersten Harz-Seitenfläche 84, der zweiten Harz-Seitenfläche 85 und der dritten Harz-Seitenfläche 86 sind jedoch nicht speziell begrenzt.
  • Die Harz-Endfläche 83 ist der Richtung zugewandt, in der der erste Terminal 120, der zweite Terminal 220 und der dritte Terminal 320 vorstehen. Das heißt, die Harz-Endfläche 83 ist die Fläche, aus der der erste Terminal 120, der zweite Terminal 220 und der dritte Terminal 320 herausragen. An der Harz-Endfläche 83, wie in 5 dargestellt, sind der zweite Terminal 220, der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 in y-Richtung voneinander beabstandet und in der angegebenen Reihenfolge von der y1-Seite zur y2-Seite angeordnet. Das heißt, an der Harz-Endfläche 83 befindet sich der dritte Terminal 320 auf der Seite, die dem zweiten Terminal 220 in y-Richtung in Bezug auf den ersten Terminal 120 gegenüberliegt. An der Harz-Endfläche 83 ist außerdem der erste Terminal 120 in z-Richtung von dem zweiten Terminal 220 und dem dritten Terminal 320 beabstandet, und der zweite Terminal 220 und der dritte Terminal 320 befinden sich in z-Richtung an der gleichen Position. An der Harz-Endfläche 83 befindet sich der erste Terminal 120 auf der Seite der Harz-Rückfläche 82 in z-Richtung (die z2-Seite in z-Richtung) in Bezug auf den zweiten Terminal 220 und den dritten Terminal 320.
  • Wie in 5 gezeigt, ist der kürzeste Abstand (Kriechstrecke) D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 in dieser Anordnung größer als in einer Anordnung, bei der der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 an der gleichen Position in z-Richtung angeordnet sind. Hier soll Dy den Trennungsabstand in y-Richtung zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 an der Harz-Endfläche 83 und Dz den Trennungsabstand in z-Richtung bezeichnen. Wenn sich der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 in z-Richtung an der gleichen Position befinden, ist die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 gleich der Trennstrecke Dy zwischen ihnen. Die Kriechstrecke D ist dagegen gegeben durch D = ( Dy 2 + Dz 2 ) .
    Figure DE112022003555T5_0001
    In ähnlicher Weise ist die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 größer als bei einer Anordnung, bei der sich der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 an der Position in z-Richtung befinden.
  • Das leitende Element 5 liegt von der Harz-Rückfläche 82 und der Harz-Endfläche 83 freigelegt, jedoch nicht von der Harz-Vorderfläche 81, der ersten Harz-Seitenfläche 84, der zweiten Harz-Seitenfläche 85 und der dritten Harz-Seitenfläche 86.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das Dichtungsharz 8 mit einem Harz-Durchgangsloch 88 ausgebildet. Das Harz-Durchgangsloch 88 erstreckt sich parallel zur z-Richtung von der Harz-Vorderfläche 81 bis zur Harz-Rückfläche 82. Das Harz-Durchgangsloch 88 befindet sich in y-Richtung in der Mitte des Dichtungsharzes 8 und in x-Richtung näher am Ende auf der x2-Seite (die Oberseite in 3) und hat in z-Richtung gesehen eine kreisförmige Form. In der vorliegenden Ausführungsform hat das Harz-Durchgangsloch 88 die gleiche Mitte wie das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113. Darüber hinaus ist das Harz-Durchgangsloch 88 im Durchmesser kleiner als das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113. Wie in den 3, 4 und 6 gezeigt, befindet sich das Harz-Durchgangsloch 88 innerhalb des Montageabschnitt-Durchgangslochs 113, und die gesamte Innenwand des Harz-Durchgangslochs 88 wird durch das Dichtungsharz 8 gebildet. Mit anderen Worten: Der Montageabschnitt 110 liegt an der Innenwand des Harz-Durchgangslochs 88 nicht frei. Das Harz-Durchgangsloch 88 dient zur Aufnahme eines Befestigungselements, z. B. einer Schraube, um ein wärmeableitendes Element am Halbleiterbauteil A10 zu befestigen. Wenn ein wärmeableitendes Element über eine elektrisch isolierende Folie an der Montageabschnitt-Rückfläche 112 befestigt ist, wird die Wärme des Halbleiterelements 6 über den Montageabschnitt 110 und das wärmeableitende Element abgegeben.
  • Als nächstes werden die Effekte des Halbleiterbauteils A10 beschrieben.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist der erste Anschluss 1 den ersten Terminal 120 auf, der aus der Harz-Endfläche 83 herausragt. Der zweite Anschluss 2 weist den zweiten Terminal 220 auf, der aus der Harz-Endfläche 83 herausragt. An der Harz-Endfläche 83 sind der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Somit ist die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 größer als bei einer Anordnung, bei der sich der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 in z-Richtung an der gleichen Position befinden. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher elektrische Entladungen auf der Harz-Endfläche 83 verhindern, wenn eine hohe Spannung zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 angelegt wird. Darüber hinaus weist der dritte Anschluss 3 den dritten Terminal 320 auf, der aus der Harz-Endfläche 83 herausragt. An der Harz-Endfläche 83 sind der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Somit ist die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 größer als bei einer Anordnung, bei der sich der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 in z-Richtung an der gleichen Position befinden. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher elektrische Entladungen auf der Harz-Endfläche 83 verhindern, wenn eine große Potentialdifferenz zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 angelegt wird. Wie oben beschrieben, kann das Halbleiterbauteil A10 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist außerdem die Zweiter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 212 von der Harz-Rückfläche 82 freigelegt. Bei dieser Konfiguration kann ein wärmeableitendes Element an der Zweiter-Pad-Abschnitt-Rückfläche 212 angebracht werden, so dass das Halbleiterbauteil A10 die Wärme des Halbleiterelements 6 abgeben kann. Das Dichtungsharz 8 ist mit dem Harz-Durchgangsloch 88 ausgebildet, das sich parallel zur z-Richtung erstreckt. Bei dieser Konfiguration kann ein Befestigungselement, wie z. B. eine Schraube, in das Harz-Durchgangsloch 88 eingeführt werden, so dass ein wärmeableitendes Element leicht an dem Halbleiterbauteil A10 angebracht werden kann. Darüber hinaus hat das Harz-Durchgangsloch 88 die gleiche Mitte wie das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113 und einen kleineren Durchmesser als das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113. Daher befindet sich das Harz-Durchgangsloch 88 innerhalb des Montageabschnitt-Durchgangslochs 113, und die gesamte Innenwand des Harz-Durchgangslochs 88 wird durch das Dichtungsharz 8 gebildet. Mit anderen Worten: Der Montageabschnitt 110 liegt an der Innenwand des Harz-Durchgangslochs 88 nicht frei. Auf diese Weise wird eine elektrische Isolierung zwischen dem Montageabschnitt 110 und dem Befestigungselement erreicht. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform hat der Montageabschnitt 110 außerdem eine größere Dicke als der erste Terminal 120, der zweite Anschluss 2 und der dritte Anschluss 3. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher sicherstellen, dass die von dem Halbleiterelement 6 abgegebene Wärme von dem Montageabschnitt 110 effizient absorbiert wird.
  • Obwohl die vorliegende Ausführungsform den Fall beschreibt, dass der Montageabschnitt 110 und das Dichtungsharz 8 jeweils das Montageabschnitt-Durchgangsloch 113 und das Harz-Durchgangsloch 88 aufweisen, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Der Montageabschnitt 110 kann kein Montageabschnitt-Durchgangsloch 113 aufweisen, und das Dichtungsharz 8 kann kein Harz-Durchgangsloch 88 aufweisen. Dies gilt auch für andere Ausführungsformen und Varianten, die im Folgenden beschrieben werden.
  • In den 8 bis 16 ist der erste Anschluss 1 gemäß Varianten der ersten Ausführungsform dargestellt. In diesen Figuren sind Bauteile, die mit denen der oben beschriebenen Ausführungsform identisch oder ähnlich sind, mit denselben Bezugsziffern versehen, und Beschreibungen solcher Bauteile werden weggelassen, um Redundanz zu vermeiden.
