WO2023100663A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2023100663A1
WO2023100663A1 PCT/JP2022/042650 JP2022042650W WO2023100663A1 WO 2023100663 A1 WO2023100663 A1 WO 2023100663A1 JP 2022042650 W JP2022042650 W JP 2022042650W WO 2023100663 A1 WO2023100663 A1 WO 2023100663A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor device
resin surface
resin
lead
terminal portion
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/042650
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
僚太郎 柿▲崎▼
光俊 齊藤
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
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Publication of WO2023100663A1 publication Critical patent/WO2023100663A1/ja

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • Patent Document 1 discloses a first lead, a second lead, and a third lead including a first pad having a pad main surface and a pad back surface, a semiconductor element mounted on the pad main surface, and a semiconductor element in contact with the pad main surface. and a sealing resin that covers the semiconductor element.
  • the first, second and third leads have first, second and third terminals extending in the same direction.
  • the semiconductor device is mounted on the circuit board by inserting the first terminal, the second terminal, and the third terminal through the through holes of the circuit board or the like.
  • a heat sink for example, an insulating sheet is provided between the rear surface of the pad and the heat sink.
  • the semiconductor device is required to be surface-mounted on the circuit board, for example, in addition to the mounting form in which the terminal portion is inserted through the circuit board.
  • An object of the present disclosure is to provide an improved semiconductor device.
  • one object of the present disclosure is to provide a surface-mountable semiconductor device.
  • a semiconductor device provided by one aspect of the present disclosure includes a semiconductor element, a conductive member including a die pad portion, a first terminal portion, and a second terminal portion, and a seal covering a portion of the conductive member and the semiconductor element.
  • the sealing resin has a first resin surface facing one side in the thickness direction of the sealing resin, a second resin surface facing the other side in the thickness direction, and one side in a first direction orthogonal to the thickness direction. It has a third resin surface and a fourth resin surface facing the other side in the first direction.
  • the die pad portion has a mounting surface facing one side in the thickness direction and on which the semiconductor element is mounted, and an exposed surface facing the other side in the thickness direction and exposed from the second resin surface.
  • the first terminal portion is bent to one side in the thickness direction and exposed from the third resin surface.
  • the second terminal portion is bent to one side in the thickness direction and exposed from the fourth resin surface.
  • the first resin surface has a recessed region recessed toward the second resin surface in the thickness direction. The recessed region overlaps an imaginary line segment connecting the first terminal portion and the second terminal portion when viewed in the thickness direction.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 2 is a perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 3 is a perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 4 is a main part perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 5 is a main part perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 7 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. FIG. 8 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 9 is a fragmentary plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 10 is a bottom view of essential parts showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • 11 is a cross-sectional view taken along line XI--XI in FIG. 10.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 10.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 10.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 10.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view along line XV-XV of FIG. 10.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI--XVI of FIG. 10.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing how the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure is used.
  • 18 is a perspective view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 11 .
  • FIG. 20 is a perspective view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 11 .
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 11 .
  • FIG. 24 is a fragmentary plan view showing a fifth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. FIG. 25 is a cross-sectional view showing a fifth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 11 .
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 11 .
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-
  • FIG. 26 is a main part plan view showing a sixth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 27 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 28 is a bottom view showing the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 29 is a front view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 30 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 11
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 13 .
  • FIG. 32 is a bottom view showing the semiconductor device according to the third embodiment of the present disclosure
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the third embodiment of the present disclosure, corresponding to the cross-section of FIG. 13
  • FIG. 34 is a cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device according to the third embodiment of the present disclosure, and corresponds to the cross-section of FIG. 13
  • FIG. 35 is a bottom view showing a semiconductor device according to Modification 4 of the present disclosure.
  • a certain entity A is formed on a certain entity B” and “a certain entity A is formed on a certain entity B” mean “a certain entity A is formed on a certain entity B”. It includes "being directly formed in entity B” and “being formed in entity B while another entity is interposed between entity A and entity B”.
  • ⁇ an entity A is placed on an entity B'' and ⁇ an entity A is located on an entity B'' mean ⁇ an entity A is located on an entity B.'' It includes "directly placed on B” and "some entity A is placed on an entity B while another entity is interposed between an entity A and an entity B.”
  • ⁇ an object A is located on an object B'' means ⁇ an object A is adjacent to an object B and an object A is positioned on an object B. and "the thing A is positioned on the thing B while another thing is interposed between the thing A and the thing B".
  • ⁇ an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction'' means ⁇ an object A overlaps all of an object B'' and ⁇ an object A overlaps an object B.'' It includes "overlapping a part of a certain thing B".
  • "a certain surface A faces (one side or the other side of) a certain direction B" is not limited to the case where the angle of the surface A with respect to the direction B is 90°. Including the case where A is tilted with respect to direction B.
  • a certain object A is orthogonal to a certain object B (a certain direction B)
  • the angle between a certain object A and a certain object B (a certain direction B) is strictly 90°.
  • the angle is not limited to a particular case, but includes the case where the angle is approximately 90° (for example, the range of error caused by manufacturing variations).
  • a certain object A is parallel to a certain object B (a certain direction B)” means that a certain object A is strictly parallel to a certain object B (a certain direction B). It is not limited to a particular case, but includes the case of being substantially parallel (for example, the range of error caused by manufacturing variations).
  • First embodiment: 1 to 17 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • a semiconductor device A10 of this embodiment includes a conduction member 10, a semiconductor element 20, a plurality of connection members 31, 32, and 33, and a sealing resin 40.
  • the z-direction is an example of the "thickness direction”
  • the x-direction is an example of the "first direction”
  • the y-direction is an example of the "second direction”.
  • the conductive member 10 is a member that constitutes a conductive path to the semiconductor element 20 .
  • the conducting member 10 of this embodiment includes a first lead 11, a second lead 12, a third lead 13 and a fourth lead .
  • the material of first lead 11, second lead 12, third lead 13 and fourth lead 14 is not limited at all, and includes copper (Cu) or a copper alloy, for example.
  • Silver (Ag), nickel (Ni), and bell (Sn) are applied to suitable portions of the first lead 11, the second lead 12, the third lead 13, and the fourth lead 14 (for example, the portions exposed from the sealing resin 40). ) or the like may be applied.
  • first lead 11 has die pad portion 111 and a plurality of first terminal portions 112 .
  • the die pad portion 111 has a first lead main surface 1111 , a first lead rear surface 1112 and a first lead side surface 1113 .
  • the first lead main surface 1111 is a surface facing one side in the z direction.
  • the first lead back surface 1112 is a surface facing the other side in the z direction.
  • a semiconductor element 20 is mounted on the first lead main surface 1111 .
  • the first lead back surface 1112 is exposed from the sealing resin 40 (second resin surface 42 described later). Therefore, the die pad portion 111 has a first lead main surface 1111 as a mounting surface on which the semiconductor element 20 is mounted, and a first lead rear surface as an exposed surface exposed from the sealing resin 40 (a second resin surface 42 to be described later). 1112.
  • the first lead side surface 1113 is located between the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 in the z direction, and faces one side in the x direction.
  • the shape of the first lead side surface 1113 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the die pad portion 111 of this embodiment further has a first intermediate surface 1114 .
  • the first intermediate surface 1114 is located between the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 in the x direction, and faces one side in the z direction (the same side as the first lead back surface 1112). be.
  • the first intermediate surface 1114 is covered with the sealing resin 40 .
  • a step is formed in the die pad portion 111 by the first intermediate surface 1114 . Accordingly, it is possible to prevent the die pad portion 111 from falling off from the sealing resin 40 . Note that the die pad portion 111 does not have to have the first intermediate surface 1114 .
  • the shape of the die pad portion 111 is not limited at all. In the illustrated example, the die pad portion 111 has a rectangular shape when viewed in the z direction. Also, the shapes of the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 are not limited at all, and in the illustrated example, they are rectangular when viewed in the z direction.
  • the plurality of first terminal portions 112 are arranged side by side in the y direction. Each of the plurality of first terminal portions 112 is bent to one side in the z direction. Each first terminal portion 112 has a first portion 1121 , a second portion 1122 and a third portion 1123 .
  • the first part 1121 is connected to the die pad part 111.
  • the first portion 1121 may be formed integrally with the die pad portion 111, or may be joined to the die pad portion 111 by caulking, ultrasonic joining, joining with a conductive joining material, or the like.
  • the first portion 1121 extends from the first lead side surface 1113 of the die pad portion 111 to one side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the x-direction dimension of the first portion 1121 is the same (or approximately the same) as the x-direction dimension of the sixth portion 1223, but may be longer. It is not limited to the illustrated example.
  • the shape of the first part 1121 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the die pad portion 111 is larger in size in the z direction than the first portion 1121 .
  • the first portion 1121 is separated from the first lead back surface 1112 in the z-direction, and is in contact with the first lead main surface 1111 in the illustrated example.
  • One surface of the first portion 1121 is flush with the first lead main surface 1111 .
  • the first part 1121 is covered with the sealing resin 40 .
  • the first portion 1121 is arranged closer to the die pad portion 111 than the second portion 1122 in the y direction.
  • the second part 1122 is located on one side of the first part 1121 in the z direction.
  • the second part 1122 protrudes from the side surface (the third resin surface 43 described later) of the sealing resin 40 on one side in the x direction and is exposed at the bottom surface (the first resin surface 41 described later) of the sealing resin 40 .
  • the second part 1122 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the second portion 1122 has a shape extending along the x direction.
  • the second part 1122 is located farther from the die pad part 111 than the first part 1121 in the x direction.
  • the third part 1123 is interposed between the first part 1121 and the second part 1122.
  • the third portion 1123 extends from the first portion 1121 to one side in the z direction.
  • third section 1123 extends along the z-direction and is orthogonal to each of first section 1121 and second section 1122 .
  • the third part 1123 may be slanted with respect to the first part 1121 and the second part 1122 .
  • the third portion 1123 is connected to the edge of the first portion 1121 on one side in the x direction, and is connected to the edge of the second portion 1122 on the other side in the x direction.
  • the shape of the third part 1123 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the third part 1123 is covered with the sealing resin 40 .
  • each first terminal portion 112 the thickness of the first portion 1121 (dimension in the z direction), the thickness of the second portion 1122 (dimension in the y direction), and the thickness of the third portion 1123 (dimension in the z direction)
  • the relationship is in no way limited and is the same (or substantially the same) in the illustrated example.
  • Second lead 12 The second lead 12 is located away from the first lead 11 (die pad portion 111) on the other side in the x direction.
  • the second lead 12 has a pad portion 121 and a plurality of second terminal portions 122 .
  • the pad portion 121 has a second lead main surface 1211 and a second lead rear surface 1212 .
  • the second lead main surface 1211 is a surface facing one side in the z direction.
  • the second lead back surface 1212 is a surface facing the other side in the z direction.
  • a connection member 31 is connected to the second lead main surface 1211 .
  • the shape of the pad portion 121 is not limited at all, and in the illustrated example, it is a rectangular shape with the y direction as the longitudinal direction. Also, the pad section 121 is smaller than the die pad section 111 when viewed in the z direction. Also, the pad portion 121 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the first terminal portion 112 .
  • the plurality of second terminal portions 122 are arranged side by side in the y direction. Each of the plurality of second terminal portions 122 is bent to one side in the z direction.
  • the second terminal portion 122 has a fourth portion 1221 , a fifth portion 1222 and a sixth portion 1223 .
  • the fourth part 1221 is connected to the pad part 121.
  • the fourth portion 1221 is formed integrally with the pad portion 121 .
  • the fourth portion 1221 extends from the pad portion 121 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the shape of the fourth part 1221 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the fourth part 1221 is covered with the sealing resin 40 .
  • the fifth part 1222 is located on one side of the fourth part 1221 in the z direction.
  • the fifth portion 1222 protrudes from the side surface (the fourth resin surface 44 described later) of the sealing resin 40 on the other side in the x direction and is exposed at the bottom surface (the first resin surface 41 described later) of the sealing resin 40 .
  • the fifth part 1222 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the fifth portion 1222 has a shape extending along the x direction.
  • the fifth portion 1222 is located farther from the die pad portion 111 than the fourth portion 1221 in the x direction.
  • the sixth part 1223 is interposed between the fourth part 1221 and the fifth part 1222 .
