WO2022065317A1 - 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents

放射線検出器及び放射線検出器の製造方法 Download PDF

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WO2022065317A1
WO2022065317A1 PCT/JP2021/034625 JP2021034625W WO2022065317A1 WO 2022065317 A1 WO2022065317 A1 WO 2022065317A1 JP 2021034625 W JP2021034625 W JP 2021034625W WO 2022065317 A1 WO2022065317 A1 WO 2022065317A1
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WO
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radiation detector
sealing material
conversion layer
detector according
base material
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/034625
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宗貴 加藤
信一 牛倉
Original Assignee
富士フイルム株式会社
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    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors

Definitions

  • This disclosure relates to a radiation detector and a method for manufacturing a radiation detector.
  • a radiographic imaging device that performs radiographic imaging for the purpose of medical diagnosis.
  • a radiation image capturing apparatus a radiation detector for detecting radiation transmitted through a subject and generating a radiation image is used.
  • a conversion layer such as a scintillator that converts radiation into light and a plurality of pixels that store charges generated in response to the light converted by the conversion layer are provided in the pixel region of the base material.
  • a board equipped with.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-118508 describes a technique for sealing the side surface of a conversion layer with a sealing film in a radiation detector.
  • JP-A-2012-118508 when the substrate is warped in the out-of-plane direction, the conversion layer is suppressed from peeling from the substrate by following the warp, and moisture invades from the peeled portion. Suppress.
  • the base material of the substrate of the radiation detector the one using a flexible base material is known.
  • the radiation imaging device radiation detector
  • the subject may be easily photographed.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-118508 is a technique for dealing with warpage of a substrate in the out-of-plane direction, but it may not be sufficient when a flexible base material is used.
  • An object of the present disclosure is to provide a radiation detector and a method for manufacturing a radiation detector, which can suppress the conversion layer from peeling from the substrate even when the substrate is bent.
  • the radiation detector of the first aspect of the present disclosure is provided with a plurality of pixels for accumulating the charge generated in response to the light converted from the radiation in the pixel region of the first surface of the flexible substrate.
  • the radiation detector of the second aspect of the present disclosure is the radiation detector of the first aspect, and the sealing material is provided so as to cover the side surface of the conversion layer.
  • the radiation detector of the third aspect of the present disclosure is the radiation detector of the first aspect or the second aspect, and the sealing material is provided in the region straddling the end portion of the conversion layer.
  • the radiation detector according to the fourth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to third aspects, in which the sealing material is provided in the entire outer peripheral region of the conversion layer. There is.
  • the radiation detector according to the fifth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fourth aspects, and the flexural modulus of the sealing material is 20 MPa or more and 2500 MPa or less. ..
  • the radiation detector according to the sixth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fifth aspects, and the ticko coefficient before curing of the sealing material is 1.5 or more and 10 It is as follows.
  • the radiation detector according to the seventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to sixth aspects, and the sealing material has a glass transition temperature of 25 ° C. or lower.
  • the radiation detector according to the eighth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to seventh aspects, and the sealing material is a compound having a weight average molecular weight of 1000 or more before curing. including.
  • the radiation detector of the ninth aspect of the present disclosure is the radiation detector of the eighth aspect, and the content of the compound in the sealing material is 5% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the radiation detector according to the tenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to ninth aspects, and the sealing material contains a polyfunctional polymerizable compound before curing.
  • the radiation detector of the eleventh aspect of the present disclosure is the radiation detector of the tenth aspect, and the content of the polyfunctional polymerizable compound in the sealing material is 5% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the radiation detector of the twelfth aspect of the present disclosure is the radiation detector of any one aspect from the first aspect to the eleventh aspect, and the sealing material contains a filler.
  • the radiation detector of the thirteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector of the twelfth aspect, and the content of the filler in the sealing material is 0.01% by mass or more and 50% by mass or less.
  • the radiation detector of the 14th aspect of the present disclosure is the radiation detector of the 12th aspect or the 13th aspect, and the filler is silica particles.
  • the radiation detector according to the fifteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to the fourteenth aspects, and the sealing material is acrylate-based, epoxy-based, and silicone before curing.
  • the composition for at least one sealant of the system is cured.
  • the radiation detector according to the sixteenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fifteenth aspects, wherein the sealing material is obtained by curing a resin material that is cured by ultraviolet rays. ..
  • the radiation detector according to the 17th aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the 1st to 16th aspects, and the substrate has a terminal portion for electrically connecting the cable. It is provided on at least a part of the outer edge of the first surface, and the distance between the end portion of the sealing material and the outer edge not provided with the terminal portion is 2 mm or less.
  • the radiation detector of the 18th aspect of the present disclosure is the radiation detector of the 1st to 17th aspects, and the substrate has a terminal portion for electrically connecting a cable on the first surface. It is further provided with a protective member provided in a region corresponding to the side of the cable electrically connected to the terminal portion on the side opposite to the terminal portion side surface.
  • the radiation detector of the 19th aspect of the present disclosure is the radiation detector of the 1st to 17th aspects, and the substrate has a terminal portion for electrically connecting a cable on the first surface.
  • the protective member is further provided with a caulking material that fills the gap between the terminal portion and the sealing material on the first surface of the base material.
  • the sealing material and the caulking material are made of the same material.
  • the radiation detector according to the 21st aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the 1st to 20th aspects, and the substrate has a terminal portion for electrically connecting the cable.
  • the sealing material covers at least a part of the terminal portion.
  • the radiation detector of the 22nd aspect of the present disclosure is the radiation detector of any one aspect from the 1st aspect to the 21st aspect, and the sealing material is the height with respect to the width over the first surface.
  • the ratio is greater than 0.3.
  • a flexible base material is provided on a support, and a plurality of pixels for accumulating charges generated in response to light converted from radiation are provided.
  • a step of forming a laminated body in which a reinforcing member, a substrate, and a conversion layer are laminated is provided, and the sealing material has a lower elastic modulus than the elastic modulus of the laminated body.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector shown in FIG.
  • sectional drawing BB of the radiation detector shown in FIG. It is a figure for demonstrating the operation when the conversion layer is fixed to the sensor substrate by the sealing material of the comparative example. It is a figure for demonstrating the operation when the conversion layer is fixed to a sensor substrate by the sealing material of this embodiment.
  • the radiation detector of the present embodiment has a function of detecting radiation transmitted through a subject and outputting image information representing a radiation image of the subject.
  • the radiation detector of the present embodiment includes a sensor substrate and a conversion layer that converts radiation into light (see FIGS. 3A and 3B, the sensor substrate 12 and the conversion layer 14 of the radiation detector 10).
  • the sensor substrate 12 of the present embodiment is an example of the substrate of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of a configuration of a main part of an electrical system in the radiographic imaging apparatus of the present embodiment.
  • the radiation imaging device 1 of the present embodiment includes a radiation detector 10, a control unit 100, a drive unit 102, a signal processing unit 104, an image memory 106, and a power supply unit 108.
  • At least one of the control unit 100, the drive unit 102, and the signal processing unit 104 of the present embodiment is an example of the circuit unit of the present disclosure.
  • the control unit 100, the drive unit 102, and the signal processing unit 104 are generically referred to, they are referred to as a "circuit unit".
  • the radiation detector 10 includes a sensor substrate 12 and a conversion layer 14 (see FIGS. 3A and 3B) that converts radiation into light.
  • the sensor substrate 12 includes a flexible base material 11 and a plurality of pixels 30 provided on the first surface 11A of the base material 11. In the following, the plurality of pixels 30 may be simply referred to as “pixel 30”.
  • each pixel 30 of the present embodiment has a sensor unit 34 that generates and stores electric charges according to the light converted by the conversion layer, and a switching element 32 that reads out the electric charges accumulated by the sensor unit 34.
  • a thin film transistor TFT
  • the switching element 32 is referred to as "TFT 32".
  • the sensor unit 34 and the TFT 32 are formed, and a layer in which the pixels 30 are formed on the first surface 11A of the base material 11 is provided as a flattened layer.
  • the pixel 30 corresponds to the pixel region 35 of the sensor substrate 12 in one direction (the scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”) and the crossing direction with respect to the row direction (corresponding to the vertical direction in FIG. 1). It is arranged in a two-dimensional manner along the signal wiring direction (hereinafter also referred to as "row direction").
  • the arrangement of the pixels 30 is shown in a simplified manner. For example, 1024 pixels ⁇ 1024 pixels 30 are arranged in the row direction and the column direction.
  • the radiation detector 10 is provided with a plurality of scanning wires 38 for controlling the switching state (on and off) of the TFT 32, which are provided for each row of the pixel 30, and for each column of the pixel 30.
  • a plurality of signal wirings 36 from which the electric charge accumulated in the sensor unit 34 is read out are provided so as to intersect each other.
  • Each of the plurality of scanning wirings 38 is connected to the drive unit 102 via the flexible cable 112A, so that a plurality of drive signals for driving the TFT 32 and controlling the switching state, which are output from the drive unit 102, are generated. It flows through each of the scanning wires 38 of the above.
  • each of the plurality of signal wirings 36 is connected to the signal processing unit 104 via the flexible cable 112B, so that the electric charge read from each pixel 30 is output to the signal processing unit 104 as an electric signal. Will be done.
  • the signal processing unit 104 generates and outputs image data corresponding to the input electric signal.
  • the flexible cable 112 of the present embodiment is an example of the cable of the present disclosure. Further, in the present embodiment, the term "connection" with respect to the flexible cable 112 means an electrical connection.
  • a control unit 100 which will be described later, is connected to the signal processing unit 104, and the image data output from the signal processing unit 104 is sequentially output to the control unit 100.
  • An image memory 106 is connected to the control unit 100, and image data sequentially output from the signal processing unit 104 is sequentially stored in the image memory 106 under the control of the control unit 100.
  • the image memory 106 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and each time a radiographic image is taken, the image data obtained by the shooting is sequentially stored in the image memory 106.
  • the control unit 100 includes a CPU (Central Processing Unit) 100A, a memory 100B including a ROM (ReadOnlyMemory) and a RAM (RandomAccessMemory), and a non-volatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • a CPU Central Processing Unit
  • a memory 100B including a ROM (ReadOnlyMemory) and a RAM (RandomAccessMemory)
  • a non-volatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • An example of the control unit 100 is a microcomputer or the like.
  • the control unit 100 controls the overall operation of the radiographic imaging apparatus 1.
  • the image memory 106, the control unit 100, and the like are formed on the control board 110.
  • a common wiring 39 is provided in the wiring direction of the signal wiring 36 in order to apply a bias voltage to each pixel 30.
  • the power supply unit 108 supplies electric power to various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, the image memory 106, and the power supply unit 108.
  • various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, the image memory 106, and the power supply unit 108.
  • the wiring connecting the power supply unit 108 with various elements and various circuits is omitted.
  • FIG. 2 is an example of a plan view of the radiation detector 10 of the present embodiment as viewed from the first surface 11A side of the base material 11.
  • FIG. 3A is an example of a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 in FIG.
  • FIG. 3B is an example of a sectional view taken along line BB of the radiation detector 10 in FIG.
  • the base material 11 is a resin sheet that is flexible and contains, for example, a plastic such as PI (PolyImide: polyimide).
  • the thickness of the base material 11 is such that the desired flexibility can be obtained depending on the hardness of the material and the size of the sensor substrate 12, that is, the area of the first surface 11A or the second surface 11B. good.
  • the gravity of the base material 11 is 2 mm at a position 10 cm away from the fixed side. As described above, it refers to a base material 11 that hangs down (becomes lower than the height of the fixed side).
  • a thickness of 5 ⁇ m to 125 ⁇ m may be used, and a thickness of 20 ⁇ m to 50 ⁇ m is more preferable.
  • the base material 11 has a characteristic that can withstand the production of the pixel 30, and in the present embodiment, it has a characteristic that can withstand the production of an amorphous silicon TFT (a-Si TFT).
  • a-Si TFT amorphous silicon TFT
  • the coefficient of thermal expansion (CTE: Coefficient of Thermal Expansion) at 300 ° C to 400 ° C is about the same as that of an amorphous silicon (Si) wafer (for example, ⁇ 5 ppm / K). It is preferably 20 ppm / K or less, and more specifically, it is preferably 20 ppm / K or less.
  • the heat shrinkage rate of the base material 11 it is preferable that the heat shrinkage rate at 400 ° C.
  • the elastic modulus of the base material 11 does not have a transition point possessed by a general PI in the temperature range between 300 ° C. and 400 ° C., and the elastic modulus at 500 ° C. is preferably 1 GPa or more.
  • the base material 11 of the present embodiment has a fine particle layer containing inorganic fine particles having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less and absorbing backscattered rays in order to suppress backscattered rays by itself. It is preferable to have.
  • inorganic fine particles in the case of the resinous base material 11, it is preferable to use an inorganic material having an atomic number larger than the atoms constituting the organic material which is the base material 11 and 30 or less.
  • Specific examples of such fine particles include SiO 2 , which is an oxide of Si having an atomic number of 14, MgO, which is an oxide of Mg having an atomic number of 12, and Al 2 , which is an oxide of Al having an atomic number of 13. Examples thereof include O 3 and TiO 2 , which is an oxide of Ti having an atomic number of 22.