  • Erste Variante:
  • 8 und 9 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A11 gemäß einer ersten Variante der ersten Ausführungsform. 8 ist eine Ansicht von unten des Halbleiterbauteils A11 und entspricht 4. 9 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauteils A11 und entspricht 6. Bei dem Halbleiterbauteil A11 ist die Montageabschnitt-Rückfläche 112 nicht von der Harz-Rückfläche 82 freigelegt und mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt.
  • Zweite Variante:
  • 10 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils A12 gemäß einer zweiten Variante der ersten Ausführungsform und entspricht 6. Das Halbleiterbauteil A12 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 durch die Form des ersten Terminals 120. In dem Halbleiterbauteil A12 weist der erste Terminal 120 einen ersten geraden Abschnitt 123 und einen ersten Verbindungsabschnitt 124 auf. Der erste gerade Abschnitt 123 erstreckt sich gerade in x-Richtung und weist einen mit dem Dichtungsharz 8 bedeckten Abschnitt und einen aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitt auf. Der erste Verbindungsabschnitt 124 ist mit dem ersten geraden Abschnitt 123 und dem Montageabschnitt 110 verbunden, um den ersten geraden Abschnitt 123 und den Montageabschnitt 110 zu verbinden. Der erste Verbindungsabschnitt 124 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt und relativ zum Montageabschnitt 110 und dem ersten geraden Abschnitt 123 geneigt bzw. schräg. Der erste gerade Abschnitt 123 ist so angeordnet, dass seine Oberfläche, die derselben Seite wie die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 zugewandt ist (die z2-Seite in z-Richtung), auf der zl-Seite in z-Richtung in Bezug auf die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 liegt. Daher ist der erste Verbindungsabschnitt 124 in Richtung der zl-Seite in z-Richtung geneigt und nähert sich der xl-Seite in x-Richtung. Bei dieser Variante ist die Position des ersten Terminals 120 an der Harz-Endfläche 83 näher an der zl-Seite in der z-Richtung als bei dem Halbleiterbauteil A10. Daher kann das Halbleiterbauteil A12 im Vergleich zum Halbleiterbauteil A10 die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 vergrößern und auch die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 vergrößern.
  • Dritte Variante:
  • 11 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils A13 gemäß einer dritten Variante der ersten Ausführungsform und entspricht 6. Das Halbleiterbauteil A13 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 durch die Position auf dem Montageabschnitt 110, an der der erste Terminal 120 verbunden ist. In dem Halbleiterbauteil A13 ist der erste Terminal 120 mit der Montageabschnitt-Endfläche 114 in der Mitte der Montageabschnitt-Endfläche 114 sowohl in der y-Richtung als auch in der z-Richtung verbunden, wie in 11 gezeigt. Bei dieser Variante ist die Position des ersten Terminals 120 an der Harz-Endfläche 83 in z-Richtung näher an der zl-Seite als bei dem Halbleiterbauteil A10. Daher kann das Halbleiterbauteil A13 im Vergleich zum Halbleiterbauteil A10 die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 vergrößern und auch die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 vergrößern.
  • Vierte Variante:
  • 12 und 13 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A14 gemäß einer vierten Variante der ersten Ausführungsform. 12 ist eine Ansicht von unten des Halbleiterbauteils A14 und entspricht 4. 13 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauteils A14 und entspricht 6. Das Halbleiterbauteil A14 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 in der Position, an der der erste Terminal 120 auf dem Montageabschnitt 110 angeschlossen ist. Bei dem Halbleiterbauteil A14 ist der erste Terminal 120 in der Mitte der Montageabschnitt-Endfläche 114 in y-Richtung, wie in 12 gezeigt, mit dem Ende der Montageabschnitt-Endfläche 114 auf der zl-Seite in z-Richtung, wie in 13 gezeigt, verbunden. Bei dieser Variante ist die Erster-Terminal-Rückfläche 125, die die Fläche des ersten Terminals 120 ist, die der gleichen Seite wie die Montageabschnitt-Rückfläche 112 zugewandt ist (die zl-Seite in z-Richtung), bündig mit der Montageabschnitt-Rückfläche 112 und liegt von der Harz-Rückfläche 82 frei. In dieser Variante ist der Montageabschnitt 110 zusätzlich mit einer Rückflächen-Aussparung 115 entlang des Außenrands der Montageabschnitt-Rückfläche 112 versehen, wie in 12 gezeigt. Die Rückflächen-Aussparung 115 ist von der Montageabschnitt-Rückfläche 112 in Richtung der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 ausgespart und mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt. Obwohl der Montageabschnitt 110 die Rückflächen-Aussparung 115 nicht aufweisen muss, ist es vorteilhaft, die Rückflächen-Aussparung 115 vorzusehen, um eine Ablösung des ersten Anschlusses 1 von dem Dichtungsharz 8 in Richtung der zl-Seite in z-Richtung zu verhindern. Wie in 13 gezeigt, ist die Position des ersten Terminals 120 an der Harz-Endfläche 83 in dieser Variante näher an der zl-Seite in der z-Richtung als bei dem Halbleiterbauteil A10. Daher kann das Halbleiterbauteil A14 im Vergleich zum Halbleiterbauteil A10 die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 vergrößern und auch die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 vergrößern.
  • Fünfte Variante:
  • 14 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils A15 gemäß einer fünften Variante der ersten Ausführungsform und entspricht 6. Das Halbleiterbauteil A15 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 durch die Dicke des Montageabschnitts 110. In dem Halbleiterbauteil A15 hat der Montageabschnitt 110 die gleiche Dicke wie der erste Terminal 120. Es wird bemerkt, dass die Position der Montageabschnitt-Vorderfläche 111 in z-Richtung bei dieser Variante die gleiche ist wie bei dem Halbleiterbauteil A10.
  • Sechste Variante:
  • 15 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils A16 gemäß einer sechsten Variante der ersten Ausführungsform und entspricht der 6. Das Halbleiterbauteil A16 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A15 durch die Position des ersten Anschlusses 1 in z-Richtung. Bei dem Halbleiterbauteil A16 hat der Montageabschnitt 110 die gleiche Dicke wie der erste Terminal 120. Im Gegensatz zum Halbleiterbauteil A15 ist die Montageabschnitt-Rückfläche 112 von der Harz-Rückfläche 82 freigelegt. Darüber hinaus sind die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 und der erste Terminal 120 in z-Richtung anders angeordnet als bei dem Halbleiterbauteil A15. Beim Halbleiterbauteil A16 ist die Erste-Terminal-Rückfläche 125 bündig mit der Montageabschnitt-Rückfläche 112 und liegt von der Harz-Rückfläche 82 frei. Wie bei der vierten Variante (siehe 12) ist der Montageabschnitt 110 dieser Variante vorzugsweise mit der Rückflächen-Aussparung 115 entlang des Außenrands der Montageabschnitt-Rückfläche 112 ausgebildet. Bei dieser Variante ist die Position des ersten Terminals 120 an der Harz-Endfläche 83 in z-Richtung näher an der zl-Seite als bei dem Halbleiterbauteil A10. Daher kann das Halbleiterbauteil A16 im Vergleich zum Halbleiterbauteil A10 die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 vergrößern und auch die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 vergrößern.
  • Siebte Variante:
  • 16 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils A17 gemäß einer siebten Variante der ersten Ausführungsform und entspricht 6. Das Halbleiterbauteil A17 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A16 durch die Form des ersten Terminals 120. Bei dem Halbleiterbauteil A17 hat der Montageabschnitt 110 die gleiche Dicke wie der erste Terminal 120. Darüber hinaus ist die Montageabschnitt-Rückfläche 112 von der Harzrückfläche 82 freigelegt. Der erste Terminal 120 weist einen ersten geraden Abschnitt 123 und einen ersten Verbindungsabschnitt 124 auf. Der erste gerade Abschnitt 123 erstreckt sich gerade in x-Richtung und weist einen mit dem Dichtungsharz 8 bedeckten Abschnitt und einen aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitt auf. Der erste Verbindungsabschnitt 124 ist mit dem ersten geraden Abschnitt 123 und dem Montageabschnitt 110 verbunden, um den ersten geraden Abschnitt 123 und den Montageabschnitt 110 zu verbinden. Der erste Verbindungsabschnitt 124 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt und relativ zum Montageabschnitt 110 und dem ersten geraden Abschnitt 123 geneigt bzw. schräg. Der erste gerade Abschnitt 123 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung in Bezug auf den Montageabschnitt 110. Daher ist der erste Verbindungsabschnitt 124 in der z-Richtung zur z2-Seite geneigt und nähert sich in der x-Richtung der xl-Seite. Somit ist die Montageabschnitt-Rückfläche 112 von der Harz-Rückfläche 82 freigelegt, aber der erste Verbindungsabschnitt 124 und ein Teil des ersten geraden Abschnitts 123 sind mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt. Mit dieser Konfiguration kann der erste Anschluss 1, der den Montageabschnitt 110 und den erste Terminal 120 mit derselben Dicke aufweist, sowohl die Wärmeableitung als auch die Verhinderung des Ablösens erreichen.
