WO2019181639A1 - 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 - Google Patents

放射線検出器及び放射線画像撮影装置 Download PDF

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WO2019181639A1
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信一 牛倉
中津川　晴康
赤松　圭一
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富士フイルム株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a radiation detector and a radiation image capturing apparatus.
  • a radiographic imaging apparatus that performs radiography for the purpose of medical diagnosis.
  • a radiation detector for detecting radiation transmitted through a subject and generating a radiographic image is used.
  • the radiation detector includes a conversion layer such as a scintillator that converts radiation into light, and a sensor substrate provided with a plurality of pixels that store charges generated according to the light converted in the conversion layer.
  • a radiation detector one using a flexible base material for a sensor substrate is known (for example, see JP2013-217769A (Patent Document 1)).
  • a radiographic imaging device radiographic imaging device
  • photographing of a subject can be facilitated.
  • the radiation detector may be handled alone.
  • the imaging apparatus does not consider the case where the radiation detector is handled alone. Therefore, when the radiation detector in the radiographic imaging apparatus having the above configuration is handled alone, there is a concern that the sensor substrate may be peeled off from the conversion layer.
  • a radiation detector and an electric circuit are arranged side by side in a direction crossing a stacking direction in which a conversion layer and a sensor substrate are stacked, and a deflection adjusting member is disposed over the entire radiation detector and the electric circuit. It is an object of the present invention to provide a radiation detector and a radiation image capturing apparatus that can suppress the separation between the sensor substrate and the conversion layer in the radiation detector alone compared to the provided radiation image capturing apparatus.
  • a radiation detector is provided on a flexible substrate, and on a first surface of the substrate, and according to light converted from radiation.
  • a sensor substrate including a layer on which a plurality of pixels for accumulating generated charges are formed; a conversion layer provided on a side opposite to the side on which the base material is provided in the layer on which the pixels are formed; and a conversion layer that converts radiation into light
  • the sensor substrate and the conversion layer are provided on the second surface side opposite to the first surface of the base material, and the position of the stress neutral surface is changed from the interface which is the surface of the conversion layer facing the sensor substrate.
  • a stress neutral surface adjusting member that adjusts the thickness within a predetermined range in the stacking direction.
  • the radiation detector according to the second aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect, wherein the predetermined range includes an interface when no stress neutral plane adjustment member is provided, and a stress neutral plane. The range is shorter than the distance.
  • the stress neutral plane adjusting member covers at least a region where the sensor substrate and the conversion layer face each other. It is provided in the area.
  • the radiation detector according to the fourth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the third aspect, wherein the stress neutral plane adjusting member has a flexural modulus of 150 MPa or more, It is 2500 MPa or less.
  • the radiation detector according to the fifth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fourth aspects, wherein the material for the stress neutral plane adjustment member is polycarbonate, polyethylene terephthalate, And at least one of low density polyethylene.
  • the radiation detector according to the sixth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fifth aspects, wherein the heat of the stress neutral surface adjusting member with respect to the thermal expansion coefficient of the conversion layer.
  • the expansion ratio is 0.5 or more and 4 or less.
  • the radiation detector according to the seventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to sixth aspects, wherein the stress neutral plane adjusting member has a thermal expansion coefficient of 30 ppm / K. As mentioned above, it is 200 ppm / K or less.
  • the radiation detector according to the eighth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to seventh aspects.
  • the adhesion layer is provided at the interface and is in contact with the sensor substrate and the conversion layer. Is further provided.
  • a radiation detector according to a ninth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to seventh aspects.
  • the radiation detector is provided between the sensor substrate and the conversion layer. And a buffer layer for buffering the difference between the thermal expansion coefficient of the sensor substrate and the thermal expansion coefficient of the sensor substrate.
  • the radiation detector according to the tenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the ninth aspect, in which the stress neutral plane adjustment member is stacked in the stacking direction. Includes multiple membranes with different functions.
  • the radiation detector according to the eleventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the tenth aspect, wherein the plurality of films include a stress neutral plane adjustment film and an antistatic film.
  • the antistatic film is provided on the second surface side of the stress neutral surface adjustment film.
  • the radiation detector according to the thirteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the tenth aspect, wherein the plurality of films include a stress neutral plane adjustment film and a moisture-proof film.
  • the radiation detector according to the fourteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the thirteenth aspect, wherein the moisture-proof film is provided on the second surface side of the stress neutral surface adjustment film.
  • the radiation detector according to the fifteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the fourteenth aspect, wherein the base material is made of a resin and the average particle diameter is 0.00. It has a fine particle layer containing inorganic fine particles of 05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less.
  • the radiation detector according to the sixteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the fifteenth aspect, in which the substrate has a fine particle layer on the second surface side.
  • the radiation detector according to the seventeenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the fifteenth aspect or the seventeenth aspect, wherein the fine particles have an atomic number larger than that of an element constituting the substrate and an atomic number of 30. Contains the following elements:
  • the radiation detector according to the eighteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the seventeenth aspect, wherein the base material has a coefficient of thermal expansion of 20 ppm at 300 ° C. to 400 ° C. / K or less.
  • a radiation detector according to a nineteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the eighteenth aspect, in which the base material has an MD (400 ° C.) at a thickness of 25 ⁇ m.
  • the heat shrinkage rate in the (Machine Direction) direction satisfies at least one of 0.5% or less and the elastic modulus at 500 ° C. of 1 GPa or more.
  • the radiation detector according to the twentieth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the nineteenth aspect, wherein the stress neutral plane adjustment member has higher rigidity than the base material. .
  • the radiation detector according to the twenty-first aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to twentieth aspects, wherein the conversion layer includes CsI. *
  • a radiation image capturing apparatus for reading out the charges accumulated in a plurality of pixels and the radiation detector according to any one of the first to thirty-first aspects.
  • a control unit that outputs a control signal
  • a drive unit that outputs a drive signal for reading out charges from a plurality of pixels according to the control signal
  • an electrical signal corresponding to the charges read from the plurality of pixels are input.
  • a signal processing unit that generates and outputs image data corresponding to the input electrical signal.
  • the radiographic imaging device of the twenty-third aspect of the present disclosure is the radiographic imaging device of the thirty-second aspect, in which the base material, the layer in which the plurality of pixels are formed, and the conversion layer are arranged in the stacking direction.
  • the control unit and the radiation detector are provided side by side in a direction intersecting with.
  • the radiographic imaging device of the twenty-fourth aspect of the present disclosure is the radiographic imaging device of the thirty-second aspect, further comprising a power supply unit that supplies power to at least one of the control unit, the driving unit, and the signal processing unit.
  • the power supply unit, the control unit, and the radiation detector are provided side by side in a direction that intersects the stacking direction in which the sensor substrate, the conversion layer, and the stress neutral plane adjustment member in the radiation detector are arranged.
  • the radiographic imaging device of the twenty-fifth aspect of the present disclosure is the radiographic imaging device of the thirty-second aspect, having an irradiation surface on which radiation is irradiated, and among the sensor substrate and the conversion layer in the radiation detector, A housing for storing the radiation detector is further provided in a state where the sensor substrate faces the irradiation surface.
  • the radiation detector and the electric circuit are arranged side by side in a direction intersecting the stacking direction in which the conversion layer and the sensor substrate are stacked, and the entire radiation detector and the electric circuit are disposed.
  • the radiographic imaging device provided with the deflection adjusting member the separation of the sensor substrate and the conversion layer in the radiation detector alone can be suppressed.
  • the separation between the sensor substrate and the conversion layer is suppressed as compared with the case where the stress neutral plane adjustment member is not provided in the region covering the region where the sensor substrate and the conversion layer face each other. be able to.
  • the thickness of the stress neutral plane adjustment member for obtaining desired rigidity can be suppressed.
  • the separation between the sensor substrate and the conversion layer can be suppressed as compared with the case where at least one of polycarbonate, polyethylene terephthalate, and low-density polyethylene is not included.
  • the separation between the sensor substrate and the conversion layer can be suppressed as compared with the case where the ratio of thermal expansion coefficients is less than 0.5 or more than 4.
  • the separation between the sensor substrate and the conversion layer can be suppressed as compared with the case where the coefficient of thermal expansion is less than 30 ppm / K or more than 200 ppm / K.
  • the eighth aspect it is possible to make it difficult to peel the conversion layer from the sensor substrate as compared with the case where the adhesion layer is not provided.
  • the sensor substrate can be prevented from being charged as compared with the case where no antistatic film is provided.
  • the sensor substrate can be prevented from being charged as compared with the case where the antistatic film is provided on the first surface side of the stress neutral surface adjusting film.
  • the moisture-proof performance for the base material and the conversion layer can be enhanced as compared with the case where the moisture-proof film is not provided.
  • the moisture-proof performance for the base material and the conversion layer can be enhanced as compared with the case where the moisture-proof film is provided on the first surface side of the stress neutral surface adjusting film.
  • the substrate does not have a fine particle layer containing inorganic fine particles having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less, backscattered rays generated in the substrate. Can be suppressed.
  • pixels can be formed with higher accuracy than when the base material has the fine particle layer on the first surface side.
  • the backscattered rays are effectively suppressed as compared with the case where the fine particles do not contain an element having an atomic number larger than that of the element constituting the substrate and an atomic number of 30 or less. And absorption of radiation in the fine particle layer can be suppressed.
  • the base material can be a base material suitable for the manufacture of pixels as compared with the case where the base material has a coefficient of thermal expansion exceeding 20 ppm / K at 300 ° C. to 400 ° C.
  • the bending of the base material can be suppressed as compared with the case where the rigidity of the stress neutral surface adjusting member is equal to or lower than the rigidity of the base material.
  • the conversion efficiency from radiation to visible light can be increased as compared with the case where the conversion layer does not contain CsI.
  • the twenty-second aspect compared to the case where a radiation detector different from the radiation detector according to any one of the first aspect to the twenty-first aspect is provided, even when the sensor substrate is bent and used, Separation from the conversion layer can be suppressed.
  • control unit and the radiation detector include radiation. Suppressing peeling between the sensor substrate and the conversion layer even when the substrate, the layer in which a plurality of pixels are formed, and the conversion layer are arranged in a direction intersecting the stacking direction. Can do.
  • the power supply unit, the control unit, and the radiation detection Even if the sensor is provided side by side in the direction intersecting the stacking direction in which the sensor substrate, the conversion layer, and the stress neutral plane adjustment member in the radiation detector are arranged. Can be suppressed.
  • the image quality of the radiographic image can be improved as compared with the case where the housing houses the radiation detector in a state where the irradiation surface and the conversion layer face each other.
  • FIG. 1 It is a block diagram which shows an example of the principal part structure of the electric system in the radiographic imaging apparatus of 1st Embodiment. It is the top view which looked at an example of the radiation detector of a 1st embodiment from the 1st surface side. It is sectional drawing for demonstrating an example of a base material. It is explanatory drawing for demonstrating the backscattering ray which generate
  • FIG. 2B is a cross-sectional view of the radiation detector shown in FIG. 2A along the line AA. It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the radiation detector shown to FIG. 2A and FIG. It is a schematic diagram which shows an example of the state which applied and applied the load to the lamination direction of each layer with respect to the radiation detector. It is a schematic diagram for demonstrating the effect
  • the radiographic image capturing apparatus of the present embodiment has a function of capturing a radiographic image of an imaging target by detecting radiation that has passed through the object that is the imaging target and outputting image information representing the radiographic image of the object.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a main configuration of an electric system in the radiographic image capturing apparatus of the present embodiment.
  • the radiographic imaging apparatus 1 of this embodiment includes a radiation detector 10, a control unit 100, a drive unit 102, a signal processing unit 104, an image memory 106, and a power supply unit 108.
  • the radiation detector 10 includes a sensor substrate 12 (see FIG. 3) and a conversion layer 30 (see FIG. 3) that converts radiation into light.
  • the sensor substrate 12 includes a flexible base material 14 and a plurality of pixels 16 provided on the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14.
  • the plurality of pixels 16 may be simply referred to as “pixels 16”.
  • each pixel 16 of the present embodiment includes a sensor unit 22 that generates and accumulates charges according to light converted by the conversion layer, and a switching element 20 that reads the charges accumulated in the sensor unit 22.
  • a thin film transistor TFT: Thin Film Transistor
  • the switching element 20 is referred to as “TFT 20”.
  • the sensor unit 22 and the TFT 20 are formed, and a layer in which the pixels 16 are formed on the first surface 14A of the base material 14 is provided as a flattened layer.
  • the layer in which the pixel 16 is formed may also be referred to as “pixel 16” for convenience of explanation.
  • the pixel 16 is provided in the pixel region 15 of the sensor substrate 12 in one direction (a scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”) and a direction intersecting the row direction (corresponding to the vertical direction in FIG. Are arranged two-dimensionally along the signal wiring direction (hereinafter also referred to as “column direction”).
  • row direction a scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”
  • a direction intersecting the row direction corresponding to the vertical direction in FIG.
  • the arrangement of the pixels 16 is shown in a simplified manner. For example, 1024 ⁇ 1024 pixels 16 are arranged in the row direction and the column direction.
  • the radiation detector 10 includes a plurality of scanning wirings 26 for controlling the switching state (ON and OFF) of the TFT 20 provided for each row of the pixels 16, and for each column of the pixels 16.
  • a plurality of signal wirings 24 from which charges accumulated in the sensor unit 22 are read out are provided so as to cross each other.
  • Each of the plurality of scanning wirings 26 is connected to the driving unit 102 via a pad (not shown).
  • a control unit 100 which will be described later, is connected to the drive unit 102, and a drive signal is output in accordance with a control signal output from the control unit 100.
  • a drive signal that is output from the driving unit 102 and drives the TFT 20 to control the switching state flows to each of the plurality of scanning wirings.
  • each of the plurality of signal wirings 24 is connected to the signal processing unit 104 via a pad (not shown), so that the charge read from each pixel 16 is converted into an electric signal. Is output.
  • the signal processing unit 104 generates and outputs image data corresponding to the input electrical signal.
  • the signal processing unit 104 is connected to a control unit 100 described later, and the image data output from the signal processing unit 104 is sequentially output to the control unit 100.
  • An image memory 106 is connected to the control unit 100, and image data sequentially output from the signal processing unit 104 is sequentially stored in the image memory 106 under the control of the control unit 100.
  • the image memory 106 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 106 every time a radiographic image is captured.
  • the control unit 100 includes a CPU (Central Processing Unit) 100A, a memory 100B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), and a nonvolatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • a CPU Central Processing Unit
  • a memory 100B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory)
  • a nonvolatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • An example of the control unit 100 is a microcomputer.
  • the control unit 100 controls the overall operation of the radiation image capturing apparatus 1.
  • a common wiring 28 is provided in the wiring direction of the signal wiring 24 in order to apply a bias voltage to each pixel 16.
  • the common wiring 28 is connected to a bias power supply (not shown) outside the sensor substrate 12 via a pad (not shown), whereby a bias voltage is applied to each pixel 16 from the bias power supply.
  • the power supply unit 108 supplies power to various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, and the image memory 106.
  • various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, and the image memory 106.
  • FIG. 1 in order to avoid complications, illustration of wiring connecting the power supply unit 108 to various elements and various circuits is omitted.
  • FIG. 2A is a plan view of the radiation detector 10 of the present embodiment as viewed from the first surface 14A side.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of the radiation detector 10 in FIG. 2A.
  • the radiation detector 10 of this embodiment includes a sensor substrate 12 including a base material 14 and pixels 16, a conversion layer 30, and a protective film 32. 14, the pixel 16, and the conversion layer 30 are provided in this order.
  • the direction in which the base material 14, the pixel 16, and the conversion layer 30 are arranged is referred to as a stacking direction (see FIG. 3, stacking direction P).
  • stacking direction P the conversion layer 30 side in the stacking direction P in the radiation detector 10 may be referred to as “upper” and the sensor substrate 12 side may be referred to as “lower”.
  • the base material 14 is a resin sheet having flexibility and including plastic such as PI (PolyImide: polyimide).
  • the thickness of the base material 14 is a thickness that provides desired flexibility depending on the hardness of the material and the size of the sensor substrate 12 (area of the first surface 14A or the second surface 14B). Good.
  • PI PolyImide: polyimide
  • the thickness of the base material 14 is a thickness that provides desired flexibility depending on the hardness of the material and the size of the sensor substrate 12 (area of the first surface 14A or the second surface 14B). Good.
  • PI PolyImide: polyimide
  • the base material 14 has a characteristic that can withstand the manufacture of the pixel 16, which will be described in detail later.
  • the base material 14 has a characteristic that can withstand the manufacture of an amorphous silicon TFT (a-Si TFT).
  • a-Si TFT amorphous silicon TFT
  • the coefficient of thermal expansion (CTE: Coefficient of Thermal Expansion) at 300 ° C. to 400 ° C. is approximately the same as that of an amorphous silicon (Si) wafer (for example, ⁇ 5 ppm / K). It is preferable that there is, specifically, 20 ppm / K or less.
  • the heat shrinkage rate in the MD (Machine-Direction) direction at 400 ° C. is 0.5% or less at a thickness of 25 ⁇ m.
  • the elastic modulus of the base material 14 does not have a transition point of general PI in a temperature range between 300 ° C. and 400 ° C., and the elastic modulus at 500 ° C. is preferably 1 GPa or more.
  • the base material 14 of the present embodiment preferably has a fine particle layer 14L including inorganic fine particles 14P having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less.
  • 2C shows an example in which the radiation detector 10 of the present embodiment is applied to an ISS (IrradiationradiSide Sampling) type radiation detector that is irradiated with radiation R from the sensor substrate 12 side.
  • the backscattered ray Rb is generated by the radiation R transmitted through the subject S in the base material 14.
  • the substrate 14 is made of a resin such as PI, it is an organic substance. Therefore, atoms such as C, H, O, and N having a relatively small atomic number constituting the organic substance are backscattered rays Rb due to the Compton effect. Will increase.
  • the base material 14 when the base material 14 has a fine particle layer 14L including the fine particles 14P that absorb the backscattered rays Rb generated in the base material 14, the base material 14 becomes fine particles as shown in FIG. 2D. Compared to the case where the layer 14L is not provided, the backscattered ray Rb that passes through the base material 14 and scatters backward is suppressed, which is preferable.
  • fine particles 14P an inorganic substance containing an atom that generates a small amount of backscattered rays Rb by itself and absorbs the backscattered rays Rb while having little absorption of the radiation R transmitted through the subject S is preferable.
  • the suppression of the backscattered ray Rb and the transmission of the radiation R are in a trade-off relationship.
  • the fine particles 14P preferably contain an element having an atomic number larger than C, H, O, N, and the like constituting the resin of the base material 14.
  • the larger the atomic number the higher the ability to absorb the backscattered ray Rb.
  • the fine particles 14 ⁇ / b> P use an inorganic material whose atomic number is larger than the atoms constituting the organic material that is the substrate 14 and is 30 or less.
  • Specific examples of such fine particles 14P include SiO 2 which is an oxide of Si having an atomic number of 14, MgO which is an oxide of Mg having an atomic number of 12, and Al which is an oxide of Al having an atomic number of 13. 2 O 3 and TiO 2 which is an oxide of Ti having an atomic number of 22 are included.
  • a specific example of the resin sheet having such characteristics is XENOMAX (registered trademark).
  • said thickness in this embodiment it measured using the micrometer.
  • the coefficient of thermal expansion was measured according to JIS K7197: 1991. The measurement was performed by changing the angle from the main surface of the base material 14 by 15 degrees, cutting out the test piece, measuring the thermal expansion coefficient of each cut out test piece, and setting the highest value as the thermal expansion coefficient of the base material 14. .
