WO2020090931A1 - ダマシン配線構造、アクチュエータ装置、及びダマシン配線構造の製造方法 - Google Patents

ダマシン配線構造、アクチュエータ装置、及びダマシン配線構造の製造方法 Download PDF

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大幾 鈴木
直 井上
柴山　勝己
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浜松ホトニクス株式会社
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    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
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    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers

Definitions

  • One aspect of the present disclosure relates to a damascene wiring structure, an actuator device, and a method for manufacturing a damascene wiring structure.
  • a damascene wiring structure in which a wiring portion is formed by embedding a metal material in the groove portion is known (see, for example, Patent Document 1).
  • a metal layer is provided on the inner surface of the groove portion, and the wiring portion is joined to the metal layer.
  • stress may act on the wiring portion and the metal layer.
  • a damascene wiring structure is applied to a coil of an actuator device that uses a Lorentz force acting on a coil due to interaction with a magnetic field
  • stress in a direction perpendicular to the extending direction of the wiring part is applied to the wiring part and the metal layer.
  • the cap layer may be provided so as to cover the surface of the wiring portion and the end portion of the metal layer.
  • one aspect of the present disclosure is to provide a damascene wiring structure and an actuator device with high reliability, and a method for manufacturing a damascene wiring structure that can obtain such a damascene wiring structure.
  • a damascene wiring structure includes a base having a main surface provided with a groove, a first portion provided on an inner surface of the groove, and a main surface formed integrally with the first portion.
  • An insulating layer having a second portion provided thereon, a metal layer provided on the first portion of the insulating layer, a wiring portion embedded in the groove and joined to the metal layer, and a second insulating layer A portion, an end of the metal layer, and a cap layer provided so as to cover the wiring portion, and a surface of the insulating layer opposite to the base at the boundary portion between the first portion and the second portion is a wiring.
  • the end of the metal layer extends between the cap layer and the inclined surface.
  • the first surface along the cap layer and the second surface along the inclined surface form an acute angle.
  • the insulating layer has a first portion provided on the inner surface of the groove and a second portion integrally formed with the first portion and provided on the main surface,
  • the cap layer is provided so as to cover the second portion of the insulating layer, the end portion of the metal layer, and the wiring portion.
  • the surface of the insulating layer opposite to the base at the boundary portion between the first portion and the second portion includes the inclined surface, and the end portion of the metal layer enters between the cap layer and the inclined surface. I'm out. Then, at the end, the first surface along the cap layer and the second surface along the inclined surface form an acute angle. Thereby, it is possible to suppress the stress from being concentrated on the cap layer. As described above, the reliability is improved in this damascene wiring structure.
  • the thickness of the cap layer may be thicker than the thickness of the insulating layer. In this case, the strength of the cap layer can be increased, and the reliability can be further improved.
  • the portion of the cap layer that contacts the first surface of the end of the metal layer and the portion of the insulating layer that contacts the second surface of the end of the metal layer may be made of the same material. .. In this case, the bonding strength between the cap layer and the insulating layer can be increased in the vicinity of the contact portion between the cap layer and the end of the metal layer, and the reliability can be further improved.
  • the insulating layer may have a first layer made of an oxide film and a second layer made of a nitride film and provided on the first layer.
  • the inclined shape can be easily formed in the first layer made of the oxide film, the formation of the inclined surface can be facilitated.
  • a boundary surface that is inclined with respect to the direction perpendicular to the main surface when viewed from the extending direction may be provided at the boundary portion between the main surface and the groove portion of the base. In this case, formation of the inclined surface can be further facilitated.
  • the inclined surface may be curved in a convex shape. In this case, it is possible to more reliably suppress the concentrated action of stress on the cap layer.
  • the third surface of the end portion of the metal layer opposite to the second surface is inclined with respect to the direction perpendicular to the main surface when viewed from the extending direction, and a part of the wiring portion is covered by the cap. It may be interposed between the layer and the third surface.
  • the end portion of the metal layer can be suppressed by the wiring portion, and the stress acting on the cap layer from the metal layer can be reduced.
  • the thickness of the wiring portion in the direction perpendicular to the main surface of the portion is thin, the stress acting on the cap layer from the wiring portion can be reduced.
  • the thickness of the end of the metal layer in the direction parallel to the main surface may be thicker than the thickness of the part of the metal layer other than the end. In this case, the contact area between the end portion of the metal layer and the cap layer can be increased, and the stress acting on the cap layer from the metal layer can be more appropriately dispersed.
  • the thickness of the metal layer in the direction parallel to the main surface of the end may gradually increase toward the tip of the end.
  • the contact area between the end portion of the metal layer and the cap layer can be further increased, and the stress acting on the cap layer from the metal layer can be more preferably dispersed.
  • the first contact surface of the wiring portion that contacts the cap layer may be located on the bottom side of the groove portion with respect to the second contact surface of the insulating layer that contacts the cap layer. In this case, it is possible to further reduce the number of places where stress is likely to concentrate. Further, the contact area between the end portion of the metal layer and the cap layer can be further increased, and the stress acting on the cap layer from the metal layer can be more preferably dispersed.
  • the thickness of the cap layer may be larger than the distance between the first contact surface and the second contact surface in the direction perpendicular to the main surface. In this case, the strength of the cap layer can be further increased.
  • the thickness of the cap layer may be smaller than the distance between the first contact surface and the second contact surface in the direction perpendicular to the main surface. In this case, the stress acting on the cap layer from the wiring portion can be further reduced.
  • the groove may extend spirally when viewed from a direction perpendicular to the main surface. Even in such a case, high reliability can be obtained.
  • Intervals between adjacent portions of the groove may be smaller than the width of the groove. In this case, the wiring pitch (interval) can be narrowed, and space can be saved.
  • the width of the groove may be smaller than the depth of the groove. In this case, it is possible to save space and reduce the resistance of the wiring.
  • the base has an opposite surface opposite to the main surface, and the distance between the bottom surface of the groove and the opposite surface in the direction perpendicular to the main surface may be larger than the depth of the groove. In this case, the strength of the base can be increased, and the reliability can be further improved.
  • An actuator device is an actuator device including the above damascene wiring structure, and has a supporting portion, a movable portion supported by the supporting portion so as to be swingable, and a damascene wiring structure.
  • a coil provided on at least one of the support section and the movable section, and a magnetic field generation section for generating a magnetic field acting on the coil.
  • the stress in the direction perpendicular to the extending direction of the wiring portion acts on the wiring portion and the metal layer, but the reliability can be improved for the reasons described above.
  • a method for manufacturing a damascene wiring structure includes a base having a main surface provided with a groove, a first portion provided on an inner surface of the groove, and the first portion formed integrally with the first portion.
  • the surface of the insulating layer on the side opposite to the base of the boundary portion between the first portion and the second portion is perpendicular to the main surface when viewed from the extending direction of the wiring portion.
  • An insulating layer including an inclined surface inclined with respect to the vertical direction is formed. According to this method of manufacturing a damascene wiring structure, it is possible to obtain a highly reliable damascene wiring structure as described above.
  • the metal layer may be formed by sputtering.
  • the thickness of the end portion of the metal layer in the direction parallel to the main surface can be gradually increased toward the tip of the end portion, and the contact area between the end portion of the metal layer and the cap layer can be increased. ..
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged view of FIG. 2.
  • FIG. 4 is an enlarged view of FIG. 3.
  • (A) And (b) is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a damascene wiring structure.
  • (A) And (b) is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a damascene wiring structure.
  • (A) And (b) is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of a damascene wiring structure. It is sectional drawing of the damascene wiring structure which concerns on a 1st modification. It is sectional drawing of the damascene wiring structure which concerns on a 2nd modification.
  • (A) is sectional drawing of the damascene wiring structure which concerns on a 3rd modification
  • (b) is sectional drawing of the damascene wiring structure which concerns on a 4th modification.
  • a mirror device (actuator device) 1 includes a support portion 2, a first movable portion 3, a second movable portion (support portion) 4, and a pair of first connecting portions 5 and 6. , A pair of second connecting portions 7 and 8 and a magnetic field generating portion 9.
  • the support part 2, the first movable part 3, the second movable part 4, the first connecting parts 5, 6 and the second connecting parts 7, 8 are integrally formed by, for example, a semiconductor substrate such as an SOI (Silicon on Insulator) substrate. Has been formed. That is, the mirror device 1 is configured as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) device.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • the first movable portion 3 having the mirror surface (optical surface) 10 is swung around the first axis X1 and the second axis X2 which are orthogonal to each other.
  • the mirror device 1 can be used, for example, in an optical switch for optical communication, an optical scanner, or the like.
  • the magnetic field generator 9 is composed of, for example, a permanent magnet having a Halbach array. The magnetic field generator 9 generates a magnetic field that acts on coils 21 and 22 described later.
  • the support portion 2 has, for example, a quadrangular outer shape in a plan view and is formed in a frame shape.
  • the support portion 2 is arranged on one side in the direction perpendicular to the mirror surface 10 with respect to the magnetic field generation portion 9.
  • the first movable portion 3 is arranged inside the support portion 2 in a state of being separated from the magnetic field generation portion 9.
  • the “plan view” means the case viewed from the direction perpendicular to the mirror surface 10, in other words, the case viewed from the direction perpendicular to the main surface 31 of the substrate 30 described later.
  • the first movable portion 3 includes an arrangement portion 3a, a frame portion 3b surrounding the arrangement portion 3a, and a plurality of (four in this example) connecting portions 3c that connect the arrangement portion 3a and the frame portion 3b to each other. is doing.
  • the placement portion 3a is formed, for example, in a circular shape in a plan view.
  • a circular mirror surface 10 is provided on the surface of the arrangement portion 3a opposite to the magnetic field generation portion 9.
  • the mirror surface 10 is made of, for example, a reflective film made of aluminum, an aluminum alloy, silver, a silver alloy, gold, a dielectric multilayer film, or the like.
  • the frame portion 3b has, for example, a quadrangular outer shape in a plan view and is formed in a frame shape.
  • the plurality of connecting portions 3c are arranged on both sides of the arrangement portion 3a on the first axis X1 and on both sides of the arrangement portion 3a on the second axis X2, and the arrangement portion 3a on the first axis X1 or the second axis X2. And the frame portion 3b are connected to each other.
  • the second movable portion 4 has, for example, a quadrangular outer shape in a plan view and is formed in a frame shape.
  • the second movable portion 4 is arranged inside the support portion 2 so as to surround the first movable portion 3 while being separated from the magnetic field generation portion 9.
  • the first connecting portions 5 and 6 are arranged on both sides of the first movable portion 3 on the first axis X1. Each of the first connecting portions 5 and 6 connects the first movable portion 3 and the second movable portion 4 to each other on the first axis X1 so that the first movable portion 3 can swing around the first axis X1. It is connected. Each of the first connecting portions 5 and 6 extends, for example, in a straight line along the first axis X1.
