WO2013132813A1 - 光学素子、光学装置および表示装置 - Google Patents

光学素子、光学装置および表示装置 Download PDF

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WO2013132813A1
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light
refractive index
optical element
metal layer
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慎 冨永
雅雄 今井
昌尚 棗田
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日本電気株式会社
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
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    • G03B21/20—Lamp housings
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3141—Constructional details thereof
    • H04N9/315—Modulator illumination systems
    • H04N9/3167—Modulator illumination systems for polarizing the light beam

Definitions

  • the present invention relates to an optical element, an optical device, and a display device that convert random polarized light into a specific polarization state.
  • the LED projector includes an LED, an illumination optical system into which light emitted from the LED is incident, a modulation element that modulates and emits light from the illumination optical system according to a video signal, and projects light from the modulation element onto a screen. And a projection optical system.
  • the etendue obtained by the product of the light emitting area and the radiation angle of the light source has an acquisition angle determined by the light receiving area of the modulation element and the F number of the illumination optical system. Must be less than product value.
  • a modulation element having polarization dependency such as a liquid crystal panel may be used.
  • the emitted light of the LED is random polarized light
  • Patent Document 1 A technique for converting random polarization into a specific polarization state is disclosed in Patent Document 1.
  • the flat illumination device described in Patent Document 1 includes a light guide 10, a polarization direction changing member 13 provided on the lower surface of the light guide 10, a step-like microprism 14,
  • the light guide plate 3 includes a reflection plate 6, a polarization separation film 11 provided on the top surface of the light guide 10, and a top cover 12 provided on the top surface of the polarization separation film 11.
  • the polarization separation film 11 has a configuration in which a metal thin film is sandwiched between a first low refractive index transparent medium and a second low refractive index transparent medium.
  • the light emitted from the LED 2 enters the light guide 10 and propagates through the light guide 10 while being converted in angle by the microprism 14.
  • the first boundary which is the boundary between the light guide 10 and the first low-refractive-index transparent medium
  • surface plasmons are excited in the metal thin film by the evanescent wave generated at that time.
  • a transition process opposite to the surface plasmon excitation process occurs at the second boundary, which is the boundary between the second low-refractive-index transparent medium and the top cover 12, and the second Light is generated at the boundary.
  • the light generated at the second boundary is emitted through the top cover 12.
  • the light that excites the surface plasmon out of the light incident on the first boundary is only P-polarized light whose electric field component is parallel to the first boundary.
  • the light generated at the second boundary is generated by the reverse process of the excitation process of the surface plasmon, and thus has the same P polarization as the light that excites the surface plasmon. Therefore, the flat illumination device can emit random polarized light after converting it into a specific polarization state.
  • An object of the present invention is to provide an optical element, an optical device, and a display device capable of converting random polarized light into a specific polarization state in which the etendue is low and the emission direction is set in a specific direction. There is.
  • the optical element of the present invention includes a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a first metal layer disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer.
  • the first dielectric layer has a different refractive index in the first direction and in a second direction intersecting the first direction.
  • random polarized light can be converted into a specific polarization state that is a low etendue state in which the emission direction is set to a specific direction.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an optical element according to a first embodiment of the present invention. It is explanatory drawing for demonstrating operation
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an optical element 101 according to a first embodiment of the present invention.
  • the thickness of each layer is very thin, and the difference in thickness between the layers is large. Therefore, it is difficult to illustrate each layer with an accurate scale and ratio. For this reason, in the drawings, the layers are not schematically drawn but are shown schematically.
  • a light source (not shown) is disposed on the outer periphery of the optical element 101 and emits randomly polarized light to the optical element 101.
  • the light source may be disposed at a position away from the optical element 101, may be disposed so as to be in contact with the optical element 101, or optically through the light guide member such as a light pipe. May be connected.
  • the optical element 101 has a light guide layer 102, a low refractive index layer 103, a metal layer 104, a birefringent layer 105, and a cover layer 106.
  • the light guide layer 102, the low refractive index layer 103, the birefringent layer 105, and the cover layer 106 correspond to dielectric layers.
  • the metal layer 104 corresponds to a metal layer.
  • the light guide layer 102 is a sixth dielectric layer
  • the low refractive index layer 103 is a second dielectric layer
  • the birefringent layer 105 is a first dielectric layer
  • the cover layer 106 is a first dielectric layer.
  • 5 is a dielectric layer.
  • the metal layer 104 is a first metal layer.
  • the dielectric layer of the present invention is made of a transparent material that transmits at least visible light, and serves as a medium for propagating light.
  • the dielectric layer according to the embodiment of the present invention has a specific refractive index described later with respect to visible light.
  • the birefringent layer according to the embodiment of the present invention has optical anisotropy with respect to at least visible light. Furthermore, when the optical anisotropy of the birefringent layer according to the embodiment of the present invention is caused by the birefringent material included in the birefringent layer, the birefringent layer has at least two different refractive indexes.
  • Two refractive index directions (first direction and second direction) of the birefringent layer according to the embodiment of the present invention are not parallel to the z-axis direction that is the stacking direction, but are at least orthogonal to the z-axis direction. It has components in the x-axis direction and the y-axis direction, which are inward directions.
  • the first direction and the second direction do not necessarily have to be orthogonal to each other and only need to intersect within the xy plane. In the present invention, such a relationship between the first direction and the second direction is referred to as substantially orthogonal.
  • the metal layer of the present invention is made of a material that does not transmit at least visible light, and the single metal layer reflects light.
  • the metal layer according to the embodiment of the present invention is formed of a metal capable of exciting surface plasmons on the surface by evanescent light.
  • the light guide layer 102 receives light emitted from the light source and propagates the incident light inside.
  • the light guide layer 102 is formed of, for example, a dielectric having a refractive index of about 2.5 or more and about 3.0 or less with respect to visible light.
  • An example is TiO 2 (titanium oxide).
  • the refractive index of the light guide layer 102 may be 2.2 or more, and preferably about 2.5 or more and 3.0 or less. If the thickness of the light guide layer 102 is about 0.5 mm as a guide, it will function without problems. However, the thickness of the light guide layer 102 is not particularly limited.
  • the light guide layer 102 may have birefringence or may not have birefringence.
  • shape of the light guide layer 102 is a flat plate shape in the present embodiment, it is not limited to a flat plate shape in practice, and may be a wedge shape or a sawtooth shape.
  • the numerical range of the refractive index shown in the description of the optical element of the embodiment of the present invention is a range in which the effect can be confirmed by the RCWA method (Rigorous Coupled Wave Analysis method) used in the simulation of the examples described later.
  • the low refractive index layer 103 is a layer having a refractive index smaller than that of the light guide layer 102 or the cover layer 106.
  • the refractive index of the low refractive index layer 103 may be in the range of 1.6 to 2.1.
  • the low refractive index layer 103 is formed of a dielectric having a refractive index of about 1.9 with respect to visible light, for example.
  • An example is Y 2 O 3 (yttrium oxide). Note that the refractive index of the low refractive index layer 103 is not limited to about 1.9.
  • the surface plasmon 113 is excited to the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104.
  • the refractive index of the low refractive index layer 103 may be different from 1.9.
  • the thickness of the low refractive index layer 103 is about 50 nm, it functions without any problem.
  • the thickness of the low refractive index layer 103 may be about 50 nm or more. More specifically, it is sufficient that the energy of evanescent 112 generated in the low refractive index layer 103 described later reaches the metal layer 104.
  • the metal layer 104 is formed of a metal capable of exciting surface plasmons on the surface by visible light evanescent.
  • An example is Ag (silver).
  • the thickness of the metal layer 104 is about 50 nm.
  • the metal layer 104 is not limited to Ag, and may be Al (aluminum) or Au (gold). More specifically, the surface plasmon 113 may be excited at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 described later. Further, the metal layer 104 may include any of Ag, Al, and Au.
  • the thickness of the metal layer 104 may be 200 nm or less, and is preferably in the range of 30 to 100 nm. More specifically, the energy of the surface plasmon 113 generated at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104, which will be described later, only needs to be thin enough to reach the interface between the metal layer 104 and the birefringent layer 105. Moreover, it should just be thick so that the S-polarized light which does not excite the surface plasmon mentioned later may be interrupted.
  • the thickness of the metal layer (Ag layer) shown in the description of the optical element of the embodiment of the present invention is a thickness whose effect has been confirmed by the RCWA method (Rigorous Coupled Wave Analysis method) used in the simulation of the examples.
  • the light guide layer 102, the low refractive index layer 103, and the metal layer 104 constitute a surface plasmon excitation means.
  • the surface plasmon excitation means of the first embodiment has a so-called Otto arrangement.
  • the light propagating in the light guide layer 102 is low-refractive by the evanescent 112 generated when the light is totally reflected at the interface between the light guide layer 102 and the low-refractive index layer 103.
  • the surface plasmon 112 is excited at the interface between the rate layer 103 and the metal layer 104.
  • the birefringent layer 105 only needs to have optical anisotropy, and a birefringent material and other materials may be mixed. However, in order to give the birefringent layer 105 optical anisotropy, it is desirable that the birefringent layer 105 is made of only a birefringent material.
  • an anisotropic medium including optical anisotropy such as a birefringent material In general, in an anisotropic medium including optical anisotropy such as a birefringent material, light travels at different speeds depending on the direction of the vibration surface of the light. Therefore, the light incident on the medium containing the birefringent material is refracted in two directions. The light refracted in the two directions is divided into a normal light beam that oscillates perpendicular to the main cross section formed by the optical axis and the wavefront normal line, and an extraordinary light beam that oscillates in parallel. Normal light rays are emitted almost on the optical axis, whereas extraordinary rays are emitted with a deviation from the optical axis. Magnitude of birefringence is usually able to detect the phase difference between the ray and the extraordinary ray, the refractive index n e for extraordinary ray becomes larger the difference between the refractive index n o for ordinary rays is large significantly.
  • the birefringent layer 105 has two different refractive indexes.
  • Birefringent layer 105 for example, the refractive index n o of the normal rays of visible light is about 1.9, the refractive index n e with respect to extraordinary rays is formed by 2.2 about dielectric
  • the An example is YVO 4 (yttrium vanadate) crystal.
  • the thickness of the birefringent layer 105 is about 50 nm.
  • n o of the birefringent layer 105 is the same as the refractive index of the low refractive index layer 103.
  • the dielectric constant relationship between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 and the dielectric constant relationship between the metal layer 104 and the dielectric constant of the birefringent layer 105 with respect to normal light coincide with each other.
  • the dielectric constant relationships are matched in this way, the energy of the surface plasmon 113 generated at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 is efficiently converted into the surface plasmon 114 at the interface between the birefringent layer 105 and the metal layer 104. Can be generated.
  • the refractive index of n o and the low refractive index layer 103 of birefringent layer 105 does not have to match exactly.
  • n o of the birefringent layer 105 may be different from the refractive index of the low refractive index layer 103. More specifically, the energy of the surface plasmon 113 generated at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 described later is such that the surface plasmon 114 is generated at the interface between the birefringent layer 105 and the metal layer 104. May be different.
  • n e of the birefringent layer 105 is not limited to 2.2, it may be different. More specifically, the energy of the surface plasmon 113 generated at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104, which will be described later, differs to such an extent that no surface plasmon is generated at the interface between the birefringent layer 105 and the metal layer 104. May be.
  • the thickness of the birefringent layer 105 may be about 50 nm or more. More specifically, the light 116 may be thin enough to generate light 116 in the cover layer 106 from the surface plasmon 114 generated at the interface between the birefringent layer 105 and the metal layer 104, which will be described later, via the evanescent 115.
  • the cover layer 106 only needs to have a refractive index of 2.2 or more with respect to visible light, and is preferably formed of a dielectric material having a refractive index of 2.5 to 3.0.
  • a dielectric material having a refractive index of 2.5 to 3.0.
  • An example is TiO 2 (titanium oxide). Note that the cover layer 106 may have birefringence or may not have birefringence.
  • the refractive index of the cover layer 106 is desirably the same as the refractive index of the light guide layer 102. By doing so, the refractive index relationship between the light guide layer 102 and the low refractive index layer 103 matches the refractive index relationship between the refractive index of the cover layer 106 and the birefringent layer 105 with respect to ordinary light. When the refractive index relations match in this way, light 116 can be efficiently generated from the surface plasmon 114 generated at the interface between the birefringent layer 105 and the metal layer 104.
  • the refractive index of the cover layer 106 is not limited to match the refractive index of the light guide layer 102 at all. The refractive index of the cover layer 106 and the refractive index of the light guide layer 102 need only be approximately equal to the extent that light 116 can be generated from the surface plasmon 114.
  • the metal layer 104, the birefringent layer 105, and the cover layer 106 form a light generating means.
  • the light generating means generates and extracts light 116 by the surface plasmon 114 generated at the interface between the metal layer 104 and the birefringent layer 105.
  • each of the low refractive index layer, the light guide layer, and the cover layer may contain either TiO 2 or Y 2 O 3 .
  • the optical element 101 can be manufactured, for example, by the following procedure.
  • the manufacturing method of the optical element 101 of the first embodiment is not limited to the vapor deposition method or the bonding method.
  • FIG. 2A and 2B are diagrams for explaining the operation of the optical element 101 shown in FIG. 1 in detail.
  • FIG. 2A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 101.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • the refractive index in the zx plane of the birefringent layer 105 is n o.
  • FIG. 2B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 101.
  • the light C indicates P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the yz plane
  • the light D indicates S-polarized light, that is, the electric field vibration direction is yz plane. Shows orthogonal light.
  • the refractive index in the yz plane of the birefringent layer 105 is n e.
  • Surface plasmons are dense waves of a group of electrons that propagate through the interface between metal and dielectric.
  • the dispersion relationship which is the relationship between the wave number of the surface plasmon and the angular frequency, is determined from the dielectric constant of the interface metal and dielectric.
  • the ATR method (total reflection attenuation method) is known as a method for exciting surface plasmons by changing the light dispersion relationship.
  • the ATR method will be described.
  • the light propagating through the high refractive index region is totally reflected at the interface between the high refractive index region and the low refractive index region, and the low refractive index region is divided into a high refractive index region and a low refractive index region.
  • Evanescent due to the magnitude relationship of the refractive index is generated.
  • the wave number of the evanescent and the surface plasmon at the interface between the low refractive index region and the metal coincides, the low refractive index region and the metal enter the interface between the low refractive index region and the metal.
  • the incident light that can excite the surface plasmon has an oscillation direction of the electric field on the incident surface at the interface between the high refractive index region and the low refractive index region.
  • Parallel P-polarized light In contrast, S-polarized light whose electric field oscillation direction is perpendicular to the incident surface at the interface between the high refractive index region and the low refractive index region excites surface plasmons at the low refractive index region / metal interface. Instead, it is totally reflected at the interface between the high refractive index region and the low refractive index region, or is blocked and reflected by the metal.
  • the light A in FIG. 2A is generated between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 via the evanescent 112 at a specific incident angle with respect to the interface between the light guide layer 102 and the low refractive index layer 103.
  • the surface plasmon 113 propagating in the x direction is excited at the interface.
  • this transition process is called a forward process.
  • the energy of the surface plasmon 113 generated at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 reaches the interface between the metal layer 104 and the birefringent layer 105 because the metal layer 104 is sufficiently thin.
  • the refractive index of the zx plane of the birefringent layer 105 is n o, and the same as the refractive index of the low refractive index layer 103. Therefore, the relationship between the dielectric constant between the light guide layer 102, the low refractive index layer 103, and the metal layer 104 is equal to the relationship between the dielectric constant between the cover layer 106, the birefringent layer 105, and the metal layer 104. The opposite process of the forward process occurs.
  • the surface plasmon 114 having the same wave number as the surface plasmon 113 is generated at the interface between the metal layer 104 and the birefringent layer 105, and the light A is transmitted to the cover layer 106 via the evanescent 115.
  • the light B is S-polarized light
  • no surface plasmon is generated at the interface between the light guide layer 102 and the low refractive index layer 103, and the light B is totally reflected at the interface between the light guide layer 102 and the low refractive index layer 103.
  • the light passes through the low refractive index layer 103 and is reflected by the metal layer 104.
  • the surface plasmon 123 propagating in the y direction is excited at the interface.
  • the energy of the surface plasmon 123 reaches the interface between the metal layer 104 and the birefringent layer 105 because the metal layer 104 is sufficiently thin.
  • the dielectric between the refractive index n e of the yz plane of the birefringent layer 105 is different from the refractive index of the low refractive index layer 103, a light guiding layer 102 and the low refractive index layer 103 and the metal layer 104
  • the relationship between the refractive index and the dielectric constant among the cover layer 106, the birefringent layer 105, and the metal layer 104 is different. For this reason, the wave number of the surface plasmon 123 and the wave number of the surface plasmon 124 do not match, and no energy is transferred.
  • the light D is S-polarized light
  • no surface plasmon is generated at the interface between the light guide layer 102 and the low refractive index layer 103, and the light D is totally reflected at the interface between the light guide layer 102 and the low refractive index layer 103.
  • the light passes through the low refractive index layer 103 and is reflected by the metal layer 104.
  • the presence of the birefringent layer 105 allows light to be extracted only from surface plasmons having a specific wave number in the x direction, and therefore, the output component mainly includes a polarization component propagating in the zx plane, which is the specific direction. You can get light.
  • the light guide layer 102, the low refractive index layer 103, the metal layer 104, the birefringent layer 105, and the cover layer 106 may be stacked in a predetermined direction, and light is transmitted to the light guide layer 102. It suffices that the layers are stacked so that light is emitted from the cover layer 106 when incident.
  • the incident angle of the projection light obtained by projecting the light on the zx plane is the surface plasmon. If the angle satisfies the excitation condition, light having a specific polarization component can be obtained.
  • the surface plasmon having a specific wave number in the x direction is excited at the interface between the low refractive index layer 103 and the metal layer 104 by the polarization component parallel to the x direction. Further, energy reaches the interface between the metal layer 104 and the birefringent layer 105 and is extracted as light having a specific polarization component in the x direction into the cover layer 106.
  • FIG. 3 is a perspective view schematically showing an optical element 201 according to the second embodiment of the present invention.
  • the optical element 201 shown in FIG. 3 has a low refractive index layer 205 instead of the birefringent layer 105 and a birefringent layer instead of the cover layer 106, as compared with the optical element 101 of the first embodiment shown in FIG. 206.
  • the light guide layer 202, the low refractive index layers 203 and 205, and the birefringent layer 206 correspond to dielectric layers.
  • the metal layer 204 corresponds to a metal layer.
  • the light guide layer 202 is a second dielectric layer
  • the low refractive index layer 203 is a fourth dielectric layer
  • the low refractive index layer 205 is a third dielectric layer
  • the birefringent layer 206 Is the first dielectric layer.
  • the metal layer 204 is a first metal layer.
  • the light guide layer 202 has the same configuration as that of the first embodiment.
  • the light guide layer 202 may have a refractive index of 1.9 or more.
  • the light guide layer 202 is formed of, for example, a dielectric having a refractive index of about 2.2 with respect to visible light.
  • An example is CeO 2 (cerium oxide).
  • the refractive index of the light guide layer 202 is not limited to about 2.2.
  • the low refractive index layer 203 has the same configuration as in the first embodiment.
  • the refractive index of the low refractive index layer 203 may be in the range of 1.5 to 2.1.
