WO2016174944A1 - 検査装置および検査方法 - Google Patents

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WO2016174944A1
WO2016174944A1 PCT/JP2016/057892 JP2016057892W WO2016174944A1 WO 2016174944 A1 WO2016174944 A1 WO 2016174944A1 JP 2016057892 W JP2016057892 W JP 2016057892W WO 2016174944 A1 WO2016174944 A1 WO 2016174944A1
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characteristic test
electrode
probes
dynamic characteristic
probe
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PCT/JP2016/057892
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陽一 坂本
浜田 貴之
伸幸 瀧田
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新東工業株式会社
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    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2621Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's

Definitions

  • This disclosure relates to an inspection apparatus and an inspection method.
  • the inspection of a device such as a power semiconductor module includes a dynamic characteristic (AC: Alternating Current) test and a static characteristic (DC: Direct Current) test.
  • AC Alternating Current
  • DC Direct Current
  • Patent Document 1 discloses an integrated test apparatus including a dynamic characteristic tester and a static characteristic tester. This integrated test apparatus electrically connects a dynamic characteristic tester and a static characteristic tester and an electrode of a device under test (DUT: Device Under Test) via an intermediate electrode plate. Thus, both the dynamic characteristic test and the static characteristic test are performed by one integrated test apparatus.
  • DUT Device Under Test
  • the improvement of inspection accuracy is desired along with the improvement of device performance.
  • the measurement result of the tester may be influenced by the inductance of the intermediate electrode plate.
  • the inspection accuracy may be reduced due to the influence of the inductance of the intermediate electrode plate.
  • This disclosure provides an inspection apparatus and an inspection method capable of improving the inspection accuracy of a device such as a power semiconductor module.
  • An inspection apparatus includes a stage for electrically connecting a stage on which a device under test is mounted and an electrode of the device under test to a dynamic characteristic testing machine for performing a dynamic characteristic test.
  • a control device that executes position control by moving the.
  • the control device performs position control so that the dynamic characteristic test probe is in a dynamic characteristic test state in contact with the electrode when the dynamic characteristic test is performed, and the dynamic characteristic test probe is removed from the electrode when the static characteristic test is performed.
  • Position control is performed so that the static characteristic test probe comes into a static characteristic test state in which the electrode is in contact with the electrode while being separated.
  • An inspection method includes a dynamic characteristic test process in which a dynamic characteristic test probe is brought into contact with an electrode of a device under test to perform a dynamic characteristic test, and a static characteristic test probe is brought into contact with an electrode. And a static characteristic test process for carrying out the test.
  • position control is performed by moving at least one of the stage on which the device under test is placed, the dynamic characteristic test probe, and the static characteristic test probe so that the dynamic characteristic test probe is separated from the electrode. Executed.
  • the dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester in a state where the dynamic characteristic test probe and the electrode of the device under test are in contact with each other.
  • a static characteristic test is performed by a static characteristic tester in a state where the static characteristic test probe and the electrode of the device under test are in contact with each other.
  • contact means that each probe and electrode are in contact with each other without any other element (for example, a conventionally used intermediate electrode plate) (that is, each probe and electrode are in physical contact). Means that. For this reason, for example, as compared with the conventional configuration in which each testing machine and the electrode of the device under test are connected via the intermediate electrode, each testing machine and the device under test are electrically connected with a smaller inductance component.
  • the dynamic characteristic test probe is separated from the electrode of the device under test.
  • a relay may be provided between the dynamic characteristic test probe and the dynamic characteristic tester to electrically disconnect the dynamic characteristic tester. .
  • the measurement accuracy of the dynamic characteristic test decreases due to the influence of the inductance component of the relay.
  • the dynamic characteristic test probe is physically separated from the electrode of the device under test as described above, it can be configured not to provide a relay between the dynamic characteristic test probe and the dynamic characteristic tester. It is possible to prevent a decrease in measurement accuracy of the dynamic characteristic test due to the inductance component of the relay. Therefore, it is possible to improve the inspection accuracy of the device under test.
  • the inspection apparatus further includes a disconnect circuit that electrically separates the static characteristic test probe from the static characteristic test machine, and the control apparatus has both the dynamic characteristic test probe and the static characteristic test probe as electrodes in the dynamic characteristic test state.
  • Position control is performed so as to be in contact, and the separation circuit may electrically disconnect the static characteristic test probe and the static characteristic tester when the dynamic characteristic test is performed.
  • the dynamic characteristic test probe and the static characteristic test probe are arranged so as to contact the electrode from the lower side of the device under test, and the control device moves the dynamic characteristic test probe in the vertical direction, thereby moving the dynamic characteristic test probe and the static characteristic test probe.
  • the contact state of the characteristic test probe and the electrode may be switched between a dynamic characteristic test state and a static characteristic test state. Even in this case, the above-described position control can be realized.
  • elements included in the inspection apparatus such as a static characteristic test probe and a dynamic characteristic test probe, can be collectively arranged in a lower part of the inspection apparatus (for example, a part below the stage). Thereby, an inspection apparatus can be made compact.
  • the dynamic characteristic test probe is arranged so as to contact the electrode from the lower side of the device under test
  • the static characteristic test probe is arranged so as to contact the electrode from the upper side of the device under test
  • the control device performs the static characteristic test.
  • the contact state of the dynamic characteristic test probe, the static characteristic test probe and the electrode may be switched between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state by moving the probe and the dynamic characteristic test probe in the vertical direction. Even in this way, the above-described position control can be realized.
  • the dynamic characteristic test probe is arranged to contact the electrode from the lower side of the device under test
  • the static characteristic test probe is arranged to contact the electrode from the upper side of the device under test
  • the controller moves the stage up and down. By moving in the direction, the contact state of the dynamic characteristic test probe, the static characteristic test probe and the electrode may be switched between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state. Even in this way, the above-described position control can be realized.
  • the dynamic characteristic test probe and the static characteristic test probe are arranged so as to contact the electrode from the upper side of the device under test, and the control device moves the stage and the dynamic characteristic test probe in the vertical direction, thereby moving the dynamic characteristic test probe,
  • the contact state of the static characteristic test probe and the electrode may be switched between a dynamic characteristic test state and a static characteristic test state. Even in this way, the above-described position control can be realized.
  • the static characteristic test probe is a spring probe that can expand and contract in the vertical direction, and is arranged so as to contact the electrode from the upper side of the device under test.
  • the dynamic characteristic test probe has the tip of the dynamic characteristic test probe at the static characteristic test probe.
  • the control device is arranged so as to contact the electrode from the upper side of the device under test by moving the stage in the vertical direction, so that the dynamic characteristic test probe, the static characteristic test probe, and the electrode
  • the contact state may be switched between a dynamic property test state and a static property test state. Even in this way, the above-described position control can be realized.
  • the dynamic characteristic test probe and the static characteristic test probe are arranged so as to contact the electrode from the upper side of the device under test, and the controller moves the dynamic characteristic test probe and the static characteristic test probe in the vertical direction to move the dynamic characteristic test probe.
  • the contact state of the test probe, the static characteristic test probe and the electrode may be switched between a dynamic characteristic test state and a static characteristic test state. Even in this way, the above-described position control can be realized.
  • a device such as a power semiconductor module is a device under test (DUT), and a dynamic characteristic test and a static characteristic test are performed on the DUT.
  • DUT device under test
  • step S1 for carrying in the DUT 60 before inspection and placing the DUT 60 on the stage 11 step S2 for performing a dynamic characteristic test and a static characteristic test
  • step S3 for unloading the DUT 60 after the inspection is executed as the stage 11 moves linearly.
  • return process S4 which moves stage 11 to the position where the process of process S1 is performed is also performed.
  • the above-described steps S 1 to S 3 are executed as the stage 11 rotates.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the dynamic characteristic tester and the static characteristic tester used in the above-described step S2.
  • the DUT 60 includes transistors Q1 and Q2, diodes D1 and D2, a P-electrode 71, an output electrode 72, an N-electrode 73, a plurality of control electrodes 81, and a plurality of controls.
  • the transistors Q1 and Q2 are IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), but the transistors Q1 and Q2 may be, for example, FETs (Field Effect Transistors).
  • the transistor Q1 can be used for the upper arm of the one-phase inverter circuit, and the transistor Q2 can be used for the lower arm.
  • Each of diodes D1 and D2 is a free-wheeling diode connected to transistors Q1 and Q2, respectively.
  • the P electrode 71 is connected to the collector of the transistor Q1.
  • the output electrode 72 is connected to the emitter of the transistor Q1 and the collector of the transistor Q2.
  • N-pole electrode 73 is connected to the emitter of transistor Q2.
  • the P electrode 71, the output electrode 72, and the N electrode 73 are denoted by P, O, and N in parentheses.
  • the control electrode 81 includes a portion connected to the gate of the transistor Q1 (shown as a control electrode 81 (G)) and a portion connected to the emitter of the transistor Q1 (shown as a control electrode 81 (E)). including.
  • the control electrode 82 includes a portion connected to the gate of the transistor Q2 (illustrated as the control electrode 82 (G)) and a portion connected to the emitter of the transistor Q2 (illustrated as the control electrode 82 (E)). including.
  • the inspection apparatus 100 includes probes 21 to 23, probes 31 to 33, probes 51 and 52, a disconnecting circuit 136, and a switching circuit 150.
  • the probes 21 to 23 are dynamic characteristic test probes (first probes) for electrically connecting the P electrode 71, the output electrode 72, and the N electrode 73 to the dynamic characteristic tester 120.
  • the probes 31 to 33 are static characteristic test probes (second probes) for electrically connecting the P electrode 71, the output electrode 72 and the N electrode 73 to the static characteristic tester 130.
  • Probes 51 and 52 are probes (third probes) for electrically connecting control electrodes 81 and 82 to a drive circuit 125 of a dynamic characteristic tester 120 or a drive circuit 135 of a static characteristic tester 130 described later. is there.
  • the dynamic characteristic tester 120 performs a dynamic characteristic test of the DUT 60.
  • the dynamic characteristic tester 120 measures the switching time of the transistors Q1 and Q2 included in the DUT 60 using the drive circuit 125 and a test circuit including the capacitor 121, the transistors 122 to 124, and the reactor 126.
  • the dynamic characteristic test performed by the dynamic characteristic tester 120 includes various tests such as measurement of a short-circuit safe operation region and avalanche measurement.
  • the static characteristic tester 130 performs a static characteristic test of the DUT 60.
  • the static characteristic tester 130 uses the drive circuit 135 and the test circuit including the high voltage source 131, the transistor 132, the current measurement circuit 133, and the current detection resistor 134, and the transistors Q1 and Q2 and the diode included in the DUT 60. Measure the ON voltage of D1 and D2.
  • the static characteristic test performed by the static characteristic tester 130 includes various tests such as measurement of leakage current and measurement of cutoff voltage.
  • the disconnect circuit 136 electrically disconnects the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130.
  • the switching circuit 150 switches the electrical connection between the probes 51 and 52 and the drive circuit 125 of the dynamic characteristic tester 120 and the drive circuit 135 of the static characteristic tester 130. Details of the disconnection circuit 136 and the switching circuit 150 will be described later with reference to FIGS.
  • each of the probes 21 to 23 is connected to the P electrode 71, the output electrode 72, and the N electrode 73 of the DUT 60.
  • Position control is performed so as to be in contact with each of them (dynamic characteristic test state).
  • the static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130
  • each of the probes 21 to 23 is separated from each of the P electrode 71, the output electrode 72, and the N electrode 73 of the DUT 60.
  • position control is performed so that each of the probes 31 to 33 comes into contact with the P-pole electrode 71, the output electrode 72, and the N-pole electrode 73 of the DUT 60 (static characteristic test state).
  • the position control is executed by a control device 40 (FIG. 4 and the like) described later.
  • the controller 40 controls the position so that the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are in contact with the P-pole electrode 71, the output electrode 72, and the N-pole electrode 73 of the DUT 60 as the dynamic characteristic test state. May be performed. In that case, when the dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120, the disconnection circuit 136 electrically disconnects the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130.
  • FIG. 4 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the inspection apparatus 101 according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a front view of the inspection apparatus 101 shown in FIG. Of the elements included in the inspection apparatus 101, the control device 40, the separation circuit 136, and the switching circuit 150 are schematically shown, and the positions and sizes of the control device 40, the separation circuit 136, and the switching circuit 150 are shown. It is not an accurate indication. The same applies to the dynamic characteristic tester 120 and the static characteristic tester 130.
  • the DUT 60 includes a main body 61, an electrode 70, and an electrode 80.
  • the main body 61 has a plate shape.
  • the main body 61 includes transistors Q1 and Q2 and diodes D1 and D2 (FIG. 3).
  • the main body 61 is molded with resin, for example.
  • the electrode 70 includes a P-electrode 71, an output electrode 72, and an N-electrode 73.
  • the electrode 70 is an electrode that extends from one of the four side surfaces of the main body 61 toward the outside of the main body 61 perpendicular to the side surface. Along the side surface, the P-electrode 71, the output electrode 72, and the N-electrode 73 are arranged in this order.
  • the electrode 80 includes a control electrode 81 and a control electrode 82.
  • the electrode 80 is an electrode extending from the side surface of the main body 61 opposite to the electrode 70 across the main body 61 toward the outside of the main body 61 perpendicular to the side surface.
  • the control electrode 81 and the control electrode 82 are arranged in this order.
  • the number of control electrodes 81 and control electrodes 82 is five, but the number of control electrodes 81 and control electrodes 82 is not limited to this.
  • the control electrode 81 only needs to include at least the control electrode 81 (G) and the control electrode 81 (E) shown in FIG. 3, and the control electrode 82 includes at least the control electrode 82 (G) and the control electrode 82 (E). It only has to be included.
  • the inspection apparatus 101 includes a fixed unit 1, a mounting unit 10, a dynamic characteristic test probe unit 20, a static characteristic test probe unit 30, a control device 40, a probe unit 50, a disconnecting circuit 136, and a switching circuit 150. Including.
  • the mounting unit 10 includes a stage 11 and an insulating base 12.
  • the stage 11 is an insulating stage provided on the insulating base 12.
  • a DUT 60 is placed on the stage 11.
  • the stage 11 has a placement surface 11a.