  • Specific examples of the resin sheet having such characteristics include XENOMAX (registered trademark).
  • the thickness in the present embodiment was measured using a micrometer.
  • the coefficient of thermal expansion was measured according to JIS K7197: 1991. For the measurement, test pieces were cut out from the main surface of the base material 11 at different angles of 15 degrees, the coefficient of thermal expansion was measured for each of the cut out test pieces, and the highest value was taken as the thermal expansion coefficient of the base material 11. ..
  • the coefficient of thermal expansion is measured at intervals of 10 ° C from -50 ° C to 450 ° C in each of the MD (Machine Direction) direction and the TD (Transverse Direction) direction, and (ppm / ° C) is converted to (ppm / K). did.
  • the base material 11 having the desired flexibility is not limited to a resin sheet or the like.
  • the base material 11 may be a glass substrate or the like having a relatively thin thickness.
  • a size having a side of about 43 cm has flexibility if the thickness is 0.3 mm or less, so that the thickness is 0.3 mm or less. Any glass substrate may be used as long as it is desired.
  • the plurality of pixels 30 are provided on the first surface 11A of the base material 11.
  • the region provided with the pixels 30 on the first surface 11A of the base material 11 is referred to as the pixel region 35.
  • an adhesive is applied to the second surface 11B opposite to the first surface 11A of the base material 11.
  • a reinforcing member 40 is provided by 42.
  • the reinforcing member 40 of the present embodiment is provided over the entire second surface 11B of the base material 11.
  • the reinforcing member 40 has a function of reinforcing the strength of the base material 11.
  • the reinforcing member 40 of the present embodiment has higher bending rigidity than the base material 11, and the dimensional change (deformation) with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface facing the conversion layer 14 is the second of the base material 11. It is smaller than the dimensional change with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface 11B of.
  • Examples of the material of the reinforcing member 40 include carbon and plastic.
  • the reinforcing member 40 may contain a plurality of materials, and may be, for example, a laminated body of plastic and carbon.
  • the bending rigidity of the reinforcing member 40 is preferably 100 times or more the bending rigidity of the base material 11.
  • the thickness of the reinforcing member 40 of the present embodiment is thicker than the thickness of the base material 11.
  • the thickness of the reinforcing member 40 is preferably about 0.2 mm to 0.25 mm.
  • the reinforcing member 40 preferably has a higher bending rigidity than the base material 11 from the viewpoint of suppressing the bending of the base material 11.
  • the flexural modulus becomes low, the bending rigidity also becomes low, and in order to obtain the desired bending rigidity, the thickness of the reinforcing member 40 must be increased, and the thickness of the entire radiation detector 10 increases. ..
  • the thickness of the reinforcing member 40 tends to be relatively thick when trying to obtain a bending rigidity exceeding 140000 Pacm 4 .
  • the material used for the reinforcing member 40 has a flexural modulus of 150 MPa or more and 3500 MPa or less. Further, the bending rigidity of the reinforcing member 40 is preferably 540 Pacm 4 or more and 140000 Pacm 4 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the reinforcing member 40 of the present embodiment is preferably close to the coefficient of thermal expansion of the material of the conversion layer 14, and more preferably the coefficient of thermal expansion of the reinforcing member 40 with respect to the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14.
  • the ratio (coefficient of thermal expansion of the reinforcing member 40 / coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14) is preferably 0.5 or more and 2 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of such a reinforcing member 40 is preferably 30 ppm / K or more and 80 ppm / K or less.
  • the coefficient of thermal expansion is 50 ppm / K.
  • the materials relatively close to the conversion layer 14 are PVC (Polyvinyl Chloride) having a coefficient of thermal expansion of 60 ppm / K to 80 ppm / K and a coefficient of thermal expansion of 70 ppm / K to 80 ppm / K.
  • PVC Polyvinyl Chloride
  • PC Polycarbonate
  • Teflon with a coefficient of thermal expansion of 45 ppm / K to 70 ppm / K (registered). Trademark) and the like.
  • the material of the reinforcing member 40 is more preferably a material containing at least one of PET and PC.
  • the reinforcing member 40 preferably contains a material having a yield point.
  • the "yield point” is a phenomenon in which the stress drops suddenly when the material is pulled, and the strain does not increase on the curve showing the relationship between the stress and the strain.
  • the point of increase which refers to the top of the stress-strain curve when a tensile strength test is performed on a material.
  • Resins having a yield point generally include resins that are hard and sticky, and resins that are soft and sticky and have moderate strength. Examples of the hard and sticky resin include PC and the like. Examples of the resin having a softness, a strong stickiness, and a medium strength include polypropylene and the like.
  • the reinforcing member 40 of the present embodiment is a substrate made of plastic, it is preferably a thermoplastic resin for the above-mentioned reasons, and PC, PET, styrene, acrylic, polyacetase, nylon, polypropylene, ABS (Acrylonitrile). Butadiene Styrene), engineering plastics, and at least one of polyphenylene ethers.
  • the reinforcing member 40 is preferably at least one of polypropylene, ABS, engineering plastic, PET, and polyphenylene ether, and more preferably at least one of styrene, acrylic, polyacetase, and nylon. , PC and PET are more preferred.
  • a plurality of (16 in FIG. 2) terminals 113 are provided on the terminal portions 114 provided on the outer edge portion of the first surface 11A of the base material 11. Is provided. Specifically, terminal portions 114 are provided along two adjacent sides of the first surface 11A of the base material 11, and a plurality of terminals 113 (eight in FIG. 2) are provided on each of the two adjacent sides. It is provided. An anisotropic conductive film or the like is used as the terminal 113. A flexible cable 112 is connected to each of the plurality of terminals 113 by thermocompression bonding.
  • the flexible cable 112A connected to each of the plurality of terminals 113 of the terminal portion 114 provided on one side of the base material 11 is a so-called COF (Chip on Film), and the flexible cable 112A has a drive IC (Integrated Circuit) 210. Is installed.
  • the drive IC 210 is connected to a plurality of signal lines included in the flexible cable 112A.
  • the flexible cable 112A and the flexible cable 112B described later are collectively referred to as "flexible cable 112" without distinction.
  • the other end on the opposite side to the one end connected to the terminal 113 of the sensor board 12 is connected to the drive board 200.
  • a plurality of signal lines included in the flexible cable 112A are thermocompression-bonded to the drive board 200 to be connected to circuits, elements, and the like (not shown) mounted on the drive board 200.
  • the drive board 200 of the present embodiment is a flexible PCB (Printed Circuit Board) board, which is a so-called flexible board, but the drive board 200 does not necessarily have to be a flexible board, and is a non-flexible rigid board. Or a rigid flexible substrate may be used.
  • the drive unit 102 is realized by the drive board 200 and the drive IC 210 mounted on the flexible cable 112A.
  • the flexible cable 112B is connected to each of the plurality of terminals 113 (8 in FIG. 2) of the terminal portions 114 provided on the side intersecting one side of the base material 11 to which the flexible cable 112A is connected. ..
  • the flexible cable 112B is a so-called COF, and the flexible cable 112B is equipped with a signal processing IC 310.
  • the signal processing IC 310 is connected to a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112B.
  • the other end on the opposite side to the one end connected to the terminal 113 of the sensor board 12 is connected to the signal processing board 300.
  • a plurality of signal lines included in the flexible cable 112B are thermocompression-bonded to the signal processing board 300 to be connected to circuits, elements, and the like (not shown) mounted on the signal processing board 300.
  • the signal processing board 300 of the present embodiment is a flexible PCB board, which is a so-called flexible board, but the signal processing board 300 does not necessarily have to be a flexible board, but is a non-flexible rigid board. Alternatively, a rigid flexible substrate may be used.
  • the signal processing unit 104 is realized by the signal processing board 300 and the signal processing IC 310 mounted on the flexible cable 112B.
  • the method of connecting the drive board 200 and the flexible cable 112A and the method of connecting the signal processing board 300 and the flexible cable 112B are not limited to this embodiment, and may be connected by a connector, for example. good.
  • a connector include a ZIF (Zero Insertion Force) structure connector, a Non-ZIF structure connector, and the like.
  • the method of connecting the drive board 200 and the flexible cable 112A and the method of connecting the signal processing board 300 and the flexible cable 112B may be the same or different.
  • the drive board 200 and the flexible cable 112A may be connected by thermocompression bonding, and the signal processing board 300 and the flexible cable 112B may be connected by a connector.
  • FIG. 2 a mode in which a plurality (two each) of the drive board 200 and the signal processing board 300 are provided has been described, but the number of the drive board 200 and the signal processing board 300 is shown in FIG. Not limited to numbers.
  • the drive board 200 and the signal processing board 300 may be used as one board.
  • a conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11.
  • the conversion layer 14 of the present embodiment covers the pixel region 35.
  • a scintillator containing GOS Gd 2 O 2 S: Tb
  • the sheet-shaped conversion layer 14 in which GOS is dispersed in a binder such as resin is bonded to a support 52 such as white PET (Polyethylene Terephthalate) by an adhesive layer 50.
  • the surface of the conversion layer 14 bonded to the support 52 opposite to the support 52 is bonded to the first surface 11A of the base material 11 of the sensor substrate 12, whereby FIGS. 3A and 3B are attached. It is in the state shown in.
  • the conversion layer 14 is used as a reference, and the side of the conversion layer 14 facing the sensor substrate 12 is referred to as "lower”. , The other side is called “above”.
  • the conversion layer 14 is provided on the sensor substrate 12.
  • the side surface of the conversion layer 14 is covered with the sealing material 80.
  • the sealing material 80 is provided over the end of the conversion layer 14 from the upper part of the conversion layer 14 to the first surface 11A of the base material 11. Further, as shown in FIG. 2, the sealing material 80 of the present embodiment is provided in the entire outer peripheral region of the conversion layer 14.
  • the sealing material 80 has a function of fixing the conversion layer 14 to the sensor substrate 12.
  • the sealing material 80 of the present embodiment has a function of following the bending of the sensor substrate 12 while the conversion layer 14 is fixed to the sensor substrate 12. This function will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.
  • FIG. 4A shows a form in which the conversion layer 14 is fixed to the sensor substrate 12 by a sealing material 180 different from that of the present embodiment.
  • the base material 11 in the sensor substrate 12 of the present embodiment may bend as described above.
  • the reinforcing member 40 provided on the second surface 11B of the base material 11 also bends.
  • the sealing material 180 covering the side surface of the conversion layer 14 does not follow the deflection of the sensor substrate 12, the conversion layer 14 may peel off from the sensor substrate 12.
  • the sealing material 180 that covers the side surface of the conversion layer 14 becomes hard, it becomes difficult to follow the bending of the base material 11, so that the conversion layer 14 is likely to be peeled from the sensor substrate 12.
  • the sealing material 80 of the present embodiment since the base material 11 follows the bending, the base material 11 bends while the conversion layer 14 is fixed by the sealing material 80. Therefore, the conversion layer 14 does not peel off from the base material 11, and the reinforcing member 40, the sensor substrate 12, and the laminated body 56 on which the conversion layer 14 is laminated are integrally bent. According to the sealing material 80 of the present embodiment, since the conversion layer 14 does not peel off from the sensor substrate 12, it is possible to suppress the invasion of moisture into the inside. Therefore, since deterioration of the pixels 30 and the like due to moisture can be suppressed, deterioration of the image quality of the generated radiation image can be suppressed.
  • the sealing material 80 has a lower elastic modulus than the elastic modulus of the laminated body 56 in which the reinforcing member 40, the sensor substrate 12, and the conversion layer 14 are laminated in order to follow the bending of the base material 11. ..
  • the flexural modulus of the sealing material 80 is preferably 20 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the flexural modulus in this embodiment is a value obtained by a measuring method based on JIS K 7171: 2016.
  • the flexural modulus of the laminated body 56 is obtained by cutting a test piece from the laminated body 56 and converting the result measured by a measuring method based on JIS K7171: 2016 into the elastic modulus per unit area. ..
  • the reinforcing member 40 when PET is used as a material has 2500 MPa, and the sensor substrate 12 (base material 11). 2300 MPa, and the conversion layer 14 is 2000 MPa to 3000 MPa. Therefore, the laminated body 56 has a flexural modulus of 2000 MPa to 3000 MPa. Therefore, the flexural modulus of the sealing material 80 of the present embodiment is preferably 20 MPa or more and 2500 MPa or less as described above.
  • the chixo coefficient before curing is 1.5 or more and 10 or less.
  • the thixotropy is a coefficient that represents the degree of so-called thixotropy, and is a coefficient that represents the ease of application and the difficulty of dripping.
  • the thixotropy index was calculated as the thixotropy. Specifically, first, the viscosity is measured according to JIS K6833 using a BH type rotational viscometer.
  • thixotropy index TI ratio of apparent viscosities at two different rotation speeds
  • the sealing material 80 of the present embodiment has a height of 80H with respect to a width of 80W over a first surface 11A of the base material 11 as shown in FIGS. 3A and 3B in a state after curing covering the side surface of the conversion layer 14.
