WO2019181570A1 - 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法 - Google Patents

放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法 Download PDF

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radiation detector
conversion layer
reinforcing
layer
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宗貴 加藤
信一 牛倉
美広 岡田
赤松　圭一
中津川　晴康
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富士フイルム株式会社
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    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type

Definitions

  • the present disclosure relates to a radiation detector, a radiographic imaging device, and a manufacturing method.
  • a radiographic imaging apparatus that performs radiography for the purpose of medical diagnosis.
  • a radiation detector for detecting radiation transmitted through a subject and generating a radiographic image is used (for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication Nos. 2009-133837 and 2012-177624). See the official gazette).
  • a conversion layer such as a scintillator that converts radiation into light, and a plurality of pixels that accumulate charges generated according to the light converted in the conversion layer are provided in the pixel region of the substrate.
  • a substrate provided with the same.
  • a radiation detector substrate a substrate using a flexible substrate is known.
  • a radiographic imaging device radiation detector
  • the radiation detector may be handled alone.
  • the conversion layer may be peeled off from the substrate due to the influence of the bending of the flexible substrate.
  • an electromagnetic shield layer that covers the conversion layer is provided on the surface of the conversion layer that faces the substrate side surface.
  • a support body that supports the conversion layer is provided on the surface of the conversion layer that faces the surface on the substrate side.
  • the techniques described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2009-133837 and 2012-177624 do not consider the case where the radiation detector is handled alone. Therefore, in the electromagnetic shield layer in JP2009-133737A and the support in JP2012-177624A, when the radiation detector is handled alone, there is a concern that the conversion layer cannot be prevented from peeling from the substrate. there were.
  • the present disclosure provides radiation detection capable of suppressing the destruction of the conversion layer in the radiation detector alone, as compared with the case where the material of the reinforcing substrate provided on the surface of the conversion layer facing the substrate side is not considered.
  • Device, radiographic imaging apparatus, and manufacturing method are provided.
  • 1st aspect of this indication is a radiation detector, Comprising: The board
  • the reinforcing substrate is provided in an area wider than an area where the conversion layer is provided.
  • a radiation detector according to a third aspect of the present disclosure is the radiation detector according to the first aspect or the radiation detector according to the second aspect, wherein a plurality of substrates are provided in a region on an outer periphery of a surface on which a plurality of pixels are formed.
  • the radiation detector according to the fourth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the third aspect, on the surface of the substrate that faces the surface on which the plurality of pixels are formed.
  • a reinforcing member having higher rigidity than the base material was further provided.
  • a radiation detector according to a fifth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to fourth aspects, further including a buffer layer provided between the substrate and the conversion layer. It was.
  • the reinforcing substrate has a flexural modulus of 1000 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the radiation detector according to the seventh aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to sixth aspects, wherein the material having a yield point is at least one of polycarbonate and polyethylene terephthalate. is there.
  • a radiation detector according to an eighth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to seventh aspects, wherein the ratio of the thermal expansion coefficient of the reinforcing substrate to the thermal expansion coefficient of the conversion layer is 0. .5 or more and 2 or less.
  • a radiation detector according to a ninth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first to eighth aspects, wherein the reinforcing substrate has a thermal expansion coefficient of 30 ppm / K or more and 80 ppm / or less. is there.
  • the radiation detector according to the tenth aspect of the present disclosure is the radiation detector according to any one of the first aspect to the ninth aspect, in which the conversion layer includes a columnar crystal of CsI.
  • the plurality of pixels are formed in the pixel region by a direct formation method.
  • a radiographic imaging device includes a radiation detector according to any one of the first to eleventh aspects and a control signal for reading out charges accumulated in a plurality of pixels. And a circuit unit that is electrically connected to the radiation detector by a flexible wiring and reads charges from a plurality of pixels in response to a control signal.
  • a thirteenth aspect of the present disclosure is a method for manufacturing a radiation detector, the step of applying an adhesive layer to a reinforcing substrate having a size corresponding to the radiation detector, and a support with a release layer interposed therebetween.
  • Forming a substrate having a plurality of pixels for storing charges generated according to light converted from radiation in a pixel region of the substrate, and a pixel of the substrate A step of forming a conversion layer for converting radiation into light on the surface provided with the region, and a material having a yield point on the surface of the conversion layer opposite to the surface facing the substrate side.
  • a manufacturing method according to a fourteenth aspect of the present disclosure is the same as the manufacturing method according to the thirteenth aspect, wherein the substrate is connected to a circuit unit that reads out charges accumulated in a plurality of pixels on the substrate before the step of attaching the reinforcing substrate.
  • the method further includes a step of connecting one end of the flexible wiring.
  • the present disclosure it is possible to suppress the destruction of the conversion layer in the radiation detector alone as compared with the case where the material of the reinforcing substrate provided on the surface of the conversion layer facing the substrate side is not considered. .
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the radiation detector shown in FIG. 3 along the line AA. It is the top view which looked at an example of the radiation detector of a 1st exemplary embodiment from the 1st surface side of a TFT substrate. It is explanatory drawing explaining an example of the manufacturing method of the radiation detector of 1st exemplary embodiment.
  • the radiation detector of this exemplary embodiment has a function of detecting radiation transmitted through a subject and outputting image information representing a radiation image of the subject.
  • the radiation detector of this exemplary embodiment includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate and a conversion layer that converts radiation into light (FIG. 4, TFT substrate 12 and conversion layer 14 of the radiation detector 10). reference).
  • TFT Thin Film Transistor
  • the TFT substrate 12 of this exemplary embodiment is a substrate in which a pixel array 31 including a plurality of pixels 30 is formed in the pixel region 35 of the base material 11. Therefore, hereinafter, the expression “pixel region 35” is used synonymously with “pixel array 31”.
  • the TFT substrate 12 of this exemplary embodiment is an example of a substrate of the disclosed technology.
  • the base material 11 is made of resin and has flexibility.
  • the base material 11 is, for example, a resin sheet containing a plastic such as polyimide.
  • the thickness of the base material 11 should just be thickness which can obtain desired flexibility according to the hardness of a material, the magnitude
  • the thickness may be 5 ⁇ m to 125 ⁇ m, and more preferably 20 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the base material 11 has characteristics that can withstand the manufacture of the pixel 30 described in detail later.
  • the base material 11 has characteristics that can withstand the manufacture of an amorphous silicon TFT (a-Si TFT). ing.
  • a-Si TFT amorphous silicon TFT
  • the thermal expansion coefficient at 300 ° C. to 400 ° C. is approximately the same as that of a silicon (Si) wafer (for example, ⁇ 5 ppm / K), specifically, 20 ppm / K or less is preferable.
  • the heat shrinkage rate of the base material 11 is preferably 0.5% or less in the MD (Machine-Direction) direction at 400 ° C. when the thickness is 25 ⁇ m.
  • the elastic modulus of the substrate 11 does not have a transition point of general polyimide in a temperature range between 300 ° C. and 400 ° C., and the elastic modulus at 500 ° C. is preferably 1 GPa or more.
  • the substrate 11 of the present exemplary embodiment is an inorganic material having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less on the surface opposite to the side on which the conversion layer 14 is provided. It is preferable to have a fine particle layer 11L containing the fine particles 11P.
  • a specific example of the resin sheet having such characteristics is XENOMAX (registered trademark).
  • the coefficient of thermal expansion was measured in accordance with JIS K7197: 1991. The measurement was performed by changing the angle from the main surface of the base material 11 by 15 degrees, cutting out the test piece, measuring the thermal expansion coefficient of each cut out test piece, and setting the highest value as the thermal expansion coefficient of the base material 11. .
  • the coefficient of thermal expansion is measured at intervals of 10 ° C between -50 ° C and 450 ° C for each of the MD (Machine Direction) and TD (Transverse Direction) directions, and (ppm / ° C) is converted to (ppm / K). did.
  • the thermal expansion coefficient was measured using a TMA4000S device manufactured by MAC Science Co., Ltd., with a sample length of 10 mm, a sample width of 2 mm, an initial load of 34.5 g / mm2, a heating rate of 5 ° C./min, and an atmosphere of argon. It was.
  • the elastic modulus was measured according to JIS K 7171: 2016. The measurement was performed by changing the angle from the main surface of the base material 11 by 15 degrees, cutting out the test piece, performing a tensile test on each cut out test piece, and setting the highest value as the elastic modulus of the base material 11.
  • Each of the pixels 30 includes a sensor unit 34 that generates and accumulates charges according to light converted by the conversion layer, and a switching element 32 that reads the charges accumulated in the sensor unit 34.
  • a thin film transistor TFT
  • the switching element 32 is referred to as “TFT 32”.
  • the plurality of pixels 30 are provided in the pixel region 35 of the TFT substrate 12 in one direction (scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”) and the cross direction with respect to the row direction (vertical direction in FIG. 1). Are arranged in a two-dimensional manner in a signal wiring direction corresponding to (hereinafter also referred to as “column direction”). In FIG. 1, the arrangement of the pixels 30 is shown in a simplified manner. For example, 1024 ⁇ 1024 pixels 30 are arranged in the row direction and the column direction.
  • the radiation detector 10 reads out the charges accumulated in the sensor unit 34 provided for each column of the pixels 30 and the plurality of scanning wirings 38 for controlling the switching state (ON and OFF) of the TFT 32.
  • a plurality of signal wirings 36 are provided so as to cross each other.
  • Each of the plurality of scanning wirings 38 is connected to a driving unit 103 (see FIG. 5) outside the radiation detector 10 via a connection region 43 (see FIGS. 4 and 5) provided on the TFT substrate 12, respectively.
  • a control signal for controlling the switching state of the TFT 32 outputted from the driving unit 103 flows.
  • Each of the plurality of signal wirings 36 is connected to a signal processing unit 104 (see FIG. 5) outside the radiation detector 10 via a connection region 43 (see FIGS. 4 and 5) provided on the TFT substrate 12, respectively.
  • the electric charge read from each pixel 30 is output to the signal processing unit 104.
  • a common wiring 39 is provided in the wiring direction of the signal wiring 36 in order to apply a bias voltage to each pixel 30.
  • the common wiring 39 is connected to a bias power supply outside the radiation detector 10 via a pad (not shown) provided on the TFT substrate 12, whereby a bias voltage is applied to each pixel 30 from the bias power supply. .
  • FIG. 3 is a plan view of the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment as viewed from the side on which the conversion layer 14 is formed.
  • 4 is a cross-sectional view of the radiation detector 10 taken along the line AA in FIG.
  • “up” in the structure of the radiation detector 10 indicates that it is above in the positional relationship with respect to the TFT substrate 12 side.
  • the conversion layer 14 is provided on the TFT substrate 12.
  • the conversion layer 14 of the present exemplary embodiment is provided on a partial region including the pixel region 35 on the first surface 12A of the TFT substrate 12.
  • the conversion layer 14 of the present exemplary embodiment is not provided on the region of the outer peripheral portion of the first surface 12A of the TFT substrate 12.
  • the first surface 12A of the present exemplary embodiment is an example of a surface provided with a pixel region according to the present disclosure.
  • a scintillator including CsI is used as an example of the conversion layer 14.
  • CsI cesium iodide
  • CsI Tl (cesium iodide to which thallium is added) or CsI: Na (cesium iodide to which sodium is added) whose emission spectrum upon X-ray irradiation is 400 nm to 700 nm is used. It is preferable to include. Note that the emission peak wavelength in the visible light region of CsI: Tl is 565 nm.
  • the conversion layer 14 is formed in a rectangular column shape directly on the TFT substrate 12 by a vapor deposition method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. It is formed as a crystal (not shown).
  • a vapor deposition method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. It is formed as a crystal (not shown).
  • a method for forming the conversion layer 14 for example, when CsI: Tl is used as the conversion layer 14, the CsI: Tl is heated by a heating means such as a resistance heating crucible in an environment with a degree of vacuum of 0.01 Pa to 10 Pa.
  • a vacuum vapor deposition method in which the temperature of the TFT substrate 12 is set to room temperature (20 ° C.) to 300 ° C. and CsI: Tl is deposited on the TFT substrate 12.
  • a buffer layer 13 is provided between the TFT substrate 12 and the conversion layer 14.
  • the buffer layer 13 has a function of buffering the difference between the thermal expansion coefficient of the conversion layer 14 and the thermal expansion coefficient of the substrate 11.
  • the buffer layer 13 may not be provided, but the greater the difference between the thermal expansion coefficient of the conversion layer 14 and the thermal expansion coefficient of the base material 11, It is preferable to provide the buffer layer 13.
  • the buffer layer 13 a PI (PolyImide: polyimide) film or a Parylene (registered trademark) film is used.
  • the protective layer 22 has a function of protecting the conversion layer 14 from moisture such as moisture.
  • the material of the protective layer 22 include an organic film. Specifically, PET (Polyethylene terephthalate), PPS (PolyPhenylene Sulfide), OPP (Oriented PolyPropylene: biaxially stretched polypropylene film) ), PEN (PolyEthylene Naphthalate), PI or the like, or a single layer film or a laminated film.
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PPS PolyPhenylene Sulfide
  • OPP Oriented PolyPropylene: biaxially stretched polypropylene film
  • PEN PolyEthylene Naphthalate
  • PI PolyEthylene Naphthalate
  • the reinforcing substrate 40 is provided by the adhesive layer 48. It has been.
  • the reinforcing substrate 40 has higher rigidity than the base material 11, and the dimensional change (deformation) with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface facing the conversion layer 14 is changed with respect to the first surface 12 ⁇ / b> A of the TFT substrate 12. Smaller than the dimensional change with respect to the force applied in the vertical direction.
  • the thickness of the reinforcing substrate 40 of the present exemplary embodiment is thicker than the thickness of the base material 11.
  • the rigidity here means the difficulty of bending of the reinforcement board
  • the reinforcing substrate 40 of the present exemplary embodiment is a substrate including a material having a yield point.
  • the “yield point” refers to a phenomenon in which the stress is suddenly lowered once when a material is pulled, and indicates yield on a curve representing the relationship between stress and strain. It means a point.
  • Resin having a yield point generally includes a hard and strong resin, and a soft, strong and medium strength resin.
  • the hard and strong resin include at least one of PC (polycarbonate) and polyamide.
  • examples of the soft, strong, and medium-strength resin include at least one of high-density polyethylene and polypropylene.
  • the reinforcing substrate 40 of the present exemplary embodiment preferably has a flexural modulus of 1000 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the method for measuring the flexural modulus is based on, for example, JIS K 7171: 2016. If the bending elastic modulus is lower, the thickness of the reinforcing substrate 40 must be increased for rigidity. Therefore, from the viewpoint of suppressing the thickness, the reinforcing substrate 40 preferably has a flexural modulus of 2000 MPa or more and 2500 MPa or less.
  • the coefficient of thermal expansion (CTE) of the reinforcing substrate 40 of the exemplary embodiment is preferably close to the coefficient of thermal expansion of the material of the conversion layer 14, and more preferably, the thermal expansion of the conversion layer 14.
  • the ratio of the thermal expansion coefficient of the reinforcing substrate 40 to the rate is preferably 0.5 or more and 2 or less.
  • the coefficient of thermal expansion is 50 ppm / K.
  • polyvinyl chloride having a thermal expansion coefficient of 60 ppm / K to 80 ppm / K, acrylic having a thermal expansion coefficient of 70 ppm / K to 80 ppm / K, and a thermal expansion coefficient of 65 to 70 ppm / K.
  • the material of the reinforcing substrate 40 are PET, PC having a thermal expansion coefficient of 65 ppm / K, and Teflon (registered trademark) having a thermal expansion coefficient of 45 ppm / K to 70 ppm / K.
  • the material of the reinforcing substrate 40 is more preferably a material containing at least one of PET and PC.
  • the reinforcing substrate 40 of the present exemplary embodiment is provided in an area wider than the area where the conversion layer 14 is provided on the first surface 12 ⁇ / b> A of the TFT substrate 12. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4, the end portion of the reinforcing substrate 40 protrudes to the outer side (outer peripheral side of the TFT substrate 12) than the outer peripheral portion of the conversion layer 14.
  • FIG. 5 is a plan view of an example of a state in which the driving unit 103 and the signal processing unit 104 are connected to the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment, as viewed from the first surface 12A side of the TFT substrate 12. .
  • the flexible cable 112 is electrically connected to the connection region 43 of the TFT substrate 12.
  • the connection relating to the component called “cable” including the flexible cable 112 means an electrical connection unless otherwise specified.
  • the flexible cable 112 includes a signal line (not shown) made of a conductor, and is electrically connected by connecting the signal line to the connection region 43.
  • the flexible cable 112 of the present exemplary embodiment is an example of the flexible wiring of the present disclosure.
  • the term “cable” refers to a flexible cable (having flexibility).
