WO2023149257A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2023149257A1
WO2023149257A1 PCT/JP2023/001891 JP2023001891W WO2023149257A1 WO 2023149257 A1 WO2023149257 A1 WO 2023149257A1 JP 2023001891 W JP2023001891 W JP 2023001891W WO 2023149257 A1 WO2023149257 A1 WO 2023149257A1
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WO
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conductive member
main surface
semiconductor device
semiconductor
terminal
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PCT/JP2023/001891
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English (en)
French (fr)
Inventor
克彦 吉原
Original Assignee
ローム株式会社
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in the document includes a plurality of first switching elements, a plurality of second switching elements, a first power terminal and a second power terminal.
  • the second power terminal has a first strip, a plurality of second strips, and an external connection.
  • the plurality of second strips and the plurality of second switching elements are individually connected by a plurality of second conductive wires.
  • a plurality of first conductive wires are individually connected to the plurality of first switching elements.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over conventional semiconductor devices.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can operate properly and can be downsized.
  • a semiconductor device provided by a first aspect of the present disclosure has a first main surface facing one side in a thickness direction, and is arranged on one side in a first direction orthogonal to the thickness direction.
  • a second conductive member having one conductive member and a second principal surface facing one side in the thickness direction, and electrically connected to the first principal surface and disposed on the other side in the first direction a first semiconductor element, a second semiconductor element conductively joined to the second main surface, a third conductive member, a fourth conductive member that electrically connects the first semiconductor element and the second conductive member, and a fifth conductive member that electrically connects the second semiconductor element and the third conductive member; parts of the first conductive member, the second conductive member, and the third conductive member; a sealing resin that covers the second semiconductor element, the fourth conductive member, and the fifth conductive member;
  • the third conductive member includes a third terminal projecting from the sealing resin to one side in the first direction, and an extending portion covered with the sealing resin.
  • the extending portion has a distance from the first main surface in the thickness direction smaller than a distance from the first main surface to the third terminal in the thickness direction, and a first part located between the first semiconductor element and the second semiconductor element in the above.
  • the fifth conductive member is connected to the second semiconductor element and the first portion, and the fourth conductive member straddles the first portion on one side in the thickness direction.
  • FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 3 is a side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view along line VV of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view along line VI-VI of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII--VII of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view along line VIII-VIII of FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 1.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view along line XI-XI of FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 14 is a plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 15 is a cross-sectional view along line XV-XV of FIG. 14.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI--XVI of FIG. 14.
  • a certain entity A is formed on a certain entity B” and “a certain entity A is formed on a certain entity B” mean “a certain entity A is formed on a certain entity B”. It includes "being directly formed in entity B” and “being formed in entity B while another entity is interposed between entity A and entity B”.
  • ⁇ an entity A is placed on an entity B'' and ⁇ an entity A is located on an entity B'' mean ⁇ an entity A is located on an entity B.'' It includes "directly placed on B” and "some entity A is placed on an entity B while another entity is interposed between an entity A and an entity B.”
  • ⁇ an object A is located on an object B'' means ⁇ an object A is adjacent to an object B and an object A is positioned on an object B. and "the thing A is positioned on the thing B while another thing is interposed between the thing A and the thing B".
  • ⁇ an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction'' means ⁇ an object A overlaps all of an object B'' and ⁇ an object A overlaps an object B.'' It includes "overlapping a part of a certain thing B".
  • a certain surface A faces (one side or the other side of) direction B is not limited to the case where the angle of surface A with respect to direction B is 90 °, and the surface A Including when it is tilted against.
  • First embodiment: 1 to 11 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A10 of this embodiment includes a first conductive member 11, a second conductive member 12, a third conductive member 13, a plurality of fourth conductive members 14, a plurality of fifth conductive members 15, and a plurality of first semiconductor elements 21. , a plurality of second semiconductor elements 22 and a sealing resin 50 .
  • the semiconductor device A10 also includes leads 171, leads 172, leads 181, leads 182, a plurality of dummy terminals 19, a plurality of first wires 41, a plurality of second wires 42, a plurality of third wires 43 and a plurality of fourth wires.
  • a wire 44 is provided.
  • the semiconductor device A10 converts a DC power supply voltage applied to a first terminal 112 and a third terminal 132, which will be described later, into AC power using the plurality of first semiconductor elements 21 and the plurality of second semiconductor elements 22.
  • the converted AC power is input to a power supply object such as a motor from a second terminal 122 which will be described later.
  • the semiconductor device A10 forms part of a power conversion circuit such as an inverter. Note that the application and specific configuration of the semiconductor device according to the present disclosure are not limited at all.
  • FIG. 1 is a plan view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 2 is a bottom view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 3 is a side view showing the semiconductor device A10.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view along line VV of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view along line VI-VI of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII--VII of FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view along line VIII-VIII of FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view along line IX-IX in FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 1.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view along line XI-XI of FIG.
  • the z-direction is an example of the "thickness direction.”
  • the x-direction is an example of a "first direction”
  • the y-direction is an example of a "second direction”.
  • the encapsulating resin 50 is indicated by imaginary lines.
  • the first conductive member 11 includes a first base material 111 , a first terminal 112 and a first pillow material 113 .
  • the first base material 111 is made of a conductive material and contains Cu (copper), for example.
  • the first base material 111 is arranged on one side in the x direction.
  • the first base material 111 has a first major surface 111A.
  • the first major surface 111A faces one side in the z direction. In the illustrated example, the first main surface 111A is a flat surface.
  • the first terminal 112 protrudes to one side in the x direction and has a portion exposed from the sealing resin 50, as shown in FIGS.
  • the first terminal 112 is arranged at a position shifted to one side in the x direction with respect to the first base material 111 .
  • the first terminal 112 is arranged at a position shifted to the other side in the y direction with respect to the first base material 111 .
  • the first terminal 112 is arranged on one side in the z direction with respect to the first main surface 111A and is separated from the first base material 111 .
  • the first terminal 112 overlaps the first main surface 111A when viewed in the z direction.
  • the composition of the first terminal 112 contains Cu (copper).
  • the first terminal 112 is provided with a first attachment hole 112A.
  • the first attachment hole 112A penetrates the first terminal 112 in the z direction.
  • the first pillow material 113 is interposed between the first base material 111 and the first terminal 112, as shown in FIGS.
  • the composition of the first pillow material 113 contains Cu (copper).
  • the first pillow material 113 is conductively joined to the first main surface 111A of the first base material 111 and the first terminals 112 .
  • the method of conductive joining is not limited at all, and a method using a conductive joining material such as solder, a method such as welding, or the like may be appropriately adopted.
  • the first base material 111 is supported by the supporting member 10A.
  • the support member 10A is located on the opposite side of the first base material 111 from the first major surface 111A.
  • the specific configuration of the support member 10A is not limited at all, and in the present embodiment, the support member 10A is composed of a DBC (Direct Bonded Copper) substrate.
  • the support member 10A includes an insulating layer 101, a support layer 102 and a heat dissipation layer 103. As shown in FIG.
  • the support member 10A is covered with a sealing resin 50 except for a part of the heat dissipation layer 103. As shown in FIG.
  • the insulating layer 101 includes a portion located between the support layer 102 and the heat dissipation layer 103 in the z direction.
  • the insulating layer 101 is made of a material with higher thermal conductivity.
  • Insulating layer 101 is made of, for example, ceramics containing aluminum nitride (AlN). The thickness of the insulating layer 101 is thinner than the thickness of the first base material 111 .
  • the support layer 102 is located between the insulating layer 101 and the first base material 111 in the z direction.
  • the composition of the support layer 102 includes copper (Cu).
  • the support layer 102 is surrounded by the periphery of the insulating layer 101 when viewed in the z-direction.
  • the support layer 102 is bonded to the first base material 111 via solder, for example.
  • the heat dissipation layer 103 is located on the opposite side of the support layer 102 with respect to the insulating layer 101 in the z direction. A portion of the heat dissipation layer 103 is exposed from the sealing resin 50 .
  • a heat sink (not shown) is bonded to the heat dissipation layer 103 when the semiconductor device A10 is used.
  • the composition of the heat dissipation layer 103 contains copper.
  • the heat dissipation layer 103 is surrounded by the periphery of the insulating layer 101 when viewed in the z-direction.
  • the second conductive member 12 includes a second base material 121 , second terminals 122 and a second pillow material 123 .
  • the second base material 121 is made of a conductive material and contains Cu (copper), for example.
  • the second base material 121 is arranged on the other side in the x direction.
  • the second base material 121 has a second major surface 121A.
  • the second main surface 121A faces one side in the z direction. In the illustrated example, the second major surface 121A is a flat surface.
  • the second terminal 122 protrudes to the other side in the x direction and has a portion exposed from the sealing resin 50.
  • the second terminal 122 is arranged at a position shifted to the other side in the x direction with respect to the second substrate 121 .
  • the center position of the second terminal 122 in the y-direction substantially coincides with the center position of the second base material 121 in the y-direction.
  • the second terminal 122 is arranged on one side in the z direction with respect to the second main surface 121A and is separated from the second base material 121 .
  • the second terminal 122 overlaps the second main surface 121A when viewed in the z direction.
  • the composition of the second terminal 122 contains Cu (copper).
  • the second terminal 122 is provided with a second mounting hole 122A.