  • the coefficient of thermal expansion is measured at -50 ° C to 450 ° C at 10 ° C intervals for each of the MD (Machine Direction) and TD (Transverse Direction) directions, and (ppm / ° C) is converted to (ppm / K). did.
  • the elastic modulus was measured according to JIS K 7171: 2016. The measurement was performed by changing the angle from the main surface of the base material 14 by 15 degrees, cutting out the test piece, performing a tensile test on each cut out test piece, and setting the highest value as the elastic modulus of the base material 14.
  • the base material 14 has a second surface 14B opposite to the first surface on which the pixels 16 are formed, in other words, on the opposite side to the first surface on which the conversion layer 30 is provided. It is preferable to have the fine particle layer 14L on the second surface 14B.
  • the base material 14 has a fine particle layer 14L on the surface close to the subject S, as shown in FIG. 2C.
  • the base material 14 has the fine particle layer 14 ⁇ / b> L on the second surface 14 ⁇ / b> B, so that the pixels 16 can be accurately formed and the backscattered ray Rb is effectively obtained. Can be suppressed.
  • the base material 14 having desired flexibility is not limited to a resin sheet such as a resin sheet.
  • the base material 14 may be a glass substrate having a relatively small thickness.
  • the base material 14 in general, in a size of about 43 cm on a side, if the thickness is 0.3 mm or less, the thickness is 0.3 mm or less. Any desired glass substrate may be used.
  • the plurality of pixels 16 are provided in a partial region inside the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14.
  • the pixels 16 are not provided on the outer peripheral portion of the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14.
  • the region where the pixel 16 is provided on the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14 is defined as the pixel region 15.
  • the conversion layer 30 of the present embodiment covers the pixel region 15.
  • a scintillator including CsI cesium iodide
  • CsI cesium iodide
  • Examples of such a scintillator include CsI: Tl (cesium iodide to which thallium is added) and CsI: Na (cesium iodide to which sodium is added) whose emission spectrum upon X-ray irradiation is 400 nm to 700 nm. It is preferable to include. Note that the emission peak wavelength in the visible light region of CsI: Tl is 565 nm.
  • the protective film 32 is provided on the first surface 14 ⁇ / b> A side of the base material 14, and the pixels 16 and the conversion layer 30 are stacked. Covering the entire laminated body. Specifically, the protective film 32 covers the entire surface of the stacked body in which the pixels 16 and the conversion layer 30 are stacked except for the surface in contact with the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14.
  • the protective film 32 for example, an Alpet (registered trademark) in which aluminum is laminated by bonding aluminum foil to an insulating sheet such as Parylene (registered trademark) or polyethylene terephthalate, and an insulating sheet (film). ) Is used.
  • an Alpet registered trademark
  • Parylene registered trademark
  • polyethylene terephthalate polyethylene terephthalate
  • the stress neutral surface adjusting member 36 is provided on the second surface 14 ⁇ / b> B of the base material 14.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 adjusts the position of the stress neutral surface (detailed later) in the radiation detector 10 with respect to the stacking direction P when the radiation detector 10 is bent.
  • PET Polyethylene Terephthalate
  • white PET, foamed white PET, or the like may be used.
  • White PET is obtained by adding a white pigment such as TiO 2 or barium sulfate to PET.
  • Foamed white PET is white PET having a porous surface.
  • stress neutral plane adjusting member 36 examples include PC (Polycarbonate), LDPE (Low Density Polyethylene), PPS (PolyPhenylene Sulfide), and OPP (Oriented PolyPropylene: biaxial). Examples thereof include stretched polypropylene film), PEN (PolyEthylene Naphthalate), and organic films such as PI.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 of this embodiment uses the raw material whose bending elastic modulus is 150 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the method for measuring the flexural modulus is based on, for example, JIS K 7171: 2016.
  • the stress neutral surface adjusting member 36 preferably has higher bending rigidity than the base material 14 from the viewpoint of suppressing the bending of the base material 14. When the bending elastic modulus is lowered, the bending rigidity is also lowered. In order to obtain a desired bending rigidity, the thickness of the stress neutral surface adjusting member 36 must be increased, and the thickness of the radiation detector 10 as a whole is increased. It will increase.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 when attempting to obtain bending bending rigidity exceeding 140000 Pacm 4 , the stress neutral surface adjustment member 36 tends to be relatively thick. Therefore, when appropriate rigidity is obtained and the thickness of the radiation detector 10 as a whole is taken into consideration, the material used for the stress neutral surface adjusting member 36 preferably has a flexural modulus of 150 MPa or more and 2500 MPa or less. Moreover, it is preferable that the bending rigidity of the stress neutral surface adjusting member 36 is 540 Pacm 4 or more and 140000 Pacm 4 or less.
  • the thermal expansion coefficient of the stress neutral plane adjusting member 36 of the present embodiment is preferably close to the thermal expansion coefficient of the material of the conversion layer 30, and more preferably, the stress neutral plane with respect to the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30.
  • the ratio of the thermal expansion coefficient of the adjustment member 36 (the thermal expansion coefficient of the stress neutral surface adjustment member 36 / the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30) is preferably 0.5 or more and 4 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the stress neutral surface adjusting member 36 is preferably 30 ppm / K or more and 200 ppm / K or less. For example, when the conversion layer 30 is made of CsI: Tl, the coefficient of thermal expansion is 50 ppm / K.
  • LDPE having a coefficient of thermal expansion of 100 ppm / K to 200 ppm / K
  • PVC polyvinyl chloride
  • Teflon with a coefficient of thermal expansion of 45 ppm / K to 70 ppm / K (registered trademark)
  • the stress neutral surface adjustment member 36 preferably has other functions such as an antistatic function and a moisture proof function in addition to the function of adjusting the position of the stress neutral surface.
  • the base material 14 is formed on a support 200 such as a glass substrate that is thicker than the base material 14 via a release layer 202.
  • a support 200 such as a glass substrate that is thicker than the base material 14 via a release layer 202.
  • seat used as the base material 14 is bonded together on the support body 200.
  • FIG. The second surface 14 ⁇ / b> B of the substrate 14 is in contact with the release layer 202.
  • the pixels 16 are formed on the first surface 14A of the substrate 14.
  • the pixels 16 are formed on the first surface 14A of the base material 14 via an undercoat layer (not shown) using SiN or the like.
  • the conversion layer 30 may have, for example, a conversion layer on the surface opposite to the side in contact with the sensor substrate 12.
  • a reflective layer (not shown) having a function of reflecting the light converted at 30 may be provided.
  • the reflective layer may be provided directly on the conversion layer 30 or may be provided via an adhesion layer or the like.
  • the material of the reflective layer is preferably a material using an organic material, for example, at least one of white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, polyester-based highly reflective sheet, and specular reflective aluminum. Those using as a material are preferred. In particular, from the viewpoint of reflectance, those using white PET as a material are preferable.
  • the polyester-based highly reflective sheet is a sheet (film) having a multilayer structure in which a plurality of thin polyester sheets are stacked.
  • the conversion layer 30 can be formed on the sensor substrate 12 by a method different from the present embodiment.
  • an aluminum plate or the like obtained by vapor-depositing CsI by vapor deposition is prepared, and the side of the CsI that is not in contact with the aluminum plate is bonded to the pixel 16 of the sensor substrate 12 with an adhesive sheet or the like.
  • the conversion layer 30 may be formed on the sensor substrate 12.
  • the conversion layer 30 including the aluminum plate covered with the protective film 32 is bonded to the pixel 16 of the sensor substrate 12.
  • the side in contact with the pixel 16 in the conversion layer 30 is the tip side in the growth direction of the columnar crystals.
  • GOS Ga 2 O 2 S: Tb
  • the conversion layer 30 may be used as the conversion layer 30 instead of CsI.
  • a sheet in which GOS is dispersed in a binder such as a resin is prepared by bonding a support formed of white PET or the like with an adhesive layer or the like, and the GOS support is not bonded.
  • the conversion layer 30 can be formed on the sensor substrate 12 by bonding the side and the pixel 16 of the sensor substrate 12 with an adhesive sheet or the like. Note that the conversion efficiency from radiation to visible light is higher when CsI is used for the conversion layer 30 than when GOS is used.
  • the sensor substrate 12 provided with the conversion layer 30 and the protective film 32 is peeled from the support 200.
  • any one of the four sides of the sensor substrate 12 (base material 14) is set as a starting point of peeling, and the sensor substrate 12 is gradually peeled from the support 200 from the starting side toward the opposite side. And mechanical peeling.
  • FIG. 5 shows a schematic diagram of an example of a state in which the radiation detector 10 is bent by applying a load W in the stacking direction P.
  • FIG. 5 for simplification, only the sensor substrate 12, the conversion layer 30, and the stress neutral plane adjustment member 36 of the radiation detector 10 are schematically illustrated.
  • FIG. 5 shows a state in which the conversion layer 30 side is extended and the sensor substrate 12 (stress neutral surface adjustment member 36) side is contracted as an example of the state in which the radiation detector 10 is bent.
  • a stress neutral surface 37 that is a surface (a surface in a direction intersecting the stacking direction P) that does not extend or contract even if the radiation detector 10 is bent is generated in the radiation detector 10. On the stress neutral surface 37, the stress is zero.
  • the position of the stress neutral surface 37 is the interface as shown in FIG. 6A. 19 on the conversion layer 30 side (upper side in the stacking direction P). In the case shown in FIG. 6A, the conversion layer 30 is easily peeled off from the sensor substrate 12 due to the stress applied to the interface 19.
  • the position of the stress neutral surface 37 is the case where the stress neutral surface adjustment member 36 is not provided. Rather than the sensor substrate 12 side. Therefore, as shown in FIG. 6B, the position of the stress neutral surface 37 can be in the vicinity of the interface 19. Specifically, the distance between the interface 19 and the stress neutral surface 37 when the stress neutral surface adjustment member 36 shown in FIG. 6A is not provided is d1, and the stress neutral surface adjustment member 36 shown in FIG. When the distance between the interface 19 and the stress neutral surface 37 in the case of being provided is d2, the distance d2 can be made smaller than the distance d1 (d1> d2).
  • the position of the stress neutral surface 37 is preferably the same as the position of the interface 19 and the stress neutral surface 37. In this case, since the stress at the interface 19 can be set to 0, the conversion layer 30 becomes more difficult to peel from the sensor substrate 12.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 is provided on the second surface 14B of the base material 14 in the sensor substrate 12, whereby the stress neutral surface generated in the radiation detector 10.
  • the position 37 can be adjusted to a range that is less than the distance d1 from the interface 19.
  • the range where the position of the stress neutral surface 37 is less than the distance d ⁇ b> 1 from the interface 19 is the allowable range of the position of the stress neutral surface 37.
  • the stress generated in the interface 19 can be brought close to 0, so that the conversion layer 30 is difficult to peel from the sensor substrate 12.
  • a range that is less than the distance d1 from the interface 19 of the present embodiment is an example of a predetermined range of the present disclosure.
  • the thickness of the stress neutral surface 37 is determined according to an allowable range (allowable range, allowable range ⁇ 2d1) as a position from the interface 19 of the stress neutral surface 37.
  • the specific thickness of the stress neutral surface 37 is determined in accordance with the degree of adhesion (ease of peeling) between the sensor substrate 12 and the conversion layer 30 and the assumed degree of bending.
  • the conversion layer 30 is formed directly on the sensor substrate 12 by vapor deposition, the conversion layer 30 is easily peeled off compared to the case where the separately formed conversion layer 30 is bonded, so the conversion layer 30 is directly applied to the sensor substrate 12.
  • the radiographic imaging apparatus 1 to which the radiation detector 10 of this embodiment is applied will be described.
  • the radiation detector 10 is provided in a casing that transmits radiation and has waterproofness, antibacterial properties, and sealing properties.
  • FIG. 7 shows an example of a state in which the radiation detector 10 is provided in the housing 120 when the radiation image capturing apparatus 1 of the present embodiment is applied to the ISS system.
  • the radiation detector 10, the power supply unit 108, and the control board 110 are provided in the casing 120 side by side in a direction intersecting with the stacking direction P.
  • the radiation detector 10 is provided so that the second surface 14B of the substrate 14 faces the imaging surface 120A side, which is the irradiation surface irradiated with radiation, of the housing 120 irradiated with radiation that has passed through the subject. It has been.
  • the control board 110 is a board on which the image memory 106 and the control unit 100 are formed, and is electrically connected to the pixels 16 of the sensor board 12 by a flexible cable 112 including a plurality of signal wirings.
  • the driving unit 102 and the signal processing unit 104 are provided on the flexible cable 112, which is a so-called COF (Chip On On Film).
  • COF Chip On On Film
  • at least one of the driving unit 102 and the signal processing unit 104 is controlled. It may be formed on the substrate 110.
  • control board 110 and the power supply unit 108 are connected by a power supply line 114.
  • the housing 120 is lightweight, preferably has a low absorption rate of radiation R, particularly X-rays, is highly rigid, and is preferably made of a material having a sufficiently high elastic modulus.
  • a material for the housing 120 it is preferable to use a material having a flexural modulus of 10,000 MPa or more.
  • carbon having a flexural modulus of about 20000 to 60000 MPa or CFRP (Carbon Fiber Reinforced Plastics) can be suitably used.
  • a load from the subject is applied to the imaging surface 120A of the housing 120.
  • the sensor substrate 12 is bent due to the load from the subject, and there is a possibility that a malfunction such as damage to the pixels 16 may occur.
  • the radiation detector 10 By accommodating the radiation detector 10 inside the housing 120 made of a material having a bending elastic modulus of 10,000 MPa or more, it becomes possible to suppress the bending of the sensor substrate 12 due to the load from the subject.
  • a sheet 116 is further provided on the side from which the radiation transmitted through the radiation detector 10 is emitted.
  • An example of the sheet 116 is a copper sheet.
  • the copper sheet is unlikely to generate secondary radiation by incident radiation, and thus has a function of preventing scattering to the rear, that is, the conversion layer 30 side.
  • the sheet 116 preferably covers at least the entire surface of the conversion layer 30 on the side from which radiation is emitted, covers the entire conversion layer 30, and more preferably covers the entire protective film 32.
  • the thickness of the sheet 116 may be selected according to the flexibility and weight of the entire radiographic imaging apparatus 1. For example, when the sheet 116 is a copper sheet, the thickness is about 0.1 mm or more.
  • seat 116 is a copper sheet
  • the radiographic image capturing apparatus 1 shown in FIG. 7 can capture a radiographic image in a state where the radiation detector 10 is bent in the out-of-plane direction of the second surface 14B of the substrate 14. For example, it is possible to capture a radiographic image while maintaining the radiation detector 10 in a bent state in accordance with the imaging region of the subject.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are provided in the peripheral part of the relatively rigid casing 120, and thus the influence of external force applied to the power supply unit 108 and the control board 110 is affected. Can be suppressed.
  • FIG. 7 shows a configuration in which both the power supply unit 108 and the control board 110 are provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular radiation detector 10.
  • the position where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided is not limited to the form shown in FIG.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 may be distributed on each of the two opposing sides of the radiation detector 10 or may be distributed on each of the two adjacent sides.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are configured as one component (substrate).
  • the configuration is not limited to the form illustrated in FIG. 7, and the power supply unit 108 and the control board 110 are controlled.
  • the power supply unit 108 includes a first power supply unit and a second power supply unit (both not shown), and each of the first power supply unit and the second power supply unit is provided on each of two opposing sides of the radiation detector 10. You may disperse and provide.
  • the radiographic image capturing apparatus 1 (radiation detector 10) is bent to capture a radiographic image, the influence on the image due to the bending can be suppressed by performing image correction.
  • FIG. 8 shows another example of the state in which the radiation detector 10 is provided in the housing 120 when the radiation image capturing apparatus 1 of the present embodiment is applied to the ISS system.
  • a power supply unit 108 and a control board 110 are provided in the casing 120 in a direction crossing the stacking direction P.
  • the radiation detector 10, the power supply unit 108, the control board 110, and the like. Are arranged side by side in the stacking direction P.
  • a base 118 that supports the radiation detector 10 and the control board 110 is provided between the control board 110 and the power supply unit 108 and the sheet 116.
  • the base 118 for example, carbon or the like is used.
  • the radiation detector 10 is slightly bent in the out-of-plane direction of the second surface 14B of the base material 14, for example, the central portion is bent by about 1 mm to 5 mm.
  • the control board 110, the power supply unit 108, and the radiation detector 10 are provided in the stacking direction P, and the base 118 is provided.
  • the radiographic imaging apparatus 1 shown in FIG. Therefore, as compared with the radiographic image capturing apparatus 1 shown in FIG. 7, the stress due to bending is small, and the conversion layer 30 is difficult to peel from the sensor substrate 12, so that the thickness of the stress neutral plane adjustment member 36 can be reduced. it can.
  • the configuration of the stress neutral plane adjustment member 36 is different from that of the radiation detector 10 of the first embodiment.
  • the mode in which the stress neutral plane adjusting member 36 is a single film (layer) has been described.
  • a description will be given of a form in which the stress neutral plane adjusting member 36 has a stacked configuration in which a plurality of films are stacked.
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of an example of the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 in the radiation detector 10 of the present embodiment is a laminated film in which an antistatic film 36A and a stress neutral surface adjustment film 36B are laminated in the lamination direction P.
  • the antistatic film 36A is provided on the side closer to the base material 14 than the stress neutral surface adjustment film 36B, in other words, on the side corresponding to the second surface 14B of the base material 14.
  • the antistatic film 36A has a function of preventing the sensor substrate 12 from being charged. Therefore, as described above, the antistatic film 36A is preferably provided on the side closer to the sensor substrate 12 than the stress neutral surface adjustment film 36B, and more preferably is in direct contact with the sensor substrate 12. preferable.
  • an antistatic film 36A for example, an antistatic film such as a sheet using an Alpet sheet or a film using an antistatic paint “Colcoat” (trade name: manufactured by Colcoat Co., Ltd.) can be used.
  • the antistatic film 36 ⁇ / b> A can be formed by pasting these antistatic films on the second surface 14 ⁇ / b> B of the base material 14.
  • the stress neutral surface adjustment film 36B mainly has a function of adjusting the position of the stress neutral surface 37 within an allowable range.
  • the thickness of the antistatic film 36A is thin, and the antistatic film 36A alone is insufficient to adjust the position of the stress neutral surface 37. Therefore, in the present embodiment, the stress neutral surface adjustment film 36B is provided.
  • the position of the stress neutral surface 37 is adjusted within an allowable range in the entire stress neutral surface adjusting member 36.
  • Such a stress neutral surface adjustment film 36B can be made of the same material as the stress neutral surface adjustment member 36 described in the first embodiment, and the manufacturing method can be the same.
  • the base material 14 of this embodiment has flexibility and the thickness of the base material 14 is thinner than a general radiation detector that does not have flexibility, the base material 14 is charged by friction or the like. It becomes easy to do.
  • the sensor substrate 12 When the sensor substrate 12 is charged, the sensor substrate 12 may be deteriorated due to electrostatic breakdown of the TFT 20 or the like, and there is a concern that the image quality of the radiation image obtained by the radiation detector 10 is deteriorated.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 is a laminated film in which the antistatic film 36A and the stress neutral surface adjustment film 36B are laminated, thereby providing a sensor substrate. 12 can be prevented from being charged.
  • the configuration of the stress neutral plane adjusting member 36 is different from that of the radiation detector 10 of the second embodiment.
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view of an example of the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 in the radiation detector 10 of the present embodiment is a laminated film in which a moisture proof film 36C and a stress neutral surface adjustment film 36B are laminated in the lamination direction P.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 of the present embodiment has a moisture proof film 36C instead of the antistatic film 36A of the stress neutral surface adjustment member 36 of the second embodiment. This is different from the stress neutral surface adjusting member 36 of the second embodiment.
