CN108156820B - 检查装置以及检查方法 - Google Patents
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Abstract
检查装置具备:载置台,其载置被试验器件;动态特性试验探针,其用于将被试验器件的电极与用于实施动态特性试验的动态特性试验机电连接;静态特性试验探针,其用于将电极与用于实施静态特性试验的静态特性试验机电连接;以及控制装置,其执行基于使载置台、动态特性试验探针以及静态特性试验探针中的至少一个移动而实现的位置控制。在实施动态特性试验时,控制装置以成为动态特性试验探针与电极接触的动态特性试验状态的方式执行位置控制,在实施静态特性试验时,控制装置以成为动态特性试验探针与电极分离而另一方面静态特性试验探针与电极接触的静态特性试验状态的方式执行位置控制。
Description
技术领域
本公开涉及检查装置以及检查方法。
背景技术
功率半导体模块等那样的器件的检查包含动态特性(AC:Alternating Current)试验以及静态特性(DC:Direct Current)试验。在检查中,使用动态特性试验机以及静态特性试验机两种试验机。
例如专利文献1公开具备动态特性试验机以及静态特性试验机的综合试验装置。该综合试验装置经由中间电极板将动态特性试验机以及静态特性试验机与被试验器件(DUT:Device Under Test)的电极电连接。由此,能够通过一个综合试验装置来实施动态特性试验以及静态特性试验这双方试验。
专利文献1:日本特开2012-78174号公报
伴随着器件的性能的提高,期望检查精度的提高。在专利文献1所记载的综合试验装置中,经由中间电极板进行动态特性试验以及静态特性试验,所以有试验机的测定结果受到中间电极板的电感的影响的担心。例如,在包含被试验器件的开关时间的测定等的动态特性试验中,有由于中间电极板的电感的影响变大而检查精度降低的担心。
发明内容
本公开提供能够使功率半导体模块等器件的检查精度提高的检查装置以及检查方法。
本公开的一方式所涉及的检查装置具备:载置台,其载置被试验器件;动态特性试验探针,其用于将被试验器件的电极与用于实施动态特性试验的动态特性试验机电连接;静态特性试验探针,其用于将电极与用于实施静态特性试验的静态特性试验机电连接;以及控制装置,其执行基于使载置台、动态特性试验探针以及静态特性试验探针中的至少一个移动而实现的位置控制。在实施动态特性试验时,控制装置以成为动态特性试验探针与电极接触的动态特性试验状态的方式执行位置控制,在实施静态特性试验时,控制装置以成为动态特性试验探针与电极分离而另一方面静态特性试验探针与电极接触的静态特性试验状态的方式执行位置控制。
本公开的其它方式所涉及的检查方法包括:使动态特性试验探针与被试验器件的电极接触来实施动态特性试验的动态特性试验工序;以及使静态特性试验探针与电极接触来实施静态特性试验的静态特性试验工序。在静态特性试验工序中,以动态特性试验探针与电极分离的方式,执行基于使载置有被试验器件的载置台、动态特性试验探针以及静态特性试验探针中的至少一个移动而实现的位置控制。
根据上述检查***以及检查方法,在动态特性试验探针与被试验器件的电极接触的状态下,实施基于动态特性试验机的动态特性试验。另外,在静态特性试验探针与被试验器件的电极接触的状态下,实施基于静态特性试验机的静态特性试验。这里的“接触”是指各探针与电极不经由其它的构件(例如以往使用的中间电极板等)而接触(换句话说各探针与电极物理性接触)。因此,例如与以往那样经由中间电极连接各试验机与被试验器件的电极的构成相比较,能够具有较小的电感成分地将各试验机与被试验器件电连接。其结果是,尤其能够使容易受到电感成分的影响的动态特性试验的测定精度提高。并且,根据上述检查***以及检查方法,在实施静态特性试验时,动态特性试验探针与被试验器件的电极分离。例如,也考虑代替使动态特性试验探针与被试验器件的电极分离,而在动态特性试验探针与动态特性试验机之间设置继电器来将动态特性试验机电切断。然而,在该情况下,由于继电器的电感成分的影响,而动态特性试验的测定精度降低。若如上述那样使动态特性试验探针与被试验器件的电极物理性分离,则能够形成不在动态特性试验探针与动态特性试验机之间设置继电器的结构,所以能够防止继电器的电感成分所引起的动态特性试验的测定精度的降低。由此,能够使被试验器件的检查精度提高。
也可以:上述检查装置还具备将静态特性试验探针与静态特性试验机电切断的切断电路,控制装置以作为动态特性试验状态而成为动态特性试验探针以及静态特性试验探针均与电极接触的状态的方式执行位置控制,在实施动态特性试验时,切断电路将静态特性试验探针与静态特性试验机电切断。例如虽然也考虑使静态特性试验探针移动来将静态特性试验机与被试验器件的电极电切断,但在该情况下,另外需要用于使静态特性试验探针移动的移动机构,另外,也需要为此的机械设计等。若如上述那样形成通过切断电路将静态特性试验探针与静态特性试验机电切断的结构,则能够不需要那样的移动机构以及机械设计。
也可以:动态特性试验探针以及静态特性试验探针被配置成从被试验器件的下侧与电极接触,控制装置通过使动态特性试验探针沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换动态特性试验探针、静态特性试验探针以及电极的接触状态。这样一来,也能够实现上述的位置控制。在该情况下,能够在检查装置的下方的部分(例如与载置台相比靠下侧的部分)集中配置静态特性试验探针以及动态特性试验探针等检查装置所包含的构件。由此,能够使检查装置小型化。
也可以:动态特性试验探针被配置成从被试验器件的下侧与电极接触,静态特性试验探针被配置成从被试验器件的上侧与电极接触,控制装置通过使静态特性试验探针以及动态特性试验探针沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换动态特性试验探针、静态特性试验探针以及电极的接触状态。这样一来也能够实现上述的位置控制。
也可以:动态特性试验探针被配置成从被试验器件的下侧与电极接触,静态特性试验探针被配置成从被试验器件的上侧与电极接触,控制装置通过使载置台沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换动态特性试验探针、静态特性试验探针以及电极的接触状态。这样一来也能够实现上述的位置控制。
也可以:动态特性试验探针以及静态特性试验探针被配置成从被试验器件的上侧与电极接触,控制装置通过使载置台以及动态特性试验探针沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换动态特性试验探针、静态特性试验探针以及电极的接触状态。这样一来也能够实现上述的位置控制。
也可以:静态特性试验探针是能够沿上下方向伸缩的弹簧探针,并且被配置成从被试验器件的上侧与电极接触,动态特性试验探针被配置成动态特性试验探针的前端与静态特性试验探针的前端相比位于上方,并且从被试验器件的上侧与电极接触,控制装置通过使载置台沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换动态特性试验探针、静态特性试验探针以及电极的接触状态。这样一来也能够实现上述的位置控制。
也可以:动态特性试验探针以及静态特性试验探针被配置成从被试验器件的上侧与电极接触,控制装置通过使动态特性试验探针以及静态特性试验探针沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换动态特性试验探针、静态特性试验探针以及电极的接触状态。这样一来也能够实现上述的位置控制。
根据本公开,能够使功率半导体模块等器件的检查精度提高。
附图说明
图1是示意性地表示直进型的检查***的图。
图2是示意性地表示旋转型的检查***的图。
图3是表示各实施方式共用的检查装置中的测定电路的图。
图4是表示第一实施方式所涉及的检查装置的简要结构的立体图。
图5是第一实施方式所涉及的检查装置的主视图。
图6是表示第一实施方式所涉及的检查装置的动作例的图。
图7是表示第二实施方式所涉及的检查装置的简要结构的立体图。
图8是第二实施方式所涉及的检查装置的主视图。
图9是表示第二实施方式所涉及的检查装置的动作例的图。