  • the second attachment hole 122A penetrates the second terminal 122 in the z direction.
  • the second pillow material 123 is interposed between the second base material 121 and the second terminal 122, as shown in FIGS.
  • the composition of the second pillow material 123 contains Cu (copper).
  • the second pillow material 123 is conductively joined to the second main surface 121A of the second base material 121 and the second terminals 122 .
  • the method of conductive joining is not limited at all, and a method using a conductive joining material such as solder, a method such as welding, or the like may be appropriately adopted.
  • the second base material 121 is supported by the supporting member 10B.
  • the support member 10B is located on the opposite side of the second base material 121 from the second main surface 121A.
  • the specific configuration of the support member 10A is not limited at all, and in the present embodiment, the configuration is the same as that of the support member 10A, so the description thereof will be omitted.
  • First semiconductor element 21 The plurality of first semiconductor elements 21 are bonded to the first main surface 111A of the first base material 111, as shown in FIGS. 1 and 4 to 7. FIG. All of the plurality of first semiconductor elements 21 are the same element.
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are, for example, MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors).
  • the plurality of first semiconductor elements 21 may be field effect transistors including MISFETs (Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors) or bipolar transistors such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors).
  • the first semiconductor element 21 may be a diode.
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are n-channel type vertical MOSFETs.
  • the plurality of first semiconductor elements 21 includes compound semiconductor substrates.
  • the composition of the compound semiconductor substrate includes silicon carbide (SiC).
  • the plurality of first semiconductor elements 21 are arranged along the y direction.
  • the first semiconductor element 21 has a first back surface electrode 211 , a first main surface electrode 212 and a first gate electrode 213 .
  • the first rear surface electrode 211 faces the first main surface 111A of the first base material 111 .
  • a current corresponding to power before being converted by the first semiconductor element 21 flows through the first back electrode 211 . That is, the first rear surface electrode 211 corresponds to the drain electrode of the first semiconductor element 21 .
  • the first rear surface electrode 211 is conductively joined to the first main surface 111A via the conductive joining layer 29 . Therefore, the first rear surface electrodes 211 of the plurality of first semiconductor elements 21 are electrically connected to the first conductive member 11 .
  • Conductive bonding layer 29 is, for example, solder. Alternatively, the conductive bonding layer 29 may be a sintered metal containing silver or the like.
  • the first main surface electrode 212 is located on one side opposite to the first rear surface electrode 211 in the z direction. A current corresponding to the power converted by the first semiconductor element 21 flows through the first main surface electrode 212 . That is, the first principal surface electrode 212 corresponds to the source electrode of the first semiconductor element 21 .
  • the first gate electrode 213 is located on the same side (one side) as the first principal surface electrode 212 in the z direction. A gate voltage for driving the first semiconductor element 21 is applied to the first gate electrode 213 . As shown in FIG. 3, the area of the first gate electrode 213 is smaller than the area of the first main surface electrode 212 when viewed in the direction.
  • Second semiconductor element 22 The plurality of second semiconductor elements 22 are bonded to the second main surface 121A of the second base material 121, as shown in FIGS. 1 and 4-6.
  • the multiple second semiconductor elements 22 are the same elements as the multiple first semiconductor elements 21 . Therefore, the plurality of second semiconductor elements 22 are n-channel type vertical MOSFETs.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 may be field effect transistors including MISFETs (Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors) or bipolar transistors such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors).
  • MISFETs Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
  • IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistors
  • the second semiconductor element 22 may be a diode.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 are n-channel type vertical MOSFETs.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 include compound semiconductor substrates.
  • the composition of the compound semiconductor substrate includes silicon carbide (SiC).
  • a plurality of second semiconductor elements 22 are arranged along the y direction.
  • the plurality of second semiconductor elements 22 have second rear surface electrodes 221 , second main surface electrodes 222 and second gate electrodes 223 .
  • the second back surface electrode 221 faces the second main surface 121A of the second base material 121 .
  • a current corresponding to the power before being converted by the second semiconductor element 22 flows through the second back electrode 221 . That is, the second backside electrode 221 corresponds to the drain electrode of the second semiconductor element 22 .
  • the second back surface electrode 221 is conductively joined to the second main surface 121A via the conductive joining layer 29 . Therefore, the second back electrodes 221 of the plurality of second semiconductor elements 22 are electrically connected to the second conductive member 12 .
  • the second main surface electrode 222 is located on one side opposite to the second rear surface electrode 221 in the z direction. A current corresponding to the power converted by the second semiconductor element 22 flows through the second principal surface electrode 222 . That is, the second principal surface electrode 222 corresponds to the source electrode of the second semiconductor element 22 .
  • the second gate electrode 223 is located on the same side (one side) as the second principal surface electrode 222 in the z direction. A gate voltage for driving the second semiconductor element 22 is applied to the second gate electrode 223 .
  • the area of the second gate electrode 223 is smaller than the area of the second main surface electrode 222 when viewed in the z direction.
  • the third conductive member 13 includes an extension portion 131 and a third terminal 132, as shown in FIGS. 1, 2 and 4-7.
  • the third conductive member 13 is made of a conductive material, such as Cu (copper).
  • the third terminal 132 has a portion protruding from the sealing resin 50 to one side in the z direction.
  • the third terminal 132 is located on one side of the first terminal 112 in the y direction.
  • the third terminal 132 is arranged at a position shifted to one side in the x direction with respect to the second base member 121 .
  • the third terminal 132 is arranged on one side in the z direction with respect to the first main surface 111A and is separated from the first base material 111 .
  • the third terminal 132 overlaps the first main surface 111A when viewed in the z direction.
  • the third terminal 132 is provided with a third attachment hole 132A.
  • the third attachment hole 132A penetrates the third terminal 132 in the z direction.
  • the extending portion 131 extends from the third terminal 132 to the other side in the x direction and is covered with the sealing resin 50 .
  • the extending portion 131 of this embodiment includes a first portion 1311 , a second portion 1312 and a third portion 1313 .
  • the first portion 1311 has a distance z1 from the first main surface 111A in the z direction smaller than a distance z0 from the first main surface 111A to the third terminal 132 in the z direction. is.
  • the size of the distance z1 is, for example, 0.1 mm or more.
  • the first portion 1311 is positioned between the plurality of first semiconductor elements 21 and the plurality of second semiconductor elements 22 in the x-direction, as shown in FIGS.
  • the distance z1 is greater than the distance z2 from the first main surface 111A in the z direction to one side end of the first semiconductor element 21 in the z direction.
  • the distance z2 is approximately 0.5 mm
  • the distance z1 is approximately 0.8 mm to 1.2 mm.
  • the shape of the first part 1311 is not limited at all, and in the present embodiment, it has a shape extending in the y direction, for example, a flat belt shape.
  • the first portion 1311 overlaps the first main surface 111A (first base material 111) when viewed in the z direction.
  • the other x-direction edge of the first portion 1311 is located on one side in the x-direction from the other x-direction edge of the first main surface 111A.
  • the second part 1312 is connected to the third terminal 132.
  • the second portion 1312 extends along the x direction from the third terminal 132 to the other side in the x direction.
  • the shape of the second portion 1312 is not limited at all, and is, for example, a flat belt shape.
  • the distance from the first main surface 111A to the second portion 1312 in the z direction is the same as the distance z0.
  • the second part 1312 is positioned on one side in the y direction (on the right side in FIG. 1) with respect to the plurality of first semiconductor elements 21 .
  • the other edge of the second portion 1312 in the x direction is located on the other side in the x direction of the one edge of the first semiconductor element 21 in the x direction.
  • the third part 1313 is interposed between the first part 1311 and the second part 1312 .
  • the extending portion 131 has a bent shape when viewed in the y direction.
  • the third portion 1313 is part of the one side edge in the x direction of the first portion 1311 and is connected to a portion near the one side edge in the y direction.
  • Fourth conductive member 14 As shown in FIGS. 1, 5 and 7, the plurality of fourth conductive members 14 electrically connect the plurality of first semiconductor elements 21 and the second conductive members 12 individually. More specifically, the fourth conductive member 14 is connected to the first principal surface electrode 212 of the first semiconductor element 21 .
  • a specific configuration of the fourth conductive member 14 is not limited at all, and is, for example, a wire or ribbon containing a metal material. Metal materials include, for example, Cu (copper), Al (aluminum), and alloys thereof.
  • the fourth conductive member 14 of this example is a wire containing Cu (copper).
  • the number of fourth conductive members 14 is not limited at all, and in the illustrated example, two fourth conductive members 14 are connected to the first principal surface electrode 212 of one first semiconductor element 21 .
  • the fourth conductive member 14 straddles the first portion 1311 on one side in the z direction. That is, the fourth conductive member 14 has a portion located away from the first portion 1311 on one side in the z direction. In the illustrated example, the fourth conductive member 14 has a curved shape that straddles the first portion 1311 on one side in the z direction.
  • the plurality of fifth conductive members 15 electrically connect the plurality of first semiconductor elements 21 and the third conductive members 13 individually. More specifically, the fifth conductive member 15 is connected to the second principal surface electrode 222 of the second semiconductor element 22 .
  • the specific configuration of the plurality of fifth conductive members 15 is not limited at all, and may be, for example, wires and ribbons containing metal material, or members made of plate material.