  • the mounting surface 11 a supports the main body 61 of the DUT 60. When the placement surface 11a is viewed in plan, at least a part of the electrode 70 and at least a part of the electrode 80 of the DUT 60 are located outside the placement surface 11a.
  • an XYZ coordinate system is set to explain each direction of the inspection apparatus 101.
  • the mounting surface 11a of the stage 11 is set as an XY plane.
  • the X axis and the Y axis are orthogonal to each other, and the Z axis is orthogonal to the XY plane. That is, the Z axis is a direction orthogonal to the mounting surface 11 a of the stage 11.
  • the positive Z-axis direction is the “up” direction
  • the negative Z-axis direction is the “down” direction.
  • the Z-axis positive direction may be read downward and the Z-axis negative direction may be read upward.
  • the dynamic characteristic test probe unit 20 includes probes 21 to 23, a movable base 24, and a probe holder 25.
  • the probe 21 has a low inductance characteristic and is configured to allow a large current (for example, a current of about 100 A to 10 kA).
  • the probe 21 is composed of a plurality of (for example, about several to a hundred) short probes.
  • the length of each short probe is, for example, about 1 mm to 10 mm.
  • the probe 21 is constituted by a plurality of short and small probes, the probe 21 can allow a large current.
  • the probe 22 and the probe 23 are composed of a plurality of short probes.
  • Each probe may be, for example, a scrub probe or a spring probe.
  • the tip portion of each probe contacts the electrode 70 while scrubbing the surface of the electrode 70.
  • the tip portion of each probe contacts the electrode 70 by utilizing the expansion and contraction of the spring.
  • Spring-type probes are more versatile and less expensive than scrub-type probes.
  • the probe holder 25 accommodates the probes 21 to 23 so that the tip portions of the probes 21 to 23 protrude upward from the probe holder 25.
  • the movable base 24 is a part that supports the probe holder 25.
  • the movable base 24 is driven in the vertical direction by a vertical drive unit 41 described later.
  • Each of the probes 21 to 23 is positioned below the P-pole electrode 71, the output electrode 72, and the N-pole electrode 73 of the DUT 60 with the DUT 60 mounted on the stage 11.
  • the static characteristic test probe unit 30 includes probes 31 to 33 and a probe holder 34.
  • Each of the probes 31 to 33 is configured by, for example, a plurality of contact needles, like the probes 21 to 23.
  • the probe holder 34 accommodates the probes 31 to 33 so that the tip portions of the probes 31 to 33 protrude upward from the probe holder 34.
  • the probes 31 to 33 are composed of a plurality of short probes as in the probes 21 to 23.
  • the probe holder 34 is fixed to the insulating base 12.
  • the tip portions of the probes 31 to 33 are positioned above the placement surface 11a of the stage 11 so that the DUT 60 is in contact with the electrode 70 in a state of being placed on the stage 11.
  • Each of the probes 31 to 33 is located below the P-pole electrode 71, the output electrode 72, and the N-pole electrode 73 of the DUT 60 with the DUT 60 mounted on the stage 11.
  • each of the probe 21 and the probe 31 is arranged in parallel so as to come into contact with different parts of the P-electrode 71 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • Each of the probe 22 and the probe 32 is juxtaposed so as to contact different portions of the output electrode 72 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • Each of the probe 23 and the probe 33 is arranged in parallel so as to come into contact with different portions of the N-pole electrode 73 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are juxtaposed in the XY plane direction so as to come into contact with different portions of the electrode 70 of the DUT 60, respectively.
  • the probe unit 50 includes probes 51 and 52 and a probe holder 53.
  • Each of the probes 51 and 52 is configured by a plurality of pins.
  • the number of pins constituting the probe 51 is the same as the number of control electrodes 81 of the DUT 60
  • the number of pins constituting the probe 52 is the same as the number of control electrodes 82 of the DUT 60.
  • the probes 51 and 52 are, for example, spring-type probes that are supported by a spring (not shown) in the probe holder 53 and can be expanded and contracted in the vertical direction by expansion and contraction of the spring.
  • the probe holder 53 accommodates the probes 51 and 52 so that the tip portions of the probes 51 and 52 protrude upward from the probe holder 53.
  • the probe holder 53 is fixed to the insulating base 12.
  • Each of the probes 51 and 52 is positioned below the control electrodes 81 and 82 of the DUT 60 with the DUT 60 mounted on the stage 11.
  • the tip portions of the probes 51 and 52 are located above the placement surface 11a of the stage 11 so that the DUT 60 is placed on the stage 11 and, for example, contacts the electrode 80 using the expansion and contraction of the spring described above. To position.
  • the number of pins constituting the probes 51 and 52 and the size of the diameter of the pins are appropriately determined from the viewpoint of ensuring electrical connection between the probes 51 and 52 and the electrode 80.
  • the fixing portion 1 includes a pressing base 2 and pressing blocks 3 and 4.
  • the presser base 2 is a plate-like block arranged so as to face the stage 11.
  • the holding block 3 is an insulating block provided on the lower surface of the holding base 2 and arranged so as to face the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33.
  • the holding block 4 is an insulating block provided on the lower surface of the holding base 2 and arranged so as to face the probes 51 and 52.
  • the control device 40 includes a vertical drive unit 41, a vertical drive unit 42, and a control unit 45.
  • the vertical drive unit 41 drives the movable base 24 so that the movable base 24 moves in the vertical direction.
  • the vertical drive unit 42 drives the presser base 2 so that the presser base 2 moves in the vertical direction.
  • an electric cylinder using a solenoid mechanism is used for driving by the vertical drive unit 41 and the vertical drive unit 42.
  • the control unit 45 controls the vertical drive unit 41 and the vertical drive unit 42. This control is performed using, for example, an electrical signal.
  • the control by the control unit 45 may be realized, for example, by causing a computer to execute using predetermined computer software (program), or may be realized using dedicated hardware.
  • control device 40 moves the movable base 24 (that is, the dynamic characteristic test probe unit 20) in the vertical direction by controlling the vertical drive unit 41. Further, the control device 40 controls the vertical drive unit 42 to move the pressing blocks 3 and 4 together with the pressing base 2 in the vertical direction.
  • the tips of the probes 21 to 23, the tips of the probes 31 to 33, and the probes The tips of 51 and 52 are located at the same height.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an operation example of the inspection apparatus 101.
  • the control unit 45 controls the vertical drive unit 42 to move the pressing base 2 downward.
  • the pressing blocks 3 and 4 press the electrodes 70 and 80 of the DUT 60 downward.
  • the probes 31 to 33 are arranged so as to contact the electrode 70 in a state where the DUT 60 is placed on the stage 11, the probes 31 to 33 contact the electrode 70 of the DUT 60 from below the DUT 60.
  • the probes 51 and 52 are arranged so as to contact the electrode 80 in a state where the DUT 60 is placed on the stage 11, the probes 51 and 52 contact the electrode 80 of the DUT 60 from below the DUT 60.
  • the control unit 45 controls the vertical drive unit 41 to bring the probes 21 to 23 into contact with the electrode 70 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • the control device 40 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the dynamic characteristic test state.
  • a dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120 (dynamic characteristic test process). While the dynamic characteristic test is being performed, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected by the disconnection circuit 136.
  • the control unit 45 controls the vertical drive unit 41 to move the probes 21 to 23 together with the movable base 24 to move the probes 21 to 23 of the DUT 60. Separated from the electrode 70. In this way, the control device 40 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the static characteristic test state.
  • a static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130 (static characteristic test step). While the static characteristic test is being performed, the disconnection circuit 136 is not disconnected, and the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically connected.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are arranged so as to contact the electrode 70 from the lower side of the DUT 60.
  • the control unit 45 moves the probes 21 to 23 in the vertical direction by the vertical drive unit 41, thereby changing the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the dynamic characteristic test state (probe 21 to 23 is in contact with the electrode 70, or the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are both in contact with the electrode 70) and the static characteristic test state (the probes 21 to 23 are separated from the electrode 70 while the probes 31 to The state is switched between the state where 33 is in contact with the electrode 70.
  • the dynamic characteristic test by the dynamic characteristic tester 120 is performed in a state where the probes 21 to 23 and the electrode 70 of the DUT 60 are in contact with each other. Further, a static characteristic test by the static characteristic tester 130 is performed in a state where the probes 31 to 33 and the electrode 70 of the DUT 60 are in contact with each other. For this reason, for example, as compared with the conventional configuration in which each testing machine and the electrode of the device under test are connected via the intermediate electrode, each testing machine and the device under test are electrically connected with a smaller inductance component. Can be connected to. As a result, the measurement accuracy of a dynamic characteristic test that is particularly susceptible to the influence of the inductance component can be improved.
  • the probes 21 to 23 are separated from the electrode 70 of the DUT 60 when the static characteristic test is being performed.
  • a relay may be provided between the probes 21 to 23 and the dynamic characteristic tester 120 to electrically disconnect the dynamic characteristic tester 120. It is done. However, in that case, the measurement accuracy of the dynamic characteristic test decreases due to the influence of the inductance component of the relay. If the probes 21 to 23 are physically separated from the electrode 70 of the DUT 60 as in the inspection apparatus 101, a configuration in which no relay is provided between the probes 21 to 23 and the dynamic characteristic tester 120 can be obtained. Therefore, it is possible to prevent a decrease in measurement accuracy of the dynamic characteristic test due to the inductance component of the relay. Therefore, according to the inspection apparatus 101, it is possible to improve the inspection accuracy of the DUT 60 such as a power semiconductor module.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are all in contact with the electrode 70 of the DUT 60. Even in this case, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected by the disconnection circuit 136.
  • the probes 31 to 33 downward to electrically disconnect the static characteristic tester 130 from the electrode 70 of the DUT 60. In this case, the movement to move the probes 31 to 33 is possible.
  • a mechanism is required separately, and mechanical design for that is also required. If the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are separated from each other by the circuit 136 as in the inspection apparatus 101, such a moving mechanism and mechanical design can be eliminated.
  • an inductance component may be generated by providing the disconnection circuit 136, but this hardly affects the static characteristic test.
  • the static characteristic test is a test for measuring the ON voltage of the transistor and the diode, etc.
  • the dynamic characteristic for measuring a very short time change such as the switching time of the transistor. This is because the influence of the inductance component is small compared to the test.
  • the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the probes 51 and 52 are arranged so as to contact the electrodes 70 and 80 from the lower side of the DUT 60. Therefore, according to the inspection apparatus 101, the elements included in the inspection apparatus 101 such as the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, the probes 51 and 52, the disconnecting circuit 136, and the switching circuit 150 are arranged below the inspection apparatus 101. (For example, the part below the stage 11) can be collectively arranged. Thereby, the inspection apparatus 101 can be made compact. Moreover, the wiring for connecting each element can also be shortened.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a schematic configuration of the inspection apparatus 102 according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a front view of the inspection apparatus 102. Compared with the inspection apparatus 101, the inspection apparatus 102 differs particularly in the position where the probes 31 to 33 are provided and the control content of the control apparatus 40.
  • the probes 31 to 33 are arranged so as to be in contact with the electrode 70 of the DUT 60 from above the DUT 60.
  • the probes 31 to 33 are accommodated in a probe holder (not shown) provided in the holding block 3.
  • the probes 31 to 33 are accommodated in the probe holder so that the tip portions of the probes 31 to 33 protrude downward from the probe holder.
  • Each of the probes 31 to 33 faces the probes 21 to 23, respectively.
  • Each of the probes 31 to 33 is located above the P-pole electrode 71, the output electrode 72, and the N-pole electrode 73 of the DUT 60 with the DUT 60 mounted on the stage 11.
  • control apparatus 40 moves the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 in the vertical direction, thereby changing the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 70 to the dynamic characteristic test state and Switch between static characteristic test states.
  • the tips of the probes 21 to 23 and the tips of the probes 51 and 52 are located at the same height.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an operation example of the inspection apparatus 102.
  • the control unit 45 controls the vertical drive unit 42 to move the pressing base 2 downward.
  • the probes 31 to 33 come into contact with the electrode 70 of the DUT 60 from above the DUT 60.
  • the probes 21 to 23 are in contact with the electrode 70 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60, and the probes 51 and 52 are in contact with the electrode 80 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • the control device 40 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the dynamic characteristic test state.
  • a dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120 (dynamic characteristic test process). While the dynamic characteristic test is being performed, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected by the disconnection circuit 136.
  • the control device 40 controls the vertical drive unit 41 to move the probes 21 to 23 together with the movable base 24, and moves the probes 21 to 23 to the DUT 60. Separated from the electrode 70. Thereby, the control device 40 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the static characteristic test state.
  • a static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130 (static characteristic test step). While the static characteristic test is being performed, the disconnection circuit 136 is not disconnected, and the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically connected.
  • the control apparatus 40 changes the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 of the DUT 60 to the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state.
  • the position control to switch between is performed. Therefore, it is possible to improve the inspection accuracy of the DUT 60.
  • the probes 21 to 23 are in contact with the lower surface of the electrode 70, and the probes 31 to 33 are in contact with the upper surface of the electrode 70.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are arranged.
  • the DUT 60 can be inspected by bringing them into contact with each other from both surfaces of the electrode 70.
  • FIG. 10 is a front view of the inspection apparatus 103 according to the third embodiment.
  • the inspection device 103 is different from the inspection device 102 in that the control device 40 includes the vertical drive unit 43, the position where the probes 51 and 52 are provided, and the control content of the control device 40.
  • the control apparatus 40 may not include the vertical drive units 41 and 42.
  • the vertical drive unit 43 drives the insulating base 12 so that the insulating base 12 moves in the vertical direction.
  • the vertical drive unit 43 is controlled by the control unit 45 in the same manner as the vertical drive units 41 and 42.
  • the probes 51 and 52 are arranged so as to be in contact with the electrode 70 of the DUT 60 even from the upper side of the DUT 60.
  • the probes 51 and 52 are accommodated in a probe holder (not shown) provided in the holding block 4.
  • the probes 51 and 52 are accommodated in the probe holder so that the tip portions of the probes 51 and 52 protrude downward from the probe holder.
  • Each of these probes 51 and 52 provided on the holding block 4 side faces the probes 51 and 52 provided on the insulating base 12 side, respectively.