  • the second connecting portions 7 and 8 are arranged on both sides of the second movable portion 4 on the first axis X1. Each of the second connecting portions 7 and 8 connects the second movable portion 4 and the support portion 2 with each other on the second axis X2 so that the second movable portion 4 can swing around the second axis X2. ing. Each of the second connecting portions 7 and 8 extends, for example, in a straight line along the second axis X2.
  • the mirror device 1 further includes coils 21 and 22, a plurality of wirings 12, 13, 14 and 15, and a plurality of electrode pads 25, 26, 27 and 28.
  • the coil 21 is, for example, embedded in the frame portion 3b of the first movable portion 3 and extends spirally in a plan view.
  • the coil 22 is, for example, embedded in the second movable portion 4 and extends spirally in a plan view.
  • Each coil 21, 22 is made of a metal material such as copper.
  • the plurality of electrode pads 25, 26, 27, 28 are provided on the support portion 2.
  • the wiring 12 electrically connects one end of the coil 21 and the electrode pad 25.
  • the wiring 12 extends from one end of the coil 21 to the electrode pad 25 via the first connecting portion 5, the second movable portion 4, and the second connecting portion 7.
  • the wiring 13 electrically connects the other end of the coil 21 and the electrode pad 26.
  • the wiring 13 extends from the other end of the coil 21 to the electrode pad 26 via the first connecting portion 6, the second movable portion 4 and the second connecting portion 8.
  • the wiring 14 electrically connects one end of the coil 22 and the electrode pad 27.
  • the wiring 14 extends from one end of the coil 22 to the electrode pad 27 via the second connecting portion 8.
  • the wiring 15 electrically connects the other end of the coil 22 and the electrode pad 28.
  • the wiring 15 extends from the other end of the coil 22 to the electrode pad 28 via the second connecting portion 7.
  • the mirror device 1 configured as described above, when a drive signal for linear operation is input to the coil 22 via the electrode pads 27 and 28 and the wirings 14 and 15, the magnetic field generated by the magnetic field generation unit 9 is changed. A Lorentz force acts on the coil 22 by the interaction. By using the balance between the Lorentz force and the elastic force of the second connecting portions 7 and 8, the mirror surface 10 (first movable portion 3) is linearly operated together with the second movable portion 4 around the second axis X2. You can
  • the damascene wiring structure 100 included in the coils 21 and 22 will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4. Since the coils 21 and 22 have the same configuration, the coil 22 will be described below and the description of the coil 21 will be omitted.
  • the second movable portion 4 is composed of, for example, the first silicon layer 81 of the substrate (base) 30.
  • the substrate 30 has, for example, a first silicon layer 81 and a second silicon layer 82, and an insulating layer 83 arranged between the first silicon layer 81 and the second silicon layer 82 (FIGS. 5 to 5). (Fig. 7).
  • the support part 2 is composed of a first silicon layer 81, a second silicon layer 82 and an insulating layer 83, and has a first movable part 3, a second movable part 4, first connecting parts 5, 6 and a second connecting part. 7, 8 are composed of the first silicon layer 81.
  • the substrate 30 has a main surface 31. In this example, the main surface 31 is the surface of the first silicon layer 81 opposite to the insulating layer 83.
  • a groove 33 is provided on the main surface 31.
  • the groove 33 has a shape corresponding to the coil 21, and in this example, extends in a spiral shape in a plan view.
  • the groove 33 In a cross section perpendicular to the extending direction of the groove 33, the groove 33 has, for example, a rectangular shape.
  • the inner surface 34 of the groove 33 has a side surface 34a and a bottom surface (bottom portion) 34b.
  • the damascene wiring structure 100 is configured uniformly in the extending direction of the groove 33 and is perpendicular to the extending direction of the groove 33. The configuration is the same in any cross section.
  • the damascene wiring structure 100 does not necessarily have to be uniformly configured in the extending direction of the groove 33.
  • the damascene wiring structure 100 has the shape of the present embodiment in a part in the extending direction of the groove portion 33, and has the shape of a modification described later in another part in the extending direction of the groove portion 33. May be.
  • the damascene wiring structure 100 includes an insulating layer 40, a metal layer 50, a wiring portion 60, and a cap layer 70 in addition to the substrate 30 as a base.
  • the insulating layer 40 is provided over the main surface 31 and the inner surface 34 of the groove 33. More specifically, the insulating layer 40 includes a first portion 41 provided on the inner surface 34 and a second portion 42 integrally formed with the first portion 41 and provided on the main surface 31. Have A boundary portion 43 of the insulating layer 40 between the first portion 41 and the second portion 42 is located on a boundary portion between the main surface 31 and the groove portion 33 of the substrate 30.
  • the insulating layer 40 is composed of a first layer 44 and a second layer 45.
  • the first layer 44 is made of an oxide film and is provided on the main surface 31 and the inner surface 34 of the groove 33.
  • the oxide film forming the first layer 44 is, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ) formed by thermally oxidizing silicon.
  • the second layer 45 is made of a nitride film and is provided on the first layer 44.
  • the nitride film forming the second layer 45 is, for example, a silicon nitride film (SiN) or the like.
  • the first portion 41 and the boundary portion 43 are composed of the first layer 44 and the second layer 45, and the second portion 42 is composed of the first layer 44.
  • the metal layer 50 is provided over the first portion 41 of the insulating layer 40. That is, the metal layer 50 is provided on the inner surface 34 of the groove 33 via the first portion 41.
  • the metal layer 50 is made of, for example, a metal material such as titanium (Ti).
  • the metal layer 50 is, for example, a seed layer for stably forming the wiring portion 60 on the semiconductor substrate, and a barrier for preventing diffusion of a metal element contained in the wiring portion 60 into the first silicon layer 81. It can function as a layer.
  • the wiring portion 60 is embedded in the groove 33 and joined to the metal layer 50. That is, the wiring portion 60 is provided in the groove portion 33 via the first portion 41 of the insulating layer 40 and the metal layer 50.
  • the wiring portion 60 is made of, for example, a metal material such as copper (Cu).
  • the shape of the metal layer 50 in a cross section perpendicular to the extending direction of the wiring portion 60 corresponds to the sectional shape of the groove portion 33, and in this example, a substantially rectangular shape is used. Presents.
  • the wiring portion 60 extends in a spiral shape in a plan view, and the wiring portion 60 extends in a direction parallel to the first axis X1 and the second axis.
  • the extending direction of the wiring portion 60 is the direction parallel to the first axis X1 in the first portion and the second portion in the second portion. It is a direction parallel to the two-axis X2.
  • the wiring portion 60 extends in a curved shape or a curved shape, the extending direction of a certain portion of the wiring portion 60 may be the tangential direction of that portion.
  • the cap layer 70 is provided so as to cover the second portion 42 of the insulating layer 40, the end portion 51 of the metal layer 50, and the wiring portion 60.
  • the cap layer 70 extends in a plane parallel to the main surface 31.
  • the thickness T1 of the cap layer 70 is thicker than the thickness T2 of the insulating layer 40.
  • the cap layer 70 is made of, for example, a silicon nitride film and has an insulating property. That is, the cap layer 70 is made of the same material as the second layer 45 of the insulating layer 40.
  • a surface 41 a of the first portion 41 of the insulating layer 40 opposite to the substrate 30 is, for example, a flat surface perpendicular to the main surface 31.
  • a surface 42a of the second portion 42 of the insulating layer 40 opposite to the substrate 30 is, for example, a flat surface parallel to the main surface 31.
  • the surface 42a is in contact with the cap layer 70.
  • the surface 43a of the boundary portion 43 on the side opposite to the substrate 30 includes an inclined surface 43b inclined with respect to the direction A1 perpendicular to the main surface 31 when viewed from the extending direction of the wiring portion 60.
  • the inclined surface 43b is inclined outward with respect to the surface 41a of the first portion 41 (so as to be farther from the center of the groove 33 as it is farther from the bottom surface 34b of the groove 33).
  • the inclined surface 43b is convexly curved toward the side opposite to the substrate 30.
  • the end 51 of the metal layer 50 is inserted between the cap layer 70 and the inclined surface 43b. More specifically, the end portion 51 has a portion arranged in the space formed between the cap layer 70 and the inclined surface 43b in the direction A1 perpendicular to the main surface 31.
  • the end portion 51 has a first surface 51a, a second surface 51b continuous with the first surface 51a, and a third surface 51c continuous with the first surface 51a on the side opposite to the second surface 51b. There is.
  • the first surface 51 a extends along the cap layer 70 and is joined to the cap layer 70.
  • the first surface 51a is a flat surface, and is located on the same plane as the surface 42a of the second portion 42 of the insulating layer 40 and the surface 60a of the wiring part 60 described later.
  • the second surface 51b is along the inclined surface 43b and is joined to the inclined surface 43b.
  • the second surface 51b is inclined outward with respect to the direction A1 perpendicular to the main surface 31, similarly to the inclined surface 43b.
  • the second surface 51b is curved in a concave shape toward the side opposite to the substrate 30.
  • the second surface 51b is in contact with the second layer 45 forming the boundary portion 43 of the insulating layer 40. That is, the portion of the insulating layer 40 that contacts the second surface 51b (in this example, the second layer 45 that forms the boundary portion 43) is made of the same material as the portion of the cap layer 70 that contacts the first surface 51a. (Silicon nitride film). As described above, in this example, the entire cap layer 70 is made of the silicon nitride film. Thereby, the bonding strength between the insulating layer 40 and the cap layer 70 can be increased.
  • the third surface 51c is a surface of the end portion 51 opposite to the second surface 51b.
  • the third surface 51c is inclined outward with respect to the direction A1 when viewed from the extending direction of the wiring portion 60.
  • the degree of inclination of the third surface 51c with respect to the direction A1 is gentler than the degree of inclination of the second surface 51b with respect to the direction A1.
  • the thickness of the end portion 51 in the direction A2 parallel to the main surface 31 gradually increases toward the tip of the end portion 51.
  • a portion 61 of the wiring portion 60 located at the boundary between the metal layer 50 and the cap layer 70 is inserted between the cap layer 70 and the third surface 51c. More specifically, the part 61 of the wiring portion 60 is arranged in the space formed between the cap layer 70 and the third surface 51c in the direction A1.
  • the first surface 51a and the second surface 51b form an acute angle.
  • the angle ⁇ formed by the first surface 51a and the second surface 51b is smaller than 90 degrees. That is, the thickness of the end portion 51 in the direction A1 perpendicular to the main surface 31 gradually decreases as it approaches the tip of the end portion 51 (for example, the apex formed by the first surface 51a and the second surface 51b).
  • the angle ⁇ may be, for example, 15 degrees to 88 degrees.
  • the end 51 of the metal layer 50 is not provided on the second portion 42 of the insulating layer 40.
  • the thickness (minimum thickness) of the end portion 51 in the direction A2 parallel to the main surface 31 is the portion of the metal layer 50 other than the end portion 51 (for example, in the direction A1 of the metal layer 50 perpendicular to the main surface 31).