  • the fifth conductive member 15 may be configured by a member separate from the third conductive member 13 , or may be formed integrally with the third conductive member 13 . In this embodiment, the fifth conductive member 15 is separate from the third conductive member 13, and is a wire containing Cu (copper), for example.
  • the number of fifth conductive members 15 is not limited at all, and in the illustrated example, two fifth conductive members 15 are connected to the second principal surface electrode 222 of one second semiconductor element 22 .
  • the plurality of fifth conductive members 15 are connected to the first portion 1311 of the extension portion 131 of the third conductive member 13 . As shown in FIG. 1, the plurality of fourth conductive members 14 and the plurality of fifth conductive members 15 are alternately arranged in the y direction. In the illustrated example, two fourth conductive members 14 and two fifth conductive members 15 are alternately arranged.
  • the lead 171 includes a first gate terminal 1711, a first gate wiring portion 1712 and a stepped portion 1713, as shown in FIGS.
  • the lead 171 is a so-called lead member and contains Cu (copper) in its composition, for example.
  • the first gate terminal 1711 is positioned outside the sealing resin 50 and functions as a gate terminal for operating the plurality of first semiconductor elements 21 of the semiconductor device A10.
  • the first gate wiring portion 1712 is located on one side in the x direction with respect to the plurality of first semiconductor elements 21, and is separated from the first main surface 111A of the first substrate 111 on one side in the z direction. .
  • the first gate wiring portion 1712 has a shape extending in the y direction.
  • the distance from the first main surface 111A to the first gate wiring portion 1712 in the z direction is smaller than the distance from the first main surface 111A to the first gate terminal 1711 in the z direction.
  • the first gate wiring portion 1712 and the first gate electrodes 213 of the plurality of first semiconductor elements 21 are individually conductively connected by the plurality of first wires 41 .
  • the first wire 41 is a wire containing Au (gold), for example.
  • the step portion 1713 is positioned between the first gate terminal 1711 and the first gate wiring portion 1712 . By having the step portion 1713, the lead 171 has a bent shape when viewed in the x direction.
  • the lead 181 includes a first detection terminal 1811, a first detection wiring portion 1812 and a stepped portion 1813, as shown in FIGS.
  • the lead 181 is a so-called lead member and contains, for example, Cu (copper) in its composition.
  • the first detection terminal 1811 is positioned outside the sealing resin 50 and functions as a detection terminal for detecting the operating state of the plurality of first semiconductor elements 21 of the semiconductor device A10.
  • the first detection wiring portion 1812 is positioned on one side in the x direction with respect to the first gate wiring portion 1712 and is separated from the first main surface 111A of the first substrate 111 on one side in the z direction.
  • the first detection wiring portion 1812 has a shape extending in the y direction.
  • the distance from the first main surface 111A to the first detection wiring portion 1812 in the z direction is smaller than the distance from the first main surface 111A to the first detection terminal 1811 in the z direction.
  • the first detection wiring portion 1812 and the first main surface electrodes 212 of the plurality of first semiconductor elements 21 are individually conductively connected by the plurality of second wires 42 .
  • the second wire 42 is a wire containing Au (gold), for example.
  • the step portion 1813 is positioned between the first detection terminal 1811 and the first detection wiring portion 1812 . By having the step portion 1813, the lead 181 has a bent shape when viewed in the x direction.
  • the lead 172 includes a second gate terminal 1721, a second gate wiring portion 1722 and a stepped portion 1723, as shown in FIGS.
  • the lead 172 is a so-called lead member and contains, for example, Cu (copper) in its composition.
  • the second gate terminal 1721 is located outside the sealing resin 50 and functions as a gate terminal for operating the plurality of second semiconductor elements 22 of the semiconductor device A10.
  • the second gate wiring portion 1722 is located on the other side in the x direction with respect to the plurality of second semiconductor elements 22, and is separated from the first main surface 111A of the first substrate 111 to one side in the z direction. .
  • the second gate wiring portion 1722 has a shape extending in the y direction.
  • the distance from the first main surface 111A to the second gate wiring portion 1722 in the z direction is smaller than the distance from the first main surface 111A to the second gate terminal 1721 in the z direction.
  • the second gate wiring portion 1722 and the second gate electrodes 223 of the plurality of second semiconductor elements 22 are individually conductively connected by the plurality of third wires 43 .
  • the third wire 43 is a wire containing Au (gold), for example.
  • the step portion 1723 is positioned between the second gate terminal 1721 and the second gate wiring portion 1722 . By having the step portion 1723, the lead 172 has a bent shape when viewed in the x direction.
  • the lead 182 includes a second detection terminal 1821, a second detection wiring portion 1822 and a stepped portion 1823, as shown in FIGS.
  • the lead 182 is a so-called lead member and contains, for example, Cu (copper) in its composition.
  • the second detection terminal 1821 is positioned outside the sealing resin 50 and functions as a detection terminal for detecting the operating state of the plurality of second semiconductor elements 22 of the semiconductor device A10.
  • the second detection wiring portion 1822 is located on the other side in the x direction with respect to the second gate wiring portion 1722 and is separated from the first main surface 111A of the first base material 111 to one side in the z direction.
  • the second detection wiring portion 1822 has a shape extending in the y direction.
  • the distance from the first main surface 111A to the second detection wiring portion 1822 in the z direction is smaller than the distance from the first main surface 111A to the second detection terminal 1821 in the z direction.
  • the second detection wiring portion 1822 and the second main surface electrodes 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 are electrically connected individually by the plurality of fourth wires 44 .
  • the fourth wire 44 is a wire containing Au (gold), for example.
  • the step portion 1823 is positioned between the second detection terminal 1821 and the second detection wiring portion 1822 . By having the step portion 1823, the lead 182 has a bent shape when viewed in the x direction.
  • Dummy terminal 19 The semiconductor device A10 further includes four dummy terminals 19, as shown in FIGS. Two of the four dummy terminals 19 are arranged on both sides of the first gate terminal 1711 and the first detection terminal 1811 in the x direction. The remaining two dummy terminals 19 are arranged on both sides of the second gate terminal 1721 and the second detection terminal 1821 in the x direction. Dummy terminal 19 is a metal lead made of a material containing copper or a copper alloy. A portion of each of the plurality of dummy terminals 19 is covered with a sealing resin. Portions of the plurality of dummy terminals 19 standing up in the z-direction are exposed from the sealing resin 50 .
  • the sealing resin 50 includes a first base material 111, a second base material 121, a plurality of fourth conductive members 14, a plurality of fifth conductive members 15, and a plurality of first semiconductor elements. 21 and a plurality of second semiconductor elements 22 . Further, the sealing resin 50 is partially formed of the first terminal 112, the second terminal 122, and the third terminal 132, the extending portion 131, the first gate wiring portion 1712, the first detection wiring portion 1812, and the second gate wiring. It covers the portion 1722 and the second detection wiring portion 1822 .
  • the sealing resin 50 has electrical insulation. Sealing resin 50 is made of a material containing, for example, black epoxy resin.
  • the sealing resin 50 has a top surface 51 , a bottom surface 52 , a first side surface 53 , a second side surface 54 , a third side surface and a fourth side surface 56 .
  • the top surface 51 is a surface facing one side in the z direction.
  • the bottom surface 52 is a surface facing the other side in the z direction.
  • the first side surface 53 is a surface facing one side in the x direction.
  • a first terminal 112 and a third terminal 132 protrude from the first side surface 53 .
  • the second side surface 54 is a surface facing the other side in the x direction.
  • a second terminal 122 protrudes from the second side surface 54 .
  • the third side surface 55 is a surface facing one side in the y direction.
  • the fourth side surface 56 is a surface facing the other side in the y direction.
  • a first gate terminal 1711 , a first detection terminal 1811 , a second gate terminal 1721 , a second detection terminal 1821 and a plurality of dummy terminals 19 protrude from the fourth side surface 56 .
  • the first portion 1311 is positioned between the plurality of first semiconductor elements 21 and the plurality of second semiconductor elements 22 in the z-direction. Also, the distance z1 from the first main surface 111A to the first portion 1311 in the z direction is smaller than the distance z0 from the first main surface 111A to the third terminal 132 in the z direction. Therefore, while avoiding contact or short-circuiting between the fourth conductive member 14 and the first portion 1311, the fourth conductive member 14 straddling the first portion 1311 on one side in the z-direction can move from the first main surface 111A to the z-direction. can be reduced. Therefore, the size of the semiconductor device A10 can be reduced while properly operating the semiconductor device A10.
  • the first part 1311 has a shape extending in the y direction. As a result, it is possible to secure a wider area for connecting the plurality of fifth conductive members 15 , and to avoid improper conduction between the fourth conductive member 14 and the fifth conductive member 15 .
  • the distance z1 from the first principal surface 111A to the first portion 1311 in the z direction is the distance from the first principal surface 111A to one end of the first semiconductor element 21 in the z direction. greater than z2. As a result, for example, it is possible to prevent the first portion 1311 from unduly interfering with the plurality of first semiconductor elements 21 .
  • the second portion 1312 is located on one side of the plurality of first semiconductor elements 21 in the y direction. Therefore, it is not necessary to secure a space for arranging the second part 1312 between the adjacent first semiconductor elements 21 . Therefore, it is preferable for miniaturization of the semiconductor device A10.