  • it is formed of a dielectric having a refractive index of about 1.7 with respect to visible light.
  • the low refractive index layer 203 is, for example, Al 2 O 3 (aluminum oxide).
  • the refractive index of the low refractive index layer 203 is not limited to about 1.7.
  • the thickness of the low refractive index layer 203 is about 50 nm, it functions without problems. Further, the thickness of the low refractive index layer 203 may be about 50 nm or more. More specifically, it is sufficient that the energy of evanescent 212 generated in the low refractive index layer 203 described later reaches the metal layer 204.
  • the low refractive index layer 205 is made of the same material or material as the low refractive index layer 203.
  • the dielectric constant relationship between the low refractive index layer 203 and the metal layer 204 and the dielectric constant between the low refractive index layer 205 and the metal layer 204 are obtained.
  • the rate relationship agrees.
  • the refractive index of the low refractive index layer 205 is desirably the same as the refractive index of the low refractive index layer 203, but is not limited to be exactly the same.
  • the refractive index of the low-refractive index layer 205 and the refractive index of the low-refractive index layer 203 need only be approximately equal to the extent that the surface plasmon 214 can be excited.
  • the thickness of the low refractive index layer 205 is about 50 nm, it functions without any problem. Further, the thickness of the low refractive index layer 203 may be about 50 nm or more. More specifically, it is sufficient that the light 216 is generated from the surface plasmon 214 generated at the interface between the low refractive index layer 205 and the metal layer 204 described later via the evanescent 215.
  • the birefringent layer 206 has two different refractive indexes. Birefringent layer 206, the refractive index n o of the normal rays of visible light is about 1.9, the refractive index n e with respect to an extraordinary ray are formed at 2.2 degree of the dielectric. As an example, YVO 4 crystals can be used.
  • n o of the birefringent layer 206 is not limited to 1.9, it may be different. More specifically, the energy of the surface plasmon 213 generated at the interface between the low refractive index layer 203 and the metal layer 204 described later is such that the surface plasmon is not generated at the interface between the low refractive index layer 205 and the metal layer 204. May be different.
  • n e of the birefringent layer 206 is not limited to 2.2, it may be different. More specifically, the energy of surface plasmon 213 generated at the interface between low refractive index layer 203 and metal layer 204, which will be described later, generates surface plasmon 214 at the interface between low refractive index layer 205 and metal layer 204. May be different.
  • 4A and 4B are diagrams for explaining the operation of the optical element 201 shown in FIG. 3 in detail.
  • FIG. 4A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 201.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • the refractive index in the zx plane of the birefringent layer 206 is n e.
  • FIG. 4B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 201.
  • the light C is P-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is parallel to the yz plane.
  • the light D represents S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the yz plane.
  • the refractive index in the yz plane of the birefringent layer 206 is n o.
  • the energy of the surface plasmon 213 reaches the interface between the metal layer 204 and the low refractive index layer 205 because the metal layer 204 is sufficiently thin.
  • the refractive index of the zx plane of the birefringent layer 206 is n e, is the same as the refractive index of the light guiding layer 202. Therefore, the relationship between the dielectric constants among the light guide layer 202, the low refractive index layer 203, and the metal layer 204 is equal to the relationship between the dielectric constants between the birefringent layer 206, the low refractive index layer 205, and the metal layer 204. Thus, the opposite process of the forward process occurs. Note that the reverse process of the second embodiment is the same as the reverse process of the first embodiment.
  • the surface plasmon 214 having the same wave number as the surface plasmon 213 is generated at the interface between the metal layer 204 and the low-refractive index layer 205, and the birefringent layer 206 is formed via the evanescent 215.
  • Light 216 propagating in the zx plane is generated.
  • the refractive index of n e and the light guide layer 202 of the birefringent layer 206 does not have to match exactly.
  • Refractive index of n e and the light guide layer 202 of the birefringent layer 206 may be substantially equal to the extent that the surface plasmon 214 generate light 216 through evanescent 215.
  • the B light C passes through the evanescent 222 at the specific incident angle with respect to the interface between the light guide layer 202 and the low refractive index layer 203, and the interface between the low refractive index layer 203 and the metal layer 204.
  • the surface plasmon 223 propagating in the y direction is excited at the same time.
  • the energy of the surface plasmon 223 generated at the interface between the low refractive index layer 203 and the metal layer 204 reaches the interface between the metal layer 204 and the low refractive index layer 205 because the metal layer 204 is sufficiently thin.
  • the refractive index in the yz plane of the birefringent layer 206 is n o, differs from the refractive index of the light guiding layer 202. Therefore, the dielectric constant relationship among the light guide layer 202, the low refractive index layer 203, and the metal layer 204 is different from the dielectric constant relationship among the birefringent layer 206, the low refractive index layer 205, and the metal layer 204. . Therefore, light cannot be generated from the surface plasmon 224 generated at the interface between the low refractive index layer 205 and the metal layer 204 via evanescent.
  • the presence of the birefringent layer 206 allows light to be extracted only from surface plasmons having a specific wave number in the x direction, and therefore, the output component mainly includes a polarization component propagating in the zx plane, which is the specific direction. It can be obtained as incident light.
  • the cover layer 106 and the birefringent layer 105 of the first embodiment are replaced with the birefringent layer 206 and the low-refractive index layer 205, respectively, but the same as in the first embodiment.
  • light 216 having high angle selectivity and polarization selectivity and having a polarization component in a specific direction is obtained.
  • FIG. 5 is a perspective view schematically showing an optical element 301 according to a third embodiment of the present invention.
  • the optical element 301 shown in FIG. 5 includes a birefringent layer 303 instead of the low refractive index layer 103 as compared with the optical element 101 of the first embodiment shown in FIG.
  • the light guide layer 302, the birefringent layers 303 and 305, and the cover layer 306 correspond to dielectric layers.
  • the metal layer 304 corresponds to a metal layer.
  • the light guide layer 302 is a sixth dielectric layer
  • the birefringent layer 303 is a second dielectric layer
  • the birefringent layer 305 is a first dielectric layer
  • the cover layer 306 is a fifth dielectric layer. It is a dielectric layer.
  • the metal layer 304 is a first metal layer.
  • the birefringent layers 303 and 305 have two different refractive indexes.
  • the birefringent layer 303 is made of the same material or material as the birefringent layer 305. Note that the birefringent layer 303 may be different from the birefringent layer 305. More specifically, the surface plasmon 313 is excited at the interface between the birefringent layer 303 and the metal layer 304 with the P-polarized light A in the zx plane, which will be described later, and the birefringent layer 303 with the P-polarized light C in the yz plane. And the metal layer 304 may be different to the extent that surface plasmons are not excited.
  • 6A and 6B are diagrams for explaining the operation of the optical element 301 shown in FIG. 5 in detail.
  • FIG. 6A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 301.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • the refractive index in the zx plane of the birefringent layer 303 and 305 is n o.
  • FIG. 6B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 301.
  • the light C indicates P-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is parallel to the yz plane.
  • the light D represents S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the yz plane.
  • the refractive index in the yz plane of the birefringent layer 303 and 305 is n e.
  • the wave number of the evanescent 322 and the interface between the birefringent layer 303 and the metal layer 304 are generated.
  • the wave number of surface plasmon does not match. Therefore, the light C does not excite the surface plasmon and returns to the light guide layer 302 or passes through the birefringent layer 303 and is reflected by the metal layer 304.
  • the presence of the birefringent layers 303 and 305 allows light to be extracted only from surface plasmons having a specific wave number in the x direction, so that the polarization component propagating in the zx plane that is the specific direction is the main component. Can be obtained.
  • the optical element 301 of the third embodiment can reduce the loss by suppressing excitation of surface plasmons that do not contribute to light extraction, as compared to the optical element 101 of the first embodiment. For this reason, the light utilization efficiency can be increased when used in combination with a phase modulation means or a reflection means described later.
  • the low refractive index layer 103 in the first embodiment is replaced with the birefringent layer 303.
  • high angle selectivity and polarization selectivity are achieved.
  • a light 316 having a polarization component in a specific direction is obtained.
  • FIG. 7 is a perspective view schematically showing an optical element 401 according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the optical element 401 shown in FIG. 7 includes a birefringent layer 402 instead of the light guide layer 202, as compared with the optical element 201 of the second embodiment shown in FIG.
  • the birefringent layers 402 and 406 and the low refractive index layers 403 and 405 correspond to dielectric layers.
  • the metal layer 404 corresponds to a metal layer.
  • the birefringent layer 402 is a second dielectric layer
  • the low refractive index layer 403 is a fourth dielectric layer
  • the low refractive index layer 405 is a third dielectric layer
  • the birefringent layer 406. Is the first dielectric layer.
  • the metal layer 404 is a first metal layer.
  • the birefringent layers 402 and 406 have two different refractive indexes.
  • the birefringent layer 402 is made of the same material or material as the birefringent layer 406. Note that the birefringent layer 402 may be different from the birefringent layer 406. More specifically, the surface plasmon 413 is excited at the interface between the low refractive index layer 403 and the metal layer 404 with P-polarized light A in the zx plane, which will be described later, and the low refractive index is generated with P-polarized light C in the yz plane. They may be different to the extent that surface plasmons are not excited at the interface between the layer 403 and the metal layer 404.
  • 8A and 8B are diagrams for explaining the operation of the optical element 401 shown in FIG. 7 in detail.
  • FIG. 8A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 401.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • the refractive index in the zx plane of the birefringent layer 402, 406 is n e.
  • FIG. 8B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 401.
  • the light C is P-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is parallel to the yz plane.
  • the light D represents S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the yz plane.
  • the refractive index in the yz plane of the birefringent layer 402, 406 is n o.
  • the birefringent layers 402 and 406 are present, light can be extracted only from surface plasmons propagating in the x direction, and therefore, a polarization component propagating in the zx plane that is a specific direction can be obtained as outgoing light. it can.
  • the loss can be reduced by suppressing the excitation of surface plasmons that do not contribute to light extraction, as compared to the optical element 202 of the second embodiment. Therefore, as in the third embodiment, the light utilization efficiency can be increased when used in combination with a phase modulation unit and a reflection unit described later.
  • the light guide layer 202 in the second embodiment is replaced with the birefringence 402
  • high angle selectivity and polarization selectivity are obtained.
  • a light 416 having a polarization component in a specific direction is obtained.
  • FIG. 9 is a perspective view schematically showing an optical element 501 according to a fifth embodiment of the present invention. Unlike the optical elements of the first to fourth embodiments, the optical element of the fifth embodiment shown in FIG. 9 includes two layers made of metal.
  • a light source (not shown) is disposed on the outer periphery of the optical element 501 and emits randomly polarized light to the optical element 501.
  • the light source may be disposed at a position away from the optical element 501, may be disposed so as to be in contact with the optical element 501, or optically the optical element 501 through a light guide member such as a light pipe. May be connected.
  • the optical element 501 includes a light guide layer 502, a metal layer 503, a low refractive index layer 504, a metal layer 505, and a birefringent layer 506.
  • the light guide layer 502, the low refractive index layer 504, and the birefringent layer 506 correspond to dielectric layers. Further, the dielectric layer includes a metal layer 505 between the low refractive index layer 504 and the birefringent layer 506.
  • the metal layer 503 corresponds to a metal layer.
  • the light guide layer 502 is a second dielectric layer
  • the low refractive index layer 504 is an eighth dielectric layer
  • the birefringent layer 506 is a first dielectric layer.
  • the metal layer 503 is a third metal layer
  • the metal layer 505 is a first metal layer.
  • the light guide layer 502 has the same configuration as that of the first embodiment, and the light emitted from the light source is incident and propagates the incident light inside.
  • the refractive index of the light guide layer 502 may be 2.1 or more.
  • the light guide layer 502 is formed of a dielectric having a refractive index of about 2.2 with respect to visible light, for example. Examples are CeO 2.
  • the refractive index of the light guide layer 502 is not limited to about 2.2.
  • the light guide layer 502 may have birefringence or may not have birefringence.
  • the shape of the light guide layer 502 is a flat plate shape in the present embodiment, the shape is not limited to a flat plate shape in practice, and may be a wedge shape or a sawtooth shape.
  • the metal layers 503 and 505 are formed of a metal capable of exciting surface plasmons on the surface by visible light evanescent, as in the first embodiment.
  • An example is Ag (silver).
  • the metal layers 503 and 505 are not limited to Ag, and may be Al (aluminum) or Au (gold). More specifically, the surface plasmon 513 may be excited at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 described later.
  • the thickness of the metal layer 503 may be 100 nm or less, and more preferably in the range of 12.5 to 50 nm.
  • the thickness of the metal layer 505 may be 50 nm or less, and more preferably 25 nm or less.
  • the effect of embodiment of this invention can be acquired if the thickness of the metal layers 503 and 505 is about 25 nm. More specifically, the energy of the surface plasmon 513 generated at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504, which will be described later, reaches the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505, and enters the birefringent layer 506.
  • the metal layers 503 and 505 need only be thin enough to generate light 516. Alternatively, it is sufficient that the dielectric constants of the metal layer 503 and the metal 505 are close enough to generate the light 516 described above.
  • the thickness of the metal layers 503 and 505 may be about 10 nm. Specifically, the metal layers 503 and 505 may be thick enough to block S-polarized light that does not excite surface plasmons, which will be described later. Alternatively, the dielectric constants of the metal layer 503 and the metal layer 505 may be different to the extent that the S-polarized light is blocked.
  • the metal layer 503 and the metal layer 505 may be different.
  • the dielectric constant of the metal layer 503 and the dielectric constant of the metal layer 505 may be approximately equal to the extent that the surface plasmon 514 is excited by the surface plasmon 513 as will be described later.
  • the low refractive index layer 504 is a layer having a refractive index smaller than that of the light guide layer 502.
  • the refractive index of the low refractive index layer 504 may be in the range of 1.6 to 1.8.
  • the low refractive index layer 504 is formed of, for example, a dielectric having a refractive index of about 1.7 with respect to visible light.
  • An example is Al 2 O 3 .
  • the refractive index of the low refractive index layer 504 is not limited to about 1.7. More specifically, it is sufficient that surface plasmons are excited through the evanescent 513 at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 described later.
  • the thickness of the low refractive index layer 504 is about 50 nm, the effect of the embodiment of the present invention can be obtained. Note that the thickness of the low refractive index layer 504 may be about 50 nm or more. More specifically, if the thickness of the surface plasmon 513 generated at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504, which will be described later, reaches the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505, Good.
  • the light guide layer 502, the metal layer 503, and the low refractive index layer 504 form a surface plasmon excitation means.
  • the surface plasmon excitation means of the fifth embodiment has a so-called Kretschmann arrangement.
  • Surface plasmon 513 is formed at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 by the evanescent 512 generated when light propagating in the light guide layer 502 is totally reflected at the interface between the light guide layer 502 and the metal layer 503. Excited.
  • the birefringent layer 506 has two different refractive indexes.
  • the birefringent layer 506 has a refractive index n o of the normal rays of visible light is about 1.9, the refractive index n e with respect to extraordinary rays is formed by 2.2 about dielectric
  • n o refractive index
  • n e with respect to extraordinary rays is formed by 2.2 about dielectric
  • YVO 4 (yttrium vanadate) crystal yttrium vanadate
  • n o of the birefringent layer 506 may be different not limited to about 1.9. More specifically, the energy of the surface plasmon 514 generated at the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505, which will be described later, may be different to the extent that light 516 is generated in the birefringent layer 506.
  • n e of the birefringent layer 506 is not limited to 2.2, it may be different. More specifically, the energy of the surface plasmon 514 generated at the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505 may be different to the extent that light is not generated in the birefringent layer 506.
  • the low refractive index layer 504, the metal layer 505, and the birefringent layer 506 form a light generating means.
  • the light generating means generates and extracts light 516 by the surface plasmon 514 generated at the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505.
  • the optical element 501 can be manufactured, for example, by the following procedure.
  • the manufacturing method of the optical element 501 of the fifth embodiment is not limited to the vapor deposition method or the bonding method.
  • FIG. 10A and 10B are diagrams for explaining the operation of the optical element 501 shown in FIG. 9 in detail.
  • FIG. 10A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 501.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • Refractive index in zx plane of the birefringent layer 506 is n o.
  • FIG. 10B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 501.
  • the light C indicates P-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is parallel to the yz plane.
  • the light D represents S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the yz plane.
  • Refractive index in the yz plane of the birefringent layer 506 is n e.
  • the light A in FIG. 10A is generated at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 via the evanescent 512 at a specific incident angle with respect to the interface between the light guide layer 502 and the metal layer 503.
  • the surface plasmon 513 propagating in the direction is excited.
  • this transition process is called a forward process.
  • the energy of the surface plasmon 513 generated at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 reaches the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505 because the low refractive index layer 504 is sufficiently thin.
  • the metal layer 503 and the metal layer 505 are the same material, the relationship between the dielectric constant between the light guide layer 502, the metal layer 503, and the low refractive index layer 504, and the birefringent layer 506, the metal layer 505, and the low refractive index.
  • the dielectric constant relationship with the rate layer 504 is equal, and the reverse process of the forward process is reversed.
  • a surface plasmon 514 having the same wave number as the surface plasmon 513 is generated at the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505, and the birefringent layer 506 is passed through the evanescent 515.
  • Light 516 propagating in the zx plane is generated.
  • the refractive index of n e and the light guide layer 502 of the birefringent layer 506 need not exactly match.
  • Refractive index of n e and the light guide layer 502 of the birefringent layer 506, to the extent that can be surface plasmon 514 excited by the surface plasmon 513 generates the light 516 through the evanescent 515 may be substantially equal.
  • the light B is S-polarized light, it is reflected by the metal layer 503 without generating surface plasmon at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504.
  • the energy of the surface plasmon 523 reaches the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505 and excites the surface plasmon 524 because the low refractive index layer 504 is sufficiently thin.
  • the dielectric constant between the refractive index in the yz plane of the birefringent layer 506 is n o, it is different from the refractive index of the light guide layer 502, the light guiding layer 502 and the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 And the dielectric constant relationship among the birefringent layer 506, the metal layer 505, and the low refractive index layer 504 is different. Therefore, light cannot be generated from the surface plasmon 524.
  • the surface plasmon is not generated at the interface between the light guide layer 502 and the metal layer 503 and is reflected by the metal layer 503.
  • the birefringent layer 506 since the birefringent layer 506 is present, light can be extracted only from surface plasmons propagating in the x direction, and thus output light whose main component is a polarization component propagating in the zx plane, which is a specific direction, is obtained. be able to.
  • the incident angle of the projected light obtained by projecting the light on the zx plane is an angle that satisfies the excitation condition of the surface plasmon. If there is, light having a polarization component in a specific direction can be obtained. In that case, first, similarly to the light A, the surface plasmon having a specific wave number in the x direction is excited at the interface between the metal layer 503 and the low refractive index layer 504 by the polarization component parallel to the x direction. As a result, energy reaches the interface between the low refractive index layer 504 and the metal layer 505 and is extracted as light having a specific polarization component in the x direction into the birefringent layer 506.
  • the optical element 501 of the fifth embodiment is composed of two metal layers, but has a high angle selectivity as in the first embodiment. And light 516 having a polarization component in a specific direction.
  • FIG. 11 is a perspective view schematically showing an optical element 601 according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the optical element 601 shown in FIG. 11 has a birefringent layer 604 instead of the low refractive index layer 504 and a cover layer instead of the birefringent layer 506, as compared with the optical element 501 of the fifth embodiment shown in FIG. 606.