  • Achte Variante:
  • 17 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil A18 gemäß einer achten Variante der ersten Ausführungsform und entspricht 3. Der Einfachheit halber ist in 17 das Dichtungsharz 8 transparent dargestellt und der Umriss des Dichtungsharzes 8 mit einer gedachten Linie (zweipunktiggestrichelte Linie) angedeutet. Das Halbleiterbauteil A18 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 durch die Form des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320. In dem Halbleiterbauteil A18 hat jeder des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 keinen breiteren Abschnitt. Mit anderen Worten, jeder des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 hat eine einheitliche Breite über den gesamten Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 8 hervorsteht. Alternativ können bei dieser Variante der erste Terminal 120, der zweite Terminal 220 und der dritte Terminal 320 eine ähnliche Form wie das Halbleiterbauteil A10 haben, und die gesamten breiteren Abschnitte des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 sind mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt. In diesem Beispiel haben der erste Terminal 120, der zweite Terminal 220 und der dritte Terminal 320 eine einheitliche Breite über die aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitte, so dass das resultierende Halbleiterbauteil in seinem Aussehen mit dem Halbleiterbauteil A10 identisch ist.
  • Die 18 bis 32 zeigen weitere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind Komponenten, die mit denen der oben beschriebenen Ausführungsform identisch oder ähnlich sind, mit denselben Bezugsziffern versehen, und Beschreibungen solcher Komponenten werden weggelassen, um Redundanz zu vermeiden.
  • Zweite Ausführungsform:
  • 18 und 19 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 18 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauteils A20 und entspricht 6. 19 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A20 und entspricht 5. Das Halbleiterbauteil A20 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 der ersten Ausführungsform durch die Form des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 in den Abschnitten, die von dem Dichtungsharz 8 hervorstehen. In Bezug auf die anderen Konfigurationen und Funktionen ist die vorliegende Ausführungsform ähnlich wie die erste Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform kann mit jeder Variante der ersten Ausführungsform kombiniert werden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform weist der erste Terminal 120 einen ersten geraden Abschnitt 123, einen ersten gebogenen Abschnitt 121 und einen ersten Spitzenabschnitt 122 auf. Wie in 18 gezeigt, erstreckt sich der erste gerade Abschnitt 123 gerade in x-Richtung und weist einen Abschnitt auf, der mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt ist, und einen Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 8 vorsteht. Der erste gebogene Abschnitt 121 erstreckt sich vom Ende des ersten geraden Abschnitts 123 auf der xl-Seite in x-Richtung und bildet eine Biegung. Der erste Spitzenabschnitt 122 erstreckt sich vom Ende des ersten gebogenen Abschnitts 121 auf der xl-Seite in x-Richtung gerade. Der erste gebogene Abschnitt 121 und der erste Spitzenabschnitt 122 sind von dem Dichtungsharz 8 freigelegt. In der vorliegenden Ausführungsform weist der erste gebogene Abschnitt 121 einen relativ zum ersten Spitzenabschnitt 122 und zum ersten geraden Abschnitt 123 geneigten bzw. schrägen Abschnitt auf. Der erste Spitzenabschnitt 122 befindet sich auf der z2-Seite in der z-Richtung in Bezug auf den ersten geraden Abschnitt 123, so dass der erste gebogene Abschnitt 121 in Richtung der z2-Seite in der z-Richtung mit Annäherung an die xl-Seite in der x-Richtung geneigt ist.
  • Ferner weist der zweite Terminal 220 einen zweiten geraden Abschnitt 223, einen zweiten gebogenen Abschnitt 221 und einen zweiten Spitzenabschnitt 222 auf. Wie in 18 gezeigt, erstreckt sich der zweite gerade Abschnitt 223 gerade in der x-Richtung und weist einen Abschnitt auf, der mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt ist, und einen Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 8 vorsteht. Der zweite gebogene Abschnitt 221 erstreckt sich vom Ende des zweiten geraden Abschnitts 223 auf der xl-Seite in x-Richtung und bildet eine Biegung. Der zweite Spitzenabschnitt 222 erstreckt sich vom Ende des zweiten gebogenen Abschnitts 221 auf der xl-Seite in x-Richtung gerade. Der zweite gebogene Abschnitt 221 und der zweite Spitzenabschnitt 222 liegen von dem Dichtungsharz 8 frei. In der vorliegenden Ausführungsform weist der zweite gebogene Abschnitt 221 einen relativ zu dem zweiten Spitzenabschnitt 222 und dem zweiten geraden Abschnitt 223 geneigten bzw. schrägen Abschnitt auf. Der zweite Spitzenabschnitt 222 befindet sich auf der zl-Seite in der z-Richtung in Bezug auf den zweiten geraden Abschnitt 223, so dass der zweite gebogene Abschnitt 221 in Richtung der zl-Seite in der z-Richtung mit Annäherung an die xl-Seite in der x-Richtung geneigt bzw. angeschrägt ist.
  • Ferner weist der dritte Terminal 320 einen dritten geraden Abschnitt 323, einen dritten gebogenen Abschnitt 321 und einen dritten Spitzenabschnitt 322 auf. Obwohl in 18 nicht dargestellt, erstreckt sich der dritte gerade Abschnitt 323 gerade in der x-Richtung und weist einen Abschnitt auf, der mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt ist, und einen Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 8 vorsteht. Der dritte gebogene Abschnitt 321 erstreckt sich vom Ende des dritten geraden Abschnitts 323 auf der xl-Seite in x-Richtung und bildet eine Biegung. Der dritte Spitzenabschnitt 322 erstreckt sich vom Ende des dritten gebogenen Abschnitts 321 auf der xl-Seite in der x-Richtung gerade. Der dritte gebogene Abschnitt 321 und der dritte Spitzenabschnitt 322 sind von dem Dichtungsharz 8 freigelegt. In der vorliegenden Ausführungsform weist der dritte gebogene Abschnitt 321 einen Abschnitt auf, der relativ zu dem dritten Spitzenabschnitt 322 und dem dritten geraden Abschnitt 323 geneigt bzw. schräg ist. Der dritte Spitzenabschnitt 322 befindet sich auf der zl-Seite in der z-Richtung in Bezug auf den dritten geraden Abschnitt 323, so dass der dritte gebogene Abschnitt 321 in Richtung der zl-Seite in der z-Richtung mit Annäherung an die xl-Seite in der x-Richtung geneigt bzw. schräg ist.
  • Wie in 19 gezeigt, sind zwar der erste gerade Abschnitt 123, der zweite gerade Abschnitt 223 und der dritte gerade Abschnitt 323 in der z-Richtung voneinander beabstandet, aber der erste Spitzenabschnitt 122, der zweite Spitzenabschnitt 222 und der dritte Spitzenabschnitt 322 stimmen in der z-Richtung in ihrer Position überein.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind an der Harz-Endfläche 83 der erste Terminal 120 (der erste gerade Abschnitt 123) und der zweite Terminal 220 (der zweite gerade Abschnitt 223) in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Stelle in z-Richtung befinden. Ferner sind an der Harz-Endfläche 83 der erste Terminal 120 (der erste gerade Abschnitt 123) und der dritte Terminal 320 (der dritte gerade Abschnitt 323) in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Mit den oben beschriebenen Konfigurationen kann das Halbleiterbauteil A20 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen. Außerdem hat das Halbleiterbauteil A20 eine gemeinsame Konfiguration mit dem Halbleiterbauteil A10 und erzielt damit die gleiche Wirkung wie das Halbleiterbauteil A10. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A20 den ersten Spitzenabschnitt 122, den zweiten Spitzenabschnitt 222 und den dritten Spitzenabschnitt 322 auf, deren Position in z-Richtung übereinstimmt, und ist somit austauschbar mit einem herkömmlichen Halbleiterbauteil mit dem ersten Anschluss 1, dem zweiten Anschluss 2 und dem dritten Anschluss 3, deren Position in z-Richtung übereinstimmt.
