JP2012177624A - 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射線画像検出装置1は、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体10と、前記蛍光体の放射線入射側に隣設されて該蛍光体によって支持され、前記蛍光体に生じた蛍光を検出する複数の光電変換素子26が2次元状に配設された薄膜型のセンサ部11と、を備え、前記センサ部は、前記蛍光体と対向する表面に設けられ、前記複数の光電変換素子の各々と電気的に接続された接続部38、及び前記接続部に接続された配線部材39と、を有しており、前記センサ部の裏面を除き、少なくとも前記配線部材が接続された前記接続部を被覆する第1の保護膜44と、前記センサ部の裏面において、少なくとも前記接続部に対応する部分を被覆する防湿性を有する第2の保護膜45と、を更に備える。
【選択図】図7
Description
(2) 放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体と、複数の光電変換素子が基板上に配設されたセンサパネルと、を貼り合わせ、前記蛍光体に対向する前記センサパネルの表面に設けられ、前記複数の光電変換素子の各々と電気的に接続されている接続部に配線部材を接続し、前記配線部材が接続された前記接続部を第1の保護膜によって被覆し、前記第1の保護膜が形成されたセンサパネルから前記基板を剥離し、前記センサパネルから前記基板が剥離されて露呈したセンサ部の裏面において、少なくとも前記接続部に対応する部分を、防湿性を有する第2の保護膜によって被覆する放射線画像検出装置の製造方法。
上述した光電変換素子26の光導電層20(図1参照)としては、例えばアモルファスシリコン等の無機半導体材料が用いられることが多いが、例えば特開2009−32854号公報に記載された有機光電変換(OPC;Organic photoelectric conversion)材料も用いることができる。このOPC材料により形成された膜(以下、OPC膜という)を光導電層20として使用できる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、蛍光体層から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体層による発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009−32854号公報の記載が参考となる。
スイッチ素子28の活性層としては、例えばアモルファスシリコン等の無機半導体材料が使われることが多いが、例えば特開2009−212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタ(FET)構造である。このFET構造は、絶縁性基板上面の一部にゲート電極を設け、更に該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。更に絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部に透明ソース電極と透明ドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。
ここでいう有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、無機材料からなる半導体と同様に、正孔(ホール)をキャリアとして伝導するp型有機半導体材料(あるいは単にp型材料、正孔輸送材料とも言う。)と、電子をキャリアとして伝導するn型有機半導体材料(あるいは単にn型材料、電子輸送材料とも言う。)がある。有機半導体材料は一般にp型材料の方が良好な特性を示すものが多く、また、一般に大気下でのトランジスタ動作安定性もp型トランジスタの方が優れているため、ここでは、p型有機半導体材料について説明する。
ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を構成する材料としては、必要な導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ITO(インジウムドープ酸化スズ)、IZO(インジウムドープ酸化亜鉛)、SnO2、ATO(アンチモンドープ酸化スズ)、ZnO、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)、TiO2、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)などの透明導電性酸化物、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸)などの透明導電性ポリマー、カーボンナノチューブなどの炭素材料が挙げられる。これらの電極材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。
上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009−212389号公報の記載が参考となる。
上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010−186860号公報の記載が参考となる。
シンチレータ10とセンサ部11とを光学的に結合させる樹脂層14としての平坦化層23及び接着層25は、シンチレータ10の蛍光を減衰させることなくセンサ部11に到達させ得るものであれば特に制限はない。平坦化層23としては、ポリイミドやパリレンなどの樹脂を用いることができ、製膜性が良好なポリイミドを用いることが好ましい。接着層25としては、例えば、UV硬化接着剤や加熱硬化型接着剤や室温硬化型接着剤やホットメルト型接着剤などの接着剤、若しくはゴム系粘着剤やシリコン系粘着剤やアクリル系粘着剤などの粘着剤、又はこれらの接着剤や粘着剤が両面に設けられた両面接着/粘着シート、等によって形成することができる。なお、接着剤としては、画像の鮮鋭度を低下させないという観点から、素子サイズに対して十分に薄い接着層を形成し得る低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。
(2) 上記(1)の放射線画像検出装置であって、前記第2の保護膜は、前記センサ部の裏面全体を被覆する放射線画像検出装置。
(3) 上記(2)の放射線画像検出装置であって、前記第2の保護膜は、前記配線部材が接続された前記接続部を、前記第1の保護膜の上から更に被覆する放射線画像検出装置。
(4) 上記(1)〜(3)のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記第1の保護膜は、解体型接着剤である放射線画像検出装置。
(5) 上記(4)の放射線画像検出装置であって、前記接続部及び前記配線部材の組が複数設けられており、前記第1の保護膜は、前記接続部毎に個別に設けられている放射線画像検出装置。