图10是第三实施方式所涉及的检查装置的主视图。
图11是表示第三实施方式所涉及的检查装置的动作例的图。
图12是表示第四实施方式所涉及的检查装置的简要结构的立体图。
图13是第四实施方式所涉及的检查装置的俯视图。
图14是第四实施方式所涉及的检查装置的主视图。
图15是表示第四实施方式所涉及的检查装置的动作例的图。
图16是第五实施方式所涉及的检查装置的主视图。
图17是表示第五实施方式所涉及的检查装置的动作例的图。
图18是第六实施方式所涉及的检查装置的主视图。
图19是表示第六实施方式所涉及的检查装置的动作例的图。
图20是表示切断电路的详细构成的图。
图21是表示切断电路的电流路径的图。
图22是表示切断电路的各开关的接通以及断开与DUT的晶体管以及二极管的接通电压的关系的时序图。
图23是表示切换电路的详细构成的图。
图24是表示切换电路的各开关的接通以及断开与动态特性试验机的驱动电路以及静态特性试验机的驱动电路的动作状态的关系的时序图。
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式进行说明。在可能的情况下,对相同的部分附加相同的附图标记,并省略重复的说明。另外,各附图中的尺寸以及形状并非一定与实际的情况相同。
首先,对各实施方式的主要的共用部分进行说明。在各实施方式所涉及的检查装置中,将如功率半导体模块等那样的器件作为被试验器件(DUT),并对DUT实施动态特性试验以及静态特性试验。例如在图1所示意性地示出的直进型的检查***中,伴随着载置台11的直线移动执行进行检查前的DUT60的搬入以及DUT60向载置台11的载置的工序S1、实施动态特性试验以及静态特性试验的工序S2、以及搬出检查后的DUT60的工序S3。此外,在工序S3完成之后,为了再次在工序S1利用载置台11,也执行使载置台11移动到执行工序S1的处理的位置的返回工序S4。在图2所示意性地示出的旋转型的检查***中,伴随着载置台11的旋转移动执行上述的工序S1~S3。
图3是表示在上述的工序S2使用的动态特性试验机以及静态特性试验机的电路构成的一个例子的图。在图3所示的例子中,DUT60是包含晶体管Q1、Q2、二极管D1、D2、P极电极71、输出电极72、N极电极73、多个控制电极81以及多个控制电极82的功率模块。在图3所示的例子中,晶体管Q1、Q2是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极性晶体管),但晶体管Q1、Q2也可以例如是FET(Field Effect Transistor:场效应晶体管)。晶体管Q1能够使用在单相的逆变器电路的上臂,晶体管Q2能够使用在下臂。二极管D1、D2的各个是分别与晶体管Q1、Q2连接的续流二极管。P极电极71与晶体管Q1的集电极连接。输出电极72与晶体管Q1的发射极以及晶体管Q2的集电极连接。N极电极73与晶体管Q2的发射极连接。此外,为了容易区别,在图3中,对P极电极71、输出电极72以及N极电极73在括号内标注P、O以及N的附图标记。控制电极81包含与晶体管Q1的栅极连接的部分(图示为控制电极81(G))和与晶体管Q1的发射极连接的部分(图示为控制电极81(E))。控制电极82包含与晶体管Q2的栅极连接的部分(图示为控制电极82(G))和与晶体管Q2的发射极连接的部分(图示为控制电极82(E))。
检查装置100包含探针21~23、探针31~33、探针51、52、切断电路136以及切换电路150。探针21~23是用于将P极电极71、输出电极72以及N极电极73与动态特性试验机120电连接的动态特性试验探针(第一探针)。探针31~33是用于将P极电极71、输出电极72以及N极电极73与静态特性试验机130电连接的静态特性试验探针(第二探针)。探针51、52是用于将控制电极81、82与后述的动态特性试验机120的驱动电路125或者静态特性试验机130的驱动电路135电连接的探针(第三探针)。
动态特性试验机120实施DUT60的动态特性试验。例如,动态特性试验机120使用驱动电路125和包含电容器121、晶体管122~124以及电抗器126的试验电路,实施DUT60所包含的晶体管Q1、Q2的开关时间的测定等。除此之外,由动态特性试验机120实施的动态特性试验也包含短路安全动作区域的测定以及雪崩测定等各种试验。
静态特性试验机130实施DUT60的静态特性试验。例如,静态特性试验机130使用驱动电路135和包含高电压源131、晶体管132、电流测定电路133以及电流检测电阻134的试验电路,实施DUT60所包含的晶体管Q1、Q2以及二极管D1、D2的接通电压的测定等。除此之外,由静态特性试验机130实施的静态特性试验也包含漏电流的测定以及截止电压的测定等各种试验。
切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。切换电路150切换探针51、52与动态特性试验机120的驱动电路125以及静态特性试验机130的驱动电路135的电连接。后面参照图20~24对切断电路136以及切换电路150的详细进行说明。
根据在检查装置100中执行的检查方法,在通过动态特性试验机120实施动态特性试验时,以成为各个探针21~23分别与DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73接触的状态(动态特性试验状态)的方式,进行位置控制。另外,在检查装置100中,在通过静态特性试验机130实施静态特性试验时,以成为各个探针21~23分别与DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73分离,而另一方面各个探针31~33分别与DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73接触的状态(静态特性试验状态)的方式,进行位置控制。此外,通过后述的控制装置40(图4等)执行位置控制。
控制装置40也可以以作为动态特性试验状态而成为探针21~23以及探针31~33均与DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73接触的状态的方式执行位置控制。在该情况下,在通过动态特性试验机120实施动态特性试验时,切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
以下,依次对各实施方式所涉及的检查装置进行说明。
[第一实施方式]
图4是表示第一实施方式所涉及的检查装置101的简要结构的立体图。图5是图1所示的检查装置101的主视图。此外,示意性地示出检查装置101所包含的构件中的控制装置40、切断电路136以及切换电路150,并不准确地示出控制装置40、切断电路136以及切换电路150的位置以及大小等。对于动态特性试验机120以及静态特性试验机130也相同。
如图4以及图5所示,DUT60包含主体61、电极70以及电极80。主体61具有板形形状。主体61包含晶体管Q1、Q2以及二极管D1、D2(图3)。主体61例如以树脂铸模而成。电极70由P极电极71、输出电极72以及N极电极73构成。电极70是从主体61的四个侧面中的一个侧面与该侧面垂直地朝向主体61的外部延伸的电极。沿着该侧面,依次排列配置P极电极71、输出电极72以及N极电极73。电极80由控制电极81以及控制电极82构成。电极80是从夹着主体61而与电极70相反侧的主体61的侧面与该侧面垂直地朝向主体61的外部延伸的电极。沿着该侧面,依次排列配置控制电极81以及控制电极82。此外,虽然在图4所示的例子中,控制电极81以及控制电极82的数目分别为五个,但控制电极81以及控制电极82的数目并不限定于此。控制电极81只要至少包含图3所示的控制电极81(G)、控制电极81(E)即可,控制电极82只要至少包含控制电极82(G)以及控制电极82(E)即可。
检查装置101包含固定部1、载置部10、动态特性试验探针单元20、静态特性试验探针单元30、控制装置40、探针单元50、切断电路136以及切换电路150。
载置部10包含载置台11和绝缘基座12。载置台11是设置在绝缘基座12上的绝缘载置台。在载置台11载置有DUT60。载置台11具有载置面11a。载置面11a支承DUT60的主体61。在俯视载置面11a时,DUT60的电极70的至少一部分以及电极80的至少一部分位于载置面11a的外侧。