  • the light guide layer 602, the birefringent layer 604, and the cover layer 606 correspond to a dielectric layer.
  • the dielectric layer includes a metal layer 605 between the birefringent layer 604 and the cover layer 606.
  • the metal layer 503 corresponds to a metal layer.
  • the light guide layer 602 is a second dielectric layer
  • the birefringence layer 604 is a first dielectric layer
  • the cover layer 606 is a seventh dielectric layer.
  • the metal layer 603 is a first metal layer
  • the metal layer 605 is a second metal layer.
  • the birefringent layer 604 has two different refractive indexes.
  • the refractive index n o of the normal rays of visible light is about 1.9
  • the refractive index n e with respect to extraordinary rays is formed by 2.2 about dielectric
  • the An example is a YVO 4 crystal.
  • n o of the birefringent layer 604 is not limited to 1.9, it may be different. More specifically, the energy of the surface plasmon 613 generated at the interface between the metal layer 603 and the birefringent layer 604, which will be described later, differs to such an extent that the surface plasmon 614 is generated at the interface between the metal layer 605 and the cover layer 604. Also good.
  • n e of the birefringent layer 604 is not limited to 2.2, it may be different. More specifically, it may be different to the extent that no surface plasmon is generated at the interface between the metal layer 603 and the birefringent layer 604 described later.
  • the thickness of the birefringent layer 604 may be about 50 nm or more. More specifically, the thickness of the surface plasmon 613 generated at the interface between the metal layer 603 and the birefringent layer 604, which will be described later, may be a thickness that can reach the interface between the birefringent layer 604 and the metal layer 605.
  • the cover layer 606 is made of the same material or material as the light guide layer 602. By doing so, the refractive index relationship between the light guide layer 602 and the birefringent layer 604 matches the refractive index relationship between the cover layer 606 and the birefringent layer 604. Therefore, light 616 can be efficiently generated from the surface plasmon 614 generated at the interface between the birefringent layer 604 and the metal layer 605.
  • the refractive index of the cover layer 606 is greater than n o of the birefringent layer 604. Note that the refractive index of the cover layer 606 is not limited to be the same as the refractive index of the light guide layer 602.
  • the refractive index of the cover layer 606 and the refractive index of the light guide layer 602 generate light 616 from the surface plasmon 614. It is only necessary to be approximately equal to the extent that can be achieved.
  • the refractive index of the light guide layer 602 and the cover layer 606 may be 2.6 or more.
  • the thickness of the metal layer 603 may be 100 nm or less, and more preferably in the range of 12.5 to 50 nm.
  • the thickness of the metal layer 605 may be 50 nm or less, and more preferably 25 nm or less.
  • 12A and 12B are diagrams for explaining the operation of the optical element 601 shown in FIG. 11 in detail.
  • FIG. 12A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 601.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • Refractive index in zx plane of the birefringent layer 604 is n o.
  • FIG. 12B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 601.
  • the light C is P-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is parallel to the yz plane.
  • the light D represents S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the yz plane.
  • Refractive index in the yz plane of the birefringent layer 604 is n e.
  • the light A in FIG. 12A passes through the evanescent 612 at the specific incident angle with respect to the interface between the light guide layer 602 and the metal layer 603, and in the x direction at the interface between the metal layer 603 and the birefringent layer 604. Exciting surface plasmon 613 propagating to. Here, this transition process is called a forward process.
  • the energy of the surface plasmon 613 reaches the interface between the birefringent layer 604 and the metal layer 605 because the birefringent layer 604 is sufficiently thin.
  • the refractive index of the light guide layer 602 is the same as the refractive index of the cover layer 606, the relationship between the dielectric constant among the light guide layer 602, the metal layer 603, and the birefringent layer 604, and the cover layer 606 and the metal.
  • the dielectric constant relationship between the layer 605 and the birefringent layer 604 is equal, and the reverse process opposite to the forward process occurs.
  • a surface plasmon 614 having the same wave number as the surface plasmon 613 is generated at the interface between the birefringent layer 604 and the metal layer 605, and the light A is transmitted to the cover layer 606 through the evanescent 615.
  • the dielectric constant of the metal layer 603 and the dielectric constant of the metal layer 605 do not need to be completely the same.
  • the dielectric constant of the metal layer 603 and the dielectric constant of the metal layer 605 may be approximately equal to the extent that the surface plasmon 614 is excited by the surface plasmon 613.
  • the wave number of the surface plasmon does not coincide with the surface plasmon, and the surface plasmon is not excited and is reflected by the metal layer 603.
  • the loss can be reduced by suppressing the excitation of the surface plasmon that does not contribute to the light extraction, and when used in combination with the phase modulation means and the reflection means described later, Use efficiency can be increased.
  • the birefringent layer 604 since the birefringent layer 604 is present, light can be extracted only from surface plasmons propagating in the x direction, so that outgoing light whose main component is a polarization component propagating in the zx plane, which is a specific direction, is obtained. be able to.
  • the light guide layer 602 and the cover layer 606 may be birefringent.
  • the sixth embodiment replaces the low refractive index layer 504 and the birefringent layer 506 of the fifth embodiment with the cover layer 606 and the birefringent layer 604, respectively.
  • light 616 having high angle selectivity and polarization selectivity and having a polarization component in a specific direction is obtained.
  • FIG. 13 is a perspective view schematically showing an optical element 701 according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the optical element 701 shown in FIG. 13 includes a birefringent layer 702 instead of the light guide layer 502, as compared with the optical element 501 of the fifth embodiment shown in FIG.
  • the birefringent layers 702 and 706 and the low refractive layer 704 correspond to dielectric layers. Further, the dielectric layer includes a metal layer 705 between the low refractive layer 704 and the birefringent layer 706.
  • the metal layer 703 corresponds to a metal layer.
  • the birefringent layer 702 is a second dielectric layer
  • the low refractive index layer 704 is an eighth dielectric layer
  • the birefringent layer 706 is a first dielectric layer.
  • the metal layer 703 is a third metal layer
  • the metal layer 705 is a first metal layer.
  • the birefringent layer 702 has two different refractive indexes.
  • the birefringent layer 706 is made of the same material or material. Note that the birefringent layer 702 may be different from the birefringent layer 706. More specifically, the surface plasmon 713 is excited at the interface between the metal layer 703 and the low refractive index layer 704 with P-polarized light A in the zx plane, which will be described later, and the metal layer 703 with P-polarized light C in the yz plane. May be different to the extent that surface plasmons are not excited at the interface between the low refractive index layer 704 and the low refractive index layer.
  • 14A and 14B are diagrams for explaining the operation of the optical element 701 shown in FIG. 13 in detail.
  • FIG. 14A shows a cross section orthogonal to the y-axis of the optical element 701.
  • the light A is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the zx plane.
  • the light B is S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the zx plane.
  • Refractive index in zx plane of the birefringent layer 702 and 706 is n e.
  • FIG. 14B shows a cross section orthogonal to the x-axis of the optical element 701.
  • the light C is P-polarized light, that is, light whose electric field vibration direction is parallel to the yz plane.
  • the light D represents S-polarized light, that is, light in which the vibration direction of the electric field is orthogonal to the yz plane.
  • Refractive index in the yz plane of the birefringent layer 702 and 706 is n o.
  • the loss can be reduced by suppressing the excitation of the surface plasmon that does not contribute to the light extraction, and when used in combination with the phase modulation means and the reflection means described later, Use efficiency can be increased.
  • the birefringent layers 702 and 706 are present, light can be extracted only from surface plasmons propagating in the x direction, and therefore, the emitted light whose main component is a polarization component propagating in the zx plane that is a specific direction. Can be obtained.
  • the optical elements of the first to seventh embodiments it is possible to obtain a polarization component in a specific direction, which is in a low etendue state in which the random polarization is defined as a specific direction. Further, in the optical elements of the third, fourth, sixth and seventh embodiments, the excitation of surface plasmons that do not contribute to light extraction can be suppressed, so that the light utilization efficiency can be further improved.
  • FIG. 15 is a perspective view schematically showing an optical apparatus 800 according to an eighth embodiment of the present invention.
  • the light source 810 is disposed on the outer periphery of the optical element 801 and emits randomly polarized light to the optical element 801.
  • the light source 810 may be disposed at a position away from the optical element 801 or may be disposed so as to be in contact with the optical element 801. Further, the light source 810 may be optically connected to the optical element 801 through a light guide member such as a light pipe.
  • the optical device 800 includes a reflection unit 809, a phase modulation layer 808, an optical element 801, and an angle conversion unit 807.
  • the reflection means 809 reflects light incident from a phase modulation layer 808 described later so that the incident angle and the reflection angle are not equal in a plane parallel to the metal layer.
  • the reflecting means 809 may be a diffuse reflector in which particles are embedded, or may have a sawtooth shape.
  • the phase modulation layer 808 modulates the phase state of the incident light.
  • An example is a ⁇ / 4 plate.
  • any one of the optical elements 101, 201, 301, 401, 501, 601, and 701 of the first to seventh embodiments can be used.
  • the optical device may be used as illumination.
  • the angle conversion means 807 converts the propagation angle of the emitted light. That is, the traveling direction of light is changed. Examples are diffraction gratings, holograms, and photonic crystals.
  • the phase modulation layer 808 and the reflecting means 809 can improve the light utilization efficiency by converting the light B, C, D into the optical element 801 after converting the polarization state and the propagation angle and reusing them.
  • the angle conversion means 807 propagates light having a polarization component in the + x direction caused by surface plasmons propagating in the + x direction and light having a polarization component in the ⁇ x directions caused by surface plasmons propagating in the ⁇ x direction. You can change the angle to align in the same direction.
  • random polarized light emitted from a light source can be converted into a specific polarization state that is a low etendue state in which the emission direction is set to a specific direction. Further, since the angle conversion means 807 can align the propagation direction of the emitted light, etendue can be further reduced. Furthermore, since the phase modulation layer 808 and the reflection means 809 are provided, the light use efficiency can be improved.
  • FIG. 16 is a perspective view schematically showing an optical apparatus 900 according to a ninth embodiment of the present invention.
  • the optical device 900 shown in FIG. 16 includes an entrance 920 that is an incident region where light is incident from the light source 910, an upper surface that is a light exit surface, and reflecting means. Reflecting means 909 is added to the outer wall surface (that is, the side surface of the optical element 800) excluding the lower surface provided with 809.
  • the reflecting means 909 can suppress light from being emitted from the side surface of the optical element 901, the light utilization efficiency can be increased as compared with the optical device 800 shown in FIG.
  • the reflection means 909 was provided in all the side surfaces except the entrance 920, you may be provided only in the one part surface among the side surfaces.
  • the reflection means 909 may be a diffuse reflector that diffuses and reflects light, or may have a saw shape.
  • the optical device 900 of the ninth embodiment By using the optical device 900 of the ninth embodiment, the same effect as that of the eighth embodiment can be obtained. Furthermore, in the ninth embodiment, since the reflecting means is also provided on the outer wall surface or the like, light can be prevented from leaking from the side surface. Therefore, the light use efficiency is improved as compared with the eighth embodiment.
  • the number of light sources is not limited to one, and a plurality of light sources may be arranged, and the plurality of light sources may emit light having different wavelengths. More specifically, the wavelengths of the plurality of light sources may be different to such an extent that surface plasmons are excited on the metal surface.
  • FIG. 17 is a layout diagram illustrating an example of the configuration of the display device of the present embodiment.
  • a projector 1011 which is a projection type image display device includes light sources 1012a, 1012b and 1012c, optical elements 1013a, 1013b and 1013c, liquid crystal panels 1014a, 1014b and 1014c, a cross dichroic prism 1015, and a projection optical system. 1016.
  • the light source 1012a and the optical element 1013a, the light source 1012b and the optical element 1013b, and the light source 1012c and the optical element 1013c constitute the optical device 800 or 900.
  • Each of the light sources 1012a, 1012b, and 1012c generates light having different wavelengths.
  • red light is emitted from the light source 1012a
  • green light is emitted from the light source 1012b
  • blue light is emitted from the light source 1012c.
  • Each of the optical elements 1013a, 1013b, and 1013c is obtained by removing the light sources of the optical devices 800 and 900 described in the eighth and ninth embodiments.
  • the liquid crystal panels 1014a, 1014b, and 1014c modulate each incident color light in a two-dimensional manner in accordance with a video signal so that each color light carries an image, and spatial light that emits each color light carrying the image. It is a modulation element.
  • the spatial light modulation element may be a digital micromirror device.
  • the cross dichroic prism 1015 synthesizes and outputs the modulated lights emitted from the liquid crystal panels 1014a, 1014b, and 1014c.
  • the projection optical system 1016 projects the combined light emitted from the cross dichroic prism 1015 onto the screen 1017 and displays an image corresponding to the video signal on the screen 1017.
  • the light use efficiency is changed because the emission direction is converted into a low etendue state defined in the specific direction. Can be improved.
  • FIG. 18 is a layout view showing another example of the configuration of the display device of the tenth embodiment.
  • a projector 1111 includes light sources 1112a, 1112b, and 1112c, an optical element 1113, a liquid crystal panel 1114, and a projection optical system 1116.
  • the optical element 1113 has the same configuration as the optical elements 1013a, 1013b to 1013c described in the tenth embodiment. Therefore, the light sources 1112a, 1112b, 1111c, and the optical element 1113 are optical devices having the same configuration as that in the case where the number of light sources in the optical device 800 or 900 described in the tenth embodiment is three.
  • the liquid crystal panel 1114 is a light modulation element that modulates incident combined light according to a video signal and emits the modulated light.
  • the projection optical system 1116 projects the modulated light emitted from the liquid crystal panel 1114 onto the screen 1117 and displays an image corresponding to the video signal on the screen 1117.
  • the liquid crystal panel is used as the light modulation element.
  • the light modulation element is not limited to the liquid crystal panel and can be changed as appropriate.
  • the projector shown in FIG. 18 may use a digital micromirror device instead of the liquid crystal panel 1114.
  • the same effect as that of the tenth embodiment can be obtained. Further, as compared with the tenth embodiment, since the optical device can be integrated, the configuration becomes simpler. Therefore, the projector can be further downsized.
  • the surface of the display device is configured to be substantially perpendicular to the polarization component in a specific direction such as the + x direction.
  • the optical system can be omitted because the light can be efficiently condensed on the projection optical system without using an optical system such as a mirror or a lens.
  • the above modification only shows the applicability of the present invention, and does not limit the present invention.
  • the illustrated configuration is merely an example, and the present invention is not limited to the configuration. Examples according to the embodiments of the present invention will be given below. The following examples are merely examples and are not intended to limit the present invention.
  • Example 1 The effect of the operation of the first embodiment was confirmed by simulation (Example 1). The simulation is performed for an example of the first embodiment and does not limit the present invention.
  • FIG. 19 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 101 according to the first embodiment.
  • Example 1 In the simulation of Example 1, a two-dimensional exact coupled wave analysis method was used.
  • the exact coupled wave analysis method is also called RCWA method.
  • the horizontal axis of FIG. 19 is the incident angle from the light guide layer 101 to the low refractive index layer 102, and the vertical axis is the light transmittance to the cover layer 106.
  • the light guide layer 102 and the cover layer 106 were TiO 2 (anatase) having a refractive index of 2.5.
  • the low refractive index layer 103 is Y 2 O 3 having a refractive index of 1.9 and a thickness of 50 nm.
  • the metal layer 104 was made of Ag with a thickness of 50 nm.
  • the transmittance of the S-polarized component at the same incident angle is so small that it can be ignored, so that light having high polarization selectivity is obtained. Can be confirmed.
  • Example 1 it was confirmed that by using the birefringent layer 105, light having high angle selectivity and polarization selectivity and having a polarization component in a specific direction was obtained.
  • Example 2 The effect of the operation of the second embodiment was confirmed by simulation (Example 2). Note that this simulation is performed for an example of the second embodiment, and does not limit the present invention.
  • FIG. 20 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 201 according to the second embodiment.
  • the two-dimensional RWCA method was used in the same manner as in Example 1. Note that the horizontal axis of FIG. 20 is the incident angle from the light guide layer 202 to the low refractive index layer 203, and the vertical axis is the light transmittance to the birefringent layer 206.
  • the light guide layer 202 was CeO 2 having a refractive index of 2.2.
  • the low refractive index layers 203 and 205 are Al 2 O 3 having a refractive index of 1.7 and a thickness of 50 nm.
  • the metal layer 204 is made of Ag and has a thickness of 50 nm.
  • the transmittance of the P-polarized component in the zx plane is 62%
  • the transmittance of the S-polarized component at the same incident angle is so small that it can be ignored, so that light having high polarization selectivity is obtained. Can be confirmed.
  • Example 2 it was confirmed that by using the birefringent layer 206, light having high angle selectivity and polarization selectivity and having a polarization component in a specific direction can be obtained.
  • Example 3 The effect of the operation of the third embodiment was confirmed by simulation (Example 3). Note that this simulation is performed for one example of the third embodiment, and does not limit the present invention.
  • FIG. 21 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 301 according to the third embodiment.
  • the two-dimensional RWCA method was used in the same manner as in Example 3. Note that the horizontal axis in FIG. 21 is the incident angle from the light guide layer 302 to the birefringent layer 303, and the vertical axis is the light transmittance to the cover layer 306.
  • the metal layer 304 is made of Ag and has a thickness of 50 nm.
  • the peak value of the transmittance of the P-polarized component in the zx plane is 55%
  • the transmittance of the S-polarized component at the same incident angle is so small that it can be ignored, so that light having high polarization selectivity is obtained. Can be confirmed.
  • no clear peak is observed in the P-polarized component in the yz plane as compared with Examples 1 and 2, it can be confirmed that the excitation of surface plasmons that do not contribute to light extraction can be suppressed.
  • Example 3 although the low refractive index layer 103 in Example 1 was replaced with the birefringent layer 303, as in Example 1, it has high angle selectivity and polarization selectivity and has a specific direction. It was confirmed that light having a polarization component of 2 was obtained.
  • Example 4 The effect of the operation of the fourth embodiment was confirmed by simulation (Example 4). Note that this simulation is performed for an example of the fourth embodiment, and does not limit the present invention.
  • FIG. 22 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 401 according to the fourth embodiment.
  • the two-dimensional RCWA method was used as in the first embodiment. Note that the horizontal axis of FIG. 22 is the incident angle from the birefringent layer 402 to the low refractive index layer 403, and the vertical axis is the light transmittance to the birefringent layer 406.
  • the low refractive index layers 403 and 405 are Al 2 O 3 having a refractive index of 1.7 and a thickness of 50 nm.
  • the metal layer 404 was made of Ag with a thickness of 50 nm.
  • the full width at half maximum of the transmittance of the P-polarized light component in the zx plane is about 25.7 deg, it can be confirmed that light having high angle selectivity can be obtained compared to the LED. Further, when the peak value of the transmittance of the P-polarized component is compared between the zx plane and the yz plane, the transmittance in the zx plane is more than three times larger, so that the light whose propagation direction is set in a specific direction is It can be confirmed that it is obtained.
  • the peak value of the transmittance of the P-polarized component in the zx plane is 62%
  • the transmittance of the S-polarized component at the same incident angle is so small that it can be ignored, so that light having high polarization selectivity is obtained. Can be confirmed.