  • the extension part 131 has a bent shape with a third part 1313 . Accordingly, it is possible to prevent the extending portion 131 from increasing in size while arranging the first portion 1311 and the second portion 1312 at different positions in the z-direction.
  • the plurality of fifth conductive members 15 are separate from the extending portion 131 (first portion 1311) of the third conductive member 13, and are made of wires in this embodiment. With such a configuration, it is possible to reduce the width (diameter) of the fifth conductive member 15 . In addition, it is possible to connect to desired portions of the first portion 1311 and the second main surface electrode 222 of the second semiconductor element 22, which is preferable for suppressing interference with the fourth conductive member 14 and short circuit, for example.
  • the first portion 1311 overlaps the first main surface 111A when viewed in the z direction. Thereby, the space for connecting the plurality of fourth conductive members 14 to the second main surface 121A can be more easily secured.
  • the leads 171 , 181 , 172 and 182 each have a first gate wiring portion 1712 , a first detection wiring portion 1812 , a second gate wiring portion 1722 and a second detection wiring portion 1822 .
  • the first gate wiring portion 1712 is electrically connected to the first gate electrodes 213 of the plurality of first semiconductor elements 21 through the plurality of first wires 41 .
  • the first detection wiring portion 1812 is electrically connected to the first principal surface electrodes 212 of the plurality of first semiconductor elements 21 through the plurality of second wires 42 .
  • the second gate wiring portion 1722 is electrically connected to the second gate electrodes 223 of the plurality of second semiconductor elements 22 through the plurality of third wires 43 .
  • the second detection wiring portion 1822 is electrically connected to the second principal surface electrodes 222 of the plurality of second semiconductor elements 22 through the plurality of fourth wires 44 .
  • the first gate wiring portion 1712, the first detection wiring portion 1812, the second gate wiring portion 1722, and the second detection wiring portion 1822 are parts of the lead 171, the lead 181, the lead 172, and the lead 182, and 111 and away from the second substrate 121 in the z-direction. Accordingly, functions similar to those of the first gate wiring portion 1712, the first detection wiring portion 1812, the second gate wiring portion 1722, and the second detection wiring portion 1822 can be provided on the first main surface 111A and the second main surface 121A, for example. There is no need to form a wiring portion that fulfills the requirements. Therefore, complication of the structure of the semiconductor device A10 can be suppressed.
  • FIG. 12 shows a first modification of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A11 of this modified example differs from the example described above in the relationship between the first part 1311 and the first semiconductor element 21 .
  • the distance z1 from the first main surface 111A to the first portion 1311 in the z direction is greater than the distance z2 from the first main surface 111A to one side end of the first semiconductor element 21 in the z direction. is also small.
  • the distance z2 is approximately 0.5 mm
  • the distance z1 is approximately 0.1 mm to 0.3 mm.
  • the semiconductor device A11 can be downsized while properly operating the semiconductor device A11. Further, according to this modification, it is possible to further reduce the distance from the first main surface 111A in the z direction to the one side end of the fourth conductive member 14 in the z direction. This is advantageous for miniaturization of the semiconductor device A11.
  • FIG. 13 shows a second modification of the semiconductor device A10.
  • the relationship between the first part 1311 and the first base material 111 and the second base material 121 is different from the example described above.
  • the first portion 1311 overlaps the second main surface 121A (second base material 121) when viewed in the z direction. Further, in the illustrated example, one edge of the first portion 1311 in the x direction overlaps with one edge of the second principal surface 121A in the x direction, or one edge of the second principal surface 121A in the x direction overlaps with the edge of the second principal surface 121A in the x direction. It is positioned on the other side in the x-direction from the side edge.
  • the first portion 1311 may overlap the first main surface 111A or the second main surface 121A when viewed in the z direction. good too.
  • FIG. 14 to 16 show a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A20 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the third conductive member 13 and the plurality of fifth conductive members 15 .
  • FIG. 14 is a plan view showing the semiconductor device A20.
  • 15 is a cross-sectional view along line XV-XV of FIG. 14.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI--XVI of FIG. 14.
  • the plurality of fifth conductive members 15 are formed integrally with the third conductive member 13. More specifically, the plurality of fifth conductive members 15 have a shape extending from the third conductive member 13 to the other side in the x direction. The multiple fifth conductive members 15 are arranged in the y direction. The distance from the first main surface 111A and the second main surface 121A to the plurality of fifth conductive members 15 in the z direction is the same as the distance from the first main surface 111A to the first portion 1311 in the z direction.
  • the fifth conductive member 15 is joined to the second main surface electrode 222 of the second semiconductor element 22 by a conductive joining layer 28, for example.
  • the conductive bonding layer 28 is solder, for example.
  • the conductive bonding layer 28 may be a sintered metal containing silver or the like.
  • the semiconductor device A20 can be miniaturized while properly operating the semiconductor device A20.
  • the fifth conductive member 15 may be formed integrally with the first portion 1311 of the third conductive member 13 .
  • the resistance can be further reduced by integrally forming the fifth conductive member 15 with the third conductive member 13 by a so-called lead member.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in various ways.
  • the present disclosure includes embodiments set forth in the following appendices.
  • Appendix 1 a first conductive member having a first main surface facing one side in the thickness direction and arranged on one side in a first direction orthogonal to the thickness direction; a second conductive member having a second main surface facing one side in the thickness direction and arranged on the other side in the first direction; a first semiconductor element electrically connected to the first main surface; a second semiconductor element electrically connected to the second main surface; a third conductive member; a fourth conductive member that electrically connects the first semiconductor element and the second conductive member; a fifth conductive member that electrically connects the second semiconductor element and the third conductive member; covering parts of each of the first conductive member, the second conductive member and the third conductive member, and the first semiconductor element, the second semiconductor element, the fourth conductive
  • Appendix 2 The semiconductor device according to appendix 1, wherein the first portion has a shape extending in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction.
  • Appendix 3. comprising a plurality of the first semiconductor elements arranged in the second direction;
  • Appendix 4. comprising a plurality of the second semiconductor elements arranged in the second direction;
  • the first conductive member includes a first terminal that protrudes from the sealing resin to one side in the first direction and is positioned on the other side in the second direction with respect to the third terminal.
  • Appendix 14. 14 The semiconductor device according to appendix 13, wherein the second conductive member includes a second terminal projecting from the sealing resin to the other side in the first direction.
  • Appendix 15. The semiconductor device according to any one of Appendixes 4 to 14, wherein the first portion overlaps the first main surface when viewed in the thickness direction.
  • Appendix 17. 17. The semiconductor device according to any one of appendices 1 to 16, wherein the first semiconductor element and the second semiconductor element are switching elements.