此外,在图中,为了对检查装置101的各方向进行说明,设定XYZ坐标系。该XYZ坐标系将载置台11的载置面11a设定为XY面。X轴与Y轴相互正交,Z轴与XY面正交。换句话说,Z轴是与载置台11的载置面11a正交的方向。在本说明书中,在不进行特别说明的情况下,将Z轴正方向设为“上”方向,将Z轴负方向设为“下”方向。但是,在不脱离本公开的主旨的范围内,也可以将Z轴正方向替读为下方向,将Z轴负方向替读为上方向。
动态特性试验探针单元20包含探针21~23、可动基座24以及探针支座25。探针21构成为具有低电感特性并且允许大电流(例如100A~10kA左右的电流)。具体而言,探针21由多根(例如数根~百根左右)短小探针构成。各短小探针的长度例如为1mm~10mm左右。通过以短小探针构成探针21,能够实现探针21的低电感特性。另外,通过以多个短小探针构成探针21,探针21能够允许大电流。对于探针22以及探针23,也与探针21相同,由多根短小探针构成。各探针例如既可以是刮擦式的探针,也可以是弹簧式的探针。在刮擦式的探针的情况下,各探针的前端部分刮擦电极70的表面并与电极70接触。在弹簧式的探针的情况下,各探针的前端部分利用弹簧的伸缩与电极70接触。弹簧式的探针与刮擦式的探针相比通用且廉价。探针支座25以探针21~23的前端部分从探针支座25向上方突出的方式收纳探针21~23。可动基座24是支承探针支座25的部分。可动基座24被后述的上下驱动单元41沿上下方向驱动。探针21~23的各个在DUT60载置于载置台11的状态下,分别位于DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73的下方。
静态特性试验探针单元30包含探针31~33和探针支座34。探针31~33的各个与探针21~探针23相同,例如分别由多根接触针构成。探针支座34以探针31~33的前端部分从探针支座34向上方突出的方式收纳探针31~33。探针31~33与探针21~23相同,由多根短小探针构成。探针支座34被固定于绝缘基座12。探针31~33的前端部分与载置台11的载置面11a相比位于上方,从而在DUT60载置于载置台11的状态下与电极70接触。探针31~33的各个在DUT60载置于载置台11的状态下,分别位于DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73的下方。
在检查装置101中,探针21以及探针31的各个以从DUT60的下侧分别与DUT60的P极电极71的不同的部分接触的方式并排设置。探针22以及探针32的各个以从DUT60的下侧分别与DUT60的输出电极72的不同的部分接触的方式并排设置。探针23以及探针33的各个以从DUT60的下侧分别与DUT60的N极电极73的不同的部分接触的方式并排设置。探针21~23以及探针31~33以分别与DUT60的电极70的不同的部分接触的方式,在XY面方向并排设置。
探针单元50包含探针51、52和探针支座53。探针51、52的各个分别由多根针构成。构成探针51的针的数目与DUT60的控制电极81的数目相同,构成探针52的针的数目与DUT60的控制电极82的数目相同。探针51、52例如是在探针支座53内被未图示的弹簧支承且通过该弹簧的伸缩而能够沿上下方向伸缩的弹簧式的探针。探针支座53以探针51、52的前端部分从探针支座53向上方突出的方式收纳探针51、52。探针支座53被固定于绝缘基座12。探针51、52的各个在DUT60载置于载置台11的状态下分别位于DUT60的控制电极81、82的下方。探针51、52的前端部分与载置台11的载置面11a相比位于上方,从而在DUT60载置于载置台11的状态下例如利用上述的弹簧的伸缩而与电极80接触。
与探针21~23以及探针31~33相比,在探针51、52中几乎不流过电流。因此,构成探针51、52的针的数目以及针的直径的大小能够根据确保探针51、52与电极80的电连接的观点来适当地决定。
固定部1包含按压基座2和按压块3、4。按压基座2是被配置成与载置台11对置的板状的块。按压块3是被设置在按压基座2的下表面且被配置成与探针21~23以及探针31~33对置的绝缘块。按压块4是被设置在按压基座2的下表面且被配置成与探针51、52对置的绝缘块。
控制装置40包含上下驱动单元41、上下驱动单元42以及控制部45。上下驱动单元41驱动可动基座24,以使可动基座24沿上下方向移动。上下驱动单元42驱动按压基座2,以使按压基座2沿上下方向移动。对于上下驱动单元41以及上下驱动单元42的驱动,例如利用使用了螺线管机构的电动气缸。控制部45控制上下驱动单元41以及上下驱动单元42。该控制例如使用电信号来进行。控制部45的控制例如既可以通过使用规定的计算机软件(程序)使计算机执行来实现,也可以使用专用的硬件来实现。根据以上的构成,控制装置40通过控制上下驱动单元41,使可动基座24(换句话说动态特性试验探针单元20)沿上下方向移动。另外,控制装置40通过控制上下驱动单元42,使按压块3、4与按压基座2一起沿上下方向移动。
在检查装置101中,在未执行控制装置40的控制的初始状态(换句话说在开始控制装置40的控制之前的状态)下,探针21~23的前端、探针31~探针33的前端以及探针51、52的前端位于相同的高度。
图6是表示检查装置101的动作例的图。如图6的(a)所示,在DUT60载置于载置台11的状态下,控制部45通过控制上下驱动单元42来使按压基座2向下方移动。由此,按压块3、4向下方按压DUT60的电极70、80。由于探针31~33被配置成在DUT60载置于载置台11的状态下与电极70接触,所以探针31~33从DUT60的下侧与DUT60的电极70接触。另外,由于探针51、52被配置成在DUT60载置于载置台11的状态下与电极80接触,所以探针51、52从DUT60的下侧与DUT60的电极80接触。
此时,控制部45通过控制上下驱动单元41,来使探针21~23从DUT60的下侧与DUT60的电极70接触。这样一来,控制装置40使探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态成为动态特性试验状态。在该动态特性试验状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验(动态特性试验工序)。在实施动态特性试验的期间,通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
接着,如图6的(b)所示那样,控制部45通过控制上下驱动单元41来使探针21~23与可动基座24一起向下方移动,使探针21~23与DUT60的电极70分离。这样一来,控制装置40使探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态为静态特性试验状态。在该静态特性试验状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验(静态特性试验工序)。在实施静态特性试验的期间,不进行基于切断电路136的切断,探针31~33与静态特性试验机130电连接。
在以上说明的检查装置101中,探针21~23以及探针31~33被配置成从DUT60的下侧与电极70接触。而且,控制部45通过上下驱动单元41使探针21~23沿上下方向移动,从而在动态特性试验状态(探针21~23与电极70接触的状态,或者探针21~23以及探针31~33均与电极70接触的状态)以及静态特性试验状态(探针21~23与电极70分离,而另一方面探针31~33与电极70接触的状态)之间切换探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态。