  • the sixth portion 1223 extends from the fourth portion 1221 to one side in the z direction.
  • the sixth section 1223 extends along the z-direction and is orthogonal to each of the fourth section 1221 and the fifth section 1222 .
  • the sixth section 1223 may be slanted with respect to the fourth section 1221 and the fifth section 1222 .
  • the sixth portion 1223 connects to the edge of the fourth portion 1221 on the other side in the x direction, and connects to the edge of the fifth portion 1222 on the one side in the x direction.
  • the shape of the sixth portion 1223 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the sixth part 1223 is covered with the sealing resin 40 .
  • each second terminal portion 122 the thickness of the fourth portion 1221 (dimension in the z direction), the thickness of the fifth portion 1222 (dimension in the y direction), and the thickness of the sixth portion 1223 (dimension in the z direction)
  • the relationship is in no way limited and the illustrated examples are the same (or nearly the same). Also, the relationship between the thickness of the fifth portion 1222 and the thickness of the second portion 1122 is not limited at all, and is the same (or substantially the same) in the illustrated example.
  • the third lead 13 is located away from the first lead 11 (die pad portion 111) on the other side in the x direction. Also, the third lead 13 is aligned with the second lead 12 in the y direction. The third lead 13 has a pad portion 131 and a third terminal portion 132 .
  • the pad portion 131 has a third lead main surface 1311 and a third lead back surface 1312 .
  • the third lead main surface 1311 is a surface facing one side in the z direction.
  • the third lead back surface 1312 is a surface facing the other side in the z direction.
  • a connection member 32 is connected to the third lead main surface 1311 .
  • the shape of the pad portion 131 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the pad portion 131 is smaller than the pad portion 121 when viewed in the z direction.
  • the pad portion 131 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the pad portion 121 .
  • the third terminal portion 132 is bent to one side in the z direction.
  • the third terminal portion 132 has a seventh portion 1321 , an eighth portion 1322 and a ninth portion 1323 .
  • the seventh part 1321 is connected to the pad part 131.
  • the seventh portion 1321 is formed integrally with the pad portion 131 .
  • the seventh portion 1321 extends from the pad portion 131 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the shape of the seventh part 1321 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the seventh part 1321 is covered with the sealing resin 40 .
  • the eighth part 1322 is located on one side of the seventh part 1321 in the z direction.
  • the eighth part 1322 protrudes from the side surface (the fourth resin surface 44 described later) of the sealing resin 40 on the other side in the x direction and is exposed at the bottom surface (the first resin surface 41 described later) of the sealing resin 40 .
  • the eighth part 1322 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the eighth portion 1322 has a shape extending along the x direction.
  • the eighth part 1322 is located farther from the die pad part 111 than the seventh part 1321 in the x direction.
  • the ninth part 1323 is interposed between the seventh part 1321 and the eighth part 1322 .
  • the ninth portion 1323 extends from the seventh portion 1321 to one side in the z direction.
  • the ninth section 1323 extends along the z-direction and is orthogonal to each of the seventh section 1321 and the eighth section 1322 .
  • the ninth portion 1323 may be angled with respect to the seventh portion 1321 and the eighth portion 1322 .
  • the ninth portion 1323 connects to the edge of the seventh portion 1321 on the other side in the x direction, and connects to the edge of the eighth portion 1322 on the one side in the x direction.
  • the shape of the ninth portion 1323 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the ninth portion 1323 is covered with the sealing resin 40 .
  • the relationship between the thickness of the seventh portion 1321 (dimension in the z direction), the thickness of the eighth portion 1322 (dimension in the y direction), and the thickness of the ninth portion 1323 (dimension in the z direction) are in no way limited and the illustrated examples are the same (or substantially the same). Also, the relationship between the thickness of the eighth portion 1322 and the thickness of the fifth portion 1222 is not limited at all, and is the same (or substantially the same) in the illustrated example.
  • the fourth lead 14 is located away from the first lead 11 (die pad portion 111) on the other side in the x direction. Also, the fourth lead 14 is positioned between the second lead 12 and the third lead 13 in the y direction. The fourth lead 14 has a pad portion 141 and a fourth terminal portion 142 .
  • the pad portion 141 has a fourth lead main surface 1411 and a fourth lead rear surface 1412 .
  • the fourth lead main surface 1411 is a surface facing one side in the z direction.
  • the fourth lead back surface 1412 is a surface facing the other side in the z direction.
  • a connection member 33 is connected to the fourth lead main surface 1411 .
  • the shape of the pad portion 141 is not limited at all, and in the illustrated example, it has a rectangular shape when viewed in the z direction. Also, when viewed in the z-direction, the pad portion 141 is smaller than the pad portion 121 and approximately the same size as the pad portion 131 . Also, the pad portion 141 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the pad portion 121 and the pad portion 131 .
  • the fourth terminal portion 142 is bent to one side in the z direction.
  • the fourth terminal portion 142 has a tenth portion 1421 , an eleventh portion 1422 and a twelfth portion 1423 .
  • the tenth part 1421 is connected to the pad part 141 .
  • the tenth portion 1421 is formed integrally with the pad portion 141 .
  • the tenth portion 1421 extends from the pad portion 141 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
  • the shape of the tenth part 1421 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
  • the tenth part 1421 is covered with the sealing resin 40 .
  • the eleventh part 1422 is located on one side of the tenth part 1421 in the z direction.
  • the eleventh portion 1422 protrudes from the side surface (the fourth resin surface 44 described later) of the sealing resin 40 on the other side in the x direction and is exposed at the bottom surface (the first resin surface 41 described later) of the sealing resin 40 .
  • the eleventh part 1422 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
  • the eleventh part 1422 has a shape extending along the x direction.
  • the eleventh part 1422 is located farther from the die pad part 111 than the tenth part 1421 in the x direction.
  • the twelfth part 1423 is interposed between the tenth part 1421 and the eleventh part 1422 .
  • the twelfth portion 1423 extends from the tenth portion 1421 to one side in the z direction. In the illustrated example, the twelfth portion 1423 extends along the z-direction and is orthogonal to each of the tenth portion 1421 and the eleventh portion 1422 .
  • the twelfth section 1423 may be slanted with respect to the tenth section 1421 and the eleventh section 1422 .
  • the twelfth portion 1423 is connected to the edge of the tenth portion 1421 on the other side in the x direction, and is connected to the edge of the eleventh portion 1422 on the one side in the x direction.
  • the shape of the twelfth portion 1423 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
  • the twelfth part 1423 is covered with the sealing resin 40 .
  • the relationship between the thickness of the tenth portion 1421 (dimension in the z direction), the thickness of the eleventh portion 1422 (dimension in the y direction), and the thickness of the twelfth portion 1423 (dimension in the z direction) are in no way limited and the illustrated examples are the same (or substantially the same). Also, the relationship between the thickness of the eleventh portion 1422 and the thickness of the fifth portion 1222 is not limited at all, and is the same (or substantially the same) in the illustrated example.
  • the semiconductor element 20 is mounted on the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111, as shown in FIGS.
  • the semiconductor element 20 is a switching element.
  • the switching element is, for example, an n-channel type vertical MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • Semiconductor device 20 is not limited to a MOSFET.
  • the semiconductor element 20 may be another transistor such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
  • the semiconductor element 20 may be a diode.
  • the semiconductor element 20 has a semiconductor layer 205 , a first electrode 201 , a second electrode 202 and a third electrode 203 .
  • the semiconductor layer 205 includes a compound semiconductor substrate.
  • the main material of compound semiconductor substrates is silicon carbide (SiC).
  • silicon (Si) may be used as the main material of the compound semiconductor substrate.
  • the first electrode 201 is provided on the side (one side) facing the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 in the z direction.
  • the first electrode 201 corresponds to the source electrode of the semiconductor element 20 .
  • the second electrode 202 is provided on the side opposite to the first electrode 201 in the z direction.
  • the second electrode 202 faces the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 .
  • the second electrode 202 corresponds to the drain electrode of the semiconductor element 20 .
  • the second electrode 202 is bonded to the first lead main surface 1111 via the bonding layer 29 .
  • the bonding layer 29 is, for example, solder, silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
  • the third electrode 203 is provided on the same side as the first electrode 201 in the z-direction and is positioned away from the first electrode 201 .
  • the third electrode 203 corresponds to the gate electrode of the semiconductor element 20 . Viewed in the z-direction, the area of the third electrode 203 is smaller than the area of the first electrode 201 .
  • connection members 31, 32, 33 The connection member 31 is joined to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 and the second lead main surface 1211 of the pad portion 121 of the second lead 12 .
  • the material of the connection member 31 is not limited at all, and includes metals such as aluminum (Al), copper (Cu), and gold (Au).
  • the number of connection members 31 is not limited at all, and a plurality of connection members 31 may be provided.
  • the connection member 31 is a flat strip-shaped member containing aluminum (Al). Different from this example, the connection member 31 may be a thin linear member (bonding wire).
  • connection member 32 is connected to the third electrode 203 of the semiconductor element 20 and the third lead main surface 1311 of the pad portion 131 of the third lead 13 .
  • the connection member 32 is a linear member (bonding wire) containing gold (Au) and thinner than the connection member 31 .
  • connection member 33 is connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 and the fourth lead main surface 1411 of the pad portion 141 of the fourth lead 14 .
  • the connection member 33 is a linear member (bonding wire) containing gold (Au) and thinner than the connection member 31 .
  • the first terminal portion 112 of the first lead 11 is the drain terminal
  • the second terminal portion 122 of the second lead 12 is the source terminal
  • the third terminal portion 132 of the third lead 13 is the drain terminal.
  • the fourth terminal portion 142 of the fourth lead 14 is a source sense terminal.
  • Sealing resin 40 As shown in FIGS. 1 to 15, the sealing resin 40 includes the semiconductor element 20, the connection members 31, 32, and 33, and one of the first lead 11, second lead 12, third lead 13, and fourth lead . Each part is covered.
  • the sealing resin 40 has electrical insulation.
  • Sealing resin 40 is made of a material containing, for example, black epoxy resin.
  • the sealing resin 40 has a first resin surface 41 , a second resin surface 42 , a third resin surface 43 , a fourth resin surface 44 , a fifth resin surface 45 and a sixth resin surface 46 .
  • the first resin surface 41 faces the same side (one side) as the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 in the z direction.
  • the second resin surface 42 faces the opposite side (the other side) of the first resin surface 41 in the z direction.
  • the first lead rear surface 1112 of the die pad portion 111 of the first lead 11 is exposed from the second resin surface 42 .
  • the second resin surface 42 and the first lead back surface 1112 are flush with each other.
  • the third resin surface 43 faces one side in the x direction.
  • each first portion 1121 of the plurality of first terminal portions 112 of the first lead 11 protrudes from the third resin surface 43 in the x direction.
  • the end surface (surface facing outward in the x direction) of each first portion 1121 may be flush with the third resin surface 43 .
  • the fourth resin surface 44 faces the opposite side (the other side) of the third resin surface 43 in the x direction.
  • the fifth portions 1222 of the plurality of second terminal portions 122 of the second lead 12, the eighth portion 1322 of the third terminal portion 132 of the third lead 13, and the fourth terminal portion of the fourth lead 14 An eleventh portion 1422 of 142 protrudes from the fourth resin surface 44 in the x direction.
  • the end surfaces of the fifth portion 1222 , the eighth portion 1322 and the eleventh portion 1422 may be flush with the fourth resin surface 44 .
  • the fifth resin surface 45 faces one side in the y direction.
  • the sixth resin surface 46 faces the opposite side (the other side) of the fifth resin surface 45 in the y direction.
  • the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 are orthogonal to the y direction, but may be inclined with respect to the y direction.
  • the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 may be inclined such that the area of the cross section perpendicular to the z-direction decreases from the first resin surface 41 toward the second resin surface 42 .
  • the first resin surface 41 includes a recessed region 411 and an end region 412, as shown in FIGS. 2, 7, 8, 11-13 and 17.
  • the concave region 411 is a region of the first resin surface 41 that is recessed toward the second resin surface 42 in the z direction. As shown in FIG. 7, the recessed region 411 overlaps an imaginary line segment L1 connecting each first terminal portion 112 and each second terminal portion 122 when viewed in the z direction. In this embodiment, as shown in FIG. 7, the concave region 411 overlaps the entire virtual line segment L1 when viewed in the z direction. In the illustrated example (see FIGS. 2 and 7), the recessed region 411 extends from the fifth resin surface 45 to the sixth resin surface 46 when viewed in the z-direction.