  • the moisture-proof film 36C is provided on the side closer to the base material 14 than the stress neutral surface adjustment film 36B, in other words, on the side corresponding to the second surface 14B of the base material 14.
  • the moisture-proof film 36 ⁇ / b> C can enhance moisture-proof performance with respect to the base material 14 and the conversion layer 30.
  • the conversion layer 30 is CsI
  • CsI is weak against moisture, and when moisture enters the radiation detector 10, there is a concern that the image quality of the radiation image is degraded. Therefore, when CsI is used for the conversion layer 30, it is preferable to improve the moisture-proof performance with respect to the conversion layer 30 like the radiation detector 10 of this embodiment.
  • the moisture-proof film 36C is preferably provided closer to the sensor substrate 12 than the stress neutral surface adjustment film 36B, and more preferably directly in contact with the sensor substrate 12.
  • the moisture-proof film 36 ⁇ / b> C include a moisture-proof film such as an insulating sheet such as a parylene film and polyethylene terephthalate, and an alpet sheet, like the protective film 32.
  • the moisture-proof film 36 ⁇ / b> C can be formed by attaching these moisture-proof films to the second surface 14 ⁇ / b> B of the base material 14.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 is thus formed as a laminated film in which the moisture proof film 36C and the stress neutral surface adjustment film 36B are laminated. Intrusion of moisture from the surface 14B side can be suppressed, and moisture resistance can be improved.
  • stacked is not limited to the structure of the stress neutral surface adjustment member 36 shown to this embodiment and the said 2nd Embodiment.
  • the stress neutral plane adjusting member 36 may include a structure including both the antistatic film 36A and the moisture-proof film 36C, or instead of or together with the antistatic film 36A and the moisture-proof film 36C, A configuration including an anti-vibration film or the like may also be used.
  • the radiation detector 10 is provided on the flexible base 14 and the first surface 14A of the base 14 and is generated according to light converted from radiation.
  • the sensor substrate 12 including a layer in which a plurality of pixels 16 for storing the generated charges are formed, and the side on which the base material 14 is provided in the layer in which the pixels 16 are formed, and converts radiation into light.
  • the conversion layer 30 is provided on the side of the second surface 14B opposite to the first surface 14A of the base material 14, and the position of the stress neutral surface 37 is set on the surface of the conversion layer 30 facing the sensor substrate 12.
  • a stress neutral plane adjusting member 36 that adjusts from a certain interface 19 within a predetermined allowable range in the stacking direction P in which the sensor substrate 12 and the conversion layer 30 are stacked.
  • the conversion layer 30 is easily peeled from the sensor substrate 12 when the sensor substrate 12 is bent.
  • the state of the radiation imaging apparatus 1 In comparison, the sensor substrate 12 is easily bent.
  • the sensor substrate 12 is easily bent, so that the conversion layer 30 is easily peeled off from the sensor substrate 12.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 adjusts the position of the stress neutral surface 37 to a position within the allowable range from the interface 19. Even if it is single-piece
  • the radiation detector 10 and the electric circuit are arranged side by side in a direction intersecting the stacking direction in which the conversion layer 30 and the sensor substrate 12 are stacked. Even if the radiation detector 10 is a single body, the separation between the sensor substrate and the conversion layer can be suppressed as compared with the radiation imaging apparatus in which the deflection adjusting member is provided over the entire detector 10 and the electric circuit.
  • region which provides the stress neutral surface adjustment member 36 is not specifically limited, it provides in the area
  • the present invention is not limited to this mode, and other modes are provided between the sensor substrate 12 and the conversion layer 30.
  • a layer film
  • the radiation detector 10 may have an adhesion layer 39 between the sensor substrate 12 and the conversion layer 30.
  • the sensor substrate 12 may be in contact with the conversion layer 30 via the adhesion layer 39.
  • the adhesion layer 39 is for improving the degree of adhesion between the sensor substrate 12 and the conversion layer 30 as compared with the case where the adhesion layer 39 is not provided.
  • the adhesion layer 39 By having the adhesion layer 39, the degree of adhesion between the sensor substrate 12 and the conversion layer 30 is improved, so that the conversion layer 30 is less likely to peel from the sensor substrate 12 than when the adhesion layer 39 is not provided. Therefore, when the adhesion layer 39 is provided, the stress neutral surface adjustment member 36 can be made thinner than when the adhesion layer 39 is not provided. Examples of such an adhesion layer 39 include a parylene film.
  • the radiation detector 10 may have a buffer layer 40 between the sensor substrate 12 and the conversion layer 30.
  • the buffer layer 40 has a function of buffering the difference between the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30 and the thermal expansion coefficient of the base material 14.
  • the thermal expansion coefficient of the buffer layer 40 is a thermal expansion coefficient between the thermal expansion coefficient of the sensor substrate 12 and the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30.
  • the radiation detector 10 preferably has the buffer layer 40 as the difference between the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30 and the thermal expansion coefficient of the substrate 14 is larger.
  • the buffer layer 40 As the buffer layer 40, a PI film or a parylene film is used.
  • the present invention is not limited to this form, and the form in which the radiation detector 10 is manufactured by a coating method may be used.
  • the radiation detector 10 radiation imaging device 1
  • the radiation of the conversion layer 30 is the radiation detector 10 (radiation imaging device 1).
  • the present invention may be applied to a PSS (Penetration Side Sampling) system in which the sensor substrate 12 is disposed on the side opposite to the incident side.
  • the mode in which the pixels 16 are two-dimensionally arranged in a matrix as shown in FIG. 1 has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • a one-dimensional arrangement may be used. It may be an array.
  • the shape of the pixel is not limited, and may be a rectangle or a polygon such as a hexagon.
  • the shape of the pixel region 15 is not limited.
  • the configurations and manufacturing methods of the radiographic imaging device 1 and the radiation detector 10 described in the above embodiments are examples, and can be changed according to the situation without departing from the gist of the present invention. Needless to say.
  • the radiation detector 10 of each of the embodiments described above the mode in which the stress neutral plane adjustment member 36 is provided on the sensor substrate 12 side of the stacked body in which the sensor substrate 12 and the conversion layer 30 are stacked has been described. As shown in FIGS. 13 to 34, the radiation detector 10 of each of the above embodiments further includes a reinforcing member 50 on the conversion layer 30 side of the laminate 21 in which the sensor substrate 12 and the conversion layer 30 are laminated. It is good also as a form.
  • the reinforcing member 50 has higher bending rigidity than the base material 14, and a dimensional change (deformation) with respect to a force applied in a direction perpendicular to the surface facing the conversion layer 30 is applied to the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14.
  • the change in dimension is smaller than the force applied in the vertical direction.
  • the thickness of the reinforcing member 50 of the present embodiment is thicker than the thickness of the base material 14.
  • bending rigidity here means the difficulty of bending, and represents that it is hard to bend, so that bending rigidity is high.
  • the material used for the reinforcing member 50 preferably has a flexural modulus of 150 MPa or more and 2500 MPa or less. Moreover, it is preferable that the bending rigidity of the reinforcing member 50 is 540 Pacm 4 or more and 140000 Pacm 4 or less.
  • the thermal expansion coefficient of the reinforcing member 50 is preferably close to the thermal expansion coefficient of the material of the conversion layer 30, and more preferably, the ratio of the thermal expansion coefficient of the reinforcing member 50 to the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30 (reinforcing member).
  • the thermal expansion coefficient of 50 / the thermal expansion coefficient of the conversion layer 30 is preferably 0.5 or more and 2 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the reinforcing member 50 is preferably 30 ppm / K or more and 80 ppm / K or less. For example, when the conversion layer 30 is made of CsI: Tl, the coefficient of thermal expansion is 50 ppm / K.
  • the material relatively close to the conversion layer 30 is PVC (Polyvinyl Chloride) having a thermal expansion coefficient of 60 ppm / K to 80 ppm / K, and the thermal expansion coefficient is 70 ppm / K to 80 ppm / K.
  • PVC Polyvinyl Chloride
  • the material of the reinforcing member 50 is more preferably a material containing at least one of PET and PC.
  • the reinforcing member 50 preferably includes a material having a yield point from the viewpoint of elasticity.
  • the “yield point” refers to a phenomenon in which when a material is pulled, the stress once suddenly decreases. On the curve representing the relationship between stress and strain, the strain does not increase and the strain does not increase. This is the point of increase, and refers to the top of the stress-strain curve when a tensile strength test is performed on a material.
  • Resin having a yield point generally includes a hard and strong resin, and a soft, strong and medium strength resin. Examples of the hard and strong resin include PC. Moreover, examples of the soft, strong, and medium-strength resin include polypropylene.
  • the reinforcing member 50 of this embodiment is a substrate made of plastic.
  • the plastic material used as the material of the reinforcing member 50 is preferably a thermoplastic resin for the reasons described above.
  • PC, PET, styrene, acrylic, polyacetase, nylon, polypropylene, ABS (Acrylonitrile Butadiene Styrene), engineering plastic, and polyphenylene ether At least one of them.
  • the reinforcing member 50 is preferably at least one of polypropylene, ABS, engineering plastic, PET, and polyphenylene ether, and more preferably at least one of styrene, acrylic, polyacetase, and nylon. More preferably, it is at least one of PC, PET and PET.
  • the conversion layer 30 is formed using a vapor deposition method, as shown in FIGS. 13 to 34, the conversion layer 30 is formed with an inclination that gradually decreases in thickness toward the outer edge.
  • the central region of the conversion layer 30 in which the thickness when the manufacturing error and the measurement error are ignored can be regarded as substantially constant is referred to as a central portion 30A.
  • region of the conversion layer 30 which has thickness of 90% or less with respect to the average thickness of 30 A of center parts of the conversion layer 30 is called the peripheral part 30B. That is, the conversion layer 30 has an inclined surface that is inclined with respect to the sensor substrate 12 at the peripheral edge portion 30B.
  • an adhesive layer 60, a reflective layer 62, an adhesive layer 64, a protective layer 65, and an adhesive layer 48 may be provided between the conversion layer 30 and the reinforcing member 50. .
  • the adhesive layer 60 covers the entire surface of the conversion layer 30 including the central portion 30A and the peripheral portion 30B of the conversion layer 30.
  • the adhesive layer 60 has a function of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 30.
  • the adhesive layer 60 is preferably light transmissive.
  • an acrylic adhesive, a hot-melt adhesive, and a silicone adhesive can be used as a material for the adhesive layer 60.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include urethane acrylate, acrylic resin acrylate, and epoxy acrylate.
  • the hot melt adhesive examples include EVA (ethylene-vinyl acetate copolymer resin), EAA (ethylene-acrylic acid copolymer resin), EEA (ethylene-ethyl acrylate copolymer resin), and EMMA (ethylene-methacrylic resin).
  • Thermoplastic plastics such as acid methyl copolymer).
  • the thickness of the adhesive layer 60 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. By setting the thickness of the adhesive layer 60 to 2 ⁇ m or more, the effect of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 30 can be sufficiently exhibited. Furthermore, the risk that an air layer is formed between the conversion layer 30 and the reflective layer 62 can be suppressed.
  • the reflective layer 62 covers the entire surface of the adhesive layer 60.
  • the reflective layer 62 has a function of reflecting the light converted by the conversion layer 30.
  • the reflective layer 62 is preferably made of an organic material.
  • a material of the reflective layer 62 for example, white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, a polyester-based highly reflective sheet, and specular reflective aluminum can be used.
  • the thickness of the reflective layer 62 is preferably 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the adhesive layer 64 covers the entire surface of the reflective layer 62.
  • the end of the adhesive layer 64 extends to the surface of the sensor substrate 12. That is, the adhesive layer 64 is bonded to the sensor substrate 12 at the end thereof.
  • the adhesive layer 64 has a function of fixing the reflective layer 62 and the protective layer 65 to the conversion layer 30.
  • the material of the adhesive layer 64 the same material as that of the adhesive layer 60 can be used.
  • the adhesive force of the adhesive layer 64 is preferably larger than the adhesive force of the adhesive layer 60.
  • the protective layer 65 has a function corresponding to the protective film 32 in the radiation detector 10 of each embodiment described above, and covers the entire surface of the adhesive layer 64. That is, the protective layer 65 is provided so as to cover the entire conversion layer 30 and an end portion of which covers a part of the sensor substrate 12.
  • the protective layer 65 functions as a moisture-proof film that prevents moisture from entering the conversion layer 30.
  • a material of the protective layer 65 for example, an organic film containing an organic material such as PET, PPS, OPP, PEN, and PI can be used. Further, an Alpet (registered trademark) sheet may be used as the protective layer 65.
  • the reinforcing member 50 is provided on the surface of the protective layer 65 via the adhesive layer 48.
  • the material of the adhesive layer 48 for example, the same material as that of the adhesive layer 60 and the adhesive layer 48 can be used.
  • the reinforcing member 50 extends in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A and the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30, and the outer peripheral portion of the reinforcing member 50 is in the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30. It is bent along the slope.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in both the region corresponding to the central portion 30A of the conversion layer 30 and the region corresponding to the peripheral edge portion 30B.
  • the end of the reinforcing member 50 is disposed in a region corresponding to the peripheral edge 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 may be provided only in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 when the reinforcing member 50 extends in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A and the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30, the reinforcing member 50 follows the inclination at the outer peripheral portion of the conversion layer 302. It is not necessary to have a bent portion.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A of the conversion layer 30.
  • a space corresponding to the inclination of the peripheral portion 30B of the conversion layer 30 is formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50.
  • the flexible cable 112 is connected to the terminal 113 provided in the connection region of the outer peripheral portion of the sensor substrate 12.
  • the sensor board 12 is connected to a control board (see the control board 110, FIG. 47, etc.) via a flexible cable 112.
  • the flexible cable 112 may be peeled off from the sensor substrate 12 or may be displaced.
  • an operation for reconnecting the flexible cable 112 and the sensor substrate 12 is required.
  • the operation of reconnecting the flexible cable 112 and the sensor substrate 12 is called rework.
  • the reinforcing member 50 extends to the vicinity of the connection region by disposing the end of the reinforcing member 50 inside the end of the conversion layer 30. In comparison, rework can be easily performed.
  • the reinforcing member 50 has an end portion disposed outside the end portion of the conversion layer 30 and an adhesive layer 64 and a protective layer 65 extending to the sensor substrate 12. It may be provided so as to be aligned with the end of the. Note that the positions of the end portions of the reinforcing member 50 and the positions of the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 do not have to be completely matched.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A of the conversion layer 30, and corresponds to the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30.
  • a space corresponding to the inclination of the peripheral edge portion 30B of the conversion layer 30 is formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 in the region and further outside the region.
  • a filler is formed in a space formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50. 70 is provided.
  • the material of the filler 70 is not specifically limited, For example, it is possible to use resin.
  • the adhesive layer 48 is provided in the entire region between the reinforcing member 50 and the filler 70 in order to fix the reinforcing member 50 to the filler 70.
  • the method for forming the filler 70 is not particularly limited. For example, after the adhesive layer 48 and the reinforcing member 50 are sequentially formed on the conversion layer 30 covered with the adhesive layer 60, the reflective layer 62, the adhesive layer 64, and the protective layer 65, the conversion layer 30 (the protective layer 65) and the reinforcing layer 50 are reinforced. A filler 70 having fluidity may be injected into a space formed between the member 50 and the filler 70 may be cured. Further, for example, after the conversion layer 30, the adhesive layer 60, the reflective layer 62, the adhesive layer 64, and the protective layer 65 are sequentially formed on the sensor substrate 12, the filler 70 is formed, and the adhesive layer 60, the reflective layer 62, and the adhesive are formed. The adhesive layer 48 and the reinforcing member 50 may be sequentially formed so as to cover the conversion layer 30 and the filler 70 covered with the layer 64 and the protective layer 65.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing member 50 is bent along the inclination of the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30, and the portion where the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the sensor substrate 12 is covered. It also covers. Further, the end portions of the reinforcing member 50 are aligned with the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65. Note that the positions of the end portions of the reinforcing member 50 and the positions of the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 do not have to be completely matched.
  • the ends of the reinforcing member 50, the adhesive layer 48, the protective layer 65, and the adhesive layer 64 are sealed with a sealing member 72.
  • the sealing member 72 is preferably provided in a region extending from the surface of the sensor substrate 12 to the surface of the reinforcing member 50 and not covering the pixel region 15.
  • a resin can be used, and a thermoplastic resin is particularly preferable. Specifically, acrylic glue, urethane glue, or the like can be used as the sealing member 72.
  • the reinforcing member 50 is higher in rigidity than the protective layer 65, and a restoring force that attempts to eliminate the bending acts on the bent portion of the reinforcing member 50, which may cause the protective layer 65 to peel off.
  • the conversion layer 30 protective layer 65
  • the reinforcing member 50 in the region corresponding to the peripheral edge portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30 and further outside the region.
  • the filler 70 is provided in the space formed in the above.
  • another reinforcing member 50A is laminated on the surface of the reinforcing member 50 via the adhesive layer 48A. More specifically, the reinforcing member 50 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 has an end portion outside the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 extending to the sensor substrate 12, and the sensor substrate. You may provide so that it may be located inside 12 edge part.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A of the conversion layer 30, and corresponds to the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30.
  • the peripheral portion 30B of the conversion layer 30 between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50.
  • a corresponding space is formed.
  • the end of the reinforcing member 50 is supported by the spacer 46. That is, one end of the spacer 46 is connected to the first surface 14 ⁇ / b> A of the base material 14 of the sensor substrate 12, and the other end of the spacer 46 is connected to the end of the reinforcing member 50 through the adhesive layer 47.
  • the spacer 46 instead of providing the spacer 46, or in addition to providing the spacer 46, according to the example shown in FIG. 17, the space between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50, and the sensor substrate 12.
  • the filler formed in the space formed between the reinforcing member 50 and the reinforcing member 50 may be filled.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing member 50 is bent so as to follow the inclination in the peripheral edge portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the sensor substrate 12. And the sensor substrate 12 on the outer side is also covered. That is, the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are sealed by the reinforcing member 50.
  • a portion of the reinforcing member 50 that extends on the sensor substrate 12 is bonded to the sensor substrate 12 via an adhesive layer 48. In this way, it is possible to suppress peeling of the protective layer 65 by covering the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 with the reinforcing member 50.
  • the end portion of the reinforcing member 50 may be sealed using the sealing member 72 following the example shown in FIG.
  • another reinforcing member 50 ⁇ / b> A is provided in a region corresponding to the end portion of the conversion layer 30 on the surface of the reinforcing member 50.
  • the reinforcing member 50 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 ⁇ / b> A may be made of the same material as that of the reinforcing member 50. In the radiation detector 10, the amount of bending of the sensor substrate 12 at the end of the conversion layer 30 is relatively large.
  • the effect of suppressing the bending of the sensor substrate 12 at the end portion of the conversion layer 30 can be promoted by forming a laminated structure of the reinforcing members 50 and 50 ⁇ / b> A. .
  • the spacer 46 instead of providing the spacer 46, following the example shown in FIG. 17, it is formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50.
  • the space 70 may be filled with the filler 70.
  • the reinforcing member 50 may be provided so that the end portion thereof is aligned with the end portion of the sensor substrate 12. The position of the end portion of the reinforcing member 50 and the position of the end portion of the sensor substrate 12 do not need to be completely coincident.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 30 ⁇ / b> A of the conversion layer 30, and corresponds to the peripheral portion 30 ⁇ / b> B of the conversion layer 30.
  • a corresponding space is formed.
  • the end of the reinforcing member 50 is supported by the spacer 46.
  • one end of the spacer 46 is connected to the flexible cable 112 provided at the end of the sensor substrate 12, and the other end of the spacer 46 is connected to the end of the reinforcing member 50 via the adhesive layer 47.