  • the flexible cable 112 has a function of connecting the drive unit 103 and the scanning wiring 38 (see FIG. 1).
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the scanning wiring 38 (see FIG. 1) of the TFT substrate 12 via the connection region 43.
  • connection region 243 (243A) provided in an outer peripheral region of the drive substrate 202.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to a driving component 250 such as a circuit and an element mounted on the driving substrate 202 via a connection region 243.
  • FIG. 5 shows a state where nine drive components 250 (250A to 250I) are mounted on the drive board 202 as an example.
  • the driving component 250 of the present exemplary embodiment includes a crossing direction X that is a direction that intersects a bending direction Y that is a direction along the side corresponding to the connection region 43 (43 ⁇ / b> A) of the TFT substrate 12. Are arranged along.
  • the driving board 202 of the present exemplary embodiment is a flexible PCB (Printed Circuit Board) board, which is a so-called flexible board.
  • the drive component 250 mounted on the drive substrate 202 is a component mainly used for processing digital signals (hereinafter referred to as “digital component”).
  • Specific examples of the driving component 250 include a digital buffer, a bypass capacitor, a pull-up / pull-down resistor, a damping resistor, and an EMC (Electro Magnetic Compatibility) countermeasure chip component.
  • the drive substrate 202 is not necessarily a flexible substrate, and may be a non-flexible rigid substrate described later.
  • Digital parts tend to have a relatively smaller area (size) than analog parts described later. Digital parts tend to be less susceptible to electrical interference, in other words, noise than analog parts. For this reason, in the exemplary embodiment, when the TFT substrate 12 is bent, the substrate that is bent along with the bending of the TFT substrate 12 is the drive substrate 202 on which the drive component 250 is mounted.
  • a drive circuit unit 212 is mounted on the flexible cable 112 connected to the drive board 202.
  • the drive circuit unit 212 is connected to a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112.
  • the drive unit 103 is realized by the drive component 250 mounted on the drive substrate 202 and the drive circuit unit 212.
  • the drive circuit unit 212 is an integrated circuit (IC) including a circuit different from the drive component 250 mounted on the drive substrate 202 among various circuits and elements that realize the drive unit 103.
  • the TFT substrate 12 and the drive substrate 202 are electrically connected by the flexible cable 112, so that the drive unit 103 and the scanning wiring 38 are connected to each other. Connected.
  • one end of a plurality (four in FIG. 5) of flexible cables 112 is thermocompression bonded to the connection region 43 (43B) of the TFT substrate 12.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to the signal wiring 36 (see FIG. 1) via the connection region 43.
  • the flexible cable 112 has a function of connecting the signal processing unit 104 and the signal wiring 36 (see FIG. 1).
  • the other end of the flexible cable 112 is electrically connected to a connector 330 provided in the connection region 243 (243B) of the signal processing board 304.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 are connected to a signal processing component 350 such as a circuit and an element mounted on the signal processing board 304 via the connector 330.
  • the connector 330 include a ZIF (ZeroZInsertion Force) structure connector and a Non-ZIF structure connector.
  • FIG. 5 shows a state in which nine signal processing components 350 (350A to 350I) are mounted on the signal processing board 304 as an example.
  • the signal processing component 350 of the present exemplary embodiment is arranged along the crossing direction X, which is the direction along the connection region 43 (43 ⁇ / b> B) of the TFT substrate 12.
  • the signal processing board 304 of the present exemplary embodiment is a non-flexible PCB board, which is a so-called rigid board. Therefore, the thickness of the signal processing board 304 is thicker than the thickness of the driving board 202. Further, the rigidity is higher than that of the drive substrate 202.
  • the signal processing component 350 mounted on the signal processing board 304 is a component mainly used for analog signal processing (hereinafter referred to as “analog system component”).
  • the signal processing component 350 include an operational amplifier, an analog-digital converter (ADC), a digital-analog converter (DAC), and a power supply IC.
  • the signal processing component 350 of the present exemplary embodiment also includes a coil around a power source having a relatively large component size and a smoothing large-capacitance capacitor.
  • analog parts tend to have a relatively large area (size) than digital parts. Also, analog parts tend to be more susceptible to electrical interference, in other words, noise than digital parts. Therefore, in this exemplary embodiment, even when the TFT substrate 12 is bent, the signal processing substrate 304 on which the signal processing component 350 is mounted is the substrate that is not bent (not affected by the bending).
  • a signal processing circuit unit 314 is mounted on the flexible cable 112 connected to the signal processing board 304.
  • the signal processing circuit unit 314 is connected to a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112.
  • the signal processing unit 104 is realized by the signal processing component 350 mounted on the signal processing board 304 and the signal processing circuit unit 314.
  • the signal processing circuit unit 314 is an IC including a circuit different from the signal processing component 350 mounted on the signal processing board 304 among various circuits and elements that realize the signal processing unit 104.
  • the TFT substrate 12 and the signal processing substrate 304 are electrically connected by the flexible cable 112, whereby each of the signal processing unit 104 and the signal wiring 36. And connected to.
  • the radiation detector 10 of the exemplary embodiment includes the flexible cable 112 and the moisture-proof agent 44 between the reinforcing substrate 40 and the first surface 12 ⁇ / b> A of the TFT substrate 12. And a spacer 46 for sealing the side surface of the conversion layer 14 with the adhesive layer 45 interposed therebetween.
  • the method of providing the spacer 46 is not particularly limited.
  • the spacer 46 is attached to the adhesive layer 48 at the end of the reinforcing substrate 40, and the reinforcing substrate 40 in a state where the spacer 46 is provided is used for the laminate 19.
  • the spacer 46 may be provided between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40 by being attached to the TFT substrate 12 in a state where the flexible cable 112, the moisture-proofing agent 44, and the adhesive layer 45 are provided.
  • the width of the spacer 46 (direction intersecting with the stacking direction of the stacked body 19) is not limited to the example shown in FIG.
  • the width of the spacer 46 may be expanded to a position closer to the conversion layer 14 than in the example shown in FIG.
  • the spacer 46 may be formed by caulking resin, ceramic, or the like on the first surface 12A of the TFT substrate 12.
  • a protective film 42 having a function of protecting from moisture such as moisture is provided on the second surface 12B on the TFT substrate 12 side of the exemplary embodiment.
  • Examples of the material of the protective film 42 include the same material as that of the protective layer 22.
  • the following method may be mentioned.
  • FIG.6 and FIG.7 an example of the manufacturing method of the radiation detector 10 of this exemplary embodiment is demonstrated.
  • Preparation of a state in which the adhesive layer 48 is applied to the reinforcing substrate 40 having a desired size according to the radiation detector 10 and the spacer 46 is provided on the adhesive layer 48 is prepared in advance.
  • the base material 11 is formed on a support 400 such as a glass substrate that is thicker than the base material 11 via a release layer (not shown).
  • a sheet to be the base material 11 is bonded onto the support 400.
  • a surface of the base 11 corresponding to the second surface 12B of the TFT substrate 12 is in contact with a release layer (not shown).
  • a plurality of pixels 30 are formed in the pixel region 35 of the substrate 11.
  • the plurality of pixels 30 are formed in the pixel region 35 of the substrate 11 via an undercoat layer (not shown) using SiN or the like.
  • the conversion layer 14 is formed on the pixel region 35.
  • the buffer layer 13 is formed in the region where the conversion layer 14 is provided on the first surface 12 ⁇ / b> A of the TFT substrate 12.
  • the CsI conversion layer 14 is formed as a columnar crystal on the TFT substrate 12, more specifically, directly on the buffer layer 13 by a vapor deposition method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. It is formed.
  • the side in contact with the pixel 30 in the conversion layer 14 is the base direction side of the columnar crystal growth direction.
  • the conversion layer 14 has, for example, a conversion layer on the surface opposite to the side in contact with the TFT substrate 12.
  • a reflection layer (not shown) having a function of reflecting the light converted at 14 may be provided.
  • the reflective layer may be provided directly on the conversion layer 14 or may be provided via an adhesion layer or the like.
  • the material of the reflective layer is preferably a material using an organic material, for example, at least one of white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, polyester-based highly reflective sheet, and specular reflective aluminum. Those using as a material are preferred. In particular, from the viewpoint of reflectance, those using white PET as a material are preferable.
  • the polyester-based highly reflective sheet is a sheet (film) having a multilayer structure in which a plurality of thin polyester sheets are stacked.
  • the conversion layer 14 can be formed on the TFT substrate 12 by a method different from that of the present exemplary embodiment.
  • an aluminum plate or the like obtained by vapor-depositing CsI by vapor deposition is prepared, and the side of the CsI that is not in contact with the aluminum plate is bonded to the pixel 30 of the TFT substrate 12 with an adhesive sheet or the like.
  • the conversion layer 14 may be formed on the TFT substrate 12.
  • the entire conversion layer 14 including the aluminum plate is covered with the protective film and bonded to the pixel region 35 of the TFT substrate 12.
  • the side in contact with the pixel region 35 in the conversion layer 14 is the tip side in the growth direction of the columnar crystals.
  • GOS Ga 2 O 2 S: Tb
  • a sheet in which GOS is dispersed in a binder such as a resin is prepared by bonding a support formed of white PET or the like with an adhesive layer or the like, and the GOS support is not bonded.
  • the conversion layer 14 can be formed on the TFT substrate 12 by bonding the side and the pixel region 35 of the TFT substrate 12 with an adhesive sheet or the like. Note that the conversion efficiency from radiation to visible light is higher when CsI is used for the conversion layer 14 than when GOS is used.
  • the flexible cable 112 is thermocompression bonded to the connection region 43 (43A and 43B) of the TFT substrate 12, and a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 and the connection region 43 (43A and 43B) of the TFT substrate 12 are used. Are electrically connected to each other.
  • the flexible cable 112 is thermocompression bonded to the connection region 243 (243A) of the drive board 202, and a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112 and the drive component 250 mounted on the drive board 202 are electrically connected. Connect to.
  • the reinforcing substrate 40 provided with the spacer 46 prepared in advance is bonded to the TFT substrate 12 on which the conversion layer 14 is formed and the flexible cable 112 is connected, thereby sealing the conversion layer 14. .
  • the above bonding is performed under atmospheric pressure or under reduced pressure (vacuum), but it is preferable to perform under reduced pressure in order to prevent air and the like from entering during the bonding.
  • the radiation detector 10 is peeled off from the support 400 as shown in FIG.
  • the side of the TFT substrate 12 that faces the side to which the flexible cable 112 is connected is the starting point of peeling, and the flexible cable 112 is connected from the side that is the starting point.
  • mechanical peeling is performed, and the radiation detector 10 with the flexible cable 112 connected is obtained. It is done.
  • the side that is the starting point of peeling is preferably the side that intersects the longest side when the TFT substrate 12 is viewed in plan. In other words, it is preferable that the side along the bending direction Y in which bending occurs due to peeling is the longest side.
  • the side where the drive board 202 is connected by the flexible cable 112 is longer than the side where the signal processing board 304 side is connected by the flexible cable 112. For this reason, the starting point of peeling is the side opposite to the side where the connection region 43 (43B) is provided.
  • the TFT substrate 12 is further peeled from the support 400, and then the flexible cable 112 of the radiation detector 10 and the connector 330 of the signal processing substrate 304 are electrically connected.
  • the radiation detector 10 shown as an example in FIGS. 3 to 5 is manufactured.
  • the present invention is not limited to this exemplary embodiment, and the mechanical peeling may be performed after electrically connecting the flexible cable 112 of the radiation detector 10 and the connector 330 of the signal processing board 304.
  • the drive substrate 202 is a flexible substrate, so that the drive is performed according to the deflection of the TFT substrate 12.
  • the substrate 202 is also bent.
  • the TFT substrate 12 when the TFT substrate 12 is peeled from the support 400, the TFT substrate 12 is easily bent because the base material 11 has flexibility.
  • the TFT substrate 12 is greatly bent, there is a concern that the conversion layer 14 may be peeled off from the TFT substrate 12 as a result of the TFT substrate 12 also being greatly bent. In particular, the end portion of the conversion layer 14 is easily peeled off from the TFT substrate 12.
  • the present invention is not limited to the case where the TFT substrate 12 is peeled off from the support 400, and when the radiation detector 10 such as in the middle of the manufacturing process of the radiographic imaging device 1 is handled alone, the TFT substrate 12 is bent, There is a concern that the conversion layer 14 may be peeled off from the TFT substrate 12.
  • the reinforcing substrate 40 that includes a material having a yield point and has higher rigidity than the base material 11 faces the first surface 12A of the TFT substrate 12. It is provided on the first surface 19A, which is the side surface. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment, the TFT substrate 12 can be prevented from being greatly bent, and the conversion layer 14 can be prevented from peeling from the TFT substrate 12.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of an example of the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment.
  • a reinforcing member 41 is provided on the second surface 12B on the TFT substrate 12 side.
  • a protective film 42 is provided between the TFT substrate 12 and the reinforcing member 41 as in the above exemplary embodiment.
  • the reinforcing member 41 is higher in rigidity than the base material 11, similarly to the reinforcing substrate 40, and the dimensional change (deformation) with respect to the force applied in the direction perpendicular to the first surface 12 ⁇ / b> A is the first in the base material 11. This is smaller than the dimensional change with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface 12B.
  • the thickness of the reinforcing member 41 of the exemplary embodiment is thicker than the thickness of the base material 11 and thinner than the thickness of the reinforcing substrate 40.
  • the material of the reinforcing member 41 of the exemplary embodiment is preferably a thermoplastic resin, and the same material as that of the reinforcing substrate 40 can be used.
  • the rigidity here also means the difficulty of bending of the reinforcing member 41 and the base material 11 including the thickness of the reinforcing member 41 and the base material 11, and indicates that the higher the rigidity, the harder it is to bend.
  • the radiation detector 10 of the present exemplary embodiment is formed by, for example, applying a spacer to the TFT substrate 12 provided with the stacked body 19 by a manufacturing method similar to the manufacturing method of the radiation detector 10 described above in the first exemplary embodiment. After the reinforcing substrate 40 provided with 46 is bonded, the TFT substrate 12 is peeled from the support 400. Thereafter, the radiation detector 10 of the exemplary embodiment can be manufactured by providing the protective film 42 and the reinforcing member 41 on the second surface 12B of the TFT substrate 12 by coating or the like.
  • a reinforcing member having a rigidity higher than that of the base material 11 is provided on the second surface 12B of the TFT substrate 12 facing the first surface 12A on which the plurality of pixels 30 are formed. 41 is provided. Therefore, the TFT substrate 12 can be further prevented from being greatly bent and the conversion layer 14 can be prevented from being peeled off from the TFT substrate 12 as compared with the radiation detector 10 of each of the above exemplary embodiments.
  • the TFT substrate 12 tends to warp.
  • the radiation detector 10 of this exemplary embodiment since the TFT substrate 12 is sandwiched between the reinforcing substrate 40 and the reinforcing member 41, the TFT substrate 12 is prevented from warping due to a difference in thermal expansion coefficient or the like. be able to.
  • the radiation detector 10 of each of the exemplary embodiments described above includes a plurality of pixels that accumulates charges generated according to light converted from radiation in the pixel region 35 of the flexible substrate 11.
  • the TFT substrate 12 is large. Bending can be suppressed. Therefore, according to the radiation detector 10 of each of the exemplary embodiments described above, the conversion layer 14 can be prevented from peeling from the TFT substrate 12 when the radiation detector 10 is handled alone.
  • substrate 40 is not limited to said each exemplary embodiment.
  • the end portions (outer periphery) of the reinforcing substrate 40 and the adhesive layer 48 and the end portion (outer periphery) of the protective layer 22 may be in the same position.
  • a layer 90 made of an inorganic material is provided between the base material 11 and the pixel 30, in particular, the gate electrode 80 of the TFT 32 of the pixel 30.
  • examples of the inorganic material in this case include SiNx and SiOx.
  • the drain electrode 81 and the source electrode 82 of the TFT 32 are formed in the same layer, and the gate electrode 80 is formed between the substrate 11 and the layer where the drain electrode 81 and the source electrode are formed.
  • a layer 90 made of an inorganic material is provided between the base material 11 and the gate electrode 80.
  • the mode in which the pixels 30 are two-dimensionally arranged in a matrix as illustrated in FIG. 1 has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • a one-dimensional array may be used.
  • a honeycomb arrangement may be used.
  • the shape of the pixel is not limited, and may be a rectangle or a polygon such as a hexagon.
  • the shape of the pixel array 31 (pixel region 35) is not limited.