  • the concave region 411 is a V-shaped groove.
  • the concave region 411 has a valley portion 4111 , a first sloped surface 4112 and a second sloped surface 4113 .
  • the trough 4111 is linear when viewed in the z direction.
  • the valley portion 4111 is a portion of the concave region 411 that is located closest to the second resin surface 42 in the z direction. In other words, the valley 4111 is the deepest part of the concave region 411 .
  • Valley portion 4111 extends from fifth resin surface 45 to sixth resin surface 46 .
  • the valley 4111 (the deepest part of the concave region 411) overlaps none of the connecting members 31, 32, 33 when viewed in the z direction.
  • the valley portion 4111 is arranged on one side in the x direction (the side on which each first terminal portion 112 is located) of the center of the sealing resin 40 in the x direction when viewed in the z direction. is not limited to this.
  • the valley portion 4111 is parallel (or substantially parallel) to the third resin surface 43 and the fourth resin surface 44 when viewed in the z-direction, but is inclined with respect to the third resin surface 43 and the fourth resin surface 44 .
  • the first inclined surface 4112 connects to the valley portion 4111 from one side in the x direction
  • the second inclined surface 4113 connects to the valley portion 4111 from the other side in the x direction.
  • the first inclined surface 4112 and the second inclined surface 4113 are inclined with respect to the second resin surface 42 and the end region 412, respectively.
  • the first inclined surface 4112 is inclined so that the depth of the concave region 411 increases toward the valley portion 4111
  • the second inclined surface 4113 increases the depth of the concave region 411 toward the valley portion 4111 .
  • inclination angle of the first inclined surface 4112 with respect to the xy plane is greater than the inclination angle of the second inclined surface 4113 with respect to the xy plane.
  • either one of the first inclined surface 4112 and the second inclined surface 4113 may be a surface upright with respect to the xy plane.
  • the end regions 412 are arranged on both sides of the concave region 411 in the x direction, as shown in FIGS. End region 412 is flat.
  • the end region 412 is parallel (or substantially parallel) to the second resin surface 42 .
  • the end region 412 has a first region 4121 arranged on one side of the recessed region 411 in the x direction and a second region 4122 arranged on the other side of the recessed region 411 in the x direction.
  • the deepest depth of concave region 411 (the distance from end region 412 to valley 4111 in the z direction) is not limited at all, but is, for example, 10% or more of the dimension of sealing resin 40 in the z direction. % or less.
  • the depth of the deepest part of the recessed region 411 (the distance from the end region 412 to the trough 4111 in the z direction) is greater than the distance from the connecting member 31 to the end region 412 in the z direction. is small, but may be large.
  • the depth of the deepest part of the recessed region 411 (the distance from the end region 412 to the trough 4111 in the z direction) Although it is larger than the distance to the lower region 412, it may be smaller.
  • the depth of the deepest portion of the concave region 411 is greater than each thickness (dimension in the z direction) of the second portion 1122 and the fifth portion 1222 .
  • the tops of the connecting members 32 and 33 on one side in the z direction are located on one side in the z direction from the tops of the connecting members 31 on one side in the z direction.
  • the top portion of the side may be located on the one side in the z direction from the top portion on the one side in the z direction of each of the connection members 32 and 33 .
  • the depth of the deepest part of the recessed region 411 is appropriately changed according to the dimension of each of the connection members 31, 32, 33 in the z direction.
  • the surface of the second portion 1122 facing one side in the z direction is exposed from the sealing resin 40 in the first region 4121 .
  • the first region 4121 and the surface of the second portion 1122 facing one side in the z direction are flush with each other.
  • the surface of the second portion 1122 facing one side in the z direction has a greater thickness than the first region 4121 by the plating amount, It protrudes to one side in the z-direction.
  • the surfaces of the fifth portion 1222 , the eighth portion 1322 and the eleventh portion 1422 facing one side in the z direction are exposed from the sealing resin 40 in the second region 4122 .
  • the second region 4122 and the surfaces of the fifth portion 1222, the eighth portion 1322, and the eleventh portion 1422 facing one side in the z direction are flush with each other.
  • the sealing resin 40 has grooves 49 .
  • the groove 49 is recessed in the x direction from the second resin surface 42 and extends along the y direction.
  • the groove 49 reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
  • the sealing resin 40 has two recesses 47 .
  • One recessed portion 47 is recessed from the first resin surface 41 and the fifth resin surface 45 .
  • the other recess 47 is recessed from 41 and sixth resin surface 46 .
  • a portion of the first lead main surface 1111 is exposed from the recess 47 .
  • the first lead main surface 1111 does not have to be exposed from the recess 47 .
  • the two concave portions 47 are used as marks indicating the terminal arrangement in the semiconductor device A10, or used when transporting (holding) the semiconductor device A10 during manufacturing or mounting.
  • FIG. 17 shows the state of use of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A10 is surface-mounted on the circuit board 92 . That is, the second portion 1122 of the first terminal portion 112, the fifth portion 1222 of the second terminal portion 122, the eighth portion 1322 of the third terminal portion 132, and the eleventh portion 1422 of the fourth terminal portion 142 are solder 921, for example. are conductively connected to the wiring pattern (not shown) of the circuit board 92 by means of the .
  • a heat sink 91 is arranged opposite to the back surface 1112 of the first lead of the die pad section 111 .
  • a sheet material 919 is arranged between the first lead back surface 1112 and the heat sink 91 .
  • Sheet material 919 is, for example, an insulating sheet.
  • the first lead back surface 1112 is exposed from the second resin surface 42 .
  • a heat sink 91 can be arranged opposite to the back surface 1112 of the first lead.
  • each of the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 is bent to one side in the z direction.
  • the semiconductor device A10 can be surface-mounted on the circuit board 92 or the like.
  • the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 protrude from the third resin surface 43 and the fourth resin surface 44, respectively.
  • the first resin surface 41 has a recessed region 411, and the recessed region 411 overlaps an imaginary line segment L1 connecting the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 when viewed in the z direction. Thereby, the creeping distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 can be extended. Therefore, an unintended short circuit between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 can be suppressed.
  • the third part 1123 is orthogonal to the first part 1121 and the second part 1122 (parallel to the z-direction). Thereby, the dimension of the semiconductor device A10 in the x direction can be reduced. Similarly, since the sixth portion 1223 is orthogonal to the fourth portion 1221 and the fifth portion 1222 (parallel to the z-direction), the x-direction dimension of the semiconductor device A10 can be reduced.
  • the dimension in the x direction of the first part 1121 is the same (or substantially the same) as the thickness (dimension in the x direction) of the third part 1123 .
  • the x-direction dimension of the first portion 1121 can be minimized, and the x-direction dimension of the semiconductor device A10 can be reduced.
  • the dimension in the x direction of the fourth portion 1221 is the same (or substantially the same) as the thickness (dimension in the x direction) of the sixth portion 1223, the dimension in the x direction of the fourth portion 1221 is minimized. As a result, the dimension of the semiconductor device A10 in the x direction can be reduced.
  • the second part 1122 is exposed on the first resin surface 41 (the first region 4121 of the end region 412). As a result, a part of the second part 1122 is arranged inside the sealing resin 40 in the x direction from the third resin surface 43, so that the dimension of the semiconductor device A10 in the x direction can be reduced.
  • the fifth portion 1222 is exposed at the first resin surface 41 (the second region 4122 of the end region 412). As a result, a part of the fifth portion 1222 is arranged inside the sealing resin 40 in the x-direction from the fourth resin surface 44, so that the dimension of the semiconductor device A10 in the x-direction can be reduced.
  • the separation distance between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 along the x direction is reduced. Therefore, providing the recessed region 411 on the first resin surface 41 to extend the creepage distance is effective in suppressing unintended short-circuiting between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 . be. That is, the semiconductor device A10 can appropriately secure the creepage distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 while reducing the dimension in the x direction.
  • connection members 31, 32, and 33 overlaps none of the connection members 31, 32, and 33 when viewed in the z direction.
  • the distances from the connection members 31, 32, 33 to the first resin surface 41 in the z-direction can be appropriately secured, so that the dielectric strength voltage of the semiconductor device A10 can be increased.
  • the depth of the deepest portion of the recessed region 411 (z the distance from the end region 412 to the valley 4111 in the z-direction) can be made larger than the distance from the connection members 31, 32, 33 to the end region 412 in the z-direction.
  • the deepest depth of the recessed region 411 (the distance from the end region 412 to the trough 4111 in the z direction) is greater than the distance from the connection members 32 and 33 to the end region 412 in the z direction. Thereby, the creeping distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 can be appropriately increased. If the depth of the deepest part of the recessed region 411 (the distance from the end region 412 to the trough 4111 in the z direction) is made larger than the distance from the connecting member 31 to the end region 412 in the z direction, The creepage distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 can be further increased.
  • the deepest depth of the recessed region 411 (the distance from the end region 412 to the trough 4111 in the z-direction) is greater than each thickness (dimension in the z-direction) of the second portion 1122 and the fifth portion 1222. . Thereby, the creeping distance of the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 can be appropriately increased.
  • the die pad portion 111 is larger in size in the z direction than the first portion 1121 .
  • the heat can be transferred over a wider range in the x and y directions. Therefore, the wider area of the die pad portion 111 allows the heat from the semiconductor element 20 to be dissipated to the heat sink 91 or the like, and the heat dissipation efficiency can be improved.
  • a groove 49 is formed in the sealing resin 40 .
  • the surface of the sealing resin 40 from the first lead back surface 1112 to the second lead 12 (fourth portion 1221), the third lead 13 (seventh portion 1321) and the fourth lead 14 (tenth portion 1421) is formed. can extend the creepage distance along
  • the first terminal portion 112 is the drain terminal and the second terminal portion 122 is the source terminal.
  • the potential difference between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 increases. Therefore, extending the creepage distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 by the recessed region 411 is the same as the purpose of the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 . It is effective in suppressing an unintentional short circuit.
  • First modification: 18 and 19 show a first modification of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A11 of this modified example two grooves 49 are provided in the sealing resin 40 .
  • Each groove 49 extends in the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 . Also, the two grooves 49 are spaced apart in the x direction.
  • the semiconductor device A11 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained. Moreover, by having two grooves 49, the creeping distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122, the third terminal portion 132 and the fourth terminal portion 142 can be further extended. As understood from this modified example, the number of grooves 49 is not limited at all.
  • First Embodiment Second Modification 20 and 21 show a second modification of the semiconductor device A10.
  • a convex portion 48 is provided on the sealing resin 40 .
  • the convex portion 48 protrudes from the second resin surface 42 to the other side in the z direction.
  • the protrusion 48 extends along the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
  • the convex portion 48 is arranged at the other end of the sealing resin 40 in the x direction and is in contact with the fourth resin surface 44 .
  • the semiconductor device A12 can be surface-mounted. Moreover, by having the convex portion 48, the creepage distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122, the third terminal portion 132, and the fourth terminal portion 142 can be extended.
  • FIG. 22 shows a third modification of the semiconductor device A10.
  • the sealing resin 40 is provided with two protrusions 48 .
  • Each convex portion 48 protrudes to the other side in the z direction.
  • Each convex portion 48 extends along the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
  • the two protrusions 48 are arranged apart from each other with the first lead back surface 1112 interposed therebetween in the x direction.
  • One protrusion 48 is in contact with the fourth resin surface 44 .
  • the other convex portion 48 is in contact with the third resin surface 43 .
  • the semiconductor device A13 can be surface-mounted.
  • the two protrusions 48 by having the two protrusions 48, the creeping distance between the first lead back surface 1112 and the first terminal portion 112, the third terminal portion 132, and the fourth terminal portion 142 can be further extended.
  • the number of protrusions 48 is not limited at all.
  • FIG. 23 shows a fourth modification of the semiconductor device A10.
  • the sealing resin 40 does not have the convex portion 48 and the groove 49 described above.
  • the semiconductor device A14 can be surface-mounted.
  • the sealing resin 40 may be configured without the projections 48 and the grooves 49 .
  • First Embodiment Fifth Modification 24 and 25 show a fifth modification of the semiconductor device A10.
