WO2021132396A1 - 放射線画像撮影装置の製造方法 - Google Patents

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WO2021132396A1
WO2021132396A1 PCT/JP2020/048289 JP2020048289W WO2021132396A1 WO 2021132396 A1 WO2021132396 A1 WO 2021132396A1 JP 2020048289 W JP2020048289 W JP 2020048289W WO 2021132396 A1 WO2021132396 A1 WO 2021132396A1
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WO
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fixing plate
conversion layer
substrate
base material
flexible cable
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PCT/JP2020/048289
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English (en)
French (fr)
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中津川　晴康
信一 牛倉
宗貴 加藤
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富士フイルム株式会社
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    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a radiographic imaging apparatus.
  • a radiographic imaging device that performs radiographic imaging for the purpose of medical diagnosis.
  • a radiation image capturing apparatus a radiation detector for detecting radiation transmitted through a subject and generating a radiation image is used.
  • the radiation detector includes a conversion layer such as a scintillator that converts radiation into light, and a substrate provided with a plurality of pixels that accumulate charges generated in response to the light converted by the conversion layer. is there.
  • a base material for a sensor substrate of such a radiation detector a base material using a flexible base material is known (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-155699). By using a flexible base material, the radiation imaging apparatus can be made lighter, and the subject may be easily photographed.
  • the substrate using the flexible base material may be bent.
  • the flexible cable may cause a problem in the board or the like.
  • the present disclosure provides a method for manufacturing a radiographic imaging apparatus capable of suppressing a defect caused by a flexible cable connected to a substrate when the substrate is bent during manufacturing.
  • a flexible base material is provided on a support, and a charge generated in response to light converted from radiation is applied to a pixel region of the base material.
  • a step of connecting the flexible cable to the substrate, a step of providing a fixing plate on the surface of the conversion layer opposite to the surface of the substrate side, a step of fixing the flexible cable to the fixing plate, and a conversion layer and a fixing plate are provided. It is provided with a step of peeling the substrate from the support.
  • a flexible base material is provided on a support, and a charge generated in response to light converted from radiation is applied to a pixel region of the base material.
  • a step of peeling the substrate provided with the plate from the support is provided.
  • a flexible cable is provided with a conversion layer of a fixing plate. Fix it on the surface opposite to the surface.
  • a flexible cable is provided with a conversion layer of a fixing plate. Fix it on the surface.
  • the substrate is peeled off from the support.
  • a step of electrically connecting the circuit section and the flexible cable and a step of fixing the circuit section on the surface of the fixing plate opposite to the surface provided with the conversion layer are further provided before the step of performing the process.
  • the conversion layer is made of a base material.
  • a conversion layer is provided on the surface of the base material on which the pixels are provided by closely contacting the surface on which the pixels are provided by a vacuum sealing method.
  • the substrate is peeled off from the support in the method for producing the radiographic imaging apparatus according to any one of the first to sixth aspects. Later, a step of providing a reinforcing substrate having a rigidity higher than that of the substrate is further provided on the surface of the substrate opposite to the surface on which the conversion layer is provided.
  • the method for manufacturing the radiation imaging apparatus according to the eighth aspect of the present disclosure is the method for manufacturing the radiation imaging apparatus according to the seventh aspect, wherein the substrate, the conversion layer, and the fixing are fixed to the housing having the reinforcing substrate as the top plate.
  • the process of accommodating the board and the circuit unit is further provided.
  • the method for manufacturing the radiation imaging device according to the ninth aspect of the present disclosure is the method for manufacturing the radiation imaging device according to any one of the first to seventh aspects, from the side irradiated with radiation.
  • a step of accommodating the substrate, the substrate, the conversion layer, the fixing plate, and the circuit unit in the housing in this order is further provided.
  • the method for manufacturing the radiographic imaging apparatus according to the tenth aspect of the present disclosure is the main component of the material of the fixing plate in the method for producing the radiographic imaging apparatus according to any one of the first to ninth aspects. Is carbon.
  • the substrate when the substrate is bent during manufacturing, it is possible to suppress a defect caused by the flexible cable connected to the substrate.
  • FIG. 5 is a plan view of an example of the radiation detector of the embodiment as viewed from the first surface side of the base material. It is a top view of an example of the radiation detector of an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the first embodiment shown in FIG. 2A. It is sectional drawing of an example of the radiation imaging apparatus of 1st Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 1st Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 1st Embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the third embodiment. It is sectional drawing of an example of the radiation imaging apparatus of 3rd Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 3rd Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 3rd Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 3rd Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 3rd Embodiment. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the radiation imaging apparatus of 3rd Embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the first modification.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the second modification.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of Modification 3.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 4.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 5.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 5.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 6.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 6.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 7.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 7.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 7.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 7.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 7.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 7.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 8.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 9.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 10.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector of the modified example 11. It is sectional drawing of the radiation image taking apparatus of the modification 12. It is sectional drawing of the radiation image taking apparatus of the modification 12. It is sectional drawing of the radiation image taking apparatus of the modification 13. It is sectional drawing of the radiation image taking apparatus of the modification 13.
  • the radiation detector of the present embodiment has a function of detecting radiation transmitted through a subject and outputting image information representing a radiation image of the subject.
  • the radiation detector of the present embodiment includes a sensor substrate and a conversion layer that converts radiation into light (see FIG. 2B, the sensor substrate 12 and the conversion layer 14 of the radiation detector 10).
  • the sensor substrate 12 of the present embodiment is an example of the substrate of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of a configuration of a main part of an electric system in the radiation imaging apparatus of the present embodiment.
  • the radiation imaging device 1 of the present embodiment includes a radiation detector 10, a control unit 100, a drive unit 102, a signal processing unit 104, an image memory 106, and a power supply unit 108.
  • the radiation detector 10 includes a sensor substrate 12 and a conversion layer (see FIG. 2B) that converts radiation into light.
  • the sensor substrate 12 includes a flexible base material 11 and a plurality of pixels 30 provided on the first surface 11A of the base material 11.
  • the plurality of pixels 30 may be simply referred to as “pixel 30”.
  • the first surface 11A in the present embodiment is an example of the surface provided with the pixels of the base material in the present disclosure.
  • the second surface 11B opposite to the first surface 11A of the base material 11 in the present embodiment is an example of the surface opposite to the surface provided with the pixels of the base material in the present disclosure.
  • each pixel 30 of the present embodiment has a sensor unit 34 that generates and accumulates electric charges according to the light converted by the conversion layer, and a switching element 32 that reads out the electric charges accumulated by the sensor unit 34.
  • a thin film transistor TFT
  • the switching element 32 is referred to as "TFT32".
  • the sensor unit 34 and the TFT 32 are formed, and a layer in which the pixels 30 are formed on the first surface 11A of the base material 11 is provided as a flattened layer.
  • the pixel 30 corresponds to the pixel region 35 of the sensor substrate 12 in one direction (scanning wiring direction corresponding to the horizontal direction in FIG. 1, hereinafter also referred to as “row direction”) and an intersecting direction with respect to the row direction (corresponding to the vertical direction in FIG. 1). It is arranged in a two-dimensional manner along the signal wiring direction (hereinafter also referred to as "row direction").
  • row direction the arrangement of the pixels 30 is shown in a simplified manner. For example, 1024 pixels ⁇ 1024 pixels 30 are arranged in the row direction and the column direction.
  • the radiation detector 10 is provided with a plurality of scanning wires 38 for controlling the switching state (on and off) of the TFT 32, which are provided for each row of the pixel 30, and for each column of the pixel 30.
  • a plurality of signal wirings 36 from which the electric charge accumulated in the sensor unit 34 is read out are provided so as to intersect each other.
  • Each of the plurality of scanning wires 38 is connected to the drive unit 102 via the flexible cable 112A (see FIG. 2B) to drive the TFT 32 output from the drive unit 102 to control the switching state.
  • a drive signal flows through each of the plurality of scanning wires 38.
  • each of the plurality of signal wirings 36 is connected to the signal processing unit 104 via the flexible cable 112B (see FIG.
  • connection with respect to the flexible cable 112 means an electrical connection.
  • a control unit 100 which will be described later, is connected to the signal processing unit 104, and the image data output from the signal processing unit 104 is sequentially output to the control unit 100.
  • An image memory 106 is connected to the control unit 100, and image data sequentially output from the signal processing unit 104 is sequentially stored in the image memory 106 under the control of the control unit 100.
  • the image memory 106 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and each time a radiographic image is taken, the image data obtained by the taking is sequentially stored in the image memory 106.
  • the control unit 100 includes a CPU (Central Processing Unit) 100A, a memory 100B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), and a non-volatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • a CPU Central Processing Unit
  • a memory 100B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory)
  • a non-volatile storage unit 100C such as a flash memory.
  • An example of the control unit 100 is a microcomputer or the like.
  • the control unit 100 controls the overall operation of the radiographic imaging apparatus 1.
  • the image memory 106, the control unit 100, and the like are formed on the control board 110.
  • a common wiring 39 is provided in the wiring direction of the signal wiring 36 in order to apply a bias voltage to each pixel 30.
  • the power supply unit 108 supplies electric power to various elements and circuits such as the control unit 100, the drive unit 102, the signal processing unit 104, the image memory 106, and the power supply unit 108. Note that in FIG. 1, in order to avoid complications, the wiring connecting the power supply unit 108 with various elements and various circuits is omitted.
  • FIG. 2A is an example of a plan view of the radiation detector 10 of the present embodiment as viewed from the first surface 11A side of the base material 11.
  • FIG. 2B is an example of a plan view of the radiation detector 10 in the unfolded state of the flexible cable 112 folded in FIG. 2A as viewed from the first surface 11A side of the base material 11.
  • FIG. 3 is an example of a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 in FIG.
  • the base material 11 is a resin sheet that is flexible and contains, for example, a plastic such as PI (PolyImide: polyimide).
  • the thickness of the base material 11 is such that desired flexibility can be obtained depending on the hardness of the material and the size of the sensor substrate 12, that is, the area of the first surface 11A or the second surface 11B. Good.
  • the gravity of the base material 11 is 2 mm at a position 10 cm away from the fixed side.
  • the base material 11 hangs down (becomes lower than the height of the fixed side).
  • a thickness of 5 ⁇ m to 125 ⁇ m may be used, and a thickness of 20 ⁇ m to 50 ⁇ m is more preferable.
  • the base material 11 has a property that can withstand the production of the pixel 30, and in the present embodiment, it has a property that can withstand the production of an amorphous silicon TFT (a-Si TFT).
  • a-Si TFT amorphous silicon TFT
  • the coefficient of thermal expansion (CTE) at 300 ° C. to 400 ° C. is about the same as that of an amorphous silicon (Si) wafer (for example, ⁇ 5 ppm / K).
  • the coefficient of thermal expansion of the base material 11 at 300 ° C. to 400 ° C. is preferably 20 ppm / K or less.
  • the heat shrinkage of the base material 11 is preferably 0.5% or less at 400 ° C. in a state where the thickness is 25 ⁇ m.
  • the elastic modulus of the base material 11 does not have a transition point possessed by a general PI in the temperature range between 300 ° C. and 400 ° C., and the elastic modulus at 500 ° C. is preferably 1 GPa or more.
  • the base material 11 of the present embodiment has a fine particle layer containing inorganic fine particles having an average particle diameter of 0.05 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less and absorbing backscattered rays in order to suppress backscattered rays by itself. It is preferable to have.
  • inorganic fine particles in the case of the resinous base material 11, it is preferable to use an inorganic material having an atomic number larger than the atoms constituting the organic material which is the base material 11 and 30 or less.
  • Specific examples of such fine particles include SiO 2 , which is an oxide of Si having an atomic number of 14, MgO, which is an oxide of Mg having an atomic number of 12, and Al 2, which is an oxide of Al having an atomic number of 13. Examples thereof include O 3 and TiO 2 , which is an oxide of Ti having an atomic number of 22.
  • Specific examples of the resin sheet having such characteristics include XENOMAX (registered trademark).
  • the above thickness in this embodiment was measured using a micrometer.
  • the coefficient of thermal expansion was measured according to JIS K7197: 1991. For the measurement, test pieces were cut out from the main surface of the base material 11 at different angles of 15 degrees, the coefficient of thermal expansion was measured for each of the cut out test pieces, and the highest value was taken as the coefficient of thermal expansion of the base material 11. ..
  • the coefficient of thermal expansion is measured at intervals of 10 ° C. from -50 ° C to 450 ° C in each of the MD (Machine Direction) direction and the TD (Transverse Direction) direction, and (ppm / ° C) is converted to (ppm / K). did.
  • the coefficient of thermal expansion was measured using a TMA4000S device manufactured by MAC Science, with a sample length of 10 mm, a sample width of 2 mm, an initial load of 34.5 g / mm2, a heating rate of 5 ° C./min, and an atmosphere of argon. And said.
  • the base material 11 having the desired flexibility is not limited to a resin sheet or the like.
  • the base material 11 may be a glass substrate or the like having a relatively thin thickness.
  • a size having a side of about 43 cm has flexibility if the thickness is 0.3 mm or less, so that the thickness is 0.3 mm or less. It may be a desired glass substrate as long as it is.
  • the plurality of pixels 30 are provided on the first surface 11A of the base material 11.
  • the region provided with the pixels 30 on the first surface 11A of the base material 11 is defined as the pixel region 35.
  • a conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11 by an adhesive layer 70.
  • the conversion layer 14 contains a phosphor and has a function of converting radiation into light.
  • a scintillator containing CsI (cesium iodide) as a phosphor is used as an example of the conversion layer 14.
  • Examples of such scintillators include CsI: Tl (cesium iodide added with tarium) and CsI: Na (cesium iodide added with sodium) having an emission spectrum of 400 nm to 700 nm when irradiated with X-rays. It is preferable to include it.
  • the emission peak wavelength of CsI: Tl in the visible light region is 565 nm.
  • the conversion layer 14 of the present embodiment is formed directly on the first surface 50A of the fixing plate 50 provided on the side opposite to the base material 11 side.
  • the conversion layer 14 is a scintillator containing CsI as described above
  • the conversion layer 14 is directly formed on the fixing plate 50 by the vapor phase deposition method using the fixing plate 50 as a substrate.
  • a scintillator containing a phosphor such as GOS (Gd 2 O 2 S: Tb)
  • a binder such as a resin in which the phosphor is dispersed is used as a fixing plate 50.
  • the conversion layer 14 is formed directly on the fixing plate 50 by applying to.
  • CsI is used for the conversion layer 14
  • the conversion efficiency from radiation to visible light is higher than when GOS is used.
  • the fixing plate 50 is a substrate for fixing the flexible cable 112 before the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400 (see FIGS. 5A to 5F, etc.) in the manufacturing method of the radiation imaging apparatus 1, which will be described in detail later. Is. Further, the fixing plate 50 of the present embodiment is a base for supporting the drive substrate 200, the signal processing substrate 300, and the control substrate 110. At least one of the drive board 200, the signal processing board 300, and the control board 110 of the present embodiment is an example of the circuit unit of the present disclosure. Hereinafter, the drive board 200, the signal processing board 300, and the control board 110 are collectively referred to as a "circuit unit".
  • each of the drive board 200, the signal processing board 300, and the control board 110 connected to the pixel 30 by the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50 (see also FIG. 4). ).
  • the material of the fixing plate 50 for example, a metal containing at least one of Mg, Al, and Li, carbon, and the like are preferable, and a material containing carbon as a main component is more preferable.
  • the fixing plate 50 preferably has a high flexural rigidity, and preferably at least a higher flexural rigidity than the base material 11. As the flexural modulus decreases, the flexural rigidity also decreases, and in order to obtain the desired flexural rigidity, the thickness of the fixing plate 50 must be increased, and the thickness of the entire radiation detector 10 increases. .. Considering that appropriate rigidity can be obtained and the thickness of the entire radiation detector 10 is taken into consideration, the material used for the fixing plate 50 preferably has a flexural modulus of 1000 MPa or more and 40,000 MPa or less. Further, the flexural rigidity of the fixing plate 50 is preferably 36000 Pacm 4 or more and 22400,000 Pacm 4 or less.
  • the thickness of the fixing plate 50 may be any thickness as long as the desired flexural modulus and flexural rigidity can be obtained as described above, but considering the thickness of the entire radiation detector 10, the thickness of the fixing plate 50 is taken into consideration. Is preferably 0.1 mm or more and 0.25 mm or less. Further, as an example, the size of the fixing plate 50 of the present embodiment, specifically, the area of the first surface 50A facing the first surface 11A of the base material 11 is the first surface of the base material 11. It is the same as 11A. In addition, in this embodiment, "same” and “same” mean that they are the same including a range that can be regarded as an error.
  • the conversion layer 14 of the present embodiment is formed with an inclination such that the thickness gradually decreases toward the outer edge thereof.
  • the central region of the conversion layer 14 in which the thickness can be regarded as substantially constant when the manufacturing error and the measurement error are ignored is referred to as the central portion 14A.
  • the outer peripheral region of the conversion layer 14 having a thickness of, for example, 90% or less with respect to the average thickness of the central portion 14A of the conversion layer 14 is referred to as a peripheral portion 14B. That is, the conversion layer 14 has an inclined surface inclined with respect to the fixing plate 50 at the peripheral edge portion 14B.
  • the side in contact with the fixing plate 50 is referred to as "lower”, and the side facing the sensor substrate 12 is referred to as "upper".
  • the inclined surface of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14 is inclined so as to gradually expand from the upper side to the lower side of the conversion layer 14.
  • an adhesive layer 64 and a protective layer 65 are provided on the conversion layer 14 of the present embodiment.
  • the adhesive layer 64 covers the entire surface of the conversion layer 14. The end of the adhesive layer 64 extends to the first surface 50A of the fixing plate 50. That is, the adhesive layer 64 is adhered to the fixing plate 50 at its end.
  • the adhesive layer 64 has a function of fixing the protective layer 65 to the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 64 preferably has light transmission.
  • an acrylic adhesive, a hot melt adhesive, and a silicone adhesive can be used as the material of the adhesive layer 64.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include urethane acrylate, acrylic resin acrylate, and epoxy acrylate.
  • the hot melt adhesive examples include EVA (ethylene / vinyl acetate copolymer resin), EAA (ethylene / acrylic acid copolymer resin), EEA (ethylene-ethylacrylate copolymer resin), and EMMA (ethylene-methacryl).
  • Thermoplastics such as methyl acid copolymer) can be mentioned.
  • the thickness of the adhesive layer 64 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. By setting the thickness of the adhesive layer 64 to 2 ⁇ m or more, the effect of fixing the protective layer 65 on the conversion layer 14 can be sufficiently exhibited. Further, by setting the thickness of the adhesive layer 64 to 7 ⁇ m or less, it is possible to suppress a decrease in MTF (Modulation Transfer Function) and DQE (Detective Quantum Efficiency).