  • the shape of the conversion layer 14 is not limited to the above exemplary embodiments. In each of the exemplary embodiments described above, the mode in which the shape of the conversion layer 14 is rectangular like the shape of the pixel array 31 (pixel region 35) has been described. However, the shape of the conversion layer 14 may be the pixel array 31 (pixel region). The shape may not be the same as 35). Further, the shape of the pixel array 31 (pixel region 35) is not rectangular, but may be other polygons or a circle, for example.
  • the peeling method is not limited to the form demonstrated.
  • a so-called laser peeling may be performed in which the TFT substrate 12 is peeled off by irradiating a laser from the opposite surface of the support 400 on which the TFT substrate 12 is formed.
  • the conversion layer 14 is peeled from the TFT substrate 12 when the radiation detector 10 is handled alone. Can be suppressed.
  • the radiation detector 10 of each of the above exemplary embodiments may be applied to an ISS (Irradiation Side Sampling) type radiation image capturing apparatus in which radiation is irradiated from the TFT substrate 12 side, or from the conversion layer 14 side.
  • the present invention may be applied to a PSS (Penetration Side Sampling) type radiation image capturing apparatus to which radiation is irradiated.
  • FIG. 11 shows a cross-sectional view of an example of a state in which the radiation detector 10 of the first exemplary embodiment is applied to the ISS type radiographic imaging apparatus 1.
  • the radiation detector 10, the power supply unit 108, and the control board 110 are provided in the housing 120 side by side in a direction intersecting with the incident direction of radiation.
  • the radiation detector 10 is provided so that the side on which the conversion layer 14 of the pixel array 31 is not provided faces the imaging surface 120A side of the housing 120 irradiated with radiation that has passed through the subject.
  • the housing 120 is lightweight, preferably has a low absorption rate of radiation R, particularly X-rays, and is highly rigid, and is preferably made of a material having a sufficiently high elastic modulus.
  • As a material for the housing 120 it is preferable to use a material having a flexural modulus of 10,000 MPa or more.
  • CFRP Carbon Fiber Reinforced Plastics
  • a load from the subject is applied to the imaging surface 120A of the housing 120.
  • the rigidity of the housing 120 is insufficient, the TFT substrate 12 is bent due to the load from the subject, and there is a possibility that a malfunction such as damage to the pixels 30 may occur.
  • the radiation detector 10 in the housing 120 made of a material having a bending elastic modulus of 10,000 MPa or more, it becomes possible to suppress the bending of the TFT substrate 12 due to a load from the subject.
  • the control substrate 110 is a substrate on which an image memory 380 that stores image data corresponding to the charges read from the pixels 30 of the pixel array 31, a control unit 382 that controls reading of charges from the pixels 30, and the like are formed. Yes, and electrically connected to the pixels 30 of the pixel array 31 by a flexible cable 112 including a plurality of signal wirings.
  • the drive unit 103 that controls the switching state of the TFT 32 of the pixel 30 under the control of the control unit 382, and the image data corresponding to the charges read from the pixel 30 are generated.
  • the signal processing unit 104 that outputs the signal is a so-called COF (Chip-on-Film) provided on the flexible cable 112, but at least one of the drive unit 103 and the signal processing unit 104 is formed on the control board 110. Also good.
  • COF Chip-on-Film
  • control board 110 is connected to the power supply section 108 that supplies power to the image memory 380, the control section 382, and the like formed on the control board 110 by the power supply line 114.
  • a sheet 116 is further provided on the side from which the radiation transmitted through the radiation detector 10 is emitted.
  • An example of the sheet 116 is a copper sheet.
  • the copper sheet is less likely to generate secondary radiation by incident radiation, and thus has a function of preventing scattering toward the rear, that is, the conversion layer 14 side.
  • the sheet 116 preferably covers at least the entire surface of the conversion layer 14 on the side from which the radiation is emitted and also covers the entire conversion layer 14.
  • a protective layer 117 is further provided on the radiation incident side (imaging surface 120A side) in the housing 120 of the radiographic image capturing apparatus 1 shown in FIG.
  • an insulating sheet (film) such as an Alpet (registered trademark) sheet obtained by laminating aluminum by bonding an aluminum foil, a parylene (registered trademark) film, and insulating properties such as polyethylene terephthalate
  • a moisture-proof film such as a sheet can be applied.
  • the protective layer 117 has a moistureproof function and an antistatic function for the pixel array 31. Therefore, the protective layer 117 preferably covers at least the entire surface on the side where the radiation of the pixel array 31 is incident, and preferably covers the entire surface of the TFT substrate 12 on the side where the radiation is incident.
  • FIG. 11 shows a configuration in which both the power supply unit 108 and the control board 110 are provided on one side of the radiation detector 10, specifically, one side of the rectangular pixel array 31.
  • the positions where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided are not limited to the form shown in FIG.
  • the power supply unit 108 and the control substrate 110 may be provided dispersed on each of the two opposing sides of the pixel array 31 or may be provided on each of the two adjacent sides.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional view of another example in which the radiation detector 10 of the first exemplary embodiment is applied to the ISS type radiographic imaging apparatus 1.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are provided in the casing 120 side by side in a direction intersecting with the incident direction of radiation, and the radiation detector 10, the power supply unit 108, and the control board 110. Are arranged side by side in the incident direction of radiation.
  • a base 118 for supporting the radiation detector 10 and the control board 110 is provided between the control board 110 and the power supply unit 108 and the sheet 116.
  • the base 118 for example, carbon or the like is used.
  • the configuration, the manufacturing method, and the like of the radiation detector 10 described in each of the exemplary embodiments are examples, and it goes without saying that they can be changed according to the situation without departing from the gist of the present invention. Absent. [Other exemplary embodiments]
  • the conversion layer 14 is formed using a vapor deposition method, as shown in FIGS. 13 to 34, the conversion layer 14 is formed with a slope that gradually decreases in thickness toward the outer edge. Is done.
  • the central region of the conversion layer 14 in which the thickness when the manufacturing error and the measurement error are ignored can be regarded as substantially constant is referred to as a central portion 14A.
  • region of the conversion layer 14 which has thickness of 90% or less with respect to the average thickness of 14 A of center parts of the conversion layer 14 is called the peripheral part 14B. That is, the conversion layer 14 has an inclined surface that is inclined with respect to the TFT substrate 12 at the peripheral edge portion 14B.
  • an adhesive layer 60, a reflective layer 62, an adhesive layer 64, a protective layer 22, and an adhesive layer 48 may be provided between the conversion layer 14 and the reinforcing substrate 40.
  • the adhesive layer 60 covers the entire surface of the conversion layer 14 including the central portion 14A and the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 has a function of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 is preferably light transmissive.
  • an acrylic adhesive, a hot-melt adhesive, and a silicone adhesive can be used as a material for the adhesive layer 60.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include urethane acrylate, acrylic resin acrylate, and epoxy acrylate.
  • the hot melt adhesive examples include EVA (ethylene-vinyl acetate copolymer resin), EAA (ethylene-acrylic acid copolymer resin), EEA (ethylene-ethyl acrylate copolymer resin), and EMMA (ethylene-methacrylic resin).
  • Thermoplastic plastics such as acid methyl copolymer).
  • the thickness of the adhesive layer 60 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. By setting the thickness of the adhesive layer 60 to 2 ⁇ m or more, the effect of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14 can be sufficiently exhibited. Furthermore, the risk that an air layer is formed between the conversion layer 14 and the reflective layer 62 can be suppressed.
  • the reflective layer 62 covers the entire surface of the adhesive layer 60.
  • the reflective layer 62 has a function of reflecting the light converted by the conversion layer 14.
  • the reflective layer 62 is preferably made of an organic material.
  • a material of the reflective layer 62 for example, white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, a polyester-based highly reflective sheet, and specular reflective aluminum can be used.
  • the thickness of the reflective layer 62 is preferably 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the adhesive layer 64 covers the entire surface of the reflective layer 62.
  • the end of the adhesive layer 64 extends to the surface of the TFT substrate 12. That is, the adhesive layer 64 is bonded to the TFT substrate 12 at the end thereof.
  • the adhesive layer 64 has a function of fixing the reflective layer 62 and the protective layer 22 to the conversion layer 14.
  • the material of the adhesive layer 64 the same material as that of the adhesive layer 60 can be used.
  • the adhesive force of the adhesive layer 64 is preferably larger than the adhesive force of the adhesive layer 60.
  • the protective layer 22 covers the entire surface of the adhesive layer 64. That is, the protective layer 22 is provided in a state in which the entire conversion layer 14 is covered and an end thereof covers a part of the TFT substrate 12.
  • the protective layer 22 functions as a moisture-proof film that prevents moisture from entering the conversion layer 14.
  • a material of the protective layer 22 for example, an organic film containing an organic material such as PET, PPS, OPP, PEN, and PI can be used. Further, an Alpet (registered trademark) sheet may be used as the protective layer 22.
  • the reinforcing substrate 40 is provided on the surface of the protective layer 22 via an adhesive layer 48.
  • the material of the adhesive layer 48 for example, the same material as the material of the adhesive layer 60 and the adhesive layer 48 can be used.
  • the reinforcing substrate 40 extends in a region corresponding to the central portion 14 ⁇ / b> A and the peripheral portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14, and the outer peripheral portion of the reinforcing substrate 40 is in the peripheral portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14. It is bent along the slope.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in both the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14 and the region corresponding to the peripheral portion 14B.
  • the end portion of the reinforcing substrate 40 is disposed in a region corresponding to the peripheral edge portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40 may be provided only in a region corresponding to the central portion 14 ⁇ / b> A of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40 when the reinforcing substrate 40 extends in a region corresponding to the central portion 14 ⁇ / b> A and the peripheral portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14, the reinforcing substrate 40 follows the inclination in the outer peripheral portion of the conversion layer 14. It is not necessary to have a bent portion.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 14 ⁇ / b> A of the conversion layer 14.
  • a space corresponding to the inclination of the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14 is formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40.
  • the flexible cable 112 is connected to the terminal 113 provided in the connection region of the outer peripheral portion of the TFT substrate 12.
  • the TFT substrate 12 is connected to a control substrate (control substrate 110, see FIG. 47, etc.) via a flexible cable 112.
  • control substrate 110 see FIG. 47, etc.
  • the flexible cable 112 may be peeled off from the TFT substrate 12 or may be displaced. In this case, it is necessary to redo the connection between the flexible cable 112 and the TFT substrate 12.
  • the operation of reconnecting the flexible cable 112 and the TFT substrate 12 is called rework. As shown in FIGS. 13 to 15, when the end portion of the reinforcing substrate 40 is arranged inside the end portion of the conversion layer 14, the reinforcing substrate 40 extends to the vicinity of the connection region. In comparison, rework can be easily performed.
  • the reinforcing substrate 40 has an end portion arranged outside the end portion of the conversion layer 14 and extends to the TFT substrate 12 and the protective layer 22. It may be provided so as to be aligned with the end of the. Note that the positions of the end portions of the reinforcing substrate 40 and the positions of the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 22 do not have to be completely coincident.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14 ⁇ / b> A of the conversion layer 14, and corresponds to the peripheral portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14.
  • a space corresponding to the inclination of the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14 is formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 in the region and further outside the region.
  • a filler is formed in a space formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 in a region corresponding to the peripheral edge portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14 and a region outside thereof. 70 is provided.
  • the material of the filler 70 is not specifically limited, For example, it is possible to use resin.
  • the adhesive layer 48 is provided in the entire area between the reinforcing substrate 40 and the filler 70 in order to fix the reinforcing substrate 40 to the filler 70.
  • the method for forming the filler 70 is not particularly limited. For example, after the adhesive layer 48 and the reinforcing substrate 40 are sequentially formed on the conversion layer 14 covered with the adhesive layer 60, the reflective layer 62, the adhesive layer 64, and the protective layer 22, the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcement are formed.
  • the filler 70 having fluidity may be injected into the space formed between the substrate 40 and the filler 70 may be cured. Further, for example, after the conversion layer 14, the adhesive layer 60, the reflective layer 62, the adhesive layer 64 and the protective layer 22 are sequentially formed on the TFT substrate 12, the filler 70 is formed, and the adhesive layer 60, the reflective layer 62, and the adhesive are formed.
  • the adhesive layer 48 and the reinforcing substrate 40 may be sequentially formed so as to cover the conversion layer 14 and the filler 70 covered with the layer 64 and the protective layer 22.
  • the space formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70, so that the conversion of the reinforcing substrate 40 can be performed as compared with the embodiment shown in FIG. Peeling from the layer 14 (protective layer 22) can be suppressed. Furthermore, since the conversion layer 14 has a structure that is fixed to the TFT substrate 12 by both the reinforcing substrate 40 and the filler 70, it is possible to suppress peeling of the conversion layer 14 from the TFT substrate 12.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing substrate 40 is bent along the inclination of the peripheral portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14, and the portion where the adhesive layer 64 and the protective layer 22 cover the TFT substrate 12 is covered. It also covers.
  • the end portions of the reinforcing substrate 40 are aligned with the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 22. Note that the positions of the end portions of the reinforcing substrate 40 and the positions of the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 22 do not have to be completely coincident.
  • the ends of the reinforcing substrate 40, the adhesive layer 48, the protective layer 22, and the adhesive layer 64 are sealed with a sealing member 72.
  • the sealing member 72 is preferably provided in a region extending from the surface of the TFT substrate 12 to the surface of the reinforcing substrate 40 and not covering the pixel region 35.
  • a resin can be used, and a thermoplastic resin is particularly preferable. Specifically, acrylic glue, urethane glue, or the like can be used as the sealing member 72.
  • the reinforcing substrate 40 has higher rigidity than the protective layer 22, and a restoring force that attempts to eliminate the bending acts on the bent portion of the reinforcing substrate 40, which may cause the protective layer 22 to peel off.
  • the conversion layer 14 protective layer 22
  • the reinforcing substrate 40 in the region corresponding to the peripheral edge 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14 and the region outside the region.
  • the filler 70 is provided in the space formed in the above.
  • another reinforcing substrate 40A is laminated on the surface of the reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 48A. More specifically, the reinforcing substrate 40 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40A may be made of the same material as that of the reinforcing substrate 40.
  • the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the effect of suppressing the bending of the TFT substrate 12 at the end portion of the conversion layer 14 can be promoted. .
  • the end portion of the reinforcing substrate 40 is outside the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 22 extending to the TFT substrate 12, and the TFT substrate. You may be provided in the state located inside 12 edge part.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in a region corresponding to the central portion 14 ⁇ / b> A of the conversion layer 14, and corresponds to the peripheral portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14.
  • a corresponding space is formed.
  • the end portion of the reinforcing substrate 40 is supported by the spacer 46. That is, one end of the spacer 46 is connected to the first surface 12 ⁇ / b> A of the TFT substrate 12, and the other end of the spacer 46 is connected to the end of the reinforcing substrate 40 through the adhesive layer 47.
  • the filler may be filled in a space formed between the reinforcing substrate 40 and the reinforcing substrate 40.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing substrate 40 is bent so as to follow the inclination in the peripheral edge portion 14 ⁇ / b> B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 22 cover the TFT substrate 12.
  • the TFT substrate 12 on the outer side is also covered. That is, the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 22 are sealed by the reinforcing substrate 40.
  • a portion of the reinforcing substrate 40 that extends on the TFT substrate 12 is bonded to the TFT substrate 12 via an adhesive layer 48. In this way, it is possible to suppress the peeling of the protective layer 22 by covering the end portions of the adhesive layer 64 and the protective layer 22 with the reinforcing substrate 40. 18, the end portion of the reinforcing substrate 40 may be sealed using the sealing member 72.
  • another reinforcing substrate 40 ⁇ / b> A is provided in a region corresponding to the end portion of the conversion layer 14 on the surface of the reinforcing substrate 40.
  • the reinforcing substrate 40 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40A may be made of the same material as that of the reinforcing substrate 40. In the radiation detector 10, the amount of bending of the TFT substrate 12 at the end of the conversion layer 14 is relatively large.
  • the effect of suppressing the bending of the TFT substrate 12 at the end portion of the conversion layer 14 can be promoted.
  • the spacer 46 instead of providing the spacer 46, following the example shown in FIG. 17, it is formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40.
  • the space 70 may be filled with the filler 70.
  • the reinforcing substrate 40 may be provided so that the end portion thereof is aligned with the end portion of the TFT substrate 12. Note that the position of the end portion of the reinforcing substrate 40 and the position of the end portion of the TFT substrate 12 do not have to be completely coincident.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14, and corresponds to the peripheral portion 14B of the conversion layer 14. In the region and further outside the region, there is an inclination in the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40. A corresponding space is formed.
  • the end portion of the reinforcing substrate 40 is supported by the spacer 46. That is, one end of the spacer 46 is connected to the flexible cable 112 provided at the end of the TFT substrate 12, and the other end of the spacer 46 is connected to the end of the reinforcing substrate 40 through the adhesive layer 47.