  • a filler 70 is filled in a space formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50.
  • the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70.
  • the space 70 formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50 is filled with the filler 70, so that FIG. Compared with the form to show, peeling from the conversion layer 30 (protective layer 65) of the reinforcement member 50 can be suppressed.
  • the conversion layer 30 has a structure that is fixed to the sensor substrate 12 by both the reinforcing member 50 and the filler 70, it is possible to suppress peeling of the conversion layer 30 from the sensor substrate 12. Moreover, since the connection part of the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70, it becomes possible to suppress peeling of the flexible cable 112.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing member 50 is bent along the inclination of the peripheral edge portion 30B of the conversion layer 30, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the sensor substrate 12, The connection part of the board
  • the portions of the reinforcing member 50 extending on the sensor substrate 12 and the flexible cable 112 are bonded to the sensor substrate 12 and the flexible cable 112 via the adhesive layer 48, respectively. Since the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered by the flexure reinforcing member 50, the peeling of the flexible cable 112 can be suppressed.
  • the space 70 formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50 is filled with the filler 70.
  • another bending reinforcement member 50A is laminated on the surface of the reinforcement member 50 via the adhesive layer 48A.
  • the reinforcing member 50 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 ⁇ / b> A may be made of the same material as that of the reinforcing member 50.
  • the amount of bending of the sensor substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 30.
  • the effect of suppressing the bending of the sensor substrate 12 at the end portion of the conversion layer 30 can be promoted by forming a laminated structure of the reinforcing members 50 and 50 ⁇ / b> A. .
  • the reinforcing member 50 may be provided such that the end portion thereof is located outside the end portion of the sensor substrate 12.
  • the reinforcing member 50 is bonded to the protective layer 65 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 30A of the conversion layer 30 and corresponds to the peripheral portion 30B of the conversion layer 30.
  • a corresponding space is formed.
  • the end of the reinforcing member 50 is supported by the spacer 46. That is, one end of the spacer 46 is connected to the flexible cable 112 provided at the end of the sensor substrate 12, and the other end of the spacer 46 is connected to the end of the reinforcing member 50 via the adhesive layer 47.
  • the separation of the reinforcing member 50 can be suppressed. Further, the bending suppression effect by the reinforcing member 50 can be applied to the vicinity of the end portion of the sensor substrate 12.
  • a filler 70 is filled in a space formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50.
  • the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70.
  • the filler 70 is filled in the space formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50, so that FIG. Compared with the form to show, peeling from the conversion layer 30 (protective layer 65) of the reinforcement member 50 can be suppressed.
  • the conversion layer 30 has a structure that is fixed to the sensor substrate 12 by both the reinforcing member 50 and the filler 70, it is possible to suppress peeling of the conversion layer 30 from the sensor substrate 12. Moreover, since the connection part of the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70, it becomes possible to suppress peeling of the flexible cable 112.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing member 50 is bent along the inclination of the peripheral edge portion 30B of the conversion layer 30, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 cover the sensor substrate 12, The connection part of the board
  • the portions of the reinforcing member 50 extending on the sensor substrate 12 and the flexible cable 112 are bonded to the sensor substrate 12 and the flexible cable 112 via the adhesive layer 48, respectively. Since the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered by the reinforcing member 50, it is possible to suppress peeling of the flexible cable 112.
  • the sensor board 12 is relatively connected to the connection part between the flexible cable 112 and the terminal 113. Large deflection may occur. Since the connection part of the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the reinforcing member 50, it becomes possible to suppress the bending of the sensor substrate 12 in the said part.
  • the space 70 formed between the conversion layer 30 (protective layer 65) and the reinforcing member 50 and between the sensor substrate 12 and the reinforcing member 50 is filled with the filler 70.
  • another reinforcing member 50A is laminated on the surface of the reinforcing member 50 via the adhesive layer 48A. More specifically, the reinforcing member 50 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 30.
  • the reinforcing member 50 ⁇ / b> A may be made of the same material as that of the reinforcing member 50.
  • the amount of bending of the sensor substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 30.
  • the effect of suppressing the bending of the sensor substrate 12 at the end portion of the conversion layer 30 can be promoted by forming a laminated structure of the reinforcing members 50 and 50 ⁇ / b> A. .
  • the flexible sensor substrate 12 is attached to the support 200 such as a glass substrate via the release layer 202, and the conversion layer 30 is placed on the sensor substrate 12. After stacking, the support 200 is peeled from the sensor substrate 12. At this time, the sensor substrate 12 having flexibility may be bent, which may damage the pixels 16 formed on the sensor substrate 12. Before the support 200 is peeled from the sensor substrate 12, the support member is peeled from the sensor substrate 12 by laminating the reinforcing member 50 on the conversion layer 30 in the form illustrated in FIGS. It is possible to suppress the bending of the sensor substrate 12 that occurs at the time, and to reduce the risk of damage to the pixels 16.
  • the reinforcing member 50 is not limited to a single layer (single layer), and may be composed of multiple layers.
  • the radiation detector 10 includes a first reinforcing member 50 ⁇ / b> B, a second reinforcing member 50 ⁇ / b> C, and a third reinforcing member 50 ⁇ / b> D that are stacked in this order from the reinforcement member 50 and the conversion layer 30.
  • the form which made the multilayer film of 3 layers is shown.
  • each layer included in the reinforcing member 50 preferably has a different function.
  • the first reinforcing member 50B and the third reinforcing member 50D are non-conductive layers having an antistatic function
  • the second reinforcing member 50C is a conductive layer, thereby reinforcing.
  • the member 50 may have an electromagnetic shielding function.
  • the first reinforcing member 50B and the third reinforcing member 50D in this case include an antistatic film such as a film using an antistatic paint “Colcoat” (trade name: manufactured by Colcoat).
  • the second reinforcing member 50C includes, for example, a conductive sheet, a conductive mesh sheet such as Cu, and the like.
  • the control substrate 110, the power supply unit 108, and the like may be provided on the conversion layer 30 side (see FIG. 52).
  • electromagnetic noise from the control board 110 and the power supply unit 108 can be shielded.
  • FIG. 35 is a plan view showing an example of the structure of the reinforcing member 50.
  • the reinforcing member 50 may have a plurality of through holes 50H on its main surface.
  • the size and pitch of the through holes 50 ⁇ / b> H are determined so that desired rigidity can be obtained in the reinforcing member 50.
  • the reinforcing member 50 has the plurality of through holes 50H, it is possible to discharge air introduced into the joint surface between the reinforcing member 50 and the conversion layer 30 from the through holes 50H. Thereby, generation
  • FIG. 36 is a perspective view showing another example of the structure of the reinforcing member 50.
  • the reinforcing member 50 has a concavo-convex structure on the joint surface with the conversion layer 30.
  • the uneven structure may include a plurality of grooves 63 arranged in parallel to each other.
  • the reinforcing member 50 has a surface having a concavo-convex structure formed by a plurality of grooves 63 joined to the conversion layer 30 covered with the reflective layer 62.
  • the reinforcing member 50 has an uneven structure on the joint surface with the conversion layer 30, the air introduced into the joint portion between the reinforcing member 50 and the conversion layer 30 can be discharged from the groove 63. . Thereby, it becomes possible to suppress generation
  • FIGS. 38 and 39 are plan views showing other examples of the structure of the reinforcing member 50, respectively.
  • the reinforcing member 50 may be divided into a plurality of pieces 54.
  • Reinforcing member 50 as shown in FIG. 38, a plurality of pieces 54 (Fig. 54 5-54 11), may be divided so as to be arranged in one direction.
  • the reinforcing member 50 may be divided so that a plurality of pieces 54 (FIGS. 54 1 to 54 4 ) are arranged in the vertical direction and the horizontal direction.
  • FIGS. 38 and 39 by dividing the reinforcing member 50 into a plurality of pieces 54, it is possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the reinforcing member 50 and the conversion layer 30. Thereby, it becomes possible to maintain the adhesiveness of the reinforcement member 50 and the conversion layer 30, and it becomes possible to maintain the bending suppression effect by the reinforcement member 50.
  • FIG. 38 by dividing the reinforcing member 50 into a plurality of pieces 54, it is possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the reinforcing member 50 and the conversion layer 30. Thereby, it becomes possible to maintain the adhesiveness of the reinforcement member 50 and the conversion layer 30, and it becomes possible to maintain the bending suppression effect by the reinforcement member 50.
  • a reinforcing member 52 may be provided on the opposite side of the stress neutral surface adjusting member 36 from the side in contact with the sensor substrate 12 (second surface 14B).
  • 40 to 44 are cross-sectional views showing examples of installation forms of the reinforcing member 52, respectively.
  • a reinforcing member 52 is laminated on the surface of the stress neutral surface adjusting member 36 opposite to the surface on the sensor substrate 12 side with an adhesive layer 51 interposed therebetween.
  • the reinforcing member 52 may be made of the same material as the reinforcing member 50.
  • the reinforcing member 52 may be provided only on the outer peripheral portion of the sensor substrate 12 in order to minimize the area of the portion where the reinforcing member 52 and the pixel region 15 overlap. preferable. That is, the reinforcing member 52 may have an annular shape having an opening 61 in a portion corresponding to the pixel region 15 as shown in FIGS.
  • the reinforcing member 52 is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 30.
  • the amount of bending of the sensor substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 30.
  • the effect of suppressing the bending of the sensor substrate 12 at the end portion of the conversion layer 30 is promoted by forming a laminated structure of the stress neutral surface adjusting member 36 and the reinforcing member 52. It becomes possible to make it.
  • the radiation detector 10 When the radiation detector 10 is used as the ISS system, as shown in FIG. 40, when a part of the reinforcing member 52 overlaps the pixel region 15, depending on the material of the reinforcing member 52, the image may be affected. is there. Therefore, when a part of the reinforcing member 52 overlaps with the pixel region 15, it is preferable to use plastic as the material of the reinforcing member 52.
  • the reinforcing member 52 straddles the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 30 and does not overlap the pixel region 15 (that is, the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 52 is
  • the configuration in which the pixel region 15 is disposed outside the pixel region 15 is most preferable.
  • the position of the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 52 and the position of the end portion of the pixel region 15 are substantially the same.
  • the end of the opening 61 of the reinforcing member 52 is disposed between the end of the pixel region 15 and the end of the conversion layer 30.
  • the position of the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 52 may substantially coincide with the position of the end portion of the conversion layer 30 as shown in FIG. 43, and as shown in FIG. 44, the conversion layer You may arrange
  • the reinforcing member 52 does not have a structure straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 30, the effect of suppressing the bending of the sensor substrate 12 at the end of the conversion layer 30 may be reduced. .
  • a laminated structure including the stress neutral surface adjusting member 36 and the reinforcing member 52 is formed on the outer peripheral portion of the sensor substrate 12 where the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 exists, so that the flexible cable 112 and the terminal 113 are formed. The effect of suppressing the bending of the sensor substrate 12 at the connecting portion is maintained.
  • the sensor substrate 12 (base material 14) and the stress neutral surface adjustment member 36 have the same size.
  • the size of the surface adjustment member 36 may be different.
  • the radiation detector 10 when the radiation detector 10 is applied to the radiation image capturing apparatus 1, the radiation detector 10 may be fixed to a housing 120 (see FIG. 7 or the like) that houses the radiation detector 10 or the like.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 is made larger than the sensor substrate 12, a flap or the like is provided, and a radiation detector is used by using a portion such as a flap.
  • Ten fixations may be performed. For example, it is good also as a form which provides a hole in the flap part of the stress neutral surface adjustment member 36, and fixes to the housing
  • substrate 12 is not limited to the form shown to FIG. 45A.
  • the stress neutral plane adjusting member 36 may be configured by a plurality of layers stacked, and a part of the layers may be larger than the sensor substrate 12.
  • the stress neutral surface adjustment member 36 includes a first layer 36 ⁇ / b> D having the same size as the sensor substrate 12 (base material 14) and a second layer 36 ⁇ / b> E larger than the sensor substrate 12.
  • a two-layer structure may be used.
  • the first layer 36D and the second layer 36E are bonded together by a double-sided tape, an adhesive layer or the like (not shown).
  • the first layer 36D is preferably formed of the same material as the above-described stress neutral surface adjustment member 36 and has the same properties as the stress neutral surface adjustment member 36.
  • the second layer 36E is bonded to the second surface 14B of the base material 14 by a double-sided tape, an adhesive layer, or the like (not shown).
  • Alpet registered trademark
  • the stress neutral surface adjusting member 36 is composed of a plurality of layers
  • the first layer 36D is formed on the second surface 14B of the substrate 14 as shown in FIG. 45C, contrary to the form shown in FIG. 45B. It is good also as a form bonded together.
  • the stress neutral surface adjusting member 36 is configured by a plurality of stacked layers, and some of the layers are formed from the sensor substrate 12. It is preferable to make it larger.
  • the stress neutral plane adjusting member 36 may be made smaller than the sensor substrate 12, contrary to the radiation detector 10 of FIGS. 45A to 45C. Since the end portion of the sensor substrate 12 is located outside the end portion of the stress neutral surface adjustment member 36, for example, the radiation detector 10 is accommodated in the housing 120 (see FIG. 7 and the like) When assembling, the position of the end portion of the sensor substrate 12 can be easily confirmed, so that the positioning accuracy can be improved.
  • the embodiment is not limited to the form shown in FIG. 46, and the same effect is achieved as long as at least a part of the end portion of the sensor substrate 12 (base material 14) is located outside the stress neutral surface adjustment member 36. Is preferable.
  • FIGS. 47 to 53 are diagrams showing other configuration examples of the radiographic image capturing apparatus 1, respectively.
  • FIG. 47 an example of the ISS type radiographic imaging apparatus 1 is shown in the same manner as the radiographic imaging apparatus 1 shown in FIG. Further, in the example shown in FIG. 48, an example of the PSS-type radiographic image capturing apparatus 1 is shown. 47 and 48, a configuration in which the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the drawing is illustrated.
  • a protective layer 117 is further provided between the radiation detector 10 and the inner wall of the imaging surface 120A of the housing 120.
  • the protective layer 117 is further provided on the imaging surface 120 ⁇ / b> A side on which the radiation R is incident.
  • an insulating sheet (film) such as an Alpet (registered trademark) sheet obtained by laminating aluminum by bonding an aluminum foil, a parylene (registered trademark) film, and insulating properties such as polyethylene terephthalate
  • the protective layer 117 has a moistureproof function and an antistatic function for the pixel region 15. Therefore, the protective layer 117 preferably covers at least the entire surface of the pixel region 15 on the side on which the radiation R is incident, and preferably covers the entire surface of the sensor substrate 12 on the side on which the radiation R is incident.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are both provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular pixel region 15.
  • the positions where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided are not limited to the forms shown in FIGS.
  • the power supply unit 108 and the control substrate 110 may be distributed on each of two opposing sides of the pixel region 15 or may be distributed on each of the two adjacent sides.
  • the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 intersect the direction in which the sensor board 12 and the conversion layer 30 are laminated (stacking direction P).
  • the casing 120 is provided with the power supply unit 108 and the control board 110, and the casing 120 is provided with the radiation detector 10. May be different.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are often thicker than the radiation detector 10 in many cases.
  • the casing 120 in which the radiation detector 10 is provided rather than the thickness of the portion of the casing 120 in which the power supply unit 108 and the control board 110 are provided. The thickness of this part may be thinner.
  • the thickness of the portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided is different from the portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided, If there is a step at the boundary between the two parts, there is a concern that the subject in contact with the boundary 120B may feel uncomfortable, and therefore the shape of the boundary 120B is preferably inclined.
  • the material of the housing 120 is composed of a portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided and a portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided. May be different. Furthermore, for example, even if the portion of the casing 120 in which each of the power supply unit 108 and the control board 110 is provided and the portion of the casing 120 in which the radiation detector 10 is provided are configured separately. Good.
  • the housing 120 is preferably made of a material having a low absorption rate of radiation R, particularly X-rays, and preferably having a high rigidity and a sufficiently high elastic modulus.
  • the portion 120C corresponding to the imaging surface 120A of the housing 120 is made of a material having a low absorption rate of radiation R, a high rigidity, and a sufficiently high elastic modulus, and the other portions.
  • the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 may be in contact with each other.
  • the radiation detector 10 and the wall surface without the housing 120 may be bonded via an adhesive layer, or may simply be in contact with each other without an adhesive layer.
  • the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 are in contact with each other, so that the rigidity of the radiation detector 10 is further ensured.
  • an example of the ISS type radiographic imaging apparatus 1 is shown in the same manner as the radiographic imaging apparatus 1 shown in FIG.
  • FIG. 53 an example of the PSS type radiographic image capturing apparatus 1 is shown.
  • the sensor board 12, the control board 110, and the power supply unit 108 are provided with the sheet 116 and the base 118 interposed therebetween. According to this configuration, in comparison with the case where the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the figure (see FIGS. 47 to 51), the radiographic imaging apparatus 1 in plan view The size can be reduced.
  • the position of the stress neutral surface 37 is preferably the position of the interface 19 has been described.
  • the position of the stress neutral surface 37 is not limited to the position of the interface 19.
  • the TFT 20 and the sensor unit 22 and the like on the sensor substrate 12 may be damaged before the conversion layer 30 is peeled off from the sensor substrate 12.
  • the position of the stress neutral surface 37 is set by the stress neutral surface adjustment member 36 as described above, as shown in FIG. It is preferable to set the position inside the sensor substrate side 12 within a predetermined range.
