JP2022144382A - 波長変換素子、照明装置およびプロジェクター - Google Patents
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Abstract
【課題】光利用効率の高い波長変換素子、照明装置およびプロジェクターを提供する。
【解決手段】本発明の波長変換素子は、基板と、基板に設けられる反射層と、反射層に設けられ、第１の波長帯の光を第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に変換する波長変換層と、波長変換層に設けられ、第１の波長帯の光の一部を散乱させる構造体と、構造体に設けられ、第１の波長帯の光の一部を反射させ、第１の波長帯の光の他の一部を透過させ、第２の波長帯の光を透過させる光学層と、を備え、構造体は、第１の構造部と、第２の構造部と、第１の構造部と第２の構造部との間に設けられる平坦部と、を含み、第１の構造部および第２の構造部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率を有し、平坦部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。
【選択図】図６Ｂ
【解決手段】本発明の波長変換素子は、基板と、基板に設けられる反射層と、反射層に設けられ、第１の波長帯の光を第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に変換する波長変換層と、波長変換層に設けられ、第１の波長帯の光の一部を散乱させる構造体と、構造体に設けられ、第１の波長帯の光の一部を反射させ、第１の波長帯の光の他の一部を透過させ、第２の波長帯の光を透過させる光学層と、を備え、構造体は、第１の構造部と、第２の構造部と、第１の構造部と第２の構造部との間に設けられる平坦部と、を含み、第１の構造部および第２の構造部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率を有し、平坦部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。
【選択図】図６Ｂ
Description
本発明は、波長変換素子、照明装置およびプロジェクターに関する。
従来、波長変換層の表面に設けられた光拡散面で第１波長の光の一部を散乱して反射させ、波長変換層に入射した第１波長の光を波長変換した第２波長の蛍光と、散乱反射した第１波長の光とを合成することで白色照明光を射出する照明装置がある（例えば、下記特許文献１、２参照）。
しかしながら、上記照明装置では、第１波長の光の散乱角度が十分でなく、散乱特性の制御に改善の余地があるため、第１波長の光を効率良く照明光として取り出せず、光利用効率の低下という問題があった。
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様によれば、基板と、基板に設けられる反射層と、前記反射層に設けられ、第１の波長帯の光を前記第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に変換する波長変換層と、前記波長変換層に設けられ、前記第１の波長帯の光の一部を散乱させる構造体と、前記構造体に設けられ、前記第１の波長帯の光の一部を反射させ、前記第１の波長帯の光の他の一部を透過させ、前記第２の波長帯の光を透過させる光学層と、を備え、前記構造体は、第１の構造部と、第２の構造部と、前記第１の構造部と前記第２の構造部との間に設けられる平坦部と、を含み、前記第１の構造部および前記第２の構造部に設けられる前記光学層は、前記第１の波長帯の光に対して第１の反射率を有し、前記平坦部に設けられる前記光学層は、前記第１の波長帯の光に対して前記第１の反射率と異なる第２の反射率を有する波長変換素子が提供される。
本発明の第２態様によれば、第１態様の波長変換素子と、前記第１の波長帯の光を射出する光源と、前記光源から射出された前記第１の波長帯の光を前記波長変換素子に向けて反射する反射部材と、を備えることを特徴とする照明装置が提供される。
本発明の第３態様によれば、本発明の第２態様の照明装置と、前記照明装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備えることを特徴とするプロジェクターが提供される。
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。
本実施形態のプロジェクターは、光変調装置として液晶パネルを用いたプロジェクターの一例である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
本実施形態のプロジェクターは、光変調装置として液晶パネルを用いたプロジェクターの一例である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
図１は本実施形態のプロジェクターの構成を示す図である。
図１に示す本実施形態のプロジェクター１は、スクリーン（被投射面）ＳＣＲ上にカラー画像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクター１は、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢの各色光に対応した３つの光変調装置を用いている。
図１に示す本実施形態のプロジェクター１は、スクリーン（被投射面）ＳＣＲ上にカラー画像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクター１は、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢの各色光に対応した３つの光変調装置を用いている。
プロジェクター１は、照明装置２と、色分離光学系３と、光変調装置４Ｒと、光変調装置４Ｇと、光変調装置４Ｂと、合成光学系５と、投射光学装置６と、を備えている。
照明装置２は、白色の照明光ＷＬを色分離光学系３に向けて射出する。色分離光学系３は、白色の照明光ＷＬを赤色光ＬＲと緑色光ＬＧと青色光ＬＢとに分離する。色分離光学系３は、第１ダイクロイックミラー７ａと、第２ダイクロイックミラー７ｂと、第１反射ミラー８ａと、第２反射ミラー８ｂと、第３反射ミラー８ｃと、第１リレーレンズ９ａと、第２リレーレンズ９ｂと、を備えている。