  • the protective layer 65 is provided so as to cover the entire conversion layer 14 and its end portion covers a part of the first surface 50A of the fixing plate 50.
  • the protective layer 65 functions as a moisture-proof film that prevents moisture from entering the conversion layer 14.
  • Examples of the material of the protective layer 65 include PET (Polyethylene terephthalate), PPS (PolyPhenylene Sulfide), OPP (Oriented PolyPropylene), PEN (PolyEthylene Naphthalate), and PI.
  • An organic film containing an organic material such as, or parylene (registered trademark) can be used.
  • a laminated film of a resin film and a metal film may be used as the protective layer 65. Examples of the laminated film of the resin film and the metal film include a sheet of Alpet (registered trademark).
  • the space between the sensor substrate 12 and the fixing plate 50 is sealed by the sealing member 72.
  • the sealing member 72 is provided in the space formed by the fixing plate 50 and the fixing plate 50.
  • the sealing member 72 is not provided on the terminal 113 and the flexible cable 112.
  • the material of the sealing member 72 is not particularly limited, and for example, a resin can be used.
  • the reinforcing substrate 40 is provided on the second surface 11B side of the substrate 11 via the adhesive 42. ..
  • the reinforcing substrate 40 has a function of reinforcing the strength of the substrate 11.
  • the reinforcing substrate 40 of the present embodiment has higher flexural rigidity than the base material 11, and the dimensional change (deformation) with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface facing the conversion layer 14 is the second of the base material 11. It is smaller than the dimensional change with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface 11B of.
  • Examples of the material of the reinforcing substrate 40 include carbon and plastic.
  • the reinforcing substrate 40 may contain a plurality of materials, and may be, for example, a laminate of plastic and carbon.
  • the bending rigidity of the reinforcing substrate 40 is preferably 100 times or more the bending rigidity of the base material 11.
  • the thickness of the reinforcing substrate 40 of the present embodiment is thicker than the thickness of the base material 11.
  • the thickness of the reinforcing substrate 40 is preferably about 0.2 mm to 0.25 mm.
  • the reinforcing substrate 40 preferably has a higher bending rigidity than the base material 11 from the viewpoint of suppressing the bending of the base material 11.
  • the flexural modulus decreases, the flexural rigidity also decreases, and in order to obtain the desired flexural rigidity, the thickness of the reinforcing substrate 40 must be increased, and the thickness of the entire radiation detector 10 increases. .. Considering the material of the reinforcing substrate 40 described above, the thickness of the reinforcing substrate 40 tends to be relatively thick when trying to obtain a bending rigidity exceeding 140000 Pacm 4.
  • the material used for the reinforcing substrate 40 has a flexural modulus of 150 MPa or more and 2500 MPa or less. Further, the bending rigidity of the reinforcing substrate 40 is preferably 540 Pacm 4 or more and 140000 Pacm 4 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the reinforcing substrate 40 of the present embodiment is preferably close to the coefficient of thermal expansion of the material of the conversion layer 14, and more preferably the coefficient of thermal expansion of the reinforcing substrate 40 with respect to the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14.
  • the ratio (coefficient of thermal expansion of the reinforcing substrate 40 / coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14) is preferably 0.5 or more and 2 or less.
  • the coefficient of thermal expansion of such a reinforcing substrate 40 is preferably 30 ppm / K or more and 80 ppm / K or less.
  • the coefficient of thermal expansion is 50 ppm / K.
  • the material of the reinforcing substrate 40 is more preferably a material containing at least one of PET and PC.
  • the reinforcing substrate 40 preferably contains a material having a yield point.
  • the "yield point” refers to a phenomenon in which the stress drops suddenly when the material is pulled, and the strain does not increase on the curve showing the relationship between the stress and the strain.
  • the point of increase which refers to the top of the stress-strain curve when a tensile strength test is performed on a material.
  • Resins having a yield point generally include resins that are hard and sticky, and resins that are soft and sticky and have moderate strength. Examples of the hard and sticky resin include PC and the like. Examples of the soft, tenacious, and medium-strength resin include polypropylene and the like.
  • the reinforcing substrate 40 of the present embodiment is a substrate made of plastic, it is preferably a thermoplastic resin for the reasons described above, and is preferably PC, PET, styrene, acrylic, polyacetase, nylon, polypropylene, ABS (Acrylonitrile). Butadiene Styrene), engineering plastics, and at least one of polyphenylene ethers.
  • the reinforcing substrate 40 is preferably at least one of polypropylene, ABS, engineering plastic, PET, and polyphenylene ether, and more preferably at least one of styrene, acrylic, polyacetase, and nylon. , PC and PET are more preferable.
  • a plurality of terminals 113 (16 in FIG. 2B) are provided on the outer edge of the base material 11.
  • An anisotropic conductive film or the like is used as the terminal 113.
  • a flexible cable 112 is electrically connected to each of the plurality of terminals 113.
  • the flexible cable 112A is thermocompression bonded to each of a plurality of terminals 113 (eight in FIG. 2B) provided on one side of the base material 11.
  • the flexible cable 112A is a so-called COF (Chip on Film), and the flexible cable 112A is equipped with a drive IC (Integrated Circuit) 210.
  • the drive IC 210 is connected to a plurality of signal lines included in the flexible cable 112A.
  • the flexible cable 112A and the flexible cable 112B described later are generically referred to without distinction, they are simply referred to as "flexible cable 112".
  • the other end on the opposite side to the one end electrically connected to the terminal 113 of the sensor board 12 is electrically connected to the drive board 200.
  • a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112A are thermocompression-bonded to the drive board 200, so that circuits and elements mounted on the drive board 200 (not shown) and the like (not shown). Is electrically connected to.
  • the method of electrically connecting the drive board 200 and the flexible cable 112A is not limited to this embodiment, and may be, for example, electrically connected by a connector. Examples of such a connector include a ZIF (Zero Insert Force) structure connector, a Non-ZIF structure connector, and the like.
  • the drive board 200 of this embodiment is a flexible PCB (Printed Circuit Board) board, which is a so-called flexible board.
  • the circuit components (not shown) mounted on the drive board 200 are components mainly used for processing digital signals (hereinafter, referred to as "digital components").
  • Digital components tend to have a relatively smaller area (size) than analog components, which will be described later.
  • Specific examples of digital components include digital buffers, bypass capacitors, pull-up / pull-down resistors, damping resistors, EMC (Electro Magnetic Compatibility) countermeasure chip components, power supply ICs, and the like.
  • the drive substrate 200 does not necessarily have to be a flexible substrate, may be a non-flexible rigid substrate, or may use a rigid flexible substrate.
  • the drive board 200 is fixed to the fixing plate 50.
  • the drive board 200 is fixed to the fixing plate 50 by screwing the drive board 200 to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the method of fixing the drive board 200 to the fixing plate 50 is not limited to this embodiment, and the drive board 200 may be fixed to the fixing plate 50 with, for example, an adhesive.
  • the drive unit 102 is realized by the drive board 200 and the drive IC 210 mounted on the flexible cable 112A.
  • the drive IC 210 includes various circuits and elements that realize the drive unit 102, which are different from the digital components mounted on the drive board 200.
  • the flexible cable 112B is electrically connected to each of the plurality of terminals 113 (8 in FIG. 2B) provided on the side where the flexible cable 112A intersects one side of the electrically connected base material 11. ing.
  • the flexible cable 112B is a so-called COF (Chip on Film), and the flexible cable 112B is equipped with a signal processing IC 310.
  • the signal processing IC 310 is connected to a plurality of signal lines (not shown) included in the flexible cable 112B.
  • the other end opposite to the one end electrically connected to the terminal 113 of the sensor board 12 is electrically connected to the signal processing board 300.
  • a plurality of signal lines included in the flexible cable 112B are thermocompression-bonded to the signal processing board 300 to be connected to circuits, elements, and the like (not shown) mounted on the signal processing board 300. Will be done.
  • the method of electrically connecting the signal processing board 300 and the flexible cable 112B is not limited to this embodiment, and may be, for example, electrically connected by a connector. Examples of such a connector include a ZIF (Zero Insert Force) structure connector, a Non-ZIF structure connector, and the like.
  • the method of electrically connecting the flexible cable 112A and the drive board 200 and the method of electrically connecting the flexible cable 112B and the signal processing board 300 may be the same or different.
  • the flexible cable 112A and the drive board 200 may be electrically connected by thermocompression bonding
  • the flexible cable 112B and the signal processing board 300 may be electrically connected by a connector.
  • the signal processing board 300 of the present embodiment is a flexible PCB board like the drive board 200 described above, and is a so-called flexible board.
  • the circuit components (not shown) mounted on the signal processing board 300 are components mainly used for processing analog signals (hereinafter, referred to as “analog components”). Specific examples of analog components include a charge amplifier, an analog-to-digital converter (ADC), a digital-to-analog converter (DAC), a power supply IC, and the like. Further, the circuit component of the present embodiment also includes a coil around a power supply having a relatively large component size and a large-capacity capacitor for smoothing.
  • the signal processing board 300 does not necessarily have to be a flexible board, may be a non-flexible rigid board, or may use a rigid flexible board.
  • the signal processing board 300 is fixed to the fixing plate 50.
  • the signal processing board 300 is fixed to the fixing plate 50 by screwing the signal processing board 300 to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the method of fixing the signal processing board 300 to the fixing plate 50 is not limited to this embodiment, and the signal processing board 300 may be fixed to the fixing plate 50 with, for example, an adhesive.
  • the signal processing unit 104 is realized by the signal processing board 300 and the signal processing IC 310 mounted on the flexible cable 112B.
  • the signal processing IC 310 includes various circuits and elements that realize the signal processing unit 104, which are different from the analog components mounted on the signal processing board 300.
  • FIGS. 2A and 2B a mode in which a plurality (two each) of the drive board 200 and the signal processing board 300 are provided is described, but the number of the drive board 200 and the signal processing board 300 is shown in FIG. 2A. And the number shown in FIG. 2B is not limited. For example, at least one of the drive board 200 and the signal processing board 300 may be used as one board.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a structure relating to the electrical connection between the flexible cable 112B and the radiation detector 10, it relates to the electrical connection between the flexible cable 112A and the radiation detector 10 of the present embodiment.
  • the structure is also the same as the form illustrated in FIG.
  • FIG. 4 is an example of a cross-sectional view of the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment.
  • the radiation imaging device 1 of the present embodiment is an ISS (Irradiation Side Sampling) type radiation imaging device in which radiation is irradiated from the second surface 11B side of the base material 11.
  • the radiation imaging device 1 using the radiation detector 10 is used in a state of being housed in the housing 120.
  • a radiation detector 10 As shown in FIG. 4, a radiation detector 10, a signal processing board 300, a drive board 200 (not shown in FIG. 4), a power supply unit 108, and a control board 110 (not shown in FIG. 4) are contained in the housing 120. ) And are provided side by side in the incident direction of radiation.
  • the radiation detector 10 is arranged so that the second surface 11B side of the base material 11 faces the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120 in which the radiation transmitted through the subject is irradiated. More specifically, the reinforcing substrate 40 provided on the second surface 11B of the base material 11 of the sensor substrate 12 is arranged so as to face the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120.
  • the signal processing board 300 electrically connected to the sensor board 12 by the flexible cable 112B is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the drive board 200 electrically connected to the sensor board 12 by the flexible cable 112B is also fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the control board 110 electrically connected to the drive board 200 and the signal processing board 300 is also fixed to the second surface 50B of the fixing board 50.
  • Each of the signal processing board 300, the drive board 200, and the control board 110 is connected to the power supply unit 108 by the power supply line 114.
  • the housing 120 is preferably lightweight, has a low absorption rate of radiation, particularly X-rays, has high rigidity, and is preferably made of a material having a sufficiently high elastic modulus.
  • a material having a flexural modulus of 10,000 MPa or more As the material of the housing 120, carbon or CFRP (Carbon Fiber Reinforced Plastics) having a flexural modulus of about 20,000 to 60,000 MPa can be preferably used.
  • the radiographic image capturing device 1 captures a radiographic image
  • a load from the subject is applied to the irradiation surface 120A of the housing 120. If the rigidity of the housing 120 is insufficient, the sensor substrate 12 may be bent due to the load from the subject, which may cause problems such as damage to the pixels 30.
  • the radiation detector 10 inside the housing 120 made of a material having a flexural modulus of 10,000 MPa or more, it is possible to suppress the bending of the sensor substrate 12 due to the load from the subject.
  • the housing 120 may be made of different materials for the irradiation surface 120A of the housing 120 and other parts.
  • the portion corresponding to the irradiation surface 120A is formed of a material having a low radiation absorption rate, high rigidity, and a sufficiently high elastic modulus as described above, and the other portion corresponds to the irradiation surface 120A. It may be formed of a material different from the portion, for example, a material having a lower elastic modulus than the portion of the irradiation surface 120A.
  • the manufacturing method of the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5A to 5H.
  • the substrate 11 is formed on the support 400 such as a glass substrate which is thicker than the substrate 11 via the release layer 402.
  • the support 400 such as a glass substrate which is thicker than the substrate 11 via the release layer 402.
  • a sheet to be the base material 11 is attached onto the support 400.
  • the second surface 11B of the base material 11 is in contact with the release layer 402.
  • the method of forming the base material 11 is not limited to this embodiment, and may be, for example, a form in which the base material 11 is formed by a coating method.
  • the pixel 30 is formed in the pixel region 35 of the first surface 11A of the base material 11.
  • the pixels 30 are formed on the first surface 11A of the base material 11 via an undercoat layer (not shown) using SiN or the like.
  • the conversion layer 14 is formed on the first surface 50A of the fixing plate 50.
  • the CsI conversion layer 14 is formed as a columnar crystal directly on the first surface 50A of the fixed plate 50 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the side of the conversion layer 14 in contact with the first surface 50A of the fixing plate 50 is the growth direction base point side of the columnar crystal.
  • GOS Ga 2 O 2 S: Tb
  • the conversion layer 14 is formed by applying a resin in which GOS is dispersed to the fixing plate 50.
  • a protective layer 65 is provided on the conversion layer 14 formed on the fixing plate 50 via an adhesive layer 64.
  • any step may be performed first regardless of the order of the steps of forming the sensor substrate 12 described with reference to FIG. 5A and the steps of forming the conversion layer 14 described with reference to FIG. 5B. , Both steps may be performed in parallel.
  • the conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11.
  • the upper side of the conversion layer 14 more specifically, the side opposite to the side of the conversion layer 14 in contact with the fixing plate 50, is the first surface 11A of the base material 11.
  • the conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11 by the adhesive layer 70 in a state of facing the substrate 11.
  • the space between the fixing plate 50 and the sensor substrate 12 is sealed by the sealing member 72.
  • the method of sealing between the fixing plate 50 and the sensor substrate 12 by the sealing member 72 is not particularly limited.
  • the sealing member 72 having fluidity is injected into the space formed between the sensor substrate 12 and the conversion layer 14 (protective layer 65) to seal the sensor substrate 12.
  • the member 72 may be cured.
  • one end of the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor board 12.
  • the terminal 113 is formed on the first surface 11A of the base material 11.
  • the flexible cable 112 on which the drive IC 210 or the signal processing IC 310 is mounted is thermocompression bonded to the terminal 113 to electrically connect the terminal 113 and the flexible cable 112.
  • the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor board 12.
  • any step is first. You may go to. That is, after the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor substrate 12, the sealing member 72 may seal between the sensor substrate 12 and the fixing plate 50.
  • the other end of the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the other end of the flexible cable 112A is electrically connected to the drive board 200.
  • the other end of the flexible cable 112B is electrically connected to the signal processing board 300.
  • the flexible cable 112 connected to the sensor board 12 is folded back toward the second surface 50B of the fixing plate 50, and each of the drive board 200 and the signal processing board 300 is screwed to the second surface 50B of the fixing plate 50. To fix with.
  • the other end of the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the radiation detector 10 is peeled off from the support 400 in a state where the other end of the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • peeling is performed by mechanical peeling
  • the side of the base material 11 of the sensor substrate 12 that faces the side to which the flexible cable 112 is connected is set as the starting point of peeling, and the flexible cable is started from the side that is the starting point.
  • the sensor board 12 was gradually peeled off from the support 400 in the direction of arrow D shown in FIG. 5F toward the side to which the 112 was connected to perform mechanical peeling, and the flexible cable 112 was connected to the sensor board 12. A state radiation detector 10 is obtained.
  • the side that is the starting point of peeling is preferably the side that intersects the longest side when the sensor substrate 12 is viewed in a plan view.
  • the side along the bending direction Y in which bending occurs due to peeling is preferably the longest side.
  • the starting point of peeling is a side facing the side to which the flexible cable 112B is electrically connected.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment is manufactured by bonding the reinforcing substrate 40 provided with the adhesive 42 to the second surface 11B of the base material 11.
  • the radiation detector 10 is housed in the housing 120 with the base material 11 (reinforcing substrate 40) facing the irradiation surface 120A. In this way, the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment is manufactured.
  • the flexible base material 11 is provided on the support 400, and the pixel region 35 of the base material 11 responds to the light converted from the radiation.
  • the present invention includes a step of forming a sensor substrate 12 provided with a plurality of pixels 30 for accumulating the generated charges. Further, in this manufacturing method, a step of forming a conversion layer 14 that converts radiation into light on a fixing plate 50 and a first surface 11A provided with pixels 30 of the base material 11 on the opposite side of the fixing plate 50. A step of providing the conversion layer 14 with the surfaces of the above facing each other is provided.
  • one end of the flexible cable 112 connected to the circuit unit including at least one of the drive board 200 and the signal processing board 300 is fixed to the sensor board 12, and the flexible cable 112 is fixed to the fixing plate 50.
  • a step of fixing the sensor substrate 12 to the support 400 and a step of peeling the sensor substrate 12 provided with the conversion layer 14 and the fixing plate 50 from the support 400 are provided.
  • the flexible cable 112 may be pulled.
  • the drive IC 210 or the signal processing IC 310 is mounted on the flexible cable 112
  • the flexible cable 112 may be pulled according to the weight of these ICs.
  • the other end of the flexible cable 112 is connected to a circuit section such as a drive board 200 or a signal processing board 300
  • the flexible cable 112 is easily pulled according to the weight of these circuit sections.
  • the position of the flexible cable 112 connected to the sensor board 12 may shift.
  • the flexible cable 112 may be reworked or the radiographic imaging apparatus 1 may be remanufactured.
  • the flexible cable 112 is fixed to the fixing plate 50 before the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400. Then, with the flexible cable 112 fixed to the fixing plate 50, the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400. Since the flexible cable 112 is fixed to the fixing plate 50, it is possible to prevent the flexible cable 112 from being pulled when the support 400 is peeled off from the sensor substrate 12. Therefore, according to the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment, when the sensor substrate 12 is bent during the manufacturing of the radiographic imaging apparatus 1, a defect caused by the flexible cable 112 connected to the sensor substrate 12 occurs. Can be suppressed.