  • a filler 70 is filled in a space formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40.
  • the connection between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70.
  • the space 70 formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70, so that FIG. Compared with the form to show, peeling from the conversion layer 14 (protective layer 22) of the reinforcement board
  • substrate 40 can be suppressed.
  • the conversion layer 14 has a structure that is fixed to the TFT substrate 12 by both the reinforcing substrate 40 and the filler 70, it is possible to suppress peeling of the conversion layer 14 from the TFT substrate 12. Moreover, since the connection part of the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70, it becomes possible to suppress peeling of the flexible cable 112.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing substrate 40 is bent along the inclination in the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 22 cover the TFT substrate 12, The connection part of the board
  • the portions of the reinforcing substrate 40 that extend on the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 are bonded to the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 via the adhesive layer 48, respectively. Since the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is bent and covered with the reinforcing substrate 40, peeling of the flexible cable 112 can be suppressed.
  • the space 70 formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70.
  • another flexible reinforcing substrate 40A is laminated on the surface of the reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 48A. More specifically, the reinforcing substrate 40 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40A may be made of the same material as that of the reinforcing substrate 40. In the radiation detector 10, the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40 may be provided so that the end portion thereof is located outside the end portion of the TFT substrate 12.
  • the reinforcing substrate 40 is bonded to the protective layer 22 via the adhesive layer 48 in the region corresponding to the central portion 14A of the conversion layer 14, and corresponds to the peripheral portion 14B of the conversion layer 14. In the region and further outside the region, there is an inclination in the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40. A corresponding space is formed.
  • the end portion of the reinforcing substrate 40 is supported by the spacer 46. That is, one end of the spacer 46 is connected to the flexible cable 112 provided at the end of the TFT substrate 12, and the other end of the spacer 46 is connected to the end of the reinforcing substrate 40 through the adhesive layer 47.
  • a filler 70 is filled in a space formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40.
  • the connection between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70.
  • the space 70 formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70, so that FIG. Compared with the form to show, peeling from the conversion layer 14 (protective layer 22) of the reinforcement board
  • substrate 40 can be suppressed.
  • the conversion layer 14 has a structure that is fixed to the TFT substrate 12 by both the reinforcing substrate 40 and the filler 70, it is possible to suppress peeling of the conversion layer 14 from the TFT substrate 12. Moreover, since the connection part of the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the filler 70, it becomes possible to suppress peeling of the flexible cable 112.
  • the outer peripheral portion of the reinforcing substrate 40 is bent along the inclination in the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 22 cover the TFT substrate 12, The connection part of the board
  • the portions of the reinforcing substrate 40 that extend on the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 are bonded to the TFT substrate 12 and the flexible cable 112 via the adhesive layer 48, respectively. Since the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the reinforcing substrate 40, it is possible to suppress the peeling of the flexible cable 112.
  • the TFT substrate 12 is relatively connected to the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113. Large deflection may occur. Since the connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is covered with the reinforcing substrate 40, it is possible to suppress the bending of the TFT substrate 12 in the portion.
  • the space 70 formed between the conversion layer 14 (protective layer 22) and the reinforcing substrate 40 and between the TFT substrate 12 and the reinforcing substrate 40 is filled with the filler 70.
  • another reinforcing substrate 40A is laminated on the surface of the reinforcing substrate 40 via the adhesive layer 48A. More specifically, the reinforcing substrate 40 ⁇ / b> A is provided in a region straddling the end (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the reinforcing substrate 40A may be made of the same material as that of the reinforcing substrate 40. In the radiation detector 10, the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the flexible TFT substrate 12 is attached to the support body 400 such as a glass substrate, and the conversion layer 14 is laminated on the TFT substrate 12.
  • the body 400 is peeled from the TFT substrate 12.
  • the flexible TFT substrate 12 is bent, which may damage the pixels 30 formed on the TFT substrate 12.
  • the support 400 is peeled from the TFT substrate 12 by laminating the reinforcing substrate 40 on the conversion layer 14 in the form illustrated in FIGS. It is possible to suppress the bending of the TFT substrate 12 that occurs during the process, and to reduce the risk of damage to the pixels 30.
  • the reinforcing substrate 40 is not limited to a single layer (single layer), and may be composed of multiple layers.
  • the radiation detector 10 includes a first reinforcing substrate 40 ⁇ / b> B, a second reinforcing substrate 40 ⁇ / b> C, and a third reinforcing substrate 40 ⁇ / b> D that are stacked in this order from the reinforcement substrate 40 and the conversion layer 14. The form which made the multilayer film of 3 layers is shown.
  • each layer included in the reinforcing substrate 40 has a different function.
  • the first reinforcing substrate 40B and the third reinforcing substrate 40D are non-conductive layers having an antistatic function
  • the second reinforcing substrate 40C is a conductive layer, thereby reinforcing.
  • the substrate 40 may be provided with an electromagnetic shielding function.
  • the first reinforcing substrate 40B and the third reinforcing substrate 40D in this case include an antistatic film such as a film using an antistatic paint “Colcoat” (trade name: manufactured by Colcoat).
  • examples of the second reinforcing substrate 40C include a conductive sheet and a conductive mesh sheet such as Cu.
  • the control substrate 110, the power supply unit 108, and the like may be provided on the conversion layer 14 side (see FIG. 52).
  • electromagnetic noise from the control board 110 and the power supply unit 108 can be shielded.
  • FIG. 35 is a plan view showing an example of the structure of the reinforcing substrate 40.
  • the reinforcing substrate 40 may have a plurality of through holes 40H on its main surface. The size and pitch of the through holes 40H are determined so that desired rigidity can be obtained in the reinforcing substrate 40.
  • bubbles may be generated on the joint surface.
  • the adhesion between the reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14 decreases. Thereby, there is a possibility that the effect of suppressing the bending by the reinforcing substrate 40 may not be sufficiently exhibited. As shown in FIG.
  • FIG. 36 is a perspective view showing another example of the structure of the reinforcing substrate 40.
  • the reinforcing substrate 40 has a concavo-convex structure on the joint surface with the conversion layer 14.
  • the uneven structure may include a plurality of grooves 63 arranged in parallel to each other.
  • the reinforcing substrate 40 has a surface having a concavo-convex structure formed by a plurality of grooves 63 bonded to the conversion layer 14 covered with the reflective layer 62.
  • the reinforcing substrate 40 has a concavo-convex structure on the joint surface with the conversion layer 14, air introduced into the joint portion between the reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14 can be discharged from the groove 63. . Thereby, it becomes possible to suppress generation
  • the reinforcing substrate 40 may be divided into a plurality of pieces 49. As shown in FIG. 38, the reinforcing substrate 40 may be divided so that a plurality of pieces 49 (FIGS. 49 5 to 49 11 ) are arranged in one direction. Further, as shown in FIG. 39, the reinforcing substrate 40 may be divided so that a plurality of pieces 49 (FIGS. 49 1 to 49 4 ) are arranged in the vertical direction and the horizontal direction.
  • FIGS. 38 and 39 by dividing the reinforcing substrate 40 into a plurality of pieces 49, it is possible to suppress the generation of bubbles at the joint surface between the reinforcing substrate 40 and the conversion layer 14. Thereby, it becomes possible to maintain the adhesiveness of the reinforcement board
  • the reinforcing member 51 may be provided on the side of the reinforcing member 41 opposite to the side in contact with the TFT substrate 12 (second surface 12B).
  • 40 to 44 are cross-sectional views showing examples of installation forms of the reinforcing member 51, respectively.
  • the reinforcing member 51 is laminated on the surface of the reinforcing member 41 opposite to the surface on the TFT substrate 12 side with the adhesive layer 52 interposed therebetween.
  • the reinforcing member 51 may be made of the same material as that of the reinforcing substrate 40.
  • the reinforcing member 51 may be provided only on the outer peripheral portion of the TFT substrate 12 in order to minimize the area of the portion where the reinforcing member 51 and the pixel region 35 overlap. preferable. That is, the reinforcing member 51 may have an annular shape having an opening 61 in a portion corresponding to the pixel region 35, as shown in FIGS.
  • the rigidity of the outer peripheral portion of the TFT substrate 12 that is relatively likely to be bent can be reinforced.
  • the reinforcing member 51 is provided in a region straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14.
  • the bending amount of the TFT substrate 12 is relatively large at the end of the conversion layer 14.
  • the radiation detector 10 When the radiation detector 10 is used as the ISS system, as shown in FIG. 40, when a part of the reinforcing member 51 overlaps the pixel region 35, the image may be affected depending on the material of the reinforcing member 51. is there. Therefore, when a part of the reinforcing member 51 overlaps the pixel region 35, it is preferable to use plastic as the material of the reinforcing member 51.
  • the reinforcing member 51 straddles the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14 and does not overlap the pixel region 35 (that is, the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 51
  • the configuration in which the pixel region 35 is arranged outside the pixel region 35 is most preferable.
  • the position of the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 51 and the position of the end portion of the pixel region 35 are substantially the same.
  • the end of the opening 61 of the reinforcing member 51 is disposed between the end of the pixel region 35 and the end of the conversion layer 14.
  • the position of the end portion of the opening 61 of the reinforcing member 51 may substantially coincide with the position of the end portion of the conversion layer 14 as shown in FIG. 43, and the conversion layer as shown in FIG. It may be arranged outside the end of 14. In this case, since the reinforcing member 51 does not have a structure straddling the end portion (outer edge, edge) of the conversion layer 14, the effect of suppressing the bending of the TFT substrate 12 at the end portion of the conversion layer 14 may be reduced. .
  • connection portion between the flexible cable 112 and the terminal 113 is formed by forming a laminated structure of the reinforcement member 41 and the reinforcement member 51. The effect of suppressing the bending of the TFT substrate 12 is maintained.
  • the TFT substrate 12 (base material 11) and the reinforcing member 41 have the same size. However, the TFT substrate 12 and the reinforcing member 41 are different from each other. The size may be different.
  • the radiation detector 10 when the radiation detector 10 is applied to the radiation image capturing apparatus 1, the radiation detector 10 may be fixed to a housing 120 (see FIG. 11 or the like) that houses the radiation detector 10 or the like.
  • the reinforcing member 41 is made larger than the TFT substrate 12, a flap is provided, and the radiation detector 10 is fixed using a portion such as the flap. You may go.
  • the form which makes the reinforcement member 41 larger than the TFT substrate 12 is not limited to the form shown in FIG. 45A.
  • the reinforcing member 41 may be composed of a plurality of stacked layers, and some layers may be larger than the TFT substrate 12.
  • the reinforcing member 41 has a two-layer structure of a first layer 41A having the same size as the TFT substrate 12 (base material 11) and a second layer 41B larger than the TFT substrate 12. Also good.
  • the first layer 41A and the second layer 41B are bonded together by a double-sided tape, an adhesive layer or the like (not shown).
  • the first layer 41A for example, it is preferable that the first layer 41A is made of the same material as that of the reinforcing member 41 and has the same properties as the reinforcing member 41.
  • the second layer 41B is bonded to the second surface 12B of the substrate 11 with a double-sided tape, an adhesive layer, or the like (not shown).
  • Alpet registered trademark
  • the first layer 41A is bonded to the second surface 12B of the substrate 11 as shown in FIG. 45C, contrary to the form shown in FIG. 45B. Also good.
  • the flap portion may be fixed in a bent state.
  • the flap portion of the reinforcing member 41 becomes easier to bend, and only the flap portion can be bent without affecting the main body of the radiation detector 10.
  • a configuration in which the reinforcing member 41 is configured by a plurality of stacked layers as in the example shown in FIGS. 45B and 45C and a part of the layers is made larger than the TFT substrate 12. It is preferable that
  • the reinforcing member 41 may be made smaller than the TFT substrate 12, contrary to the radiation detector 10 in FIGS. 45A to 45C.
  • the end of the TFT substrate 12 is positioned outside the end of the reinforcing member 41, for example, when the radiation detector 10 is housed in the housing 120 (see FIG. 7 etc.)
  • the positioning accuracy can be improved. Note that the present invention is not limited to the form shown in FIG. 46, and the same effect can be obtained if at least a part of the end portion of the TFT substrate 12 (base material 11) is located outside the reinforcing member 41. preferable.
  • FIGS. 47 to 53 are diagrams showing other configuration examples of the radiographic image capturing apparatus 1, respectively.
  • FIG. 47 an example of the ISS type radiographic imaging apparatus 1 is shown in the same manner as the radiographic imaging apparatus 1 shown in FIG. Further, in the example shown in FIG. 48, an example of the PSS-type radiographic image capturing apparatus 1 is shown. 47 and 48, a configuration in which the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the drawing is illustrated.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are both provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular pixel region 35.
  • the positions where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided are not limited to the forms shown in FIGS.
  • the power supply unit 108 and the control substrate 110 may be distributed on each of the two opposing sides of the pixel region 35 or may be distributed on each of the two adjacent sides.
  • the thickness of the housing 120 may be different between the portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided and the portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided. .
  • the power supply unit 108 and the control board 110 are often thicker than the radiation detector 10 in many cases.
  • the casing 120 in which the radiation detector 10 is provided rather than the thickness of the portion of the casing 120 in which the power supply unit 108 and the control board 110 are provided. The thickness of this part may be thinner.
  • the thickness of the portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided is different from the portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided, If there is a step at the boundary between the two parts, there is a concern that the subject in contact with the boundary 120B may feel uncomfortable, and therefore the shape of the boundary 120B is preferably inclined.
  • the material of the housing 120 is composed of a portion of the housing 120 where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided and a portion of the housing 120 where the radiation detector 10 is provided. May be different. Furthermore, for example, even if the portion of the casing 120 in which each of the power supply unit 108 and the control board 110 is provided and the portion of the casing 120 in which the radiation detector 10 is provided are configured separately. Good.
  • the housing 120 is preferably made of a material having a low absorption rate of radiation R, particularly X-rays, and preferably having a high rigidity and a sufficiently high elastic modulus.
  • the portion 120C corresponding to the imaging surface 120A of the housing 120 is made of a material having a low absorption rate of radiation R, a high rigidity, and a sufficiently high elastic modulus, and the other portions.
  • the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 may be in contact with each other.
  • the radiation detector 10 and the wall surface without the housing 120 may be bonded via an adhesive layer, or may simply be in contact with each other without an adhesive layer.
  • the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 are in contact with each other, so that the rigidity of the radiation detector 10 is further ensured.
  • an example of the ISS type radiographic imaging apparatus 1 is shown in the same manner as the radiographic imaging apparatus 1 shown in FIG.
  • FIG. 53 an example of the PSS type radiographic image capturing apparatus 1 is shown.
  • the TFT substrate 12, the control substrate 110, and the power supply unit 108 are provided with the sheet 116 and the base 118 interposed therebetween. According to this configuration, in comparison with the case where the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the figure (see FIGS. 47 to 51), the radiographic imaging apparatus 1 in plan view The size can be reduced.