  • A10, A11, A12, A20 semiconductor devices 10A, 10B: support member 11: first conductive member 12: second conductive member 13: third conductive member 14: fourth conductive member 15: fifth conductive member 19: dummy terminal 21: First semiconductor element 22: Second semiconductor element 28: Conductive bonding layer 29: Conductive bonding layer 41: First wire 42: Second wire 43: Third wire 44: Fourth wire 50: Sealing resin 51: Top Surface 52: Bottom surface 53: First side surface 54: Second side surface 55: Third side surface 56: Fourth side surface 101: Insulating layer 102: Support layer 103: Heat dissipation layer 111: First base material 111A: First main surface 112: First Terminal 112A: First Mounting Hole 113: First Pillow 121: Second Base Material 121A: Second Main Surface 122: Second Terminal 122A: Second Mounting Hole 123: Second Pillow 131: Extension 132 : third terminal 132A: third mounting holes 171, 172, 181, 182: lead 211: first rear surface electrode 212:

Landscapes

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Abstract

半導体装置は、第１導電部材と、前記第１導電部材から第１方向に離間した第２導電部材と、前記第１導電部材に接合された第１半導体素子と、前記第２導電部材に接合された第２半導体素子と、第３導電部材と、前記第１半導体素子を前記第２導電部材に接続する第４導電部材と、前記第２半導体素子を前記第３導電部材に接続する第５導電部材と、を備える。前記第３導電部材は、前記第１方向において前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間に位置する第１部を含み、前記第１部は厚さ方向において前記第１導電部材に対向している。前記第５導電部材の一端は、前記第１部に接合されている。前記第４導電部材は、前記第１部を跨いでいる。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　従来、スイッチング素子等の半導体素子を備えた半導体装置が知られている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、複数の第１スイッチング素子、複数の第２スイッチング素子、第１電源端子および第２電源端子を備える。第２電源端子は、第１帯状部、複数の第２帯状部、および外部接続部を有する。複数の第２帯状部と複数の第２スイッチング素子とは、複数の第２導通ワイヤによって個別に接続されている。また、複数の第１スイッチング素子には、複数の第１導通ワイヤが個別に接続されている。
再表２０１９／０９８３６８号公報
　半導体装置を適切に動作させるには、第２電源端子と、第１導通ワイヤとの絶縁を適切に確保することが望ましい。また、半導体装置は、小型化の要請が強い。
　本開示は、従来よりも改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、適切に動作させつつ小型化を図ることが可能な半導体装置を提供することを一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面を有し、前記厚さ方向と直交する第１方向の一方側に配置された、第１導電部材と、前記厚さ方向の一方側を向く第２主面を有し、前記第１方向の他方側に配置された、第２導電部材と、前記第１主面に導通接合された第１半導体素子と、前記第２主面に導通接合された第２半導体素子と、第３導電部材と、前記第１半導体素子と前記第２導電部材とを導通させる第４導電部材と、前記第２半導体素子と前記第３導電部材とを導通させる第５導電部材と、前記第１導電部材、前記第２導電部材および前記第３導電部材の一部ずつと、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第４導電部材および前記第５導電部材と、を覆う封止樹脂と、を備える。前記第３導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の一方側に突出する第３端子と、前記封止樹脂に覆われた延出部と、を含む。前記延出部は、前記厚さ方向における前記第１主面からの距離が、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第３端子までの距離よりも小であり、且つ前記第１方向において前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間に位置する第１部を含む。前記第５導電部材は、前記第２半導体素子と前記第１部とに接続されており、前記第４導電部材は、前記第１部を前記厚さ方向の一方側に跨いでいる。
　上記構成によれば、適切に動作させつつ小型化を図ることが可能な半導体装置を提供することができる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す側面図である。 図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図１のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図１のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す断面図である。 図１３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す断面図である。 図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
　第１実施形態：
　図１～図１１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、第１導電部材１１、第２導電部材１２、第３導電部材１３、複数の第４導電部材１４、複数の第５導電部材１５、複数の第１半導体素子２１、複数の第２半導体素子２２および封止樹脂５０を備える。また、半導体装置Ａ１０は、リード１７１、リード１７２、リード１８１、リード１８２、複数のダミー端子１９、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および複数の第４ワイヤ４４を備える。半導体装置Ａ１０は、後述の第１端子１１２および第３端子１３２に印加された直流の電源電圧を、複数の第１半導体素子２１、および複数の第２半導体素子２２により交流電力に変換する。変換された交流電力は、後述の第２端子１２２からモータなどの電力供給対象に入力される。半導体装置Ａ１０は、インバータなどの電力変換回路の一部を構成する。なお、本開示に係る半導体装置の用途や具体的構成は、何ら限定されない。
　図１は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図３は、半導体装置Ａ１０を示す側面図である。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図１のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図１のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図１のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。これらの図において、ｚ方向は、「厚さ方向」の一例である。また、ｘ方向は、「第１方向」の一例であり、ｙ方向は、「第２方向」の一例である。図１においては、封止樹脂５０を想像線で示している。
　第１導電部材１１：
　第１導電部材１１は、第１基材１１１、第１端子１１２および第１枕材１１３を含む。第１基材１１１は、導電性材料からなり、たとえばＣｕ（銅）を含む。第１基材１１１は、ｘ方向の一方側に配置されている。第１基材１１１は、第１主面１１１Ａを有する。第１主面１１１Ａは、ｚ方向の一方側を向く。図示された例においては、第１主面１１１Ａは、平坦面である。
　第１端子１１２は、図１、図２および図６に示すように、ｘ方向の一方側に突出しており、封止樹脂５０から露出した部位を有する。第１端子１１２は、第１基材１１１に対してｘ方向の一方側にシフトした位置に配置されている。また、第１端子１１２は、第１基材１１１に対してｙ方向の他方側にシフトした位置に配置されている。第１端子１１２は、第１主面１１１Ａに対してｚ方向の一方側に配置されており、第１基材１１１から離れている。第１端子１１２は、ｚ方向に視て第１主面１１１Ａに重なっている。第１端子１１２の組成は、Ｃｕ（銅）を含む。第１端子１１２には、第１取付け孔１１２Ａが設けられている。第１取付け孔１１２Ａは、第１端子１１２をｚ方向に貫通している。
　第１枕材１１３は、図１および図６に示すように、第１基材１１１と第１端子１１２との間に介在している。第１枕材１１３の組成は、Ｃｕ（銅）を含む。第１枕材１１３は、第１基材１１１の第１主面１１１Ａおよび第１端子１１２に導通接合されている。導通接合の手法は何ら限定されず、はんだ等の導電性接合材を用いた手法、溶接等の手法、等を適宜採用すればよい。
　本実施形態においては、図１、図２および図４～図９に示すように、第１基材１１１は、支持部材１０Ａによって支持されている。支持部材１０Ａは、第１基材１１１に対して第１主面１１１Ａとは反対側に位置している。支持部材１０Ａの具体的構成は何ら限定されず、本実施形態においては、支持部材１０Ａは、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板から構成される。支持部材１０Ａは、絶縁層１０１、支持層１０２および放熱層１０３を含む。支持部材１０Ａは、放熱層１０３の一部を除き封止樹脂５０に覆われている。
　絶縁層１０１は、ｚ方向において支持層１０２と放熱層１０３との間に位置する部分を含む。絶縁層１０１は、熱伝導率がより高い材料からなる。絶縁層１０１は、たとえば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むセラミックスからなる。絶縁層１０１の厚さは、第１基材１１１の厚さよりも薄い。
　支持層１０２は、ｚ方向において絶縁層１０１と、第１基材１１１との間に位置する。支持層１０２の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。ｚ方向に視て、支持層１０２は、絶縁層１０１の周縁に囲まれている。支持層１０２は、第１基材１１１に、たとえばはんだを介して接合されている。
　放熱層１０３は、ｚ方向において絶縁層１０１を基準として支持層１０２とは反対側に位置する。放熱層１０３の一部は、封止樹脂５０から露出している。半導体装置Ａ１０の使用の際、放熱層１０３には、たとえばヒートシンク（図示略）が接合される。放熱層１０３の組成は、銅を含む。ｚ方向に視て、放熱層１０３は、絶縁層１０１の周縁に囲まれている。
　第２導電部材１２：
　第２導電部材１２は、第２基材１２１、第２端子１２２および第２枕材１２３を含む。第２基材１２１は、導電性材料からなり、たとえばＣｕ（銅）を含む。第２基材１２１は、ｘ方向の他方側に配置されている。第２基材１２１は、第２主面１２１Ａを有する。第２主面１２１Ａは、ｚ方向の一方側を向く。図示された例においては、第２主面１２１Ａは、平坦面である。
　第２端子１２２は、図１～図６に示すように、ｘ方向の他方側に突出しており、封止樹脂５０から露出した部位を有する。第２端子１２２は、第２基材１２１に対してｘ方向の他方側にシフトした位置に配置されている。また、第２端子１２２は、ｙ方向の中心位置が、第２基材１２１のｙ方向の中心位置とほぼ一致している。第２端子１２２は、第２主面１２１Ａに対してｚ方向の一方側に配置されており、第２基材１２１から離れている。第２端子１２２は、ｚ方向に視て第２主面１２１Ａに重なっている。第２端子１２２の組成は、Ｃｕ（銅）を含む。第２端子１２２には、第２取付け孔１２２Ａが設けられている。第２取付け孔１２２Ａは、第２端子１２２をｚ方向に貫通している。