  • the third embodiment since no clear peak is observed in the P-polarized component in the yz plane, it can be confirmed that excitation of surface plasmons that do not contribute to light extraction can be suppressed.
  • Example 4 although the light guide layer 202 in Example 2 was replaced with birefringence 402, similarly to Example 2, it has high angle selectivity and polarization selectivity, and polarized light in a specific direction. It was confirmed that light having components was obtained.
  • Example 5 The effect of the operation of the fifth embodiment was confirmed by simulation (Example 5). This simulation is performed for an example of the fifth embodiment, and does not limit the present invention.
  • FIG. 23 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 501 of the example.
  • the two-dimensional RCWA method was used as in the first embodiment. Note that the horizontal axis in FIG. 23 is the incident angle from the light guide layer 502 to the metal layer 503, and the vertical axis is the light transmittance to the birefringent layer 506.
  • the light guide layer 502 is CeO 2 having a refractive index of 2.2.
  • the metal layer 503 is made of Ag and has a thickness of 25 nm
  • the metal layer 505 is made of Ag and has a thickness of 12.5 nm.
  • the low refractive index layer 504 is Al 2 O 3 having a refractive index of 1.7 and has a thickness of 50 nm.
  • the full width at half maximum of the transmittance of the P-polarized light component in the zx plane is about 39.7 deg, it can be confirmed that light having high angle selectivity can be obtained as compared with the LED. Further, when the peak value of the transmittance of the P-polarized component is compared between the zx plane and the yz plane, the transmittance in the zx plane is about twice as large, so that the light whose propagation direction is set in a specific direction is It can be confirmed that it is obtained.
  • the transmittance of the S-polarized component at the same incident angle is so small that it can be ignored, so that light having high polarization selectivity is obtained. Can be confirmed.
  • the optical element 501 of Example 5 is composed of two metal layers unlike the optical element 101 of Example 1, but has high angle selectivity and polarization selectivity as in Example 1. And it has confirmed that the light which has a polarization component of a specific direction was obtained.
  • Example 6 The effect of the operation of the third embodiment was confirmed by simulation (Example 6). This simulation is performed for an example of the sixth embodiment, and does not limit the present invention.
  • FIG. 24 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 601 of the sixth embodiment.
  • the two-dimensional RCWA method was used as in the first embodiment. Note that the horizontal axis in FIG. 24 is the incident angle from the light guide layer 602 to the metal layer 603, and the vertical axis is the light transmittance to the cover layer 606.
  • the light guide layer 602 and the cover layer 606 were made of TiO 2 (rutile) having a refractive index of 2.7.
  • the metal layer 603 was made of Ag and the thickness was 25 nm, and the metal layer 605 was made of Ag and the thickness was 12.5 nm.
  • the full width at half maximum of the transmittance of the P-polarized light component in the zx plane is about 35.6 deg, it can be confirmed that light having high angle selectivity can be obtained as compared with the LED. Further, when the peak value of the transmittance of the P-polarized component is compared between the zx plane and the yz plane, the transmittance in the zx plane is about 1.7 times larger, so the propagation direction is set to a specific direction. It can be confirmed that light is obtained.
  • the low-refractive index layer 504 and the birefringent layer 506 of Example 5 were replaced with the cover layer 606 and the birefringent layer 604, respectively. It was confirmed that light having high angle selectivity and polarization selectivity and having a polarization component in a specific direction can be obtained.
  • FIG. 25 is a graph illustrating an example of a simulation result for confirming the effect of the optical element 701 according to the seventh embodiment. Note that this simulation is performed for an example of the seventh embodiment, and does not limit the present invention.
  • the metal layer 703 is made of Ag and has a thickness of 25 nm
  • the metal layer 705 is made of Ag and has a thickness of 12.5 nm.
  • the low refractive index layer 704 is Al 2 O 3 having a refractive index of 1.7 and has a thickness of 50 nm.
  • the full width at half maximum of the transmittance of the P-polarized light component in the zx plane is about 39.7 deg, it can be confirmed that light having high angle selectivity can be obtained compared to the LED.
  • the peak value of the transmittance of the P-polarized component is compared between the zx plane and the yz plane, the transmittance in the zx plane is more than twice as large. It can be confirmed that it is obtained.
  • the peak value of the transmittance of the P-polarized component in the zx plane is 60%, the transmittance of the S-polarized component at the same incident angle is so small that it can be ignored, so that light having high polarization selectivity is obtained. Can be confirmed.
  • the light guide layer 502 of the fifth embodiment is replaced with the birefringent layer 702.
  • a high angle is obtained. It was confirmed that light 716 having selectivity and polarization selectivity and having a polarization component in a specific direction was obtained.
  • the above-described embodiment can be described as in the following supplementary notes, but is not limited thereto.
  • (Supplementary note 1) having a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a first metal layer disposed between the first dielectric layer and the second dielectric layer.
  • the first dielectric layer is an optical element having a different refractive index in a first direction and in a second direction intersecting the first direction.
  • (Supplementary note 2) The optical element according to supplementary note 1, wherein the first dielectric layer includes a birefringent material.
  • (Supplementary note 3) The optical element according to supplementary note 2, wherein the birefringent material is made of YVO 4 (yttrium vanadate) crystal.
  • the first direction and the second direction are different from the lamination direction in which the first dielectric layer, the first metal layer, and the second dielectric layer are laminated. 4.
  • the optical element according to any one of 3. The optical element according to any one of supplementary notes 1 to 4, wherein the second direction is a direction substantially orthogonal to the first direction.
  • the optical element according to any one of supplementary notes 1 to 5 further comprising a third dielectric layer disposed between the first dielectric layer and the first metal layer.
  • a refractive index of the first dielectric layer is larger than a refractive index of the third dielectric layer.
  • Additional remark 8 The optical element of Additional remark 6 or 7 which has a 4th dielectric material layer arrange
  • the optical element according to supplementary note 8 wherein a refractive index of the second dielectric layer is larger than a refractive index of the fourth dielectric layer.
  • (Supplementary note 26) The optical element according to supplementary note 24 or 25, wherein a refractive index of the second dielectric layer is larger than a refractive index of the eighth dielectric layer.
  • (Supplementary note 27) The optical element according to any one of supplementary notes 24 to 26, wherein the second dielectric layer includes a refractive index substantially equal to any refractive index of the first dielectric layer.
  • (Supplementary note 28) The optical element according to any one of supplementary notes 24 to 27, wherein a dielectric constant of the first metal layer is substantially equal to a dielectric constant of the third metal layer.
  • (Supplementary note 29) The optical element according to any one of supplementary notes 18 to 23, wherein the thickness of the second metal layer is 50 nm or less.
  • (Supplementary note 30) The optical element according to any one of supplementary notes 18 to 23 and 29, wherein the thickness of the second metal layer is 25 nm or less.
  • (Supplementary note 31) The optical element according to any one of supplementary notes 18 to 23, 29, and 30, wherein the second metal layer includes one of Ag, Al, and Au.
  • (Supplementary note 32) The optical element according to any one of supplementary notes 24 to 28, wherein the thickness of the third metal layer is 50 nm or less.
  • (Supplementary note 33) The optical element according to any one of supplementary notes 24 to 28, 32, wherein the thickness of the third metal layer is 25 nm or less.
  • (Supplementary note 34) The optical element according to any one of supplementary notes 24 to 28, 32, and 33, wherein the third metal layer includes one of Ag, Al, and Au.
  • (Supplementary note 35) The optical element according to any one of supplementary notes 1 to 34, wherein the thickness of the first metal layer is 200 nm or less.
  • (Supplementary note 36) The optical element according to any one of supplementary notes 1 to 35, wherein the thickness of the first metal layer is 30 nm to 100 nm.
  • (Supplementary note 37) The optical element according to any one of supplementary notes 1 to 36, wherein the first metal layer includes one of Ag, Al, and Au.
  • the optical element according to any one of supplementary notes 6 to 11, 24 to 28, and 32 to 34 disposed in (Additional remark 41) It has the angle conversion means to change the advancing direction of light, and the said 5th dielectric layer is located between the said angle conversion means and the said 1st dielectric material layer in the said angle conversion means.
  • phase modulation means for modulating the phase of light
  • the phase modulation means is arranged such that the sixth dielectric layer is located between the phase modulation means and the second dielectric layer.
  • the said light source is an optical apparatus of Additional remark 52 arrange
  • the present invention relates to an optical element, an optical device, and a display device that convert random polarized light into a specific polarization state.
  • the optical element and the optical device of the present invention can be used for a light source unit such as a liquid crystal projector.
  • the display device of the present invention can constitute a liquid crystal projector.

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Abstract

　本発明の光学素子は、第１の誘電体層と、第２の誘電体層と、第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に配置された第１の金属層とを有し、第１の誘電体層は、第１の方向と、第１の方向と交差する第２の方向において異なる屈折率を有することを特徴とする。

Description

光学素子、光学装置および表示装置
　本発明は、ランダム偏光を特定の偏光状態に変換する光学素子、光学装置および表示装置に関する。
　近年、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を光源としたＬＥＤプロジェクタが注目されている。ＬＥＤプロジェクタは、ＬＥＤと、ＬＥＤの出射光が入射される照明光学系と、照明光学系からの光を映像信号に応じて変調して出射する変調素子と、変調素子からの光をスクリーンに投射する投射光学系とを備えている。
　上記のＬＥＤプロジェクタでは、投射画像の輝度を高めるために、光源の出射光を効率良く投射光として利用することが求められている。光源の出射光が効率よく投射光として利用されるためには、光源の発光面積と放射角との積で求められるエテンデューを、変調素子の受光面積と照明光学系のＦナンバーで決まる取り込み角の積の値以下にする必要がある。
　また、上記のＬＥＤプロジェクタでは、液晶パネルなどの偏光依存性を有する変調素子が使用されることがある。この場合、ＬＥＤの出射光はランダム偏光なので、光源の出射光を効率良く投射光として利用するためには、ランダム偏光を、特定の偏光状態に変換する必要がある。
　ランダム偏光を特定の偏光状態に変換する技術は、特許文献１に開示されている。