第１ダイクロイックミラー７ａは、照明装置２からの照明光ＷＬを赤色光ＬＲと、その他の光（緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢ）とに分離する。第１ダイクロイックミラー７ａは、赤色光ＬＲを透過するとともに、その他の光（緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢ）を反射する。一方、第２ダイクロイックミラー７ｂは、その他の光を緑色光ＬＧと青色光ＬＢとに分離する。第２ダイクロイックミラー７ｂは、緑色光ＬＧを反射し、青色光ＬＢを透過する。
第１反射ミラー８ａは、赤色光ＬＲの光路中に配置され、第１ダイクロイックミラー７ａを透過した赤色光ＬＲを光変調装置４Ｒに向けて反射する。一方、第２反射ミラー８ｂおよび第３反射ミラー８ｃは、青色光ＬＢの光路中に配置され、第２ダイクロイックミラー７ｂを透過した青色光ＬＢを光変調装置４Ｂに向けて反射する。また、緑色光ＬＧは、第２ダイクロイックミラー７ｂによって光変調装置４Ｇに向けて反射される。
第１リレーレンズ９ａおよび第２リレーレンズ９ｂは、青色光ＬＢの光路中における第２ダイクロイックミラー７ｂの光射出側に配置されている。第１リレーレンズ９ａおよび第２リレーレンズ９ｂは、青色光ＬＢの光路長が赤色光ＬＲや緑色光ＬＧの光路長よりも長いことに起因した青色光ＬＢの照明分布の違いを修正する。
光変調装置４Ｒは、赤色光ＬＲを画像情報に応じて変調し、赤色光ＬＲに対応した画像光を形成する。光変調装置４Ｇは、緑色光ＬＧを画像情報に応じて変調し、緑色光ＬＧに対応した画像光を形成する。光変調装置４Ｂは、青色光ＬＢを画像情報に応じて変調し、青色光ＬＢに対応した画像光を形成する。
光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂには、例えば透過型の液晶パネルが用いられている。また、液晶パネルの入射側および射出側には、偏光板（図示せず）がそれぞれ配置され、特定の方向の直線偏光のみを通過させる構成となっている。
光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂの入射側には、それぞれフィールドレンズ１０Ｒ、フィールドレンズ１０Ｇ、フィールドレンズ１０Ｂが配置されている。フィールドレンズ１０Ｒ、フィールドレンズ１０Ｇ、およびフィールドレンズ１０Ｂは、それぞれの光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、光変調装置４Ｂに入射する赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢの主光線を平行化する。
合成光学系５は、光変調装置４Ｒ、光変調装置４Ｇ、および光変調装置４Ｂから射出された画像光が入射することにより、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢに対応した画像光を合成し、合成された画像光を投射光学装置６に向けて射出する。合成光学系５には、例えばクロスダイクロイックプリズムが用いられる。
投射光学装置６は、複数の投射レンズから構成されている。投射光学装置６は、合成光学系５により合成された画像光をスクリーンＳＣＲに向けて拡大投射する。これにより、スクリーンＳＣＲ上に画像が表示される。
本実施形態の照明装置２の一例について説明する。
図２は、照明装置２の概略構成を示す図である。
図２に示すように、照明装置２は、光源１１と、第１光学系１２と、ダイクロイックミラー（反射部材）１３と、第２光学系１４と、波長変換素子１５と、均一化照明光学系１６と、を備えている。光源１１、第１光学系１２およびダイクロイックミラー１３は光源光軸ＡＸ１に沿って配置されている。波長変換素子１５、第２光学系１４、ダイクロイックミラー１３および均一化照明光学系１６は照明装置２の照明光軸ＡＸに沿って配置されている。光源光軸ＡＸ１および照明光軸ＡＸは互いに直交する。
図２は、照明装置２の概略構成を示す図である。
図２に示すように、照明装置２は、光源１１と、第１光学系１２と、ダイクロイックミラー（反射部材）１３と、第２光学系１４と、波長変換素子１５と、均一化照明光学系１６と、を備えている。光源１１、第１光学系１２およびダイクロイックミラー１３は光源光軸ＡＸ１に沿って配置されている。波長変換素子１５、第２光学系１４、ダイクロイックミラー１３および均一化照明光学系１６は照明装置２の照明光軸ＡＸに沿って配置されている。光源光軸ＡＸ１および照明光軸ＡＸは互いに直交する。
光源１１は第１光Ｂを射出する。第１光Ｂは第１の波長帯を有する光である。第１光Ｂの第１の波長帯は、例えば４５０～４６０ｎｍであり、発光強度のピーク波長は、例えば４５５ｎｍである。すなわち、第１光Ｂは青色光である。光源１１は少なくとも１つの半導体レーザーで構成される。半導体レーザーは、４５５ｎｍ以外のピーク波長を有する第１光Ｂを射出してもよい。光源１１は半導体レーザーに対応して設けられたコリメーターレンズ（図示略）を含む。これにより、光源１１は半導体レーザーから射出された第１光Ｂを平行光に変換して射出する。
光源１１から射出した第１光Ｂは第１光学系１２に入射する。第１光学系１２は少なくとも１つの凸レンズを含み、第１光Ｂを集光させた状態でダイクロイックミラー１３に入射させる。
ダイクロイックミラー１３は第１光学系１２の焦点近傍に配置される。これにより、第１光Ｂは、集光されて光束径が略最小化した状態でダイクロイックミラー１３に入射する。このように第１光Ｂを集光させた状態でダイクロイックミラー１３に入射させることで、ダイクロイックミラー１３のサイズを小型化することができる。
ダイクロイックミラー１３は、第１の波長帯を有する第１光Ｂを反射し、後述する波長変換素子１５から射出される第２の波長帯の第２光Ｙを透過させる光学特性を有する。ダイクロイックミラー１３は、誘電体多層膜から構成されている。
本実施形態の場合、第１光Ｂは発散した状態でダイクロイックミラー１３に入射する。ダイクロイックミラー１３で反射された第１光Ｂは第２光学系１４に入射する。第２光学系１４は少なくとも１つの凸レンズを含み、発散光として入射する第１光Ｂを平行化する。第２光学系１４により平行化された第１光Ｂは波長変換素子１５に入射する。すなわち、本実施形態において、第１光Ｂは平行光として波長変換素子１５に入射する。