  • the bending rigidity can be increased by the fixing plate 50, and the desired bending rigidity can be obtained, so that the impact resistance can be improved. Further, according to the radiation imaging apparatus 1, the weight and thickness of the fixing plate for fixing the circuit portion can be reduced as compared with the case where the fixing plate for fixing the circuit portion is provided separately from the fixing plate 50. As described above, according to the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment, the flexural rigidity can be increased and the weight can be reduced.
  • FIG. 6 is an example of a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 in the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment.
  • the conversion layer 14 is formed on the base material 11 of the sensor substrate 12. Therefore, as shown in FIG. 6, the area of the lower side (sensor substrate 12 side) of the conversion layer 14 of the present embodiment is larger than the area of the upper side (fixing plate 50 side). That is, the inclined surface of the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14 is inclined so as to gradually expand from the lower side to the upper side of the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 and the reflective layer 62 are provided between the conversion layer 14 and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 described above in the first embodiment. Has been done.
  • the adhesive layer 60 covers the entire surface of the conversion layer 14 including the central portion 14A and the peripheral portion 14B of the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 has a function of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14.
  • the adhesive layer 60 preferably has light transmission.
  • the same material as the material of the adhesive layer 64 can be used, but the adhesive force of the adhesive layer 60 may be smaller than the adhesive force of the adhesive layer 64.
  • an acrylic adhesive, a hot melt adhesive, and a silicone adhesive can be used.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive include urethane acrylate, acrylic resin acrylate, and epoxy acrylate.
  • the hot melt adhesive examples include EVA (ethylene / vinyl acetate copolymer resin), EAA (ethylene / acrylic acid copolymer resin), EEA (ethylene-ethylacrylate copolymer resin), and EMMA (ethylene-methacryl).
  • Thermoplastics such as methyl acid copolymer) can be mentioned.
  • the thickness of the adhesive layer 60 is preferably 2 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. By setting the thickness of the adhesive layer 60 to 2 ⁇ m or more, the effect of fixing the reflective layer 62 on the conversion layer 14 can be sufficiently exhibited. Further, the risk of forming an air layer between the conversion layer 14 and the reflection layer 62 can be suppressed.
  • the light emitted from the conversion layer 14 is emitted between the air layer and the conversion layer 14 and between the air layer and the reflection layer 62. Multiple reflections that repeat reflections may occur. Further, by setting the thickness of the adhesive layer 60 to 7 ⁇ m or less, it is possible to suppress a decrease in MTF and DQE.
  • the reflective layer 62 covers the entire surface of the adhesive layer 60.
  • the reflective layer 62 has a function of reflecting the light converted by the conversion layer 14.
  • the reflective layer 62 is preferably made of an organic material.
  • As the material of the reflective layer 62 for example, white PET, TiO2, Al2O3, foamed white PET, polyester-based highly reflective sheet, specular reflective aluminum and the like can be used.
  • the thickness of the reflective layer 62 is preferably 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the adhesive layer 64 of this embodiment covers the entire surface of the reflective layer 62.
  • the end of the adhesive layer 64 extends to the surface of the sensor substrate 12. That is, the adhesive layer 64 is adhered to the sensor substrate 12 at its end.
  • the adhesive layer 64 has a function of fixing the reflective layer 62 and the protective layer 65 to the conversion layer 14.
  • the adhesive force of the adhesive layer 64 is preferably larger than that of the adhesive layer 60.
  • the protective layer 65 of this embodiment covers the entire surface of the adhesive layer 64. That is, the protective layer 65 is provided so as to cover the entire conversion layer 14 and its end portion covers a part of the sensor substrate 12. Further, as shown in FIG. 6, the fixing plate 50 of the present embodiment is provided on the upper surface of the conversion layer 14 by the adhesive layer 71.
  • FIG. 7 is an example of a cross-sectional view of the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment.
  • the radiation imaging device 1 of the present embodiment is also an ISS type radiation imaging device in which radiation is emitted from the second surface 11B side of the base material 11.
  • the radiation imaging device 1 using the radiation detector 10 of the present embodiment is used in a state of being housed in the housing 120.
  • a radiation detector 10 As shown in FIG. 7, a radiation detector 10, a signal processing board 300, a drive board 200 (not shown in FIG. 7), a power supply unit 108, and a control board 110 (not shown in FIG. 7) are contained in the housing 120. ) And are provided side by side in the incident direction of radiation.
  • the radiation detector 10 is arranged so that the second surface 11B side of the base material 11 faces the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120 in which the radiation transmitted through the subject is irradiated.
  • the signal processing board 300 electrically connected to the sensor board 12 by the flexible cable 112B is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the drive board 200 electrically connected to the sensor board 12 by the flexible cable 112B is also fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50.
  • the control board 110 electrically connected to the drive board 200 and the signal processing board 300 is also fixed to the second surface 50B of the fixing board 50.
  • a support such as a glass substrate having a thickness thicker than that of the base material 11 is formed.
  • the base material 11 is formed on the 400 via the release layer 402.
  • the conversion layer 14 is formed on the pixel region 35 of the sensor substrate 12.
  • a columnar crystal is formed directly on the region covering the pixel region 35 of the first surface 11A of the base material 11 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the CsI conversion layer 14 is formed.
  • the side of the conversion layer 14 in contact with the pixel 30 is the growth direction base point side of the columnar crystal.
  • a reflective layer 62 is provided on the conversion layer 14 formed on the sensor substrate 12 via an adhesive layer 60. Further, a protective layer 65 is provided on the reflective layer 62 via an adhesive layer 64.
  • GOS Gd 2 O 2 S: Tb
  • GOS is applied to the first surface 11A of the base material 11.
  • the conversion layer 14 is formed by applying the dispersed resin.
  • a buffer having a function of buffering the difference between the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14 and the coefficient of thermal expansion of the base material 11 in the region including the region forming the conversion layer 14 on the first surface 11A of the base material 11.
  • the layer it is preferable to form the conversion layer 14 on the buffer layer.
  • a buffer layer because the difference from the coefficient of thermal expansion of the conversion layer 14 is larger than that of other materials.
  • a buffer layer a PI membrane or a parylene (registered trademark) membrane is used.
  • the fixing plate 50 is provided on the surface of the conversion layer 14 opposite to the surface on the sensor substrate 12 side. Specifically, the periphery of the conversion layer 14 is sealed by the sealing member 72. Further, a fixing plate 50 is provided on the sealing member 72 and the conversion layer 14 via the adhesive layer 71. The fixing plate 50 provided with the adhesive layer 71 is bonded onto the conversion layer 14, and then surrounded by the fixing plate 50 (adhesive layer 71), the first surface 11A of the base material 11, and the conversion layer 14. By filling the space with the sealing member 72, the sealing member 72 may be used for sealing.
  • one end of the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor substrate 12 in the same manner as described with reference to FIG. 5D in the first embodiment.
  • any of the steps is performed first. May be good. That is, after the flexible cable 112 is electrically connected to the sensor substrate 12, the fixing plate 50 may be provided on the conversion layer 14.
  • the other end of the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50 in the same manner as described with reference to FIG. 5E in the first embodiment.
  • the other end of the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50, as described with reference to FIG. 5F in the first embodiment.
  • the radiation detector 10 is peeled off from the support 400. As a result, the radiation detector 10 in a state where the flexible cable 112 is connected to the sensor substrate 12 can be obtained.
  • the reinforcing substrate 40 provided with the adhesive 42 is attached to the second surface 11B of the base material 11 in the same manner as described with reference to FIG. 5G in the first embodiment.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment is manufactured.
  • the radiation detector 10 is housed in the housing 120 with the base material 11 (reinforcing substrate 40) facing the irradiation surface 120A. In this way, the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment is manufactured.
  • the flexible base material 11 is provided on the support 400, and the pixel region 35 of the base material 11 responds to the light converted from the radiation.
  • the present invention includes a step of forming a sensor substrate 12 provided with a plurality of pixels 30 for accumulating the generated charges. Further, in this manufacturing method, a step of providing a conversion layer 14 for converting radiation into light and at least one of a drive substrate 200 and a signal processing substrate 300 are provided on a first surface 11A provided with pixels 30 of the base material 11. A step of connecting one end of the flexible cable 112 connected to the including circuit unit to the sensor board 12 is provided.
  • a step of providing the fixing plate 50 on the surface of the conversion layer 14 opposite to the surface on the sensor substrate 12 side, a step of fixing the flexible cable 112 to the fixing plate 50, and the conversion layer 14 and A step of peeling the sensor substrate 12 provided with the fixing plate 50 from the support 400 is provided.
  • the flexible cable 112 is fixed before the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400, as in the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the first embodiment. It is fixed to the plate 50. Then, with the flexible cable 112 fixed to the fixing plate 50, the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400. Therefore, according to the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment, when the sensor substrate 12 is bent during the manufacturing of the radiographic imaging apparatus 1, a defect caused by the flexible cable 112 connected to the sensor substrate 12 occurs. Can be suppressed.
  • the manufacturing method of the ISS type radiographic imaging apparatus 1 has been described.
  • a method of manufacturing a PSS (Penetration Side Sampling) type radiation imaging apparatus 1 in which radiation is emitted from the conversion layer 14 side will be described.
  • FIG. 9 is an example of a cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 in the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment is different from the radiation detector 10 of the second embodiment (see FIG. 6) in that the circuit portion such as the signal processing board 300 is not fixed to the fixing plate 50. ing.
  • the fixing plate 50 of the present embodiment the flexible cable 112 is fixed in the manufacturing process of the radiation imaging apparatus 1, but the circuit portion such as the signal processing board 300 is not fixed. Therefore, the fixing plate 50 of the present embodiment may be different from the fixing plate 50 of the radiation detector 10 of the second embodiment in terms of size, material, and the like.
  • a reinforcing substrate that reinforces the bending rigidity of the sensor substrate 12 is used as the fixing plate 50.
  • the fixing plate 50 that functions as the reinforcing substrate preferably has the same flexural modulus and bending rigidity as the reinforcing substrate 40 described above. Therefore, as the material of the fixing plate 50, the same material as that of the reinforcing substrate 40 can be applied.
  • FIG. 10 is an example of a cross-sectional view of the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment.
  • the radiation imaging device 1 of the present embodiment is a PSS type radiation imaging device in which radiation is emitted from the conversion layer 14 side.
  • the radiation imaging device 1 using the radiation detector 10 of the present embodiment is used in a state of being housed in the housing 120.
  • a radiation detector 10 As shown in FIG. 10, a radiation detector 10, a signal processing board 300, a drive board 200 (not shown in FIG. 10), a power supply unit 108, and a control board 110 (not shown in FIG. 10) are contained in the housing 120. ) And are provided side by side in the incident direction of radiation.
  • the radiation detector 10 is arranged so that the second surface 50B side of the fixing plate 50 faces the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120 in which the radiation transmitted through the subject is irradiated.
  • the signal processing board 300 electrically connected to the sensor board 12 by the flexible cable 112B is fixed to the fixing plate 52.
  • the drive board 200 electrically connected to the sensor board 12 by the flexible cable 112B is also fixed to the fixing plate 52.
  • the control board 110 electrically connected to the drive board 200 and the signal processing board 300 is also fixed to the fixing plate 52.
  • the steps from the step of forming the sensor substrate 12 on the support 400 to the step of electrically connecting one end of the 12 flexible cable 112 to the sensor substrate 12 are the first. Since the steps are the same as those in FIGS. 8A to 8D of the second embodiment, the description thereof will be omitted.
  • the other end of the flexible cable 112 is then fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50, as shown in FIG. 11A. Since the flexible cable 112 fixed to the fixing plate 50 in this step is later removed from the fixing plate 50, the fixing of the flexible cable 112 to the fixing plate 50 is, so to speak, temporary fixing. Therefore, in the method of fixing the flexible cable 112 to the fixing plate 50, during the next step (see FIG. 11B), the flexible cable 112 can be easily fixed from the fixing plate 50 without being easily released and at a desired timing. A method that can be removed is preferable.
  • the other end of the flexible cable 112 is fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50, as described with reference to FIG. 5F in the first embodiment. Then, the radiation detector 10 is peeled off from the support 400. As a result, the radiation detector 10 in a state where the flexible cable 112 is connected to the sensor substrate 12 can be obtained.
  • the reinforcing substrate 40 provided with the adhesive 42 is attached to the second surface 11B of the base material 11 in the same manner as described with reference to FIG. 5G in the first embodiment. match.
  • the radiation detector 10 of the present embodiment is manufactured by removing the other end of the flexible cable 112 fixed to the second surface 50B of the fixing plate 50 from the fixing plate 50.
  • a circuit unit such as a signal processing board 300 is fixed to the fixing plate 52. Further, as shown in FIG. 11D, the radiation detector 10 is housed in the housing 120 with the second surface 50B of the fixing plate 50 facing the irradiation surface 120A. In this way, the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment is manufactured.
  • the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment As described above, also in the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment, as in the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the first and second embodiments, before the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400.
  • the flexible cable 112 is fixed to the fixing plate 50. Then, with the flexible cable 112 fixed to the fixing plate 50, the sensor substrate 12 is peeled off from the support 400. Therefore, according to the manufacturing method of the radiographic imaging apparatus 1 of the present embodiment, when the sensor substrate 12 is bent during the manufacturing of the radiographic imaging apparatus 1, a defect caused by the flexible cable 112 connected to the sensor substrate 12 occurs. Can be suppressed.
  • the mode of fixing the flexible cable 112 to the fixing plate 50 is not limited to the mode described with reference to FIG. 11A.
  • the other end of the flexible cable 112 may be fixed to the first surface 50A of the fixing plate 50.
  • the radiation imaging device 1 and the radiation detector 10 of each of the above embodiments may be in the form shown in the following modifications 1 to 12, for example. It should be noted that each of the modified examples 1 to 12 may be appropriately combined, and the form is not limited to the modified examples 1 to 12.
  • FIG. 13 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the area of the fixing plate 50 was the same as the area of the base material 11.
  • the area of the fixing plate 50 is larger than the area of the base material 11.
  • the area of the first surface 50A of the fixing plate 50 is larger than the area of the first surface 11A of the base material 11.
  • the specific area of the fixing plate 50 can be determined according to the size of the inside of the housing 120 for accommodating the radiation detector 10.
  • the end portion of the fixing plate 50 is located outside the end portion of the base material 11, that is, the sensor substrate 12.
  • the fixing plate 50 By making the area of the fixing plate 50 larger than the area of the base material 11 in this way, for example, by dropping the radiation imaging device 1, an impact is applied to the housing 120, and the side surface (irradiation surface) of the housing 120 is applied. When the surface intersecting with 120A) is recessed, the fixing plate 50 interferes with the side surface of the housing 120. On the other hand, since the sensor substrate 12 has a smaller area than the fixing plate 50, it is less likely to interfere with the side surface of the housing 120. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present modification, it is possible to suppress the influence of the impact applied to the radiation imaging device 1 on the sensor substrate 12.
  • the base material 11 From the viewpoint of suppressing the influence of the impact applied to the radiation imaging apparatus 1 by the fixing plate 50 on the sensor substrate 12, at least a part of the end portion of the fixing plate 50 is the base material 11. It suffices if it protrudes to the outside from the end of. For example, unlike the present modification, even when the area of the fixing plate 50 is smaller than the area of the base material 11, the end portion of the fixing plate 50 projecting outward from the end portion of the base material 11 is the housing. Since it interferes with the side surface of the 120, the influence of the impact on the sensor substrate 12 can be suppressed as in the present modification.
  • FIG. 14 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the area of the fixing plate 50 was the same as the area of the base material 11.
  • the area of the fixing plate 50 is smaller than the area of the base material 11.
  • the area of the first surface 50A of the fixing plate 50 is smaller than the area of the first surface 11A of the base material 11.
  • the fixing plate 50 is not provided at the position facing the terminal 113. That is, the area of the fixing plate 50 in the radiation detector 10 of this modified example is smaller than the value obtained by subtracting the area of the region where the terminal 113 is provided from the area of the base material 11.
  • Rework refers to removing the flexible cable 112 and parts electrically connected to the base material 11 (sensor board 12) due to a defect or misalignment, and then reconnecting them.
  • the area of the fixing plate 50 By making the area of the fixing plate 50 smaller than the area of the base material 11 in this way, the rework can be performed without being disturbed by the end portion of the fixing plate 50, so that the rework of the flexible cable 112 can be easily performed. can do.
  • FIG. 15 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the area of the reinforcing substrate 40 was the same as the area of the base material 11.
  • the area of the reinforcing substrate 40 is larger than the area of the base material 11.
  • the specific area of the fixing plate 50 can be determined according to the size of the inside of the housing 120 for accommodating the radiation detector 10. Further, as shown in FIG. 15, the end portion of the reinforcing substrate 40 is located outside the end portion of the base material 11, that is, the sensor substrate 12.
  • the area of the fixing plate 50 is also larger than the area of the base material 11, and the end portion of the fixing plate 50 is similar to the radiation detector 10 of the modification 1. It is located outside the end of the sensor substrate 12.
  • the positions of the end portion of the fixing plate 50 and the end portion of the reinforcing substrate 40 are the same, and the length of the fixing plate 50 protruding from the sensor substrate 12 and the reinforcing substrate 40 Is the same as the length of.
  • the reinforcing substrate 40 By making the area of the reinforcing substrate 40 larger than the area of the base material 11 in this way, for example, by dropping the radiation imaging device 1, an impact is applied to the housing 120, and the side surface (irradiation surface) of the housing 120 is applied. When the surface intersecting with 120A) is recessed, the reinforcing substrate 40 interferes with the side surface of the housing 120. On the other hand, since the sensor substrate 12 itself has a smaller area than the reinforcing substrate 40, it is less likely to interfere with the side surface of the housing 120. Therefore, according to the radiation detector 10 of the present modification, it is possible to suppress the influence of the impact applied to the radiation imaging device 1 on the sensor substrate 12.
  • FIG. 16 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the radiation detector 10 shown in FIG. 3 above includes a reinforcing substrate 40.
  • the radiation detector 10 of this modified example shown in FIG. 16 does not include the reinforcing substrate 40 and the adhesive 42. By not providing the reinforcing substrate 40 in this way, the radiation detector 10 can be made lighter, so that the radiation imaging apparatus 1 can be made lighter.
  • FIG. 17 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the sealing member 72 that seals between the sensor substrate 12 and the fixing plate 50 is not provided on the terminal 113 and the flexible cable 112.
  • the space between the sensor substrate 12 and the fixing plate 50 is sealed by the sealing member 72 up to the ends of the sensor substrate 12 and the fixing plate 50.
  • the sealing member 72 is filled in the space surrounded by the fixing plate 50, the conversion layer 14 (protective layer 65), and the sensor substrate 12 up to the end of the sensor substrate 12 and the fixing plate 50.