  • Radiographic imaging apparatus 10 Radiation detector 12 Sensor substrate 14 Base material, 14A 1st surface, 14B 2nd surface, 14L Fine particle layer, 14P Fine particle 15 Pixel area 16 Pixel 19 Interface 20 TFT (switching element) 21 Laminated body 22 Sensor part 24 Signal wiring 26 Scanning wiring 28 Common wiring 30 Conversion layer, 30B Central part, 30C Peripheral part 32 Protective film 36 Stress neutral surface adjustment member, 36A Antistatic film, 36B Stress neutral surface adjustment film, 36C Moisture-proof film, 36D 1st layer, 36E 2nd layer 37 Stress neutral surface 39 Adhesion layer 40 Buffer layer 46 Spacers 47, 48, 48A, 51 Adhesive layers 50, 50A to 50D, 52 Reinforcement member, 50H Through hole 54 1 ⁇ 54 11 fragment 60 Adhesive layer 61 Opening 62 Reflective layer 63 Groove 64 Adhesive layer 65 Protective layer 70 Filler 72 Sealing member 100 Control unit, 100A CPU, 100B memory, 100C Storage unit

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Abstract

放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、画素が形成された層における基材が設けられた側と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、基材の第１の面と反対側の第２の面の側に設けられ、応力中立面の位置を、センサ基板と対向する変換層の面である界面から、センサ基板及び変換層が積層されている積層方向Ｐの予め定められた範囲内に調整する応力中立面調整部材と、を備える。

Description

放射線検出器及び放射線画像撮影装置
　本発明は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。
　従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
　放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器として、センサ基板に可撓性の基材を用いたものが知られている（例えば、特開２０１３－２１７７６９号公報（特許文献１）参照）。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
　特許文献１に記載の技術では、可撓性の基材を用いているため撓み特性（剛性分布）を調整する撓み調整部材が設けられている。特許文献１に記載の技術では、撓み調整部材により、放射線検出器と、放射線検出器から電荷を読み出すための制御部等の電気回路とが一体的に構成された装置全体が撓むことで、剛性が小さい部分に応力が集中して、耐衝撃性が低下することを抑制している。
　ところで、放射線画像撮影装置の製造工程の途中等では、放射線検出器が単体で扱われる場合がある。
　変換層とセンサ基板とが積層された積層方向と交差する方向に、放射線検出器と電気回路とが並んで配置され、放射線検出器及び電気回路の全体に亘って撓み調整部材を設けた放射線画像撮影装置では、放射線検出器単体で扱われる場合が考慮されていない。そのため、上記構成の放射線画像撮影装置における放射線検出器が単体で扱われる場合、センサ基板が変換層から剥離してしまう懸念があった。
　本開示は、変換層とセンサ基板とが積層された積層方向と交差する方向に、放射線検出器と電気回路とが並んで配置され、放射線検出器及び電気回路の全体に亘って撓み調整部材を設けた放射線画像撮影装置に比べて、放射線検出器単体におけるセンサ基板と変換層との剥離を抑制することができる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材、及び基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、画素が形成された層における基材が設けられた側と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、基材の第１の面と反対側の第２の面の側に設けられ、応力中立面の位置を、センサ基板と対向する変換層の面である界面から、センサ基板及び変換層が積層されている積層方向の予め定められた範囲内に調整する応力中立面調整部材と、を備える。
　また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、予め定められた範囲は、応力中立面調整部材を設けない場合の界面と応力中立面との距離よりも短い範囲である。
　また、本開示の第３の態様の放射線検出器、第１の態様または第２の態様の放射線検出器において、応力中立面調整部材は、少なくともセンサ基板と変換層とが対向する領域を覆う領域に設けられている。
　また、本開示の第４の態様の放射線検出器は、第１の態様から第３の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、応力中立面調整部材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下である。
　また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、応力中立面調整部材の材料は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、及び低密度ポリエチレンの少なくとも一つを含む。
　また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第５の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層の熱膨張率に対する応力中立面調整部材の熱膨張率の比が０．５以上、４以下である。
　また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、応力中立面調整部材は、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ以上、２００ｐｐｍ／Ｋ以下である。
　また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、界面に設けられ、かつセンサ基板及び変換層に接する密着層をさらに備える。
　また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、センサ基板と、変換層との間に設けられ、変換層の熱膨張率とセンサ基板の熱膨張率との差を緩衝する緩衝層をさらに備える。
　また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、応力中立面調整部材は、積層方向に積層された、機能が異なる複数の膜を含む。
　また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１０の態様の放射線検出器において、複数の膜は、応力中立面調整膜と、帯電防止膜とを含む。
　また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１１の態様の放射線検出器において、帯電防止膜は、応力中立面調整膜よりも第２の面側に設けられている。
　また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１０の態様の放射線検出器において、複数の膜は、応力中立面調整膜と、防湿膜とを含む。
　また、本開示の第１４の態様の放射線検出器は、第１３の態様の放射線検出器において、防湿膜は、応力中立面調整膜よりも第２の面側に設けられている。
　また、本開示の第１５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材は、樹脂製であり、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子を含む微粒子層を有する。
　また、本開示の第１６の態様の放射線検出器は、第１５の態様の放射線検出器において、基材は、微粒子層を、第２の面側に有する。
　また、本開示の第１７の態様の放射線検出器は、第１５の態様または第１７の態様の放射線検出器において、微粒子は、基材を構成する元素よりも原子番号が大きく且つ原子番号が３０以下の元素を含む。
　また、本開示の第１８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材は、３００℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。
　また、本開示の第１９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１８の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基材は、厚みが２５μｍの状態において４００℃におけるＭＤ（Machine Direction）方向の熱収縮率が０．５％以下、及び５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上の少なくとも一方を満たす。
　また、本開示の第２０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、応力中立面調整部材は、基材よりも剛性が高い。
　また、本開示の第２１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第２０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩを含む。　　　
　また、本開示の第２２の態様の放射線画像撮影装置は、第１の態様から第３１の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて、複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、を備える。
　また、本開示の第２３の態様の放射線画像撮影装置は、第３２の態様の放射線画像撮影装置において、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
　また、本開示の第２４の態様の放射線画像撮影装置は、第３２の態様の放射線画像撮影装置において、制御部、駆動部、及び信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に、電源部と、制御部と、放射線検出器とが並んで設けられている。
　また、本開示の第２５の態様の放射線画像撮影装置は、第３２の態様の放射線画像撮影装置において、放射線が照射される照射面を有し、放射線検出器におけるセンサ基板及び変換層のうち、センサ基板が照射面と対向する状態に放射線検出器を収納する筐体をさらに備えた。
　第１の態様によれば、変換層とセンサ基板とが積層された積層方向と交差する方向に、放射線検出器と電気回路とが並んで配置され、放射線検出器及び電気回路の全体に亘って撓み調整部材を設けた放射線画像撮影装置に比べて、放射線検出器単体におけるセンサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第２の態様によれば、予め定められた範囲が、応力中立面調整部材を設けない場合の界面と応力中立面との距離よりも長い範囲の場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第３の態様によれば、応力中立面調整部材が、センサ基板と変換層とが対向する領域を覆う領域に設けられていない場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第４の態様によれば、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ未満の場合、または２５００ＭＰａを越える場合に比べて、所望の剛性を得るための応力中立面調整部材の厚みを抑制することができる。
　第５の態様によれば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、及び低密度ポリエチレンの少なくとも一つを含まない場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第６の態様によれば、熱膨張率の比が０．５未満の場合、または４を越える場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第７の態様によれば、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ未満の場合、または２００ｐｐｍ／Ｋを越える場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第８の態様によれば、密着層を設けない場合に比べて、変換層をセンサ基板から剥離し　難くすることができる。
　第９の態様によれば、緩衝層を設けない場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第１０の態様によれば、応力中立面調整部材を単一の膜で構成する場合に比べて、センサ基板と変換層との剥離を抑制する効果以外の効果も得ることができる。
　第１１の態様によれば、帯電防止膜を設けない場合に比べて、センサ基板が帯電するのを防止することができる。
　第１２の態様によれば、帯電防止膜が応力中立面調整膜よりも第１の面側に設けられている場合に比べて、センサ基板が帯電するのを防止することができる。
　第１３の態様によれば、防湿膜を設けない場合に比べて、基材及び変換層に対する防湿性能を高めることができる。
　第１４の態様によれば、防湿膜が応力中立面調整膜よりも第１の面側に設けられている場合に比べて、基材及び変換層に対する防湿性能を高めることができる。
　第１５の態様によれば、基材が平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子を含む微粒子層を有さない場合に比べて、基材内で発生した後方散乱線を抑制することができる。
　第１６の態様によれば、基材が微粒子層を第１の面側に有する場合に比べて、精度良く画素を形成することができる。
　第１７の態様によれば、微粒子が、基材を構成する元素よりも原子番号が大きく且つ原子番号が３０以下の元素を含まない場合と比較して、後方散乱線の抑制を効果的に行うことができ、かつ微粒子層における放射線の吸収を抑制することができる。
　第１８の態様によれば、基材が３００℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋを越える場合に比べて、画素の製造に適した基材とすることができる。
　第１９の態様によれば、基材が、厚みが２５μｍの状態において４００℃におけるＭＤ方向の熱収縮率が０．５％を越える場合、かつ５００℃における弾性率が１ＧＰａ未満の場合に比べて、画素の製造に適した基材とすることができる。
　第２０の態様によれば、応力中立面調整部材の剛性が基材の剛性以下の場合に比べて、基材の撓みを抑制することができる。
　第２１の態様によれば、変換層がＣｓＩを含まない場合に比べて、放射線から可視光への変換効率を高くすることができる。
　第２２の態様によれば、第１の態様から第２１の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と異なる放射線検出器を備える場合に比べて、撓ませて用いた場合でもセンサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第２３の態様によれば、第１の態様から第２１の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と異なる放射線検出器を備える場合に比べて、制御部と放射線検出器とが、放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に並んで設けられている場合であってもセンサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第２４の態様によれば、第１の態様から第２１の態様のいずれか１態様に記載の放射線検出器と異なる放射線検出器を備える場合に比べて、電源部と、制御部と、放射線検出器とが、放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に並んで設けられている場合であってもセンサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　第２５の態様によれば、筐体が、照射面と変換層とが対向する状態に放射線検出器を収納する場合に比べて、放射線画像の画質を向上することができる。
第１実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 第１実施形態の放射線検出器の一例を、第１の面側からみた平面図である。 基材の一例を説明するための断面図である。 被写体を透過した放射線により、微粒子層を有する基材内で発生する後方散乱線を説明するための説明図である。 被写体を透過した放射線により、微粒子層を有さない基材内で発生する後方散乱線を説明するための説明図である。 図２Ａに示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 図２Ａ及び図３に示した放射線検出器の製造方法を説明する説明図である。 放射線検出器に対して各層の積層方向に荷重をかけて撓ませた状態の一例を示す模式図である。 応力中立面調整部材の作用を説明するための模式図である。 応力中立面調整部材の作用を説明するための模式図である。 応力中立面調整部材の作用を説明するための模式図である。 ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式に本実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の一例を示す断面図である。 ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置を適用した場合における、放射線検出器が筐体内に設けられた状態の他の例を示す断面図である。 第２実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 第３実施形態の放射線検出器の一他の断面図である。 第１実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 第１実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の補強部材の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態の補強部材の構造の一例を示す斜視図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の補強部材の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態の補強部材の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 応力中立面の位置を説明するための模式図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
　本実施形態の放射線画像撮影装置は、撮影対象である被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力することにより、撮影対象の放射線画像を撮影する機能を有する。
　まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
　図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
　放射線検出器１０は、センサ基板１２（図３参照）と、放射線を光に変換する変換層３０（図３参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１４と、基材１４の第１の面１４Ａに設けられた複数の画素１６と、を備えている。なお、以下では、複数の画素１６について、単に「画素１６」という場合がある。
　図１に示すように本実施形態の各画素１６は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部２２、及びセンサ部２２にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子２０を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子２０として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子２０を「ＴＦＴ２０」という。本実施形態では、センサ部２２及びＴＦＴ２０が形成され、さらに平坦化された層として基材１４の第１の面１４Ａに画素１６が形成された層が設けられる。以下では、画素１６が形成された層についても、説明の便宜上「画素１６」という場合がある。
　画素１６は、センサ基板１２の画素領域１５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素１６の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素１６は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
　また、放射線検出器１０には、画素１６の行毎に備えられた、ＴＦＴ２０のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線２６と、画素１６の列毎に備えられた、センサ部２２に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線２４と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線２６の各々は、それぞれパッド（図示省略）を介して、駆動部１０２に接続される。駆動部１０２には、後述する制御部１００が接続されており、制御部１００から出力される制御信号に応じて駆動信号を出力する。複数の走査配線２６の各々は、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ２０を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線の各々に流れる。また、複数の信号配線２４の各々が、それぞれパッド（図示省略）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素１６から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。
　信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
　制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
　また、各画素１６のセンサ部２２には、各画素１６にバイアス電圧を印加するために、共通配線２８が信号配線２４の配線方向に設けられている。共通配線２８が、パッド（図示省略）を介して、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素１６にバイアス電圧が印加される。
　電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、及び画像メモリ１０６等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
　さらに、本実施形態の放射線検出器１０について詳細に説明する。図２Ａは、本実施形態の放射線検出器１０を、第１の面１４Ａ側からみた平面図である。また、図３は、図２Ａにおける放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図である。
　本実施形態の放射線検出器１０は、図２Ａ及び図３に示すように、基材１４及び画素１６を含むセンサ基板１２と、変換層３０と、保護膜３２と、を備えており、基材１４、画素１６、及び変換層３０がこの順に設けられている。なお、以下では、基材１４、画素１６、及び変換層３０が並ぶ方向（図３における上下方向）を積層方向（図３、積層方向Ｐ参照）という。また、説明の便宜上、放射線検出器１０における積層方向Ｐの変換層３０側を「上」といい、センサ基板１２側を「下」という場合がある。
　基材１４は、可撓性を有し、例えば、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１４の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ（第１の面１４Ａまたは第２の面１４Ｂの面積）等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。可撓性を有する例としては、矩形状の基材１４単体の場合に、基材１４の１辺を固定した状態で、固定した辺より１０ｃｍ離れた位置で基材１４の自重による重力で２ｍｍ以上、基材１４が垂れ下がる（固定した辺の高さよりも低くなる）ものを指す。基材１４が樹脂シートの場合の具体例としては、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ～５０μｍのものであればより好ましい。
　なお、基材１４は、詳細を後述する画素１６の製造に耐え得る特性を有しており、本実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１４が有する特性としては、３００℃～４００℃における熱膨張率（CTE：Coefficient of Thermal Expansion)が、アモルファスシリコン（Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましく、具体的には、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１４の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃におけるＭＤ（Machine Direction）方向の熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。また、基材１４の弾性率は、３００℃～４００℃間の温度領域において、一般的なＰＩが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。
　また、本実施形態の基材１４は、図２Ｂ及び図２Ｃに示したように、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子１４Ｐを含む微粒子層１４Ｌを有することが好ましい。なお、図２Ｃは、本実施形態の放射線検出器１０を、センサ基板１２側から放射線Ｒが照射される、ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式の放射線検出器に適用した場合の例を示す。
　図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、基材１４では、被写体Ｓを透過した放射線Ｒにより、後方散乱線Ｒｂが発生する。基材１４がＰＩ等の樹脂製の場合、有機物であるため、有機物を構成する、比較的原子番号の小さい、Ｃ、Ｈ、Ｏ、及びＮ等の原子は、コンプトン効果により、後方散乱線Ｒｂが多くなる。
　図２Ｃに示すように、基材１４が、基材１４内で発生した後方散乱線Ｒｂを吸収する微粒子１４Ｐを含む微粒子層１４Ｌを有する場合、図２Ｄに示すように、基材１４が、微粒子層１４Ｌを有さない場合に比べて、基材１４を透過し、後方に散乱する後方散乱線Ｒｂが抑制されるため、好ましい。
　このような微粒子１４Ｐとしては、自身による後方散乱線Ｒｂの発生量が少なく、また、後方散乱線Ｒｂを吸収する一方、被写体Ｓを透過した放射線Ｒの吸収が少ない原子を含む無機物が好ましい。なお、後方散乱線Ｒｂの抑制と、放射線Ｒの透過性とはトレードオフの関係にある。後方散乱線Ｒｂの抑制の観点からは、微粒子１４Ｐは、基材１４の樹脂を構成するＣ、Ｈ、Ｏ、及びＮ等よりも原子番号が大きい元素を含んでいることが好ましい。一方、原子番号が大きいほど、後方散乱線Ｒｂを吸収する能力が高くなるものの、原子番号が３０を超えると、放射線Ｒの吸収量が増加し、変換層３０に到達する放射線Ｒの線量の減少が著しくなるため好ましくない。そのため、微粒子１４Ｐは、樹脂性の基材１４の場合、原子番号が、基材１４である有機物を構成する原子よりも大きく、かつ３０以下である無機物を用いることが好ましい。このような微粒子１４Ｐの具体例としては、原子番号が１４のＳｉの酸化物であるＳｉＯ２、原子番号が１２のＭｇの酸化物であるＭｇＯ、原子番号が１３のＡｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３、及び原子番号が２２のＴｉの酸化物であるＴｉＯ２等が挙げられる。
　このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。