根据检查装置101,在探针21~23与DUT60的电极70接触的状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验。另外,在探针31~33与DUT60的电极70接触的状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验。因此,例如与如以往那样经由中间电极连接各试验机与被试验器件的电极的构成相比较,能够以较小的电感成分来将各试验机与被试验器件电连接。其结果是,尤其能够使容易受到电感成分的影响的动态特性试验的测定精度提高。并且,根据检查装置101,在实施静态特性试验时,探针21~23与DUT60的电极70分离。例如,也考虑代替使探针21~23与DUT60的电极70分离,而在探针21~23与动态特性试验机120之间设置继电器来将动态特性试验机120电切断。然而,在该情况下,由于继电器的电感成分的影响,而动态特性试验的测定精度降低。若如检查装置101那样使探针21~23与DUT60的电极70物理性分离,则能够形成不在探针21~23与动态特性试验机120之间设置继电器的结构,所以能够防止继电器的电感成分所引起的动态特性试验的测定精度的降低。由此,根据检查装置101,能够使功率半导体模块等DUT60的检查精度提高。
另外,在实施动态特性试验时,成为探针21~23以及探针31~33均与DUT60的电极70接触的状态。在该情况下,也通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。例如虽然也考虑使探针31~33(向下方向)移动来使静态特性试验机130与DUT60的电极70电切断,但在该情况下,另外需要用于使探针31~33移动的移动机构,另外,也需要为此的机械设计等。若如检查装置101那样构成为通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断,则能够不需要那样的移动机构以及机械设计。此外,虽然由于设置切断电路136而例如可能产生电感成分,但由此而造成的对静态特性试验的影响几乎不计。这是因为如先前说明的那样静态特性试验是实施晶体管以及二极管的接通电压的测定等的试验,所以与实施晶体管的开关时间那样的非常短的时间变化的测定的动态特性试验相比较,电感成分所带来的影响较小。
另外,在检查装置101中,探针21~23、探针31~33以及探针51、52被配置成从DUT60的下侧与电极70、80接触。因此,根据检查装置101,能够将探针21~23、探针31~33、探针51、52、切断电路136以及切换电路150等检查装置101所包含的构件集中配置在检查装置101的下方的部分(例如与载置台11相比靠下侧的部分)。由此,能够使检查装置101小型化。另外,也能够缩短用于连接各构件的布线。
[第二实施方式]
图7是表示第二实施方式所涉及的检查装置102的简要结构的立体图。图8是检查装置102的主视图。检查装置102与检查装置101相比,尤其在设置探针31~33的位置以及控制装置40的控制内容方面不同。
在检查装置102中,探针31~33被配置成从DUT60的上侧与DUT60的电极70接触。具体而言,探针31~33被收纳于设置在按压块3的未图示的探针支座。探针31~33以探针31~33的前端部分从该探针支座向下方突出的方式收纳于该探针支座。探针31~33的各个分别与探针21~23对置。探针31~33的各个在DUT60载置于载置台11的状态下,分别位于DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73的上方。
在检查装置102中,控制装置40通过使探针21~23以及探针31~33沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态。
在检查装置102中,在初始状态下,探针21~23的前端以及探针51、52的前端位于相同的高度。
图9是表示检查装置102的动作例的图。如图9的(a)所示,在DUT60载置于载置台11的状态下,控制部45通过控制上下驱动单元42来使按压基座2向下方移动。由此,探针31~33从DUT60的上侧与DUT60的电极70接触。另外,探针21~23从DUT60的下侧与DUT60的电极70接触,探针51、52从DUT60的下侧与DUT60的电极80接触。这样一来,控制装置40使探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态为动态特性试验状态。在该动态特性试验状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验(动态特性试验工序)。在实施动态特性试验的期间,通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
接着,如图9的(b)所示,控制装置40通过控制上下驱动单元41来使探针21~23与可动基座24一起向下方移动,使探针21~23与DUT60的电极70分离。由此,控制装置40使探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态为静态特性试验状态。在该静态特性试验状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验(静态特性试验工序)。在实施静态特性试验的期间,不进行基于切断电路136的切断,而将探针31~33与静态特性试验机130电连接。
通过这样的检查装置102的动作,也与检查装置101相同,通过控制装置40,进行在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及DUT60的电极70的接触状态的位置控制。由此,能够使DUT60的检查精度提高。另外,根据检查装置102,探针21~23与电极70的下表面接触,探针31~33与电极70的上表面接触。由此,例如,即使在电极70的面积较小而难以使探针21~23以及探针31~33均接触于仅电极70的一面的情况下,也能够通过使探针21~23以及探针31~33分别从电极70的两面接触,来进行DUT60的检查。
[第三实施方式]
图10是第三实施方式所涉及的检查装置103的主视图。检查装置103与检查装置102相比,尤其在控制装置40包含上下驱动单元43这一点、设置探针51、52的位置以及控制装置40的控制内容方面不同。此外,在检查装置103中,控制装置40也可以不包含上下驱动单元41、42。
上下驱动单元43驱动绝缘基座12,以使绝缘基座12沿上下方向移动。上下驱动单元43与上下驱动单元41、42相同,被控制部45控制。
在检查装置103中,探针51、52(其中探针51在主视图图10中未被图示)被配置成也从DUT60的上侧与DUT60的电极70接触。具体而言,探针51、52被收纳在设置于按压块4的未图示的探针支座。探针51、52以探针51、52的前端部分从该探针支座向下方突出的方式收纳于该探针支座。设置于按压块4侧的这些探针51、探针52的各个分别与设置于绝缘基座12侧的探针51、52对置。设置于按压块4侧的探针51、52的各个在DUT60载置于载置台11的状态下,分别位于DUT60的控制电极81、82的上方。
在检查装置103中,控制装置40通过使载置台11沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态。
在检查装置103中,在初始状态下,探针21~23的前端以及绝缘基座12侧的探针51、52的前端位于相同的高度。另外,探针31~33的前端以及按压块4侧的探针51、52的前端位于相同的高度。
图11是表示检查装置103的动作例的图。如图11的(a)所示,在DUT60载置于载置台11的状态下,控制部45通过控制上下驱动单元43,来使绝缘基座12向上方移动。由此,探针31~33从DUT60的上侧与DUT60的电极70接触。另外,设置于按压块4侧的探针51、52从DUT60的上侧与DUT60的电极80接触。这样一来,控制装置40使探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态为静态特性试验状态。在该静态特性试验状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验(静态特性试验工序)。在实施静态特性试验的期间,不进行基于切断电路136的切断,而将探针31~33与静态特性试验机130电连接。