  • the ratio of is greater than 0.3. In other words, there is the relationship of the following equation (2) between the width 80W and the height 80H. Height 80H> Width 80W x 0.3 ... (2)
  • the distance L between the end portion of the sealing material 80 and the outer edge of the first surface 11A of the base material 11 to which the terminal portion 114 is not provided is set. It is set to 2 mm or less.
  • the chixo coefficient before curing of the sealing material 80 is set to 1.5 or more.
  • the Chixo coefficient before curing of the sealing material 80 is set to 10 or less.
  • the sealing material 80 from which the above flexural modulus and chixo coefficient can be obtained it is preferable to use a material having a glass transition temperature of 25 ° C. or lower.
  • a measuring method based on JIS K7197: 2012 TMA is applied.
  • the sealing material 80 preferably contains a compound having a weight average molecular weight of 1000 or more before curing, and more preferably contains this compound in an amount of 5% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the sealing material 80 preferably contains a polyfunctional polymerizable compound before curing, and more preferably contains 5% by mass or more and 95% by mass or less of the polyfunctional polymerizable compound.
  • the sealing material 80 preferably contains a filler, and more preferably 0.01% by mass or more and 50% by mass or less of the filler.
  • the filler in this case include silica particles.
  • the sealing material 80 contains a filler before curing.
  • the preferred content and preferred examples are the same as those of the preferred content and preferred examples after curing.
  • the sealing material 80 is formed by curing at least one acrylate-based, epoxy-based, and silicone-based sealing composition before curing.
  • the material of the sealing material 80 Cemedine Co., Ltd .: SX-UV100A, Cemedine Co., Ltd .: SK-UV200, Chemitec Co., Ltd .: U1455, Chemitec Co., Ltd .: U1595J, ThreeBond Co., Ltd .: ThreeBond3013Q, ThreeBond Co., Ltd. Manufactured by: ThreeBond3018, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KER-4302-UV and the like.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view of a radiation imaging apparatus 1 when the radiation detector 10 of the present embodiment is applied to an ISS (Irradiation Side Sampling) method in which radiation is irradiated from the second surface 11B side of the base material 11.
  • ISS Irradiation Side Sampling
  • FIG. 5B is an example of a cross-sectional view of the radiation imaging apparatus 1 when the radiation detector 10 of the present embodiment is applied to the PSS (Penetration Side Sampling) method in which radiation is irradiated from the conversion layer 14 side. ..
  • the radiation imaging apparatus 1 using the radiation detector 10 is used in a state of being housed in the housing 120.
  • circuit units such as a radiation detector 10, a power supply unit 108, and a signal processing board 300 are provided side by side in the incident direction of radiation in the housing 120.
  • the radiation detector 10 of FIG. 5A is arranged so that the second surface 11B side of the base material 11 faces the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120 to which the radiation transmitted through the subject is irradiated.
  • the reinforcing member 40 is arranged so as to face the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120.
  • the radiation detector 10 of FIG. 5B is arranged so that the first surface 11A side of the base material 11 faces the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120. More specifically, the upper surface of the conversion layer 14 is arranged so as to face the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120.
  • a middle plate 116 is further provided in the housing 120 on the side where the radiation transmitted through the radiation detector 10 is emitted.
  • the middle plate 116 include a sheet made of aluminum or copper. The copper sheet is less likely to generate secondary radiation due to the incident radiation, and therefore has a function of preventing scattering to the rear, that is, to the conversion layer 14 side. It is preferable that the middle plate 116 covers at least the entire surface of the conversion layer 14 on the side where the radiation is emitted, and also covers the entire conversion layer 14. Further, a circuit portion such as a signal processing board 300 is fixed to the middle plate 116.
  • the housing 120 is preferably lightweight, has a low absorption rate of radiation, particularly X-rays, has high rigidity, and is preferably made of a material having a sufficiently high elastic modulus.
  • a material having a flexural modulus of 10,000 MPa or more As the material of the housing 120, carbon or CFRP (Carbon Fiber Reinforced Plastics) having a flexural modulus of about 20000 MPa to 60,000 MPa can be preferably used.
  • a load from the subject is applied to the irradiation surface 120A of the housing 120. If the rigidity of the housing 120 is insufficient, the sensor substrate 12 may be bent due to the load from the subject, and problems such as damage to the pixels 30 may occur.
  • the radiation detector 10 inside the housing 120 made of a material having a flexural modulus of 10,000 MPa or more, it is possible to suppress the bending of the sensor substrate 12 due to the load from the subject.
  • the housing 120 may be made of different materials for the irradiation surface 120A of the housing 120 and other parts.
  • the portion corresponding to the irradiation surface 120A is formed of a material having a low radiation absorption rate, high rigidity, and a sufficiently high elastic modulus as described above, and the other portion corresponds to the irradiation surface 120A. It may be formed of a material different from the portion, for example, a material having a lower elastic modulus than the portion of the irradiation surface 120A.
  • the manufacturing method of the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6A to 6F.
  • the manufacturing method of the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment includes the manufacturing method of the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the substrate 11 is provided on the support 400 such as a glass substrate which is thicker than the substrate 11 via the release layer 402.
  • the support 400 such as a glass substrate which is thicker than the substrate 11 via the release layer 402.
  • a sheet to be the base material 11 is attached onto the support 400.
  • the second surface 11B of the base material 11 is in contact with the release layer 402.
  • the method for forming the base material 11 is not limited to this embodiment, and may be, for example, a form in which the base material 11 is formed by a coating method.
  • the pixel 30 and the terminal 113 are formed on the first surface 11A of the base material 11.
  • the pixel 30 is formed in the pixel region 35 of the first surface 11A via an undercoat layer (not shown) using SiN or the like.
  • a plurality of terminals 113 are formed along each of the two sides of the base material 11.
  • the conversion layer 14 is formed on the layer on which the pixel 30 is formed (hereinafter, simply referred to as “pixel 30”). Specifically, as described above, in the present embodiment, the sheet-shaped conversion layer 14 in which GOS is dispersed in a binder such as resin is bonded to the support 52 formed of white PET or the like by the adhesive layer 50. Prepare things. Further, the conversion layer 14 is formed on the sensor substrate 12 by bonding the side of the conversion layer 14 to which the support 52 is not bonded and the pixels 30 of the sensor substrate 12 with an adhesive sheet or the like (not shown). do.
  • the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor board 12.
  • the terminal 113 is thermocompression-bonded to the flexible cable 112 on which the drive IC 210 or the signal processing IC 310 is mounted, and the terminal 113 and the flexible cable 112 are electrically connected.
  • the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor board 12.
  • the side surface of the conversion layer 14 is sealed with the sealing material 80, and the conversion layer 14 is fixed to the first surface 11A of the base material 11.
  • the upper surface of the conversion layer 14, specifically, from the support 52 to the first surface 11A of the base material 11, is applied over the end portion of the conversion layer 14, and then irradiated with ultraviolet rays.
  • the sealing material 80 is provided.
  • the sensor substrate 12 provided with the conversion layer 14 is peeled off from the support 400.
  • this step is referred to as a peeling step.
  • FIG. 6D omits the description of the flexible cable 112 and the like connected to the terminal 113 for the sake of simplification.
  • the side of the base material 11 of the sensor substrate 12 facing the side provided with the terminal 113 is set as the starting point of peeling.
  • the sensor board 12 is gradually peeled off from the support 400 in the direction of the arrow D shown in FIG. 6D from the side serving as the starting point toward the side where the terminal 113 is provided, so that the sensor board 12 can be removed from the support 400. Peel off.
  • the side that is the starting point of peeling is preferably the side that intersects with the longest side when the sensor substrate 12 is viewed in a plane.
  • the side along the bending direction Y where bending occurs due to peeling is preferably the longest side.
  • the starting point of peeling is a side facing the side to which the flexible cable 112B is electrically connected.
  • the reinforcing member 40 prepared as described above is attached to the second surface 11B of the base material 11 with the adhesive 42. That is, the concave side of the reinforcing member 40 is attached to the second surface 11B of the base material 11. In this case, since the sensor substrate 12 bends in a concave shape, compressive stress is generated from the outer edge toward the center.
  • the sensor substrate 12 bends in a convex shape, so that the sensor substrate 12 bends from the center to the outer edge. Tensile stress is generated toward. When the tensile stress is generated in this way, a line defect may occur in the radiation image generated by the radiation detector 10 due to poor contact between the terminal 113 and the flexible cable 112 or the like.
  • the concave surface side of the reinforcing member 40 is bonded to the second surface 11B of the base material 11, so that the compressive stress is applied from the outer edge to the center. Is in a state of occurrence. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of line defects in the radiation image due to the generation of the above-mentioned tensile stress.
  • the radiation imaging apparatus 1 shown in FIG. 5A or FIG. 5B is manufactured. Specifically, the radiation detector 10 is housed in the housing 120 with the reinforcing member 40 facing the irradiation surface 120A, whereby the radiation imaging apparatus 1 shown in FIG. 5A is manufactured. Further, by housing the radiation detector 10 in the housing 120 with the conversion layer 14 facing the irradiation surface 120A, the radiation imaging apparatus 1 shown in FIG. 5B is manufactured.
  • the configuration and manufacturing method of the radiation imaging apparatus 1 and the radiation detector 10 are not limited to the above-described form.
  • the form shown in the following modifications 1 to 5 may be used. It should be noted that the above-mentioned form and each of the modified examples 1 to 5 may be appropriately combined, and the form is not limited to the modified examples 1 to the modified example 5.
  • Modification 1 In this modification, a modification of the conversion layer 14 will be described. In this modification, instead of the above-mentioned GOS, a scintillator containing CsI: Tl (cesium iodide added with thallium) and CsI: Na (cesium iodide added with sodium) is used as the conversion layer 14. Will be explained.
  • FIG. 7A and 7B show an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example.
  • FIG. 7A corresponds to FIG. 3A and corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 radiation detector 10.
  • FIG. 7B corresponds to FIG. 3B and corresponds to a sectional view taken along line BB of the radiation detector 10.
  • the conversion layer 14 When the conversion layer 14 is formed by the vapor phase deposition method, the conversion layer 14 is formed with an inclination gradually decreasing in thickness toward the outer edge thereof, as shown in FIGS. 7A and 7B. ..
  • the central region of the conversion layer 14 in which the thickness can be regarded as substantially constant when the manufacturing error and the measurement error are ignored is referred to as the central portion 14A.
  • the outer peripheral region of the conversion layer 14 having a thickness of, for example, 90% or less with respect to the average thickness of the central portion 14A of the conversion layer 14 is referred to as a peripheral portion 14B. That is, the conversion layer 14 has an inclined surface inclined with respect to the sensor substrate 12 at the peripheral edge portion 14B. In other words, the inclined surface of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 is inclined so that the conversion layer 14 gradually expands from the upper side to the lower side.
  • CsI is converted as a columnar crystal directly on the first surface 11A of the base material 11 of the sensor substrate 12 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • Layer 14 is formed.
  • the side of the conversion layer 14 in contact with the pixel 30 is the growth direction base point side of the columnar crystal.
  • an adhesive layer 60, a reflective layer 62, an adhesive layer 64, and a protective layer 66 are provided on the conversion layer 14 of this modification.
  • the adhesive layer 60 covers the entire surface of the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 has a function of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 preferably has light transmission.
  • an acrylic adhesive, a hot melt adhesive, and a silicone adhesive can be used as the material of the adhesive layer 60.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include urethane acrylate, acrylic resin acrylate, and epoxy acrylate.
  • the hot melt adhesive include EVA (ethylene / vinyl acetate copolymer resin), EAA (ethylene and acrylic acid copolymer resin), EEA (ethylene-ethyl acrylate copolymer resin), and EMMA (ethylene-methacryl).
  • thermoplastics such as methyl acid copolymer).
  • the thickness of the adhesive layer 60 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • the thickness of the adhesive layer 60 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • the reflective layer 62 covers the entire surface of the adhesive layer 60.
  • the reflective layer 62 has a function of reflecting the light converted by the conversion layer 14.
  • the material of the reflective layer 62 is preferably made of a metal or a resin material containing a metal oxide.
  • white PET Polyethylene Terephthalate
  • TiO 2 , Al 2 O 3 foamed white PET, specular reflective aluminum and the like can be used.
  • the white PET is a PET to which a white pigment such as TiO 2 or barium sulfate is added, and the foamed white PET is a white PET having a porous surface.
  • a laminated film of a resin film and a metal film may be used as the material of the reflective layer 62.
  • the laminated film of the resin film and the metal film include an Alpet (registered trademark) sheet in which aluminum is laminated by adhering an aluminum foil to an insulating sheet (film) such as polyethylene terephthalate. ..
  • the thickness of the reflective layer 62 is preferably 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the adhesive layer 64 covers the entire surface of the reflective layer 62.
  • the end of the adhesive layer 64 extends to the first surface 11A of the substrate 11. That is, the adhesive layer 64 is adhered to the base material 11 of the sensor substrate 12 at its end.
  • the adhesive layer 64 has a function of fixing the reflective layer 62 and the protective layer 66 to the conversion layer 14.