  • the sixth portion 1223 of the second terminal portion 122, the ninth portion 1323 of the third terminal portion 132, and the twelfth portion 1423 of the fourth terminal portion 142 are arranged in the z direction ( xy plane).
  • the semiconductor device A15 can be surface-mounted.
  • the sixth portion 1223 of the second terminal portion 122 is the fourth portion 1221 and the fifth portion 1222
  • the ninth portion 1323 of the third terminal portion 132 is the seventh portion. Whether the twelfth portion 1423 of the fourth terminal portion 142 is inclined or orthogonal to the tenth portion 1421 and the eleventh portion 1422 with respect to the tenth portion 1421 and the eleventh portion 1422 is not limited at all.
  • each of the sixth portion 1223, the ninth portion 1323 and the twelfth portion 1423 is slanted.
  • the third portion 1123 may be slanted with respect to the first portion 1121 and the second portion 1122 .
  • FIG. 26 shows a sixth modification of the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A16 of this modified example does not include the connection members 31, 32, and 33 described above.
  • the second lead back surface 1212 of the pad portion 121 of the second lead 12 is conductively joined to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
  • the third lead rear surface 1312 of the pad portion 131 of the third lead 13 is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20 .
  • the fourth lead rear surface 1412 of the pad portion 141 of the fourth lead 14 is conductively joined to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
  • the semiconductor device A16 can be surface-mounted. Further, as can be understood from this modified example, the specific form of conduction between the second lead 12, the third lead 13 and the fourth lead 14 and the semiconductor element 20 is not limited at all.
  • Second embodiment show a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A20 of this embodiment differs from the example described above in the configuration of the concave region 411 of the first resin surface 41 .
  • the concave region 411 of this embodiment is a rectangular or U-shaped groove.
  • the concave region 411 of this embodiment has a pair of wall surfaces 4115 and 4116 and a groove bottom 4117 .
  • a pair of wall surfaces 4115 and 4116 are parallel to the yz plane.
  • a pair of wall surfaces 4115 and 4116 are perpendicular to the end region 412 and the groove bottom 4117, respectively.
  • the pair of wall surfaces 4115 and 4116 may each be slanted with respect to the end region 412 .
  • the groove bottom 4117 is sandwiched between a pair of wall surfaces 4115 and 4116 in the x direction.
  • the groove bottom 4117 is a flat surface.
  • the groove bottom 4117 may be at least partially curved.
  • the groove bottom 4117 is the deepest part of the concave region 411 .
  • the semiconductor device A20 can be surface-mounted.
  • the recessed region 411 can extend the creeping distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 . Therefore, as understood from the present embodiment, the shape of the recessed region 411 is not limited to the V-shaped groove of the semiconductor device A10 or the like, and may be a rectangular or U-shaped groove.
  • Third embodiment 32 and 33 show a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • the first resin surface 41 has a plurality of concave regions 411 .
  • each of the plurality of concave regions 411 extends from the fifth resin surface 45 to the sixth resin surface 46 when viewed in the z direction.
  • each recessed region 411 is a V-shaped groove as in the semiconductor device A10. That is, each concave region 411 has a trough 4111, a first slanted surface 4112 and a second slanted surface 4113, respectively.
  • a plurality of concave regions 411 are arranged along the x direction. In the illustrated example, the plurality of concave regions 411 are arranged parallel (or substantially parallel), but they do not have to be arranged parallel.
  • the plurality of concave regions 411 are arranged without gaps in the x direction, but they may be arranged at regular intervals in the x direction. In this case, a flat portion is formed between two concave regions 411 adjacent in the x direction.
  • each recessed region 411 can extend the creeping distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 . Therefore, as understood from this embodiment, the number of concave regions 411 is not limited to one.
  • FIG. 34 shows a modification of the semiconductor device A30.
  • each of the plurality of recessed regions 411 is formed of a rectangular groove similar to that of the semiconductor device A30. That is, each concave region 411 has a pair of wall surfaces 4115 and 4116 and a groove bottom 4117 respectively.
  • the plurality of concave regions 411 are arranged at equal pitches in the x direction, but they may not be arranged at equal pitches.
  • each recessed region 411 can extend the creeping distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 .
  • FIG. 35 shows a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • the concave region 411 is not connected from the fifth resin surface 45 to the sixth resin surface 46 when viewed in the z direction.
  • the shape of the concave region 411 seen in the z-direction is rectangular, but may be polygonal, circular, elliptical, or annular instead of rectangular.
  • the formation range of the concave region 411 is not limited to the illustrated example, and may be any range as long as the concave region 411 overlaps each virtual line segment L1 when viewed in the z direction.
  • the concave region 411 is separated from each concave portion 47 when viewed in the z direction, but may be formed so as to connect two concave portions 47 . In this case, the depth of the concave region 411 is made shallower than the depth of each concave portion 47 so as not to expose the semiconductor element 20 from the sealing resin 40 .
  • the semiconductor device A40 can be surface-mounted. Further, according to the present embodiment as well, since the recessed region 411 overlaps the imaginary line segment L1 when viewed in the z direction, the creeping distance along the first resin surface 41 between the first terminal portion 112 and the second terminal portion 122 is extended. can. As can be understood from the present embodiment, the concave region 411 is not limited in its formation range and shape (how it is recessed) as long as it is formed so as to overlap the imaginary line segment L1 when viewed in the z direction.
  • the die pad section 111 and the first terminal section 112 are connected in each of the above-described embodiments and modifications, the first terminal section 112 may be separated from the die pad section 111 .
  • the semiconductor element 20 mounted on the die pad portion 111 and the first terminal portion 112 may be electrically connected by an additional connecting member.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in various ways.
  • the present disclosure includes embodiments described in the appendices below.
  • Appendix 1 a semiconductor element; a conductive member including a die pad portion, a first terminal portion and a second terminal portion; a sealing resin covering a portion of the conductive member and the semiconductor element; with The sealing resin has a first resin surface facing one side in the thickness direction of the sealing resin, a second resin surface facing the other side in the thickness direction, and one side in a first direction orthogonal to the thickness direction.
  • the die pad portion has a mounting surface on which the semiconductor element is mounted facing one side in the thickness direction, and an exposed surface facing the other side in the thickness direction and exposed from the second resin surface, the first terminal portion is bent to one side in the thickness direction and exposed from the third resin surface; the second terminal portion is bent to one side in the thickness direction and exposed from the fourth resin surface;
  • the first resin surface has a recessed region recessed toward the second resin surface in the thickness direction, The semiconductor device, wherein the recessed region overlaps an imaginary line connecting the first terminal portion and the second terminal portion when viewed in the thickness direction. Appendix 2.