　なお、本実施形態における上記の厚みについては、マイクロメーターを用いて測定した。熱膨張率については、ＪＩＳ　Ｋ７１９７：１９９１に則して測定した。なお測定は、基材１４の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について熱膨張率を測定し、最も高い値を基材１４の熱膨張率とした。熱膨張率の測定は、ＭＤ（Machine Direction）方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向のそれぞれについて、－５０℃～４５０℃において１０℃間隔で行い、（ｐｐｍ／℃）を（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定には、ＭＡＣサイエンス社製　ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ２、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。弾性率については、ＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６に則して測定した。なお測定は、基材１４の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について引っ張り試験を行い、最も高い値を基材１４の弾性率とした。
　なお、微粒子層１４Ｌに含まれる微粒子１４Ｐにより、基材１４の表面に凹凸が生じる場合がある。このように基材１４の表面に凹凸が生じた状態の上には、画素１６の形成が困難な場合がある。そのため、図２Ｃに示すように、基材１４は、画素１６が形成される第１の面と反対側の第２の面１４Ｂ、換言すると変換層３０が設けられる第１の面と反対側の第２の面１４Ｂに、微粒子層１４Ｌを有することが好ましい。
　また、基材１４内で発生した後方散乱線Ｒｂを十分に吸収するためには、基材１４において、被写体Ｓに近い側の面に、微粒子層１４Ｌを有することが好ましく、図２Ｃに示すようにＩＳＳ方式の放射線検出器１０では、第２の面１４Ｂに、微粒子層１４Ｌを有することが好ましい。
　このようにＩＳＳ方式の放射線検出器１０では、基材１４が、第２の面１４Ｂに微粒子層１４Ｌを有することにより、精度良く画素１６を形成することができ、かつ効果的に後方散乱線Ｒｂを抑制することができる。
　なお、所望の可撓性を有する基材１４としては、樹脂シート等、樹脂製のものに限定されない。例えば、基材１４は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１４がガラス基板の場合の具体例としては、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであれば所望のガラス基板であってもよい。
　図２Ａ及び図３に示すように、複数の画素１６は、基材１４の第１の面１４Ａにおける内側の一部の領域に設けられている。換言すると、本実施形態のセンサ基板１２では、基材１４の第１の面１４Ａの外周部には、画素１６が設けられていない。本実施形態では、基材１４の第１の面１４Ａにおける画素１６が設けられた領域を画素領域１５としている。
　また、図３に示すように、本実施形態の変換層３０は、画素領域１５を覆っている。本実施形態では、変換層３０の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ～７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
　また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２Ａ及び図３に示すように、保護膜３２が、基材１４の第１の面１４Ａの側に設けられ、画素１６及び変換層３０が積層された積層体全体を覆っている。具体的には、保護膜３２は、画素１６及び変換層３０が積層された積層体の、基材１４の第１の面１４Ａと接している面を除く面全体を覆っている。
　保護膜３２としては、例えば、パリレン（登録商標）、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート、及び絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート等の防湿膜が用いられる。
　また、本実施形態の放射線検出器１０は、図２Ａ及び図３に示すように、応力中立面調整部材３６が、基材１４の第２の面１４Ｂに設けられている。応力中立面調整部材３６は、放射線検出器１０における、放射線検出器１０を撓ませた場合における応力中立面（詳細後述）の積層方向Ｐに対する位置を調整する。本実施形態では、応力中立面調整部材３６の一例としてＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）を用いており、白ＰＥＴや発泡白ＰＥＴ等を用いてもよい。白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものであり、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。また、応力中立面調整部材３６の他の例としては、ＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、ＬＤＰＥ（Low Density Polyethylene：低密度ポリエチレン）、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide：ポリフェニレンサルファイド）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene：二軸延伸ポリプロピレンフィルム）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate：ポリエチレンナフタレート）、及びＰＩ等の有機膜等が挙げられる。
　また、本実施形態の応力中立面調整部材３６は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いることが好ましい。曲げ弾性率の測定方法は、例えばＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６準拠に基づく。応力中立面調整部材３６は、基材１４の撓みを抑制する観点からは、基材１４よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、応力中立面調整部材３６の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。上述の応力中立面調整部材３６の材料を考慮すると、１４００００Ｐａｃｍ４を越える曲げ曲げ剛性を得ようとする場合、応力中立面調整部材３６の厚みが、比較的厚くなってしまう傾向がある。そのため、適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、応力中立面調整部材３６に用いる素材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、応力中立面調整部材３６の曲げ剛性は、５４０Ｐａｃｍ４以上、１４００００Ｐａｃｍ４以下であることが好ましい。
　また、本実施形態の応力中立面調整部材３６の熱膨張率は、変換層３０の材料の熱膨張率に近い方が好ましく、より好ましくは、変換層３０の熱膨張率に対する応力中立面調整部材３６の熱膨張率の比（応力中立面調整部材３６の熱膨張率／変換層３０の熱膨張率）が、０．５以上、４以下であることが好ましい。このような応力中立面調整部材３６の熱膨張率としては、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、２００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、変換層３０がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、熱膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ～２００ｐｐｍ／ＫであるＬＤＰＥ、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるポリ塩化ビニル（PVC：Polyvinyl Chloride）、熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるアクリル、熱膨張率が６５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ、及び熱膨張率が４５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／Ｋであるテフロン(登録商標)等が、応力中立面調整部材３６の材料として挙げられる。
　さらに、上述した曲げ弾性率を考慮すると、応力中立面調整部材３６の材料としては、ＰＥＴ、ＰＣ、及びＬＤＰＥの少なくとも一つを含む材料であることがより好ましい。
　なお、応力中立面調整部材３６は、応力中立面の位置を調整する機能の他、帯電防止機能や、防湿機能等のその他の機能も有することが好ましい。
　図２Ａ及び図３に示した放射線検出器１０のように、可撓性の基材１４を用いたセンサ基板１２を備える放射線検出器１０の製造方法について図４を参照して説明する。
　図４に示すように、基材１４に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体２００に、剥離層２０２を介して、基材１４が形成される。ラミネート法により基材１４を形成する場合、支持体２００上に、基材１４となるシートを貼り合わせる。基材１４の第２の面１４Ｂが剥離層２０２に接する。
　さらに、基材１４の第１の面１４Ａに、画素１６が形成される。なお、本実施形態では、一例として、基材１４の第１の面１４Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素１６が形成される。
　さらに、画素１６が形成された層（以下、単に「画素１６」という）の上に、変換層３０が形成される。本実施形態では、センサ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層３０が形成される。この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　なお、このように、センサ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層３０を設けた場合、変換層３０のセンサ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層３０で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層３０に直接設けられてもよいし、密着層等を介して設けられてもよい。反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。なお、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。
　また、変換層３０としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本実施形態と異なる方法で、センサ基板１２に変換層３０を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成してもよい。この場合、アルミの板も含めた状態の変換層３０全体を保護膜３２により覆った状態のものを、センサ基板１２の画素１６と貼り合わせることが好ましい。なお、この場合、変換層３０における画素１６と接する側が、柱状結晶の成長方向の先端側となる。
　また、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層３０としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素１６とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層３０を形成することができる。なお、変換層３０にＣｓＩを用いる場合の方が、ＧＯＳを用いる場合に比べて、放射線から可視光への変換効率が高くなる。
　さらに、本実施形態の放射線検出器１０では、変換層３０が設けられたセンサ基板１２に、保護膜３２を画素１６及び変換層３０が積層された積層体全体を覆う領域に形成することにより、図４に示した状態となる。
　この後、変換層３０及び保護膜３２が設けられたセンサ基板１２を支持体２００から剥離する。例えば、ラミネート法では、センサ基板１２（基材１４）の四辺のいずれかを剥離の起点とし、起点となる辺から対向する辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体２００から引きはがすことにより、メカニカル剥離を行う。
　本実施形態では、さらに、支持体２００からセンサ基板１２を剥離した後、基材１４の第２の面１４Ｂに、貼り付け等により応力中立面調整部材３６が形成される。
　次に、本実施形態の放射線検出器１０における応力中立面調整部材３６の作用について、図５及び図６Ａ～図６Ｃを参照して説明する。応力中立面調整部材３６は、積層方向Ｐに荷重Ｗをかけたことにより、放射線検出器１０を撓ませた場合において生じる応力中立面３７の積層方向Ｐに対する位置を調整する。図５には、放射線検出器１０に対して積層方向Ｐに荷重Ｗをかけて撓ませた状態の一例の模式図を示す。なお、図５では、簡略化するため、放射線検出器１０のうち、センサ基板１２、変換層３０、及び応力中立面調整部材３６のみを模式的に図示している。
　図５では、放射線検出器１０が撓んだ状態の一例として、変換層３０側が延び、センサ基板１２（応力中立面調整部材３６）側が縮んだ状態を示している。この場合、放射線検出器１０が撓んでも延びも縮みもしない面（積層方向Ｐと交差する方向の面）である応力中立面３７が放射線検出器１０内に生じる。応力中立面３７では、応力が０となる。
　放射線検出器１０が撓む場合、センサ基板１２と変換層３０との界面１９に応力がかかることで、センサ基板１２から変換層３０が剥離し易くなる。なお、本実施形態において「界面」とは、変換層３０の、センサ基板１２と対向する面のことをいう。
　応力中立面調整部材３６を設けない場合、センサ基板１２に比べて変換層３０の方が厚みを有するため、一般的に、図６Ａに示すように、応力中立面３７の位置は、界面１９よりも変換層３０側（積層方向Ｐにおける上側）に位置する。図６Ａに示した場合では、界面１９にかかる応力により、変換層３０がセンサ基板１２から剥離し易くなる。
　一方、本実施形態の放射線検出器１０のように応力中立面調整部材３６をセンサ基板１２側に設けた場合、応力中立面３７の位置は、応力中立面調整部材３６を設けない場合よりもセンサ基板１２側に移動する。そのため、図６Ｂに示すように、応力中立面３７の位置を、界面１９近傍とすることができる。具体的には、図６Ａに示した応力中立面調整部材３６を設けない場合における界面１９と応力中立面３７との距離をｄ１とし、図６Ｂに示した応力中立面調整部材３６を設けた場合における界面１９と応力中立面３７との距離をｄ２とした場合、距離ｄ２を、距離ｄ１よりも小さく（ｄ１＞ｄ２）することができる。
　応力中立面３７の位置は、図６Ｃに示すように、界面１９と応力中立面３７との位置が一致することが好ましい。この場合、界面１９における応力を０とすることができるため、センサ基板１２から変換層３０が、より剥離し難くなる。
　このように、本実施形態の放射線検出器１０では、応力中立面調整部材３６をセンサ基板１２における基材１４の第２の面１４Ｂに設けることにより、放射線検出器１０に生じる応力中立面３７の位置を、界面１９から距離ｄ１未満となる範囲に調整することができる。本実施形態では、応力中立面３７の位置について、界面１９から距離ｄ１未満となる範囲を、応力中立面３７の位置の許容範囲としている。これにより、本実施形態の放射線検出器１０では、放射線検出器１０を撓ませた場合に、界面１９に生じる応力を０に近付けることができるため、センサ基板１２から変換層３０が剥離し難くなる。なお、本実施形態の界面１９から距離ｄ１未満となる範囲が、本開示の予め定められた範囲の一例である。
　なお、応力中立面３７の厚みは、応力中立面３７の界面１９からの位置として許容できる範囲（許容範囲、許容範囲＜２ｄ１）に応じて定まる。具体的な応力中立面３７の厚みは、センサ基板１２と変換層３０との密着程度（剥離し易さ）、及び想定される撓みの程度等に応じて定められる。例えば、変換層３０をセンサ基板１２に直接、蒸着により形成した場合、別途形成した変換層３０を貼り合わせる場合に比べて、変換層３０が剥離し易いため、変換層３０をセンサ基板１２に直接蒸着する場合の方が、貼り合わせる場合に比べて、応力中立面調整部材３６の厚みを厚くすることが好ましい。
　次に、本実施形態の放射線検出器１０を適用した放射線画像撮影装置１について説明する。放射線画像撮影装置１では、放射線を透過し、防水性、抗菌性、及び密閉性を有する筐体内に放射線検出器１０が設けられている。
　図７には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の一例を示す。
　図７に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が積層方向Ｐと交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の、放射線が照射される照射面である撮影面１２０Ａ側に、基材１４の第２の面１４Ｂが対向するように設けられている。
　制御基板１１０は、画像メモリ１０６及び制御部１００等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２によりセンサ基板１２の画素１６と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２上に駆動部１０２及び信号処理部１０４が設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip On Film）としているが、駆動部１０２及び信号処理部１０４の少なくとも一方が制御基板１１０に形成されていてもよい。
　また、制御基板１１０と電源部１０８とは、電源線１１４により接続されている。
　筐体１２０は、軽量であり、放射線Ｒ、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましい。筐体１２０の材料として、曲げ弾性率が１００００ＭＰａ以上である材料を用いることが好ましい。筐体１２０の材料として、２００００～６００００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有するカーボンまたはＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics）を好適に用いることができる。
　放射線画像撮影装置１による放射線画像の撮影においては、筐体１２０の撮影面１２０Ａに被写体からの荷重が印加される。筐体１２０の剛性が不足する場合、被写体からの荷重によりセンサ基板１２に撓みが生じ、画素１６が損傷する等の不具合が発生するおそれがある。１００００ＭＰａ以上の曲げ弾性率を有する材料からなる筐体１２０内部に、放射線検出器１０が収容されることで、被写体からの荷重によるセンサ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層３０側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層３０の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層３０全体を覆うこと好ましく、さらに、保護膜３２全体を覆うことがより好ましい。なお、シート１１６の厚さは、放射線画像撮影装置１全体の可撓性及び重量等に応じて選択すればよく、例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、厚さが０．１ｍｍ程度以上であれば、可撓性を有し、かつ外部から放射線画像撮影装置１の内部に侵入してきた２次放射線を遮蔽する機能も有する。また例えば、シート１１６が銅製のシートの場合、可撓性及び重量の観点からは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
　図７に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向に撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能である。例えば、被写体の撮影部位等に応じて放射線検出器１０を撓ませた状態に維持して放射線画像の撮影を行うことができる。
　図７に示した放射線画像撮影装置１では、相対的に剛性の高い筐体１２０の周辺部に電源部１０８及び制御基板１１０が設けられるため、電源部１０８及び制御基板１１０に与える外力の影響を抑制することができる。
　なお、図７では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の放射線検出器１０の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図７に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。また、図７では、本実施形態では、電源部１０８及び制御基板１１０を１つの構成部（基板）とした形態を示したが、図７に示した形態に限定されず、電源部１０８及び制御基板１１０の少なくとも一方を複数の構成部（基板）とした形態であってもよい。例えば、電源部１０８を第１電源部及び第２電源部（いずれも図示省略）を含む形態とし、第１電源部及び第２電源部の各々を、放射線検出器１０の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　なお、放射線画像撮影装置１（放射線検出器１０）全体を撓ませて放射線画像の撮影を行った場合、撓みによる画像への影響は画像補正を行うことにより抑制することができる。
　また、図８には、ＩＳＳ方式に本実施形態の放射線画像撮影装置１を適用した場合における、放射線検出器１０が筐体１２０内に設けられた状態の他の例を示す。
　図８に示すように、筐体１２０内には、積層方向Ｐと交差する方向に電源部１０８及び制御基板１１０が並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは積層方向Ｐに並んで設けられている。
　また、図８に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
　図８に示した放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０を基材１４の第２の面１４Ｂの面外方向にわずかに撓ませた状態、例えば、中央部を１ｍｍ～５ｍｍ程度撓ませた状態で放射線画像の撮影を行うことが可能であるが、制御基板１１０及び電源部１０８と放射線検出器１０とが積層方向Ｐに設けられており、かつ基台１１８が設けられているため、図７に示した放射線画像撮影装置１の場合ほどは撓まない。そのため、図７に示した放射線画像撮影装置１に比べて、撓みによる応力が小さく、センサ基板１２から変換層３０が剥離し難くなるため、応力中立面調整部材３６の厚みを薄くすることができる。
[第２実施形態]
　本実施形態の放射線検出器１０では、応力中立面調整部材３６の構成が第１実施形態の放射線検出器１０と異なる。第１実施形態では、応力中立面調整部材３６が単一の膜（層）である形態について説明した。これに対して、本実施形態では、応力中立面調整部材３６が複数の膜が積層された積層構成である形態について説明する。
　図９には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図９に示すように、本実施形態の放射線検出器１０における応力中立面調整部材３６は、帯電防止膜３６Ａ及び応力中立面調整膜３６Ｂが積層方向Ｐに積層された積層膜である。
　図９に示すように、帯電防止膜３６Ａは、応力中立面調整膜３６Ｂよりも基材１４に近い側、換言すると基材１４の第２の面１４Ｂに対応する側に設けられている。帯電防止膜３６Ａは、センサ基板１２が帯電するのを防止する機能を有している。そのため、帯電防止膜３６Ａは、上述したように、応力中立面調整膜３６Ｂよりもセンサ基板１２に近い側に設けられていることが好ましく、センサ基板１２に直接、接触していることがより好ましい。このような帯電防止膜３６Ａとしては、例えば、アルペットのシート や、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）を用いた膜等の帯電防止膜が挙げられる。 この場合、基材１４の第２の面１４Ｂにこれらの帯電防止膜を貼り付けることにより帯電防止膜３６Ａを形成することができる。
　一方、応力中立面調整膜３６Ｂは、主に、応力中立面３７の位置を許容範囲内に調整する機能を有する。一般に、帯電防止膜３６Ａの厚みは薄く、帯電防止膜３６Ａのみでは、応力中立面３７の位置を調整するのには不十分であるため、本実施形態では、応力中立面調整膜３６Ｂを設けることにより、応力中立面調整部材３６全体で、応力中立面３７の位置を許容範囲内に調整する。このような応力中立面調整膜３６Ｂは、第１実施形態で説明した応力中立面調整部材３６と同様の材料により構成することができ、製造方法も同様とすることができる。
　本実施形態の基材１４は可撓性を有しており、一般的な可撓性を有していない放射線検出器よりも基材１４の厚みが薄いため、摩擦等により基材１４が帯電し易くなる。センサ基板１２が帯電した場合、ＴＦＴ２０が静電破壊すること等により、センサ基板１２が劣化する場合があり、放射線検出器１０により得られる放射線画像の画質が低下する懸念がある。
　このような場合に対して本実施形態の放射線検出器１０では、応力中立面調整部材３６を帯電防止膜３６Ａ及び応力中立面調整膜３６Ｂを積層させた積層膜とすることにより、センサ基板１２が帯電するのを抑制することができる。
[第３実施形態]
　本実施形態の放射線検出器１０では、応力中立面調整部材３６の構成が第２実施形態の放射線検出器１０と異なる。
　図１０には、本実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。図１０に示すように、本実施形態の放射線検出器１０における応力中立面調整部材３６は、防湿膜３６Ｃ及び応力中立面調整膜３６Ｂが積層方向Ｐに積層された積層膜である。
　すなわち、図１０に示すように、本実施形態の応力中立面調整部材３６は、第２実施形態の応力中立面調整部材３６が有する帯電防止膜３６Ａに代わり、防湿膜３６Ｃを有する点で、第２実施形態の応力中立面調整部材３６と異なっている。
　図１０に示すように、防湿膜３６Ｃは、応力中立面調整膜３６Ｂよりも基材１４に近い側、換言すると基材１４の第２の面１４Ｂに対応する側に設けられている。防湿膜３６Ｃは、基材１４及び変換層３０に対する防湿性能を高めることができる。特に、変換層３０がＣｓＩの場合、ＣｓＩは水分に弱く、放射線検出器１０の内部に水分が侵入した場合、放射線画像の画質が低下する懸念がある。そのため、変換層３０にＣｓＩを用いた場合、本実施形態の放射線検出器１０のように、変換層３０に対する防湿性能を高めることが好ましい。
　従って、防湿膜３６Ｃは、上述したように、応力中立面調整膜３６Ｂよりもセンサ基板１２に近い側に設けられていることが好ましく、センサ基板１２に直接、接触していることがより好ましい。このような防湿膜３６Ｃとしては、保護膜３２と同様に、パリレン膜、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート、及びアルペットのシート等の防湿膜が挙げられる。この場合、基材１４の第２の面１４Ｂにこれらの防湿膜を貼り付けることにより、防湿膜３６Ｃを形成することができる。
　本実施形態の放射線検出器１０では、このように、応力中立面調整部材３６を防湿膜３６Ｃ及び応力中立面調整膜３６Ｂを積層させた積層膜とすることにより、基材１４の第２の面１４Ｂ側から水分が侵入するのを抑制することができ、防湿性を高めることができる。
　なお、応力中立面調整部材３６を複数の膜が積層された積層構成とする形態は、本実施形態及び上記第２実施形態に示した応力中立面調整部材３６の構成に限定されない。例えば、応力中立面調整部材３６は、帯電防止膜３６Ａ及び防湿膜３６Ｃの双方を含む構成であってもよいし、帯電防止膜３６Ａ及び防湿膜３６Ｃに替えて、またはこれらと共に、断熱膜や防振膜等を含む構成であってもよい。
　以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１４、及び基材１４の第１の面１４Ａに設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素１６が形成された層を含むセンサ基板１２と、画素１６が形成された層における基材１４が設けられた側と反対側に設けられ、放射線を光に変換する変換層３０と、基材１４の第１の面１４Ａと反対側の第２の面１４Ｂの側に設けられ、応力中立面３７の位置を、センサ基板１２と対向する変換層３０の面である界面１９から、センサ基板１２及び変換層３０が積層されている積層方向Ｐの予め定められた許容範囲内に調整する応力中立面調整部材３６と、を備える。
　センサ基板１２に可撓性の基材１４を用いた放射線検出器１０では、センサ基板１２が撓むことにより、センサ基板１２から変換層３０が剥離し易い。特に、放射線検出器１０単体で取り扱う場合、例えば、放射線画像撮影装置１の製造工程において、筐体１２０内に設けられる迄の間等における、いわゆるハンドリングを行う場合、放射線画像撮影装置１の状態と比べて、センサ基板１２が撓み易い。このように、放射線検出器１０単体で取り扱う場合、センサ基板１２が撓み易いため、センサ基板１２から変換層３０が剥離し易い。
　これに対して、上記各実施形態の放射線検出器１０では、応力中立面調整部材３６により、応力中立面３７の位置を界面１９から許容範囲内の位置に調整するため、放射線検出器１０単体であっても、放射線検出器１０が撓んだ場合にセンサ基板１２から変換層３０が剥離するのを抑制することができる。
　従って、上記各実施形態の放射線検出器１０によれば、変換層３０とセンサ基板１２とが積層された積層方向と交差する方向に、放射線検出器１０と電気回路とが並んで配置され、放射線検出器１０及び電気回路の全体に亘って撓み調整部材を設ける放射線画像撮影装置に比べて、放射線検出器１０単体であっても、センサ基板と変換層との剥離を抑制することができる。