  • the material of the adhesive layer 64 the same material as the material of the adhesive layer 60 can be used, but it is preferable that the adhesive force of the adhesive layer 64 is larger than the adhesive force of the adhesive layer 60.
  • the protective layer 66 is provided so as to cover the entire conversion layer 14 and its end portion covers a part of the sensor substrate 12.
  • the protective layer 66 functions as a moisture-proof film that prevents moisture from entering the conversion layer 14.
  • Organic materials including organic materials such as PET, PPS (PolyPhenylene Sulfide), OPP (Oriented PolyPropylene), PEN (PolyEthylene Naphthalate), and PI as the material of the protective layer 66.
  • Membranes and parylene can be used.
  • a laminated film of a resin film and a metal film may be used as the protective layer 66. Examples of the laminated film of the resin film and the metal film include a sheet of Alpet (registered trademark).
  • the sealing material 80 of this modification is provided so as to cover the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 66 that seal the conversion layer 14.
  • the sealing material 80 is provided over the end portion of the conversion layer 14 from the adhesive layer 64 that seals the conversion layer 14 to the first surface 11A of the base material 11. ..
  • the ratio of the height 80H to the width 80W over the first surface 11A of the base material 11 of the sealing material 80 is larger than 0.3.
  • the distance L between the end portion of the sealing material 80 and the outer edge of the first surface 11A of the base material 11 on which the terminal portion 114 is not provided is set to 2 mm or less.
  • the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 66 each cover a part of the sensor substrate 12 has been described, but the present invention is not limited to this form.
  • the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 66 may be provided so as to coincide with the ends of the conversion layer 14.
  • each of the adhesive layer 64 and the protective layer 66 may be provided only at a position corresponding to the upper part of the conversion layer 14.
  • the sealing material 80 follows the bending of the sensor substrate 12, so that the conversion is performed. It is possible to prevent the layer 14 from peeling from the sensor substrate 12 and to prevent moisture from entering the inside.
  • Modification 2 In this modification, a modification of the region where the sealing material 80 is provided will be described.
  • FIG. 9 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example. Note that FIG. 9 corresponds to FIG. 3A and corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10.
  • the sealing material 80 covers a part of the terminal portion 114. Specifically, the sealing material 80 covers a part of the terminal 113 of the terminal portion 114 and the flexible cable 112.
  • the ratio of the height 80H to the width 80W over the first surface 11A of the base material 11 of the sealing material 80 is larger than 0.3.
  • the sealing material 80 follows the bending of the sensor substrate 12, so that the conversion layer 14 is suppressed from peeling from the sensor substrate 12, and moisture is contained inside. It can suppress the invasion. Further, according to this modification, since the sealing material 80 covers at least a part of the terminal 113 and the flexible cable 112, the sealing material 80 follows the bending of the sensor board 12 even when the sensor board 12 is bent. Therefore, it is possible to prevent the flexible cable 112 from peeling off from the terminal 113.
  • the sealing material 80 covers a part of the terminal portion 114
  • the present invention is not limited to this form, and the sealing material 80 may cover the entire terminal portion 114.
  • FIG. 10A shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example. Note that FIG. 10A corresponds to FIG. 3A and corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10.
  • the surface of the flexible cable 112 connected to the terminal 113 at the terminal portion 114 that is not in contact with the first surface 11A of the base material 11 is a moisture-proof insulating film. Covered by 130. Specifically, the end of each of the plurality of flexible cables 112 is covered with a moisture-proof insulating film 130.
  • the moisture-proof insulating film 130 has a moisture-proof property and has a function of preventing corrosion of the terminal 113 and the flexible cable 112.
  • Tuffy registered trademark
  • FPD Flat Panel Display
  • a protective member 132 is provided on the upper part of the moisture-proof insulating film 130.
  • the protective member 132 is provided in the region corresponding to the side of the flexible cable 112 connected to the terminal portion 114, which is opposite to the surface of the flexible cable 112 on the terminal portion 114 side.
  • the protective member 132 is provided for each of the plurality of flexible cables 112.
  • the protective member 132 has a function of suppressing the flexible cable 112 from peeling off from the terminal 113, and has a strength for reinforcing the strength of the region of the base material 11 where the terminal portion 114 is provided.
  • Examples of the material of the protective member 132 include the same material as the reinforcing member 40, and a material containing at least one of PET and PC is preferable.
  • the sensor substrate 12 of the radiation detector 10 may be larger than the reinforcing member 40, and the end portion of the sensor substrate 12 may protrude from the end portion of the reinforcing member 40. ..
  • Modification example 4 In this modification, a modification in which the protection member 133 is provided instead of the protection member 132 shown in the modification 3 will be described.
  • FIG. 11A shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example. Note that FIG. 11A corresponds to FIG. 3A and corresponds to a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10.
  • the protective member 133 is provided in a region extending from the end portion of the sensor substrate 12 to the end portion of the sealing material 80.
  • the protective member 133 is provided in a state of filling the gap between the terminal portion 114 and the sealing material 80 on the first surface 11A of the base material 11 of the sensor substrate 12. That is, the protective member 133 functions as a caulking material.
  • the protective member 133 of the present embodiment is an example of the caulking material of the present disclosure.
  • As the material of the protective member 133 that functions as a caulking material it is preferable to use the same material as the sealing material 80.
  • Cemedine SX-UV100A
  • Cemedine SK-UV200
  • Chemitec U1455
  • Chemitec U1595J
  • ThreeBond ThreeBond3013Q
  • ThreeBond ThreeBond3018
  • Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KER-4302-UV and the like can be mentioned.
  • the first surface 11A of the base material 11 is covered with the sealing material 80 and the protective member 133 and the first surface 11A is not exposed, the first surface 11A of the base material 11 is covered. It is possible to prevent disconnection of the wiring (TFT). Further, according to this modification, since the integrated sealing material 80 and the protective member 133 are provided in the region from the outer edge of the conversion layer 14 to the outer edge of the base material 11, the base is formed from the outer edge of the conversion layer 14. It is possible to reinforce the strength of the base material 11 in the region extending to the outer edge of the material 11. Therefore, according to this modification, it is possible to prevent the flexible cable 112 from peeling from the terminal 113 even when the base material 11 is bent.
  • the sensor substrate 12 of the radiation detector 10 may be larger than the reinforcing member 40, and the end portion of the sensor substrate 12 may protrude from the end portion of the reinforcing member 40. ..
  • the example shown in FIG. 11B shows a form in which the positions of the end portion of the protective member 133 and the end portion of the base material 11 are the same, but the present invention is not limited to this embodiment.
  • the position of the end portion of the protective member 133 opposite to the end portion on the sealing material 80 side is from the end portion of the base material 11.
  • it may be inside, it is preferably outside the end of the reinforcing member 40.
  • FIGS. 12A and 12B are examples of a cross-sectional view of the radiation imaging apparatus 1 of this modified example.
  • FIG. 12A illustrates a configuration in which circuit units such as a radiation detector 10, a control board 110, and a power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the figure.
  • circuit units such as a radiation detector 10, a control board 110, and a power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the figure.
  • the radiation detector 10 and the circuit unit are arranged side by side in a direction intersecting the irradiation direction of the radiation.
  • FIG. 12A shows a form in which both the power supply unit 108 and the control board 110 are provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular pixel region 35.
  • the position where the circuit unit such as the power supply unit 108 and the control board 110 is provided is not limited to the form shown in FIG. 12A.
  • the circuit units such as the power supply unit 108 and the control board 110 may be distributed on each of the two opposing sides of the pixel region 35, or may be distributed on each of the two adjacent sides. In this way, by arranging the radiation detector 10 and the circuit unit side by side in the direction intersecting the irradiation direction of the radiation, the thickness of the housing 120, more specifically, the thickness in the direction in which the radiation penetrates. Can be made smaller, and the radiation imaging apparatus 1 can be made thinner.
  • a circuit such as a power supply unit 108 and a control board 110 is provided as in the radiation imaging apparatus 1 shown in FIG. 12B.
  • the thickness of the housing 120 may be different between the portion of the housing 120 in which each of the portions is provided and the portion of the housing 120 in which the radiation detector 10 is provided.
  • the circuit unit such as the power supply unit 108 and the control board 110 may have a thickness larger than that of the radiation detector 10.
  • the radiation detector 10 is provided rather than the thickness of the portion of the housing 120 in which each of the circuit parts such as the power supply unit 108 and the control board 110 is provided.
  • the thickness of the portion of the housing 120 may be thinner.
  • an ultrathin radiographic imaging apparatus 1 corresponding to the thickness of the radiation detector 10 can be configured.
  • the housing 120 provided with each of the circuit parts such as the power supply unit 108 and the control board 110, and the housing 120 provided with the radiation detector 10.
  • the thickness is different between the portions, if there is a step at the boundary between the two portions, there is a concern that the subject who comes into contact with the boundary 120B may feel uncomfortable. Therefore, it is preferable that the shape of the boundary portion 120B is in a state of having an inclination.
  • the portion of the housing 120 in which each of the circuit parts such as the power supply unit 108 and the control board 110 is housed and the part of the housing 120 in which the radiation detector 10 is housed may be formed of different materials.
  • the radiation detector 10 of each of the above forms accumulates the charge generated in response to the light converted from the radiation in the pixel region 35 of the first surface 11A of the flexible base material 11.
  • a sensor substrate 12 provided with a plurality of pixels 30, a conversion layer 14 provided on the first surface 11A of the base material 11 for converting radiation into light, and a side opposite to the first surface 11A of the base material 11.
  • the reinforcing member 40 provided on the second surface 11B of the above surface to reinforce the strength of the base material 11 and the reinforcing member 40 provided in the outer peripheral region of the conversion layer 14, and the reinforcing member 40, the sensor substrate 12, and the conversion layer 14 are laminated.
  • a sealing material 80 having an elastic modulus lower than that of the laminated body 56 is provided.
  • the elastic modulus of the sealing material 80 of each of the above forms is lower than the elastic modulus of the laminated body 56, even if the sensor substrate 12 is bent due to the bending of the base material 11, the sealing material 80 follows the bending. Therefore, in each of the above-mentioned radiation detectors 10, it is possible to prevent the conversion layer 14 from peeling from the sensor substrate 12 even when the base material 11 is bent.
  • the configuration of the radiation imaging apparatus 1 and the radiation detector 10 and the manufacturing method thereof are not limited to the modes described with reference to FIGS. 1 to 12B.
  • the present invention is not limited to this, and for example, a one-dimensional arrangement may be used or a honeycomb arrangement may be used. good.
  • the shape of the pixel is not limited, and it may be a rectangle or a polygon such as a hexagon. Further, it goes without saying that the shape of the pixel region 35 is not limited.
  • the radiation detector 10 may include another film or layer such as an antistatic film.
  • the configuration, manufacturing method, etc. of the radiation imaging device 1 and the radiation detector 10 in the above embodiment and each modification are examples, and can be changed depending on the situation within a range not deviating from the gist of the present invention. Needless to say.