  • Obwohl die vorliegende Ausführungsform den Fall beschreibt, in dem der erste gebogene Abschnitt 121 einen relativ zum ersten Spitzenabschnitt 122 und zum ersten geraden Abschnitt 123 geneigten bzw. schrägen Abschnitt aufweist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Der erste gebogene Abschnitt 121 kann einen Abschnitt aufweisen, der orthogonal zu dem ersten Spitzenabschnitt 122 und dem ersten geraden Abschnitt 123 ist. Das heißt, der erste Anschluss 1 kann im ersten gebogenen Abschnitt 121 eine Kurbelform haben. In einem anderen Beispiel kann der erste Anschluss 1 in dem ersten gebogenen Abschnitt 121 eine S-Form aufweisen. Das Gleiche gilt für den zweiten Anschluss 2 und den dritten Anschluss 3.
  • Erste Variante:
  • 20 ist eine Schnittdarstellung eines Halbleiterbauteils A21 gemäß einer ersten Variante der zweiten Ausführungsform und entspricht 6. In dem Halbleiterbauteil A21 befindet sich der erste Spitzenabschnitt 122 auf der zl-Seite in z-Richtung in Bezug auf den ersten geraden Abschnitt 123, und der zweite Spitzenabschnitt 222 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung in Bezug auf den zweiten geraden Abschnitt 223, und der dritte Spitzenabschnitt 322 befindet sich auf der z2-Seite in z-Richtung in Bezug auf den dritten geraden Abschnitt 323. Mit anderen Worten, der Trennungsabstand zwischen dem ersten Spitzenabschnitt 122 und jedem der zweiten Spitzenabschnitte 222 und des dritten Spitzenabschnitts 322 in der z-Richtung ist größer als der entsprechende Trennungsabstand an der Harz-Endfläche 83.
  • Dritte Ausführungsform:
  • 21 ist eine Ansicht zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A30 gemäß einer dritten Ausführungsform. 21 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauteils A30 und entspricht 7. Das Halbleiterbauteil A30 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 der ersten Ausführungsform durch die Form des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 in den Abschnitten, die mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt sind. In Bezug auf die anderen Konfigurationen und Funktionen ist die vorliegende Ausführungsform ähnlich wie die erste Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform kann mit jeder Variante der ersten und zweiten Ausführungsform kombiniert werden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform weist der zweite Terminal 220 einen zweiten geraden Abschnitt 223 und einen zweiten Verbindungsabschnitt 224 auf. Der zweite gerade Abschnitt 223 erstreckt sich gerade in x-Richtung und weist einen mit dem Dichtungsharz 8 bedeckten Abschnitt und einen aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitt auf. Der zweite Verbindungsabschnitt 224 ist mit dem zweiten geraden Abschnitt 223 und dem zweiten Pad-Abschnitt 210 verbunden, um den zweiten geraden Abschnitt 223 und den zweiten Pad-Abschnitt 210 zu verbinden. Der zweite Verbindungsabschnitt 224 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt und relativ zum zweiten Pad-Abschnitt 210 und dem zweiten geraden Abschnitt 223 geneigt bzw. schräg. In der vorliegenden Ausführungsform befindet sich der zweite Pad-Abschnitt 210 auf der Seite der Harzrückfläche 82 (der zl-Seite in z-Richtung) in Bezug auf den zweiten geraden Abschnitt 223. Daher ist der zweite Verbindungsabschnitt 224 in Richtung der z2-Seite in der z-Richtung mit Annäherung an die xl-Seite in der x-Richtung geneigt bzw.. schräg.
  • Obwohl in 21 nicht dargestellt, weist der dritte Terminal 320 einen dritten geraden Abschnitt 323 und einen dritten Verbindungsabschnitt 324 auf. Der dritte gerade Abschnitt 323 erstreckt sich gerade in der x-Richtung und weist einen Abschnitt auf, der mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt ist, und einen Abschnitt, der von dem Dichtungsharz 8 vorsteht. Der dritte Verbindungsabschnitt 324 ist mit dem dritten geraden Abschnitt 323 und dem dritten Pad-Abschnitt 310 verbunden, um den dritten geraden Abschnitt 323 und den dritten Pad-Abschnitt 310 zu verbinden. Der dritte Verbindungsabschnitt 324 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt und relativ zu dem dritten Pad-Abschnitt 310 und dem dritten geraden Abschnitt 323 geneigt bzw. schräg. In der vorliegenden Ausführungsform befindet sich der dritte Pad-Abschnitt 310 auf der Seite der Harz-Rückfläche 82 (der zl-Seite in z-Richtung) in Bezug auf den dritten geraden Abschnitt 323. Daher ist der dritte Verbindungsabschnitt 324 in Richtung der z2-Seite in der z-Richtung mit Annäherung an die x1-Seite in der x-Richtung geneigt bzw. schräg.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 (der zweite gerade Abschnitt 223) an der Harz-Endfläche 83 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Ferner sind der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 (der dritte gerade Abschnitt 323) an der Harz-Endfläche 83 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Mit den oben beschriebenen Konfigurationen kann das Halbleiterbauteil A30 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A30 eine Konfiguration mit dem Halbleiterbauteil A10 gemeinsam und erzielt somit die gleiche Wirkung wie das Halbleiterbauteil A10.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist außerdem der zweite Pad-Abschnitt 210 auf der Seite der Harz-Rückfläche 82 (der z1 - Seite in z-Richtung) in Bezug auf den zweiten geraden Abschnitt 223 angeordnet. Daher befindet sich die Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 211 näher an der zl-Seite in der z-Richtung als die des Halbleiterbauteils A10. Im Vergleich zur Konfiguration des Halbleiterbauteils A10 befindet sich der höchste Punkt des Drahtes 71, der mit der Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderseite 211 verbunden ist, näher an der zl-Seite in z-Richtung. Ferner befindet sich der dritte Pad-Abschnitt 310 auf der Seite der Harz-Rückfläche 82 (der zl-Seite in der z-Richtung) in Bezug auf den dritten geraden Abschnitt 323. Das heißt, die Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 befindet sich näher an der zl-Seite in z-Richtung als die des Halbleiterbauteils A10. Folglich liegt der höchste Punkt des Drahtes 72, der mit der Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 verbunden ist, im Vergleich zur Konfiguration des Halbleiterbauteils A10 näher an der zl-Seite in z-Richtung. Diese Konfiguration stellt sicher, dass die Drähte 71 und 72 nicht von dem Dichtungsharz 8 freigelegt werden. Außerdem ermöglicht diese Konfiguration, dass das Dichtungsharz 8 eine kompaktere Dicke (eine Länge in z-Richtung) aufweist als die Konfiguration des Halbleiterbauteils A10.