　特許文献１に記載の平面照明装置は、図２６に示したように、導光体１０と、導光体１０の下面に設けられた偏光方向変更部材１３と、階段状のマイクロプリズム１４と、反射板６と、導光体１０の上面に設けられた偏光分離膜１１と、偏光分離膜１１の上面に設けられた上面カバー１２によって構成される導光板３を備える。また、偏光分離膜１１は、第１の低屈折率透明媒質と第２の低屈折率透明媒質とで金属薄膜を挟んだ構成を有する。
　上記の平面照明装置では、ＬＥＤ２の出射光は、導光体１０に入射され、マイクロプリズム１４にて角度変換されながら導光体１０の内部を伝播する。導光体１０と第１の低屈折率透明媒質との境界である第１の境界において、入射光が全反射すると、そのときに生じるエバネッセント波によって、金属薄膜に表面プラズモンが励起される。金属薄膜に表面プラズモンが励起されると、第２の低屈折率透明媒質と上面カバー１２との境界である第２の境界において、表面プラズモンの励起過程と逆の遷移過程が生じ、その第２の境界で光が発生する。第２の境界で発生した光は、上面カバー１２を介して出射される。
　また、上記の平面照明装置では、第１の境界に入射される光のうち、表面プラズモンを励起する光は、電界成分が第１の境界に平行なＰ偏光のみである。第２の境界で発生する光は、表面プラズモンの励起過程と逆の過程によって生じるので、表面プラズモンを励起する光と同じＰ偏光となる。したがって、上記の平面照明装置は、ランダム偏光を、特定の偏光状態に変換して出射できる。
特開２００３－２９５１８３号公報
　特許文献１の平面照明装置では、導光体１０内を進行する光は、特定の方向だけではなく、様々な方向に伝播され、第１の境界面内に様々な方向から入射する。その結果、金属薄膜表面の面内において様々な方向に伝播する表面プラズモンが生じ、第２の境界で発生する光も様々な方向に出射される。このため、エテンデューが低い状態であって、出射方向を特定の方向に既定した特定の偏光状態の光を得ることが難しいという課題があった。
　本発明の目的は、ランダム偏光を、エテンデューが低い状態であって、出射方向を特定の方向に既定した特定の偏光状態に変換することが可能となる光学素子、光学装置および表示装置を提供することにある。
　本発明の光学素子は、第１の誘電体層と、第２の誘電体層と、第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に配置された第１の金属層とを有し、第１の誘電体層は、第１の方向と、第１の方向と交差する第２の方向において異なる屈折率を有する。
　本発明によれば、ランダム偏光を、出射方向を特定の方向に既定したエテンデューの低い状態である特定の偏光状態に変換することが可能になる。
本発明の第１の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第１の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第２の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第２の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第３の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第３の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第３の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第４の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第４の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第４の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第５の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第５の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第５の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第６の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第６の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第６の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第７の実施形態の光学素子を模式的に示す斜視図である。 本発明の第７の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第７の実施形態の光学素子の動作を説明するための説明図である。 本発明の第８の実施形態の光学装置を模式的に示す斜視図である。 本発明の第９の実施形態の光学装置を模式的に示す斜視図である。 本発明の第１０の実施形態の表示装置を模式的に示す上面図である。 本発明の第１１の実施形態の表示装置を模式的に示す斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る実施例１のシミュレーション結果のグラフである。 本発明の第２の実施形態に係る実施例２のシミュレーション結果のグラフである。 本発明の第３の実施形態に係る実施例３のシミュレーション結果のグラフである。 本発明の第４の実施形態に係る実施例４のシミュレーション結果のグラフである。 本発明の第５の実施形態に係る実施例５のシミュレーション結果のグラフである。 本発明の第６の実施形態に係る実施例６のシミュレーション結果のグラフである。 本発明の第７の実施形態に係る実施例７のシミュレーション結果のグラフである。 特許文献１の平面照明装置の動作を説明する説明図である。
　以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。なお、以下の説明では、同じ機能を有するものには同じ符号を付け、その説明を省略する場合がある。
　〔第１の実施形態〕図１は、本発明の第１の実施形態の光学素子１０１を模式的に示す斜視図である。なお、実際の光学素子では、各層の厚さが非常に薄く、また各層の厚さの違いが大きいので、各層を正確なスケールや比率で図示するのは困難である。このため、図面では各層が実際の比率通りに描かれておらず、模式的に示されている。
　〔構造の説明〕図示しない光源は、光学素子１０１の外周部に配置され、光学素子１０１にランダム偏光を出射する。光源は、光学素子１０１から離れた位置に配置されてもよいし、光学素子１０１と接触するように配置されてもよいし、ライトパイプのような導光部材を介して光学的に光学素子１０１と接続されてもよい。
　光学素子１０１は、導光層１０２と、低屈折率層１０３と、金属層１０４と、複屈折層１０５と、カバー層１０６を有する。
　なお、導光層１０２、低屈折率層１０３、複屈折層１０５およびカバー層１０６が誘電体層に相当する。また、金属層１０４が金属層に相当する。例えば、導光層１０２は第６の誘電体層であり、低屈折率層１０３は第２の誘電体層であり、複屈折層１０５は第１の誘電体層であり、カバー層１０６は第５の誘電体層である。また、例えば、金属層１０４は第１の金属層である。
　本発明の誘電体層は、少なくとも可視光を透過する透明な材料からなり、光を伝播する媒質となる。また、本発明の実施形態の誘電体層は、可視光に対して後述する特定の屈折率を有する。
　本発明の実施形態の複屈折層は、少なくとも可視光に対して光学異方性を有する。さらに、本発明の実施形態の複屈折層のもつ光学異方性が、複屈折層に含まれる複屈折材料に起因する場合、複屈折層は少なくとも異なる２つの屈折率を有する。
　本発明の実施形態の複屈折層が有する２つの屈折率の方向（第１の方向と第２の方向）は、積層方向であるｚ軸方向に平行ではなく、少なくともｚ軸方向に直交する面内方向であるｘ軸方向およびｙ軸方向に成分を有することとする。また、第１の方向と第２の方向は必ずしも直交しなくてもよく、ｘｙ面内で交差すればよい。なお、本発明においては、このような第１の方向と第２の方向の関係を略直交とよぶ。
　本発明の金属層は、少なくとも可視光を透過しない材料からなり、金属層単層では、光を反射する。また、後述するように、本発明の実施形態の金属層は、可視光のエバネッセントによって、表面に表面プラズモンを励起可能な金属で形成される。
　導光層１０２は、光源から出射された光が入射され、その入射された光を内部で伝播する。導光層１０２は、例えば、可視光に対して、屈折率が２．５程度以上３．０程度以下の誘電体で形成される。例としては、ＴｉＯ2（酸化チタン）である。
　なお、導光層１０２の屈折率は、２．２以上あればよく、好ましくは２．５程度以上３．０程度以下であればよい。導光層１０２の厚みは、目安として０．５ｍｍ程度であれば問題なく機能する。ただし、導光層１０２の厚みには、特に限定は加えない。なお、導光層１０２は、複屈折性を有してもよいし、複屈折性を有さなくてもよい。なお、導光層１０２の形状は、本実施形態では平板状としているが、実際には平板状に限定されるものではなく、楔形状や鋸波形状などでもよい。
　なお、本発明の実施形態の光学素子の説明において示す屈折率の数値範囲は、後述する実施例のシミュレーションで用いるＲＣＷＡ法（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｗａｖｅ　Ａｎａｌｙｓｉｓ法）によって効果が確認できた範囲である。
　低屈折率層１０３は、導光層１０２やカバー層１０６の屈折率よりも小さい屈折率をもつ層である。低屈折率層１０３の屈折率は１．６～２．１の範囲にあればよい。低屈折率層１０３は、例えば、可視光に対して屈折率が１．９程度の誘電体で形成される。例としては、Ｙ2Ｏ3（酸化イットリウム）である。なお、低屈折率層１０３の屈折率は１．９程度に限定するわけではない。より詳細には、後述する低屈折率層１０３に発生するエバネッセント１１２のエネルギーが金属層１０４に到達した際に、低屈折率層１０３と金属層１０４との界面に表面プラズモン１１３を励起する程度に、低屈折率層１０３の屈折率は１．９と異なってもよい。
　低屈折率層１０３の厚みは５０ｎｍ程度であれば問題なく機能する。また、低屈折率層１０３の厚みは５０ｎｍ程度以上あってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層１０３に発生するエバネッセント１１２のエネルギーが金属層１０４に到達する程度であればよい。
　金属層１０４は、可視光のエバネッセントによって表面に表面プラズモンを励起可能な金属で形成される。例としては、Ａｇ（銀）である。金属層１０４の厚みは、５０ｎｍ程度である。
　なお、金属層１０４は、Ａｇに限定されず、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）でもよい。より詳細には、後述する低屈折率層１０３と金属層１０４との界面において表面プラズモン１１３を励起すればよい。また、金属層１０４は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕのいずれかを含むものであっても良い。
　なお、金属層１０４の厚みは２００ｎｍ以下であればよく、さらに３０～１００ｎｍの範囲にあることが好ましい。より詳細には、後述する低屈折率層１０３と金属層１０４との界面で発生する表面プラズモン１１３のエネルギーが、金属層１０４と複屈折層１０５との界面に到達する程度に薄ければよい。また、後述する表面プラズモンを励起しないＳ偏光の光を遮断する程度に厚ければよい。
　なお、本発明の実施形態の光学素子の説明において示す金属層（Ａｇ層）の厚みは、実施例のシミュレーションで用いるＲＣＷＡ法（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｗａｖｅ　Ａｎａｌｙｓｉｓ法）によって効果が確認できた厚みである。
　導光層１０２と、低屈折率層１０３と、金属層１０４とで、表面プラズモン励起手段をなす。第１の実施形態の表面プラズモン励起手段は、いわゆるオットー配置と呼ばれる構成である。第１の実施形態の表面プラズモン励起手段では、導光層１０２内を伝播する光が、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面で全反射する際に発生するエバネッセント１１２によって、低屈折率層１０３と金属層１０４との界面に表面プラズモン１１２を励起する。
　また、複屈折層１０５は、光学異方性をもちさえすればよく、複屈折材料とそれ以外の材料が混合されていても良い。ただし、複屈折層１０５に光学異方性を持たせるために、複屈折層１０５は複屈折材料のみからなるのが望ましい。
　一般に、複屈折材料などの光学異方性を含む非等方性の媒質中において、光は、その光の振動面の向きに応じて異なる速度で進行する。そのため、複屈折材料を含む媒質に入射した光は、２つの方向に屈折される。２つの方向に屈折された光は、光学軸と波面法線によってできる主断面に垂直に振動する通常光線と、平行に振動する異常光線に分かれる。通常光線は、ほぼ光軸上に出射されるのに対し、異常光線は、光軸からずれて出射される。複屈折の大きさは、通常光線と異常光線の位相差から検出でき、異常光線に対する屈折率ｎeと、通常光線に対する屈折率ｎoとの差が大きいほど大きくなる。
　複屈折層１０５は、異なる２つの屈折率をもつ。複屈折層１０５は、例えば、可視光の通常光線に対しての屈折率ｎoが１．９程度であり、異常光線に対しての屈折率ｎeが２．２程度の誘電体で形成される。例としては、ＹＶＯ4（イットリウム・バナデート）結晶である。複屈折層１０５の厚みは５０ｎｍ程度である。
　なお、複屈折層１０５のｎoは、低屈折率層１０３の屈折率と同じである。このようにすることで、低屈折率層１０３と金属層１０４との間の誘電率関係と、複屈折層１０５の通常光線に対する誘電率と金属層１０４との間の誘電率関係とが一致する。このように誘電率関係が一致すると、低屈折率層１０３と金属層１０４との界面で発生した表面プラズモン１１３のエネルギーが、複屈折層１０５と金属層１０４との界面において、効率よく表面プラズモン１１４を発生させることができる。なお、複屈折層１０５のｎoと低屈折率層１０３の屈折率は完全に一致する必要はない。複屈折層１０５のｎoと低屈折率層１０３の屈折率は、表面プラズモン１１３のエネルギーによって、表面プラズモン１１４を発生させることができる程度に略等しければよい。
　なお、複屈折層１０５のｎoは、低屈折率層１０３の屈折率と異なってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層１０３と金属層１０４との界面で発生した表面プラズモン１１３のエネルギーが、複屈折層１０５と金属層１０４との界面において、表面プラズモン１１４を発生させる程度に異なってもよい。
　また、複屈折層１０５のｎeは、２．２に限定されず、異なってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層１０３と金属層１０４との界面で発生した表面プラズモン１１３のエネルギーが、複屈折層１０５と金属層１０４との界面において、表面プラズモンを発生させない程度に異なってもよい。
　なお、複屈折層１０５の厚みは、５０ｎｍ程度以上あってもよい。より詳細には、後述する複屈折層１０５と金属層１０４との界面で発生した表面プラズモン１１４からエバネッセント１１５を介してカバー層１０６内に光１１６を発生させる程度に薄ければよい。
　カバー層１０６は、可視光に対しての屈折率が２．２以上あればよく、好ましくは２．５以上３．０程度以下の誘電体で形成される。例としては、ＴｉＯ2（酸化チタン）である。なお、カバー層１０６は複屈折性を有してもよいし、複屈折性を有さなくてもよい。
　なお、カバー層１０６の屈折率は、導光層１０２の屈折率と同じであることが望ましい。こうすることで、導光層１０２と低屈折率層１０３との間の屈折率関係と、カバー層１０６と複屈折層１０５の通常光線に対する屈折率との間の屈折率関係とが一致する。このように屈折率関係が一致すると、複屈折層１０５と金属層１０４との界面で発生した表面プラズモン１１４から効率良く光１１６を発生させることができる。ただし、カバー層１０６の屈折率は、導光層１０２の屈折率と全く一致するとは限定しない。カバー層１０６の屈折率と導光層１０２の屈折率は、表面プラズモン１１４から光１１６を発生させることができる程度に略等しければよい。
　金属層１０４と複屈折層１０５とカバー層１０６とで、光発生手段をなす。光発生手段は、金属層１０４と複屈折層１０５との界面に発生する表面プラズモン１１４によって光１１６を発生させて取出す。
　なお、低屈折率層、導光層、カバー層はいずれも、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3のいずれかを含むものであっても良い。
　また、光学素子１０１は、例えば、以下のような手順で製造することができる。
　ＴｉＯ2の上に、スパッタ等の蒸着法やオプティカルボンディング等の接合法でＹ2Ｏ3、Ａｇ、ＹＶＯ4、ＴｉＯ2を形成する。ただし、第１の実施形態の光学素子１０１の製造方法は、蒸着法や接合法に限定されない。
　図２Ａ及び図２Ｂは、図１に示す光学素子１０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図２Ａは、光学素子１０１のｙ軸に直交する断面を示す。導光層１０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。なお、複屈折層１０５のｚｘ面内における屈折率はｎoである。
　図２Ｂは、光学素子１０１のｘ軸に直交する断面を示す。導光層１０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示し、光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。なお、複屈折層１０５のｙｚ面内における屈折率はｎeである。
　〔動作の説明〕次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　表面プラズモンは、金属と誘電体の界面を伝播する電子の集団の疎密波である。表面プラズモンの波数と角周波数の関係である分散関係は、界面の金属および誘電体の誘電率から決定される。表面プラズモンの分散関係が誘電体中を伝播する光の分散関係と一致する場合、すなわち、誘電体中の光の波数が表面プラズモンの波数と等しくなる場合、その光によって表面プラズモンが励起される。
　しかしながら、金属と誘電体との界面のみの場合、表面プラズモンの分散関係と誘電体中の光の分散関係は通常一致しない。そのため、単に光を誘電体から金属に入射しただけでは表面プラズモンは励起されない。したがって、表面プラズモンを励起させるためには、誘電体中の光の分散関係を変化させて、表面プラズモンの分散関係と誘電体中の光の分散関係とを一致させる必要がある。
　光の分散関係を変化させて表面プラズモンを励起させる方法としては、ＡＴＲ法（全反射減衰法）が知られている。ここでＡＴＲ法について説明する。屈折率の高い領域を伝播する光は、屈折率の高い領域と屈折率の低い領域との界面で全反射し、屈折率の低い領域に、屈折率の高い領域と屈折率の低い領域との屈折率の大小関係に起因するエバネッセントを発生させる。また、その光は、エバネッセントと、屈折率の低い領域と金属との界面での表面プラズモンとの波数が一致すると、屈折率の低い領域と金属との界面に、屈折率の低い領域と金属との誘電率の関係に起因する表面プラズモンを励起する。
　ここで、表面プラズモンは疎密波であることに起因して、表面プラズモンを励起可能な入射光は、電場の振動方向が、屈折率の高い領域と屈折率の低い領域との界面における入射面に平行なＰ偏光である。それに対し、電場の振動方向が、屈折率の高い領域と屈折率の低い領域との界面における入射面に垂直なＳ偏光の光は、屈折率の低い領域と金属との界面に表面プラズモンを励起せず、屈折率の高い領域と屈折率の低い領域との界面で全反射するか、または金属で遮断、反射される。
　したがって、図２Ａの光Ａは、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント１１２を介して、低屈折率層１０３と金属層１０４との界面にｘ方向に伝播する表面プラズモン１１３を励起する。ここで、この遷移過程を順過程と呼ぶ。
　低屈折率層１０３と金属層１０４との界面に生じた表面プラズモン１１３のエネルギーは、金属層１０４が充分に薄いために、金属層１０４と複屈折層１０５との界面に到達する。ここで、複屈折層１０５のｚｘ面内の屈折率はｎoで、かつ低屈折率層１０３の屈折率と同じである。そのため、導光層１０２と低屈折率層１０３と金属層１０４との間の誘電率の関係と、カバー層１０６と複屈折層１０５と金属層１０４との間の誘電率の関係が等しくなり、順過程の反対の逆過程が生じる。
　すなわち、逆過程が生じることによって、表面プラズモン１１３と同じ波数をもった表面プラズモン１１４が、金属層１０４と複屈折層１０５との界面に生じ、エバネッセント１１５を介して、カバー層１０６に、光Ａと同じ偏光成分を有する光１１６を発生させる。
　また、光Ｂは、Ｓ偏光であるので、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面に表面プラズモンを発生させず、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面で全反射するか、または低屈折率層１０３を透過して金属層１０４で反射される。
　また、図２Ｂの光Ｃは、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント１２２を介して、低屈折率層１０３と金属層１０４との界面にｙ方向に伝播する表面プラズモン１２３を励起する。表面プラズモン１２３のエネルギーは、金属層１０４が充分に薄いために、金属層１０４と複屈折層１０５との界面に到達する。
　ここで、複屈折層１０５のｙｚ面内の屈折率はｎeで、低屈折率層１０３の屈折率と異なるので、導光層１０２と低屈折率層１０３と金属層１０４との間の誘電率の関係と、カバー層１０６と複屈折層１０５と金属層１０４との間の誘電率の関係が異なる。そのため、表面プラズモン１２３の波数と、表面プラズモン１２４の波数とが一致せず、エネルギーの授受が行われない。
　また、光Ｄは、Ｓ偏光であるので、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面に表面プラズモンを発生させず、導光層１０２と低屈折率層１０３との界面で全反射するか、または低屈折率層１０３を透過して金属層１０４で反射される。
　〔作用・効果の説明〕以上のことから、導光層１０２内に存在する光のうち、光Ａだけが表面プラズモンを介してカバー層１０６から取出される。
　すなわち、複屈折層１０５が存在することにより、ｘ方向に特定の波数を有する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を主成分とする出射光を得ることができる。
　なお、導光層１０２と、低屈折率層１０３と、金属層１０４と、複屈折層１０５と、カバー層１０６は所定の方向に向かって積層されていれば良く、導光層１０２に光が入射したときにカバー層１０６から光が出射される程度に重なって積層されていれば良い。
　なお、ｚｘ方向以外に伝搬する光が導光層１０２と低屈折率層１０３との界面に様々な角度で入射した場合でも、その光をｚｘ平面に射影した射影光の入射角度が、表面プラズモンの励起条件を満たす角度であれば、特定の偏光成分を有する光を得ることができる。
　その場合、まず、光Ａと同様に、ｘ方向に平行な偏光成分によって、ｘ方向に特定の波数を有する表面プラズモンが低屈折率層１０３と金属層１０４との界面に励起される。さらに、金属層１０４と複屈折層１０５との界面にエネルギーが到達して、カバー層１０６内に、ｘ方向に特定の偏光成分を有する光として取出される。
　このように、第１の実施形態では、複屈折層１０５を用いることで、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光１１６が得られる。
　〔第２の実施形態〕図３は、本発明の第２の実施形態の光学素子２０１を模式的に示す斜視図である。図３に示す光学素子２０１は、図１に示した第１の実施形態の光学素子１０１と比べると、複屈折層１０５の代わりに低屈折率層２０５を、カバー層１０６の代わりに複屈折層２０６を備えている。
　なお、導光層２０２、低屈折率層２０３、２０５および複屈折層２０６が誘電体層に相当する。また、金属層２０４が金属層に相当する。例えば、導光層２０２は第２の誘電体層であり、低屈折率層２０３は第４の誘電体層であり、低屈折率層２０５は第３の誘電体層であり、複屈折層２０６は第１の誘電体層である。また、例えば、金属層２０４は第１の金属層である。
　導光層２０２は、第１の実施形態と同様の構成である。導光層２０２の屈折率は１．９以上あればよい。導光層２０２は、例えば、可視光に対して屈折率が２．２程度の誘電体で形成される。例としては、ＣｅＯ2（酸化セリウム）である。なお、導光層２０２の屈折率は２．２程度に限定するわけではない。
　低屈折率層２０３は、第１の実施形態と同様の構成である。低屈折率層２０３の屈折率は１．５～２．１の範囲にあればよい。例えば、可視光に対して屈折率が１．７程度の誘電体で形成される。低屈折率層２０３は、例としては、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）である。なお、低屈折率層２０３の屈折率は１．７程度に限定するわけではない。
　低屈折率層２０３の厚みは５０ｎｍ程度であれば問題なく機能する。また、低屈折率層２０３の厚みは５０ｎｍ程度以上あってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層２０３に発生するエバネッセント２１２のエネルギーが金属層２０４に到達する程度であればよい。