  • Radiation imaging device 10 Radiation detector 11 Base material, 11A 1st surface, 11B 2nd surface, 11C Opposing region 12 Sensor substrate 14 Conversion layer, 14A Central part, 14B Peripheral part 30 pixels 32 TFT (switching element) 34 Sensor unit 35 Pixel area 36 Signal wiring 38 Scanning wiring 39 Common wiring 40 Reinforcing member 42 Adhesive 44 Antistatic layer 50 Adhesive layer 52 Support 56 Laminated body 60 Adhesive layer 62 Reflective layer 64 Adhesive layer 66 Protective layer 80, 180 Sealing Material, 80H Height, 80W Width 100 Control unit, 100A CPU, 100B Memory, 100C Storage unit 102 Drive unit 104 Signal processing unit 106 Image memory 108 Power supply unit 110 Control board 112, 112A, 112B Flexible cable 113 Terminal 114 Terminal unit 116 Middle plate 120 housing, 120A irradiation surface, 120B boundary 130 Moisture-proof insulating film 132, 133 Protective member 200 Drive board 210 Drive IC 300 Signal processing board 310 Signal processing

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Abstract

放射線検出器は、可撓性の基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板と、前記基材の前記第１の面に設けられた、前記放射線を光に変換する変換層と、前記基材の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられた、前記基材の強度を補強する補強部材と、前記変換層の外周の領域に設けられ、前記補強部材、前記基板、及び前記変換層が積層された積層体の弾性率よりも弾性率が低いシーリング材と、を備える。

Description

放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
　本開示は、放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に関する。
　従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
　この種の放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が基材の画素領域に設けられた基板と、を備えたものがある。
　変換層の防湿性を向上するために変換層の側面をシーリング（封止）する技術が知られている。例えば、特開２０１２－１１８０５８号公報には、放射線検出器において変換層の側面を封止膜により封止する技術が記載されている。特開２０１２－１１８０５８号公報に記載の技術では、基板が面外方向へ反った場合に反りに追従することで変換層が基板から剥離するのを抑制し、剥離した部分から水分が侵入するのを抑制する。
　ところで、放射線検出器の基板の基材として、可撓性の基材を用いたものが知られている。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
　しかしながら、可撓性の基材を用いることにより、基板が撓み易くなる傾向がある。特開２０１２－１１８０５８号公報は、基板の面外方向への反りに対応する技術であるものの、可撓性の基材を用いた場合については十分とは言えない場合があった。
　本開示は、基材が撓んだ場合でも変換層が基板から剥離するのを抑制することができる放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の第１の態様の放射線検出器は、可撓性の基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板と、基材の第１の面に設けられた、放射線を光に変換する変換層と、基材の第１の面と反対側の第２の面に設けられた、基材の強度を補強する補強部材と、変換層の外周の領域に設けられ、補強部材、基板、及び変換層が積層された積層体の弾性率よりも弾性率が低いシーリング材と、を備える。
　また、本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、シーリング材は、変換層の側面を覆う状態に設けられている。
　また、本開示の第３の態様の放射線検出器は、第１の態様または第２の態様の放射線検出器において、シーリング材は、変換層の端部を跨ぐ領域に設けられている。
　また、本開示の第４の態様の放射線検出器は、第１の態様から第３の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、変換層の外周全体の領域に設けられている。
　また、本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材の曲げ弾性率は、２０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下である。
　また、本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第５態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材の硬化前のチクソ係数は、１．５以上、１０以下である。
　また、本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、ガラス転移温度が２５℃以下である。
　また、本開示の第８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、硬化前において重量平均分子量が１０００以上の化合物を含む。
　また、本開示の第９の態様の放射線検出器は、第８の態様の放射線検出器において、シーリング材における化合物の含有量は、５質量％以上、９５質量％以下である。
　また、本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、硬化前において多官能重合性化合物を含む。
　また、本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１０の態様の放射線検出器において、シーリング材における多官能重合性化合物の含有量は、５質量％以上、９５質量％以下である。
　また、本開示の第１２の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１１の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、フィラーを含む。
　また、本開示の第１３の態様の放射線検出器は、第１２の態様の放射線検出器において、シーリング材におけるフィラーの含有量は、０．０１質量％以上、５０質量％以下である。
　また、本開示の第１４の態様の放射線検出器は、第１２の態様または第１３の態様の放射線検出器において、フィラーは、シリカ粒子である。
　また、本開示の第１５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、硬化前においてアクリレート系、エポキシ系、及びシリコーン系の少なくとも１つのシーリング材用組成物を硬化させてなる。
　また、本開示の第１６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１５の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、紫外線により硬化する樹脂材料を硬化させてなる。
　また、本開示の第１７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が第１の面の外縁の少なくとも一部に設けられており、シーリング材の端部と端子部が設けられていない外縁との間隔は２ｍｍ以下である。
　また、本開示の第１８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１７の態様の放射線検出器において、基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が第１の面に設けられており、端子部に電気的に接続されたケーブルの端子部側の面と反対の面の側に対応する領域に設けられた保護部材をさらに備える。
　また、本開示の第１９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１７の態様の放射線検出器において、基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が第１の面に設けられており、保護部材は、基材の第１の面における、端子部と、シーリング材との隙間を埋めるコーキング材をさらに備える。
　また、本開示の第２０の態様の放射線検出器は、第１９の態様の放射線検出器において、シーリング材とコーキング材とは同じ材料からなる。
　また、本開示の第２１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第２０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が第１の面に設けられており、シーリング材は、端子部の少なくとも一部を覆う。
　また、本開示の第２２の態様の放射線検出器は、第１の態様から第２１の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、シーリング材は、第１の面に亘る幅に対する高さの比率が０．３より大きい。
　また、本開示の第２３の態様の放射線検出器の製造方法は、支持体に、可撓性の基材を設け、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が基材の第１の面の画素領域に設けられた基板を形成する工程と、基材の第１の面に、放射線を光に変換する変換層を設ける工程と、変換層の外周の領域に、シーリング材を設ける工程と、変換層及びシーリング材が設けられた基板を、支持体から剥離する工程と、基板の第１の面と反対側の第２の面に、基材の強度を補強する補強部材を設けて補強部材、基板、及び変換層が積層された積層体を形成する工程と、を備え、シーリング材は、積層体の弾性率よりも弾性率が低い。
　本開示によれば、基材が撓んだ場合でも変換層が基板から剥離するのを抑制することができる。
実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 実施形態の放射線検出器の一例を基材の第１の面側からみた平面図である。 図２に示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 図２に示した放射線検出器のＢ－Ｂ線断面図である。 比較例のシーリング材により変換層をセンサ基板に固定した場合の作用を説明するための図である。 本実施形態のシーリング材により変換層をセンサ基板に固定した場合の作用を説明するための図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 変形例１の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１の放射線検出器の一例のＢ－Ｂ線断面図である。 変形例１の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１の放射線検出器の一例のＢ－Ｂ線断面図である。 変形例２の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例３の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例３の放射線検出器の他の例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例４の放射線検出器の一例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例４の放射線検出器の他の例のＡ－Ａ線断面図である。 変形例３の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 変形例３の放射線画像撮影装置の他の例の断面図である。
　以下、図面を参照して本開示の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
　本実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力する機能を有する。本実施形態の放射線検出器は、センサ基板と、放射線を光に変換する変換層と、を備えている（図３Ａ及び図３Ｂ、放射線検出器１０のセンサ基板１２及び変換層１４参照）。本実施形態のセンサ基板１２が、本開示の基板の一例である。
　まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
　図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。本実施形態の制御部１００、駆動部１０２、及び信号処理部１０４の少なくとも１つが、本開示の回路部の一例である。以下、制御部１００、駆動部１０２、及び信号処理部１０４を総称する場合、「回路部」という。
　放射線検出器１０は、センサ基板１２と、放射線を光に変換する変換層１４（図３Ａ及び図３Ｂ参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１１と、基材１１の第１の面１１Ａに設けられた複数の画素３０と、を備えている。なお、以下では、複数の画素３０について、単に「画素３０」という場合がある。
　図１に示すように本実施形態の各画素３０は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部３４、及びセンサ部３４にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子３２を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子３２として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子３２を「ＴＦＴ３２」という。本実施形態では、センサ部３４及びＴＦＴ３２が形成され、さらに平坦化された層として基材１１の第１の面１１Ａに画素３０が形成された層が設けられる。
　画素３０は、センサ基板１２の画素領域３５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素３０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素３０は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
　また、放射線検出器１０には、画素３０の行毎に備えられた、ＴＦＴ３２のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線３８と、画素３０の列毎に備えられた、センサ部３４に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線３６と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線３８の各々は、それぞれフレキシブルケーブル１１２Ａを介して、駆動部１０２に接続されることにより、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ３２を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線３８の各々に流れる。また、複数の信号配線３６の各々が、それぞれフレキシブルケーブル１１２Ｂを介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素３０から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。なお、本実施形態のフレキシブルケーブル１１２が、本開示のケーブルの一例である。また、本実施形態においてフレキシブルケーブル１１２に関して「接続」という場合、電気的な接続を意味する。
　信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
　制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
　なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１では、画像メモリ１０６及び制御部１００等は、制御基板１１０に形成されている。
　また、各画素３０のセンサ部３４には、各画素３０にバイアス電圧を印加するために、共通配線３９が信号配線３６の配線方向に設けられている。共通配線３９が、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素３０にバイアス電圧が印加される。
　電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
　さらに、放射線検出器１０について詳細に説明する。図２は、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図の一例である。また、図３Ａは、図２における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図の一例である。図３Ｂは、図２における放射線検出器１０のＢ－Ｂ線断面図の一例である。
　基材１１は、可撓性を有し、例えば、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１１の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ、すなわち第１の面１１Ａまたは第２の面１１Ｂの面積等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。可撓性を有する例としては、矩形状の基材１１単体の場合に、基材１１の１辺を固定した状態で、固定した辺より１０ｃｍ離れた位置で基材１１の自重による重力で２ｍｍ以上、基材１１が垂れ下がる（固定した辺の高さよりも低くなる）ものを指す。基材１１が樹脂シートの場合の具体例としては、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ～５０μｍのものであればより好ましい。
　なお、基材１１は、画素３０の製造に耐え得る特性を有しており、本実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１１が有する特性としては、３００℃～４００℃における熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion)が、アモルファスシリコン（Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましく、具体的には、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１１の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。また、基材１１の弾性率は、３００℃～４００℃間の温度領域において、一般的なＰＩが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。