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Abstract

可撓性の基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と、前記基材の前記画素領域が設けられた面に設けられ、前記放射線を光に変換する変換層と、前記変換層における前記基板側の面と対向する側の面に設けられ、降伏点を有する材料を含み、前記基材よりも剛性が高い補強基板と、を備えた放射線検出器。

Description

放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法
　本開示は、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法に関する。
　従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている（例えば、特開２００９－１３３８３７号公報及び特開２０１２－１７７６２４号公報参照）。
　この種の放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が基材の画素領域に設けられた基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器の基板の基材として、可撓性の基材を用いたものが知られている。可撓性の基材を用いることにより、例えば、放射線画像撮影装置（放射線検出器）を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
　ところで、放射線画像撮影装置の製造工程の途中等では、放射線検出器が単体で扱われる場合がある。放射線検出器を単体で扱う場合、可撓性の基板の撓み等の影響により、変換層が基板から剥離してしまう懸念があった。
　ところで、特開２００９－１３３８３７号公報に記載の技術では、変換層における基板側の面と対向する側の面に、変換層を覆う電磁シールド層が設けられている。また、特開２０１２－１７７６２４号公報に記載の技術では、変換層における基板側の面と対向する側の面に、変換層を支持する支持体が設けられている。しかしながら、特開２００９－１３３８３７号公報及び特開２０１２－１７７６２４号に記載の技術では、放射線検出器単体で扱われる場合が考慮されていない。そのため、特開２００９－１３３８３７号公報における電磁シールド層や、特開２０１２－１７７６２４号公報における支持体では、放射線検出器が単体で扱われる場合、変換層が基板から剥離するのを抑制できない懸念があった。
　本開示は、変換層における基板側の面と対向する側の面に設けられた補強基板の材質を考慮しない場合に比べて、放射線検出器単体における変換層の破壊を抑制することができる放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法を提供する。
　本開示の第１の態様は、放射線検出器であって、可撓性の基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と基材の画素領域が設けられた面に設けられ、放射線を光に変換する変換層と、変換層における基板側の面と対向する側の面に設けられ、降伏点を有する材料を含み、基材よりも剛性が高い補強基板と、を備える。
　本開示の第２の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器において、補強基板は、変換層が設けられた領域よりも広い領域に設けられている。
　本開示の第３の態様の放射線検出器は、第１の態様の放射線検出器または第２の態様の放射線検出器において、基板は、複数の画素が形成された面の外周の領域に、複数の画素に蓄積された電荷を読み出す回路部に接続された可撓性の配線の他端が接続される接続領域を有し、補強基板は、接続領域の少なくとも一部及び変換層を覆う領域に設けられている。
　本開示の第４の態様の放射線検出器は、第１の態様から第３の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基板の、複数の画素が形成された面と対向する面に、基材よりも剛性が高い補強部材をさらに備えた。
　本開示の第５の態様の放射線検出器は、第１の態様から第４の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、基板と、変換層との間に設けられた緩衝層をさらに備えた。
　本開示の第６の態様の放射線検出器は、第１の態様から第５の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、補強基板は、曲げ弾性率が１０００ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下である。
　本開示の第７の態様の放射線検出器は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、降伏点を有する材料は、ポリカーボネート、及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一つである。
　本開示の第８の態様の放射線検出器は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層の熱膨張率に対する補強基板の熱膨張率の比が０．５以上、２以下である。
　本開示の第９の態様の放射線検出器は、第１の態様から第８の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、補強基板は、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／以下である。
　本開示の第１０の態様の放射線検出器は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、変換層は、ＣｓＩの柱状結晶を含む。
　本開示の第１１の態様の放射線検出器は、第１の態様から第１０の態様のいずれか１態様の放射線検出器において、複数の画素は、画素領域に、直接形成法により形成される。
　また、本開示の第１２の態様の放射線画像撮影装置は、第１の態様から第１１の態様のいずれか１態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、放射線検出器に可撓性の配線により電気的に接続され、制御信号に応じて複数の画素から電荷を読み出す回路部と、を備える。
　また、本開示の第１３の態様は、放射線検出器の製造方法であって、放射線検出器に応じた大きさの補強基板に、粘着層を塗布する工程と、支持体に、剥離層を介して可撓性の基材を設け、基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、基材の画素領域が設けられた面に、放射線を光に変換する変換層を形成する工程と、変換層の、基板側の面と対向する側の面と反対側の面に、降伏点を有する材料を含み、基材よりも剛性が高い補強基板を貼り合わせる工程と、変換層及び補強基板が設けられた基板を、支持体から剥離する工程と、を備えた。
　本開示の第１４の態様の製造方法は、第１３の態様の製造方法において、補強基板を貼り合わせる工程の前に、基板に複数の画素に蓄積された電荷を読み出す回路部に接続された可撓性の配線の一端を接続する工程をさらに含む。
　本開示によれば、変換層における基板側の面と対向する側の面に設けられた補強基板の材質を考慮しない場合に比べて、放射線検出器単体における変換層の破壊を抑制することができる。
第１例示的実施形態の放射線検出器におけるＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板の構成の一例を示す構成図である。 例示的実施形態の基材の一例を説明するための断面図である。 第１例示的実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。 図３に示した放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 第１例示的実施形態の放射線検出器の一例を、ＴＦＴ基板の第１の面の側からみた平面図である。 第１例示的実施形態の放射線検出器の製造方法の一例を説明する説明図である。 第１例示的実施形態の放射線検出器の製造方法の一例を説明する説明図である。 第２例示的実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。 例示的実施形態の放射線検出器の他の一例の断面図である。 例示的実施形態の放射線検出器の他の例の一画素部分についての断面図である。 例示的実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の一例の断面を表す断面図である。 例示的実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の他の例の断面を表す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の補強部材の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の例示的実施形態の補強部材の構造の一例を示す斜視図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の補強部材の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の例示的実施形態の補強部材の構造の一例を示す平面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線検出器の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の例示的実施形態の放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。
　以下、図面を参照して本発明の例示的実施形態を詳細に説明する。なお、本例示的実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１例示的実施形態］
　本例示的実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力する機能を有する。本例示的実施形態の放射線検出器は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と、放射線を光に変換する変換層と、を備えている（図４、放射線検出器１０のＴＦＴ基板１２及び変換層１４参照）。
　まず、図１を参照して本例示的実施形態の放射線検出器におけるＴＦＴ基板１２の構成の一例について説明する。なお、本例示的実施形態のＴＦＴ基板１２は、基材１１の画素領域３５に、複数の画素３０を含む画素アレイ３１が形成された基板である。従って、以下では、「画素領域３５」との表現を、「画素アレイ３１」と同義として用いる。本例示的実施形態のＴＦＴ基板１２が、開示の技術の基板の一例である。
　基材１１は、樹脂製、かつ、可撓性を有する。基材１１は、例えば、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シート等である。基材１１の厚みは、材質の硬度、及びＴＦＴ基板１２の大きさ等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。例えば、基材１１が樹脂シートの場合、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ～５０μｍのものであればより好ましい。
　なお、基材１１は、詳細を後述する画素３０の製造に耐え得る特性を有しており、本例示的実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１１が有する特性としては、３００℃～４００℃における熱膨張率が、シリコン（Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましく、具体的には、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１１の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃におけるＭＤ（Machine Direction）方向の熱収縮率が０．５%以下であることが好ましい。また、基材１１の弾性率は、３００℃～４００℃間の温度領域において、一般的なポリイミドが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。
　また、本例示的実施形態の基材１１は、図２に示したように、変換層１４が設けられる側と反対側の面に、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の無機の微粒子１１Ｐを含む微粒子層１１Ｌを有することが好ましい。このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。
　なお、本例示的実施形態において述べる厚みについては、マイクロメーターを用いて測定した。熱膨張率については、ＪＩＳ　Ｋ７１９７：１９９１に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について熱膨張率を測定し、最も高い値を基材１１の熱膨張率とした。熱膨張率の測定は、ＭＤ（Machine Direction）方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向のそれぞれについて、－５０℃～４５０℃において１０℃間隔で行い、（ｐｐｍ／℃）を（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定には、ＭＡＣサイエンス社製　ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ２、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。弾性率については、ＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について引っ張り試験を行い、最も高い値を基材１１の弾性率とした。
　画素３０の各々は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部３４及びセンサ部３４にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子３２を含む。本例示的実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子３２として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子３２を「ＴＦＴ３２」という。
　複数の画素３０は、ＴＦＴ基板１２の画素領域３５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に二次元状に配置されている。図１では、画素３０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素３０は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
　また、放射線検出器１０には、ＴＦＴ３２のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線３８と、画素３０の列毎に備えられた、センサ部３４に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線３６と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線３８の各々は、それぞれＴＦＴ基板１２に設けられた接続領域４３（図４及び図５参照）を介して、放射線検出器１０の外部の駆動部１０３（図５参照）に接続されることにより、駆動部１０３から出力される、ＴＦＴ３２のスイッチング状態を制御する制御信号が流れる。また、複数の信号配線３６の各々が、それぞれＴＦＴ基板１２に設けられた接続領域４３（図４及び図５参照）を介して、放射線検出器１０の外部の信号処理部１０４（図５参照）に接続されることにより、各画素３０から読み出された電荷が、信号処理部１０４に出力される。
　また、各画素３０のセンサ部３４には、各画素３０にバイアス電圧を印加するために、共通配線３９が信号配線３６の配線方向に設けられている。共通配線３９が、ＴＦＴ基板１２に設けられたパッド（図示省略）を介して、放射線検出器１０の外部のバイアス電源に接続されることにより、バイアス電源から各画素３０にバイアス電圧が印加される。
　本例示的実施形態の放射線検出器１０では、ＴＦＴ基板１２上には、変換層が形成されている。図３は、本例示的実施形態の放射線検出器１０を変換層１４が形成された側からみた平面図である。また、図４は、図３における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図である。なお、以下では、放射線検出器１０の構造において「上」という場合、ＴＦＴ基板１２側を基準とした位置関係において上であることを表している。例えば、変換層１４は、ＴＦＴ基板１２の上に設けられている。
　図３及び図４に示すように、本例示的実施形態の変換層１４は、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａにおける画素領域３５を含む一部の領域上に設けられている。このように、本例示的実施形態の変換層１４は、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａの外周部の領域上には設けられていない。本例示的実施形態の第１の面１２Ａが、本開示の、画素領域が設けられた面の一例である。
　本例示的実施形態では、変換層１４の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ～７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
　本例示的実施形態の放射線検出器１０では、変換層１４は、ＴＦＴ基板１２上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって短冊状の柱状結晶（図示省略）として形成される。変換層１４の形成方法としては、例えば、変換層１４としてＣｓＩ：Ｔｌを用いた場合、真空度０．０１Ｐａ～１０Ｐａの環境下、ＣｓＩ：Ｔｌを抵抗加熱式のるつぼ等の加熱手段により加熱して気化させ、ＴＦＴ基板１２の温度を室温（２０℃）～３００℃としてＣｓＩ：ＴｌをＴＦＴ基板１２上に堆積させる真空蒸着法が挙げられる。変換層１４の厚さとしては、１００μｍ～８００μｍが好ましい。
　本例示的実施形態では、一例として図４に示すように、ＴＦＴ基板１２と変換層１４との間には緩衝層１３が設けられている。緩衝層１３は、変換層１４の熱膨張率と、基材１１の熱膨張率との差を緩衝させる機能を有する。なお、本例示的実施形態の放射線検出器１０と異なり、緩衝層１３を設けない構成としてもよいが、変換層１４の熱膨張率と、基材１１の熱膨張率との差が大きいほど、緩衝層１３を設けることが好ましい。例えば、基材１１に、上記ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、他の材質に比べて、変換層１４の熱膨張率との差が大きくなるため、図４に示した放射線検出器１０のように、緩衝層１３を設けることが好ましい。緩衝層１３としては、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）膜や、パリレン（登録商標）膜が用いられる。
　保護層２２は、変換層１４を湿気等の水分から保護する機能を有する。保護層２２の材料としては、例えば、有機膜が挙げられ、具体的には、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide：ポリフェニレンサルファイド：）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene：二軸延伸ポリプロピレンフィルム）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate：ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ等による単層膜または積層膜が挙げられる。また、保護層２２としては、ＰＥＴ等の絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシートを用いてもよい。
　ＴＦＴ基板１２、緩衝層１３、変換層１４、及び保護層２２が積層された積層体１９の変換層１４側の面である第１の面１９Ａには、粘着層４８により、補強基板４０が設けられている。
補強基板４０は、基材１１よりも剛性が高く、変換層１４と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本例示的実施形態の補強基板４０の厚みは、基材１１の厚みよりも厚い。なお、ここでいう剛性とは、補強基板４０及び基材１１の厚さも含めた補強基板４０及び基材１１の曲げ難さを意味し、剛性が高いほど曲げ難いことを表している。
　また、本例示的実施形態の補強基板４０は、降伏点を有する材料を含む基板である。なお、本例示的実施形態において「降伏点」とは、材料を引張った場合に、応力が一旦、急激に下がる現象をいい、応力とひずみとの関係を表す曲線上で、降伏を示している点のことをいう。降伏点を有する樹脂としては、一般的に、硬くて粘りが強い樹脂、及び柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂が挙げられる。硬くて粘りが強い樹脂としては、例えば、ＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、及びポリアミドの少なくとも一つが挙げられる。また、柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂としては、例えば、高密度ポリエチレン、及びポリプロピレンの少なくとも一つが挙げられる。
　また、本例示的実施形態の補強基板４０は、曲げ弾性率が１０００ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることが好ましい。曲げ弾性率の測定方法は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　７１７１：２０１６準拠に基づく。曲げ弾性率がより低くなると、剛性のために補強基板４０の厚みを厚くしなくてはならない。そのため、厚みを抑制する観点から、補強基板４０は、曲げ弾性率が２０００ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。
　また、本例示的実施形態の補強基板４０の熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion)は、変換層１４の材料の熱膨張率に近い方が好ましく、より好ましくは、変換層１４の熱膨張率に対する補強基板４０の熱膨張率の比が、０．５以上、２以下であることが好ましい。例えば、変換層１４がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるポリ塩化ビニル（PVC：Polyvinyl Chloride）、熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるアクリル、熱膨張率が６５～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ、及び熱膨張率が４５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／Ｋであるテフロン（登録商標）等が、補強基板４０の材料としてあげられる。さらに、上述した曲げ弾性率を考慮すると、補強基板４０の材料としては、ＰＥＴ及びＰＣの少なくとも一方を含む材料であることがより好ましい。
　図３及び図４に示すように、本例示的実施形態の補強基板４０は、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａにおける、変換層１４が設けられた領域よりも広い領域に設けられている。そのため、図３及び図４に示すように、補強基板４０の端部は、変換層１４の外周部よりも外側（ＴＦＴ基板１２の外周部側）に突出している。