　低屈折率層２０５は、低屈折率層２０３と同じ材料や材質からなる。低屈折率層２０５と低屈折率層２０３の屈折率が一致すると、低屈折率層２０３と金属層２０４との間の誘電率関係と、低屈折率層２０５と金属層２０４との間の誘電率関係とが一致する。このように誘電率関係が一致すると、後述する金属層２０４と低屈折率層２０５との界面において、表面プラズモン２１４を効率良く励起することができる。なお、低屈折率層２０５の屈折率は、低屈折率層２０３の屈折率と同じであることが望ましいが、全く同じであるとは限定されない。低屈折率層２０５の屈折率と低屈折率層２０３の屈折率は、表面プラズモン２１４を励起することができる程度に略等しければよい。
　低屈折率層２０５の厚みは５０ｎｍ程度であれば問題なく機能する。また、低屈折率層２０３の厚みは５０ｎｍ程度以上あってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層２０５と金属層２０４との界面で発生した表面プラズモン２１４からエバネッセント２１５を介して光２１６を発生させる程度であればよい。
　複屈折層２０６は、異なる２つの屈折率をもつ。複屈折層２０６は、可視光の通常光線に対しての屈折率ｎoが１．９程度であり、異常光線に対しての屈折率ｎeが２．２程度の誘電体で形成される。例としては、ＹＶＯ4結晶を用いることができる。
　なお、複屈折層２０６のｎoは、１．９に限定されず、異なってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層２０３と金属層２０４との界面で発生した表面プラズモン２１３のエネルギーが、低屈折率層２０５と金属層２０４との界面において、表面プラズモンを発生させない程度に異なってもよい。
　なお、複屈折層２０６のｎeは、２．２に限定されず、異なってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層２０３と金属層２０４との界面で発生した表面プラズモン２１３のエネルギーが、低屈折率層２０５と金属層２０４との界面において、表面プラズモン２１４を発生させる程度に異なってもよい。
　図４Ａ及び図４Ｂは、図３に示す光学素子２０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図４Ａは、光学素子２０１のｙ軸に直交する断面を示す。導光層２０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。なお、複屈折層２０６のｚｘ面内における屈折率はｎeである。
　図４Ｂは、光学素子２０１のｘ軸に直交する断面を示す。導光層２０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示す。光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。なお、複屈折層２０６のｙｚ面内における屈折率はｎoである。
　次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　図４Ａの光Ｂと、図４Ｂの光Ｄの動作は第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。
　図４Ａの光Ａは、導光層２０２と低屈折率層２０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント２１２を介して、低屈折率層２０３と金属層２０４との界面にｘ方向に伝播する表面プラズモン２１３を励起する。ここで、この遷移過程を順過程と呼ぶ。なお、第２の実施形態の順過程は、第１の実施形態の順過程と同様の過程である。
　表面プラズモン２１３のエネルギーは、金属層２０４が充分に薄いために、金属層２０４と低屈折率層２０５との界面に到達する。
　ここで、複屈折層２０６のｚｘ面内の屈折率はｎeであり、導光層２０２の屈折率と同じである。そのため、導光層２０２と低屈折率層２０３と金属層２０４との間の誘電率の関係と、複屈折層２０６と低屈折率層２０５と金属層２０４との間の誘電率の関係が等しくなり、順過程の反対の逆過程が生じる。なお、第２の実施形態の逆過程は、第１の実施形態の逆過程と同様の過程である。
　すなわち、逆過程が生じることによって、表面プラズモン２１３と同じ波数をもった表面プラズモン２１４が、金属層２０４と低屈折率層２０５との界面に生じ、エバネッセント２１５を介して、複屈折層２０６に、ｚｘ面内に伝播する光２１６を発生させる。
　なお、複屈折層２０６のｎeと導光層２０２の屈折率は完全に一致する必要はない。複屈折層２０６のｎeと導光層２０２の屈折率は、表面プラズモン２１４がエバネッセント２１５を介して光２１６を発生させる程度に略等しければよい。
　また、Ｂの光Ｃは、導光層２０２と低屈折率層２０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント２２２を介して、低屈折率層２０３と金属層２０４との界面にｙ方向に伝播する表面プラズモン２２３を励起する。低屈折率層２０３と金属層２０４との界面に生じた表面プラズモン２２３のエネルギーは、金属層２０４が充分に薄いために、金属層２０４と低屈折率層２０５との界面に到達する。
　ここで、複屈折層２０６のｙｚ面内の屈折率はｎoで、導光層２０２の屈折率と異なる。そのため、導光層２０２と低屈折率層２０３と金属層２０４との間の誘電率の関係と、複屈折層２０６と低屈折率層２０５と金属層２０４との間の誘電率の関係が異なる。従って、低屈折率層２０５と金属層２０４との界面で発生した表面プラズモン２２４から、エバネッセントを介して光を発生させることができない。
　すなわち、複屈折層２０６が存在することにより、ｘ方向に特定の波数を有する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を主成分とする出射光として得ることができる。
　このように、第２の実施形態では、第１の実施形態のカバー層１０６および複屈折層１０５を、それぞれ複屈折層２０６および低屈折率層２０５と置き換えたものの、第１の実施形態の同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光２１６が得られる。
　〔第３の実施形態〕図５は、本発明の第３の実施形態の光学素子３０１を模式的に示す斜視図である。図５に示す光学素子３０１は、図１に示した第１の実施形態の光学素子１０１と比べると、低屈折率層１０３の代わりに複屈折層３０３を備えている。
　なお、導光層３０２、複屈折層３０３、３０５およびカバー層３０６が誘電体層に相当する。また、金属層３０４が金属層に相当する。例えば、導光層３０２は第６の誘電体層であり、複屈折層３０３は第２の誘電体層であり、複屈折層３０５は第１の誘電体層であり、カバー層３０６は第５の誘電体層である。また、例えば、金属層３０４は第１の金属層である。
　複屈折層３０３、３０５は、異なる２つの屈折率をもつ。また、複屈折層３０３は、複屈折層３０５と同じ材料や材質からなる。なお、複屈折層３０３は、複屈折層３０５と異なってもよい。より詳細には、後述するｚｘ面内のＰ偏光の光Ａで複屈折層３０３と金属層３０４との界面に表面プラズモン３１３を励起し、ｙｚ面内のＰ偏光の光Ｃで複屈折層３０３と金属層３０４との界面に表面プラズモンを励起しない程度に異なってもよい。
　図６Ａ及び図６Ｂは、図５に示す光学素子３０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図６Ａは、光学素子３０１のｙ軸に直交する断面を示す。導光層３０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。なお、複屈折層３０３、３０５のｚｘ面内における屈折率はｎoである。
　図６Ｂは、光学素子３０１のｘ軸に直交する断面を示す。導光層３０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示す。光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。なお、複屈折層３０３、３０５のｙｚ面内における屈折率はｎeである。
　次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　図６Ａの光Ａ、光Ｂと、図６Ｂの光Ｄの動作は、第１の実施形態と同じであり、説明を省略する。また、図６Ａ及び図６Ｂ中のエバネッセント３１２、３１５および表面プラズモン３１３、３１４という記載については、本実施形態中では使用していない。
　図６Ｂの光Ｃは、導光層３０２と複屈折層３０３との界面において全反射してエバネッセント３２２を発生させる際に、エバネッセント３２２の波数と、複屈折層３０３と金属層３０４との界面における表面プラズモンの波数とが一致しない。そのため、光Ｃは、表面プラズモンを励起せず、導光層３０２に戻るか、または複屈折層３０３を透過して金属層３０４で反射される。
　すなわち、複屈折層３０３、３０５が存在することにより、ｘ方向に特定の波数を有する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を主成分とする出射光を得ることができる。
　また、第３の実施形態の光学素子３０１は、第１の実施形態の光学素子１０１に比べて、光取出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制することで、損失を低下させることができる。そのため、後述する位相変調手段や反射手段と組合せて用いる際に、光利用効率を上げることができる。
　このように、第３の実施形態では、第１の実施形態における低屈折率層１０３を複屈折層３０３に置き換えたものの、第１の実施形態と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光３１６が得られる。
　〔第４の実施形態〕図７は、本発明の第４の実施形態の光学素子４０１を模式的に示す斜視図である。図７に示す光学素子４０１は、図３に示した第２の実施形態の光学素子２０１と比べると、導光層２０２の代わりに複屈折層４０２を備えている。
　なお、複屈折層４０２、４０６、低屈折率層４０３、４０５が誘電体層に相当する。また、金属層４０４が金属層に相当する。例えば、複屈折層４０２は第２の誘電体層であり、低屈折率層４０３は第４の誘電体層であり、低屈折率層４０５は第３の誘電体層であり、複屈折層４０６は第１の誘電体層である。また、例えば、金属層４０４は第１の金属層である。
　複屈折層４０２、４０６は、異なる２つの屈折率をもつ。また、複屈折層４０２は、複屈折層４０６と同じ材料や材質からなる。なお、複屈折層４０２は、複屈折層４０６と異なってもよい。より詳細には、後述するｚｘ面内のＰ偏光の光Ａで低屈折率層４０３と金属層４０４との界面に表面プラズモン４１３を励起し、ｙｚ面内のＰ偏光の光Ｃで低屈折率層４０３と金属層４０４との界面に表面プラズモンを励起しない程度に異なってもよい。
　図８Ａ及び図８Ｂは、図７に示す光学素子４０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図８Ａは、光学素子４０１のｙ軸に直交する断面を示す。複屈折層４０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。なお、複屈折層４０２、４０６のｚｘ面内における屈折率はｎeである。
　図８Ｂは、光学素子４０１のｘ軸に直交する断面を示す。複屈折層４０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示す。光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。なお、複屈折層４０２、４０６のｙｚ面内における屈折率はｎoである。
　次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　図８Ａの光Ａ、光Ｂと、図８Ｂの光Ｄの動作は、第２の実施形態と同じであり、説明を省略する。また、図８Ａ及び図８Ｂ中のエバネッセント４１２、４１５および表面プラズモン４１３、４１４という記載については、本実施形態中では使用していない。
　図８Ｂの光Ｃは、複屈折層４０２と低屈折率層４０３との界面において全反射してエバネッセント４２２を発生させる際に、エバネッセント４２２の波数と、低屈折率層４０３と金属層４０４との界面における表面プラズモンの波数とが一致せず、表面プラズモンを励起しない。そのため、光Ｃは、複屈折層４０２に戻るか、または低屈折率層４０３を透過して金属層４０４で反射される。
　すなわち、複屈折層４０２、４０６が存在することにより、ｘ方向に伝播する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を出射光として得ることができる。
　また、第４の実施形態の光学素子４０１では、第２の実施形態の光学素子２０２に比べて、光取出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制することで、損失を低下させることができる。そのため、第３の実施形態と同様に、後述する位相変調手段や反射手段と組合せて用いる際に、光利用効率を上げることができる。
　このように、第４の実施形態では、第２の実施形態における導光層２０２を複屈折４０２に置き換えたものの、第２の実施形態と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光４１６が得られる。
　〔第５の実施形態〕図９は、本発明の第５の実施形態の光学素子５０１を模式的に示す斜視図である。図９に示す第５の実施形態の光学素子には、第１～４の実施形態の光学素子と異なり、金属からなる層が２つ含まれている。
　図示しない光源は、光学素子５０１の外周部に配置され、光学素子５０１にランダム偏光を出射する。光源は、光学素子５０１から離れた位置に配置されてもよいし、光学素子５０１と接触するように配置されてもよいし、ライトパイプのような導光部材を介して光学的に光学素子５０１と接続されてもよい。
　光学素子５０１は、導光層５０２と、金属層５０３と、低屈折率層５０４と、金属層５０５と、複屈折層５０６を有する。
　なお、導光層５０２、低屈折率層５０４および複屈折層５０６が誘電体層に相当する。さらに、上記の誘電体層は、低屈折率層５０４と複屈折層５０６との間に、金属層５０５を含む。また、金属層５０３が金属層に相当する。例えば、導光層５０２は第２の誘電体層であり、低屈折率層５０４は第８の誘電体層であり、複屈折層５０６は第１の誘電体層である。また、例えば、金属層５０３は第３の金属層であり、金属層５０５は第１の金属層である。
　導光層５０２は、第１の実施形態と同様の構成であり、光源から出射された光が入射され、その入射された光を内部で伝播する。導光層５０２の屈折率は、２．１以上あればよい。導光層５０２は、例えば、可視光に対して、屈折率が２．２程度の誘電体で形成される。例としては、ＣｅＯ2である。なお、導光層５０２の屈折率は、２．２程度に限定するわけではない。導光層５０２は、複屈折性を有してもよいし、複屈折性を有さなくてもよい。なお、導光層５０２の形状は、本実施形態では平板状としているが、実際には平板状に限定されるものではなく、楔形状や鋸波形状などでもよい。
　金属層５０３、５０５は、第１の実施形態と同様に、可視光のエバネッセントによって表面に表面プラズモンを励起可能な金属で形成される。例としてはＡｇ（銀）である。なお、金属層５０３、５０５は、Ａｇに限定されず、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）でもよい。より詳細には、後述する金属層５０３と低屈折率層５０４との界面において表面プラズモン５１３を励起すればよい。
　金属層５０３の厚みは１００ｎｍ以下であればよく、より好ましくは１２．５～５０ｎｍの範囲であればよい。また、金属層５０５の厚みは５０ｎｍ以下であればよく、より好ましくは２５ｎｍ以下であればよい。なお、金属層５０３、５０５の厚みは、２５ｎｍ程度であれば、本発明の実施形態の効果を得ることができる。より詳細には、後述する金属層５０３と低屈折率層５０４との界面で発生する表面プラズモン５１３のエネルギーが、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面に到達し、複屈折層５０６に光５１６を発生する程度に金属層５０３、５０５の厚みが薄ければよい。または、上述の光５１６が発生する程度に、金属層５０３と金属５０５の誘電率が近ければよい。
　また、金属層５０３、５０５の厚みは、１０ｎｍ程度であってもよい。詳細には、後述する表面プラズモンを励起しないＳ偏光の光を遮断する程度に金属層５０３、５０５の厚みが厚くてもよい。または、上述のＳ偏光の光を遮断する程度に金属層５０３と金属層５０５の誘電率が異なってもよい。
　また、金属層５０３と金属層５０５は異なってもよい。金属層５０３の誘電率と金属層５０５の誘電率は、後述するように、表面プラズモン５１３によって表面プラズモン５１４が励起される程度に略等しければよい。
　低屈折率層５０４は、導光層５０２よりも小さい屈折率をもつ層である。低屈折率層５０４の屈折率は、１．６～１．８の範囲にあればよい。低屈折率層５０４は、例えば、可視光に対して、屈折率が１．７程度の誘電体で形成される。例としては、Ａｌ2Ｏ3である。なお、低屈折率層５０４の屈折率は１．７程度に限定するわけではない。より詳細には、後述する金属層５０３と低屈折率層５０４との界面において、エバネッセント５１３を介して表面プラズモンが励起される程度であればよい。
　低屈折率層５０４の厚みは、５０ｎｍ程度であれば、本発明の実施形態の効果を得ることができる。なお、低屈折率層５０４の厚みは５０ｎｍ程度以上あってもよい。より詳細には、後述する金属層５０３と低屈折率層５０４との界面に発生する表面プラズモン５１３のエネルギーが、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面に到達する程度の厚みであればよい。
　導光層５０２と、金属層５０３と、低屈折率層５０４とで、表面プラズモン励起手段をなす。第５の実施形態の表面プラズモン励起手段は、いわゆるクレッチマン配置と呼ばれる構成である。導光層５０２内を伝播する光が、導光層５０２と金属層５０３との界面で全反射する際に発生するエバネッセント５１２によって、金属層５０３と低屈折率層５０４との界面に表面プラズモン５１３を励起する。
　複屈折層５０６は、異なる２つの屈折率をもつ。例えば、複屈折層５０６は、可視光の通常光線に対しての屈折率ｎoが１．９程度であり、異常光線に対しての屈折率ｎeが２．２程度の誘電体で形成される。例としては、ＹＶＯ4（イットリウム・バナデート）結晶である。
　なお、複屈折層５０６のｎoは、１．９程度に限定されず異なってもよい。より詳細には、後述する低屈折率層５０４と金属層５０５との界面で発生した表面プラズモン５１４のエネルギーが、複屈折層５０６内に光５１６を発生させる程度に異なってもよい。
　なお、複屈折層５０６のｎeは、２．２に限定されず、異なってもよい。より詳細には、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面で発生した表面プラズモン５１４のエネルギーが、複屈折層５０６内に光を発生させない程度に異なってもよい。
　低屈折率層５０４と金属層５０５と複屈折層５０６とで、光発生手段をなす。光発生手段は、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面に発生する表面プラズモン５１４によって光５１６を発生させて取出す。
　また、光学素子５０１は、例えば、以下のような手順で製造することができる。
　ＣｅＯ2の上に、スパッタ等の蒸着法やオプティカルボンディング等の接合法でＡｇ、Ａｌ2Ｏ3、Ａｇ、ＹＶＯ4を形成する。ただし、第５の実施形態の光学素子５０１の製造方法は、蒸着法や接合法に限定されない。
　図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９に示す光学素子５０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図１０Ａは、光学素子５０１のｙ軸に直交する断面を示す。導光層５０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。複屈折層５０６のｚｘ面内における屈折率はｎoである。
　図１０Ｂは、光学素子５０１のｘ軸に直交する断面を示す。導光層５０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示す。光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。複屈折層５０６のｙｚ面内における屈折率はｎeである。
　次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　図１０Ａの光Ａは、導光層５０２と金属層５０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント５１２を介して、金属層５０３と低屈折率層５０４との界面において、ｘ方向に伝播する表面プラズモン５１３を励起する。ここで、この遷移過程を順過程と呼ぶ。
　金属層５０３と低屈折率層５０４との界面に生じた表面プラズモン５１３のエネルギーは、低屈折率層５０４が充分に薄いために、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面に到達する。ここで、金属層５０３と金属層５０５は同じ材料なので、導光層５０２と金属層５０３と低屈折率層５０４との間の誘電率の関係と、複屈折層５０６と金属層５０５と低屈折率層５０４との間の誘電率の関係が等しくなり、順過程の反対の逆過程が生じる。
　すなわち、逆過程が生じることによって、表面プラズモン５１３と同じ波数をもった表面プラズモン５１４が、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面に生じ、エバネッセント５１５を介して、複屈折層５０６に、ｚｘ面内に伝播する光５１６が発生する。
　なお、複屈折層５０６のｎeと導光層５０２の屈折率は、完全に一致する必要はない。複屈折層５０６のｎeと導光層５０２の屈折率は、表面プラズモン５１３によって励起された表面プラズモン５１４がエバネッセント５１５を介して光５１６を発生させることができる程度に、略等しければよい。
　また、光Ｂは、Ｓ偏光であるので、金属層５０３と低屈折率層５０４との界面に表面プラズモンを発生させず、金属層５０３で反射される。
　また、図１０Ｂの光Ｃは、導光層５０２と金属層５０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント５２２を介して、金属層５０３と低屈折率層５０４との界面にｙ方向に伝播する表面プラズモン５２３を励起する。
　表面プラズモン５２３のエネルギーは、低屈折率層５０４が充分に薄いために、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面に到達し、表面プラズモン５２４を励起する。
　ここで、複屈折層５０６のｙｚ面内の屈折率はｎoで、導光層５０２の屈折率と異なるので、導光層５０２と金属層５０３と低屈折率層５０４との間の誘電率の関係と、複屈折層５０６と金属層５０５と低屈折率層５０４との間の誘電率の関係が異なる。そのため、表面プラズモン５２４から光を発生させることができない。
　また、光Ｄは、Ｓ偏光であるので、導光層５０２と金属層５０３との界面に表面プラズモンを発生させず、金属層５０３で反射される。
　以上のことから、導光層５０２内に存在する光のうち、光Ａだけが表面プラズモンを介して取出される。
　すなわち、複屈折層５０６が存在することにより、ｘ方向に伝播する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を主成分とする出射光を得ることができる。
　なお、ｚｘ方向以外に伝搬する光が導光層５０２と金属層５０３との界面に入射した場合でも、その光をｚｘ平面に射影した射影光の入射角度が表面プラズモンの励起条件を満たす角度であれば、特定の方向の偏光成分を有する光を得ることができる。その場合、まず、光Ａと同様に、ｘ方向に平行な偏光成分によって、ｘ方向に特定の波数を有する表面プラズモンが金属層５０３と低屈折率層５０４との界面に励起される。その結果、低屈折率層５０４と金属層５０５との界面にエネルギーが到達して、複屈折層５０６内に、ｘ方向に特定の偏光成分を有する光として取出される。
　このように、第５の実施形態の光学素子５０１は、第１の実施形態の光学素子１０１とは異なり、２層の金属層からなるものの、第１の実施形態と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光５１６が得られる。
　〔第６の実施形態〕図１１は、本発明の第６の実施形態の光学素子６０１を模式的に示す斜視図である。図１１に示す光学素子６０１は、図９に示した第５の実施形態の光学素子５０１と比べると、低屈折率層５０４の代わりに複屈折層６０４を、複屈折層５０６の代わりにカバー層６０６を備えている。
　なお、導光層６０２、複屈折層６０４およびカバー層６０６が誘電体層に相当する。さらに、上記の誘電体層は、複屈折層６０４とカバー層６０６の間に、金属層６０５を含む。また、金属層５０３が金属層に相当する。例えば、導光層６０２は第２の誘電体層であり、複屈折率層６０４は第１の誘電体層であり、カバー層６０６は第７の誘電体層である。また、例えば、金属層６０３は第１の金属層であり、金属層６０５は第２の金属層である。
　複屈折層６０４は、異なる２つの屈折率をもつ。例えば、複屈折層６０４は、可視光の通常光線に対しての屈折率ｎoが１．９程度であり、異常光線に対しての屈折率ｎeが２．２程度の誘電体で形成される。例としては、ＹＶＯ4結晶である。
　なお、複屈折層６０４のｎoは、１．９に限定されず、異なってもよい。より詳細には、後述する金属層６０３と複屈折層６０４との界面で発生した表面プラズモン６１３のエネルギーが、金属層６０５とカバー層６０４との界面において、表面プラズモン６１４を発生させる程度に異なってもよい。
　また、複屈折層６０４のｎeは、２．２に限定されず、異なってもよい。より詳細には、後述する金属層６０３と複屈折層６０４との界面において、表面プラズモンを発生させない程度に異なってもよい。
　なお、複屈折層６０４の厚みは５０ｎｍ程度以上あってもよい。より詳細には、後述する金属層６０３と複屈折層６０４との界面で発生した表面プラズモン６１３のエネルギーが、複屈折層６０４と金属層６０５との界面に到達する程度の厚みであればよい。