  • the thickness is larger than the thickness of the intermediate portion or the portion of the metal layer 50 located on the first portion 41 of the insulating layer 40).
  • the thickness (maximum thickness) of the tip portion of the metal layer 50 in the direction A1 is smaller than the thickness T2 of the insulating layer 40.
  • the “tip portion of the metal layer 50” means a portion of the metal layer 50 in which the thickness in the direction A2 parallel to the principal surface 31 is larger than the thickness in the direction A1 perpendicular to the principal surface 31.
  • the surface (first contact surface) 60a of the wiring portion 60 that contacts the cap layer 70 is located on the same plane as the surface 42a of the second portion 42 of the insulating layer 40.
  • the surface 42a is a surface (second contact surface) of the insulating layer 40 that contacts the cap layer 70.
  • the surface 70a of the cap layer 70 on the substrate 30 side is a flat surface.
  • the groove portion 33 extends in a spiral shape in a plan view.
  • the groove portion 33 has a plurality of portions 33a adjacent to each other.
  • the interval B between the portions 33a is smaller than the width W of the groove 33.
  • the width W of the groove 33 is smaller than the depth D of the groove 33.
  • the depth D of the groove 33 is, for example, the distance between the main surface 31 and the bottom surface 34b in the direction A1 perpendicular to the main surface 31.
  • the distance L between the bottom surface 34b of the groove 33 in the direction A1 perpendicular to the main surface 31 and the opposite surface of the substrate 30 opposite to the main surface 31 is larger than the depth D of the groove 33.
  • the opposite surface is the surface 81a of the first silicon layer 81 on the insulating layer 83 side (the side opposite to the main surface 31).
  • the insulating layer 40 is provided on the inner surface 34 of the groove 33, and the first portion 41 is integrally formed with the first portion 41, and the second portion is provided on the main surface 31.
  • the cap layer 70 is provided so as to cover the second portion 42 of the insulating layer 40, the end portion 51 of the metal layer 50, and the wiring portion 60.
  • the end portion of the insulating layer 40 is located near the boundary portion between the main surface 31 and the groove portion 33, and the main surface 31 and the cap layer 70 are separated from each other. Contact.
  • the substrate 30, the end portion of the insulating layer 40, the end portion 51 of the metal layer 50, the wiring portion 60, and the cap layer 70 come into contact with each other at positions close to each other. Stress is likely to be concentrated at such places.
  • the damascene wiring structure 100 since the end portion of the insulating layer 40 does not exist in the vicinity of the boundary portion between the main surface 31 and the groove portion 33, the location where stress is concentrated can be reduced.
  • the end portion 51 of the metal layer 50 extends so as to contact the cap layer 70. If the end portion 51 does not reach the cap layer 70 and remains at a position lower than the surface 60a of the wiring portion 60, a void may occur in a portion of the wiring portion 60 exposed from the metal layer 50. There is. On the other hand, in the damascene wiring structure 100, generation of such voids can be suppressed, and peeling of the cap layer 70 or the like due to the voids can be suppressed. Further, the surface 43a of the insulating layer 40 at the boundary portion 43 between the first portion 41 and the second portion 42 opposite to the substrate 30 includes the inclined surface 43b, and the end portion 51 of the metal layer 50 is the cap layer.
  • the damascene wiring structure 100 has improved reliability.
  • the thickness T1 of the cap layer 70 is thicker than the thickness T2 of the insulating layer 40. Thereby, the strength of the cap layer 70 can be increased and the reliability can be further improved.
  • a portion of the cap layer 70 that contacts the first surface 51 a of the end portion 51 and a portion of the insulating layer 40 that contacts the second surface 51 b of the end portion 51 are made of the same material. Thereby, the bonding strength between the cap layer 70 and the insulating layer 40 can be increased in the vicinity of the contact portion between the cap layer 70 and the end portion 51 of the metal layer 50, and the reliability can be further improved.
  • the insulating layer 40 has a first layer 44 made of an oxide film and a second layer 45 made of a nitride film and provided on the first layer 44.
  • a first layer 44 made of an oxide film and a second layer 45 made of a nitride film and provided on the first layer 44.
  • the inclined surface 43b is curved in a convex shape. As a result, it is possible to more reliably suppress the concentrated action of stress on the cap layer 70.
  • the third surface 51c of the end portion 51 of the metal layer 50 on the opposite side of the second surface 51b is inclined, and the part 61 of the wiring portion 60 includes the cap layer 70 and the third surface 51c. It's in between.
  • the end portion 51 of the metal layer 50 can be suppressed by the wiring portion 60, and the stress acting on the cap layer 70 from the metal layer 50 can be reduced.
  • the thickness of the portion 61 of the wiring portion 60 in the direction A1 perpendicular to the main surface 31 is reduced, the stress acting on the cap layer 70 from the wiring portion 60 can be reduced.
  • the thickness of the end 51 of the metal layer 50 in the direction A2 parallel to the main surface 31 is thicker than the thickness of the part of the metal layer 50 other than the end 51. Thereby, the contact area between the end portion 51 of the metal layer 50 and the cap layer 70 can be increased, and the stress acting on the cap layer 70 from the metal layer 50 can be more favorably dispersed.
  • the thickness of the end portion 51 of the metal layer 50 in the direction A2 parallel to the main surface 31 gradually increases toward the tip of the end portion 51. Thereby, the contact area between the end portion 51 of the metal layer 50 and the cap layer 70 can be further increased, and the stress acting on the cap layer 70 from the metal layer 50 can be more preferably dispersed.
  • the groove portion 33 extends in a spiral shape. Even when the groove 33 extends spirally in this way, high reliability can be obtained.
  • the interval B between the adjacent portions 33a of the groove 33 may be smaller than the width W of the groove 33. Thereby, the pitch (interval) of the wiring can be narrowed, and the space can be saved.
  • the width W of the groove 33 is smaller than the depth D of the groove 33. As a result, it is possible to save space and reduce the resistance of the wiring.
  • the distance L between the bottom surface 34b of the groove 33 in the direction A1 perpendicular to the main surface 31 and the opposite surface of the substrate 30 opposite to the main surface 31 (the surface 81a of the first silicon layer 81). Is larger than the depth D of the groove 33.
  • the strength of the substrate 30 can be increased and the reliability can be further increased.
  • the substrate 30 having the first silicon layer 81, the second silicon layer 82, and the insulating layer 83 is prepared, and the groove 33 is formed in the main surface 31 of the substrate 30.
  • the groove 33 is formed by, for example, reactive ion etching (DRIE) using the Bosch process.
  • the first silicon layer 81 has a thickness of, for example, about 30 to 150 ⁇ m
  • the second silicon layer 82 has a thickness of, for example, about 625 ⁇ m.
  • the depth of the groove 33 is, for example, about 5 to 30 ⁇ m.
  • the first portion 41 provided on the inner surface 34 and the first portion 41 are integrally formed.
  • the insulating layer 40 having the second portion 42 provided thereon is formed (first step). More specifically, after the first layer 44 made of a silicon oxide film (thermal oxide film) is formed over the main surface 31 and the inner surface 34 of the groove 33, the second layer 45 made of a silicon nitride film (LP-SiN) is formed. Are formed on the first layer 44. The thickness of the first layer 44 and the second layer 45 is, for example, about 100 to 1000 nm.
  • the surface 43a of the boundary portion 43 of the insulating layer 40 between the first portion 41 and the second portion 42 on the opposite side of the substrate 30 is viewed from the extending direction of the wiring portion 60.
  • the insulating layer 40 including the inclined surface 43b inclined with respect to the direction A1 perpendicular to the main surface 31 is formed (see FIG. 4).
  • the inclined surface 43b is formed on the surface 43a of the boundary portion 43. It is formed. This is because an inclined shape is easily formed in the first layer 44 made of a silicon oxide film.
  • the metal layer 50 is formed on the first portion 41 and the second portion 42 of the insulating layer 40 (second step).
  • the metal layer 55 is formed on the metal layer 50.
  • the metal layer 55 is made of, for example, a metal material such as copper.
  • the metal layer 55 functions as a seed layer together with the metal layer 50.
  • the metal layer 50 and the metal layer 55 are formed by, for example, sputtering, but may be formed by atomic layer deposition (ALD), chemical growth (CVD), ion plating or electroless plating.
  • the total thickness of the metal layer 50 and the metal layer 55 is, for example, about 10 nm to 3000 nm.
  • the wiring portion 60 is formed so as to be embedded in the groove portion 33 and joined to the metal layer 50 (third step).
  • the wiring part 60 is formed by plating, for example.
  • the wiring portion 60 is formed, for example, so that the average thickness of the wiring portion 60 on the main surface 31 is 1 ⁇ m or more.
  • the metal layer 55 is made of the same material as the wiring portion 60, the wiring portion 60 and the metal layer 55 are integrated when the wiring portion 60 is formed, and the wiring portion 60 and the metal layer 55 are integrated. The interface between them may disappear. In this case, it can be considered that the metal layer 55 constitutes the wiring part 60.
  • the metal layer 50, the metal layer 55, and the metal layer 50 on the second portion 42 are subjected to chemical mechanical polishing (CMP) so that the second portion 42 of the insulating layer 40 is exposed.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the wiring portion 60 is removed and planarized (fourth step). In the fourth step, chemical mechanical polishing is performed on the insulating layer 40, the metal layer 50, the metal layer 55, and the wiring portion 60 from the side opposite to the substrate 30.
  • a part of the insulating layer 40 opposite to the main surface 31 or the bottom surface 34b in the direction A1 perpendicular to the main surface 31 is removed, so that the insulating layer 40, the metal layer 50, the metal layer 55, and the wiring part 60 are planarized.
  • the portion forming the second portion 42 is removed.
  • a cap layer 70 is formed so as to cover the second portion 42 of the insulating layer 40, the end portion 51 of the metal layer 50, and the wiring portion 60 (fifth step). ).
  • the cap layer 70 is made of, for example, a silicon nitride film (PE-SiN) and has a thickness of about 200 to 3000 nm.
  • PE-SiN silicon nitride film
  • the second silicon layer 82 and the insulating layer 83 are removed by etching or the like.
  • the damascene wiring structure 100 may be configured as in the first modified example shown in FIG.
  • the boundary portion between the main surface 31 and the groove portion 33 of the substrate 30 is inclined outward with respect to the direction A1 perpendicular to the main surface 31 when viewed from the extending direction of the wiring portion 60.
  • a boundary surface 35 is provided.
  • the boundary surface 35 is, for example, a flat surface. Since the boundary portion 43 of the insulating layer 40 is provided on the boundary surface 35, the boundary portion 43 extends along the boundary surface 35 and is inclined outward with respect to the direction A1 perpendicular to the main surface 31.
  • the inclined surface 43b of the boundary portion 43 and the second surface 51b of the end portion 51 of the metal layer 50 are flat surfaces parallel to the boundary surface 35.
  • the third surface 51c of the end portion 51 is also a flat surface inclined outward with respect to the direction A1.