  • a sealing member 72 is also provided on the terminal 113 and the flexible cable 112, and the terminal 113 and the flexible cable 112 are covered with the sealing member 72.
  • the radiation detector 10 is bent to the end of the radiation detector 10.
  • the rigidity can be increased. Further, it is possible to prevent the conversion layer 14 from peeling off from the sensor substrate 12. Further, since the sealing member 72 covers the terminal 113 and the flexible cable 112, it is possible to prevent the flexible cable 112 from peeling off from the terminal 113.
  • FIGS. 18A and 18B show an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the radiation detector 10 shown in FIGS. 2A to 3 above includes a sealing member 72 that seals between the sensor substrate 12 and the fixing plate 50.
  • the radiation detector 10 of this modified example shown in FIG. 18A does not include the sealing member 72. That is, the space between the sensor substrate 12 and the fixing plate 50 remains open. By not providing the sealing member 72 in this way, the radiation detector 10 can be made lighter, so that the radiation imaging apparatus 1 can be made lighter.
  • the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 may be sealed by the sealing member 78.
  • the sealing member 78 is preferably provided in a region extending from the first surface 50A of the fixing plate 50 to the surface of the protective layer 65 and not covering the pixel region 35.
  • a resin can be used as the material of the sealing member 78, and a thermoplastic resin is particularly preferable. Specifically, acrylic glue, urethane-based glue, or the like can be used as the sealing member 72.
  • FIGS. 19A to 19E show an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the end portion of the fixing plate 50 is supported by the support member 74. That is, one end of the support member 74 is connected to the flexible cable 112 or the first surface 11A of the base material 11, and the other end of the support member 74 is the first surface 50A of the fixing plate 50 via the adhesive layer 76. It is connected to the end of.
  • the support member 74 may be provided on the entire outer peripheral portion of the sensor substrate 12, or may be provided on a part of the outer peripheral portion.
  • the sealing member 72 is filled in the entire space surrounded by the support member 74, the fixing plate 50, the conversion layer 14 (protective layer 65), and the sensor substrate 12, and the sealing member 72 is used. It may be sealed.
  • the radiation detector 10 may not include the sealing member 72.
  • the position where the support member 74 is provided may be outside the sensor substrate 12.
  • the area of the reinforcing substrate 40 and the fixing plate 50 is larger than that of the base material 11, and the edges of the reinforcing substrate 40 and the fixing plate 50 are similar to the radiation detector 10 of the third modification.
  • the portion is located outside the end portion of the base material 11.
  • One end of the support member 74 is connected to the reinforcing substrate 40 or the flexible cable 112, and the other end of the support member 74 is connected to the end of the first surface 50A of the fixing plate 50 via the adhesive layer 76.
  • FIG. 19E shows a form in which the end portion of the fixing plate 50 is designated by the support member 74 in the region inside the region where the terminal 113 is provided on the first surface 11A of the base material 11. ..
  • one end of the support member 74 is connected to the first surface 11A of the base material 11, and the other end of the support member 74 is the first surface of the fixing plate 50 via the adhesive layer 76. It is connected to the end of 50A.
  • FIG. 20 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • a reflective layer 68 is provided between the fixing plate 50 and the conversion layer 14.
  • the reflective layer 68 covers the entire first surface 50A of the fixing plate 50.
  • the reflective layer 68 has a function of reflecting the light converted by the conversion layer 14.
  • the material of the reflective layer 68 is preferably made of a metal or a resin material containing a metal oxide.
  • the material of the reflective layer 68 for example, white PET, TiO 2 , Al 2 O 3 , foamed white PET, specular reflective aluminum and the like can be used.
  • the white PET is a PET to which a white pigment such as TiO 2 or barium sulfate is added, and the foamed white PET is a white PET having a porous surface.
  • the material of the reflective layer 68 a laminated film of a resin film and a metal film may be used.
  • the laminated film of the resin film and the metal film include a sheet of Alpet (registered trademark).
  • the thickness of the reflective layer 68 is preferably 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • FIG. 21 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • the conversion layer 14 and the fixing plate 50 of the radiation detector 10 of this modified example are covered with a moisture-proof film 66.
  • the conversion layer 14 formed on the fixing plate 50 is integrated, and the entire conversion layer 14 is covered with the moisture-proof film 66.
  • the moisture-proof film 66 for example, a parylene (registered trademark) film, an insulating sheet such as polyethylene terephthalate, and a laminated film of a resin film and a metal film are used.
  • the laminated film of the resin film and the metal film include a sheet of Alpet (registered trademark).
  • FIG. 22 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • FIG. 22 shows a radiation detector 10 in which the step of providing the conversion layer 14 on the first surface 11A of the base material 11 in the manufacturing method is different from the method described with reference to FIG. 5C. ing. Further, in the method of manufacturing the radiation detector 10 shown in FIG. 22, the timing of electrically connecting the flexible cable 112 to the sensor substrate 12 is different from the timing described with reference to FIG. 5D.
  • the terminal 113 is formed on the first surface 11A of the base material 11 before the conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11, and further.
  • the terminal 113 and the flexible cable 112 are electrically connected.
  • the support member 74 is provided on the flexible cable 112.
  • the support member 74 may be provided on the first surface 50A of the fixing plate 50.
  • an uncured sealing member 72 is provided in a region extending from the peripheral edge portion 14B of the conversion layer 14 formed on the fixing plate 50 to the first surface 50A of the fixing plate 50.
  • the conversion layer 14 formed on the fixing plate 50 and provided with the uncured sealing member 72 is arranged on the first surface 11A of the base material 11.
  • the internal space 79 formed by the base material 11, the fixing plate 50, the sealing member 72, and the support member 74 is, for example, 0.2 atm to 0.5 atm or the like using a decompression pump or the like.
  • the pressure is reduced to a pressure lower than the atmospheric pressure of.
  • the base is formed from the outside to the internal space 79 side at the atmospheric pressure.
  • the material 11 (sensor substrate 12) and the fixing plate 50 are pressed.
  • the conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11 in this way.
  • the conversion layer 14 is provided on the first surface 11A of the base material 11 by pressing the base material 11 and the fixing plate 50 at atmospheric pressure, which is shown in FIG. 22. As described above, the conversion layer 14 and the base material 11 are in close contact with each other without providing the adhesive layer 70.
  • FIG. 23 shows an example of a cross-sectional view of the radiation detector 10 of this modified example, which corresponds to the cross-sectional view taken along the line AA of the radiation detector 10 shown in FIG.
  • a reinforcing substrate 82 covering the entire upper surface of the conversion layer 14 is provided on the conversion layer 14 via an adhesive 80.
  • the reinforcing substrate 82 has a function of reinforcing the bending rigidity of the sensor substrate 12. Therefore, the reinforcing substrate 82 has higher flexural rigidity than the base material 11, and the dimensional change (deformation) with respect to the force applied in the direction perpendicular to the surface facing the conversion layer 14 is the first surface of the base material 11. It is smaller than the dimensional change with respect to the force applied in the direction perpendicular to 11A. Further, the thickness of the reinforcing substrate 82 of this modified example is thicker than the thickness of the base material 11.
  • the reinforcing substrate 82 preferably has the same flexural modulus and flexural rigidity as the reinforcing substrate 40 described above. Therefore, as the material of the reinforcing substrate 82, the same material as that of the reinforcing substrate 40 can be applied.
  • the outer peripheral portion is bent so as to follow the inclination of the peripheral portion 14B of the conversion layer 14, and the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are the first surfaces of the base material 11. It also covers the portion covering 11A and the first surface 11A of the base material 11 outside the portion. That is, the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are sealed by the reinforcing substrate 82.
  • the portion of the reinforcing substrate 82 extending on the sensor substrate 12 is adhered to the first surface 11A of the substrate 11 via the pressure-sensitive adhesive 80.
  • the reinforcing substrate 82 covers the upper surface of the conversion layer 14, the bending rigidity of the sensor substrate 12 can be improved. Further, in the radiation detector 10 of the present modification, since the ends of the adhesive layer 64 and the protective layer 65 are covered with the reinforcing substrate 82, peeling of the protective layer 65 can be suppressed.
  • the region where the reinforcing substrate 82 covers the first surface 11A of the base material 11, that is, the region where the reinforcing substrate 82 extends on the sensor substrate 12 is not limited to the form shown in FIG. 23.
  • it may be a region up to an end portion which is the outer edge of the sensor substrate 12 (base material 11).
  • Modification 12 In the present modification with respect to the first to third embodiments, a modification of the stored state of the radiation detector 10 in the radiation imaging apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 24A and 24B.
  • 24A and 24B are examples of cross-sectional views of the radiation imaging apparatus 1 of this modified example.
  • the reinforcing substrate 40 is in contact with the inner wall surface of the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120.
  • the radiation detector 10 and the inner wall surface of the housing 120 may be adhered to each other via an adhesive layer, or may simply be in contact with each other without the adhesive layer.
  • the reinforcing substrate 40 is adopted as the top plate on the irradiation surface 120A side of the housing 120.
  • the area of the reinforcing substrate 40 is larger than the area of the sensor substrate 12, and the end portion of the reinforcing substrate 40 projects outward from the end portion of the sensor substrate 12.
  • the radiation detector 10 is mounted on the housing by fitting the reinforcing substrate 40 into the opening portion of the housing 120 having an opening state in the top plate portion on the irradiation surface 120A side. It is stored inside 120.
  • the thickness of the housing 120 By using the reinforcing substrate 40 of the radiation detector 10 as the top plate of the housing 120 in this way, the thickness of the housing 120, more specifically, the thickness in the direction of radiation transmission can be made smaller. This makes it possible to reduce the thickness of the radiation imaging apparatus 1. Further, since the top plate of the housing 120 itself is not required, the radiation imaging device 1 can be further reduced in weight.
  • the radiation imaging device 1 of this modified example shown in FIG. 25A exemplifies a configuration in which a radiation detector 10, a control board 110, and a power supply unit 108 are juxtaposed in the horizontal direction in the figure.
  • the drive board 200 and the signal processing board 300 are not shown.
  • a sheet 116 is further provided in the housing 120 on the side where the radiation transmitted through the radiation detector 10 is emitted.
  • the sheet 116 include a copper sheet.
