WO2023100659A1 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023100659A1 WO2023100659A1 PCT/JP2022/042573 JP2022042573W WO2023100659A1 WO 2023100659 A1 WO2023100659 A1 WO 2023100659A1 JP 2022042573 W JP2022042573 W JP 2022042573W WO 2023100659 A1 WO2023100659 A1 WO 2023100659A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- thickness direction
- resin
- resin surface
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 163
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 163
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 37
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
Definitions
- the present disclosure relates to semiconductor devices.
- Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
- This semiconductor device includes first to third leads, a semiconductor device, and a sealing resin.
- the first lead includes a first pad having a pad main surface and a pad back surface.
- a semiconductor element is mounted on the main surface of the pad.
- the sealing resin is in contact with the main surface of the pad and covers the semiconductor element.
- the first, second and third leads have first, second and third terminals extending in the same direction, respectively.
- the semiconductor device is mounted on the circuit board by inserting the first terminal, the second terminal, and the third terminal through the through holes of the circuit board or the like.
- an insulating sheet is provided between the rear surface of the pad and the heat sink.
- the semiconductor device is required to be surface-mounted on the circuit board, for example, in addition to the mounting form in which the terminal portion is inserted through the circuit board.
- An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over conventional semiconductor devices.
- one object of the present disclosure is to provide a surface-mountable semiconductor device.
- a semiconductor device provided by one aspect of the present disclosure includes a semiconductor element, first leads, second leads, and sealing resin.
- the first lead includes a die pad portion having a first lead main surface on which the semiconductor element is mounted facing one thickness direction side and a first lead back surface facing the thickness direction other side, and a first terminal portion. ,including.
- the second lead is spaced apart from the first lead.
- the sealing resin has a first resin surface facing one side in the thickness direction and a second resin surface facing the other side in the thickness direction, and covers the semiconductor element and part of the die pad section. .
- the rear surface of the first lead is exposed from the second resin surface.
- the second lead includes a second pad portion electrically connected to the semiconductor element, and a second terminal portion connected to the second pad portion.
- the second terminal portion includes a fourth portion connected to the second pad portion, and a fifth portion positioned on one side in the thickness direction with respect to the fourth portion and used for mounting.
- FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 2 is a perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 3 is a perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 4 is a main part perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. 5 is a main part perspective view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
- FIG. 6 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. 7 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
- FIG. FIG. 8 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
- FIG. 9 is a side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 10 is a fragmentary plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 11 is a bottom view of essential parts showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
- 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11.
- FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 11.
- FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 11.
- FIG. FIG. 15 is a cross-sectional view showing how the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure is used.
- FIG. 16 is a cross-sectional view showing a first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view showing a usage state of the first modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
- 18 is a perspective view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
- FIG. 19 is a cross-sectional view showing a second modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
- FIG. FIG. 20 is a perspective view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure;
- FIG. 21 is a cross-sectional view showing a third modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- 22 is a perspective view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 23 is a cross-sectional view showing a fourth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. 24 is a cross-sectional view showing a fifth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. 25 is a side view showing a sixth modification of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure
- FIG. 26 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure
- FIG. 27 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure
- FIG. 28 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure
- FIG. 29 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present disclosure
- FIG. 30 is a perspective view showing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure
- FIG. 31 is a fragmentary plan view showing a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure
- FIG. FIG. 32 is a perspective view showing a modification of the semiconductor device according to the sixth embodiment of the present disclosure
- FIG. 33 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present disclosure
- FIG. 34 is a cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device according to the seventh embodiment of the present disclosure;
- a certain entity A is formed on a certain entity B” and “a certain entity A is formed on a certain entity B” mean “a certain entity A is formed on a certain entity B”. It includes "being directly formed in entity B” and “being formed in entity B while another entity is interposed between entity A and entity B”.
- ⁇ an entity A is placed on an entity B'' and ⁇ an entity A is located on an entity B'' mean ⁇ an entity A is located on an entity B.'' It includes "directly placed on B” and "some entity A is placed on an entity B while another entity is interposed between an entity A and an entity B.”
- ⁇ an object A is located on an object B'' means ⁇ an object A is adjacent to an object B and an object A is positioned on an object B. and "the thing A is positioned on the thing B while another thing is interposed between the thing A and the thing B".
- ⁇ an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction'' means ⁇ an object A overlaps all of an object B'' and ⁇ an object A overlaps an object B.'' It includes "overlapping a part of a certain thing B".
- First embodiment: 1 to 15 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
- a semiconductor device A10 of this embodiment includes a conduction member 10, a semiconductor element 20, and a sealing resin 40.
- the z-direction is an example of the "thickness direction”
- the x-direction is an example of the "first direction”
- the y-direction is an example of the "second direction.”
- the conductive member 10 is a member that constitutes a conductive path to the semiconductor element 20 .
- the conducting member 10 of this embodiment includes a first lead 11, a second lead 12, and a third lead 13. As shown in FIG.
- the material of first lead 11, second lead 12 and third lead 13 is not limited at all, and includes copper (Cu) or a copper alloy, for example.
- appropriate portions of the first lead 11, the second lead 12, and the third lead 13 may be plated with silver (Ag), nickel (Ni), bell (Sn), or the like.
- first lead 11 has die pad portion 111 and first terminal portion 112 .
- the die pad portion 111 has a first lead main surface 1111 and a first lead rear surface 1112 .
- the first lead main surface 1111 is a surface facing one side in the z direction.
- the first lead back surface 1112 is a surface facing the other side in the z direction.
- a semiconductor element 20 is mounted on the first lead main surface 1111 .
- the die pad portion 111 of this embodiment further has a first lead side surface 1113 and a first intermediate surface 1114 .
- the first lead side surface 1113 is located between the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 in the z direction, and faces one side in the x direction.
- the first intermediate surface 1114 is positioned between the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 in the z direction, and faces the other side in the z direction (the same side as the first lead back surface 1112). be.
- the shape of the die pad portion 111 is not limited at all. In the illustrated example, the die pad portion 111 has a rectangular shape when viewed in the z direction. Also, the shapes of the first lead main surface 1111 and the first lead back surface 1112 are not limited at all, and in the illustrated example, they are rectangular when viewed in the z direction.
- the first terminal portion 112 has a first portion 1121 , two second portions 1122 and two third portions 1123 .
- the first portion 1121 is connected to the die pad portion 111, extends from the die pad portion 111 to one side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example. In this embodiment, the die pad portion 111 is larger in size in the z direction than the first portion 1121 .
- the first terminal portion 112 of this embodiment has only one first portion 1121 .
- the shape of the first part 1121 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
- the first portion 1121 is separated from the first lead back surface 1112 in the z-direction, and is in contact with the first lead main surface 1111 in the illustrated example.
- the surface of the first portion 1121 on one side in the z direction is flush with the first lead main surface 1111 .
- the two second parts 1122 are located on one side of the first part 1121 in the z direction.
- the two second parts 1122 are used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
- the two third parts 1123 are interposed between the first part 1121 and the two second parts 1122 .
- the third portion 1123 extends from the first portion 1121 to one side in the z direction.
- the third portion 1123 is inclined with respect to the z-direction so as to extend outward from the first portion 1121 in the y-direction.
- the shape of the third part 1123 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the y direction.
- the two second parts 1122 extend outward in the y direction from the two third parts 1123 . Also, the two second parts 1122 are parallel to the y direction. The two second portions 1122 do not protrude from the two third portions 1123 to one side in the x direction. In the illustrated example, the two second parts 1122 and the two third parts 1123 have the same position in the x-direction.
- Second lead 12 The second lead 12 is arranged apart from the first lead 11 .
- the second lead 12 is located on one side of the die pad portion 111 in the z direction, and is located on the other side of the first terminal portion 112 of the first lead 11 in the x direction.
- the second lead 12 has a second pad portion 121 and a plurality of second terminal portions 122 .
- the second pad portion 121 has a second lead main surface 1211 and a second lead rear surface 1212 .
- the second lead main surface 1211 is a surface facing one side in the z direction.
- the second lead back surface 1212 is a surface facing the other side in the z direction.
- the back surface 1212 of the second lead is electrically connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20, which will be described later.
- the second lead back surface 1212 and the first electrode 201 are joined, for example, through solder.
- the second lead back surface 1212 and the first electrode 201 may be bonded via silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
- the shape of the second pad portion 121 is not limited at all. In the illustrated example, as shown in FIG.
- the second pad portion 121 has a body portion 121a, a joint portion 121b and a connecting portion 121c.
- the body portion 121a has a long rectangular shape with the y direction as the longitudinal direction, and a plurality of second terminal portions 122 are connected to the main body portion 121a.
- the joint portion 121b has a rectangular shape and is conductively joined to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
- the connecting portion 121c has a rectangular shape and is connected to the main body portion 121a and the joint portion 121b. In the present embodiment, the joint portion 121b is positioned on the other side in the z direction from the main body portion 121a.
- the second pad section 121 is smaller than the die pad section 111 when viewed in the z direction. Also, the second pad portion 121 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the first terminal portion 112 .
- the plurality of second terminal portions 122 are arranged side by side in the y direction.
- the second terminal portion 122 has a fourth portion 1221 , a fifth portion 1222 and a sixth portion 1223 .
- the fourth portion 1221 is connected to the second pad portion 121, extends from the second pad portion 121 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
- the shape of the fourth part 1221 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the z direction.
- the fifth part 1222 is located on one side of the fourth part 1221 in the z direction.
- the fifth part 1222 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
- the fifth portion 1222 has a shape extending along the x direction.
- the sixth part 1223 is interposed between the fourth part 1221 and the fifth part 1222 .
- the sixth portion 1223 extends from the fourth portion 1221 to one side in the z direction.
- the sixth portion 1223 is tilted with respect to the z direction (yz plane).
- the shape of the sixth portion 1223 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
- the third lead 13 is arranged apart from the first lead 11 and the second lead 12 .
- the third lead 13 is located on one side of the die pad portion 111 in the z direction and is located on the other side of the first terminal portion 112 of the first lead 11 in the x direction. Also, the third lead 13 is aligned with the second lead 12 in the y direction.
- the third lead 13 has a third pad portion 131 and a third terminal portion 132 .
- the third pad portion 131 has a third lead main surface 1311 and a third lead back surface 1312 .
- the third lead main surface 1311 is a surface facing one side in the z direction.
- the third lead back surface 1312 is a surface facing the other side in the z direction.
- the back surface 1312 of the third lead is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20, which will be described later.
- the third lead back surface 1312 and the third electrode 203 are joined, for example, via solder.