　図４に示すように、ＴＦＴ基板１２の外周部には接続領域４３が設けられている。接続領域４３には、詳細を後述するフレキシブルケーブル１１２が接続されている。フレキシブルケーブル１１２は、駆動部１０３及び信号処理部１０４（いずれも図５参照）の少なくとも一方に接続されている。本例示的実施形態の駆動部１０３及び信号処理部１０４が、本開示の回路部の一例である。図５には、本例示的実施形態の放射線検出器１０に駆動部１０３及び信号処理部１０４が接続された状態の一例を、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａの側からみた平面図を示す。
　図５に示した一例のように、ＴＦＴ基板１２の接続領域４３には、フレキシブルケーブル１１２が電気的に接続される。なお、本例示的実施形態では、フレキシブルケーブル１１２を含め、「ケーブル」と称する部品に関する接続は、特に言及しない限り、電気的な接続を意味する。なお、フレキシブルケーブル１１２は、導体からなる信号線（図示省略）を含み、この信号線が接続領域４３に接続されることにより、電気的に接続される。本例示的実施形態のフレキシブルケーブル１１２が本開示の可撓性の配線の一例である。また、以下で「ケーブル」という場合、フレキシブルな（可撓性を有する）もののことである。
　ＴＦＴ基板１２の接続領域４３（４３Ａ）には、複数（図５では、４つ）のフレキシブルケーブル１１２の一端が、熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２は、駆動部１０３と走査配線３８（図１参照）とを接続する機能を有する。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、接続領域４３を介して、ＴＦＴ基板１２の走査配線３８（図１参照）に接続される。
　一方、フレキシブルケーブル１１２の他端は、駆動基板２０２の外周の領域に設けられた接続領域２４３（２４３Ａ）に熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、接続領域２４３を介して、駆動基板２０２に搭載された回路及び素子等である駆動部品２５０と接続される。
　図５では、一例として、９個の駆動部品２５０（２５０Ａ～２５０Ｉ）が駆動基板２０２に搭載された状態を示している。図５に示すように、本例示的実施形態の駆動部品２５０は、ＴＦＴ基板１２の接続領域４３（４３Ａ）に対応する辺に沿った方向である撓み方向Ｙと交差する方向である交差方向Ｘに、沿って配置されている。
　本例示的実施形態の駆動基板２０２は、可撓性のＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板であり、いわゆるフレキシブル基板である。駆動基板２０２に搭載される駆動部品２５０は主にデジタル信号の処理に用いられる部品（以下、「デジタル系部品」という）である。駆動部品２５０の具体例としては、デジタルバッファ、バイパスコンデンサ、プルアップ／プルダウン抵抗、ダンピング抵抗、及びＥＭＣ（Electro Magnetic Compatibility）対策チップ部品等が挙げられる。なお、駆動基板２０２は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、後述する、非可撓性のリジッド基板としてもよい。
　デジタル系部品は、後述するアナログ系部品よりも、比較的面積（大きさ）が小さい傾向がある。また、デジタル系部品は、アナログ系部品よりも電気的な干渉、換言するとノイズの影響を大きく受け難い傾向がある。そのため、本例示的実施形態では、ＴＦＴ基板１２が撓んだ場合に、ＴＦＴ基板１２の撓みに伴って撓む側の基板を、駆動部品２５０を搭載した駆動基板２０２としている。
　また、駆動基板２０２と接続されるフレキシブルケーブル１１２には、駆動回路部２１２が搭載されている。駆動回路部２１２は、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）に接続されている。
　本例示的実施形態では、駆動基板２０２に搭載された駆動部品２５０と、駆動回路部２１２とにより、駆動部１０３が実現される。駆動回路部２１２は、駆動部１０３を実現する各種回路及び素子のうち、駆動基板２０２に搭載されている駆動部品２５０と異なる回路を含むＩＣ（Integrated Circuit）である。
　このように、本例示的実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２により、ＴＦＴ基板１２と駆動基板２０２とが電気的に接続されることにより、駆動部１０３と走査配線３８の各々とに接続される。
　一方、ＴＦＴ基板１２の接続領域４３（４３Ｂ）には、複数（図５では、４つ）のフレキシブルケーブル１１２の一端が、熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、接続領域４３を介して、信号配線３６（図１参照）に接続される。フレキシブルケーブル１１２は、信号処理部１０４と信号配線３６（図１参照）とを接続する機能を有する。
　一方、フレキシブルケーブル１１２の他端は、信号処理基板３０４の接続領域２４３（２４３Ｂ）に設けられたコネクタ３３０に電気的に接続されている。フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）は、コネクタ３３０を介して、信号処理基板３０４に搭載された回路及び素子等である信号処理部品３５０と接続される。例えばコネクタ３３０としては、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタが挙げられる。図５では、一例として、９個の信号処理部品３５０（３５０Ａ～３５０Ｉ）が信号処理基板３０４に搭載された状態を示している。図５に示すように、本例示的実施形態の信号処理部品３５０は、ＴＦＴ基板１２の接続領域４３（４３Ｂ）に沿った方向である交差方向Ｘに沿って配置されている。
　なお、本例示的実施形態の信号処理基板３０４は、非可撓性のＰＣＢ基板であり、いわゆるリジッド基板である。そのため、信号処理基板３０４の厚みは、駆動基板２０２の厚みよりも厚い。また、駆動基板２０２よりも剛性が高い。
　信号処理基板３０４に搭載される信号処理部品３５０は主にアナログ信号の処理に用いられる部品（以下、「アナログ系部品」という）である。信号処理部品３５０の具体例としては、オペアンプ、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）、電源ＩＣ等が挙げられる。また、本例示的実施形態の信号処理部品３５０は、比較的部品サイズが大きい電源周りのコイル、及び平滑用大容量コンデンサも含む。
　上述したように、アナログ系部品は、デジタル系部品よりも、比較的面積（大きさ）が大きい傾向がある。また、アナログ系部品は、デジタル系部品よりも電気的な干渉、換言するとノイズの影響を受け易い傾向がある。そのため、本例示的実施形態では、ＴＦＴ基板１２が撓んだ場合でも、撓まない（撓みの影響を受けない）側の基板を、信号処理部品３５０を搭載した信号処理基板３０４としている。
　また、信号処理基板３０４に接続されるフレキシブルケーブル１１２には、信号処理回路部３１４が搭載されている。信号処理回路部３１４は、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）に接続されている。
　本例示的実施形態では、信号処理基板３０４に搭載された信号処理部品３５０と、信号処理回路部３１４とにより、信号処理部１０４が実現される。信号処理回路部３１４は、信号処理部１０４を実現する各種回路及び素子のうち、信号処理基板３０４に搭載されている信号処理部品３５０と異なる回路を含むＩＣである。
　このように、本例示的実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２により、ＴＦＴ基板１２と信号処理基板３０４とが電気的に接続されることにより、信号処理部１０４と信号配線３６の各々とに接続される。
　また、図４に示した一例のように、本例示的実施形態の放射線検出器１０は、補強基板４０と、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａとの間に、フレキシブルケーブル１１２、防湿剤４４、及び粘着層４５を挟んで、変換層１４の側面を封止するスペーサ４６が設けられている。
　スペーサ４６を設ける方法は特に限定されず、例えば、補強基板４０の端部の粘着層４８に、スペーサ４６を貼り付けておき、スペーサ４６が設けられた状態の補強基板４０を、積層体１９、フレキシブルケーブル１１２、防湿剤４４、及び粘着層４５が設けられた状態のＴＦＴ基板１２に貼り付けることで、スペーサ４６をＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に設けてもよい。なお、スペーサ４６の幅（積層体１９の積層方向と交差する方向）は、図４に示した例に限定されない。例えば、図４に示した例よりも変換層１４に近い位置までスペーサ４６の幅が拡がっていてもよい。また、スペーサ４６はＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａ上に樹脂やセラミックなどをコーキングして形成してもよい。
　また、本例示的実施形態のＴＦＴ基板１２側の第２の面１２Ｂには、湿気等の水分から保護する機能を有する保護膜４２が設けられている。保護膜４２の材料としては、例えば、保護層２２と同様の材料が挙げられる。
　本例示的実施形態の放射線検出器１０の製造方法の一例としては、以下の方法が挙げられる。図６及び図７を参照して、本例示的実施形態の放射線検出器１０の製造方法の一例を説明する。
　予め、放射線検出器１０に合わせた所望の大きさとした補強基板４０に、粘着層４８を塗布し、粘着層４８にスペーサ４６を設けた状態のものを準備しておく。
　一方、図６に示すように、基材１１に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体４００に、剥離層（図示省略）を介して、基材１１が形成される。ラミネート法により基材１１を形成する場合、支持体４００上に、基材１１となるシートを貼り合わせる。基材１１におけるＴＦＴ基板１２の第２の面１２Ｂに対応する面が剥離層（図示省略）に接する。
　さらに、基材１１の画素領域３５に、複数の画素３０が形成される。なお、本例示的実施形態では、一例として、基材１１の画素領域３５に、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、複数の画素３０が形成される。
　さらに、画素領域３５の上に、変換層１４が形成される。本例示的実施形態では、まず、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａにおける変換層１４を設ける領域に、緩衝層１３を形成する。その後、ＴＦＴ基板１２上、より具体的には緩衝層１３上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層１４が形成される。この場合、変換層１４における画素３０と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　なお、このように、ＴＦＴ基板１２上に直接、気相堆積法によってＣｓＩの変換層１４を設けた場合、変換層１４のＴＦＴ基板１２と接する側と反対側の面には、例えば、変換層１４で変換した光を反射する機能を有する反射層（図示省略）が設けられていてもよい。反射層は、変換層１４に直接設けられてもよいし、密着層等を介して設けられてもよい。反射層の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも１つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白ＰＥＴを材料として用いたものが好ましい。なお、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート（フィルム）である。
　また、変換層１４としてＣｓＩのシンチレータを用いる場合、本例示的実施形態と異なる方法で、ＴＦＴ基板１２に変換層１４を形成することもできる。例えば、アルミの板等に気相堆積法によってＣｓＩを蒸着させたものを用意し、ＣｓＩのアルミの板と接していない側と、ＴＦＴ基板１２の画素３０とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、ＴＦＴ基板１２に変換層１４を形成してもよい。この場合、アルミの板も含めた状態の変換層１４全体を保護膜により覆った状態のものを、ＴＦＴ基板１２の画素領域３５と貼り合わせることが好ましい。なお、この場合、変換層１４における画素領域３５と接する側が、柱状結晶の成長方向の先端側となる。
　また、本例示的実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層１４としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、ＧＯＳを樹脂等のバインダに分散させたシートを、白ＰＥＴ等により形成された支持体に粘着層等により貼り合わせたものを用意し、ＧＯＳの支持体が貼り合わせられていない側と、ＴＦＴ基板１２の画素領域３５とを粘着性のシート等により貼り合わせることにより、ＴＦＴ基板１２に変換層１４を形成することができる。なお、変換層１４にＣｓＩを用いる場合の方が、ＧＯＳを用いる場合に比べて、放射線から可視光への変換効率が高くなる。
　さらに、ＴＦＴ基板１２の接続領域４３（４３Ａ及び４３Ｂ）にフレキシブルケーブル１１２を熱圧着し、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）とＴＦＴ基板１２の接続領域４３（４３Ａ及び４３Ｂ）とを電気的に接続させる。
　さらに、駆動基板２０２の接続領域２４３（２４３Ａ）にフレキシブルケーブル１１２を熱圧着し、フレキシブルケーブル１１２に含まれる複数の信号線（図示省略）と駆動基板２０２に搭載された駆動部品２５０とを電気的に接続させる。
　そして、予め準備しておいた、スペーサ４６が設けられた補強基板４０を、変換層１４が形成され、フレキシブルケーブル１１２が接続されたＴＦＴ基板１２に貼り合わせることで、変換層１４を封止する。なお、上記の貼り合わせを行う場合は、大気圧下または、減圧下（真空下）で行うが、貼り合わせた間に空気等が入り込むのを抑制するために、減圧下で行うことが好ましい。
　この後、図７に示すように放射線検出器１０を支持体４００から剥離する。メカニカル剥離により剥離を行う場合、図７に示した一例では、ＴＦＴ基板１２における、フレキシブルケーブル１１２が接続された辺と対向する辺を剥離の起点とし、起点となる辺からフレキシブルケーブル１１２が接続された辺に向けて徐々にＴＦＴ基板１２を支持体４００から、図７に示した矢印Ｄ方向に引きはがすことにより、メカニカル剥離を行い、フレキシブルケーブル１１２が接続された状態の放射線検出器１０が得られる。
　なお、剥離の起点とする辺は、ＴＦＴ基板１２を平面視した場合における、最長の辺と交差する辺が好ましい。換言すると、剥離により撓みが生じる撓み方向Ｙに沿った辺は、最長の辺であることが好ましい。本例示的実施形態では、駆動基板２０２がフレキシブルケーブル１１２により接続される辺の方が、信号処理基板３０４側がフレキシブルケーブル１１２により接続される辺よりも長い。そのため、剥離の起点を、接続領域４３（４３Ｂ）が設けられた辺と対向する辺としている。
　本例示的実施形態では、さらに、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離した後、放射線検出器１０のフレキシブルケーブル１１２と、信号処理基板３０４のコネクタ３３０とを電気的に接続する。このようにして本例示的実施形態では、図３～図５に一例を示した放射線検出器１０が製造される。
　なお、本例示的実施形態に限定されず、放射線検出器１０のフレキシブルケーブル１１２と、信号処理基板３０４のコネクタ３３０とを電気的に接続させたのち、上記メカニカル剥離を行ってもよい。
　メカニカル剥離を行うにあたり、本例示的実施形態の放射線画像撮影装置１では、図６及び図７に示したように、駆動基板２０２がフレキシブルな基板であるため、ＴＦＴ基板１２の撓みに応じて駆動基板２０２も撓む。
　ここで、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する場合、基材１１が可撓性を有するため、ＴＦＴ基板１２が撓み易い。ＴＦＴ基板１２が大きく撓んだ場合、ＴＦＴ基板１２も大きく撓む結果、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離されてしまう懸念がある。特に、変換層１４の端部がＴＦＴ基板１２から剥離し易くなる。また、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する場合に限定されず、放射線画像撮影装置１の製造工程の途中等の放射線検出器１０が単体で扱われる場合、ＴＦＴ基板１２が撓むことにより、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離されてしまう懸念がある。これに対して、本例示的実施形態の放射線検出器１０では、降伏点を有する材料を含み、基材１１よりも剛性が高い補強基板４０が、ＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａと対向する側の面である、第１の面１９Ａに設けられている。そのため、本例示的実施形態の放射線検出器１０によれば、ＴＦＴ基板１２が大きく撓むことを抑制することができ、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離するのを抑制することができる。
［第２例示的実施形態］
　次に、第２例示的実施形態について説明する。図８には、本例示的実施形態の放射線検出器１０の一例の断面図を示す。
　図８に示すように、本例示的実施形態の放射線検出器１０では、ＴＦＴ基板１２側の第２の面１２Ｂに、補強部材４１が設けられている。本例示的実施形態の放射線検出器１０では、図８に示すように、ＴＦＴ基板１２と補強部材４１との間には、上記例示的実施形態と同様に、保護膜４２が設けられている。
　補強部材４１は、補強基板４０と同様に、基材１１よりも剛性が高く、第１の面１２Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１における第１の面１２Ｂに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本例示的実施形態の補強部材４１の厚みは、基材１１の厚みよりも厚く、補強基板４０の厚みよりも薄い。本例示的実施形態の補強部材４１の材料としては、熱可塑性の樹脂であることが好ましく、補強基板４０と同様の材料を用いることができる。なお、ここでいう剛性も、補強部材４１及び基材１１の厚さも含めた補強部材４１及び基材１１の曲げ難さを意味し、剛性が高いほど曲げ難いことを表している。
　本例示的実施形態の放射線検出器１０は、例えば、第１例示的実施形態において上述した放射線検出器１０の製造方法と同様の製造方法により、積層体１９が設けられたＴＦＴ基板１２に、スペーサ４６が設けられた補強基板４０を貼り合わせた後、支持体４００からＴＦＴ基板１２を剥離する。その後、ＴＦＴ基板１２の第２の面１２Ｂに、保護膜４２及び補強部材４１を塗布等により設けることにより、本例示的実施形態の放射線検出器１０を製造することができる。
　本例示的実施形態の放射線検出器１０では、ＴＦＴ基板１２の、複数の画素３０が形成された第１の面１２Ａと対向する第２の面１２Ｂに、基材１１よりも剛性が高い補強部材４１が設けられている。そのため、上記各例示的実施形態の放射線検出器１０よりもさらに、ＴＦＴ基板１２が大きく撓むことを抑制することができ、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離するのを抑制することができる。
　また、例えば、変換層１４の熱膨張率と、補強基板４０の熱膨張率との差が比較的大きい場合、ＴＦＴ基板１２が反り返り易くなる。これに対して本例示的実施形態の放射線検出器１０では、ＴＦＴ基板１２を補強基板４０と補強部材４１とで挟みこむため、熱膨張率の差等により、ＴＦＴ基板１２が反り返るのを抑制することができる。
　以上説明したように、上記各例示的実施形態の放射線検出器１０は、可撓性の基材１１の画素領域３５に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素３０が形成されたＴＦＴ基板１２と、基材１１の画素領域３５が設けられた面である第１の面１２Ａに設けられ、放射線を光に変換する変換層１４と、変換層１４におけるＴＦＴ基板１２側の面と対向する側の面である第１の面１９Ａに設けられ、降伏点を有する材料を含み、基材１１よりも剛性が高い補強基板４０と、を備える。
　上記各例示的実施形態の放射線検出器１０では、降伏点を有する材料を含み、基材１１よりも剛性が高い補強基板４０が変換層１４の上に設けられているため、ＴＦＴ基板１２が大きく撓むことを抑制することができる。従って、上記各例示的実施形態の放射線検出器１０によれば、放射線検出器１０を単体で扱う場合において変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離することを抑制することができる。
　なお、補強基板４０の大きさは、上記各例示的実施形態に限定されない。例えば、図９に示した一例のように、補強基板４０及び粘着層４８の端部（外周）と、保護層２２の端部（外周）とが同様の位置であってもよい。なお、変換層１４がＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａを覆う領域よりも広い領域を補強基板４０により覆うことが好ましく、変換層１４の上面全体を覆う領域よりも広い領域を補強基板４０により覆うことがより好ましい。
　また、図１０に示した一例のように、基材１１と画素３０、特に画素３０のＴＦＴ３２のゲート電極８０との間には、無機材料による層９０が設けられていることが好ましい。図１０に示した一例では、この場合の無機材料としては、ＳｉＮｘや、ＳｉＯｘ等が挙げられる。ＴＦＴ３２のドレイン電極８１と、ソース電極８２とは同じ層に形成されており、ドレイン電極８１及びソース電極が形成された層と、基材１１との間にゲート電極８０が形成されている。また、基材１１とゲート電極８０との間に、無機材料による層９０が設けられている。
　また、上記各例示的実施形態では、図１に示したように画素３０がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素アレイ３１（画素領域３５）の形状も限定されないことはいうまでもない。
　また、変換層１４の形状等も上記各例示的実施形態に限定されない。上記各例示的実施形態では、変換層１４の形状が画素アレイ３１（画素領域３５）の形状と同様に矩形状である態様について説明したが、変換層１４の形状は、画素アレイ３１（画素領域３５）と同様の形状でなくてもよい。また、画素アレイ３１（画素領域３５）の形状が、矩形状ではなく、例えば、その他の多角形であってもよいし、円形であってもよい。
　なお、上述した放射線検出器１０の製造方法では、ＴＦＴ基板１２を、支持体４００からメカニカル剥離により、剥離する工程について説明したが、剥離方法は、説明した形態に限定されない。例えば、支持体４００のＴＦＴ基板１２が形成されている反対側の面からレーザを照射して、ＴＦＴ基板１２の剥離を行う、いわゆる、レーザ剥離を行う形態としてもよい。この場合であっても、放射線検出器１０によれば、ＴＦＴ基板１２を支持体４００から剥離した後、放射線検出器１０が単体で扱われる場合に、変換層１４がＴＦＴ基板１２から剥離するのを抑制することができる。
　なお、上記各例示的実施形態の放射線検出器１０は、ＴＦＴ基板１２側から放射線が照射されるＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式の放射線画像撮影装置に適用してもよいし、変換層１４側から放射線が照射されるＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式の放射線画像撮影装置に適用してもよい。
　図１１には、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１に第１例示的実施形態の放射線検出器１０を適用した状態の一例の断面図を示す。
　図１１に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０、電源部１０８、及び制御基板１１０が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の撮影面１２０Ａ側に、画素アレイ３１の変換層１４が設けられていない側が対向するように設けられている。