　また、本実施形態の基材１１は、自身による後方散乱線を抑制するために、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の、後方散乱線を吸収する無機の微粒子を含む微粒子層を有することが好ましい。なおこのような無機の微粒子としては、樹脂性の基材１１の場合、原子番号が、基材１１である有機物を構成する原子よりも大きく、かつ３０以下である無機物を用いることが好ましい。このような微粒子の具体例としては、原子番号が１４のＳｉの酸化物であるＳｉＯ２、原子番号が１２のＭｇの酸化物であるＭｇＯ、原子番号が１３のＡｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３、及び原子番号が２２のＴｉの酸化物であるＴｉＯ２等が挙げられる。このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。
　なお、本実施形態における上記の厚みについては、マイクロメーターを用いて測定した。熱膨張率については、ＪＩＳ　Ｋ７１９７：１９９１に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について熱膨張率を測定し、最も高い値を基材１１の熱膨張率とした。熱膨張率の測定は、ＭＤ（Machine Direction）方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向のそれぞれについて、－５０℃～４５０℃において１０℃間隔で行い、（ｐｐｍ／℃）を（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定には、ＭＡＣサイエンス社製　ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ２、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。
　所望の可撓性を有する基材１１としては、樹脂シート等、樹脂製のものに限定されない。例えば、基材１１は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１１がガラス基板の場合の具体例としては、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであれば所望のガラス基板であってもよい。
　図２、図３Ａ、及び図３Ｂに示すように、複数の画素３０は、基材１１の第１の面１１Ａに設けられている。本実施形態では、基材１１の第１の面１１Ａにおける画素３０が設けられた領域を画素領域３５としている。
　また、図３Ａ、及び図３Ｂに示すように、本実施形態の放射線検出器１０のセンサ基板１２における、基材１１の第１の面１１Ａと反対側の第２の面１１Ｂには、粘着剤４２により補強部材４０が設けられている。一例として、本実施形態の補強部材４０は、基材１１の第２の面１１Ｂ全体に亘って設けられている。
　補強部材４０は、基材１１の強度を補強する機能を有する。本実施形態の補強部材４０は、基材１１よりも曲げ剛性が高く、変換層１４と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１の第２の面１１Ｂに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。補強部材４０の素材としては、例えば、カーボンやプラスチック等が挙げられる。なお、補強部材４０は、複数の素材を含んでいてもよく、例えば、プラスチックと、カーボンとの積層体であってもよい。
　なお具体的には、補強部材４０の曲げ剛性は、基材１１の曲げ剛性の１００倍以上であることが好ましい。また、本実施形態の補強部材４０の厚みは、基材１１の厚みよりも厚い。例えば、基材１１として、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、補強部材４０の厚みは０．２ｍｍ～０．２５ｍｍ程度が好ましい。
　具体的には、本実施形態の補強部材４０は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、３５００ＭＰａ以下の素材を用いることが好ましい。補強部材４０は、基材１１の撓みを抑制する観点からは、基材１１よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、補強部材４０の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。上述の補強部材４０の材料を考慮すると、１４００００Ｐａｃｍ４を越える曲げ剛性を得ようとする場合、補強部材４０の厚みが、比較的厚くなってしまう傾向がある。そのため、適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、補強部材４０に用いる素材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、３５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、補強部材４０の曲げ剛性は、５４０Ｐａｃｍ４以上、１４００００Ｐａｃｍ４以下であることが好ましい。
　また、本実施形態の補強部材４０の熱膨張率は、変換層１４の材料の熱膨張率に近い方が好ましく、より好ましくは、変換層１４の熱膨張率に対する補強部材４０の熱膨張率の比（補強部材４０の熱膨張率／変換層１４の熱膨張率）が、０．５以上、２以下であることが好ましい。このような補強部材４０の熱膨張率としては、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、変換層１４がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、変換層１４に比較的近い材料としては、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／ＫであるＰＶＣ（Polyvinyl Chloride：ポリ塩化ビニル）、熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるアクリル、熱膨張率が６５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、及び熱膨張率が４５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／Ｋであるテフロン(登録商標)等が挙げられる。さらに、上述した曲げ弾性率を考慮すると、補強部材４０の材料としては、ＰＥＴ、及びＰＣの少なくとも一方を含む材料であることがより好ましい。
　補強部材４０は、弾力性の観点からは、降伏点を有する材料を含むことが好ましい。なお、本実施形態において「降伏点」とは、材料を引っ張った場合に、応力が一旦、急激に下がる現象をいい、応力とひずみとの関係を表す曲線上で、応力が増えずにひずみが増える点のことをいい、材料について引っ張り強度試験を行った際の応力－ひずみ曲線における頂部を指す。降伏点を有する樹脂としては、一般的に、硬くて粘りが強い樹脂、及び柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂が挙げられる。硬くて粘りが強い樹脂としては、例えば、ＰＣ等が挙げられる。また、柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂としては、例えば、ポリプロピレン等が挙げられる。
　本実施形態の補強部材４０を、プラスチックを材料とした基板とした場合、上述した理由から熱可塑性の樹脂であることが好ましく、ＰＣ、ＰＥＴ、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、ナイロン、ポリプロピレン、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、エンプラ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つが挙げられる。なお、補強部材４０は、これらのうち、ポリプロピレン、ＡＢＳ、エンプラ、ＰＥＴ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つであることが好ましく、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、及びナイロンの少なくとも一つであることがより好ましく、ＰＣ及びＰＥＴの少なくとも一つであることがさらに好ましい。
　一方、図２、図３Ａ、及び図３Ｂに示すように、基材１１の第１の面１１Ａの外縁部に設けられた端子部１１４には、複数（図２では、１６個）の端子１１３が設けられている。具体的には、基材１１の第１の面１１Ａの隣接する２辺に沿って端子部１１４が設けられており、隣接する２辺の各々に複数（図２では８個）の端子１１３が設けられている。端子１１３としては、異方性導電フィルム等が用いられる。複数の端子１１３の各々には、フレキシブルケーブル１１２が熱圧着により接続されている。
　基材１１の一辺に設けられた端子部１１４の複数の端子１１３各々に接続されたフレキシブルケーブル１１２Ａは、いわゆるＣＯＦ（Chip on Film）であり、フレキシブルケーブル１１２Ａには、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２１０が搭載されている。駆動ＩＣ２１０は、フレキシブルケーブル１１２Ａに含まれる複数の信号線に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ａ及び後述するフレキシブルケーブル１１２Ｂについて、各々を区別せずに総称する場合、単に「フレキシブルケーブル１１２」という。
　フレキシブルケーブル１１２Ａにおける、センサ基板１２の端子１１３と接続された一端と反対側の他端は、駆動基板２００に接続される。一例として、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ａに含まれる複数の信号線は、駆動基板２００に熱圧着されることにより、駆動基板２００に搭載された回路及び素子等（図示省略）と接続される。本実施形態の駆動基板２００は、可撓性のＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板であり、いわゆるフレキシブル基板であるが、駆動基板２００は必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、非可撓性のリジッド基板であってもよいし、リジッドフレキ基板を用いてもよい。本実施形態では、駆動基板２００と、フレキシブルケーブル１１２Ａに搭載された駆動ＩＣ２１０とにより、駆動部１０２が実現される。
　一方、フレキシブルケーブル１１２Ａが接続された基材１１の一辺と交差する辺に設けられた端子部１１４の複数（図２では８個）の端子１１３の各々には、フレキシブルケーブル１１２Ｂが接続されている。フレキシブルケーブル１１２Ｂは、フレキシブルケーブル１１２Ａと同様に、いわゆるＣＯＦであり、フレキシブルケーブル１１２Ｂには、信号処理ＩＣ３１０が搭載されている。信号処理ＩＣ３１０は、フレキシブルケーブル１１２Ｂに含まれる複数の信号線（図示省略）に接続されている。
　フレキシブルケーブル１１２Ｂにおける、センサ基板１２の端子１１３と接続された一端と反対側の他端は、信号処理基板３００に接続される。一例として、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ｂに含まれる複数の信号線は、信号処理基板３００に熱圧着されることにより、信号処理基板３００に搭載された回路及び素子等（図示省略）と接続される。本実施形態の信号処理基板３００は、可撓性のＰＣＢ基板であり、いわゆるフレキシブル基板であるが、信号処理基板３００は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、非可撓性のリジッド基板であってもよいし、リジッドフレキ基板を用いてもよい。本実施形態では、信号処理基板３００と、フレキシブルケーブル１１２Ｂに搭載された信号処理ＩＣ３１０とにより、信号処理部１０４が実現される。
　なお、駆動基板２００とフレキシブルケーブル１１２Ａとを接続する方法、及び信号処理基板３００とフレキシブルケーブル１１２Ｂとを接続する方法の各々は、本実施形態に限定されず、例えば、コネクタにより接続する形態としてもよい。このようなコネクタとしては、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタ等が挙げられる。また、駆動基板２００とフレキシブルケーブル１１２Ａとを接続する方法と、信号処理基板３００とフレキシブルケーブル１１２Ｂとを接続する方法は、同様で有ってもよいし、異なっていてもよい。例えば、駆動基板２００とフレキシブルケーブル１１２Ａとは、熱圧着により接続し、信号処理基板３００とフレキシブルケーブル１１２Ｂとはコネクタにより接続する形態としてもよい。
　また、図２では、駆動基板２００及び信号処理基板３００が各々、複数（２つずつ）設けられている形態について説明したが、駆動基板２００及び信号処理基板３００の数は、図２に示した数に限定されない。例えば、駆動基板２００及び信号処理基板３００の少なくとも一方を、１つの基板とした形態であってもよい。
　また、基材１１の第１の面１１Ａには、変換層１４が設けられている。本実施形態の変換層１４は、画素領域３５を覆っている。本実施形態では、変換層１４の一例としてＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）を含むシンチレータを用いている。ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシート状の変換層１４は、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）等の支持体５２に粘着層５０により貼り合わされている。本実施形態では、支持体５２に張り合わされた変換層１４の支持体５２と反対側の面を、センサ基板１２の基材１１の第１の面１１Ａに貼り合わせることで、図３Ａ及び図３Ｂに示した状態としている。なお、本実施形態では説明の便宜状、センサ基板１２において「上」、「下」という場合、変換層１４を基準としており、変換層１４のセンサ基板１２と対向する側を「下」といい、反対側を「上」という。例えば、変換層１４は、センサ基板１２の上に設けられている。
　図３Ａ及び図３Ｂに示すように、変換層１４の側面は、シーリング材８０によって覆われている。換言すると、シーリング材８０が、変換層１４の上部から基材１１の第１の面１１Ａに至るまで、変換層１４の端部に亘って設けられている。また、本実施形態のシーリング材８０は、図２に示すように、変換層１４の外周全体の領域に設けられている。
　シーリング材８０は、変換層１４をセンサ基板１２に固定する機能を有する。特に、本実施形態のシーリング材８０は、変換層１４をセンサ基板１２に固定したままで、センサ基板１２の撓みに追従する機能を有する。本機能について図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。なお、図４Ａは、本実施形態と異なるシーリング材１８０により変換層１４をセンサ基板１２に固定した形態について示している。
　本実施形態のセンサ基板１２における基材１１は、上述したように撓む場合がある。基材１１が撓んだ場合、基材１１の第２の面１１Ｂに設けられた補強部材４０も共に撓む。図４Ａに示したように、変換層１４の側面を覆うシーリング材１８０がセンサ基板１２の撓みに追従しない場合、変換層１４がセンサ基板１２から剥離する場合がある。変換層１４の側面を覆う状態にあるシーリング材１８０が硬くなると、基材１１の撓みに追従し難くなるため、変換層１４のセンサ基板１２からの剥離が生じ易くなる。
　図４Ａに示したように変換層１４が基材１１から剥離した場合、剥離した部分から水分が侵入し易くなり、画素３０等の劣化を招く。画素３０等が劣化した場合、生成される放射線画像に点欠陥等が生じ、画質の劣化を招く場合がある。
　一方、図４Ｂに示すように、本実施形態のシーリング材８０の場合、基材１１が撓むのに追従するため、変換層１４がシーリング材８０により固定されたままで基材１１が撓む。そのため、変換層１４が基材１１から剥離せず、補強部材４０、センサ基板１２、及び変換層１４が積層された積層体５６が一体的に撓む。本実施形態のシーリング材８０によれば、変換層１４がセンサ基板１２から剥離しないため、水分が内部に侵入するのを抑制することができる。従って、水分による画素３０等の劣化を抑制することができるため、生成される放射線画像の画質の劣化を抑制することができる。
　図４Ｂに示したように基材１１の撓みに追従するためにシーリング材８０は、補強部材４０、センサ基板１２、及び変換層１４が積層された積層体５６の弾性率よりも弾性率が低い。
　具体的には、シーリング材８０の曲げ弾性率は、２０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下が好ましい。なお、本実施形態における曲げ弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６に準拠した測定方法により得られた値である。例えば、積層体５６の曲げ弾性率は、積層体５６から試験片を切り取り、ＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６に準拠した測定方法により測定した結果を、単位面積あたりの弾性率に換算することにより得ている。
　なお、補強部材４０、センサ基板１２（基材１１）、及び変換層１４各々の曲げ弾性率の例としては、ＰＥＴを材料とした場合の補強部材４０は２５００ＭＰａ、センサ基板１２（基材１１）は２３００ＭＰａ、及び変換層１４は２０００ＭＰａ～３０００ＭＰａが挙げられる。従って、積層体５６としては、２０００ＭＰａ～３０００ＭＰａの曲げ弾性率を有する。そのため、本実施形態のシーリング材８０の曲げ弾性率は、上述したように２０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下が好ましい。
　上記の曲げ弾性率を満たすシーリング材８０としては、硬化前のチクソ係数が１．５以上、１０以下であることが好ましい。チクソ係数とは、いわゆるチキソトロピーの程度を表す係数であり、塗り易さ及び垂れ難さを表す係数である。なお、本実施形態におけるチクソ係数の測定方法は、粘度を測定した後、チクソトロピー指数をチクソ係数として算出した。具体的には、まず、ＢＨ型回転粘度計を用いてＪＩＳ　Ｋ６８３３に準拠して粘度を測定する。次に、チクソトロピー指数ＴＩ（２種の異なる回転速度における見かけ粘度の比）を算出するための回転数を１：１０に変化させて、下記のη１及びη２を求め、下記（２）式によりチクソトロピー指数ＴＩを算出し、チクソ係数とした。
　η１：回転数Ｄ１の時の粘度（Ｄ１＝６ｒｐｍ）
　η２：回転数Ｄ２の時の粘度（Ｄ２＝６０ｒｐｍ）
　ＴＩ＝η１／η２　　・・・（１）
　シーリング材８０の硬化前のチクソ係数が小さいと、塗布したシーリング材８０が基材１１の第１の面１１Ａに広がり易くなり、広範囲をシーリング材８０により覆う状態になる。本実施形態のシーリング材８０は、変換層１４の側面を覆った硬化後の状態で、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、基材１１の第１の面１１Ａに亘る幅８０Ｗに対する高さ８０Ｈの比率が０．３より大きい。換言すると、幅８０Ｗと高さ８０Ｈとの間には、下記（２）式の関係がある。