- the back surface 1312 of the third lead and the third electrode 203 may be bonded via silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
- the shape of the third pad portion 131 is not limited at all. In the illustrated example, as shown in FIG.
- the third pad portion 131 has a body portion 131a, a joint portion 131b and a connecting portion 131c.
- the body portion 131a has a rectangular shape and is connected to the third terminal portion 132 .
- the joint portion 131b has a rectangular shape and is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20 .
- the connecting portion 131c has a long rectangular shape and is connected to the main body portion 131a and the joint portion 131b. In this embodiment, the connecting portion 131c extends obliquely in the x direction.
- the joint portion 131b is positioned on the other side in the z direction from the main body portion 131a.
- the third pad portion 131 is smaller than the second pad portion 121 when viewed in the z direction.
- the third pad portion 131 is smaller in size in the z direction than the die pad portion 111 and is the same as the second pad portion 121 .
- the third terminal portion 132 has a seventh portion 1321 , an eighth portion 1322 and a ninth portion 1323 .
- the seventh portion 1321 is connected to the third pad portion 131, extends from the third pad portion 131 to the other side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
- the shape of the seventh part 1321 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the z direction.
- the eighth part 1322 is located on one side of the seventh part 1321 in the z direction.
- the eighth part 1322 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
- the eighth portion 1322 has a shape extending along the x direction.
- the ninth part 1323 is interposed between the seventh part 1321 and the eighth part 1322 .
- the ninth portion 1323 extends from the seventh portion 1321 to one side in the z direction.
- the ninth portion 1323 is tilted with respect to the z direction (yz plane).
- the shape of the ninth portion 1323 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
- Semiconductor device 20 The semiconductor element 20 is mounted on the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111, as shown in FIGS.
- the semiconductor element 20 is an n-channel type vertical MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
- Semiconductor device 20 is not limited to a MOSFET.
- the semiconductor element 20 may be another transistor such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
- the semiconductor element 20 may be a diode.
- the semiconductor element 20 has a semiconductor layer 205 , a first electrode 201 , a second electrode 202 and a third electrode 203 .
- the semiconductor layer 205 includes a compound semiconductor substrate.
- the main material of compound semiconductor substrates is silicon carbide (SiC).
- silicon (Si) may be used as the main material of the compound semiconductor substrate.
- the first electrode 201 is provided on the side (one side) facing the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 in the z direction.
- the first electrode 201 corresponds to the source electrode of the semiconductor element 20 .
- the second electrode 202 is provided on the side opposite to the first electrode 201 in the z direction.
- the second electrode 202 faces the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 .
- the second electrode 202 corresponds to the drain electrode of the semiconductor element 20 .
- the second electrode 202 is electrically connected to the first lead main surface 1111 via the bonding layer 29 .
- the bonding layer 29 is, for example, solder, silver (Ag) paste, baked silver, or the like.
- the third electrode 203 is provided on the same side as the first electrode 201 in the z-direction and is positioned away from the first electrode 201 .
- the third electrode 203 corresponds to the gate electrode of the semiconductor element 20 . Viewed in the z-direction, the area of the third electrode 203 is smaller than the area of the first electrode 201 .
- the first terminal portion 112 of the first lead 11 is the drain terminal
- the second terminal portion 122 of the second lead 12 is the source terminal
- the third terminal portion 132 of the third lead 13 is the drain terminal. is the gate terminal.
- Sealing resin 40 covers the semiconductor element 20 and part of the first leads 11, the second leads 12 and the third leads 13, as shown in FIGS.
- the sealing resin 40 has electrical insulation.
- Sealing resin 40 is made of a material containing, for example, black epoxy resin.
- the sealing resin 40 has a first resin surface 41 , a second resin surface 42 , a third resin surface 43 , a fourth resin surface 44 , a fifth resin surface 45 and a sixth resin surface 46 .
- the first resin surface 41 faces the same side (one side) as the first lead main surface 1111 of the die pad portion 111 of the first lead 11 in the z direction.
- the second resin surface 42 faces the opposite side (the other side) of the first resin surface 41 in the z direction.
- the first lead rear surface 1112 of the die pad portion 111 of the first lead 11 is exposed from the second resin surface 42 .
- the second resin surface 42 and the first lead back surface 1112 are flush with each other.
- the first lead back surface 1112 is separated from the third resin surface 43 in the x direction.
- the third resin surface 43 faces one side in the x direction.
- the first portion 1121 of the first terminal portion 112 of the first lead 11 passes through the third resin surface 43 .
- only one first portion 1121 penetrates the third resin surface 43 .
- the first portion 1121 is separated from the second resin surface 42 in the z direction.
- the fourth resin surface 44 faces the opposite side (the other side) of the third resin surface 43 in the x direction.
- the fourth portion 1221 of the plurality of second terminal portions 122 of the second lead 12 and the seventh portion 1321 of the third terminal portion 132 of the third lead 13 pass through the fourth resin surface 44. are doing. Also, the fourth portion 1221 and the seventh portion 1321 are separated from the second resin surface 42 in the z direction.
- the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 are surfaces facing opposite to each other in the y direction.
- the sealing resin 40 has grooves 49 .
- the groove 49 is recessed from the second resin surface 42 in the z direction and extends along the y direction.
- the groove 49 reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
- the sealing resin 40 has two recesses 47 .
- One recessed portion 47 is recessed from the first resin surface 41 and the fifth resin surface 45 .
- the other recess 47 is recessed from 41 and sixth resin surface 46 .
- a portion of the first lead main surface 1111 is exposed from the recess 47 .
- FIG. 15 shows the state of use of the semiconductor device A10.
- the semiconductor device A10 is surface-mounted on the circuit board 92 . That is, the second portion 1122 of the first terminal portion 112, the fifth portion 1222 of the second terminal portion 122, and the eighth portion 1322 of the third terminal portion 132 are connected by solder 921, for example, to the wiring pattern (illustrated) of the circuit board 92. abbreviation).
- a heat sink 91 is arranged opposite to the back surface 1112 of the first lead of the die pad section 111 .
- a sheet material 919 is arranged between the first lead back surface 1112 and the heat sink 91 .
- Sheet material 919 is, for example, an insulating sheet.
- the first lead back surface 1112 is exposed from the second resin surface 42 .
- a heat sink 91 can be arranged opposite to the back surface 1112 of the first lead.
- the second portion 1122 is located on one side in the z direction relative to the first portion 1121 .
- the semiconductor device A10 can be surface-mounted on the circuit board 92 or the like using the second portion 1122 .
- the first lead back surface 1112 is separated from the third resin surface 43 in the x direction.
- the first portion 1121 is separated from the second resin surface 42 in the z direction. Therefore, part of the sealing resin 40 exists between the back surface 1112 of the first lead and the first portion 1121 . Thereby, the first lead 11 can be held more firmly by the sealing resin 40 .
- the back surface 1212 of the second lead is electrically connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
- the back surface 1312 of the third lead is conductively joined to the third electrode 203 of the semiconductor element 20 . Therefore, compared to the case where the second lead 12 (third lead 13) and the first electrode 201 (third electrode 203) are conductively connected via a bonding wire, a larger current can flow. .
- the semiconductor device A10 has can reduce the number of parts.
- the first terminal portion 112 has a third portion 1123 . Thereby, the second part 1122 can be supported more reliably.
- the third part 1123 is parallel to the yz plane. Therefore, the x-direction dimension of the semiconductor device A10 can be reduced.
- the first terminal portion 112 has two second portions 1122 . Thereby, the mounting strength of the semiconductor device A10 can be increased.
- the two second parts 1122 extend outward in the x direction from the third part 1123 . Thereby, the mounting strength of the semiconductor device A10 can be further increased.
- the size of the first portion 1121 in the y direction is smaller than the size of the die pad portion 111 in the y direction. Thereby, the holding force of the first lead 11 by the sealing resin 40 can be further enhanced.
- the second part 1122 does not protrude from the third part 1123 in the x direction. Thereby, the x-direction dimension of the semiconductor device A10 can be reduced.
- the die pad portion 111 is larger in size in the z direction than the first portion 1121 .
- the heat can be transferred over a wider range in the x and y directions. Therefore, the heat from the semiconductor element 20 can be radiated to the heat sink 91 or the like by the wider area of the back surface 1112 of the first lead, and the heat radiation efficiency can be improved.
- the surface of the first portion 1121 on one side in the z direction is flush with the first lead main surface 1111 . This makes it possible to increase the distance from the first portion 1121 to the second resin surface 42 in the z-direction, and to further increase the holding force of the sealing resin 40 for the first leads 11 .
- a groove 49 is formed in the sealing resin 40 .
- creepage distance the distance along the surface of the sealing resin 40 from the back surface 1112 of the first lead to the second lead 12 (fourth portion 1221) and the third lead 13 (seventh portion 1321) (hereinafter referred to as creepage distance) is can be extended.
- First embodiment First modification 16 and 17 show a first modification of the semiconductor device A10.
- the relationship between the second portion 1122, the fifth portion 1222 and the eighth portion 1322, and the first resin surface 41 is different from the example described above.
- the second portion 1122, the fifth portion 1222, and the eighth portion 1322 are located on the other side in the z direction (the side to which the first lead back surface 1112 faces) from the first resin surface 41.
- the surfaces of the second portion 1122, the fifth portion 1222, and the eighth portion 1322 facing one side in the z direction are separated from the first resin surface 41 by a distance Gz.
- the semiconductor device A11 can be surface-mounted, and the same effect as the semiconductor device A10 can be obtained.
- the first resin surface 41 protrudes from the second portion 1122, the fifth portion 1222, and the eighth portion 1322 toward one side in the z direction by a distance Gz. Therefore, in the state of use of the semiconductor device A11 shown in FIG. 17, when the heat sink 91 is pressed against the semiconductor device A11, the first resin surface 41 is likely to come into contact with the circuit board 92 . Thereby, the force applied from the heat sink 91 can be suppressed from acting on the first lead 11 , the second lead 12 and the third lead 13 and the semiconductor element 20 .
- First Embodiment Second Modification 18 and 19 show a second modification of the semiconductor device A10.
- the semiconductor device A12 of this modified example two grooves 49 are provided in the sealing resin 40 .
- Each groove 49 extends in the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 . Also, the two grooves 49 are spaced apart in the x direction.
- the semiconductor device A12 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained. Also, by having two grooves 49, the creepage distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122 and the third terminal portion 132 can be further extended. As understood from this modified example, the number of grooves 49 is not limited at all.
- First Embodiment Third Modification 20 and 21 show a third modification of the semiconductor device A10.
- a convex portion 48 is provided on the sealing resin 40 .
- the convex portion 48 protrudes from the second resin surface 42 to the other side in the z direction.