(6) 上記(1)〜(3)のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記第1の保護膜は、前記蛍光体を封止する防湿保護膜と一体に形成されている放射線画像検出装置。
(7) 放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体と、複数の光電変換素子が基板上に配設されたセンサパネルと、を貼り合わせ、前記蛍光体に対向する前記センサパネルの表面に設けられ、前記複数の光電変換素子の各々と電気的に接続されている接続部に配線部材を接続し、前記配線部材が接続された前記接続部を第1の保護膜によって被覆し、前記第1の保護膜が形成されたセンサパネルから前記基板を剥離し、前記センサパネルから前記基板が剥離されて露呈したセンサ部の裏面において、少なくとも前記接続部に対応する部分を、防湿性を有する第2の保護膜によって被覆する放射線画像検出装置の製造方法。
(8) 上記(7)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記第2の保護膜によって、前記センサ部の裏面全体を被覆する放射線画像検出装置の製造方法。
(9) 上記(8)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記第2の保護膜によって、前記配線部材が接続された前記接続部を、前記第1の保護膜の上から更に被覆する放射線画像検出装置の製造方法。
(10) 上記(7)〜(9)のいずれか一つの放射線画像検出装置の製造方法であって、前記第1の保護膜を、解体型接着剤によって形成する放射線画像検出装置の製造方法。
(11) 上記(10)の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記接続部及び前記配線部材の組が複数設けられており、前記複数の接続部の各々を前記第1の保護膜によって個別に被覆する放射線画像検出装置の製造方法。
(12) 上記(7)〜(9)のいずれか一つの放射線画像検出装置の製造方法であって、互いに張り合わされた前記蛍光体及び前記センサパネルの外面全体に防湿保護膜を形成し、該防湿保護膜によって前記第1の保護膜を形成する放射線画像検出装置の製造方法。
2 検出部
3 制御部
4 筐体
5 天板
10 シンチレータ
11 センサ部
13 支持体
14 樹脂層
16 接着層
20 光導電層
22 バイアス電極
23 平坦化層
24 電荷収集電極
25 接着層
26 光電変換素子
28 スイッチ素子
30 ゲート線
32 信号線
34 柱状部
35 柱状結晶
36 非柱状部
38 接続端子部
39 配線部材
40 防湿保護膜
41 絶縁性基板
42 センサパネル
43 剥離層
44 第1の保護膜
45 第2の保護膜
Claims (12)
- 放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体と、
前記蛍光体の放射線入射側に隣設されて該蛍光体によって支持され、前記蛍光体に生じた蛍光を検出する複数の光電変換素子が2次元状に配設された薄膜型のセンサ部と、
を備える放射線画像検出装置であって、
前記センサ部は、前記蛍光体と対向する表面に設けられ、前記複数の光電変換素子の各々と電気的に接続された接続部、及び前記接続部に接続された配線部材と、を有しており、
前記センサ部の裏面を除き、少なくとも前記配線部材が接続された前記接続部を被覆する第1の保護膜と、
前記センサ部の裏面において、少なくとも前記接続部に対応する部分を被覆する防湿性を有する第2の保護膜と、
を更に備える放射線画像検出装置。 - 請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第2の保護膜は、前記センサ部の裏面全体を被覆する放射線画像検出装置。 - 請求項2に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第2の保護膜は、前記配線部材が接続された前記接続部を、前記第1の保護膜の上からさらに被覆する放射線画像検出装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1の保護膜は、解体型接着剤である放射線画像検出装置。 - 請求項4に記載の放射線画像検出装置であって、
前記接続部及び前記配線部材の組が複数設けられており、
前記第1の保護膜は、前記接続部毎に個別に設けられている放射線画像検出装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1の保護膜は、前記蛍光体を封止する防湿保護膜と一体に形成されている放射線画像検出装置。 - 放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した蛍光体と、複数の光電変換素子が基板上に配設されたセンサパネルと、を貼り合わせ、
前記蛍光体に対向する前記センサパネルの表面に設けられ、前記複数の光電変換素子の各々と電気的に接続されている接続部に配線部材を接続し、
前記配線部材が接続された前記接続部を第1の保護膜によって被覆し、
前記第1の保護膜が形成されたセンサパネルから前記基板を剥離し、
前記センサパネルから前記基板が剥離されて露呈したセンサ部の裏面において、少なくとも前記接続部に対応する部分を、防湿性を有する第2の保護膜によって被覆する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項7に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記第2の保護膜によって、前記センサ部の裏面全体を被覆する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項8に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記第2の保護膜によって、前記配線部材が接続された前記接続部を、前記第1の保護膜の上からさらに被覆する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項7〜9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記第1の保護膜を、解体型接着剤によって形成する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項10に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
前記接続部及び前記配線部材の組が複数設けられており、
前記複数の接続部の各々を前記第1の保護膜によって個別に被覆する放射線画像検出装置の製造方法。 - 請求項7〜9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
互いに張り合わされた前記蛍光体及び前記センサパネルの外面全体に防湿保護膜を形成し、該防湿保護膜によって前記第1の保護膜を形成する放射線画像検出装置の製造方法。
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