  • the copper sheet is less likely to generate secondary radiation due to the incident radiation, and therefore has a function of preventing scattering to the rear, that is, to the conversion layer 14 side. It is preferable that the sheet 116 covers at least the entire surface of the conversion layer 14 on the side where the radiation is emitted, and also covers the entire conversion layer 14.
  • FIG. 25A shows a form in which both the power supply unit 108 and the control board 110 are provided on one side of the radiation detector 10, specifically, on one side of the rectangular pixel region 35.
  • the positions where the power supply unit 108 and the control board 110 are provided are not limited to the form shown in FIG. 25A.
  • the power supply unit 108 and the control board 110 may be provided distributed on each of the two opposing sides of the pixel region 35, or may be provided distributed on each of the two adjacent sides.
  • the power supply unit 108 when the radiation detector 10, the control board 110, and the power supply unit 108 are arranged side by side in a direction intersecting the direction in which the sensor board 12 and the conversion layer 14 are laminated, the power supply unit The thickness of the housing 120 may be different between the portion of the housing 120 provided with each of the 108 and the control board 110 and the portion of the housing 120 provided with the radiation detector 10.
  • each of the power supply unit 108 and the control board 110 is often thicker than the radiation detector 10.
  • the housing 120 provided with the radiation detector 10 is thicker than the thickness of the housing 120 provided with each of the power supply unit 108 and the control board 110.
  • the thickness of the portion may be thinner. In this way, when the thickness is different between the portion of the housing 120 provided with each of the power supply unit 108 and the control board 110 and the portion of the housing 120 provided with the radiation detector 10. If there is a step at the boundary between the two portions, there is a concern that the subject who comes into contact with the boundary 120B may feel uncomfortable. Therefore, the shape of the boundary 120B is preferably inclined. Further, the portion of the housing 120 in which each of the power supply unit 108 and the control board 110 is housed and the part of the housing 120 in which the housing 120 is housed may be formed of different materials.
  • the radiation imaging device 1 of this modification it is possible to configure an ultra-thin radiation imaging device 1 according to the thickness of the radiation detector 10.
  • the radiation imaging device 1, the radiation detector 10, and the manufacturing method thereof are not limited to the modes described with reference to FIGS. 1 to 25B.
  • the present invention is not limited to this, and for example, a one-dimensional arrangement or a honeycomb arrangement may be used.
  • the shape of the pixel is not limited, and it may be a rectangle or a polygon such as a hexagon. Further, it goes without saying that the shape of the pixel region 35 is not limited.
  • the configuration, manufacturing method, and the like of the radiation imaging device 1 and the radiation detector 10 in the above embodiment and each modification are examples, and can be changed depending on the situation within a range that does not deviate from the gist of the present invention. Needless to say.
  • Radiation imaging device 10 Radiation detector 11 Base material, 11A 1st surface, 11B 2nd surface 12 Sensor substrate 14 Conversion layer, 14A Central part, 14B Peripheral part 30 pixels 32 TFT (switching element) 34 Sensor unit 35 Pixel area 36 Signal wiring 38 Scanning wiring 39 Common wiring 40, 82 Reinforcing board 42, 80 Adhesive 50 Fixing plate, 50A First surface, 50B Second surface 52 Fixing plate 60 Adhesive layer 62 Reflective layer 64 Adhesive layer 65 Protective layer 66 Moisture-proof film 68 Reflective layer 70, 71 Adhesive layer 72 Sealing member 74 Support member 76 Adhesive layer 78 Sealing member 79 Internal space 100 Control unit, 100A CPU, 100B memory, 100C storage unit 102 Drive unit 104 Signal processing unit 106 Image memory 108 Power supply unit 110 Control board 112, 112A, 112B Flexible cable 113 Terminal 114 Power supply line 116 Sheet 120 Housing, 120A Irradiation surface, 120B Boundary 200 Drive board 210 Drive

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Abstract

放射線画像撮影装置の製造方法は、支持体に、可撓性の基材を設け、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられたセンサ基板を形成する工程と、放射線を光に変換する変換層を、固定板に形成する工程と、基材の画素が設けられた第１の面に、固定板と反対側の面とを対向させた状態で変換層を設ける工程と、フレキシブルケーブルの一端を、センサ基板に固定する工程と、フレキシブルケーブルを固定板に固定する工程と、変換層及び固定板が設けられたセンサ基板を、支持体から剥離する工程とを備える。

Description

放射線画像撮影装置の製造方法
　本発明は、放射線画像撮影装置の製造方法に関する。
　従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
　放射線検出器としては、放射線を光に変換するシンチレータ等の変換層と、変換層で変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板と、を備えたものがある。このような放射線検出器のセンサ基板の基材として、可撓性の基材を用いたものが知られている（例えば、特開２０１８－１５５６９９号公報参照）。可撓性の基材を用いることにより、放射線画像撮影装置を軽量化でき、また、被写体の撮影が容易となる場合がある。
　ところで、可撓性の基材を用いた放射線画像撮影装置の製造中に、可撓性の基材を用いた基板を撓ませることがある。フレキシブルケーブルが接続された状態の基板を撓ませた場合、フレキシブルケーブルによって基板等に不具合が生じる場合がある。
　本開示は、製造中に基板が撓んだ場合に、基板に接続されたフレキシブルケーブルによって生じる不具合を抑制することができる、放射線画像撮影装置の製造方法を提供する。
　本開示の第１の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、支持体に、可撓性の基材を設け、基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、基材の画素が設けられた面に、放射線を光に変換する変換層を設ける工程と、回路部に接続されるフレキシブルケーブルの一端を、基板に接続する工程と、変換層の、基板側の面と反対側の面に、固定板を設ける工程と、フレキシブルケーブルを固定板に固定する工程と、変換層及び固定板が設けられた基板を、支持体から剥離する工程と、を備える。
　本開示の第２の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、支持体に、可撓性の基材を設け、基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、放射線を光に変換する変換層を、固定板に形成する工程と、基材の画素が設けられた面に、固定板と反対側の面とを対向させた状態で変換層を設ける工程と、回路部に接続されるフレキシブルケーブルの一端を、基板に接続する工程と、フレキシブルケーブルを固定板に固定する工程と、変換層及び固定板が設けられた基板を、支持体から剥離する工程と、を備える。
　また、本開示の第３の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様または第２の態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、フレキシブルケーブルを、固定板の変換層が設けられた面と反対側の面に固定する。
　また、本開示の第４の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様または第２の態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、フレキシブルケーブルを、固定板の変換層が設けられた面に固定する。
　また、本開示の第５の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様から第４の態様のいずれか１態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、基板を、支持体から剥離する工程の前に、回路部とフレキシブルケーブルとを電気的に接続する工程と、固定板の変換層が設けられた面と反対側の面に、回路部を固定する工程と、をさらに備える。
　また、本開示の第６の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様から第５の態様のいずれか１態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、変換層を、基材の画素が設けられた面に減圧封止法により密着させることで、基材の画素が設けられた面に変換層を設ける。
　また、本開示の第７の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様から第６の態様のいずれか１態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、基板を支持体から剥離した後、基板の変換層が設けられた面と反対側の面に、基材よりも剛性が高い補強基板を設ける工程をさらに備える。
　また、本開示の第８の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第７の態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、補強基板を天板とする筐体に、基板、変換層、固定板、及び回路部を収納する工程をさらに備える。
　また、本開示の第９の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様から第７の態様のいずれか１態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、放射線が照射される側から順に、基板、基板、変換層、固定板、及び回路部の配置順で筐体に収納する工程をさらに備える。
　また、本開示の第１０の態様の放射線画像撮影装置の製造方法は、第１の態様から第９の態様のいずれか１態様の放射線画像撮影装置の製造方法において、固定板の材料の主成分は、カーボンである。
　本開示によれば、製造中に基板が撓んだ場合に、基板に接続されたフレキシブルケーブルによって生じる不具合を抑制することができる。
実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。 実施形態の放射線検出器の一例を基材の第１の面側からみた平面図である。 実施形態の放射線検出器の一例の平面図である。 図２Ａに示した第１実施形態の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第１実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第２実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第３実施形態の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 第３実施形態の放射線画像撮影装置の一例の断面図である。 第３実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第３実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第３実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第３実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の一例を説明する図である。 第３実施形態の放射線画像撮影装置の製造方法の他の例を説明する図である。 変形例１の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例２の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例３の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例４の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例５の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例６の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例６の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例７の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例７の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例７の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例７の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例７の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例８の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例９の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１０の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１１の放射線検出器のＡ－Ａ線断面図である。 変形例１２の放射線画像撮影装置の断面図である。 変形例１２の放射線画像撮影装置の断面図である。 変形例１３の放射線画像撮影装置の断面図である。 変形例１３の放射線画像撮影装置の断面図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
［第１実施形態］
　本実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像情報を出力する機能を有する。本実施形態の放射線検出器は、センサ基板と、放射線を光に変換する変換層と、を備えている（図２Ｂ、放射線検出器１０のセンサ基板１２及び変換層１４参照）。本実施形態のセンサ基板１２が、本開示の基板の一例である。
　まず、図１を参照して本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の構成の一例の概略を説明する。図１は、本実施形態の放射線画像撮影装置における電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
　図１に示すように、本実施形態の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８を備える。
　放射線検出器１０は、センサ基板１２と、放射線を光に変換する変換層（図２Ｂ参照）と、を備える。センサ基板１２は、可撓性の基材１１と、基材１１の第１の面１１Ａに設けられた複数の画素３０と、を備えている。なお、以下では、複数の画素３０について、単に「画素３０」という場合がある。本実施形態における第１の面１１Ａが、本開示における基材の画素が設けられた面の一例である。また、本実施形態における基材１１の第１の面１１Ａと反対側の第２の面１１Ｂが、本開示における基材の画素が設けられた面と反対側の面の一例である。
　図１に示すように本実施形態の各画素３０は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積するセンサ部３４、及びセンサ部３４にて蓄積された電荷を読み出すスイッチング素子３２を備える。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）をスイッチング素子３２として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子３２を「ＴＦＴ３２」という。本実施形態では、センサ部３４及びＴＦＴ３２が形成され、さらに平坦化された層として基材１１の第１の面１１Ａに画素３０が形成された層が設けられる。
　画素３０は、センサ基板１２の画素領域３５に、一方向（図１の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう）及び行方向に対する交差方向（図１の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう）に沿って二次元状に配置されている。図１では、画素３０の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素３０は行方向及び列方向に１０２４個×１０２４個配置される。
　また、放射線検出器１０には、画素３０の行毎に備えられた、ＴＦＴ３２のスイッチング状態（オン及びオフ）を制御するための複数の走査配線３８と、画素３０の列毎に備えられた、センサ部３４に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線３６と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線３８の各々は、それぞれフレキシブルケーブル１１２Ａ（図２Ｂ参照）を介して、駆動部１０２に接続されることにより、駆動部１０２から出力される、ＴＦＴ３２を駆動してスイッチング状態を制御する駆動信号が、複数の走査配線３８の各々に流れる。また、複数の信号配線３６の各々が、それぞれフレキシブルケーブル１１２Ｂ（図２Ｂ参照）を介して、信号処理部１０４に接続されることにより、各画素３０から読み出された電荷が、電気信号として信号処理部１０４に出力される。信号処理部１０４は、入力された電気信号に応じた画像データを生成して出力する。なお、本実施形態においてフレキシブルケーブル１１２に関して「接続」という場合、電気的な接続を意味する。
　信号処理部１０４には後述する制御部１００が接続されており、信号処理部１０４から出力された画像データは制御部１００に順次出力される。制御部１００には画像メモリ１０６が接続されており、信号処理部１０４から順次出力された画像データは、制御部１００による制御によって画像メモリ１０６に順次記憶される。画像メモリ１０６は所定の枚数分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ１０６に順次記憶される。
　制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１００Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）とＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むメモリ１００Ｂ、及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶部１００Ｃを備えている。制御部１００の一例としては、マイクロコンピュータ等が挙げられる。制御部１００は、放射線画像撮影装置１の全体の動作を制御する。
　なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１では、画像メモリ１０６及び制御部１００等は、制御基板１１０に形成されている。
　また、各画素３０のセンサ部３４には、各画素３０にバイアス電圧を印加するために、共通配線３９が信号配線３６の配線方向に設けられている。共通配線３９が、センサ基板１２の外部のバイアス電源（図示省略）に接続されることにより、バイアス電源から各画素３０にバイアス電圧が印加される。
　電源部１０８は、制御部１００、駆動部１０２、信号処理部１０４、画像メモリ１０６、及び電源部１０８等の各種素子や各種回路に電力を供給する。なお、図１では、錯綜を回避するために、電源部１０８と各種素子や各種回路を接続する配線の図示を省略している。
　さらに、放射線検出器１０について詳細に説明する。図２Ａは、本実施形態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図の一例である。図２Ｂには、図２Ａにおいて折りたたまれているフレキシブルケーブル１１２を展開した状態の放射線検出器１０を、基材１１の第１の面１１Ａ側からみた平面図の一例である。また、図３は、図２における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図の一例である。
　基材１１は、可撓性を有し、例えば、ＰＩ（PolyImide：ポリイミド）等のプラスチックを含む樹脂シートである。基材１１の厚みは、材質の硬度、及びセンサ基板１２の大きさ、すなわち第１の面１１Ａまたは第２の面１１Ｂの面積等に応じて、所望の可撓性が得られる厚みであればよい。可撓性を有する例としては、矩形状の基材１１単体の場合に、基材１１の１辺を固定した状態で、固定した辺より１０ｃｍ離れた位置で基材１１の自重による重力で２ｍｍ以上、基材１１が垂れ下がる（固定した辺の高さよりも低くなる）ものを指す。基材１１が樹脂シートの場合の具体例としては、厚みが５μｍ～１２５μｍのものであればよく、厚みが２０μｍ～５０μｍのものであればより好ましい。
　なお、基材１１は、画素３０の製造に耐え得る特性を有しており、本実施形態では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ－Ｓｉ ＴＦＴ）の製造に耐え得る特性を有している。このような、基材１１が有する特性としては、３００℃～４００℃における熱膨張率（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion)が、アモルファスシリコン（Ｓｉ）ウェハと同程度（例えば、±５ｐｐｍ／Ｋ）であることが好ましく、具体的には、基材１１の３００℃～４００℃における熱膨張率が２０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。また、基材１１の熱収縮率としては、厚みが２５μｍの状態において４００℃における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。また、基材１１の弾性率は、３００℃～４００℃間の温度領域において、一般的なＰＩが有する転移点を有さず、５００℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。