  • Each of the probes 51 and 52 provided on the holding block 4 side is positioned above the control electrodes 81 and 82 of the DUT 60 with the DUT 60 placed on the stage 11.
  • control apparatus 40 moves the stage 11 in the vertical direction to change the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state. Switch.
  • the tips of the probes 21 to 23 and the tips of the probes 51 and 52 on the insulating base 12 side are located at the same height.
  • the tips of the probes 31 to 33 and the tips of the probes 51 and 52 on the side of the holding block 4 are located at the same height.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating an operation example of the inspection apparatus 103.
  • the control unit 45 moves the insulating base 12 upward by controlling the vertical drive unit 43 while the DUT 60 is placed on the stage 11.
  • the probes 31 to 33 come into contact with the electrode 70 of the DUT 60 from above the DUT 60.
  • the probes 51 and 52 provided on the holding block 4 side come into contact with the electrode 80 of the DUT 60 from above the DUT 60.
  • the control device 40 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the static characteristic test state.
  • a static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130 (static characteristic test step). While the static characteristic test is being performed, the disconnection circuit 136 is not disconnected, and the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically connected.
  • control unit 45 controls the vertical drive unit 43 to move the insulating base 12 downward.
  • the probes 21 to 23 come into contact with the electrode 70 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • the probes 51 and 52 provided on the insulating base 12 side come into contact with the electrode 70 of the DUT 60 from the lower side of the DUT 60.
  • the control device 40 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 to the dynamic characteristic test state.
  • a dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120 (dynamic characteristic test process).
  • the probes 31 to 33 are separated from the electrode 70 of the DUT 60 while the dynamic characteristic test is being performed.
  • the disconnecting circuit 136 connects the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130. It does not have to be electrically disconnected. For this reason, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 may be electrically connected without passing through the disconnection circuit 136. In this case, the inspection apparatus 103 does not include the disconnection circuit 136. Is done.
  • the control apparatus 40 changes the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 70 of the DUT 60 to the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state.
  • the position control to switch between is performed. Therefore, it is possible to improve the inspection accuracy of the DUT 60.
  • the DUT 60 can be inspected by bringing the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 into contact with both surfaces of the electrode 70, respectively.
  • the vertical drive units 41 and 42 can be dispensed with.
  • FIG. 12 is a perspective view showing a schematic configuration of the inspection apparatus 104 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view of the inspection apparatus 104.
  • FIG. 14 is a front view of the inspection apparatus 104.
  • the DUT 65 is inspected.
  • the DUT 65 has the same function as the DUT 60 but has a different shape from the DUT 60.
  • the DUT 65 includes a main body 66, an electrode 75, and an electrode 85.
  • the main body 66 includes transistors Q1 and Q2 and diodes D1 and D2 (FIG. 3).
  • the main body 66 has a first portion 67 and a second portion 68. Both the first portion 67 and the second portion 68 have a plate shape.
  • the second portion 68 has a smaller area than the first portion 67 when viewed in the XY plane.
  • the second portion 68 is provided on the first portion 67.
  • the electrode 75 includes a P electrode 76, an output electrode 77, and an N electrode 78.
  • the P-pole electrode 76, the output electrode 77, and the N-pole electrode 78 are provided on the second portion 68. These electrodes are arranged on the upper surface of the second portion 68 in the order of the output electrode 77, the N-pole electrode 78, and the P-pole electrode 76 along the positive X-axis direction.
  • the uses of the P-pole electrode 76, the output electrode 77, and the N-pole electrode 78 are the same as those of the P-pole electrode 71, the output electrode 72, and the N-pole electrode 73, and thus description thereof is omitted here.
  • the electrode 85 includes control electrodes 86 and 87.
  • the control electrodes 86 and 87 are provided on the first portion 67 where the second portion 68 is not provided. These electrodes are arranged on the upper surface of the first portion 67 in the order of the control electrode 87 and the control electrode 86 along the positive Y-axis direction. Since the use of the control electrode 86 and the control electrode 87 is the same as that of the control electrode 81 and the control electrode 82, description thereof is omitted here.
  • the inspection apparatus 104 includes probes 21 to 23, probes 31 to 33, and probes 51 and 52.
  • the specific configurations of the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 in the inspection apparatus 104 are changed as appropriate in order to inspect the DUT 65.
  • the dynamic characteristic test probe unit 20 includes a support bar 26 extending in the X-axis direction.
  • the probes 21 to 23 are fixed to the support bar 26 so that the tip portions extend downward from the support bar 26.
  • Each of the probes 21 to 23 is positioned above the P-pole electrode 76, the output electrode 77, and the N-pole electrode 78 of the DUT 65 with the DUT 65 mounted on the stage 16.
  • the static characteristic test probe unit 30 includes a support bar 36 extending in the X-axis direction.
  • the support bar 36 is located at the same height as the support bar 26 and is arranged side by side with the support bar 26 in the Y-axis direction.
  • the probes 31 to 33 are fixed to the support bar 36 so that the tip portions extend downward from the support bar 36.
  • Each of the probes 31 to 33 is positioned above the P-pole electrode 76, the output electrode 77, and the N-pole electrode 78 of the DUT 65 with the DUT 65 mounted on the stage 16.
  • the probe unit 50 includes a support bar 56 extending in the Y-axis direction.
  • the probes 51 and 52 are fixed to the support bar 56 so that the tip portions extend downward from the support bar 56.
  • Each of the probes 51 and 52 is positioned above the control electrodes 87 and 86 of the DUT 65 with the DUT 65 mounted on the stage 16.
  • the dynamic characteristic tester 120, the static characteristic tester 130, and the separation circuit 136 are arranged above as one unit. However, each element may be arranged separately.
  • the wiring connecting the probe 21 and the probe 23 and the dynamic characteristic tester 120 (that is, the wiring connecting the P-pole electrode 76 and the N-pole electrode 78) W1 is a flat knitted wire sandwiching an insulator. It is configured as a formed parallel plate.
  • the insulator is, for example, an insulating paper or an insulating heat shrinkable tube. In this case, since the current in the reverse direction flows through each of the parallel plates, the wiring inductance can be reduced. Furthermore, the flexibility of the wiring W1 can also be realized.
  • a configuration similar to W1 may be adopted for the wiring W2 that connects the probe 31 and the probe 33 and the static characteristic tester 130 (more specifically, the separation circuit 136).
  • the inspection apparatus 104 is different from the inspection apparatus 101 in that the inspection apparatus 104 includes a mounting section 15 in place of the mounting section 10 and a control apparatus 90 in place of the control apparatus 40.
  • the mounting unit 15 includes a stage 16 and an insulating base 17.
  • the stage 16 is an insulating stage provided on the insulating base 17.
  • a DUT 65 is placed on the stage 16.
  • the stage 16 has a placement surface 16a.
  • the mounting surface 16a supports the main body 66 (the first portion 67) of the DUT 65. When the DUT 65 is viewed in plan, the main body 66 of the DUT 65 is positioned inside the placement surface 16a.
  • the control device 90 includes vertical drive units 91 to 94 and a control unit 95.
  • the vertical drive unit 91 is a pair of drive units that are connected to both ends of the support bar 26 and drive the support bar 26 so that the support bar 26 moves in the vertical direction.
  • the vertical drive unit 92 is a pair of drive units that are connected to both ends of the support bar 36 and drive the support bar 36 so that the support bar 36 moves in the vertical direction.
  • the vertical drive unit 93 is a pair of drive units that are connected to both ends of the support bar 56 and drive the support bar 56 so that the support bar 56 moves in the vertical direction.
  • the vertical drive unit 94 drives the insulating base 17 so that the insulating base 17 moves in the vertical direction.
  • the control unit 95 controls the vertical drive units 91-94. With the above configuration, the control unit 95 controls the vertical drive unit 91 to move the support bar 26 (that is, the probes 21 to 23) in the vertical direction. The control unit 95 controls the vertical drive unit 92 to move the support bar 36 (that is, the probes 31 to 33) in the vertical direction. The control unit 95 controls the vertical drive unit 93 to move the support bar 56 (that is, the probes 51 and 52) in the vertical direction. The control unit 95 controls the vertical drive unit 94 to move the stage 16 together with the insulating base 17 in the vertical direction.
  • the vertical drive unit 91 and the vertical drive unit 94 are used. Therefore, in FIG. 14 and FIG. 15 described later, only the vertical drive units 91 and 94 among the vertical drive units 91 to 94 are shown.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are arranged so as to contact the electrode 75 of the DUT 65 from above the DUT 65. Then, the control device 90 moves the stage 16 and the probes 21 to 23 in the vertical direction to change the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state. Switch between.
  • the dynamic characteristic test state here is a state in which each of the probes 21 to 23 is in contact with the P electrode 76, the output electrode 77, and the N electrode 78 of the DUT 65.
  • each of the probes 21 to 23 is separated from each of the P pole electrode 76, the output electrode 77 and the N pole electrode 78 of the DUT 65, while each of the probes 31 to 33 is a P pole of the DUT 65.
  • the electrode 76, the output electrode 77, and the N-pole electrode 78 are in contact with each other.
  • the tips of the probes 21 to 23 and the tips of the probes 31 to 33 are the same height. Is located.
  • the tips of the probes 51 and 52 are located below the tips of the probes 21 to 23 and the tips of the probes 31 to 33.
  • the distance between the tips of the probes 21 to 23 and 31 to 33 in the height direction and the tips of the probes 51 and 52 is the distance between the surface of the electrode 75 and the surface of the electrode 85 in the height direction (Z-axis direction). Almost equal.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an operation example of the inspection apparatus 104.
  • the control unit 95 moves the stage 16 upward by controlling the vertical drive unit 94 while the DUT 65 is placed on the stage 16.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65 from above the DUT 65.
  • the probes 51 and 52 are in contact with the electrode 85 of the DUT 65 from above the DUT 65.
  • the control device 90 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 to the dynamic characteristic test state.
  • a dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120 (dynamic characteristic test process). While the dynamic characteristic test is being performed, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected by the disconnection circuit 136.
  • the control unit 95 controls the vertical drive unit 91 to move the probes 21 to 23 upward.
  • the probes 21 to 23 are separated from the electrode 75 of the DUT 65.
  • the control device 90 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 to the static characteristic test state.
  • a static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130 (static characteristic test process). While the static characteristic test is being performed, the disconnection circuit 136 is not disconnected, and the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically connected.
  • the control apparatus 90 performs position control for switching the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 75 of the DUT 65 between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state. Therefore, the inspection accuracy of the DUT 65 can be improved by the same principle as that of the inspection apparatus 101. Further, according to the inspection apparatus 104, since the movement of the probes 31 to 33 and the probes 51 and 52 is not essential, the vertical drive unit 92 and the vertical drive unit 93 can be dispensed with.
  • FIG. 16 is a front view of the inspection apparatus 105 according to the fifth embodiment.
  • the inspection apparatus 105 particularly has a specific configuration of the probes 31 to 33 and the probes 51 and 52, a positional relationship between the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33, and control by the control apparatus 90. It differs in contents.
  • the vertical drive unit 94 is used in an example of the operation of the inspection apparatus 105 described later. Therefore, in FIG. 16 and FIG. 17 described later, only the vertical drive unit 94 among the vertical drive units 91 to 94 is shown.
  • the probes 31 to 33 and the probes 51 and 52 are spring probes that can expand and contract in the vertical direction. Therefore, the probes 31 to 33 and the probes 51 and 52 are supported by, for example, a spring (not shown), and can be expanded and contracted in the vertical direction by expansion and contraction of the spring.
  • control device 90 moves the stage 16 in the vertical direction to change the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 75 between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state. Switch.
  • the height Z2 of the tips of the probes 21 to 23 is positioned higher than the height Z1 of the tips of the probes 31 to 33.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating an operation example of the inspection apparatus 105.
  • the control unit 95 controls the vertical drive unit 94 to move the stage 16 upward.
  • the control device 90 moves the stage 16 upward so that the position of the surface of the electrode 75 of the DUT 65 is positioned at the height Z1.
  • the tips of the probes 31 to 33 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65, and the tips of the probes 51 and 52 come into contact with the electrode 85 of the DUT 65.
  • the control device 90 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 75 to the static characteristic test state.
  • a static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130 (static characteristic test process). While the static characteristic test is being performed, the disconnection circuit 136 is not disconnected, and the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically connected.
  • the control device 90 moves the stage 16 further upward so that the position of the surface of the electrode 75 of the DUT 65 is positioned at the height Z2. Since the probes 31 to 33 are spring-type probes, they are compressed upward by the electrode 75 of the DUT 65. Similarly, the probes 51 and 52 are compressed upward by the electrode 85 of the DUT 65. Further, the tips of the probes 21 to 23 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65. Thereby, in addition to the probes 31 to 33, the probes 21 to 23 also contact the electrode 75 of the DUT 65 from the upper side of the DUT 65.
  • control device 90 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 to the dynamic characteristic test state.
  • a dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120 (dynamic characteristic test process). While the dynamic characteristic test is being performed, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected by the disconnection circuit 136.
  • the control apparatus 90 changes the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 of the DUT 65 to the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state.
  • the position control to switch between is performed. Therefore, it is possible to improve the inspection accuracy of the DUT 65.
  • the vertical drive units 91 to 93 can be dispensed with.
  • FIG. 18 is a front view of the inspection apparatus 106 according to the sixth embodiment.
  • the inspection device 106 is different from the inspection device 104 in particular in the control contents by the control device 90.
  • vertical drive units 91 to 93 are used. Therefore, in FIG. 18 and FIG. 19 described later, only the vertical drive units 91 to 93 among the vertical drive units 91 to 94 are shown.
  • control device 90 moves the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 in the vertical direction to change the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 to the dynamic characteristic test state and Switch between static characteristic test states.
  • the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are separated from the electrode 75 of the DUT 65.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating an operation example of the inspection apparatus 106.
  • the control unit 95 controls the vertical drive unit 91 to move the probes 21 to 23 downward from the initial state in which the DUT 65 is placed on the stage 16. As a result, the probes 21 to 23 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65 from above the DUT 65. Further, the control unit 95 controls the vertical drive unit 93 to move the probes 51 and 52 downward. As a result, the probes 51 and 52 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65 from above the DUT 65.