  • the inclination angle of the third surface 51c with respect to the direction A1 is gentler than the inclination angle of the second surface 51b with respect to the direction A1.
  • the thickness of the end portion 51 in the direction A2 parallel to the main surface 31 gradually increases toward the tip of the end portion 51.
  • the groove 33 is formed by reactive ion etching using a non-Bosch process and a Bosch process, for example.
  • the boundary surface 35 is formed at the boundary portion between the main surface 31 and the groove portion 33 in the substrate 30.
  • the reliability can be improved by combining the non-Bosch process and the Bosch process.
  • the reliability can be enhanced as in the above embodiment. Further, since the boundary surface 35 is provided at the boundary portion between the main surface 31 and the groove portion 33 in the substrate 30, the formation of the inclined surface 43b can be facilitated. Also in the first modification, the interval B between the plurality of portions 33a included in the groove 33 may be smaller than the width W of the groove 33. In the case of the first modification, the interval B is the distance between the inner surfaces 34 other than the boundary surface 35 in the plurality of portions 33a (in other words, the portion of the inner surface 34 extending along the direction A1 perpendicular to the main surface 31). The distance between).
  • the damascene wiring structure 100 may be configured as in the second modified example shown in FIG.
  • the surface 60a of the wiring portion 60 is located on the bottom surface 34b side of the groove 33 with respect to the surface 42a of the second portion 42 of the insulating layer 40.
  • the third surface 51c of the end portion 51 of the metal layer 50 is covered with a boundary portion 71 between a portion of the cap layer 70 on the surface 60a and a portion of the cap layer 70 on the surface 42a.
  • the boundary portion 71 extends along the third surface 51c and is inclined outward with respect to the direction A1 perpendicular to the main surface 31.
  • the dishing amount of the wiring portion 60 (the amount by which the wiring portion 60 is removed) is increased by adjusting the slurry in the chemical mechanical polishing in the fourth step, for example. As a result, the wiring portion 60 having the shape shown in FIG. 9 can be formed.
  • the reliability can be enhanced as in the above embodiment.
  • the surface 60a is located on the bottom surface 34b side of the groove 33 with respect to the surface 42a. This can further reduce the number of places where stress is likely to concentrate.
  • the boundary portion 71 covers the third surface 51c of the end portion 51, the contact area between the end portion 51 of the metal layer 50 and the cap layer 70 can be further increased, and the metal layer 50 changes to the cap layer 70.
  • the acting stress can be dispersed more preferably.
  • the damascene wiring structure 100 may be configured as in the third modified example shown in FIG.
  • the surface 60a of the wiring part 60 is located closer to the bottom surface 34b of the groove 33 than the surface 42a of the second portion 42 of the insulating layer 40, as in the second modification.
  • the third surface 51 c of the end portion 51 of the metal layer 50 is covered with the boundary portion 71 of the cap layer 70.
  • the thickness T1 of the cap layer 70 is larger than the distance H between the surface 60a and the surface 42a in the direction A1 perpendicular to the main surface 31.
  • the reliability can be enhanced as in the above embodiment.
  • the strength of the cap layer 70 can be further increased.
  • the damascene wiring structure 100 may be configured as in the fourth modified example shown in FIG.
  • the surface 60a of the wiring portion 60 is located on the bottom surface 34b side of the groove 33 with respect to the surface 42a of the second portion 42 of the insulating layer 40.
  • the third surface 51 c of the end portion 51 of the metal layer 50 is covered with the boundary portion 71 of the cap layer 70.
  • the thickness T1 of the cap layer 70 is smaller than the distance H between the surface 60a and the surface 42a in the direction A1 perpendicular to the main surface 31. According to the fourth modified example as well, the reliability can be enhanced as in the above embodiment.
  • the thickness T1 of the cap layer 70 is smaller than the distance H between the surface 60a and the surface 42a in the direction A1 perpendicular to the main surface 31, the thickness of the wiring portion 60 in the direction A1 can be reduced. As a result, the stress acting on the cap layer from the wiring portion 60 can be further reduced.
  • the shapes and arrangements of the coils 21 and 22 are not limited to the above examples.
  • the coil 22 has only the portion extending in the direction parallel to the first axis X1 and the portion extending in the direction parallel to the second axis X2. It may have a portion extending in a direction intersecting the first axis X1 and the second axis X2 in a plan view.
  • the coil 22 may have a portion that extends at an angle of 45 degrees with respect to the first axis X1 in a plan view.
  • the second movable portion 4 can be regarded as a support portion that supports the first movable portion 3 so as to be swingable.
  • the second movable portion 4 and the second connecting portions 7 and 8 may be omitted.
  • the first movable portion 3 is swung only around the first axis X1.
  • the material and shape of each component are not limited to the above examples.
  • the third surface 51c of the end portion 51 of the metal layer 50 may extend along the second surface 51b.