  • the sealing resin has a fifth resin surface facing one side in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction, and a sixth resin surface facing the other side in the second direction,
  • the semiconductor device according to appendix 1 wherein the recessed region extends from the fifth resin surface to the sixth resin surface when viewed in the thickness direction.
  • the recessed region includes a linear trough extending from the fifth resin surface to the sixth resin surface when viewed in the thickness direction, a linear trough extending from the fifth resin surface to the sixth resin surface, and being connected to the trough from one side in the first direction, and and a first inclined surface that is inclined with respect to the two resin surfaces,
  • the semiconductor device according to appendix 2 wherein the first inclined surface is inclined so that the depth of the recessed region increases toward the valley.
  • the concave region has a second inclined surface connected to the valley from the other side of the first direction and inclined with respect to the second resin surface, 3.
  • the semiconductor device according to appendix 2 wherein the concave region has a pair of wall surfaces and a groove bottom sandwiched between the pair of wall surfaces in the first direction.
  • Appendix 6. The semiconductor device according to any one of Appendixes 2 to 5, wherein the first resin surface has a plurality of the recessed regions arranged along the first direction.
  • Appendix 7. The first resin surface has end regions arranged on both sides of the concave region in the first direction, 7.
  • the first terminal portion includes a first portion and a second portion, The first part is arranged closer to the die pad part than the second part in the first direction and is covered with the sealing resin, 8.
  • the first terminal portion includes a third portion connected to the first portion and the second portion, The semiconductor device according to appendix 8, wherein the third portion is orthogonal to each of the first portion and the second portion and extends along the thickness direction.
  • the second terminal portion includes a fourth portion and a fifth portion; the fourth part is arranged closer to the die pad part than the fifth part in the first direction and is covered with the sealing resin;
  • the second terminal portion includes a sixth portion connected to the fourth portion and the fifth portion, 11.

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Abstract

半導体装置は、半導体素子と、導通部材と、封止樹脂とを備える。前記導通部材は、ダイパッド部、第１端子部および第２端子部を含む。前記封止樹脂は、前記導通部材の一部および前記半導体素子を覆う。前記封止樹脂は、第１樹脂面、第２樹脂面、第３樹脂面および第４樹脂面を有する。前記ダイパッド部は、前記半導体素子が搭載された第１リード主面および前記第２樹脂面から露出する第１リード裏面を有する。前記第１端子部は、ｚ方向一方側に屈曲し、且つ前記第３樹脂面から露出している。前記第２端子部は、ｚ方向一方側に屈曲し、且つ前記第４樹脂面から露出している。前記第１樹脂面は、ｚ方向において前記第２樹脂面側に窪んだ凹形状領域を有している。前記凹形状領域は、ｚ方向に見て前記第１端子部と前記第２端子部とを結ぶ仮想線分に重なる。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　特許文献１には、パッド主面およびパッド裏面を有する第１パッドを含む第１リード、第２リード、第３リードと、パッド主面の上に搭載された半導体素子と、パッド主面に接し、かつ半導体素子を覆う封止樹脂とを備える半導体装置の一例が開示されている。第１リード、第２リードおよび第３リードは、同一方向に延びる第１端子、第２端子および第３端子を有する。第１端子、第２端子および第３端子が、回路基板等の貫通孔に挿通されることにより、この半導体装置が回路基板に実装される。また、この半導体装置が、ヒートシンクに取り付けられる場合、パッド裏面とヒートシンクとの間に、たとえば絶縁シートが設けられる。
特開２０１７－１７４９５１号公報
　半導体装置は、回路基板に端子部を挿通させる実装形態の他に、たとえば回路基板に面実装される形態が求められる場合がある。
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、面実装可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の一の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、ダイパッド部、第１端子部および第２端子部を含む導通部材と、前記導通部材の一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備える。前記封止樹脂は、前記封止樹脂の厚さ方向一方側を向く第１樹脂面、前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面、前記厚さ方向に直交する第１方向一方側を向く第３樹脂面、および、前記第１方向他方側を向く第４樹脂面を有する。前記ダイパッド部は、前記厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された搭載面、および、前記厚さ方向他方側を向き且つ前記第２樹脂面から露出する露出面を有する。前記第１端子部は、前記厚さ方向一方側に屈曲し、且つ前記第３樹脂面から露出している。前記第２端子部は、前記厚さ方向一方側に屈曲し、且つ前記第４樹脂面から露出している。前記第１樹脂面は、前記厚さ方向において前記第２樹脂面側に窪んだ凹形状領域を有する。前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て、前記第１端子部と前記第２端子部とを結ぶ仮想線分に重なる。
　上記構成によれば、面実装可能な半導体装置を提供することが可能である。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付の図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部斜視図である。 図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部斜視図である。 図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部底面図である。 図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図１０のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図１０のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図１０のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、図１０のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。 図１７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の使用状態を示す断面図である。 図１８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す斜視図である。 図１９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す断面図であって、図１１の断面に対応する。 図２０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す斜視図である。 図２１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す断面図であって、図１１の断面に対応する。 図２２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第３変形例を示す断面図であって、図１１の断面に対応する。 図２３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第４変形例を示す断面図であって、図１１の断面に対応する。 図２４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第５変形例を示す要部平面図である。 図２５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第５変形例を示す断面図であって、図１１の断面に対応する。 図２６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第６変形例を示す要部平面図である。 図２７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図２８は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図２９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図３０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図であって、図１１の断面に対応する。 図３１は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図であって、図１３の断面に対応する。 図３２は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図３３は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図であって、図１３の断面に対応する。 図３４は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置の変形例を示す断面図であって、図１３の断面に対応する。 図３５は、本開示の第４変形例に係る半導体装置を示す底面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある面Ａがある方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、特段の断りのない限り、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂ（ある方向Ｂ）に直交する」とは、特段の断りがない限り、ある物Ａのある物Ｂ（ある方向Ｂ）に対する角度が厳密に９０°である場合に限定されず、当該角度が略９０°（たとえば製造上のばらつきによって生じる誤差の範囲）である場合も含む。また、「ある物Ａがある物Ｂ（ある方向Ｂ）に平行である」とは、特段の断りがない限り、ある物Ａがある物Ｂ（ある方向Ｂ）に対して厳密に平行である場合に限定されず、略平行（たとえば製造上のばらつきによって生じる誤差の範囲）である場合も含む。
　第１実施形態：
　図１～図１７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、導通部材１０、半導体素子２０、複数の接続部材３１，３２，３３および封止樹脂４０を備える。これらの図において、たとえば、ｚ方向は、「厚さ方向」の一例であり、ｘ方向は、「第１方向」の一例であり、ｙ方向は、「第２方向」の一例である。
　導通部材１０：
　導通部材１０は、半導体素子２０への導通経路を構成する部材である。本実施形態の導通部材１０は、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４を含む。第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４の材質は何ら限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）または銅合金を含む。また、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４の適所（たとえば封止樹脂４０から露出する部位）には、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、鈴（Ｓｎ）等のめっきが施されていてもよい。
　第１リード１１：
　図１～図１７に示すように、第１リード１１は、ダイパッド部１１１および複数の第１端子部１１２を有する。ダイパッド部１１１は、第１リード主面１１１１、第１リード裏面１１１２および第１リード側面１１１３を有する。第１リード主面１１１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第１リード裏面１１１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第１リード主面１１１１には、半導体素子２０が搭載されている。第１リード裏面１１１２は、封止樹脂４０（後述の第２樹脂面４２）から露出する。よって、ダイパッド部１１１は、半導体素子２０を搭載する搭載面としての第１リード主面１１１１、および、封止樹脂４０（後述の第２樹脂面４２）から露出する露出面としての第１リード裏面１１１２を有する。
　第１リード側面１１１３は、ｚ方向において第１リード主面１１１１と第１リード裏面１１１２との間に位置しており、ｘ方向の一方側を向く面である。第１リード側面１１１３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。
　本実施形態のダイパッド部１１１は、第１中間面１１１４をさらに有する。第１中間面１１１４は、ｘ方向において第１リード主面１１１１と第１リード裏面１１１２との間に位置しており、ｚ方向の一方側（第１リード裏面１１１２と同じ側）を向く面である。第１中間面１１１４は、封止樹脂４０に覆われている。第１中間面１１１４により、ダイパッド部１１１に段差が形成される。これにより、ダイパッド部１１１が封止樹脂４０から抜け落ちることを抑制できる。なお、ダイパッド部１１１が第１中間面１１１４を有していなくてもよい。
　ダイパッド部１１１の形状は、何ら限定されない。図示された例においては、ダイパッド部１１１は、ｚ方向に見て矩形状である。また、第１リード主面１１１１および第１リード裏面１１１２の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。
　複数の第１端子部１１２は、ｙ方向に並んで配置されている。複数の第１端子部１１２はそれぞれ、ｚ方向一方側に屈曲する。第１端子部１１２はそれぞれ、第１部１１２１、第２部１１２２および第３部１１２３を有する。
　第１部１１２１は、ダイパッド部１１１に繋がっている。第１部１１２１は、ダイパッド部１１１と一体的に形成されていてもよいし、ダイパッド部１１１にかしめ接合または超音波接合、導電性接合材による接合などにより接合されていてもよい。第１部１１２１は、ダイパッド部１１１の第１リード側面１１１３からｘ方向の一方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。図示された例では、第１部１１２１のｘ方向の寸法は、第６部１２２３のｘ方向の寸法と同じ（あるいは略同じ）であるが、これよりも長くてもよい。図示された例に限定されない。第１部１１２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。本実施形態においては、ダイパッド部１１１は、第１部１１２１よりもｚ方向の大きさが大きい。第１部１１２１は、ｚ方向において第１リード裏面１１１２から離れており、図示された例においては、第１リード主面１１１１と接している。第１部１１２１の片面は、第１リード主面１１１１と面一である。第１部１１２１は、封止樹脂４０に覆われている。第１部１１２１は、ｙ方向において、第２部１１２２よりもダイパッド部１１１の近くに配置されている。