  • the probes 31 to 33 are maintained in an initial state (that is, a state separated from the electrode 75 of the DUT 65). In this way, the control device 90 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the electrode 75 to the dynamic characteristic test state. In this dynamic characteristic test state, a dynamic characteristic test is performed by the dynamic characteristic tester 120 (dynamic characteristic test process).
  • the control unit 95 moves the probes 31 to 33 downward by controlling the vertical drive unit 92 from the initial state. As a result, the probes 31 to 33 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65 from above the DUT 65. Further, the controller 95 moves the probes 51 and 52 downward by driving the vertical drive unit 93. As a result, the probes 51 and 52 come into contact with the electrode 75 of the DUT 65 from above the DUT 65.
  • the probes 21 to 23 are maintained in an initial state (that is, a state separated from the electrode 75 of the DUT 65). In this way, the control device 90 sets the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 75 to the static characteristic test state. In the static characteristic test state, a static characteristic test is performed by the static characteristic tester 130 (static characteristic test process). While the static characteristic test is being performed, the disconnection circuit 136 is not disconnected, and the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically connected.
  • the control apparatus 90 changes the contact state of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33 and the electrode 75 of the DUT 65 to the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state.
  • the position control to switch between is performed. Therefore, it is possible to improve the inspection accuracy of the DUT 65.
  • the vertical drive unit 94 can be dispensed with.
  • the probes 31 to 33 are separated from the electrode 75 of the DUT 65 while the dynamic characteristic test is being performed. Therefore, the disconnecting circuit 136 connects the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130. It does not have to be electrically disconnected. For this reason, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 may be electrically connected without passing through the disconnection circuit 136. In this case, the inspection apparatus 106 does not include the disconnection circuit 136. Is done.
  • the dynamic characteristic test may be performed in a state where the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 are all in contact with the electrode 75 of the DUT 65. In this case, the dynamic characteristic test is performed. While being performed, the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected by the disconnection circuit 136.
  • the disconnection circuit 136 includes a plurality of switch elements.
  • the switch SW_DC_P is mainly used for switching between electrical connection and non-connection between the positive terminal of the static characteristic tester 130 and the disconnection circuit 136.
  • the switch SW_DC_N is mainly used for switching electrical connection and disconnection between the terminal on the negative electrode side of the static characteristic tester 130 and the disconnection circuit 136.
  • Each of the switches SW_DUT_P_P, SW_DUT_O_P, and SW_DUT_N_P mainly includes electrical connection and disconnection between the positive electrode side terminal of the static characteristic tester 130 and the P electrode 71, the output electrode 72, and the N electrode 73 of the DUT 60. Are used to switch between the two.
  • Each of the switch SW_DUT_P_N, the switch SW_DUT_O_N, and the switch SW_DUT_N_N mainly includes electrical connection and non-connection between the negative electrode terminal of the static characteristic tester 130 and the P electrode 71, the output electrode 72, and the N electrode 73 of the DUT 60. Used to switch each connection.
  • Each switch is controlled by a control circuit (not shown) included in the disconnection circuit 136, for example.
  • the control circuit receives a control signal from the control unit 45 (or the control unit 95) and controls each switch.
  • the operations of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, and the probes 51 and 52 and the operation of the disconnection circuit 136 are linked.
  • FIG. 21 is a diagram showing a current path by the disconnection circuit 136. As shown in FIG. 21, the disconnecting circuit 136 realizes four current paths P1 to P4.
  • the path P1 is a current path realized when the switch SW_DC_P, the switch SW_DUT_P_P, SW_DUT_O_N, and the switch SW_DC_N are in a conductive state (ON) and the other switches are in a non-conductive state (OFF). As the current flows through the path P1, for example, the ON voltage of the transistor Q1 of the upper arm is measured.
  • the path P2 is a current path realized when the switch SW_DC_P, the switch SW_DUT_O_P, the switch SW_DUT_P_N, and the switch SW_DC_N are ON and the other switches are OFF. As the current flows through the path P2, for example, the ON voltage of the upper arm diode D1 is measured.
  • the path P3 is a current path realized when the switch SW_DC_P, the switch SW_DUT_O_P, the switch SW_DUT_N_N, and the switch SW_DC_N are ON and the other switches are OFF.
  • the ON voltage of the lower-arm transistor Q2 is measured.
  • the path P4 is a current path realized when the switch SW_DC_P, the switch SW_DUT_N_P, the switch SW_DUT_O_N, and the switch SW_DC_N are ON and the other switches are OFF.
  • the ON voltage of the lower arm diode D2 is measured.
  • FIG. 22 is a timing chart showing the relationship between ON and OFF of each switch of the disconnect circuit 136 and the ON voltages of the transistors Q1 and Q2 and the diodes D1 and D2 of the DUT 60.
  • step S11 each switch is OFF, and no voltage is generated in the transistors Q1, Q2 and the diodes D1, D2.
  • step S12 when the switch SW_DC_P, N (SW_DC_P and SW_DC_N), the switch SW_DUT_P_P, and the switch SW_DUT_O_N are turned on and the other switches are turned off, and the path P1 is realized, the voltage is applied to the transistor Q1. appear. Thereby, the ON voltage of the transistor Q1 can be measured.
  • step S13 when the switch SW_DC_P, N, the switch SW_DUT_P_N, and the switch SW_DUT_O_P are turned on and the other switches are turned off, and the path P2 is realized, a voltage is generated in the diode D1. Thereby, the ON voltage of the diode D1 can be measured.
  • step S14 when the switch SW_DC_P, N, the switch SW_DUT_O_P, and the switch SW_DUT_N_N are turned on and the other switches are turned off, and the path P3 is realized, a voltage is generated in the transistor Q2. Thereby, the ON voltage of the transistor Q2 can be measured.
  • step S15 when the switch SW_DC_P, N, the switch DUT_O_N, and the switch SW_DUT_N_P are turned on and the other switches are turned off, and the path P4 is realized, a voltage is generated in the diode D2. Thereby, the ON voltage of the diode D2 can be measured.
  • step S16 all the switches are turned off.
  • the ON voltage of all the elements of the transistors Q1 and Q2 and the diodes D1 and D2 can be measured by switching each switch in the static characteristic test. Further, while the dynamic characteristic test is being performed, all the switches of the separation circuit 136 are turned off, so that the probes 31 to 33 and the static characteristic tester 130 are electrically disconnected.
  • the switching circuit 150 includes a plurality of switches.
  • Each of the switch SW_AC_G1 and the switch SW_AC_E1 is mainly used for switching electrical connection and disconnection between the gate and emitter (control electrodes 81 (G) and 81 (E)) of the transistor Q1 and the drive circuit 125, respectively. It is done.
  • Each of the switch SW_AC_G2 and the switch SW_AC_E2 is mainly used for switching electrical connection and disconnection between the gate and emitter (control electrodes 82 (G) and 82 (E)) of the transistor Q2 and the drive circuit 125, respectively. It is done.
  • Each of switch SW_DC_G1 and switch SW_DC_E1 is mainly used for switching electrical connection and non-connection between the gate and emitter of transistor Q1 and drive circuit 135, respectively.
  • Each of switch SW_DC_G2 and switch SW_DC_E2 is mainly used for switching electrical connection and non-connection between the gate and emitter of transistor Q2 and drive circuit 135, respectively.
  • Each switch is controlled by a control circuit (not shown) included in the switching circuit 150, for example.
  • the control circuit receives a control signal from the control unit 45 (or the control unit 95) and controls each switch.
  • FIG. 24 is a timing chart showing the relationship between ON and OFF of each switch of the switching circuit 150 and the operating states of the drive circuit 125 of the dynamic characteristic tester 120 and the drive circuit 135 of the static characteristic tester 130.
  • Step S21 is a state before the measurement by the dynamic characteristic test and the static characteristic test is started, each switch is in a non-conductive state (OFF), and the drive circuit 125 and the drive circuit 135 are not operating. .
  • step S22 the switch SW_AC_G1, the switch SW_AC_E1, the switch SW_AC_G2, and the switch SW_AC_E2 (switches SW_AC_G1, E1, G2, E2) are turned on, and the other switches are turned off.