- the protrusion 48 extends along the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
- the convex portion 48 is arranged at the other end of the sealing resin 40 in the x direction and is in contact with the fourth resin surface 44 .
- the semiconductor device A13 can be surface-mounted. Moreover, by having the convex portion 48, the creeping distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122 and the third terminal portion 132 can be extended.
- First Embodiment Fourth Modification 22 and 23 show a fourth modification of the semiconductor device A10.
- two protrusions 48 are provided in the sealing resin 40 .
- Each projection 48 protrudes from the second resin surface 42 to the other side in the z direction.
- Each convex portion 48 extends along the y direction and reaches the fifth resin surface 45 and the sixth resin surface 46 .
- the two protrusions 48 are arranged apart from each other with the first lead back surface 1112 interposed therebetween in the x direction.
- One protrusion 48 is in contact with the fourth resin surface 44 .
- the other convex portion 48 is in contact with the third resin surface 43 .
- the semiconductor device A14 can be surface-mounted. Moreover, by having the two protrusions 48, the creeping distance between the first lead back surface 1112 and the second terminal portion 122 and the third terminal portion 132 can be further extended. As understood from this modified example, the number of protrusions 48 is not limited at all.
- FIG. 24 shows a fifth modification of the semiconductor device A10.
- the sealing resin 40 does not have the convex portion 48 and the groove 49 described above. This modification also allows the semiconductor device A15 to be surface-mounted. Further, as understood from this modified example, the sealing resin 40 may be configured without the projections 48 and the grooves 49 .
- FIG. 25 shows a sixth modification of the semiconductor device A10.
- two second portions 1122 extend inward in the x direction from two third portions 1123 .
- This modification also allows the semiconductor device A16 to be surface-mounted.
- the shape of the second portion 1122 is not limited at all.
- FIG. 26 shows a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
- the semiconductor device A20 of this embodiment differs from that of the first embodiment in that a fourth lead 14 is further provided.
- the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment.
- each part of said 1st Embodiment and each modification may be combined arbitrarily.
- the fourth lead 14 is arranged between the second lead 12 and the third lead 13 in the y direction.
- the fourth lead 14 is arranged apart from the first lead 11 , the second lead 12 and the third lead 13 .
- the fourth lead 14 is located on one side of the die pad portion 111 in the z direction, and is located on the other side of the first terminal portion 112 of the first lead 11 in the x direction.
- the fourth lead 14 has a fourth pad portion 141 and a fourth terminal portion 142 .
- the fourth pad portion 141 has a fourth lead main surface 1411 and a fourth lead rear surface 1412 .
- the fourth lead main surface 1411 is a surface facing one side in the z direction.
- the fourth lead back surface 1412 is a surface facing the other side in the z direction.
- the back surface 1412 of the fourth lead is electrically connected to the first electrode 201 of the semiconductor element 20 .
- the shape of the fourth terminal portion 142 is not limited at all, it has the same shape as the third terminal portion 132 .
- a fourth terminal portion 142 of the fourth lead 14 is a source sense terminal.
- the semiconductor device A20 can be surface-mounted.
- the fourth lead 14 may be arranged on the opposite side of the second lead 12 from the third lead 13 in the y direction.
- FIG. 27 shows a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
- the semiconductor device A30 of this embodiment differs from that of the first embodiment in the mode of conduction between the third lead 13 and the semiconductor element 20.
- the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first and second embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
- the third pad portion 131 of the third lead 13 does not extend to the position overlapping the die pad portion 111 in the z direction, and includes portions corresponding to the joint portion 131b and the connecting portion 131c in the first embodiment. do not have.
- the semiconductor device A30 further includes a connection member 32 .
- the connection member 32 is, for example, a bonding wire, and is electrically connected to the third lead main surface 1311 of the third pad portion 131 of the third lead 13 and the third electrode 203 of the semiconductor element 20 .
- the material of the connection member 32 is not limited at all, and includes gold (Au), for example.
- the number of connection members 32 is not limited at all, and a plurality of connection members 32 may be provided.
- the connection member 32 may be a metal plate (clip) containing metal such as aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), or the like.
- the semiconductor device A30 can be surface-mounted. Further, as understood from the present embodiment, the specific form of conduction between the third lead 13 and the semiconductor element 20 is not limited at all. Instead of connecting the third lead 13 and the semiconductor element 20 with the connection member 32, the second lead 12 and the semiconductor element 20 may be connected with a connection member.
- FIG. 28 shows a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
- the semiconductor device A40 of this embodiment differs from the embodiment described above in the shapes of the second lead 12 and the third lead 13 .
- the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to third embodiments and modifications may be arbitrarily combined.
- the position of the fourth portion 1221 of the second terminal portion 122 in the z-direction is the same as that of the first portion 1121 of the first terminal portion 112 of the first lead 11 . Therefore, the first penetration position of the third resin surface 43 by the first part 1121 and the second penetration position of the fourth resin surface 44 by the fourth part 1221 are at the same position in the z direction.
- the position of the body portion 121 a of the second pad portion 121 in the z direction is the same as that of the first portion 1121 of the first terminal portion 112 .
- the connecting portion 121c has a surface that is inclined with respect to the xy plane so that as it proceeds from the main body portion 121a to one side in the x direction, it proceeds to one side in the z direction.
- the third lead 13 is similar to the second lead 12, the seventh portion 1321 is at the same position as the first portion 1121 in the z direction, and the connecting portion 131c is inclined in the same manner as the connecting portion 121c. have a face.
- the semiconductor device A40 can be surface-mounted. Further, according to the present embodiment, the first penetration position of the first part 1121 through the third resin surface 43 and the second penetration position of the fourth part 1221 through the fourth resin surface 44 can be the same position in the z direction. .
- FIG. 29 shows a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present disclosure.
- the semiconductor device A50 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the first lead 11 .
- the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to fourth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
- the die pad portion 111 and the first portion 1121 have the same size in the z direction.
- the first lead 11 has a connecting portion 113 .
- the connecting portion 113 connects the die pad portion 111 and the first portion 1121 of the first terminal portion 112 .
- only one first portion 1121 penetrates the third resin surface 43 .
- the position in the z direction of the first lead main surface 1111 and the position in the z direction of the surface of the first portion 1121 facing one side in the z direction are different from each other.
- the first penetration position of the first part 1121 through the third resin surface 43 and the second penetration position of the fourth part 1221 through the fourth resin surface 44 are at the same position in the z direction.
- the semiconductor device A50 can be surface-mounted. Also, as understood from this embodiment, the relationship between the size of the die pad portion 111 in the z direction and the size of the first portion 1121 in the z direction is not limited at all.
- Sixth embodiment 30-31 show a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present disclosure.
- the semiconductor device A60 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the first terminal portion 112 .
- the configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to fifth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
- the first lead 11 of this embodiment has a plurality of first terminal portions 112 .
- the plurality of first terminal portions 112 are arranged side by side in the y direction.
- Each first terminal portion 112 has a first portion 1121, a second portion 1122 and a third portion 1123, respectively.
- the first part 1121 is connected to the die pad part 111.
- the first portion 1121 extends from the first lead side surface 1113 of the die pad portion 111 to one side in the x direction, and is parallel to the xy plane in the illustrated example.
- the first part 1121 penetrates through the third resin surface 43 .
- the shape of the first part 1121 is not limited at all, and in the illustrated example, it is rectangular when viewed in the z direction.
- the second part 1122 is located on one side of the first part 1121 in the z direction.
- the second part 1122 is used when the semiconductor device A10 is surface-mounted on a circuit board or the like.
- the second portion 1122 has a shape extending along the x direction.
- the third part 1123 is interposed between the first part 1121 and the second part 1122.
- the third portion 1123 extends from the first portion 1121 to one side in the z direction.
- the third portion 1123 is tilted with respect to the z direction (yz plane).
- the shape of the third part 1123 is not limited at all, and in the illustrated example it is rectangular when viewed in the x direction.
- the semiconductor device A60 can be surface-mounted. Furthermore, the first lead 11 has a plurality of first terminal portions 112 . Thereby, the mounting strength of the semiconductor device A60 can be increased. As understood from this embodiment, the configuration of the first terminal portion 112 is not limited at all.
- FIG. 32 shows a modification of the semiconductor device A60.
- the first lead back surface 1112 has a portion protruding to one side in the x direction from the third resin surface 43 when viewed in the z direction. That is, in this modified example, not the first portion 1121 but the die pad portion 111 penetrates the third resin surface 43 .
- the semiconductor device A61 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained. Further, since the first lead back surface 1112 has a portion that protrudes from the third resin surface 43 to one side in the x direction, it is possible to increase the area of the first lead back surface 1112 facing the heat sink 91 . Therefore, the heat dissipation efficiency from the semiconductor device A61 to the heat sink 91 can be enhanced.
- FIG. 33 shows a semiconductor device according to the seventh embodiment of the present disclosure.
- the semiconductor device A70 of this embodiment differs from the embodiment described above in the configuration of the first terminal portion 112, the second terminal portion 122, and the third terminal portion 132.
- FIG. The configuration and operation of other portions of this embodiment are the same as those of the first embodiment. It should be noted that each part of the above-described first to sixth embodiments and modifications may be combined arbitrarily.
- the first terminal portion 112 has a first portion 1121 that does not penetrate the third resin surface 43, a third portion 1123 that extends in the sealing resin 40 in the z direction, and a second portion 1122 that extends in the z direction. 1 is exposed from the resin surface 41 .
- the fourth portion 1221 does not penetrate the fourth resin surface 44
- the sixth portion 1223 extends in the sealing resin 40 in the z-direction
- the fifth portion 1222 extends through the first resin surface 41.
- the third terminal portion 132 has a seventh portion 1321 that does not penetrate the fourth resin surface 44, a ninth portion 1323 that extends in the sealing resin 40 in the z direction, and an eighth portion 1322 are exposed from the first resin surface 41 .
- the semiconductor device A70 can be surface-mounted. Furthermore, compared to the case where the first terminal portion 112, the second terminal portion 122, and the third terminal portion 132 penetrate the third resin surface 43 or the fourth resin surface 44 and protrude in the x direction, the semiconductor device A70 is The mounting area (dimension in the x direction) can be reduced. As understood from this embodiment, the configurations of the first terminal portion 112, the second terminal portion 122, and the third terminal portion 132 are not limited at all.
- FIG. 34 shows a modification of the semiconductor device A70.
- the sealing resin 40 has a recessed region 411 .
- the recessed area 411 is an area recessed in the z direction from the first resin surface 41 .
- the concave region 411 is located between the second part 1122 and the fifth part 1222 and the eighth part 1322 in the x-direction.