図３は波長変換素子１５の構成を示す断面図である。
図３に示すように、波長変換素子１５は、基板２１と、反射層２２と、波長変換層２３と、構造体４０と、ハーフミラー層（光学層）２５と、を備えている。基板２１は上面２１ａを有する。基板２１は、反射層２２、波長変換層２３、構造体４０およびハーフミラー層２５を支持する支持基板である他、当該波長変換層２３から伝導された熱を放熱する放熱基板である。基板２１は、高い熱伝導率を有する材料である、例えば、金属やセラミックス等により構成できる。
図３に示すように、波長変換素子１５は、基板２１と、反射層２２と、波長変換層２３と、構造体４０と、ハーフミラー層（光学層）２５と、を備えている。基板２１は上面２１ａを有する。基板２１は、反射層２２、波長変換層２３、構造体４０およびハーフミラー層２５を支持する支持基板である他、当該波長変換層２３から伝導された熱を放熱する放熱基板である。基板２１は、高い熱伝導率を有する材料である、例えば、金属やセラミックス等により構成できる。
反射層２２は基板２１の上面２１ａに設けられる。すなわち、反射層２２は、基板２１と波長変換層２３との間に位置し、当該波長変換層２３から入射する光を、当該波長変換層２３側に反射する。反射層２２は、誘電体多層膜、金属ミラーおよび増反射膜等を含む積層膜で構成される。
波長変換層２３は反射層２２上に設けられる。波長変換層２３は、第１光Ｂが入射する上面２３ａと、上面２３ａとは異なる下面２３ｂと、を有している。波長変換層２３は、第１の波長帯の第１光Ｂを第１の波長帯とは異なる第２の波長帯を有する第２光Ｙに変換する。
波長変換層２３は、セラミック蛍光体を含んでいてもよいし、単結晶蛍光体を含んでいてもよい。第２波長帯は、例えば５００～６８０ｎｍである。すなわち、第２光Ｙは、緑色光成分および赤色光成分を含む黄色光である。
波長変換層２３は、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体を含んでいる。賦活剤としてセリウム（Ｃｅ）を含有するＹＡＧ：Ｃｅを例にとると、波長変換層２３として、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ３等の構成元素を含む原料粉末を混合して固相反応させた材料、共沈法やソルゲル法等の湿式法により得られるＹ－Ａｌ－Ｏアモルファス粒子、噴霧乾燥法や火炎熱分解法、熱プラズマ法等の気相法により得られるＹＡＧ粒子等を用いることができる。なお、波長変換層２３として多孔質焼結体を用いる場合、蛍光体内部で光が散乱し、横方向へ光が伝搬しにくいため光利用効率の観点でも望ましい。
構造体４０は、波長変換層２３の上面２３ａに設けられ、第１光Ｂの一部を散乱させる。構造体４０は、複数の構造部４５と、複数の平坦部４３と、を含む。複数の構造部４５は、第１の構造部４１と、第２の構造部４２と、を含む。平坦部４３は、第１の構造部４１と第２の構造部４２との間に設けられる。第１の構造部４１および第２の構造部４２は、複数の構造部４５のうちの隣り合う２つの構造部である。
本実施形態の場合、第１の構造部４１および第２の構造部４２は四角錐形状を有する。以下、第１の構造部４１および第２の構造部４２を特に区別しない場合、第１の構造部４１および第２の構造部４２を単に「構造部４５」と称す。
本実施形態において、構造体４０は波長変換層２３と別体で形成される。本実施形態の構造体４０は、例えば、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、塗布法などによって誘電体を形成した後、フォトリソグラフィーで加工する手法が適している。他にも、ナノインプリントなどの印刷法、転写法を用いても良い。構造体４０は、光吸収が小さく、化学的に安定な材料で構成することが好ましい。すなわち、構造体４０は、屈折率が１．３～２．５の範囲の材料で構成され、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＴｉＯ２等を用いることができる。例えばＳｉＯ２を用いて構造体４０を構成すれば、ウェットあるいはドライエッチングによって精度良く加工することが可能である。
ハーフミラー層２５は、構造体４０上に設けられ、第１光Ｂの一部を反射させ、第１光Ｂの他の一部を透過させ、第２光Ｙを透過させる。ハーフミラー層２５の反射率は、材料および層構成によって反射率および波長特性を自由度高く設計可能である。ハーフミラー層２５は、構造部４５および平坦部４３を覆う。
本実施形態のハーフミラー層２５は、光吸収を抑制するため、誘電体多層膜で構成している。誘電体多層膜に用いる材料は化学的に安定で一般的に用いられる材料である、例えば、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２のいずれかが好ましい。なお、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２は低屈折率材料として好適であり、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２は中間～高屈折率材料として好適である。本実施形態のハーフミラー層２５は、例えばＳｉＯ２とＴｉＯ２とが交互に複数積層した誘電体多層膜で構成される。
ハーフミラー層２５は、第１の層２５ａと、第２の層２５ｂと、を含む。第１の層２５ａは、ハーフミラー層２５のうち構造部４５を覆う層である。第２の層２５ｂは、ハーフミラー層２５のうち平坦部４３を覆う層である。
本実施形態の構造体４０は、第１の層２５ａが設けられた構造部４５において、第１光Ｂに対して第１の反射率を有する。具体的に、第１の構造部４１および第２の構造部４２は、第１の層２５ａにより表面が覆われることで、第１光Ｂに対して第１の反射率をそれぞれ有する。
また、本実施形態の構造体４０は、第２の層２５ｂが設けられた平坦部４３において、第１光Ｂに対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。具体的に、平坦部４３は、第２の層２５ｂにより表面が覆われることで、第１光Ｂに対して第２の反射率を有する。本実施形態の場合、第１の反射率は、後述のように第２の反射率よりも大きい。