　また、本実施形態の基材１１は、自身による後方散乱線を抑制するために、平均粒子径が０．０５μｍ以上、２．５μｍ以下の、後方散乱線を吸収する無機の微粒子を含む微粒子層を有することが好ましい。なおこのような無機の微粒子としては、樹脂性の基材１１の場合、原子番号が、基材１１である有機物を構成する原子よりも大きく、かつ３０以下である無機物を用いることが好ましい。このような微粒子の具体例としては、原子番号が１４のＳｉの酸化物であるＳｉＯ２、原子番号が１２のＭｇの酸化物であるＭｇＯ、原子番号が１３のＡｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３、及び原子番号が２２のＴｉの酸化物であるＴｉＯ２等が挙げられる。このような特性を有する樹脂シートの具体例としては、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）が挙げられる。
　なお、本実施形態における上記の厚みについては、マイクロメーターを用いて測定した。熱膨張率については、ＪＩＳ　Ｋ７１９７：１９９１に則して測定した。なお測定は、基材１１の主面から、１５度ずつ角度を変えて試験片を切り出し、切り出した各試験片について熱膨張率を測定し、最も高い値を基材１１の熱膨張率とした。熱膨張率の測定は、ＭＤ（Machine Direction）方向およびＴＤ（Transverse Direction）方向のそれぞれについて、－５０℃～４５０℃において１０℃間隔で行い、（ｐｐｍ／℃）を（ｐｐｍ／Ｋ）に換算した。熱膨張率の測定には、ＭＡＣサイエンス社製　ＴＭＡ４０００Ｓ装置を用い、サンプル長さを１０ｍｍ、サンプル幅を２ｍｍ、初荷重を３４．５ｇ／ｍｍ２、昇温速度を５℃／ｍｉｎ、及び雰囲気をアルゴンとした。
　所望の可撓性を有する基材１１としては、樹脂シート等、樹脂製のものに限定されない。例えば、基材１１は、厚みが比較的薄いガラス基板等であってもよい。基材１１がガラス基板の場合の具体例としては、一般に、一辺が４３ｃｍ程度のサイズでは、厚さが０．３ｍｍ以下ならば可撓性を有しているため、厚さが０．３ｍｍ以下のものであれば所望のガラス基板であってもよい。
　図２Ａ～図３に示すように、複数の画素３０は、基材１１の第１の面１１Ａに設けられている。本実施形態では、基材１１の第１の面１１Ａにおける画素３０が設けられた領域を画素領域３５としている。
　また、基材１１の第１の面１１Ａには、粘着層７０によって変換層１４が設けられている。変換層１４は、蛍光体を含み、放射線を光に変換する機能を有する。本実施形態では、変換層１４の一例としてＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を蛍光体として含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４００ｎｍ～７００ｎｍであるＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含むことが好ましい。なお、ＣｓＩ：Ｔｌの可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
　本実施形態の変換層１４は、基材１１側とは反対側に設けられている固定板５０の第１の面５０Ａに直接、形成される。例えば、上記のように変換層１４がＣｓＩを含むシンチレータの場合、固定板５０を基板とする気相堆積法により、固定板５０に直接、変換層１４が形成される。また、本実施形態と異なり、変換層１４が、例えば、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等の蛍光体を含むシンチレータの場合、蛍光体を分散させた樹脂等のバインダを、固定板５０に塗布することにより、固定板５０に直接、変換層１４が形成される。なお、変換層１４にＣｓＩを用いる場合の方が、ＧＯＳを用いる場合に比べて、放射線から可視光への変換効率が高くなる。
　固定板５０は、詳細を後述する放射線画像撮影装置１の製造方法において、センサ基板１２を支持体４００（図５Ａ～図５Ｆ等参照）から剥離する前に、フレキシブルケーブル１１２を固定するための基板である。また、本実施形態の固定板５０は、駆動基板２００、信号処理基板３００、及び制御基板１１０を支持するための基台である。本実施形態の駆動基板２００、信号処理基板３００、及び制御基板１１０の少なくとも１つが、本開示の回路部の一例である。以下、駆動基板２００、信号処理基板３００、及び制御基板１１０を総称する場合、「回路部」という。具体的には、固定板５０の第２の面５０Ｂに、フレキシブルケーブル１１２によって画素３０と接続された駆動基板２００、信号処理基板３００、及び制御基板１１０の各々が固定される（図４も参照）。固定板５０の材料としては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、及びＬｉの少なくとも一つを含む金属、及びカーボン等が好ましく、カーボンを主成分として含む材料がより好ましい。
　固定板５０は、回路部を支持する観点からは、曲げ剛性が高いことが好ましく、少なくとも基材１１よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、固定板５０の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、固定板５０に用いる材料は、曲げ弾性率が１０００ＭＰａ以上、４００００ＭＰａ以下であることが好ましい。また、固定板５０の曲げ剛性は、３６０００Ｐａｃｍ４以上、２２４００００Ｐａｃｍ４以下であることが好ましい。
　また、固定板５０の厚さは、上述した所望の曲げ弾性率、及び曲げ剛性が得られる厚さであればよいが、放射線検出器１０全体の厚さを考慮すると、固定板５０の厚さは、０．１ｍｍ以上、０．２５ｍｍ以下であることが好ましい。また、一例として、本実施形態の固定板５０の大きさ、具体的には、基材１１の第１の面１１Ａと対向する第１の面５０Ａの面積は、基材１１の第１の面１１Ａと同一としている。なお、本実施形態において「同一」及び「同じ」とは、誤差とみなせる範囲も含んで同一であることをいう。
　図３に示すように、本実施形態の変換層１４は、その外縁に向けて厚さが徐々に薄くなる傾斜を有して形成される。以下において、製造誤差及び測定誤差を無視した場合の厚さが略一定とみなせる、変換層１４の中央領域を中央部１４Ａという。また、変換層１４の中央部１４Ａの平均厚さに対して例えば９０％以下の厚さを有する、変換層１４の外周領域を周縁部１４Ｂという。すなわち、変換層１４は、周縁部１４Ｂにおいて固定板５０に対して傾斜した傾斜面を有する。なお、以下では、説明の便宜状、変換層１４を基準として上または下という場合、固定板５０に接する側を「下」といい、センサ基板１２と対向する側を「上」という。例えば、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜面は、変換層１４の上側から下側に向けて徐々に広がる状態に傾斜している。
　また、図３に示すように、本実施形態の変換層１４の上には、接着層６４、及び保護層６５が設けられている。
　接着層６４は変換層１４の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、固定板５０の第１の面５０Ａにまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部において固定板５０に接着している。接着層６４は、保護層６５を変換層１４に固定する機能を有する。接着層６４は、光透過性を有していることが好ましい。接着層６４の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。接着層６４の厚さは、２μｍ以上、７μｍ以下であることが好ましい。接着層６４の厚さを２μｍ以上とすることで、保護層６５を変換層１４上に固定する効果を十分に発揮することができる。また、接着層６４の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）及びＤＱＥ（Detective Quantum Efficiency）の低下を抑制することが可能となる。
　保護層６５は、変換層１４の全体を覆うとともに、その端部が固定板５０の第１の面５０Ａの一部を覆う状態に設けられている。保護層６５は、変換層１４への水分の浸入を防止する防湿膜として機能する。保護層６５の材料として、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate：ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide：ポリフェニレンサルファイド）、ＯＰＰ（Oriented PolyPropylene：二軸延伸ポリプロピレンフィルム）、ＰＥＮ（PolyEthylene Naphthalate：ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ等の有機材料を含む有機膜や、パリレン（登録商標）を用いることができる。また、保護層６５として、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、アルペット（登録商標）のシートが挙げられる。
　また、図３に示すように、センサ基板１２と固定板５０との間が、封止部材７２によって封止されている。具体的には、センサ基板１２と固定板５０との間の、変換層１４の周縁部１４Ｂに対応する領域、及びさらにその外側の領域において、変換層１４（保護層６５）、センサ基板１２、及び固定板５０によって形成された空間に封止部材７２が設けられている。また、図３に示すように、封止部材７２は、端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２の上には設けられていない。封止部材７２の材料は特に限定されず、例えば、樹脂を用いることが可能である。このように、センサ基板１２と固定板５０との間に形成された空間に、封止部材７２を充填することで、放射線検出器１０の曲げ剛性を高くすることができる。また、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができる。
　また、図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０のセンサ基板１２における、基材１１の第２の面１１Ｂ側には、粘着剤４２を介して補強基板４０が設けられている。
　補強基板４０は、基材１１の強度を補強する機能を有する。本実施形態の補強基板４０は、基材１１よりも曲げ剛性が高く、変換層１４と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１の第２の面１１Ｂに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。補強基板４０の素材としては、例えば、カーボンやプラスチック等が挙げられる。なお、補強基板４０は、複数の素材を含んでいてもよく、例えば、プラスチックと、カーボンとの積層体であってもよい。
　なお具体的には、補強基板４０の曲げ剛性は、基材１１の曲げ剛性の１００倍以上であることが好ましい。また、本実施形態の補強基板４０の厚みは、基材１１の厚みよりも厚い。例えば、基材１１として、ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、補強基板４０の厚みは０．２ｍｍ～０．２５ｍｍ程度が好ましい。
　具体的には、本実施形態の補強基板４０は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下の素材を用いることが好ましい。補強基板４０は、基材１１の撓みを抑制する観点からは、基材１１よりも曲げ剛性が高いことが好ましい。なお、曲げ弾性率が低くなると曲げ剛性も低くなり、所望の曲げ剛性を得るためには、補強基板４０の厚みを厚くしなくてはならず、放射線検出器１０全体の厚みが増大してしまう。上述の補強基板４０の材料を考慮すると、１４００００Ｐａｃｍ４を越える曲げ剛性を得ようとする場合、補強基板４０の厚みが、比較的厚くなってしまう傾向がある。そのため、適切な剛性が得られ、かつ放射線検出器１０全体の厚みを考慮すると、補強基板４０に用いる素材は、曲げ弾性率が１５０ＭＰａ以上、２５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。また、補強基板４０の曲げ剛性は、５４０Ｐａｃｍ４以上、１４００００Ｐａｃｍ４以下であることが好ましい。
　また、本実施形態の補強基板４０の熱膨張率は、変換層１４の材料の熱膨張率に近い方が好ましく、より好ましくは、変換層１４の熱膨張率に対する補強基板４０の熱膨張率の比（補強基板４０の熱膨張率／変換層１４の熱膨張率）が、０．５以上、２以下であることが好ましい。このような補強基板４０の熱膨張率としては、３０ｐｐｍ／Ｋ以上、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、変換層１４がＣｓＩ：Ｔｌを材料とする場合、熱膨張率は、５０ｐｐｍ／Ｋである。この場合、変換層１４に比較的近い材料としては、熱膨張率が６０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／ＫであるＰＶＣ（Polyvinyl Chloride：ポリ塩化ビニル）、熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋ～８０ｐｐｍ／Ｋであるアクリル、熱膨張率が６５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／ＫであるＰＥＴ、熱膨張率が６５ｐｐｍ／ＫであるＰＣ（Polycarbonate：ポリカーボネート）、及び熱膨張率が４５ｐｐｍ／Ｋ～７０ｐｐｍ／Ｋであるテフロン(登録商標)等が挙げられる。さらに、上述した曲げ弾性率を考慮すると、補強基板４０の材料としては、ＰＥＴ、及びＰＣの少なくとも一方を含む材料であることがより好ましい。
　補強基板４０は、弾力性の観点からは、降伏点を有する材料を含むことが好ましい。なお、本実施形態において「降伏点」とは、材料を引っ張った場合に、応力が一旦、急激に下がる現象をいい、応力とひずみとの関係を表す曲線上で、応力が増えずにひずみが増える点のことをいい、材料について引っ張り強度試験を行った際の応力－ひずみ曲線における頂部を指す。降伏点を有する樹脂としては、一般的に、硬くて粘りが強い樹脂、及び柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂が挙げられる。硬くて粘りが強い樹脂としては、例えば、ＰＣ等が挙げられる。また、柔らかくて粘りが強く、かつ中程度の強度の樹脂としては、例えば、ポリプロピレン等が挙げられる。
　本実施形態の補強基板４０を、プラスチックを材料とした基板とした場合、上述した理由から熱可塑性の樹脂であることが好ましく、ＰＣ、ＰＥＴ、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、ナイロン、ポリプロピレン、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、エンプラ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つが挙げられる。なお、補強基板４０は、これらのうち、ポリプロピレン、ＡＢＳ、エンプラ、ＰＥＴ、及びポリフェニレンエーテルの少なくとも一つであることが好ましく、スチロール、アクリル、ポリアセターゼ、及びナイロンの少なくとも一つであることがより好ましく、ＰＣ及びＰＥＴの少なくとも一つであることがさらに好ましい。
　一方、図２Ｂに示すように、基材１１の外縁部には複数（図２Ｂでは、１６個）の端子１１３が設けられている。端子１１３としては、異方性導電フィルム等が用いられる。図２Ｂ及び図３に示すように、複数の端子１１３の各々には、フレキシブルケーブル１１２が電気的に接続されている。具体的には、図２Ｂに示すように、基材１１の一辺に設けられた複数（図２Ｂでは８個）の端子１１３の各々に、フレキシブルケーブル１１２Ａが熱圧着されている。フレキシブルケーブル１１２Ａは、いわゆるＣＯＦ（Chip on Film）であり、フレキシブルケーブル１１２Ａには、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２１０が搭載されている。駆動ＩＣ２１０は、フレキシブルケーブル１１２Ａに含まれる複数の信号線に接続されている。なお、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ａ及び後述するフレキシブルケーブル１１２Ｂについて、各々を区別せずに総称する場合、単に「フレキシブルケーブル１１２」という。
　フレキシブルケーブル１１２Ａにおける、センサ基板１２の端子１１３と電気的に接続された一端と反対側の他端は、駆動基板２００に電気的に接続される。一例として、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ａに含まれる複数の信号線（図示省略）は、駆動基板２００に熱圧着されることにより、駆動基板２００に搭載された回路及び素子等（図示省略）と電気的に接続される。なお、駆動基板２００とフレキシブルケーブル１１２Ａとを電気的に接続する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、コネクタにより、電気的に接続する形態としてもよい。このようなコネクタとしては、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタ等が挙げられる。
　本実施形態の駆動基板２００は、可撓性のＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板であり、いわゆるフレキシブル基板である。また、駆動基板２００に搭載される回路部品（図示省略）は主にデジタル信号の処理に用いられる部品（以下、「デジタル系部品」という）である。デジタル系部品は、後述するアナログ系部品よりも、比較的面積（大きさ）が小さい傾向がある。デジタル系部品の具体例としては、デジタルバッファ、バイパスコンデンサ、プルアップ／プルダウン抵抗、ダンピング抵抗、及びＥＭＣ（Electro Magnetic Compatibility）対策チップ部品、及び電源ＩＣ等が挙げられる。なお、駆動基板２００は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、非可撓性のリジッド基板であってもよいし、リジッドフレキ基板を用いてもよい。
　図２Ａ及び図３に示すように、駆動基板２００は、固定板５０に固定される。一例として、本実施形態では、駆動基板２００を固定板５０の第２の面５０Ｂにネジ止めすることにより、駆動基板２００を固定板５０に固定する。なお、駆動基板２００を固定板５０に固定する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、粘着剤によって、駆動基板２００を固定板５０に固定してもよい。
　本実施形態では、駆動基板２００と、フレキシブルケーブル１１２Ａに搭載された駆動ＩＣ２１０とにより、駆動部１０２が実現される。なお、駆動ＩＣ２１０には、駆動部１０２を実現する各種回路及び素子のうち、駆動基板２００に搭載されているデジタル系部品と異なる回路が含まれる。
　一方、フレキシブルケーブル１１２Ａが電気的に接続された基材１１の一辺と交差する辺に設けられた複数（図２Ｂでは８個）の端子１１３の各々には、フレキシブルケーブル１１２Ｂが電気的に接続されている。フレキシブルケーブル１１２Ｂは、フレキシブルケーブル１１２Ａと同様に、いわゆるＣＯＦ（Chip on Film）であり、フレキシブルケーブル１１２Ｂには、信号処理ＩＣ３１０が搭載されている。信号処理ＩＣ３１０は、フレキシブルケーブル１１２Ｂに含まれる複数の信号線（図示省略）に接続されている。
　フレキシブルケーブル１１２Ｂにおける、センサ基板１２の端子１１３と電気的に接続された一端と反対側の他端は、信号処理基板３００に電気的に接続される。一例として、本実施形態では、フレキシブルケーブル１１２Ｂに含まれる複数の信号線は、信号処理基板３００に熱圧着されることにより、信号処理基板３００に搭載された回路及び素子等（図示省略）と接続される。なお、信号処理基板３００とフレキシブルケーブル１１２Ｂとを電気的に接続する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、コネクタにより、電気的に接続する形態としてもよい。このようなコネクタとしては、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）構造のコネクタや、Ｎｏｎ－ＺＩＦ構造のコネクタ等が挙げられる。また、フレキシブルケーブル１１２Ａと駆動基板２００とを電気的に接続する方法と、フレキシブルケーブル１１２Ｂと信号処理基板３００とを電気的に接続する方法は、同様で有ってもよいし、異なっていてもよい。例えば、フレキシブルケーブル１１２Ａと駆動基板２００とは、熱圧着により電気的に接続し、フレキシブルケーブル１１２Ｂと信号処理基板３００とはコネクタにより電気的に接続する形態としてもよい。
　本実施形態の信号処理基板３００は、上述した駆動基板２００と同様に、可撓性のＰＣＢ基板であり、いわゆるフレキシブル基板である。信号処理基板３００に搭載される回路部品（図示省略）は主にアナログ信号の処理に用いられる部品（以下、「アナログ系部品」という）である。アナログ系部品の具体例としては、チャージアンプ、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）、及び電源ＩＣ等が挙げられる。また、本実施形態の回路部品は、比較的部品サイズが大きい電源周りのコイル、及び平滑用大容量コンデンサも含む。なお、信号処理基板３００は、必ずしもフレキシブル基板でなくてもよく、非可撓性のリジッド基板であってもよいし、リジッドフレキ基板を用いてもよい。
　図２Ａ及び図３に示すように、信号処理基板３００は、固定板５０に固定される。一例として、本実施形態では、信号処理基板３００を固定板５０の第２の面５０Ｂにネジ止めすることにより、信号処理基板３００を固定板５０に固定する。なお、信号処理基板３００を固定板５０に固定する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、粘着剤によって、信号処理基板３００を固定板５０に固定してもよい。
　本実施形態では、信号処理基板３００と、フレキシブルケーブル１１２Ｂに搭載された信号処理ＩＣ３１０とにより、信号処理部１０４が実現される。なお、信号処理ＩＣ３１０には、信号処理部１０４を実現する各種回路及び素子のうち、信号処理基板３００に搭載されているアナログ系部品と異なる回路が含まれる。
　なお、図２Ａ及び図２Ｂでは、駆動基板２００及び信号処理基板３００が各々、複数（２つずつ）設けられている形態について説明したが、駆動基板２００及び信号処理基板３００の数は、図２Ａ及び図２Ｂに示した数に限定されない。例えば、駆動基板２００及び信号処理基板３００の少なくとも一方を、１つの基板とした形態であってもよい。
　一方、図３に示すように、本実施形態の放射線検出器１０では、フレキシブルケーブル１１２を端子１１３に熱圧着することにより、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３に電気的に接続される。なお、図３は、フレキシブルケーブル１１２Ｂと放射線検出器１０との電気的な接続に関する構造の一例を示す図であるが、本実施形態のフレキシブルケーブル１１２Ａと放射線検出器１０との電気的に接続に関する構造も、図３に例示した形態と同様である。
　さらに、放射線画像撮影装置１について詳細に説明する。図４は、本実施形態の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。本実施形態の放射線画像撮影装置１は、基材１１の第２の面１１Ｂ側から放射線が照射されるＩＳＳ（Irradiation Side Sampling)方式の放射線画像撮影装置である。
　上記の放射線検出器１０を用いた放射線画像撮影装置１は、図４に示すように、筐体１２０に収納された状態で使用される。図４に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０と、信号処理基板３００、駆動基板２００（図４では図示省略）、電源部１０８、及び制御基板１１０（図４では図示省略）とが放射線の入射方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、基材１１の第２の面１１Ｂ側が対向する状態に配置されている。より具体的には、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、センサ基板１２における基材１１の第２の面１１Ｂに設けられた補強基板４０が対向する状態に配置されている。
　上述したように、センサ基板１２とフレキシブルケーブル１１２Ｂにより電気的に接続された信号処理基板３００は、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されている。また、図４では記載が省略されているが、センサ基板１２とフレキシブルケーブル１１２Ｂにより電気的に接続された駆動基板２００も、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されている。さらに、駆動基板２００及び信号処理基板３００と電気的に接続される制御基板１１０も、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されている。
　信号処理基板３００、駆動基板２００、及び制御基板１１０の各々は、電源線１１４により、電源部１０８と接続されている。
　筐体１２０は、軽量であり、放射線、特にＸ線の吸収率が低く、且つ高剛性であることが好ましく、弾性率が十分に高い材料により構成されることが好ましい。筐体１２０の材料として、曲げ弾性率が１００００ＭＰａ以上である材料を用いることが好ましい。筐体１２０の材料として、２００００～６００００ＭＰａ程度の曲げ弾性率を有するカーボンまたはＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics）を好適に用いることができる。
　放射線画像撮影装置１による放射線画像の撮影においては、筐体１２０の照射面１２０Ａに被写体からの荷重が印加される。筐体１２０の剛性が不足する場合、被写体からの荷重によりセンサ基板１２に撓みが生じ、画素３０が損傷する等の不具合が発生するおそれがある。１００００ＭＰａ以上の曲げ弾性率を有する材料からなる筐体１２０内部に、放射線検出器１０が収納されることで、被写体からの荷重によるセンサ基板１２の撓みを抑制することが可能となる。
　なお、筐体１２０は、筐体１２０の照射面１２０Ａと、その他の部分とで、異なる材料で形成されていてもよい。例えば、照射面１２０Ａに対応する部分は、上記のように放射線の吸収率が低く、且つ高剛性であり、弾性率が十分に高い材料で形成し、その他の部分は、照射面１２０Ａに対応する部分と異なる材料、例えば、照射面１２０Ａの部分よりも弾性率が低い材料で形成してもよい。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法について図５Ａ～図５Ｈを参照して説明する。
　図５Ａに示すように、センサ基板１２を形成するために、基材１１に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体４００に、剥離層４０２を介して、基材１１が形成される。例えば、ラミネート法により基材１１を形成する場合、支持体４００上に、基材１１となるシートを貼り合わせる。基材１１の第２の面１１Ｂが剥離層４０２に接する。なお、基材１１を形成する方法は、本実施形態に限定されず、例えば、塗布法で基材１１を形成する形態であってもよい。
　さらに、基材１１の第１の面１１Ａの画素領域３５に、画素３０が形成される。なお、本実施形態では、一例として、基材１１の第１の面１１Ａに、ＳｉＮ等を用いたアンダーコート層（図示省略）を介して、画素３０が形成される。
　また、図５Ｂに示すように、固定板５０の第１の面５０Ａに、変換層１４が形成される。本実施形態では、固定板５０の第１の面５０Ａに直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層１４が形成される。この場合、変換層１４における固定板５０の第１の面５０Ａと接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　また、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層１４としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いてもよい。この場合、例えば、固定板５０に、ＧＯＳを分散させた樹脂を塗布することにより、変換層１４が形成される。また、固定板５０に形成された変換層１４の上に、接着層６４を介して保護層６５を設ける。