- the recessed region 411 is gently recessed toward the other side in the z direction as it proceeds from the vicinity of the second portion 1122 toward the other side in the x direction, It is a concave portion gently recessed to the other side in the z direction as it advances to the side.
- the concave region 411 is formed so as not to affect the second pad portion 121 , the third pad portion 131 and the semiconductor element 20 .
- the semiconductor device A71 can be surface-mounted, and the same effect as the above-described example can be obtained.
- the sealing resin 40 has the recessed region 411, the distance (creeping distance) along the surface of the sealing resin 40 from the second portion 1122 to the fifth portion 1222 and the eighth portion 1322 is extended. be able to.
- the concave region 411 is not limited to the case where there is only one gentle concave portion as in this modified example.
- the recessed region 411 may have multiple recesses.
- the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments.
- the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be changed in various ways.
- the present disclosure includes embodiments set forth in the following appendices.
- Appendix 1 a semiconductor element;
- a first lead including: a first terminal portion; and, a second lead spaced apart from the first lead; a sealing resin having a first resin surface facing one side in the thickness direction and a second resin surface facing the other side in the thickness direction, and covering the semiconductor element and part of the die pad section; prepared, the rear surface of the first lead is exposed from the second resin surface, the second lead includes a second pad portion electrically connected to the semiconductor element, and a second terminal portion connected to the second pad portion, The second terminal portion includes a fourth portion connected to the second pad portion, and a fifth portion located on one side in the thickness direction with respect to the fourth portion and used for mounting. semiconductor device.
- the semiconductor device according to appendix 1 wherein the sealing resin has a third resin surface facing one side in a first direction perpendicular to the thickness direction, and a fourth resin surface facing the other side in the first direction.
- the first terminal portion includes a first portion connected to the die pad portion, a second portion located on one side in the thickness direction with respect to the first portion and used for mounting, the first portion and the first terminal portion. 3.
- Appendix 4 The first part penetrates the third resin surface and is separated from the second resin surface in the thickness direction,
- the semiconductor device according to any one of appendices 4 to 7, wherein the surface of the first portion on one side in the thickness direction is flush with the main surface of the first lead.
- the second terminal portion includes a sixth portion interposed between the fourth portion and the fifth portion, The third part and the sixth part extend in the thickness direction within the sealing resin, The semiconductor device according to appendix 3, wherein the second portion and the fifth portion are exposed from the first resin surface.
- Appendix 10. 10 The semiconductor device according to appendix 9, wherein the sealing resin has a recess recessed in the thickness direction from the first resin surface between the second part and the fifth part in the first direction. Appendix 11.
- the third lead spaced apart from the first lead and the second lead; the third lead includes a third pad portion and a third terminal portion connected to the third pad portion; The third terminal portion includes a seventh portion connected to the third pad portion, an eighth portion located on one side in the thickness direction of the seventh portion and used for mounting, and the seventh portion.
- A10, A11, A12, A13, A14 semiconductor devices A15, A16, A20, A30, A40: semiconductor devices A50, A60, A61, A70, A71: semiconductor device 10: conductive member 11: first lead 12: second lead 13: Third lead 14: Fourth lead 20: Semiconductor element 29: Bonding layer 32: Connection member 40: Sealing resin 41: First resin surface 42: Second resin surface 43: Third resin surface 44: Fourth resin Surface 45: Fifth resin surface 46: Sixth resin surface 47: Concave portion 48: Convex portion 49: Groove 91: Heat sink 92: Circuit board 111: Die pad portion 112: First terminal portion 113: Connecting portion 121: Second pad portion 121a: main body portion 121b: joint portion 121c: connection portion 131: third pad portion 131a: main body portion 131b: joint portion 131c: connection portion 132: third terminal portion 141: fourth pad portion 142: fourth terminal portion 201: First electrode 202: Second electrode 203: Third electrode 205:
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
半導体装置は、半導体素子と、第1リードと、第2リードと、封止樹脂とを備える。前記第1リードは、ダイパッド部および第1端子部を含み、前記ダイパッド部は、厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第1リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第1リード裏面を有する。前記封止樹脂は、前記厚さ方向一方側を向く第1樹脂面および前記厚さ方向他方側を向く第2樹脂面を有する。前記封止樹脂は、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う。前記第1リード裏面は、前記第2樹脂面から露出する。前記第2リードは、前記半導体素子に導通接合された第2パッド部と、前記第2パッド部につながる第2端子部とを備える。前記第2端子部は、前記第2パッド部につながる第4部と、前記第4部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第5部とを備えている。
Description
本開示は、半導体装置に関する。
特許文献1には、従来の半導体装置の一例が開示されている。この半導体装置は、第1~第3リードと、半導体装置と、封止樹脂とを備える。第1リードは、パッド主面およびパッド裏面を有する第1パッドを含む。半導体素子は、パッド主面の上に搭載されている。封止樹脂は、パッド主面に接し、かつ半導体素子を覆う。第1リード、第2リードおよび第3リードは、同一方向に延びる第1端子、第2端子および第3端子をそれぞれ有する。第1端子、第2端子および第3端子が、回路基板等の貫通孔に挿通されることにより、この半導体装置が回路基板に実装される。また、この半導体装置が、ヒートシンクに取り付けられる場合、パッド裏面とヒートシンクとの間に、たとえば絶縁シートが設けられる。
半導体装置は、回路基板に端子部を挿通させる実装形態の他に、たとえば回路基板に面実装される形態が求められる場合がある。
本開示は、従来よりも改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、面実装可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
本開示の一の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、第1リードと、第2リードと、封止樹脂とを備える。前記第1リードは、厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第1リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第1リード裏面を有するダイパッド部と、第1端子部と、を含む。前記第2リードは、前記第1リードから離間して配置されている。前記封止樹脂は、前記厚さ方向一方側を向く第1樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第2樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う。前記第1リード裏面は、前記第2樹脂面から露出する。前記第2リードは、前記半導体素子に導通接合された第2パッド部と、前記第2パッド部につながる第2端子部と、を備える。前記第2端子部は、前記第2パッド部につながる第4部と、前記第4部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第5部と、を備えている。
上記構成によれば、たとえば、面実装可能な半導体装置を提供することが可能となる。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
本開示における「第1」、「第2」、「第3」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
本開示において、「ある物Aがある物Bに形成されている」および「ある物Aがある物B上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bに直接形成されていること」、および、「ある物Aとある物Bとの間に他の物を介在させつつ、ある物Aがある物Bに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Aがある物Bに配置されている」および「ある物Aがある物B上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bに直接配置されていること」、および、「ある物Aとある物Bとの間に他の物を介在させつつ、ある物Aがある物Bに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Aがある物B上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bに接して、ある物Aがある物B上に位置していること」、および、「ある物Aとある物Bとの間に他の物が介在しつつ、ある物Aがある物B上に位置していること」を含む。また、「ある物Aがある物Bにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Aがある物Bのすべてに重なること」、および、「ある物Aがある物Bの一部に重なること」を含む。