  • the drive circuit 125 operates. Thereby, a dynamic characteristic test is implemented.
  • step S23 the switch SW_DC_G1, the switch SW_DC_E1, the switch SW_DC_G2, and the switch SW_DC_E2 (switches SW_DC_G1, E1, G2, E2) are turned on, and the other switches are turned off.
  • the drive circuit 135 operates. Thereby, a static characteristic test is implemented.
  • step S24 all the switches are turned OFF in response to the completion of the measurement by the dynamic characteristic test and the static characteristic test. Further, the drive circuit 125 and the drive circuit 135 are not operating.
  • the dynamic characteristic test and the static characteristic test can be continuously performed by switching the connection between the drive circuit 125 and the drive circuit 135 and the DUT 60.
  • the order in which a dynamic characteristic test and a static characteristic test are implemented is not specifically limited.
  • the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment.
  • the control devices 40 and 90 have been described as moving the elements of the probes 21 to 23, the probes 31 to 33, the probes 51 and 52, and the stages 11 and 16 in the vertical direction.
  • the moving direction of each element by 90 is not limited to the vertical direction.
  • the movement direction of each element may be a direction that can switch between the dynamic characteristic test state and the static characteristic test state by changing the distance between the probes 21 to 23 and the probes 31 to 33 and the electrodes 70 and 75.
  • the positions of the probes 21 to 23 and the positions of the probes 31 to 33 may be interchanged with each other without departing from the same meaning. For example, the position of each probe with respect to the DUT may be inverted up and down.
  • the DUTs 60 and 65 are power modules as upper and lower arms of a one-phase inverter circuit.
  • the device under test is not limited to such a power module.
  • inspections that is, dynamic characteristic tests and static characteristic tests, by changing the number and shape of the probes according to the power modules. is there.

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Abstract

検査装置は、被試験デバイスが載置されるステージと、被試験デバイスの電極を、動特性試験を実施するための動特性試験機に電気的に接続するための動特性試験プローブと、電極を、静特性試験を実施するための静特性試験機に電気的に接続するための静特性試験プローブと、ステージ、動特性試験プローブ、および静特性試験プローブの少なくとも1つを移動させることによる位置制御を実行する制御装置と、を備える。制御装置は、動特性試験が実施されるときには動特性試験プローブが電極に接触する動特性試験状態となるように位置制御を実行し、静特性試験が実施されるときには動特性試験プローブが電極から離間する一方で静特性試験プローブが電極に接触する静特性試験状態となるように、位置制御を実行する。

Description

検査装置および検査方法
 本開示は、検査装置および検査方法に関する。
 パワー半導体モジュール等のようなデバイスの検査は、動特性(AC:Alternating Current)試験および静特性(DC:Direct Current)試験を含む。検査においては、動特性試験機および静特性試験機の2種類の試験機が用いられる。
 たとえば特許文献1は、動特性試験機および静特性試験機を備えた統合試験装置を開示する。この統合試験装置は、動特性試験機および静特性試験機と、被試験デバイス(DUT:Device Under Test)の電極とを、中間電極板を介して電気的に接続する。これにより、一つの統合試験装置によって、動特性試験および静特性試験の両方の試験が実施される。
特開2012-78174号公報
 デバイスの性能の向上に伴い、検査精度の向上が望まれている。特許文献1に記載された統合試験装置では、中間電極板を介して動特性試験および静特性試験が行われるので、試験機の測定結果が中間電極板のインダクタンスの影響を受けるおそれがある。たとえば、被試験デバイスのスイッチングタイムの測定等を含む動特性試験では、中間電極板のインダクタンスの影響が大きくなることによって、検査精度が低下するおそれがある。
 本開示は、パワー半導体モジュール等のデバイスの検査精度を向上させることが可能な、検査装置および検査方法を提供する。
 本開示の一態様に係る検査装置は、被試験デバイスが載置されるステージと、被試験デバイスの電極を、動特性試験を実施するための動特性試験機に電気的に接続するための動特性試験プローブと、電極を、静特性試験を実施するための静特性試験機に電気的に接続するための静特性試験プローブと、ステージ、動特性試験プローブ、および静特性試験プローブの少なくとも1つを移動させることによる位置制御を実行する制御装置と、を備える。制御装置は、動特性試験が実施されるときには動特性試験プローブが電極に接触する動特性試験状態となるように位置制御を実行し、静特性試験が実施されるときには動特性試験プローブが電極から離間する一方で静特性試験プローブが電極に接触する静特性試験状態となるように、位置制御を実行する。
 本開示の別の態様に係る検査方法は、動特性試験プローブを被試験デバイスの電極に接触させて動特性試験を実施する動特性試験工程と、静特性試験プローブを電極に接触させて静特性試験を実施する静特性試験工程と、を含む。静特性試験工程では、動特性試験プローブが電極から離間するように、被試験デバイスが載置されたステージ、動特性試験プローブ、および静特性試験プローブの少なくとも1つを移動させることによる位置制御が実行される。
 上記検査システムおよび検査方法によれば、動特性試験プローブと被試験デバイスの電極とが接触した状態で、動特性試験機による動特性試験が実施される。また、静特性試験プローブと被試験デバイスの電極とが接触した状態で、静特性試験機による静特性試験が実施される。ここでの「接触」とは、各プローブと電極とが、他の要素(たとえば従来用いられていた中間電極板など)を介さずに接触(つまり各プローブと電極とが物理的に接触)することを意味する。このため、たとえば従来のように各試験機と被試験デバイスの電極とを中間電極を介して接続する構成と比較して、より小さいインダクタンス成分でもって、各試験機と被試験デバイスとを電気的に接続することができる。その結果、とくに、インダクタンス成分の影響を受けやすい動特性試験の測定精度を向上させることができる。さらに、上記検査システムおよび検査方法によれば、静特性試験が実施されているときは、動特性試験プローブが被試験デバイスの電極から離間される。たとえば、動特性試験プローブを被試験デバイスの電極から離間させることに代えて、動特性試験プローブと動特性試験機との間にリレーを設けて動特性試験機を電気的に切り離すことも考えられる。しかしながら、その場合には、リレーのインダクタンス成分の影響によって、動特性試験の測定精度が低下してしまう。上記のように動特性試験プローブを被試験デバイスの電極から物理的に離間させるようにすれば、動特性試験プローブと動特性試験機との間にリレーを設けない構成とすることができるので、リレーのインダクタンス成分による動特性試験の測定精度の低下を防ぐことができる。よって、被試験デバイスの検査精度を向上させることが可能となる。
 上記検査装置は、静特性試験プローブと静特性試験機とを電気的に切り離す切離し回路をさらに備え、制御装置は、動特性試験状態として、動特性試験プローブおよび静特性試験プローブがいずれも電極に接触している状態となるように位置制御を実行し、切離し回路は、動特性試験が実施されるときに静特性試験プローブと静特性試験機とを電気的に切り離してよい。たとえば静特性試験プローブを移動させて静特性試験機を被試験デバイスの電極から電気的に切り離すことも考えられるが、その場合には、静特性試験プローブを移動させるための移動機構が別途必要になり、また、そのための機械設計なども必要になる。上記のように静特性試験プローブと静特性試験機とを切離し回路によって電気的に切り離す構成とすれば、そのような移動機構および機械設計を不要とすることができる。
 動特性試験プローブおよび静特性試験プローブは、被試験デバイスの下側から電極に接触するように配置され、制御装置は、動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても、上述した位置制御を実現することができる。この場合、静特性試験プローブおよび動特性試験プローブなどの、検査装置に含まれる要素を、検査装置の下方の部分(たとえばステージよりも下側の部分)に集約して配置することができる。これにより、検査装置をコンパクトにすることができる。
 動特性試験プローブは、被試験デバイスの下側から電極に接触するように配置され、静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、静特性試験プローブおよび動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。
 動特性試験プローブは、被試験デバイスの下側から電極に接触するように配置され、静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、ステージを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。
 動特性試験プローブおよび静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、ステージおよび動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。
 静特性試験プローブは、上下方向に伸縮可能なスプリングプローブであって、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、動特性試験プローブは、動特性試験プローブの先端が静特性試験プローブの先端よりも上方に位置し、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、ステージを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。
 動特性試験プローブおよび静特性試験プローブは、被試験デバイスの上側から電極に接触するように配置され、制御装置は、動特性試験プローブおよび静特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、動特性試験プローブ、静特性試験プローブおよび電極の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替えてよい。このようにしても前述の位置制御を実現することができる。
 本開示によれば、パワー半導体モジュール等のデバイスの検査精度を向上させることが可能になる。
直進タイプの検査システムを模式的に示す図である。 回転タイプの検査システムを模式的に示す図である。 各実施形態に共通する検査装置における測定回路を示す図である。 第1実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 第1実施形態に係る検査装置の正面図である。 第1実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第2実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 第2実施形態に係る検査装置の正面図である。 第2実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第3実施形態に係る検査装置の正面図である。 第3実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第4実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 第4実施形態に係る検査装置の平面図である。 第4実施形態に係る検査装置の正面図である。 第4実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第5実施形態に係る検査装置の正面図である。 第5実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 第6実施形態に係る検査装置の正面図である。 第6実施形態に係る検査装置の動作例を示す図である。 切離し回路の詳細構成を示す図である。 切離し回路による電流経路を示す図である。 切離し回路の各スイッチのONおよびOFFとDUTのトランジスタおよびダイオードのON電圧との関係を示すタイミングチャートである。 切替え回路の詳細構成を示す図である。 切替え回路の各スイッチのONおよびOFFと、動特性試験機の駆動回路および静特性試験機の駆動回路の動作状態との関係を示すタイミングチャートである。
 以下、図面を参照しながら、本開示に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。また、各図面における寸法および形状は実際のものとは必ずしも同一ではない。
 はじめに、各実施形態の主な共通部分について説明する。各実施形態に係る検査装置では、パワー半導体モジュール等のようなデバイスを被試験デバイス(DUT)とし、DUTに対して動特性試験および静特性試験が実施される。たとえば図1に模式的に示される直進タイプの検査システムでは、検査前のDUT60の搬入およびDUT60のステージ11への載置を行う工程S1、動特性試験および静特性試験を実施する工程S2、および、検査後のDUT60を搬出する工程S3が、ステージ11の直線移動に伴って実行される。なお、工程S3が完了した後は、ステージ11を再び工程S1で利用するために、工程S1の処理が実行される位置にステージ11を移動させる戻り工程S4も実行される。図2に模式的に示される回転タイプの検査システムでは、上述の工程S1~S3が、ステージ11の回転移動に伴って実行される。
 図3は、上述の工程S2で用いられる動特性試験機および静特性試験機の回路構成の一例を示す図である。図3に示される例では、DUT60は、トランジスタQ1,Q2と、ダイオードD1,D2と、P極電極71と、出力電極72と、N極電極73と、複数の制御電極81と、複数の制御電極82とを含むパワーモジュールである。図3に示される例では、トランジスタQ1,Q2はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)であるが、トランジスタQ1,Q2は、たとえばFET(Field Effect Transistor)であってもよい。トランジスタQ1は一相のインバータ回路の上アームに用いられ、トランジスタQ2は下アームに用いられ得る。ダイオードD1,D2の各々は、トランジスタQ1,Q2にそれぞれ接続される還流ダイオードである。P極電極71は、トランジスタQ1のコレクタに接続される。出力電極72は、トランジスタQ1のエミッタおよびトランジスタQ2のコレクタに接続される。N極電極73は、トランジスタQ2のエミッタに接続される。なお、区別しやすいように、図3において、P極電極71、出力電極72およびN極電極73には、括弧書きでP,OおよびNの符号を付している。制御電極81は、トランジスタQ1のゲートに接続される部分(制御電極81(G)として図示される)と、トランジスタQ1のエミッタに接続される部分(制御電極81(E)として図示される)とを含む。制御電極82は、トランジスタQ2のゲートに接続される部分(制御電極82(G)として図示される)と、トランジスタQ2のエミッタに接続される部分(制御電極82(E)として図示される)とを含む。
 検査装置100は、プローブ21~23と、プローブ31~33と、プローブ51,52と、切離し回路136と、切替え回路150とを含む。プローブ21~23は、P極電極71、出力電極72およびN極電極73を、動特性試験機120に電気的に接続するための、動特性試験プローブ(第1プローブ)である。プローブ31~33は、P極電極71、出力電極72およびN極電極73を、静特性試験機130に電気的に接続するための、静特性試験プローブ(第2プローブ)である。プローブ51,52は、制御電極81,82を、後述の動特性試験機120の駆動回路125または静特性試験機130の駆動回路135に電気的に接続するための、プローブ(第3プローブ)である。
 動特性試験機120は、DUT60の動特性試験を実施する。たとえば、動特性試験機120は、駆動回路125と、コンデンサ121、トランジスタ122~124およびリアクトル126を含む試験回路とを用いて、DUT60に含まれるトランジスタQ1,Q2のスイッチングタイムの測定等を実施する。それ以外にも、動特性試験機120によって実施される動特性試験には、短絡安全動作領域の測定およびアバランシェ測定等、種々の試験が含まれる。
 静特性試験機130は、DUT60の静特性試験を実施する。たとえば、静特性試験機130は、駆動回路135と、高電圧源131、トランジスタ132、電流測定回路133および電流検出抵抗134を含む試験回路とを用いて、DUT60に含まれるトランジスタQ1,Q2およびダイオードD1,D2のON電圧の測定等を実施する。それ以外にも、静特性試験機130によって実施される静特性試験には、リーク電流の測定および遮断電圧の測定等、種々の試験が含まれる。
 切離し回路136は、プローブ31~33と静特性試験機130とを電気的に切り離す。切替え回路150は、プローブ51,52と、動特性試験機120の駆動回路125および静特性試験機130の駆動回路135との電気的な接続を切り替える。切離し回路136および切替え回路150の詳細については、後に図20~24を参照して説明する。
 検査装置100において実行される検査方法によると、動特性試験機120によって動特性試験が実施されるときには、プローブ21~23の各々がDUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73のそれぞれに接触する状態(動特性試験状態)となるように、位置制御が行われる。また、検査装置100では、静特性試験機130によって静特性試験が実施されるときには、プローブ21~23の各々がDUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73のそれぞれから離間する一方で、プローブ31~33の各々がDUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73にそれぞれ接触する状態(静特性試験状態)となるように、位置制御が行われる。なお、位置制御は後述の制御装置40(図4等)によって実行される。