　なお、上記図５Ａを用いて説明したセンサ基板１２を形成する工程、及び図５Ｂを用いて説明した変換層１４を形成する工程の順序は問わず、いずれの工程を先に行ってもよいし、両工程を並行して行ってもよい。
　次に、図５Ｃに示すように、基材１１の第１の面１１Ａに、変換層１４を設ける。本実施形態では、上述したように、粘着層７０により、変換層１４の上側、より具体的には、変換層１４の固定板５０と接する側と反対側が、基材１１の第１の面１１Ａと対向する状態で、粘着層７０により、変換層１４を基材１１の第１の面１１Ａに設ける。
　また、固定板５０とセンサ基板１２との間を、封止部材７２によって封止する。封止部材７２によって固定板５０とセンサ基板１２との間を封止する方法は特に限定されない。例えば、センサ基板１２に変換層１４を設けた後、センサ基板１２と変換層１４（保護層６５）との間に形成された空間に、流動性を有する封止部材７２を注入し、封止部材７２を硬化させてもよい。
　また、図５Ｄに示すように、フレキシブルケーブル１１２の一端を、センサ基板１２に電気的に接続する。具体的には、まず、基材１１の第１の面１１Ａに、端子１１３を形成する。さらに、端子１１３に、駆動ＩＣ２１０または信号処理ＩＣ３１０が搭載されたフレキシブルケーブル１１２を熱圧着させて、端子１１３とフレキシブルケーブル１１２とを電気的に接続する。これにより、センサ基板１２にフレキシブルケーブル１１２が電気的に接続される。
　なお、上記図５Ｃを用いて説明した封止部材７２によって封止する工程、及び図５Ｄを用いて説明したフレキシブルケーブル１１２をセンサ基板１２に接続する工程の順序は問わず、いずれの工程を先に行ってもよい。すなわち、センサ基板１２にフレキシブルケーブル１１２を電気的に接続した後、封止部材７２によって、センサ基板１２と固定板５０との間を封止してもよい。
　次に、図５Ｅに示すように、フレキシブルケーブル１１２の他端を、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定する。具体的には、フレキシブルケーブル１１２Ａの他端を、駆動基板２００に電気的に接続する。また、フレキシブルケーブル１１２Ｂの他端を、信号処理基板３００に電気的に接続する。さらに、センサ基板１２に接続されたフレキシブルケーブル１１２を固定板５０の第２の面５０Ｂ側に折り返し、駆動基板２００及び信号処理基板３００の各々を、固定板５０の第２の面５０Ｂにネジ止めにより固定する。駆動基板２００及び信号処理基板３００の各々が固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されることにより、フレキシブルケーブル１１２の他端が固定板５０の第２の面５０Ｂに固定される。
　この後、図５Ｆに示すように、フレキシブルケーブル１１２の他端が、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定された状態で、放射線検出器１０を支持体４００から剥離する。メカニカル剥離により剥離を行う場合、図５Ｆに示した一例では、センサ基板１２の基材１１における、フレキシブルケーブル１１２が接続された辺と対向する辺を剥離の起点とし、起点となる辺からフレキシブルケーブル１１２が接続された辺に向けて徐々にセンサ基板１２を支持体４００から、図５Ｆに示した矢印Ｄ方向に引きはがすことにより、メカニカル剥離を行い、フレキシブルケーブル１１２がセンサ基板１２に接続された状態の放射線検出器１０が得られる。
　なお、剥離の起点とする辺は、センサ基板１２を平面視した場合における、最長の辺と交差する辺が好ましい。換言すると、剥離により撓みが生じる撓み方向Ｙに沿った辺は、最長の辺であることが好ましい。一例として、本実施形態では図５Ｆに示すように、剥離の起点を、フレキシブルケーブル１１２Ｂが電気的に接続された辺と対向する辺としている。
　次に、図５Ｇに示すように、基材１１の第２の面１１Ｂに、粘着剤４２を設けた補強基板４０を貼り合わせることで、本実施形態の放射線検出器１０が製造される。
　さらに、図５Ｈに示すように、放射線検出器１０を、基材１１（補強基板４０）が、照射面１２０Ａと対向する状態で筐体１２０に収納する。このようにして、本実施形態の放射線画像撮影装置１が製造される。
　このように、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法は、支持体４００に、可撓性の基材１１を設け、基材１１の画素領域３５に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素３０が設けられたセンサ基板１２を形成する工程を備える。また、本製造方法は、放射線を光に変換する変換層１４を、固定板５０に形成する工程と、基材１１の画素３０が設けられた第１の面１１Ａに、固定板５０と反対側の面とを対向させた状態で変換層１４を設ける工程と、を備える。さらに、本製造方法は、駆動基板２００及び信号処理基板３００の少なくとも一方を含む回路部に接続されるフレキシブルケーブル１１２の一端を、センサ基板１２に固定する工程と、フレキシブルケーブル１１２ルを固定板５０に固定する工程と、変換層１４及び固定板５０が設けられたセンサ基板１２を、支持体４００から剥離する工程と、を備える。
　放射線画像撮影装置１の製造工程において、センサ基板１２を支持体４００から剥離する場合、基材１１が撓み易いためセンサ基板１２が撓む。センサ基板１２が撓んだ際に、フレキシブルケーブル１１２が引っ張られることがある。例えば、フレキシブルケーブル１１２には、駆動ＩＣ２１０または信号処理ＩＣ３１０が搭載されているため、これらのＩＣの重さに応じて、フレキシブルケーブル１１２が引っ張られることがある。また、フレキシブルケーブル１１２の他端が駆動基板２００または信号処理基板３００等の回路部に接続されている場合、これら回路部の重さに応じて、フレキシブルケーブル１１２が引っ張られ易くなる。フレキシブルケーブル１１２が引っ張られた場合、センサ基板１２に接続されているフレキシブルケーブル１１２の位置がずれてしまうことがある。このように、センサ基板１２に対してフレキシブルケーブル１１２の位置がずれてしまうと、フレキシブルケーブル１１２と端子１１３との接続に不具合が生じる懸念がある。また、フレキシブルケーブル１１２が引っ張られることにより、端子１１３近傍のセンサ基板１２の端部が歪むことがある。そのため、フレキシブルケーブル１１２をリワークしたり、放射線画像撮影装置１を製造し直したりする場合がある。
　これに対して、上述したように本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法では、センサ基板１２を支持体４００から剥離する前に、フレキシブルケーブル１１２を固定板５０に固定する。そして、フレキシブルケーブル１１２が固定板５０に固定された状態で、センサ基板１２を支持体４００から剥離する。フレキシブルケーブル１１２が固定板５０に固定されているため、センサ基板１２から支持体４００を剥離する際に、フレキシブルケーブル１１２がように引っ張られるのを抑制することができる。そのため、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法によれば、放射線画像撮影装置１の製造中にセンサ基板１２が撓んだ場合に、センサ基板１２に接続されたフレキシブルケーブル１１２によって生じる不具合を抑制することができる。
　また、本実施形態の放射線画像撮影装置１によれば、固定板５０により曲げ剛性を高くすることができ、所望の曲げ剛性を得ることができるため、耐衝撃性を向上させることができる。また、放射線画像撮影装置１によれば、回路部を固定する固定板を、固定板５０とは別途に設ける場合に比べて、軽量化することができ、また薄型化することができる。このように、本実施形態の放射線画像撮影装置１によれば、曲げ剛性を高くし、かつ軽量化することができる。
［第２実施形態］
　次に、第２実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０における、第１実施形態の放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０と同様の構成については、詳細な説明を省略する。
　図６は、本実施形態の放射線画像撮影装置１における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図の一例である。本実施形態の放射線検出器１０は、センサ基板１２の基材１１上に、変換層１４が形成されている。そのため、図６に示すように、本実施形態の変換層１４は、下側（センサ基板１２側）の面積の方が、上側（固定板５０側）の面積よりも大きい。すなわち、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜面が、変換層１４の下側から上側に向けて徐々に広がる状態に傾斜している。
　図６に示すように、本実施形態の放射線検出器１０は、変換層１４と、第１実施形態において上述した接着層６４及び保護層６５との間に、粘着層６０及び反射層６２が設けられている。
　粘着層６０は、変換層１４の中央部１４Ａ及び周縁部１４Ｂを含む変換層１４の表面全体を覆っている。粘着層６０は、反射層６２を変換層１４上に固定する機能を有する。粘着層６０は、光透過性を有していることが好ましい。粘着層６０の材料として、接着層６４の材料と同じ材料を用いることが可能であるが、粘着層６０が有する接着力は、接着層６４が有する接着力よりも小さくてもよい。粘着層６０の材料として、例えば、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤を用いることが可能である。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、ＥＡＡ（エチレンとアクリル酸の共重合樹脂）、ＥＥＡ（エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂）、及びＥＭＭＡ（エチレン－メタクリル酸メチル共重合体）等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。粘着層６０の厚さは、２μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。粘着層６０の厚さを２μｍ以上とすることで、反射層６２を変換層１４上に固定する効果を十分に発揮することができる。更に、変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されるリスクを抑制することができる。変換層１４と反射層６２との間に空気層が形成されると、変換層１４から発せられた光が、空気層と変換層１４との間、及び空気層と反射層６２との間で反射を繰り返す多重反射を生じるおそれがある。また、粘着層６０の厚さを７μｍ以下とすることで、ＭＴＦ及びＤＱＥの低下を抑制することが可能となる。
　反射層６２は、粘着層６０の表面全体を覆っている。反射層６２は、変換層１４で変換された光を反射する機能を有する。反射層６２は有機系材料によって構成されていることが好ましい。反射層６２の材料として、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。反射層６２の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。
　本実施形態の接着層６４は反射層６２の表面全体を覆っている。接着層６４の端部は、センサ基板１２の表面にまで延在している。すなわち、接着層６４は、その端部においてセンサ基板１２に接着している。接着層６４は、反射層６２及び保護層６５を変換層１４に固定する機能を有する。なお、接着層６４が有する接着力は、粘着層６０が有する接着力よりも大きいことが好ましい。
　本実施形態の保護層６５は、接着層６４の表面全体を覆っている。すなわち、保護層６５は、変換層１４の全体を覆うとともに、その端部がセンサ基板１２の一部を覆う状態に設けられている。また、図６に示すように、本実施形態の固定板５０は、粘着層７１によって、変換層１４の上面に設けられている。
　図７は、本実施形態の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。本実施形態の放射線画像撮影装置１も、基材１１の第２の面１１Ｂ側から放射線が照射されるＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置である。
　本実施形態の放射線検出器１０を用いた放射線画像撮影装置１は、図７に示すように、筐体１２０に収納された状態で使用される。図７に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０と、信号処理基板３００、駆動基板２００（図７では図示省略）、電源部１０８、及び制御基板１１０（図７では図示省略）とが放射線の入射方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、基材１１の第２の面１１Ｂ側が対向する状態に配置されている。
　上述したように、センサ基板１２とフレキシブルケーブル１１２Ｂにより電気的に接続された信号処理基板３００は、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されている。また、図７では記載が省略されているが、センサ基板１２とフレキシブルケーブル１１２Ｂにより電気的に接続された駆動基板２００も、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されている。さらに、駆動基板２００及び信号処理基板３００と電気的に接続される制御基板１１０も、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されている。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法について図８Ａ～図８Ｈを参照して説明する。
　図８Ａに示すように、第１実施形態において図５Ａを参照して説明したのと同様に、センサ基板１２を形成するために、基材１１に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体４００に、剥離層４０２を介して、基材１１が形成される。
　また、図８Ｂに示すように、センサ基板１２の画素領域３５の上に、変換層１４が形成される。本実施形態では、基材１１の第１の面１１Ａの画素領域３５を覆う領域に、直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の気相堆積法によって柱状結晶としてＣｓＩの変換層１４が形成される。この場合、変換層１４における画素３０と接する側が、柱状結晶の成長方向基点側となる。
　また、センサ基板１２に形成された変換層１４の上に、粘着層６０を介して反射層６２を設ける。さらに、反射層６２上に、接着層６４を介して保護層６５を設ける。
　なお、本実施形態の放射線検出器１０と異なり、変換層１４としてＣｓＩに替わり、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等を用いる場合、例えば、基材１１の第１の面１１ＡにＧＯＳを分散させた樹脂を塗布することにより、変換層１４が形成される。
　また、基材１１の第１の面１１Ａにおける変換層１４を形成する領域を含む領域に、変換層１４の熱膨張率と、基材１１の熱膨張率との差を緩衝させる機能を有する緩衝層（図示省略）を形成した後、緩衝層上に、変換層１４を形成することが好ましく、変換層１４の熱膨張率と、基材１１の熱膨張率との差が大きいほど、緩衝層を設けることが好ましい。例えば、基材１１に、上記ＸＥＮＯＭＡＸ（登録商標）を用いる場合、他の材質に比べて、変換層１４の熱膨張率との差が大きくなるため、緩衝層を設けることが好ましい。このような緩衝層としては、ＰＩ膜や、パリレン（登録商標）膜が用いられる。
　次に、図８Ｃに示すように、変換層１４のセンサ基板１２側の面と反対側の面に固定板５０を設ける。具体的には、変換層１４の周囲を、封止部材７２によって封止する。また、封止部材７２及び変換層１４上に、粘着層７１を介して固定板５０を設ける。なお、粘着層７１が設けられた固定板５０を変換層１４上に貼り合わせてから、固定板５０（粘着層７１）と、基材１１の第１の面１１Ａ、及び変換層１４で囲われる空間に、封止部材７２を充填することにより、封止部材７２による封止を行ってもよい。
　また、図８Ｄに示すように、第１実施形態において図５Ｄを参照して説明したのと同様に、フレキシブルケーブル１１２の一端を、センサ基板１２に電気的に接続する。なお、上記図８Ｃを用いて説明した固定板５０を設ける工程、及び図８Ｄを用いて説明したフレキシブルケーブル１１２をセンサ基板１２に接続する工程の順序は問わず、いずれの工程を先に行ってもよい。すなわち、センサ基板１２にフレキシブルケーブル１１２を電気的に接続した後、変換層１４の上に固定板５０を設けてもよい。
　次に、図８Ｅに示すように、第１実施形態において図５Ｅを参照して説明したのと同様に、フレキシブルケーブル１１２の他端を、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定する。この後、図８Ｆに示すように、第１実施形態において図５Ｆを参照して説明したのと同様に、フレキシブルケーブル１１２の他端が、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定された状態で、放射線検出器１０を支持体４００から剥離する。これにより、フレキシブルケーブル１１２がセンサ基板１２に接続された状態の放射線検出器１０が得られる。
　次に、図８Ｇに示すように、第１実施形態において図５Ｇを参照して説明したのと同様に、基材１１の第２の面１１Ｂに、粘着剤４２を設けた補強基板４０を貼り合わせることで、本実施形態の放射線検出器１０が製造される。
　さらに、図８Ｈに示すように、放射線検出器１０を、基材１１（補強基板４０）が、照射面１２０Ａと対向する状態で筐体１２０に収納する。このようにして、本実施形態の放射線画像撮影装置１が製造される。
　このように、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法は、支持体４００に、可撓性の基材１１を設け、基材１１の画素領域３５に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素３０が設けられたセンサ基板１２を形成する工程を備える。また、本製造方法は、基材１１の画素３０が設けられた第１の面１１Ａに、放射線を光に変換する変換層１４を設ける工程と、駆動基板２００及び信号処理基板３００の少なくとも一方を含む回路部に接続されるフレキシブルケーブル１１２の一端を、センサ基板１２に接続する工程と、を備える。さらに、本製造方法は、変換層１４の、センサ基板１２側の面と反対側の面に、固定板５０を設ける工程と、フレキシブルケーブル１１２を固定板５０に固定する工程と、変換層１４及び固定板５０が設けられたセンサ基板１２を、支持体４００から剥離する工程と、を備える。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法においても、第１実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法と同様に、センサ基板１２を支持体４００から剥離する前に、フレキシブルケーブル１１２を固定板５０に固定する。そして、フレキシブルケーブル１１２が固定板５０に固定された状態で、センサ基板１２を支持体４００から剥離する。従って、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法によれば、放射線画像撮影装置１の製造中にセンサ基板１２が撓んだ場合に、センサ基板１２に接続されたフレキシブルケーブル１１２によって生じる不具合を抑制することができる。
［第３実施形態］
　次に、第３実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０における、第１実施形態の放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０と同様の構成については、詳細な説明を省略する。
　第１及び第２実施形態ではＩＳＳ方式の放射線画像撮影装置１の製造方法について説明した。これに対し、本実施形態では、変換層１４側から放射線が照射されるＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式の放射線画像撮影装置１の製造方法について説明する。
　図９は、本実施形態の放射線画像撮影装置１における放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図の一例である。図９に示すように本実施形態の放射線検出器１０は、固定板５０に信号処理基板３００等の回路部が固定されない点で、第２実施形態の放射線検出器１０（図６参照）と異なっている。
　このように、本実施形態の固定板５０は、放射線画像撮影装置１の製造工程において、フレキシブルケーブル１１２が固定されるが、信号処理基板３００等の回路部は固定されない。そのため、本実施形態の固定板５０は、大きさ及び材料等において、第２実施形態の放射線検出器１０における固定板５０と異なっていてもよい。
　一例として本実施形態の放射線検出器１０では、固定板５０として、センサ基板１２の曲げ剛性を補強する補強基板を用いる。補強基板として機能する固定板５０は、上述した補強基板４０と同様の、曲げ弾性率、及び曲げ剛性を有していることが好ましい。従って、固定板５０の材料としては、補強基板４０と同様の材料を適用することができる。
　図１０は、本実施形態の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。本実施形態の放射線画像撮影装置１は、上述したように、変換層１４側から放射線が照射されるＰＳＳ方式の放射線画像撮影装置である。
　本実施形態の放射線検出器１０を用いた放射線画像撮影装置１は、図１０に示すように、筐体１２０に収納された状態で使用される。図１０に示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０と、信号処理基板３００、駆動基板２００（図１０では図示省略）、電源部１０８、及び制御基板１１０（図１０では図示省略）とが放射線の入射方向に並んで設けられている。放射線検出器１０は、被写体を透過した放射線が照射される筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板に、固定板５０の第２の面５０Ｂ側が対向する状態に配置されている。
　図１０に示すように、センサ基板１２とフレキシブルケーブル１１２Ｂにより電気的に接続された信号処理基板３００は、固定板５２に固定されている。また、図１０では記載が省略されているが、センサ基板１２とフレキシブルケーブル１１２Ｂにより電気的に接続された駆動基板２００も、固定板５２に固定されている。さらに、図１０では記載が省略されているが、駆動基板２００及び信号処理基板３００と電気的に接続される制御基板１１０も、固定板５２に固定されている。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法について図１１Ａ～図１１Ｄを参照して説明する。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法では、支持体４００上にセンサ基板１２を形成する工程から、１２フレキシブルケーブル１１２の一端を、センサ基板１２に電気的に接続する工程までは、第２実施形態の図８Ａ～図８Ｄと同様の工程であるため、説明を省略する。
　本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法では、その後、図１１Ａに示すように、フレキシブルケーブル１１２の他端を、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定する。本工程において固定板５０に固定したフレキシブルケーブル１１２は、後に固定板５０から取り外すため、フレキシブルケーブル１１２の固定板５０への固定は、いわば仮固定である。そのため、フレキシブルケーブル１１２を固定板５０に固定する方法は、次の工程（図１１Ｂ参照）中は、容易に固定が外れることなく、かつ所望のタイミングで、フレキシブルケーブル１１２を容易に固定板５０から外すことができる方法が好ましい。
　この後、図１１Ｂに示すように、第１実施形態において図５Ｆを参照して説明したのと同様に、フレキシブルケーブル１１２の他端が、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定された状態で、放射線検出器１０を支持体４００から剥離する。これにより、フレキシブルケーブル１１２がセンサ基板１２に接続された状態の放射線検出器１０が得られる。
　次に、図１１Ｃに示すように、第１実施形態において図５Ｇを参照して説明したのと同様に、基材１１の第２の面１１Ｂに、粘着剤４２を設けた補強基板４０を貼り合わせる。
　また、固定板５０の第２の面５０Ｂに固定されているフレキシブルケーブル１１２の他端を固定板５０から外すことで、本実施形態の放射線検出器１０が製造される。
　さらに、図１１Ｄに示すように、固定板５２に、信号処理基板３００等の回路部を固定する。また、図１１Ｄに示すように、放射線検出器１０を、固定板５０の第２の面５０Ｂが、照射面１２０Ａと対向する状態で筐体１２０に収納する。このようにして、本実施形態の放射線画像撮影装置１が製造される。
　このように、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法においても、第１及び第２実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法と同様に、センサ基板１２を支持体４００から剥離する前に、フレキシブルケーブル１１２を固定板５０に固定する。そして、フレキシブルケーブル１１２が固定板５０に固定された状態で、センサ基板１２を支持体４００から剥離する。従って、本実施形態の放射線画像撮影装置１の製造方法によれば、放射線画像撮影装置１の製造中にセンサ基板１２が撓んだ場合に、センサ基板１２に接続されたフレキシブルケーブル１１２によって生じる不具合を抑制することができる。
　なお、放射線画像撮影装置１の製造方法において、固定板５０にフレキシブルケーブル１１２を固定する態様は、上記図１１Ａを参照して説明した態様に限定されない。例えば、図１２に示すように、固定板５０の第１の面５０Ａにフレキシブルケーブル１１２の他端を固定する態様としてもよい。
　なお、上記各実施形態の放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０は、例えば、以下の変形例１～変形例１２に示す形態としてもよい。なお、変形例１～変形例１２の各々を適宜、組み合わせた形態としてもよく、また変形例１～変形例１２に限定されるものでもない。
（変形例１）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、固定板５０に関する変形例の一例について、図１３を参照して説明する。図１３には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　上記図２Ａ～図３に示した放射線検出器１０は、固定板５０の面積が基材１１の面積と同一であった。一方、図１３に示した本変形例の放射線検出器１０は、固定板５０の面積が基材１１の面積よりも大きい。具体的には、固定板５０の第１の面５０Ａの面積が、基材１１の第１の面１１Ａの面積よりも大きい。なお、具体的な固定板５０の面積は、放射線検出器１０を収納する筐体１２０の内部の大きさ等に応じて定めることができる。また、図１３に示すように、固定板５０の端部が、基材１１、すなわちセンサ基板１２の端部よりも外側に位置している。
　このように固定板５０の面積を基材１１の面積よりも大きくすることにより、例えば、放射線画像撮影装置１を落下させる等して、筐体１２０に衝撃が加わり筐体１２０の側面（照射面１２０Ａと交差する面）が凹んだ場合に、筐体１２０の側面に固定板５０が干渉する。一方、センサ基板１２は、固定板５０よりも面積が小さいため、筐体１２０の側面に干渉し難くなる。従って、本変形例の放射線検出器１０によれば、放射線画像撮影装置１に加わる衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制することができる。