第1実施形態:
図1~図15は、本開示の第1実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A10は、導通部材10、半導体素子20、および封止樹脂40を備える。これらの図において、z方向は、「厚さ方向」の一例であり、x方向は、「第1方向」の一例であり、y方向は、「第2方向」の一例である。
図1~図15は、本開示の第1実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A10は、導通部材10、半導体素子20、および封止樹脂40を備える。これらの図において、z方向は、「厚さ方向」の一例であり、x方向は、「第1方向」の一例であり、y方向は、「第2方向」の一例である。
導通部材10:
導通部材10は、半導体素子20への導通経路を構成する部材である。本実施形態の導通部材10は、第1リード11、第2リード12、および第3リード13を含む。第1リード11、第2リード12、および第3リード13の材質は何ら限定されず、たとえば銅(Cu)または銅合金を含む。また、第1リード11、第2リード12、および第3リード13の適所には、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、鈴(Sn)等のめっきが施されていてもよい。
導通部材10は、半導体素子20への導通経路を構成する部材である。本実施形態の導通部材10は、第1リード11、第2リード12、および第3リード13を含む。第1リード11、第2リード12、および第3リード13の材質は何ら限定されず、たとえば銅(Cu)または銅合金を含む。また、第1リード11、第2リード12、および第3リード13の適所には、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、鈴(Sn)等のめっきが施されていてもよい。
第1リード11:
図1~図14に示すように、第1リード11は、ダイパッド部111および第1端子部112を有する。ダイパッド部111は、第1リード主面1111および第1リード裏面1112を有する。第1リード主面1111は、z方向の一方側を向く面である。第1リード裏面1112は、z方向の他方側を向く面である。第1リード主面1111には、半導体素子20が搭載されている。
図1~図14に示すように、第1リード11は、ダイパッド部111および第1端子部112を有する。ダイパッド部111は、第1リード主面1111および第1リード裏面1112を有する。第1リード主面1111は、z方向の一方側を向く面である。第1リード裏面1112は、z方向の他方側を向く面である。第1リード主面1111には、半導体素子20が搭載されている。
本実施形態のダイパッド部111は、第1リード側面1113および第1中間面1114をさらに有する。第1リード側面1113は、z方向において第1リード主面1111と第1リード裏面1112との間に位置しており、x方向の一方側を向く面である。第1中間面1114は、z方向において第1リード主面1111と第1リード裏面1112との間に位置しており、z方向の他方側(第1リード裏面1112と同じ側)を向く面である。
ダイパッド部111の形状は、何ら限定されない。図示された例においては、ダイパッド部111は、z方向に見て矩形状である。また、第1リード主面1111および第1リード裏面1112の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、z方向に見て矩形状である。
第1端子部112は、第1部1121、2つの第2部1122および2つの第3部1123を有する。第1部1121は、ダイパッド部111に繋がっており、ダイパッド部111からx方向の一方側に延びており、図示された例においてはxy平面に平行である。本実施形態においては、ダイパッド部111は、第1部1121よりもz方向の大きさが大きい。本実施形態の第1端子部112は、1つのみの第1部1121を有する。第1部1121の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、z方向に見て矩形状である。第1部1121は、z方向において第1リード裏面1112から離れており、図示された例においては、第1リード主面1111と接している。第1部1121のz方向一方側の面は、第1リード主面1111と面一である。
2つの第2部1122は、第1部1121に対してz方向の一方側に位置している。2つの第2部1122は、半導体装置A10を回路基板等に面実装する際に用いられる。
2つの第3部1123は、第1部1121と2つの第2部1122との間に介在している。第3部1123は、第1部1121からz方向の一方側に延びている。図示された例においては、第3部1123は、第1部1121からy方向の外側に延出するようにz方向に対して傾いている。第3部1123の形状は何ら限定されず、図示された例においては、y方向に見て矩形状である。
本実施形態においては、2つの第2部1122は、2つの第3部1123からy方向の外側に延出している。また、2つの第2部1122は、y方向に対して平行である。2つの第2部1122は、2つの第3部1123からx方向の一方側にはみ出さない。図示された例においては、2つの第2部1122と2つの第3部1123とは、x方向における位置が同じである。
第2リード12:
第2リード12は、第1リード11から離間して配置されている。第2リード12は、ダイパッド部111のz方向一方側に位置し、第1リード11の第1端子部112に対してx方向の他方側に位置している。第2リード12は、第2パッド部121および複数の第2端子部122を有する。
第2リード12は、第1リード11から離間して配置されている。第2リード12は、ダイパッド部111のz方向一方側に位置し、第1リード11の第1端子部112に対してx方向の他方側に位置している。第2リード12は、第2パッド部121および複数の第2端子部122を有する。
第2パッド部121は、第2リード主面1211および第2リード裏面1212を有する。第2リード主面1211は、z方向の一方側を向く面である。第2リード裏面1212は、z方向の他方側を向く面である。第2リード裏面1212は、半導体素子20の後述する第1電極201に導通接合されている。第2リード裏面1212と第1電極201とは、たとえばはんだを介して接合される。なお、第2リード裏面1212と第1電極201とは、銀(Ag)ペーストまたは焼成銀等を介して接合されてもよい。第2パッド部121の形状は何ら限定されない。図示された例においては、図11に示すように、第2パッド部121は、本体部121a、接合部121bおよび連結部121cを有する。本体部121aは、y方向を長手方向とする長矩形状であり、複数の第2端子部122がつながっている。接合部121bは、矩形状であり、半導体素子20の第1電極201に導通接合されている。連結部121cは、矩形状であり、本体部121aおよび接合部121bにつながっている。本実施形態では、接合部121bは、本体部121aよりz方向他方側に位置する。また、z方向に見て、第2パッド部121は、ダイパッド部111よりも小さい。また、第2パッド部121は、ダイパッド部111よりもz方向の大きさが小さく、第1端子部112と同じである。
複数の第2端子部122は、y方向に並んで配置されている。第2端子部122は、第4部1221、第5部1222および第6部1223を有する。
第4部1221は、第2パッド部121に繋がっており、第2パッド部121からx方向の他方側に延びており、図示された例においてはxy平面に平行である。第4部1221の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、z方向に見て矩形状である。
第5部1222は、第4部1221に対してz方向の一方側に位置している。第5部1222は、半導体装置A10を回路基板等に面実装する際に用いられる。第5部1222は、x方向に沿って延びる形状である。
第6部1223は、第4部1221と第5部1222との間に介在している。第6部1223は、第4部1221からz方向の一方側に延びている。図示された例においては、第6部1223は、z方向(yz平面)に対して傾いている。第6部1223の形状は何ら限定されず、図示された例においては、x方向に見て矩形状である。
第3リード13:
第3リード13は、第1リード11および第2リード12から離間して配置されている。第3リード13は、ダイパッド部111のz方向一方側に位置し、第1リード11の第1端子部112に対してx方向の他方側に位置している。また、第3リード13は、y方向において第2リード12と並んでいる。第3リード13は、第3パッド部131および第3端子部132を有する。
第3リード13は、第1リード11および第2リード12から離間して配置されている。第3リード13は、ダイパッド部111のz方向一方側に位置し、第1リード11の第1端子部112に対してx方向の他方側に位置している。また、第3リード13は、y方向において第2リード12と並んでいる。第3リード13は、第3パッド部131および第3端子部132を有する。
第3パッド部131は、第3リード主面1311および第3リード裏面1312を有する。第3リード主面1311は、z方向の一方側を向く面である。第3リード裏面1312は、z方向の他方側を向く面である。第3リード裏面1312は、半導体素子20の後述する第3電極203に導通接合されている。第3リード裏面1312と第3電極203とは、たとえばはんだを介して接合される。なお、第3リード裏面1312と第3電極203とは、銀(Ag)ペーストまたは焼成銀等を介して接合されてもよい。第3パッド部131の形状は何ら限定されない。図示された例においては、図11に示すように、第3パッド部131は、本体部131a、接合部131bおよび連結部131cを有する。本体部131aは、矩形状であり、第3端子部132がつながっている。接合部131bは、矩形状であり、半導体素子20の第3電極203に導通接合されている。連結部131cは、長矩形状であり、本体部131aおよび接合部131bにつながっている。本実施形態では、連結部131cは、x方向に傾斜して延びている。また、接合部131bは、本体部131aよりz方向他方側に位置する。また、z方向に見て、第3パッド部131は、第2パッド部121よりも小さい。また、第3パッド部131は、ダイパッド部111よりもz方向の大きさが小さく、第2パッド部121と同じである。
第3端子部132は、第7部1321、第8部1322および第9部1323を有する。
第7部1321は、第3パッド部131に繋がっており、第3パッド部131からx方向の他方側に延びており、図示された例においてはxy平面に平行である。第7部1321の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、z方向に見て矩形状である。
第8部1322は、第7部1321に対してz方向の一方側に位置している。第8部1322は、半導体装置A10を回路基板等に面実装する際に用いられる。第8部1322は、x方向に沿って延びる形状である。
第9部1323は、第7部1321と第8部1322との間に介在している。第9部1323は、第7部1321からz方向の一方側に延びている。図示された例においては、第9部1323は、z方向(yz平面)に対して傾いている。第9部1323の形状は何ら限定されず、図示された例においては、x方向に見て矩形状である。
半導体素子20:
半導体素子20は、図5および図11~図14に示すように、ダイパッド部111の第1リード主面1111に搭載されている。半導体装置A10においては、半導体素子20は、nチャネル型であり、かつ縦型構造のMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。半導体素子20は、MOSFETに限定されない。半導体素子20は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの他のトランジスタでもよい。さらに半導体素子20は、ダイオードでもよい。半導体素子20は、半導体層205、第1電極201、第2電極202および第3電極203を有する。
半導体素子20は、図5および図11~図14に示すように、ダイパッド部111の第1リード主面1111に搭載されている。半導体装置A10においては、半導体素子20は、nチャネル型であり、かつ縦型構造のMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。半導体素子20は、MOSFETに限定されない。半導体素子20は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの他のトランジスタでもよい。さらに半導体素子20は、ダイオードでもよい。半導体素子20は、半導体層205、第1電極201、第2電極202および第3電極203を有する。
半導体層205は、化合物半導体基板を含む。化合物半導体基板の主材料は、炭化ケイ素(SiC)である。この他、化合物半導体基板の主材料として、ケイ素(Si)を用いてもよい。
第1電極201は、z方向において第1リード11のダイパッド部111の第1リード主面1111が向く側(一方側)に設けられている。第1電極201は、半導体素子20のソース電極に相当する。
第2電極202は、z方向において第1電極201とは反対側に設けられている。第2電極202は、第1リード11のダイパッド部111の第1リード主面1111に対向している。第2電極202は、半導体素子20のドレイン電極に相当する。本実施形態においては、第2電極202は、接合層29を介して第1リード主面1111に導通接合されている。接合層29は、たとえば、はんだ、銀(Ag)ペースト、焼成銀等である。
第3電極203は、z方向において第1電極201と同じ側に設けられ、かつ第1電極201から離れて位置する。第3電極203は、半導体素子20のゲート電極に相当する。z方向に見て、第3電極203の面積は、第1電極201の面積よりも小である。
本実施形態においては、第1リード11の第1端子部112は、ドレイン端子であり、第2リード12の第2端子部122は、ソース端子であり、第3リード13の第3端子部132は、ゲート端子である。
封止樹脂40:
封止樹脂40は、図1~図14に示すように、半導体素子20と、第1リード11、第2リード12および第3リード13の一部ずつとを覆っている。封止樹脂40は、電気絶縁性を有する。封止樹脂40は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂40は、第1樹脂面41、第2樹脂面42、第3樹脂面43、第4樹脂面44、第5樹脂面45および第6樹脂面46を有する。
封止樹脂40は、図1~図14に示すように、半導体素子20と、第1リード11、第2リード12および第3リード13の一部ずつとを覆っている。封止樹脂40は、電気絶縁性を有する。封止樹脂40は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂40は、第1樹脂面41、第2樹脂面42、第3樹脂面43、第4樹脂面44、第5樹脂面45および第6樹脂面46を有する。