  • the degree of inclination (tilt angle) of the third surface 51c may be the same as the degree of inclination (tilt angle) of the second surface 51b.
  • the third surface 51c and the second surface 51b may extend parallel to each other.
  • the second portion 42 may be composed of the first layer 44 and the second layer 45. In this case, it is possible to further reduce the number of places where stress is likely to concentrate.
  • the cap layer 70 is made of the same material as the second layer 45 of the insulating layer 40, the area of the portion where the same materials are joined is large, and thus the adhesion can be improved.
  • the insulating layer 40 may be composed of a single layer.
  • the insulating layer 40 may be composed of, for example, a single layer made of an oxide film.
  • the cap layer 70 may be made of an oxide film.
  • the first surface 51a and the second surface 51b may be connected so that their curvatures are continuous.
  • the damascene wiring structure 100 may be applied to configurations other than the actuator device.

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Abstract

ダマシン配線構造は、溝部が設けられた主面を有するベースと、溝部の内面上に設けられた第１部分、及び、第１部分と一体的に形成され、主面上に設けられた第２部分を有する絶縁層と、絶縁層の第１部分上に設けられた金属層と、溝部内に埋め込まれ、金属層に接合された配線部と、絶縁層の第２部分、金属層の端部、及び配線部を覆うように設けられたキャップ層と、を備える。絶縁層における第１部分と第２部分との境界部分のベースとは反対側の表面は、配線部の延在方向から見た場合に、主面に垂直な方向に対して傾斜した傾斜面を含んでいる。金属層の端部は、キャップ層と傾斜面との間に入り込んでおり、端部においては、キャップ層に沿った第１表面と傾斜面に沿った第２表面とが鋭角を成している。

Description

ダマシン配線構造、アクチュエータ装置、及びダマシン配線構造の製造方法
　本開示の一側面は、ダマシン配線構造、アクチュエータ装置、及びダマシン配線構造の製造方法に関する。
　従来、溝部内に金属材料を埋め込むことにより配線部が形成されたダマシン配線構造が知られている（例えば特許文献１参照）。このようなダマシン配線構造では、溝部の内面上に金属層が設けられており、配線部は当該金属層に接合している。
特開平６－８４８９６号公報
　上述したようなダマシン配線構造では、配線部及び金属層に応力が作用する場合がある。例えば、磁界との相互作用によってコイルに作用するローレンツ力を利用したアクチュエータ装置のコイルにダマシン配線構造を適用した場合、配線部及び金属層には配線部の延在方向に垂直な方向の応力が作用する。一方、上述したようなダマシン配線構造では、配線部の表面及び金属層の端部を覆うようにキャップ層が設けられる場合がある。そのようなダマシン配線構造において配線部及び金属層に応力が作用した場合、キャップ層のうち配線部及び金属層と接触する部分に応力が集中し、当該部分に剥離や損傷が生じるおそれがある。
　そこで、本開示の一側面は、信頼性の高いダマシン配線構造及びアクチュエータ装置、並びにそのようなダマシン配線構造を得ることができるダマシン配線構造の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の一側面に係るダマシン配線構造は、溝部が設けられた主面を有するベースと、溝部の内面上に設けられた第１部分、及び、第１部分と一体的に形成され、主面上に設けられた第２部分を有する絶縁層と、絶縁層の第１部分上に設けられた金属層と、溝部内に埋め込まれ、金属層に接合された配線部と、絶縁層の第２部分、金属層の端部、及び配線部を覆うように設けられたキャップ層と、を備え、絶縁層における第１部分と第２部分との境界部分のベースとは反対側の表面は、配線部の延在方向から見た場合に、主面に垂直な方向に対して傾斜した傾斜面を含んでおり、金属層の端部は、キャップ層と傾斜面との間に入り込んでおり、端部においては、キャップ層に沿った第１表面と傾斜面に沿った第２表面とが鋭角を成している。
　このダマシン配線構造では、絶縁層が、溝部の内面上に設けられた第１部分、及び、第１部分と一体的に形成され、主面上に設けられた第２部分を有しており、キャップ層が、絶縁層の第２部分、金属層の端部、及び配線部を覆うように設けられている。これにより、例えば絶縁層が第１部分のみを有している場合と比べて、応力が集中し易い箇所を少なくすることができる。更に、絶縁層における第１部分と第２部分との境界部分のベースとは反対側の表面が傾斜面を含んでおり、金属層の端部が、キャップ層と当該傾斜面との間に入り込んでいる。そして、当該端部においては、キャップ層に沿った第１表面と傾斜面に沿った第２表面とが鋭角を成している。これにより、キャップ層に応力が集中的に作用するのを抑制することができる。以上により、このダマシン配線構造では、信頼性が高められている。
　キャップ層の厚さは、絶縁層の厚さよりも厚くてもよい。この場合、キャップ層の強度を高めることができ、信頼性を一層高めることができる。
　キャップ層のうち金属層の端部の第１表面に接触する部分と、絶縁層のうち金属層の端部の第２表面に接触する部分とは、互いに同一の材料によって構成されていてもよい。この場合、キャップ層と金属層の端部との接触部分の近傍においてキャップ層と絶縁層との間の接合強度を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
　絶縁層は、酸化膜からなる第１層と、窒化膜からなり、第１層上に設けられた第２層と、を有していてもよい。この場合、酸化膜からなる第１層に傾斜形状を容易に形成し得るため、傾斜面の形成を容易化することができる。
　ベースにおける主面と溝部との境界部分には、延在方向から見た場合に、主面に垂直な方向に対して傾斜した境界面が設けられていてもよい。この場合、傾斜面の形成を一層容易化することができる。
　傾斜面は、凸状に湾曲していてもよい。この場合、キャップ層に応力が集中的に作用するのをより確実に抑制することができる。
　金属層の端部における第２表面とは反対側の第３表面は、延在方向から見た場合に、主面に垂直な方向に対して傾斜しており、配線部の一部は、キャップ層と第３表面との間に入り込んでいてもよい。この場合、配線部により金属層の端部を抑えることができ、金属層からキャップ層に作用する応力を低減することができる。更に、配線部の当該一部の主面に垂直な方向における厚さが薄くなるため、配線部からキャップ層に作用する応力を低減することができる。
　金属層の端部の主面に平行な方向における厚さは、金属層における端部以外の部分の厚さよりも厚くてもよい。この場合、金属層の端部とキャップ層との接触面積を大きくすることができ、金属層からキャップ層に作用する応力をより好適に分散させることができる。
　金属層の端部の主面に平行な方向における厚さは、端部の先端に近づくにつれて漸増していてもよい。この場合、金属層の端部とキャップ層との接触面積を一層大きくすることができ、金属層からキャップ層に作用する応力をより一層好適に分散させることができる。
　配線部におけるキャップ層と接触する第１接触面は、絶縁層におけるキャップ層と接触する第２接触面に対して、溝部の底部側に位置していてもよい。この場合、応力が集中し易い箇所を一層少なくすることができる。更に、金属層の端部とキャップ層との接触面積をより一層大きくすることができ、金属層からキャップ層に作用する応力をより一層好適に分散させることができる。
　キャップ層の厚さは、主面に垂直な方向における第１接触面と第２接触面との間の距離よりも大きくてもよい。この場合、キャップ層の強度を一層高めることができる。
　キャップ層の厚さは、主面に垂直な方向における第１接触面と第２接触面との間の距離よりも小さくてもよい。この場合、配線部からキャップ層に作用する応力を一層低減することができる。
　溝部は、主面に垂直な方向から見た場合に、渦巻き状に延在していてもよい。このような場合でも、高い信頼性を得ることができる。
　溝部における互いに隣り合う部分の間の間隔は、溝部の幅よりも小さくてもよい。この場合、配線のピッチ（間隔）を狭くすることができ、省スペース化を図ることができる。
　溝部の幅は、溝部の深さよりも小さくてもよい。この場合、省スペース化、及び配線の低抵抗化を図ることができる。
　ベースは、主面とは反対側の反対面を有し、主面に垂直な方向における溝部の底部と反対面との間の距離は、溝部の深さよりも大きくてもよい。この場合、ベースの強度を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
　本開示の一側面に係るアクチュエータ装置は、上記ダマシン配線構造を備えるアクチュエータ装置であって、支持部と、支持部において揺動可能となるように支持された可動部と、ダマシン配線構造を有し、支持部及び可動部の少なくとも一方に設けられたコイルと、コイルに作用する磁界を発生させる磁界発生部と、を備える。このアクチュエータ装置では、配線部の延在方向に垂直な方向の応力が配線部及び金属層に作用するが、上述した理由により、信頼性を高めることができる。
　本開示の一側面に係るダマシン配線構造の製造方法は、溝部が設けられた主面を有するベース上に、溝部の内面上に設けられた第１部分、及び、第１部分と一体的に形成され、主面上に設けられた第２部分を有する絶縁層を形成する第１ステップと、第１ステップの後に、絶縁層の第１部分及び第２部分上に金属層を形成する第２ステップと、第２ステップの後に、溝部内に埋め込まれると共に金属層に接合されるように、金属層上に配線部を形成する第３ステップと、第３ステップの後に、絶縁層の第２部分が露出するように、化学機械研磨により、第２部分上の金属層及び配線部を除去して平坦化する第４ステップと、第４ステップの後に、絶縁層の第２部分、金属層の端部、及び配線部を覆うようにキャップ層を形成する第５ステップと、を備え、第１ステップでは、絶縁層における第１部分と第２部分との境界部分のベースとは反対側の表面が、配線部の延在方向から見た場合に、主面に垂直な方向に対して傾斜した傾斜面を含む絶縁層を形成する。このダマシン配線構造の製造方法によれば、上述したような信頼性の高いダマシン配線構造を得ることができる。
　第２ステップでは、スパッタリングにより金属層を形成してもよい。この場合、主面に平行な方向における金属層の端部の厚さを端部の先端に向かうにつれて漸増させることができ、金属層の端部とキャップ層との接触面積を大きくすることができる。
　本開示の一側面によれば、信頼性の高いダマシン配線構造及びアクチュエータ装置、並びにそのようなダマシン配線構造を得ることができるダマシン配線構造の製造方法を提供できる。
実施形態に係るアクチュエータ装置の平面図である。 図１のII－II線断面図である。 図２の拡大図である。 図３の拡大図である。 （ａ）及び（ｂ）は、ダマシン配線構造の製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、ダマシン配線構造の製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、ダマシン配線構造の製造方法を説明するための断面図である。 第１変形例に係るダマシン配線構造の断面図である。 第２変形例に係るダマシン配線構造の断面図である。 （ａ）は、第３変形例に係るダマシン配線構造の断面図であり、（ｂ）は、第４変形例に係るダマシン配線構造の断面図である。
　以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
［ミラー装置の構成］