　高さ８０Ｈ＞幅８０Ｗ×０．３　　・・・（２）
　また、図３Ｂに示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、シーリング材８０の端部と端子部１１４が設けられていない基材１１の第１の面１１Ａの外縁との間隔Ｌを２ｍｍ以下としている。
　そのため、上述したように本実施形態では、シーリング材８０の硬化前のチクソ係数を１．５以上としている。
　一方、シーリング材８０の硬化前のチクソ係数が１０を越えた場合、塗布し難くなる。そのため、上述したように、シーリング材８０の硬化前のチクソ係数を１０以下としている。
　上記の曲げ弾性率及びチクソ係数が得られるシーリング材８０としては、ガラス転移温度が２５℃以下の材料を用いることが好ましい。なお、ガラス転移温度の測定方法は、ＪＩＳ　Ｋ　７１９７：２０１２　ＴＭＡ方に準拠した測定方法を適用している。
　また、シーリング材８０は、硬化前において重量平均分子量が１０００以上の化合物を含むことが好ましく、本化合物を５質量％以上、９５質量％以下、含有することがさらに好ましい。
　また、シーリング材８０は、硬化前において多官能重合性化合物を含むことが好ましく、多官能重合性化合物を５質量％以上、９５質量％以下、含有することがさらに好ましい。
　また、シーリング材８０は、フィラーを含むことが好ましく、フィラーを０．０１質量％以上、５０質量％以下、含有することがさらに好ましい。この場合のフィラーとしては、例えば、シリカ粒子が挙げられる。
　また、シーリング材８０は、硬化前においてフィラーを含むことが好ましい。好ましい含有量及び好ましい例としては、上記硬化後の好ましい含有量及び好ましい例と同様である。
　また、シーリング材８０は、硬化前においてアクリレート系、エポキシ系、及びシリコーン系の少なくとも１つのシーリング用組成物を硬化してなることが好ましい。
　これらの条件を考慮すると、シーリング材８０の材料としては、セメダイン社製：ＳＸ-ＵＶ１００Ａ、セメダイン社製：ＳＫ－ＵＶ２００、ケミテック社製：Ｕ１４５５、ケミテック社：Ｕ１５９５Ｊ、スリーボンド社製：ThreeBond３０１３Ｑ、スリーボンド社製：ThreeBond３０１８、及び信越化学社製：ＫＥＲ-４３０２-ＵＶ等が挙げられる。
　さらに、放射線画像撮影装置１について詳細に説明する。図５Ａは、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第２の面１１Ｂ側から放射線が照射されるＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式に適用した場合の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。また、図５Ｂは、本実施形態の放射線検出器１０を、変換層１４側から放射線が照射されるＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式に適用した場合の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。
　上記の放射線検出器１０を用いた放射線画像撮影装置１は、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、筐体１２０に収納された状態で使用される。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び信号処理基板３００等の回路部が放射線の入射方向に並んで設けられている。図５Ａの放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、基材１１の第２の面１１Ｂ側が対向する状態に配置されている。より具体的には、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、補強部材４０が対向する状態に配置されている。また、図５Ｂの放射線検出器１０は、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、基材１１の第１の面１１Ａ側が対向する状態に配置されている。より具体的には、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、変換層１４の上面が対向する状態に配置されている。
　また、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側に中板１１６がさらに設けられている。中板１１６としては、例えば、アルミや銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射される放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層１４側への散乱を防止する機能を有する。なお、中板１１６は、少なくとも変換層１４の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層１４全体を覆うことが好ましい。また、中板１１６には、信号処理基板３００等の回路部が固定されている。
　筐体１２０は、軽量であり、放射線、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましい。筐体１２０の材料として、曲げ弾性率が１００００ＭＰａ以上である材料を用いることが好ましい。筐体１２０の材料として、２００００ＭＰａ～６００００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有するカーボンまたはＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics）を好適に用いることができる。
　放射線画像撮影装置１による放射線画像の撮影においては、筐体１２０の照射面１２０Ａに被写体からの荷重が印加される。筐体１２０の剛性が不足する場合、被写体からの荷重によりセンサ基板１２に撓みが生じ、画素３０が損傷する等の不具合が発生するおそれがある。１００００ＭＰａ以上の曲げ弾性率を有する材料からなる筐体１２０内部に、放射線検出器１０が収納されることで、被写体からの荷重によるセンサ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　なお、筐体１２０は、筐体１２０の照射面１２０Ａと、その他の部分とで、異なる材料で形成されていてもよい。例えば、照射面１２０Ａに対応する部分は、上記のように放射線の吸収率が低く、且つ高剛性であり、弾性率が十分に高い材料で形成し、その他の部分は、照射面１２０Ａに対応する部分と異なる材料、例えば、照射面１２０Ａの部分よりも弾性率が低い材料で形成してもよい。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法について図６Ａ～図６Ｆを参照して説明する。なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法は、本実施形態の放射線検出器１０の製造方法を含む。
　図６Ａに示すように、センサ基板１２を形成するために、基材１１に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体４００に、剥離層４０２を介して、基材１１が設けられる。例えば、ラミネート法により基材１１を形成する場合、支持体４００上に、基材１１となるシートを貼り合わせる。基材１１の第２の面１１Ｂが剥離層４０２に接する。なお、基材１１を形成する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、塗布法で基材１１を形成する形態であってもよい。
　さらに、基材１１の第１の面１１Ａに、画素３０及び端子１１３が形成される。画素３０は、第１の面１１Ａの画素領域３５に、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して形成される。また、基材１１の２つの辺の各々に沿って複数の端子１１３が形成される。
　次に、図６Ｂに示すように、画素３０が形成された層（以下、単に「画素３０」という）の上に、変換層１４が形成される。具体的には上述したように、本実施形態では、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシート状の変換層１４を、白ＰＥＴ等により形成された支持体５２に粘着層５０により貼り合わせたものを用意する。さらに、変換層１４の支持体５２が貼り合わせられていない側と、センサ基板１２の画素３０とを粘着性のシート等（図示省略）により貼り合わせることにより、センサ基板１２に変換層１４を形成する。
　また、図６Ｂに示すように、フレキシブルケーブル１１２を、センサ基板１２に電気的に接続する。具体的には、端子１１３に、駆動ＩＣ２１０または信号処理ＩＣ３１０が搭載されたフレキシブルケーブル１１２を熱圧着させて、端子１１３とフレキシブルケーブル１１２とを電気的に接続する。これにより、センサ基板１２にフレキシブルケーブル１１２が電気的に接続される。
　次に、図６Ｃに示すように、変換層１４の側面をシーリング材８０により封止し、変換層１４を基材１１の第１の面１１Ａに固定する。本実施形態では、変換層１４の上面、具体的には支持体５２から基材１１の第１の面１１Ａに至るまで、変換層１４の端部に亘って塗布した後、紫外線を照射させて硬化させることにより、シーリング材８０を設ける。
　この後、図６Ｄに示すように変換層１４が設けられたセンサ基板１２を支持体４００から剥離する。以下、本工程を、剥離工程という。なお、図６Ｄは、図示の簡略化のために、端子１１３に接続されたフレキシブルケーブル１１２等の記載を省略している。メカニカル剥離の場合、図６Ｄに示した一例では、センサ基板１２の基材１１における、端子１１３設けられた辺と対向する辺を剥離の起点とする。そして、起点となる辺から端子１１３が設けられた辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体４００から、図６Ｄに示した矢印Ｄ方向に引きはがすことにより、センサ基板１２を支持体４００から剥離する。
　なお、剥離の起点とする辺は、センサ基板１２を平面視した場合における、最長の辺と交差する辺が好ましい。換言すると、剥離により撓みが生じる撓み方向Ｙに沿った辺は、最長の辺であることが好ましい。一例として、本実施形態では、剥離の起点を、フレキシブルケーブル１１２Ｂが電気的に接続される辺と対向する辺としている。
　次に、図６Ｅに示すように、補強部材４０の凹面側に粘着剤４２を貼り合わせたものを準備する。
　次に、図６Ｆに示すように、基材１１の第２の面１１Ｂに、上述のように準備した補強部材４０を粘着剤４２により貼り合わせる。ずなわち、基材１１の第２の面１１Ｂに、補強部材４０の凹面側を貼り合わせる。この場合、センサ基板１２が凹形状に撓むため、外縁から中央に向けて圧縮応力が発生する。
　一方、本実施形態と異なり、補強部材４０の逆の面、すなわち凸面側を基材１１の第２の面１１Ｂに貼り合わせた場合、センサ基板１２が凸形状に撓むため、中央から外縁に向けて引張応力が発生する。このように引張応力が発生した場合、端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接触不良が生じる等により、放射線検出器１０により生成された放射線画像に線欠陥が生じる場合がある。
　これに対して本実施形態では、図６Ｅ及び図６Ｆに示すように、基材１１の第２の面１１Ｂに、補強部材４０の凹面側を貼り合わせることで、外縁から中央に向けて圧縮応力が発生する状態としている。そのため、本実施形態の放射線検出器１０によれば、上述の引張応力の発生に起因する放射線画像の線欠陥の発生を抑制することができる。
　さらに、放射線検出器１０及び回路部等を、筐体１２０に収納することにより、図５Ａまたは図５Ｂに示した放射線画像撮影装置１が製造される。具体的には、補強部材４０が、照射面１２０Ａと対向する状態で、放射線検出器１０を筐体１２０に収納することで、図５Ａに示した放射線画像撮影装置１が製造される。また、変換層１４が、照射面１２０Ａと対向する状態で、放射線検出器１０を筐体１２０に収納することで、図５Ｂに示した放射線画像撮影装置１が製造される。
　なお、放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０の構成及び製造方法は、上述した形態に限定されない。例えば、以下の変形例１～変形例５に示す形態としてもよい。なお、上述した形態及び変形例１～変形例５の各々を適宜、組み合わせた形態としてもよく、また変形例１～変形例５に限定されるものでもない。
（変形例１）
　本変形例では、変換層１４の変形例について説明する。本変形例では、上述したＧＯＳに代えて、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むシンチレータを変換層１４として用いた形態について説明する。
　図７Ａ及び図７Ｂには、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。なお、図７Ａは、上記図３Ａに対応しており、放射線検出器１０放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する。また、図７Ｂは、上記図３Ｂに対応しており、放射線検出器１０のＢ－Ｂ線断面図に相当する。
　変換層１４を気相堆積法を用いて形成した場合、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、変換層１４は、その外縁に向けて厚さが徐々に薄くなる傾斜を有して形成される。以下において、製造誤差及び測定誤差を無視した場合の厚さが略一定とみなせる、変換層１４の中央領域を中央部１４Ａという。また、変換層１４の中央部１４Ａの平均厚さに対して例えば９０％以下の厚さを有する、変換層１４の外周領域を周縁部１４Ｂという。すなわち、変換層１４は、周縁部１４Ｂにおいてセンサ基板１２に対して傾斜した傾斜面を有する。換言すると、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜面は、変換層１４が上側から下側に向けて徐々に広がる状態に傾斜している。
　本変形例では、センサ基板１２の基材１１の第１の面１１Ａ上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層１４が形成される。この場合、変換層１４における画素３０と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　また、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、本変形例の変換層１４の上には、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、及び保護層６６が設けられている。
　粘着層６０は、変換層１４の表面全体を覆っている。粘着層６０は、反射層６２を変換層１４上に固定する機能を有する。粘着層６０は、光透過性を有していることが好ましい。粘着層６０の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。粘着層６０の厚さは、２μｍ以上、７μｍ以下であることが好ましい。粘着層６０の厚さを２μｍ以上とすることで、反射層６２を変換層１４上に固定する効果を十分に発揮することができる。更に、変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されるリスクを抑制することができる。変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されると、変換層１４から発せられた光が、空気層と変換層１４との間、及び空気層と反射層６２との間で反射を繰り返す多重反射を生じるおそれがある。また、粘着層６０の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の低下を抑制することが可能となる。
　反射層６２は、粘着層６０の表面全体を覆っている。反射層６２は、変換層１４で変換された光を反射する機能を有する。反射層６２の材料としては、金属、または金属酸化物を含む樹脂材料によって構成されていることが好ましい。反射層６２の材料としては、例えば、白ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものであり、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。また、反射層６２の材料としては、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシートが挙げられる。反射層６２の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。このように、変換層１４の上に反射層６２を備えることにより、変換層１４で変換された光を、効率的にセンサ基板１２の画素３０に導くことができる。
　接着層６４は反射層６２の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、基材１１の第１の面１１Ａにまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部においてセンサ基板１２の基材１１に接着している。接着層６４は、反射層６２及び保護層６６を変換層１４に固定する機能を有する。接着層６４の材料として、粘着層６０の材料と同じ材料を用いることが可能であるが、接着層６４が有する接着力は、粘着層６０が有する接着力よりも大きいことが好ましい。
　保護層６６は、変換層１４の全体を覆うとともに、その端部がセンサ基板１２の一部を覆う状態に設けられている。保護層６６は、変換層１４への水分の浸入を防止する防湿膜として機能する。保護層６６の材料として、例えば、ＰＥＴ、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide：ポリフェニレンサルファイド）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene：二軸延伸ポリプロピレンフィルム）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate：ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ等の有機材料を含む有機膜や、パリレン（登録商標）を用いることができる。また、保護層６６として、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、アルペット（登録商標）のシートが挙げられる。
　図７Ａ及び図７Ｂに示すように、本変形例のシーリング材８０は、変換層１４を封止する接着層６４及び保護層６６の端部を覆う状態に設けられている。換言すると、本変形例では、シーリング材８０が、変換層１４を封止する接着層６４から基材１１の第１の面１１Ａに至るまで、変換層１４の端部に亘って設けられている。
　また、本変形例においても、シーリング材８０は、基材１１の第１の面１１Ａに亘る幅８０Ｗに対する高さ８０Ｈの比率が０．３より大きい。また、本変形例においても、シーリング材８０の端部と端子部１１４が設けられていない基材１１の第１の面１１Ａの外縁との間隔Ｌを２ｍｍ以下としている。
　なお、図７Ａ及び図７Ｂに示した例では、接着層６４及び保護層６６各々の端部がセンサ基板１２の一部を覆う形態について説明したが本形態に限定されない。例えば、図８Ａ及び図８Ｂに示したように、接着層６４及び保護層６６の各々の端部と、変換層１４の端部とが一致する状態に設けられていてもよい。換言すると、接着層６４及び保護層６６の各々が、変換層１４の上部に対応する位置のみに設けられていてもよい。
　図７Ａ及び図７Ｂに示した例、及び図８Ａ及び図８Ｂに示した例のいずれにおいても、センサ基板１２が撓んだ場合でも、シーリング材８０がセンサ基板１２の撓みに追従するため、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制し、水分が内部に侵入するのを抑制することができる。