第1樹脂面41は、z方向において第1リード11のダイパッド部111の第1リード主面1111と同じ側(一方側)を向く。第2樹脂面42は、z方向において第1樹脂面41とは反対側(他方側)を向く。第2樹脂面42から、第1リード11のダイパッド部111の第1リード裏面1112が露出している。第2樹脂面42と第1リード裏面1112とは、互いに面一である。第1リード裏面1112は、x方向において第3樹脂面43から離れている。
第3樹脂面43は、x方向の一方側を向いている。第1リード11の第1端子部112の第1部1121は、第3樹脂面43を貫通している。本実施形態においては、1つのみの第1部1121が、第3樹脂面43を貫通している。また、第1部1121は、z方向において第2樹脂面42から離れている。
第4樹脂面44は、x方向において第3樹脂面43とは反対側(他方側)を向いている。本実施形態においては、第2リード12の複数の第2端子部122の第4部1221、および、第3リード13の第3端子部132の第7部1321が、第4樹脂面44を貫通している。また、第4部1221および第7部1321は、z方向において第2樹脂面42から離れている。
第5樹脂面45および第6樹脂面46は、y方向において互いに反対側を向く面である。
図7に示すように、第1リード11の第1端子部112の2つの第2部1122のy方向端部は、y方向において封止樹脂40の第5樹脂面45および第6樹脂面46とほぼ同じ位置にある。2つの第2部1122は、y方向において第5樹脂面45および第6樹脂面46からは、はみ出していない。
図示された例においては、封止樹脂40は、溝49を有する。溝49は、第2樹脂面42からz方向に凹んでおり、y方向に沿って延びている。溝49は、第5樹脂面45および第6樹脂面46に到達している。
また、図示された例においては、封止樹脂40は、2つの凹部47を有している。一方の凹部47は、第1樹脂面41および第5樹脂面45から凹んでいる。他方の凹部47は、41および第6樹脂面46から凹んでいる。凹部47からは、第1リード主面1111の一部が露出している。
図15は、半導体装置A10の使用状態を示している。本使用例においては、半導体装置A10は、回路基板92に面実装されている。すなわち、第1端子部112の第2部1122、第2端子部122の第5部1222、および第3端子部132の第8部1322が、たとえばはんだ921によって、回路基板92の配線パターン(図示略)に導通接合されている。また、ダイパッド部111の第1リード裏面1112には、ヒートシンク91が対向配置されている。図示された例においては、第1リード裏面1112とヒートシンク91との間に、シート材919が配置されている。シート材919は、たとえば絶縁シートである。
次に、半導体装置A10の作用について説明する。
図15に示すように、第1リード裏面1112は、第2樹脂面42から露出している。これにより、第1リード裏面1112には、たとえばヒートシンク91を対向配置させることが可能である。また、第2部1122は、第1部1121よりもz方向の一方側に位置している。これにより、第2部1122を用いて半導体装置A10を回路基板92等に面実装することが可能である。また、第1リード裏面1112は、x方向において第3樹脂面43から離れている。また、第1部1121は、z方向において第2樹脂面42から離れている。このため、第1リード裏面1112と第1部1121との間には、封止樹脂40の一部が存在する。これにより、封止樹脂40によって第1リード11をより強固に保持することができる。
第2リード裏面1212は、半導体素子20の第1電極201に導通接合されている。また、第3リード裏面1312は、半導体素子20の第3電極203に導通接合されている。したがって、第2リード12(第3リード13)と第1電極201(第3電極203)とがボンディングワイヤを介して導通接続される場合と比較して、より大きな電流を流すことが可能である。また、第2リード12(第3リード13)と第1電極201(第3電極203)とが金属板(クリップ)を介して導通接続される場合と比較して、半導体装置A10を構成するための部品数を削減できる。
第1端子部112は、第3部1123を有する。これにより、第2部1122をより確実に支持することができる。
第3部1123は、yz平面に対して平行である。したがって、半導体装置A10のx方向寸法を縮小することができる。
第1端子部112は、2つの第2部1122を有する。これにより、半導体装置A10の実装強度を高めることができる。
2つの第2部1122は、第3部1123からx方向の外側に延出している。これにより、半導体装置A10の実装強度をさらに高めることができる。
第1部1121のy方向の大きさは、ダイパッド部111のy方向の大きさよりも小さい。これにより、封止樹脂40による第1リード11の保持力をさらに高めることができる。
第2部1122は、x方向において第3部1123からはみ出さない。これにより、半導体装置A10のx方向寸法を縮小することができる。
ダイパッド部111は、第1部1121よりもz方向の大きさが大きい。これにより、半導体素子20から第1リード裏面1112へと熱が伝わる過程で、x方向およびy方向において、熱をより広い範囲に伝えることが可能である。したがって、第1リード裏面1112のより広い領域によって、半導体素子20からの熱をヒートシンク91等に放熱することが可能であり、放熱効率を高めることができる。
第1部1121のz方向一方側の面は、第1リード主面1111と面一である。これにより、z方向における第1部1121から第2樹脂面42までの距離を大きくすることが可能であり、封止樹脂40による第1リード11の保持力をさらに高めることができる。
封止樹脂40には、溝49が形成されている。これにより、第1リード裏面1112から第2リード12(第4部1221)および第3リード13(第7部1321)までの、封止樹脂40の表面に沿った距離(以下、沿面距離)を延長することができる。
図16~図34は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、各変形例および各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
第1実施形態 第1変形例:
図16および図17は、半導体装置A10の第1変形例を示している。本変形例の半導体装置A11は、第2部1122、第5部1222および第8部1322と、第1樹脂面41との関係が、上述した例と異なっている。
図16および図17は、半導体装置A10の第1変形例を示している。本変形例の半導体装置A11は、第2部1122、第5部1222および第8部1322と、第1樹脂面41との関係が、上述した例と異なっている。
本変形例においては、第2部1122、第5部1222および第8部1322は、第1樹脂面41よりもz方向の他方側(第1リード裏面1112が向く側)に位置している。第2部1122、第5部1222および第8部1322のz方向の一方側を向く面と第1樹脂面41とは、距離Gzだけ離れている。
本変形例によっても、半導体装置A11を面実装可能であり、半導体装置A10と同様の効果を奏する。また、第1樹脂面41は、第2部1122、第5部1222および第8部1322よりもz方向の一方側に距離Gzだけ突出している。このため、図17に示す半導体装置A11の使用状態においては、半導体装置A11にヒートシンク91が押し付けられると、第1樹脂面41が、回路基板92と当接しやすい。これにより、ヒートシンク91から加えられた力が、第1リード11、第2リード12および第3リード13や半導体素子20に作用することを抑制することができる。
第1実施形態 第2変形例:
図18および図19は、半導体装置A10の第2変形例を示している。本変形例の半導体装置A12においては、封止樹脂40に2つの溝49が設けられている。
図18および図19は、半導体装置A10の第2変形例を示している。本変形例の半導体装置A12においては、封止樹脂40に2つの溝49が設けられている。
各溝49は、y方向に延びており、第5樹脂面45および第6樹脂面46に到達している。また、2つの溝49は、x方向に離れて配置されている。
本変形例によっても、半導体装置A12を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、2つの溝49を有することにより、第1リード裏面1112と第2端子部122および第3端子部132との沿面距離をさらに延長することができる。本変形例から理解されるように、溝49の個数は何ら限定されない。
第1実施形態 第3変形例:
図20および図21は、半導体装置A10の第3変形例を示している。本変形例の半導体装置A13においては、封止樹脂40に凸部48が設けられている。
図20および図21は、半導体装置A10の第3変形例を示している。本変形例の半導体装置A13においては、封止樹脂40に凸部48が設けられている。
凸部48は、第2樹脂面42からz方向の他方側に突出している。凸部48は、y方向に沿って延びており、第5樹脂面45および第6樹脂面46に到達している。図示された例においては、凸部48は、封止樹脂40のx方向の他方側端に配置されており、第4樹脂面44に接している。
本変形例によっても、半導体装置A13を面実装可能である。また、凸部48を有することにより、第1リード裏面1112と第2端子部122および第3端子部132との沿面距離を延長することができる。
第1実施形態 第4変形例:
図22および図23は、半導体装置A10の第4変形例を示している。本変形例のA14においては、封止樹脂40に2つの凸部48が設けられている。
図22および図23は、半導体装置A10の第4変形例を示している。本変形例のA14においては、封止樹脂40に2つの凸部48が設けられている。
各凸部48は、いずれも第2樹脂面42からz方向の他方側に突出している。各凸部48は、y方向に沿って延びており、第5樹脂面45および第6樹脂面46に到達している。2つの凸部48は、x方向において第1リード裏面1112を挟んで互いに離れて配置されている。一方の凸部48は、第4樹脂面44に接している。他方の凸部48は、第3樹脂面43に接している。
本変形例によっても、半導体装置A14を面実装可能である。また、2つの凸部48を有することにより、第1リード裏面1112と第2端子部122および第3端子部132との沿面距離をさらに延長することができる。本変形例から理解されるように、凸部48の個数は何ら限定されない。
第1実施形態 第5変形例:
図24は、半導体装置A10の第5変形例を示している。本変形例の半導体装置A15においては、封止樹脂40が上述の凸部48および溝49を有していない。本変形例によっても、半導体装置A15を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、封止樹脂40は、凸部48および溝49を有さない構成であってもよい。
図24は、半導体装置A10の第5変形例を示している。本変形例の半導体装置A15においては、封止樹脂40が上述の凸部48および溝49を有していない。本変形例によっても、半導体装置A15を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、封止樹脂40は、凸部48および溝49を有さない構成であってもよい。
第1実施形態 第6変形例:
図25は、半導体装置A10の第6変形例を示している。本変形例の半導体装置A16においては、2つの第2部1122が、2つの第3部1123からx方向の内側に延出している。本変形例によっても、半導体装置A16を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、第2部1122の形状等は何ら限定されない。
図25は、半導体装置A10の第6変形例を示している。本変形例の半導体装置A16においては、2つの第2部1122が、2つの第3部1123からx方向の内側に延出している。本変形例によっても、半導体装置A16を面実装可能である。また、本変形例から理解されるように、第2部1122の形状等は何ら限定されない。
第2実施形態:
図26は、本開示の第2実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A20は、第4リード14をさらに備えている点で、第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図26は、本開示の第2実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A20は、第4リード14をさらに備えている点で、第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態においては、y方向における第2リード12と第3リード13との間に、第4リード14が配置されている。第4リード14は、第1リード11、第2リード12および第3リード13から離間して配置されている。第4リード14は、ダイパッド部111のz方向一方側に位置し、第1リード11の第1端子部112に対してx方向の他方側に位置している。第4リード14は、第4パッド部141および第4端子部142を有する。
第4パッド部141の形状は何ら限定されないが、第3パッド部131と同様の形状である。第4パッド部141は、第4リード主面1411および第4リード裏面1412を有する。第4リード主面1411は、z方向の一方側を向く面である。第4リード裏面1412は、z方向の他方側を向く面である。第4リード裏面1412は、半導体素子20の第1電極201に導通接合されている。第4端子部142の形状は何ら限定されないが、第3端子部132と同様の形状である。第4リード14の第4端子部142は、ソースセンス端子である。
本実施形態によっても、半導体装置A20を面実装可能である。なお、第4リード14は、y方向において、第2リード12に対して第3リード13とは反対側に配置されてもよい。
第3実施形態:
図27は、本開示の第3実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A30は、第3リード13と半導体素子20との導通形態が第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~2実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図27は、本開示の第3実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A30は、第3リード13と半導体素子20との導通形態が第1実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~2実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態では、第3リード13の第3パッド部131は、z方向においてダイパッド部111に重なる位置まで延びておらず、第1実施形態における接合部131bおよび連結部131cに相当する部分を含まない。また、半導体装置A30は、接続部材32をさらに備えている。接続部材32は、たとえばボンディングワイヤであって、第3リード13の第3パッド部131の第3リード主面1311と、半導体素子20の第3電極203とに導通接合されている。接続部材32の材質は何ら限定されず、たとえば金(Au)を含んでいる。なお、接続部材32の本数は何ら限定されず、複数の接続部材32を備えていてもよい。また、接続部材32は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)等の金属を含む金属板(クリップ)であってもよい。
本実施形態によっても、半導体装置A30を面実装可能である。また、本実施形態から理解されるように、第3リード13と半導体素子20との具体的な導通形態は何ら限定されない。なお、第3リード13と半導体素子20とを接続部材32で接続する代わりに、第2リード12と半導体素子20とを接続部材で接続してもよい。