另外,控制部45通过控制上下驱动单元43,来使绝缘基座12向下方移动。由此,探针21~23从DUT60的下侧与DUT60的电极70接触。另外,设置于绝缘基座12侧的探针51、52从DUT60的下侧与DUT60的电极70接触。这样一来,控制装置40使探针21~23、探针31~33以及电极70的接触状态为动态特性试验状态。在该动态特性试验状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验(动态特性试验工序)。此外,在检查装置103中,在实施动态特性试验的期间,探针31~33与DUT60的电极70分离,所以也可以不通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。因此,探针31~33与静态特性试验机130也可以不经由切断电路136而电连接,在该情况下,检查装置103成为不包含切断电路136的构成。
通过这样的检查装置103的动作,也与检查装置101相同,通过控制装置40,进行在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及DUT60的电极70的接触状态的位置控制。由此,能够使DUT60的检查精度提高。另外,与检查装置102相同,能够通过使探针21~23以及探针31~33分别从电极70的两面接触,来进行DUT60的检查。另外,根据检查装置103,探针21~23、探针31~33以及探针51、52的移动并不是必需的,所以能够省略上下驱动单元41、42。
[第四实施方式]
图12是表示第四实施方式所涉及的检查装置104的简要结构的立体图。图13是检查装置104的俯视图。图14是检查装置104的主视图。在检查装置104中,进行DUT65的检查。DUT65虽然具有与DUT60相同的功能,但具有与DUT60不同的形状。
DUT65包含主体66、电极75以及电极85。主体66包含晶体管Q1、Q2以及二极管D1、D2(图3)。主体66具有第一部分67和第二部分68。第一部分67以及第二部分68均具有板形形状。在XY面进行观察的情况下,第二部分68具有比第一部分67小的面积。第二部分68设置在第一部分67上。
电极75由P极电极76、输出电极77以及N极电极78构成。P极电极76、输出电极77以及N极电极78设置在第二部分68上。这些电极在第二部分68的上表面沿着X轴正方向以输出电极77、N极电极78、P极电极76的顺序配置。P极电极76、输出电极77以及N极电极78的用途与P极电极71、输出电极72以及N极电极73相同,所以这里省略说明。电极85由控制电极86、87构成。控制电极86、87设置在第一部分67上的未设置第二部分68的部分。这些电极在第一部分67的上表面沿着Y轴正方向以控制电极87、控制电极86的顺序配置。控制电极86以及控制电极87的用途与控制电极81以及控制电极82相同,所以这里省略说明。
检查装置104也与检查装置101相同,包含探针21~23、探针31~33以及探针51、52。但是,检查装置104中的探针21~23以及探针31~33的具体的构成为了进行DUT65的检查而被适当地变更。另外,在检查装置104中,动态特性试验探针单元20包含沿X轴方向延伸的支承杆26。在动态特性试验探针单元20中,探针21~23以前端部分从支承杆26朝向下方延伸的方式固定于支承杆26。探针21~探针23的各个在DUT65载置于载置台16的状态下,分别位于DUT65的P极电极76、输出电极77以及N极电极78的上方。静态特性试验探针单元30包含沿X轴方向延伸的支承杆36。支承杆36位于与支承杆26相同的高度,在Y轴方向与支承杆26并排设置。在静态特性试验探针单元30中,探针31~33以前端部分从支承杆36朝向下方延伸的方式固定于支承杆36。探针31~33的各个在DUT65载置于载置台16的状态下,分别位于DUT65的P极电极76、输出电极77以及N极电极78的上方。探针单元50包含沿Y轴方向延伸的支承杆56。在探针单元50中,探针51、52以前端部分从支承杆56朝向下方延伸的方式固定于支承杆56。探针51、52的各个在DUT65载置于载置台16的状态下,分别位于DUT65的控制电极87、86的上方。
此外,在图12中,动态特性试验机120、静态特性试验机130以及切断电路136作为一个单元配置在上方。但是,各构件也可以分离地配置。在检查装置104中,连接探针21以及探针23与动态特性试验机120的布线(换句话说连接P极电极76以及N极电极78的布线)W1作为由夹着绝缘体的扁平导线形成的平行平板而构成。绝缘体例如是绝缘纸或者绝缘性热收缩管。在该情况下,在平行平板的各平板流过相反方向的电流,所以能够降低布线的电感。并且,也能够实现布线W1的可挠性。对于连接探针31以及探针33与静态特性试验机130(更具体而言是切断电路136)的布线W2,也可以采用与W1相同的构成。
另外,检查装置104与检查装置101相比,尤其在代替载置部10而包含载置部15、代替控制装置40而包含控制装置90的方面不同。
载置部15包含载置台16和绝缘基座17。载置台16是设置在绝缘基座17上的绝缘载置台。在载置台16载置DUT65。载置台16具有载置面16a。载置面16a支承DUT65的主体66(的第一部分67)。在俯视DUT65的情况下,DUT65的主体66位于载置面16a的内侧。
控制装置90包含上下驱动单元91~94和控制部95。上下驱动单元91是与支承杆26的两端连接并驱动支承杆26以使支承杆26沿上下方向移动的一对驱动单元。上下驱动单元92是与支承杆36的两端连接并驱动支承杆36以使支承杆36沿上下方向移动的一对驱动单元。上下驱动单元93是与支承杆56的两端连接并驱动支承杆56以使支承杆56沿上下方向移动的一对驱动单元。上下驱动单元94驱动绝缘基座17以使绝缘基座17沿上下方向移动。对于上下驱动单元91~94的驱动,例如利用使用了螺线管机构的电动气缸。控制部95控制上下驱动单元91~94。根据以上的构成,控制部95通过控制上下驱动单元91,来使支承杆26(换句话说探针21~23)沿上下方向移动。另外,控制部95通过控制上下驱动单元92,来使支承杆36(换句话说探针31~33)沿上下方向移动。另外,控制部95通过控制上下驱动单元93,来使支承杆56(换句话说探针51、52)沿上下方向移动。另外,控制部95通过控制上下驱动单元94,来使载置台16与绝缘基座17一起沿上下方向移动。
此外,在检查装置104中,并不需要使用全部的上述上下驱动单元91~94。在后述的检查装置104的动作的一个例子中,使用上下驱动单元91以及上下驱动单元94。因此,在图14以及后述的图15中,仅图示上下驱动单元91~94中的上下驱动单元91、94。
在检查装置104中,探针21~23以及探针31~33被配置成从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。而且,控制装置90通过使载置台16以及探针21~23沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态。这里的动态特性试验状态是探针21~23的各个分别与DUT65的P极电极76、输出电极77以及N极电极78接触的状态。这里的静态特性试验状态是探针21~23的各个分别与DUT65的P极电极76、输出电极77以及N极电极78分离,而另一方面探针31~33的各个分别与DUT65的P极电极76、输出电极77以及N极电极78接触的状态。
在检查装置104中,在未执行控制装置90的控制的初始状态(换句话说开始控制装置90的控制之前的状态)下,探针21~23的前端以及探针31~33的前端位于相同的高度。探针51、52的前端与探针21~23的前端以及探针31~33的前端相比位于下方。高度方向上的探针21~23以及探针31~33的前端与探针51、52的前端之间的距离几乎与高度方向(Z轴方向)上的电极75的表面与电极85的表面之间的距离相等。