  • Vierte Ausführungsform:
  • 22 bis 24 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A40 gemäß einer vierten Ausführungsform. 22 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A40 und entspricht 3. Der Einfachheit halber ist in 22 das Dichtungsharz 8 transparent dargestellt und der Umriss des Dichtungsharzes 8 mit einer gedachten Linie (zweipunktiggestrichelte Linie) angedeutet. 23 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A40 und entspricht 5. 24 ist eine Schnittdarstellung entlang der Linie XXIV-XXIV in 22. Das Halbleiterbauteil A40 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 der ersten Ausführungsform durch die Positionen des ersten Terminals 120, des zweiten Terminals 220 und des dritten Terminals 320 in z-Richtung an der Harz-Endfläche 83. In Bezug auf die anderen Konfigurationen und Funktionen ist die vorliegende Ausführungsform ähnlich wie die erste Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform kann mit jeder Variante der ersten bis dritten Ausführungsform kombiniert werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform weist der erste Terminal 120 einen ersten geraden Abschnitt 123 und einen ersten Verbindungsabschnitt 124 auf. Der erste gerade Abschnitt 123 erstreckt sich gerade in x-Richtung und weist einen mit dem Dichtungsharz 8 bedeckten Abschnitt und einen aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitt auf. Der erste Verbindungsabschnitt 124 ist mit dem ersten geraden Abschnitt 123 und dem Montageabschnitt 110 verbunden, um den ersten geraden Abschnitt 123 und den Montageabschnitt 110 zu verbinden. Der erste Verbindungsabschnitt 124 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt und relativ zum Montageabschnitt 110 und dem ersten geraden Abschnitt 123 geneigt bzw. schräg. Der erste gerade Abschnitt 123 dieser Ausführungsform hat die gleiche Position in z-Richtung wie der zweite Terminal 220 und der dritte Terminal 320 des Halbleiterbauteils A10 der ersten Ausführungsform. Daher ist der erste Verbindungsabschnitt 124 in der z-Richtung zur z2-Seite hin geneigt und nähert sich in der x-Richtung der xl-Seite. In der vorliegenden Ausführungsform haben außerdem der zweite Anschluss 2 (der zweite Terminal 220) und der dritte Anschluss 3 (der dritte Terminal 320) die gleiche Position in der z-Richtung wie der erste Terminal 120 des Halbleiterbauteils A10 in der ersten Ausführungsform. Daher befindet sich der erste Terminal 120 (der erste gerade Abschnitt 123), an der Harz-Endfläche 83, auf der Seite der Harz-Vorderfläche 81 (der z2-Seite in der z-Richtung) in Bezug auf den zweiten Terminal 220 und den dritten Terminal 320 in der z-Richtung.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Terminal 120 (der erste gerade Abschnitt 123) und der zweite Terminal 220 an der Harz-Endfläche 83 in der y-Richtung und auch in der z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. In ähnlicher Weise sind der erste Terminal 120 (der erste gerade Abschnitt 123) und der dritte Terminal 320 an der Harz-Endfläche 83 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Mit den oben beschriebenen Konfigurationen kann das Halbleiterbauteil A40 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A40 eine Konfiguration mit dem Halbleiterbauteil A10 gemeinsam und erzielt somit die gleiche Wirkung wie das Halbleiterbauteil A10.
  • Ferner ist der zweite Anschluss 2 (der zweite Pad-Abschnitt 210) dieser Ausführungsform näher an der Harz-Rückfläche 82 (der zl-Seite in z-Richtung) angeordnet als derjenige des Halbleiterbauteils A10 der ersten Ausführungsform. Folglich befindet sich der höchste Punkt des Drahtes 71, der an die Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderseite 211 gebondet ist, im Vergleich zur Konfiguration des Halbleiterbauteils A10 näher an der z1-Seite in der z-Richtung. Darüber hinaus befindet sich der dritte Anschluss 3 (der dritte Pad-Abschnitt 310) bei dieser Ausführungsform näher an der Harz-Rückfläche 82 (der zl-Seite in z-Richtung) als bei dem Halbleiterbauteil A10. Folglich befindet sich der höchste Punkt des Drahtes 72, der an die Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 311 gebondet ist, im Vergleich zur Konfiguration des Halbleiterbauteils A10 näher an der zl-Seite in z-Richtung. Diese Konfiguration stellt sicher, dass die Drähte 71 und 72 nicht von dem Dichtungsharz 8 freigelegt sind. Außerdem ermöglicht diese Konfiguration, dass das Dichtungsharz 8 eine kompaktere Dicke (eine Länge in z-Richtung) aufweist als die Konfiguration des Halbleiterbauteils A10.
  • Fünfte Ausführungsform:
  • 25 und 26 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A50 gemäß einer fünften Ausführungsform. 25 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A50 und entspricht 3. Der Einfachheit halber ist in 25 das Dichtungsharz 8 transparent dargestellt und der Umriss des Dichtungsharzes 8 mit einer gedachten Linie (zweipunktiggestrichelte Linie) angedeutet. 26 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A50 und entspricht 5. Das Halbleiterbauteil A50 der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 der ersten Ausführungsform durch die Positionen des ersten Terminals 120 und des zweiten Terminals 220 in y-Richtung. In Bezug auf die anderen Konfigurationen und Funktionen ist die vorliegende Ausführungsform ähnlich wie die erste Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform kann mit jeder Variante der ersten bis vierten Ausführungsform kombiniert werden.
  • Wie in 25 gezeigt, ist der erste Terminal 120 der vorliegenden Ausführungsform mit dem Ende der Montageabschnitt-Endfläche 114 auf der y1 -Seite in y-Richtung verbunden. Wie ebenfalls in 25 gezeigt, befindet sich der zweite Anschluss 2 auf der y2-Seite des ersten Terminals 120 in y-Richtung. Mit anderen Worten, die Positionen des ersten Terminals 120 und des zweiten Terminals 220 in dem Halbleiterbauteil A50 sind in der y-Richtung entgegengesetzt zu denen in dem Halbleiterbauteil A10.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 an der Harz-Endfläche 83 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Mit den oben beschriebenen Konfigurationen kann das Halbleiterbauteil A50 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen. Es wird bemerkt, dass der dritte Terminal 320 an der Harz-Endfläche 83 einen großen Abstand zum ersten Terminal 120 hat. Daher ist die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 ausreichend groß und stellt kein Problem dar. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A50 eine gemeinsame Konfiguration mit dem Halbleiterbauteil A10 und erzielt somit die gleiche Wirkung wie das Halbleiterbauteil A10.
  • Erste Variante:
  • 27 ist eine Vorderansicht eines Halbleiterbauteils A51 gemäß einer ersten Variante der fünften Ausführungsform und entspricht 5. Bei dem Halbleiterbauteil A51 befindet sich der dritte Anschluss 3 an der gleichen Position wie der erste Terminal 120 in z-Richtung. Das heißt, an der Harz-Endfläche 83 ist der dritte Terminal 320 weit von dem ersten Terminal 120 beabstandet. Diese Anordnung sorgt für eine ausreichende Kriechstrecke und ermöglicht Flexibilität bei der Bestimmung der Position des dritten Anschlusses 3 in z-Richtung.
  • Sechste Ausführungsform:
  • 28 und 29 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A60 gemäß einer sechsten Ausführungsform. 28 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A60 und entspricht der 3. Der Einfachheit halber ist in 28 das Dichtungsharz 8 transparent dargestellt und der Umriss des Dichtungsharzes 8 mit einer gedachten Linie (zweipunktiggestrichelte Linie) angedeutet. 29 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A60 und entspricht 5. Im Unterschied zu dem Halbleiterbauteil A50 der fünften Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A60 der vorliegenden Ausführungsform zusätzlich einen vierten Anschluss 4 auf. In Bezug auf die anderen Konfigurationen und Funktionen ist die vorliegende Ausführungsform ähnlich wie die fünfte Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform kann mit jeder Variante der ersten bis fünften Ausführungsform kombiniert werden.
  • Das Halbleiterbauteil A60 der vorliegenden Ausführungsform weist zusätzlich den vierten Anschluss 4 und einen Draht 73 auf. Der vierte Anschluss 4 ist elektrisch mit dem Halbleiterelement 6 verbunden. Wie in 28 gezeigt, ist der vierte Anschluss 4 von dem ersten Anschluss 1, dem zweiten Anschluss 2 und dem dritten Anschluss 3 beabstandet. Der vierte Anschluss 4 befindet sich zwischen dem zweiten Anschluss 2 und dem dritten Anschluss 3 in y-Richtung auf der xl-Seite des Montageabschnitts 110 des ersten Anschlusses 1 in x-Richtung. In z-Richtung befindet sich der vierte Anschluss 4 auf der z2-Seite des ersten Anschlusses 1, wie in 29 gezeigt. In der vorliegenden Ausführungsform befindet sich der vierte Anschluss 4 an der gleichen Position wie der zweite Anschluss 2 und der dritte Anschluss 3 in z-Richtung. Der vierte Anschluss 4 weist einen vierten Pad-Abschnitt 410 und einen vierten Terminal 420 auf.
  • Der vierte Pad-Abschnitt 410 ist ein Abschnitt, an den der Draht 73 gebondet ist, und hat eine rechteckige (oder im Wesentlichen rechteckige) Form, die in der y-Richtung, gesehen in der z-Richtung, länglich ist. Der vierte Pad-Abschnitt 410 hat eine Vierter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 411. Die Vierter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche 411 ist der z2-Seite in z-Richtung zugewandt und an den Draht 73 gebondet. Der Draht 73 ist in Bezug auf das Material, die Dicke und die Anzahl der vorzusehenden Drähte nicht spezifisch begrenzt. Der vierte Pad-Abschnitt 410 ist vollständig mit dem Dichtungsharz 8 bedeckt.