第4実施形態:
図28は、本開示の第4実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A40は、第2リード12および第3リード13の形状が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~3実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図28は、本開示の第4実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A40は、第2リード12および第3リード13の形状が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~3実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態の第2リード12において、第2端子部122の第4部1221は、z方向における位置が、第1リード11の第1端子部112の第1部1121と同じである。したがって、第1部1121による第3樹脂面43の第1貫通位置と、第4部1221による第4樹脂面44の第2貫通位置とは、z方向において同じ位置にある。第2パッド部121の本体部121aのz方向における位置は、第1端子部112の第1部1121と同じである。したがって、連結部121cは、本体部121aからx方向一方側に進むにつれてz方向一方側に進むように、xy平面に対して傾斜した面を有している。図示されていないが、第3リード13も第2リード12と同様であり、第7部1321がz方向において第1部1121と同じ位置であり、連結部131cが連結部121cと同様に傾斜した面を有している。
本実施形態によっても、半導体装置A40を面実装可能である。また、本実施形態によると、第1部1121による第3樹脂面43の第1貫通位置と、第4部1221による第4樹脂面44の第2貫通位置とを、z方向において同じ位置にできる。
第5実施形態:
図29は、本開示の第5実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A50は、第1リード11の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~4実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図29は、本開示の第5実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A50は、第1リード11の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~4実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態の第1リード11は、ダイパッド部111と第1部1121とのz方向における大きさが同じである。また、第1リード11は、連結部113を有する。連結部113は、ダイパッド部111と第1端子部112の第1部1121とを連結している。本実施形態においても、1つのみの第1部1121が第3樹脂面43を貫通している。本実施形態においては、第1リード主面1111のz方向における位置と、第1部1121のz方向の一方側を向く面のz方向における位置とは、互いに異なっている。また、本実施形態では、第1部1121による第3樹脂面43の第1貫通位置と、第4部1221による第4樹脂面44の第2貫通位置とは、z方向において同じ位置にある。
本実施形態によっても、半導体装置A50を面実装可能である。また、本実施形態から理解されるように、ダイパッド部111のz方向における大きさと、第1部1121のz方向における大きさとの関係は、何ら限定されない。
第6実施形態:
図30~図31は、本開示の第6実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A60は、第1端子部112の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~5実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図30~図31は、本開示の第6実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A60は、第1端子部112の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~5実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態の第1リード11は、複数の第1端子部112を有している。複数の第1端子部112は、y方向に並んで配置されている。各第1端子部112は、それぞれが、第1部1121、第2部1122および第3部1123を有する。
第1部1121は、ダイパッド部111に繋がっている。第1部1121は、ダイパッド部111の第1リード側面1113からx方向の一方側に延びており、図示された例においてはxy平面に平行である。第1部1121は、第3樹脂面43を貫通している。第1部1121の形状は、何ら限定されず、図示された例においては、z方向に見て矩形状である。
第2部1122は、第1部1121に対してz方向の一方側に位置している。第2部1122は、半導体装置A10を回路基板等に面実装する際に用いられる。第2部1122は、x方向に沿って延びる形状である。
第3部1123は、第1部1121と第2部1122との間に介在している。第3部1123は、第1部1121からz方向の一方側に延びている。図示された例においては、第3部1123は、z方向(yz平面)に対して傾いている。第3部1123の形状は何ら限定されず、図示された例においては、x方向に見て矩形状である。
本実施形態によっても、半導体装置A60を面実装可能である。さらに、第1リード11は、複数の第1端子部112を有している。これにより、半導体装置A60の実装強度を高めることができる。本実施形態から理解されるように、第1端子部112の構成は、何ら限定されない。
第6実施形態 変形例:
図32は、半導体装置A60の変形例を示している。本変形例の半導体装置A61においては、第1リード裏面1112がz方向に見て第3樹脂面43よりもx方向の一方側にはみ出す部分を有する。つまり、本変形例では、第1部1121ではなく、ダイパッド部111が第3樹脂面43を貫通している。
図32は、半導体装置A60の変形例を示している。本変形例の半導体装置A61においては、第1リード裏面1112がz方向に見て第3樹脂面43よりもx方向の一方側にはみ出す部分を有する。つまり、本変形例では、第1部1121ではなく、ダイパッド部111が第3樹脂面43を貫通している。
本変形例によっても、半導体装置A61を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、第1リード裏面1112が第3樹脂面43よりもx方向の一方側にはみ出す部分を有することにより、ヒートシンク91と対向する第1リード裏面1112の面積を拡大することが可能である。したがって、半導体装置A61からヒートシンク91への放熱効率を高めることができる。
第7実施形態:
図33は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A70は、第1端子部112、第2端子部122および第3端子部132の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~6実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図33は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置A70は、第1端子部112、第2端子部122および第3端子部132の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第1実施形態と同様である。なお、上記の第1~6実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
本実施形態においては、第1端子部112は、第1部1121が第3樹脂面43を貫通せず、第3部1123が封止樹脂40内をz方向に延び、第2部1122が第1樹脂面41から露出している。また、第2端子部122は、第4部1221が第4樹脂面44を貫通せず、第6部1223が封止樹脂40内をz方向に延び、第5部1222が第1樹脂面41から露出している。また、図に表れていないが、第3端子部132は、第7部1321が第4樹脂面44を貫通せず、第9部1323が封止樹脂40内をz方向に延び、第8部1322が第1樹脂面41から露出している。
本実施形態によっても、半導体装置A70を面実装可能である。さらに、第1端子部112、第2端子部122および第3端子部132が第3樹脂面43または第4樹脂面44を貫通してx方向に突出する場合と比較して、半導体装置A70の実装面積(x方向の寸法)を小さくできる。本実施形態から理解されるように、第1端子部112、第2端子部122および第3端子部132の構成は、何ら限定されない。
第7実施形態 変形例:
図34は、半導体装置A70の変形例を示している。本変形例の半導体装置A71においては、封止樹脂40が凹形状領域411を有している。凹形状領域411は、第1樹脂面41からz方向に凹む領域である。凹形状領域411は、x方向における第2部1122と第5部1222および第8部1322との間に位置する。本変形例では、凹形状領域411は、第2部1122の近辺からx方向他方側に進むにしたがって緩やかにz方向他方側に凹み、第5部1222および第8部1322の近辺からx方向一方側に進むにしたがって緩やかにz方向他方側に凹む凹部である。凹形状領域411は、第2パッド部121、第3パッド部131および半導体素子20に影響を及ぼさないように形成されている。
図34は、半導体装置A70の変形例を示している。本変形例の半導体装置A71においては、封止樹脂40が凹形状領域411を有している。凹形状領域411は、第1樹脂面41からz方向に凹む領域である。凹形状領域411は、x方向における第2部1122と第5部1222および第8部1322との間に位置する。本変形例では、凹形状領域411は、第2部1122の近辺からx方向他方側に進むにしたがって緩やかにz方向他方側に凹み、第5部1222および第8部1322の近辺からx方向一方側に進むにしたがって緩やかにz方向他方側に凹む凹部である。凹形状領域411は、第2パッド部121、第3パッド部131および半導体素子20に影響を及ぼさないように形成されている。
本変形例によっても、半導体装置A71を面実装可能であり、上述の例と同様の効果を奏する。また、封止樹脂40が凹形状領域411を有することで、第2部1122から第5部1222および第8部1322までの、封止樹脂40の表面に沿った距離(沿面距離)を延長することができる。なお、凹形状領域411は、本変形例のように、緩やかな凹部が1つだけある場合に限定されない。凹形状領域411は、複数の凹部を有してもよい。
本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
付記1.
半導体素子と、
厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第1リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第1リード裏面を有するダイパッド部と、第1端子部と、を含む第1リードと、
前記第1リードから離間して配置された第2リードと、
前記厚さ方向一方側を向く第1樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第2樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、を備え、
前記第1リード裏面は、前記第2樹脂面から露出し、
前記第2リードは、前記半導体素子に導通接合された第2パッド部と、前記第2パッド部につながる第2端子部と、を備え、
前記第2端子部は、前記第2パッド部につながる第4部と、前記第4部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第5部と、を備えている、半導体装置。
付記2.
前記封止樹脂は、前記厚さ方向と直交する第1方向一方側を向く第3樹脂面と、前記第1方向他方側を向く第4樹脂面と、を有する、付記1に記載の半導体装置。
付記3.
前記第1端子部は、前記ダイパッド部につながる第1部と、前記第1部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第2部と、前記第1部と前記第2部との間に介在する第3部と、を備えている、付記2に記載の半導体装置。
付記4.
前記第1部は、前記第3樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第2樹脂面から離れており、
前記第4部は、前記第4樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第2樹脂面から離れている、付記3に記載の半導体装置。
付記5.
前記第2部は、前記第3部から前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向外側に延出している、付記4に記載の半導体装置。
付記6.
前記第1部による前記第3樹脂面の第1貫通位置と、前記第4部による前記第4樹脂面の第2貫通位置とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記4または5に記載の半導体装置。
付記7.
前記第2部の前記厚さ方向一方側を向く面、および、前記第5部の前記厚さ方向一方側を向く面は、前記第1樹脂面より、前記厚さ方向他方側に位置する、付記4ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
付記8.
前記ダイパッド部は、前記第1端子部の前記第1部よりも、前記厚さ方向の大きさが大きく、
前記第1部の前記厚さ方向一方側の面は、前記第1リード主面と面一である、付記4ないし7のいずれかに記載の半導体装置。
付記9.
前記第2端子部は、前記第4部と前記第5部との間に介在する第6部を備えており、
前記第3部および前記第6部は、前記封止樹脂内を前記厚さ方向に延び、
前記第2部および前記第5部は、前記第1樹脂面から露出している、付記3に記載の半導体装置。
付記10.
前記封止樹脂は、前記第1方向における前記第2部と前記第5部との間において、前記第1樹脂面から前記厚さ方向に凹む凹部を有する、付記9に記載の半導体装置。
付記11.
前記第1リードおよび前記第2リードから離間して配置された第3リードをさらに備え、
前記第3リードは、第3パッド部と、前記第3パッド部につながる第3端子部と、を備え、
前記第3端子部は、前記第3パッド部につながる第7部と、前記第7部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第8部と、前記第7部と前記第8部との間に介在する第9部と、を備えている、付記1ないし10のいずれかに記載の半導体装置。
付記12.
前記第3パッド部は、前記半導体素子に導通接合されている、付記11に記載の半導体装置。
付記13.
前記第3パッド部と前記半導体素子とに導通接合された接続部材をさらに備えている、付記11に記載の半導体装置。
付記14.
前記封止樹脂は、前記第2樹脂面から前記厚さ方向に凹む溝を有する、付記1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
付記15.