　なお、応力中立面調整部材３６を設ける領域は特に限定されないが、基材１４の第２の面１４Ｂの側における、少なくとも、センサ基板１２と変換層３０とが対向する領域を覆う領域に設けられていればよい。
　なお、上記各実施形態では、センサ基板１２の上に直接、変換層３０が設けられている形態について説明したが、この形態に限定されず、センサ基板１２と変換層３０との間に他の層（膜）が設けられていてもよい。例えば、図１１に示した一例のように、放射線検出器１０は、センサ基板１２と変換層３０との間に密着層３９を有していてもよい。換言すると、センサ基板１２は、密着層３９を介して変換層３０と接していてもよい。密着層３９は、密着層３９を設けない場合に比べてセンサ基板１２と変換層３０との密着度を向上させるためのものである。密着層３９を有することにより、センサ基板１２と変換層３０との密着度が向上するため、密着層３９を設けない場合よりも変換層３０がセンサ基板１２から剥離し難くなる。従って、密着層３９を設ける場合、密着層３９を設けない場合よりも、応力中立面調整部材３６の厚さを薄くすることができる。このような密着層３９としては、例えば、パリレン膜等が挙げられる。
　また例えば、図１２に示した一例のように、放射線検出器１０は、センサ基板１２と変換層３０との間に緩衝層４０を有していてもよい。緩衝層４０は、変換層３０の熱膨張率と、基材１４の熱膨張率との差を緩衝させる機能を有する。緩衝層４０の熱膨張率は、センサ基板１２の熱膨張率と、変換層３０の熱膨張率との間の熱膨張率である。放射線検出器１０は、変換層３０の熱膨張率と、基材１４の熱膨張率との差が大きいほど、緩衝層４０を有することが好ましい。例えば、基材１４に、上記ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、他の材質に比べて、変換層３０の熱膨張率との差が大きくなるため、図１２に示した放射線検出器１０のように、緩衝層４０を設けることが好ましい。緩衝層４０としては、ＰＩ膜や、パリレン膜が用いられる。
　また、上記各実施形態では、ラミネート法で放射線検出器１０を製造する形態について説明したが、この形態に限定されず、塗布法で放射線検出器１０を製造する形態であってもよい。
　また、上記各実施形態では、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）をＩＳＳ方式に適用した場合について説明したが、放射線検出器１０（放射線画像撮影装置１）を、変換層３０の放射線が入射する側と反対側にセンサ基板１２を配置する、ＰＳＳ(Penetration Side Sampling)方式に適用してもよい。
　また、上記各実施形態では、図１に示したように画素１６がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素領域１５の形状も限定されないことはいうまでもない。
　その他、上記各実施形態で説明した放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
［その他の実施形態］
　上記各実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２と変換層３０とが積層された積層体のセンサ基板１２側に、応力中立面調整部材３６が設けられている形態について説明した。図１３～図３４に示すように、上記各実施形態の放射線検出器１０は、さらに、センサ基板１２と変換層３０とが積層された積層体２１の変換層３０側に、補強部材５０を設けた形態としてもよい。
　なお、センサ基板１２に変換層３０が積層された積層体２１における応力中立面３７の位置と、積層体２１に補強部材５０を設けた状態の積層体全体における応力中立面３７の位置とは異なる。そのため、補強部材５０を設ける場合、応力中立面調整部材３６は、積層体２１に補強部材５０を設けた状態を１つの積層体とした場合の応力中立面３７と、界面１９とを近づける。
　補強部材５０は、基材１４よりも曲げ剛性が高く、変換層３０と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１４の第１の面１４Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本実施形態の補強部材５０の厚みは、基材１４の厚みよりも厚い。なお、ここでいう曲げ剛性とは、曲げ難さを意味し、曲げ剛性が高いほど曲げ難いことを表している。
　具体的には、本実施形態の補強部材５０は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いることが好ましい。曲げ弾性率の測定方法は、例えばＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６準拠に基づく。補強部材５０は、基材１４の撓みを抑制する観点からは、基材１４よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、補強部材５０の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。上述の補強部材５０の材料を考慮すると、１４００００Ｐａｃｍ４を越える曲げ曲げ剛性を得ようとする場合、補強部材５０の厚みが、比較的厚くなってしまう傾向がある。そのため、適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、補強部材５０に用いる素材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、補強部材５０の曲げ剛性は、５４０Ｐａｃｍ４以上、１４００００Ｐａｃｍ４以下であることが好ましい。
　また、補強部材５０の熱膨張率は、変換層３０の材料の熱膨張率に近い方が好ましく、より好ましくは、変換層３０の熱膨張率に対する補強部材５０の熱膨張率の比（補強部材５０の熱膨張率／変換層３０の熱膨張率）が、０．５以上、２以下であることが好ましい。このような補強部材５０の熱膨張率としては、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、変換層３０がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、変換層３０に比較的近い材料としては、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／ＫであるＰＶＣ（Polyvinyl Chloride：ポリ塩化ビニル）、熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるアクリル、熱膨張率が６５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、及び熱膨張率が４５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／Ｋであるテフロン(登録商標)等が挙げられる。
　さらに、上述した曲げ弾性率を考慮すると、補強部材５０の材料としては、ＰＥＴ、及びＰＣの少なくとも一方を含む材料であることがより好ましい。
　補強部材５０は、弾力性の観点からは、降伏点を有する材料を含むことが好ましい。なお、本実施形態において「降伏点」とは、材料を引っ張った場合に、応力が一旦、急激に下がる現象をいい、応力とひずみとの関係を表す曲線上で、応力が増えずにひずみが増える点のことをいい、材料について引っ張り強度試験を行った際の応力－ひずみ曲線における頂部を指す。降伏点を有する樹脂としては、一般的に、硬くて粘りが強い樹脂、及び柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂が挙げられる。硬くて粘りが強い樹脂としては、例えば、ＰＣ等が挙げられる。また、柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂としては、例えば、ポリプロピレン等が挙げられる。
　本実施形態の補強部材５０は、プラスチックを材料とした基板である。補強部材５０の材料となるプラスチックは、上述した理由から熱可塑性の樹脂であることが好ましく、ＰＣ、ＰＥＴ、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、ナイロン、ポリプロピレン、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、エンプラ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つが挙げられる。なお、補強部材５０は、これらのうち、ポリプロピレン、ＡＢＳ、エンプラ、ＰＥＴ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つであることが好ましく、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、及びナイロンの少なくとも一つであることがより好ましく、ＰＣ及びＰＥＴの少なくとも一つであることがさらに好ましい。
　変換層３０を気相堆積法を用いて形成した場合、図１３～図３４に示すように、変換層３０は、その外縁に向けて厚さが徐々に薄くなる傾斜を有して形成される。以下において、製造誤差及び測定誤差を無視した場合の厚さが略一定とみなせる、変換層３０の中央領域を中央部３０Ａという。また、変換層３０の中央部３０Ａの平均厚さに対して例えば９０％以下の厚さを有する、変換層３０の外周領域を周縁部３０Ｂという。すなわち、変換層３０は、周縁部３０Ｂにおいてセンサ基板１２に対して傾斜した傾斜面を有する。
　図１３～図３３に示すように、変換層３０と補強部材５０との間には、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、保護層６５、及び接着層４８が設けられていてもよい。
　粘着層６０は、変換層３０の中央部３０Ａ及び周縁部３０Ｂを含む変換層３０の表面全体を覆っている。粘着層６０は、反射層６２を変換層３０上に固定する機能を有する。粘着層６０は、光透過性を有していることが好ましい。粘着層６０の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。粘着層６０の厚さは、２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。粘着層６０の厚さを２μｍ以上とすることで、反射層６２を変換層３０上に固定する効果を十分に発揮することができる。更に、変換層３０と反射層６２との間に空気層が形成されるリスクを抑制することができる。変換層３０と反射層６２との間に空気層が形成されると、変換層３０から発せられた光が、空気層と変換層３０との間、及び空気層と反射層６２との間で反射を繰り返す多重反射を生じるおそれがある。また、粘着層６０の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の低下を抑制することが可能となる。
　反射層６２は、粘着層６０の表面全体を覆っている。反射層６２は、変換層３０で変換された光を反射する機能を有する。反射層６２は有機系材料によって構成されていることが好ましい。反射層６２の材料として、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。反射層６２の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。
　接着層６４は反射層６２の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、センサ基板１２の表面にまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部においてセンサ基板１２に接着している。接着層６４は、反射層６２及び保護層６５を変換層３０に固定する機能を有する。接着層６４の材料として、粘着層６０の材料と同じ材料を用いることが可能であるが、接着層６４が有する接着力は、粘着層６０が有する接着力よりも大きいことが好ましい。
　保護層６５は、上述した各実施形態の放射線検出器１０における保護膜３２に相当する機能を有し、接着層６４の表面全体を覆っている。すなわち、保護層６５は、変換層３０の全体を覆うとともに、その端部がセンサ基板１２の一部を覆うように設けられている。保護層６５は、変換層３０への水分の浸入を防止する防湿膜として機能する。保護層６５の材料として、例えば、ＰＥＴ、ＰＰＳ、ＯＰＰ、ＰＥＮ、ＰＩ等の有機材料を含む有機膜を用いることができる。また、保護層６５として、アルペット（登録商標）のシートを用いてもよい。
　補強部材５０は、保護層６５の表面に接着層４８を介して設けられている。接着層４８の材料として、例えば、粘着層６０及び接着層４８の材料と同じ材料を用いることが可能である。
　図１３に示す例では、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａ及び周縁部３０Ｂに対応する領域に延在しており、補強部材５０の外周部は、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられている。補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域及び周縁部３０Ｂに対応する領域の双方において、接着層４８を介して保護層６５に接着されている。図１３に示す例では、補強部材５０の端部は、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域に配置されている。
　図１４に示すように、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域にのみ設けられていてもよい。この場合、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域において接着層４８を介して保護層６５に接着される。
　図１５に示すように、補強部材５０が変換層３０の中央部３０Ａ及び周縁部３０Ｂに対応する領域に延在している場合において、補強部材５０は、変換層３０２の外周部における傾斜に沿った折り曲げ部を有していなくてもよい。この場合、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域において、接着層４８を介して保護層６５に接着される。変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間には、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成される。
　ここで、センサ基板１２の外周部の続領域に設けられる端子１１３には、フレキシブルケーブル１１２が接続される。センサ基板１２は、フレキシブルケーブル１１２を介して制御基板（制御基板１１０、図４７等参照）に接続される。センサ基板１２に撓みが生じた場合、フレキシブルケーブル１１２がセンサ基板１２から剥離したり、位置ズレを生じたりするおそれがある。この場合、フレキシブルケーブル１１２とセンサ基板１２との接続をやり直す作業が必要となる。このフレキシブルケーブル１１２とセンサ基板１２との接続をやり直す作業をリワークと呼ぶ。図１３～図１５に示すように、補強部材５０の端部を変換層３０の端部よりも内側に配置することで、補強部材５０が、接続領域の近傍にまで延在している場合と比較して、容易にリワークを行うことができる。
　図１６～図１９に示すように、補強部材５０は、その端部が、変換層３０の端部よりも外側に配置され、且つセンサ基板１２上にまで延在する接着層６４及び保護層６５の端部に揃うように設けられていてもよい。なお、補強部材５０の端部の位置と、接着層６４及び保護層６５の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　図１６に示す例では、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域において、接着層４８を介して保護層６５に接着されており、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域及びさらに、その外側の領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間には、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図１７に示す例では、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が設けられている。充填材７０の材料は特に限定されず、例えば、樹脂を用いることが可能である。なお、図１７に示す例では、補強部材５０を充填材７０に固定するために、接着層４８が補強部材５０と充填材７０との間の全域に設けられている。
　充填材７０を形成する方法は特に限定されない。例えば、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層６５で覆われた変換層３０上に、接着層４８及び補強部材５０を順次形成した後、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間に形成された空間に、流動性を有する充填材７０を注入し、充填材７０を硬化させてもよい。また、例えば、センサ基板１２上に変換層３０、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層６５を順次形成した後、充填材７０を形成し、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層６５で覆われた変換層３０及び充填材７０を覆う状態に、接着層４８及び補強部材５０を順次形成してもよい。
　このように、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間に形成された空間に、充填材７０を充填することで、図１６に示す形態と比較して、補強部材５０の変換層３０（保護層６５）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層３０は、補強部材５０及び充填材７０の双方によりセンサ基板１２に固定される構造となるため、変換層３０のセンサ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。
　図１８に示す例では、補強部材５０の外周部は、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がセンサ基板１２上を覆う部分をも覆っている。また、補強部材５０の端部は、接着層６４及び保護層６５の端部に揃っている。なお、補強部材５０の端部の位置と、接着層６４及び保護層６５の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　補強部材５０、接着層４８、保護層６５、及び接着層６４の端部は、封止部材７２によって封止されている。封止部材７２は、センサ基板１２の表面から補強部材５０の表面に亘る領域であり、且つ画素領域１５を覆わない領域に設けられていることが好ましい。封止部材７２の材料として、樹脂を用いることができ、特に熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、アクリル糊、及びウレタン系の糊等を封止部材７２として用いることができる。補強部材５０は、保護層６５と比較して剛性が高く、補強部材５０の折り曲げ部において、折り曲げを解消しようとする復元力が作用し、これによって保護層６５が剥離するおそれがある。補強部材５０、接着層４８、保護層６５及び接着層６４の端部を封止部材７２によって封止することで、保護層６５の剥離を抑制することが可能となる。
　図１９に示す例では、図１７に示す形態と同様、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が設けられている。また、変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０の表面にさらに別の補強部材５０Ａが、接着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強部材５０Ａは、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強部材５０Ａは、補強部材５０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層３０の端部において、センサ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０及び５０Ａによる積層構造を形成することで、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　図１６～図１９に示すように、補強部材５０の端部が変換層３０の端部よりも外側に配置され且つ接着層６４及び保護層６５の端部に揃うように設けられる場合においても、補強部材５０が、接続領域の近傍にまで延在している場合と比較して、容易にリワークを行うことができる。
　また、図２０～図２３に示すように、補強部材５０は、その端部が、センサ基板１２上にまで延在する接着層６４及び保護層６５の端部よりも外側であり、且つセンサ基板１２の端部よりも内側に位置するように設けられていてもよい。
　図２０に示す例では、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域において、接着層４８を介して保護層６５に接着されており、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間には、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図２１に示す例では、補強部材５０の端部がスペーサ４６によって支持されている。すなわち、スペーサ４６の一端はセンサ基板１２の基材１４の第１の面１４Ａに接続され、スペーサ４６の他端は接着層４７を介して補強部材５０の端部に接続されている。センサ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する補強部材５０の端部をスペーサ４６によって支持することで、補強部材５０の剥離を抑制することが可能となる。また、センサ基板１２の端部近傍にまで補強部材５０による撓み抑制効果を作用させることができる。なお、スペーサ４６を設けることに代えて、若しくはスペーサ４６を設けることに加えて、図１７に示す例に倣って、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材を充填してもよい。
　図２２に示す例では、補強部材５０の外周部が、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がセンサ基板１２上を覆う部分、及びその外側のセンサ基板１２上をも覆っている。すなわち、接着層６４及び保護層６５の端部が、補強部材５０によって封止されている。補強部材５０のセンサ基板１２上に延在する部分は、接着層４８を介してセンサ基板１２に接着されている。このように、接着層６４及び保護層６５の端部を補強部材５０によって覆うことで、保護層６５の剥離を抑制することが可能である。なお、図１８に記載の例に倣って、封止部材７２を用いて、補強部材５０の端部を封止してもよい。
　図２３に示す例では、補強部材５０の端部がスペーサ４６によって支持されている形態において、補強部材５０の表面の、変換層３０の端部に対応する領域に、さらに別の補強部材５０Ａが、接着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強部材５０Ａは、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強部材５０Ａは、補強部材５０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０及び５０Ａによる積層構造を形成することで、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。なお、スペーサ４６を設けることに代えて、図１７に示す例に倣って、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０を充填してもよい。
　図２４～図２８に示すように、補強部材５０は、その端部が、センサ基板１２の端部に揃うように設けられていてもよい。なお、補強部材５０の端部の位置とセンサ基板１２の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　図２４に示す例では、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域において、接着層４８を介して保護層６５に接着されており、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間には、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図２５に示す例では、補強部材５０の端部がスペーサ４６によって支持されている。すなわち、スペーサ４６の一端は、センサ基板１２の端部に設けられるフレキシブルケーブル１１２に接続され、スペーサ４６の他端は接着層４７を介して補強部材５０の端部に接続されている。センサ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する補強部材５０の端部を、スペーサ４６によって支持することで、補強部材５０の剥離を抑制することが可能となる。また、センサ基板１２の端部近傍にまで補強部材５０による撓み抑制効果を作用させることができる。
　図２６に示す例では、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。本実施形態において、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われている。このように、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が充填されることで、図２４に示す形態と比較して、補強部材５０の変換層３０（保護層６５）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層３０は、補強部材５０及び充填材７０の双方によりセンサ基板１２に固定される構造となるため、変換層３０のセンサ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。
　図２７に示す例では、補強部材５０の外周部が、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がセンサ基板１２上を覆う部分、その外側の基板上、及び端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接続部をも覆っている。補強部材５０のセンサ基板１２上及びフレキシブルケーブル１１２上に延在する部分は、それぞれ、接着層４８を介してセンサ基板１２及びフレキシブルケーブル１１２に接着されている。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が撓み補強部材５０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２の他端には、電子部品を搭載した制御基板が接続されることが想定されることから、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部において、センサ基板１２に比較的大きな撓みが生じるおそれがある。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が、補強部材５０によって覆われることで、当該部分におけるセンサ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図２８に示す例では、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。また、変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０の表面にさらに別の撓み補強部材５０Ａが、接着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強部材５０Ａは、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強部材５０Ａは、補強部材５０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層３０の端部において、センサ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０及び５０Ａによる積層構造を形成することで、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　また、図２９～図３３に示すように、補強部材５０は、その端部が、センサ基板１２の端部よりも外側に位置するように設けられていてもよい。
　図２９に示す例では、補強部材５０は、変換層３０の中央部３０Ａに対応する領域において、接着層４８を介して保護層６５に接着されており、変換層３０の周縁部３０Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間には、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図３０に示す例では、補強部材５０の端部がスペーサ４６によって支持されている。すなわち、スペーサ４６の一端は、センサ基板１２の端部に設けられるフレキシブルケーブル１１２に接続され、スペーサ４６の他端は接着層４７を介して補強部材５０の端部に接続されている。センサ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する補強部材５０の端部を、スペーサ４６によって支持することで、補強部材５０の剥離を抑制することが可能となる。また、センサ基板１２の端部近傍にまで補強部材５０による撓み抑制効果を作用させることができる。