　第２部１１２２は、第１部１１２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第２部１１２２は、封止樹脂４０のｘ方向一方側の側面（後述の第３樹脂面４３）から突き出し、且つ、封止樹脂４０の底面（後述の第１樹脂面４１）において露出する。第２部１１２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第２部１１２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。第２部１１２２は、ｘ方向において、第１部１１２１よりもダイパッド部１１１の遠くに位置する。
　第３部１１２３は、第１部１１２１と第２部１１２２との間に介在している。第３部１１２３は、第１部１１２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第３部１１２３は、ｚ方向に沿って延びており、第１部１１２１および第２部１１２２のそれぞれに対して直交する。この例とは異なり、第３部１１２３は、第１部１１２１および第２部１１２２に対して傾いていてもよい。第３部１１２３は、第１部１１２１のｘ方向一方側の端縁に繋がり、第２部１１２２のｘ方向他方側の端縁に繋がる。第３部１１２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。第３部１１２３は、封止樹脂４０に覆われている。
　各第１端子部１１２において、第１部１１２１の厚さ（ｚ方向の寸法）、第２部１１２２の厚さ（ｙ方向の寸法）および第３部１１２３の厚さ（ｚ方向の寸法）の関係は、何ら限定されず、図示された例では同じ（あるいは略同じ）である。
　第２リード１２：
　第２リード１２は、第１リード１１（ダイパッド部１１１）に対してｘ方向の他方側に離れて位置している。第２リード１２は、パッド部１２１および複数の第２端子部１２２を有する。
　パッド部１２１は、第２リード主面１２１１および第２リード裏面１２１２を有する。第２リード主面１２１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第２リード裏面１２１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第２リード主面１２１１には、接続部材３１が接続されている。パッド部１２１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｙ方向を長手方向とする長矩形状である。また、ｚ方向に見て、パッド部１２１は、ダイパッド部１１１よりも小さい。また、パッド部１２１は、ダイパッド部１１１よりもｚ方向の大きさが小さく、第１端子部１１２と同じである。
　複数の第２端子部１２２は、ｙ方向に並んで配置されている。複数の第２端子部１２２はそれぞれ、ｚ方向一方側に屈曲する。第２端子部１２２は、第４部１２２１、第５部１２２２および第６部１２２３を有する。
　第４部１２２１は、パッド部１２１に繋がっている。第４部１２２１は、パッド部１２１と一体的に形成されている。第４部１２２１は、パッド部１２１からｘ方向の他方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。第４部１２２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。第４部１２２１は、封止樹脂４０に覆われている。
　第５部１２２２は、第４部１２２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第５部１２２２は、封止樹脂４０のｘ方向他方側の側面（後述の第４樹脂面４４）から突き出し、且つ、封止樹脂４０の底面（後述の第１樹脂面４１）において露出する。第５部１２２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第５部１２２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。第５部１２２２は、ｘ方向において、第４部１２２１よりもダイパッド部１１１の遠くに位置する。
　第６部１２２３は、第４部１２２１と第５部１２２２との間に介在している。第６部１２２３は、第４部１２２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第６部１２２３は、ｚ方向に沿って延びており、第４部１２２１および第５部１２２２のそれぞれに対して直交する。この例とは異なり、第６部１２２３は、第４部１２２１および第５部１２２２に対して傾いていてもよい。第６部１２２３は、第４部１２２１のｘ方向他方側の端縁に繋がり、第５部１２２２のｘ方向一方側の端縁に繋がる。第６部１２２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。第６部１２２３は、封止樹脂４０に覆われている。
　各第２端子部１２２において、第４部１２２１の厚さ（ｚ方向の寸法）、第５部１２２２の厚さ（ｙ方向の寸法）および第６部１２２３の厚さ（ｚ方向の寸法）の関係は、何ら限定されず、図示された例は同じ（あるいは略同じ）である。また、第５部１２２２の厚さと、第２部１１２２の厚さとの関係は、何ら限定されず、図示された例では同じ（あるいは略同じ）である。
　第３リード１３：
　第３リード１３は、第１リード１１（ダイパッド部１１１）に対してｘ方向の他方側に離れて位置している。また、第３リード１３は、ｙ方向において第２リード１２と並んでいる。第３リード１３は、パッド部１３１および第３端子部１３２を有する。
　パッド部１３１は、第３リード主面１３１１および第３リード裏面１３１２を有する。第３リード主面１３１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第３リード裏面１３１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第３リード主面１３１１には、接続部材３２が接続されている。パッド部１３１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。また、ｚ方向に見て、パッド部１３１は、パッド部１２１よりも小さい。また、パッド部１３１は、ダイパッド部１１１よりもｚ方向の大きさが小さく、パッド部１２１と同じである。
　第３端子部１３２は、ｚ方向一方側に屈曲する。第３端子部１３２は、第７部１３２１、第８部１３２２および第９部１３２３を有する。
　第７部１３２１は、パッド部１３１に繋がっている。第７部１３２１は、パッド部１３１と一体的に形成されている。第７部１３２１は、パッド部１３１からｘ方向の他方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。第７部１３２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。第７部１３２１は、封止樹脂４０に覆われている。
　第８部１３２２は、第７部１３２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第８部１３２２は、封止樹脂４０のｘ方向他方側の側面（後述の第４樹脂面４４）から突き出し、且つ、封止樹脂４０の底面（後述の第１樹脂面４１）において露出する。第８部１３２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第８部１３２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。第８部１３２２は、ｘ方向において、第７部１３２１よりもダイパッド部１１１の遠くに位置する。
　第９部１３２３は、第７部１３２１と第８部１３２２との間に介在している。第９部１３２３は、第７部１３２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第９部１３２３は、ｚ方向に沿って延びており、第７部１３２１および第８部１３２２のそれぞれに対して直交する。この例とは異なり、第９部１３２３は、第７部１３２１および第８部１３２２に対して傾いていてもよい。第９部１３２３は、第７部１３２１のｘ方向他方側の端縁に繋がり、第８部１３２２のｘ方向一方側の端縁に繋がる。第９部１３２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。第９部１３２３は、封止樹脂４０に覆われている。
　第３端子部１３２において、第７部１３２１の厚さ（ｚ方向の寸法）、第８部１３２２の厚さ（ｙ方向の寸法）および第９部１３２３の厚さ（ｚ方向の寸法）の関係は、何ら限定されず、図示された例は同じ（あるいは略同じ）である。また、第８部１３２２の厚さと、第５部１２２２の厚さとの関係は、何ら限定されず、図示された例では同じ（あるいは略同じ）である。
　第４リード１４：
　第４リード１４は、第１リード１１（ダイパッド部１１１）に対してｘ方向の他方側に離れて位置している。また、第４リード１４は、ｙ方向において第２リード１２と第３リード１３との間に位置している。第４リード１４は、パッド部１４１および第４端子部１４２を有する。
　パッド部１４１は、第４リード主面１４１１および第４リード裏面１４１２を有する。第４リード主面１４１１は、ｚ方向の一方側を向く面である。第４リード裏面１４１２は、ｚ方向の他方側を向く面である。第４リード主面１４１１には、接続部材３３が接続されている。パッド部１４１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。また、ｚ方向に見て、パッド部１４１は、パッド部１２１よりも小さく、パッド部１３１と同程度の大きさである。また、パッド部１４１は、ダイパッド部１１１よりもｚ方向の大きさが小さく、パッド部１２１およびパッド部１３１と同じである。
　第４端子部１４２は、ｚ方向一方側に屈曲する。第４端子部１４２は、第１０部１４２１、第１１部１４２２および第１２部１４２３を有する。
　第１０部１４２１は、パッド部１４１に繋がっている。第１０部１４２１は、パッド部１４１と一体的に形成されている。第１０部１４２１は、パッド部１４１からｘ方向の他方側に延びており、図示された例においてはｘｙ平面に平行である。第１０部１４２１の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、ｚ方向に見て矩形状である。第１０部１４２１は、封止樹脂４０に覆われている。
　第１１部１４２２は、第１０部１４２１に対してｚ方向の一方側に位置している。第１１部１４２２は、封止樹脂４０のｘ方向他方側の側面（後述の第４樹脂面４４）から突き出し、且つ、封止樹脂４０の底面（後述の第１樹脂面４１）において露出する。第１１部１４２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板等に面実装する際に用いられる。第１１部１４２２は、ｘ方向に沿って延びる形状である。第１１部１４２２は、ｘ方向において、第１０部１４２１よりもダイパッド部１１１の遠くに位置する。
　第１２部１４２３は、第１０部１４２１と第１１部１４２２との間に介在している。第１２部１４２３は、第１０部１４２１からｚ方向の一方側に延びている。図示された例においては、第１２部１４２３は、ｚ方向に沿って延びており、第１０部１４２１および第１１部１４２２のそれぞれに対して直交する。この例とは異なり、第１２部１４２３は、第１０部１４２１および第１１部１４２２に対して傾いていてもよい。第１２部１４２３は、第１０部１４２１のｘ方向他方側の端縁に繋がり、第１１部１４２２のｘ方向一方側の端縁に繋がる。第１２部１４２３の形状は何ら限定されず、図示された例においては、ｘ方向に見て矩形状である。第１２部１４２３は、封止樹脂４０に覆われている。
　第４端子部１４２において、第１０部１４２１の厚さ（ｚ方向の寸法）、第１１部１４２２の厚さ（ｙ方向の寸法）および第１２部１４２３の厚さ（ｚ方向の寸法）の関係は、何ら限定されず、図示された例は同じ（あるいは略同じ）である。また、第１１部１４２２の厚さと、第５部１２２２の厚さとの関係は、何ら限定されず、図示された例では同じ（あるいは略同じ）である。
　半導体素子２０：
　半導体素子２０は、図５、図１０～図１４および図１７に示すように、ダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１に搭載されている。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子２０は、スイッチング素子である。当該スイッチング素子は、たとえばｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。半導体素子２０は、ＭＯＳＦＥＴに限定されない。半導体素子２０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの他のトランジスタでもよい。さらに半導体素子２０は、ダイオードでもよい。半導体素子２０は、半導体層２０５、第１電極２０１、第２電極２０２および第３電極２０３を有する。
　半導体層２０５は、化合物半導体基板を含む。化合物半導体基板の主材料は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）である。この他、化合物半導体基板の主材料として、ケイ素（Ｓｉ）を用いてもよい。
　第１電極２０１は、ｚ方向において第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１が向く側（一方側）に設けられている。第１電極２０１は、半導体素子２０のソース電極に相当する。
　第２電極２０２は、ｚ方向において第１電極２０１とは反対側に設けられている。第２電極２０２は、第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１に対向している。第２電極２０２は、半導体素子２０のドレイン電極に相当する。本実施形態においては、第２電極２０２は、接合層２９を介して第１リード主面１１１１に接合されている。接合層２９は、たとえば、はんだ、銀（Ａｇ）ペースト、焼成銀等である。
　第３電極２０３は、ｚ方向において第１電極２０１と同じ側に設けられ、かつ第１電極２０１から離れて位置する。第３電極２０３は、半導体素子２０のゲート電極に相当する。ｚ方向に見て、第３電極２０３の面積は、第１電極２０１の面積よりも小である。
　接続部材３１，３２，３３：
　接続部材３１は、半導体素子２０の第１電極２０１と第２リード１２のパッド部１２１の第２リード主面１２１１とに接合されている。接続部材３１の材質は何ら限定されず、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属を含む。また、接続部材３１の本数は何ら限定されず、複数の接続部材３１を備えていてもよい。図示された例においては、接続部材３１は、アルミニウム（Ａｌ）を含み、扁平な帯状の部材である。この例とは異なり、接続部材３１は、細い線状部材（ボンディングワイヤ）であってもよい。
　接続部材３２は、半導体素子２０の第３電極２０３と第３リード１３のパッド部１３１の第３リード主面１３１１とに接続されている。図示された例においては、接続部材３２は、金（Ａｕ）を含み、接続部材３１よりも細い線状部材（ボンディングワイヤ）である。
　接続部材３３は、半導体素子２０の第１電極２０１と第４リード１４のパッド部１４１の第４リード主面１４１１とに接続されている。図示された例においては、接続部材３３は、金（Ａｕ）を含み、接続部材３１よりも細い線状部材（ボンディングワイヤ）である。
　本実施形態においては、第１リード１１の第１端子部１１２は、ドレイン端子であり、第２リード１２の第２端子部１２２は、ソース端子であり、第３リード１３の第３端子部１３２は、ゲート端子であり、第４リード１４の第４端子部１４２は、ソースセンス端子である。
　封止樹脂４０：
　封止樹脂４０は、図１～図１５に示すように、半導体素子２０、接続部材３１，３２，３３と、第１リード１１、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４の一部ずつとを覆っている。封止樹脂４０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂４０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂４０は、第１樹脂面４１、第２樹脂面４２、第３樹脂面４３、第４樹脂面４４、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６を有する。
　第１樹脂面４１は、ｚ方向において第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード主面１１１１と同じ側（一方側）を向く。第２樹脂面４２は、ｚ方向において第１樹脂面４１とは反対側（他方側）を向く。第２樹脂面４２から、第１リード１１のダイパッド部１１１の第１リード裏面１１１２が露出している。第２樹脂面４２と第１リード裏面１１１２とは、互いに面一である。
　第３樹脂面４３は、ｘ方向の一方側を向いている。図示された例では、第１リード１１の複数の第１端子部１１２の各第１部１１２１は、第３樹脂面４３からｘ方向に突き出ている。この例と異なり、各第１部１１２１の端面（ｘ方向外方を向く面）が第３樹脂面４３と面一であってもよい。
　第４樹脂面４４は、ｘ方向において第３樹脂面４３とは反対側（他方側）を向いている。図示された例では、第２リード１２の複数の第２端子部１２２の各第５部１２２２、第３リード１３の第３端子部１３２の第８部１３２２および第４リード１４の第４端子部１４２の第１１部１４２２は、第４樹脂面４４からｘ方向に突き出ている。この例と異なり、第５部１２２２、第８部１３２２および第１１部１４２２の各端面（ｘ方向外方を向く面）が第４樹脂面４４と面一であってもよい。
　第５樹脂面４５は、ｙ方向の一方側を向いている。第６樹脂面４６は、ｙ方向において第５樹脂面４５とは反対側（他方側）を向いている。図１４～図１６に示す例では、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６はそれぞれ、ｙ方向に直交するが、ｙ方向に対して傾斜していてもよい。たとえば、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６は、第１樹脂面４１から第２樹脂面４２に向かうほど、ｚ方向に直交する断面の面積が小さくなるように傾斜していてもよい。
　本実施形態において、第１樹脂面４１は、図２、図７、図８、図１１～図１３および図１７に示すように、凹形状領域４１１および端部領域４１２を含む。