　図１に示されるように、ミラー装置（アクチュエータ装置）１は、支持部２と、第１可動部３と、第２可動部（支持部）４と、一対の第１連結部５，６と、一対の第２連結部７，８と、磁界発生部９と、を備えている。支持部２、第１可動部３、第２可動部４、第１連結部５，６及び第２連結部７，８は、例えば、ＳＯＩ（Silicon　on　Insulator）基板等の半導体基板によって一体的に形成されている。つまり、ミラー装置１は、ＭＥＭＳ（Micro　Electro　Mechanical　Systems）デバイスとして構成されている。
　ミラー装置１では、互いに直交する第１軸線Ｘ１及び第２軸線Ｘ２の周りに、ミラー面（光学面）１０を有する第１可動部３が揺動させられる。ミラー装置１は、例えば、光通信用光スイッチ、光スキャナ等に用いられ得る。磁界発生部９は、例えば、ハルバッハ配列がとられた永久磁石等によって構成されている。磁界発生部９は、後述するコイル２１，２２に作用する磁界を発生させる。
　支持部２は、例えば、平面視において四角形状の外形を有し、枠状に形成されている。支持部２は、磁界発生部９に対してミラー面１０に垂直な方向における一方側に配置されている。第１可動部３は、磁界発生部９から離間した状態で、支持部２の内側に配置されている。なお、「平面視」とは、ミラー面１０に垂直な方向から見た場合を意味し、換言すれば、後述する基板３０の主面３１に垂直な方向から見た場合を意味する。
　第１可動部３は、配置部３ａと、配置部３ａを囲む枠部３ｂと、配置部３ａと枠部３ｂとを互いに連結する複数（この例では４つ）の連結部３ｃと、を有している。配置部３ａは、例えば、平面視において円形状に形成されている。配置部３ａにおける磁界発生部９とは反対側の表面には、例えば、円形状のミラー面１０が設けられている。ミラー面１０は、例えば、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、銀系合金、金、誘電体多層膜等からなる反射膜によって構成されている。
　枠部３ｂは、例えば、平面視において四角形状の外形を有し、枠状に形成されている。複数の連結部３ｃは、第１軸線Ｘ１上における配置部３ａの両側、及び第２軸線Ｘ２上における配置部３ａの両側に配置され、第１軸線Ｘ１上又は第２軸線Ｘ２上において配置部３ａと枠部３ｂとを互いに連結している。
　第２可動部４は、例えば、平面視において四角形状の外形を有し、枠状に形成されている。第２可動部４は、磁界発生部９から離間した状態で、第１可動部３を囲むように支持部２の内側に配置されている。
　第１連結部５，６は、第１軸線Ｘ１上における第１可動部３の両側に配置されている。各第１連結部５，６は、第１可動部３が第１軸線Ｘ１周りに揺動可能となるように、第１軸線Ｘ１上において第１可動部３と第２可動部４とを互いに連結している。各第１連結部５，６は、例えば、第１軸線Ｘ１に沿って直線状に延在している。
　第２連結部７，８は、第１軸線Ｘ１上における第２可動部４の両側に配置されている。各第２連結部７，８は、第２可動部４が第２軸線Ｘ２周りに揺動可能となるように、第２軸線Ｘ２上において第２可動部４と支持部２とを互いに連結している。各第２連結部７，８は、例えば、第２軸線Ｘ２に沿って直線状に延在している。
　ミラー装置１は、コイル２１，２２と、複数の配線１２，１３，１４，１５と、複数の電極パッド２５，２６，２７，２８と、を更に備えている。コイル２１は、例えば、第１可動部３の枠部３ｂに埋め込まれており、平面視において渦巻き状に延在している。コイル２２は、例えば、第２可動部４に埋め込まれており、平面視において渦巻き状に延在している。各コイル２１，２２は、例えば銅等の金属材料によって構成されている。
　複数の電極パッド２５，２６，２７，２８は、支持部２に設けられている。配線１２は、コイル２１の一端と電極パッド２５とを電気的に接続している。配線１２は、コイル２１の一端から第１連結部５、第２可動部４及び第２連結部７を介して電極パッド２５に延在している。配線１３は、コイル２１の他端と電極パッド２６とを電気的に接続している。配線１３は、コイル２１の他端から第１連結部６、第２可動部４及び第２連結部８を介して電極パッド２６に延在している。
　配線１４は、コイル２２の一端と電極パッド２７とを電気的に接続している。配線１４は、コイル２２の一端から第２連結部８を介して電極パッド２７に延在している。配線１５は、コイル２２の他端と電極パッド２８とを電気的に接続している。配線１５は、コイル２２の他端から第２連結部７を介して電極パッド２８に延在している。
　以上のように構成されたミラー装置１では、電極パッド２７，２８及び配線１４，１５を介してコイル２２にリニア動作用の駆動信号が入力されると、磁界発生部９が発生する磁界との相互作用によってコイル２２にローレンツ力が作用する。当該ローレンツ力と第２連結部７，８の弾性力とのつり合いを利用することで、第２軸線Ｘ２周りにミラー面１０（第１可動部３）を第２可動部４と共にリニア動作させることができる。
　一方、電極パッド２５，２６及び配線１２，１３を介してコイル２１に共振動作用の駆動信号が入力されると、磁界発生部９が発生する磁界との相互作用によってコイル２１にローレンツ力が作用する。当該ローレンツ力に加え、共振周波数での第１可動部３の共振を利用することで、第１軸線Ｘ１周りにミラー面１０（第１可動部３）を共振動作させることができる。
［ダマシン配線構造］
　図２、図３及び図４を参照しつつ、コイル２１，２２が有するダマシン配線構造１００について説明する。コイル２１，２２の構成は互いに同一であるので、以下ではコイル２２について説明し、コイル２１についての説明を省略する。
　上述したように、コイル２２は、第２可動部４に設けられている。第２可動部４は、例えば、基板（ベース）３０の第１シリコン層８１によって構成されている。基板３０は、例えば、第１シリコン層８１及び第２シリコン層８２と、第１シリコン層８１及び第２シリコン層８２の間に配置された絶縁層８３と、を有している（図５～図７）。支持部２は、第１シリコン層８１、第２シリコン層８２及び絶縁層８３によって構成されており、第１可動部３、第２可動部４、第１連結部５，６及び第２連結部７，８は、第１シリコン層８１によって構成されている。基板３０は、主面３１を有している。この例では、主面３１は、第１シリコン層８１における絶縁層８３とは反対側の表面である。
　主面３１には、溝部３３が設けられている。溝部３３は、コイル２１に対応した形状を有しており、この例では、平面視において渦巻き状に延在している。溝部３３の延在方向に垂直な断面において、溝部３３は、例えば矩形状を呈している。この例では、溝部３３の内面３４は、側面３４ａ及び底面（底部）３４ｂを有している。なお、図２～図４では一の断面のみが示されているが、例えば、ダマシン配線構造１００は溝部３３の延在方向に関して一様に構成されており、溝部３３の延在方向に垂直ないずれの断面においても同様に構成されている。ただし、ダマシン配線構造１００は必ずしも溝部３３の延在方向に関して一様に構成されていなくてもよい。例えば、ダマシン配線構造１００は、溝部３３の延在方向の一部においては本実施形態の形状を有し、溝部３３の延在方向の他の一部においては後述する変形例の形状を有していてもよい。
　ダマシン配線構造１００は、ベースとしての基板３０に加えて、絶縁層４０と、金属層５０と、配線部６０と、キャップ層７０と、を備えている。絶縁層４０は、主面３１及び溝部３３の内面３４上にわたって設けられている。より具体的には、絶縁層４０は、内面３４上に設けられた第１部分４１と、第１部分４１と一体的に形成され、主面３１上に設けられた第２部分４２と、を有している。絶縁層４０における第１部分４１と第２部分４２との境界部分４３は、基板３０における主面３１と溝部３３との境界部分上に位置している。
　絶縁層４０は、第１層４４及び第２層４５によって構成されている。第１層４４は、酸化膜からなり、主面３１及び溝部３３の内面３４上に設けられている。第１層４４を構成する酸化膜は、例えば、シリコンを熱酸化することにより形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。第２層４５は、窒化膜からなり、第１層４４上に設けられている。第２層４５を構成する窒化膜は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）等である。第１部分４１及び境界部分４３は、第１層４４及び第２層４５によって構成されており、第２部分４２は、第１層４４によって構成されている。
　金属層５０は、絶縁層４０の第１部分４１上にわたって設けられている。すなわち、金属層５０は、第１部分４１を介して溝部３３の内面３４上に設けられている。金属層５０は、例えば、チタン（Ｔｉ）等の金属材料によって構成されている。金属層５０は、例えば、配線部６０を半導体基板上に安定的に形成するためのシード層、及び、配線部６０に含まれる金属元素の第１シリコン層８１への拡散を防止するためのバリア層として機能し得る。
　配線部６０は、溝部３３内に埋め込まれ、金属層５０に接合されている。すなわち、配線部６０は、絶縁層４０の第１部分４１及び金属層５０を介して溝部３３内に設けられている。配線部６０は、例えば、銅（Ｃｕ）等の金属材料によって構成されている。配線部６０の延在方向（換言すれば、溝部３３の延在方向）に垂直な断面における金属層５０の形状は、溝部３３の断面形状に対応しており、この例では、略矩形状を呈している。なお、本実施形態のように、配線部６０が平面視において渦巻き状に延在しており、配線部６０が、第１軸線Ｘ１に平行な方向に延在する第１部分、及び第２軸線Ｘ２に平行な方向に延在する第２部分を有している場合、配線部６０の延在方向は、第１部分においては第１軸線Ｘ１に平行な方向であり、第２部分においては第２軸線Ｘ２に平行な方向である。或いは、配線部６０が曲線状に又は湾曲して延在している場合には、配線部６０の或る部分の延在方向とは、当該部分の接線方向であってもよい。
　キャップ層７０は、絶縁層４０の第２部分４２、金属層５０の端部５１、及び配線部６０を覆うように設けられている。この例では、キャップ層７０は、主面３１に平行に平面状に延在している。キャップ層７０の厚さＴ１は、絶縁層４０の厚さＴ２よりも厚い。キャップ層７０は、例えば、シリコン窒化膜によって構成されており、絶縁性を有している。つまり、キャップ層７０は、絶縁層４０の第２層４５と同一の材料によって構成されている。
　図４に示されるように、絶縁層４０の第１部分４１における基板３０とは反対側の表面４１ａは、例えば、主面３１に垂直な平坦面となっている。絶縁層４０の第２部分４２における基板３０とは反対側の表面４２ａは、例えば、主面３１に平行な平坦面となっている。表面４２ａは、キャップ層７０に接触している。境界部分４３における基板３０とは反対側の表面４３ａは、配線部６０の延在方向から見た場合に、主面３１に垂直な方向Ａ１に対して傾斜した傾斜面４３ｂを含んでいる。より具体的には、傾斜面４３ｂは、第１部分４１の表面４１ａに対して外側に（溝部３３の底面３４ｂから離れるほど溝部３３の中心から遠ざかるように）傾斜している。この例では、傾斜面４３ｂは、基板３０とは反対側に向かって凸状に湾曲している。
　金属層５０の端部５１は、キャップ層７０と傾斜面４３ｂとの間に入り込んでいる。より具体的には、端部５１は、主面３１に垂直な方向Ａ１においてキャップ層７０と傾斜面４３ｂとの間に形成された空間に配置された部分を有している。
　端部５１は、第１表面５１ａと、第１表面５１ａに連続する第２表面５１ｂと、第２表面５１ｂとは反対側において第１表面５１ａに連続する第３表面５１ｃと、を有している。第１表面５１ａは、キャップ層７０に沿っており、キャップ層７０に接合されている。この例では、第１表面５１ａは、平坦面であり、絶縁層４０の第２部分４２の表面４２ａ、及び後述する配線部６０の表面６０ａと同一平面上に位置している。
　第２表面５１ｂは、傾斜面４３ｂに沿っており、傾斜面４３ｂに接合されている。第２表面５１ｂは、傾斜面４３ｂと同様に、主面３１に垂直な方向Ａ１に対して外側に傾斜している。第２表面５１ｂは、基板３０とは反対側に向かって凹状に湾曲している。第２表面５１ｂは、絶縁層４０の境界部分４３を構成する第２層４５に接触している。すなわち、絶縁層４０のうち第２表面５１ｂに接触する部分（この例では、境界部分４３を構成する第２層４５）は、キャップ層７０のうち第１表面５１ａに接触する部分と同一の材料（シリコン窒化膜）によって構成されている。上述したとおり、この例では、キャップ層７０の全体がシリコン窒化膜によって構成されている。これにより、絶縁層４０とキャップ層７０との間の接合強度を高めることができる。
　第３表面５１ｃは、端部５１における第２表面５１ｂとは反対側の表面である。第３表面５１ｃは、配線部６０の延在方向から見た場合に、方向Ａ１に対して外側に傾斜している。第３表面５１ｃの方向Ａ１に対する傾斜の度合いは、第２表面５１ｂの方向Ａ１に対する傾斜の度合いよりも緩やかになっている。これにより、主面３１に平行な方向Ａ２における端部５１の厚さは、端部５１の先端に近づくにつれて漸増している。配線部６０のうち金属層５０及びキャップ層７０との境界部分に位置する一部６１は、キャップ層７０と第３表面５１ｃとの間に入り込んでいる。より具体的には、配線部６０の一部６１は、方向Ａ１においてキャップ層７０と第３表面５１ｃとの間に形成された空間に配置されている。