本実施形態において、第１の層２５ａの膜厚は、第２の層２５ｂの膜厚よりも薄い。ここで、第１の層２５ａの膜厚とは、第１の構造部４１または第２の構造部４２の表面に対する法線方向における厚さを意味し、第２の層２５ｂの膜厚とは、平坦部４３の表面に対する法線方向における厚さを意味する。
ハーフミラー層２５は、例えば、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、塗布法などによって形成される。構造部４５の表面は、平坦部４３の表面に対して傾斜している。そのため、例えば、蒸着法を用いれば、上述したように、構造部４５を覆う第１の層２５ａの膜厚を、平坦部４３を覆う第２の層２５ｂの膜厚よりも薄くする構成を同一プロセスによって容易に実現できる。
また、スパッタ法、ＣＶＤ法を用いてハーフミラー層２５を形成する場合、蒸着法と比較して、成膜粒子の付着確率差が小さく膜厚分布が小さくなるものの、それぞれの装置に適した膜厚比を算出して設計・成膜することで蒸着法と同様の反射特性を有するハーフミラー層２５を形成できる。また、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によってハーフミラー層２５を形成してもよい。この場合、構造部４５と平坦部４３との膜形成面に対する入射角度が異なることを利用して反射角度特性を設計することでハーフミラー層２５を形成できる。
また、スパッタ法、ＣＶＤ法を用いてハーフミラー層２５を形成する場合、蒸着法と比較して、成膜粒子の付着確率差が小さく膜厚分布が小さくなるものの、それぞれの装置に適した膜厚比を算出して設計・成膜することで蒸着法と同様の反射特性を有するハーフミラー層２５を形成できる。また、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によってハーフミラー層２５を形成してもよい。この場合、構造部４５と平坦部４３との膜形成面に対する入射角度が異なることを利用して反射角度特性を設計することでハーフミラー層２５を形成できる。
続いて、本実施形態のハーフミラー層２５の光学特性について説明する。
図４Ａは平坦部４３を覆う第２の層２５ｂの表面反射スペクトルを示す図である。図４Ａは、所定の入射角度で入射する光に対する第２の層２５ｂの表面での反射率を示している。図４Ａにおいて、横軸は第２の層２５ｂに入射する光の波長を示し、縦軸は第２の層２５ｂの表面での反射率を示している。なお、図４Ａでは、入射角度０度、１０度で入射する光の反射率を示している。
図４Ｂは第２の層２５ｂにおける第１光Ｂの反射率角度特性を示す図である。図４Ｂにおいて、横軸は第１光Ｂの入射角度を示し、縦軸は反射率を示している。
図４Ａは平坦部４３を覆う第２の層２５ｂの表面反射スペクトルを示す図である。図４Ａは、所定の入射角度で入射する光に対する第２の層２５ｂの表面での反射率を示している。図４Ａにおいて、横軸は第２の層２５ｂに入射する光の波長を示し、縦軸は第２の層２５ｂの表面での反射率を示している。なお、図４Ａでは、入射角度０度、１０度で入射する光の反射率を示している。
図４Ｂは第２の層２５ｂにおける第１光Ｂの反射率角度特性を示す図である。図４Ｂにおいて、横軸は第１光Ｂの入射角度を示し、縦軸は反射率を示している。
本実施形態の場合、第２の層２５ｂは平坦部４３の表面に設けられるため、第１光Ｂは第２の層２５ｂの表面に対して垂直方向、例えば、０±１０度の角度分布をもって入射するものとした。図４Ａに示すように、本実施形態の第２の層２５ｂは、当該第２の層２５ｂにおける略垂直方向の光線（入射角度０度あるいは１０度）に対する反射率が第１光Ｂにおける第１の波長帯（４５０～４６０ｎｍ）において低い。すなわち、第２の層２５ｂは、当該第２の層２５ｂに対して略垂直方向から入射する光に対する透過率のピークＰが第１の波長帯となるように設計されている。つまり、第２の層２５ｂは、当該第２の層２５ｂに対して略垂直方向から入射する第１波長帯の光に対する反射率が最も低くするように設計されている。そのため、図４Ｂに示すように、第２の層２５ｂは、該第２の層２５ｂに対して０度から１０度の角度範囲で入射する第１光Ｂの反射率が５％程度とされる。すなわち、本実施形態において、平坦部４３の表面に設けられた第２の層２５ｂによる第１光Ｂの反射率は５％程度となる。
本実施形態において、構造体４５の表面における平坦部４３の表面に対する傾斜角度を例えば３０度とした。上述のように第１光Ｂは、構造体４５の表面に対して、０±１０度の角度分布をもって入射するものとする。このとき、第１光Ｂは、構造部４５に設けられた第１の層２５ａの表面に対して、入射角度２０～４０度の斜め方向から入射する。
図５Ａは構造部４５を覆う第１の層２５ａの表面反射スペクトルを示す図である。図５Ａは、入射角度２０～４０度で入射する第１光Ｂに対する第１の層２５ａの表面による反射率を示している。図５Ａにおいて、横軸は第１の層２５ａに入射する光の波長を示し、縦軸は第１の層２５ａの表面での反射率を示している。なお、図５Ａでは、入射角度２０度、３０度、４０度で入射する光の反射率をそれぞれ示している。
図５Ｂは第１の層２５ａにおける第１光Ｂの反射率角度特性を示す図である。図５Ｂにおいて、横軸は第１光Ｂの入射角度を示し、縦軸は反射率を示している。
図５Ｂは第１の層２５ａにおける第１光Ｂの反射率角度特性を示す図である。図５Ｂにおいて、横軸は第１光Ｂの入射角度を示し、縦軸は反射率を示している。
ところで、一般的に、ハーフミラー層２５の形成材料である誘電体多層膜は、膜厚が薄くなるほど、反射スペクトルが短波長側にシフトする特性を有している。また、誘電体多層膜は、斜め方向から入射する光に対して、反射スペクトルが短波長側にシフトする特性がある。
本実施形態の場合、第１の層２５ａは上述のように第２の層２５ｂよりも膜厚が薄い。また、第１光Ｂは第１の層２５ａに対して斜め方向から入射する。そのため、第１の層２５ａにおける第１光Ｂの反射スペクトルは、第２の層２５ｂにおける第１光Ｂの反射スペクトルよりも、短波長側にシフトする。