　カバー層６０６は、導光層６０２と同じ材料や材質からなる。こうすることで、導光層６０２と複屈折層６０４との間の屈折率関係と、カバー層６０６と複屈折層６０４との間の屈折率関係とが一致する。そのため、複屈折層６０４と金属層６０５との界面で発生した表面プラズモン６１４から効率良く光６１６を発生させることができる。また、カバー層６０６の屈折率は、複屈折層６０４のｎoよりも大きい。なお、カバー層６０６の屈折率は、導光層６０２の屈折率と同じであると限定されないカバー層６０６の屈折率と導光層６０２の屈折率は、表面プラズモン６１４から光６１６を発生させることができる程度に略等しければよい。
　導光層６０２およびカバー層６０６の屈折率は、２．６以上あればよい。
　金属層６０３の厚みは、１００ｎｍ以下であればよく、より好ましくは１２．５～５０ｎｍの範囲であればよい。また、金属層６０５の厚みは、５０ｎｍ以下であればよく、より好ましくは２５ｎｍ以下であればよい。
　図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１１に示す光学素子６０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図１２Ａは、光学素子６０１のｙ軸に直交する断面を示す。導光層６０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。複屈折層６０４のｚｘ面内における屈折率はｎoである。
　図１２Ｂは、光学素子６０１のｘ軸に直交する断面を示す。導光層６０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示す。光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。複屈折層６０４のｙｚ面内における屈折率はｎeである。
　次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　図１２Ａの光Ｂと図１２Ｂの光Ｄの動作は第５の実施形態と同じであり、説明を省略する。
　図１２Ａの光Ａは、導光層６０２と金属層６０３との界面に対して特定の入射角の際に、エバネッセント６１２を介して、金属層６０３と複屈折層６０４との界面において、ｘ方向に伝播する表面プラズモン６１３を励起する。ここで、この遷移過程を順過程と呼ぶ。
　表面プラズモン６１３のエネルギーは、複屈折層６０４が充分に薄いために、複屈折層６０４と金属層６０５との界面に到達する。ここで、導光層６０２の屈折率は、カバー層６０６の屈折率と同じなので、導光層６０２と金属層６０３と複屈折層６０４との間の誘電率の関係と、カバー層６０６と金属層６０５と複屈折層６０４との間の誘電率の関係が等しくなり、順過程の反対の逆過程が生じる。
　すなわち、逆過程が生じることによって、表面プラズモン６１３と同じ波数をもった表面プラズモン６１４が、複屈折層６０４と金属層６０５との界面に生じ、エバネッセント６１５を介して、カバー層６０６に、光Ａと同じ偏光成分を有する光６１６を発生させる。
　なお、金属層６０３の誘電率と金属層６０５の誘電率は、完全に一致する必要はない。金属層６０３の誘電率と金属層６０５の誘電率は、表面プラズモン６１３によって表面プラズモン６１４が励起される程度に略等しければよい。
　また、図１２Ｂの光Ｃは、導光層６０２と金属層６０３との界面において全反射してエバネッセント６２２を発生させる際に、エバネッセント６２２の波数と、金属層６０３と複屈折層６０４との界面における表面プラズモンの波数とが一致せず、表面プラズモンを励起せず、金属層６０３で反射される。
　また、第５の実施形態に比べて、光取出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制することで、損失を低下させることができ、後述する位相変調手段や反射手段と組合せて用いる際に、光利用効率を上げることができる。
　すなわち、複屈折層６０４が存在することにより、ｘ方向に伝播する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を主成分とする出射光を得ることができる。
　なお、導光層６０２とカバー層６０６は複屈折性を有するものであっても良い。
　このように、第６の実施形態は、第５の実施形態の低屈折率層５０４および複屈折率層５０６を、それぞれカバー層６０６および複屈折層６０４と置き換えたものの、第５の実施形態と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光６１６が得られる。
　〔第７の実施形態〕図１３は、本発明の第７の実施形態の光学素子７０１を模式的に示す斜視図である。図１３に示す光学素子７０１は、図９に示した第５の実施形態の光学素子５０１と比べると、導光層５０２の代わりに複屈折層７０２を備えている。
　なお、複屈折層７０２、７０６および低屈折層７０４が誘電体層に相当する。さらに、上記の誘電体層は、低屈折層７０４と複屈折層７０６との間に、金属層７０５を含む。また、金属層７０３が金属層に相当する。例えば、複屈折層７０２は第２の誘電体層であり、低屈折率層７０４は第８の誘電体層であり、複屈折層７０６は第１の誘電体層である。また、例えば、金属層７０３は第３の金属層であり、金属層７０５は第１の金属層である。
　複屈折層７０２は、異なる２つの屈折率をもつ。また、複屈折層７０６と同じ材料や材質からなる。なお、複屈折層７０２は、複屈折層７０６と異なってもよい。より詳細には、後述するｚｘ面内のＰ偏光の光Ａで金属層７０３と低屈折率層７０４との界面に表面プラズモン７１３を励起し、ｙｚ面内のＰ偏光の光Ｃで金属層７０３と低屈折率層７０４との界面に表面プラズモンを励起しない程度に異なってもよい。
　図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３に示す光学素子７０１の動作を詳細に説明するための図である。
　図１４Ａは、光学素子７０１のｙ軸に直交する断面を示す。複屈折層７０２内に存在する光のうち、光ＡはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に平行な光を示す。光ＢはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｚｘ面に直交する光を示す。複屈折層７０２、７０６のｚｘ面内における屈折率はｎeである。
　図１４Ｂは、光学素子７０１のｘ軸に直交する断面を示す。複屈折層７０２内に存在する光のうち、光ＣはＰ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に平行な光を示す。光ＤはＳ偏光の光すなわち電場の振動方向がｙｚ面に直交する光を示す。複屈折層７０２、７０６のｙｚ面内における屈折率はｎoである。
　次に、表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンから光が発生される原理について説明する。
　図１４Ａの光Ａ、光Ｂと、図１４Ｂの光Ｄの動作は、第５の実施形態と同じであり、説明を省略する。また、図１４Ａ及び図１４Ｂ中のエバネッセント７１２、７１５および表面プラズモン７１４という記載については、本実施形態中では使用していない。
　図１４Ｂの光Ｃは、複屈折層７０２と金属層７０３との界面において全反射してエバネッセント７２２を発生させる際に、エバネッセント７２２の波数と、金属層７０３と低屈折率層７０４との界面における表面プラズモンの波数とが一致せず、表面プラズモンを励起せず、金属層７０３で反射される。
　また、第５の実施形態に比べて、光取出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制することで、損失を低下させることができ、後述する位相変調手段や反射手段と組合せて用いる際に、光利用効率を上げることができる。
　すなわち、複屈折層７０２、７０６が存在することにより、ｘ方向に伝播する表面プラズモンだけから光を取り出すことができるため、特定方向であるｚｘ面内に伝播する偏光成分を主成分とする出射光を得ることができる。
　このように、第７の実施形態は、第５の実施形態の導光層５０２を、複屈折層７０２と置き換えたものの、第５の実施形態と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光７１６が得られる。
　以上、第１～第７の実施形態の光学素子を用いることによって、ランダム偏光を、出射方向を特定の方向に既定したエテンデューの低い状態である特定方向の偏光成分を得ることができる。また、第３、第４、第６および第７の実施形態の光学素子においては、光取り出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制することができるため、さらに光利用効率を向上することができる。
　以下の第８および第９の実施形態においては、第１～第７の実施形態の光学素子を用いた光学装置について説明する。
　〔第８の実施形態〕図１５は、本発明の第８の実施形態の光学装置８００を模式的に示す斜視図である。
　光源８１０は、光学素子８０１の外周部に配置され、光学素子８０１にランダム偏光を出射する。
　光源８１０は、光学素子８０１から離れた位置に配置されてもよいし、光学素子８０１と接触するように配置されてもよい。また、光源８１０は、ライトパイプのような導光部材を介して光学的に光学素子８０１と接続されてもよい。
　光学装置８００は、反射手段８０９と、位相変調層８０８と、光学素子８０１と、角度変換手段８０７とを有する。
　反射手段８０９は、後述する位相変調層８０８から入射した光を、金属層と平行な面内において、入射角と反射角とが等しくならないように、反射する。例としては、反射手段８０９は、粒子が埋め込まれた拡散反射体であってもよく、鋸波形状であってもよい。
　位相変調層８０８は、入射した光の位相状態を変調する。例としては、λ／４板である。
　光学素子８０１は、第１～第７の実施形態の光学素子１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１のいずれか一つを用いることができる。
　光学装置は照明として用いられても良い。
　角度変換手段８０７は、出射光の伝播角度を変換させる。すなわち、光の進行方向を変更する。例としては、回折格子、ホログラム、フォトニック結晶である。
　位相変調層８０８と反射手段８０９は、光Ｂ、Ｃ、Ｄを偏光状態と伝播角度を変換して光学素子８０１に戻して再利用することで、光利用効率を上げることができる。
　角度変換手段８０７は、＋ｘ方向に伝播する表面プラズモンに起因する＋ｘ方向の偏光成分を有する光と、－ｘ方向に伝播する表面プラズモンに起因する－ｘ方向の偏光成分を有する光とを、伝播角度を変換して同じ方向にそろえることができる。
　第８の実施形態の光学装置８００においては、光源から出射されたランダム偏光を、出射方向を特定の方向に既定したエテンデューの低い状態である特定の偏光状態に変換することができる。また、角度変換手段８０７によって、出射光の伝播方向をそろえることができるため、エテンデューをさらに低減することができる。さらに、位相変調層８０８や反射手段８０９が備えられているため、光利用効率を向上することができる。
　〔第９の実施形態〕図１６は、本発明の第９の実施形態の光学装置９００を模式的に示す斜視図である。
　図１６に示す光学装置９００は、図１５に示した光学装置８００の構成に加えて、光源９１０から光が入射される入射領域である入射口９２０と、光の出射面である上面および反射手段８０９が設けられた下面を除いた外壁面（つまり、光学素子８００の側面）とに反射手段９０９を追加したものである。
　反射手段９０９は、光学素子９０１の側面から光が出射されることを抑制することができるので、図１５に示した光学装置８００と比べて光利用効率を上げることができる。
　なお、反射手段９０９は、入射口９２０を除いた側面の全てに設けられていたが、その側面のうち一部の面にのみ設けられていてもよい。また、反射手段部９０９は、光を拡散反射する拡散反射体であってもよいし、鋸形状であってもよい。
　第９の実施形態の光学装置９００を用いることによって、第８の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第９の実施形態では、反射手段が外壁面などにも設けられているため、側面から光が漏れることが抑制できる。そのため、第８の実施形態よりも光利用効率が向上する。
　以上第８および第９の実施形態において、光源は、一つに限定されず、複数配置されてもよく、複数の光源がそれぞれ異なる波長の光を出射してもよい。より詳細には、複数の光源の波長が、金属表面において表面プラズモンを励起する程度に異なってもよい。
　以下の第１０および第１１の実施形態においては、第８および第９の実施形態の光学素子を用いた表示装置について説明する。
　〔第１０の実施形態〕本実施形態では、第８、９の実施形態で説明した光学装置８００、９００のいずれかを備えた表示装置であるプロジェクタ１０１１について説明する。
　図１７は、本実施形態の表示装置の構成の一例を示す配置図である。図１７において、投射型画像表示装置であるプロジェクタ１０１１は、光源１０１２ａ、１０１２ｂおよび１０１２ｃと、光学素子１０１３ａ、１０１３ｂおよび１０１３ｃと、液晶パネル１０１４ａ、１０１４ｂおよび１０１４ｃと、クロスダイクロイックプリズム１０１５と、投射光学系１０１６とを備える。
　光源１０１２ａと光学素子１０１３ａ、光源１０１２ｂと光学素子１０１３ｂ、光源１０１２ｃと光学素子１０１３ｃが光学装置８００または９００を構成する。
　光源１０１２ａ、１０１２ｂおよび１０１２ｃのそれぞれは、波長がそれぞれ異なる光を発生するものとする。以下、光源１０１２ａから赤色光が出射され、光源１０１２ｂから緑色光が出射され、光源１０１２ｃから青色光が出射されるものとする。
　光学素子１０１３ａ、１０１３ｂおよび１０１３ｃのそれぞれは、第８、９の実施形態で説明した光学装置８００、９００の光源を除いたものであり、各色光を所定の偏光状態に変更して液晶パネル１０１４ａ、１０１４ｂおよび１０１４ｃのそれぞれに導く。
　液晶パネル１０１４ａ、１０１４ｂおよび１０１４ｃは、入射された各色光を映像信号に応じて２次元的に変調することで、各色光に画像を担持させ、その画像を担持させた各色光を出射する空間光変調素子である。なお、ここでは空間光変調素子として液晶パネルを用いたが、空間光変調素子はデジタルマイクロミラーデバイスであっても良い。
　クロスダイクロイックプリズム１０１５は、液晶パネル１０１４ａ、１０１４ｂおよび１０１４ｃのそれぞれから出射された各変調光を合成して出射する。
　投射光学系１０１６は、クロスダイクロイックプリズム１０１５から出射された合成光をスクリーン１０１７に投射して、スクリーン１０１７上に映像信号に応じた画像を表示する。
　第１０の実施形態のプロジェクタ１０１１においては、光源から出射されたランダム偏光を特定の偏光状態に変換する際に、出射方向を特定の方向に既定したエテンデューの低い状態に変換するため、光利用効率を向上することができる。
　〔第１１の実施形態〕図１８は、第１０の実施形態の表示装置の構成の別の例を示す配置図である。図１８において、プロジェクタ１１１１は、光源１１１２ａ、１１１２ｂおよび１１１２ｃと、光学素子１１１３と、液晶パネル１１１４と、投射光学系１１１６とを有する。
　光学素子１１１３は、第１０の実施形態で説明した光学素子１０１３ａ、１０１３ｂないし１０１３ｃと同じ構成を有する。したがって、光源１１１２ａ、１１１２ｂ、１１１１ｃおよび光学素子１１１３は、第１０の実施形態で説明した光学装置８００または９００における光源が３つの場合と同じ構成を有する光学装置となる。
　液晶パネル１１１４は、入射された合成光を映像信号に応じて変調して出射する光変調素子である。
　投射光学系１１１６は、液晶パネル１１１４から出射された変調光をスクリーン１１１７に投射して、スクリーン１１１７上に映像信号に応じた映像を表示する。
　なお、第１１の実施形態では、光変調素子として液晶パネルを用いたが、光変調素子は液晶パネルに限らず適宜変更可能である。例えば、図１８で示したプロジェクタでは、液晶パネル１１１４の代わりに、デジタルマイクロミラーデバイスを用いてもよい。
　第１１の実施形態のプロジェクタ１１１１においては、第１０の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１０の実施形態と比較すると、光学装置を一つにすることができるため、より構成が簡単となる。そのため、プロジェクタをさらに小型化することが可能となる。
　また、第１０または第１１の実施形態の表示装置の変形例として、以下のような構成をしてもよい。例えば、表示装置の面を、＋ｘ方向などの特定の方向の偏光成分に対してほぼ垂直になるように構成する。このようにすると、ミラーやレンズなどの光学系を用いなくても投射光学系に効率よく集光することができるため、光学系を省略できる。以上の変形例は、本発明の適用可能性を示すのみであり、本発明に限定を加えるものではない。
　以上説明した各実施形態において、図示した構成は単なる一例であって、本発明はその構成に限定されるものではない。以下に、本発明の実施形態に係る実施例をあげる。なお、以下の実施例は一例であり、本発明の限定するものではない。
　〔実施例１〕第１の実施形態の動作による効果を、シミュレーションによって確認した（実施例１）。なお、本シミュレーションは、第１の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　実施例１の光学素子の構成要素については、図１、図２Ａおよび図２Ｂの符号を参照する。図１９は、第１の実施形態の光学素子１０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。
　実施例１のシミュレーションには、２次元の厳密結合波解析法を用いた。なお、厳密結合波解析法は、ＲＣＷＡ法ともよばれる。また、図１９の横軸は、導光層１０１から低屈折率層１０２への入射角であり、縦軸は、カバー層１０６への光の透過率である。
　実施例１のシミュレーションにおいて、導光層１０２およびカバー層１０６は、屈折率が２．５のＴｉＯ2（アナタース）とした。また、低屈折率層１０３は、屈折率が１．９のＹ2Ｏ3で厚みを５０ｎｍとした。金属層１０４は、Ａｇで厚みを５０ｎｍとした。複屈折層１０５はＹＶＯ4（ｎo＝１．９、ｎe＝２．２）で厚みを５０ｎｍとした。
　図１９において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約２３．２ｄｅｇであるため、ＬＥＤの様なランバーシアン分布を有する出射光の半値全幅（約４５ｄｅｇ）に比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が２倍以上大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は５５％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。
　このように、実施例１では、複屈折層１０５を用いることで、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光が得られることを確認できた。
　〔実施例２〕第２の実施形態の動作による効果を、シミュレーションによって確認した（実施例２）。なお、本シミュレーションは第２の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　実施例２の光学素子の構成要素については、図３、図４Ａおよび図４Ｂの符号を参照する。図２０は、第２の実施形態の光学素子２０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。
　シミュレーションには、実施例１と同様に、２次元のＲＷＣＡ法を用いた。なお、図２０の横軸は、導光層２０２から低屈折率層２０３への入射角であり、縦軸は、複屈折層２０６への光の透過率である。
　実施例２のシミュレーションにおいて、導光層２０２は、屈折率が２．２のＣｅＯ2とした。また、低屈折率層２０３および２０５は、屈折率が１．７のＡｌ2Ｏ3で厚みを５０ｎｍとした。また、金属層２０４は、Ａｇで厚みを５０ｎｍとした。また、複屈折層２０６はＹＶＯ4（ｎe＝２．２、ｎo＝１．９）とした。
　図２０において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約２５．７ｄｅｇであるため、ＬＥＤに比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が３倍程度大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は６２％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。
　このように、実施例２では、複屈折層２０６を用いることで、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光が得られることを確認できた。
　〔実施例３〕第３の実施形態の動作による効果を、シミュレーションによって確認した（実施例３）。なお、本シミュレーションは第３の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　実施例３の光学素子の構成要素については、図５、図６Ａおよび図６Ｂの符号を参照する。図２１は、第３の実施形態の光学素子３０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。
　シミュレーションには、実施例３と同様に、２次元のＲＷＣＡ法を用いた。なお、図２１の横軸は、導光層３０２から複屈折層３０３への入射角であり、縦軸は、カバー層３０６への光の透過率である。
　実施例３のシミュレーションにおいて、導光層３０２およびカバー層３０６は、屈折率が２．５のＴｉＯ2（アナタース）とした。複屈折層３０３および３０５は、ＹＶＯ4（ｎo＝１．９、ｎe＝２．２）で厚みを５０ｎｍとした。また、金属層３０４は、Ａｇで厚みを５０ｎｍとした。
　図２１において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約２３．２ｄｅｇであるため、ＬＥＤに比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が５倍以上大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は５５％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。さらに、実施例１および２と比較すると、ｙｚ面内のＰ偏光成分には明確なピークが見られないことから、光取出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制できていることが確認できる。
　このように、実施例３では、実施例１における低屈折率層１０３を複屈折層３０３に置き換えたものの、実施例１と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光が得られることを確認できた。
　〔実施例４〕第４の実施形態の動作による効果を、シミュレーションによって確認した（実施例４）。なお、本シミュレーションは第４の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　実施例４の光学素子の構成要素については、図７、図８Ａおよび図８Ｂの符号を参照する。図２２は、実施例４の光学素子４０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。
　シミュレーションには、実施例１と同様に、２次元のＲＣＷＡ法を用いた。なお、図２２の横軸は、複屈折層４０２から低屈折率層４０３への入射角であり、縦軸は、複屈折層４０６への光の透過率である。
　実施例４のシミュレーションにおいて、複屈折層４０２および４０６は、ＹＶＯ4（ｎe＝２．２、ｎo＝１．９）とした。また、低屈折率層４０３および４０５は、屈折率が１．７のＡｌ2Ｏ3で厚みを５０ｎｍとした。金属層４０４は、Ａｇで厚みを５０ｎｍとした。
　図２２において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約２５．７ｄｅｇであるため、ＬＥＤに比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が３倍以上大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は６２％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。さらに、第３の実施形態と同様に、ｙｚ面内のＰ偏光成分には明確なピークが見られないことから、光取出しに寄与しない表面プラズモンの励起を抑制できていることが確認できる。
　このように、実施例４では、実施例２における導光層２０２を複屈折４０２に置き換えたものの、実施例２と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光が得られることを確認できた。
　〔実施例５〕第５の実施形態の動作による効果を、シミュレーションによって確認した（実施例５）。なお、本シミュレーションは第５の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　実施例５の光学素子の構成要素については、図９、図１０Ａおよび図１０Ｂの符号を参照する。図２３は、実施例の光学素子５０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。
　シミュレーションには、実施例１と同様に、２次元のＲＣＷＡ法を用いた。なお、図２３の横軸は、導光層５０２から金属層５０３への入射角であり、縦軸は、複屈折層５０６への光の透過率である。
　実施例５のシミュレーションにおいて、導光層５０２は、屈折率が２．２のＣｅＯ2とした。また、金属層５０３はＡｇで厚みを２５ｎｍとし、金属層５０５はＡｇで厚みを１２．５ｎｍとした。また、低屈折率層５０４は、屈折率が１．７のＡｌ2Ｏ3で厚みを５０ｎｍとした。また、複屈折層５０６は、ＹＶＯ4（ｎe＝２．２、ｎo＝１．９）とした。