　筐体１２０は、軽量であり、放射線Ｒ、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましい。筐体１２０の材料として、曲げ弾性率が１００００ＭＰａ以上である材料を用いることが好ましい。筐体１２０の材料として、２００００～６００００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有するカーボンまたはＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics）を好適に用いることができる。
　放射線画像撮影装置１による放射線画像の撮影においては、筐体１２０の撮影面１２０Ａに被写体からの荷重が印加される。筐体１２０の剛性が不足する場合、被写体からの荷重によりＴＦＴ基板１２に撓みが生じ、画素３０が損傷する等の不具合が発生するおそれがある。１００００ＭＰａ以上の曲げ弾性率を有する材料からなる筐体１２０内部に、放射線検出器１０が収容されることで、被写体からの荷重によるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　制御基板１１０は、画素アレイ３１の画素３０から読み出された電荷に応じた画像データを記憶する画像メモリ３８０や画素３０からの電荷の読み出し等を制御する制御部３８２等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル１１２により画素アレイ３１の画素３０と電気的に接続されている。なお、図１１に示した放射線画像撮影装置１では、制御部３８２の制御により画素３０のＴＦＴ３２のスイッチング状態を制御する駆動部１０３、及び画素３０から読み出された電荷に応じた画像データを生成して出力する信号処理部１０４がフレキシブルケーブル１１２上に設けられた、いわゆる、ＣＯＦ（Chip on Film）としているが、駆動部１０３及び信号処理部１０４の少なくとも一方が制御基板１１０に形成されていてもよい。
　また、制御基板１１０は、電源線１１４により、制御基板１１０に形成された画像メモリ３８０や制御部３８２等に電源を供給する電源部１０８と接続されている。
　図１１に示した放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層１４側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層１４の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層１４全体を覆うこと好ましい。
　また、図１１に示した放射線画像撮影装置１の筐体１２０内には、放射線が入射される側（撮影面１２０Ａ側）に保護層１１７がさらに設けられている。保護層１１７としては、絶縁性のシート（フィルム）に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット（登録商標）のシート、パリレン（登録商標）膜、及びポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が適用できる。保護層１１７は、画素アレイ３１に対する防湿機能及び帯電防止機能を有している。そのため、保護層１１７は、少なくとも画素アレイ３１の放射線が入射される側の面全体を覆うことが好ましく、放射線が入射される側のＴＦＴ基板１２の面全体を覆うことが好ましい。
　なお、図１１では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素アレイ３１の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図１１に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素アレイ３１の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　また、図１２には、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１に第１例示的実施形態の放射線検出器１０を適用した状態の他の例の断面図を示す。
　図１２に示すように、筐体１２０内には、電源部１０８及び制御基板１１０が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられており、放射線検出器１０と電源部１０８及び制御基板１１０とは放射線の入射方向に並んで設けられている。
　また、図１２に示した放射線画像撮影装置１では、制御基板１１０及び電源部１０８とシート１１６との間に、放射線検出器１０及び制御基板１１０を支持する基台１１８が設けられている。基台１１８には、例えば、カーボン等が用いられる。
　その他、上記各例示的実施形態で説明した放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
［その他の例示的実施形態］
　まず、図１３～図３４を参照して補強基板４０の他の例示的実施形態について説明する。
　なお、変換層１４を気相堆積法を用いて形成した場合、図１３～図３４に示すように、変換層１４は、その外縁に向けて厚さが徐々に薄くなる傾斜を有して形成される。以下において、製造誤差及び測定誤差を無視した場合の厚さが略一定とみなせる、変換層１４の中央領域を中央部１４Ａという。また、変換層１４の中央部１４Ａの平均厚さに対して例えば９０％以下の厚さを有する、変換層１４の外周領域を周縁部１４Ｂという。すなわち、変換層１４は、周縁部１４ＢにおいてＴＦＴ基板１２に対して傾斜した傾斜面を有する。
　図１３～図３４に示すように、変換層１４と補強基板４０との間には、粘着層６０、反射層６２、接着層６４、保護層２２、及び粘着層４８が設けられていてもよい。
　粘着層６０は、変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂを含む変換層１４の表面全体を覆っている。粘着層６０は、反射層６２を変換層１４上に固定する機能を有する。粘着層６０は、光透過性を有していることが好ましい。粘着層６０の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。粘着層６０の厚さは、２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。粘着層６０の厚さを２μｍ以上とすることで、反射層６２を変換層１４上に固定する効果を十分に発揮することができる。更に、変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されるリスクを抑制することができる。変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されると、変換層１４から発せられた光が、空気層と変換層１４との間、及び空気層と反射層６２との間で反射を繰り返す多重反射を生じるおそれがある。また、粘着層６０の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の低下を抑制することが可能となる。
　反射層６２は、粘着層６０の表面全体を覆っている。反射層６２は、変換層１４で変換された光を反射する機能を有する。反射層６２は有機系材料によって構成されていることが好ましい。反射層６２の材料として、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。反射層６２の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。
　接着層６４は反射層６２の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、ＴＦＴ基板１２の表面にまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部においてＴＦＴ基板１２に接着している。接着層６４は、反射層６２及び保護層２２を変換層１４に固定する機能を有する。接着層６４の材料として、粘着層６０の材料と同じ材料を用いることが可能であるが、接着層６４が有する接着力は、粘着層６０が有する接着力よりも大きいことが好ましい。
　保護層２２は、接着層６４の表面全体を覆っている。すなわち、保護層２２は、変換層１４の全体を覆うとともに、その端部がＴＦＴ基板１２の一部を覆う状態に設けられている。保護層２２は、変換層１４への水分の浸入を防止する防湿膜として機能する。保護層２２の材料として、例えば、ＰＥＴ、ＰＰＳ、ＯＰＰ、ＰＥＮ、ＰＩ等の有機材料を含む有機膜を用いることができる。また、保護層２２として、アルペット（登録商標）のシートを用いてもよい。
　補強基板４０は、保護層２２の表面に粘着層４８を介して設けられている。粘着層４８の材料として、例えば、粘着層６０及び粘着層４８の材料と同じ材料を用いることが可能である。
　図１３に示す例では、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂに対応する領域に延在しており、補強基板４０の外周部は、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられている。補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域及び周縁部１４Ｂに対応する領域の双方において、粘着層４８を介して保護層２２に接着されている。図１３に示す例では、補強基板４０の端部は、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域に配置されている。
　図１４に示すように、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域にのみ設けられていてもよい。この場合、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において粘着層４８を介して保護層２２に接着される。
　図１５に示すように、補強基板４０が変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂに対応する領域に延在している場合において、補強基板４０は、変換層１４の外周部における傾斜に沿った折り曲げ部を有していなくてもよい。この場合、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層２２に接着される。変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成される。
　ここで、ＴＦＴ基板１２の外周部の続領域に設けられる端子１１３には、フレキシブルケーブル１１２が接続される。ＴＦＴ基板１２は、フレキシブルケーブル１１２を介して制御基板（制御基板１１０、図４７等参照）に接続される。ＴＦＴ基板１２に撓みが生じた場合、フレキシブルケーブル１１２がＴＦＴ基板１２から剥離したり、位置ズレを生じたりするおそれがある。この場合、フレキシブルケーブル１１２とＴＦＴ基板１２との接続をやり直す作業が必要となる。このフレキシブルケーブル１１２とＴＦＴ基板１２との接続をやり直す作業をリワークと呼ぶ。図１３～図１５に示すように、補強基板４０の端部を変換層１４の端部よりも内側に配置することで、補強基板４０が、接続領域の近傍にまで延在している場合と比較して、容易にリワークを行うことができる。
　図１６～図１９に示すように、補強基板４０は、その端部が、変換層１４の端部よりも外側に配置され、且つＴＦＴ基板１２上にまで延在する接着層６４及び保護層２２の端部に揃うように設けられていてもよい。なお、補強基板４０の端部の位置と、接着層６４及び保護層２２の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　図１６に示す例では、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層２２に接着されており、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域及びさらに、その外側の領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図１７に示す例では、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が設けられている。充填材７０の材料は特に限定されず、例えば、樹脂を用いることが可能である。なお、図１７に示す例では、補強基板４０を充填材７０に固定するために、粘着層４８が補強基板４０と充填材７０との間の全域に設けられている。
　充填材７０を形成する方法は特に限定されない。例えば、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層２２で覆われた変換層１４上に、粘着層４８及び補強基板４０を順次形成した後、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間に形成された空間に、流動性を有する充填材７０を注入し、充填材７０を硬化させてもよい。また、例えば、ＴＦＴ基板１２上に変換層１４、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層２２を順次形成した後、充填材７０を形成し、粘着層６０、反射層６２、接着層６４及び保護層２２で覆われた変換層１４及び充填材７０を覆う状態に、粘着層４８及び補強基板４０を順次形成してもよい。
　このように、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間に形成された空間に、充填材７０を充填することで、図１６に示す形態と比較して、補強基板４０の変換層１４（保護層２２）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、補強基板４０及び充填材７０の双方によりＴＦＴ基板１２に固定される構造となるため、変換層１４のＴＦＴ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。
　図１８に示す例では、補強基板４０の外周部は、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層２２がＴＦＴ基板１２上を覆う部分をも覆っている。また、補強基板４０の端部は、接着層６４及び保護層２２の端部に揃っている。なお、補強基板４０の端部の位置と、接着層６４及び保護層２２の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　補強基板４０、粘着層４８、保護層２２、及び接着層６４の端部は、封止部材７２によって封止されている。封止部材７２は、ＴＦＴ基板１２の表面から補強基板４０の表面に亘る領域であり、且つ画素領域３５を覆わない領域に設けられていることが好ましい。封止部材７２の材料として、樹脂を用いることができ、特に熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、アクリル糊、及びウレタン系の糊等を封止部材７２として用いることができる。補強基板４０は、保護層２２と比較して剛性が高く、補強基板４０の折り曲げ部において、折り曲げを解消しようとする復元力が作用し、これによって保護層２２が剥離するおそれがある。補強基板４０、粘着層４８、保護層２２及び接着層６４の端部を封止部材７２によって封止することで、保護層２２の剥離を抑制することが可能となる。
　図１９に示す例では、図１７に示す形態と同様、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が設けられている。また、変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０の表面にさらに別の補強基板４０Ａが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強基板４０Ａは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強基板４０Ａは、補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０及び５０Ａによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　図１６～図１９に示すように、補強基板４０の端部が変換層１４の端部よりも外側に配置され且つ接着層６４及び保護層２２の端部に揃う状態に設けられる場合においても、補強基板４０が、接続領域の近傍にまで延在している場合と比較して、容易にリワークを行うことができる。
　また、図２０～図２３に示すように、補強基板４０は、その端部が、ＴＦＴ基板１２上にまで延在する接着層６４及び保護層２２の端部よりも外側であり、且つＴＦＴ基板１２の端部よりも内側に位置する状態に設けられていてもよい。
　図２０に示す例では、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層２２に接着されており、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図２１に示す例では、補強基板４０の端部がスペーサ４６によって支持されている。すなわち、スペーサ４６の一端はＴＦＴ基板１２の第１の面１２Ａに接続され、スペーサ４６の他端は接着層４７を介して補強基板４０の端部に接続されている。ＴＦＴ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する補強基板４０の端部をスペーサ４６によって支持することで、補強基板４０の剥離を抑制することが可能となる。また、ＴＦＴ基板１２の端部近傍にまで補強基板４０による撓み抑制効果を作用させることができる。なお、スペーサ４６を設けることに代えて、若しくはスペーサ４６を設けることに加えて、図１７に示す例に倣って、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材を充填してもよい。
　図２２に示す例では、補強基板４０の外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層２２がＴＦＴ基板１２上を覆う部分、及びその外側のＴＦＴ基板１２上をも覆っている。すなわち、接着層６４及び保護層２２の端部が、補強基板４０によって封止されている。補強基板４０のＴＦＴ基板１２上に延在する部分は、粘着層４８を介してＴＦＴ基板１２に接着されている。このように、接着層６４及び保護層２２の端部を補強基板４０によって覆うことで、保護層２２の剥離を抑制することが可能である。なお、図１８に記載の例に倣って、封止部材７２を用いて、補強基板４０の端部を封止してもよい。
　図２３に示す例では、補強基板４０の端部がスペーサ４６によって支持されている形態において、補強基板４０の表面の、変換層１４の端部に対応する領域に、さらに別の補強基板４０Ａが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強基板４０Ａは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強基板４０Ａは、補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０及び４０Ａによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。なお、スペーサ４６を設けることに代えて、図１７に示す例に倣って、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０を充填してもよい。
　図２４～図２８に示すように、補強基板４０は、その端部が、ＴＦＴ基板１２の端部に揃うように設けられていてもよい。なお、補強基板４０の端部の位置とＴＦＴ基板１２の端部の位置とが完全に一致していることを要しない。
　図２４に示す例では、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層２２に接着されており、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図２５に示す例では、補強基板４０の端部がスペーサ４６によって支持されている。すなわち、スペーサ４６の一端は、ＴＦＴ基板１２の端部に設けられるフレキシブルケーブル１１２に接続され、スペーサ４６の他端は接着層４７を介して補強基板４０の端部に接続されている。ＴＦＴ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する補強基板４０の端部を、スペーサ４６によって支持することで、補強基板４０の剥離を抑制することが可能となる。また、ＴＦＴ基板１２の端部近傍にまで補強基板４０による撓み抑制効果を作用させることができる。
　図２６に示す例では、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。本例示的実施形態において、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われている。このように、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されることで、図２４に示す形態と比較して、補強基板４０の変換層１４（保護層２２）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、補強基板４０及び充填材７０の双方によりＴＦＴ基板１２に固定される構造となるため、変換層１４のＴＦＴ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。
　図２７に示す例では、補強基板４０の外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層２２がＴＦＴ基板１２上を覆う部分、その外側の基板上、及び端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接続部をも覆っている。補強基板４０のＴＦＴ基板１２上及びフレキシブルケーブル１１２上に延在する部分は、それぞれ、粘着層４８を介してＴＦＴ基板１２及びフレキシブルケーブル１１２に接着されている。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が撓み補強基板４０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２の他端には、電子部品を搭載した制御基板が接続されることが想定されることから、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部において、ＴＦＴ基板１２に比較的大きな撓みが生じるおそれがある。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が、補強基板４０によって覆われることで、当該部分におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図２８に示す例では、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。また、変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０の表面にさらに別の撓み補強基板４０Ａが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強基板４０Ａは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強基板４０Ａは、補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０及び４０Ａによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　また、図２９～図３３に示すように、補強基板４０は、その端部が、ＴＦＴ基板１２の端部よりも外側に位置するように設けられていてもよい。
　図２９に示す例では、補強基板４０は、変換層１４の中央部１４Ａに対応する領域において、粘着層４８を介して保護層２２に接着されており、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間には、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に応じた空間が形成されている。
　図３０に示す例では、補強基板４０の端部がスペーサ４６によって支持されている。すなわち、スペーサ４６の一端は、ＴＦＴ基板１２の端部に設けられるフレキシブルケーブル１１２に接続され、スペーサ４６の他端は接着層４７を介して補強基板４０の端部に接続されている。ＴＦＴ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する補強基板４０の端部を、スペーサ４６によって支持することで、補強基板４０の剥離を抑制することが可能となる。また、ＴＦＴ基板１２の端部近傍にまで補強基板４０による撓み抑制効果を作用させることができる。