図４Ａに示したように第２の層２５ｂにおける反射スペクトルは、第１の波長帯（４５０～４６０ｎｍ）の第１光Ｂに対する反射率が最も低くなっている。そのため、第１の層２５ａにおいて反射率が最も低くなる光の波長帯は第１の波長帯よりも低い波長帯にシフトしている。図５Ａに示されるように、第１の層２５ａにおいて反射率が最も低くなる光の波長帯は、第１の波長帯よりも低い４００ｎｍ程度となる。つまり、第１の層２５ａにおける第１の波長帯を有する第１光Ｂに対する反射率は、第２の層２５ｂにおける第１光Ｂに対する反射率よりも高くなる。
図５Ｂに示すように、本実施形態において、第１の層２５ａは、該第１の層２５ａに対して２０度から４０度の角度範囲で入射する第１光Ｂの反射率が１６％程度となる。
図５Ｂに示すように、本実施形態において、第１の層２５ａは、該第１の層２５ａに対して２０度から４０度の角度範囲で入射する第１光Ｂの反射率が１６％程度となる。
このように本実施形態のハーフミラー層２５は、平坦部４３に入射する光に対する反射率が最も低くなる波長帯を第１光Ｂに対応させるとともに、構造部４５に入射する光の反射スペクトルを短波長側にシフトさせることで、第２の層２５ｂにおける第１光Ｂに対する反射率よりも第１の層２５ａにおける第１光Ｂに対する反射率を大きくしている。
図６Ａおよび図６Ｂは波長変換素子１５で反射される第１光Ｂを説明するための要部拡大図である。図６Ａおよび図６Ｂにおいて、四角錐形状からなる構造部４５の中心を通る軸を中心軸Ｏとする。図６Ａは、波長変換素子１５の要部構成を示す平面図であり、図６Ｂは、構造部４５の中心軸Ｏを通る、図６ＡのＢ－Ｂ線矢視による断面図である。なお、図６Ａでは、図を見やすくするため、ハーフミラー層２５を省略している。以下の説明において、波長変換層２３の上面２３ａに設けられた構造体４０に入射した第１光Ｂのうち、構造部４５に入射した成分を第１光Ｂａとし、平坦部４３に入射した成分を第１光Ｂｂとする。
本実施形態の波長変換素子１５は、上述のように平坦部４３に比べて構造部４５の反射率が高くなっている。そのため、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、本実施形態の波長変換素子１５によれば、波長変換層２３の上面２３ａに設けられた構造体４０に入射した第１光Ｂのうち、構造部４５に入射する第１光Ｂａを相対的に多く反射し、平坦部４３に入射する第１光Ｂｂを相対的に少なく反射させることができる。
図６Ｂに示されるように、構造部４５の表面は平坦部４３の表面に対して傾斜面であるため、構造部４５に入射した第１光Ｂａは垂直方向から離れた斜め方向に向かって反射される。つまり、本実施形態の波長変換素子１５は、第１光Ｂを垂直方向よりも斜め方向に多く反射するように散乱させて反射する。
本実施形態の場合、構造部４５が四角錐形状を有するため、中心軸Ｏに沿う方向から視て、４つの側面の向く方向が９０度ずつ異なっている。そのため、構造部４５は、中心軸Ｏの周りに第１光Ｂａを４方向に等方的に散乱反射することができる。
以下、波長変換素子１５から散乱反射される第１光Ｂを散乱反射光と称す。
以下、波長変換素子１５から散乱反射される第１光Ｂを散乱反射光と称す。
図７は本実施形態の波長変換素子１５による散乱反射光Ｂ１の配光特性を示す図である。図７において、縦軸は散乱反射光Ｂ１における０度方向の配光分布を規定し、横軸方向は散乱反射光Ｂ１における±９０度方向の配光分布を規定する。なお、図７では、本実施形態の波長変換素子１５の配光特性を実施例として示し、比較例として、波長変換層２３の上面２３ａ上に構造体４０のみを設けてハーフミラー層２５を設けない波長変換素子の配光特性について図示する。
図７に示すように、比較例の波長変換素子では、散乱反射光Ｂ１の配光分布が０度方向から１５～６０度の範囲の斜め方向の全域に亘って略等しいことが分かる。
これに対して、本実施形態の波長変換素子１５では、散乱反射光Ｂ１として、０度方向に沿う垂直方向よりも１５～６０度の範囲の斜め方向に成分を多く含む配光分布を有する光を射出することが分かる。
これに対して、本実施形態の波長変換素子１５では、散乱反射光Ｂ１として、０度方向に沿う垂直方向よりも１５～６０度の範囲の斜め方向に成分を多く含む配光分布を有する光を射出することが分かる。
このように本実施形態の波長変換素子１５によれば、図３に示すように、散乱反射光Ｂ１を垂直方向よりも斜め方向に多く反射することができる。なお、図３では、図を分かりやすくするため、散乱反射光Ｂ１の光束幅を垂直方向よりも斜め方向の方が太く示している。
本実施形態の構造体４０は光吸収が小さい材料で構成されるため、第２光Ｙは構造体４０の表面での反射が抑えられる。したがって、本実施形態の波長変換素子１５において、波長変換層２３で生成された第２光Ｙは、構造体４０およびハーフミラー層２５を透過して外部に効率良く射出される。
本実施形態の波長変換素子１５によれば、散乱反射光Ｂ１と第２光Ｙとを含む白色の照明光ＷＬを第２光学系１４に向けて射出することができる。照明光ＷＬは、第２光学系１４により略平行化される。第２光学系１４を透過した照明光ＷＬは照明光軸ＡＸ上に配置されたダイクロイックミラー１３を通過する。
ここで、ダイクロイックミラー１３は、第１光Ｂを反射するとともに第２光Ｙを透過させる光学特性を有する。そのため、照明光ＷＬに含まれる第２光Ｙはダイクロイックミラー１３を透過して均一化照明光学系１６に向かう。第２光Ｙはダイクロイックミラー１３を透過するので、ダイクロイックミラー１３による第２光Ｙの光損失を低減できる。
一方、照明光ＷＬに含まれる散乱反射光Ｂ１は、第１光Ｂと同じ第１の波長帯の光であるため、ダイクロイックミラー１３によって反射されてしまう。本実施形態において、照明光ＷＬに含まれる散乱反射光Ｂ１は、上述のように垂直方向成分よりも斜め方向成分を多く含む配光分布を有している。そのため、散乱反射光Ｂ１に含まれる光線の多くは波長変換素子１５の垂直方向に位置するダイクロイックミラー１３を避けるように均一化照明光学系１６に向かう。
これにより、ダイクロイックミラー１３に入射する散乱反射光Ｂ１の光量が抑制されるので、ダイクロイックミラー１３で反射されることで照明光ＷＬとして有効利用されない散乱反射光Ｂ１の割合を低減できる。また、本実施形態では、第１光Ｂを集光させた状態でダイクロイックミラー１３に入射することでダイクロイックミラー１３を小型化している。そのため、ダイクロイックミラー１３に入射する散乱反射光Ｂ１の光量をより低減することができる。