 制御装置40は、動特性試験状態として、プローブ21~23およびプローブ31~33がいずれもDUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73に接触している状態となるように位置制御を実行してよい。その場合、動特性試験機120によって動特性試験が実施されるときには、切離し回路136がプローブ31~33と静特性試験機130とを電気的に切り離す。
 以下、各実施形態に係る検査装置について順に説明する。
[第1実施形態]
 図4は、第1実施形態に係る検査装置101の概略構成を示す斜視図である。図5は、図1に示される検査装置101の正面図である。なお、検査装置101に含まれる要素のうち、制御装置40、切離し回路136および切替え回路150については模式的に示されたものであり、制御装置40、切離し回路136および切替え回路150の位置および大きさなどを正確に示すものではない。動特性試験機120および静特性試験機130についても同様である。
 図4および図5に示されるように、DUT60は、本体61と、電極70と、電極80とを含む。本体61は、板形状を有する。本体61は、トランジスタQ1,Q2およびダイオードD1,D2(図3)を含む。本体61は、たとえば樹脂でモールドされている。電極70は、P極電極71、出力電極72およびN極電極73からなる。電極70は、本体61の4つの側面のうちの1つの側面から、その側面と垂直に本体61の外部に向かって延びる電極である。その側面に沿って、P極電極71、出力電極72およびN極電極73は、この順に並んで配置される。電極80は、制御電極81および制御電極82からなる。電極80は、電極70とは本体61を挟んで反対側の本体61の側面から、その側面と垂直に本体61の外部に向かって延びる電極である。その側面に沿って、制御電極81および制御電極82は、この順に並んで配置される。なお、図4に示される例では、制御電極81および制御電極82の数はそれぞれ5個となっているが、制御電極81および制御電極82の数はこれに限定されるものではない。制御電極81は、少なくとも図3に示される制御電極81(G)、制御電極81(E)を含んでいればよく、制御電極82は少なくとも制御電極82(G)および制御電極82(E)を含んでいればよい。
 検査装置101は、固定部1と、載置部10と、動特性試験プローブユニット20と、静特性試験プローブユニット30と、制御装置40と、プローブユニット50と、切離し回路136と、切替え回路150とを含む。
 載置部10は、ステージ11と、絶縁ベース12とを含む。ステージ11は、絶縁ベース12上に設けられた絶縁ステージである。ステージ11には、DUT60が載置される。ステージ11は、載置面11aを有する。載置面11aは、DUT60の本体61を支持する。載置面11aを平面視した場合、DUT60の電極70の少なくとも一部および電極80の少なくとも一部は、載置面11aの外側に位置する。
 なお、図中、検査装置101の各方向を説明するため、XYZ座標系を設定している。このXYZ座標系は、ステージ11の載置面11aをXY面として設定される。X軸とY軸とは互い直交し、Z軸はXY面と直交する。つまり、Z軸は、ステージ11の載置面11aに直交する方向である。本明細書において、とくに説明がない場合は、Z軸正方向を「上」方向とし、Z軸負方向を「下」方向とする。ただし、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において、Z軸正方向を下方向とし、Z軸負方向を上方向として読み替えてもよい。
 動特性試験プローブユニット20は、プローブ21~23と、可動ベース24と、プローブホルダ25とを含む。プローブ21は、低インダクタンス特性であり、かつ、大電流(たとえば100A~10kA程度の電流)を許容するように構成される。具体的に、プローブ21は、複数(たとえば数本~百本程度)の短小プローブで構成される。各短小プローブの長さは、たとえば1mm~10mm程度である。プローブ21が短小プローブによって構成されることで、プローブ21の低インダクタンス特性が実現される。また、プローブ21が複数の短小プローブによって構成されることで、プローブ21は大電流を許容することができる。プローブ22およびプローブ23についても、プローブ21と同様に、複数の短小プローブで構成される。各プローブは、たとえば、スクラブ式のプローブであってもよいし、スプリング式のプローブであってもよい。スクラブ式のプローブの場合、各プローブの先端部分が、電極70の表面をスクラブしながら電極70に接触する。スプリング式のプローブの場合、各プローブの先端部分が、スプリングの伸縮を利用して電極70に接触する。スプリング式のプローブは、スクラブ式のプローブよりも汎用的で安価である。プローブホルダ25は、プローブ21~23の先端部分がプローブホルダ25から上方に突出するように、プローブ21~23を収容する。可動ベース24は、プローブホルダ25を支持する部分である。可動ベース24は、後述の上下駆動ユニット41によって上下方向に駆動される。プローブ21~23の各々は、DUT60がステージ11に載置された状態で、DUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73の下方にそれぞれ位置する。
 静特性試験プローブユニット30は、プローブ31~33と、プローブホルダ34とを含む。プローブ31~33の各々は、プローブ21~プローブ23と同様に、たとえば複数の接触針によってそれぞれ構成されている。プローブホルダ34は、プローブ31~33の先端部分がプローブホルダ34から上方に突出するように、プローブ31~33を収容する。プローブ31~33は、プローブ21~23と同様に、複数の短小プローブによって構成される。プローブホルダ34は、絶縁ベース12に固定される。プローブ31~33の先端部分は、DUT60がステージ11に載置された状態で電極70に接触するように、ステージ11の載置面11aよりも上方に位置する。プローブ31~33の各々は、DUT60がステージ11に載置された状態で、DUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73の下方にそれぞれ位置する。
 検査装置101では、プローブ21およびプローブ31の各々は、DUT60の下側からDUT60のP極電極71の異なる部分にそれぞれ接触するように並設される。プローブ22およびプローブ32の各々は、DUT60の下側からDUT60の出力電極72の異なる部分にそれぞれ接触するように並設される。プローブ23およびプローブ33の各々は、DUT60の下側からDUT60のN極電極73の異なる部分にそれぞれ接触するように並設される。プローブ21~23およびプローブ31~33は、DUT60の電極70の異なる部分にそれぞれ接触するように、XY面方向において並設される。
 プローブユニット50は、プローブ51,52と、プローブホルダ53とを含む。プローブ51,52の各々は、複数のピンによってそれぞれ構成されている。プローブ51を構成するピンの数はDUT60の制御電極81の数と同じとされ、プローブ52を構成するピンの数はDUT60の制御電極82の数を同じとされる。プローブ51,52は、たとえば、プローブホルダ53内において図示されないスプリングによって支持され、当該スプリングの伸縮によって上下方向に伸縮可能な、スプリング式のプローブである。プローブホルダ53は、プローブ51,52の先端部分がプローブホルダ53から上方に突出するように、プローブ51,52を収容する。プローブホルダ53は、絶縁ベース12に固定される。プローブ51,52の各々は、DUT60がステージ11に載置された状態で、DUT60の制御電極81,82の下方にそれぞれ位置する。プローブ51,52の先端部分は、DUT60がステージ11に載置された状態で、たとえば前述のスプリングの伸縮を利用して電極80に接触するように、ステージ11の載置面11aよりも上方に位置する。
 プローブ51,52には、プローブ21~23およびプローブ31~33と比較してほとんど電流が流れない。このため、プローブ51,52を構成するピンの数およびピンの径の大きさは、プローブ51、52と電極80との電気的な接続を確保する観点で適切に定められる。
 固定部1は、押さえベース2と、押さえブロック3,4とを含む。押さえベース2は、ステージ11と対向するように配置された板状のブロックである。押さえブロック3は、押さえベース2の下面に設けられ、プローブ21~23およびプローブ31~33と対向するように配置される絶縁ブロックである。押さえブロック4は、押さえベース2の下面に設けられ、プローブ51,52と対向するように配置される絶縁ブロックである。
 制御装置40は、上下駆動ユニット41と、上下駆動ユニット42と、制御部45とを含む。上下駆動ユニット41は、可動ベース24が上下方向に移動するように、可動ベース24を駆動する。上下駆動ユニット42は、押さえベース2が上下方向に移動するように、押さえベース2を駆動する。上下駆動ユニット41および上下駆動ユニット42による駆動には、たとえば、ソレノイド機構を用いた電動シリンダが用いられる。制御部45は、上下駆動ユニット41および上下駆動ユニット42を制御する。この制御は、たとえば電気信号を用いて行われる。制御部45による制御は、たとえば、所定のコンピュータソフトウェア(プログラム)を用いてコンピュータに実行させることによって実現してもよいし、専用のハードウェアを用いて実現してもよい。以上の構成により、制御装置40は、上下駆動ユニット41を制御することによって、可動ベース24(つまり動特性試験プローブユニット20)を上下方向に移動させる。また、制御装置40は、上下駆動ユニット42を制御することによって、押さえベース2とともに押さえブロック3,4を上下方向に移動させる。
 検査装置101では、制御装置40による制御が実行されていない初期状態(つまり制御装置40による制御が開始される前の状態)において、プローブ21~23の先端、プローブ31~プローブ33の先端およびプローブ51,52の先端は、同じ高さに位置している。
 図6は、検査装置101の動作例を示す図である。図6の(a)に示されるように、ステージ11にDUT60が載置された状態で、制御部45は、上下駆動ユニット42を制御することによって押さえベース2を下方に移動させる。これにより、押さえブロック3,4がDUT60の電極70,80を下方に押さえつける。プローブ31~33はDUT60がステージ11に載置された状態で電極70に接触するように配置されているので、プローブ31~33は、DUT60の下側からDUT60の電極70に接触する。また、プローブ51,52はDUT60がステージ11に載置された状態で電極80に接触するように配置されているので、プローブ51,52は、DUT60の下側からDUT60の電極80に接触する。
 このとき、制御部45は、上下駆動ユニット41を制御することによって、プローブ21~23をDUT60の下側からDUT60の電極70に接触させる。このようにして、制御装置40は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機120による動特性試験が実施される(動特性試験工程)。動特性試験が実施されている間は、切離し回路136によって、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離されている。
 続いて、図6の(b)に示されるように、制御部45は、上下駆動ユニット41を制御することによって可動ベース24とともにプローブ21~23を下方に移動させ、プローブ21~23をDUT60の電極70から離間させる。このようにして、制御装置40は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、静特性試験状態とする。この静特性試験状態において、静特性試験機130による静特性試験が実施される(静特性試験工程)。静特性試験が実施されている間は、切離し回路136による切り離しは行われず、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に接続されている。
 以上説明した検査装置101では、プローブ21~23およびプローブ31~33は、DUT60の下側から電極70に接触するように配置される。そして、制御部45は、上下駆動ユニット41によりプローブ21~23を上下方向に移動させることによって、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、動特性試験状態(プローブ21~23が電極70に接触する状態、あるいはプローブ21~23およびプローブ31~33がいずれも電極70に接触する状態)および静特性試験状態(プローブ21~23が電極70から離間する一方でプローブ31~33が電極70に接触する状態)の間で切り替える。
 検査装置101によれば、プローブ21~23とDUT60の電極70とが接触した状態で、動特性試験機120による動特性試験が実施される。また、プローブ31~33とDUT60の電極70とが接触した状態で、静特性試験機130による静特性試験が実施される。このため、たとえば従来のように各試験機と被試験デバイスの電極とを中間電極を介して接続する構成と比較して、より小さいインダクタンス成分でもって、各試験機と被試験デバイスとを電気的に接続することができる。その結果、とくに、インダクタンス成分の影響を受けやすい動特性試験の測定精度を向上させることができる。さらに、検査装置101によれば、静特性試験が実施されているときは、プローブ21~23がDUT60の電極70から離間される。たとえば、プローブ21~23をDUT60の電極70から離間させることに代えて、プローブ21~23と動特性試験機120との間にリレーを設けて動特性試験機120を電気的に切り離すことも考えられる。しかしながら、その場合には、リレーのインダクタンス成分の影響によって、動特性試験の測定精度が低下してしまう。検査装置101のようにプローブ21~23をDUT60の電極70から物理的に離間させるようにすれば、プローブ21~23と動特性試験機120との間にリレーを設けない構成とすることができるので、リレーのインダクタンス成分による動特性試験の測定精度の低下を防ぐことができる。よって、検査装置101によれば、パワー半導体モジュール等のDUT60の検査精度を向上させることが可能となる。
 また、動特性試験が実施されるときには、プローブ21~23およびプローブ31~33がいずれもDUT60の電極70に接触した状態となる。この場合でも、切離し回路136によってプローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離される。たとえばプローブ31~33を(下方向に)移動させて静特性試験機130をDUT60の電極70から電気的に切り離すことも考えられるが、その場合には、プローブ31~33を移動させるための移動機構が別途必要になり、また、そのための機械設計なども必要になる。検査装置101のようにプローブ31~33と静特性試験機130とを切離し回路136によって電気的に切り離す構成とすれば、そのような移動機構および機械設計を不要とすることができる。なお、切離し回路136を設けたことによってたとえばインダクタンス成分が生じ得るが、それによる静特性試験への影響はほとんどない。これは、先に説明したように、静特性試験はトランジスタおよびダイオードのON電圧の測定等を実施する試験であるので、トランジスタのスイッチングタイムのような非常に短い時間変化の測定を実施する動特性試験と比較して、インダクタンス成分による影響が小さいためである。
 また、検査装置101では、プローブ21~23、プローブ31~33およびプローブ51,52は、DUT60の下側から電極70,80に接触するように配置されている。このため、検査装置101によれば、プローブ21~23、プローブ31~33、プローブ51,52、切離し回路136および切替え回路150など、検査装置101に含まれる要素を、検査装置101の下方の部分(たとえばステージ11よりも下側の部分)に集約して配置することができる。これにより、検査装置101をコンパクトにすることができる。また、各要素を接続するための配線を短くすることもできる。
[第2実施形態]
 図7は、第2実施形態に係る検査装置102の概略構成を示す斜視図である。図8は、検査装置102の正面図である。検査装置102は、検査装置101と比較して、とくに、プローブ31~33が設けられる位置、および制御装置40による制御内容において相違する。
 検査装置102では、プローブ31~33は、DUT60の上側からDUT60の電極70に接触するように配置される。具体的に、プローブ31~33は、押さえブロック3に設けられた図示されないプローブホルダに収容される。プローブ31~33は、プローブ31~33の先端部分が当該プローブホルダから下方に突出するように、当該プローブホルダに収容される。プローブ31~33の各々は、プローブ21~23にそれぞれ対向している。プローブ31~33の各々は、DUT60がステージ11に載置された状態で、DUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73の上方にそれぞれ位置する。
 検査装置102では、制御装置40は、プローブ21~23およびプローブ31~33を上下方向に移動させることによって、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える。
 検査装置102では、初期状態において、プローブ21~23の先端およびプローブ51,52の先端は、同じ高さに位置している。
 図9は、検査装置102の動作例を示す図である。図9の(a)に示されるように、ステージ11にDUT60が載置された状態で、制御部45は、上下駆動ユニット42を制御することによって押さえベース2を下方に移動させる。これにより、プローブ31~33は、DUT60の上側からDUT60の電極70に接触する。また、プローブ21~23はDUT60の下側からDUT60の電極70に接触し、プローブ51,52は、DUT60の下側からDUT60の電極80に接触する。このようにして、制御装置40は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機120による動特性試験が実施される(動特性試験工程)。動特性試験が実施されている間、切離し回路136によって、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離されている。
 続いて、図9の(b)に示されるように、制御装置40は、上下駆動ユニット41を制御することによって可動ベース24とともにプローブ21~23を下方に移動させ、プローブ21~23をDUT60の電極70から離間させる。これにより、制御装置40は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、静特性試験状態とする。この静特性試験状態において、静特性試験機130による静特性試験が実施される(静特性試験工程)。静特性試験が実施されている間は、切離し回路136による切り離しは行われず、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に接続されている。
 このような検査装置102の動作によっても、検査装置101と同様に、制御装置40によって、プローブ21~23、プローブ31~33およびDUT60の電極70の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、DUT60の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置102によれば、プローブ21~23は電極70の下面に接触し、プローブ31~33は電極70の上面に接触する。これにより、たとえば、電極70の面積が小さく、電極70の一方の面のみにプローブ21~23およびプローブ31~33をいずれも接触させることが困難な場合でも、プローブ21~23およびプローブ31~33を電極70の両面からそれぞれ接触させることによって、DUT60の検査を行うことができる。
[第3実施形態]
 図10は、第3実施形態に係る検査装置103の正面図である。検査装置103は、検査装置102と比較して、とくに、制御装置40が上下駆動ユニット43を含む点、プローブ51,52が設けられる位置、および制御装置40による制御内容において相違する。なお、検査装置103においては、制御装置40は、上下駆動ユニット41,42を含んでいなくてもよい。
 上下駆動ユニット43は、絶縁ベース12が上下方向に移動するように、絶縁ベース12を駆動する。上下駆動ユニット43は、上下駆動ユニット41,42と同様に、制御部45によって制御される。