　端部５１においては、第１表面５１ａと第２表面５１ｂとが鋭角を成している。換言すれば、第１表面５１ａ及び第２表面５１ｂにより形成される角度θが、９０度よりも小さくなっている。すなわち、主面３１に垂直な方向Ａ１における端部５１の厚さは、端部５１の先端（例えば、第１表面５１ａ及び第２表面５１ｂにより形成される頂点）に近づくにつれて漸減している。角度θは、例えば、１５度～８８度であってもよい。金属層５０の端部５１は、絶縁層４０の第２部分４２上には設けられていない。
　主面３１に平行な方向Ａ２における端部５１の厚さ（最小厚さ）は、金属層５０のうち端部５１以外の部分（例えば、金属層５０のうち主面３１に垂直な方向Ａ１における中間に位置する部分、或いは、金属層５０のうち絶縁層４０の第１部分４１上に位置する部分）の厚さよりも大きい。方向Ａ１における金属層５０の先端部の厚さ（最大厚さ）は、絶縁層４０の厚さＴ２よりも小さい。ここで、「金属層５０の先端部」とは、金属層５０のうち、主面３１に平行な方向Ａ２における厚さが主面３１に垂直な方向Ａ１における厚さよりも大きい部分を意味する。
　この例では、配線部６０におけるキャップ層７０と接触する表面（第１接触面）６０ａは、絶縁層４０の第２部分４２の表面４２ａと同一平面上に位置している。表面４２ａは、絶縁層４０におけるキャップ層７０と接触する表面（第２接触面）である。キャップ層７０の基板３０側の表面７０ａは、平坦面となっている。
　上述したように、溝部３３は、平面視において渦巻き状に延在している。これにより、図２に示されるように、溝部３３は、互いに隣り合う複数の部分３３ａを有している。部分３３ａ同士の間の間隔Ｂは、溝部３３の幅Ｗよりも小さい。溝部３３の幅Ｗは、溝部３３の深さＤよりも小さい。溝部３３の深さＤとは、例えば、主面３１に垂直な方向Ａ１における主面３１と底面３４ｂとの間の距離である。主面３１に垂直な方向Ａ１における溝部３３の底面３４ｂと基板３０における主面３１とは反対側の反対面との間の距離Ｌは、溝部３３の深さＤよりも大きい。この例では、当該反対面は、第１シリコン層８１における絶縁層８３側（主面３１とは反対側）の表面８１ａである。
［作用効果］
　ダマシン配線構造１００では、絶縁層４０が、溝部３３の内面３４上に設けられた第１部分４１、及び、第１部分４１と一体的に形成され、主面３１上に設けられた第２部分４２を有しており、キャップ層７０が、絶縁層４０の第２部分４２、金属層５０の端部５１、及び配線部６０を覆うように設けられている。これにより、例えば絶縁層４０が第１部分４１のみを有している場合と比べて、応力が集中し易い箇所を少なくすることができる。すなわち、絶縁層４０が第１部分４１のみを有している場合、絶縁層４０の端部が主面３１と溝部３３との境界部分の近傍に位置し、主面３１とキャップ層７０とが接触する。この場合、基板３０、絶縁層４０の当該端部、金属層５０の端部５１、配線部６０及びキャップ層７０が、互いに近い箇所において接触することとなる。このような箇所には応力が集中し易い。これに対し、ダマシン配線構造１００では、主面３１と溝部３３との境界部分の近傍に絶縁層４０の端部が存在しないため、応力が集中する箇所を少なくすることができる。更に、金属層５０の端部５１がキャップ層７０に接触するように延在している。仮に、端部５１がキャップ層７０に到達しておらず、配線部６０の表面６０ａよりも低い位置に留まっていると、配線部６０のうち金属層５０から露出した部分にボイドが発生するおそれがある。これに対し、ダマシン配線構造１００では、そのようなボイドの発生を抑制することができ、ボイドに起因するキャップ層７０の剥離等を抑制することができる。更に、絶縁層４０における第１部分４１と第２部分４２との境界部分４３の基板３０とは反対側の表面４３ａが傾斜面４３ｂを含んでおり、金属層５０の端部５１が、キャップ層７０と傾斜面４３ｂとの間に入り込んでいる。そして、端部５１においては、キャップ層７０に沿った第１表面５１ａと傾斜面４３ｂに沿った第２表面５１ｂとが鋭角を成している。これにより、キャップ層７０に応力が集中的に作用するのを抑制することができる。以上により、ダマシン配線構造１００では、信頼性が高められている。
　ダマシン配線構造１００では、キャップ層７０の厚さＴ１が、絶縁層４０の厚さＴ２よりも厚い。これにより、キャップ層７０の強度を高めることができ、信頼性を一層高めることができる。
　ダマシン配線構造１００では、キャップ層７０のうち端部５１の第１表面５１ａに接触する部分と、絶縁層４０のうち端部５１の第２表面５１ｂに接触する部分（境界部分４３を構成する第２層４５）とが、互いに同一の材料によって構成されている。これにより、キャップ層７０と金属層５０の端部５１との接触部分の近傍においてキャップ層７０と絶縁層４０との間の接合強度を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
　ダマシン配線構造１００では、絶縁層４０が、酸化膜からなる第１層４４と、窒化膜からなり、第１層４４上に設けられた第２層４５と、を有している。これにより、酸化膜からなる第１層４４に傾斜形状を容易に形成し得るため、傾斜面４３ｂの形成を容易化することができる。
　ダマシン配線構造１００では、傾斜面４３ｂが凸状に湾曲している。これにより、キャップ層７０に応力が集中的に作用するのをより確実に抑制することができる。
　ダマシン配線構造１００では、金属層５０の端部５１における第２表面５１ｂとは反対側の第３表面５１ｃが傾斜しており、配線部６０の一部６１が、キャップ層７０と第３表面５１ｃとの間に入り込んでいる。これにより、配線部６０により金属層５０の端部５１を抑えることができ、金属層５０からキャップ層７０に作用する応力を低減することができる。更に、配線部６０の一部６１の主面３１に垂直な方向Ａ１における厚さが薄くなるため、配線部６０からキャップ層７０に作用する応力を低減することができる。
　ダマシン配線構造１００では、金属層５０の端部５１の主面３１に平行な方向Ａ２における厚さが、金属層５０における端部５１以外の部分の厚さよりも厚い。これにより、金属層５０の端部５１とキャップ層７０との接触面積を大きくすることができ、金属層５０からキャップ層７０に作用する応力をより好適に分散させることができる。
　ダマシン配線構造１００では、金属層５０の端部５１の主面３１に平行な方向Ａ２における厚さが、端部５１の先端に近づくにつれて漸増している。これにより、金属層５０の端部５１とキャップ層７０との接触面積を一層大きくすることができ、金属層５０からキャップ層７０に作用する応力をより一層好適に分散させることができる。
　ダマシン配線構造１００では、溝部３３が渦巻き状に延在している。このように溝部３３が渦巻き状に延在している場合でも、高い信頼性を得ることができる。
　ダマシン配線構造１００では、溝部３３における互いに隣り合う部分３３ａの間の間隔Ｂは、溝部３３の幅Ｗよりも小さくてもよい。これにより、配線のピッチ（間隔）を狭くすることができ、省スペース化を図ることができる。
　ダマシン配線構造１００では、溝部３３の幅Ｗが溝部３３の深さＤよりも小さい。これにより、省スペース化、及び配線の低抵抗化を図ることができる。
　ダマシン配線構造１００では、主面３１に垂直な方向Ａ１における溝部３３の底面３４ｂと基板３０における主面３１とは反対側の反対面（第１シリコン層８１の表面８１ａ）との間の距離Ｌが、溝部３３の深さＤよりも大きい。これにより、基板３０の強度を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
［ダマシン配線構造の製造方法］
　続いて、図５、図６及び図７を参照しつつ、ダマシン配線構造１００の製造方法について説明する。なお、図５～図７では、各部が模式的に示されているが、実際には、例えば図４に示されるような形状に形成されている。
　まず、図５（ａ）に示されるように、第１シリコン層８１、第２シリコン層８２及び絶縁層８３を有する基板３０を用意し、基板３０の主面３１に溝部３３を形成する。溝部３３は、例えば、ボッシュプロセスを用いた反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）により形成される。第１シリコン層８１の厚さは、例えば３０～１５０μｍ程度であり、第２シリコン層８２の厚さは、例えば６２５μｍ程度である。溝部３３の深さは、例えば５～３０μｍ程度である。
　続いて、図５（ｂ）に示されるように、基板３０の主面３１上に、内面３４上に設けられた第１部分４１と、第１部分４１と一体的に形成され、主面３１上に設けられた第２部分４２と、を有する絶縁層４０を形成する（第１ステップ）。より具体的には、シリコン酸化膜（熱酸化膜）からなる第１層４４を主面３１及び溝部３３の内面３４上にわたって形成した後に、シリコン窒化膜（ＬＰ－ＳｉＮ）からなる第２層４５を第１層４４上に形成する。第１層４４及び第２層４５の厚さは、例えば１００～１０００ｎｍ程度である。
　より具体的には、第１ステップでは、絶縁層４０における第１部分４１と第２部分４２との境界部分４３の基板３０とは反対側の表面４３ａが、配線部６０の延在方向から見た場合に、主面３１に垂直な方向Ａ１に対して傾斜した傾斜面４３ｂを含む絶縁層４０が形成される（図４参照）。例えば、シリコン酸化膜からなる第１層４４、及びシリコン窒化膜からなる第２層４５を主面３１及び溝部３３の内面３４上に形成することにより、境界部分４３の表面４３ａに傾斜面４３ｂが形成される。これは、シリコン酸化膜からなる第１層４４には傾斜形状が容易に形成されるためである。
　続いて、図６（ａ）に示されるように、絶縁層４０の第１部分４１及び第２部分４２上に金属層５０を形成する（第２ステップ）。第２ステップでは、金属層５０上に金属層５５が形成される。金属層５５は、例えば、銅等の金属材料によって構成されている。金属層５５は、金属層５０と共にシード層として機能する。金属層５０及び金属層５５は、例えば、スパッタリングにより形成されるが、原子層堆積法（ＡＬＤ）、化学成長法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング又は無電解メッキにより形成されてもよい。金属層５０及び金属層５５の総厚は、例えば１０ｎｍ～３０００ｎｍ程度である。
　続いて、図６（ｂ）に示されるように、溝部３３内に埋め込まれると共に金属層５０に接合されるように、配線部６０を形成する（第３ステップ）。配線部６０は、例えば、メッキにより形成される。配線部６０は、例えば、主面３１上における配線部６０の厚さの平均が１μｍ以上となるように形成される。なお、この例では金属層５５が配線部６０と同一の材料により構成されているため、配線部６０の形成時に配線部６０と金属層５５とが一体化され、配線部６０と金属層５５の間の界面が無くなる場合がある。この場合、金属層５５は配線部６０を構成するとみなすことができる。
　続いて、図７（ａ）に示されるように、絶縁層４０の第２部分４２が露出するように、化学機械研磨（ＣＭＰ）により、第２部分４２上の金属層５０、金属層５５及び配線部６０を除去して平坦化する（第４ステップ）。第４ステップでは、絶縁層４０、金属層５０、金属層５５及び配線部６０に対して、基板３０とは反対側から化学機械研磨が実施される。絶縁層４０、金属層５０、金属層５５及び配線部６０の各々について、主面３１に垂直な方向Ａ１における主面３１又は底面３４ｂとは反対側の一部が除去されることにより、絶縁層４０、金属層５０、金属層５５及び配線部６０が平坦化される。このとき、この例では、絶縁層４０の第２層４５のうち第２部分４２を構成する部分が除去される。
　続いて、図７（ｂ）に示されるように、絶縁層４０の第２部分４２、金属層５０の端部５１、及び配線部６０を覆うように、キャップ層７０を形成する（第５ステップ）。キャップ層７０は、例えばシリコン窒化膜（ＰＥ－ＳｉＮ）からなり、２００～３０００ｎｍ程度の厚さに形成される。続いて、第２シリコン層８２及び絶縁層８３をエッチング等により除去する。以上の工程により、上述したダマシン配線構造１００が得られる。
［変形例］
　本開示は、上記実施形態に限られない。ダマシン配線構造１００は、図８に示される第１変形例のように構成されてもよい。第１変形例では、基板３０における主面３１と溝部３３との境界部分には、配線部６０の延在方向から見た場合に、主面３１に垂直な方向Ａ１に対して外側に傾斜した境界面３５が設けられている。境界面３５は、例えば平坦面である。絶縁層４０の境界部分４３は、境界面３５上に設けられているため、境界面３５に沿って延在し、主面３１に垂直な方向Ａ１に対して外側に傾斜している。境界部分４３の傾斜面４３ｂ、及び金属層５０の端部５１の第２表面５１ｂは、境界面３５に平行な平坦面となっている。端部５１の第３表面５１ｃも、方向Ａ１に対して外側に傾斜した平坦面となっている。第３表面５１ｃの方向Ａ１に対する傾斜角度は、第２表面５１ｂの方向Ａ１に対する傾斜角度よりも緩やかになっている。これにより、主面３１に平行な方向Ａ２における端部５１の厚さは、端部５１の先端に近づくにつれて漸増している。