　凹形状領域４１１は、第１樹脂面４１のうち、ｚ方向において第２樹脂面４２側に窪んだ領域である。図７に示すように、凹形状領域４１１は、ｚ方向に見て、各第１端子部１１２と各第２端子部１２２とを結ぶ仮想線分Ｌ１に重なる。本実施形態では、図７に示すように、凹形状領域４１１は、ｚ方向に見て、仮想線分Ｌ１のすべてに重なる。図示された例（図２および図７参照）では、凹形状領域４１１は、ｚ方向に見て、第５樹脂面４５から第６樹脂面４６まで延びる。
　図示された例から理解されるように、凹形状領域４１１は、Ｖ字状の溝である。凹形状領域４１１は、谷部４１１１、第１傾斜面４１１２および第２傾斜面４１１３を有する。
　谷部４１１１は、ｚ方向に見て、線状である。谷部４１１１は、凹形状領域４１１のうち、ｚ方向において最も第２樹脂面４２寄りに位置する部位である。つまり、谷部４１１１は、凹形状領域４１１における最深部である。谷部４１１１は、第５樹脂面４５から第６樹脂面４６まで延びる。図１０～図１３に示すように、谷部４１１１（凹形状領域４１１の最深部）は、ｚ方向に見て、接続部材３１，３２，３３のいずれにも重ならない。谷部４１１１は、ｚ方向に見て、封止樹脂４０のｘ方向中央よりもｘ方向一方側（各第１端子部１１２が位置する側）に配置されているが、谷部４１１１のｘ方向の位置は、これに限定されない。谷部４１１１は、ｚ方向に見て、第３樹脂面４３および第４樹脂面４４に平行（あるいは略平行）であるが、第３樹脂面４３および第４樹脂面４４に対して傾斜していてもよい。
　第１傾斜面４１１２は、ｘ方向一方側から谷部４１１１に繋がり、第２傾斜面４１１３は、ｘ方向他方側から谷部４１１１に繋がる。第１傾斜面４１１２および第２傾斜面４１１３はそれぞれ、第２樹脂面４２および端部領域４１２に対して傾斜する。第１傾斜面４１１２は、谷部４１１１に向かって凹形状領域４１１の深さが大きくなるように傾斜し、第２傾斜面４１１３は、谷部４１１１に向かって凹形状領域４１１の深さが大きくなるように傾斜する。図示された例では、第１傾斜面４１１２のｘｙ平面に対する傾斜角は、第２傾斜面４１１３のｘｙ平面に対する傾斜角よりも大きい。図示された例と異なり、第１傾斜面４１１２および第２傾斜面４１１３のいずれか一方は、ｘｙ平面に対して直立した面であってもよい。
　端部領域４１２は、図７および図８に示すように、凹形状領域４１１のｘ方向両側に配置される。端部領域４１２は、平坦である。端部領域４１２は、第２樹脂面４２に平行（あるいは略平行）である。端部領域４１２は、凹形状領域４１１のｘ方向一方側に配置された第１領域４１２１と凹形状領域４１１のｘ方向他方側に配置された第２領域４１２２とを有する。
　凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）は、何ら限定されないが、たとえば封止樹脂４０のｚ方向の寸法に対して１０％以上２０％以下である。図１１に示す例では、凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）は、ｚ方向における接続部材３１から端部領域４１２までの距離よりも小さいが、大きくてもよい。また、図１２および図１３に示す例では、凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）は、ｚ方向における接続部材３２，３３から端部領域４１２までの距離よりも大きいが、小さくてもよい。凹形状領域４１１の最深部の深さは、第２部１１２２および第５部１２２２の各厚さ（ｚ方向の寸法）よりも大きい。半導体装置Ａ１では、各接続部材３２，３３のｚ方向一方側の頂部が接続部材３１のｚ方向一方側の頂部よりもｚ方向一方側に位置するが、反対に、接続部材３１のｚ方向一方側の頂部が各接続部材３２，３３のｚ方向一方側の頂部よりもｚ方向一方側に位置してもよい。凹形状領域４１１の最深部の深さは、各接続部材３１，３２，３３のｚ方向の寸法に応じて、適宜変更される。
　図１５に示すように、第２部１１２２のｚ方向一方側を向く面は、第１領域４１２１において、封止樹脂４０から露出する。図示された例では、第１領域４１２１と、第２部１１２２のｚ方向一方側を向く面とは、面一である。なお、第１端子部１１２において封止樹脂４０から露出する部位にめっきが施されている場合、第２部１１２２のｚ方向一方側を向く面は、第１領域４１２１よりも、当該めっき分、ｚ方向一方側に突き出る。
　図１６に示すように、第５部１２２２、第８部１３２２および第１１部１４２２の各ｚ方向一方側を向く面は、第２領域４１２２において、封止樹脂４０から露出する。図示された例では、第２領域４１２２と、第５部１２２２、第８部１３２２および第１１部１４２２の各ｚ方向一方側を向く面とは、面一である。なお、第２端子部１２２、第３端子部１３２および第４端子部１４２において封止樹脂４０から露出する部位にめっきが施されている場合、第５部１２２２、第８部１３２２および第１１部１４２２の各ｚ方向一方側を向く面は、第２領域４１２２よりも、当該めっき分、ｚ方向一方側に突き出る。
　図示された例においては、封止樹脂４０は、溝４９を有する。溝４９は、第２樹脂面４２からｘ方向に凹んでおり、ｙ方向に沿って延びている。溝４９は、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。
　また、図示された例においては、封止樹脂４０は、２つの凹部４７を有している。一方の凹部４７は、第１樹脂面４１および第５樹脂面４５から凹んでいる。他方の凹部４７は、４１および第６樹脂面４６から凹んでいる。図示された例では、凹部４７からは、第１リード主面１１１１の一部が露出している。この例とは異なり、凹部４７から、第１リード主面１１１１が露出していなくてもよい。２つの凹部４７は、半導体装置Ａ１０における端子配置を示す目印として利用されたり、半導体装置Ａ１０の製造時または実装時に搬送（挟持）する際に利用されたりする。
　図１７は、半導体装置Ａ１０の使用状態を示している。本使用例においては、半導体装置Ａ１０は、回路基板９２に面実装されている。すなわち、第１端子部１１２の第２部１１２２、第２端子部１２２の第５部１２２２、第３端子部１３２の第８部１３２２および第４端子部１４２の第１１部１４２２が、たとえばはんだ９２１によって、回路基板９２の配線パターン（図示略）に導通接合されている。また、ダイパッド部１１１の第１リード裏面１１１２には、ヒートシンク９１が対向配置されている。図示された例においては、第１リード裏面１１１２とヒートシンク９１との間に、シート材９１９が配置されている。シート材９１９は、たとえば絶縁シートである。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用について説明する。
　図１７に示すように、第１リード裏面１１１２は、第２樹脂面４２から露出している。これにより、第１リード裏面１１１２には、たとえばヒートシンク９１を対向配置させることが可能である。また、第１端子部１１２および第２端子部１２２の各々は、ｚ方向一方側に屈曲する。これにより、半導体装置Ａ１０を回路基板９２等に面実装することが可能である。また、第３樹脂面４３から第１端子部１１２が、第４樹脂面４４から第２端子部１２２がそれぞれ突き出ている。第１樹脂面４１は、凹形状領域４１１を有し、凹形状領域４１１は、ｚ方向に見て、第１端子部１１２と第２端子部１２２とを結ぶ仮想線分Ｌ１に重なる。これにより、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を延長できる。したがって、第１端子部１１２と第２端子部１２２との意図せぬ短絡を抑制できる。
　第３部１１２３は、第１部１１２１および第２部１１２２に対して直交する（ｚ方向に平行である）。これにより、半導体装置Ａ１０のｘ方向の寸法を縮小できる。同様に、第６部１２２３は、第４部１２２１および第５部１２２２に対して直交する（ｚ方向に平行である）ので、半導体装置Ａ１０のｘ方向の寸法を縮小できる。
　第１部１１２１のｘ方向の寸法は、第３部１１２３の厚さ（ｘ方向の寸法）と同じ（あるいは略同じ）である。これにより、第１部１１２１のｘ方向の寸法を極力小さくして、半導体装置Ａ１０のｘ方向の寸法を縮小できる。同様に、第４部１２２１のｘ方向の寸法は、第６部１２２３の厚さ（ｘ方向の寸法）と同じ（あるいは略同じ）であるので、第４部１２２１のｘ方向の寸法を極力小さくして、半導体装置Ａ１０のｘ方向の寸法を縮小できる。
　第２部１１２２は、第１樹脂面４１（端部領域４１２の第１領域４１２１）において露出する。これにより、第２部１１２２の一部が、第３樹脂面４３よりも封止樹脂４０のｘ方向内方に配置されるので、半導体装置Ａ１０のｘ方向の寸法を縮小できる。同様に、第５部１２２２は、第１樹脂面４１（端部領域４１２の第２領域４１２２）において露出する。これにより、第５部１２２２の一部が、第４樹脂面４４よりも封止樹脂４０のｘ方向内方に配置されるので、半導体装置Ａ１０のｘ方向の寸法を縮小できる。また、第２部１１２２および第５部１２２２のそれぞれが第１樹脂面４１において露出する構成では、第１端子部１１２と第２端子部１２２とのｘ方向に沿う離間距離が縮小される。そのため、第１樹脂面４１に凹形状領域４１１を設けて、当該沿面距離を延長することは、第１端子部１１２と第２端子部１２２との意図せぬ短絡を抑制する上で、有効である。つまり、半導体装置Ａ１０は、ｘ方向の寸法を小さくしつつ、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を適度に確保することが可能となる。
　凹形状領域４１１の最深部（谷部４１１１）は、ｚ方向に見て、接続部材３１，３２，３３のいずれにも重ならない。これにより、ｚ方向における接続部材３１，３２，３３から第１樹脂面４１までの距離を適度に確保することができるので、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧を高めることができる。また、凹形状領域４１１の最深部（谷部４１１１）が、ｚ方向に見て、接続部材３１，３２，３３のいずれにも重ならないことで、凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）を、ｚ方向における接続部材３１，３２，３３から端部領域４１２までの距離よりも大きくすることが可能となる。
　凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）は、ｚ方向における接続部材３２，３３から端部領域４１２までの距離よりも大きい。これにより、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を適度に大きくできる。なお、凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）を、ｚ方向における接続部材３１から端部領域４１２までの距離よりも大きくすれば、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離をさらに大きくできる。
　凹形状領域４１１の最深部の深さ（ｚ方向における端部領域４１２から谷部４１１１までの距離）は、第２部１１２２および第５部１２２２の各厚さ（ｚ方向の寸法）よりも大きい。これにより、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿面距離を適度に大きくできる。
　ダイパッド部１１１は、第１部１１２１よりもｚ方向の大きさが大きい。これにより、半導体素子２０から第１リード裏面１１１２へと熱が伝わる過程で、ｘ方向およびｙ方向において、熱をより広い範囲に伝えることが可能である。したがって、ダイパッド部１１１のより広い領域によって、半導体素子２０からの熱をヒートシンク９１等に放熱することが可能であり、放熱効率を高めることができる。
　封止樹脂４０には、溝４９が形成されている。これにより、第１リード裏面１１１２から第２リード１２（第４部１２２１）、第３リード１３（第７部１３２１）および第４リード１４（第１０部１４２１）までの、封止樹脂４０の表面に沿った沿面距離を延長することができる。
　半導体素子２０がＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）である例において、第１端子部１１２はドレイン端子であり、第２端子部１２２はソース端子である。この構成では、第１端子部１１２と第２端子部１２２との電位差が大きくなる。そのため、凹形状領域４１１によって、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を延長することは、第１端子部１１２と第２端子部１２２との意図せぬ短絡を抑制する上で、有効である。
　図１８～図３５は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、各変形例および各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
　第１実施形態　第１変形例：
　図１８および図１９は、半導体装置Ａ１０の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１においては、封止樹脂４０に２つの溝４９が設けられている。
　各溝４９は、ｙ方向に延びており、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。また、２つの溝４９は、ｘ方向に離れて配置されている。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１１を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、２つの溝４９を有することにより、第１リード裏面１１１２と第２端子部１２２、第３端子部１３２および第４端子部１４２との沿面距離をさらに延長することができる。本変形例から理解されるように、溝４９の個数は何ら限定されない。
　第１実施形態　第２変形例：
　図２０および図２１は、半導体装置Ａ１０の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２においては、封止樹脂４０に凸部４８が設けられている。
　凸部４８は、第２樹脂面４２からｚ方向の他方側に突出している。凸部４８は、ｙ方向に沿って延びており、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。図示された例においては、凸部４８は、封止樹脂４０のｘ方向の他方側端に配置されており、第４樹脂面４４に接している。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１２を面実装可能である。また、凸部４８を有することにより、第１リード裏面１１１２と第２端子部１２２、第３端子部１３２および第４端子部１４２との沿面距離を延長することができる。
　第１実施形態　第３変形例：
　図２２は、半導体装置Ａ１０の第３変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１３は、封止樹脂４０に２つの凸部４８が設けられている。
　各凸部４８は、ｚ方向の他方側に突出している。各凸部４８は、ｙ方向に沿って延びており、第５樹脂面４５および第６樹脂面４６に到達している。２つの凸部４８は、ｘ方向において、第１リード裏面１１１２を挟んで互いに離れて配置されている。一方の凸部４８は、第４樹脂面４４に接している。他方の凸部４８は、第３樹脂面４３に接している。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１３を面実装可能である。また、２つの凸部４８を有することにより、第１リード裏面１１１２と第１端子部１１２、第３端子部１３２および第４端子部１４２との沿面距離をさらに延長することができる。本変形例から理解されるように、凸部４８の個数は何ら限定されない。
　第１実施形態　第４変形例：
　図２３は、半導体装置Ａ１０の第４変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１４においては、封止樹脂４０が上述の凸部４８および溝４９を有していない。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１４を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、封止樹脂４０は、凸部４８および溝４９を有さない構成であってもよい。
　第１実施形態　第５変形例：
　図２４および図２５は、半導体装置Ａ１０の第５変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１５においては、第２端子部１２２の第６部１２２３、第３端子部１３２の第９部１３２３、および、第４端子部１４２の第１２部１４２３がそれぞれ、ｚ方向（ｘｙ平面）に対して傾斜する。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１５を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、第２端子部１２２の第６部１２２３が第４部１２２１および第５部１２２２に対して、第３端子部１３２の第９部１３２３が第７部１３２１および第８部１３２２に対して、第４端子部１４２の第１２部１４２３が第１０部１４２１および第１１部１４２２に対して、傾斜するか直交するかは、何ら限定されない。
　半導体装置Ａ１５では、各第６部１２２３、第９部１３２３および第１２部１４２３がそれぞれ、傾斜した例を示したが、これらの代わりに、または、これらに加えて、第１端子部１１２の第３部１１２３が、第１部１１２１および第２部１１２２に対して、傾斜していてもよい。
　第１実施形態の第６変形例：
　図２６は、半導体装置Ａ１０の第６変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１６は、上述の接続部材３１，３２，３３を備えていない。
　本変形例においては、第２リード１２のパッド部１２１の第２リード裏面１２１２が、半導体素子２０の第１電極２０１に導通接合されている。また、第３リード１３のパッド部１３１の第３リード裏面１３１２が、半導体素子２０の第３電極２０３に導通接合されている。また、第４リード１４のパッド部１４１の第４リード裏面１４１２が、半導体素子２０の第１電極２０１に導通接合されている。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ１６を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、第２リード１２、第３リード１３および第４リード１４と半導体素子２０との具体的な導通形態は何ら限定されない。
　第２実施形態：
　図２７～図３１は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、第１樹脂面４１の凹形状領域４１１の構成が、上述した例と異なっている。
　本実施形態の凹形状領域４１１は、矩形状またはＵ字状の溝である。本実施形態の凹形状領域４１１は、一対の壁面４１１５，４１１６および溝底４１１７を有する。