照明光ＷＬが入射する均一化照明光学系１６は、インテグレーター光学系３１と、偏光変換素子３２と、重畳光学系３３と、を含む。インテグレーター光学系３１は、第１マルチレンズアレイ３１ａと、第２マルチレンズアレイ３１ｂと、を備えている。
偏光変換素子３２は、偏光分離膜と位相差板とをアレイ状に並べて構成されている。偏光変換素子３２は、照明光ＷＬの偏光方向を所定の方向に揃える。具体的には、偏光変換素子３２は、照明光ＷＬの偏光方向を光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの入射側偏光板の透過軸の方向に揃える。
これにより、偏光変換素子３２を透過した照明光ＷＬを分離して得られる赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、および青色光ＬＢの偏光方向は、各光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの入射側偏光板の透過軸方向に一致する。よって、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、および青色光ＬＢは、入射側偏光板でそれぞれ遮光されることなく、光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの画像形成領域にそれぞれ入射する。
重畳光学系３３は、第２マルチレンズアレイ３１ｂとともに、第１マルチレンズアレイ３１ａの各小レンズの像を各光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの各々の画像形成領域の近傍に結像させる。
本実施形態の照明装置２によれば、照明光ＷＬの光利用効率を向上することができ、照明光ＷＬの明るさ向上および消費電力の低減、あるいは光ロスに伴う装置内の発熱を抑制することができる。
（効果）
本実施形態の波長変換素子１５は、基板２１と、基板２１の上面２１ａに設けられる反射層２２と、反射層２２に対向して設けられ、第１の波長帯の第１光Ｂを第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の第２光Ｙに変換する波長変換層２３と、波長変換層２３に対向して設けられ、第１の波長帯の第１光Ｂの一部を散乱させる構造体４０と、構造体４０に対向して設けられ、第１の波長帯の第１光Ｂの一部を反射させ、第１の波長帯の第１光Ｂの他の一部を透過させ、第２の波長帯の第２光Ｙを透過させるハーフミラー層２５と、を備え、構造体４０は、第１の構造部４１と、第２の構造部４２と、第１の構造部４１と第２の構造部４２との間に設けられる平坦部４３と、を含み、第１の構造部４１および第２の構造部４２に設けられる第１の層２５ａは、第１の波長帯の第１光Ｂに対して第１の反射率を有し、平坦部４３に設けられる第２の層２５ｂは、第１の波長帯の第１光Ｂに対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。本実施形態において、第１の反射率は、第２の反射率よりも大きい。
本実施形態の波長変換素子１５は、基板２１と、基板２１の上面２１ａに設けられる反射層２２と、反射層２２に対向して設けられ、第１の波長帯の第１光Ｂを第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の第２光Ｙに変換する波長変換層２３と、波長変換層２３に対向して設けられ、第１の波長帯の第１光Ｂの一部を散乱させる構造体４０と、構造体４０に対向して設けられ、第１の波長帯の第１光Ｂの一部を反射させ、第１の波長帯の第１光Ｂの他の一部を透過させ、第２の波長帯の第２光Ｙを透過させるハーフミラー層２５と、を備え、構造体４０は、第１の構造部４１と、第２の構造部４２と、第１の構造部４１と第２の構造部４２との間に設けられる平坦部４３と、を含み、第１の構造部４１および第２の構造部４２に設けられる第１の層２５ａは、第１の波長帯の第１光Ｂに対して第１の反射率を有し、平坦部４３に設けられる第２の層２５ｂは、第１の波長帯の第１光Ｂに対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。本実施形態において、第１の反射率は、第２の反射率よりも大きい。
本実施形態の波長変換素子１５では、第１の層２５ａにおける第１の反射率が第２の層２５ｂにおける第２の反射率よりも高くなる。これにより、構造体４０は、垂直方向よりも斜め方向に向かう成分を多く含む配光分布を有する散乱反射光Ｂ１を生成する。散乱反射光Ｂ１は、ダイクロイックミラー１３を避けるように進行する。よって、本実施形態の波長変換素子１５によれば、ダイクロイックミラー１３による光損失を低減することで第１光Ｂの光利用効率を向上できる。
本実施形態の波長変換素子１５において、ハーフミラー層２５は、第１の構造部４１および第２の構造部４２に設けられる第１の層２５ａは第１の膜厚を有し、平坦部４３に設けられる第２の層２５ｂは第２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚よりも薄い。
膜厚の薄い第１の層２５ａでは、第１光Ｂの反射スペクトルが短波長側にシフトする。これにより、第１の層２５ａにおける第１の反射率が第２の層２５ｂにおける第２の反射率よりも高くする構成を実現することができる。よって、上述のように垂直方向よりも斜め方向に成分を多く含む配光分布の散乱反射光Ｂ１を生成することができる。
本実施形態の波長変換素子１５において、第１の構造部４１および第２の構造部４２は、四角錐形状を有する。
このような四角錐形状からなる第１の構造部４１および第２の構造部４２によれば、第１光Ｂを等方的に散乱させた散乱反射光Ｂ１を生成することができる。
本実施形態の波長変換素子１５において、構造体４０は、屈折率が１．３～２．５の範囲の材料で構成される。
この構成によれば、光吸収が小さく、化学的に安定な材料で構造体４０を構成できる。
本実施形態の波長変換素子１５において、ハーフミラー層２５は、誘電体多層膜で構成される。
この構成によれば、光吸収を抑制したハーフミラー層２５を形成できる。
本実施形態の波長変換素子１５において、誘電体多層膜はＭｇＦ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２のいずれかを含む構成としてもよい。