　図３１に示す例では、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。本例示的実施形態において、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われている。このように、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されることで、図２９に示す形態と比較して、補強基板４０の変換層１４（保護層２２）からの剥離を抑制することができる。さらに、変換層１４は、補強基板４０及び充填材７０の双方によりＴＦＴ基板１２に固定される構造となるため、変換層１４のＴＦＴ基板１２からの剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が充填材７０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。
　図３２に示す例では、補強基板４０の外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層２２がＴＦＴ基板１２上を覆う部分、その外側の基板上、及び端子１１３とフレキシブルケーブル１１２との接続部をも覆っている。補強基板４０のＴＦＴ基板１２上及びフレキシブルケーブル１１２上に延在する部分は、それぞれ、粘着層４８を介してＴＦＴ基板１２及びフレキシブルケーブル１１２に接着されている。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が補強基板４０によって覆われることで、フレキシブルケーブル１１２の剥離を抑制することが可能となる。また、フレキシブルケーブル１１２の他端には、電子部品を搭載した制御基板が接続されることが想定されることから、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部補愛において、ＴＦＴ基板１２に比較的大きな撓みが生じるおそれがある。フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が、補強基板４０によって覆われることで、当該部分におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　図３３に示す例では、変換層１４（保護層２２）と補強基板４０との間、及びＴＦＴ基板１２と補強基板４０との間に形成された空間に充填材７０が充填されている。また、変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０の表面にさらに別の補強基板４０Ａが、粘着層４８Ａを介して積層されている。より具体的には、補強基板４０Ａは、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。補強基板４０Ａは、補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０では、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層１４の端部に対応する領域において、補強基板４０及び４０Ａによる積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　上述したように、放射線検出器１０の製造工程においては、ガラス基板等の支持体４００に、可撓性を有するＴＦＴ基板１２を貼り付け、ＴＦＴ基板１２上に変換層１４を積層した後、支持体４００をＴＦＴ基板１２から剥離する。このとき、可撓性を有するＴＦＴ基板１２に撓みが生じ、これによってＴＦＴ基板１２上に形成された画素３０が損傷するおそれがある。支持体４００をＴＦＴ基板１２から剥離する前に、図１３～図３３に例示したような形態で変換層１４上に補強基板４０を積層しておくことで、支持体４００をＴＦＴ基板１２から剥離する際に生じるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制することができ、画素３０の損傷のリスクを低減することが可能となる。
　また、補強基板４０は、単一の層（単層）に限らず、多層で構成されていてもよい。例えば、図３４に示す例では、放射線検出器１０は、補強基板４０、変換層１４に近い方から順に、第１補強基板４０Ｂ、第２補強基板４０Ｃ、及び第３補強基板４０Ｄが積層された３層の多層膜とした形態を示している。
　補強基板４０を多層とした場合、補強基板４０に含まれる各層は、異なる機能を有していることが好ましい。例えば、図３４に示した一例では、第１補強基板４０Ｂ及び第３補強基板４０Ｄを非導電性の帯電防止機能を有する層とし、第２補強基板４０Ｃを導電性の層とすることで、補強基板４０に電磁シールド機能をもたせてもよい。この場合の第１補強基板４０Ｂ及び第３補強基板４０Ｄとしては、例えば、帯電防止塗料「コルコート」（商品名：コルコート社製）を用いた膜等の帯電防止膜が挙げられる。 また、第２補強基板４０Ｃとしては、例えば、導電性シートや、Ｃｕ等の導電性のメッシュシート等が挙げられる。
　例えば、放射線検出器１０の読取方式がＩＳＳ方式の場合、変換層１４側に制御基板１１０や電源部１０８等が設けられる場合（図５２参照）があるが、このように補強基板４０が帯電防止機能を有する場合、制御基板１１０や電源部１０８からの電磁ノイズを遮蔽することができる。
　また、図３５は、補強基板４０の構造の一例を示す平面図である。補強基板４０は、その主面に複数の貫通孔４０Ｈを有していてもよい。貫通孔４０Ｈの大きさ及びピッチは、補強基板４０において所望の剛性が得られるように定められる。
　補強基板４０が複数の貫通孔４０Ｈを有することで、補強基板４０と変換層１４との接合面に導入される空気を貫通孔４０Ｈから排出させることが可能となる。これにより、補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。
　補強基板４０と変換層１４との接合面に導入される空気を排出させる手段が存在しない場合には、上記接合面に気泡が発生するおそれがある。例えば、放射線画像撮影装置１の稼働時における熱により、上記接合面に生じた気泡が膨張すると、補強基板４０と変換層１４との密着性が低下する。これにより補強基板４０による撓み抑制効果が十分に発揮されないおそれがある。図３５に示すように、複数の貫通孔４０Ｈを有する補強基板４０を用いることで、上記のように、補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することができるので、補強基板４０と変換層１４との密着性を維持することが可能となり、補強基板４０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　図３６は、補強基板４０の構造の他の例を示す斜視図である。図３６に示す例では、補強基板４０は、変換層１４との接合面に凹凸構造を有する。この凹凸構造は、図３６に示すように、互いに平行に配置された複数の溝６３を含んで構成されていてもよい。補強基板４０は、例えば、図３７に示すように、複数の溝６３による凹凸構造を有する面が、反射層６２で覆われた変換層１４に接合される。このように、補強基板４０が変換層１４との接合面に凹凸構造を有することで、補強基板４０と変換層１４との接合部に導入される空気を溝６３から排出させることが可能となる。これにより、図３５に示す形態と同様、補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。これにより、補強基板４０と変換層１４との密着性を維持することが可能となり、補強基板４０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　図３８及び図３９は、それぞれ、補強基板４０の構造の他の例を示す平面図である。図３８及び図３９に示すように、補強基板４０は、複数の断片４９に分断されていてもよい。補強基板４０は、図３８に示すように、複数の断片４９（図４９５～４９１１）、一方向に配列するように分断されていてもよい。また、補強基板４０は、図３９に示すように、複数の断片４９（図４９１～４９４）が、縦方向及び横方向に配列するように分断されていてもよい。
　補強基板４０の面積が大きくなる程、補強基板４０と変換層１４との接合面に気泡が発生しやすくなる。図３８及び図３９に示すように、補強基板４０を複数の断片４９に分断することで、補強基板４０と変換層１４との接合面における気泡の発生を抑制することが可能となる。これにより、補強基板４０と変換層１４との密着性を維持することが可能となり、補強基板４０による撓み抑制効果を維持することが可能となる。
　また、補強部材４１のＴＦＴ基板１２（第２の面１２Ｂ）と接する側とは反対の側に、補強部材５１を設けてもよい。図４０～図４４は、それぞれ、補強部材５１の設置形態の例を示す断面図である。
　図４０～図４４に示す例では、補強部材４１のＴＦＴ基板１２側の面とは反対側の面には、補強部材５１が、接着層５２を介して積層されている。補強部材５１は、補強基板４０と同一の材料で構成されていてもよい。放射線検出器１０をＩＳＳ方式として用いる場合、補強部材５１と画素領域３５とが重なる部分の面積を極力小さくするために、補強部材５１は、ＴＦＴ基板１２の外周部にのみ設けられていることが好ましい。すなわち、補強部材５１は、図４０～図４４に示すように、画素領域３５に対応する部分に開口６１を有する環状であってもよい。このように、ＴＦＴ基板１２の外周部に、補強部材４１及び補強部材５１による積層構造を形成することで、比較的撓みが生じやすいＴＦＴ基板１２の外周部の剛性を補強することができる。
　図４０～図４２に示す例では、補強部材５１は、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ領域に設けられている。放射線検出器１０では、変換層１４の端部において、ＴＦＴ基板１２の撓み量が比較的大きい。変換層１４の端部に対応する領域において、補強部材４１及び補強部材５１による積層構造を形成することで、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果を促進させることが可能となる。
　放射線検出器１０をＩＳＳ方式として用いる場合において、図４０に示すように、補強部材５１の一部が画素領域３５と重なる場合には、補強部材５１の材質によっては、画像に影響を与えるおそれがある。従って、補強部材５１の一部が画素領域３５と重なる場合には、補強部材５１の材料としてプラスチックを用いることが好ましい。
　図４１及び図４２に示すように、補強部材５１が、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぎ、且つ画素領域３５と重ならない形態（すなわち、補強部材５１の開口６１の端部が、画素領域３５の外側に配置されている形態）が最も好ましい。図４１に示す例では、補強部材５１の開口６１の端部の位置と、画素領域３５の端部の位置とが略一致している。図４２に示す例では、補強部材５１の開口６１の端部が、画素領域３５の端部と変換層１４の端部との間に配置されている。
　また、補強部材５１の開口６１の端部の位置が、図４３に示すように、変換層１４の端部の位置と略一致していてもよく、また、図４４に示すように、変換層１４の端部よりも外側に配置されていてもよい。この場合、補強部材５１が、変換層１４の端部（外縁、エッジ）を跨ぐ構造となっていないため、変換層１４の端部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果は低下するおそれがある。しかしながら、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部が存在するＴＦＴ基板１２の外周部において、補強部材４１及び補強部材５１による積層構造が形成されることで、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続部におけるＴＦＴ基板１２の撓みを抑制する効果は維持される。
　また、上記各例示的実施形態の放射線検出器１０では、ＴＦＴ基板１２（基材１１）と補強部材４１との大きさが同一である形態について説明したが、ＴＦＴ基板１２と補強部材４１とは大きさが異なっていてもよい。
　例えば、放射線検出器１０を放射線画像撮影装置１に適用する場合、放射線検出器１０を収納する筐体１２０（図１１等参照）等に放射線検出器１０を固定して用いられることがある。このような場合、例えば、図４５Ａに示した一例のように、補強部材４１をＴＦＴ基板１２よりも大きくして、フラップ等を設けて、フラップ等の部分を用いて放射線検出器１０の固定を行ってもよい。例えば、補強部材４１のフラップ部分に穴を設け、穴を貫通するネジを用いて筐体１２０（図１１等参照）と固定する形態としてもよい。
　なお、補強部材４１をＴＦＴ基板１２よりも大きくする形態は、図４５Ａに示した形態に限定されない。補強部材４１を積層された複数の層で構成し、一部の層について、ＴＦＴ基板１２よりも大きくする形態としてもよい。例えば、図４５Ｂに示すように、補強部材４１をＴＦＴ基板１２（基材１１）と同程度の大きさを有する第１層４１Ａ、及びＴＦＴ基板１２よりも大きな第２層４１Ｂの２層構造としてもよい。第１層４１Ａと、第２層４１Ｂとは両面テープや粘着層等（図示省略）により貼り合わせられる。第１層４１Ａとしては、例えば、上述の補強部材４１と同様の材質で形成され、補強部材４１と同様の性質を有することが好ましい。また、第２層４１Ｂは、基材１１の第２の面１２Ｂに両面テープや粘着層等（図示省略）により貼り合わせられる。第２層４１Ｂとしては、例えば、アルペット（登録商標）が適用できる。また、補強部材４１を複数の層で構成する場合、図４５Ｂに示す形態とは逆に、図４５Ｃに示すように、第１層４１Ａを基材１１の第２の面１２Ｂに貼り合わせる形態としてもよい。
　上述したように、補強部材４１に設けたフラップ等を用いて放射線検出器１０を筐体１２０（図７等参照）等に固定する場合、フラップ部分を曲げた状態で固定を行う場合がある。厚みが薄くなるほど、補強部材４１のフラップ部分が曲げ易くなり、放射線検出器１０本体に影響を与えず、フラップ部分のみを曲げることができる。そのため、フラップ部分等を屈曲させる場合、図４５Ｂ及び図４５Ｃに示した一例のように、補強部材４１を積層された複数の層で構成し、一部の層についてＴＦＴ基板１２よりも大きくする形態とすることが好ましい。
　また、図４６に示した例のように、上記図４５Ａ～図４５Ｃの放射線検出器１０とは逆に、補強部材４１をＴＦＴ基板１２よりも小さくしてもよい。ＴＦＴ基板１２の端部が、補強部材４１の端部よりも外部に位置していることにより、例えば、放射線検出器１０を筐体１２０（図７等参照）に収納する等、組み立てを行う場合に、ＴＦＴ基板１２の端部の位置が確認し易くなるため、位置決めの精度を向上させることができる。なお、図４６に示した形態に限定されず、ＴＦＴ基板１２（基材１１）の端部の少なくとも一部が、補強部材４１よりも外部に位置していれば、同様の効果が得られるため好ましい。
　さらに、筐体１２０内に放射線検出器１０を収容した、放射線画像撮影装置１の例について図４７～図５３を参照して説明する。図４７～図５３は、それぞれ、放射線画像撮影装置１の他の構成例を示す図である。
　図４７に示す例では、上記図１１に示した放射線画像撮影装置１と同様に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。また、図４８に示す例では、ＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。図４７及び図４８に示す例では、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８が図中横方向に並置されている構成が例示されている。
　なお、図４７及び図４８では、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域３５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図４７及び図４８に示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素領域３５の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　また、図４７及び図４８に示す例のように、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８を、ＴＦＴ基板１２及び変換層１４が積層された方向と交差する方向に並べて配置する場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の厚みが異なっていてもよい。
　図４８に示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々の方が、放射線検出器１０よりも厚みを有している場合が多い。このような場合、図４９に示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みよりも、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みの方が薄くてもよい。なお、このように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、厚みを異ならせる場合、両部分の境界部に段差が生じていると境界部１２０Ｂに接触した被検者に違和感等を与える懸念があるため、境界部１２０Ｂの形態は傾斜を有する状態とすることが好ましい。
　これにより、放射線検出器１０の厚さに応じた極薄型の可搬型電子カセッテを構成することが可能となる。
　また例えば、この場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の材質が異なっていてもよい。さらに、例えば、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とが、別体として構成されていてもよい。
　また、上述したように、筐体１２０は、放射線Ｒ、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましいが、図５０に示す例のように、筐体１２０の撮影面１２０Ａに対応する部分１２０Ｃについて、放射線Ｒの吸収率が低く、且つ高剛性であり、弾性率が十分に高い材料で構成し、その他の部分については、部分１２０Ｃと異なる材料、例えば、部分１２０Ｃよりも弾性率が低い材料で構成してもよい。
　また、図５１に示す例のように、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していてもよい。この場合、放射線検出器１０と筐体１２０のない壁面とは、接着層を介して接着されていてもよいし、接着層を介さずに単に接触しているだけでもよい。このように、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していることにより、放射線検出器１０の剛性がより確保される。
　また、図５２に示す例では、上記図１２に示した放射線画像撮影装置１と同様に、ＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。また、図５３に示す例では、ＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の一例を示す。図５２及び図５３に示す例では、シート１１６及び基台１１８を挟んで、ＴＦＴ基板１２と、制御基板１１０及び電源部１０８とが設けられている。この構成によれば、放射線検出器１０、制御基板１１０及び電源部１０８が図中横方向に並置される場合（図４７～図５１参照）と比較して、放射線画像撮影装置１の平面視におけるサイズを小さくすることができる。
　日本出願２０１８－０５１６９０、２０１８－２１９６９６、２０１９－０２２１４８、２０１８－１８２７３０、２０１９－０２２１４９の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (14)

  1. 　可撓性の基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された基板と、
    　前記基材の前記画素領域が設けられた面に設けられ、前記放射線を光に変換する変換層と、
    　前記変換層における前記基板側の面と対向する側の面に設けられ、降伏点を有する材料を含み、前記基材よりも剛性が高い補強基板と、
    　を備えた放射線検出器。
  2. 　前記補強基板は、前記変換層が設けられた領域よりも広い領域に設けられている、
    　請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 　前記基板は、前記複数の画素が形成された面の外周の領域に、前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出す回路部に接続された可撓性の配線の他端が接続される接続領域を有し、
    　前記補強基板は、前記接続領域の少なくとも一部及び前記変換層を覆う領域に設けられている、
    　請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 　前記基板の、前記複数の画素が形成された面と対向する面に、前記基材よりも剛性が高い補強部材をさらに備えた、
    　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  5. 　前記基板と、前記変換層との間に設けられた緩衝層をさらに備えた、
    　請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  6. 　前記補強基板は、曲げ弾性率が１０００ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下である、
    　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  7. 　前記降伏点を有する材料は、ポリカーボネート、及びポリエチレンテレフタレートの少なくとも一つである、
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  8. 　前記変換層の熱膨張率に対する前記補強基板の熱膨張率の比が０．５以上、２以下である、
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  9. 　前記補強基板は、熱膨張率が３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／以下である、
    　請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  10. 　前記変換層は、ＣｓＩの柱状結晶を含む、
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  11. 　前記複数の画素は、前記画素領域に、直接形成法により形成される、
    　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  12. 　請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
    　前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
    　前記放射線検出器に可撓性の配線により電気的に接続され、前記制御信号に応じて前記複数の画素から電荷を読み出す回路部と、
    　を備えた放射線画像撮影装置。
  13. 　放射線検出器に応じた大きさの補強基板に、粘着層を塗布する工程と、
    　支持体に、剥離層を介して可撓性の基材を設け、前記基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、
    　前記基材の前記画素領域が設けられた面に、前記放射線を光に変換する変換層を形成する工程と、
    　前記変換層の、前記基板側の面と対向する側の面と反対側の面に、降伏点を有する材料を含み、前記基材よりも剛性が高い補強基板を貼り合わせる工程と、
    　前記変換層及び前記補強基板が設けられた前記基板を、前記支持体から剥離する工程と、
    　を備えた放射線検出器の製造方法。
  14. 　前記補強基板を貼り合わせる工程の前に、前記基板に前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出す回路部に接続された可撓性の配線の一端を接続する工程をさらに含む、
    　請求項１３に記載の放射線検出器の製造方法。
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