  • Der vierte Terminal 420 ist mit dem vierten Pad-Abschnitt 410 verbunden und somit über den vierten Pad-Abschnitt 410 und den Draht 73 elektrisch mit der zweiten Elektrode 64 (der Source-Elektrode) des Halbleiterelements 6 verbunden. Der vierte Terminal 420 dient als Source-Erfassungs-Anschluss des Halbleiterbauteils A60. Der vierte Terminal 420 hat eine Breite (eine Länge in y-Richtung), die kleiner ist als die Breite (die Länge in y-Richtung) des vierten Pad-Abschnitts 410. Darüber hinaus hat der vierte Terminal 420 eine Dicke (eine Länge in der z-Richtung), die der Dicke (der Länge in der z-Richtung) des vierten Pad-Abschnitts 410 und auch der Dicke des ersten Terminals 120 entspricht. Wie in 28 dargestellt, befindet sich der vierte Terminal 420 in der Mitte des vierten Pad-Abschnitts 410 in y-Richtung auf der xl-Seite in x-Richtung. Die Position des vierten Terminals 420 ist nicht speziell begrenzt. Der vierte Terminal 420 erstreckt sich in x-Richtung und weist einen aus dem Dichtungsharz 8 herausragenden Abschnitt auf. Die Form des vierten Anschlusses 4 ist jedoch nicht auf die oben beschriebene Form beschränkt.
  • Wie in 29 gezeigt, sind an der Harz-Endfläche 83 der erste Terminal 120, der zweite Terminal 220, der vierte Terminal 420 und der dritte Terminal 320 in y-Richtung voneinander beabstandet und in der angegebenen Reihenfolge von der y1-Seite zur y2-Seite angeordnet. An der Harz-Endfläche 83 ist außerdem der erste Terminal 120 von dem zweiten Terminal 220, dem dritten Terminal 320 und dem vierten Terminal 420 in z-Richtung beabstandet. An der Harz-Endfläche 83 befinden sich der zweite Terminal 220, der dritte Terminal 320 und der vierte Terminal 420 in z-Richtung an der gleichen Position. An der Harz-Endfläche 83 befindet sich der erste Terminal 120 auf der Seite der Harz-Rückfläche 82 in z-Richtung (die z2-Seite in z-Richtung) in Bezug auf den zweiten Terminal 220, den dritten Terminal 320 und den vierten Terminal 420.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Terminal 120 und der zweite Terminal 220 an der Harz-Endfläche 83 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke D zwischen dem ersten Terminal 120 und dem zweiten Terminal 220 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Mit den oben beschriebenen Konfigurationen kann das Halbleiterbauteil A60 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen. Es wird bemerkt, dass der dritte Terminal 320 und der vierte Terminal 420 auf der Harz-Endfläche 83 jeweils einen großen Abstand zum ersten Terminal 120 aufweisen. Daher ist die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und jedem von dem dritten Terminal 320 und dem vierten Terminal 420 entlang der Harz-Endfläche 83 ausreichend groß und stellt kein Problem dar. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A60 eine gemeinsame Konfiguration mit dem Halbleiterbauteil A10 und erzielt somit die gleiche Wirkung wie das Halbleiterbauteil A10.
  • Erste Variante:
  • 30 ist eine Vorderansicht eines Halbleiterbauteils A61 gemäß einer ersten Variante der sechsten Ausführungsform und entspricht 5. Bei dem Halbleiterbauteil A61 deckt sich der vierte Anschluss 4 mit dem ersten Terminal 120 in der Position in z-Richtung. Das heißt, an der Harz-Endfläche 83 ist der vierte Terminal 420 weit von dem ersten Terminal 120 beabstandet und hat somit eine ausreichende Kriechstrecke. Dies ermöglicht eine Flexibilität bei der Bestimmung der Position des vierten Anschlusses 4 in z-Richtung.
  • Obwohl die vorliegende Ausführungsform den Fall beschreibt, dass der erste Terminal 120, der zweite Terminal 220, der vierte Terminal 420 und der dritte Terminal 320 von der y1 -Seite zur y2 -Seite in der y-Richtung in der angegebenen Reihenfolge angeordnet sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. In einem anderen Beispiel kann der erste Terminal 120 zwischen dem zweiten Terminal 220 und dem vierten Terminal 420 in y-Richtung angeordnet sein.
  • Siebte Ausführungsform:
  • 31 und 32 sind Ansichten zur Veranschaulichung eines Halbleiterbauteils A70 gemäß einer siebten Ausführungsform. 31 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A70 und entspricht 3. Der Einfachheit halber ist in 31 das Dichtungsharz 8 transparent dargestellt und der Umriss des Dichtungsharzes 8 mit einer gedachten Linie (zweipunktiggestrichelte Linie) angedeutet. 32 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A70 und entspricht 5. Anders als das Halbleiterbauteil A10 der ersten Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A70 der vorliegenden Ausführungsform ein Halbleiterelement 6 eines anderen Typs auf und enthält nicht den zweiten Anschluss 2. In Bezug auf die anderen Konfigurationen und Funktionen ist die vorliegende Ausführungsform ähnlich wie die erste Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform kann mit jeder Variante der ersten bis sechsten Ausführungsform kombiniert werden.
  • Die vorliegende Ausführungsform weist eine Diode als Halbleiterelement 6 auf. Das Halbleiterelement 6 weist keine dritte Elektrode 65 auf der Element-Vorderfläche 61 auf. In der vorliegenden Ausführungsform ist die erste Elektrode 63 eine Kathodenelektrode und die zweite Elektrode 64 ist eine Anodenelektrode. Der erste Anschluss 1 der vorliegenden Ausführungsform hat eine ähnliche Form wie der erste Anschluss des Halbleiterbauteils A50 der fünften Ausführungsform und weist den ersten Terminal 120 auf, der mit dem Ende der Montageabschnitt-Endfläche 114 in y1-Richtung verbunden ist. Das Halbleiterbauteil A70 weist nicht den zweiten Anschluss 2 auf. Die erste Elektrode 63 des Halbleiterelements 6 ist über das Bondmaterial 69 an die Montageabschnitt-Vorderfläche 111 gebondet und elektrisch mit dem ersten Anschluss 1 verbunden. Der Draht 72 ist an die zweite Elektrode 64 des Halbleiterelements 6 und die Dritter-Pad-Vorderfläche 311 des dritten Anschlusses 3 verbunden. Dadurch ist die zweite Elektrode 64 des Halbleiterelements 6 elektrisch mit dem dritten Anschluss 3 verbunden. Der erste Terminal 120 des ersten Anschlusses 1, der elektrisch mit der ersten Elektrode 63 verbunden ist, dient als Kathodenterminal des Halbleiterbauteils A70. Der dritte Terminal 320 des dritten Anschlusses 3, der elektrisch mit der zweiten Elektrode 64 verbunden ist, dient als Anodenterminal des Halbleiterbauteils A70.
  • In der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Terminal 120 und der dritte Terminal 320 an der Harz-Endfläche 83 in y-Richtung und auch in z-Richtung voneinander beabstandet. Die Kriechstrecke zwischen dem ersten Terminal 120 und dem dritten Terminal 320 entlang der Harz-Endfläche 83 ist somit größer als die Kriechstrecke zwischen zwei Terminals, die sich an der gleichen Position in z-Richtung befinden. Mit den oben beschriebenen Konfigurationen kann das Halbleiterbauteil A70 eine höhere Durchschlagsfestigkeit erreichen. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A70 eine Konfiguration mit dem Halbleiterbauteil A10 gemeinsam und erzielt damit den gleichen Effekt wie das Halbleiterbauteil A10.
  • Obwohl die erste bis sechste Ausführungsform Beispiele beschreiben, bei denen das Halbleiterelement 6 ein Transistor ist, und die siebte Ausführungsform ein Beispiel beschreibt, bei dem das Halbleiterelement 6 eine Diode ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Der Typ des Halbleiterelements 6 ist nicht spezifisch begrenzt, und es können auch andere Typen von Halbleiterelementen, wie z. B. integrierte Schaltungen, verwendet werden. Auch wenn die erste bis siebte Ausführungsform den Fall beschreiben, dass zwei bis vier Terminals vorhanden sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Die Anzahl der aufzuweisenden Terminals ist nicht speziell begrenzt und kann entsprechend der Anzahl und Anordnung der auf der Element-Vorderfläche 61 des Halbleiterelements 6 angeordneten Elektroden bestimmt werden. Auch wenn die erste bis siebte Ausführungsform den Fall beschreiben, dass alle Terminals aus der Harz-Endfläche 83 herausragen, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Ein oder mehrere Terminals können von jeder der ersten Harzseitenfläche 84, der zweiten Harzseitenfläche 85 und der dritten Harzseitenfläche 86 vorstehen.