前記封止樹脂は、前記第2樹脂面から前記厚さ方向に突出する凸部を有する、付記1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
半導体素子と、
厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第1リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第1リード裏面を有するダイパッド部と、第1端子部と、を含む第1リードと、
前記第1リードから離間して配置された第2リードと、
前記厚さ方向一方側を向く第1樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第2樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、を備え、
前記第1リード裏面は、前記第2樹脂面から露出し、
前記第2リードは、前記半導体素子に導通接合された第2パッド部と、前記第2パッド部につながる第2端子部と、を備え、
前記第2端子部は、前記第2パッド部につながる第4部と、前記第4部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第5部と、を備えている、半導体装置。
付記2.
前記封止樹脂は、前記厚さ方向と直交する第1方向一方側を向く第3樹脂面と、前記第1方向他方側を向く第4樹脂面と、を有する、付記1に記載の半導体装置。
付記3.
前記第1端子部は、前記ダイパッド部につながる第1部と、前記第1部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第2部と、前記第1部と前記第2部との間に介在する第3部と、を備えている、付記2に記載の半導体装置。
付記4.
前記第1部は、前記第3樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第2樹脂面から離れており、
前記第4部は、前記第4樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第2樹脂面から離れている、付記3に記載の半導体装置。
付記5.
前記第2部は、前記第3部から前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向外側に延出している、付記4に記載の半導体装置。
付記6.
前記第1部による前記第3樹脂面の第1貫通位置と、前記第4部による前記第4樹脂面の第2貫通位置とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記4または5に記載の半導体装置。
付記7.
前記第2部の前記厚さ方向一方側を向く面、および、前記第5部の前記厚さ方向一方側を向く面は、前記第1樹脂面より、前記厚さ方向他方側に位置する、付記4ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
付記8.
前記ダイパッド部は、前記第1端子部の前記第1部よりも、前記厚さ方向の大きさが大きく、
前記第1部の前記厚さ方向一方側の面は、前記第1リード主面と面一である、付記4ないし7のいずれかに記載の半導体装置。
付記9.
前記第2端子部は、前記第4部と前記第5部との間に介在する第6部を備えており、
前記第3部および前記第6部は、前記封止樹脂内を前記厚さ方向に延び、
前記第2部および前記第5部は、前記第1樹脂面から露出している、付記3に記載の半導体装置。
付記10.
前記封止樹脂は、前記第1方向における前記第2部と前記第5部との間において、前記第1樹脂面から前記厚さ方向に凹む凹部を有する、付記9に記載の半導体装置。
付記11.
前記第1リードおよび前記第2リードから離間して配置された第3リードをさらに備え、
前記第3リードは、第3パッド部と、前記第3パッド部につながる第3端子部と、を備え、
前記第3端子部は、前記第3パッド部につながる第7部と、前記第7部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第8部と、前記第7部と前記第8部との間に介在する第9部と、を備えている、付記1ないし10のいずれかに記載の半導体装置。
付記12.
前記第3パッド部は、前記半導体素子に導通接合されている、付記11に記載の半導体装置。
付記13.
前記第3パッド部と前記半導体素子とに導通接合された接続部材をさらに備えている、付記11に記載の半導体装置。
付記14.
前記封止樹脂は、前記第2樹脂面から前記厚さ方向に凹む溝を有する、付記1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
付記15.
前記封止樹脂は、前記第2樹脂面から前記厚さ方向に突出する凸部を有する、付記1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
A10,A11,A12,A13,A14:半導体装置
A15,A16,A20,A30,A40:半導体装置
A50,A60,A61,A70,A71:半導体装置
10:導通部材 11:第1リード
12:第2リード 13:第3リード
14:第4リード 20:半導体素子
29:接合層 32:接続部材
40:封止樹脂 41:第1樹脂面
42:第2樹脂面 43:第3樹脂面
44:第4樹脂面 45:第5樹脂面
46:第6樹脂面 47:凹部
48:凸部 49:溝
91:ヒートシンク 92:回路基板
111:ダイパッド部 112:第1端子部
113:連結部 121:第2パッド部
121a:本体部 121b:接合部
121c:連結部 131:第3パッド部
131a:本体部 131b:接合部
131c:連結部 132:第3端子部
141:第4パッド部 142:第4端子部
201:第1電極 202:第2電極
203:第3電極 205:半導体層
411:凹形状領域 919:シート材
921:はんだ 1111:第1リード主面
1112:第1リード裏面 1113:第1リード側面
1114:第1中間面 1121:第1部
1122:第2部 1123:第3部
1211:第2リード主面 1212:第2リード裏面
1221:第4部 1222:第5部
1223:第6部 1311:第3リード主面
1312:第3リード裏面 1321:第7部
1322:第8部 1323:第9部
1411:第4リード主面 1412:第4リード裏面
A15,A16,A20,A30,A40:半導体装置
A50,A60,A61,A70,A71:半導体装置
10:導通部材 11:第1リード
12:第2リード 13:第3リード
14:第4リード 20:半導体素子
29:接合層 32:接続部材
40:封止樹脂 41:第1樹脂面
42:第2樹脂面 43:第3樹脂面
44:第4樹脂面 45:第5樹脂面
46:第6樹脂面 47:凹部
48:凸部 49:溝
91:ヒートシンク 92:回路基板
111:ダイパッド部 112:第1端子部
113:連結部 121:第2パッド部
121a:本体部 121b:接合部
121c:連結部 131:第3パッド部
131a:本体部 131b:接合部
131c:連結部 132:第3端子部
141:第4パッド部 142:第4端子部
201:第1電極 202:第2電極
203:第3電極 205:半導体層
411:凹形状領域 919:シート材
921:はんだ 1111:第1リード主面
1112:第1リード裏面 1113:第1リード側面
1114:第1中間面 1121:第1部
1122:第2部 1123:第3部
1211:第2リード主面 1212:第2リード裏面
1221:第4部 1222:第5部
1223:第6部 1311:第3リード主面
1312:第3リード裏面 1321:第7部
1322:第8部 1323:第9部
1411:第4リード主面 1412:第4リード裏面
Claims (15)
- 半導体素子と、
厚さ方向一方側を向き且つ前記半導体素子が搭載された第1リード主面および前記厚さ方向他方側を向く第1リード裏面を有するダイパッド部と、第1端子部と、を含む第1リードと、
前記第1リードから離間して配置された第2リードと、
前記厚さ方向一方側を向く第1樹脂面、および、前記厚さ方向他方側を向く第2樹脂面を有し、前記半導体素子と前記ダイパッド部の一部とを覆う封止樹脂と、を備え、
前記第1リード裏面は、前記第2樹脂面から露出し、
前記第2リードは、前記半導体素子に導通接合された第2パッド部と、前記第2パッド部につながる第2端子部と、を備え、
前記第2端子部は、前記第2パッド部につながる第4部と、前記第4部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第5部と、を備えている、半導体装置。 - 前記封止樹脂は、前記厚さ方向と直交する第1方向一方側を向く第3樹脂面と、前記第1方向他方側を向く第4樹脂面と、を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1端子部は、前記ダイパッド部につながる第1部と、前記第1部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第2部と、前記第1部と前記第2部との間に介在する第3部と、を備えている、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1部は、前記第3樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第2樹脂面から離れており、
前記第4部は、前記第4樹脂面を貫通し、且つ、前記厚さ方向において前記第2樹脂面から離れている、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第2部は、前記第3部から前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向外側に延出している、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1部による前記第3樹脂面の第1貫通位置と、前記第4部による前記第4樹脂面の第2貫通位置とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記第2部の前記厚さ方向一方側を向く面、および、前記第5部の前記厚さ方向一方側を向く面は、前記第1樹脂面より、前記厚さ方向他方側に位置する、請求項4ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ダイパッド部は、前記第1端子部の前記第1部よりも、前記厚さ方向の大きさが大きく、
前記第1部の前記厚さ方向一方側の面は、前記第1リード主面と面一である、請求項4ないし7のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第2端子部は、前記第4部と前記第5部との間に介在する第6部を備えており、
前記第3部および前記第6部は、前記封止樹脂内を前記厚さ方向に延び、
前記第2部および前記第5部は、前記第1樹脂面から露出している、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記封止樹脂は、前記第1方向における前記第2部と前記第5部との間において、前記第1樹脂面から前記厚さ方向に凹む凹部を有する、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1リードおよび前記第2リードから離間して配置された第3リードをさらに備え、
前記第3リードは、第3パッド部と、前記第3パッド部につながる第3端子部と、を備え、
前記第3端子部は、前記第3パッド部につながる第7部と、前記第7部に対して前記厚さ方向一方側に位置し且つ実装に用いられる第8部と、前記第7部と前記第8部との間に介在する第9部と、を備えている、請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第3パッド部は、前記半導体素子に導通接合されている、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記第3パッド部と前記半導体素子とに導通接合された接続部材をさらに備えている、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、前記第2樹脂面から前記厚さ方向に凹む溝を有する、請求項1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、前記第2樹脂面から前記厚さ方向に突出する凸部を有する、請求項1ないし13のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202280077729.1A CN118382925A (zh) | 2021-12-01 | 2022-11-16 | 半导体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021195177 | 2021-12-01 | ||
JP2021-195177 | 2021-12-01 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US18/630,588 Continuation US20240258219A1 (en) | 2021-12-01 | 2024-04-09 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2023100659A1 true WO2023100659A1 (ja) | 2023-06-08 |
Family
ID=86612047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/042573 WO2023100659A1 (ja) | 2021-12-01 | 2022-11-16 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN118382925A (ja) |
WO (1) | WO2023100659A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09312367A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体装置 |
JP2011082535A (ja) * | 2010-11-15 | 2011-04-21 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US20180061745A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor Chip Package Having a Repeating Footprint Pattern |
JP2019192751A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2020059751A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2020107637A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2022
- 2022-11-16 WO PCT/JP2022/042573 patent/WO2023100659A1/ja active Application Filing
- 2022-11-16 CN CN202280077729.1A patent/CN118382925A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09312367A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体装置 |
JP2011082535A (ja) * | 2010-11-15 | 2011-04-21 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US20180061745A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor Chip Package Having a Repeating Footprint Pattern |
JP2019192751A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2020059751A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2020107637A (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN118382925A (zh) | 2024-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7441287B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20180279484A1 (en) | Semiconductor device | |
US12009310B2 (en) | Semiconductor device | |
WO2023100659A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023100681A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2021241304A1 (ja) | 半導体モジュールの実装構造 | |
JP7385414B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023100731A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023100663A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023100759A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2022143167A (ja) | 半導体装置 | |
WO2023100733A1 (ja) | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 | |
US20240258219A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2024057838A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20210217721A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2023136074A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2024128062A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20240258186A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2024154566A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023106151A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023021938A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2024029385A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2022259809A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023095681A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2023005655A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 22901092 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2023564862 Country of ref document: JP |