　第１変形例のダマシン配線構造１００の製造に際しては、例えば、ノンボッシュプロセス及びボッシュプロセスを用いた反応性イオンエッチングにより溝部３３が形成される。これにより、溝部３３の形成時に、基板３０における主面３１と溝部３３との境界部分に境界面３５が形成される。ノンボッシュプロセス及びボッシュプロセスを組み合わせることにより、信頼性の向上を図ることができる。
　第１変形例によっても、上記実施形態と同様に、信頼性を高めることができる。更に、基板３０における主面３１と溝部３３との境界部分に境界面３５が設けられているため、傾斜面４３ｂの形成を容易化することができる。第１変形例においても、溝部３３が有する複数の部分３３ａ同士の間の間隔Ｂは、溝部３３の幅Ｗよりも小さくてもよい。第１変形例の場合、間隔Ｂは、複数の部分３３ａにおける境界面３５以外の内面３４間の距離（換言すれば、内面３４のうち主面３１に垂直な方向Ａ１に沿って延在する部分の間の距離）である。
　ダマシン配線構造１００は、図９に示される第２変形例のように構成されてもよい。第２変形例では、配線部６０の表面６０ａが、絶縁層４０の第２部分４２の表面４２ａに対して、溝部３３の底面３４ｂ側に位置している。金属層５０の端部５１の第３表面５１ｃが、キャップ層７０における表面６０ａ上の部分と表面４２ａ上の部分との境界部分７１によって覆われている。境界部分７１は、第３表面５１ｃに沿って延在しており、主面３１に垂直な方向Ａ１に対して外側に傾斜している。第２変形例のダマシン配線構造１００の製造に際しては、例えば、第４ステップの化学機械研磨におけるスラリーを調整することにより配線部６０のディッシング量（配線部６０が除去される量）を増加させる。これにより、図９に示されるような形状の配線部６０を形成することができる。
　第２変形例によっても、上記実施形態と同様に、信頼性を高めることができる。更に、表面６０ａが表面４２ａに対して溝部３３の底面３４ｂ側に位置している。これにより、応力が集中し易い箇所を一層少なくすることができる。更に、境界部分７１によって端部５１の第３表面５１ｃが覆われるため、金属層５０の端部５１とキャップ層７０との接触面積を一層大きくすることができ、金属層５０からキャップ層７０に作用する応力を一層好適に分散させることができる。
　ダマシン配線構造１００は、図１０（ａ）に示される第３変形例のように構成されてもよい。第３変形例では、第２変形例と同様に、配線部６０の表面６０ａが、絶縁層４０の第２部分４２の表面４２ａに対して、溝部３３の底面３４ｂ側に位置している。また、金属層５０の端部５１の第３表面５１ｃが、キャップ層７０の境界部分７１によって覆われている。第３変形例では、キャップ層７０の厚さＴ１が、主面３１に垂直な方向Ａ１における表面６０ａと表面４２ａとの間の距離Ｈよりも大きい。第３変形例によっても、上記実施形態と同様に、信頼性を高めることができる。更に、キャップ層７０の厚さＴ１が、主面３１に垂直な方向Ａ１における表面６０ａと表面４２ａとの間の距離Ｈよりも大きいため、キャップ層７０の強度を一層高めることができる。
　ダマシン配線構造１００は、図１０（ｂ）に示される第４変形例のように構成されてもよい。第４変形例では、第２変形例と同様に、配線部６０の表面６０ａが、絶縁層４０の第２部分４２の表面４２ａに対して、溝部３３の底面３４ｂ側に位置している。また、金属層５０の端部５１の第３表面５１ｃが、キャップ層７０の境界部分７１によって覆われている。第４変形例では、キャップ層７０の厚さＴ１が、主面３１に垂直な方向Ａ１における表面６０ａと表面４２ａとの間の距離Ｈよりも小さい。第４変形例によっても、上記実施形態と同様に、信頼性を高めることができる。更に、キャップ層７０の厚さＴ１が、主面３１に垂直な方向Ａ１における表面６０ａと表面４２ａとの間の距離Ｈよりも小さいため、方向Ａ１における配線部６０の厚さを薄くすることができ、その結果、配線部６０からキャップ層に作用する応力を一層低減することができる。
　コイル２１，２２の形状及び配置は、上述した例に限られない。例えば、上記実施形態では、コイル２２が、第１軸線Ｘ１に平行な方向に延在する部分、及び第２軸線Ｘ２に平行な方向に延在する部分のみを有していたが、コイル２２は、平面視において第１軸線Ｘ１及び第２軸線Ｘ２と交差する方向に延在する部分を有していてもよい。コイル２２は、平面視において第１軸線Ｘ１に対して４５度傾斜して延在する部分を有していてもよい。これらの点はコイル２１についても同様である。上記実施形態において、コイル２１，２２のいずれか一方が省略されてもよい。上記実施形態においては、第２可動部４を、第１可動部３を揺動可能に支持する支持部とみなすこともできる。第２可動部４及び第２連結部７，８が省略されてもよい。この場合、第１可動部３は、第１軸線Ｘ１の周りのみに揺動させられる。
　各構成の材料及び形状は、上述した例に限られない。金属層５０の端部５１の第３表面５１ｃは、第２表面５１ｂに沿って延在していてもよい。例えば、第３表面５１ｃの傾斜の度合い（傾斜角度）が第２表面５１ｂの傾斜の度合い（傾斜角度）と同一であってもよい。第３表面５１ｃと第２表面５１ｂとが互いに平行に延在していてもよい。第２部分４２は、第１層４４及び第２層４５によって構成されていてもよい。この場合、応力が集中し易い箇所を一層少なくすることができる。キャップ層７０が絶縁層４０の第２層４５と同一の材料によって構成されている場合、同一の材料同士が接合されている部分の面積が大きくなるため、密着性を高めることができる。絶縁層４０は、単一の層によって構成されていてもよい。絶縁層４０は、例えば、酸化膜からなる単一の層によって構成されてもよい。この場合、キャップ層７０は、酸化膜によって構成されてもよい。配線部６０の延在方向から見た場合に、第１表面５１ａと第２表面５１ｂとは、互いの曲率が連続するように接続されていてもよい。ダマシン配線構造１００は、アクチュエータ装置以外の構成に適用されてもよい。
　１…ミラー装置（アクチュエータ装置）、２…支持部、３…第１可動部、４…第２可動部（支持部）、９…磁界発生部、２１，２２…コイル、３０…基板、３１…主面、３３…溝部、３４…内面、３４ｂ…底面（底部）、３５…境界面、４０…絶縁層、４１…第１部分、４２…第２部分、４２ａ…表面（第２接触面）、４３…境界部分、４３ａ…表面、４３ｂ…傾斜面、４４…第１層、４５…第２層、５０…金属層、５１…端部、５１ａ…第１表面、５１ｂ…第２表面、５１ｃ…第３表面、６０…配線部、６０ａ…表面（第１接触面）、６１…配線部の一部、７０…キャップ層、８１ａ…表面（反対面）、１００…ダマシン配線構造。

Claims (19)

  1. 　溝部が設けられた主面を有するベースと、
    　前記溝部の内面上に設けられた第１部分、及び、前記第１部分と一体的に形成され、前記主面上に設けられた第２部分を有する絶縁層と、
    　前記絶縁層の前記第１部分上に設けられた金属層と、
    　前記溝部内に埋め込まれ、前記金属層に接合された配線部と、
    　前記絶縁層の前記第２部分、前記金属層の端部、及び前記配線部を覆うように設けられたキャップ層と、を備え、
    　前記絶縁層における前記第１部分と前記第２部分との境界部分の前記ベースとは反対側の表面は、前記配線部の延在方向から見た場合に、前記主面に垂直な方向に対して傾斜した傾斜面を含んでおり、
    　前記金属層の前記端部は、前記キャップ層と前記傾斜面との間に入り込んでおり、前記端部においては、前記キャップ層に沿った第１表面と前記傾斜面に沿った第２表面とが鋭角を成している、ダマシン配線構造。
  2. 　前記キャップ層の厚さは、前記絶縁層の厚さよりも厚い、請求項１に記載のダマシン配線構造。
  3. 　前記キャップ層のうち前記金属層の前記端部の前記第１表面に接触する部分と、前記絶縁層のうち前記金属層の前記端部の前記第２表面に接触する部分とは、互いに同一の材料によって構成されている、請求項１又は２に記載のダマシン配線構造。
  4. 　前記絶縁層は、酸化膜からなる第１層と、窒化膜からなり、前記第１層上に設けられた第２層と、を有している、請求項１～３のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  5. 　前記ベースにおける前記主面と前記溝部との境界部分には、前記延在方向から見た場合に、前記主面に垂直な方向に対して傾斜した境界面が設けられている、請求項１～４のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  6. 　前記傾斜面は、凸状に湾曲している、請求項１～５のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  7. 　前記金属層の前記端部における前記第２表面とは反対側の第３表面は、前記延在方向から見た場合に、前記主面に垂直な方向に対して傾斜しており、
    　前記配線部の一部は、前記キャップ層と前記第３表面との間に入り込んでいる、請求項１～６のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  8. 　前記金属層の前記端部の前記主面に平行な方向における厚さは、前記金属層における前記端部以外の部分の厚さよりも厚い、請求項１～７のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  9. 　前記金属層の前記端部の前記主面に平行な方向における厚さは、前記端部の先端に近づくにつれて漸増している、請求項１～８のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  10. 　前記配線部における前記キャップ層と接触する第１接触面は、前記絶縁層における前記キャップ層と接触する第２接触面に対して、前記溝部の底部側に位置している、請求項１～９のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  11. 　前記キャップ層の厚さは、前記主面に垂直な方向における前記第１接触面と前記第２接触面との間の距離よりも大きい、請求項１０に記載のダマシン配線構造。
  12. 　前記キャップ層の厚さは、前記主面に垂直な方向における前記第１接触面と前記第２接触面との間の距離よりも小さい、請求項１０に記載のダマシン配線構造。
  13. 　前記溝部は、前記主面に垂直な方向から見た場合に、渦巻き状に延在している、請求項１～１２のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  14. 　前記溝部における互いに隣り合う部分の間の間隔は、前記溝部の幅よりも小さい、請求項１２に記載のダマシン配線構造。
  15. 　前記溝部の幅は、前記溝部の深さよりも小さい、請求項１～１２のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  16. 　前記ベースは、前記主面とは反対側の反対面を有し、
    　前記主面に垂直な方向における前記溝部の底部と前記反対面との間の距離は、前記溝部の深さよりも大きい、請求項１～１５のいずれか一項に記載のダマシン配線構造。
  17. 　請求項１～１６のいずれか一項に記載のダマシン配線構造を備えるアクチュエータ装置であって、
    　支持部と、
    　前記支持部において揺動可能となるように支持された可動部と、
    　前記ダマシン配線構造を有し、前記支持部及び前記可動部の少なくとも一方に設けられたコイルと、
    　前記コイルに作用する磁界を発生させる磁界発生部と、を備える、アクチュエータ装置。
  18. 　溝部が設けられた主面を有するベース上に、前記溝部の内面上に設けられた第１部分、及び、前記第１部分と一体的に形成され、前記主面上に設けられた第２部分を有する絶縁層を形成する第１ステップと、
    　前記第１ステップの後に、前記絶縁層の前記第１部分及び前記第２部分上に金属層を形成する第２ステップと、
    　前記第２ステップの後に、前記溝部内に埋め込まれると共に前記金属層に接合されるように、前記金属層上に配線部を形成する第３ステップと、
    　前記第３ステップの後に、前記絶縁層の前記第２部分が露出するように、化学機械研磨により、前記第２部分上の前記金属層及び前記配線部を除去して平坦化する第４ステップと、
    　前記第４ステップの後に、前記絶縁層の前記第２部分、前記金属層の端部、及び前記配線部を覆うようにキャップ層を形成する第５ステップと、を備え、
    　前記第１ステップでは、前記絶縁層における前記第１部分と前記第２部分との境界部分の前記ベースとは反対側の表面が、前記配線部の延在方向から見た場合に、前記主面に垂直な方向に対して傾斜した傾斜面を含む前記絶縁層を形成する、ダマシン配線構造の製造方法。
  19. 　前記第２ステップでは、スパッタリングにより前記金属層を形成する、請求項１８に記載のダマシン配線構造の製造方法。
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