  • Die Halbleiterbauteile gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Konfiguration der einzelnen Teile eines Halbleiterbauteils gemäß der vorliegenden Offenbarung kann in geeigneter Weise gestaltet und auf verschiedene Weise geändert werden. Die vorliegende Offenbarung schließt die in den folgenden Klauseln beschriebenen Ausführungsformen mit ein.
  • Klausel 1.
  • Ein Halbleiterbauteil, das aufweist:
    • ein Halbleiterelement (6);
    • ein leitendes Element (5), das elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden ist; und
    • ein Dichtungsharz (8), das das Halbleiterelement bedeckt,
    • wobei das leitende Element Folgendes aufweist:
      • einen ersten Anschluss (1), der einen Montageabschnitt (110) aufweist, an dem das Halbleiterelement montiert ist, und einen ersten Terminal (120), der mit dem Montageabschnitt verbunden ist; und
      • einen zweiten Anschluss (2), der einen zweiten Terminal (220) aufweist,
      • sowohl der erste Terminal als auch der zweite Terminal einen Abschnitt aufweist, der von dem Dichtungsharz in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des Montageabschnitts vorsteht,
      • das Dichtungsharz aufweist:
    • eine Harz-Vorderfläche (81) und eine Harz-Rückfläche (82), die voneinander in der Dickenrichtung abgewandt sind; und
    • eine Harz-Endfläche (83), die mit der Harz-Vorderfläche und der Harz-Rückfläche verbunden ist und einer Richtung zugewandt ist, in der der erste Terminal und der zweite Terminal vorstehen, und
    • an der Harz-Endfläche der erste Terminal und der zweite Terminal in einer zweiten Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung voneinander beabstandet sind und in der Dickenrichtung voneinander beabstandet sind.
  • Klausel 2.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei der erste Terminal an der Harz-Endfläche in Bezug auf den zweiten Terminal in Richtung der Harz-Rückfläche in der Dickenrichtung versetzt ist.
  • Klausel 3 (zweite Ausführungsform, Fig. 18)
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 1 oder 2, wobei der erste Terminal einen ersten gebogenen Abschnitt (121), der gebogen ist und von dem Dichtungsharz freiliegt, und einen ersten Spitzenabschnitt (122) aufweist, der mit dem ersten gebogenen Abschnitt verbunden ist und sich in die erste Richtung erstreckt,
    der zweite Terminal einen zweiten gebogenen Abschnitt (221) aufweist, der gebogen ist und von dem Dichtungsharz freiliegt, und einen zweiten Spitzenabschnitt (222), der mit dem zweiten gebogenen Abschnitt verbunden ist und sich in die erste Richtung erstreckt, und
    der erste Spitzenabschnitt und der zweite Spitzenabschnitt sich in der Dickenrichtung an derselben Position befinden.
  • Klausel 4 (Dritte Ausführungsform, Fig. 21)
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 3, wobei der zweite Anschluss einen Pad-Abschnitt (210) aufweist, der mit dem zweiten Terminal verbunden und mit dem Dichtungsharz bedeckt ist,
    der zweite Terminal einen zweiten geraden Abschnitt (223) aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Verbindungsabschnitt (224), der mit dem Pad-Abschnitt und dem zweiten geraden Abschnitt verbunden ist,
    der zweite Verbindungsabschnitt mit dem Dichtungsharz bedeckt und relativ zu dem Pad-Abschnitt und dem zweiten geraden Abschnitt geneigt bzw. schräg ist, und
    der Pad-Abschnitt auf einer Seite der Harz-Rückfläche in der Dickenrichtung in Bezug auf den zweiten geraden Abschnitt angeordnet ist.
  • Klausel 5.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 4, das ferner ein Verbindungselement (71) aufweist, das mit dem Halbleiterelement und dem Pad-Abschnitt verbunden ist.
  • Klausel 6 (zweite Variante der ersten Ausführungsform, Fig. 10; vierte Ausführungsform, Fig. 24)
  • Das Halbleiterbauteil nach einem der Klauseln 1 bis 5, wobei der erste Terminal einen ersten geraden Abschnitt (123), der sich in der ersten Richtung erstreckt, und einen ersten Verbindungsabschnitt (124) aufweist, der mit dem Montageabschnitt und dem ersten geraden Abschnitt verbunden ist, und
    der erste Verbindungsabschnitt mit dem Dichtungsharz bedeckt ist und relativ zu dem Montageabschnitt und dem ersten geraden Abschnitt geneigt bzw.. schräg ist.
  • Klausel 7.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 6, wobei der Montageabschnitt eine Montageabschnitt-Vorderfläche (111) aufweist, an die das Halbleiterelement gebondet ist, und eine Montageabschnitt-Rückfläche (112), die von der Montageabschnitt-Vorderfläche in Dickenrichtung abgewandt ist, und
    die Montageabschnitt-Rückfläche von der Harz-Rückfläche freigelegt ist.
  • Klausel 8.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 7, wobei eine Abmessung des Montageabschnitts in der Dickenrichtung größer ist als eine Abmessung des ersten Terminals in der Dickenrichtung.
  • Klausel 9.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 8, wobei das Dichtungsharz folgendes aufweist
    eine erste Harz-Seitenfläche (84), die mit der Harz-Vorderfläche und der Harz-Rückfläche verbunden ist und von der Harz-Endfläche abgewandt ist; und
    eine zweite Harzseitenfläche (85) und eine dritte Harzseitenfläche (86), die mit der Harz-Vorderfläche, der Harz-Rückfläche, der Harz-Endfläche und der ersten Harz-Seitenfläche verbunden sind, und
    das leitende Element nicht von der ersten Harz-Seitenfläche, der zweiten Harz-Seitenfläche und der dritten Harz-Seitenfläche freigelegt ist.
  • Klausel 10.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 9, wobei das leitende Element einen dritten Anschluss (3) aufweist, der einen dritten Terminal (320) aufweist, und
    der dritte Terminal einen Abschnitt aufweist, der von der Harz-Endfläche vorsteht, und der dritte Terminal an der Harz-Endfläche von dem ersten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung beabstandet ist.
  • Klausel 11.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei an der Harz-Endfläche der dritte Terminal in der Dickenrichtung von dem ersten Terminal beabstandet ist und sich in Bezug auf den ersten Terminal in der Dickenrichtung auf derselben Seite wie der zweite Terminal angeordnet ist.
  • Klausel 12.
  • Das Halbleiterbauteil nach Klausel 10 oder 11, wobei sich der dritte Terminal an der Harz-Endfläche auf einer Seite befindet, die dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung in Bezug auf den ersten Terminal gegenüberliegt.
  • Klausel 13. (Sechste Ausführungsform, Fig. 28)
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 10 bis 12, wobei das leitende Element einen vierten Anschluss (4) aufweist, der einen vierten Terminal (420) enthält, und
    der vierte Terminal einen Abschnitt aufweist, der von der Harz-Endfläche vorsteht, und der vierte Terminal an der Harz-Endfläche von dem ersten Terminal oder dem dritten Terminal in der zweiten Richtung beabstandet ist.
  • Klausel 14.
  • Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 13, wobei das Halbleiterbauteil eine Element-Vorderfläche (61) und eine Element-Rückfläche (62) aufweist, die in Dickenrichtung voneinander abgewandt sind, eine erste Elektrode (63), die auf der Element-Rückfläche angeordnet ist, und eine zweite Elektrode (64), die auf der Element-Vorderfläche angeordnet ist,
    die erste Elektrode an den Montageabschnitt gebondet ist, und
    die zweite Elektrode elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist.