　図２３において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約３９．７ｄｅｇであるため、ＬＥＤに比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が２倍程度大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は６０％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。
　このように、実施例５の光学素子５０１は、実施例１の光学素子１０１とは異なり、２層の金属層からなるものの、実施例１と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光が得られることを確認できた。
　〔実施例６〕第３の実施形態の動作による効果を、シミュレーションによって確認した（実施例６）。なお、本シミュレーションは第６の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　実施例６の光学素子の構成要素については、図１１、図１２Ａおよび図１２Ｂの符号を参照する。図２４は、実施例６の光学素子６０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。
　シミュレーションには、実施例１と同様に、２次元のＲＣＷＡ法を用いた。なお、図２４の横軸は、導光層６０２から金属層６０３への入射角であり、縦軸は、カバー層６０６への光の透過率である。
　実施例６のシミュレーションにおいて、導光層６０２およびカバー層６０６は、屈折率が２．７のＴｉＯ2（ルチル）とした。また、金属層６０３はＡｇで厚みを２５ｎｍとし、金属層６０５はＡｇで厚みを１２．５ｎｍとした。また、複屈折層６０４は、ＹＶＯ4（ｎo＝１．９、ｎe＝２．２）で厚みを５０ｎｍとした。
　図２４において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約３５．６ｄｅｇであるため、ＬＥＤに比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が１．７倍程度大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は５９％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。
　このように、実施例６の光学素子６０１は、実施例５の低屈折率層５０４および複屈折率層５０６を、それぞれカバー層６０６および複屈折層６０４と置き換えたものの、実施例５と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光が得られることを確認できた。
　〔実施例７〕以上の動作による効果を、シミュレーションによって確認した。図２５は、第７の実施形態の光学素子７０１の効果を確認するためのシミュレーション結果の一例を示すグラフである。なお、本シミュレーションは第７の実施形態の一例について行ったものであり、本発明を限定するものではない。
　シミュレーションには、第１の実施形態と同様に、２次元のＲＣＷＡ法を用いた。なお、図２５の横軸は、複屈折層７０２から金属層７０３への入射角であり、縦軸は、複屈折層７０６への光の透過率である。
　第７の実施形態のシミュレーションにおいて、複屈折層７０２、７０６は、ＹＶＯ4（ｎe＝２．２、ｎo＝１．９）とした。また、金属層７０３はＡｇで厚みを２５ｎｍとし、金属層７０５はＡｇで厚みを１２．５ｎｍとした。また、低屈折率層７０４は、屈折率が１．７のＡｌ2Ｏ3で厚みを５０ｎｍとした。
　図２５において、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率の半値全幅は約３９．７ｄｅｇであるため、ＬＥＤに比べて、高い角度選択性を有する光が得られることを確認できる。また、Ｐ偏光成分の透過率のピーク値をｚｘ面内とｙｚ面内とで比較すると、ｚｘ面内の透過率の方が２倍以上大きいため、伝播方向が特定方向に既定された光が得られることを確認できる。また、ｚｘ面内のＰ偏光成分の透過率のピーク値は６０％であるのに対し、同じ入射角におけるＳ偏光成分の透過率は無視できるほど小さいため、高い偏光選択性を有する光が得られることを確認できる。
　このように、実施例７のシミュレーションより、第７の実施形態では、第５の実施形態の導光層５０２を、複屈折層７０２と置き換えたものの、第５の実施形態と同様に、高い角度選択性と偏光選択性を有し、特定の方向の偏光成分を有する光７１６が得られることが確認できた。
　以上、実施例１～７のシミュレーションより、第１～第７の実施形態の光学素子を用いることによって、ランダム偏光を、出射方向を特定の方向に既定したエテンデューの低い状態である特定方向の偏光成分を得ることができることが確認できた。
　上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
（付記１）第１の誘電体層と、第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に配置された第１の金属層とを有し、前記第１の誘電体層は、第１の方向と、前記第１の方向と交差する第２の方向において異なる屈折率を有する光学素子。
（付記２）前記第１の誘電体層は、複屈折材料を含む付記１に記載の光学素子。
（付記３）前記複屈折材料はＹＶＯ4（イットリウム・バナデート）結晶からなる付記２に記載の光学素子。
（付記４）前記第１の方向及び前記第２の方向は、前記第１の誘電体層、前記第１の金属層及び前記第２の誘電体層が積層された積層方向とは異なる付記１から３のいずれかに記載の光学素子。
（付記５）前記第２の方向は、前記第１の方向と略直交する方向である付記１から４のいずれかに記載の光学素子。
（付記６）前記第１の誘電体層と前記第１の金属層との間に配置された第３の誘電体層を有する付記１から５のいずれかに記載の光学素子。
（付記７）前記第１の誘電体層の屈折率が、前記第３の誘電体層の屈折率よりも大きい付記６に記載の光学素子。
（付記８）前記第２の誘電体層と前記第１の金属層との間に配置された第４の誘電体層を有する付記６または７に記載の光学素子。
（付記９）前記第２の誘電体層の屈折率が、前記第４の誘電体層の屈折率よりも大きい付記８に記載の光学素子。
（付記１０）前記第３の誘電体層の屈折率と前記第４の誘電体層の屈折率とが略等しい付記８または９に記載の光学素子。
（付記１１）前記第２の誘電体層は、前記第１の誘電体層が有するいずれかの屈折率と略等しい屈折率を含む付記６から１０のいずれかに記載の光学素子。
（付記１２）第５の誘電体層を有し、前記第５の誘電体層は、前記第５の誘電体層と前記第１の金属層との間に前記第１の誘電体層が位置するように配置されている付記１から５のいずれかに記載の光学素子。
（付記１３）前記第５の誘電体層の屈折率が、前記第１の誘電体層の屈折率よりも大きい付記１２に記載の光学素子。
（付記１４）第６の誘電体層を有し、前記第６の誘電体層は、前記第６の誘電体層と前記第１の金属層との間に前記第２の誘電体層が位置するように配置されている付記１２または１３に記載の光学素子。
（付記１５）前記第６の誘電体層の屈折率が前記第２の誘電体層の屈折率よりも大きい付記１４に記載の光学素子。
（付記１６）前記第５の誘電体層の屈折率と前記第６の誘電体層の屈折率とが略等しい付記１４または１５に記載の光学素子。
（付記１７）前記第２の誘電体層は、前記第１の誘電体層が有するいずれかの屈折率と略等しい屈折率を含む付記１２から１６のいずれかに記載の光学素子。
（付記１８）第２の金属層を有し、前記第２の金属層は、前記第２の金属層と前記第１の金属層との間に前記第１の誘電体層が位置するように配置されている付記１から５のいずれかに記載の光学素子。
（付記１９）前記第２の誘電体層の屈折率が、前記第１の誘電体層の屈折率よりも大きい付記１８に記載の光学素子。
（付記２０）第７の誘電体層を有し、前記第７の誘電体層は、前記第７の誘電体層と前記第１の誘電体層との間に前記第２の金属層が位置するように配置されている付記１８または１９に記載の光学素子。
（付記２１）前記第７の誘電体層の屈折率が、前記第１の誘電体層の屈折率よりも大きい付記２０に記載の光学素子。
（付記２２）前記第２の誘電体層は、前記第７の誘電体層の屈折率と略等しい屈折率を含む付記２０または２１に記載の光学素子。
（付記２３）前記第１の金属層の誘電率と前記第２の金属層の誘電率とが略等しい付記１８から２２のいずれかに記載の光学素子。
（付記２４）前記第１の金属層と前記第２の誘電体層との間に配置された第３の金属層と、前記第１の金属層と前記第３の金属層との間に配置された第８の誘電体層とを有する付記１から５のいずれかに記載の光学素子。
（付記２５）前記第１の誘電体層の屈折率が、前記第８の誘電体層の屈折率よりも大きい付記２４に記載の光学素子。
（付記２６）前記第２の誘電体層の屈折率が、前記第８の誘電体層の屈折率よりも大きい付記２４または２５に記載の光学素子。
（付記２７）前記第２の誘電体層は、前記第１の誘電体層が有するいずれかの屈折率と略等しい屈折率を含む付記２４から２６のいずれかに記載の光学素子。
（付記２８）前記第１の金属層の誘電率と前記第３の金属層の誘電率とが略等しい付記２４から２７のいずれかに記載の光学素子。
（付記２９）前記第２の金属層の厚みが５０ｎｍ以下である付記１８から２３のいずれかに記載の光学素子。
（付記３０）前記第２の金属層の厚みが２５ｎｍ以下である付記１８から２３、２９のいずれかに記載の光学素子。
（付記３１）前記第２の金属層はＡｇ、Ａｌ、Ａｕのいずれかを含む付記１８から２３、２９、３０のいずれかに記載の光学素子。
（付記３２）前記第３の金属層の厚みが５０ｎｍ以下である付記２４から２８のいずれかに記載の光学素子。
（付記３３）前記第３の金属層の厚みが２５ｎｍ以下である付記２４から２８、３２のいずれかに記載の光学素子。
（付記３４）前記第３の金属層はＡｇ、Ａｌ、Ａｕのいずれかを含む付記２４から２８、３２、３３のいずれかに記載の光学素子。
（付記３５）前記第１の金属層の厚みが２００ｎｍ以下である付記１から３４のいずれかに記載の光学素子。
（付記３６）前記第１の金属層の厚みが３０ｎｍ～１００ｎｍである付記１から３５のいずれかに記載の光学素子。
（付記３７）前記第１の金属層はＡｇ、Ａｌ、Ａｕのいずれかを含む付記１から３６のいずれかに記載の光学素子。
（付記３８）前記第２の誘電体層は、第１の方向と、前記第１の方向と交差する第２の方向において異なる屈折率を有する付記１から３７のいずれかに記載の光学素子。
（付記３９）前記第２の誘電体層は、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3のいずれかを含む付記１から３７のいずれかに記載の光学素子。
（付記４０）光の進行方向を変更する角度変換手段を有し、前記角度変換手段は、前記角度変換手段と前記第１の金属層との間に前記第１の誘電体層が位置するように配置されている付記６から１１、２４から２８、３２から３４のいずれかに記載の光学素子。
（付記４１）光の進行方向を変更する角度変換手段を有し、前記角度変換手段は、前記角度変換手段と前記第１の誘電体層との間に前記第５の誘電体層が位置するように配置されている付記１２から１７のいずれかに記載の光学素子。
（付記４２）光の進行方向を変更する角度変換手段を有し、前記第７の誘電体層は、前記角度変換手段と前記第２の金属層との間に配置されている付記２０から２２のいずれかに記載の光学素子。
（付記４３）前記角度変換手段は回折格子である付記４０から４２のいずれかに記載の光学素子。
（付記４４）前記角度変換手段はホログラムである付記４０から４２のいずれかに記載の光学素子。
（付記４５）光の位相を変調する位相変調手段を有し、前記位相変調手段は、前記位相変調手段と前記第１の金属層との間に前記第２の誘電体層が位置するように配置されている付記６から１１、１８から３４、４０、４２のいずれかに記載の光学素子。
（付記４６）光の位相を変調する位相変調手段を有し、前記位相変調手段は、前記位相変調手段と前記第２の誘電体層との間に前記第６の誘電体層が位置するように配置されている付記１４から１６のいずれかに記載の光学素子。
（付記４７）前記位相変調手段は１／４波長板である付記４５または４６に記載の光学素子。
（付記４８）光を反射する反射手段を有し、前記反射手段は、前記反射手段と前記第１の金属層との間に前記２の誘電体層が位置するように配置されている付記６から１１、１８から３４、４０、４２、４５のいずれかに記載の光学素子。
（付記４９）光を反射する反射手段を有し、前記反射手段は、前記反射手段と前記第２の誘電体層との間に前記第６の誘電体層が位置するように配置されている付記１４から１６、４６のいずれかに記載の光学素子。
（付記５０）前記反射手段は光を拡散反射する拡散反射層である付記４８または４９に記載の光学素子。
（付記５１）前記反射手段は鋸波形状の反射面を有する付記４８または４９に記載の光学素子。
（付記５２）付記１から５１のいずれかに記載の光学素子と、光源とを有し、前記光源は、前記光源から放射される光が前記光学素子に入射するように配置されている光学装置。
（付記５３）前記光源は、前記光源から放射される光が前記光学素子の最上層または最下層に入射するように配置されている付記５２に記載の光学装置。
（付記５４）前記光源は、前記光源から放射される光が前記光学素子の最上層の側面または前記光学素子の最下層の側面から入射するように配置されている付記５２に記載の光学装置。
（付記５５）前記光源は、前記第１の誘電体層に入射した光の進行方向が、前記第１の方向及び前記第２の方向のいずれとも異なるように配置されている付記５２から５４のいずれかに記載の光学装置。
（付記５６）付記５２から５５のいずれかに記載の光学装置と、前記光学装置から出射された光を変調して出射する空間光変調素子と、前記空間光変調素子から出射された光を投射する投射光学系とを有する表示装置。
（付記５７）前記空間光変調素子は液晶パネルである付記５６に記載の表示装置。
（付記５８）前記空間光変調素子はデジタルマイクロミラーデバイスである付記５６に記載の表示装置。
　以上、実施形態及び実施例を参照して本願発明を説明してきたが、本願発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
　この出願は、２０１２年３月７日に出願された日本出願特願２０１２－５０６４７を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
　本発明は、ランダム偏光を特定の偏光状態に変換する光学素子、光学装置および表示装置に関する。本発明の光学素子および光学装置は、液晶プロジェクタなどの光源部に用いることができる。また、本発明の表示装置は、液晶プロジェクタを構成することができる。
　２　　ＬＥＤ
　３　　導光板
　６　　反射板
　１０　　導光体
　１１　　偏光分離膜
　１２　　上面カバー
　１３　　偏光方向変更部材
　１４　　マイクロプリズム
　１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、１０１３ａ、１０１３ｂ、１０１３ｃ、１１１３　　光学素子
　１０２、２０２、３０２、５０２、６０２　　導光層
　１０３、２０３、２０６、４０３、４０５、５０４、７０４　　低屈折率層
　１０４、２０４、３０４、４０４、５０３、５０５、６０３、６０５、７０３、７０５　　金属層
　１０５、２０５、３０３、３０５、４０２、４０６、５０６、６０４、７０２、７０６　　複屈折層
　１０６、３０６、６０６　　カバー層
　１１２、１２２、２１２、２２２、３１２、３２２、４１２、４２２、５１２、５２２、６１２、６２２、７１２、７２２　　エバネッセント
　１１５、２１５、３１５、４１５、５１５、６１５、７１５　　エバネッセント
　１１３、１２３、２１３、２２３、３１３、４１３、５１３、５２３、６１３、７１３、７２３　　表面プラズモン
　１１４、１２４、２１４、２２４、３１４、４１４、５１４、５２４、６１４、７１４　　表面プラズモン
　１１６、２１６、３１６、４１６、５１６、６１６、７１６　　光
　８００、９００　　光学装置
　８０７　　角度変換手段
　８０８　　位相変調層
　８０９、９０９　　反射手段
　８１０、９１０　　光源
　９２０　　入射口
　１０１１、１１１１　　プロジェクタ
　１０１２ａ、１０１２ｂ、１０１２ｃ、１１１２ａ、１１１２ｂ、１１１２ｃ　　光源
　１０１４ａ、１０１４ｂ、１０１４ｃ、１１１４　　液晶パネル
　１０１５　　クロスダイクロイックプリズム
　１０１６、１１１６　　投射光学系
　１０１７、１１１７　　スクリーン

Claims (10)

  1. 　第１の誘電体層と、
    　第２の誘電体層と、
    　前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に配置された第１の金属層とを有し、
    　前記第１の誘電体層は、第１の方向と、前記第１の方向と交差する第２の方向において異なる屈折率を有する光学素子。
  2. 　前記第１の誘電体層は、複屈折材料を含む請求項１に記載の光学素子。
  3. 　前記第１の方向及び前記第２の方向は、前記第１の誘電体層、前記第１の金属層及び前記第２の誘電体層が積層された積層方向とは異なる請求項１又は２に記載の光学素子。
  4. 　前記第１の誘電体層と前記第１の金属層との間に配置された第３の誘電体層を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学素子。
  5. 　第５の誘電体層を有し、
    　前記第５の誘電体層は、前記第５の誘電体層と前記第１の金属層との間に前記第１の誘電体層が位置するように配置されている請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光学素子。
  6. 　第２の金属層を有し、
    　前記第２の金属層は、前記第２の金属層と前記第１の金属層との間に前記第１の誘電体層が位置するように配置されている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学素子。
  7. 　前記第１の金属層と前記第２の誘電体層との間に配置された第３の金属層と、
    　前記第１の金属層と前記第３の金属層との間に配置された第８の誘電体層とを有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学素子。
  8. 　前記第２の誘電体層は、前記第１の誘電体層が有するいずれかの屈折率と略等しい屈折率を含む請求項４、５、７のいずれか一項に記載の光学素子。
  9. 　請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光学素子と、
    　光源とを有し、
    　前記光源は、前記光源から放射される光が前記光学素子に入射するように配置されている光学装置。
  10. 　請求項９に記載の光学装置と、
    　前記光学装置から出射された光を変調して出射する空間光変調素子と、
    　前記空間光変調素子から出射された光を投射する投射光学系とを有する表示装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108627900A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 Jxtg能源株式会社 光学相位差构件、偏光变换元件、模板及光学相位差构件的制造方法
WO2020179232A1 (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 ソニー株式会社 光学素子及び投射型表示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10146054B2 (en) * 2015-07-06 2018-12-04 Google Llc Adding prescriptive correction to eyepieces for see-through head wearable displays
CN106959486A (zh) * 2016-01-08 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种导光板、背光模组及液晶显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01189627A (ja) * 1988-01-26 1989-07-28 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置用照明装置
JPH02128103U (ja) * 1989-03-31 1990-10-23
JPH03186822A (ja) * 1989-12-15 1991-08-14 Sharp Corp 波長変換素子
JPH07301710A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Tokin Corp 偏光子の製造方法および製造装置
JP2007101991A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Toppan Printing Co Ltd 検証機能を有するステッカー、真偽判定媒体、スレッド体並びに真偽判定用紙
JP2007171370A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Canon Inc 光学素子およびそれを有する撮像装置
JP2008047543A (ja) * 2007-10-04 2008-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 液晶表示装置の平面照明装置
WO2011122555A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 日本電気株式会社 光学素子、光源装置、および投射型表示装置
WO2012026211A1 (ja) * 2010-08-24 2012-03-01 日本電気株式会社 光源および投射型表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4735259B2 (ja) * 2003-06-19 2011-07-27 日本電気株式会社 フォトニック結晶の構造
US20050275944A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-15 Wang Jian J Optical films and methods of making the same
US20050286128A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Optiva, Inc. Biaxial crystal filter for viewing devices
US20060127830A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Xuegong Deng Structures for polarization and beam control
US20070165308A1 (en) * 2005-12-15 2007-07-19 Jian Wang Optical retarders and methods of making the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01189627A (ja) * 1988-01-26 1989-07-28 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置用照明装置
JPH02128103U (ja) * 1989-03-31 1990-10-23
JPH03186822A (ja) * 1989-12-15 1991-08-14 Sharp Corp 波長変換素子
JPH07301710A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Tokin Corp 偏光子の製造方法および製造装置
JP2007101991A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Toppan Printing Co Ltd 検証機能を有するステッカー、真偽判定媒体、スレッド体並びに真偽判定用紙
JP2007171370A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Canon Inc 光学素子およびそれを有する撮像装置
JP2008047543A (ja) * 2007-10-04 2008-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 液晶表示装置の平面照明装置
WO2011122555A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 日本電気株式会社 光学素子、光源装置、および投射型表示装置
WO2012026211A1 (ja) * 2010-08-24 2012-03-01 日本電気株式会社 光源および投射型表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108627900A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 Jxtg能源株式会社 光学相位差构件、偏光变换元件、模板及光学相位差构件的制造方法
WO2020179232A1 (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 ソニー株式会社 光学素子及び投射型表示装置
JP7447890B2 (ja) 2019-03-05 2024-03-12 ソニーグループ株式会社 投射型表示装置

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