　第２枕材１２３は、図１および図４～図６に示すように、第２基材１２１と第２端子１２２との間に介在している。第２枕材１２３の組成は、Ｃｕ（銅）を含む。第２枕材１２３は、第２基材１２１の第２主面１２１Ａおよび第２端子１２２に導通接合されている。導通接合の手法は何ら限定されず、はんだ等の導電性接合材を用いた手法、溶接等の手法、等を適宜採用すればよい。
　本実施形態においては、図１、図２、図４～図６、図１０および図１１に示すように、第２基材１２１は、支持部材１０Ｂによって支持されている。支持部材１０Ｂは、第２基材１２１に対して第２主面１２１Ａとは反対側に位置している。支持部材１０Ａの具体的構成は何ら限定されず、本実施形態においては、支持部材１０Ａと同様の構成であり、その説明を省略する。
　第１半導体素子２１：
　複数の第１半導体素子２１は、図１および図４～図７に示すように、第１基材１１１の第１主面１１１Ａに接合されている。複数の第１半導体素子２１は、いずれも同一の素子である。複数の第１半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、複数の第１半導体素子２１は、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む電界効果トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタでもよい。また、第１半導体素子２１は、本実施形態とは異なり、ダイオードであってもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、複数の第１半導体素子２１は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。複数の第１半導体素子２１は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。複数の第１半導体素子２１は、ｙ方向に沿って配列されている。
　第１半導体素子２１は、第１裏面電極２１１、第１主面電極２１２および第１ゲート電極２１３を有する。
　第１裏面電極２１１は、第１基材１１１の第１主面１１１Ａに対向している。第１裏面電極２１１には、第１半導体素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１裏面電極２１１は、第１半導体素子２１のドレイン電極に相当する。第１裏面電極２１１は、導電接合層２９を介して第１主面１１１Ａに導電接合されている。したがって、複数の第１半導体素子２１の第１裏面電極２１１は、第１導電部材１１に導通している。導電接合層２９は、たとえばハンダである。この他、導電接合層２９は、銀などを含む焼結金属でもよい。
　第１主面電極２１２は、ｚ方向において第１裏面電極２１１とは反対側の一方側に位置する。第１主面電極２１２には、第１半導体素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１主面電極２１２は、第１半導体素子２１のソース電極に相当する。
　第１ゲート電極２１３は、ｚ方向において第１主面電極２１２と同じ側（一方側）に位置する。第１ゲート電極２１３には、第１半導体素子２１を駆動するためのゲート電圧が印加される。図３に示すように、方向に視て、第１ゲート電極２１３の面積は、第１主面電極２１２の面積よりも小さい。
　第２半導体素子２２：
　複数の第２半導体素子２２は、図１および図４～図６に示すように、第２基材１２１の第２主面１２１Ａに接合されている。複数の第２半導体素子２２は、複数の第１半導体素子２１と同一の素子である。したがって、複数の第２半導体素子２２は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴである。この他、複数の第２半導体素子２２は、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む電界効果トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタでもよい。また、第２半導体素子２２は、本実施形態とは異なり、ダイオードであってもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、複数の第２半導体素子２２は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。複数の第２半導体素子２２は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。複数の第２半導体素子２２は、ｙ方向に沿って配列されている。
　複数の第２半導体素子２２は、第２裏面電極２２１、第２主面電極２２２および第２ゲート電極２２３を有する。
　第２裏面電極２２１は、第２基材１２１の第２主面１２１Ａに対向している。第２裏面電極２２１には、第２半導体素子２２により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２裏面電極２２１は、第２半導体素子２２のドレイン電極に相当する。第２裏面電極２２１は、導電接合層２９を介して第２主面１２１Ａに導電接合されている。したがって、複数の第２半導体素子２２の第２裏面電極２２１は、第２導電部材１２に導通している。
　第２主面電極２２２は、ｚ方向において第２裏面電極２２１とは反対側の一方側に位置する。第２主面電極２２２には、第２半導体素子２２により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２主面電極２２２は、第２半導体素子２２のソース電極に相当する。
　第２ゲート電極２２３は、ｚ方向において第２主面電極２２２と同じ側（一方側）に位置する。第２ゲート電極２２３には、第２半導体素子２２を駆動するためのゲート電圧が印加される。ｚ方向に視て、第２ゲート電極２２３の面積は、第２主面電極２２２の面積よりも小さい。
　第３導電部材１３：
　第３導電部材１３は、図１、図２、図４～図７に示すように、延出部１３１および第３端子１３２を含む。第３導電部材１３は、導電性材料からなり、たとえばＣｕ（銅）を含む。
　第３端子１３２は、封止樹脂５０からｚ方向の一方側に突出した部位を有する。第３端子１３２は、第１端子１１２に対してｙ方向の一方側に位置する。第３端子１３２は、第２基材１２１に対してｘ方向の一方側にシフトした位置に配置されている。第３端子１３２は、第１主面１１１Ａに対してｚ方向の一方側に配置されており、第１基材１１１から離れている。第３端子１３２は、ｚ方向に視て第１主面１１１Ａに重なっている。第３端子１３２には、第３取付け孔１３２Ａが設けられている。第３取付け孔１３２Ａは、第３端子１３２をｚ方向に貫通している。
　延出部１３１は、第３端子１３２からｘ方向の他方側に延出しており、封止樹脂５０によって覆われている。本実施形態の延出部１３１は、第１部１３１１、第２部１３１２および第３部１３１３を含む。
　第１部１３１１は、図４および図５に示すように、ｚ方向における第１主面１１１Ａからの距離ｚ１が、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第３端子１３２までの距離ｚ０よりも小である。距離ｚ１の大きさは、たとえば０．１ｍｍ以上である。第１部１３１１は、図１、図２、図４～図７に示すように、ｘ方向において複数の第１半導体素子２１と複数の第２半導体素子２２との間に位置する。図５に示すように、図示された例においては、距離ｚ１は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１半導体素子２１のｚ方向の一方側端までの距離ｚ２よりも大きい。たとえば、距離ｚ２が０．５ｍｍ程度であるのに対し、距離ｚ１は、０．８ｍｍ～１．２ｍｍ程度である。
　第１部１３１１の形状は何ら限定されず、本実施形態においては、ｙ方向に延びる形状であって、たとえば平坦な帯状である。図示された例においては、第１部１３１１は、ｚ方向に視て、第１主面１１１Ａ（第１基材１１１）と重なる。また、図示された例においては、第１部１３１１のｘ方向の他方側端縁は、第１主面１１１Ａのｘ方向の他方側端縁よりもｘ方向の一方側に位置している。
　第２部１３１２は、第３端子１３２に繋がっている。第２部１３１２は、第３端子１３２からｘ方向の他方側にｘ方向に沿って延びている。第２部１３１２の形状は何ら限定されず、たとえば平坦な帯状である。ｚ方向における第１主面１１１Ａから第２部１３１２までの距離は、距離ｚ０と同じである。第２部１３１２は、複数の第１半導体素子２１に対してｙ方向の一方側（図１における図中右側）に位置している。第２部１３１２のｘ方向の他方側端縁は、第１半導体素子２１のｘ方向の一方側端縁よりもｘ方向の他方側に位置している。
　第３部１３１３は、第１部１３１１と第２部１３１２との間に介在している。第３部１３１３を有することにより、延出部１３１は、ｙ方向に視て屈曲形状である。図示された例においては、第３部１３１３は、第１部１３１１のｘ方向の一方側端縁の一部であって、ｙ方向の一方側端寄りの部分に繋がっている。
　第４導電部材１４：
　複数の第４導電部材１４は、図１、図５および図７に示すように、複数の第１半導体素子２１と第２導電部材１２とを個別に導通させている。より具体的には、第４導電部材１４は、第１半導体素子２１の第１主面電極２１２に接続されている。第４導電部材１４の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属材料を含むワイヤおよびリボン等である。金属材料は、たとえば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミ）等やこれらの合金等を含む。本例の第４導電部材１４は、Ｃｕ（銅）を含むワイヤである。第４導電部材１４の個数は何ら限定されず、図示された例においては、１つの第１半導体素子２１の第１主面電極２１２に２つの第４導電部材１４が接続されている。
　第４導電部材１４は、第１部１３１１をｚ方向の一方側に跨いでいる。すなわち、第４導電部材１４は、第１部１３１１に対してｚ方向の一方側に離れて位置する部位を有する。図示された例においては、第４導電部材１４は、第１部１３１１をｚ方向の一方側に跨ぐ湾曲形状である。
　第５導電部材１５：
　複数の第５導電部材１５は、図１、図４、図６および図７に示すように、複数の第１半導体素子２１と第３導電部材１３とを個別に導通させている。より具体的には、第５導電部材１５は、第２半導体素子２２の第２主面電極２２２に接続されている。複数の第５導電部材１５の具体的構成は何ら限定されず、たとえば金属材料を含むワイヤおよびリボン、あるいは板材料からなる部材等である。第５導電部材１５は、第３導電部材１３と別体の部材によって構成されていてもよいし、第３導電部材１３と一体的に形成されていてもよい。本実施形態においては、第５導電部材１５は、第３導電部材１３とは別体であり、たとえばＣｕ（銅）を含むワイヤである。第５導電部材１５の個数は何ら限定されず、図示された例においては、１つの第２半導体素子２２の第２主面電極２２２に２つの第５導電部材１５が接続されている。
　複数の第５導電部材１５は、第３導電部材１３の延出部１３１の第１部１３１１に接続されている。図１に示すように、複数の第４導電部材１４と複数の第５導電部材１５とは、ｙ方向において交互に配置されている。図示された例においては、２つずつの第４導電部材１４と２つずつの第５導電部材１５とが、交互に配置されている。
　リード１７１，１８１：
　リード１７１は、図１～図６および図９に示すように、第１ゲート端子１７１１、第１ゲート配線部１７１２および段差部１７１３を含む。リード１７１は、いわゆるリード部材であり、組成にたとえばＣｕ（銅）を含む。第１ゲート端子１７１１は、封止樹脂５０の外部に位置しており、半導体装置Ａ１０の複数の第１半導体素子２１を動作させるためのゲート端子として機能する。第１ゲート配線部１７１２は、複数の第１半導体素子２１に対してｘ方向の一方側に位置しており、第１基材１１１の第１主面１１１Ａからｚ方向の一方側に離れている。第１ゲート配線部１７１２は、ｙ方向に延びた形状である。ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１ゲート配線部１７１２までの距離は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１ゲート端子１７１１までの距離よりも小さい。第１ゲート配線部１７１２と、複数の第１半導体素子２１の第１ゲート電極２１３とは、複数の第１ワイヤ４１によって個別に導通接続されている。第１ワイヤ４１は、たとえばＡｕ（金）を含むワイヤである。段差部１７１３は、第１ゲート端子１７１１と第１ゲート配線部１７１２との間に位置している。段差部１７１３を有することにより、リード１７１は、ｘ方向に視て屈曲形状である。