　図３１に示す例では、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。本実施形態において、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われている。このように、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が充填されることで、図２９に示す形態と比較して、補強部材５０の変換層３０（保護層６５）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層３０は、補強部材５０及び充填材７０の双方によりセンサ基板１２に固定される構造となるため、変換層３０のセンサ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。
　図３２に示す例では、補強部材５０の外周部が、変換層３０の周縁部３０Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５がセンサ基板１２上を覆う部分、その外側の基板上、及び端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接続部をも覆っている。補強部材５０のセンサ基板１２上及びフレキシブルケーブル１１２上に延在する部分は、それぞれ、接着層４８を介してセンサ基板１２及びフレキシブルケーブル１１２に接着されている。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が補強部材５０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２の他端には、電子部品を搭載した制御基板が接続されることが想定されることから、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部補愛において、センサ基板１２に比較的大きな撓みが生じるおそれがある。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が、補強部材５０によって覆われることで、当該部分におけるセンサ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図３３に示す例では、変換層３０（保護層６５）と補強部材５０との間、及びセンサ基板１２と補強部材５０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。また、変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０の表面にさらに別の補強部材５０Ａが、接着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強部材５０Ａは、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強部材５０Ａは、補強部材５０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層３０の端部において、センサ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層３０の端部に対応する領域において、補強部材５０及び５０Ａによる積層構造を形成することで、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　上述したように、放射線検出器１０の製造工程においては、ガラス基板等の支持体２００に、可撓性を有するセンサ基板１２を剥離層２０２を介して貼り付け、センサ基板１２上に変換層３０を積層した後、支持体２００をセンサ基板１２から剥離する。このとき、可撓性を有するセンサ基板１２に撓みが生じ、これによってセンサ基板１２上に形成された画素１６が損傷するおそれがある。支持体２００をセンサ基板１２から剥離する前に、図１３～図３３に例示したような形態で変換層３０上に補強部材５０を積層しておくことで、支持体をセンサ基板１２から剥離する際に生じるセンサ基板１２の撓みを抑制することができ、画素１６の損傷のリスクを低減することが可能となる。
　また、補強部材５０は、単一の層（単層）に限らず、多層で構成されていてもよい。例えば、図３４に示す例では、放射線検出器１０は、補強部材５０、変換層３０に近い方から順に、第１補強部材５０Ｂ、第２補強部材５０Ｃ、及び第３補強部材５０Ｄが積層された３層の多層膜とした形態を示している。
　補強部材５０を多層とした場合、補強部材５０に含まれる各層は、異なる機能を有していることが好ましい。例えば、図３４に示した一例では、第１補強部材５０Ｂ及び第３補強部材５０Ｄを非導電性の帯電防止機能を有する層とし、第２補強部材５０Ｃを導電性の層とすることで、補強部材５０に電磁シールド機能をもたせてもよい。この場合の第１補強部材５０Ｂ及び第３補強部材５０Ｄとしては、例えば、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）を用いた膜等の帯電防止膜が挙げられる。 また、第２補強部材５０Ｃとしては、例えば、導電性シートや、Ｃｕ等の導電性のメッシュシート等が挙げられる。
　例えば、放射線検出器１０の読取方式がＩＳＳ方式の場合、変換層３０側に制御基板１１０や電源部１０８等が設けられる場合（図５２参照）があるが、このように補強部材５０が帯電防止機能を有する場合、制御基板１１０や電源部１０８からの電磁ノイズを遮蔽することができる。
　また、図３５は、補強部材５０の構造の一例を示す平面図である。補強部材５０は、その主面に複数の貫通孔５０Ｈを有していてもよい。貫通孔５０Ｈの大きさ及びピッチは、補強部材５０において所望の剛性が得られるように定められる。
　補強部材５０が複数の貫通孔５０Ｈを有することで、補強部材５０と変換層３０との接合面に導入される空気を貫通孔５０Ｈから排出させることが可能となる。これにより、補強部材５０と変換層３０との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。
　補強部材５０と変換層３との接合面に導入される空気を排出させる手段が存在しない場合には、上記接合面に気泡が発生するおそれがある。例えば、放射線画像撮影装置１の稼働時における熱により、上記接合面に生じた気泡が膨張すると、補強部材５０と変換層３０との密着性が低下する。これにより補強部材５０による撓み抑制効果が十分に発揮されないおそれがある。図３５に示すように、複数の貫通孔５０Ｈを有する補強部材５０を用いることで、上記のように、補強部材５０と変換層３０との接合面における気泡の発生を抑制することができるので、補強部材５０と変換層３０との密着性を維持することが可能となり、補強部材５０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　図３６は、補強部材５０の構造の他の例を示す斜視図である。図３６に示す例では、補強部材５０は、変換層３０との接合面に凹凸構造を有する。この凹凸構造は、図３６に示すように、互いに平行に配置された複数の溝６３を含んで構成されていてもよい。補強部材５０は、例えば、図３７に示すように、複数の溝６３による凹凸構造を有する面が、反射層６２で覆われた変換層３０に接合される。このように、補強部材５０が変換層３０との接合面に凹凸構造を有することで、補強部材５０と変換層３０との接合部に導入される空気を溝６３から排出させることが可能となる。これにより、図３５に示す形態と同様、補強部材５０と変換層３０との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。これにより、補強部材５０と変換層３０との密着性を維持することが可能となり、補強部材５０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　図３８及び図３９は、それぞれ、補強部材５０の構造の他の例を示す平面図である。図３８及び図３９に示すように、補強部材５０は、複数の断片５４に分断されていてもよい。補強部材５０は、図３８に示すように、複数の断片５４（図５４５～５４１１）、一方向に配列するように分断されていてもよい。また、補強部材５０は、図３９に示すように、複数の断片５４（図５４１～５４４）が、縦方向及び横方向に配列するように分断されていてもよい。
　補強部材５０の面積が大きくなる程、補強部材５０と変換層３０との接合面に気泡が発生しやすくなる。図３８及び図３９に示すように、補強部材５０を複数の断片５４に分断することで、補強部材５０と変換層３０との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。これにより、補強部材５０と変換層３０との密着性を維持することが可能となり、補強部材５０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　また、応力中立面調整部材３６のセンサ基板１２（第２の面１４Ｂ）と接する側とは反対の側に、補強部材５２を設けてもよい。図４０～図４４は、それぞれ、補強部材５２の設置形態の例を示す断面図である。
　図４０～図４４に示す例では、応力中立面調整部材３６のセンサ基板１２側の面とは反対側の面には、補強部材５２が、接着層５１を介して積層されている。補強部材５２は、補強部材５０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０をＩＳＳ方式として用いる場合、補強部材５２と画素領域１５とが重なる部分の面積を極力小さくするために、補強部材５２は、センサ基板１２の外周部にのみ設けられていることが好ましい。すなわち、補強部材５２は、図４０～図４４に示すように、画素領域１５に対応する部分に開口６１を有する環状であってもよい。このように、センサ基板１２の外周部に、応力中立面調整部材３６及び補強部材５２による積層構造を形成することで、比較的撓みが生じやすいセンサ基板１２の外周部の剛性を補強することができる。
　図４０～図４２に示す例では、補強部材５２は、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。放射線検出器１０では、変換層３０の端部において、センサ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層３０の端部に対応する領域において、応力中立面調整部材３６及び補強部材５２による積層構造を形成することで、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　放射線検出器１０をＩＳＳ方式として用いる場合において、図４０に示すように、補強部材５２の一部が画素領域１５と重なる場合には、補強部材５２の材質によっては、画像に影響を与えるおそれがある。従って、補強部材５２の一部が画素領域１５と重なる場合には、補強部材５２の材料としてプラスチックを用いることが好ましい。
　図４１及び図４２に示すように、補強部材５２が、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぎ、且つ画素領域１５と重ならない形態（すなわち、補強部材５２の開口６１の端部が、画素領域１５の外側に配置されている形態）が最も好ましい。図４１に示す例では、補強部材５２の開口６１の端部の位置と、画素領域１５の端部の位置とが略一致している。図４２に示す例では、補強部材５２の開口６１の端部が、画素領域１５の端部と変換層３０の端部との間に配置されている。
　また、補強部材５２の開口６１の端部の位置が、図４３に示すように、変換層３０の端部の位置と略一致していてもよく、また、図４４に示すように、変換層３０の端部よりも外側に配置されていてもよい。この場合、補強部材５２が、変換層３０の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ構造となっていないため、変換層３０の端部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果は低下するおそれがある。しかしながら、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が存在するセンサ基板１２の外周部において、応力中立面調整部材３６及び補強部材５２による積層構造が形成されることで、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部におけるセンサ基板１２の撓みを抑制する効果は維持される。
　また、上記各実施形態の放射線検出器１０では、センサ基板１２（基材１４）と応力中立面調整部材３６との大きさが同一である形態について説明したが、センサ基板１２と応力中立面調整部材３６とは大きさが異なっていてもよい。
　例えば、放射線検出器１０を放射線画像撮影装置１に適用する場合、放射線検出器１０を収納する筐体１２０（図７等参照）等に放射線検出器１０を固定して用いられることがある。このような場合、例えば、図４５Ａに示した一例のように、応力中立面調整部材３６をセンサ基板１２よりも大きくして、フラップ等を設けて、フラップ等の部分を用いて放射線検出器１０の固定を行ってもよい。例えば、応力中立面調整部材３６のフラップ部分に穴を設け、穴を貫通するネジを用いて筐体１２０（図７等参照）と固定する形態としてもよい。
　なお、応力中立面調整部材３６をセンサ基板１２よりも大きくする形態は、図４５Ａに示した形態に限定されない。応力中立面調整部材３６を積層された複数の層で構成し、一部の層について、センサ基板１２よりも大きくする形態としてもよい。例えば、図４５Ｂに示すように、応力中立面調整部材３６をセンサ基板１２（基材１４）と同程度の大きさを有する第１層３６Ｄ、及びセンサ基板１２よりも大きな第２層３６Ｅの２層構造としてもよい。第１層３６Ｄと、第２層３６Ｅとは両面テープや粘着層等（図示省略）により貼り合わせられる。第１層３６Ｄとしては、例えば、上述の応力中立面調整部材３６と同様の材質で形成され、応力中立面調整部材３６と同様の性質を有することが好ましい。また、第２層３６Ｅは、基材１４の第２の面１４Ｂに両面テープや粘着層等（図示省略）により貼り合わせられる。第２層３６Ｅとしては、例えば、アルペット（登録商標）が適用できる。また、応力中立面調整部材３６を複数の層で構成する場合、図４５Ｂに示す形態とは逆に、図４５Ｃに示すように、第１層３６Ｄを基材１４の第２の面１４Ｂに貼り合わせる形態としてもよい。
　上述したように、応力中立面調整部材３６に設けたフラップ等を用いて放射線検出器１０を筐体１２０（図７等参照）等に固定する場合、フラップ部分を曲げた状態で固定を行う場合がある。厚みが薄くなるほど、応力中立面調整部材３６のフラップ部分が曲げ易くなり、放射線検出器１０本体に影響を与えず、フラップ部分のみを曲げることができる。そのため、フラップ部分等を屈曲させる場合、図４５Ｂ及び図４５Ｃに示した一例のように、応力中立面調整部材３６を積層された複数の層で構成し、一部の層についてセンサ基板１２よりも大きくする形態とすることが好ましい。
　また、図４６に示した例のように、上記図４５Ａ～図４５Ｃの放射線検出器１０とは逆に、応力中立面調整部材３６をセンサ基板１２よりも小さくしてもよい。センサ基板１２の端部が、応力中立面調整部材３６の端部よりも外部に位置していることにより、例えば、放射線検出器１０を筐体１２０（図７等参照）に収納する等、組み立てを行う場合に、センサ基板１２の端部の位置が確認し易くなるため、位置決めの精度を向上させることができる。なお、図４６に示した形態に限定されず、センサ基板１２（基材１４）の端部の少なくとも一部が、応力中立面調整部材３６よりも外部に位置していれば、同様の効果が得られるため好ましい。
　さらに、筐体１２０内に放射線検出器１０を収容した、放射線画像撮影装置１の例について図４７～図５３を参照して説明する。図４７～図５３は、それぞれ、放射線画像撮影装置１の他の構成例を示す図である。
　図４７に示す例では、上記図７に示した放射線画像撮影装置１と同様に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。また、図４８に示す例では、ＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。図４７及び図４８に示す例では、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８が図中横方向に並置されている構成が例示されている。
　また、図４７及び図４８に示す例では、放射線検出器１０と、筐体１２０の撮影面１２０Ａの内壁との間に、保護層１１７がさらに設けられている。換言すると、放射線Ｒが入射される側である撮影面１２０Ａ側に保護層１１７がさらに設けられている。保護層１１７としては、絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート、パリレン（登録商標）膜、及びポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が適用できる。保護層１１７は、画素領域１５に対する防湿機能及び帯電防止機能を有している。そのため、保護層１１７は、少なくとも画素領域１５の放射線Ｒが入射される側の面全体を覆うことが好ましく、放射線Ｒが入射される側のセンサ基板１２の面全体を覆うことが好ましい。
　なお、図４７及び図４８では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域１５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図４７及び図４８に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素領域１５の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　また、図４７及び図４８に示す例のように、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８を、センサ基板１２及び変換層３０が積層された方向（積層方向Ｐ）と交差する方向に並べて配置する場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の厚みが異なっていてもよい。
　図４８に示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々の方が、放射線検出器１０よりも厚みを有している場合が多い。このような場合、図４９に示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みよりも、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みの方が薄くてもよい。なお、このように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、厚みを異ならせる場合、両部分の境界部に段差が生じていると境界部１２０Ｂに接触した被検者に違和感等を与える懸念があるため、境界部１２０Ｂの形態は傾斜を有する状態とすることが好ましい。
　これにより、放射線検出器１０の厚さに応じた極薄型の可搬型電子カセッテを構成することが可能となる。
　また例えば、この場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の材質が異なっていてもよい。さらに、例えば、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とが、別体として構成されていてもよい。
　また、上述したように、筐体１２０は、放射線Ｒ、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましいが、図５０に示す例のように、筐体１２０の撮影面１２０Ａに対応する部分１２０Ｃについて、放射線Ｒの吸収率が低く、且つ高剛性であり、弾性率が十分に高い材料で構成し、その他の部分については、部分１２０Ｃと異なる材料、例えば、部分１２０Ｃよりも弾性率が低い材料で構成してもよい。
　また、図５１に示す例のように、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していてもよい。この場合、放射線検出器１０と筐体１２０のない壁面とは、接着層を介して接着されていてもよいし、接着層を介さずに単に接触しているだけでもよい。このように、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していることにより、放射線検出器１０の剛性がより確保される。
　また、図５２に示す例では、上記図８に示した放射線画像撮影装置１と同様に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。また、図５３に示す例では、ＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。図５２及び図５３に示す例では、シート１１６及び基台１１８を挟んで、センサ基板１２と、制御基板１１０及び電源部１０８とが設けられている。この構成によれば、放射線検出器１０、制御基板１１０及び電源部１０８が図中横方向に並置される場合（図４７～図５１参照）と比較して、放射線画像撮影装置１の平面視におけるサイズを小さくすることができる。
　また、上記各実施形態では、応力中立面３７の位置について、界面１９の位置とすることが好ましい形態について説明したが、応力中立面３７の好ましい位置は、界面１９の位置に限定されない。変換層３０とセンサ基板１２との密着性が比較的高い場合、変換層３０がセンサ基板１２から剥離するより先に、センサ基板１２におけるＴＦＴ２０及びセンサ部２２等が損傷する場合がある。このように、変換層３０とセンサ基板１２との密着性が比較的高い場合等は、図５４に示すように、応力中立面調整部材３６により、応力中立面３７の位置を、上述した予め定められた範囲内で、センサ基板側１２側の内部の位置とすることが好ましい。
　日本出願特願２０１８－０５１６８９号、特願２０１８－２１９６９５号、及び特願２０１９－０２２１２５号の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１　放射線画像撮影装置
１０　放射線検出器
１２　センサ基板
１４　基材、１４Ａ　第１の面、１４Ｂ　第２の面、１４Ｌ　微粒子層、１４Ｐ　微粒子
１５　画素領域
１６　画素
１９　界面
２０　ＴＦＴ（スイッチング素子）
２１　積層体
２２　センサ部
２４　信号配線
２６　走査配線
２８　共通配線
３０　変換層、３０Ｂ　中央部、３０Ｃ　周縁部
３２　保護膜
３６　応力中立面調整部材、３６Ａ　帯電防止膜、３６Ｂ　応力中立面調整膜、３６Ｃ　防湿膜、３６Ｄ　第１層、３６Ｅ　第２層
３７　応力中立面
３９　密着層
４０　緩衝層
４６　スペーサ
４７、４８、４８Ａ、５１　接着層
５０、５０Ａ～５０Ｄ、５２　補強部材、５０Ｈ　貫通孔
５４１～５４１１　断片
６０　粘着層
６１　開口
６２　反射層
６３　溝
６４　接着層
６５　保護層
７０　充填剤
７２　封止部材
１００　制御部、１００Ａ　ＣＰＵ、１００Ｂ　メモリ、１００Ｃ　記憶部
１０２　駆動部
１０４　信号処理部
１０６　画像メモリ
１０８　電源部
１１０　制御基板
１１２　フレキシブルケーブル
１１４　電源線
１１６　シート
１１７　保護層
１１８　基台
１２０　筐体、１２０Ａ　撮影面、１２０Ｂ　境界部、１２０Ｃ　部分
２００　支持体
２０２　剥離層
ｄ１、ｄ２　距離
Ｐ　積層方向
Ｒ　放射線、Ｒｂ　後方散乱線
Ｓ　被写体
Ｗ　荷重

Claims (25)

  1. 　可撓性の基材、及び前記基材の第１の面に設けられ、かつ放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された層を含むセンサ基板と、
    　前記画素が形成された層における前記基材が設けられた側と反対側に設けられ、放射線を前記光に変換する変換層と、
    　前記基材の前記第１の面と反対側の第２の面の側に設けられ、応力中立面の位置を、前記センサ基板と対向する前記変換層の面である界面から、前記センサ基板及び前記変換層が積層されている積層方向の予め定められた範囲内に調整する応力中立面調整部材と、
    　を備えた放射線検出器。
  2. 　前記予め定められた範囲は、前記応力中立面調整部材を設けない場合の前記界面と前記応力中立面との距離よりも短い範囲である、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 　前記応力中立面調整部材は、少なくとも前記センサ基板と前記変換層とが対向する領域を覆う領域に設けられている、
    　請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 　前記応力中立面調整部材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下である、
    　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  5. 　前記応力中立面調整部材の材料は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、及び低密度ポリエチレンの少なくとも一つを含む、
    　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  6. 　前記変換層の熱膨張率に対する前記応力中立面調整部材の熱膨張率の比が０．５以上、４以下である、
    　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  7. 　前記応力中立面調整部材は、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ以上、２００ｐｐｍ／Ｋ以下である、
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  8. 　前記界面に設けられ、かつ前記センサ基板及び前記変換層に接する密着層をさらに備える、
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  9. 　前記センサ基板と、前記変換層との間に設けられ、前記変換層の熱膨張率と前記センサ基板の熱膨張率との差を緩衝する緩衝層をさらに備える、
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  10. 　前記応力中立面調整部材は、前記積層方向に積層された、機能が異なる複数の膜を含む、
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  11. 　前記複数の膜は、応力中立面調整膜と、帯電防止膜とを含む、
    　請求項１０に記載の放射線検出器。
  12. 　前記帯電防止膜は、前記応力中立面調整膜よりも前記第２の面側に設けられている、
    　請求項１１に記載の放射線検出器。
  13. 　前記複数の膜は、応力中立面調整膜と、防湿膜とを含む、
    　請求項１０に記載の放射線検出器。
  14. 　前記防湿膜は、前記応力中立面調整膜よりも前記第２の面側に設けられている、
    　請求項１３に記載の放射線検出器。
  15. 　前記基材は、樹脂製であり、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子を含む微粒子層を有する、
    　請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  16. 　前記基材は、前記微粒子層を、前記第２の面側に有する、
    　請求項１５に記載の放射線検出器。
  17. 　前記微粒子は、前記基材を構成する元素よりも原子番号が大きく且つ原子番号が３０以下の元素を含む
    　請求項１５または請求項１６に記載の放射線検出器。
  18. 　前記基材は、３００℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋ以下である、
    　請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  19. 　前記基材は、厚みが２５μｍの状態において４００℃におけるＭＤ（Machine Direction）方向の熱収縮率が０．５％以下、及び５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上の少なくとも一方を満たす、
    　請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  20. 　前記応力中立面調整部材は、前記基材よりも剛性が高い、
    　請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  21. 　前記変換層は、ＣｓＩを含む、
    　請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  22. 　請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
    　前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
    　前記制御信号に応じて、前記複数の画素から電荷を読み出すための駆動信号を出力する駆動部と、
    　前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された前記電気信号に応じた画像データを生成して出力する信号処理部と、
    　を備えた放射線画像撮影装置。
  23. 　前記放射線検出器における基材、複数の画素が形成された層、及び変換層が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
    　請求項２２に記載の放射線画像撮影装置。
  24. 　前記制御部、前記駆動部、及び前記信号処理部の少なくとも一つに電力を供給する電源部をさらに備え、
    　前記放射線検出器におけるセンサ基板、変換層、及び応力中立面調整部材が並ぶ積層方向と交差する方向に、前記電源部と、前記制御部と、前記放射線検出器とが並んで設けられている、
    　請求項２２に記載の放射線画像撮影装置。
  25. 　放射線が照射される照射面を有し、前記放射線検出器におけるセンサ基板及び変換層のうち、前記センサ基板が前記照射面と対向する状態に前記放射線検出器を収納する筐体をさらに備えた、
    　請求項２２に記載の放射線画像撮影装置。
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