图15是表示检查装置104的动作例的图。如图15的(a)所示,在DUT65载置于载置台16的状态下,控制部95通过控制上下驱动单元94,使载置台16向上方移动。由此,探针21~23以及探针31~33从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。另外,探针51、52从DUT65的上侧与DUT65的电极85接触。这样一来,控制装置90使探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态为动态特性试验状态。在该动态特性试验状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验(动态特性试验工序)。在实施动态特性试验的期间,通过切断电路136,将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
接着,控制部95通过控制上下驱动单元91使探针21~23向上方移动。由此,如图15的(b)所示,使探针21~23与DUT65的电极75分离。由此,控制装置90使探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态为静态特性试验状态。在静态特性试验状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验(静态特性试验工序)。在实施静态特性试验的期间,不进行切断电路136的切断,而将探针31~33与静态特性试验机130电连接。
根据检查装置104,通过控制装置90,进行在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及DUT65的电极75的接触状态的位置控制。由此,根据与检查装置101相同的原理,能够使DUT65的检查精度提高。另外,根据检查装置104,探针31~33以及探针51、52的移动并不是必需的,所以能够不需要上下驱动单元92以及上下驱动单元93。
[第五实施方式]
图16是第五实施方式的检查装置105的主视图。检查装置105与检查装置104相比,尤其在探针31~33以及探针51、52的具体的构成、探针21~23与探针31~33的位置关系、以及控制装置90的控制内容方面不同。此外,在后述的检查装置105的动作的一个例子中,使用上下驱动单元94。因此,在图16以及后述的图17中,仅图示上下驱动单元91~94中的上下驱动单元94。
在检查装置105中,探针31~33以及探针51、52是能够沿上下方向伸缩的弹簧探针。因此,探针31~33以及探针51、52例如被未图示的弹簧支承,能够通过该弹簧的伸缩而沿上下方向伸缩。
在检查装置105中,控制装置90通过使载置台16沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态。
在检查装置105中,在初始状态下,探针21~23的前端的高度Z2与探针31~33的前端的高度Z1相比位于上方。
图17是表示检查装置105的动作例的图。如图17的(a)所示,在DUT65载置于载置台16的状态下,控制部95通过控制上下驱动单元94,来使载置台16向上方移动。此时,控制装置90以DUT65的电极75的表面的位置位于高度Z1的方式使载置台16向上方移动。由此,探针31~33的前端与DUT65的电极75抵接,探针51、52的前端与DUT65的电极85抵接。即,探针21~23与DUT65的电极75分离,而另一方面探针31~33从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。另外,探针51、52从DUT65的上侧与DUT65的电极85接触。这样一来,控制装置90使探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态为静态特性试验状态。在静态特性试验状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验(静态特性试验工序)。在实施静态特性试验的期间,不进行切断电路136的切断,而将探针31~33与静态特性试验机130电连接。
接着,如图17的(b)所示,控制装置90以DUT65的电极75的表面的位置位于高度Z2的方式,使载置台16进一步向上方移动。由于探针31~33是弹簧式的探针,所以被DUT65的电极75向上方压缩。同样地,探针51、52被DUT65的电极85向上方压缩。另外,探针21~23的前端与DUT65的电极75抵接。由此,除了探针31~33之外,探针21~23也从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。这样一来,控制装置90使探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态为动态特性试验状态。在该动态特性试验状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验(动态特性试验工序)。在实施动态特性试验的期间,通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
通过这样的检查装置105的动作,也与检查装置104相同,通过控制装置90,进行在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及DUT65的电极75的接触状态的位置控制。由此,能够使DUT65的检查精度提高。另外,根据检查装置105,探针21~23、探针31~33以及探针51、52的移动并不是必需的,所以能够不需要上下驱动单元91~93。
[第六实施方式]
图18是第六实施方式所涉及的检查装置106的主视图。检查装置106与检查装置104相比,尤其在控制装置90的控制内容方面不同。此外,在后述的检查装置106的动作的一个例子中,使用上下驱动单元91~93。因此,在图18以及后述的图19中,仅图示上下驱动单元91~94中的上下驱动单元91~93。
在检查装置106中,控制装置90通过使探针21~23以及探针31~33沿上下方向移动,来在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态。
在检查装置106中,在初始状态下,探针21~23以及探针31~33与DUT65的电极75分离。
图19是表示检查装置106的动作例的图。如图19的(a)所示,从DUT65载置于载置台16的初始状态起,控制部95通过控制上下驱动单元91,使探针21~23向下方移动。由此,探针21~23从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。另外,控制部95通过控制上下驱动单元93,使探针51、52向下方移动。由此,探针51、52从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。关于探针31~33,维持初始状态(也就是与DUT65的电极75分离的状态)。这样一来,控制装置90使探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态为动态特性试验状态。在该动态特性试验状态下,实施基于动态特性试验机120的动态特性试验(动态特性试验工序)。
另外,如图19的(b)所示,控制部95从初始状态起,通过控制上下驱动单元92,使探针31~33向下方移动。由此,探针31~33从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。另外,控制部95通过驱动上下驱动单元93,使探针51、52向下方移动。由此,探针51、52从DUT65的上侧与DUT65的电极75接触。关于探针21~23,维持初始状态(也就是与DUT65的电极75分离的状态)。这样一来,控制装置90使探针21~23、探针31~33以及电极75的接触状态为静态特性试验状态。在静态特性试验状态下,实施基于静态特性试验机130的静态特性试验(静态特性试验工序)。在实施静态特性试验的期间,不进行切断电路136的切断,而将探针31~33与静态特性试验机130电连接。
通过这样的检查装置106的动作,也与检查装置104相同,通过控制装置90,进行在动态特性试验状态以及静态特性试验状态之间切换探针21~23、探针31~33以及DUT65的电极75的接触状态的位置控制。由此,能够使DUT65的检查精度提高。另外,根据检查装置106,载置台16的移动并不是必需的,所以能够不需要上下驱动单元94。