　リード１８１は、図１～図６および図８に示すように、第１検出端子１８１１、第１検出配線部１８１２および段差部１８１３を含む。リード１８１は、いわゆるリード部材であり、組成にたとえばＣｕ（銅）を含む。第１検出端子１８１１は、封止樹脂５０の外部に位置しており、半導体装置Ａ１０の複数の第１半導体素子２１の動作状態を検出するための検出端子として機能する。第１検出配線部１８１２は、第１ゲート配線部１７１２に対してｘ方向の一方側に位置しており、第１基材１１１の第１主面１１１Ａからｚ方向の一方側に離れている。第１検出配線部１８１２は、ｙ方向に延びた形状である。ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１検出配線部１８１２までの距離は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１検出端子１８１１までの距離よりも小さい。第１検出配線部１８１２と、複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２とは、複数の第２ワイヤ４２によって個別に導通接続されている。第２ワイヤ４２は、たとえばＡｕ（金）を含むワイヤである。段差部１８１３は、第１検出端子１８１１と第１検出配線部１８１２との間に位置している。段差部１８１３を有することにより、リード１８１は、ｘ方向に視て屈曲形状である
　リード１７２，１８２：
　リード１７２は、図１～図６および図１０に示すように、第２ゲート端子１７２１、第２ゲート配線部１７２２および段差部１７２３を含む。リード１７２は、いわゆるリード部材であり、組成にたとえばＣｕ（銅）を含む。第２ゲート端子１７２１は、封止樹脂５０の外部に位置しており、半導体装置Ａ１０の複数の第２半導体素子２２を動作させるためのゲート端子として機能する。第２ゲート配線部１７２２は、複数の第２半導体素子２２に対してｘ方向の他方側に位置しており、第１基材１１１の第１主面１１１Ａからｚ方向の一方側に離れている。第２ゲート配線部１７２２は、ｙ方向に延びた形状である。ｚ方向における第１主面１１１Ａから第２ゲート配線部１７２２までの距離は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第２ゲート端子１７２１までの距離よりも小さい。第２ゲート配線部１７２２と、複数の第２半導体素子２２の第２ゲート電極２２３とは、複数の第３ワイヤ４３によって個別に導通接続されている。第３ワイヤ４３は、たとえばＡｕ（金）を含むワイヤである。段差部１７２３は、第２ゲート端子１７２１と第２ゲート配線部１７２２との間に位置している。段差部１７２３を有することにより、リード１７２は、ｘ方向に視て屈曲形状である。
　リード１８２は、図１～図６および図１１に示すように、第２検出端子１８２１、第２検出配線部１８２２および段差部１８２３を含む。リード１８２は、いわゆるリード部材であり、組成にたとえばＣｕ（銅）を含む。第２検出端子１８２１は、封止樹脂５０の外部に位置しており、半導体装置Ａ１０の複数の第２半導体素子２２の動作状態を検出するための検出端子として機能する。第２検出配線部１８２２は、第２ゲート配線部１７２２に対してｘ方向の他方側に位置しており、第１基材１１１の第１主面１１１Ａからｚ方向の一方側に離れている。第２検出配線部１８２２は、ｙ方向に延びた形状である。ｚ方向における第１主面１１１Ａから第２検出配線部１８２２までの距離は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第２検出端子１８２１までの距離よりも小さい。第２検出配線部１８２２と、複数の第２半導体素子２２の第２主面電極２２２とは、複数の第４ワイヤ４４によって個別に導通接続されている。第４ワイヤ４４は、たとえばＡｕ（金）を含むワイヤである。段差部１８２３は、第２検出端子１８２１と第２検出配線部１８２２との間に位置している。段差部１８２３を有することにより、リード１８２は、ｘ方向に視て屈曲形状である
　ダミー端子１９：
　半導体装置Ａ１０は、図１～図７に示すように、４つのダミー端子１９をさらに備える。４つのダミー端子１９のうち２つのダミー端子１９は、ｘ方向において第１ゲート端子１７１１および第１検出端子１８１１を挟んで両側に配置されている。残り２つのダミー端子１９は、ｘ方向において第２ゲート端子１７２１および第２検出端子１８２１を挟んで両側に配置されている。ダミー端子１９は、銅または銅合金を含む材料からなる金属リードである。複数のダミー端子１９の各々の一部は、封止樹脂に覆われている。複数のダミー端子１９のｚ方向に起立した部分は、封止樹脂５０から露出している。
　封止樹脂５０：
　封止樹脂５０は、図１～図１１に示すように、第１基材１１１、第２基材１２１、複数の第４導電部材１４、複数の第５導電部材１５、複数の第１半導体素子２１および複数の第２半導体素子２２を覆っている。さらに封止樹脂５０は、第１端子１１２、第２端子１２２、第３端子１３２の一部ずつと、延出部１３１、第１ゲート配線部１７１２、第１検出配線部１８１２、第２ゲート配線部１７２２および第２検出配線部１８２２を覆っている。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂５０は、頂面５１、底面５２、第１側面５３、第２側面５４、第３側面および第４側面５６を有する。
　頂面５１は、ｚ方向の一方側を向く面である。底面５２は、ｚ方向の他方側を向く面である。
　第１側面５３は、ｘ方向の一方側を向く面である。第１側面５３からは、第１端子１１２および第３端子１３２が突出している。第２側面５４は、ｘ方向の他方側を向く面である。第２側面５４からは、第２端子１２２が突出している。
　第３側面５５は、ｙ方向の一方側を向く面である。第４側面５６は、ｙ方向の他方側を向く面である。第４側面５６からは、第１ゲート端子１７１１、第１検出端子１８１１、第２ゲート端子１７２１、第２検出端子１８２１および複数のダミー端子１９が突出している。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用について説明する。
　本実施形態によれば、図４～図６に示すように、第１部１３１１は、ｚ方向において複数の第１半導体素子２１と複数の第２半導体素子２２との間に位置している。また、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１部１３１１までの距離ｚ１は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第３端子１３２までの距離ｚ０よりも小さい。このため、第４導電部材１４と第１部１３１１との接触やショートを回避しつつ、第１部１３１１をｚ方向の一方側に跨ぐ第４導電部材１４の第１主面１１１Ａからのｚ方向における距離を縮小することができる。したがって、半導体装置Ａ１０を適切に動作させつつ、半導体装置Ａ１０の小型化を図ることができる。
　図１に示すように、第１部１３１１は、ｙ方向に延びた形状である。これにより、複数の第５導電部材１５を接続する領域をより広く確保することが可能であり、第４導電部材１４と第５導電部材１５との不当な導通等を回避することができる。
　図５に示すように、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１部１３１１までの距離ｚ１は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１半導体素子２１のｚ方向の一方側端までの距離ｚ２よりも大きい。これにより、たとえば第１部１３１１が複数の第１半導体素子２１と不当に干渉することを抑制することができる。
　図１に示すように、第２部１３１２は、複数の第１半導体素子２１に対してｙ方向の一方側に位置している。このため、隣り合う第１半導体素子２１の間に第２部１３１２を配置するためのスペースを確保する必要がない。したがって、半導体装置Ａ１０の小型化に好ましい。
　延出部１３１は、第３部１３１３を有する屈曲形状である。これにより、第１部１３１１および第２部１３１２を、ｚ方向において異なる位置に配置しつつ、延出部１３１が大型化することを抑制することができる。
　複数の第５導電部材１５は、第３導電部材１３の延出部１３１（第１部１３１１）とは別体であり、本実施形態においては、ワイヤからなる。このような構成により、第５導電部材１５の幅（直径）を縮小することが可能である。また、第１部１３１１および第２半導体素子２２の第２主面電極２２２の所望の箇所に接続可能であり、たとえば第４導電部材１４との干渉やショートを抑制するのに好ましい。
　第１部１３１１は、ｚ方向に視て第１主面１１１Ａに重なる。これにより、第２主面１２１Ａに複数の第４導電部材１４を接続するためのスペースをより容易に確保することができる。
　リード１７１、リード１８１、リード１７２およびリード１８２は、第１ゲート配線部１７１２、第１検出配線部１８１２、第２ゲート配線部１７２２および第２検出配線部１８２２を有する。第１ゲート配線部１７１２は、複数の第１ワイヤ４１によって複数の第１半導体素子２１の第１ゲート電極２１３と導通している。第１検出配線部１８１２は、複数の第２ワイヤ４２によって、複数の第１半導体素子２１の第１主面電極２１２と導通している。第２ゲート配線部１７２２は、複数の第３ワイヤ４３によって複数の第２半導体素子２２の第２ゲート電極２２３と導通している。第２検出配線部１８２２は、複数の第４ワイヤ４４によって、複数の第２半導体素子２２の第２主面電極２２２と導通している。第１ゲート配線部１７１２、第１検出配線部１８１２、第２ゲート配線部１７２２および第２検出配線部１８２２は、リード１７１、リード１８１、リード１７２およびリード１８２の一部であり、第１基材１１１および第２基材１２１からｚ方向に離れている。これにより、たとえば第１主面１１１Ａや第２主面１２１Ａ上に、第１ゲート配線部１７１２、第１検出配線部１８１２、第２ゲート配線部１７２２および第２検出配線部１８２２と同様の機能を果たす配線部を形成する必要がない。したがって、半導体装置Ａ１０の構造が複雑化することを抑制することができる。
　図１２～図１６は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、各変形例および各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
　第１実施形態　第１変形例：
　図１２は、半導体装置Ａ１０の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１は、第１部１３１１と第１半導体素子２１との関係が、上述した例と異なる。
　本変形例では、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１部１３１１までの距離ｚ１が、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１半導体素子２１のｚ方向の一方側端までの距離ｚ２よりも小さい。たとえば、距離ｚ２が０．５ｍｍ程度であるのに対し、距離ｚ１は、０．１ｍｍ～０．３ｍｍ程度である。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１１を適切に動作させつつ、半導体装置Ａ１１の小型化を図ることができる。また、本変形例によれば、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第４導電部材１４のｚ方向の一方側端までの距離を、さらに縮小することが可能である。これは、半導体装置Ａ１１の小型化に有利である。
　第１実施形態　第２変形例：
　図１３は、半導体装置Ａ１０の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２は、第１部１３１１と第１基材１１１および第２基材１２１との関係が、上述した例と異なる。
　本変形例においては、第１部１３１１は、ｚ方向に視て、第２主面１２１Ａ（第２基材１２１）と重なる。また、図示された例においては、第１部１３１１のｘ方向の一方側端縁は、第２主面１２１Ａのｘ方向の一方側端縁と重なるか、第２主面１２１Ａのｘ方向の一方側端縁よりもｘ方向の他方側に位置している。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１２を適切に動作させつつ、半導体装置Ａ１２の小型化を図ることができる。また、本変形例から理解されるように、第１部１３１１は、ｚ方向に視て、第１主面１１１Ａと重なる構成であってもよいし、第２主面１２１Ａと重なる構成であってもよい。
　第２実施形態：
　図１４～図１６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、第３導電部材１３および複数の第５導電部材１５の構成が、上述した実施形態と異なる。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
　本実施形態においては、複数の第５導電部材１５は、第３導電部材１３と一体的に形成されている。より具体的には、複数の第５導電部材１５は、第３導電部材１３からｘ方向の他方側に延びる形状である。複数の第５導電部材１５は、ｙ方向に並んでいる。ｚ方向における第１主面１１１Ａおよび第２主面１２１Ａから複数の第５導電部材１５までの距離は、ｚ方向における第１主面１１１Ａから第１部１３１１までの距離と同じである。