 検査装置103では、プローブ51,52(ただしプローブ51は、正面図である図10には図示されない)は、DUT60の上側からも、DUT60の電極70に接触するように配置される。具体的に、プローブ51,52は、押さえブロック4に設けられた図示されないプローブホルダに収容される。プローブ51,52は、プローブ51,52の先端部分が当該プローブホルダから下方に突出するように、当該プローブホルダに収容される。押さえブロック4側に設けられたこれらのプローブ51,プローブ52の各々は、絶縁ベース12側に設けられたプローブ51,52にそれぞれ対向している。押さえブロック4側に設けられたプローブ51,52の各々は、DUT60がステージ11に載置された状態で、DUT60の制御電極81,82の上方にそれぞれ位置する。
 検査装置103では、制御装置40は、ステージ11を上下方向に移動させることによって、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える。
 検査装置103では、初期状態において、プローブ21~23の先端および絶縁ベース12側のプローブ51,52の先端は、同じ高さに位置している。また、プローブ31~33の先端および押さえブロック4側のプローブ51,52の先端は、同じ高さに位置している。
 図11は、検査装置103の動作例を示す図である。図11の(a)に示されるように、ステージ11にDUT60が載置された状態で、制御部45は、上下駆動ユニット43を制御することによって、絶縁ベース12を上方に移動させる。これにより、プローブ31~33は、DUT60の上側からDUT60の電極70に接触する。また、押さえブロック4側に設けられたプローブ51,52は、DUT60の上側からDUT60の電極80に接触する。このようにして、制御装置40は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、静特性試験状態とする。この静特性試験状態において、静特性試験機130による静特性試験が実施される(静特性試験工程)。静特性試験が実施されている間は、切離し回路136による切り離しは行われず、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に接続されている。
 また、制御部45は、上下駆動ユニット43を制御することによって、絶縁ベース12を下方に移動させる。これにより、プローブ21~23は、DUT60の下側からDUT60の電極70に接触する。また、絶縁ベース12側に設けられたプローブ51,52は、DUT60の下側からDUT60の電極70に接触する。このようにして、制御装置40は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極70の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機120による動特性試験が実施される(動特性試験工程)。なお、検査装置103においては、動特性試験が実施されている間、プローブ31~33はDUT60の電極70から離間しているので、切離し回路136によってプローブ31~33と静特性試験機130とを電気的に切り離さなくてもよい。このため、プローブ31~33と静特性試験機130とは、切離し回路136を介さずに電気的に接続されてもよく、その場合には、検査装置103は、切離し回路136を含まない構成とされる。
 このような検査装置103の動作によっても、検査装置101と同様に、制御装置40によって、プローブ21~23、プローブ31~33およびDUT60の電極70の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、DUT60の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置102と同様に、プローブ21~23およびプローブ31~33を電極70の両面からそれぞれ接触させることによって、DUT60の検査を行うことができる。また、検査装置103によれば、プローブ21~23、プローブ31~33およびプローブ51,52の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット41,42を不要とすることができる。
[第4実施形態]
 図12は、第4実施形態に係る検査装置104の概略構成を示す斜視図である。図13は、検査装置104の平面図である。図14は、検査装置104の正面図である。検査装置104では、DUT65の検査が行われる。DUT65は、DUT60と同様の機能を有するが、DUT60とは異なる形状を有する。
 DUT65は、本体66と、電極75と、電極85とを含む。本体66は、トランジスタQ1,Q2およびダイオードD1,D2(図3)を含む。本体66は、第1部分67と、第2部分68とを有する。第1部分67および第2部分68はいずれも板形状を有する。第2部分68は、XY面で見た場合、第1部分67よりも小さい面積を有する。第2部分68は、第1部分67上に設けられる。
 電極75は、P極電極76、出力電極77およびN極電極78からなる。P極電極76、出力電極77およびN極電極78は、第2部分68上に設けられる。これらの電極は、第2部分68の上面に、X軸正方向に沿って出力電極77、N極電極78、P極電極76の順に配置される。P極電極76、出力電極77およびN極電極78の用途については、P極電極71、出力電極72およびN極電極73と同様であるので、ここでは説明を省略する。電極85は、制御電極86、87からなる。制御電極86,87は、第1部分67上のうち第2部分68が設けられていない部分に設けられる。これらの電極は、第1部分67の上面に、Y軸正方向に沿って制御電極87、制御電極86の順に配置される。制御電極86および制御電極87の用途については、制御電極81および制御電極82と同様であるので、ここでは説明を省略する。
 検査装置104も、検査装置101と同様に、プローブ21~23、プローブ31~33およびプローブ51,52を含む。ただし、検査装置104におけるプローブ21~23およびプローブ31~33の具体的な構成は、DUT65の検査を行うために適宜変更される。また、検査装置104において、動特性試験プローブユニット20は、X軸方向に延びる支持バー26を含む。動特性試験プローブユニット20において、プローブ21~23は、先端部分が支持バー26から下方に向かって延びるように、支持バー26に固定されている。プローブ21~プローブ23の各々は、DUT65がステージ16に載置された状態で、DUT65のP極電極76、出力電極77およびN極電極78の上方にそれぞれ位置する。静特性試験プローブユニット30は、X軸方向に延びる支持バー36を含む。支持バー36は、支持バー26と同じ高さに位置し、Y軸方向において支持バー26と並設される。静特性試験プローブユニット30において、プローブ31~33は、先端部分が支持バー36から下方に向かって延びるように、支持バー36に固定されている。プローブ31~33の各々は、DUT65がステージ16に載置された状態で、DUT65のP極電極76、出力電極77およびN極電極78の上方にそれぞれ位置する。プローブユニット50は、Y軸方向に延びる支持バー56を含む。プローブユニット50において、プローブ51,52は、先端部分が支持バー56から下方に向かって延びるように、支持バー56に固定されている。プローブ51,52の各々は、DUT65がステージ16に載置された状態で、DUT65の制御電極87,86の上方にそれぞれ位置する。
 なお、図12において、動特性試験機120、静特性試験機130および切離し回路136が一つのユニットとして上方に配置されている。ただし、各要素は分離して配置されていてもよい。検査装置104において、プローブ21およびプローブ23と動特性試験機120とを接続する配線(つまりP極電極76およびN極電極78とを接続する配線)W1は、絶縁体を挟んだ平編導線によって形成された平行平板として構成される。絶縁体は、たとえば、絶縁紙または絶縁性熱収縮チューブである。この場合、平行平板の各平板には逆方向の電流が流れるので、配線のインダクタンスを低減することができる。さらに、配線W1の可撓性を実現することもできる。プローブ31およびプローブ33と静特性試験機130(より具体的には切離し回路136)とを接続する配線W2についても、W1と同様の構成を採用してもよい。
 また、検査装置104は、検査装置101と比較して、とくに、載置部10に代えて載置部15を含み、制御装置40に代えて制御装置90を含む点において相違する。
 載置部15は、ステージ16と、絶縁ベース17とを含む。ステージ16は、絶縁ベース17上に設けられた絶縁ステージである。ステージ16には、DUT65が載置される。ステージ16は、載置面16aを有する。載置面16aは、DUT65の本体66(の第1部分67)を支持する。DUT65を平面視した場合、DUT65の本体66は、載置面16aの内側に位置する。
 制御装置90は、上下駆動ユニット91~94と、制御部95とを含む。上下駆動ユニット91は、支持バー26の両端に接続され、支持バー26が上下方向に移動するように支持バー26を駆動する、一対の駆動ユニットである。上下駆動ユニット92は、支持バー36の両端に接続され、支持バー36が上下方向に移動するように支持バー36を駆動する、一対の駆動ユニットである。上下駆動ユニット93は、支持バー56の両端に接続され、支持バー56が上下方向に移動するように支持バー56を駆動する、一対の駆動ユニットである。上下駆動ユニット94は、絶縁ベース17が上下方向に移動するように、絶縁ベース17を駆動する。上下駆動ユニット91~94による駆動には、たとえば、ソレノイド機構を用いた電動シリンダが用いられる。制御部95は、上下駆動ユニット91~94を制御する。以上の構成により、制御部95は、上下駆動ユニット91を制御することによって支持バー26(つまりプローブ21~23)を上下方向に移動させる。また、制御部95は、上下駆動ユニット92を制御することによって、支持バー36(つまりプローブ31~33)を上下方向に移動させる。また、制御部95は、上下駆動ユニット93を制御することによって、支持バー56(つまりプローブ51,52)を上下方向に移動させる。また、制御部95は、上下駆動ユニット94を制御することによって、絶縁ベース17とともにステージ16を上下方向に移動させる。
 なお、検査装置104においては、上述の上下駆動ユニット91~94がすべて用いられる必要はない。後述する検査装置104の動作の一例においては、上下駆動ユニット91および上下駆動ユニット94が用いられる。このため、図14および後述の図15においては、上下駆動ユニット91~94のうち、上下駆動ユニット91,94のみが図示される。
 検査装置104では、プローブ21~23およびプローブ31~33は、DUT65の上側からDUT65の電極75に接触するように配置される。そして、制御装置90は、ステージ16およびプローブ21~23を上下方向に移動させることによって、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える。ここでの動特性試験状態は、プローブ21~23の各々がDUT65のP極電極76、出力電極77およびN極電極78のそれぞれに接触する状態である。ここでの静特性試験状態は、プローブ21~23の各々がDUT65のP極電極76、出力電極77およびN極電極78のそれぞれから離間する一方で、プローブ31~33の各々がDUT65のP極電極76、出力電極77およびN極電極78にそれぞれ接触する状態である。
 検査装置104では、制御装置90による制御が実行されていない初期状態(つまり制御装置90による制御が開始される前の状態)において、プローブ21~23の先端およびプローブ31~33の先端は同じ高さに位置している。プローブ51,52の先端は、プローブ21~23の先端およびプローブ31~33の先端よりも下方に位置している。高さ方向におけるプローブ21~23およびプローブ31~33の先端と、プローブ51,52の先端との距離は、高さ方向(Z軸方向)における電極75の表面と電極85の表面との距離にほぼ等しい。
 図15は、検査装置104の動作例を示す図である。図15の(a)に示されるように、ステージ16にDUT65が載置された状態で、制御部95は、上下駆動ユニット94を制御することによって、ステージ16を上方に移動させる。これにより、プローブ21~23およびプローブ31~33が、DUT65の上側から、DUT65の電極75に接触する。また、プローブ51,52が、DUT65の上側から、DUT65の電極85に接触する。このようにして、制御装置90は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機120による動特性試験が実施される(動特性試験工程)。動特性試験が実施されている間は、切離し回路136によって、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離されている。
 続いて、制御部95は、上下駆動ユニット91を制御することによってプローブ21~23を上方に移動させる。これにより、図15の(b)に示されるように、プローブ21~23をDUT65の電極75から離間させる。これにより、制御装置90は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、静特性試験状態とする。静特性試験状態において、静特性試験機130による静特性試験が実施される(静特性試験工程)。静特性試験が実施されている間は、切離し回路136による切り離しは行われず、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に接続されている。
 検査装置104によれば、制御装置90によって、プローブ21~23、プローブ31~33およびDUT65の電極75の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、検査装置101と同様の原理により、DUT65の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置104によれば、プローブ31~33およびプローブ51,52の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット92および上下駆動ユニット93を不要とすることができる。
[第5実施形態]
 図16は、第5実施形態に係る検査装置105の正面図である。検査装置105は、検査装置104と比較して、とくに、プローブ31~33およびプローブ51,52の具体的な構成、プローブ21~23とプローブ31~33との位置関係、および制御装置90による制御内容において相違する。なお、後述の検査装置105の動作の一例においては、上下駆動ユニット94が用いられる。このため、図16および後述の図17においては、上下駆動ユニット91~94のうち、上下駆動ユニット94のみが図示される。
 検査装置105では、プローブ31~33およびプローブ51,52は、上下方向に伸縮可能なスプリングプローブである。そのため、プローブ31~33およびプローブ51,52は、たとえば、図示されないスプリングによって支持され、当該スプリングの伸縮によって上下方向に伸縮可能とされる。
 検査装置105では、制御装置90は、ステージ16を上下方向に移動させることによって、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、動特性試験状態及び静特性試験状態の間で切り替える。
 検査装置105では、初期状態において、プローブ21~23の先端の高さZ2は、プローブ31~33の先端の高さZ1よりも上方に位置している。
 図17は、検査装置105の動作例を示す図である。図17の(a)に示されるように、ステージ16にDUT65が載置された状態で、制御部95は、上下駆動ユニット94を制御することによって、ステージ16を上方に移動させる。このとき、制御装置90は、DUT65の電極75の表面の位置が高さZ1に位置するように、ステージ16を上方に移動させる。これにより、プローブ31~33の先端がDUT65の電極75に当接し、プローブ51,52の先端がDUT65の電極85に当接する。すなわち、プローブ21~23のDUT65の電極75から離間する一方で、プローブ31~33がDUT65の上側からDUT65の電極75に接触する。また、プローブ51,52が、DUT65の上側からDUT65の電極85に接触する。このようにして、制御装置90は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、静特性試験状態とする。静特性試験状態において、静特性試験機130による静特性試験が実施される(静特性試験工程)。静特性試験が実施されている間は、切離し回路136による切り離しは行われず、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に接続されている。
 続いて、図17の(b)に示されるように、制御装置90は、DUT65の電極75の表面の位置が高さZ2に位置するように、ステージ16をさらに上方に移動させる。プローブ31~33は、スプリング式のプローブであるので、DUT65の電極75により上方に押し縮められる。同様に、プローブ51,52は、DUT65の電極85により上方に押し縮められる。また、プローブ21~23の先端がDUT65の電極75に当接する。これにより、プローブ31~33に加えて、プローブ21~23も、DUT65の上側から、DUT65の電極75に接触する。このようにして、制御装置90は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機120による動特性試験が実施される(動特性試験工程)。動特性試験が実施されている間は、切離し回路136によって、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離されている。
 このような検査装置105の動作によっても、検査装置104と同様に、制御装置90によって、プローブ21~23、プローブ31~33およびDUT65の電極75の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、DUT65の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置105によれば、プローブ21~23、プローブ31~33およびプローブ51,52の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット91~93を不要とすることができる。
[第6実施形態]
 図18は、第6実施形態に係る検査装置106の正面図である。検査装置106は、検査装置104と比較して、とくに、制御装置90による制御内容において相違する。なお、後述の検査装置106の動作の一例においては、上下駆動ユニット91~93が用いられる。このため、図18および後述の図19においては、上下駆動ユニット91~94のうち、上下駆動ユニット91~93のみが図示される。
 検査装置106では、制御装置90は、プローブ21~23およびプローブ31~33を上下方向に移動させることによって、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、動特性試験状態及び静特性試験状態の間で切り替える。
 検査装置106では、初期状態において、プローブ21~23、およびプローブ31~33は、DUT65の電極75から離間している。
 図19は、検査装置106の動作例を示す図である。図19の(a)に示されるように、ステージ16にDUT65が載置された初期状態から、制御部95は、上下駆動ユニット91を制御することによって、プローブ21~23を下方に移動させる。これにより、プローブ21~23が、DUT65の上側から、DUT65の電極75に接触する。また、制御部95は、上下駆動ユニット93を制御することによって、プローブ51,52を下方に移動させる。これにより、プローブ51,52が、DUT65の上側から、DUT65の電極75に接触する。プローブ31~33については、初期状態(つまりDUT65の電極75から離間した状態)が維持される。このようにして、制御装置90は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、動特性試験状態とする。この動特性試験状態において、動特性試験機120による動特性試験が実施される(動特性試験工程)。
 また、図19の(b)に示されるように、制御部95は、初期状態から、上下駆動ユニット92を制御することによって、プローブ31~33を下方に移動させる。これにより、プローブ31~33が、DUT65の上側から、DUT65の電極75に接触する。また、制御部95は、上下駆動ユニット93を駆動することによって、プローブ51,52を下方に移動させる。これにより、プローブ51,52が、DUT65の上側から、DUT65の電極75に接触する。プローブ21~23については、初期状態(つまりDUT65の電極75から離間した状態)が維持される。このようにして、制御装置90は、プローブ21~23、プローブ31~33および電極75の接触状態を、静特性試験状態とする。静特性試験状態において、静特性試験機130による静特性試験が実施される(静特性試験工程)。静特性試験が実施されている間は、切離し回路136による切り離しは行われず、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に接続されている。