此外,在检查装置106中,在实施动态特性试验的期间,探针31~33与DUT65的电极75分离,所以也可以不通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。因此,探针31~33与静态特性试验机130也可以不经由切断电路136而电连接,在该情况下,检查装置106构成为不包含切断电路136。当然,在检查装置106中,也可以在使探针21~23以及探针31~33都与DUT65的电极75接触的状态下,实施动态特性试验,在该情况下,在实施动态特性试验的期间,通过切断电路136将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
[切断电路的详细构成]
接下来,参照图20对切断电路136的详细构成进行说明。如图20所示,切断电路136包含多个开关元件。开关SW_DC_P主要用于切换静态特性试验机130的正极侧的端子与切断电路136的电连接以及非连接。开关SW_DC_N主要用于切换静态特性试验机130的负极侧的端子与切断电路136的电连接以及非连接。开关SW_DUT_P_P、开关SW_DUT_O_P以及SW_DUT_N_P的各个主要用于分别切换静态特性试验机130的正极侧的端子与DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73的电连接以及非连接。开关SW_DUT_P_N、开关SW_DUT_O_N以及开关SW_DUT_N_N的各个主要用于分别切换静态特性试验机130的负极侧的端子与DUT60的P极电极71、输出电极72以及N极电极73的电连接以及非连接。各开关例如被切断电路136所包含的未图示的控制电路控制。控制电路例如接受来自控制部45(或者控制部95)的控制信号,控制各开关。由此,探针21~23、探针31~33、探针51、52的动作与切断电路136的动作联动。
图21是表示切断电路136的电流路径的图。如图21所示,根据切断电路136,实现路径P1~P4这四条电流路径。
路径P1是在开关SW_DC_P、开关SW_DUT_P_P、SW_DUT_O_N以及开关SW_DC_N为导通状态(接通)、而其它的开关为非导通状态(断开)时实现的电流路径。通过在路径P1流过电流,例如进行上臂的晶体管Q1的接通电压的测定。
路径P2是在开关SW_DC_P、开关SW_DUT_O_P、开关SW_DUT_P_N以及开关SW_DC_N接通、而其它的开关断开时实现的电流路径。通过在路径P2流过电流,例如进行上臂的二极管D1的接通电压的测定。
路径P3是在开关SW_DC_P、开关SW_DUT_O_P、开关SW_DUT_N_N以及开关SW_DC_N接通、而其它的开关断开时实现的电流路径。通过在路径P3流过电流,例如进行下臂的晶体管Q2的接通电压的测定。
路径P4是在开关SW_DC_P、开关SW_DUT_N_P、开关SW_DUT_O_N以及开关SW_DC_N接通、而其它的开关断开时实现的电流路径。通过在路径P4流过电流,例如进行下臂的二极管D2的接通电压的测定。
图22是表示切断电路136的各开关的接通以及断开与DUT60的晶体管Q1、Q2以及二极管D1、D2的接通电压的关系的时序图。
在步骤S11中,各开关断开,在晶体管Q1、Q2以及二极管D1、D2不产生电压。
若在步骤S12中,通过接通开关SW_DC_P、N(SW_DC_P以及SW_DC_N)、开关SW_DUT_P_P以及开关SW_DUT_O_N,并断开其它的开关,来实现路径P1,则在晶体管Q1产生电压。由此,能够测定晶体管Q1的接通电压。
若在步骤S13中,通过接通开关SW_DC_P、N、开关SW_DUT_P_N以及开关SW_DUT_O_P,并断开其它的开关,来实现路径P2,则在二极管D1产生电压。由此,能够测定二极管D1的接通电压。
若在步骤S14中,通过接通开关SW_DC_P、N、开关SW_DUT_O_P以及开关SW_DUT_N_N,并断开其它的开关,来实现路径P3,则在晶体管Q2产生电压。由此,能够测定晶体管Q2的接通电压。
若在步骤S15中,通过接通开关SW_DC_P、N、开关DUT_O_N以及开关SW_DUT_N_P,并断开其它的开关,来实现路径P4,则在二极管D2产生电压。由此,能够测定二极管D2的接通电压。
在步骤S16中,断开全部的开关。
如以上所说明的那样,根据切断电路136,在静态特性试验中,通过切换各开关,能够测定晶体管Q1、Q2以及二极管D1、D2全部元件的接通电压。另外,在实施动态特性试验的期间,通过断开切断电路136的全部开关,将探针31~33与静态特性试验机130电切断。
[切换电路的详细构成]
接下来,参照图23对切换电路150的详细构成进行说明。如图23所示,切换电路150包含多个开关。开关SW_AC_G1以及开关SW_AC_E1的各个主要用于分别切换晶体管Q1的栅极以及发射极(控制电极81(G)、81(E))与驱动电路125的电连接以及非连接。开关SW_AC_G2以及开关SW_AC_E2的各个主要用于分别切换晶体管Q2的栅极以及发射极(控制电极82(G)、82(E))与驱动电路125的电连接以及非连接。开关SW_DC_G1以及开关SW_DC_E1的各个主要用于分别切换晶体管Q1的栅极以及发射极与驱动电路135的电连接以及非连接。开关SW_DC_G2以及开关SW_DC_E2的各个主要用于分别切换晶体管Q2的栅极以及发射极与驱动电路135的电连接以及非连接。各开关例如被切换电路150所包含的未图示的控制电路控制。控制电路例如接受来自控制部45(或者控制部95)的控制信号,来控制各开关。由此,探针21~23、探针31~33、探针51、52的动作与切换电路150的动作联动。
图24是表示切换电路150的各开关的接通以及断开与动态特性试验机120的驱动电路125以及静态特性试验机130的驱动电路135的动作状态的关系的时序图。
在步骤S21中,是开始动态特性试验以及静态特性试验的测定之前的状态,各开关为非导通状态(断开),驱动电路125以及驱动电路135不动作。
在步骤S22中,接通开关SW_AC_G1、开关SW_AC_E1、开关SW_AC_G2以及开关SW_AC_E2(开关SW_AC_G1、E1、G2、E2),并断开其它的开关。另外,驱动电路125动作。由此,实施动态特性试验。
在步骤S23中,接通开关SW_DC_G1、开关SW_DC_E1、开关SW_DC_G2以及开关SW_DC_E2(开关SW_DC_G1、E1、G2、E2),并断开其它的开关。另外,驱动电路135动作。由此,实施静态特性试验。
在步骤S24中,与动态特性试验以及静态特性试验的测定结束对应地断开全部开关。另外,驱动电路125以及驱动电路135不动作。
如以上所说明的那样,根据切换电路150,切换驱动电路125以及驱动电路135与DUT60的连接,由此能够连续地实施动态特性试验以及静态特性试验。此外,并不特别限定实施动态特性试验以及静态特性试验的顺序。
以上,对本公开的一实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式。在上述实施方式中,以通过控制装置40、90使探针21~23、探针31~33、探针51、52以及载置台11、16各构件沿上下方向移动为例进行了说明,但基于控制装置40、90的各构件的移动方向并不限定于上下方向。各构件的移动方向只要是能够通过改变探针21~23以及探针31~33与电极70、75的距离来切换动态特性试验状态和静态特性试验状态的方向即可。在不脱离相同的主旨的范围内,也可以相互更换探针21~23的位置与探针31~33的位置。例如,也可以上下反转相对于DUT的各探针的位置。
另外,在上述实施方式中,对DUT60、65是作为单相的逆变器电路的上下臂的功率模块的情况进行了说明,但被试验器件并不限定于那样的功率模块。例如,对于作为二相以上的逆变器电路的上下臂的功率模块,也能够通过与之相应地变更探针的数目以及形状等,来实施检查即动态特性试验以及静态特性试验。
附图标记说明:21~23…探针(第一探针),31~33…探针(第二探针),40、90…控制装置,60、65…DUT(被试验器件),70、75…电极,100~106…检查装置,120…动态特性试验机,130…静态特性试验机,136…切断电路。
Claims (8)
1.一种检查装置,其中,具备:
载置台,其载置被试验器件;