この構成によれば、光吸収を抑制するとともに化学的に安定なでハーフミラー層２５を形成できる。
本実施形態の照明装置２は、上記の波長変換素子１５と、第１の波長帯の第１光Ｂを射出する光源１１と、光源１１から射出された第１の波長帯の第１光Ｂを波長変換素子１５に向けて反射するダイクロイックミラー１３と、を備える。
本実施形態の照明装置２によれば、ダイクロイックミラー１３に入射する散乱反射光Ｂ１の光量が抑制されるので、照明光ＷＬの光利用効率を向上することができる。
本実施形態の照明装置２において、ダイクロイックミラー１３は、第２の波長帯の第２光Ｙを透過する構成としてもよい。
この構成によれば、ダイクロイックミラー１３による第２光Ｙの光損失を低減できる。
本実施形態のプロジェクター１は、照明装置２と、照明装置２からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂと、光変調装置４Ｒ，４Ｇ，４Ｂにより変調された光を投射する投射光学装置６と、を備える。
本実施形態のプロジェクター１によれば、照明光ＷＬの光利用効率を向上させた照明装置２を備えるので、光効率が高く、明るい画像を表示するプロジェクターを提供できる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態において、構造体４０は波長変換層２３と別体で形成されたが、構造体４０は波長変換層２３と一体で形成されてもよい。図８は構造体４０および波長変換層２３を一体形成した構成を示す図である。図８に示すように、構造体４０が波長変換層２３の上面２３ａに直接形成された構成によれば、構造体４０を形成する工程を削減でき、波長変換素子１５のコストを低減できる。また、構造体４０および波長変換層２３の屈折率が同一のため、構造体４０および波長変換層２３の界面反射が無くなるので、光が横方向へ逃げにくくなり、結果的にエテンデューを小さくできる。
例えば、上記実施形態において、構造体４０は波長変換層２３と別体で形成されたが、構造体４０は波長変換層２３と一体で形成されてもよい。図８は構造体４０および波長変換層２３を一体形成した構成を示す図である。図８に示すように、構造体４０が波長変換層２３の上面２３ａに直接形成された構成によれば、構造体４０を形成する工程を削減でき、波長変換素子１５のコストを低減できる。また、構造体４０および波長変換層２３の屈折率が同一のため、構造体４０および波長変換層２３の界面反射が無くなるので、光が横方向へ逃げにくくなり、結果的にエテンデューを小さくできる。
また、構造部４５の形状は四角錐形状に限定されず、凸レンズ形状、凹レンズ形状でもよい。また、上記実施形態の構造体４０では、同一形状の構造部４５を等ピッチで複数配置していたが、同一あるいは異なる形状の構造部４５をランダムに配置して構造体４０を構成してもよい。また、構造部４５において、第１の構造部４１および第２の構造部４２の形状を異ならせてもよい。
また、上記実施形態において、波長変換素子１５は、第１光Ｂに対して波長変換層２３が移動しない固定方式の構造を採用したが、第１光Ｂに対して波長変換層２３が回転するホイール方式の構造を採用してもよい。
その他、照明装置およびプロジェクターの各構成要素の形状、数、配置、材料等の具体的な記載については、上記実施形態に限らず、適宜変更が可能である。上記実施形態では、本発明による照明装置を、液晶ライトバルブを用いたプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による照明装置を、光変調装置としてデジタルマイクロミラーデバイスを用いたプロジェクターに適用してもよい。また、プロジェクターは、複数の光変調装置を有していなくてもよく、１つの光変調装置のみを有していてもよい。
上記実施形態では、本発明による照明装置をプロジェクターに適用した例を示したが、これに限られない。本発明による照明装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。
本発明の一つの態様の波長変換素子は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子は、基板と、基板に設けられる反射層と、反射層に設けられ、第１の波長帯の光を第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に変換する波長変換層と、波長変換層に設けられ、第１の波長帯の光の一部を散乱させる構造体と、構造体に設けられ、第１の波長帯の光の一部を反射させ、第１の波長帯の光の他の一部を透過させ、第２の波長帯の光を透過させる光学層と、を備え、構造体は、第１の構造部と、第２の構造部と、第１の構造部と第２の構造部との間に設けられる平坦部と、を含み、第１の構造部および第２の構造部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率を有し、平坦部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。
本発明の一つの態様の波長変換素子は、基板と、基板に設けられる反射層と、反射層に設けられ、第１の波長帯の光を第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に変換する波長変換層と、波長変換層に設けられ、第１の波長帯の光の一部を散乱させる構造体と、構造体に設けられ、第１の波長帯の光の一部を反射させ、第１の波長帯の光の他の一部を透過させ、第２の波長帯の光を透過させる光学層と、を備え、構造体は、第１の構造部と、第２の構造部と、第１の構造部と第２の構造部との間に設けられる平坦部と、を含み、第１の構造部および第２の構造部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率を有し、平坦部に設けられる光学層は、第１の波長帯の光に対して第１の反射率と異なる第２の反射率を有する。