　一対の壁面４１１５，４１１６はそれぞれ、ｙｚ平面に平行である。一対の壁面４１１５，４１１６はそれぞれ、端部領域４１２および溝底４１１７に直交する。この例とは異なり、一対の壁面４１１５，壁面４１１６はそれぞれ、端部領域４１２に対して傾斜していてもよい。
　溝底４１１７は、ｘ方向において、一対の壁面４１１５，４１１６に挟まれる。図示された例では、溝底４１１７は、平坦面である。この例と異なり、溝底４１１７は、少なくとも一部が湾曲していてもよい。本実施形態では、溝底４１１７が、凹形状領域４１１における最深部となる。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ２０を面実装可能である。また、本実施形態によっても、凹形状領域４１１によって、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を延長できる。したがって、本実施形態から理解されるように、凹形状領域４１１の形状は、半導体装置Ａ１０などのＶ字状の溝に限定されず、矩形状またはＵ字状の溝であってもよい。
　第３実施形態：
　図３２および図３３は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ３０は、第１樹脂面４１が複数の凹形状領域４１１を有する。
　複数の凹形状領域４１１はそれぞれ、ｚ方向に見て、第５樹脂面４５から第６樹脂面４６まで延びる。半導体装置Ａ３０では、各凹形状領域４１１は、半導体装置Ａ１０と同様に、Ｖ字状の溝である。つまり、各凹形状領域４１１は、それぞれが谷部４１１１、第１傾斜面４１１２および第２傾斜面４１１３を有する。複数の凹形状領域４１１は、ｘ方向に沿って配列される。図示された例では、複数の凹形状領域４１１は、平行（あるいは略平行）に配置されているが、平行に配置されていなくてもよい。図示された例では、複数の凹形状領域４１１は、ｘ方向に隙間なく配置されているが、ｘ方向に一定の間隔を空けて配置されてもよい。この場合、ｘ方向に隣接する２つの凹形状領域４１１の間には、平坦な部分が形成される。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ３０を面実装可能である。また、本実施形態によっても、各凹形状領域４１１によって、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を延長できる。したがって、本実施形態から理解されるように、凹形状領域４１１の数は、１つに限定されない。
　第３実施形態　第１変形例：
　図３４は、半導体装置Ａ３０の変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ３１は、複数の凹形状領域４１１がそれぞれ、半導体装置Ａ３０と同様の、矩形状の溝で構成されている。つまり、各凹形状領域４１１は、それぞれが一対の壁面４１１５，４１１６および溝底４１１７を有する。図示された例では、複数の凹形状領域４１１がｘ方向において等ピッチで配置されているが、等ピッチでなくてもよい。
　本変形例によっても、半導体装置Ａ３１を面実装可能である。また、本変形例によっても、各凹形状領域４１１によって、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を延長できる。
　第４実施形態：
　図３５は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ４０は、凹形状領域４１１が、ｚ方向に見て、第５樹脂面４５から第６樹脂面４６まで繋がっていない。
　図示された例では、ｚ方向に見た凹形状領域４１１の形状は、矩形状であるが、矩形状ではなく、多角形状、円状、楕円状、または、環状であってもよい。凹形状領域４１１の形成範囲は、図示された例に限定されず、ｚ方向に見て凹形状領域４１１が各仮想線分Ｌ１に重なる範囲であればよい。凹形状領域４１１は、ｚ方向に見て各凹部４７から離れているが、２つの凹部４７を繋ぐように形成されていてもよい。この場合、半導体素子２０を封止樹脂４０から露出させないように、凹形状領域４１１の深さを、各凹部４７の深さよりも浅くする。
　本実施形態によっても、半導体装置Ａ４０を面実装可能である。また、本実施形態によっても、ｚ方向に見て凹形状領域４１１が仮想線分Ｌ１に重なるので、第１端子部１１２と第２端子部１２２との第１樹脂面４１に沿う沿面距離を延長できる。本実施形態から理解されるように、凹形状領域４１１は、ｚ方向に見て仮想線分Ｌ１に重なるように形成されていれば、その形成範囲および形状（窪み方）は何ら限定されない。
　上述の各実施形態および各変形例においては、ダイパッド部１１１と第１端子部１１２とが繋がっている例を示したが、第１端子部１１２がダイパッド部１１１から離間していてもよい。この場合、追加の接続部材によって、ダイパッド部１１１に搭載された半導体素子２０と第１端子部１１２とを導通させればよい。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子と、
　ダイパッド部、第１端子部および第２端子部を含む導通部材と、
　前記導通部材の一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
を備え、
　前記封止樹脂は、前記封止樹脂の厚さ方向一方側を向く第１樹脂面、前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面、前記厚さ方向に直交する第１方向一方側を向く第３樹脂面、および、前記第１方向他方側を向く第４樹脂面を有し、
　前記ダイパッド部は、前記厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された搭載面、および、前記厚さ方向他方側を向き且つ前記第２樹脂面から露出する露出面を有し、
　前記第１端子部は、前記厚さ方向一方側に屈曲し、且つ前記第３樹脂面から露出しており、
　前記第２端子部は、前記厚さ方向一方側に屈曲し、且つ前記第４樹脂面から露出しており、
　前記第１樹脂面は、前記厚さ方向において前記第２樹脂面側に窪んだ凹形状領域を有し、
　前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て、前記第１端子部と前記第２端子部とを結ぶ仮想線分に重なる、半導体装置。
　付記２．
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向一方側を向く第５樹脂面、および、前記第２方向他方側を向く第６樹脂面を有し、
　前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て、前記第５樹脂面から前記第６樹脂面まで延びる、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て前記第５樹脂面から前記第６樹脂面まで延びる線状の谷部と、前記第１方向の一方から前記谷部に繋がり、且つ、前記第２樹脂面に対して傾斜する第１傾斜面と、を有し、
　前記第１傾斜面は、前記谷部に向かって前記凹形状領域の深さが大きくなるように傾斜する、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記凹形状領域は、前記第１方向の他方から前記谷部に繋がり、且つ、前記第２樹脂面に対して傾斜する第２傾斜面を有し、
　前記第２傾斜面は、前記谷部に向かって前記凹形状領域の深さが大きくなるように傾斜する、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記凹形状領域は、一対の壁面、および、前記第１方向において前記一対の壁面に挟まれた溝底を有する、付記２に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１樹脂面は、前記第１方向に沿って配列された複数の前記凹形状領域を有する、付記２ないし付記５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第１樹脂面は、前記凹形状領域の前記第１方向の両側に配置される端部領域を有し、
　前記端部領域は、平坦である、付記１ないし付記６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第１端子部は、第１部および第２部を含み、
　前記第１部は、前記第１方向において前記第２部よりも前記ダイパッド部の近くに配置され、且つ、前記封止樹脂に覆われており、
　前記第２部は、前記第２樹脂面から突き出しつつ、前記端部領域において露出する、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１端子部は、前記第１部および前記第２部に繋がる第３部を含み、
　前記第３部は、前記第１部および前記第２部の各々に対して直交し、且つ、前記厚さ方向に沿って延びる、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第２端子部は、第４部および第５部を含み、
　前記第４部は、前記第１方向において前記第５部よりも前記ダイパッド部の近くに配置され、且つ、前記封止樹脂に覆われており、
　前記第５部は、前記第４樹脂面から突き出しつつ、前記端部領域において露出する、付記８または付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第２端子部は、前記第４部および前記第５部に繋がる第６部を含み、
　前記第６部は、前記第４部および前記第５部の各々に対して直交し、且つ、前記厚さ方向に沿って延びる、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記第１端子部は、前記第１部が前記ダイパッド部に繋がり、
　前記第２端子部は、前記ダイパッド部から離間する、付記１０または付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記半導体素子に接合される接続部材をさらに備え、
　前記接続部材は、前記封止樹脂に覆われている、付記１２に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記凹形状領域の最深部は、前記厚さ方向に見て、前記接続部材に重ならない、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記凹形状領域の最深部の深さは、前記接続部材と前記端部領域との前記厚さ方向に沿う離間距離よりも大きい、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記凹形状領域の最深部の深さは、前記第２部および前記第５部の各々の厚さよりも大きい、付記１０ないし付記１５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記半導体素子は、スイッチング素子またはダイオードのいずれかである、付記１ないし付記１６のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１０～Ａ１６，Ａ２０，Ａ３０，Ａ３１，Ａ４０：半導体装置
１０：導通部材　　　１１：第１リード
１２：第２リード　　　１３：第３リード
１４：第４リード　　　２０：半導体素子
２９：接合層　　　３１：接続部材
３２：接続部材　　　３３：接続部材
４０：封止樹脂　　　４１：第１樹脂面
４２：第２樹脂面　　　４３：第３樹脂面
４４：第４樹脂面　　　４５：第５樹脂面
４６：第６樹脂面　　　４７：凹部
４８：凸部　　　４９：溝
９１：ヒートシンク　　　９２：回路基板
１１１：ダイパッド部　　　１１２：第１端子部
１２１：パッド部　　　１２２：第２端子部
１３１：パッド部　　　１３２：第３端子部
１４１：パッド部　　　１４２：第４端子部
２０１：第１電極　　　２０２：第２電極
２０３：第３電極　　　２０５：半導体層
４１１：凹形状領域　　　４１２：端部領域
９１９：シート材　　　９２１：はんだ
１１１１：第１リード主面　　　１１１２：第１リード裏面
１１１３：第１リード側面　　　１１１４：第１中間面
１１２１：第１部　　　１１２２：第２部
１１２３：第３部　　　１２１１：第２リード主面
１２１２：第２リード裏面　　　１２２１：第４部
１２２２：第５部　　　１２２３：第６部
１３１１：第３リード主面　　　１３１２：第３リード裏面
１３２１：第７部　　　１３２２：第８部
１３２３：第９部　　　１４１１：第４リード主面
１４１２：第４リード裏面　　　１４２１：第１０部
１４２２：第１１部　　　１４２３：第１２部
４１１１：谷部　　　４１１２：第１傾斜面
４１１３：第２傾斜面　　　４１１５：壁面
４１１６：壁面　　　４１１７：溝底
４１２１：第１領域　　　４１２２：第２領域
Ｌ１：仮想線分

Claims (17)

  1. 　半導体素子と、
    　ダイパッド部、第１端子部および第２端子部を含む導通部材と、
    　前記導通部材の一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
    を備え、
    　前記封止樹脂は、前記封止樹脂の厚さ方向一方側を向く第１樹脂面、前記厚さ方向他方側を向く第２樹脂面、前記厚さ方向に直交する第１方向一方側を向く第３樹脂面、および、前記第１方向他方側を向く第４樹脂面を有し、
    　前記ダイパッド部は、前記厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された搭載面、および、前記厚さ方向他方側を向き且つ前記第２樹脂面から露出する露出面を有し、
    　前記第１端子部は、前記厚さ方向一方側に屈曲し、且つ前記第３樹脂面から露出しており、
    　前記第２端子部は、前記厚さ方向一方側に屈曲し、且つ前記第４樹脂面から露出しており、
    　前記第１樹脂面は、前記厚さ方向において前記第２樹脂面側に窪んだ凹形状領域を有し、
    　前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て、前記第１端子部と前記第２端子部とを結ぶ仮想線分に重なる、半導体装置。
  2. 　前記封止樹脂は、前記厚さ方向および前記第１方向の両方に直交する第２方向一方側を向く第５樹脂面、および、前記第２方向他方側を向く第６樹脂面を有し、
    　前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て、前記第５樹脂面から前記第６樹脂面まで延びる、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記凹形状領域は、前記厚さ方向に見て前記第５樹脂面から前記第６樹脂面まで延びる線状の谷部と、前記第１方向の一方から前記谷部に繋がり、且つ、前記第２樹脂面に対して傾斜する第１傾斜面と、を有し、
    　前記第１傾斜面は、前記谷部に向かって前記凹形状領域の深さが大きくなるように傾斜する、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記凹形状領域は、前記第１方向の他方から前記谷部に繋がり、且つ、前記第２樹脂面に対して傾斜する第２傾斜面を有し、
    　前記第２傾斜面は、前記谷部に向かって前記凹形状領域の深さが大きくなるように傾斜する、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記凹形状領域は、一対の壁面、および、前記第１方向において前記一対の壁面に挟まれた溝底を有する、請求項２に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１樹脂面は、前記第１方向に沿って配列された複数の前記凹形状領域を有する、請求項２ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１樹脂面は、前記凹形状領域の前記第１方向の両側に配置される端部領域を有し、
    　前記端部領域は、平坦である、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１端子部は、第１部および第２部を含み、
    　前記第１部は、前記第１方向において前記第２部よりも前記ダイパッド部の近くに配置され、且つ、前記封止樹脂に覆われており、
    　前記第２部は、前記第２樹脂面から突き出しつつ、前記端部領域において露出する、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１端子部は、前記第１部および前記第２部に繋がる第３部を含み、
    　前記第３部は、前記第１部および前記第２部の各々に対して直交し、且つ、前記厚さ方向に沿って延びる、請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記第２端子部は、第４部および第５部を含み、
    　前記第４部は、前記第１方向において前記第５部よりも前記ダイパッド部の近くに配置され、且つ、前記封止樹脂に覆われており、
    　前記第５部は、前記第４樹脂面から突き出しつつ、前記端部領域において露出する、請求項８または請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記第２端子部は、前記第４部および前記第５部に繋がる第６部を含み、
    　前記第６部は、前記第４部および前記第５部の各々に対して直交し、且つ、前記厚さ方向に沿って延びる、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記第１端子部は、前記第１部が前記ダイパッド部に繋がり、
    　前記第２端子部は、前記ダイパッド部から離間する、請求項１０または請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記半導体素子に接合される接続部材をさらに備え、
    　前記接続部材は、前記封止樹脂に覆われている、請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記凹形状領域の最深部は、前記厚さ方向に見て、前記接続部材に重ならない、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記凹形状領域の最深部の深さは、前記接続部材と前記端部領域との前記厚さ方向に沿う離間距離よりも大きい、請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 　前記凹形状領域の最深部の深さは、前記第２部および前記第５部の各々の厚さよりも大きい、請求項１０ないし請求項１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
  17. 　前記半導体素子は、スイッチング素子またはダイオードのいずれかである、請求項１ないし請求項１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
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