（変形例２）
　本変形例では、シーリング材８０を設ける領域の変形例について説明する。
　図９には、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。なお、図９は、上記図３Ａに対応しており、放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する。
　図９に示すように、本変形例の放射線検出器１０では、シーリング材８０が端子部１１４の一部を覆っている。具体的には、シーリング材８０が、端子部１１４の端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２の一部を覆っている。
　また、本変形例においても、シーリング材８０は、基材１１の第１の面１１Ａに亘る幅８０Ｗに対する高さ８０Ｈの比率が０．３より大きい。
　本変形例によれば、センサ基板１２が撓んだ場合でも、シーリング材８０がセンサ基板１２の撓みに追従するため、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制し、水分が内部に侵入するのを抑制することができる。また、本変形例によれば、シーリング材８０が、端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２の少なくとも一部を覆うため、センサ基板１２が撓んだ場合でも、シーリング材８０がセンサ基板１２の撓みに追従するため、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制することができる。
　なお、本変形例ではシーリング材８０が端子部１１４の一部を覆う形態について説明したが本形態に限定されず、シーリング材８０が端子部１１４の全体を覆う形態であってもよい。
（変形例３）
　本変形例では、端子部１１４における構成の変形例について説明する。
　図１０Ａには、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。なお、図１０Ａは、上記図３Ａに対応しており、放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する。
　図１０Ａに示すように、本変形例の放射線検出器１０では、端子部１１４において端子１１３に接続されたフレキシブルケーブル１１２における、基材１１の第１の面１１Ａと接していない面が防湿絶縁膜１３０により覆われている。具体的には、複数のフレキシブルケーブル１１２毎にその端部が、防湿絶縁膜１３０により覆われている。防湿絶縁膜１３０は、防湿性を有し、端子１１３とフレキシブルケーブル１１２の腐食を防止する機能を有する。防湿絶縁膜１３０としては、例えば、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用防湿絶縁材料であるタッフィー：Ｔｕｆｆｙ（登録商標）等が利用可能である。
　また、図１０Ａに示すように、本変形例の放射線検出器１０では、防湿絶縁膜１３０の上部には、保護部材１３２が設けられている。換言すると、端子部１１４に接続されたフレキシブルケーブル１１２の端子部１１４側の面と反対の面の側に対応する領域に、保護部材１３２が設けられている。保護部材１３２は、複数のフレキシブルケーブル１１２毎に設けられている。
　保護部材１３２は、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制する機能を有し、基材１１における端子部１１４が設けられた領域の強度を補強するための強度を有する。保護部材１３２の材料としては、例えば、補強部材４０と同様の材料が挙げられ、ＰＥＴ、及びＰＣの少なくとも一方を含む材料であることが好ましい。
　本変形例によれば、基材１１が撓んだ場合でもフレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制することができる。
　なお、図１０Ｂに示すように、放射線検出器１０のセンサ基板１２は、補強部材４０よりも大きく、センサ基板１２の端部が補強部材４０の端部よりも突出している形態であってもよい。
（変形例４）
　本変形例では、変形例３に示した保護部材１３２に代わり、保護部材１３３を設けた変形例について説明する。
　図１１Ａには、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。なお、図１１Ａは、上記図３Ａに対応しており、放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する。
　図１１Ａに示すように、本変形例の放射線検出器１０では、保護部材１３３が、センサ基板１２の端部からシーリング材８０の端部に亘る領域に設けられている。このようにシーリング材８０及び保護部材１３３を設けることにより、シーリング材８０及び保護部材１３３が一体化された状態となる。
　換言すると、センサ基板１２の基材１１の第１の面１１Ａにおける、端子部１１４と、シーリング材８０との隙間を埋める状態に保護部材１３３が設けられている。すなわち、保護部材１３３は、コーキング材として機能する。本実施形態の保護部材１３３が、本開示のコーキング材の一例である。コーキング材として機能する保護部材１３３の材料としては、シーリング材８０と同様の材料を使うことが好ましい。そのため、保護部材１３３の材料としては、セメダイン社製：ＳＸ-ＵＶ１００Ａ、セメダイン社製：ＳＫ－ＵＶ２００、ケミテック社製：Ｕ１４５５、ケミテック社：Ｕ１５９５Ｊ、スリーボンド社製：ThreeBond３０１３Ｑ、スリーボンド社製：ThreeBond３０１８、及び信越化学社製：ＫＥＲ-４３０２-ＵＶ等が挙げられる。
　本変形例によれば、シーリング材８０及び保護部材１３３により基材１１の第１の面１１Ａが覆われ、第１の面１１Ａが露出していないため、基材１１の第１の面１１Ａにおける配線（ＴＦＴ）の断線を防止することができる。また、本変形例によれば、変換層１４の外縁から基材１１の外縁に至る領域に、一体化されたシーリング材８０及び保護部材１３３が設けられているため、変換層１４の外縁から基材１１の外縁に至る領域の基材１１の強度を補強することができる。そのため、本変形例によれば、基材１１が撓んだ場合でもフレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制することができる。
　なお、図１１Ｂに示すように、放射線検出器１０のセンサ基板１２は、補強部材４０よりも大きく、センサ基板１２の端部が補強部材４０の端部よりも突出している形態であってもよい。また、図１１Ｂに示した例では、保護部材１３３の端部と基材１１の端部との位置が同じである形態を示しているが、本形態に限定されない。例えば、センサ基板１２の端部が補強部材４０の端部よりも突出している場合、保護部材１３３におけるシーリング材８０側の端部と反対側の端部の位置は、基材１１の端部よりも内側であってもよいが、補強部材４０の端部よりも外側であることが好ましい。
（変形例５）
　本変形例では、放射線画像撮影装置１における放射線検出器１０の収納状態の変形例について、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して説明する。図１２Ａ及び図１２Ｂの各々は、本変形例の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。
　図１２Ａには、放射線検出器１０、制御基板１１０及び電源部１０８等の回路部が図中横方向に並置されている構成が例示されている。換言すると、図１２Ａに示した放射線画像撮影装置１では、放射線検出器１０と回路部とが、放射線の照射方向と交差する方向に並んで配置されている。
　なお、図１２Ａでは、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域３５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部を設ける位置は図１２Ａに示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部を、画素領域３５の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。このように、放射線検出器１０と回路部とを、放射線の照射方向と交差する方向に並んで配置することにより、筐体１２０の厚さ、より具体的には放射線が透過する方向の厚さを、より小さくすることができ、放射線画像撮影装置１の薄型化が図れる。
　また、放射線検出器１０と回路部とを、放射線の照射方向と交差する方向に並んで配置する場合、図１２Ｂに示す放射線画像撮影装置１のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の厚みが異なっていてもよい。
　図１２Ａ及び図１２Ｂに示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部が、放射線検出器１０よりも厚みを有している場合がある。このような場合、図１２Ｂに示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みよりも、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みの方が薄くてもよい。図１２Ｂに示した放射線画像撮影装置１によれば、放射線検出器１０の厚さに応じた極薄型の放射線画像撮影装置１を構成することができる。
　なお、図１２Ｂに示した例のように、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、厚みを異ならせる場合、両部分の境界部に段差が生じていると境界部１２０Ｂに接触した被検者に違和感等を与える懸念がある。そのため、境界部１２０Ｂの形態は傾斜を有する状態とすることが好ましい。また、電源部１０８及び制御基板１１０等の回路部の各々が収納される筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が収納される筐体１２０の部分とを異なる材質で形成してもよい。
　以上説明したように、上記各形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１１の第１の面１１Ａの画素領域３５に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素３０が設けられたセンサ基板１２と、基材１１の第１の面１１Ａに設けられた、放射線を光に変換する変換層１４と、基材１１の第１の面１１Ａと反対側の第２の面１１Ｂに設けられた、基材１１の強度を補強する補強部材４０と、変換層１４の外周の領域に設けられ、補強部材４０、センサ基板１２、及び変換層１４が積層された積層体５６の弾性率よりも弾性率が低いシーリング材８０と、を備える。
　上記各形態のシーリング材８０の弾性率は、積層体５６の弾性率よりも低いため、基材１１が撓むことによりセンサ基板１２が撓んだ場合でも、シーリング材８０が撓みに追従する。従って、上記の各放射線検出器１０では、基材１１が撓んだ場合でも変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができる。
　なお、放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０の構成及びその製造方法は、図１～図１２Ｂを参照して説明した形態に限定されるものではない。例えば、上記図１に示したように画素３０がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素領域３５の形状も限定されないことはいうまでもない。また、放射線検出器１０が、帯電防止膜等の他の膜や層を備えていてもよい。
　その他、上記実施形態及び各変形例における放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
　２０２０年９月２５日出願の日本国特許出願２０２０－１６１４１７号、及び２０２１年５月２７日出願の日本国特許出願２０２１－０８９４５６号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１　放射線画像撮影装置
１０　放射線検出器
１１　基材、１１Ａ　第１の面、１１Ｂ　第２の面、１１Ｃ　対向領域
１２　センサ基板
１４　変換層、１４Ａ　中央部、１４Ｂ　周縁部
３０　画素
３２　ＴＦＴ（スイッチング素子）
３４　センサ部
３５　画素領域
３６　信号配線
３８　走査配線
３９　共通配線
４０　補強部材
４２　粘着剤
４４　帯電防止層
５０　粘着層
５２　支持体
５６　積層体
６０　粘着層
６２　反射層
６４　接着層
６６　保護層
８０、１８０　シーリング材、８０Ｈ　高さ、８０Ｗ　幅
１００　制御部、１００Ａ　ＣＰＵ、１００Ｂ　メモリ、１００Ｃ　記憶部
１０２　駆動部
１０４　信号処理部
１０６　画像メモリ
１０８　電源部
１１０　制御基板
１１２、１１２Ａ、１１２Ｂ　フレキシブルケーブル
１１３　端子
１１４　端子部
１１６　中板
１２０　筐体、１２０Ａ　照射面、１２０Ｂ　境界部
１３０　防湿絶縁膜
１３２、１３３　保護部材
２００　駆動基板
２１０　駆動ＩＣ
３００　信号処理基板
３１０　信号処理ＩＣ
４００　支持体
４０２　剥離層
Ｌ　間隔

Claims (23)

  1. 　可撓性の基材の第１の面の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板と、
    　前記基材の前記第１の面に設けられた、前記放射線を光に変換する変換層と、
    　前記基材の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられた、前記基材の強度を補強する補強部材と、
    　前記変換層の外周の領域に設けられ、前記補強部材、前記基板、及び前記変換層が積層された積層体の弾性率よりも弾性率が低いシーリング材と、
    　を備えた放射線検出器。
  2. 　前記シーリング材は、前記変換層の側面を覆う状態に設けられている
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 　前記シーリング材は、前記変換層の端部を跨ぐ領域に設けられている
    　請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  4. 　前記シーリング材は、前記変換層の外周全体の領域に設けられている
    　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  5. 　前記シーリング材の曲げ弾性率は、２０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下である
    　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  6. 　前記シーリング材の硬化前のチクソ係数は、１．５以上、１０以下である
    　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  7. 　前記シーリング材は、ガラス転移温度が２５℃以下である
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  8. 　前記シーリング材は、硬化前において重量平均分子量が１０００以上の化合物を含む
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  9. 　前記シーリング材における前記化合物の含有量は、５質量％以上、９５質量％以下である
    　請求項８に記載の放射線検出器。
  10. 　前記シーリング材は、硬化前において多官能重合性化合物を含む
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  11. 　前記シーリング材における前記多官能重合性化合物の含有量は、５質量％以上、９５質量％以下である
    　請求項１０に記載の放射線検出器。
  12. 　前記シーリング材は、フィラーを含む
    　請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  13. 　前記シーリング材における前記フィラーの含有量は、０．０１質量％以上、５０質量％以下である
    　請求項１２に記載の放射線検出器。
  14. 　前記フィラーは、シリカ粒子である
    　請求項１２または請求項１３に記載の放射線検出器。
  15. 　前記シーリング材は、硬化前においてアクリレート系、エポキシ系、及びシリコーン系の少なくとも１つのシーリング材用組成物を硬化させてなる
    　請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  16. 　前記シーリング材は、紫外線により硬化する樹脂材料を硬化させてなる
    　請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  17. 　前記基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が前記第１の面の外縁の少なくとも一部に設けられており、
    　前記シーリング材の端部と前記端子部が設けられていない外縁との間隔は２ｍｍ以下である
    　請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  18. 　前記基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が前記第１の面に設けられており、
    　前記端子部に電気的に接続された前記ケーブルの前記端子部側の面と反対の面の側に対応する領域に設けられた保護部材をさらに備えた
    　請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  19. 　前記基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が前記第１の面に設けられており、
    　前記基材の前記第１の面における、前記端子部と、前記シーリング材との隙間を埋めるコーキング材をさらに備えた
    　請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  20. 　前記シーリング材と前記コーキング材とは同じ材料からなる
    　請求項１９に記載の放射線検出器。
  21. 　前記基板は、ケーブルを電気的に接続するための端子部が前記第１の面に設けられており、
    　前記シーリング材は、前記端子部の少なくとも一部を覆う
    　請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  22. 　前記シーリング材は、前記第１の面に亘る幅に対する高さの比率が０．３より大きい
    　請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  23. 　支持体に、可撓性の基材を設け、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が前記基材の第１の面の画素領域に設けられた基板を形成する工程と、
    　前記基材の前記第１の面に、前記放射線を光に変換する変換層を設ける工程と、
    　前記変換層の外周の領域に、シーリング材を設ける工程と、
    　前記変換層及び前記シーリング材が設けられた前記基板を、前記支持体から剥離する工程と、
    　前記基板の前記第１の面と反対側の第２の面に、前記基材の強度を補強する補強部材を設けて前記補強部材、前記基板、及び前記変換層が積層された積層体を形成する工程と、
    　を備え
    　前記シーリング材は、前記積層体の弾性率よりも弾性率が低い
    　放射線検出器の製造方法。
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