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、第１の反射率は、第２の反射率よりも大きい構成としてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、第１の構造部および第２の構造部に設けられる光学層は、第１の膜厚を有し、平坦部に設けられる光学層は、第１の膜厚と異なる第２の膜厚を有し、第１の膜厚は、第２の膜厚よりも薄い構成としてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、第１の構造部および第２の構造部は、四角錐形状を有する構成としてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、構造体は、屈折率が１．３～２．５の範囲の材料で構成される構成としてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、光学層は、誘電体多層膜で構成されていてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、誘電体多層膜は、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２のいずれかを含む構成としてもよい。
本発明の一つの態様の波長変換素子において、構造体は、波長変換層と一体形成されている構成としてもよい。
本発明の一つの態様の照明装置は、以下の構成を有していてもよい。
本発明の照明装置は、上記の波長変換素子と、第１の波長帯の光を射出する光源と、光源から射出された第１の波長帯の光を波長変換素子に向けて反射する反射部材と、を備える。
本発明の照明装置は、上記の波長変換素子と、第１の波長帯の光を射出する光源と、光源から射出された第１の波長帯の光を波長変換素子に向けて反射する反射部材と、を備える。
本発明の一つの態様の光源装置において、反射部材は、第２の波長帯の光を透過する構成としてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、以下の構成を有していてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の一つの態様の照明装置と、照明装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備える。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の一つの態様の照明装置と、照明装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備える。
１…プロジェクター、２…照明装置、４Ｂ，４Ｇ，４Ｒ…光変調装置、６…投射光学装置、１１…光源、１３…ダイクロイックミラー（反射部材）、１５…波長変換素子、２１…基板、２１ａ…上面、２２…反射層、２３…波長変換層、２５…ハーフミラー層（光学層）、２５ａ…第１の層、２５ｂ…第２の層、４０…構造体、４１…第１の構造部、４２…第２の構造部、４３…平坦部、４５…構造部。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板に設けられる反射層と、
前記反射層に設けられ、第１の波長帯の光を前記第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に変換する波長変換層と、
前記波長変換層に設けられ、前記第１の波長帯の光の一部を散乱させる構造体と、
前記構造体に設けられ、前記第１の波長帯の光の一部を反射させ、前記第１の波長帯の光の他の一部を透過させ、前記第２の波長帯の光を透過させる光学層と、を備え、
前記構造体は、第１の構造部と、第２の構造部と、前記第１の構造部と前記第２の構造部との間に設けられる平坦部と、を含み、
前記第１の構造部および前記第２の構造部に設けられる前記光学層は、前記第１の波長帯の光に対して第１の反射率を有し、
前記平坦部に設けられる前記光学層は、前記第１の波長帯の光に対して前記第１の反射率と異なる第２の反射率を有する
ことを特徴とする波長変換素子。 - 前記第１の反射率は、前記第２の反射率よりも大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の波長変換素子。 - 前記第１の構造部および前記第２の構造部に設けられる前記光学層は、第１の膜厚を有し、
前記平坦部に設けられる前記光学層は、前記第１の膜厚と異なる第２の膜厚を有し、 前記第１の膜厚は、前記第２の膜厚よりも薄い
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の波長変換素子。 - 前記第１の構造部および前記第２の構造部は、四角錐形状を有する
ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の波長変換素子。 - 前記構造体は、屈折率が１．３～２．５の範囲の材料で構成される
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか一項に記載の波長変換素子。 - 前記光学層は、誘電体多層膜で構成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか一項に記載の波長変換素子。 - 前記誘電体多層膜は、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＨｆＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２のいずれかを含む
ことを特徴とする請求項６に記載の波長変換素子。 - 前記構造体は、前記波長変換層と一体形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか一項に記載の波長変換素子。 - 請求項１から請求項８のうちのいずれか一項に記載の波長変換素子と、
前記第１の波長帯の光を射出する光源と、
前記光源から射出された前記第１の波長帯の光を前記波長変換素子に向けて反射する反射部材と、を備える
ことを特徴とする照明装置。 - 前記反射部材は、前記第２の波長帯の光を透過する
ことを特徴とする請求項９に記載の照明装置。 - 請求項９または請求項１０に記載の照明装置と、
前記照明装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、を備える
ことを特徴とするプロジェクター。
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