　なお、固定板５０により放射線画像撮影装置１に加わる衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制する観点からは、図１３に示すように、固定板５０の端部の少なくとも一部が、基材１１の端部よりも外部に突出していればよい。例えば、本変形例と異なり、固定板５０の面積が基材１１の面積よりも小さい場合であっても、基材１１の端部よりも外部に突出する固定板５０の端部が、筐体１２０の側面に干渉するため、本変形例と同様に、衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制することができる。
（変形例２）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、固定板５０に関する変形例の一例について、図１４を参照して説明する。図１４には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　上記図２Ａ～図３に示した放射線検出器１０は、固定板５０の面積が基材１１の面積と同一であった。一方、図１４に示した本変形例の放射線検出器１０は、固定板５０の面積が基材１１の面積よりも小さい。具体的には、固定板５０の第１の面５０Ａの面積が、基材１１の第１の面１１Ａの面積よりも小さい。図１４に示した例では、端子１１３と対向する位置には、固定板５０が設けられていない。すなわち、本変形例の放射線検出器１０における固定板５０の面積は、基材１１の面積から端子１１３が設けられた領域の面積を減算した値よりも小さい。
　リワークとは、不具合や位置ずれ等により、基材１１（センサ基板１２）に電気的に接続したフレキシブルケーブル１１２や部品を取り外して、新たに接続し直すことをいう。このように、固定板５０の面積を基材１１の面積よりも小さくすることにより、固定板５０の端部に邪魔されずに、リワークを行うことができるため、フレキシブルケーブル１１２のリワークを容易にすることができる。
（変形例３）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、補強基板４０に関する変形例の一例について、図１５を参照して説明する。図１５には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　上記図２Ａ～図３に示した放射線検出器１０は、補強基板４０の面積が基材１１の面積と同一であった。一方、図１５に示した本変形例の放射線検出器１０は、補強基板４０の面積が基材１１の面積よりも大きい。なお、具体的な固定板５０の面積は、放射線検出器１０を収納する筐体１２０の内部の大きさ等に応じて定めることができる。また、図１５に示すように、補強基板４０の端部が、基材１１、すなわちセンサ基板１２の端部よりも外側に位置している。
　なお、図１５に示した放射線検出器１０は、上記変形例１の放射線検出器１０と同様に、固定板５０の面積も、基材１１の面積よりも大きく、固定板５０の端部が、センサ基板１２の端部よりも外側に位置している。一例として本変形例の放射線検出器１０では、固定板５０の端部と、補強基板４０の端部との位置を同一としており、センサ基板１２から突出する固定板５０の長さと、補強基板４０の長さとを同一としている。
　このように補強基板４０の面積を基材１１の面積よりも大きくすることにより、例えば、放射線画像撮影装置１を落下させる等して、筐体１２０に衝撃が加わり筐体１２０の側面（照射面１２０Ａと交差する面）が凹んだ場合に、筐体１２０の側面に補強基板４０が干渉する。一方、センサ基板１２自体は、補強基板４０よりも面積が小さいため、筐体１２０の側面に干渉し難くなる。従って、本変形例の放射線検出器１０によれば、放射線画像撮影装置１に加わる衝撃がセンサ基板１２に与える影響を抑制することができる。
（変形例４）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、補強基板４０に関する変形例の一例について、図１６を参照して説明する。図１６には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　上記図３に示した放射線検出器１０は、補強基板４０を備える。一方、図１６に示した本変形例の放射線検出器１０は、補強基板４０及び粘着剤４２を備えていない。このように補強基板４０を備えないことにより、放射線検出器１０を軽量化することができるため、放射線画像撮影装置１をより軽量化することができる。
（変形例５）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、封止部材７２に関する変形例の一例について、図１７を参照して説明する。図１７には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　上記図２Ａ～図３に示した放射線検出器１０は、センサ基板１２と固定板５０との間を封止する封止部材７２が、端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２の上には設けられていない。一方、図１７に示した本変形例の放射線検出器１０は、センサ基板１２及び固定板５０の端部まで、センサ基板１２と固定板５０との間の空間が封止部材７２により封止されている。具体的には、センサ基板１２及び固定板５０の端部に至るまでの、固定板５０、変換層１４（保護層６５）、及びセンサ基板１２で囲われる空間に、封止部材７２が充填されている。図１７に示すように、端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２の上にも封止部材７２が設けられており、端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２が、封止部材７２によって覆われている。
　このように、センサ基板１２と固定板５０との端部まで、センサ基板１２と固定板５０との間を封止部材７２により封止することで、放射線検出器１０のより端部まで、曲げ剛性を高くすることができる。また、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができる。さらに、端子１１３及びフレキシブルケーブル１１２を封止部材７２が覆うため、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制することができる。
（変形例６）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、封止部材７２に関する変形例の一例について、図１８Ａ及び図１８Ｂを参照して説明する。図１８Ａ及び図１８Ｂには、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　上記図２Ａ～図３に示した放射線検出器１０は、センサ基板１２と固定板５０との間を封止する封止部材７２を備える。一方、図１８Ａに示した本変形例の放射線検出器１０は、封止部材７２を備えていない。すなわち、センサ基板１２と固定板５０との間が、空いたままとなっている。このように封止部材７２を備えないことにより、放射線検出器１０を軽量化することができるため、放射線画像撮影装置１をより軽量化することができる。
　また、図１８Ｂに示すように、接着層６４及び保護層６５の端部は、封止部材７８によって封止されていてもよい。封止部材７８は、固定板５０の第１の面５０Ａから保護層６５の表面に亘る領域であり、且つ画素領域３５を覆わない領域に設けられていることが好ましい。封止部材７８の材料として、樹脂を用いることができ、特に熱可塑性樹脂が好ましい。具体的には、アクリル糊、及びウレタン系の糊等を封止部材７２として用いることができる。接着層６４及び保護層６５の端部を封止部材７８によって封止することで、接着層６４及び保護層６５の剥離を抑制することができる。
（変形例７）
　第１～第３実施形態に対する本変形例について、図１９Ａ～図１９Ｅを参照して説明する。図１９Ａ～図１９Ｅには、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　図１９Ａに示した本変形例の放射線検出器１０は、固定板５０の端部が、支持部材７４によって支持されている。すなわち、支持部材７４の一端は、フレキシブルケーブル１１２、または基材１１の第１の面１１Ａに接続され、支持部材７４の他端は、接着層７６を介して固定板５０の第１の面５０Ａの端部に接続されている。なお、支持部材７４は、センサ基板１２の外周部全体に設けられていてもよいし、外周の一部分に設けられていてもよい。このようにセンサ基板１２との間に空間を形成しつつ延伸する固定板５０の端部を支持部材７４によって支持することで、変換層１４がセンサ基板１２から剥離するのを抑制することができる。また、フレキシブルケーブル１１２及び端子１１３の上に支持部材７４を設けることにより、フレキシブルケーブル１１２が端子１１３から剥離するのを抑制することができる。
　なお、図１９Ｂに示すように、支持部材７４、固定板５０、変換層１４（保護層６５）、及びセンサ基板１２で囲われる空間全体に封止部材７２を充填して、封止部材７２により封止してもよい。一方、図１９Ｃに示すように、放射線検出器１０が、封止部材７２を備えない形態としてもよい。
　また、図１９Ｄに示すように、支持部材７４を設ける位置を、センサ基板１２外としてもよい。図１９Ｄに示した放射線検出器１０は、上記変形例３の放射線検出器１０と同様に、補強基板４０及び固定板５０の面積が基材１１よりも大きく、補強基板４０及び固定板５０の端部が、基材１１の端部よりも外側に位置している。支持部材７４の一端は、補強基板４０またはフレキシブルケーブル１１２に接続され、支持部材７４の他端は、接着層７６を介して固定板５０の第１の面５０Ａの端部に接続されている。
　また、図１９Ｅに示すように、支持部材７４を設ける位置を、フレキシブルケーブル１１２及び端子１１３が設けられた領域外のみとしてもよい。図１９Ｅでは、基材１１の第１の面１１Ａにおける、端子１１３が設けられた領域よりも内部の領域において、固定板５０の端部が、支持部材７４によって指示されている形態を示している。図１９Ｅに示した例では、支持部材７４の一端は、基材１１の第１の面１１Ａに接続され、支持部材７４の他端は、接着層７６を介して固定板５０の第１の面５０Ａの端部に接続されている。このように、フレキシブルケーブル１１２及び端子１１３の上に支持部材７４を設けないことにより、フレキシブルケーブル１１２のリワークを容易にすることができる。
（変形例８）
　第１実施形態に対する本変形例について、図２０を参照して説明する。図２０には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　図２０に示すように、本変形例の放射線検出器１０は、固定板５０と変換層１４との間に、反射層６８が設けられている。反射層６８は、固定板５０の第１の面５０Ａ全体を覆っている。反射層６８は、変換層１４で変換された光を反射する機能を有する。反射層６８の材料としては、金属、または金属酸化物を含む樹脂材料によって構成されていることが好ましい。反射層６８の材料としては、例えば、白ＰＥＴ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、発泡白ＰＥＴ、及び鏡面反射アルミ等を用いることができる。白ＰＥＴとは、ＰＥＴに、ＴｉＯ２や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものであり、発泡白ＰＥＴとは、表面が多孔質になっている白ＰＥＴである。また、反射層６８の材料としては、樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜を用いてもよい。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、アルペット（登録商標）のシートが挙げられる。反射層６８の厚さは、１０μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。このように、固定板５０と変換層１４との間に、反射層６８を備えることにより、変換層１４で変換された光を、効率的にセンサ基板１２の画素３０に導くことができる。
（変形例９）
　第１実施形態に対する本変形例について、図２１を参照して説明する。図２１には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　図２１に示すように、本変形例の放射線検出器１０の変換層１４及び固定板５０は、防湿膜６６で覆われている。具体的には、固定板５０に形成された変換層１４を一体とし、その全体が防湿膜６６で覆われている。
　防湿膜６６としては、例えば、パリレン（登録商標）膜、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート、及び樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜等が用いられる。樹脂フィルムと金属フィルムとの積層膜としては、例えば、アルペット（登録商標）のシートが挙げられる。このように、固定板５０及び変換層１４の全体を防湿膜６６で覆うことにより、特に、放射線画像撮影装置１の製造工程において、固定板５０に形成された変換層１４をセンサ基板１２に設けるまでの間、変換層１４を単独で扱う場合の防湿性を高めることができる。
（変形例１０）
　第１実施形態に対する本変形例について、図２２を参照して説明する。図２２には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　図２２には、製造方法における基材１１の第１の面１１Ａに変換層１４を設ける工程が、図５Ｃを参照して説明した方法とは異なる方法により製造された放射線検出器１０が示されている。また、図２２に示した放射線検出器１０の製造方法では、フレキシブルケーブル１１２をセンサ基板１２に電気的に接続するタイミングが、図５Ｄを参照して説明したタイミングと異なる。
　図２２に示した放射線検出器１０の製造方法では、基材１１の第１の面１１Ａに変換層１４を設ける前に、基材１１の第１の面１１Ａに端子１１３を形成し、さらに、端子１１３とフレキシブルケーブル１１２とを電気的に接続する。さらに、支持部材７４をフレキシブルケーブル１１２の上に設ける。なお、支持部材７４は、固定板５０の第１の面５０Ａに設けてもよい。また、固定板５０に形成された変換層１４の周縁部１４Ｂから固定板５０の第１の面５０Ａに亘る領域に、未硬化状態の封止部材７２を設けておく。固定板５０に形成され、未硬化の封止部材７２が設けられた状態の変換層１４を、基材１１の第１の面１１Ａに配置する。
　この状態で、基材１１、固定板５０、封止部材７２、及び支持部材７４で形成される内部空間７９を、減圧用ポンプ等を用いて、例えば、０．２気圧～０．５気圧等の大気圧よりも低い圧力に減圧する。このように、基材１１、固定板５０、封止部材７２、及び支持部材７４で形成される内部空間７９を大気圧よりも低くすることにより、大気圧で外部から内部空間７９側に、基材１１（センサ基板１２）と固定板５０とが押圧される。本変形例の放射線検出器１０の製造方法では、このようにして、基材１１の第１の面１１Ａに変換層１４が設けられる。
　本変形例の放射線検出器１０では、基材１１と固定板５０とが大気圧で押圧されることにより、基材１１の第１の面１１Ａに変換層１４が設けられるため、図２２に示すように、粘着層７０を設けなくても、変換層１４と基材１１とが密着する。
（変形例１１）
　第３実施形態に対する本変形例について、図２３を参照して説明する。図２３には、上記図３に示した放射線検出器１０のＡ－Ａ線断面図に相当する、本変形例の放射線検出器１０の断面図の一例を示す。
　図２３に示した本変形例の放射線検出器１０は、変換層１４の上面全体を覆う、補強基板８２が、粘着剤８０を介して変換層１４上に設けられている。補強基板８２は、センサ基板１２の曲げ剛性を補強する機能を有する。そのため、補強基板８２は、基材１１よりも曲げ剛性が高く、変換層１４と対向する面に対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化（変形）が、基材１１の第１の面１１Ａに対して垂直方向に加えられる力に対する、寸法変化よりも小さい。また、本変形例の補強基板８２の厚みは、基材１１の厚みよりも厚い。具体的には、補強基板８２としては、上述した補強基板４０と同様の、曲げ弾性率、及び曲げ剛性を有していることが好ましい。従って、補強基板８２の材料としては、補強基板４０と同様の材料を適用することができる。
　また、本変形例の補強基板８２は、外周部が、変換層１４の周縁部１４Ｂにおける傾斜に沿うように折り曲げられており、且つ接着層６４及び保護層６５が基材１１の第１の面１１Ａを覆う部分、及びその外側の基材１１の第１の面１１Ａ上をも覆っている。すなわち、接着層６４及び保護層６５の端部が、補強基板８２によって封止されている。補強基板８２のセンサ基板１２上に延在する部分は、粘着剤８０を介し基材１１の第１の面１１Ａに接着されている。
　本変形例の放射線検出器１０では、変換層１４の上面を補強基板８２が覆うため、センサ基板１２の曲げ剛性を向上させることができる。また、本変形例の放射線検出器１０では、接着層６４及び保護層６５の端部を補強基板８２によって覆うため、保護層６５の剥離を抑制することができる。
　なお、補強基板８２が基材１１の第１の面１１Ａを覆う領域、すなわち補強基板８２がセンサ基板１２上に延在する領域は、図２３に示した形態に限定されない。例えば、センサ基板１２（基材１１）の外縁となる端部までの領域としてもよい。
（変形例１２）
　第１～第３実施形態に対する本変形例では、放射線画像撮影装置１における放射線検出器１０の収納状態の変形例について、図２４Ａ及び図２４Ｂを参照して説明する。図２４Ａ及び図２４Ｂは、本変形例の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。
　上記図４に示した放射線画像撮影装置１は、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板と、補強基板４０との間に空間が設けられていた。一方、図２４Ａに示した本変形例の放射線画像撮影装置１は、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板の内壁面に、補強基板４０が接している。この場合、放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とは、接着層を介して接着されていてもよいし、接着層を介さずに単に接触しているだけでもよい。このように放射線検出器１０と筐体１２０の内壁面とが接していることにより、放射線検出器１０の剛性がより確保される。
　また、図２４Ｂに示した本変形例の放射線画像撮影装置１では、補強基板４０が、筐体１２０の照射面１２０Ａ側の天板として採用される。この場合、図２４Ｂに示すように、補強基板４０の面積は、センサ基板１２の面積よりも大きく、補強基板４０の端部は、センサ基板１２の端部よりも外部に突出している。図２４Ｂに示した放射線画像撮影装置１では、照射面１２０Ａ側の天板部分に開口状態を有する筐体１２０の開口部分に、補強基板４０を嵌め込むことにより、放射線検出器１０が、筐体１２０の内部に収納される。このように放射線検出器１０の補強基板４０を筐体１２０の天板として用いることにより、筐体１２０の厚さ、より具体的には放射線が透過する方向の厚さを、より小さくすることができ、放射線画像撮影装置１の薄型化が図れる。また、筐体１２０自体の天板が不要となるため、放射線画像撮影装置１を、より軽量化することができる。
（変形例１３）
　第３実施形態に対する本変形例では、放射線画像撮影装置１における放射線検出器１０の収納状態の変形例について、図２５Ａ及び図２５Ｂを参照して説明する。図２５Ａ及び図２５Ｂは、本変形例の放射線画像撮影装置１の断面図の一例である。
　図２５Ａに示した本変形例の放射線画像撮影装置１は、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８が図中横方向に並置されている構成が例示されている。なお、図２５Ａでは、駆動基板２００及び信号処理基板３００については図示を省略している。
　図２５Ａに示すように、筐体１２０内には、放射線検出器１０を透過した放射線が出射される側にシート１１６がさらに設けられている。シート１１６としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射される放射線によって２次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層１４側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート１１６は、少なくとも変換層１４の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層１４全体を覆うことが好ましい。
　なお、図２５Ａでは、電源部１０８及び制御基板１１０の両方を放射線検出器１０の一方の側、具体的には、矩形状の画素領域３５の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部１０８及び制御基板１１０を設ける位置は図２５Ａに示した形態に限定されない。例えば、電源部１０８及び制御基板１１０を、画素領域３５の対向する２辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する２辺の各々に分散させて設けてもよい。
　また、図２５Ｂに示す例のように、放射線検出器１０、制御基板１１０、及び電源部１０８を、センサ基板１２及び変換層１４が積層された方向と交差する方向に並べて配置する場合、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、筐体１２０の厚みが異なっていてもよい。
　図２５Ａ及び図２５Ｂに示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々の方が、放射線検出器１０よりも厚みを有している場合が多い。このような場合、図２５Ｂに示す例のように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分の厚みよりも、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分の厚みの方が薄くてもよい。なお、このように、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が設けられている筐体１２０の部分と、放射線検出器１０が設けられている筐体１２０の部分とで、厚みを異ならせる場合、両部分の境界部に段差が生じていると境界部１２０Ｂに接触した被検者に違和感等を与える懸念があるため、境界部１２０Ｂの形態は傾斜を有する状態とすることが好ましい。また、電源部１０８及び制御基板１１０の各々が収納される筐体１２０の部分と、筐体１２０が収納される筐体１２０の部分とを異なる材質で形成してもよい。
　本変形例の放射線画像撮影装置１によれば、放射線検出器１０の厚さに応じた極薄型の放射線画像撮影装置１を構成することができる。
　なお、放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０及びその製造方法は、図１～図２５Ｂを参照して説明した形態に限定されるものではない。例えば、上記図１に示したように画素３０がマトリクス状に２次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、１次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素領域３５の形状も限定されないことはいうまでもない。
　その他、上記実施形態及び各変形例における放射線画像撮影装置１及び放射線検出器１０等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
　２０１９年１２月２７日出願の日本国特許出願２０１９－２３９５６９号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１　放射線画像撮影装置
１０　放射線検出器
１１　基材、１１Ａ　第１の面、１１Ｂ　第２の面
１２　センサ基板
１４　変換層、１４Ａ　中央部、１４Ｂ　周縁部
３０　画素
３２　ＴＦＴ（スイッチング素子）
３４　センサ部
３５　画素領域
３６　信号配線
３８　走査配線
３９　共通配線
４０、８２　補強基板
４２、８０　粘着剤
５０　固定板、５０Ａ　第１の面、５０Ｂ　第２の面
５２　固定板
６０　粘着層
６２　反射層
６４　接着層
６５　保護層
６６　防湿膜
６８　反射層
７０、７１　粘着層
７２　封止部材
７４　支持部材
７６　接着層
７８　封止部材
７９　内部空間
１００　制御部、１００Ａ　ＣＰＵ、１００Ｂ　メモリ、１００Ｃ　記憶部
１０２　駆動部
１０４　信号処理部
１０６　画像メモリ
１０８　電源部
１１０　制御基板
１１２、１１２Ａ、１１２Ｂ　フレキシブルケーブル
１１３　端子
１１４　電源線
１１６　シート
１２０　筐体、１２０Ａ　照射面、１２０Ｂ　境界部
２００　駆動基板
２１０　駆動ＩＣ
３００　信号処理基板
３１０　信号処理ＩＣ
４００　支持体
４０２　剥離層

Claims (10)

  1. 　支持体に、可撓性の基材を設け、前記基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、
    　前記基材の前記画素が設けられた面に、前記放射線を光に変換する変換層を設ける工程と、
    　回路部に接続されるフレキシブルケーブルの一端を、前記基板に接続する工程と、
    　前記変換層の、前記基板側の面と反対側の面に、固定板を設ける工程と、
    　前記フレキシブルケーブルを前記固定板に固定する工程と、
    　前記変換層及び前記固定板が設けられた前記基板を、前記支持体から剥離する工程と、
    　を備えた放射線画像撮影装置の製造方法。
  2. 　支持体に、可撓性の基材を設け、前記基材の画素領域に、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が設けられた基板を形成する工程と、
    　前記放射線を光に変換する変換層を、固定板に形成する工程と、
    　前記基材の前記画素が設けられた面に、前記固定板と反対側の面とを対向させた状態で前記変換層を設ける工程と、
    　回路部に接続されるフレキシブルケーブルの一端を、前記基板に接続する工程と、
    　前記フレキシブルケーブルを前記固定板に固定する工程と、
    　前記変換層及び前記固定板が設けられた前記基板を、前記支持体から剥離する工程と、
    　を備えた放射線画像撮影装置の製造方法。
  3. 　前記フレキシブルケーブルを、前記固定板の前記変換層が設けられた面と反対側の面に固定する、
    　請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  4. 　前記フレキシブルケーブルを、前記固定板の前記変換層が設けられた面に固定する、
    　請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  5. 　前記基板を、前記支持体から剥離する工程の前に、
    　前記回路部と前記フレキシブルケーブルとを電気的に接続する工程と、
    　前記固定板の前記変換層が設けられた面と反対側の面に、前記回路部を固定する工程と、
    　をさらに備えた請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  6. 　前記変換層を、前記基材の前記画素が設けられた面に減圧封止法により密着させることで、前記基材の前記画素が設けられた面に前記変換層を設ける、
    　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  7. 　前記基板を前記支持体から剥離した後、前記基板の前記変換層が設けられた面と反対側の面に、前記基材よりも剛性が高い補強基板を設ける工程をさらに備えた、
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  8. 　前記補強基板を天板とする筐体に、前記基板、前記変換層、前記固定板、及び前記回路部を収納する工程をさらに備えた、
    　請求項７に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  9. 　前記放射線が照射される側から順に、前記基板、前記基板、前記変換層、前記固定板、及び前記回路部の配置順で筐体に収納する工程をさらに備えた、
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
  10. 　前記固定板の材料の主成分は、カーボンである、
    　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置の製造方法。
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