  • BEZUGSZEICHENLISTE
  • A10 bis A17, A20, A21, A30, A40
    Halbleiterbauteil
    A50, A51, A60, A61, A70
    Halbleiterbauteil
    5
    Leitendes Element
    1
    Erster Anschluss
    110
    Montageabschnitt
    111
    Montageabschnitt-Vorderfläche
    112
    Montageabschnitt-Rückfläche
    113
    Montageabschnitt-Durchgangsloch
    114
    Montageabschnitt-Endfläche
    115
    Rückflächen-Aussparung
    120
    Erster Terminal
    121
    Erster gebogener Abschnitt
    122
    Erster Spitzenabschnitt
    123
    Erster gerader Abschnitt
    124
    Erster Verbindungsabschnitt
    125
    Erster-Terminal-Rückfläche
    2
    Zweiter Anschluss
    210
    Zweiter Pad-Abschnitt
    211
    Zweiter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche
    212
    Zweiter-Pad-Abschnitt-Rückfläche
    220
    Zweiter Terminal
    221
    Zweiter gebogener Abschnitt
    222
    Zweiter Spitzenabschnitt
    223
    Zweiter gerader Abschnitt
    224
    Zweiter Verbindungsabschnitt
    3
    dritter Anschluss
    310
    Dritter Pad-Abschnitt
    311
    Dritter-Pad-Abschnitt-Vorderfläche
    312
    Dritter-Pad-Abschnitt-Rückfläche
    320
    Dritter Terminal
    321
    Dritter gebogener Teil
    322
    Dritter Spitzenabschnitt
    323
    Dritter gerader Abschnitt
    324
    Dritter Verbindungsabschnitt
    4
    Vierter Anschluss
    410
    Vierter Pad-Abschnitt
    411
    Vierter-Pad-Abschnitt Vorderfläche
    420
    Vierter Terminal
    6
    Halbleiterelement
    60
    Elementkörper
    61
    Element-Vorderfläche
    62
    Element-Rückfläche
    63
    Erste Elektrode
    64
    Zweite Elektrode
    65
    Dritte Elektrode
    69
    Bondmaterial
    71, 72, 73
    Draht
    8
    Dichtungsharz
    81
    Harz-Vorderfläche
    82
    Harz-Rückfläche
    83
    Harz-Endfläche
    84
    Erste Harz-Seitenfläche
    85
    Zweite Harz-Seitenfläche
    86
    Dritte Harz-Seitenfläche
    88
    Harz-Durchgangsloch

Claims (14)

  1. Halbleiterbauteil, das aufweist: ein Halbleiterelement; ein leitendes Element, das elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden ist; und ein Dichtungsharz, das das Halbleiterelement bedeckt, wobei das leitende Element Folgendes aufweist: einen ersten Anschluss, der einen Montageabschnitt aufweist, an dem das Halbleiterelement montiert ist, und einen ersten Terminal, der mit dem Montageabschnitt verbunden ist; und einen zweiten Anschluss, der einen zweiten Terminal aufweist, sowohl der erste Terminal als auch der zweite Terminal einen Abschnitt aufweist, der von dem Dichtungsharz in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des Montageabschnitts vorsteht, das Dichtungsharz aufweist: eine Harz-Vorderfläche und eine Harz-Rückfläche, die voneinander in der Dickenrichtung abgewandt sind; und eine Harz-Endfläche, die mit der Harz-Vorderfläche und der Harz-Rückfläche verbunden ist und einer Richtung zugewandt ist, in der der erste Terminal und der zweite Terminal vorstehen, und an der Harz-Endfläche der erste Terminal und der zweite Terminal in einer zweiten Richtung orthogonal zu der Dickenrichtung und zu der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und in der Dickenrichtung voneinander beabstandet sind.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei der erste Terminal an der Harz-Endfläche in Bezug auf den zweiten Terminal in Richtung der Harz-Rückfläche in der Dickenrichtung versetzt ist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Terminal einen ersten gebogenen Abschnitt, der gebogen ist und von dem Dichtungsharz freigelegt ist, und einen ersten Spitzenabschnitt aufweist, der mit dem ersten gebogenen Abschnitt verbunden ist und sich in die erste Richtung erstreckt, der zweite Terminal einen zweiten gebogenen Abschnitt aufweist, der gebogen ist und von dem Dichtungsharz freigelegt ist, und einen zweiten Spitzenabschnitt, der mit dem zweiten gebogenen Abschnitt verbunden ist und sich in die erste Richtung erstreckt, und der erste Spitzenabschnitt und der zweite Spitzenabschnitt sich in der Dickenrichtung an derselben Position befinden.
  4. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der zweite Anschluss einen Pad-Abschnitt aufweist, der mit dem zweiten Terminal verbunden und mit dem Dichtungsharz bedeckt ist, der zweite Terminal einen zweiten geraden Abschnitt aufweist, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Verbindungsabschnitt, der mit dem Pad-Abschnitt und dem zweiten geraden Abschnitt verbunden ist, der zweite Verbindungsabschnitt mit dem Dichtungsharz bedeckt ist und relativ zu dem Pad-Abschnitt und dem zweiten geraden Abschnitt geneigt ist, und der Pad-Abschnitt auf einer Seite der Harz-Rückfläche in der Dickenrichtung in Bezug auf den zweiten geraden Abschnitt angeordnet ist.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, das ferner ein Verbindungselement aufweist, das mit dem Halbleiterelement und dem Pad-Abschnitt verbunden ist.
  6. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der erste Terminal einen ersten geraden Abschnitt, der sich in der ersten Richtung erstreckt, und einen ersten Verbindungsabschnitt aufweist, der mit dem Montageabschnitt und dem ersten geraden Abschnitt verbunden ist, und der erste Verbindungsabschnitt mit dem Dichtungsharz bedeckt ist und relativ zu dem Montageabschnitt und dem ersten geraden Abschnitt geneigt ist.
  7. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Montageabschnitt eine Montageabschnitt-Vorderfläche, an die das Halbleiterelement gebondet ist, und eine Montageabschnitt-Rückfläche aufweist, die in Dickenrichtung von der Montageabschnitt-Vorderfläche abgewandt ist, und die Montageabschnitt-Rückfläche von der Harz-Rückfläche freigelegt ist.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei eine Abmessung des Montageabschnitts in der Dickenrichtung größer ist als eine Abmessung des ersten Terminals in der Dickenrichtung.
  9. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Dichtungsharz aufweist: eine erste Harz-Seitenfläche, die mit der Harz-Vorderfläche und der Harz-Rückfläche verbunden ist und von der Harz-Endfläche abgewandt ist; und eine zweite Harz-Seitenfläche und eine dritte Harz-Seitenfläche, die mit der Harz-Vorderfläche, der Harz-Rückfläche, der Harz-Endfläche und der ersten Harz-Seitenfläche verbunden sind, und das leitende Element nicht von der ersten Harz-Seitenfläche, der zweiten Harz-Seitenfläche und der dritten Harz-Seitenfläche freigelegt ist.
  10. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das leitende Element einen dritten Anschluss aufweist, der einen dritten Terminal aufweist, und der dritte Terminal einen Abschnitt aufweist, der von der Harz-Endfläche vorsteht, und der dritte Terminal an der Harz-Endfläche von dem ersten Terminal und dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung beabstandet ist.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei der dritte Terminal an der Harz-Endfläche von dem ersten Terminal in der Dickenrichtung beabstandet ist und in Bezug auf den ersten Terminal in der Dickenrichtung auf derselben Seite wie der zweite Terminal angeordnet ist.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 10 oder 11, wobei sich der dritte Terminal an der Harz-Endfläche auf einer Seite befindet, die dem zweiten Terminal in der zweiten Richtung in Bezug auf den ersten Terminal gegenüberliegt.
  13. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das leitende Element einen vierten Anschluss aufweist, der einen vierten Terminal aufweist, und der vierte Terminal einen Abschnitt aufweist, der von der Harz-Endfläche vorsteht, und der vierte Terminal an der Harz-Endfläche von dem ersten Terminal oder dem dritten Terminal in der zweiten Richtung beabstandet ist.
  14. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Halbleiterbauteil eine Element-Vorderfläche und eine Element-Rückfläche aufweist, die in Dickenrichtung voneinander abgewandt sind, eine erste Elektrode auf der Element-Rückfläche angeordnet ist und eine zweite Elektrode auf der Element-Vorderfläche angeordnet ist, die erste Elektrode an den Montageabschnitt gebondet ist, und die zweite Elektrode elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist.
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