　第５導電部材１５は、第２半導体素子２２の第２主面電極２２２に、たとえば導電接合層２８によって接合されている。導電接合層２８は、たとえばハンダである。この他、導電接合層２８は、銀などを含む焼結金属でもよい。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ２０を適切に動作させつつ、半導体装置Ａ２０の小型化を図ることができる。また、本実施形態から理解されるように、第５導電部材１５は、第３導電部材１３の第１部１３１１と一体的に形成されたものであってもよい。第５導電部材１５が、いわゆるリード部材によって第３導電部材１３と一体的に形成されることにより、さらなる低抵抗化を図ることができる。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　厚さ方向の一方側を向く第１主面を有し、前記厚さ方向と直交する第１方向の一方側に配置された、第１導電部材と、
　前記厚さ方向の一方側を向く第２主面を有し、前記第１方向の他方側に配置された、第２導電部材と、
　前記第１主面に導通接合された第１半導体素子と、
　前記第２主面に導通接合された第２半導体素子と、
　第３導電部材と、
　前記第１半導体素子と前記第２導電部材とを導通させる第４導電部材と、
　前記第２半導体素子と前記第３導電部材とを導通させる第５導電部材と、
　前記第１導電部材、前記第２導電部材および前記第３導電部材の一部ずつと、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第４導電部材および前記第５導電部材と、を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記第３導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の一方側に突出する第３端子と、前記封止樹脂に覆われた延出部と、を含み、
　前記延出部は、前記厚さ方向における前記第１主面からの距離が、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第３端子までの距離よりも小であり、且つ前記第１方向において前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間に位置する第１部を含み、
　前記第５導電部材は、前記第２半導体素子と前記第１部とに接続されており、
　前記第４導電部材は、前記第１部を前記厚さ方向の一方側に跨いでいる、半導体装置。
　付記２．
　前記第１部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に延びた形状である、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記第２方向に配列された複数の前記第１半導体素子を備え、
　複数の前記第１半導体素子に個別に接続された複数の前記第４導電部材を備える、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第２方向に配列された複数の前記第２半導体素子を備え、
　複数の前記第２半導体素子に個別に接続された複数の前記第５導電部材を備える、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１部までの距離は、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１半導体素子の最上位部までの距離よりも大きい、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１部までの距離は、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１半導体素子の最上位部までの距離よりも小さい、付記４に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記延出部は、前記第３端子に繋がり、且つ前記厚さ方向における前記第１主面からの距離が、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第３端子までの距離と同じである第２部を含む、付記４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第２部は、複数の前記第１半導体素子に対して前記第２方向の一方側に位置する、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第２部は、前記第１方向に延びた形状である、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記延出部は、前記第１部と前記第２部との間に介在する第３部を含む、付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第５導電部材は、前記第３導電部材と別体である、付記４ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第５導電部材は、前記第３導電部材と一体的に形成されている、付記４ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第１導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の一方側に突出し且つ前記第３端子に対して前記第２方向の他方側に位置する第１端子を含む、付記４ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第２導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の他方側に突出する第２端子を含む、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記厚さ方向に視て、前記第１部は、前記第１主面に重なる、付記４ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記厚さ方向に視て、前記第１部は、前記第２主面に重なる、付記４ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、スイッチング素子である、付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０：半導体装置
１０Ａ，１０Ｂ：支持部材　　　１１：第１導電部材
１２：第２導電部材　　　１３：第３導電部材
１４：第４導電部材　　　１５：第５導電部材
１９：ダミー端子　　　２１：第１半導体素子
２２：第２半導体素子　　　２８：導電接合層
２９：導電接合層　　　４１：第１ワイヤ
４２：第２ワイヤ　　　４３：第３ワイヤ
４４：第４ワイヤ　　　５０：封止樹脂
５１：頂面　　　５２：底面
５３：第１側面　　　５４：第２側面
５５：第３側面　　　５６：第４側面
１０１：絶縁層　　　１０２：支持層
１０３：放熱層　　　１１１：第１基材
１１１Ａ：第１主面　　　１１２：第１端子
１１２Ａ：第１取付け孔　　　１１３：第１枕材
１２１：第２基材　　　１２１Ａ：第２主面
１２２：第２端子　　　１２２Ａ：第２取付け孔
１２３：第２枕材　　　１３１：延出部
１３２：第３端子　　　１３２Ａ：第３取付け孔
１７１，１７２，１８１，１８２：リード
２１１：第１裏面電極　　　２１２：第１主面電極
２１３：第１ゲート電極　　　２２１：第２裏面電極
２２２：第２主面電極　　　２２３：第２ゲート電極
１３１１：第１部　　　１３１２：第２部
１３１３：第３部　　　１７１１：第１ゲート端子
１７１２：第１ゲート配線部　　　１７１３：段差部
１７２１：第２ゲート端子　　　１７２２：第２ゲート配線部
１７２３：段差部　　　１８１１：第１検出端子
１８１２：第１検出配線部　　　１８１３：段差部
１８２１：第２検出端子　　　１８２２：第２検出配線部
１８２３：段差部　　　ｚ０，ｚ１，ｚ２：距離

Claims (17)

  1. 　厚さ方向の一方側を向く第１主面を有し、前記厚さ方向と直交する第１方向の一方側に配置された、第１導電部材と、
    　前記厚さ方向の一方側を向く第２主面を有し、前記第１方向の他方側に配置された、第２導電部材と、
    　前記第１主面に導通接合された第１半導体素子と、
    　前記第２主面に導通接合された第２半導体素子と、
    　第３導電部材と、
    　前記第１半導体素子と前記第２導電部材とを導通させる第４導電部材と、
    　前記第２半導体素子と前記第３導電部材とを導通させる第５導電部材と、
    　前記第１導電部材、前記第２導電部材および前記第３導電部材の一部ずつと、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第４導電部材および前記第５導電部材と、を覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記第３導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の一方側に突出する第３端子と、前記封止樹脂に覆われた延出部と、を含み、
    　前記延出部は、前記厚さ方向における前記第１主面からの距離が、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第３端子までの距離よりも小であり、且つ前記第１方向において前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間に位置する第１部を含み、
    　前記第５導電部材は、前記第２半導体素子と前記第１部とに接続されており、
    　前記第４導電部材は、前記第１部を前記厚さ方向の一方側に跨いでいる、半導体装置。
  2. 　前記第１部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に延びた形状である、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第２方向に配列された複数の前記第１半導体素子を備え、
    　複数の前記第１半導体素子に個別に接続された複数の前記第４導電部材を備える、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第２方向に配列された複数の前記第２半導体素子を備え、
    　複数の前記第２半導体素子に個別に接続された複数の前記第５導電部材を備える、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１部までの距離は、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１半導体素子の最上位部までの距離よりも大きい、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１部までの距離は、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第１半導体素子の最上位部までの距離よりも小さい、請求項４に記載の半導体装置。
  7. 　前記延出部は、前記第３端子に繋がり、且つ前記厚さ方向における前記第１主面からの距離が、前記厚さ方向における前記第１主面から前記第３端子までの距離と同じである第２部を含む、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　前記第２部は、複数の前記第１半導体素子に対して前記第２方向の一方側に位置する、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第２部は、前記第１方向に延びた形状である、請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記延出部は、前記第１部と前記第２部との間に介在する第３部を含む、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記第５導電部材は、前記第３導電部材と別体である、請求項４ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記第５導電部材は、前記第３導電部材と一体的に形成されている、請求項４ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 　前記第１導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の一方側に突出し且つ前記第３端子に対して前記第２方向の他方側に位置する第１端子を含む、請求項４ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 　前記第２導電部材は、前記封止樹脂から前記第１方向の他方側に突出する第２端子を含む、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記厚さ方向に視て、前記第１部は、前記第１主面に重なる、請求項４ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 　前記厚さ方向に視て、前記第１部は、前記第２主面に重なる、請求項４ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  17. 　前記第１半導体素子および前記第２半導体素子は、スイッチング素子である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
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