 このような検査装置106の動作によっても、検査装置104と同様に、制御装置90によって、プローブ21~23、プローブ31~33およびDUT65の電極75の接触状態を動特性試験状態および静特性試験状態の間で切り替える位置制御が行われる。よって、DUT65の検査精度を向上させることが可能となる。また、検査装置106によれば、ステージ16の移動が必須ではないので、上下駆動ユニット94を不要とすることができる。
 なお、検査装置106においては、動特性試験が実施されている間、プローブ31~33はDUT65の電極75から離間しているので、切離し回路136によってプローブ31~33と静特性試験機130とを電気的に切り離さなくてもよい。このため、プローブ31~33と静特性試験機130とは、切離し回路136を介さずに電気的に接続されてもよく、その場合には、検査装置106は、切離し回路136を含まない構成とされる。もちろん、検査装置106において、プローブ21~23およびプローブ31~33をいずれもDUT65の電極75に接触させた状態で、動特性試験が実施されてもよく、その場合には、動特性試験が実施されている間は、切離し回路136によって、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離される。
[切離し回路の詳細構成]
 次に、切離し回路136の詳細構成について、図20を参照して説明する。図20に示されるように、切離し回路136は、複数のスイッチ素子を含む。スイッチSW_DC_Pは、主に、静特性試験機130の正極側の端子と切離し回路136との電気的な接続および非接続を切り替えるために用いられる。スイッチSW_DC_Nは、主に、静特性試験機130の負極側の端子と切離し回路136との電気的な接続および非接続を切り替えるために用いられる。スイッチSW_DUT_P_P、スイッチSW_DUT_O_PおよびSW_DUT_N_Pの各々は、主に、静特性試験機130の正極側の端子と、DUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73との電気的な接続および非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチSW_DUT_P_N、スイッチSW_DUT_O_NおよびスイッチSW_DUT_N_Nの各々は、主に、静特性試験機130の負極側の端子と、DUT60のP極電極71、出力電極72およびN極電極73との電気的な接続および非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。各スイッチは、たとえば、切離し回路136に含まれる図示しない制御回路によって制御される。制御回路は、たとえば、制御部45(または制御部95)からの制御信号を受けて、各スイッチを制御する。これにより、プローブ21~23、プローブ31~33、プローブ51,52の動作と、切離し回路136の動作とが連動する。
 図21は、切離し回路136による電流経路を示す図である。図21に示されるように、切離し回路136によれば、経路P1~P4の4通りの電流経路が実現される。
 経路P1は、スイッチSW_DC_P、スイッチSW_DUT_P_P、SW_DUT_O_NおよびスイッチSW_DC_Nが導通状態(ON)であり、他のスイッチが非導通状態(OFF)のときに実現される電流経路である。電流が経路P1を流れることによって、たとえば、上アームのトランジスタQ1のON電圧の測定が行われる。
 経路P2は、スイッチSW_DC_P、スイッチSW_DUT_O_P、スイッチSW_DUT_P_NおよびスイッチSW_DC_NがONであり、他のスイッチがOFFのときに実現される電流経路である。電流が経路P2を流れることによって、たとえば、上アームのダイオードD1のON電圧の測定が行われる。
 経路P3は、スイッチSW_DC_P、スイッチSW_DUT_O_P、スイッチSW_DUT_N_NおよびスイッチSW_DC_NがONであり、他のスイッチがOFFのときに実現される電流経路である。電流が経路P3を流れることによって、たとえば、下アームのトランジスタQ2のON電圧の測定が行われる。
 経路P4は、スイッチSW_DC_P、スイッチSW_DUT_N_P、スイッチSW_DUT_O_NおよびスイッチSW_DC_NがONであり、他のスイッチがOFFのときに実現される電流経路である。電流が経路P4を流れることによって、たとえば、下アームのダイオードD2のON電圧の測定が行われる。
 図22は、切離し回路136の各スイッチのONおよびOFFと、DUT60のトランジスタQ1,Q2およびダイオードD1,D2のON電圧との関係を示すタイミングチャートである。
 ステップS11においては、各スイッチはOFFとされており、トランジスタQ1,Q2およびダイオードD1,D2には電圧は発生していない。
 ステップS12において、スイッチSW_DC_P,N(SW_DC_PおよびSW_DC_N)と、スイッチSW_DUT_P_Pと、スイッチSW_DUT_O_NとがONとされ、他のスイッチがOFFとされることよって経路P1が実現されると、トランジスタQ1に電圧が発生する。これにより、トランジスタQ1のON電圧を測定することができる。
 ステップS13において、スイッチSW_DC_P,Nと、スイッチSW_DUT_P_Nと、スイッチSW_DUT_O_PとがONとされ、他のスイッチがOFFとされることによって経路P2が実現されると、ダイオードD1に電圧が発生する。これにより、ダイオードD1のON電圧を測定することができる。
 ステップS14において、スイッチSW_DC_P,Nと、スイッチSW_DUT_O_Pと、スイッチSW_DUT_N_NとがONとされ、他のスイッチがOFFとされることによって経路P3が実現されると、トランジスタQ2に電圧が発生する。これにより、トランジスタQ2のON電圧を測定することができる。
 ステップS15において、スイッチSW_DC_P,Nと、スイッチDUT_O_Nと、スイッチSW_DUT_N_PとがONとされ、他のスイッチがOFFとされることによって経路P4が実現されると、ダイオードD2に電圧が発生する。これにより、ダイオードD2のON電圧を測定することができる。
 ステップS16において、全てのスイッチがOFFとされる。
 以上説明したように、切離し回路136によれば、静特性試験において、各スイッチを切り替えることによって、トランジスタQ1,Q2およびダイオードD1,D2の全ての素子のON電圧を測定することができる。また、動特性試験が実施されている間、切離し回路136の全てのスイッチがOFFとされることによって、プローブ31~33と静特性試験機130とが電気的に切り離される。
[切替え回路の詳細構成]
 次に、切替え回路150の詳細構成について、図23を参照して説明する。図23に示されるように、切替え回路150は、複数のスイッチを含む。スイッチSW_AC_G1およびスイッチSW_AC_E1の各々は、主に、トランジスタQ1のゲートおよびエミッタ(制御電極81(G),81(E))と駆動回路125との電気的な接続および非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチSW_AC_G2およびスイッチSW_AC_E2の各々は、主に、トランジスタQ2のゲートおよびエミッタ(制御電極82(G),82(E))と駆動回路125との電気的な接続および非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチSW_DC_G1およびスイッチSW_DC_E1の各々は、主に、トランジスタQ1のゲートおよびエミッタと駆動回路135との電気的な接続および非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。スイッチSW_DC_G2およびスイッチSW_DC_E2の各々は、主に、トランジスタQ2のゲートおよびエミッタと駆動回路135との電気的な接続および非接続をそれぞれ切り替えるために用いられる。各スイッチは、たとえば、切替え回路150に含まれる図示しない制御回路によって制御される。制御回路は、たとえば、制御部45(または制御部95)からの制御信号を受けて、各スイッチを制御する。これにより、プローブ21~23、プローブ31~33、プローブ51,52の動作と、切替え回路150の動作とが連動する。
 図24は、切替え回路150の各スイッチのONおよびOFFと、動特性試験機120の駆動回路125および静特性試験機130の駆動回路135の動作状態との関係を示すタイミングチャートである。
 ステップS21においては、動特性試験および静特性試験による測定が開始される前の状態であり、各スイッチは非導通状態(OFF)とされており、駆動回路125および駆動回路135は動作していない。
 ステップS22において、スイッチSW_AC_G1、スイッチSW_AC_E1、スイッチSW_AC_G2およびスイッチSW_AC_E2(スイッチSW_AC_G1,E1,G2,E2)がONとされ、他のスイッチがOFFとされる。また、駆動回路125が動作する。これにより、動特性試験が実施される。
 ステップS23において、スイッチSW_DC_G1、スイッチSW_DC_E1、スイッチSW_DC_G2およびスイッチSW_DC_E2(スイッチSW_DC_G1,E1,G2,E2)がONとされ、他のスイッチがOFFとされる。また、駆動回路135が動作する。これにより静特性試験が実施される。
 ステップS24において、動特性試験および静特性試験による測定が終了したことに応じて、全てのスイッチがOFFとされる。また、駆動回路125および駆動回路135は動作していない。
 以上説明したように、切替え回路150によれば、駆動回路125および駆動回路135と、DUT60との接続を切り替えることによって、動特性試験および静特性試験を連続して実施することができる。なお、動特性試験および静特性試験が実施される順序はとくに限定されるものではない。
 以上、本開示の一実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、制御装置40,90によって、プローブ21~23、プローブ31~33、プローブ51,52およびステージ11,16の各要素を上下方向に移動させるものとして説明したが、制御装置40,90による各要素の移動方向は上下方向に限定されるものではない。各要素の移動方向は、プローブ21~23およびプローブ31~33と、電極70,75との距離を変えることによって動特性試験状態と静特性試験状態を切り替えることが可能な方向であればよい。同様の趣旨を逸脱しない範囲において、プローブ21~23の位置と、プローブ31~33の位置とは、互いに入れ替えられていてもよい。たとえば、DUTに対する各プローブの位置が上下に反転されてもよい。
 また、上記実施形態では、DUT60,65が、一相のインバータ回路の上下アームとしてのパワーモジュールである場合について説明したが、被試験デバイスは、そのようなパワーモジュールに限定されるものではない。たとえば、二相以上のインバータ回路の上下アームとしてのパワーモジュールについても、それに合わせてプローブの数および形状等を変更することによって、検査、つまり動特性試験および静特性試験を実施することが可能である。
 21~23…プローブ(第1プローブ)、31~33…プローブ(第2プローブ)、40,90…制御装置、60,65…DUT(被試験デバイス)、70、75…電極、100~106…検査装置、120…動特性試験機、130…静特性試験機、136…切離し回路。

Claims (9)

  1.  被試験デバイスが載置されるステージと、
     前記被試験デバイスの電極を、動特性試験を実施するための動特性試験機に電気的に接続するための動特性試験プローブと、
     前記電極を、静特性試験を実施するための静特性試験機に電気的に接続するための静特性試験プローブと、
     前記ステージ、前記動特性試験プローブ、および前記静特性試験プローブの少なくとも1つを移動させることによる位置制御を実行する制御装置と、
     を備え、
     前記制御装置は、前記動特性試験が実施されるときには前記動特性試験プローブが前記電極に接触する動特性試験状態となるように前記位置制御を実行し、前記静特性試験が実施されるときには前記動特性試験プローブが前記電極から離間する一方で前記静特性試験プローブが前記電極に接触する静特性試験状態となるように、前記位置制御を実行する、検査装置。
  2.  前記静特性試験プローブと前記静特性試験機とを電気的に切り離す切離し回路をさらに備え、
     前記制御装置は、前記動特性試験状態として、前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブがいずれも前記電極に接触している状態となるように前記位置制御を実行し、
     前記切離し回路は、前記動特性試験が実施されるときに前記静特性試験プローブと前記静特性試験機とを電気的に切り離す、請求項1に記載の検査装置。
  3.  前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの下側から前記電極に接触するように配置され、
     前記制御装置は、前記動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項1または2に記載の検査装置。
  4.  前記動特性試験プローブは、前記被試験デバイスの下側から前記電極に接触するように配置され、
     前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
     前記制御装置は、前記静特性試験プローブおよび前記動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項1または2に記載の検査装置。
  5.  前記動特性試験プローブは、前記被試験デバイスの下側から前記電極に接触するように配置され、
     前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
     前記制御装置は、前記ステージを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項1または2に記載の検査装置。
  6.  前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
     前記制御装置は、前記ステージおよび動特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項1または2に記載の検査装置。
  7.  前記静特性試験プローブは、上下方向に伸縮可能なスプリングプローブであって、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
     前記動特性試験プローブは、前記動特性試験プローブの先端が前記静特性試験プローブの先端よりも上方に位置し、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
     前記制御装置は、前記ステージを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項1または2に記載の検査装置。
  8.  前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブは、前記被試験デバイスの上側から前記電極に接触するように配置され、
     前記制御装置は、前記動特性試験プローブおよび前記静特性試験プローブを上下方向に移動させることによって、前記動特性試験プローブ、前記静特性試験プローブおよび前記電極の接触状態を、前記動特性試験状態および前記静特性試験状態の間で切り替える、請求項1または2に記載の検査装置。
  9.  動特性試験プローブを被試験デバイスの電極に接触させて動特性試験を実施する動特性試験工程と、
     静特性試験プローブを前記電極に接触させて静特性試験を実施する静特性試験工程と、
     を含み、
     前記静特性試験工程では、前記動特性試験プローブが前記電極から離間するように、前記被試験デバイスが載置されたステージ、前記動特性試験プローブ、および前記静特性試験プローブの少なくとも1つを移動させることによる位置制御が実行される、検査方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018109590A (ja) * 2017-01-06 2018-07-12 新電元工業株式会社 半導体装置の検査装置、及び、半導体装置の検査方法
CN109085391A (zh) * 2018-09-19 2018-12-25 四川爱联科技有限公司 电子设备测试装置及电子设备

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6885456B2 (ja) * 2017-02-22 2021-06-16 新東工業株式会社 テストシステム
CN109459604B (zh) * 2018-06-21 2020-12-11 国网浙江江山市供电有限公司 无人机验电用接触式导体
JP7159312B2 (ja) * 2018-06-28 2022-10-24 株式会社日立ハイテク 半導体検査装置
JP7192620B2 (ja) 2019-03-29 2022-12-20 新東工業株式会社 検査装置
JP7192621B2 (ja) * 2019-03-29 2022-12-20 新東工業株式会社 検査装置
JP2020165902A (ja) 2019-03-29 2020-10-08 新東工業株式会社 検査装置
JP7371885B2 (ja) * 2019-07-08 2023-10-31 ヤマハファインテック株式会社 電気検査装置及び保持ユニット
TWI764509B (zh) * 2021-01-12 2022-05-11 宏汭精測科技股份有限公司 用以測試元件動態特性之通用開關操作裝置及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005121553A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プローブカード及び半導体チップの試験方法
JP2012078174A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体試験装置、半導体試験回路の接続装置および半導体試験方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69229389T2 (de) * 1992-02-25 1999-10-07 Hewlett Packard Co Testsystem für Schaltkreise
CN2572557Y (zh) * 2002-09-25 2003-09-10 万润科技股份有限公司 晶片测试机
US7256600B2 (en) * 2004-12-21 2007-08-14 Teradyne, Inc. Method and system for testing semiconductor devices
CN101101886A (zh) * 2006-06-05 2008-01-09 松下电器产业株式会社 半导体检查装置及半导体集成电路的检查方法
US7924035B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-12 Formfactor, Inc. Probe card assembly for electronic device testing with DC test resource sharing
JP5260172B2 (ja) * 2008-07-31 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 被検査体の検査方法及び被検査体の検査用プログラム
JP2011257227A (ja) 2010-06-08 2011-12-22 Panasonic Corp 半導体検査装置および検査方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005121553A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd プローブカード及び半導体チップの試験方法
JP2012078174A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体試験装置、半導体試験回路の接続装置および半導体試験方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018109590A (ja) * 2017-01-06 2018-07-12 新電元工業株式会社 半導体装置の検査装置、及び、半導体装置の検査方法
CN109085391A (zh) * 2018-09-19 2018-12-25 四川爱联科技有限公司 电子设备测试装置及电子设备

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