动态特性试验探针,其用于将所述被试验器件的电极与用于实施动态特性试验的动态特性试验机电连接;
静态特性试验探针,其用于将所述电极与用于实施静态特性试验的静态特性试验机电连接;
控制装置,其执行基于使所述载置台、所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针中的至少一个移动而实现的位置控制;以及
切断电路,其将所述静态特性试验探针与所述静态特性试验机电切断,
在实施所述动态特性试验时,所述控制装置以成为所述动态特性试验探针与所述电极接触的动态特性试验状态的方式执行所述位置控制,在实施所述静态特性试验时,所述控制装置以成为所述动态特性试验探针与所述电极分离而另一方面所述静态特性试验探针与所述电极接触的静态特性试验状态的方式执行所述位置控制,
所述控制装置以作为所述动态特性试验状态而成为所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针均与所述电极接触的状态的方式执行所述位置控制,
在实施所述动态特性试验时,所述切断电路将所述静态特性试验探针与所述静态特性试验机电切断。
2.根据权利要求1所述的检查装置,其中,
所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的下侧与所述电极接触,
所述控制装置通过使所述动态特性试验探针沿上下方向移动,来在所述动态特性试验状态以及所述静态特性试验状态之间切换所述动态特性试验探针、所述静态特性试验探针以及所述电极的接触状态。
3.根据权利要求1所述的检查装置,其中,
所述动态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的下侧与所述电极接触,
所述静态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的上侧与所述电极接触,
所述控制装置通过使所述静态特性试验探针以及所述动态特性试验探针沿上下方向移动,来在所述动态特性试验状态以及所述静态特性试验状态之间切换所述动态特性试验探针、所述静态特性试验探针以及所述电极的接触状态。
4.根据权利要求1所述的检查装置,其中,
所述动态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的下侧与所述电极接触,
所述静态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的上侧与所述电极接触,
所述控制装置通过使所述载置台沿上下方向移动,来在所述动态特性试验状态以及所述静态特性试验状态之间切换所述动态特性试验探针、所述静态特性试验探针以及所述电极的接触状态。
5.根据权利要求1所述的检查装置,其中,
所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的上侧与所述电极接触,
所述控制装置通过使所述载置台以及动态特性试验探针沿上下方向移动,来在所述动态特性试验状态以及所述静态特性试验状态之间切换所述动态特性试验探针、所述静态特性试验探针以及所述电极的接触状态。
6.根据权利要求1所述的检查装置,其中,
所述静态特性试验探针是能够沿上下方向伸缩的弹簧探针,并且被配置成从所述被试验器件的上侧与所述电极接触,
所述动态特性试验探针被配置成所述动态特性试验探针的前端与所述静态特性试验探针的前端相比位于上方,并且从所述被试验器件的上侧与所述电极接触,
所述控制装置通过使所述载置台沿上下方向移动,来在所述动态特性试验状态以及所述静态特性试验状态之间切换所述动态特性试验探针、所述静态特性试验探针以及所述电极的接触状态。
7.根据权利要求1所述的检查装置,其中,
所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针被配置成从所述被试验器件的上侧与所述电极接触,
所述控制装置通过使所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针沿上下方向移动,来在所述动态特性试验状态以及所述静态特性试验状态之间切换所述动态特性试验探针、所述静态特性试验探针以及所述电极的接触状态。
8.一种检查方法,其中,包括:
动态特性试验工序,其使用于与动态特性试验机电连接的动态特性试验探针与被试验器件的电极接触来实施动态特性试验;以及
静态特性试验工序,其使用于与静态特性试验机电连接的静态特性试验探针与所述电极接触来实施静态特性试验,
在所述静态特性试验工序中,以所述动态特性试验探针与所述电极分离的方式,执行基于使载置有所述被试验器件的载置台、所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针中的至少一个移动而实现的位置控制,
在所述动态特性试验工序中,以成为所述动态特性试验探针以及所述静态特性试验探针均与所述电极接触的状态的方式执行所述位置控制,
在实施所述动态特性试验时,所述静态特性试验探针与所述静态特性试验机被电切断。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2572557Y (zh) * | 2002-09-25 | 2003-09-10 | 万润科技股份有限公司 | 晶片测试机 |
JP2005121553A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プローブカード及び半導体チップの試験方法 |
CN101084445A (zh) * | 2004-12-21 | 2007-12-05 | 泰拉丁公司 | 用于测试半导体器件的方法和*** |
CN101101886A (zh) * | 2006-06-05 | 2008-01-09 | 松下电器产业株式会社 | 半导体检查装置及半导体集成电路的检查方法 |
CN101639509A (zh) * | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 东京毅力科创株式会社 | 被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序 |
CN102539992A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-07-04 | 富士电机株式会社 | 半导体测试装置、测试电路连接装置和测试方法 |
Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2572557Y (zh) * | 2002-09-25 | 2003-09-10 | 万润科技股份有限公司 | 晶片测试机 |
JP2005121553A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プローブカード及び半導体チップの試験方法 |
CN101084445A (zh) * | 2004-12-21 | 2007-12-05 | 泰拉丁公司 | 用于测试半导体器件的方法和*** |
CN101101886A (zh) * | 2006-06-05 | 2008-01-09 | 松下电器产业株式会社 | 半导体检查装置及半导体集成电路的检查方法 |
CN101639509A (zh) * | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 东京毅力科创株式会社 | 被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序 |
CN102539992A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-07-04 | 富士电机株式会社 | 半导体测试装置、测试电路连接装置和测试方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
功率半导体器件直流参数测试***的研发;刘冲等;《今日电子》;20131130(第11期);58-60 * |
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